【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅（Ｃｕ）からなる第１ターゲット３０ａ，３０ａとニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素からなる第２ターゲット３０ｂ，３０ｂとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板１０上に第１酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程、及びその第１酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第２酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２において、トレンチ２０３の表面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上に、加熱しつつ、ＰＶＤによりＣｕがマイグレーションするようにＣｕ膜２０６を形成してトレンチ２０３を埋める工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜のエッチング時に膜厚方向中央部での括れの発生を防止する。
【解決手段】多結晶シリコン膜３の上部と下部はノンドープ層３ａ、３ｃにてそれぞれ構成され、多結晶シリコン膜３の中央部は不純物ドープ層３ｂにて構成され、多結晶シリコン膜３に凹部Ｍ１を形成した後、多結晶シリコン膜３の酸化処理にて凹部Ｍ１の表面にシリコン酸化膜６を形成し、凹部Ｍ１下の多結晶シリコン膜３を除去する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率金属を堆積することができるビーム堆積方法を提供する。
【解決手段】ヘキサメチル二スズのようなメチル化又はエチル化金属などの低抵抗率の金属材料を堆積できる前駆体を試料表面に向けて導入し、ガリウム集束イオンビームを試料表面の所望の位置に照射して、その位置に４０μΩ・ｃｍと低い抵抗率のスズ膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】微細化を達成するとともに、ゲート電極等の信頼性を確保する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎ型ＭＩＳトランジスタ及びＰ型ＭＩＳトランジスタのそれぞれのゲート形成領域において、Ｎ型ＭＩＳトランジスタのゲート形成領域の凹部内に形成されたゲート絶縁膜Ｆ０上に第１の金属含有膜Ｆ１を、Ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート形成領域の凹部内に形成されたゲート絶縁膜Ｆ０上に第３の金属含有膜Ｆ３を形成し、第１の金属含有膜Ｆ１上及び第３の金属含有膜Ｆ３上に第２の金属含有膜Ｆ２を形成し、Ｎ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜Ｆ０に接する第１の金属含有膜Ｆ１の仕事関数がＰ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜Ｆ０に接する第３の金属含有膜Ｆ３の仕事関数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】材料の選択幅が広く、生産性が高いＴＦＴ、アクティブマトリクス基板、およびそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、ゲート電極２と、半導体層５と、半導体層５の上に設けられ、半導体層５と電気的に接続されたソース電極７、及びドレイン電極８と、を備えた薄膜トランジスタであって、半導体層５が、透光性半導体膜５ａと、透光性半導体膜５ａ上に配置され、透光性半導体膜５ａよりも光透過率の低いオーミック導電膜５ｂと、を有し、オーミック導電膜５ｂが、透光性半導体膜５ａからはみ出さないように形成され、オーミック導電膜５ｂが、ソース電極７とドレイン電極８の間のチャネル部９を挟むように分離して形成され、ソース電極７、及びドレイン電極８が、オーミック導電膜ｂを介して、透光性半導体膜５ａに接続されているものである。 （もっと読む）

【課題】タングステン膜を使用した部分の抵抗を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、基板内に設けた開口部内、又は基板上にタングステン膜を形成する。タングステン膜の形成後、エッチバック又はエッチングを行う前にタングステン膜に対してアニール処理を行う。これにより、タングステン膜の結晶状態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】銅の高原子価化合物から金属銅膜を製造する組成物、金属銅膜の製造方法、および金属銅膜を提供する。
【解決手段】銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。
また、銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤；銅錯体およびレオロジー調整剤から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】印刷形成が可能である銅系粒子堆積層を、基板密着性、低体積抵抗率、基板ダメージがなく深部まで還元する処理方法であり、且つ印刷塗布部外への銅の析出を抑制した、金属銅膜の作製方法、及び、作製した印刷金属銅パターンを提供する。
【解決手段】基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、１２０℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の１価のアルコール／エステル／ケトンから選択される少なくとも１種の有機溶剤と混合ガスにより処理する、金属銅膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属薄膜電極及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による金属薄膜電極の製造方法は、基材上に金属粉末、有機バインダ及び有機溶媒を含む金属ペーストを塗布して金属薄膜を形成する段階と、金属薄膜を有機酸と水系液の比が１０：９０〜９０：１０の雰囲気で還元焼成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットの同時放電による反応性スパッタリングにおいて、堆積された膜の組成をコントロールすることを目的とする。
【解決手段】各ターゲットへの反応性ガスの供給量を異ならせることで、一方のターゲットからは反応性ガスとの反応生成物がスパッタされ、他のターゲットからはターゲット材質がスパッタリングされる。これにより、堆積される膜の組成をコントロールすることが可能となる。また、一方のターゲットをポイズンモードとし、他のターゲットをメタルモードとしてスパッタリングを行うことで、反応生成物と金属からなる化合物が成膜される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セルの有効面積を増やし、アンバランス動作等を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第１層間絶縁膜８に覆われない上面を介して、ゲート電極２０と接続された、第１ゲート配線５と、第１ゲート配線５の、上面の一部を除く領域を覆って、第１層間絶縁膜８上に形成された、第２層間絶縁膜８０と、第２層間絶縁膜８０に覆われない上面を介して、第１ゲート配線５と接続された、第２ゲート配線１６とを備え、平面視において、第２ゲート配線１６の幅は、第１ゲート配線５の幅よりも広い。 （もっと読む）

【課題】所望の抵抗値を有する制御ゲートを備えた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１３の表面上に第１の絶縁膜１５、電荷蓄積層１６、第２の絶縁膜１７、およびポリシリコン膜２１をこの順で形成する工程と、ポリシリコン膜２１上および両側壁全面に金属膜２５を形成する工程と、金属膜２５が形成されたポリシリコン膜２１を加熱してシリサイド化する工程と、金属膜２５を除去する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフのトランジスタ、或いは当該トランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域として機能する第１の酸化物半導体層と、当該第１の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、当該第１の酸化物半導体層、当該ソース電極層、及び当該ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、当該ゲート絶縁層に接して当該第１の酸化物半導体層と重なる第２の酸化物半導体層と、当該第２の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層とを有する半導体装置及びその作製に関する。 （もっと読む）

【課題】ゲートメタル電極とＨｉｇｈ−ｋ膜とを用いた半導体装置において、低抵抗なゲートメタル電極により仕事関数を調整できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、Ｎウェル１０２の上に形成された第１のゲート絶縁膜１０９と、該第１のゲート絶縁膜１０９の上に形成された第１のゲート電極とを備えている。第１のゲート絶縁膜１０９は、第１の高誘電体膜１０９ｂを含み、第１のゲート電極は、第１の高誘電体膜１０９ｂの上に形成され、ＴｉＮ層１１０ａとＡｌＮ層１１０ｂとが交互に積層された第１の実効仕事関数調整層１１０を含む。ＴｉＮ層１１０ａはＡｌＮ層１１０ｂよりも抵抗が小さく、且つ、ＡｌＮ層１１０ｂはＴｉＮ層１１０ａよりも実効仕事関数の調整量が大きい。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線の低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、Ｔａ膜またはＴａＮ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステンから膜なる配線層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】添加元素に起因してＮｉシリサイド層が高抵抗化することを抑制する。
【解決手段】まず、シリコン層１００上に、Ｎｉより原子番号が大きい金属元素を含み、Ｎｉを含まない反応制御層２０２を形成する。次いで、反応制御層２０２上にＮｉを堆積し、シリコン層１００、反応制御層２０２、及びＮｉを熱処理することにより、シリコン層１００にＮｉシリサイド層２００を形成する。反応制御層２０２は、Ｎｉより原子番号が大きい金属元素から構成されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ゲート抵抗の増大を抑制しつつ、外部ウェルがトレンチゲート電極によってセル領域のウェルから分断されてしまうことを抑制する。
【解決手段】埋込ゲート電極１４０のうち平面視でゲートコンタクト領域１０２と重なる方向に延伸している埋込ゲート電極１４２は、ゲート電極３１０と重ならないように、ゲート電極３１０の手前までしか延伸していない。また埋込ゲート電極１４２の相互間に位置するソースコンタクトは、図中上下方向において、埋込ゲート電極１４２よりも短く形成されている。そして埋込ゲート電極１４２のうちゲート電極３１０側の端部は、ゲート電極３１０の手前に設けられた接続用埋込電極１４１によって互いに接続されている。接続用埋込電極１４１は、半導体装置の長辺と平行な方向に延伸している。接続用埋込電極１４１は、埋込ゲート電極１４２の隣に位置する埋込ゲート電極１４４には接続していない。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体装置に関する。
【解決手段】本発明は、半導体基板上のセル領域のセルトランジスタ上の層間膜を貫通してコンタクトプラグが形成され、周辺回路領域のトランジスタ上の層間膜を貫通してコンタクトプラグが形成されてなる半導体装置の製造方法であり、セルトランジスタ上の層間膜にコンタクトホールを形成し、その底部側にシリコン膜の下部導電プラグを形成する工程と、その上に金属膜を積層して積層構造のセルコンタクトプラグを形成する工程と、周辺回路用トランジスタ上の層間膜にコンタクトホールを形成し、その内部に金属膜を形成してコンタクトプラグを形成する工程とを具備し、前記セル領域のコンタクトホール内のシリコン膜上に金属膜を形成する工程と前記周辺回路領域のコンタクトホール内に金属膜を形成する工程を同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）