【課題】柱状結晶構造を有する金属を用いた場合でも、簡便な方法で、再現性良く階段構造状のテーパーを有する電極を形成する。
【解決手段】真空状態を保ったままの状態において、同一種類の金属を用いて、スパッタリング法で少なくとも２層の金属膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程によって成膜された複数の金属膜にエッチング処理を施すことにより、階段構造状のテーパー形状を端部に有する、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも１つを形成するエッチング工程とによって薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、ＴｉＷ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステン膜からなる配線層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率の低い金属膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することである。
【解決手段】基板が収容された処理室に、第１の原料を供給して前記基板の表面に前記第１の原料を吸着させる第１の工程と、前記第１の原料が前記基板の表面で飽和吸着する前に、前記処理室に前記第１の原料とは異なる反応ガスを供給して、前記基板に吸着した第１の原料と反応させる第２の工程と、前記処理室内の雰囲気を除去する第３の工程と、前記処理室に前記第１の原料を改質する改質ガスを供給して、前記基板に吸着した前記第１の原料を改質する第４の工程と、を行うことで前記基板の表面に１原子層未満の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】電極／配線の材料としてＡｌ及び／又はその合金が用いられており、オフリーク電流が小さく良好な素子特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、基板１上にゲート電極２とゲート絶縁膜３とチャネル層として機能する半導体膜４とを備え、半導体膜４上にソース電極６とドレイン電極７とが互いに離間して設けられたものであり、ソース電極６及びドレイン電極７は、アルミニウム及び／又はその合金を主成分とする少なくとも１層のアルミニウム（合金）膜を含む単層膜又は積層膜からなり、半導体膜４の表面のソース電極６及びドレイン電極７の間の領域８に、電気的に不活性な少なくとも１種のアルミニウム化合物９が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜において、あらゆる膜特性を同時に満足させる手法を提供すること。
【解決手段】スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。また、p型またはn型の導電型を有する半導体上に導電性薄膜を形成する方法において、半導体上への成膜開始時点に、強度にプラズマ照射を行うことを特徴とする導電性薄膜の形成方法も採用できる。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗且つチャネルの劣化を抑制可能なトレンチゲートを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型のドレイン層１１と、ドレイン層１１の主面に配設され、ドレイン層１１よりも不純物濃度が低いｎ型のドリフト層１２と、ドリフト層１２上に配設されたｐ型のベース層１３と、ベース層１３の表面領域に配設され、ドリフト層１２よりも不純物濃度が高いｎ型のソース層１４と、ソース層１４及びベース層１３を貫通し、ドリフト層１２に達する深さを有して配設されたストライプ状のゲートトレンチ１６と、ゲートトレンチ１６を形成する側面及び底面に沿って配設されたトレンチ形状のゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７の開口幅の狭い対向する側面に設けられた触媒層１８と、トレンチ形状のゲート絶縁膜１７内に、触媒層１８に接続されたカーボンナノチューブ１９が配設されたゲート電極２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】低いチャネル抵抗を具現し、電界効果移動度が高くなる効果がある二重ゲートトランジスタを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、下部ゲート電極と、前記下部ゲート電極上の上部ゲート電極と、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極の間に介在され、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極を連結するコンタクトプラグと、前記上部ゲート電極と同一の高さに前記上部ゲート電極から離隔して形成された機能電極と、を含む。本発明によれば、電界効果移動度が高い二重ゲートトランジスタを半導体装置に適用させることによって、半導体装置の特性を改善することができる。特に、本発明によれば、別途のマスク工程や蒸着工程を追加する必要がないので、工程コストの上昇や収率減少をもたらすことなく、大面積・高画質の半導体装置を大量生産することができる。 （もっと読む）

【課題】透明性、導電性且つ生産後のロール状態での保存性が良好な有機電子デバイス用電極の提供。
【解決手段】透明基材上に、導電性の金属細線パターンと、導電性ポリマー層を設けた有機電子デバイス用電極において、該金属細線パターンの金属細線の厚みをａとし、開口部における該導電性ポリマー層の厚みをｂとしたとき、以下式１〜式３で表される条件を満たし、且つ、導電性ポリマー層がπ共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んでなる導電性ポリマーおよび下記ポリマー（Ａ）を有する有機電子デバイス用電極。０．２≦ａ≦２．０（式１）０．２≦ｂ≦２．０（式２）−０．２≦ｂ−ａ≦１．８（式３）
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【課題】絶縁性が著しく改善でき、高透過性、低抵抗である導電膜及び簡易にファインなパターンを形成できる導電膜の製造方法、並びに筆圧耐久性及び可撓性が向上したタッチパネル、及び変換効率が向上した集積型太陽電池の提供。
【解決手段】基材と、該基材上に少なくとも導電性繊維を含む導電層とを有してなり、前記導電層がパターン形成されており、パターンエッジ粗さが５μｍ以下である導電膜となる。該導電層が分散媒を含有し、該分散媒の合計含有量Ａと、導電性繊維の含有量Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）が０．１〜５．０である態様、該導電性繊維が、平均短軸長さが１００ｎｍ以下であり、かつ平均長軸長さが５μｍ以上である態様などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄板化に伴うＳｉＣ基板の反りを修正するＳｉＣ半導体素子の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、（ａ）表面側に素子活性領域が形成されたＳｉＣ基板１を準備する工程と、（ｂ）ＳｉＣ基板１の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、（ｃ）ＳｉＣ基板１の表面を平坦面に固定したまま、研削によるＳｉＣ基板の反りを相殺する応力を付与する内部応力層を、ＳｉＣ基板内部に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。
【解決手段】
タングステンを含有するターゲットＴを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Ｓに形成する成膜方法において、ターゲットＴとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。また、成膜されたタングステン膜におけるニッケルの濃度が、０．００１質量％以上且つ１質量％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、前記Ａｌ合金膜の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造を有すること。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、アルミニウム（Ａｌ）の仕事関数より電極配線としての見かけの仕事関数が小さくなるアルミニウム電極配線用のガラス組成物を提供する。
【解決手段】アルミニウムより仕事関数が小さい元素の酸化物から構成される。この酸化物は、バナジウム（Ｖ）の酸化物と、アルカリ土類金属の酸化物と、アルカリ金属の酸化物とから構成され、アルカリ土類金属の元素としてはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）及びバリウム（Ｂａ）の元素の内少なくともバリウムを含む１種以上の元素がなり、アルカリ金属の元素としてはナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の元素の内少なくとも１種以上の元素がなる。バナジウムの元素が五酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）として含まれているとした場合に、五酸化バナジウムを４０〜７０重量％含む。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。
【解決手段】低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。本処理により、堆積されるタングステン成膜の抵抗率が低減される。ある実施形態では、核生成層の成膜は、水素を利用せずに、ホウ素ベースの化学作用により行われる。またある実施形態では、処理は、核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のサイクルに曝す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含む第１の析出物について、円相当直径２０ｎｍ以上の析出物が５００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）