【課題】 成膜温度、成膜圧力、還元ガスの使用量・使用割合等の成膜条件を設定することにより、所望の物性を有する利用範囲の広いＮｉ膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 真空槽の中でＳｉ基板を一定温度に保持してニッケルアルキルアミジナート（但し、アルキルは、メチル基、エチル基、ブチル基及びプロピル基から選ばれる。）とＨ_２とＮＨ_３とをこの真空槽内に導入し、ＣＶＤ法でＮｉ膜を形成する方法であって、成膜温度が２８０℃より高く３５０℃以下であること。 （もっと読む）

【課題】光電池に使用可能な長波長帯領域において高い光学的特性を維持するとともに、ヘイズ値を向上させることができる光電池用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光電池用基板の製造方法に関し、透明基板にドーパントがドーピングされた酸化亜鉛薄膜層を形成する第１ステップ、及び、水素プラズマによるエッチングを通じて前記酸化亜鉛薄膜層の表面構造を制御する第２ステップを含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を基板の周囲において引き出すゲート引き出し配線の引き出し部は、素子領域内と同等の効率で機能するＭＯＳＦＥＴのトランジスタセルＣを配置することができない非動作領域となる。つまり、ゲート引き出し配線を、例えばチップの４辺に沿って配置すると、非動作領域が増加し、素子領域の面積拡大や、チップ面積の縮小に限界があった。
【解決手段】 ゲート引き出し配線と、ゲート引き出し配線と保護ダイオードとを接続する導電体とを、チップの同一辺に沿って曲折しない一直線状に配置する。又これらの上に重畳して延在し、これらと保護ダイオードを接続する第１ゲート電極層の曲折部を１以下とする。更に保護ダイオードを導電体またはゲート引き出し配線と隣接して配置し、保護ダイオードの一部をゲートパッド部に近接して配置する。 （もっと読む）

【課題】アモルファス状態の透明導電膜の光透過率を増加させ、シート抵抗を低下させ、ｐ型半導体層とのオーミックコンタクトを形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽３１内に、アモルファス状態の透明導電膜が表面に露出する処理対象物１が配置された状態で、真空槽３１内に不活性ガスと酸素ガスとを、不活性ガスに対する酸素ガスの流量比が１／２０以上３／７以下になるように導入して圧力を上昇させ、圧力が上昇した状態で処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第一のアニール工程）。次いで、酸素ガスの導入を停止して、真空槽３１内の酸素ガスの分圧が第一のアニール工程での酸素ガスの分圧よりも低下した状態で、処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第二のアニール工程）。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３内、ビア孔１４内および層間絶縁膜１２上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、トレンチ溝１３の底部および側壁とビア孔１４の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】成膜後の金属酸化物粒子の緻密性を改善することができ、所望の性能を有する金属酸化物半導体薄膜や透明導電膜を形成することが可能な金属酸化物粒子分散組成物を提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子と、金属塩及び／又は有機金属化合物と、溶媒とを含有する透明導電膜形成用の金属酸化物粒子分散組成物であって、前記金属酸化物粒子は、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも１種の金属の酸化物を含有し、かつ、前記金属塩及び／又は有機金属化合物は、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも１種の金属の金属塩及び／又はＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む有機金属化合物である金属酸化物粒子分散組成物。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石からの磁場がプラズマ発生空間で互いに干渉し難い成膜装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽のなかに設けられ、基板を載置することが可能な支持台と、前記真空槽のなかに設けられ、前記支持台の主面に、放電空間を介して、表面を対向させた複数のターゲットと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石と、前記磁石のうちの少なくとも１つから前記放電空間へ向かう磁場を前記磁石と前記放電空間との間において低減させる低減手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ及びホールパターンの底面や、側面に被覆カバレッジ性の良好なシリサイド膜を形成できるＮｉＳｉ膜の形成方法及びシリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、並びに成膜装置の提供。
【解決手段】Ｓｉを主組成とする基板上にＮｉ膜を形成し、このＮｉ膜を加熱処理することにより基板の上層にＮｉＳｉ膜を形成する方法であって、ＮｉＳｉ膜を形成する加熱処理の前に、その加熱処理温度よりも低く、ＮｉＳｉ膜が形成されない温度で、Ｈ_２ガスを用いてＮｉ膜をプレアニールしてＮｉ膜中の不純物を除去し、次いで得られたＮｉ膜をシリサイドアニールする。シリサイド膜を形成する前にプレアニールするためのプレアニール用のＨ_２ガスを導入する手段を備えた装置。 （もっと読む）

【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができる銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が１００ｎｍ以上の第１の銅粒子１４を分散させた第１の分散液１２を塗布し、基板１０上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを１５０℃未満の温度で乾燥を行う乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンと同じ位置に、第１の銅粒子１４より粒子径の小さい第２の銅粒子１８を分散させた第２の分散液１６を塗布する塗布工程と、塗布工程後の配線パターンの第１の銅粒子１４および第２の銅粒子１６間の空隙を埋める緻密化工程と、緻密化工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの修正において、修正抵抗を低減することが可能となる、パターン修正方法を提供する。
【解決手段】パターン修正方法は、導電性パターン２０の欠陥部２１を修正するパターン修正方法であって、導電性インクを塗布することにより第１のインク層３１を形成する工程と、第１のインク層３１を焼成することにより第１の修正層３２を形成する工程と、少なくとも一部が第１の修正層３２に重なるように導電性インクを塗布することにより、第２のインク層３３を形成する工程と、第２のインク層３３を焼成することにより第２の修正層３４を形成する工程とを備え、第１の修正層３２および第２の修正層３４により欠陥部２１を挟んで配置される導電性パターン２０間の電気的接続が確保される。 （もっと読む）

【課題】金属窒化膜に隣接する他の膜の特性を劣化させない温度範囲において、金属窒化膜中の塩素原子や酸素原子の残留量を低減し、金属窒化膜の耐酸化性を改善する。
【解決手段】自然酸化膜が形成され、塩素原子を含む窒化チタニウム膜が形成された基板を処理室内に搬入して基板支持部により支持する工程と、基板を基板支持部により加熱する工程と、窒素原子含有ガス及び水素原子含有ガスをガス供給部により処理室内に供給しつつ、処理室内をガス排気部により排気する工程と、処理室内に供給された窒素原子含有ガス及び水素原子含有ガスをプラズマ生成部により励起する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタなどの素子動作層をなす導電性インジウム含有酸化物半導体層に電気的接触抵抗が小さい金属電極を形成できるようにする。
【解決手段】インジウム含有酸化物半導体層とその層の上方に設けた素子動作電流を流通させる金属電極層との間に、酸化物半導体層をなすインジウム酸化物などを化学的に還元でき、且つ易酸化性の金属からなる金属膜を素材とした金属酸化物層と金属層とを設け、更に、金属酸化物層と金属層との境界には還元されたインジウムを蓄積したインジウム濃化層を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にＵ字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。
【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して３倍以上、好ましくは５倍以上、さらに好ましくは１０倍以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層が積層された導電層に該絶縁層を貫通するカーボンナノチューブが接続される配線構造にて電気的特性を向上することのできる配線形成方法、及び該方法を用いる配線形成装置を提供する。
【解決手段】
下部配線層３２に積層された絶縁層３４を貫通するホール３５に、その内表面の全体が含まれるように触媒層３６，３７を形成した後、ホール３５の内部にシースＳｈが形成され、且つホール３５の内壁面３５ａに対するシースの厚さがホール３５の底壁面３５ｂに対するシースＳｈの厚さよりも小さくなるようにプラズマを生成する。そして、ホール３５の内壁面３５ａに形成された触媒層３６，３７をプラズマ中のスパッタ粒子Ｓｐによって除去した後、ホール３５の底壁面３５ｂに残された触媒層３６，３７を用いて該底壁面３５ｂからカーボンナノチューブ３８を形成する。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．０１〜２．０原子％と、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、およびＯｓよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンの成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを流し、下地２の表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２の表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層３上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備え、シード層３を形成する工程における下地の加熱温度を、アモルファスシリコン膜を形成する工程における前記下地の加熱温度よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】クレバスの面積比が小さく、低抵抗を維持した薄膜の状態で、配線層を構成する銅又はアルミニウム等の拡散を防止できるルテニウムバリア膜とその作製方法及び該ルテニウム膜を有する半導体集積回路装置とその製造方法を提供する。
【解決する手段】ルテニウムバリア膜は、ルテニウムを主成分とする金属からなり、表面上に観測されるクレバス（溝、割れ目又は深く鋭いくぼみ）の占める面積比が、前記バリア膜表面の全面積に対して１５％以下であり、広角Ｘ線回折測定によって得られるＸ線回折プロファイルにおいて、ルテニウムの結晶配向面（００２）及び（１００）に起因するスペクトルのそれぞれのピーク強度比であるＲｕ（００２）／Ｒｕ（１００）が１０以上であり、また、スパッタリング法によって、温度を５００℃以上に加熱した状態の半導体基板の配線溝上に成膜されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２において、トレンチ２０３の表面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上に、加熱しつつ、ＰＶＤによりＣｕがマイグレーションするようにＣｕ膜２０６を形成してトレンチ２０３を埋める工程とを有する。 （もっと読む）