【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルＣＳＰと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層を第１電極が形成された半導体ウェハ表面１０に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径（Ｄ１）の開口部３２を形成し、前記半導体ウェハ表面１０の第１電極を露出させる工程、外部電極と前記第１電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、Ｄ２＞Ｄ１となるような開口径（Ｄ２）の開口部３２を形成し、前記第１電極と、前記外部電極を形成するための第２電極を露出させる工程、前記第１電極及び前記第２電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】任意の方向に傾斜した開口部を形成可能な基板の製造方法、半導体装置の製造方法、およびこれを適用した半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本適用例の素子基板１０１の製造方法は、素子基板１０１上に設けられた半導体装置としてのＴＦＴ１１０を覆うと共に第１開口部としての孔１０４ａが設けられた第２絶縁膜としての層間絶縁膜１０４をマスクとして、素子基板１０１の面法線１０１ａと交差する一の方向からドライエッチングを第１絶縁膜としてのゲート絶縁膜１０３に施して、孔１０４ａに連通すると共にＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０ｄに開口する第２開口部としての孔１０３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の段差部を有した絶縁層２５を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層２５上に犠牲層２８を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層２８のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層２８から露出された領域における前記絶縁層２５の除去とを、ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層２８の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板切断などの切出し加工の際に生じるクラックからの水分侵入に起因する金属配線端面の腐食防止、あるいは金属配線端面の腐食が生じている場合でも該腐食が液晶表示装置を駆動する液晶表示部分を構成するゲート配線、ソース配線や配線端子部に金属配線にまで到達することを防止する技術を提供する。
【解決手段】基板の上に、切り出し加工により切断端面が露出している第１の金属配線と、第２の金属配線と、絶縁膜と、を有する表示装置用配線構造であって、前記第１の金属配線は１００μｍ以上の不連続部を有し、前記不連続部によって分断された各第１の金属配線は、第２の金属配線によって連結されており、前記分断された第１の金属配線と、前記第２の金属配線との接触界面の少なくとも一方は、前記第１の金属配線または前記第２の金属配線を構成する金属よりも貴な金属を含むもので構成される腐食防止層を有する配線構造。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】例えば、開口部１０１を介してチップ取り出し電極２を含む基板１の一部表面が露出するようメタルマスク１００を基板１に被せ、イオン化された被着金属に、０．０１ｅＶから２５０ｅＶの被着エネルギを与えるイオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク１００を剥離することによって、基板１の一部表面に形成された金属導体からなる配線層２１を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、基板上に配線層２１を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。更に、その回路基板とその他のチップとを積層して、それらをボンディングワイヤで絶縁基板に支持されないリードへ接続する。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 第１絶縁膜に設けた凹部の側壁に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜の内側に順に第２絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、炭素を含有する第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設けるとともに、前記第１の導電性バリア層と前記第２の導電性バリア層との界面と、前記第２の導電性バリア層と前記第３の導電性バリア層との界面に炭素混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって信頼性に優れた半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の一方の面に第１表面電極２を形成し、第１表面電極２が形成された基板１の表面にレジスト組成物を塗布し、プリベークしてレジスト膜１０を形成し、該レジスト膜１０を貫通して第１表面電極１上にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内にコンタクト電極４を形成し、第１表面電極２が形成された基板の表面に、熱膨張率が２ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃未満の第１絶縁膜３ａを形成し、次いで、該第１絶縁膜３ａ上に熱膨張率が７ｐｐｍ／℃以上２４ｐｐｍ／℃以下の第２絶縁膜３ｂを積層して絶縁膜３を形成し、コンタクト電極４を介して絶縁膜上に第２表面電極５を形成し、第１表面電極２、第２表面電極５及び絶縁膜３が形成された基板の裏面側を支持体に固定し、第１表面電極側からダイシングして素子ユニットを分離して半導体素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔となるべきアスペクト比が２０以上の深孔を埋め込む貫通電極金属としては、埋め込み特性が良好なタングステンが使用されることが多いが、通常のドライエッチングによる深孔は、ボッシュプロセスによるものに比べて寸法の大きなものとなる。この比較的大きな深孔を埋め込むためには、必然的にウエハの表面に成膜すべきタングステン膜の膜厚も厚くなり、その結果、ウエハの反りが、プロセスを正常に実行できる限界を超える程度にまで増加する。また、このような問題が許容できる限度内である場合にも、タングステン膜を堆積する際に、ウエハの周辺で下地膜の剥がれが発生する等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、貫通ビアを形成するための非貫通孔をタングステン部材で埋め込むに当たり、ウエハの周辺部において、下地のバリアメタル膜の外延部より内側に、タングステン部材の外延部を位置させるように成膜を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】基板を薄板化しても基板の反りを抑制でき、耐熱性、機械特性に優れた絶縁膜で保護された半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の一方の面に第１表面電極２を形成し、第１表面電極２が形成された基板の表面に、芳香族テトラカルボン酸及び芳香族テトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上のアシル化合物を、前記芳香族ジアミンよりも１モル％以上多く反応して得られるポリアミド酸を含むポリイミド前駆体組成物を塗布し、イミド化して絶縁膜３を形成し、第１表面電極２及び絶縁膜３が少なくとも形成された基板１を、第１表面電極側からダイシングして素子ユニットを分離して半導体素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜５に開口部６を形成したとき、保護膜５の開口部６を介して露出された接続パッド２の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。次に、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Ａがさらに変質して網目構造の変質層Ｃが形成される。次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）

【課題】リーク電流が低く、電界効果移動度が高いなどの優れた特性を有するＴＦＴを備え、駆動回路を内蔵して部材点数を減らすことが可能な半導体装置において、駆動回路内部における腐食などの発生を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置においては、駆動回路を内蔵したＴＦＴアレイ基板１００に、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、結晶性半導体部分を含んでチャネル領域４ｃが形成される半導体層４と、チャネル領域４ｃを保護するチャネル保護膜５と、半導体層４に接続されたソース電極６及びドレイン電極７を備えたＴＦＴ、並びに、ゲート電極２と同層に形成された配線層２ａとソース電極６と同層に形成された配線層６ａを駆動回路内部においてコンタクトホール１３を介し直接接触させて接続させる配線変換部１２を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂基板及び電極の両方に対するレベリング性に優れ、平滑性及び絶縁性に優れた硬化膜が得られる紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 エネルギー線硬化性化合物、光重合開始剤、及び表面張力調整剤を含有し、硬化性を有さないポリマーを含まず、２５℃における粘度が１００ｍＰａ・ｓｅｃ以下、表面張力が２２〜３５ｍＮ／ｍ、かつインク硬化膜の体積抵抗率１０^１３Ω・ｃｍ以上であり、絶縁破壊強度１．２MV／ｃｍ^２以上である、絶縁膜を形成するためのソルベントフリー紫外線線硬化型インクジェット記録用インク、それを硬化してなる絶縁膜等を提供する。 （もっと読む）

【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、及びＣＯＦ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ_４やＣＦ_３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低く、環境への負荷が低い。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することで、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと接続するソース電極あるいはドレイン電極のスルーホールにおけるコンタクト抵抗を減少させ、表示装置の動作効率を向上させる。
【解決手段】スルーホールにおいて、ＴＦＴのソース部とソース電極８が接続している。ソース電極８は、バリヤメタル、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３の３層から形成されている。バリヤメタルは半導体層と接触する下層８１ａとＡｌ合金と接触する上層８１ｂとに分かれている。バリヤメタルの下層８１ａをスパッタリングして形成した後、熱処理し、その後、ベースメタルの上層８１ｂ、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３を連続してスパッタリングによって形成する。Ａｌ合金８２と接触するバリヤメタルの上層８１ｂは酸化されていないので、スルーホールにおけるコンタクト抵抗の上昇を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】接合熱処理温度が低くて済み、凝固後は高い融点を確保し得る高耐熱性の電子デバイス及びその製造方法の提供。
【解決手段】複数枚の基板ＷＦ１〜ＷＦｒのそれぞれは、縦導体３１と、接続導体４とを有している。複数枚の基板ＷＦ１〜ＷＦｒのうち、隣接する基板ＷＦ１、ＷＦ２は、一方の基板ＷＦ２の接続導体（縦導体）３１が、他方の基板ＷＦ１の接続導体４と、接合膜５によって接合されている。接合膜５は、第１金属または合金成分と、それよりも融点の高い第２金属または合金成分とを含み、凝固後の溶融温度が第１金属または合金成分の融点よりも高くなっている。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）