【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。
【解決手段】膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）

【課題】基板上の凹部が形成された層間絶縁膜の露出面にバリア膜を成膜し、凹部内に下層側の金属配線と電気的に接続される銅配線を形成するにあたり、段差被覆性の良好なバリア膜を形成することができ、しかも配線抵抗の上昇を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に形成された凹部２１の底面に露出した下層側の銅配線１３の表面の酸化膜を還元あるいはエッチングして、当該銅配線１３の表面の酸素を除去した後、マンガンを含み、酸素を含まない有機金属化合物を供給することによって、凹部２１の側壁及び層間絶縁膜の表面などの酸素を含む部位に自己形成バリア膜である酸化マンガン２５を選択的に生成させる一方、銅配線１３の表面にはこの酸化マンガン２５を生成させないようにして、その後この凹部に銅を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 ２つの異なる方向にサブリソグラフィ幅および間隔を有するナノスケール構造およびこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】 サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第１の方向に沿って延在する半導体基板上の第１のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第１の層（２０）内の第１の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１の層に充填材料を充填し、第１のナノスケール・ネスト線構造を含む第１の層（２０）の上に、第２の層（６０）を堆積する。サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第２の方向に沿って延在する第２のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第２の層（６０）内の第２の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１のナノスケール・ネスト線構造および第２のナノスケール・ネスト線構造の複合パターンを、第１の層（２０）の下の基層（１２）に転写して、２つの方向に周期性を有する構造のアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】層間誘電体（ＩＬＤ）上でハードマスクを用いながら、ＩＬＤ内のトレンチのアンダーカットを減らしたり、防止したりさえする方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン層３１０とシリコン層上に配置された誘電体層１０１とを含んでいる。誘電体層は、その間に誘電体層の領域が配置されるように第１トレンチ４０１Ａと第２トレンチ４０２Ａとを有し、第１、第２トレンチは、各々、金属を含み、また誘電体層の上述の領域の炭素濃度よりも高い炭素濃度有する側壁を有する。 （もっと読む）

【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低ｋ誘電体を形成する方法であって、表面上に低ｋ誘電体を成膜し、低ｋ誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低ｋ誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低ｋ誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型トランジスタの特性向上処理とＮ型トランジスタの特性向上処理とを施したとしても、製造工程の増加を抑制することができ、かつデバイス全体の性能の劣化を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一の領域の半導体基板１上に、加熱により応力が生ずるカバー膜１１を形成する。当該カバー膜１１が形成された半導体基板１に対して、加熱処理を施す。これにより、カバー膜１１に応力が発生し、当該応力に起因して第一のトランジスタの特性を向上させる第一の特性向上処理が、半導体基板１に施される。また、カバー膜１１をマスクとして使用して、当該カバー膜１１から露出している第二の領域の半導体基板１に対して、第二のトランジスタの特性を向上させる第二の特性向上処理を施す。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Ｗの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＭｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】配線用の導電体相互間のクロストークを減少した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置内に空洞を形成する方法が開示される。本発明の方法は、半導体装置のＩＬＤ層内の空洞の内面上に核化防止層を付着することを含む。この核化防止層は、後に付着される誘電体層が空洞内に付着することを防止する。誘電体層が空洞内に付着することを防止することにより、キャパシタンスが減少され、これにより、改善された半導体動作特性を実現する。 （もっと読む）

【課題】結晶配向が揃った良好な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、第１の層間絶縁膜４の貫通孔４３に形成された第１プラグ導電層４４と、この第１プラグ導電層４４上に設けられた導電部材６１とを備えた半導体装置であって、第１の層間絶縁膜４上には、第１プラグ導電層４４に通じる孔部５４を有したスペーサ絶縁膜５１が形成され、この孔部５４内には、第１プラグ導電層４４に接続し、かつ、導電部材６１に接続するスペーサ導電部５２が埋め込まれて形成されている。スペーサ導電部５２は自己配向性を有する導電材料からなり、スペーサ絶縁膜５１上とスペーサ導電部５２上とは、平坦化処理されていることを特徴とする。スペーサ導電部５２を所定の厚さにすることで、第１プラグ導電層４３に確実に蓋することができ、結晶配向のずれが導電部材６１に伝わることが防止される。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）

半導体素子（１０，２０）を形成する方法は、第１の主要表面と第２の主要表面とを有する半導体基板（１２）上に第１の能動回路（１４）を形成する工程を含む。第１の能動回路（１４）は第１の主要表面上に形成される。第１の半導体基板内には、第１の能動回路から第１の半導体基板の第２の主要表面まで延びるビア（１６，１８）が形成される。第２の主要表面上には第１のビアに隣接して誘電体層（２４）が形成される。誘電体層（２４）は窒素とシリコンを含んでよく、低圧プラズマ、低温プラズマ、または両方のプラズマプロセスにより形成され得る。
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【課題】パワー・トランジスタに流れる電流ルートを明確にすると共に、パワー・トランジスタに流れる電流の最適化を図ることにより、パワー・トランジスタへのダメージ又はストレスを低減し、信頼性に優れた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、半導体基板上(100)に形成されたパワー・トランジスタ(100A)と、パワー・トランジスタ(100A)の直上に形成され、パワー・トランジスタの第１の電極及び第２の電極として機能する複数の第１の金属パターン及び複数の第２の金属パターンと、複数の第１の金属パターンのうち対応する第１の金属パターンと電気的に接続する複数の第１のバス(140〜142)と、複数の第２の金属パターンのうち対応する第２の金属パターンと電気的に接続する複数の第２のバス(150〜152)と、複数の第１のバス(140〜142)及び複数の第２のバス(150〜152)の各々には、１つのコンタクト・パッド(304)が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲートハードマスクの損失を最小化し、かつ、コンタクトホールのオープン不良現象の改善に適した半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、基板２１上に第１パターンＧ’を形成するステップと、該第１パターン上に酸化膜を形成するステップと、該酸化膜上にハードマスク層を形成するステップと、該ハードマスク層を第１基板温度でエッチングするステップと、前記酸化膜をエッチングして第２パターンを形成するステップとを含み、前記酸化膜のエッチングの際、第１基板温度より更に高い第２基板温度でフッ素（Ｆ）及び炭素（Ｃ）を含有しているガスをメインエッチングガスとして用いる。 （もっと読む）

本発明は、流体コンポーネントに関する。流体コンポーネントは、エッチング可能な材料からなる少なくとも１つの基板（３２）と、前記基板のためのエッチング停止層（３４）と、前記エッチング停止層の第１の側に設けられた、流体についての性質を検出するための、および／または、前記流体を活性化させるための手段（３８）と、前記基板において前記エッチング停止層の第２の側に設けられた、前記流体を収容するための手段（４０）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 垂直型ウェハ間相互接続を設けるための金属充填貫通ビア構造体を提供する。
【解決手段】 垂直型ウェハ間相互接続構造体を設けるのに有用な貫通ビア接続を作成する方法、並びに、この方法によって形成される垂直型相互接続構造体が提供される。本発明の方法は、垂直型接続のために金属スタッドのみを使用し、それゆえに、金属スタッドによってアルファ線は発生されない。本発明の方法は挿入ステップ、加熱ステップ、薄層化ステップ及び裏面加工を含む。 （もっと読む）

【課題】銅とバリア層との間の接着性を向上させるための自己組織化原子層
【解決手段】実施形態は、エレクトロマイグレーション耐性に優れなおかつ銅配線のストレス誘起ボイドのリスクを低下させた方式で薄い共形バリア層と、銅層とを銅配線内に堆積させることを可能にすることによって、必要性を満たすものである。エレクトロマイグレーションおよびストレス誘起ボイドは、バリア層と銅層との間の接着性に影響される。銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層が堆積される。機能化層は、バリア層と銅層との間の接着性を向上させるために、バリア層および銅と強い結合を形成する。銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるたために、銅配線の金属バリア層の上に機能化層を堆積させ、銅配線内における銅層の堆積を助けるための、基板の基板表面を調整する方法が提供される。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることと、金属バリア層の表面を酸化させることとを含む。方法は、また、金属バリア層の酸化表面の上に機能化層を堆積させることと、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、銅配線構造内に銅層を堆積させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】銅配線のバリア界面調整のための方法および装置
【解決手段】バリア層と銅層との間の接着性は、銅の堆積前にバリア層を金属リッチにすることおよび銅の堆積前にバリア層が曝露される酸素の量を制限することによって向上させることができる。あるいは、バリア層と銅層との間の接着性に優れた方式で銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層を堆積させることができる。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることを含み、金属バリア層を堆積させた後、基板は、金属バリア酸化物の形成を阻止するために制御環境内において搬送され処理される。方法は、また、統合システム内において金属層の上に機能化層を堆積させることも含む。エレクトロマイグレーションの問題を阻止するために、方法は、さらに、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、統合システム内において銅配線構造内に銅層を堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】金属スペーサを用いて金属配線の特性向上及びオーバラップマージンを改善できる多層金属配線の形成方法を提供する。
【解決手段】下層上に第１金属配線を形成する段階、前記第１金属配線を含む下層上に第１絶縁膜を形成する段階、前記第１絶縁膜をエッチングして前記第１金属配線の高さより低いように段差を形成する段階、前記第１絶縁膜上の第１金属配線の側壁に金属スペーサを形成する段階、前記金属スペーサを含む下層上に平坦化膜を形成する段階、前記平坦化膜をエッチングして前記第１金属配線が露出するようにコンタクト孔を形成する段階、及び、前記コンタクト孔を介して第１金属配線とコンタクトする第２金属配線を形成する段階を備えることを特徴とする。 （もっと読む）