【課題】ゲルマニウム層が露出した基板表面を洗浄でき、かつゲルマニウム層の膜減り抑制と優れた洗浄効率とを両立できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム層が露出した基板表面に洗浄液を供給する基板洗浄方法であって、洗浄液として、アルカリ物質の添加によってｐＨが７より大きい値に調整されたオゾン水を用いる。基板処理装置は、ゲルマニウム層が露出した表面を有する基板Ｗを保持するスピンチャック１２と、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの表面に、アルカリ物質の添加によってｐＨが７より大きい値に調整されたオゾン水からなる洗浄液を供給する洗浄液供給機構２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄（プレ洗浄）技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄（プレ洗浄）剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にＧａＡｓ、サファイア、SｉＣのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル（研削屑等の異物）の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面の清浄度を正確に確認することのできる半導体基板洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板洗浄装置１００は、半導体基板１０を洗浄する洗浄部１と、洗浄部１で洗浄された半導体基板１０の表面の反射強度を測定する反射式センサ２と、反射式センサ２による反射強度の測定結果に基づき、半導体基板１０の洗浄の適否を判定する判定部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＲＥ法のメリットを延ばし、ＣＡＲＥ法のデメリットを補完することで、十分な加工速度を確保しながら、被加工物の加工後における加工表面にダメージを残すことなく該加工表面の平坦度を高めた表面除去加工を行うことができるようにする。
【解決手段】緩衝剤を含む第１処理液中に被加工物を配し、ガラス系金属酸化物からなる触媒定盤を透過させて被加工物の被加工面に光を照射させながら、触媒定盤の表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる光照射触媒基準エッチングで初期表面除去工程を行い、ハロゲン化水素酸、過酸化水素水またはオゾン水からなる第２処理液中に被加工物を配し、少なくとも表面が、白金、金、セラミックス系固体触媒、遷移金属、及びガラス系金属酸化物の何れかのみからなる触媒定盤の該表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる触媒基準エッチングで最終表面除去工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法およびＳｉＣ半導体の洗浄装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程（ステップＳ２）と、酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）とを備え、
酸化膜を形成する工程では、酸素プラズマを用いる。酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）では、フッ化水素を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】 ２枚のウェハ間の接合を、接合後の欠陥の発生を低減すること、および接合エネルギーを高めることによって、強化する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、別のウェハと接合するためにウェハの酸化表面を調製する方法であって、酸化表面には原子種が注入され、ＮＨ₄ＯＨとＨ₂Ｏ₂を使用して酸化表面を洗浄する第１ステップと、塩化水素種（ＨＣｌ）を使用して洗浄する第２ステップとを含み、第１ステップは、約１０Å〜約１２０Åでエッチングするように実行され、第２ステップは、約１０分間またはそれ以内の間、約５０℃以下の選択された温度で実行される。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇｅを含有する半導体基板を、ＨＣｌガス、ＨＢｒガスまたはＨＩガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。Ｇｅを含有する半導体基板を、７５℃以上１１０℃以下のＨＣｌ溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の前処理、ソース・ドレイン電極形成の前処理、コンタクトの金属プラグ形成の前処理に適用される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェット洗浄処理において、基板の腐食を防止した方法および装置の提供。
【解決手段】半導体基板（１）を洗浄するための方法および装置に関し、基板の表面の上に、第１の導電性または半導体材料を含み、第２の導電性または半導体材料の層（４）により囲まれた少なくとも１つの構造（５）を含み、この層は本質的に表面の全体に渡って拡がり、第１および第２の材料は物理的に接続され、この方法は、基板を提供する工程と、基板の表面に面するように対向電極（２０）を配置する工程と、表面と電極との間の空間に電解溶液（２１）を供給する工程であって、基板表面、洗浄溶液（２１）、および対向電極（２０）により形成されたガルバニ電池中で、対向電極がアノードとして働く工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】洗浄性に優れ、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、さらに引火点がなく、人体や環境への影響が少ないウエハ又は板状物の洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分（ａ）〜（ｅ）を含有することを特徴とするウエハ又は板状物の洗浄剤組成物である。
（ａ）下記一般式（１）で示されるアルキルポリグルコシド ５〜４０重量％
Ｒ−Ｏ−（Ｇ）ｎ−Ｈ ……（１）
（式中Ｒは炭素数１〜２２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｇは炭素数５〜６の還元糖を示し、ｎは１〜５である。）
（ｂ）金属イオン封鎖剤（キレート剤） １〜２０重量％
（ｃ）アルカリ剤 １〜３０重量％
（ｄ）エーテル型非イオン界面活性剤 １〜３０重量％
（ｅ）水 残部 （もっと読む）

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー２を用いて、処理対象である半導体基板４の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射するための噴射装置３とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
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本発明は、少なくとも１つのシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層とこのＳｉＧｅ層に接する歪みシリコン（ｓＳｉ）層とを含むウエハを処理する方法に関し、このｓＳｉ層は、ＳｉＧｅ層をエッチングすることによって露出されており、この方法は、（ａ）ＳｉＧｅ層の第１選択エッチング、場合によりその後の酸化洗浄ステップと；（ｂ）脱イオン水を使用する濯ぎステップと；（ｃ）乾燥と；（ｄ）第２選択エッチングステップとのステップを含む。本発明は、少なくとも１つの歪みシリコン（ｓＳｉ）表面層を含むウエハに関し、前記ｓＳｉ表面層の厚さは、少なくとも５ｎｍ及び最大１００μｍであり、欠陥が最大２００個／ウエハである。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を改善する、第１および第２の基板のそれぞれ２つの自由表面の分子接合のための方法を提供すること。
【解決手段】例えば単結晶シリコン・ウエハによって形成される、第１および第２の基板の自由表面の分子接合による接着は、少なくとも連続して、自由表面を疎水性にするための、気相のフッ化水素酸での自由表面の洗浄ステップと、３０秒以下の時間の、脱イオン水での前記自由表面のすすぎステップと、前記自由表面を接触させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子材料、特にシリコンウエハ用の洗浄液およびそれを用いた洗浄方法に関する。
【解決手段】本発明にかかる洗浄方法は、超純水あるいは水素水を原料水とし、かつ水素マイクロバブルの存在下で、超音波照射を組合わせた洗浄液を用いることを特徴とする。
【効果】本発明の方法は、ウエハ表面のパーティクル成分等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長プロセスの特性を改良する方法を提供する。
【解決手段】選択エピタキシャル成長工程を用いた半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体基板を供給する工程と、半導体基板の上に絶縁性材料のパターンを形成し、これによりカバーされおよびカバーされない表面を形成する工程と、形成された絶縁性材料のパターンを有する半導体基板の、カバーされたおよびカバーされない表面を洗浄する工程と、絶縁性材料のパターンを有する基板をエピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に入れる工程と、可能であれば少なくとも１つの第１キャリアガスと共に、少なくとも１つの半導体ソースガスを、エピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に導入する工程を含む選択エピタキシャル成長を開始する工程とを含み、選択エピタキシャル成長を開始する工程に先立って、反応チャンバ中で、可能であれば第２キャリアガスと共に、ハロゲン含有エッチングガスを導入して、基板の表面にその場前処理が行われる。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス過酸化物を含有するプロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。この過酸化水素ベースの成分が開始剤とともに使用される。ここで、開始剤は、プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する。
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