【課題】 全長が１８００ｍｍ以上ある大型のエキシマランプ４０を光源に備えていても、中間部と端部とで一定の水準の処理効果を保つことができるランプユニット２０を提供すること。
【解決手段】 放電容器４１における上壁面４２と下壁面４３との外表面に電極４６、４７が設けられると共に放電容器内にキセノンガスが封入されてなり、当該放電容器内にエキシマ放電を発生させるエキシマランプ４０と、
エキシマランプ４０の両端をランプ保持体２６によって支持して筐体２１内にエキシマランプ４０を配置したランプユニットにおいて、
前記エキシマランプ４０の長手方向の中間部下方に中間支持体５０を配置し、エキシマランプ４０を下側から支持したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】基板に対して最終薬液処理の後に洗浄処理を行う場合に、薬液処理室の寸法上の設計の共通化を達成しつつ薬液除去効果を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される基板Ｗに対して最終薬液処理を行う薬液処理室３６と、薬液処理室３６の基板搬送方向下流側に設置され基板Ｗに対して置換水洗処理を行う置換水洗室４０とを備えた基板処理装置３００において、薬液処理室３６内に設けられ薬液処理を終えた基板Ｗに対して高圧の気体を噴出することにより基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ３７、３７と、基板搬送方向下流側において薬液処理室３６と隣接する薬液除去領域７３内に設けられさらに基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ７１、７１とを備え、薬液処理室３６において薬液処理が行われた後、二対の上下エアーナイフ３７、３７、７１、７１により薬液除去が行われた基板に対して置換水洗処理を行う。 （もっと読む）

この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
（もっと読む）

【課題】基板厚が異なる基板に対しても同一条件でのエッチングを行い、均一に基板の表面処理を行うことができる基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置を得ること。
【解決手段】基板１１ａを保持する基板保持手段３５と、基板１１ａの基板厚に応じて基板保持手段３５の高さを調整する高さ調整手段３７と、基板１１ａを搬送する搬送手段と、上方に突出した壁部３１ｄに囲われた複数の突出口を基板１１ａの搬送方向において離間して有する液溜まり部が上面に設けられ、基板１１ａの表面処理に用いる処理液４０を突出口の内壁面での表面張力により突出口から突出した状態で保持する処理槽３１と、を備え、突出口から突出した処理液４０と処理面とが接触するとともに、液溜まり部の壁部３１ｄの最上部と処理面との距離が規定の距離となる高さ位置で基板１１ａを処理槽３１上において水平方向に搬送することにより処理面の表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 液寄せ部材７１は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００における搬送方向の両側の、ガラス基板１００の端縁に近接する位置において、ガラス基板１００の搬送方向に沿って配設されている。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の端縁と液寄せ部材７１との距離Ｄは２ｍｍ以下となっている。また、液寄せ部材７１の上面の高さ位置は、ガラス基板１００の表面の高さ位置より、Ｈだけ高くなっている。このＨの値は、処理液吐出ノズル２からガラス基板１００の表面に供給された処理液の膜厚以上とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、ガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、ガラス基板１００にエッチング液を供給する処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃと、ガラス基板１００にリンス液を供給する処理・洗浄ユニット１ｄと、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ毎に配設された回収トレー７１と、処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間に配設されたエアナイフ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部５９は、処理槽１に疎水化溶液を供給させて、処理槽１内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Ｗの改質処理を行わせる。改質処理により基板Ｗの表面全体が疎水化される。制御部５９は、純水を処理槽１に供給させて基板Ｗをリンス処理させた後、保持機構３９を上方位置に移動させるが、基板Ｗは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Ｗの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Ｗを持ち上げても、基板Ｗの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Ｗの微細パターンが倒れるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をリンスした後、半導体基板を乾燥させるときに微細なパターンに及ぶ影響を著しく低減する。
【解決手段】洗浄液で半導体基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後にリンス水で前記半導体基板をリンスするリンス工程と、このリンス工程の後に前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを行う半導体基板の洗浄方法であって、リンス工程の際、リンス水の温度を７０℃以上に設定すると共に、リンス水を酸性に設定する。 （もっと読む）

【課題】 物品の表面に付着した脂・汚れ等を超音波を用いて強力に洗浄し且つ強く殺菌させることができる超音波洗浄方法を提供する。更に連続的に洗浄殺菌できる設備の費用とそのランニングコストを廉価にできるようにする。
【解決手段】 酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水Ｗを貯えた洗浄槽２の水面下に発振面が対向するように上下一対の超音波振動子４を配置し、同超音波振動子の発振面間の狭間領域７に酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水の一部を邪魔板８で水量・流速を抑えて略５０ｃｍ／分の流速で流入させる。洗浄槽２の側面を開口し、同開口を介して被洗浄物Ａを通過させる搬送コンベヤ３を配置し、同開口から洗浄水を排出させ、同開口の内側に洗浄槽２へ供給する洗浄水を噴出して水カーテンＷａを形成して開口からの大量の排水を抑え、又開口から落下した洗浄水を下方で受水槽１で受けてポンプで洗浄槽２へ圧送して洗浄水を循環的に使用する。 （もっと読む）

【課題】照射効率の高い超音波照射装置を提供することを目的とする。
【解決手段】超音波と洗浄媒体とで基板の洗浄を行う超音波照射装置１２に、超音波を発生する振動子３２と、振動子から発生した超音波を所定の位置にライン状に集束させる、焦点を有する放物面形状３６Ａの表面を持つ反射レンズ３６と、を少なくとも備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄装置における有機汚染除去力の変動を的確に把握することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】 ドライ洗浄装置の有機物除去力を基板の接触角で評価する洗浄力評価方法であって、予め被膜を形成した基板を用意し、前記被膜を所定の洗浄時間でドライ洗浄する洗浄工程と、前記洗浄時間とは異なる洗浄時間で、前記洗浄工程と異なる前記被膜領域をドライ洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程でそれぞれ洗浄された被膜部分の接触角をそれぞれ計測する工程と、前記各洗浄工程に要した時間と前記接触角の計測値とに基づいて、前記基板に対する洗浄力を評価する工程とを備える洗浄力評価方法である。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 （もっと読む）

【課題】 高い洗浄処理能力を得ることができ、しかも、結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても確実に除去することができる照射装置を提供する。
【解決手段】 放電容器および一対の電極を有するエキシマランプと、エキシマランプにおける一方の電極に誘電体を介して対向するよう配置されたプラズマ放電用電極とを備え、エキシマランプにおける一方の電極およびプラズマ放電用電極を介してプラズマ発生回路が形成されてなり、エキシマランプにおける一対の電極間に印加される高周波電界によって放電容器内にエキシマ放電が発生されると共に、エキシマランプとプラズマ放電用電極との間にプラズマ発生用反応性ガスが流過された状態で、エキシマランプにおける一方の電極とプラズマ放電用電極との間に印加された高周波電界によってプラズマ放電が発生されることを特徴とする。 （もっと読む）

キャリア上の基板をクリーニングする装置及び方法において、複数の基板が、互いに平行で、互いから僅かに離れるように、キャリアの下側に固定され、キャリアが、その内部において、互いに平行に延びる複数の縦方向の通路を有する。ウェーハのソーイングの結果として、通路は、開口を介して基板間の隙間に結合する。相対移動の結果として、細長いチューブから出るクリーニング液が縦方向の通路の一つに供給され、キャリアの移動によって相対移動が行われる。
（もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面に対して１回目の洗浄材料の適用がなされる。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を取り込むための１つ又は２つ以上の粘弾性材料を含む。基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して１回目のすすぎ流体の適用がなされる。すすぎ流体の１回目の適用は、基板の表面上にすすぎ流体の残留薄膜を残らせるようにも実施される。すすぎ流体の残留薄膜を上に有する基板の表面に対して２回目の洗浄材料の適用がなされる。次いで、基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して２回目のすすぎ流体の適用がなされる。 （もっと読む）

【解決手段】上側処理ヘッドは、基板の上面に洗浄材料に施すように及び次いで基板を上側すすぎメニスカスに曝すように構成された上側モジュールを含む。上側モジュールは、上側すすぎメニスカス内を洗浄材料に向かって且つ基板の移動方向に反対に実質的に一方向にすすぎ材料を流れさせるように構成されている。下側処理ヘッドは、上側すすぎメニスカスによって基板に加えられる力と釣り合うように基板に下側すすぎメニスカスを施すように構成されている下側モジュールを含む。下側モジュールは、上側処理ヘッドと下側処理ヘッドとの間に基板キャリアが存在しないときに上側処理ヘッドから吐出される洗浄材料を収集及び排出するための排出溝を提供するように構成されている。上側処理ヘッド及び下側処理ヘッドは、複数の上側モジュール及び下側モジュールをそれぞれ含むことができる。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理液の膜厚を均一にすることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ウェーハＷを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、先端部に処理液を半導体ウェーハに向けて噴射する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、制御装置７と、を有し、上部ノズル体５１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第１温度調整ユニット６１及び第１濃度調整ユニット６２を具備し、斜方ノズル体７１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第３温度調整ユニット７６及び第２濃度調整ユニット７７を具備し、制御装置７は、上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１から噴射する処理液の温度及び濃度の少なくとも一方を調整することで半導体ウェーハＷ上の処理液の液膜の膜厚を調整する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を搬送するための搬送ユニットを処理槽内に容易かつ精度よく設置することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽１は、矩形状の下部フレーム２の四隅部に下端部が連結されて立設された支柱部材４と、支柱部材の上端部に四隅部が連結されて設けられた上部フレーム３と、支柱部材の高さ寸法に対応する間隔で上下方向に離間した下部フレームと上部フレームとがなす４つの側面に設けられ所定方向に位置する一対の側面の一方に上記基板の搬入口が形成され他方に上記基板の搬出口が形成された側壁部材１１と、下部フレームに所定間隔で架設されそれぞれの上面に第１の基準面１８が形成された複数の連結部材９と、第１の基準面を基準にして取付けられ搬入口から内部に搬入された基板を搬出口に向かって搬送する搬送ユニット２９と、下部フレームの開口部分を閉塞する底部材２１ａ，２１ｂと、上部フレームの開口部分を閉塞する天井部材２５によって構成されている。 （もっと読む）