【課題】スイッチング素子のオン／オフ動作によってアースに漏洩する電流を低減することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】インバータ回路４の出力電流を検出する電流検出器３１〜３３と、インバータ回路４の動作によりアースに漏洩する電流を打消すための補償電流を流すノイズ低減回路９とを備え、ノイズ低減回路９は、インバータ回路４のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のオン／オフ状態を制御する信号と電流検出器３１〜３３で検出する電流の極性とによってトランジスタＴｒ１とＴｒ２を駆動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動信号がスイッチング素子のオフを指示しているにもかかわらず、制御端子の電圧が低下せず、スイッチング素子をオフできない場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時に、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオフするタイミング（ｔ６）、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンするタイミング（ｔ７）、及び、オン保持用ＦＥＴ１２３ａがオンするタイミング（ｔ９）の後であって、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオン指示からオフ指示に切替わるタイミング（ｔ５）から一定の時間Ｔｏｆｆの経過後に、オン保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする（ｔ１０）。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障し、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらずＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態であっても、ＩＧＢＴ１１０ｄを確実にオフできる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路（22，23）の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU（24）で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 （もっと読む）

【課題】送信側の異常、ノイズの混入など送信側動作状態の安否を随時に確認することができるとともに、スイッチング時の基準電位の変動による誤動作ついても確実に防止する。
【解決手段】送信信号に基づいて正論理と負論理の相補信号を出力する相補信号駆動回路と、この相補信号をそれぞれ独立したチャンネルで伝送する相補信号伝送路と、相補信号伝送路の信号を受信して、両者の排他的論理和に基づいて、両者が相補信号であるか否かを判定する相補信号判定回路を設け、相補信号判定回路の出力信号と送信信号との論理積を受信信号とする。 （もっと読む）

【課題】従来の自給型ゲート駆動用電源回路では、ＲＣＤスナバ回路を充放電動作で使用するため、スナバ抵抗における充放電損失が大きくなり高周波動作では変換効率が低下し、装置が大型になる。さらに駆動用の電源として単一電源しか作れないため、ＩＧＢＴのゲートに逆バイアスをかけることができずターンオフ損失が大きい。
【解決手段】上下アーム対の半導体スイッチング素子が交互にオンオフ動作することにより、上アーム側スイッチング素子駆動回路と、下アーム側スイッチング素子駆動回路との間に生じる電位差変動により充放電を繰り返すバイパスコンデンサを備え、バイパスコンデンサの充放電電流を上アーム側スイッチング素子駆動回路と下アーム側スイッチング素子駆動回路の各々の電源部に設けた整流回路で整流し、記整流回路の出力を各々のスイッチング素子駆動回路用電源とする。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置における電力用半導体素子の消耗度をより正確に且つより低い演算負荷で監視する電力用半導体素子消耗度監視システムを備える射出成形機を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１０における電力用半導体素子の消耗度を監視する電力用半導体素子消耗度監視システム１００を備える射出成形機は、電力変換装置１０の運転状態が予め設定された複数の運転パターンの何れに該当するかを判定する運転状態判定部４５１と、それら複数の運転パターンのそれぞれが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を予め記憶する消耗度参照テーブル４６０と、消耗度参照テーブル４６０を参照して、運転状態判定部４５１が判定した運転パターンが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を取得して積算する消耗度積算部４５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの容量を小さくでき安価にＩＣ化できるゲート駆動回路。
【解決手段】直流電源V1の正極に起動抵抗R1を介して一端が接続された第１コンデンサC1と、第１電極と第２電極と第１制御電極とを有し第１コンデンサの一端に第１電極が接続され第２電極が直流電源の負極であるグランドに接続された第１スイッチQ3と、第３電極と第４電極と第２制御電極とを有し第３電極が第１スイッチの第２電極と直流電源の負極であるグランドに接続され第４電極が第１コンデンサの他端に接続された第２スイッチQ4と、第２スイッチの第３電極と第４電極とに並列に接続され一端が直流電源の負極であるグランドに接続された第２コンデンサC2と、パルス信号に基づきスイッチング素子のターンオフ時にスイッチング素子のゲートを第１コンデンサの他端及び第２コンデンサの他端に接続することによりスイッチング素子のゲートを負電圧にさせる負電圧制御部Q1,Q2とを有する。 （もっと読む）

【課題】誤動作を防止することによって従来よりも信頼性を高めた、スイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子Ｑ５の駆動回路ＨＶＩＣにおいて、論理回路Ｕ１５は、内部状態に応じて高電位側のスイッチング素子Ｑ５をオン／オフに切替えるための制御信号を出力する。第１の抵抗部ＲＰ１は、第３の電源ノードＶＢと第１のノードＮＤ１との間に設けられる。第２の抵抗部Ｒ２は、第１のノードＮＤ１と第２のノードＮＤ２との間に設けられる。第１の制御用スイッチング素子Ｑ１は、第２のノードＮＤ２と第１の電源ノードＧＮＤとの間に設けられ、第１のパルス信号ＰＬＳ１を受けたときに導通する。第１の比較部Ｕ４は、第１のノードＮＤ１の電位が第１の閾値以下の場合に活性状態となる第１の信号Ｓｏｎを出力する。第１および第２の抵抗部ＲＰ１，Ｒ２の少なくとも一方の抵抗値は、上記の制御信号の変化に基づいたタイミングで変化する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路１２５は、ＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断する。制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができ、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】自己インダクタンスを有する接続ラインを用いてなる電力変換装置において、スイッチング素子をターンオンまたはオフしたときに、電流経路とスナバコンデンサとが共振することを抑制することができ、配置の自由度を向上させることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】一対の接続ライン２０、３０の少なくとも一方の接続ラインに、当該接続ラインよりも自己インダクタンスが低いと共に抵抗値が高い補助配線２１〜２３、３１〜３３を備える。そして、補助配線２１〜２３、３１〜３３を含んで構成される電流経路の自己インダクタンスを、一対の接続ライン２０、３０を含んで構成される電流経路の自己インダクタンスより小さくする。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのゲート電圧がオンしない電圧であるにもかかわらず、ドレイン−ソース間電圧がオンした際の電圧であるとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障していると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障してＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態になっても、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 二相変調におけるスイッチングを停止する相の極性の切り換り等において、漏れ電流やフィルタ回路内のコモンモード電流を増やさず、フィルタ回路の大型化を抑える電力変換装置のスイッチング方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のスイッチング方法は、漏れ電流を低減するフィルタ回路を取り付けた電力変換装置のスイッチング方法において、スイッチングを停止する相を含む状態と含まない状態とを切り換える際やスイッチングを停止する相の電位を切り換える際に、全相の出力指令の平均を緩やかに変化させる。フィルタ回路内の共振周波数に応じた振動を十分抑えられる程度にこの傾きを緩やかにすることで、三相変調と二相変調を併用する場合にも、フィルタ回路内のコモンモード電流及び漏れ電流の増大を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】インバータのゲート駆動にソフトターンオフ（Ｓｏｆｔ Ｔｕｒｎ Ｏｆｆ）を設けてＩＧＢＴを安定して保護できるようにしたインバータ駆動装置を提供する。
【解決手段】本発明のインバータ駆動装置は、ＩＧＢＴのターンオンまたはターンオフを制御し、ＩＧＢＴで短絡または過電流が検出されればＩＧＢＴを強制的にターンオフさせるゲート駆動部と、前記ゲート駆動部から出力されるＩＧＢＴのターンオンまたはターンオフ制御電流を増幅させる電流バッファと、前記ゲート駆動部から出力されるＩＧＢＴの強制ターンオフ制御電流を遅延させてＩＧＢＴのソフトターンオフ時間を長く維持させるフィルタと、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 制御回路部から主回路部へ少ない数のケーブルを用いて、波形をずらすことなくゲート信号を正確に伝送し、電力変換器としての制御性能を劣化を防ぐ。
【解決手段】 実施形態に係る電力変換器制御装置は、複数の電力用半導体素子及び前記複数の電力用半導体素子を駆動するゲート駆動回路から構成される主回路部と、前記ゲート駆動回路に入力されるゲート信号を生成する制御回路部とを備えた電力変換器において、前記制御回路部は、ゲート信号の生成周期毎にゲート信号を符号化する手段と、前記制御回路部から前記主回路部へ、前記生成周期毎にクロック信号を伴わせずにゲート信号を符号伝送する手段とを具備し、前記ゲート駆動回路は、前記生成周期毎にゲート信号を復元し、復元されたゲート信号を前記複数の電力用半導体素子に供給する手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明はキャリア周波数が増加しても出力電圧の低下を抑える電源回路を提供することである。
【解決手段】直流電力を交流電力に変換し、かつ上アームおよび下アームを構成する複数のスイッチング素子からなるインバータ回路と、前記複数のスイッチング素子を制御する制御回路と、前記制御回路からの信号に基づき、前記複数のスイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路に電力を供給する絶縁型電源回路と、を有し、前記制御回路は、前記電源回路から前記駆動回路に出力する電源電圧を制御し、前記駆動回路は、キャリア周波数、および前記電源電圧に基づいて前記複数のスイッチング素子を駆動し、前記電源回路は、前記駆動回路に出力された電圧を電源制御ＩＣに出力するフィードバック回路を有し、前記フィードバック回路は前記キャリア周波数の変化に基づいて前記電源制御ＩＣに出力する電圧を制御するダミー回路を有する。 （もっと読む）

【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部１１が、短絡や過電流が発生したと判断し、半導体遮断器１２にて電流の遮断を開始するように制御する。半導体遮断器１２が電流を素早く遮断することができるように、半導体遮断器１２のゲート電圧を、半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１に向けて急激に減少させていく。その後、半導体遮断器１２のゲート電圧が閾値電圧Ｖ_１に達すると、半導体遮断器１２のゲート電圧が、半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２になるまで、スイッチＳ_２の電気的接続状態をオン状態、オフ状態に交互に切り替えて、半導体遮断器１２のゲート電圧を徐々に減少させていく。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の異なる複数の電源を備えた、電圧駆動型素子を駆動する駆動装置で、駆動電源と電圧駆動型素子との接続部の電圧降下を抑制する。
【解決手段】 駆動装置の駆動電源は、複数の直流電源を備えており、複数の直流電源のうち、最も出力電圧の絶対値が大きい第１直流電源は、第１スイッチング素子を介して接続部と接続しており、複数の直流電源のうち、第１直流電源よりも出力電圧の絶対値が小さい１つ以上の第２直流電源の各々は、第２スイッチング素子および電流低減素子を介して接続部と接続している。第１スイッチング素子および第２スイッチング素子のそれぞれは、対応する直流電源と接続部とを導通状態と非導通状態とに切替えると共に、導通状態としたときに流れる電流と逆方向の電流の向きを順方向とする寄生ダイオードを有する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ターンオフ用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＦＦは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１Ｕのコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオンするときに、ＦＷＤ１２Ｄの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。この場合、ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、転流電流ＩＦＷの方向が、リバースリカバリー区間に対応する方向、即ち図１３に示すＦＷＤ１２Ｄのカソードからモータ等の負荷Ｌ側に流れる方向である場合、帰還電圧ＶＦＢを生成し、それ以外の場合、帰還電圧ＶＦＢの生成を禁止する。 （もっと読む）

【課題】並列接続された電力用スイッチング素子の特性の差異により生ずるターンオン／オフ動作時間の差に起因する当該並列接続された電力半導体素子間の遮断電流の偏りを緩和し、信頼性を向上させ、電流定格、及び耐圧の低い素子の適用を可能とし、低コスト化を実現する。
【解決手段】図は直流から交流に変換する電力変換装置１相分の回路を示し、電力用スイッチング素子を２並列で用いている回路構成例であり、電力半導体素子６ａ、６ｂの特性に差異があると各々の通電電流はＩＬａ≠ＩＬｂとなるが、６ａ、６ｂの特性に適したゲート電流ＩＧａ、ＩＧｂを流すゲート駆動回路構成を提供とすることで、ターンオン／オフに要する時間に差を緩和しＩＬａ≒ＩＬｂとし、並列接続された一方の電力半導体素子への主回路電流の集中を抑制することが可能となる。図では２並列の例であるが、並列接続数によらず本解決手段は有効である。 （もっと読む）