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Fターム[5H740BA11]の内容

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【課題】スイッチング素子のオン/オフ動作によってアースに漏洩する電流を低減することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】インバータ回路4の出力電流を検出する電流検出器31〜33と、インバータ回路4の動作によりアースに漏洩する電流を打消すための補償電流を流すノイズ低減回路9とを備え、ノイズ低減回路9は、インバータ回路4のスイッチング素子Q1〜Q6のオン/オフ状態を制御する信号と電流検出器31〜33で検出する電流の極性とによってトランジスタTr1とTr2を駆動することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路(21)から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1(22)及びゲート抵抗値補正回路2(23)の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路(22,23)の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU(24)で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 (もっと読む)


【課題】駆動信号がスイッチング素子のオフを指示しているにもかかわらず、制御端子の電圧が低下せず、スイッチング素子をオフできない場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時に、オン駆動用FET121aがオフするタイミング(t6)、オフ駆動用FET122aがオンするタイミング(t7)、及び、オン保持用FET123aがオンするタイミング(t9)の後であって、駆動信号がIGBT110dのオン指示からオフ指示に切替わるタイミング(t5)から一定の時間Toffの経過後に、オン保持用FET123aをオンする(t10)。そのため、オン駆動用FET121aがオン故障し、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらずIGBT110dをオフできない異常状態であっても、IGBT110dを確実にオフできる。従って、IGBT110dの熱破壊を防止できる。 (もっと読む)



【課題】電力変換装置における電力用半導体素子の消耗度をより正確に且つより低い演算負荷で監視する電力用半導体素子消耗度監視システムを備える射出成形機を提供すること。
【解決手段】電力変換装置10における電力用半導体素子の消耗度を監視する電力用半導体素子消耗度監視システム100を備える射出成形機は、電力変換装置10の運転状態が予め設定された複数の運転パターンの何れに該当するかを判定する運転状態判定部451と、それら複数の運転パターンのそれぞれが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を予め記憶する消耗度参照テーブル460と、消耗度参照テーブル460を参照して、運転状態判定部451が判定した運転パターンが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を取得して積算する消耗度積算部452と、を備える。 (もっと読む)


【課題】送信側の異常、ノイズの混入など送信側動作状態の安否を随時に確認することができるとともに、スイッチング時の基準電位の変動による誤動作ついても確実に防止する。
【解決手段】送信信号に基づいて正論理と負論理の相補信号を出力する相補信号駆動回路と、この相補信号をそれぞれ独立したチャンネルで伝送する相補信号伝送路と、相補信号伝送路の信号を受信して、両者の排他的論理和に基づいて、両者が相補信号であるか否かを判定する相補信号判定回路を設け、相補信号判定回路の出力信号と送信信号との論理積を受信信号とする。 (もっと読む)


【課題】コンデンサの容量を小さくでき安価にIC化できるゲート駆動回路。
【解決手段】直流電源V1の正極に起動抵抗R1を介して一端が接続された第1コンデンサC1と、第1電極と第2電極と第1制御電極とを有し第1コンデンサの一端に第1電極が接続され第2電極が直流電源の負極であるグランドに接続された第1スイッチQ3と、第3電極と第4電極と第2制御電極とを有し第3電極が第1スイッチの第2電極と直流電源の負極であるグランドに接続され第4電極が第1コンデンサの他端に接続された第2スイッチQ4と、第2スイッチの第3電極と第4電極とに並列に接続され一端が直流電源の負極であるグランドに接続された第2コンデンサC2と、パルス信号に基づきスイッチング素子のターンオフ時にスイッチング素子のゲートを第1コンデンサの他端及び第2コンデンサの他端に接続することによりスイッチング素子のゲートを負電圧にさせる負電圧制御部Q1,Q2とを有する。 (もっと読む)



【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路128は、オン駆動用FET121aのゲート電圧がオンしない電圧であるにもかかわらず、ドレイン−ソース間電圧がオンした際の電圧であるとき、オン駆動用FET121aがオン故障していると判断する。そして、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。そのため、オン駆動用FET121aがオン故障してIGBT110dをオフできない異常状態になっても、IGBT110dの熱破壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】IGBT110dに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路125は、IGBT110dに電流が流れていると判断する。制御回路128は、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路125がIGBT110dに電流が流れていると判断すると、IGBT110dをオフできない異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。そのため、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらず、IGBT110dをオフできない異常状態を検出することができ、IGBT110dの熱破壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗121bとオフ駆動用抵抗122bの抵抗値は、オン駆動用FET121aとオフ駆動用FET122aがともにオンした場合に、IGBT110dのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用FET121aがオン故障等したときにオフ駆動用FET122aがオンしても、オン電圧が増加してIGBT110dの発熱が増大することなく、IGBT110dをオフすることができる。従って、IGBT110dの熱破壊を防止することができる。 (もっと読む)




【課題】 二相変調におけるスイッチングを停止する相の極性の切り換り等において、漏れ電流やフィルタ回路内のコモンモード電流を増やさず、フィルタ回路の大型化を抑える電力変換装置のスイッチング方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のスイッチング方法は、漏れ電流を低減するフィルタ回路を取り付けた電力変換装置のスイッチング方法において、スイッチングを停止する相を含む状態と含まない状態とを切り換える際やスイッチングを停止する相の電位を切り換える際に、全相の出力指令の平均を緩やかに変化させる。フィルタ回路内の共振周波数に応じた振動を十分抑えられる程度にこの傾きを緩やかにすることで、三相変調と二相変調を併用する場合にも、フィルタ回路内のコモンモード電流及び漏れ電流の増大を抑えることが可能となる。 (もっと読む)



【課題】本発明はキャリア周波数が増加しても出力電圧の低下を抑える電源回路を提供することである。
【解決手段】直流電力を交流電力に変換し、かつ上アームおよび下アームを構成する複数のスイッチング素子からなるインバータ回路と、前記複数のスイッチング素子を制御する制御回路と、前記制御回路からの信号に基づき、前記複数のスイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路に電力を供給する絶縁型電源回路と、を有し、前記制御回路は、前記電源回路から前記駆動回路に出力する電源電圧を制御し、前記駆動回路は、キャリア周波数、および前記電源電圧に基づいて前記複数のスイッチング素子を駆動し、前記電源回路は、前記駆動回路に出力された電圧を電源制御ICに出力するフィードバック回路を有し、前記フィードバック回路は前記キャリア周波数の変化に基づいて前記電源制御ICに出力する電圧を制御するダミー回路を有する。 (もっと読む)



【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部11が、短絡や過電流が発生したと判断し、半導体遮断器12にて電流の遮断を開始するように制御する。半導体遮断器12が電流を素早く遮断することができるように、半導体遮断器12のゲート電圧を、半導体遮断器12が遮断を開始する閾値電圧Vに向けて急激に減少させていく。その後、半導体遮断器12のゲート電圧が閾値電圧Vに達すると、半導体遮断器12のゲート電圧が、半導体遮断器12が遮断を完了する閾値電圧Vになるまで、スイッチSの電気的接続状態をオン状態、オフ状態に交互に切り替えて、半導体遮断器12のゲート電圧を徐々に減少させていく。 (もっと読む)


【課題】 サージ電圧によってインダイレクトマトリクスコンバータのインバータのスイッチ素子が破壊されることを防止する。
【解決手段】 インダイレクトマトリクスコンバータは、コンバータ2を正極性母線4pと負極性母線4nとを介してインバータ6に接続してある。正極性母線4pにクランプダイオード28uのアノードを接続し、カソードをコンデンサ30の一端に接続し、コンデンサ30の他端をクランプダイオード28dのアノードに接続し、カソードを負極性母線4nに接続してある。インバータ6のスイッチ素子16uu乃至16uwに上側放電阻止形スナバ回路20uを設け、インバータ6のスイッチ素子16du乃至16dwに下側放電阻止形スナバ回路20dに設け、上側放電阻止形スナバ回路20uの放電抵抗器26uが、ダイオード28dアノードに接続され、下側放電阻止形スナバ回路20dの放電抵抗器26dが、ダイオード26uのアノードに接続されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】di/dt帰還部23は、IGBT11Uがターンオフするときに、IGBT11のコレクタ電流Icの時間変化に基づいて、帰還電圧VFBを生成する。また、di/dt帰還部23は、IGBT11がターンオンするときに、図示せぬFWDの転流電流IFWDに基づいて、帰還電圧VFBを生成する。このようなdi/dt帰還部23は、帰還電圧VFBを駆動信号の電圧の一部として印加するタイミングを遅延させる遅延フィルタとして、LPF回路201を備えている。LPF201の遅延量、即ちインダクタンスLdを適度に調整することで、還流ダイオードの電圧におけるサージ電圧を低減させることができる。 (もっと読む)


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