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Fターム[5H740BA11]の内容

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【課題】スナバ抵抗体18#(#=p,n)の発熱量が無視できないこと。
【解決手段】スイッチング素子Sw#およびフリーホイールダイオードFD#を備える半導体チップ22#は、ビア導体32#、配線層34#、ビア導体38#を介して導体40#に接続されている。導体40#は、半導体チップ22#を垂直投影した投影領域からはみ出すようにして形成されており、はみ出した部分には絶縁膜42#およびスナバ抵抗体18#が積み重ねられている。スナバ抵抗体18#は、ビア導体44#、配線層46#およびビア導体48#を介してスナバ回路を構成するコンデンサ16に接続されている。 (もっと読む)


【課題】ゲート駆動信号を電源用トランスによって適切に伝達することができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動信号を電源用トランス2により絶縁伝達するゲート駆動回路1であって、一次側電圧の駆動タイミングを生成するタイミング生成部4と、駆動タイミングに基づいて一次側電圧を出力するトランス駆動回路部3と、二次側電圧に含まれるパターン信号でゲート駆動信号を検出するパターン検出部6及びフリップフロップ回路部8とを備え、タイミング生成部4は、ゲート駆動信号を時間T1だけ遅延させ、ゲート駆動信号の極性反転タイミングから時間T1経過までの期間は一次側電圧VT1の極性反転を禁止し、時間T1経過直後にゲート駆動信号に応じて時間T1よりも短い時間幅T2,T3をもつパルス状極性反転を有するパターン信号が一次側電圧VT1に含まれるように駆動タイミングを生成する。 (もっと読む)


【課題】 負荷への通電を妨げることなく、昇圧した電圧が低下することを防止することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】 複数相の駆動回路のうちの少なくとも2相間において昇圧用コンデンサ47,67と第3の電源45,65との接続部に設けられ、昇圧された電圧が出力される昇圧電源端子10,13同士の電気的な接続または遮断を選択する少なくとも1つのスイッチ回路102と、少なくとも1つのスイッチ回路102を制御する少なくとも1つのスイッチ制御回路110とを備えている。 (もっと読む)


【課題】複数のインバータ圧縮機システムを組み合わせた冷凍装置において、コモンモードノイズの低減を図る。
【解決手段】各インバータ圧縮機システム(101,102)には、圧縮機(30)のフレーム(33)又はモータ(31)のステータコア(31a)をノイズフィルタ(11)に接続する圧縮機用アース配線(50)を設ける。各圧縮機用アース配線(50)のインピーダンス(Z4,Z5)は、圧縮機(30)の配管(35)及び筐体(60)を含む伝播経路(P1)のインピーダンス(Z1,Z3)よりも小さくする。少なくとも(n-1)台のインバータ圧縮機システム(101,102)には、コンデンサ(11a)とアース端子(E)との間にインピーダンス素子(103)を設け、各インピーダンス素子(103)のインピーダンス(Z6,Z7)は、圧縮機用アース配線(50)のインピーダンス(Z4,Z5)よりも大きくする。 (もっと読む)


【課題】蓄電池のような電源から任意の大きさの交流電圧を作り出す電源装置において、起動時や蓄電池の充電時までも含めて電力変換部を駆動することが可能な電源装置を提供する。
【解決手段】この電源装置100は、入力側に蓄電池5が接続され、出力側に負荷7または商用電源6が選択して接続され、双方向に電力変換が可能な電力変換部8と、ダイオード91a〜91f、ダイオード92a〜92dおよびコンデンサ93を含み、ダイオード91a〜91f、ダイオード92a〜92dにより出力交流電圧を整流してコンデンサ93を充電し、電力変換部8の動作時に生じるサージ電圧を吸収するスナバ回路9と、主制御電源31と、蓄電池5に基づく直流電圧と、コンデンサ93に充電された直流充電電圧との高い方の電圧を選択して主制御電源31に供給するダイオード33とを備えている。 (もっと読む)


【課題】負荷を駆動するための定電流のばらつきを低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】シャント抵抗20の一端側をオペアンプ34の反転入力端子に接続し、シャント抵抗20の他端側を基準電源32を介してオペアンプ34の非反転入力端子に接続する。シャント抵抗20に流れる電流は、駆動回路30内の第1スイッチング素子35を介して負荷10であるIGBTのゲートに流れるようになっている。これにより、基準電源32の基準電圧の値をVrefとし、シャント抵抗20の抵抗値をRoutとし、負荷10に流れる定電流の値をIcとすると、Vref=Rout×Icとなるようにオペアンプ34が第1スイッチング素子35のゲートをフィードバック制御する。これにより、シャント抵抗20に流れる電流の大きさが一定に制御され、ひいては負荷10に流す定電流のばらつきが低減される。 (もっと読む)


【課題】 電源装置のインバータ回路を駆動するスイッチング素子駆動回路の逆バイアス電圧が低くなると、ターン・オフ損失が増加しスイッチング素子の劣化に繋がる。
【解決手段】 直流変換回路と、直流電圧を高周波交流電圧に変換するフルブリッジのインバータ回路と、インバータ回路を制御すると共に変圧器の入力電流が基準電流以上になると所定時間インバータ回路を停止する出力制御回路と、出力制御信号に応じてスイッチング素子を駆動すると共に逆バイアスコンデンサに電流を供給するスイッチング素子駆動回路とを備え、インバータ回路が停止しているとき、第1のスイッチング素子及び第4のスイッチング素子が0から1/2周期の間で重ならないようにオンし、第2のスイッチング素及び第3のスイッチング素子が1/2から1周期の間で重ならないようにオンするスイッチング制御回路、を備えたことを特徴とするアーク加工用電源装置である。 (もっと読む)


【課題】負荷駆動装置において負荷を駆動するためのスルーレートが狙い値となるように負荷駆動装置を製造する。
【解決手段】まず、半導体基板に第1基準電源32、スイッチング素子34、電流生成部35、およびオペアンプ33を備えた駆動回路30を形成する。この場合、第1基準電源32の第1基準電圧を調整することにより、負荷10に流す定電流の大きさを調整する。続いて、電流生成部35で生成されるテール電流が大きくなるようにテール電流のトリミングを行うことでオペアンプ33のスルーレートを調整する。これにより、オペアンプ33がスイッチング素子34を駆動したときに負荷10に流れる定電流が一定値に達するまでの定電流の立ち上がりの傾きを狙い値に調整することができる。 (もっと読む)


【課題】2段フィルタの減衰特性悪化を防止することにより、小型なフィルタでノイズ規格をクリアできるようにする。
【解決手段】コモンチョークコイルL1,L2にアース電位相当の冷却フィン3を近接させる構成とすることにより、コモンチョークコイルL1,L2とアースとの静電結合を大きくし、コモンチョークコイルL1とL2間の静電結合を小さくし得るようにする。これにより、2段以上のフィルタの減衰特性悪化を防止できるようにし、小型なフィルタでノイズ規格をクリアできるようにする。 (もっと読む)


【課題】ハイサイドスイッチとして用いられるNチャネル型のMOSFETのターンオフ動作に際し、簡単な構成でオフ時間Toffと立下り時間Tfの最適化が可能な負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源3と負荷1との間に接続されたハイサイドスイッチとしてパワーMOSFET2を用いた負荷駆動回路10であって、パワーMOSFET のゲート電圧Vgと電源3の電源電圧Vpとを比較する比較回路11と、パワーMOSFET2のターンオフ動作においてパワーMOSFET2のゲート端子から電荷を放電させる遮断回路12とを具備し、遮断回路12によってパワーMOSFET2のゲート端子から電荷を放電させる放電速度は、ゲート電圧Vgが電源電圧Vpより高い場合の放電速度よりも、ゲート電圧Vgが電源電圧Vpより低い場合の放電速度が遅くなるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子のオン/オフ動作によってアースに漏洩する電流を低減することができるノイズ低減装置を備えた電力変換装置を提供する。
【解決手段】インバータ回路4の直流入力端子間に直列接続されたコンデンサ41,42の接続中点とアースとの間に、第1の接地コンデンサCo1と第2の接地コンデンサCo2とを直列接続し、第2の接地コンデンサCo2の両端に二次巻線を並列に接続した相殺変圧器T2とを備え、インバータ回路4の半導体スイッチング素子がスイッチングするときに発生する雑音電圧と逆極性で大きさが同じ電圧を第2の接地コンデンサCo2の両端に発生させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】インバータ回路のサージ電圧を抑制する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】スイッチング素子からなる回路S1,S2が封入されたモジュール13,14が、バスバー配線100により、2つ以上並列に接続された回路構成を有するインバータ回路を備えた半導体装置であって、バスバー配線100は、導体層130,140,150と絶縁層110,120とを交互に重ね合わせた、ラミネート構造を有しており、導体層である直流正極130、直流負極140、交流出力150の各配線が、異なる導体層に形成される。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用FET121aがオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用FET122aがオンすると、IGBT110dのゲート電圧が低下せず、IGBT110dをオフできない異常状態が発生する。このとき、オン駆動用FET121aには、正常時には流れることがない、所定閾値Ith以上の電流が所定時間Tth以上流れる。制御回路128は、オン駆動用FET121aに所定閾値Ith以上の電流が所定時間Tth以上流れているとき、IGBT110dが異常状態にあると判断する。そのため、オン駆動用FET121aのオン故障や誤動作によって発生する、IGBT110dをオフできない異常状態を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗121b、121dとオフ駆動用抵抗122b、122dの抵抗値は、オン駆動用FET121aとオフ駆動用FET122a、122cがともにオンした場合、及び、オン駆動用FET121cとオフ駆動用FET122a、122cがともにオンした場合に、IGBT110dのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用FET121a、121cのいずれかがオン故障等したときにオフ駆動用FET122a、122cがオンしても、オン電圧が増加してIGBT110dの発熱が増大することなく、IGBT110dをオフすることができる。従って、IGBT110dの熱破壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路128は、オン駆動用FET121aとオフ駆動用FET122aに電流が流れており、かつ、流れている電流の差が所定値以下であるとき、IGBT110dが異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。そのため、オン駆動用FET121aのオン故障や誤動作によって発生する、IGBT110dをオフできない異常状態を検出することができ、IGBT110aの熱破壊を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】フェール信号を出力するフェール用フォトカプラPCfの2次側を直列接続する場合、その配線長が長くなることから、フェール信号のノイズに対する耐性が低下するおそれがあること。
【解決手段】インバータIV1、コンバータCVおよびインバータIV2を構成する上側アームのスイッチング素子と下側アームのスイッチング素子とは、基板30に対して2列に配置され、その制御端子(ケルビンエミッタ電極KE、センス端子ST、ゲートG)が基板30に差し込まれている。これら2列の間には、フェール用フォトカプラPCfが配置されている。インバータIV1に対応するフェール用フォトカプラPCfは、隣接するもの同士で直列接続され、各列の端部が接続されることでU字型の配線構造を有し、その端部がマイコン20に接続されている。 (もっと読む)


【課題】電気的に絶縁された回路間で電力伝達と信号伝達を行う構成を有していても、回路基板の小型化を容易に実現できる、インバータ駆動装置の提供をすること。
【解決手段】PWM信号S1を互いに相補する2つの波形信号S3A,S3Bに変換する変換回路と、下アーム素子47Aに駆動信号S7Aを伝達する下アーム回路212と,上アーム素子47Bに駆動信号S7Bを伝達する上アーム回路213と、下アーム回路212と上アーム回路213に給電を行うトランス36とを備え、トランス36が、2つの波形信号S3A,S3Bのうち、波形信号S3Aを下アーム回路212に伝達し、波形信号S3Bを上アーム回路213に伝達する、インバータ駆動装置。 (もっと読む)


【課題】より効率的に負荷を駆動できるようにする。
【解決手段】IGBT51〜56のゲートに入力する信号の電圧を調整する電圧調整回路20とIGBT51〜56のゲートに入力する信号のスイッチングスピードを調整するスイッチングスピード調整回路30を備え、正弦波PWM制御モード、過変調PWMモード、矩形波制御モード等の制御モードに応じて、IGBT51〜56の損失が低減されるように、IGBT51〜56のゲートに入力する信号の電圧およびスイッチングスピードを加工する。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路128は、オン駆動用抵抗121bの端子間電圧に基づいてオン駆動用FET121aに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用FET121aに電流が流れているとき、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成でスイッチング素子の負バイアス駆動を行う駆動回路及び当該駆動回路を備えた半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の駆動回路は、ICチップに搭載され、半導体スイッチング素子4aを駆動する駆動回路であって、前記ICチップ外部の単一電源から供給される第1の電圧V1を受け、第1の電圧V1から第2の電圧V2を生成して、これを半導体スイッチング素子4aの基準端子に印加する電源回路8と、前記ICチップ外部からの入力信号に応じて、半導体スイッチング素子4aの制御端子に第1の電圧V1を印加/非印加することにより半導体スイッチング素子4aを駆動する駆動部とを備える。 (もっと読む)


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