例示のバイアス回路は増幅器に結合される。バイアス回路は、第１のバイポーラトランジスタ、第２のバイポーラトランジスタ、および第３のバイポーラトランジスタを含む。第１のバイポーラトランジスタは、第１のノードに接続されたベースを有し、第１のノードは、第１の抵抗器を通して基準電圧に接続される。第２のバイポーラトランジスタは、第１のノードに接続されたベースを有する。第３のバイポーラトランジスタは、第１のノードに接続されたコレクタと、第２のノードで第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されたベースとを有する。第２のバイポーラトランジスタのエミッタは、増幅器に関連した第４のバイポーラトランスミッタのベースに接続され、第２のバイポーラトランジスタは、第２のバイポーラトランジスタのエミッタに接続された抵抗器を有さない。
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電力を配電し、かつバイアスするＲＦＰＡのための方法および装置である。配電回路網は最終より前の増幅段の配電回路網と最終増幅段の配電回路網とを含む。最終より前の増幅段の配電回路網は１つまたは複数の最終より前の増幅段の配電分岐を含み、これらは１つまたは複数の最終より前の増幅段の電源から１つまたは複数の最終より前の増幅段へ電力を配電するように構成することが可能である。各々の最終より前の増幅段の配電分岐は誘導負荷に接続されたπＣ−Ｒ−Ｃ回路網を具備する。最終増幅段の配電回路網は最終増幅段の電源から増幅回路の最終段へ電力を配電するように構成される。 （もっと読む）

増幅器(20)は、主増幅器回路(22)および少なくとも1つの補助増幅器回路(24)を含む。増幅されるRF信号(26)の一部が、主増幅器(22)および補助増幅器(24)に送られる。補助増幅器回路(24)は、選択的に動作可能であり、RF信号(26)のレベルに基づくなどして、主増幅器回路(22)と組み合わせて動作する。少なくとも1つのハイブリッドカプラ回路(44)は、主増幅器回路(22)および補助増幅器回路(24)の出力と結合された入力ポートを備える。ハイブリッドカプラ回路(44)は、カプラ第1出力ポート(29)で増幅器回路出力信号を組み合わせるように動作可能である。カプラ第2出力ポート(28)は、短絡回路および開回路の一方で終端される。
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【課題】本発明は携帯電話などの各種高周波機器に用いられる高周波電力増幅器及びそれを用いた高周波電力増幅モジュールに関するもので、電力効率の高い高周波電力増幅器及びそれを用いた高周波電力増幅モジュールを提供するものである。
【解決手段】ガリウム砒素からなるヘテロ・バイポーラ・トランジスタ素子１からなる高周波電力増幅器において、エミッタ電極４に接続される保護抵抗５にコンデンサ７を並列接続したことで、この保護抵抗の持つインダクタ成分とコンデンサの並列共振作用により使用周波数帯域における高周波信号の漏洩を抑制し、高周波電力増幅器の電力効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】　デュアルバンド送受信用半導体集積回路の低雑音増幅器と受信ミキサの周波数特性を劣化させない。
【解決手段】　低雑音増幅器のパッケージ外ピン先端からパッドまでの距離が最短となる位置に低雑音増幅器を配置する。接地ピン同士、及び高周波信号ピン同士が隣接しない配置とする。低雑音増幅器の接地ピンと、バイアス回路の接地を分ける。高周波信号線同志が交差しないピンレイアウトとする。 （もっと読む）

【課題】反対方向に伝搬する送信信号及び受信信号双方を増幅する送受信機モジュール用双方向増幅器を提供する。
【解決手段】増幅器（１０）は、共通伝送線路（２０）に沿って電気的に結合される第１及び第２の共通ゲートＦＥＴ（２２、２４）を含む。送信信号入力ポート（１２）と第１ＦＥＴ（２２）との間で、第１可変整合ネットワーク（２８）が伝送線路（２０）に電気的に結合され、受信信号入力ポート（１４）と第２ＦＥＴ（２４）との間で、第２可変整合ネットワーク（３０）が伝送線路（２０）に電気的に結合される。第１及び第２ＦＥＴ間において、段間可変整合ネットワーク（３２）が伝送線路に電気的に結合される。ＤＣ電圧レギュレータ（３４）が、整合ネットワーク（２８、３０、３２）及びＦＥＴにＤＣバイアス信号を供給し、送信信号及び受信信号に対し、異なる信号増幅特性及び異なるインピーダンス整合特性を与える。 （もっと読む）