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Fターム[5J500AK01]の内容

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Fターム[5J500AK01]に分類される特許

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【課題】光ディスクの高倍速化により高い周波数応答特性が必要な場合においても、RF信号成分の信号振幅を低下させない受光増幅回路を提供することを目的とする。
【解決手段】入力された光電流を電圧に変換するとともに、変換した電圧のうち第1カットオフ周波数より低い周波数に対応する電圧のみを出力する電流電圧変換アンプ102と、電流電圧変換アンプ102の後段に接続され、電流電圧変換アンプ102から出力された電圧のうち第2カットオフ周波数より低い周波数に対応する電圧のみを出力するCRローパスフィルタ回路103と、CRローパスフィルタ回路103の後段に接続され、CRローパスフィルタ回路103から出力された電圧を増幅する電圧増幅アンプ104と、少なくとも電圧増幅アンプ104と接続され、電圧増幅アンプ104から出力された電圧を加算増幅するRF増幅加算アンプ105と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電流信号の伝送線上の負荷に流れる電流の値の変化を低減させることのできる定電流回路およびフィールド機器を提供する。
【解決手段】電流(電流信号)ISが流れる伝送線L1上の負荷Fに対して直列に接続され、該負荷Fに流れる負荷電流I1の値を検出する電流検出部21と、負荷Fおよび電流検出部21の上流で伝送線L1から分流して負荷Fおよび電流検出部21の下流で伝送線L1に合流するバイパス電流I2の値を、負荷電流I1の値に基づいて制御する電流制御部25と、を備える。 (もっと読む)


【課題】帰還抵抗に対して予め当該帰還抵抗が設けられているDACアンプに対して設定される最大値の電圧を印加しその発熱状態を標準状態とすることで、出力電圧の変化が生じても電子ビームに対する影響を最小限に抑え高精度な描画処理を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びDACアンプの安定化方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームBを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部2と、荷電粒子ビームBの光路に沿って配置される偏向器に電圧を印加するDACアンプ34,35と、DACアンプ34,35に対する制御を行うDACアンプ制御部31jを備える制御計算機31と、から構成される制御部3と、を備え、DACアンプ制御部31jは、DACアンプ34,35に印加する電圧を当該DACアンプ34,35に対して設定される最大値で継続して印加する。 (もっと読む)


【課題】全差動オペアンプが有するオフセット電圧や抵抗器の抵抗値の相対ばらつきに起因する出力オフセット電圧のキャンセルを可能とする。
【解決手段】出力オフセット電圧キャンセル回路901は、回路起動時から全差動オペアンプ1の出力オフセット電圧の極性に応じて、出力オフセット電圧を零に漸近せしめるべく電圧を全差動オペアンプ1の入力段に印加可能に構成され、コントロールロジック回路113は、回路起動時から全差動オペアンプ1の出力オフセット電圧が零となるまでの出力オフセット電圧キャンセル期間、スイッチ回路115に、第1のフィードバック用抵抗器23を全差動オペアンプ1の反転入力端子と正出力端子との間に、第2のフィードバック用抵抗器24を全差動オペアンプ1の非反転入力端子と負出力端子との間に、それぞれ接続せしめるようになっている。 (もっと読む)


【課題】大電力入力時に、出力電力の低下またはゲインの低下を抑制し、かつドレインアイドル電流のドリフトが生じた場合に、ゲインの低下またはひずみ特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】Si基板またはSiC基板と前記Si基板またはSiC基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるFET10からなるパワーアンプ11と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部12と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部14と、を具備する増幅回路 (もっと読む)


【課題】受光素子(フォトダイオード)の出力信号を増幅する初段増幅器を有する増幅回路において、初段増幅器の増幅率を大きくする。
【解決手段】フォトダイオード2で光電変換された電気信号を増幅する初段増幅器31の出力信号に含まれる直流成分をローパスフィルタ34にて抽出し、その抽出した直流成分を打ち消すように、初段増幅器31の入力側にバイアス電流を帰還する。このようにして初段増幅器31の入力側にバイアス電流を流すことによって、初段増幅器31に入力される電気信号の直流成分(照明光等の信号成分)を除去することができ、初段増幅器31の増幅率を大きくすることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】利得可変回路の出力振幅の温度依存性を低減する。
【解決手段】自動利得調整回路は、利得可変回路3の出力信号のピーク電圧を検出するピーク検出回路10と、利得可変回路3の出力信号の平均値電圧を検出すると共に、平均値電圧に利得可変回路3の所望の出力振幅の1/2の電圧を加える平均値検出・出力振幅設定回路11と、ピーク検出回路10の出力電圧と平均値検出・出力振幅設定回路11の出力電圧との差分を増幅して、増幅結果を利得制御信号として利得可変回路3の利得を制御する高利得アンプ12とを備える。ピーク検出回路10の入力端子から出力端子までの経路に挿入されるトランジスタのベース−エミッタ接合の数と、平均値検出・出力振幅設定回路11の入力端子から出力端子までの経路に挿入されるトランジスタのベース−エミッタ接合の数とは同一である。 (もっと読む)


【課題】複雑な制御を必要とせず、集積回路のトランジスタの閾値電圧バラツキに応じて所望の動作速度に適した電源電圧を提供することができる。
【解決手段】被安定電圧が入力される入力端子1と、安定化された電圧が出力される出力端子2と、入力端子1および出力端子2と電位差を有する一定電圧に設定される共通端子3と、正入力端子および負入力端子を有する差動増幅器4と、差動増幅器4の出力に基づいて入力端子1から出力端子2に流れる電流を制御する電流制御素子5と、出力端子2と共通端子3との間の電位差を分圧し、差動増幅器4の正入力端子に帰還させる分圧回路6と、出力端子2から電力を供給されるが出力端子2の電圧に依存せず、共通端子3の電圧を基準とする当該集積回路のトランジスタの閾値電圧に比例した電圧を差動増幅器4の負入力端子に出力する閾値参照電圧源7とを備える。 (もっと読む)


【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶
縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、
しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。
【解決手段】本発明は、容量素子の両電極がある特定のトランジスタのゲート
・ソース間電圧を保持できるように配置した電気回路を提供する。そして本発明
は、容量素子の両電極間の電位差を定電流源を用いて設定できる機能を有する電
気回路を提供する。 (もっと読む)


【課題】所望の帯域幅を確保しつつ、所望の倍率を正確に得ることができる演算回路を提供する。
【解決手段】演算回路は、入力信号を入力する入力端子と、複数個のキャパシタと、増幅入力端子と出力端子とを備え、この増幅入力端子から入力される信号を増幅して前記出力端子から出力信号を出力する増幅回路とを備えている。第1スイッチ回路は、第1制御信号に基づき導通状態となり、複数のキャパシタを入力端子と第1電圧を供給する第1電圧端子との間に並列に接続する。また、第2スイッチ回路は、第2制御信号に基づき導通状態となり、複数個のキャパシタに含まれる第1のキャパシタを増幅入力端子と第2電圧を供給する第2電圧端子との間に第1の電流経路を形成するように接続すると共に、複数個のキャパシタに含まれる第2のキャパシタを増幅入力端子と前記出力端子との間に第2の電流経路を形成するように接続する。 (もっと読む)


【課題】温度検出信号の精度が向上する熱電対用増幅回路を提供することを目的とする。
【解決手段】コレクタを接地されており、熱電対の一端の電圧をベースに供給されてエミッタから出力するコレクタ接地の第1のトランジスタQ11と、コレクタを接地されており、熱電対の他端の電圧をベースに供給されてエミッタから出力するコレクタ接地の第2のトランジスタQ12と、ベースを一定電位にされており、第1のトランジスタの出力をエミッタに供給されてコレクタから出力するベース接地の第3のトランジスタQ14と、ベースを一定電位にされており、第2のトランジスタの出力をエミッタに供給されてコレクタから出力するベース接地の第4のトランジスタQ15と、第3のトランジスタの出力と第4のトランジスタの出力とを差動増幅する演算増幅器15とを有する。 (もっと読む)


【課題】低ノイズ電流、多レンジ、高速応答、低回路電源電圧、バイポーラ動作、小規模回路の要件を満足する自動レンジ切り替え可能な電流/電圧変換回路及び集積回路、及びそれらを用いた電子回路基板又は電子機器を得る。
【解決手段】電流入力端子とグランド端子間に入力される入力電流に対し、レンジを複数レンジグループに分けてI/V変換する為に、第1の演算増幅器と各レンジグループ毎のI/V変換部を設け、各I/V変換部毎にI/V変換用演算増幅器を設けてレンジグループ内の自動レンジ切り替えを行なうと同時に、レンジグループ間でも自動レンジ切り替え動作を行なう様にして、全体として低ノイズ電流、多レンジ、高速応答、低回路電源電圧、バイポーラ動作、小規模回路の要件を満足する自動レンジ切り替え可能な電流/電圧変換回路を実現する。 (もっと読む)


【課題】増幅素子が4つ以上であっても予め定められた数の増幅素子が故障したときに、故障として検知する電力増幅器の故障検出回路を提供する。
【解決手段】4つ以上の増幅素子に対してこの増幅素子ごとに設けられる増幅素子故障検出回路の出力信号の加算電圧を反転して出力する反転加算回路と、この反転加算回路の出力電圧が閾値電圧より高い場合に信号を出力する比較回路と、を備える。故障した増幅素子の個数が故障増幅素子数閾値を超えた時、故障検出回路はLow信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】 入力電圧の変化による増幅率の変化を抑制した、温度依存性を調整可能な演算増幅器を提供する。
【解決手段】 入力端子及び出力端子と、反転入力端子と非反転入力端子とを有する演算増幅器10と、入力抵抗回路20と、帰還抵抗回路30とを有する演算増幅回路において、入力/帰還抵抗回路は、それぞれ互いに温度係数の異なる抵抗Rとトリミング抵抗TRとを直列接続して形成し、トリミング抵抗を形成するMOSトランジスタはそのソース・ドレイン経路が抵抗Rと演算増幅器の反転入力端子との間に設けられ、その基板電位は演算増幅器の反転入力端子の電位とする。 (もっと読む)


【課題】差動入力部を有するとともに、出力部を構成するカレントミラー回路のミラー比を調整して入力オフセット電圧をもたせた電圧電流変換回路において、差動入力部および入力オフセット電圧の温度特性を平坦なものにする。
【解決手段】平坦な温度特性を有する第1の定電流Ib1に正の温度特性を有する第2の定電流Ib2を加えた電流をバイアス電流として、MP10及びMP11からなる差動入力部に供給することにより、差動入力部の温度特性とバイアス電流の温度特性とを相殺させて差動入力部の温度特性をゼロ(平坦なもの)にすることができる。また、電流吐き出し型の第1のカレントミラー回路の出力と、電流吸い込み型の第2のカレントミラー回路の出力との接続点を電圧電流変換回路の出力端子Out2とし、この接続点に第1の定電流Ib1に比例した電流を加える構成により、温度特性のない入力オフセット電圧も実現することができる。 (もっと読む)


【課題】安定した入出力特性を得られる半導体回路を提供する。特に、スイッチング素子のリーク電流に起因する不具合が抑制された半導体回路を提供する。
【解決手段】スイッチトキャパシタ回路に用いられるスイッチング素子に、酸化物半導体などのワイドギャップ半導体をチャネルが形成される半導体層に用いた電界効果型のトランジスタを適用する。このようなトランジスタは、オフ状態におけるリーク電流が小さい特徴を有し、当該トランジスタをスイッチング素子に適用することによりリーク電流に起因する不具合が抑制され、安定した入出力特性が得られる半導体回路を構成することが出来る。 (もっと読む)


【課題】電源電圧を超えた電圧の駆動信号を発生させることが可能で、しかも環境温度や部品の製造ばらつきの影響を受けることなく安定した駆動信号を発生させることが可能な容量性負荷駆動回路及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】容量性負荷駆動回路は、駆動信号(COM)の基準となる駆動波形信号(WCOM)を出力する駆動波形信号出力回路210と、WCOMと、帰還信号(dCOM)との差分を取ることによって誤差信号(dWCOM)を生成する演算回路220と、電力増幅信号(Vs)を生成する電力増幅回路280と、電圧バイアス信号(Vb)を生成するブートストラップ回路290と、ブートストラップ回路290からのVbをCOMとして容量性負荷に供給する誘導性素子250と、誘導性素子250からのCOMに対して、位相を進ませたdCOMとして演算回路220に負帰還させる位相進み補償回路270と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高音の音声信号が所定のレベル以上で所定時間以上入力されたときに、利得を低減させて高音過電流が発生することを防止する。
【解決手段】出力ドライバのパワートランジスタに流れる電流が所定時間以上にわたって所定値を超えた場合に高音過電流検出信号を発生する高音過電流検出手段と、前記高音過電流検出信号が発生されると前記プリアンプの通過周波数帯域を低くさせる通過周波数帯域切替手段とを設けた。 (もっと読む)


【課題】より簡素な構成で電磁誘導等による音質へのノイズの影響を一層低減させる装置を提供すること。
【解決手段】定電圧回路1からの直流電圧を定電圧供給線50および定電圧用アース線51を介して外部機器200側の定電圧回路10に電源供給する場合、定電圧用アース線51、外部機器内の接地点であるgnd部15、信号用アース線56およびアンプ内の接地点であるgnd部2を通るグランドループが形成されてノイズの原因になるが、スイッチ5の操作によって、演算増幅器3の反転端子と接地点(gnd部2)とが非導通状態となって、グランドループが形成されないことになる。この結果、ノイズが低減され音質劣化を防止することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】CMOSプロセスで製造される半導体装置においてトランスリニア回路を実現する。
【解決手段】トランスリニアループを形成するnpnトランジスタQ1〜Q4は、n型基板を共通のコレクタとする一方、それぞれに対応して形成されたpウェルをベースとし、nMOSのソース、ドレインと同様にpウェル内に形成されるn型領域をエミッタとする。入力トランジスタQ1〜Q3への入力電流の供給はエミッタに接続された電流源I1〜I3により行う。出力トランジスタQ4のエミッタにトランジスタM1を接続する。Q2,Q4のエミッタ間は、演算増幅器210により仮想短絡する。演算増幅器210の出力端子はM1のゲートに接続する。 (もっと読む)


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