テープ状基材の研磨方法及び酸化物超伝導体用ベース基材
【課題】テープ状基材の表面を、超伝導膜と中間層膜とを配向性良く結晶化させるために、テープ基材表面を数ナノレベルの平滑性と均一性を持つように仕上げる研磨方法。
【解決手段】テープ状金属基材１１０と、テープ上金属基材１１０の上に形成された中間層と、さらにこの中間層の上に形成された酸化物超伝導膜層とから成る酸化物超伝導体における、テープ状金属基材１１０のうち、中間層が形成される面である被研磨面を研磨するテープ状金属基材１１０の研磨方法であって、テープ状金属基材１１０を連続に走行させながら、被研磨面を研磨する研磨工程を備え、研磨工程は、初期研磨である第１研磨処理部１０３と、その後に行う仕上研磨である第２研磨処理部１０４とを含んで成り、研磨工程終了後の被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなること、を特徴とする。
【解決手段】テープ状金属基材１１０と、テープ上金属基材１１０の上に形成された中間層と、さらにこの中間層の上に形成された酸化物超伝導膜層とから成る酸化物超伝導体における、テープ状金属基材１１０のうち、中間層が形成される面である被研磨面を研磨するテープ状金属基材１１０の研磨方法であって、テープ状金属基材１１０を連続に走行させながら、被研磨面を研磨する研磨工程を備え、研磨工程は、初期研磨である第１研磨処理部１０３と、その後に行う仕上研磨である第２研磨処理部１０４とを含んで成り、研磨工程終了後の被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなること、を特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープ状基材の表面に酸化物超伝導薄膜を形成するために、テープ状基材の被研磨面を研磨する方法及びこの研磨方法により研磨されたテープ状基材を用いた酸化物超伝導体用基材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
超伝導材料の中でも、酸化物超伝導体は、液体窒素温度を超える臨界温度を示す優れた超伝導体であることが知られている。典型的な酸化物超伝導体テープ状線材として、Ｎｉ系合金からなるハステロイ合金テープの表面に、ＩＢＡＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＰＬＤ（ｐｕｌｓｅｄ Ｌｅａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより、中間層として、結晶配向制御したＭｇＯ、イットリウム安定化ジルコニヤ（ＹＳＺ）やＣｅＯ２の多結晶配向膜を形成し、更にこの多結晶配向膜上にＹＢＣＯ（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙ）系酸化物超伝導膜を形成して得たテープ状線材が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
現在、この種の酸化物超伝導体を実用的に使用するためには、種々の解決すべき問題が存在する。
【０００４】
超伝導特性としての、高い臨界電流（Ｉｃ）及び臨界電流密度（Ｊｃ）を得るために、テープ状基材の表面をより平滑にする方法が行われている。それによって、テープ状基材表面に結晶性の優れた超伝導膜を形成することができる（例えば、特許文献２〜４参照）。
【０００５】
また、中間層の配向性を良くすれば、その上に形成される超伝導膜の配向性が向上する。特に、高い２軸配向性を得ることが高い臨界電流（Ｉｃ）及び臨界電流密度（Ｊｃ）をもつ超伝導膜を得るために必須とされている。
【０００６】
ここで、形成すべき中間層の結晶性は、下地となるテープ状の基材表面の結晶性に依存するため、配向性のよい中間層を得るにはテープ状基材の結晶方位及び面内配向性が重要となる。
【０００７】
そこで、中間層膜を配向性良く結晶化させるためには、テープ基材表面を数ナノレベルの平滑性と均一性を持つように仕上げる必要がある。
【０００８】
また、他の方法として、ニッケルまたはニッケル合金のテープ表面を精密に研磨した後、酸化物超伝導膜を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献５参照）。
【０００９】
一方、超伝導の実用化を妨げているもう一つの問題は、磁束量子の振る舞いがある。超伝導体に電流が流れて発生するローレンツ力は磁束量子を動かそうとするが、磁束量子が動いてしまうと熱が発生し、超伝導状態が壊れてしまう。従って、磁束量子が動かないようにピン止め（ピンニング）できれば、超伝導体に流すことができる臨界電流（Ｉｃ）を大きくすることが可能となる。
【００１０】
上記したの従来技術文献は、いずれも基材表面を平坦かつ平滑に研磨しておくことが重要であることを教示している。
【００１１】
テープ状線材は、通常、金属素材をロール圧延と熱処理を繰り返しながら、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍの厚さのテープ状の線材に引き伸ばすことにより形成される。このように製造された線材の表面には、圧延による機械的線状痕や結晶欠陥による転移が形成される。これらの線状痕または欠陥により、その上に直接形成される中間層や超伝導層の結晶配向性が損なわれる。
【００１２】
そのため、従来のテープ状超伝導線材の製造においては、圧延後のテープ状線材の表面に対して、機械研磨や電解研磨を施し平坦かつ平滑な基材面を形成してから、その上に中間層及び超伝導膜を形成していた（例えば、特許文献６、７参照）。
【特許文献１】特開平９−１２０７１９号）
【特許文献２】特開平２−２０７４１５号
【特許文献３】特開平６−１４５９７７号
【特許文献４】特開２００３−０３６７４２号
【特許文献５】米国特許第６，９０８，３６２号明細書
【特許文献６】特開平６−３１６０４号
【特許文献７】特開２００２−１５０８５５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、長尺のテープ状基材についてはその全長に渡って、平坦かつ平滑に研磨することは、非常に困難を要する。
【００１４】
本発明は、テープ状基材の上に中間層と、酸化物超伝導膜層とを順に形成されてなる酸化物超伝導体が、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）とをもつように、このテープ状金属基材の表面を、超伝導膜と中間層膜とを配向性良く結晶化させるために、テープ基材表面を数ナノレベルの平滑性と均一性を持つように仕上げる研磨方法の提供を目的とする。
【００１５】
またこの研磨方法により研磨されたテープ状基材と、その上に形成された中間層からなる酸化物超伝導体用ベース基材の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明が提案するのは、テープ状基材と、前記テープ上基材の上に形成された中間層と、前記中間層の上に形成された酸化物超伝導膜層とから成る酸化物超伝導体における、前記テープ状基材の前記中間層が形成される面である被研磨面を研磨するテープ状基材の研磨方法であって、前記テープ状基材を連続に走行させながら、前記被研磨面を研磨する研磨工程を備え、前記研磨工程は、初期研磨と、前記初期研磨の後に行う仕上研磨とを含んで成り、前記研磨工程終了後の前記被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなること、を特徴とするテープ状基材の研磨方法である。
【００１７】
このように研磨工程終了後のテープ状基材の被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなるので、この研磨溝内に形成される中間層の結晶粒がさらに溝内に配列されるので中間層の配向性が向上する。そのため中間層の上に形成される酸化物超伝導膜層の結晶配向性も向上し、高い２軸配向性を得ることができ、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）の酸化物超伝導体を提供することが可能となる。
【００１８】
ここで前記初期研磨は、前記被研磨面を５ｎｍ以下の表面粗さに仕上げるランダム研磨を行うものであり、前記仕上研磨は、被研磨面に走行方向に沿った研磨溝を形成する研磨を行うものとすることができる。
【００１９】
被研磨面を５ｎｍ以下の表面粗さに仕上げるランダム研磨を行う初期研磨によって、テープ状基材の圧延によって形成された表面のスクラッチや結晶欠陥を除去することができる。そしてその後の仕上研磨により、被研磨面に走行方向に沿った研磨溝を形成することで中間層と酸化物超伝導膜層の配向性を向上させることができるものである。
【００２０】
ここで上記表面粗さは、ＲＭＳ（Ｒｏｏｔ ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）「平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根」を意味するものである。
【００２１】
また前記仕上研磨は、前記被研磨面を、前記テープ状基材の走行方向と直交する幅方向の表面粗さを１０ｎｍ以下に仕上げることが好ましい。表面粗さを１０ｎｍ以下とすることで中間層と酸化物超伝導膜層の配向性が急激に向上するからである。
【００２２】
更にまた、前記仕上研磨は、前記研磨溝における溝のライン密度が５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲に仕上げることが好まく、前記研磨溝の溝幅が、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に、更に２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に仕上ることが好ましい。このようなライン密度や溝幅にすることで、中間層と酸化物超伝導膜層を形成する結晶粒径を制御して配向性の良い結晶成長を促すことができるものである。
【００２３】
更に前記研磨溝の溝内の表面粗さを、１ｎｍ以下に仕上げることで、より上記配向性の向上を図ることができる。
【００２４】
また前記仕上研磨は、多結晶ダイヤモンドを含むスラリーと、植毛布、起毛布、織布及び不織布のうちから選択される材質の研磨テープまたは研磨パッドとを用いて行うことができる。これによりテープ状基材の走行方向に平行な研磨溝を被研磨面に形成することができる。
【００２５】
また本発明が更に提案するのは、酸化物超伝導体用ベース基材であって、上記した研磨方法によって研磨されたテープ状基材と、前記テープ状基材の被研磨面上に形成された中間層と、を備えてなり、前記中間層の面内配向性が７°以下となることを特徴とする酸化物超伝導体用ベース基材である。
【００２６】
上記の研磨方法により研磨されたテープ状基材と、このテープ状基材の被研磨面上に形成された中間層とで構成される酸化物超伝導体用ベース基材であれば、中間層の配向性が良く、その上に形成される超伝導膜の配向性が向上することになる。そして、超伝導膜層において、高い２軸配向性を得ることができ、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）を得ることができる。
【００２７】
前記テープ状基材は、ニッケル、ニッケル合金及びステンレスの何れかより選択される材料を圧延加工して製造されるものを用いることができる。
【００２８】
そして上記の研磨方法により研磨されたテープ状基材と、このテープ状基材の被研磨面上に形成された中間層とで構成される酸化物超伝導体用ベース基材を用いて、前記中間層の上に超伝導膜層を形成して、酸化物超伝導体とすれば、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）の酸化物超伝導体を提供することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、研磨工程によってテープ状基材の被研磨面に、走行方向に平行な研磨溝を形成するので、その上に形成される中間層の配向性が良くなり、結果さらにその上に形成される超伝導膜の配向性が向上することになる。
【００３０】
そのため、超伝導膜層において、高い２軸配向性を得ることができ、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）の酸化物超伝導体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照しながら、本発明を詳細に説明する。ここで説明する実施例は本発明の一例であり、これにより本発明を制限するものではない。
【００３２】
本発明に係る、テープ基材と、該テープ基材の上に形成された中間層と、該中間層の上に形成された酸化物超伝導薄膜層とから成る酸化物超伝導体のおける、該テープ基材の被研磨面を研磨する方法は、テープ基材を連続走行させながら、初期研磨及び仕上げ研磨を行い、最終的に、被研磨面に走行方向（通電方向）と平行な研磨溝を形成するように研磨仕上げされるものである。
【００３３】
これにより形成された研磨溝は、５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲にあり、該研磨溝に対して直角方向の表面研磨面の表面粗さ（ＲＭＳ）が１０ｎｍ以下にあり、該研磨溝の内面の粗さが１ｎｍ以下となるように研磨する工程からなり、この上に形成される中間層の面内配向性Δφが７°以下と成ることを特徴とするものである。
【００３４】
初期研磨は、テープ状基材の被研磨面をランダム研磨（回転方式）する少なくとも１段の第１研磨工程から成り、仕上げ研磨はテープ状基材の被研磨面を走行方向研磨する少なくとも１段の第２研磨工程からなるものである。
【００３５】
ここで、テープ状金属基材として、耐高温、耐食性に優れた、純Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−ＷなどＮｉ基合金、純Ｃｕ、Ｃｕ−ＮｉなどのＣｕ基合金基板またはＦｅ−Ｓｉ、ステンレスなどのＦｅ基合金が使用可能である。具体的には、酸化物超伝導膜を形成するために、耐食性及び耐熱性の優れた、ハステロイ（登録商標）、インコネル（ＩＮＣＯＮＥＬ：登録商標）、Ｎｉ−５％Ｗ等のＮｉ合金が使用可能である。これらの基材は、圧延技術により、厚さ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、幅２ｍｍ〜１００ｍｍ、長さ数百メートルに加工される。
【００３６】
このテープ状基材は、その殆どが圧延方向に線状のスクラッチまたは結晶欠陥が形成されている。本発明では、先ず、圧延によって形成された表面のスクラッチ、酸化物層または結晶欠陥を、初期研磨としてのランダムな回転研磨方式で除去し、その後、仕上研磨として、さらにテープ状基材の走行方向（通電する方向）に研磨溝が残るように研磨仕上げする。その後、洗浄及び乾燥した被研磨面の上に中間層膜及び超伝導膜を順に堆積させることにより、臨界電流の高い酸化物超伝導体を形成することができる。
【００３７】
初期研磨である第１研磨工程の主たる目的は、圧延処理によって生じたテープ状金属基材の傷、酸化膜、欠陥等を除去することである。第１研磨工程による研磨処理を経たテープ状基材の表面粗さ（ＲＭＳ）は１０ｎｍ以下で、５ｎｍ以下であることが好ましい。 したがって、表面状態が前記表面粗さ以下の場合は、第１研磨工程を省略することができる。
【００３８】
仕上研磨である第２研磨工程は、最終仕上げ工程であり、その目的は、表面粗さとしては比較的粗い面でありながら、テープ状基材表面を走行方向に研磨溝を残すように研磨研磨し、その溝に沿って面内配向性の良い中間層膜を形成するためのテープ状基材表面を形成することである。
【００３９】
第２研磨工程による研磨処理を経たテープ状基材の幅方向の表面粗さ（ＲＭＳ）は１０ｎｍ以下であり、研磨ライン密度が５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲に仕上げる。すなわち、溝幅は、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲にあり、より好ましくは２０ｎｍ〜５０ｎｍ範囲にあり、その溝内の表面粗さが１ｎｍ以下に仕上げる。
【００４０】
前記溝幅は、中間層膜及び超伝導膜の結晶粒径により選択され、結晶配向性に適した溝幅を形成することができる。なお走行方向の研磨溝は、連続的に形成されなくてもよい。
【００４１】
図１は、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材を研磨する方法に使用される研磨システムの一例を略示したものである。研磨システム１００は主として、送り出し部１０１ａ、バックテンション部１０２、初期研磨である第１研磨処理部１０３、仕上研磨である第２研磨処理部１０４、洗浄処理部１０５、検査部１６０、ワーク送り駆動部１０６、及び巻き取り部１０１ｂから成る。
【００４２】
送り出し部１０１ａの巻き出しリールに巻かれたテープ状金属基材１１０は、バックテンション部１０２を通過し、第１研磨処理部１０３に入る。まず、テープ基材１１０に対して、第１研磨処理部１０３で、以下に詳細に説明する第１研磨工程が実行される。続いて、テープ状基材１１０は第２研磨処理部１０４に進み、そこで以下に詳細に説明する第２研磨工程が実行される。その後、テープ状基材１１０は洗浄処理部１０５に進み、そこで最終清浄工程が実行される。こうして仕上げられたテープ状基材１１０は、以下で詳細説明する検査部１６０において、表面粗さＲＭＳ及び研磨痕が観測される。その後、テープ状基材１１０はワーク送り駆動部１０６を通過し、最終的に巻き取り部１０１ｂの巻き取りリールに巻き取られる。
【００４３】
研磨工程を実行後に、テープ状基材１１０を水洗浄（１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ）するのが好ましい。そうすることにより、残留砥粒、研磨屑及びスラリー残渣が除去される。
【００４４】
以下で詳細に説明するように、テープ状基材の走行は、バックテンション部１０２とワーク送り駆動部１０６とにより、所定のテンションを保持した状態で制御される。また、テープ基材の位置ずれを防止するために、以下で詳細に説明する複数の幅規制ガイド（１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ）が適当な間隔で配置される。さらに、緩み検出センサー（１５０ａ、１５０ｂ）を巻き出しリールの下流側及び巻き取りリールの上流側に配置することにより、テープ状基材１１０の緩みを検知し、巻き取りリールの回転速度を制御することができる。
【００４５】
一定のテンションが与えられたテープ状金属基材１１０は第１研磨処理部１０３において、第１研磨工程にかけられる。図１の研磨システムでは、表裏面を上下にして走行するテープ状金属基材１１０の下側面１１１を研磨するように描かれているが、本願はこれに限定するものではなく、反対側であるテープ状基材の上側面を研磨するようにシステムを構成することもできる。
【００４６】
第１処理部１０３は、研磨ヘッド４０１及び押し圧機構４４０から成る少なくとも一つの研磨ステーション（１０３ａ、１０３ｂ）、並びに研磨ステーションの下流側に設けられた少なくとも一つの洗浄装置（１２０ａ、１２０ｂ）から成る。
【００４７】
図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、研磨ヘッド４０１の一例の正面図、平面図及び側面図を示したものである。研磨ヘッド４０１は、研磨テープ４１０を研磨テーブル４１３上に送り出すための送り出し機構部と、研磨テーブル４１３を研磨面に垂直な軸線Ｘの回りに回転させるための回転機構部と成る。
【００４８】
送り出し機構部は、研磨テープ４１０が巻かれた送り出しリール４１１と、少なくともひとつの支持ローラと、研磨後の研磨テープを巻き取るための巻き取りリール４１２と、送り出しリール４１１と巻き取りリール４１２に動的に連結した駆動モータ（図示せず）から成る。これらはハウジング４１４内に収容されている。
【００４９】
研磨テープ４１０として、発泡ウレタン、スエード、又はポリエステルやナイロンからなる、織布、不織布、植毛布、起毛布などが使用可能である。 付加的に、ハウジング４１４は研磨中にスラリーが外部に飛散するのを防止するためのカバー４２０に覆われている。モータを駆動することにより、研磨テープ４１０が送り出しリール４１１から送り出され、支持リールを介して、研磨テーブル４１３上を通過し、最後に巻き取りリール４１２に巻き取られる。
【００５０】
研磨テーブル４１３上には常に未使用の研磨テープ４１０が送られ、テープ状金属基材１１０の被研磨面を研磨する。研磨の際には、上記したスラリーを供給するのが好ましい。好適に、スラリーは、研磨砥粒、水及び水に添加剤（例えば、潤滑剤及び砥粒分散剤）を加えたものから成る。研磨砥粒として、これに限られないが、ダイヤモンド（単結晶、多結晶）、シリカ（コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ）、アルミナ、ＳｉＣ及びｃＢＮ等を使用することができる。
【００５１】
好適には、スラリーの研磨砥粒の平均粒径は、初期研磨である第１研磨工程（ランダム研磨）において、５μｍ〜０．０２μｍであり、段数の後方ほど細かい砥粒が使用される。また、仕上研磨である第２研磨工程（走行方向研磨）においては、走行方向の研磨溝（研磨溝）を形成するために溝幅に適した砥粒径が選択される。すなわち、研磨溝の幅及びライン密度（本／μｍ）によって適当に選択される。好適には、１０μｍ〜０．１μｍの範囲にある。なお、各研磨工程において、研磨装置を複数台設け、それぞれ砥粒の粒径を変えることもできる。あるいは、同じ粒径の砥粒で連続研磨することもできる。これにより、被研磨面の要求及び研磨時間の短縮に対応することができる。
【００５２】
一方、図２（Ａ）に示すように回転機構部は、上記ハウジング４１４の下方にあって、研磨テーブル４１３の上記回転軸Ｘと同軸に結合されたスピンドル４１６と、モータ４１７の回転動力をスピンドル４１６に伝達するためのベルト４１５とから成る。さらに、モータ４１７とハウジング４１４を支持するための支持台４１９が設けられる。
【００５３】
スピンドル４１６は支持台４１９の内部にあって支持台４１９に関して回転可能に取り付けられている。付加的に、支持台４１９は２本のレール４２１に載置されており、研磨ステーションをレール上で移動させるためのハンドル４２０ｈが支持台４１９に結合されている。
【００５４】
モータ４１７を駆動することにより、ベルト４１５を介して回転動力がスピンドル４１６に伝達され、ハウジング４１４が軸線Ｘの回りに回転する。さらに、研磨ステーションを複数設けることも可能である。この場合、ハウジングの回転方向（すなわち、研磨テープの回転方向）を反対にすることにより、研磨効率を上げることができる。また、１段目研磨と２段目研磨の回転方向を互いに逆にすることにより、研磨面の性状を変えることができる。
【００５５】
第１研磨工程の変形として、図２（Ｄ）に示されるように、モータ４１７′が支持台４１９の内部に収容されてもよい。
【００５６】
図２（Ｅ）は、研磨ヘッドの他の例を示したものである。図２（Ｅ）に示す例では、研磨テープの代わりに研磨パッドが使用される。研磨ヘッド４３０は、テープ状基材１１０を研磨する研磨パッド４３１が貼り付けられたプラテン４３２、プラテン４３２を支持するスピンドル４３３、ベルト４３６及びモータ４３４から成る。スピンドル４３３は支持台４３５に回転可能に取り付けられており、モータ４３４は該支持台４３５の内部に収容されている。モータ４３４を駆動することにより、ベルト４３６を介して回転動力がスピンドル４３３に伝達され、研磨パッド４３１が回転してテープ状基材１１０を研磨する。研磨の際には、上記したスラリーを研磨パッド４３１の略中心部に供給するのが好ましい。
【００５７】
次に、押し圧機構４４０について説明する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係る研磨システムで使用される押し圧機構４４０の正面図及び側面図を示す。押し圧機構４４０は、エアーシリンダ４４１、加圧板４４３、テープ状基材の走行方向に沿って加圧板４４３の中心線上に設けられた押え板４４５から成る。押え板４４５の下面にはテープ状基材１１０の幅に対する案内溝４４６が設けられ、研磨処理中におけるテープ状基材１１０の位置ずれの発生が防止される。押え板４４５は、テープ状金属基材１１０のサイズ（幅、厚み）に応じて、適宜交換可能である。
【００５８】
付加的に、押し圧機構４４０の側面には位置調整ハンドル４４２が結合されており、テープ状金属基材１１０の幅の中心と押し圧機構４４０の中心が一致するように調整される。そうすることにより、エアーシリンダ４４１からの圧力が加圧板４４３及び押え板４４５を介して、テープ状基材１１０に伝達される。さらに、加圧板４４３の上部には調整ネジ４４４が設けられている。研磨処理前に、該調整ネジ４４４により、加圧板４４３と研磨テープ４１３との平行度が調整される。加圧機構は、これに限定されるものではなく、他の圧力機構が使用されてもよい。
【００５９】
図４（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係るテープ基材の第２研磨工程で使用される研磨ヘッド６１０の好適実施例の正面図及び側面図である。研磨ヘッド６１０は、例えば、ステンレス製の円筒ドラムベースに樹脂製シート６０２を巻き付けた円筒ドラム６０１、円筒ドラム６０１を回転させるための駆動モータ６０３、駆動輪等の駆動機構（図示せず）とを備えて成るものである。
【００６０】
樹脂製シート６０２として、発泡ポリウレタン、織布、不織布、植毛布などが使用される。円筒ドラム６０１は、ハウジング６０６内に収容されている。付加的に、円筒ドラム６０１をテープ状基材１１０の走行方向に対して直角方向にオッシレーション動作をさせるためのモータ６０５を含むことができる。このオッシレーション動作により、テープ状金属基材１１０が円筒ドラム６０１の同一箇所で研磨されることが防止される。
【００６１】
一方、二段目研磨（最終仕上げ）の場合は、一方向のみの研磨溝を形成するためにオッシレーション動作をせずに研磨することができる。研磨の際は、上記したスラリーを樹脂製シート６０２の上に供給するのが好ましい。
【００６２】
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係るテープ基材の第２研磨工程で使用される研磨ヘッド６２０の他の実施例の正面図及び側面図である。研磨ヘッド６２０は、研磨ベルト６２１をテープ状基材１１０に押し付けるためのコンタクトローラ６２２、ケンマヘッド駆動手段６２３、支持ローラ６２５、研磨ベルト駆動手段６２３に結合する駆動モータ６２４から成る。
【００６３】
コンタクトローラ６２２、支持ローラ６２５及び研磨ベルト駆動手段６２３は、ハウジング６２８内に収容されている。研磨ベルト６２１として、合成繊維製の織布もしくは不織布または発泡体から成るテープが使用される。
【００６４】
駆動モータ６２４を作動させると、ベルト駆動手段６２３により研磨ベルト６２１がコンタクトローラ６２２及び支持ローラ６２５を介して走行し、テープ状基材１１０の被研磨面を研磨する。研磨の際には、上記したスラリーを研磨ベルト６２１上に供給するのが好ましい。
【００６５】
付加的に、コンタクトローラ６２２をテープ状基材１１０の走行方向に対して直角方向にオッシレーション動作をするためのモータ６２６を含むことができる。このオッシレーション動作により、テープ状金属基材１１０が研磨ベルト６２１の同一箇所で研磨されることが防止される。
【００６６】
なお、通常の最終研磨では、的確に研磨溝を形成させるためにオッシレーションを行わない方が好ましい。
【００６７】
上記研磨ヘッド６１０及び６２０の特徴は、円筒ドラム６０１あるいは研磨ベルト６２１の研磨面がテープ状基材１１０の走行方向またはその逆方向に回転する点にある。研磨ヘッド６１０または６２０は、図３で説明した加圧機構４４０とともに研磨ステーションを構成する。第２研磨工程において、複数段の研磨ステーションを直列に配置することが可能である。この場合には、各研磨ステーションの下流に上記した洗浄装置を配置するのが好ましい。
【００６８】
上記した第２研磨処理部１０４において、テープ状金属基材１１０は、第２研磨工程にかけられる。図１に示す研磨システムの例において、第２研磨工程は、２段階の走行方向の研磨方式で実行される。研磨に際して、研磨粒子、水及び水に添加剤（例えば、潤滑剤及び砥粒分散剤）を加えたものから成るスラリーを使用するのが好ましい。砥粒として、これに限定されないが、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ダイヤモンド、ｃＢＮ，ＳｉＣ、コロイダルシリカなどが使用できる。好ましくは、走行方向の溝内が平滑になるように、球状の多結晶ダイヤモンドが適している。使用する砥粒の平均粒径は０．０５μｍ〜１０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜５μｍである。
【００６９】
上記研磨システムは、研磨条件に応じた装置の組み換えによって、適当な研磨プログラムを組むことができる。例えば、各研磨工程を複数段設ける場合には、格段の研磨条件（例えば、研磨ヘッドの回転速度、スラリーの砥粒粒径など）を適宜調節することも可能である。
【００７０】
上記したように、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材の研磨方法に従う第１の研磨工程は、第２の研磨工程を行うための準備工程であり、表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下になるようにテープ状基材の被研磨面を研磨する工程からなる。
【００７１】
また、上記したように、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材の研磨方法に従う第２研磨工程は、テープ状基材の走行方向（通電方向）に研磨溝を形成する研磨を行い、その被研磨面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下であり、前記研磨溝（研磨溝）が５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲となるよう研磨する。
【００７２】
好適には、第１研磨工程は、通常のランダム研磨であり、第２研磨工程の最終仕上げは、テープ状基材の走行方向に沿った研磨溝が被研磨面に形成されるように研磨する。
【００７３】
こうして得られたテープ状基材の表面に中間層を形成する。ＩＢＡＤ（Ｉｏｎ ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、あるいはＩＳＤ（Ｉｎｃｌｉｎｅｄ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＭｇＯ、ＣｅＯ２、ＳｒＴｉＯ３、及びＹ２Ｏ３で安定化したジルコニア（ＹＳＺ）膜等が、面内二軸配向性を有する中間層として蒸着される。中間層の上に酸化物超伝導体膜が蒸着される。かくして、テープ状基材及び中間層が酸化物超伝導体膜の基材と成る。本発明により、結晶配向性に優れた中間層膜を形成することが可能となり、結果として、臨界電流の高い超伝導薄膜を形成することができる。
【実施例】
【００７４】
以下、本発明に従い、さまざまな研究条件でテープ状基材を研磨し、その上に蒸着した中間層の配向性を調べる実験を行ったので説明する。
【００７５】
研磨装置は、図１に示した連続研磨システムを使用した。各研磨工程で研磨処理は、研磨プログラムに従い、単一または複数段研磨とした。複数段研磨の場合、スラリーの砥粒が粗いものから細かいもの、及び、ランダム研磨、走行方向（電流通電方向）研磨を適宜変更して行った。
【００７６】
テープ状金属基材としては、ハステロイＣ−２７６（例えば、５８％Ｎｉ−１７％Ｍｏ−１５％Ｃｒ−５％Ｆｅ−４％Ｗ）を使用した。これらの基材は、圧延技術により、厚さ０．１ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ数百メートルに加工されたものである。図６は、研磨前のテープ状基材表面のコンピュータ画像写真（ＡＦＭ）である。研磨前の基材の平均表面粗さＲａは、２０〜５０ｎｍであった。最大表面粗さＲｍａｘは２００〜５００ｎｍで、急峻な突起は圧延によって生じた圧延痕である。
【００７７】
配向性中間層として、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で１０〜２０ｎｍのＭｇＯ膜を形成し、次にＥｐｉ−ＭｇＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を約２００ｎｍ形成した。
【００７８】
面内配向度（Δφ）及び垂直配向度（Δω）の測定は、Ｘ線極図形測定により求めた半値幅（ＦＷＭＨ）を評価することによって行った。
【００７９】
実験は、本発明に係る実施例と、この実施例と比較するための比較例とからなるものである。
１．比較例１
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を２台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）に配置し、２段のランダム研磨を実行した。スラリーは、平均粒径Ｄ５０が５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。添加物は、グリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した３０ｗｔ％の水溶液を使用、ｐＨ８に調整した。研磨ヘッドに植毛布テープ（線径１．０デニールｄｎ）を送りながら回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら以下の条件で研磨した。
【００８０】
ヘッドの回転数：４００ｒｐｍ
加圧力：８ｋｇ
スラリー重量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
装置１０３ａと１０３ｂは同一条件で研磨した。
【００８１】
２．比較例２
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を２台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）に配置し、２段のランダム研磨を実行した。スラリーは、平均粒径Ｄ５０が３μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。他の条件は、比較例１と同じである。
【００８２】
３．比較例３
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を２台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）に配置し、２段のランダム研磨を実行した。スラリーは、平均粒径Ｄ５０が１μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。他の条件は、比較例１と同じである。
【００８３】
４．比較例４
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を４台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ＋１０３ｃ＋１０３ｄ）の配置し、４段の研磨を実行した。先ず、研磨機１０３ａ＋１０３ｂと、スラリーは、平均粒径Ｄ５０が１μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。次いで、研磨機１０３ｃと平均粒径Ｄ５０が０．５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用し、次に研磨機１０３ｄと平均粒径０．０３μのコロイダルシリカを使用した。
なお。圧力は、１段目と３段目を８ｋｇ、２段目と４段目をは５ｋｇとした。
【００８４】
５．比較例５
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を４台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ＋１０３ｃ＋１０３ｄ）の配置し、４段の研磨を実行した。先ず、研磨機１０３ａで１段目の研磨は、平均粒径Ｄ５０が１μｍの多結晶ダイヤモンドを使用したスラリーで行った。次いで、研磨機１０３ｂ＋１０３ｃで２段目、３段目の研磨は、平均粒径Ｄ５０が０．５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用したスラリーで行った。次に研磨機１０３ｄと平均粒径０．０３μのコロイダルシリカを使用した。なお、圧力は、１段目と２段目を８ｋｇ、３段目と４段目を５ｋｇとした。
【００８５】
比較例の加工条件をまとめて以下の表１に示す。
【表１】
１．実施例１
（１）前処理研磨：
第１研磨工程（図１の１０３）は、研磨ヘッドに植毛布テープを送りながら回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら、以下の研磨条件で２段のランダム研磨（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）を実行した。１段目、２段目のスラリーは、それぞれ平均粒径Ｄ５０が１μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。添加材は、グリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した３０ｗｔ％水溶液を使用し、ｐＨ８に調整した。ダイヤモンド砥粒の濃度は約０．３％であった。
【００８６】
＜１段目＞
研磨ヘッドの回転数：４００ｒｐｍ（時計方向）
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：８ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
＜２段目＞
研磨ヘッドの回転数：３００ｒｐｍ（反時計方向）
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：５ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
上記研磨処理したテープ基材の表面粗さＲＭＳは、３〜４ｎｍであった。
【００８７】
（２）研磨プログラム：
1) 第１研磨工程（図１の１０３）は、研磨ヘッドに植毛布テープを送りながら回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら、以下の研磨条件で２段のランダム研磨（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）を実行した。一段目のスラリーは平均粒径Ｄ５０が０．１２５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した添加材はグリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した３０ｗｔ％水溶液を使用し、ｐＨ８に調整した。ダイヤモンド砥粒の濃度は約０．３％であった。
【００８８】
２段目のスラリーは、平均粒径Ｄ５０が０．０３μｍのコロイダルシリカ使用した。添加剤は、花王株式会社製デモールＥＰに、蓚酸アンモニウム、蓚酸カリウム、グリセリンを添加した水溶液を使用、ｐＨ９に調整した。
【００８９】
＜１段目＞
研磨ヘッドの回転数：４００ｒｐｍ（時計方向）
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：８ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
＜２段目＞
研磨ヘッドの回転数：３００ｒｐｍ（反時計方向）
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：５ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
【００９０】
2) 第２研磨工程（図１の１０４）は、研磨ヘッドにポリエステル繊維からなる不織布テープ（線径：０．５デニール）を巻きつけたドラムを回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら、以下の研磨条件で２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）を実行した。一段目、２段目のスラリーは、それぞれ平均粒径Ｄ５０が１０μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。添加材は、グリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した３０ｗｔ％水溶液を使用し、ｐＨ８に調整した。ダイヤモンド砥粒の濃度は約０．３％であった。
【００９１】
＜１段目、２段目＞
研磨ヘッドの回転数：２５０ｒｐｍ
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：１０ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
なお、実施例に用いた植毛布テープ（線径１．０デニール）及び不織布テープ（線径０．５デニール）のＳＥＭ写真を、それぞれ図１８及び図１９に示す。
なお、上記に使用した植毛布テープ（線径：１．０デニール）及び不織布テープ（線径：０．５デニール）の表面のＳＥＭ写真を、それぞれ図１８および図１９に示す。
【００９２】
２． 実施例２
前処理研磨は、実施例１と同じ研磨条件で行った。
研磨プログラム：
（１） 第１研磨工程（図１の１０３）は、実施例１と同じ条件で実行した。
（２） 第２研磨工程（図１の１０４）は、同一方式の研磨機を２台直列に配置した２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）スラリーは平均粒径Ｄ５０が５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。その他の研磨条件は、実施例１と同じである。
【００９３】
３． 実施例３
前処理研磨は、実施例１と同じ研磨条件で行った。
研磨プログラム：
（１） 第１研磨工程（図１の１０３）は、実施例１と同じ条件で実行した。
（２） 第２研磨工程（図１の１０４）は、同一方式の研磨機を２台直列に配置した２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）スラリーは平均粒径Ｄ５０が３μｍの多結晶ダイヤモンドを使用し、加圧力を５ｋｇとした。その他の研磨条件は、実施例１と同じである。
【００９４】
４． 実施例４
前処理研磨は、実施例１と同じ研磨条件で行った。
研磨プログラム：
（１） 第１研磨工程（図１の１０３）は、実施例１と同じ条件で実行した。
（２） 第２研磨工程（図１の１０４）は、同一方式の研磨機を２台直列に配置した２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）スラリーは平均粒径Ｄ５０が０．２５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。その他の研磨条件は、実施例３と同じである。
【００９５】
５． 実施例５
前処理研磨は、実施例１と同じ研磨条件で行った。
研磨プログラム：
（１） 第１研磨工程（図１の１０３）は、実施例１と同じ条件で実行した。
（２） 第２研磨工程（図１の１０４）は、同一方式の研磨機を２台直列に配置した２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）スラリーは平均粒径Ｄ５０が０．１２５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。その他の研磨条件は、実施例３と同じである。
【００９６】
実施例の加工条件を以下の表２にまとめて示す。
【表２】
【００９７】
＜評価＞
テープ状基材を研磨した後の、被研磨面の表面粗さＲＭＳ（Ｒｏｏｔ ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）「平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根」、及び研磨面に中間層膜を形成した後の、中間層の面内配向性及び垂直配向性について評価した。研磨後のテープ状基材の表面の表面粗さＲＭＳは、走査型プローブ顕微鏡 （ナノスコープ Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ ３１００シリーズ、デジタルインスツルメント社）を使用して計測した。
【００９８】
図６〜図１６は、テープ状基材表面の任意の１０μｍ×１０μｍの範囲を走査したものを三次元画像化したコンピュータ画像写真（ＡＦＭ）を示す。図６は、研磨前のテープ基材表面を示す。図７〜図１１は、それぞれ比較例１〜比較例５の研磨後のテープｊ状基材の表面状態を示す。図１２〜図１６は、それぞれ実施例１〜実施例５の研磨後のテープ状基材の表面状態を示す。
【００９９】
表３は、比較試験結果を示したものである。図１７は、比較試験結果のΔφ及びΔωをグラフで示したものである。
【表３】
【０１００】
表３及び図１７に示すように、テープ状基材の被研磨面を走行方向に研磨し、その表面粗さＭＲＳが１０ｎｍ以下で、研磨溝のライン密度が５０本／μｍの範囲にすると、中間層膜（ＭｇＯ）の面内配向性（Δφ）が表面粗さの広い範囲で低い値（７°以下）が得られ、また、垂直配向性（Δω）も低い値となり、極めて優れた配向性を示すことがわかった。
【０１０１】
また、本発明の実施例において、ランダム研磨の比較例と比較して、垂直配向性（Δω）の値が同等にも係わらず、面内配向性Δφの値が大幅に低くできることがわたった。このことから、Δφの値は、表面粗さよりも走行方向の研磨溝（研磨溝）によって改善されることがわかった。
【０１０２】
さらに、本発明に係る研磨方法によれば、中間層の厚さが１μｍ以下（実施例では０．２２μｍ）でランダム研磨に比較して極めて優れた配向性を示すことがわかった。
【０１０３】
したがって、研磨による結晶配向性に与えるマージンが広く量産性に適した加工方法であるため、多方面での応用が期待できる。
【０１０４】
本発明は、上記の特定の実施例に関して説明されたが、これらの実施例は例示に過ぎず、本願発明を限定するものではない。例えば、ランダム研磨装置の段数、研磨テープまたはパッドの材質、研磨ヘッドの回転数、圧力の大きさ、スラリーの種類、砥粒及び流量、テープ基材の送り速度など適宜変更可能である。これらの変更は、すべて本願発明の思想及び態様の範囲に包括されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムの一例を示したものである。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムで使用されるランダム研磨における研磨ヘッドの正面図、平面図、側面図を示し、（Ｄ）は、研磨ヘッドの変形例を示し、（Ｅ）は研磨ヘッドを使用した他の変形例である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムで使用される押し圧機構の正面図及び側面図を示す。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムの走行方向研磨で使用される研磨ヘッドの正面図及び側面図を示す。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムの走行方向研磨で使用される研磨ヘッドの他の例の正面図及び側面図を示す。
【図６】研磨前のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図７】比較例１の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図８】比較例２の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図９】比較例３の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１０】比較例４の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１１】比較例５の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１２】実施例１の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１３】実施例２の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１４】実施例３の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１５】実施例４の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１６】実施例５の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１７】比較評価結果のΔφ及びΔωを示すグラフ図である。
【図１８】本発明の実施例の研磨布として使用した植毛布及び不織布の表面ＳＥＭ像である。
【図１９】同じく本発明の実施例の研磨布として使用した植毛布及び不織布の表面ＳＥＭ像である。
【符号の説明】
【０１０６】
１００ 研磨システム
１０１ 送り出し部
１０２ バックテンション部
１０３ 第１研磨処理部
１０４ 第２研磨処理部
１０５ 洗浄処理部
１０６ ワーク送り駆動部
１１０ 金属基材
１６０ 検査部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープ状基材の表面に酸化物超伝導薄膜を形成するために、テープ状基材の被研磨面を研磨する方法及びこの研磨方法により研磨されたテープ状基材を用いた酸化物超伝導体用基材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
超伝導材料の中でも、酸化物超伝導体は、液体窒素温度を超える臨界温度を示す優れた超伝導体であることが知られている。典型的な酸化物超伝導体テープ状線材として、Ｎｉ系合金からなるハステロイ合金テープの表面に、ＩＢＡＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＰＬＤ（ｐｕｌｓｅｄ Ｌｅａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより、中間層として、結晶配向制御したＭｇＯ、イットリウム安定化ジルコニヤ（ＹＳＺ）やＣｅＯ２の多結晶配向膜を形成し、更にこの多結晶配向膜上にＹＢＣＯ（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙ）系酸化物超伝導膜を形成して得たテープ状線材が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
現在、この種の酸化物超伝導体を実用的に使用するためには、種々の解決すべき問題が存在する。
【０００４】
超伝導特性としての、高い臨界電流（Ｉｃ）及び臨界電流密度（Ｊｃ）を得るために、テープ状基材の表面をより平滑にする方法が行われている。それによって、テープ状基材表面に結晶性の優れた超伝導膜を形成することができる（例えば、特許文献２〜４参照）。
【０００５】
また、中間層の配向性を良くすれば、その上に形成される超伝導膜の配向性が向上する。特に、高い２軸配向性を得ることが高い臨界電流（Ｉｃ）及び臨界電流密度（Ｊｃ）をもつ超伝導膜を得るために必須とされている。
【０００６】
ここで、形成すべき中間層の結晶性は、下地となるテープ状の基材表面の結晶性に依存するため、配向性のよい中間層を得るにはテープ状基材の結晶方位及び面内配向性が重要となる。
【０００７】
そこで、中間層膜を配向性良く結晶化させるためには、テープ基材表面を数ナノレベルの平滑性と均一性を持つように仕上げる必要がある。
【０００８】
また、他の方法として、ニッケルまたはニッケル合金のテープ表面を精密に研磨した後、酸化物超伝導膜を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献５参照）。
【０００９】
一方、超伝導の実用化を妨げているもう一つの問題は、磁束量子の振る舞いがある。超伝導体に電流が流れて発生するローレンツ力は磁束量子を動かそうとするが、磁束量子が動いてしまうと熱が発生し、超伝導状態が壊れてしまう。従って、磁束量子が動かないようにピン止め（ピンニング）できれば、超伝導体に流すことができる臨界電流（Ｉｃ）を大きくすることが可能となる。
【００１０】
上記したの従来技術文献は、いずれも基材表面を平坦かつ平滑に研磨しておくことが重要であることを教示している。
【００１１】
テープ状線材は、通常、金属素材をロール圧延と熱処理を繰り返しながら、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍの厚さのテープ状の線材に引き伸ばすことにより形成される。このように製造された線材の表面には、圧延による機械的線状痕や結晶欠陥による転移が形成される。これらの線状痕または欠陥により、その上に直接形成される中間層や超伝導層の結晶配向性が損なわれる。
【００１２】
そのため、従来のテープ状超伝導線材の製造においては、圧延後のテープ状線材の表面に対して、機械研磨や電解研磨を施し平坦かつ平滑な基材面を形成してから、その上に中間層及び超伝導膜を形成していた（例えば、特許文献６、７参照）。
【特許文献１】特開平９−１２０７１９号）
【特許文献２】特開平２−２０７４１５号
【特許文献３】特開平６−１４５９７７号
【特許文献４】特開２００３−０３６７４２号
【特許文献５】米国特許第６，９０８，３６２号明細書
【特許文献６】特開平６−３１６０４号
【特許文献７】特開２００２−１５０８５５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、長尺のテープ状基材についてはその全長に渡って、平坦かつ平滑に研磨することは、非常に困難を要する。
【００１４】
本発明は、テープ状基材の上に中間層と、酸化物超伝導膜層とを順に形成されてなる酸化物超伝導体が、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）とをもつように、このテープ状金属基材の表面を、超伝導膜と中間層膜とを配向性良く結晶化させるために、テープ基材表面を数ナノレベルの平滑性と均一性を持つように仕上げる研磨方法の提供を目的とする。
【００１５】
またこの研磨方法により研磨されたテープ状基材と、その上に形成された中間層からなる酸化物超伝導体用ベース基材の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明が提案するのは、テープ状基材と、前記テープ上基材の上に形成された中間層と、前記中間層の上に形成された酸化物超伝導膜層とから成る酸化物超伝導体における、前記テープ状基材の前記中間層が形成される面である被研磨面を研磨するテープ状基材の研磨方法であって、前記テープ状基材を連続に走行させながら、前記被研磨面を研磨する研磨工程を備え、前記研磨工程は、初期研磨と、前記初期研磨の後に行う仕上研磨とを含んで成り、前記研磨工程終了後の前記被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなること、を特徴とするテープ状基材の研磨方法である。
【００１７】
このように研磨工程終了後のテープ状基材の被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなるので、この研磨溝内に形成される中間層の結晶粒がさらに溝内に配列されるので中間層の配向性が向上する。そのため中間層の上に形成される酸化物超伝導膜層の結晶配向性も向上し、高い２軸配向性を得ることができ、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）の酸化物超伝導体を提供することが可能となる。
【００１８】
ここで前記初期研磨は、前記被研磨面を５ｎｍ以下の表面粗さに仕上げるランダム研磨を行うものであり、前記仕上研磨は、被研磨面に走行方向に沿った研磨溝を形成する研磨を行うものとすることができる。
【００１９】
被研磨面を５ｎｍ以下の表面粗さに仕上げるランダム研磨を行う初期研磨によって、テープ状基材の圧延によって形成された表面のスクラッチや結晶欠陥を除去することができる。そしてその後の仕上研磨により、被研磨面に走行方向に沿った研磨溝を形成することで中間層と酸化物超伝導膜層の配向性を向上させることができるものである。
【００２０】
ここで上記表面粗さは、ＲＭＳ（Ｒｏｏｔ ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）「平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根」を意味するものである。
【００２１】
また前記仕上研磨は、前記被研磨面を、前記テープ状基材の走行方向と直交する幅方向の表面粗さを１０ｎｍ以下に仕上げることが好ましい。表面粗さを１０ｎｍ以下とすることで中間層と酸化物超伝導膜層の配向性が急激に向上するからである。
【００２２】
更にまた、前記仕上研磨は、前記研磨溝における溝のライン密度が５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲に仕上げることが好まく、前記研磨溝の溝幅が、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に、更に２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に仕上ることが好ましい。このようなライン密度や溝幅にすることで、中間層と酸化物超伝導膜層を形成する結晶粒径を制御して配向性の良い結晶成長を促すことができるものである。
【００２３】
更に前記研磨溝の溝内の表面粗さを、１ｎｍ以下に仕上げることで、より上記配向性の向上を図ることができる。
【００２４】
また前記仕上研磨は、多結晶ダイヤモンドを含むスラリーと、植毛布、起毛布、織布及び不織布のうちから選択される材質の研磨テープまたは研磨パッドとを用いて行うことができる。これによりテープ状基材の走行方向に平行な研磨溝を被研磨面に形成することができる。
【００２５】
また本発明が更に提案するのは、酸化物超伝導体用ベース基材であって、上記した研磨方法によって研磨されたテープ状基材と、前記テープ状基材の被研磨面上に形成された中間層と、を備えてなり、前記中間層の面内配向性が７°以下となることを特徴とする酸化物超伝導体用ベース基材である。
【００２６】
上記の研磨方法により研磨されたテープ状基材と、このテープ状基材の被研磨面上に形成された中間層とで構成される酸化物超伝導体用ベース基材であれば、中間層の配向性が良く、その上に形成される超伝導膜の配向性が向上することになる。そして、超伝導膜層において、高い２軸配向性を得ることができ、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）を得ることができる。
【００２７】
前記テープ状基材は、ニッケル、ニッケル合金及びステンレスの何れかより選択される材料を圧延加工して製造されるものを用いることができる。
【００２８】
そして上記の研磨方法により研磨されたテープ状基材と、このテープ状基材の被研磨面上に形成された中間層とで構成される酸化物超伝導体用ベース基材を用いて、前記中間層の上に超伝導膜層を形成して、酸化物超伝導体とすれば、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）の酸化物超伝導体を提供することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、研磨工程によってテープ状基材の被研磨面に、走行方向に平行な研磨溝を形成するので、その上に形成される中間層の配向性が良くなり、結果さらにその上に形成される超伝導膜の配向性が向上することになる。
【００３０】
そのため、超伝導膜層において、高い２軸配向性を得ることができ、高い臨界電流（Ｉｃ）と高い臨界電流密度（Ｊｃ）の酸化物超伝導体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照しながら、本発明を詳細に説明する。ここで説明する実施例は本発明の一例であり、これにより本発明を制限するものではない。
【００３２】
本発明に係る、テープ基材と、該テープ基材の上に形成された中間層と、該中間層の上に形成された酸化物超伝導薄膜層とから成る酸化物超伝導体のおける、該テープ基材の被研磨面を研磨する方法は、テープ基材を連続走行させながら、初期研磨及び仕上げ研磨を行い、最終的に、被研磨面に走行方向（通電方向）と平行な研磨溝を形成するように研磨仕上げされるものである。
【００３３】
これにより形成された研磨溝は、５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲にあり、該研磨溝に対して直角方向の表面研磨面の表面粗さ（ＲＭＳ）が１０ｎｍ以下にあり、該研磨溝の内面の粗さが１ｎｍ以下となるように研磨する工程からなり、この上に形成される中間層の面内配向性Δφが７°以下と成ることを特徴とするものである。
【００３４】
初期研磨は、テープ状基材の被研磨面をランダム研磨（回転方式）する少なくとも１段の第１研磨工程から成り、仕上げ研磨はテープ状基材の被研磨面を走行方向研磨する少なくとも１段の第２研磨工程からなるものである。
【００３５】
ここで、テープ状金属基材として、耐高温、耐食性に優れた、純Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−ＷなどＮｉ基合金、純Ｃｕ、Ｃｕ−ＮｉなどのＣｕ基合金基板またはＦｅ−Ｓｉ、ステンレスなどのＦｅ基合金が使用可能である。具体的には、酸化物超伝導膜を形成するために、耐食性及び耐熱性の優れた、ハステロイ（登録商標）、インコネル（ＩＮＣＯＮＥＬ：登録商標）、Ｎｉ−５％Ｗ等のＮｉ合金が使用可能である。これらの基材は、圧延技術により、厚さ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、幅２ｍｍ〜１００ｍｍ、長さ数百メートルに加工される。
【００３６】
このテープ状基材は、その殆どが圧延方向に線状のスクラッチまたは結晶欠陥が形成されている。本発明では、先ず、圧延によって形成された表面のスクラッチ、酸化物層または結晶欠陥を、初期研磨としてのランダムな回転研磨方式で除去し、その後、仕上研磨として、さらにテープ状基材の走行方向（通電する方向）に研磨溝が残るように研磨仕上げする。その後、洗浄及び乾燥した被研磨面の上に中間層膜及び超伝導膜を順に堆積させることにより、臨界電流の高い酸化物超伝導体を形成することができる。
【００３７】
初期研磨である第１研磨工程の主たる目的は、圧延処理によって生じたテープ状金属基材の傷、酸化膜、欠陥等を除去することである。第１研磨工程による研磨処理を経たテープ状基材の表面粗さ（ＲＭＳ）は１０ｎｍ以下で、５ｎｍ以下であることが好ましい。 したがって、表面状態が前記表面粗さ以下の場合は、第１研磨工程を省略することができる。
【００３８】
仕上研磨である第２研磨工程は、最終仕上げ工程であり、その目的は、表面粗さとしては比較的粗い面でありながら、テープ状基材表面を走行方向に研磨溝を残すように研磨研磨し、その溝に沿って面内配向性の良い中間層膜を形成するためのテープ状基材表面を形成することである。
【００３９】
第２研磨工程による研磨処理を経たテープ状基材の幅方向の表面粗さ（ＲＭＳ）は１０ｎｍ以下であり、研磨ライン密度が５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲に仕上げる。すなわち、溝幅は、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲にあり、より好ましくは２０ｎｍ〜５０ｎｍ範囲にあり、その溝内の表面粗さが１ｎｍ以下に仕上げる。
【００４０】
前記溝幅は、中間層膜及び超伝導膜の結晶粒径により選択され、結晶配向性に適した溝幅を形成することができる。なお走行方向の研磨溝は、連続的に形成されなくてもよい。
【００４１】
図１は、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材を研磨する方法に使用される研磨システムの一例を略示したものである。研磨システム１００は主として、送り出し部１０１ａ、バックテンション部１０２、初期研磨である第１研磨処理部１０３、仕上研磨である第２研磨処理部１０４、洗浄処理部１０５、検査部１６０、ワーク送り駆動部１０６、及び巻き取り部１０１ｂから成る。
【００４２】
送り出し部１０１ａの巻き出しリールに巻かれたテープ状金属基材１１０は、バックテンション部１０２を通過し、第１研磨処理部１０３に入る。まず、テープ基材１１０に対して、第１研磨処理部１０３で、以下に詳細に説明する第１研磨工程が実行される。続いて、テープ状基材１１０は第２研磨処理部１０４に進み、そこで以下に詳細に説明する第２研磨工程が実行される。その後、テープ状基材１１０は洗浄処理部１０５に進み、そこで最終清浄工程が実行される。こうして仕上げられたテープ状基材１１０は、以下で詳細説明する検査部１６０において、表面粗さＲＭＳ及び研磨痕が観測される。その後、テープ状基材１１０はワーク送り駆動部１０６を通過し、最終的に巻き取り部１０１ｂの巻き取りリールに巻き取られる。
【００４３】
研磨工程を実行後に、テープ状基材１１０を水洗浄（１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ）するのが好ましい。そうすることにより、残留砥粒、研磨屑及びスラリー残渣が除去される。
【００４４】
以下で詳細に説明するように、テープ状基材の走行は、バックテンション部１０２とワーク送り駆動部１０６とにより、所定のテンションを保持した状態で制御される。また、テープ基材の位置ずれを防止するために、以下で詳細に説明する複数の幅規制ガイド（１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ）が適当な間隔で配置される。さらに、緩み検出センサー（１５０ａ、１５０ｂ）を巻き出しリールの下流側及び巻き取りリールの上流側に配置することにより、テープ状基材１１０の緩みを検知し、巻き取りリールの回転速度を制御することができる。
【００４５】
一定のテンションが与えられたテープ状金属基材１１０は第１研磨処理部１０３において、第１研磨工程にかけられる。図１の研磨システムでは、表裏面を上下にして走行するテープ状金属基材１１０の下側面１１１を研磨するように描かれているが、本願はこれに限定するものではなく、反対側であるテープ状基材の上側面を研磨するようにシステムを構成することもできる。
【００４６】
第１処理部１０３は、研磨ヘッド４０１及び押し圧機構４４０から成る少なくとも一つの研磨ステーション（１０３ａ、１０３ｂ）、並びに研磨ステーションの下流側に設けられた少なくとも一つの洗浄装置（１２０ａ、１２０ｂ）から成る。
【００４７】
図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、研磨ヘッド４０１の一例の正面図、平面図及び側面図を示したものである。研磨ヘッド４０１は、研磨テープ４１０を研磨テーブル４１３上に送り出すための送り出し機構部と、研磨テーブル４１３を研磨面に垂直な軸線Ｘの回りに回転させるための回転機構部と成る。
【００４８】
送り出し機構部は、研磨テープ４１０が巻かれた送り出しリール４１１と、少なくともひとつの支持ローラと、研磨後の研磨テープを巻き取るための巻き取りリール４１２と、送り出しリール４１１と巻き取りリール４１２に動的に連結した駆動モータ（図示せず）から成る。これらはハウジング４１４内に収容されている。
【００４９】
研磨テープ４１０として、発泡ウレタン、スエード、又はポリエステルやナイロンからなる、織布、不織布、植毛布、起毛布などが使用可能である。 付加的に、ハウジング４１４は研磨中にスラリーが外部に飛散するのを防止するためのカバー４２０に覆われている。モータを駆動することにより、研磨テープ４１０が送り出しリール４１１から送り出され、支持リールを介して、研磨テーブル４１３上を通過し、最後に巻き取りリール４１２に巻き取られる。
【００５０】
研磨テーブル４１３上には常に未使用の研磨テープ４１０が送られ、テープ状金属基材１１０の被研磨面を研磨する。研磨の際には、上記したスラリーを供給するのが好ましい。好適に、スラリーは、研磨砥粒、水及び水に添加剤（例えば、潤滑剤及び砥粒分散剤）を加えたものから成る。研磨砥粒として、これに限られないが、ダイヤモンド（単結晶、多結晶）、シリカ（コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ）、アルミナ、ＳｉＣ及びｃＢＮ等を使用することができる。
【００５１】
好適には、スラリーの研磨砥粒の平均粒径は、初期研磨である第１研磨工程（ランダム研磨）において、５μｍ〜０．０２μｍであり、段数の後方ほど細かい砥粒が使用される。また、仕上研磨である第２研磨工程（走行方向研磨）においては、走行方向の研磨溝（研磨溝）を形成するために溝幅に適した砥粒径が選択される。すなわち、研磨溝の幅及びライン密度（本／μｍ）によって適当に選択される。好適には、１０μｍ〜０．１μｍの範囲にある。なお、各研磨工程において、研磨装置を複数台設け、それぞれ砥粒の粒径を変えることもできる。あるいは、同じ粒径の砥粒で連続研磨することもできる。これにより、被研磨面の要求及び研磨時間の短縮に対応することができる。
【００５２】
一方、図２（Ａ）に示すように回転機構部は、上記ハウジング４１４の下方にあって、研磨テーブル４１３の上記回転軸Ｘと同軸に結合されたスピンドル４１６と、モータ４１７の回転動力をスピンドル４１６に伝達するためのベルト４１５とから成る。さらに、モータ４１７とハウジング４１４を支持するための支持台４１９が設けられる。
【００５３】
スピンドル４１６は支持台４１９の内部にあって支持台４１９に関して回転可能に取り付けられている。付加的に、支持台４１９は２本のレール４２１に載置されており、研磨ステーションをレール上で移動させるためのハンドル４２０ｈが支持台４１９に結合されている。
【００５４】
モータ４１７を駆動することにより、ベルト４１５を介して回転動力がスピンドル４１６に伝達され、ハウジング４１４が軸線Ｘの回りに回転する。さらに、研磨ステーションを複数設けることも可能である。この場合、ハウジングの回転方向（すなわち、研磨テープの回転方向）を反対にすることにより、研磨効率を上げることができる。また、１段目研磨と２段目研磨の回転方向を互いに逆にすることにより、研磨面の性状を変えることができる。
【００５５】
第１研磨工程の変形として、図２（Ｄ）に示されるように、モータ４１７′が支持台４１９の内部に収容されてもよい。
【００５６】
図２（Ｅ）は、研磨ヘッドの他の例を示したものである。図２（Ｅ）に示す例では、研磨テープの代わりに研磨パッドが使用される。研磨ヘッド４３０は、テープ状基材１１０を研磨する研磨パッド４３１が貼り付けられたプラテン４３２、プラテン４３２を支持するスピンドル４３３、ベルト４３６及びモータ４３４から成る。スピンドル４３３は支持台４３５に回転可能に取り付けられており、モータ４３４は該支持台４３５の内部に収容されている。モータ４３４を駆動することにより、ベルト４３６を介して回転動力がスピンドル４３３に伝達され、研磨パッド４３１が回転してテープ状基材１１０を研磨する。研磨の際には、上記したスラリーを研磨パッド４３１の略中心部に供給するのが好ましい。
【００５７】
次に、押し圧機構４４０について説明する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係る研磨システムで使用される押し圧機構４４０の正面図及び側面図を示す。押し圧機構４４０は、エアーシリンダ４４１、加圧板４４３、テープ状基材の走行方向に沿って加圧板４４３の中心線上に設けられた押え板４４５から成る。押え板４４５の下面にはテープ状基材１１０の幅に対する案内溝４４６が設けられ、研磨処理中におけるテープ状基材１１０の位置ずれの発生が防止される。押え板４４５は、テープ状金属基材１１０のサイズ（幅、厚み）に応じて、適宜交換可能である。
【００５８】
付加的に、押し圧機構４４０の側面には位置調整ハンドル４４２が結合されており、テープ状金属基材１１０の幅の中心と押し圧機構４４０の中心が一致するように調整される。そうすることにより、エアーシリンダ４４１からの圧力が加圧板４４３及び押え板４４５を介して、テープ状基材１１０に伝達される。さらに、加圧板４４３の上部には調整ネジ４４４が設けられている。研磨処理前に、該調整ネジ４４４により、加圧板４４３と研磨テープ４１３との平行度が調整される。加圧機構は、これに限定されるものではなく、他の圧力機構が使用されてもよい。
【００５９】
図４（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係るテープ基材の第２研磨工程で使用される研磨ヘッド６１０の好適実施例の正面図及び側面図である。研磨ヘッド６１０は、例えば、ステンレス製の円筒ドラムベースに樹脂製シート６０２を巻き付けた円筒ドラム６０１、円筒ドラム６０１を回転させるための駆動モータ６０３、駆動輪等の駆動機構（図示せず）とを備えて成るものである。
【００６０】
樹脂製シート６０２として、発泡ポリウレタン、織布、不織布、植毛布などが使用される。円筒ドラム６０１は、ハウジング６０６内に収容されている。付加的に、円筒ドラム６０１をテープ状基材１１０の走行方向に対して直角方向にオッシレーション動作をさせるためのモータ６０５を含むことができる。このオッシレーション動作により、テープ状金属基材１１０が円筒ドラム６０１の同一箇所で研磨されることが防止される。
【００６１】
一方、二段目研磨（最終仕上げ）の場合は、一方向のみの研磨溝を形成するためにオッシレーション動作をせずに研磨することができる。研磨の際は、上記したスラリーを樹脂製シート６０２の上に供給するのが好ましい。
【００６２】
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係るテープ基材の第２研磨工程で使用される研磨ヘッド６２０の他の実施例の正面図及び側面図である。研磨ヘッド６２０は、研磨ベルト６２１をテープ状基材１１０に押し付けるためのコンタクトローラ６２２、ケンマヘッド駆動手段６２３、支持ローラ６２５、研磨ベルト駆動手段６２３に結合する駆動モータ６２４から成る。
【００６３】
コンタクトローラ６２２、支持ローラ６２５及び研磨ベルト駆動手段６２３は、ハウジング６２８内に収容されている。研磨ベルト６２１として、合成繊維製の織布もしくは不織布または発泡体から成るテープが使用される。
【００６４】
駆動モータ６２４を作動させると、ベルト駆動手段６２３により研磨ベルト６２１がコンタクトローラ６２２及び支持ローラ６２５を介して走行し、テープ状基材１１０の被研磨面を研磨する。研磨の際には、上記したスラリーを研磨ベルト６２１上に供給するのが好ましい。
【００６５】
付加的に、コンタクトローラ６２２をテープ状基材１１０の走行方向に対して直角方向にオッシレーション動作をするためのモータ６２６を含むことができる。このオッシレーション動作により、テープ状金属基材１１０が研磨ベルト６２１の同一箇所で研磨されることが防止される。
【００６６】
なお、通常の最終研磨では、的確に研磨溝を形成させるためにオッシレーションを行わない方が好ましい。
【００６７】
上記研磨ヘッド６１０及び６２０の特徴は、円筒ドラム６０１あるいは研磨ベルト６２１の研磨面がテープ状基材１１０の走行方向またはその逆方向に回転する点にある。研磨ヘッド６１０または６２０は、図３で説明した加圧機構４４０とともに研磨ステーションを構成する。第２研磨工程において、複数段の研磨ステーションを直列に配置することが可能である。この場合には、各研磨ステーションの下流に上記した洗浄装置を配置するのが好ましい。
【００６８】
上記した第２研磨処理部１０４において、テープ状金属基材１１０は、第２研磨工程にかけられる。図１に示す研磨システムの例において、第２研磨工程は、２段階の走行方向の研磨方式で実行される。研磨に際して、研磨粒子、水及び水に添加剤（例えば、潤滑剤及び砥粒分散剤）を加えたものから成るスラリーを使用するのが好ましい。砥粒として、これに限定されないが、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ダイヤモンド、ｃＢＮ，ＳｉＣ、コロイダルシリカなどが使用できる。好ましくは、走行方向の溝内が平滑になるように、球状の多結晶ダイヤモンドが適している。使用する砥粒の平均粒径は０．０５μｍ〜１０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜５μｍである。
【００６９】
上記研磨システムは、研磨条件に応じた装置の組み換えによって、適当な研磨プログラムを組むことができる。例えば、各研磨工程を複数段設ける場合には、格段の研磨条件（例えば、研磨ヘッドの回転速度、スラリーの砥粒粒径など）を適宜調節することも可能である。
【００７０】
上記したように、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材の研磨方法に従う第１の研磨工程は、第２の研磨工程を行うための準備工程であり、表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下になるようにテープ状基材の被研磨面を研磨する工程からなる。
【００７１】
また、上記したように、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材の研磨方法に従う第２研磨工程は、テープ状基材の走行方向（通電方向）に研磨溝を形成する研磨を行い、その被研磨面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下であり、前記研磨溝（研磨溝）が５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲となるよう研磨する。
【００７２】
好適には、第１研磨工程は、通常のランダム研磨であり、第２研磨工程の最終仕上げは、テープ状基材の走行方向に沿った研磨溝が被研磨面に形成されるように研磨する。
【００７３】
こうして得られたテープ状基材の表面に中間層を形成する。ＩＢＡＤ（Ｉｏｎ ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、あるいはＩＳＤ（Ｉｎｃｌｉｎｅｄ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＭｇＯ、ＣｅＯ２、ＳｒＴｉＯ３、及びＹ２Ｏ３で安定化したジルコニア（ＹＳＺ）膜等が、面内二軸配向性を有する中間層として蒸着される。中間層の上に酸化物超伝導体膜が蒸着される。かくして、テープ状基材及び中間層が酸化物超伝導体膜の基材と成る。本発明により、結晶配向性に優れた中間層膜を形成することが可能となり、結果として、臨界電流の高い超伝導薄膜を形成することができる。
【実施例】
【００７４】
以下、本発明に従い、さまざまな研究条件でテープ状基材を研磨し、その上に蒸着した中間層の配向性を調べる実験を行ったので説明する。
【００７５】
研磨装置は、図１に示した連続研磨システムを使用した。各研磨工程で研磨処理は、研磨プログラムに従い、単一または複数段研磨とした。複数段研磨の場合、スラリーの砥粒が粗いものから細かいもの、及び、ランダム研磨、走行方向（電流通電方向）研磨を適宜変更して行った。
【００７６】
テープ状金属基材としては、ハステロイＣ−２７６（例えば、５８％Ｎｉ−１７％Ｍｏ−１５％Ｃｒ−５％Ｆｅ−４％Ｗ）を使用した。これらの基材は、圧延技術により、厚さ０．１ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ数百メートルに加工されたものである。図６は、研磨前のテープ状基材表面のコンピュータ画像写真（ＡＦＭ）である。研磨前の基材の平均表面粗さＲａは、２０〜５０ｎｍであった。最大表面粗さＲｍａｘは２００〜５００ｎｍで、急峻な突起は圧延によって生じた圧延痕である。
【００７７】
配向性中間層として、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で１０〜２０ｎｍのＭｇＯ膜を形成し、次にＥｐｉ−ＭｇＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を約２００ｎｍ形成した。
【００７８】
面内配向度（Δφ）及び垂直配向度（Δω）の測定は、Ｘ線極図形測定により求めた半値幅（ＦＷＭＨ）を評価することによって行った。
【００７９】
実験は、本発明に係る実施例と、この実施例と比較するための比較例とからなるものである。
１．比較例１
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を２台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）に配置し、２段のランダム研磨を実行した。スラリーは、平均粒径Ｄ５０が５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。添加物は、グリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した３０ｗｔ％の水溶液を使用、ｐＨ８に調整した。研磨ヘッドに植毛布テープ（線径１．０デニールｄｎ）を送りながら回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら以下の条件で研磨した。
【００８０】
ヘッドの回転数：４００ｒｐｍ
加圧力：８ｋｇ
スラリー重量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
装置１０３ａと１０３ｂは同一条件で研磨した。
【００８１】
２．比較例２
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を２台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）に配置し、２段のランダム研磨を実行した。スラリーは、平均粒径Ｄ５０が３μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。他の条件は、比較例１と同じである。
【００８２】
３．比較例３
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を２台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）に配置し、２段のランダム研磨を実行した。スラリーは、平均粒径Ｄ５０が１μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。他の条件は、比較例１と同じである。
【００８３】
４．比較例４
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を４台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ＋１０３ｃ＋１０３ｄ）の配置し、４段の研磨を実行した。先ず、研磨機１０３ａ＋１０３ｂと、スラリーは、平均粒径Ｄ５０が１μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。次いで、研磨機１０３ｃと平均粒径Ｄ５０が０．５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用し、次に研磨機１０３ｄと平均粒径０．０３μのコロイダルシリカを使用した。
なお。圧力は、１段目と３段目を８ｋｇ、２段目と４段目をは５ｋｇとした。
【００８４】
５．比較例５
研磨プログラム：第１研磨工程（図１の１０３）のみで、同一方式の研磨機を４台直列（図１の１０３ａ＋１０３ｂ＋１０３ｃ＋１０３ｄ）の配置し、４段の研磨を実行した。先ず、研磨機１０３ａで１段目の研磨は、平均粒径Ｄ５０が１μｍの多結晶ダイヤモンドを使用したスラリーで行った。次いで、研磨機１０３ｂ＋１０３ｃで２段目、３段目の研磨は、平均粒径Ｄ５０が０．５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用したスラリーで行った。次に研磨機１０３ｄと平均粒径０．０３μのコロイダルシリカを使用した。なお、圧力は、１段目と２段目を８ｋｇ、３段目と４段目を５ｋｇとした。
【００８５】
比較例の加工条件をまとめて以下の表１に示す。
【表１】
１．実施例１
（１）前処理研磨：
第１研磨工程（図１の１０３）は、研磨ヘッドに植毛布テープを送りながら回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら、以下の研磨条件で２段のランダム研磨（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）を実行した。１段目、２段目のスラリーは、それぞれ平均粒径Ｄ５０が１μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。添加材は、グリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した３０ｗｔ％水溶液を使用し、ｐＨ８に調整した。ダイヤモンド砥粒の濃度は約０．３％であった。
【００８６】
＜１段目＞
研磨ヘッドの回転数：４００ｒｐｍ（時計方向）
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：８ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
＜２段目＞
研磨ヘッドの回転数：３００ｒｐｍ（反時計方向）
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：５ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
上記研磨処理したテープ基材の表面粗さＲＭＳは、３〜４ｎｍであった。
【００８７】
（２）研磨プログラム：
1) 第１研磨工程（図１の１０３）は、研磨ヘッドに植毛布テープを送りながら回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら、以下の研磨条件で２段のランダム研磨（図１の１０３ａ＋１０３ｂ）を実行した。一段目のスラリーは平均粒径Ｄ５０が０．１２５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した添加材はグリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した３０ｗｔ％水溶液を使用し、ｐＨ８に調整した。ダイヤモンド砥粒の濃度は約０．３％であった。
【００８８】
２段目のスラリーは、平均粒径Ｄ５０が０．０３μｍのコロイダルシリカ使用した。添加剤は、花王株式会社製デモールＥＰに、蓚酸アンモニウム、蓚酸カリウム、グリセリンを添加した水溶液を使用、ｐＨ９に調整した。
【００８９】
＜１段目＞
研磨ヘッドの回転数：４００ｒｐｍ（時計方向）
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：８ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
＜２段目＞
研磨ヘッドの回転数：３００ｒｐｍ（反時計方向）
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：５ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
【００９０】
2) 第２研磨工程（図１の１０４）は、研磨ヘッドにポリエステル繊維からなる不織布テープ（線径：０．５デニール）を巻きつけたドラムを回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら、以下の研磨条件で２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）を実行した。一段目、２段目のスラリーは、それぞれ平均粒径Ｄ５０が１０μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。添加材は、グリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した３０ｗｔ％水溶液を使用し、ｐＨ８に調整した。ダイヤモンド砥粒の濃度は約０．３％であった。
【００９１】
＜１段目、２段目＞
研磨ヘッドの回転数：２５０ｒｐｍ
スラリー流量：１０ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：１０ｋｇ
テープ基材送り速度：５ｍ／ｈｒ
なお、実施例に用いた植毛布テープ（線径１．０デニール）及び不織布テープ（線径０．５デニール）のＳＥＭ写真を、それぞれ図１８及び図１９に示す。
なお、上記に使用した植毛布テープ（線径：１．０デニール）及び不織布テープ（線径：０．５デニール）の表面のＳＥＭ写真を、それぞれ図１８および図１９に示す。
【００９２】
２． 実施例２
前処理研磨は、実施例１と同じ研磨条件で行った。
研磨プログラム：
（１） 第１研磨工程（図１の１０３）は、実施例１と同じ条件で実行した。
（２） 第２研磨工程（図１の１０４）は、同一方式の研磨機を２台直列に配置した２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）スラリーは平均粒径Ｄ５０が５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。その他の研磨条件は、実施例１と同じである。
【００９３】
３． 実施例３
前処理研磨は、実施例１と同じ研磨条件で行った。
研磨プログラム：
（１） 第１研磨工程（図１の１０３）は、実施例１と同じ条件で実行した。
（２） 第２研磨工程（図１の１０４）は、同一方式の研磨機を２台直列に配置した２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）スラリーは平均粒径Ｄ５０が３μｍの多結晶ダイヤモンドを使用し、加圧力を５ｋｇとした。その他の研磨条件は、実施例１と同じである。
【００９４】
４． 実施例４
前処理研磨は、実施例１と同じ研磨条件で行った。
研磨プログラム：
（１） 第１研磨工程（図１の１０３）は、実施例１と同じ条件で実行した。
（２） 第２研磨工程（図１の１０４）は、同一方式の研磨機を２台直列に配置した２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）スラリーは平均粒径Ｄ５０が０．２５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。その他の研磨条件は、実施例３と同じである。
【００９５】
５． 実施例５
前処理研磨は、実施例１と同じ研磨条件で行った。
研磨プログラム：
（１） 第１研磨工程（図１の１０３）は、実施例１と同じ条件で実行した。
（２） 第２研磨工程（図１の１０４）は、同一方式の研磨機を２台直列に配置した２段の走行方向研磨（図１の１０４ａ＋１０４ｂ）スラリーは平均粒径Ｄ５０が０．１２５μｍの多結晶ダイヤモンドを使用した。その他の研磨条件は、実施例３と同じである。
【００９６】
実施例の加工条件を以下の表２にまとめて示す。
【表２】
【００９７】
＜評価＞
テープ状基材を研磨した後の、被研磨面の表面粗さＲＭＳ（Ｒｏｏｔ ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）「平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根」、及び研磨面に中間層膜を形成した後の、中間層の面内配向性及び垂直配向性について評価した。研磨後のテープ状基材の表面の表面粗さＲＭＳは、走査型プローブ顕微鏡 （ナノスコープ Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ ３１００シリーズ、デジタルインスツルメント社）を使用して計測した。
【００９８】
図６〜図１６は、テープ状基材表面の任意の１０μｍ×１０μｍの範囲を走査したものを三次元画像化したコンピュータ画像写真（ＡＦＭ）を示す。図６は、研磨前のテープ基材表面を示す。図７〜図１１は、それぞれ比較例１〜比較例５の研磨後のテープｊ状基材の表面状態を示す。図１２〜図１６は、それぞれ実施例１〜実施例５の研磨後のテープ状基材の表面状態を示す。
【００９９】
表３は、比較試験結果を示したものである。図１７は、比較試験結果のΔφ及びΔωをグラフで示したものである。
【表３】
【０１００】
表３及び図１７に示すように、テープ状基材の被研磨面を走行方向に研磨し、その表面粗さＭＲＳが１０ｎｍ以下で、研磨溝のライン密度が５０本／μｍの範囲にすると、中間層膜（ＭｇＯ）の面内配向性（Δφ）が表面粗さの広い範囲で低い値（７°以下）が得られ、また、垂直配向性（Δω）も低い値となり、極めて優れた配向性を示すことがわかった。
【０１０１】
また、本発明の実施例において、ランダム研磨の比較例と比較して、垂直配向性（Δω）の値が同等にも係わらず、面内配向性Δφの値が大幅に低くできることがわたった。このことから、Δφの値は、表面粗さよりも走行方向の研磨溝（研磨溝）によって改善されることがわかった。
【０１０２】
さらに、本発明に係る研磨方法によれば、中間層の厚さが１μｍ以下（実施例では０．２２μｍ）でランダム研磨に比較して極めて優れた配向性を示すことがわかった。
【０１０３】
したがって、研磨による結晶配向性に与えるマージンが広く量産性に適した加工方法であるため、多方面での応用が期待できる。
【０１０４】
本発明は、上記の特定の実施例に関して説明されたが、これらの実施例は例示に過ぎず、本願発明を限定するものではない。例えば、ランダム研磨装置の段数、研磨テープまたはパッドの材質、研磨ヘッドの回転数、圧力の大きさ、スラリーの種類、砥粒及び流量、テープ基材の送り速度など適宜変更可能である。これらの変更は、すべて本願発明の思想及び態様の範囲に包括されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムの一例を示したものである。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムで使用されるランダム研磨における研磨ヘッドの正面図、平面図、側面図を示し、（Ｄ）は、研磨ヘッドの変形例を示し、（Ｅ）は研磨ヘッドを使用した他の変形例である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムで使用される押し圧機構の正面図及び側面図を示す。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムの走行方向研磨で使用される研磨ヘッドの正面図及び側面図を示す。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムの走行方向研磨で使用される研磨ヘッドの他の例の正面図及び側面図を示す。
【図６】研磨前のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図７】比較例１の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図８】比較例２の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図９】比較例３の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１０】比較例４の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１１】比較例５の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１２】実施例１の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１３】実施例２の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１４】実施例３の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１５】実施例４の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１６】実施例５の研磨後のテープ状基材表面のコンピュータ画像（ＡＦＭ）の図である。
【図１７】比較評価結果のΔφ及びΔωを示すグラフ図である。
【図１８】本発明の実施例の研磨布として使用した植毛布及び不織布の表面ＳＥＭ像である。
【図１９】同じく本発明の実施例の研磨布として使用した植毛布及び不織布の表面ＳＥＭ像である。
【符号の説明】
【０１０６】
１００ 研磨システム
１０１ 送り出し部
１０２ バックテンション部
１０３ 第１研磨処理部
１０４ 第２研磨処理部
１０５ 洗浄処理部
１０６ ワーク送り駆動部
１１０ 金属基材
１６０ 検査部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ状基材と、前記テープ上基材の上に形成された中間層と、前記中間層の上に形成された酸化物超伝導膜層とから成る酸化物超伝導体における、前記テープ状基材の前記中間層が形成される面である被研磨面を研磨するテープ状基材の研磨方法であって、
前記テープ状基材を連続に走行させながら、前記被研磨面を研磨する研磨工程を備え、前記研磨工程は、初期研磨と、前記初期研磨の後に行う仕上研磨とを含んで成り、前記研磨工程終了後の前記被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなること、を特徴とするテープ状基材の研磨方法。
【請求項２】
前記初期研磨は、前記被研磨面を５ｎｍ以下の表面粗さに仕上げるランダム研磨を行うものであり、前記仕上研磨は、被研磨面に走行方向に沿った研磨溝を形成する研磨を行うものであることを特徴とする請求項１に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項３】
前記仕上研磨は、前記被研磨面を、前記テープ状基材の走行方向と直交する幅方向の表面粗さを１０ｎｍ以下に仕上げることを特徴とする請求項１または２に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項４】
前記仕上研磨は、前記研磨溝における溝のライン密度が５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲に仕上げることを特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項５】
前記仕上研磨は、前記研磨溝の溝幅が、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に、好ましくは２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に仕上ることを特徴とする請求項１ないし４の何れか一項に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項６】
前記仕上研磨は、前記研磨溝の溝内の表面粗さが、１ｎｍ以下に仕上げることを特徴とする請求項１ないし５の何れか一項に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項７】
前記仕上研磨が、多結晶ダイヤモンドを含むスラリーと、植毛布、起毛布、織布及び不織布のうちから選択される材質の研磨テープまたは研磨パッドと、を用いて行われることを特徴とする請求項１ないし６の何れか一項に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項８】
酸化物超伝導体用ベース基材であって、
請求項１ないし７の何れか一項によって研磨されたテープ状基材と、
前記テープ状基材の被研磨面上に形成された中間層と、を備えてなり、
前記中間層の面内配向性が７°以下となることを特徴とする酸化物超伝導体用ベース基材。
【請求項９】
前記テープ状基材は、ニッケル、ニッケル合金及びステンレスの何れかより選択される材料を圧延加工して製造されるものであることを特徴とする請求項８に記載の酸化物超伝導体用ベース基材。
【請求項１】
テープ状基材と、前記テープ上基材の上に形成された中間層と、前記中間層の上に形成された酸化物超伝導膜層とから成る酸化物超伝導体における、前記テープ状基材の前記中間層が形成される面である被研磨面を研磨するテープ状基材の研磨方法であって、
前記テープ状基材を連続に走行させながら、前記被研磨面を研磨する研磨工程を備え、前記研磨工程は、初期研磨と、前記初期研磨の後に行う仕上研磨とを含んで成り、前記研磨工程終了後の前記被研磨面には走行方向と平行な研磨溝が形成されてなること、を特徴とするテープ状基材の研磨方法。
【請求項２】
前記初期研磨は、前記被研磨面を５ｎｍ以下の表面粗さに仕上げるランダム研磨を行うものであり、前記仕上研磨は、被研磨面に走行方向に沿った研磨溝を形成する研磨を行うものであることを特徴とする請求項１に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項３】
前記仕上研磨は、前記被研磨面を、前記テープ状基材の走行方向と直交する幅方向の表面粗さを１０ｎｍ以下に仕上げることを特徴とする請求項１または２に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項４】
前記仕上研磨は、前記研磨溝における溝のライン密度が５０本／μｍ〜５本／μｍの範囲に仕上げることを特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項５】
前記仕上研磨は、前記研磨溝の溝幅が、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に、好ましくは２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に仕上ることを特徴とする請求項１ないし４の何れか一項に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項６】
前記仕上研磨は、前記研磨溝の溝内の表面粗さが、１ｎｍ以下に仕上げることを特徴とする請求項１ないし５の何れか一項に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項７】
前記仕上研磨が、多結晶ダイヤモンドを含むスラリーと、植毛布、起毛布、織布及び不織布のうちから選択される材質の研磨テープまたは研磨パッドと、を用いて行われることを特徴とする請求項１ないし６の何れか一項に記載のテープ状基材の研磨方法。
【請求項８】
酸化物超伝導体用ベース基材であって、
請求項１ないし７の何れか一項によって研磨されたテープ状基材と、
前記テープ状基材の被研磨面上に形成された中間層と、を備えてなり、
前記中間層の面内配向性が７°以下となることを特徴とする酸化物超伝導体用ベース基材。
【請求項９】
前記テープ状基材は、ニッケル、ニッケル合金及びステンレスの何れかより選択される材料を圧延加工して製造されるものであることを特徴とする請求項８に記載の酸化物超伝導体用ベース基材。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図１７】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図１７】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００９−５０９４５（Ｐ２００９−５０９４５Ａ）
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２１９０７２（Ｐ２００７−２１９０７２）
【出願日】平成１９年８月２４日（２００７．８．２４）
【出願人】（３９００３７１６５）日本ミクロコーティング株式会社 (79)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月２４日（２００７．８．２４）
【出願人】（３９００３７１６５）日本ミクロコーティング株式会社 (79)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]