モジュールとその製造方法
【課題】回路基板と、この回路基板の表層に設けられた配線パターンに実装された電子部品と、これらを封止する絶縁性樹脂と、絶縁性樹脂の上に設けられた金属ペースト等からなる導電性樹脂層等から形成された従来の回路モジュールでは、必要なシールド性が得られない場合があった。
【解決手段】基板部１０３と、電子部品１０４と、これらを封止するモールド部１０２と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した下向内層配線１０９と、前記モールド部１０２の表面と、を覆うスパッタによる金属膜からなるシールド部１１２と、を有するモジュール１０１であって、前記第１のダレ部１１０より、第２のダレ部１１１の大きさや面積等を大きくすることで、シールド部１１２の厚みが薄くなりやすい、基板部１０３の裏面電極１０８側において、シールド特性を高めたモジュール１０１とする。
【解決手段】基板部１０３と、電子部品１０４と、これらを封止するモールド部１０２と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した下向内層配線１０９と、前記モールド部１０２の表面と、を覆うスパッタによる金属膜からなるシールド部１１２と、を有するモジュール１０１であって、前記第１のダレ部１１０より、第２のダレ部１１１の大きさや面積等を大きくすることで、シールド部１１２の厚みが薄くなりやすい、基板部１０３の裏面電極１０８側において、シールド特性を高めたモジュール１０１とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話やパソコンの無線ＬＡＮ等に使われるモールド成型されたモジュールとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のモジュールについて、図７を用いて説明する。
【０００３】
図７は、従来のモジュールの断面図を示す。図７において、従来の回路モジュール１は、回路基板５と、この回路基板５の表層に設けられた配線パターン４に実装された、半導体チップや積層セラミックコンデンサ、角チップ抵抗器等の電子部品６と、これら電子部品６等を封止する絶縁性樹脂２と、絶縁性樹脂２の上に設けられた金属ペースト等からなる導電性樹脂層３等から形成されている。
【０００４】
そして、回路基板５に内蔵されたグランド層７と一部が、導電性樹脂層３に電気的に接続され、導電性樹脂層３を、シールドとしている。
【０００５】
なおこうしたモジュールとしては、以下の特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２８６９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の回路モジュール１において、充分なシールド効果が得られない場合があった。
【０００８】
特に、導電性樹脂層３は、導電粉を、絶縁性樹脂に分散させてなる導電性ペーストからなるため、回路基板５の側面に露出したグランド層７（例えば、グランド層７は、銅箔等からなる）の端面に塗布することになるため、導電性樹脂層３とグランド層７との接触抵抗（あるいは接続抵抗）が高く、更にグランド層７の露出面の酸化等の影響を受けやすい。
【０００９】
また回路基板５の薄層化、ファインパターン化に伴い、内蔵されるグランド層７の厚みが低下するため、回路基板５の側面に露出するグランド層７の露出面積が低下するため、導電性樹脂層３とグランド層７との接触抵抗（あるいは接続抵抗）が増加してしまう。
【００１０】
本発明は、回路基板の切断面において、グランド配線となる内部配線を露出させた場合でも、グランド層と、シールドを構成する金属膜との間の電気的接続の低抵抗化や、安定化に対応するモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明のモジュールは、芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層と、銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する回路基板と、
前記上面配線に実装された電子部品と、この電子部品を前記基板部上でモールド封止するモールド部と、この断面に第１のダレ部を伴って露出した前記上向内層配線と、第２のダレ部を伴って露出した前記下向内層配線と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有するモジュールであって、前記第１のダレ部より、第２のダレ部を大きくしたモジュールとする。
【発明の効果】
【００１２】
上記構成により本発明のモジュールは、特にスパッタによる金属膜からなるシールド部の厚みが薄くなり、シールド性が低下しやすい基板部の下側（即ち、マザー基板側、あるいは裏面配線側）において、特に第１のダレ部を、第２のダレ部の大きさ（幅、あるいは厚み、あるいは面積のいずれか１つ以上）を大きくすることで、グランドとなる内部配線と、シールド部となる金属膜との間の接続抵抗を小さくすることができ、モジュールの電気的な接続信頼性やシールド性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（Ａ）（Ｂ）は、共に本発明の実施例１におけるモジュールの断面図
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は、共にモジュールの製造方法の一例を説明する断面図
【図３】（Ａ）（Ｂ）は、共に電子部品が実装された基板部を、ダイシング装置を用いて分割する様子を部分拡大して説明する断面図
【図４】発明者らが作成したモジュールのＳＥＭによる断面写真
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図４の部分拡大写真
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図５（Ａ）〜（Ｃ）の模式図
【図７】従来のモジュールの断面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施例１）
以下、実施例１のモジュールについて図面を用いて説明する。図１（Ａ）（Ｂ）は、共に本発明の実施例１におけるモジュールの断面図である。
【００１５】
図１（Ａ）（Ｂ）において、１０１はモジュール、１０２はモールド部、１０３は基板部、１０４は電子部品、１０５は半田部、１０６は上面配線、１０７は上向内層配線、１０８は裏面配線、１０９は下向内層配線、１１０は第１のダレ部、１１１は第２のダレ部、１１２はシールド部、１１３は絶縁層、１１４は光沢面、１１５は粗面である。
【００１６】
図１（Ａ）は、モジュール１０１の断面図である。図１（Ａ）に示すように、モジュール１０１は、基板部１０３と、モールド部１０２と、これらを覆うスパッタで形成した金属膜からなるシールド部１１２と、を有している。
【００１７】
基板部１０３は、芯材（図示していない）にエポキシ樹脂（図示していない）を含浸してなる絶縁層１１３と、１層以上の上向内層配線１０７と、１層以上の下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有している。
【００１８】
上面配線１０６とは、基板部１０３の、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側の表面に設けた配線であり、電子部品１０４を、半田部１０５を介して実装する部分に相当する。
【００１９】
裏面配線１０８とは、基板部１０３の、モールド側でない部分であり、モジュール１０１を、他の回路基板（図示していない）やマザー基板（図示していない）に、実装するための配線である。
【００２０】
上向内層配線１０７とは、基板部１０３に内蔵された内層配線の１つであり、配線を構成する銅箔の光沢面１１４が下向（すなわち、裏面配線１０８側）であるものである。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側は、下向（すなわち、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側、あるいは上面配線１０６側）となる。
【００２１】
下向内層配線１０９も、上向内層配線１０７も、共に基板部１０３に内蔵された内層配線の１つであり、配線を構成する銅箔の光沢面１１４が上向（すなわち、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側、あるいは上面配線１０６側。なお上向とは便宜上の言葉であり、モールド側と呼んでも良い）であるものである。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側は、下向（すなわち、裏面配線１０８側。なお下向とは便宜上の呼び名であって、モールド側でない側と呼んでも良い）となる。
【００２２】
なお、下向内層配線１０９も上向内層配線１０７も、共に片面が光沢面１１４の、残り面が粗面１１５の、銅箔（片面光沢の銅箔と呼ばれることもある）を用いることが望ましい。これは光沢面１１４が露光時のパターン解像度に、粗面１１５側がエポキシ樹脂等の絶縁層１１３側との密着性に、それぞれ優れているからである。なお下向内層配線１０９も、上向内層配線１０７も、共に市販の片側光沢の銅箔を用いることができる。また市販の銅箔の、片面を光沢面１１４とし、残り面を粗面１１５とするには、市販の処理液、あるいは市販の粗化処理液を用いることが有用である。
【００２３】
図１（Ａ）において、シールド部１１２は、スパッタ装置（図示していない）を用いて、モジュール１０１の５面（即ち、天井面と４つの側面の合計５面）にシールド部１１２となる金属薄膜を形成している。スパッタ装置を用いることで、金属薄膜の薄層化（膜厚を１０μｍ以下、更には５μｍ以下、更には２μｍ以下）と、更に金属膜の低抵抗化が可能となる。
【００２４】
またシールド部１１２と、グランドとなる上向内層配線１０７や下向内層配線１０９との接続部（すなわち、基板部１０３の断面に露出した上向内層配線１０７や下向内層配線１０９）に、第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１を形成することで、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続面積を広げることができ、シールド部１１２の抵抗値を小さくし、更にシールド性を高める効果が得られる。これはスパッタ装置によって、モジュール１０１の５面にシールド部１１２となる金属薄膜を設けた場合、モジュール１０１の側面の膜厚が、モジュール１０１の天井面の膜厚より薄くなりやすいためであり、第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１を形成することで、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続面積を広げることができ、シールド部１１２の抵抗値を小さくし、更にシールド性を高める効果が得られる。
【００２５】
また第１のダレ部１１０より、第２のダレ部１１１の大きさ（面積、厚みのいずれか１つ以上）を大きくすることで、シールド性が低下しやすい基板部の下側（即ち、マザー基板側、あるいは裏面配線側）において、特に第１のダレ部を、第２のダレ部の大きさ（幅、あるいは厚み、あるいは面積のいずれか１つ以上）を大きくすることで、グランドとなる内部配線と、シールド部となる金属膜との間の接続抵抗を小さくすることができ、モジュールの電気的な接続信頼性やシールド性を向上させることができる。
【００２６】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の第１のダレ部１１０や第２のダレ部１１１付近を部分拡大した断面図である。図１（Ｂ）に示すように、上向内層配線の光沢面１１４側には第１のダレ部１１０を、下向内層配線１０９の光沢面１１４側には第２のダレ部１１１を形成している。
【００２７】
なお第１のダレ部１１０は無くても（あるいは小さくても）良いが、第２のダレ部１１１は、一定以上の大きさ（望ましくは下向内層配線１０９の０．５倍以上１０倍以下）を有することが望ましい。これはシールド性が低下しやすい基板部の下側（即ち、マザー基板側、あるいは裏面配線側）において、第２のダレ部１１１を大きく（幅、あるいは厚み、あるいは面積のいずれか１つ以上）することで、グランドとなる内部配線と、シールド部となる金属膜との間の接続抵抗を小さくするためである。
【００２８】
なお基板部１０３は、ガラス繊維１１９（例えば、ガラス織布やガラス不織布）やアラミド繊維（例えば、アラミド織布やガラス織布）にエポキシ樹脂を含浸してなるプリプレグを、１層以上の銅箔を内蔵するように、積層したものを用いる。こうした基板部１０３として、市販のガラスエポキシ樹脂基板（ガラエポ基板と呼ばれる場合もある）を用いても良い。
【００２９】
なお基板部１０３に用いる絶縁層１１３として、ガラス繊維１１９（例えば、ガラス織布やガラス不織布）をエポキシ樹脂で含浸、硬化してなるものを用いる以外に、アラミド繊維（例えば、アラミド織布やガラス織布）をエポキシ樹脂で含浸、硬化してなるものを用いても良い。
【００３０】
絶縁層１１３、ガラス繊維１１９等の芯材を含むものを用いることで、モジュール１０１の下部（特に、前記下向内層配線１０９と前記裏面配線１０８との間の前記絶縁層１１３側の断面に設けた溝（例えば後述する図５や図６の溝１２１）を設けた場合でも、溝の成長を芯材で制御することができるためである。またクラック等を溝した場合、絶縁層１１３に含まれる芯材が、絶縁層１１３に含まれるエポキシ樹脂が、溝から外部に欠落することを防止する。
【００３１】
なおモールド部１０２は、熱膨張係数等の調整用の無機フィラー１２０等を添加したエポキシ樹脂等からなる封止材を用いる。
【００３２】
上面配線１０６、上向内層配線１０７、下向内層配線１０９、裏面配線１０８等を構成する銅箔としては、電気銅や圧延銅を用いる。銅箔の厚みは、１２μｍ、１８μｍ、３６μｍ等を選ぶことで、その基板部１０３からの露出部（更には第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１）の形成が容易となる。
【００３３】
またシールド部１１２を構成する金属薄膜は、銅を主体としたもの、すなわち銅の含有率が７０ｗｔ％、望ましくは９０ｗｔ％のものとし、その厚みは０．１μｍ以上５．０μｍ以下が望ましい。銅の含有率が９０ｗｔ％未満の場合や、厚みが０．１μｍ未満の場合、電気抵抗が増加する場合がある。また厚みが５．０μｍを超えると、成膜時の残留応力等の影響を受ける場合がある。
【００３４】
なおシールド部１１２を構成する金属薄膜の防錆の目的で、ＮｉやＺｎ等の金属材料の添加、あるいは合金化は有用である。またシールド部１１２を複数の金属層とすることも有用である。この場合、最表層には防錆性に優れたＮｉ等の金属材料を用いることが望ましい。なお内層側には、銅を主体とすることが望ましいが、これは基板部１０３からの銅箔の露出部との接続抵抗を下げるのに有用な為である。また銅は、電気抵抗が低く、シールド性（ＥＭＩ及びＥＭＣ）に優れている。また内層側に、チタン等を用いることで、基板部１０３（あるいは絶縁層１１３）との密着性を高められる。
【００３５】
以上のように、芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層１１３と、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する基板部と、前記上面配線１０６に実装された電子部品１０４と、この電子部品１０４を基板部上でモールド封止するモールド部１０２と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した前記上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した前記下向内層配線１０９と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有するモジュール１０１であって、前記第１のダレ部１１０より第２のダレ部１１１を大きくしたモジュール１０１とすることで、金属膜と、グランドとなる内層配線との間の接続抵抗を小さくし、シールド効果を高めることができる。
【００３６】
（実施例２）
次に、実施例２として、実施例１で説明したモジュール１０１の製造方法の一例について、図２から図３を用いて説明する。
【００３７】
図２（Ａ）〜（Ｅ）は、共にモジュール１０１の製造方法の一例を説明する断面図である。１１６は矢印、１１７は接着層であり、例えばダイシングテープとして市販されているものを使うことが有用である。１１８はダイシング溝であり、ダイシングによって形成された分割溝に相当する。
【００３８】
図２（Ａ）の矢印１１６に示すように、基板部１０３に電子部品１０４を実装する。なおガラスエポキシ樹脂基板等からなる１枚の大きな基板部１０３の上に、複数個の電子部品１０４を実装し、後で切断し、複数個のモジュール１０１とすることは有用である（図示していない）。
【００３９】
図２（Ｂ）は、電子部品１０４を基板部１０３に実装した様子を示す断面図である。なお実装方法は半田（図示していない）に限定する必要は無い。
【００４０】
図２（Ｃ）は、電子部品１０４が実装された基板部１０３に、モールド部１０２を形成する様子を示す断面図である。モールド部１０２は、市販のモールド材料（例えば、エポキシ樹脂に熱膨張係数調整用のセラミックフィラー１２０等を添加したもの）を使うことができる。またモールドには、金型やプレス、加熱装置（これらは図示していない）を用いることは有用である。
【００４１】
またこうして得たサンプルを、図２（Ｃ）に示すように、接着層１１７の上に固定することで、ダイシング装置（図示していない）による分割（あるいは切断）が容易となる。
【００４２】
図２（Ｄ）は、図２（Ｃ）で作成したサンプルを、ダイシング装置によって所定寸法に分割（あるいは切断）する様子を示す断面図である。
【００４３】
図２（Ｅ）は、図２（Ｄ）で得たサンプルの表面に、スパッタ装置（図示していない）を用いて、シールド部１１２となる金属膜を形成する様子を説明する断面図である。なお図２（Ｄ）から図２（Ｅ）の状態において、個別に分割（あるいは切断）されたサンプルを、別の接着層１１７で張り替えても良い。
【００４４】
なお図２（Ａ）〜（Ｅ）において、基板部１０３の表面に形成された、電子部品１０４実装用の上面配線１０６や、裏面配線１０８、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９、あるいはソルダーレジスト等は図示していない。
【００４５】
なお図２に示すように、１枚の基板部１０３に、複数個の電子部品１０４を実装し、これら全体を一度にモールド用の封止材で覆い、１つの大きな封止構造体とし、この封止構造体（例えば、図２（Ｃ））を、ダイシング装置等で、複数に分割（あるいは切断）することで、個々のモジュール１０１とすることは有用である。
【００４６】
次に、図３を用いて更に詳しく説明する。図３（Ａ）（Ｂ）は、共に電子部品１０４が実装された基板部１０３を、ダイシング装置を用いて分割する様子を部分拡大して説明する断面図である。図３（Ａ）はダイシングする前、図３（Ｂ）はダイシングした後の状態をそれぞれ示す。
【００４７】
図３（Ａ）に示すように、基板部１０３は、１層以上の上向内層配線１０７と、１層以上の下向内層配線１０９と、これらを層間接続する複数の絶縁層１１３と、を有している。なお図３（Ａ）（Ｂ）において、基板部１０３の表面に設けた上面配線１０６や裏面配線１０８、ソルダーレジスト１２２、複数の内層間を層間接続するビア部分等は、図示していない。
【００４８】
図３（Ａ）において、上向内層配線１０７は、基板部１０３の上側に設けた上面配線１０６側（上面配線１０６は図示していない）に、その光沢面１１４を向けた状態で１層以上が、下向内層配線１０９は、基板部１０３の下側に設けた裏面配線１０８側（裏面配線１０８は図示していない）に、その光沢面１１４を向けた状態で、１層以上が、それぞれ内蔵されている。
【００４９】
次に、図３（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９と裏面配線１０８との間の絶縁層１１３側の断面に、溝１２１を形成することで、第１のダレ部１１０より第２のダレ部１１１を大きくすることができる。
【００５０】
図３（Ｂ）は、ダイシングした後の状態を示す。図３（Ａ）に示すように、ダイシング装置の回転刃（図示していない）を矢印１１６に示すように、基板部１０３に当てて、溝１２１を形成する。
【００５１】
図３（Ｂ）において、第１のダレ部１１０とは、上向内層配線１０７の光沢面１１４に発生させたダレ部である。ここでダレ部とは、ダイシングの回転刃の回転に伴い、銅箔の一部がダレ部（あるいは一種のバリ部）となった部分である。
【００５２】
図３（Ａ）に示すように、基板部１０３の中央部より上（すなわち上面配線１０６側）に、上向内層配線１０７を設けることで、上向内層配線１０７に発生する第１のダレ部１１０を、上向内層配線１０７の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）より大きくすることができる。このように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に設けた第１のダレ部１１０を、粗面１１５側に設けたダレ（図示していない）より大きくすることで、上向内層配線１０７と絶縁層１１３との密着性を高めながらも、上向内層配線１０７の断面部分（この断面部分には、第１のダレ部１１０も含む）、シールド部１１２との密着面積を大きくすることができる。
【００５３】
また図３（Ｂ）に示すように、基板部１０３の中央部より下（すなわち裏面配線１０８側）に、下向内層配線１０９を設けることで、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に発生させた第２のダレ部１１１を、下向内層配線１０９の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）や、上向内層配線１０７の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）や、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に設けた第１のダレ部１１０より、大きくすることができる。このように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に設けた第２のダレ部１１１を、これらダレ部より、より大きくすることで、下向内層配線１０９とシールド部１１２との密着面積を大きくすることができる。これは、スパッタでシールド部１１２を形成した場合、基板部１０３の上側（即ち上面配線１０６側、あるいはモールド部１０２側）より下側（即ち配線側）が、その金属膜厚が薄くなり、シート抵抗が増加する課題の解決に有用である。
【００５４】
以上のように、少なくとも、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する回路基板（あるいは基板部１０３）に、電子部品１０４を実装する実装工程と、前記電子部品１０４を前記回路基板上で樹脂モールドし、モールド構造体とする封止工程と、前記モールド構造体を、ダイシング装置を用いて複数に切断する切断工程と、この切断工程で得られた切断品の５面を覆う金属膜を、スパッタで形成する金属膜工程と、を有するモジュール１０１の製造方法であって、前記切断工程によって、上向内層配線に第１のダレ部１１０を、下向内層配線に、第１のダレ部より大きい第２のダレ部１１１を形成し、金属膜工程で、前記第１のダレ部１１０を有する上向内層配線と、第２のダレ部を有する下向内層配線とに、一度に金属膜を形成することで、シールド性の高いモジュール１０１を製造することができる。
【００５５】
（実施例３）
実施例３を用いて、実施例１や実施例２で説明したモジュール１０１の発明者らによる試作品の一例について説明する。
【００５６】
図４は、発明者らが作成したモジュール１０１のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）による断面写真の一例である。図４において、１１９はガラス繊維、１２０はフィラー、１２１は溝、１２２はソルダーレジストである。図４において、上面電極、裏面電極、電子部品１０４、モールド部１０２等は図示していない。
【００５７】
図４に示すように、モジュール１０１は、芯材（例えばガラス繊維１１９）にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層１１３と、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する回路基板と、前記上面配線１０６に実装された電子部品１０４（図示していない）と、この電子部品１０４を前記回路基板上でモールド封止するモールド部１０２（図示していない）と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した前記上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した前記下向内層配線１０９と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有している。
【００５８】
そして、モジュール１０１を構成する絶縁層１１３の側面に溝１２１を設け、この溝１２１に、下向内層配線１０９の一部を充填することで、第２のダレ部１１１を大きくしている。更に下向内層配線１０９と裏面配線１０８との間の絶縁層１１３の断面に、複数の溝１２１を設けることで、第１のダレ部１１０より第２のダレ部１１１を大きく形成することは有用である。これは、スパッタでシールド部１１２となる金属膜を形成した場合、下側（即ち裏面配線１０８側）ほど、シールド部１１２の厚みが薄くなり、シールド部１１２のシート抵抗が増加するため、グランドとなる銅箔との接続が難しくなるためである。
【００５９】
図４において、溝１２１は、基板部１０３（あるいは絶縁層１１３）の側面（あるいは、ダイシング溝１１８）に、複数設けることが望ましい。なお複数とは、１つの溝１２１の一部が複数に枝分かれしているものも含む。これは溝１２１が１つだけであっても、複数に枝分かれしていれば、この溝１２１に銅箔の一部を充填しやすくなり、また絶縁層との密着性（あるいはアンカー効果）を高める効果が得られるためである。
【００６０】
なお溝１２１は、基板部１０３の４つの側面（あるいは４つのダイシング溝１１８に面した面）に、それぞれ設けることが望ましい。こうすることで、モジュール１０１の全ての側面で、この溝１２１に銅箔の一部を充填しやすくなり、また絶縁層１１３との密着性（あるいはアンカー効果）を高める効果が得られる。
【００６１】
溝１２１は、絶縁層１１３側、特に下向内層配線１０９と裏面配線１０８（裏面電極は図示していない）との間の絶縁層１１３側の断面に、積極的に設けたクラックや、割れとすることは有用である。
【００６２】
溝１２１を、下向内層配線１０９と裏面配線１０８との間の、絶縁層１１３に積極的に設けることは有用である。またこの溝１２１に、下向内層配線１０９の一部を、第２のダレ部１１１として充填することで、第２のダレ部１１１を大きくすることができ、シールド部１１２と下向内層配線１０９との接続抵抗を小さくできる。
【００６３】
またこの溝１２１を利用して、（すなわち溝１２１の一部に、下向内層配線１０９を構成する銅箔の一部をダイシング時に充填、あるいは押し込むことで）、第２のダレ部１１１を、より効果的に大きくできる。
【００６４】
なお溝１２１を利用することで、第１のダレ部１１０より、第２のダレ部１１１を大きくしやすいことは言うまでも無い。
【００６５】
なお溝１２１の内部に、シールド部１１２の一部が入っても良いが、溝１２１を、シールド部１１２となる金属膜が充填する必要は無い。
【００６６】
図４において、倍率は２００倍であり、Ｈ型のスケールが１００μｍの長さを示している。
【００６７】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図４の部分拡大写真である。図５（Ａ）は、図４に示した上向内層配線１０７と、シールド部１１２との接続部分の拡大図である。図５（Ａ）に示すように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に第１のダレ部１１０を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第１のダレ部１１０が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００６８】
図５（Ｂ）は、図４に示した下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続部分の拡大図である。図５（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に第２のダレ部１１１を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお下向内層配線１０９の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第２のダレ部１１１が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００６９】
また溝１２１を設け、この溝１２１の一部に、下向内層配線１０９の一部を第２のダレ部１１１として充填することは有用である。
【００７０】
なお図５（Ｂ）に示すように、溝１２１を、一種のクラック（あるいは割れ）を利用した場合であって、絶縁層１１３に内蔵されたガラス繊維１１９によって、それ以上の成長が抑制されるので、信頼性等に影響を与えることはない。
【００７１】
図５（Ｃ）は、図４に示したスケールを拡大したものであり、Ｈ型のスケールが１００μｍを示している。図５に示すように、溝１２１の最大長さは２００μｍ以下（望ましくは１００μｍ以下）、溝１２１の厚み（あるいは高さ）は、５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下）が望ましい。溝１２１の最大長さが２００μｍを超え、あるいは厚みが５０μｍを超えた場合、ガラス繊維１１９による抑制効果が低下する場合がある。
【００７２】
図６（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図５（Ａ）〜（Ｃ）の模式図である。
【００７３】
図６（Ａ）は、図５（Ａ）に示した上向内層配線１０７と、シールド部１１２との接続部分の模式図である。図６（Ａ）に示すように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に第１のダレ部１１０を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第１のダレ部１１０が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００７４】
図６（Ｂ）は、図５（Ｂ）に示した下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続部分の模式図である。図６（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に第２のダレ部１１１を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお下向内層配線１０９の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第２のダレ部１１１が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００７５】
また溝１２１を設け、この溝１２１の一部に、下向内層配線１０９の一部を第２のダレ部１１１として充填することは有用である。
【００７６】
なお図６（Ｂ）に示すように、溝１２１を、一種のクラック（あるいは割れ）を利用した場合であって、絶縁層１１３に内蔵されたガラス繊維１１９によって、それ以上の成長が抑制されるので、信頼性等に影響を与えることはない。
【００７７】
図６（Ｃ）は、図５（Ｃ）に示したスケールを拡大したものであり、Ｈ型のスケールが１００μｍを示している。図６（Ｃ）の矢印１１６に示すように、溝１２１の最大長さは２００μｍ以下（望ましくは１００μｍ以下）、溝１２１の厚み（あるいは高さ）は、５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下）が望ましい。溝１２１の最大長さが２００μｍを超え、あるいは厚みが５０μｍを超えた場合、ガラス繊維１１９による抑制効果が低下する場合がある。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明のモジュール及びその製造方法は、シールド部となるスパッタで形成した金属膜と、モジュールのグランド電極となる下向内層配線との接続安定性を高めることができ、基板部からの漏洩ノイズを効果的に低減することで、ＥＭＩやＥＭＣ特性に優れたモジュールであり、電子機器の小型化、高密度実装、更には狭隣接実装を実現することができる。
【符号の説明】
【００７９】
１０１ モジュール
１０２ モールド部
１０３ 基板部
１０４ 電子部品
１０５ 半田部
１０６ 上面配線
１０７ 上向内層配線
１０８ 裏面配線
１０９ 下向内層配線
１１０ 第１のダレ部
１１１ 第２のダレ部
１１２ シールド部
１１３ 絶縁層
１１４ 光沢面
１１５ 粗面
１１６ 矢印
１１７ 接着層
１１８ ダイシング溝
１１９ ガラス繊維
１２０ フィラー
１２１ 溝
１２２ ソルダーレジスト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話やパソコンの無線ＬＡＮ等に使われるモールド成型されたモジュールとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のモジュールについて、図７を用いて説明する。
【０００３】
図７は、従来のモジュールの断面図を示す。図７において、従来の回路モジュール１は、回路基板５と、この回路基板５の表層に設けられた配線パターン４に実装された、半導体チップや積層セラミックコンデンサ、角チップ抵抗器等の電子部品６と、これら電子部品６等を封止する絶縁性樹脂２と、絶縁性樹脂２の上に設けられた金属ペースト等からなる導電性樹脂層３等から形成されている。
【０００４】
そして、回路基板５に内蔵されたグランド層７と一部が、導電性樹脂層３に電気的に接続され、導電性樹脂層３を、シールドとしている。
【０００５】
なおこうしたモジュールとしては、以下の特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２８６９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の回路モジュール１において、充分なシールド効果が得られない場合があった。
【０００８】
特に、導電性樹脂層３は、導電粉を、絶縁性樹脂に分散させてなる導電性ペーストからなるため、回路基板５の側面に露出したグランド層７（例えば、グランド層７は、銅箔等からなる）の端面に塗布することになるため、導電性樹脂層３とグランド層７との接触抵抗（あるいは接続抵抗）が高く、更にグランド層７の露出面の酸化等の影響を受けやすい。
【０００９】
また回路基板５の薄層化、ファインパターン化に伴い、内蔵されるグランド層７の厚みが低下するため、回路基板５の側面に露出するグランド層７の露出面積が低下するため、導電性樹脂層３とグランド層７との接触抵抗（あるいは接続抵抗）が増加してしまう。
【００１０】
本発明は、回路基板の切断面において、グランド配線となる内部配線を露出させた場合でも、グランド層と、シールドを構成する金属膜との間の電気的接続の低抵抗化や、安定化に対応するモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明のモジュールは、芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層と、銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する回路基板と、
前記上面配線に実装された電子部品と、この電子部品を前記基板部上でモールド封止するモールド部と、この断面に第１のダレ部を伴って露出した前記上向内層配線と、第２のダレ部を伴って露出した前記下向内層配線と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有するモジュールであって、前記第１のダレ部より、第２のダレ部を大きくしたモジュールとする。
【発明の効果】
【００１２】
上記構成により本発明のモジュールは、特にスパッタによる金属膜からなるシールド部の厚みが薄くなり、シールド性が低下しやすい基板部の下側（即ち、マザー基板側、あるいは裏面配線側）において、特に第１のダレ部を、第２のダレ部の大きさ（幅、あるいは厚み、あるいは面積のいずれか１つ以上）を大きくすることで、グランドとなる内部配線と、シールド部となる金属膜との間の接続抵抗を小さくすることができ、モジュールの電気的な接続信頼性やシールド性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（Ａ）（Ｂ）は、共に本発明の実施例１におけるモジュールの断面図
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は、共にモジュールの製造方法の一例を説明する断面図
【図３】（Ａ）（Ｂ）は、共に電子部品が実装された基板部を、ダイシング装置を用いて分割する様子を部分拡大して説明する断面図
【図４】発明者らが作成したモジュールのＳＥＭによる断面写真
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図４の部分拡大写真
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図５（Ａ）〜（Ｃ）の模式図
【図７】従来のモジュールの断面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施例１）
以下、実施例１のモジュールについて図面を用いて説明する。図１（Ａ）（Ｂ）は、共に本発明の実施例１におけるモジュールの断面図である。
【００１５】
図１（Ａ）（Ｂ）において、１０１はモジュール、１０２はモールド部、１０３は基板部、１０４は電子部品、１０５は半田部、１０６は上面配線、１０７は上向内層配線、１０８は裏面配線、１０９は下向内層配線、１１０は第１のダレ部、１１１は第２のダレ部、１１２はシールド部、１１３は絶縁層、１１４は光沢面、１１５は粗面である。
【００１６】
図１（Ａ）は、モジュール１０１の断面図である。図１（Ａ）に示すように、モジュール１０１は、基板部１０３と、モールド部１０２と、これらを覆うスパッタで形成した金属膜からなるシールド部１１２と、を有している。
【００１７】
基板部１０３は、芯材（図示していない）にエポキシ樹脂（図示していない）を含浸してなる絶縁層１１３と、１層以上の上向内層配線１０７と、１層以上の下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有している。
【００１８】
上面配線１０６とは、基板部１０３の、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側の表面に設けた配線であり、電子部品１０４を、半田部１０５を介して実装する部分に相当する。
【００１９】
裏面配線１０８とは、基板部１０３の、モールド側でない部分であり、モジュール１０１を、他の回路基板（図示していない）やマザー基板（図示していない）に、実装するための配線である。
【００２０】
上向内層配線１０７とは、基板部１０３に内蔵された内層配線の１つであり、配線を構成する銅箔の光沢面１１４が下向（すなわち、裏面配線１０８側）であるものである。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側は、下向（すなわち、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側、あるいは上面配線１０６側）となる。
【００２１】
下向内層配線１０９も、上向内層配線１０７も、共に基板部１０３に内蔵された内層配線の１つであり、配線を構成する銅箔の光沢面１１４が上向（すなわち、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側、あるいは上面配線１０６側。なお上向とは便宜上の言葉であり、モールド側と呼んでも良い）であるものである。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側は、下向（すなわち、裏面配線１０８側。なお下向とは便宜上の呼び名であって、モールド側でない側と呼んでも良い）となる。
【００２２】
なお、下向内層配線１０９も上向内層配線１０７も、共に片面が光沢面１１４の、残り面が粗面１１５の、銅箔（片面光沢の銅箔と呼ばれることもある）を用いることが望ましい。これは光沢面１１４が露光時のパターン解像度に、粗面１１５側がエポキシ樹脂等の絶縁層１１３側との密着性に、それぞれ優れているからである。なお下向内層配線１０９も、上向内層配線１０７も、共に市販の片側光沢の銅箔を用いることができる。また市販の銅箔の、片面を光沢面１１４とし、残り面を粗面１１５とするには、市販の処理液、あるいは市販の粗化処理液を用いることが有用である。
【００２３】
図１（Ａ）において、シールド部１１２は、スパッタ装置（図示していない）を用いて、モジュール１０１の５面（即ち、天井面と４つの側面の合計５面）にシールド部１１２となる金属薄膜を形成している。スパッタ装置を用いることで、金属薄膜の薄層化（膜厚を１０μｍ以下、更には５μｍ以下、更には２μｍ以下）と、更に金属膜の低抵抗化が可能となる。
【００２４】
またシールド部１１２と、グランドとなる上向内層配線１０７や下向内層配線１０９との接続部（すなわち、基板部１０３の断面に露出した上向内層配線１０７や下向内層配線１０９）に、第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１を形成することで、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続面積を広げることができ、シールド部１１２の抵抗値を小さくし、更にシールド性を高める効果が得られる。これはスパッタ装置によって、モジュール１０１の５面にシールド部１１２となる金属薄膜を設けた場合、モジュール１０１の側面の膜厚が、モジュール１０１の天井面の膜厚より薄くなりやすいためであり、第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１を形成することで、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続面積を広げることができ、シールド部１１２の抵抗値を小さくし、更にシールド性を高める効果が得られる。
【００２５】
また第１のダレ部１１０より、第２のダレ部１１１の大きさ（面積、厚みのいずれか１つ以上）を大きくすることで、シールド性が低下しやすい基板部の下側（即ち、マザー基板側、あるいは裏面配線側）において、特に第１のダレ部を、第２のダレ部の大きさ（幅、あるいは厚み、あるいは面積のいずれか１つ以上）を大きくすることで、グランドとなる内部配線と、シールド部となる金属膜との間の接続抵抗を小さくすることができ、モジュールの電気的な接続信頼性やシールド性を向上させることができる。
【００２６】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の第１のダレ部１１０や第２のダレ部１１１付近を部分拡大した断面図である。図１（Ｂ）に示すように、上向内層配線の光沢面１１４側には第１のダレ部１１０を、下向内層配線１０９の光沢面１１４側には第２のダレ部１１１を形成している。
【００２７】
なお第１のダレ部１１０は無くても（あるいは小さくても）良いが、第２のダレ部１１１は、一定以上の大きさ（望ましくは下向内層配線１０９の０．５倍以上１０倍以下）を有することが望ましい。これはシールド性が低下しやすい基板部の下側（即ち、マザー基板側、あるいは裏面配線側）において、第２のダレ部１１１を大きく（幅、あるいは厚み、あるいは面積のいずれか１つ以上）することで、グランドとなる内部配線と、シールド部となる金属膜との間の接続抵抗を小さくするためである。
【００２８】
なお基板部１０３は、ガラス繊維１１９（例えば、ガラス織布やガラス不織布）やアラミド繊維（例えば、アラミド織布やガラス織布）にエポキシ樹脂を含浸してなるプリプレグを、１層以上の銅箔を内蔵するように、積層したものを用いる。こうした基板部１０３として、市販のガラスエポキシ樹脂基板（ガラエポ基板と呼ばれる場合もある）を用いても良い。
【００２９】
なお基板部１０３に用いる絶縁層１１３として、ガラス繊維１１９（例えば、ガラス織布やガラス不織布）をエポキシ樹脂で含浸、硬化してなるものを用いる以外に、アラミド繊維（例えば、アラミド織布やガラス織布）をエポキシ樹脂で含浸、硬化してなるものを用いても良い。
【００３０】
絶縁層１１３、ガラス繊維１１９等の芯材を含むものを用いることで、モジュール１０１の下部（特に、前記下向内層配線１０９と前記裏面配線１０８との間の前記絶縁層１１３側の断面に設けた溝（例えば後述する図５や図６の溝１２１）を設けた場合でも、溝の成長を芯材で制御することができるためである。またクラック等を溝した場合、絶縁層１１３に含まれる芯材が、絶縁層１１３に含まれるエポキシ樹脂が、溝から外部に欠落することを防止する。
【００３１】
なおモールド部１０２は、熱膨張係数等の調整用の無機フィラー１２０等を添加したエポキシ樹脂等からなる封止材を用いる。
【００３２】
上面配線１０６、上向内層配線１０７、下向内層配線１０９、裏面配線１０８等を構成する銅箔としては、電気銅や圧延銅を用いる。銅箔の厚みは、１２μｍ、１８μｍ、３６μｍ等を選ぶことで、その基板部１０３からの露出部（更には第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１）の形成が容易となる。
【００３３】
またシールド部１１２を構成する金属薄膜は、銅を主体としたもの、すなわち銅の含有率が７０ｗｔ％、望ましくは９０ｗｔ％のものとし、その厚みは０．１μｍ以上５．０μｍ以下が望ましい。銅の含有率が９０ｗｔ％未満の場合や、厚みが０．１μｍ未満の場合、電気抵抗が増加する場合がある。また厚みが５．０μｍを超えると、成膜時の残留応力等の影響を受ける場合がある。
【００３４】
なおシールド部１１２を構成する金属薄膜の防錆の目的で、ＮｉやＺｎ等の金属材料の添加、あるいは合金化は有用である。またシールド部１１２を複数の金属層とすることも有用である。この場合、最表層には防錆性に優れたＮｉ等の金属材料を用いることが望ましい。なお内層側には、銅を主体とすることが望ましいが、これは基板部１０３からの銅箔の露出部との接続抵抗を下げるのに有用な為である。また銅は、電気抵抗が低く、シールド性（ＥＭＩ及びＥＭＣ）に優れている。また内層側に、チタン等を用いることで、基板部１０３（あるいは絶縁層１１３）との密着性を高められる。
【００３５】
以上のように、芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層１１３と、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する基板部と、前記上面配線１０６に実装された電子部品１０４と、この電子部品１０４を基板部上でモールド封止するモールド部１０２と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した前記上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した前記下向内層配線１０９と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有するモジュール１０１であって、前記第１のダレ部１１０より第２のダレ部１１１を大きくしたモジュール１０１とすることで、金属膜と、グランドとなる内層配線との間の接続抵抗を小さくし、シールド効果を高めることができる。
【００３６】
（実施例２）
次に、実施例２として、実施例１で説明したモジュール１０１の製造方法の一例について、図２から図３を用いて説明する。
【００３７】
図２（Ａ）〜（Ｅ）は、共にモジュール１０１の製造方法の一例を説明する断面図である。１１６は矢印、１１７は接着層であり、例えばダイシングテープとして市販されているものを使うことが有用である。１１８はダイシング溝であり、ダイシングによって形成された分割溝に相当する。
【００３８】
図２（Ａ）の矢印１１６に示すように、基板部１０３に電子部品１０４を実装する。なおガラスエポキシ樹脂基板等からなる１枚の大きな基板部１０３の上に、複数個の電子部品１０４を実装し、後で切断し、複数個のモジュール１０１とすることは有用である（図示していない）。
【００３９】
図２（Ｂ）は、電子部品１０４を基板部１０３に実装した様子を示す断面図である。なお実装方法は半田（図示していない）に限定する必要は無い。
【００４０】
図２（Ｃ）は、電子部品１０４が実装された基板部１０３に、モールド部１０２を形成する様子を示す断面図である。モールド部１０２は、市販のモールド材料（例えば、エポキシ樹脂に熱膨張係数調整用のセラミックフィラー１２０等を添加したもの）を使うことができる。またモールドには、金型やプレス、加熱装置（これらは図示していない）を用いることは有用である。
【００４１】
またこうして得たサンプルを、図２（Ｃ）に示すように、接着層１１７の上に固定することで、ダイシング装置（図示していない）による分割（あるいは切断）が容易となる。
【００４２】
図２（Ｄ）は、図２（Ｃ）で作成したサンプルを、ダイシング装置によって所定寸法に分割（あるいは切断）する様子を示す断面図である。
【００４３】
図２（Ｅ）は、図２（Ｄ）で得たサンプルの表面に、スパッタ装置（図示していない）を用いて、シールド部１１２となる金属膜を形成する様子を説明する断面図である。なお図２（Ｄ）から図２（Ｅ）の状態において、個別に分割（あるいは切断）されたサンプルを、別の接着層１１７で張り替えても良い。
【００４４】
なお図２（Ａ）〜（Ｅ）において、基板部１０３の表面に形成された、電子部品１０４実装用の上面配線１０６や、裏面配線１０８、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９、あるいはソルダーレジスト等は図示していない。
【００４５】
なお図２に示すように、１枚の基板部１０３に、複数個の電子部品１０４を実装し、これら全体を一度にモールド用の封止材で覆い、１つの大きな封止構造体とし、この封止構造体（例えば、図２（Ｃ））を、ダイシング装置等で、複数に分割（あるいは切断）することで、個々のモジュール１０１とすることは有用である。
【００４６】
次に、図３を用いて更に詳しく説明する。図３（Ａ）（Ｂ）は、共に電子部品１０４が実装された基板部１０３を、ダイシング装置を用いて分割する様子を部分拡大して説明する断面図である。図３（Ａ）はダイシングする前、図３（Ｂ）はダイシングした後の状態をそれぞれ示す。
【００４７】
図３（Ａ）に示すように、基板部１０３は、１層以上の上向内層配線１０７と、１層以上の下向内層配線１０９と、これらを層間接続する複数の絶縁層１１３と、を有している。なお図３（Ａ）（Ｂ）において、基板部１０３の表面に設けた上面配線１０６や裏面配線１０８、ソルダーレジスト１２２、複数の内層間を層間接続するビア部分等は、図示していない。
【００４８】
図３（Ａ）において、上向内層配線１０７は、基板部１０３の上側に設けた上面配線１０６側（上面配線１０６は図示していない）に、その光沢面１１４を向けた状態で１層以上が、下向内層配線１０９は、基板部１０３の下側に設けた裏面配線１０８側（裏面配線１０８は図示していない）に、その光沢面１１４を向けた状態で、１層以上が、それぞれ内蔵されている。
【００４９】
次に、図３（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９と裏面配線１０８との間の絶縁層１１３側の断面に、溝１２１を形成することで、第１のダレ部１１０より第２のダレ部１１１を大きくすることができる。
【００５０】
図３（Ｂ）は、ダイシングした後の状態を示す。図３（Ａ）に示すように、ダイシング装置の回転刃（図示していない）を矢印１１６に示すように、基板部１０３に当てて、溝１２１を形成する。
【００５１】
図３（Ｂ）において、第１のダレ部１１０とは、上向内層配線１０７の光沢面１１４に発生させたダレ部である。ここでダレ部とは、ダイシングの回転刃の回転に伴い、銅箔の一部がダレ部（あるいは一種のバリ部）となった部分である。
【００５２】
図３（Ａ）に示すように、基板部１０３の中央部より上（すなわち上面配線１０６側）に、上向内層配線１０７を設けることで、上向内層配線１０７に発生する第１のダレ部１１０を、上向内層配線１０７の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）より大きくすることができる。このように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に設けた第１のダレ部１１０を、粗面１１５側に設けたダレ（図示していない）より大きくすることで、上向内層配線１０７と絶縁層１１３との密着性を高めながらも、上向内層配線１０７の断面部分（この断面部分には、第１のダレ部１１０も含む）、シールド部１１２との密着面積を大きくすることができる。
【００５３】
また図３（Ｂ）に示すように、基板部１０３の中央部より下（すなわち裏面配線１０８側）に、下向内層配線１０９を設けることで、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に発生させた第２のダレ部１１１を、下向内層配線１０９の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）や、上向内層配線１０７の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）や、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に設けた第１のダレ部１１０より、大きくすることができる。このように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に設けた第２のダレ部１１１を、これらダレ部より、より大きくすることで、下向内層配線１０９とシールド部１１２との密着面積を大きくすることができる。これは、スパッタでシールド部１１２を形成した場合、基板部１０３の上側（即ち上面配線１０６側、あるいはモールド部１０２側）より下側（即ち配線側）が、その金属膜厚が薄くなり、シート抵抗が増加する課題の解決に有用である。
【００５４】
以上のように、少なくとも、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する回路基板（あるいは基板部１０３）に、電子部品１０４を実装する実装工程と、前記電子部品１０４を前記回路基板上で樹脂モールドし、モールド構造体とする封止工程と、前記モールド構造体を、ダイシング装置を用いて複数に切断する切断工程と、この切断工程で得られた切断品の５面を覆う金属膜を、スパッタで形成する金属膜工程と、を有するモジュール１０１の製造方法であって、前記切断工程によって、上向内層配線に第１のダレ部１１０を、下向内層配線に、第１のダレ部より大きい第２のダレ部１１１を形成し、金属膜工程で、前記第１のダレ部１１０を有する上向内層配線と、第２のダレ部を有する下向内層配線とに、一度に金属膜を形成することで、シールド性の高いモジュール１０１を製造することができる。
【００５５】
（実施例３）
実施例３を用いて、実施例１や実施例２で説明したモジュール１０１の発明者らによる試作品の一例について説明する。
【００５６】
図４は、発明者らが作成したモジュール１０１のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）による断面写真の一例である。図４において、１１９はガラス繊維、１２０はフィラー、１２１は溝、１２２はソルダーレジストである。図４において、上面電極、裏面電極、電子部品１０４、モールド部１０２等は図示していない。
【００５７】
図４に示すように、モジュール１０１は、芯材（例えばガラス繊維１１９）にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層１１３と、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する回路基板と、前記上面配線１０６に実装された電子部品１０４（図示していない）と、この電子部品１０４を前記回路基板上でモールド封止するモールド部１０２（図示していない）と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した前記上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した前記下向内層配線１０９と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有している。
【００５８】
そして、モジュール１０１を構成する絶縁層１１３の側面に溝１２１を設け、この溝１２１に、下向内層配線１０９の一部を充填することで、第２のダレ部１１１を大きくしている。更に下向内層配線１０９と裏面配線１０８との間の絶縁層１１３の断面に、複数の溝１２１を設けることで、第１のダレ部１１０より第２のダレ部１１１を大きく形成することは有用である。これは、スパッタでシールド部１１２となる金属膜を形成した場合、下側（即ち裏面配線１０８側）ほど、シールド部１１２の厚みが薄くなり、シールド部１１２のシート抵抗が増加するため、グランドとなる銅箔との接続が難しくなるためである。
【００５９】
図４において、溝１２１は、基板部１０３（あるいは絶縁層１１３）の側面（あるいは、ダイシング溝１１８）に、複数設けることが望ましい。なお複数とは、１つの溝１２１の一部が複数に枝分かれしているものも含む。これは溝１２１が１つだけであっても、複数に枝分かれしていれば、この溝１２１に銅箔の一部を充填しやすくなり、また絶縁層との密着性（あるいはアンカー効果）を高める効果が得られるためである。
【００６０】
なお溝１２１は、基板部１０３の４つの側面（あるいは４つのダイシング溝１１８に面した面）に、それぞれ設けることが望ましい。こうすることで、モジュール１０１の全ての側面で、この溝１２１に銅箔の一部を充填しやすくなり、また絶縁層１１３との密着性（あるいはアンカー効果）を高める効果が得られる。
【００６１】
溝１２１は、絶縁層１１３側、特に下向内層配線１０９と裏面配線１０８（裏面電極は図示していない）との間の絶縁層１１３側の断面に、積極的に設けたクラックや、割れとすることは有用である。
【００６２】
溝１２１を、下向内層配線１０９と裏面配線１０８との間の、絶縁層１１３に積極的に設けることは有用である。またこの溝１２１に、下向内層配線１０９の一部を、第２のダレ部１１１として充填することで、第２のダレ部１１１を大きくすることができ、シールド部１１２と下向内層配線１０９との接続抵抗を小さくできる。
【００６３】
またこの溝１２１を利用して、（すなわち溝１２１の一部に、下向内層配線１０９を構成する銅箔の一部をダイシング時に充填、あるいは押し込むことで）、第２のダレ部１１１を、より効果的に大きくできる。
【００６４】
なお溝１２１を利用することで、第１のダレ部１１０より、第２のダレ部１１１を大きくしやすいことは言うまでも無い。
【００６５】
なお溝１２１の内部に、シールド部１１２の一部が入っても良いが、溝１２１を、シールド部１１２となる金属膜が充填する必要は無い。
【００６６】
図４において、倍率は２００倍であり、Ｈ型のスケールが１００μｍの長さを示している。
【００６７】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図４の部分拡大写真である。図５（Ａ）は、図４に示した上向内層配線１０７と、シールド部１１２との接続部分の拡大図である。図５（Ａ）に示すように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に第１のダレ部１１０を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第１のダレ部１１０が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００６８】
図５（Ｂ）は、図４に示した下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続部分の拡大図である。図５（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に第２のダレ部１１１を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお下向内層配線１０９の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第２のダレ部１１１が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００６９】
また溝１２１を設け、この溝１２１の一部に、下向内層配線１０９の一部を第２のダレ部１１１として充填することは有用である。
【００７０】
なお図５（Ｂ）に示すように、溝１２１を、一種のクラック（あるいは割れ）を利用した場合であって、絶縁層１１３に内蔵されたガラス繊維１１９によって、それ以上の成長が抑制されるので、信頼性等に影響を与えることはない。
【００７１】
図５（Ｃ）は、図４に示したスケールを拡大したものであり、Ｈ型のスケールが１００μｍを示している。図５に示すように、溝１２１の最大長さは２００μｍ以下（望ましくは１００μｍ以下）、溝１２１の厚み（あるいは高さ）は、５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下）が望ましい。溝１２１の最大長さが２００μｍを超え、あるいは厚みが５０μｍを超えた場合、ガラス繊維１１９による抑制効果が低下する場合がある。
【００７２】
図６（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図５（Ａ）〜（Ｃ）の模式図である。
【００７３】
図６（Ａ）は、図５（Ａ）に示した上向内層配線１０７と、シールド部１１２との接続部分の模式図である。図６（Ａ）に示すように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に第１のダレ部１１０を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第１のダレ部１１０が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００７４】
図６（Ｂ）は、図５（Ｂ）に示した下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続部分の模式図である。図６（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に第２のダレ部１１１を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお下向内層配線１０９の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第２のダレ部１１１が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００７５】
また溝１２１を設け、この溝１２１の一部に、下向内層配線１０９の一部を第２のダレ部１１１として充填することは有用である。
【００７６】
なお図６（Ｂ）に示すように、溝１２１を、一種のクラック（あるいは割れ）を利用した場合であって、絶縁層１１３に内蔵されたガラス繊維１１９によって、それ以上の成長が抑制されるので、信頼性等に影響を与えることはない。
【００７７】
図６（Ｃ）は、図５（Ｃ）に示したスケールを拡大したものであり、Ｈ型のスケールが１００μｍを示している。図６（Ｃ）の矢印１１６に示すように、溝１２１の最大長さは２００μｍ以下（望ましくは１００μｍ以下）、溝１２１の厚み（あるいは高さ）は、５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下）が望ましい。溝１２１の最大長さが２００μｍを超え、あるいは厚みが５０μｍを超えた場合、ガラス繊維１１９による抑制効果が低下する場合がある。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明のモジュール及びその製造方法は、シールド部となるスパッタで形成した金属膜と、モジュールのグランド電極となる下向内層配線との接続安定性を高めることができ、基板部からの漏洩ノイズを効果的に低減することで、ＥＭＩやＥＭＣ特性に優れたモジュールであり、電子機器の小型化、高密度実装、更には狭隣接実装を実現することができる。
【符号の説明】
【００７９】
１０１ モジュール
１０２ モールド部
１０３ 基板部
１０４ 電子部品
１０５ 半田部
１０６ 上面配線
１０７ 上向内層配線
１０８ 裏面配線
１０９ 下向内層配線
１１０ 第１のダレ部
１１１ 第２のダレ部
１１２ シールド部
１１３ 絶縁層
１１４ 光沢面
１１５ 粗面
１１６ 矢印
１１７ 接着層
１１８ ダイシング溝
１１９ ガラス繊維
１２０ フィラー
１２１ 溝
１２２ ソルダーレジスト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層と、銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する基板部と、
前記上面配線に実装された電子部品と、
この電子部品を前記基板部上でモールド封止するモールド部と、
この断面に第１のダレ部を伴って露出した前記上向内層配線と、第２のダレ部を伴って露出した前記下向内層配線と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有するモジュールであって、
前記第１のダレ部より、第２のダレ部を大きくしたモジュール。
【請求項２】
第１のダレ部と、第２のダレ部とは、共に、光沢面と粗面とを有する銅箔からなる内層配線の、前記光沢面に設けたものである請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
少なくとも、
銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する基板部に、電子部品を実装する実装工程と、
前記電子部品を前記基板部上で樹脂モールドし、モールド構造体とする封止工程と、
前記モールド構造体を、ダイシング装置を用いて複数に切断する切断工程と、
前記切断工程で得られた切断品の５面を覆う金属膜を、スパッタで形成する金属膜工程と、
を有するモジュールの製造方法であって、
前記切断工程によって、前記上向内層配線に第１のダレ部を、前記下向内層配線に、前記第１のダレ部より大きい、第２のダレ部を形成し、
前記金属膜工程において、前記第１のダレ部を有する前記上向内層配線と、前記第２のダレ部を有する前記下向内層配線とに、前記金属膜を形成するモジュールの製造方法。
【請求項１】
芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層と、銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する基板部と、
前記上面配線に実装された電子部品と、
この電子部品を前記基板部上でモールド封止するモールド部と、
この断面に第１のダレ部を伴って露出した前記上向内層配線と、第２のダレ部を伴って露出した前記下向内層配線と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有するモジュールであって、
前記第１のダレ部より、第２のダレ部を大きくしたモジュール。
【請求項２】
第１のダレ部と、第２のダレ部とは、共に、光沢面と粗面とを有する銅箔からなる内層配線の、前記光沢面に設けたものである請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
少なくとも、
銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する基板部に、電子部品を実装する実装工程と、
前記電子部品を前記基板部上で樹脂モールドし、モールド構造体とする封止工程と、
前記モールド構造体を、ダイシング装置を用いて複数に切断する切断工程と、
前記切断工程で得られた切断品の５面を覆う金属膜を、スパッタで形成する金属膜工程と、
を有するモジュールの製造方法であって、
前記切断工程によって、前記上向内層配線に第１のダレ部を、前記下向内層配線に、前記第１のダレ部より大きい、第２のダレ部を形成し、
前記金属膜工程において、前記第１のダレ部を有する前記上向内層配線と、前記第２のダレ部を有する前記下向内層配線とに、前記金属膜を形成するモジュールの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図６】
【図７】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図６】
【図７】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−１５９７８７（Ｐ２０１１−１５９７８７Ａ）
【公開日】平成２３年８月１８日（２０１１．８．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２００４４（Ｐ２０１０−２００４４）
【出願日】平成２２年２月１日（２０１０．２．１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月１８日（２０１１．８．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月１日（２０１０．２．１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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