乾燥方法及び乾燥装置
【課題】膜の固化状態を簡便に検出しながら固化する乾燥方法及び乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板１５に形成される膜の乾燥方法に係り、基板に隔壁部６０を形成する隔壁形成工程と、隔壁部６０に囲まれた塗布領域６１に液状体６２を塗布する塗布工程と、塗布された液状体６２を乾燥して固化する固化工程と、を有し、固化工程は、液状体６２の表面に対して斜め方向から光４０を照射し、液状体６２の表面から反射する光４０の光量を検出する検出工程と反射する光４０の光量を用いて液状体６２の固化状態を判断する固化判断工程とを有する。
【解決手段】基板１５に形成される膜の乾燥方法に係り、基板に隔壁部６０を形成する隔壁形成工程と、隔壁部６０に囲まれた塗布領域６１に液状体６２を塗布する塗布工程と、塗布された液状体６２を乾燥して固化する固化工程と、を有し、固化工程は、液状体６２の表面に対して斜め方向から光４０を照射し、液状体６２の表面から反射する光４０の光量を検出する検出工程と反射する光４０の光量を用いて液状体６２の固化状態を判断する固化判断工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾燥方法及び乾燥装置に係り、特に簡便に乾燥状態を判断する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置のカラーフィルタや有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）の発光素子等において、インクジェット法を用いて膜を形成する方法が活用されている。この膜を形成する工程では、最初に、膜を形成する膜形成領域を囲んでバンクを形成する。次に、膜を形成する液状材料を膜形成領域に塗布する。そして、液状材料を乾燥して固化することにより膜を形成している。
【０００３】
この膜の膜厚を均一にすることにより光学特性を改善する方法が特許文献１に開示されている。これによれば、有機ＥＬ材料を塗布した後、紫外光を照射して蛍光カメラで撮像する。そして、撮像した画像を解析することにより有機ＥＬ材料の膜厚を測定して乾燥条件を自動調整していた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２８００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の方法では紫外線を放射することから人体に対して危害を及ぼす危険性があった。又、蛍光を撮像する特殊カメラを用いることから簡便な方法でないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる乾燥方法は、基板に塗布された液状体を固化して膜を形成する乾燥方法であって、前記基板に隔壁部を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁部に囲まれた塗布領域に前記液状体を塗布する塗布工程と、塗布された前記液状体を乾燥して固化する固化工程と、を有し、前記固化工程は、前記液状体に対して斜め方向から光を照射し、前記液状体からの反射光の光量を検出する検出工程と前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断する固化判断工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
この乾燥方法によれば、隔壁部により囲まれた塗布領域に液状体が塗布され、乾燥するにとにより固化される。このとき、液状体が乾燥するに従い、表面形状が変形する。隔壁部より高くなる量の液状体が塗布されるとき、液状体に表面張力が働くので、液状体の形状が凸状となる。そして、液状体の乾燥が進むにつれて、液状体の一部が蒸発して、凸状から平坦な面に近づく。さらに乾燥を継続するとき、略平坦な面から凹状の面に推移することもある。
【０００９】
そして、この液状体に斜めから光を照射し、液状体の表面で反射する反射光と液状体の内部に進行して基板から反射する反射光を検出する。このとき、液状体の形状が変化することより、反射光の分布も変化する。そして、反射光を検出することにより、液状体の固化状態を判断することができる。その結果、液状体に対して光を照射して反射光を検出することで固化状態が判断できることから、簡便な方法で固化状態を判断することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、前記固化判断工程では、前記反射光の光量が増加した後減少するときの変化点を用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００１１】
この乾燥方法によれば、正反射する光を検出している。液状体の表面が凸状のときと凹状のとき、液状体に対して斜め方向から光を照射しても、光は正反射し難くなっている。そして、液状体の表面が略平坦のとき、液状体に対して斜め方向から光を照射することにより正反射させることができる。従って、正反射する光を検出することにより液状体の表面が略平坦な状態になっていることを判断することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、前記固化判断工程では、前記反射光の光量を用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００１３】
この乾燥方法によれば、正反射する光以外の光を検出している。液状体の表面が凸状のときと凹状のとき、液状体に対して斜め方向から照射した光の反射光は指向性の弱い光分布となっている。そして、液状体の表面が平坦に近づくにつれて、指向性の強い光分布となる。そして、正反射する光以外の光は、液状体の表面が平坦に近づくにつれて弱くなる。次に、平坦から凹状に進行するに従い、正反射する光以外の光は強くなる。従って、正反射する光以外の光を検出することにより液状体の表面が凸状又は凹状の状態になっていることを判断することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記検出工程では、前記正反射する光の検出に加え、前記液状体からの前記反射光の内、前記正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、前記固化判断工程では、前記正反射する光の光量と、前記正反射する光以外の光の光量とを用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００１５】
この乾燥方法によれば、正反射する光と、正反射する光以外の光とを用いて液状体の固化状態を判断している。正反射する光を検出するとき、液状体の表面が略平坦の状態の判断が可能である。そして、正反射する光以外の光を検出するとき、液状体の表面が凸状のときと凹状のときの状態の判断をすることができる。従って、正反射する光と、正反射する光以外の光とを用いるとき、液状体の表面が、略平坦の状態と、凸状又は凹状の状態との両方の判断を行うことができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記隔壁形成工程では、複数の前記塗布領域を形成し、前記塗布工程では、複数の前記塗布領域に異なる量の前記液状体を塗布し、前記検出工程では、複数の前記塗布領域における前記反射光の光量を検出し、前記固化判断工程では、複数の前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断することを特徴とする。
【００１７】
この乾燥方法によれば、複数の塗布領域において反射光を検出している。従って、複数の塗布領域における固化状態を判断することができる。
【００１８】
［適用例６］
上記適用例にかかる乾燥方法において、異なる量の前記液状体が塗布された前記塗布領域が混在して配置されることを特徴とする。
【００１９】
この乾燥方法によれば、複数の塗布領域が配置され、塗布領域には異なる量の液状体が塗布されている。大量の液状体が塗布されている塗布領域の近くと、小量の液状体が塗布されている塗布領域の近くとでは、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ乾燥速度にムラが生じる。そして、大量の液状体が塗布されている塗布領域と、小量の液状体が塗布されている塗布領域とが混在して配置されているので、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ難くなっている。従って、乾燥速度のムラに影響を受けずに固化状態を判断することができる。
【００２０】
［適用例７］
上記適用例にかかる乾燥方法において、複数配置された前記塗布領域の内側に比べて、外側の前記塗布領域に大きい量の前記液状体が塗布されることを特徴とする。
【００２１】
この乾燥方法によれば、塗布量の小さい塗布領域が塗布量の大きい塗布領域に囲まれて配置されている。つまり、蒸発溶媒の分子分圧の小さい場所が、蒸発溶媒の分子分圧の大きい場所に囲まれている。従って、蒸発溶媒の分子分圧の小さい場所が、蒸発溶媒の分子分圧の大きい場所の影響を受けて、蒸発溶媒の分子分圧が大きくなり易くなっている。その結果、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ難くなり、乾燥速度のムラに影響を受けずに固化状態を判断することができる。
【００２２】
［適用例８］
上記適用例にかかる乾燥方法において、複数の前記塗布領域の内、少なくとも一部の前記塗布領域において、前記塗布領域の面積及び前記隔壁部の高さが略同じに形成されていることを特徴とする。
【００２３】
この乾燥方法によれば、液状体の量を大きくするとき液状体の表面が凸状となり、少なくすると凹状にすることができる。そして、液状体の量を変えることにより、凸状の大きさを変えることができる。つまり、塗布する液状体の量を調整することにより、液状体が蒸発して略平坦になるまでの液状体の量を制御することができる。
【００２４】
［適用例９］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化工程は固化条件調整工程を有し、前記固化条件調整工程では、前記固化判断工程で判断した固化状態に応じて、前記液状体の周囲を流動する気流の速度と、前記液状体の周囲の気圧との内少なくとも一方を調整することを特徴とする。
【００２５】
この乾燥方法によれば、液状体の固化状態に応じて乾燥条件を変更している。従って、膜の固化状態に応じて乾燥速度を変更することができる。
【００２６】
［適用例１０］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化判断工程は前記固化工程を終了する判断を行うことを特徴とする。
【００２７】
この乾燥方法によれば、固化状態を確認して固化工程を終了している。通常、固化工程は固化に要する時間を用いて管理することが多い。そして、確実に固化するためには、固化に必要な時間より長い時間乾燥を行う必要がある。この方法では、固化に必要な時間より長い時間乾燥を行う必要がない。従って、乾燥時間を管理する方法に比べて、生産性良く固化することができる。
【００２８】
［適用例１１］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化工程では、前記液状体が固化する時間を測定し、前記液状体が固化する時間を用いて保守を行う判断をする保守要否判断工程を備えることを特徴とする。
【００２９】
この乾燥方法によれば、固化にかかる時間を用いて保守作業が必要か否かを判断している。液状体に含まれる溶媒が気化するとき、気化した溶媒の一部が排出されずに乾燥装置内の内壁等に付着して結露することがある。結露した溶媒が気化するとき、基板に塗布された液状体が乾燥するのを阻害する要因となる。この方法では、液状体が固化する時間が所定の時間より長いとき保守を行う判断をするので、液状体が固化する時間が長くならないように維持することができる。従って、生産性良く乾燥することができる。
【００３０】
［適用例１２］
上記適用例にかかる乾燥方法では、前記検出工程において、前記液状体に照射する光は間欠照射されることを特徴とする。
【００３１】
この乾燥方法によれば、液状体に光が常時照射されないので、液状体が光により加熱され難くなっている。従って、液状体の乾燥状態が照射する光の影響を受け難いので、精度良く乾燥状態を判断することができる。
【００３２】
［適用例１３］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化工程では、前記液状体の周囲に気流を形成し、前記検出工程では、前記気流の流速の早い場所に位置する前記塗布領域に光を照射し、前記液状体からの前記反射光の光量を検出することを特徴とする。
【００３３】
この乾燥方法によれば、乾燥し易い場所と乾燥し難い場所とがある時、乾燥し易い場所における液状体の乾燥状態を判断している。そして、乾燥し易い場所は乾燥し難い場所に比べて固化の変化が早いので、変化の早い場所の固化状態に対応して乾燥条件を調整することができる。
【００３４】
［適用例１４］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化工程では、前記液状体の周囲に気流を形成し、前記固化工程は固化条件調整工程を有し、前記検出工程では、複数の前記塗布領域に光を照射し、前記液状体からの前記反射光の光量を検出し、前記固化判断工程では、複数の前記塗布領域における固化状態を判断し、前記固化条件調整工程では、前記固化判断工程で判断した固化状態に応じて、複数の前記塗布領域の速度分布を調整することを特徴とする。
【００３５】
この乾燥方法によれば、液状体の固化状態を判断し、固化状態に応じて気流の速度分布を調整している。気流の速度が速い場所では早く固化させることができることから、気流を制御することにより基板内で液状体が固化する分布を制御することができる。そして、基板内の塗布領域において、略同時に固化が終了するように乾燥することができる。一部分が遅れて乾燥するとき、その部分が乾燥する時間だけ長く乾燥時間がかかる。この場合に比べて、生産性良く乾燥することができる。
【００３６】
［適用例１５］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、前記固化判断工程では、光量と閾値とを比較して固化状態を判断することを特徴とする。
【００３７】
この乾燥方法によれば、予め反射光の光量と固化状態との相関を調べて、固化状態を判断する閾値が設定されている。そして、この閾値と光量とを比較して固化状態を判断している。この方法は光量の増減の変化点を検出する方法に比べて、簡便に固化状態を判断することができる。
【００３８】
［適用例１６］
本適用例にかかる乾燥装置は、基板の塗布領域に塗布された液状体を乾燥することにより固化して膜を形成する乾燥装置であって、前記液状体に対して斜め方向から光を照射する照射部と、前記液状体からの反射光の光量を検出する検出部と、前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断する固化判断部とを有することを特徴とする。
【００３９】
この乾燥装置によれば、液状体に斜めから光を照射し、液状体の表面で反射する反射光と液状体の内部に進行して基板から反射する反射光を検出する。このとき、液状体の形状が変化することより、反射光の分布も変化する。そして、反射光を検出することにより、液状体の固化状態を判断することができる。その結果、照射部と検出部とによる出力から固化判断部が固化状態を判断できることから、簡便な方法で固化状態を判断することができる。
【００４０】
［適用例１７］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記照射部は、略平行に進行する光を照射し、前記検出部は、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、前記固化判断部は、光量が増加した後減少するときの変化点を用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００４１】
この乾燥装置によれば、正反射する光を検出している。液状体の表面が凸状のときと凹状のとき、液状体に対して斜め方向から光を照射しても、光は正反射し難くなっている。そして、液状体の表面が略平坦のとき、液状体に対して斜め方向から略平行な光を照射することにより正反射させることができる。従って、正反射する光を検出することにより液状体の表面が略平坦な状態になっていることを判断することができる。
【００４２】
［適用例１８］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記検出部は、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、前記固化判断部は、光量を用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００４３】
この乾燥装置によれば、正反射する光以外の光を検出している。液状体の表面が凸状のときと凹状のとき、液状体に対して斜め方向から照射した光の反射光は指向性の弱い光分布となっている。そして、液状体の表面が平坦に近づくにつれて、指向性の強い光分布となる。従って、正反射する光以外の光は、液状体の表面が平坦に近づくにつれて弱くなる。次に、平坦から凹状に進行するに従い、正反射する光以外の光は強くなる。従って、正反射する光以外の光を検出することにより液状体の表面が凸状又は凹状の状態になっていることを判断することができる。
【００４４】
［適用例１９］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記検出部は、前記正反射する光の検出に加え、前記液状体からの前記反射光の内、前記正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、前記固化判断部は、前記正反射する光の光量と、前記正反射する光以外の光の光量とを用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００４５】
この乾燥装置によれば、正反射する光と、正反射する光以外の光とを用いて液状体の固化状態を判断している。正反射する光を検出するとき、液状体の表面が略平坦の状態の判断が可能である。そして、正反射する光以外の光を検出するとき、液状体の表面が凸状のときと凹状のときの状態の判断をすることができる。従って、正反射する光と、正反射する光以外の光とを用いるとき、液状体の表面が、略平坦の状態と、凸状又は凹状の状態との両方の判断を行うことができる。
【００４６】
［適用例２０］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記塗布領域の周囲に気流を形成する送風部と、前記送風部を制御して前記気流の速度を調整する固化条件調整部とを有し、前記固化条件調整部は、前記固化判断部が判断した固化状態に応じて、前記液状体の周囲を流動する前記気流の速度を調整することを特徴とする。
【００４７】
この乾燥装置によれば、固化条件調整部が液状体の固化状態に応じて送風部を制御する。そして、気流の速度を調整することにより、乾燥条件を変更している。従って、乾燥状態に応じて乾燥速度を変更することができる。
【００４８】
［適用例２１］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記基板を内部に配置する乾燥室と、前記乾燥室内の気圧を減圧する減圧部と、前記減圧部を制御して前記気圧を調整する固化条件調整部とを有し、前記固化条件調整部は、前記固化判断部が判断した固化状態に応じて、前記乾燥室内の前記気圧を調整することを特徴とする。
【００４９】
この乾燥装置によれば、固化条件調整部が液状体の固化状態に応じて減圧部を制御する。そして、乾燥室内の気圧を調整することにより、乾燥条件を変更している。従って、乾燥状態に応じて乾燥速度を変更することができる。
【００５０】
［適用例２２］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記照射部は前記基板と異なる場所に塗布された液状体に対して斜め方向から光を照射し、前記検出部は前記基板と異なる場所に塗布された前記液状体からの前記反射光の光量を検出することを特徴とする。
【００５１】
この乾燥装置によれば、基板内と異なる場所に塗布された液状体の固化状態を検出している。従って、基板内に固化状態を観測するための塗布領域を設ける必要がない。従って、基板を効率良く用いることができる。
【００５２】
［適用例２３］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記検出部は複数の光検出素子が広い範囲に配置されていることを特徴とする。
【００５３】
この乾燥装置によれば、検出部は複数の光検出素子を備え、各光検出素子が塗布領域に塗布された液状体から反射された反射光の分布を検出することができる。従って、広い範囲の反射光を検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
以下、実施形態について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
本実施形態では乾燥装置とこの乾燥装置を用いて膜を形成する場合の特徴的な例について図１〜図１２に従って説明する。
【００５５】
図１（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略側断面図であり、図１（ｂ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’における断面である。図１に示すように、乾燥装置１は、液状体が塗布された基板を乾燥室内に収容し、液状体の溶媒を減圧下で蒸発させ乾燥させる減圧乾燥法を行う装置である。
【００５６】
乾燥装置１は外形が略直方体に囲まれた外壁２を備え、外壁２により内側が空洞に形成された乾燥室３を備えている。乾燥室３は上下方向の略中央に隔壁部４を備え、隔壁部４により乾燥室３は上側の第１室５と下側の第２室６とに分割されている。隔壁部４の平面方向の中央には略直方体の基台７が形成され、基台７の長手方向をＸ方向とし、Ｘ方向と直交する方向をＹ方向する。そして、上下方向をＺ方向とする。
【００５７】
隔壁部４には第１室５と第２室６とを連通する連通口８が基台７の周囲に沿って８個設けられている。各連通口８には図示しないモータの軸と連動して回転する回転軸９が配置され、回転軸９と連動して回転する連通弁１０が設けられている。各連通弁１０は連通口８と略同じ大きさに形成され、連通弁１０が回転することにより、第１室５と第２室６との間を流れる気流の遮断及び流動が切換可能と可能となっている。
【００５８】
基台７の上面には１対の案内レール１１がＹ方向に延在して配置されている。案内レール１１の上側には移動テーブル１２が配置され、移動テーブル１２は図示しない直動機構によりＹ方向に移動可能となっている。Ｙ方向の逆方向の外壁２には案内レール１１が貫通して配置され、案内レール１１は外壁２より突き出して形成されている。そして、案内レール１１の突き出している部分はレール支持部２ａにより支持されている。外壁２において案内レール１１近辺には開閉可能に形成された除給材扉１３が形成されている。除給材扉１３は図示しない開閉装置を備えている。そして、移動テーブル１２が案内レール１１に沿って移動し除給材扉１３を通過するとき、除給材扉１３が開口する。次に、移動テーブル１２が除給材扉１３を通過した後、除給材扉１３が閉鎖することにより、除給材扉１３から気流が流入及び流出しないようになっている。
【００５９】
移動テーブル１２の上面には、載置面１４が形成され、その載置面１４には、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。そして、載置面１４に基板１５を載置すると、基板チャック機構によって、その基板１５が載置面１４の所定位置に位置決め固定されるようになっている。
【００６０】
基台７の上側には移動テーブル１２の４隅の近くに支持部１６が４箇所立設され、各支持部１６の上端には各支持部１６の間を架橋する架橋部１７が形成されている。そして、この架橋部１７には８個の液面検出装置１８が配置されている。基板１５周辺の基板１５と対向する場所に液面検出装置１８が配置され、基板１５のＸ方向両端の上側に各１個、基板１５のＹ方向両端の上側に各３個の液面検出装置１８が配置されている。
【００６１】
第１室５の中であって移動テーブル１２の上側には整流器１９が配置され、この整流器１９を通過する気流を整流器１９が多方向に分散して流動させている。外壁２の上部中央付近には、供給口２０が設けられており、配管２１を介して吸気バルブ２３と接続されている。そして、吸気バルブ２３は配管２４を介して気体調整装置２５と接続されている。気体調整装置２５は通過する気体の湿度及び温度を調整し気体に含まれる塵を除去する装置である。気体調整装置２５は配管２６を介して窒素ガス供給装置２７に接続されている。そして、供給口２０からは、塵が除去され温度及び湿度が調整された窒素ガスが供給されるようになっている。
【００６２】
第２室６の下部（底面）中央付近には、排気口２８が設けられており、排気口２８は配管２９を介して排気バルブ３０と接続されている。そして、排気バルブ３０は配管３１を介して排気装置３２と接続されている。そして、排気装置３２、吸気バルブ２３、排気バルブ３０、連通弁１０等により送風部及び減圧部が構成されている。
【００６３】
第１室５及び第２室６の側壁には圧力計３３が設けられ、第１室５及び第２室６内の減圧状態が測定可能となっている。そして、第１室５の連通口８付近では外壁２及び基台７に流速計３４が配置され、連通口８を通過する気流の速度が測定可能となっている。
【００６４】
窒素ガス供給装置２７が供給する窒素ガスは配管２４、吸気バルブ２３、配管２１、供給口２０を通過して乾燥室３の第１室５に供給される。そして、窒素ガスの気流が整流器１９を通過するとき気流が分散して基板１５の近くを通過する。その後、気流は連通口８を通過して第２室６に流入する。そして、気流は排気口２８、配管２９、排気バルブ３０、配管３１を通過して排気装置３２により排出される。乾燥室３内の気圧は圧力計３３を用いて測定され、連通口８付近の流速は流速計３４を用いて測定される。そして、排気装置３２が吸引する気圧、吸気バルブ２３、連通弁１０、排気バルブ３０を制御することにより、乾燥室３内の気圧と、内部を流れる気流の流速が制御される。この気圧と気流の流速を調整することにより基板１５に塗布された液状体の乾燥速度が制御可能となっている。
【００６５】
図２は液面検出装置の構造を示す模式断面図である。図２に示すように、液面検出装置１８は照射部３７、検出部としての第１検出部３８、検出部としての第２検出部３９を備えている。そして照射部３７が基板１５に光４０を照射し、基板１５にて反射する光４０を第１検出部３８及び第２検出部３９が検出するようになっている。そして、照射部３７が照射する光４０の光軸４１と基板１５との成す角度４２と第１検出部３８の光軸４３が基板１５と成す角度４４とは略同じ角度に設定され、例えば、本実施形態では３０度に設定されている。そして、照射部３７が照射する光４０が基板１５にて正反射するとき、この正反射した光４０の光量を第１検出部３８が検出可能となっている。第２検出部３９の光軸４５が基板１５と成す角度４６は、第１検出部３８の光軸４３が基板１５と成す角度４４より大きな角度に設定され、例えば、本実施形態では６０度に設定されている。そして、照射部３７が照射する光４０が基板１５にて乱反射するとき、この乱反射した光４０の一部を第２検出部３９が検出可能となっている。
【００６６】
照射部３７は光源４７を備えている。光源４７は同一の光量の光を安定して発光するものであれば良く、レーザダイオード、蛍光管、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、白熱灯、冷陰極管等を用いることができる。本実施形態では、例えば、ＬＥＤを採用している。光源４７の光軸４１上には集光レンズ４８、絞り板４９、コリメートレンズ５０が配置されている。光源４７が発光する光４０は集光レンズ４８により集光される。そして、集光される場所に絞り板４９の瞳部４９ａが配置されている。この瞳部４９ａにコリメートレンズ５０の焦点が位置するようにコリメートレンズ５０を配置されている。このとき、コリメートレンズ５０から照射される光４０は略平行な光線となる。
【００６７】
第１検出部３８は集光レンズ５１と光検出部５２等により構成されている。そして、基板１５にて反射した光４０は集光レンズ５１により集光され光検出部５２を照射する。この光検出部５２は光４０の光量の増減を電気信号に変換する機能を備え、この光検出部５２には光電管、フォトダイオード、等を用いることができる。本実施形態に置いては、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）カメラを採用した。ＣＣＤカメラは光電変換素子が複数配置されているので、複数の場所から反射される光４０を検出することができる。第２検出部３９も集光レンズ５３と光検出部５４等により構成され、第１検出部３８と同様の機能を備えている。
【００６８】
図３（ａ）は基板の測定場所を説明する模式平面図である。図３（ａ）に示すように、基板１５は中央に機能領域５７が配置され、機能領域５７の周辺には予備領域５８が配置されている。機能領域５７は特定の機能を有する機能膜を形成する領域であり、予備領域５８は機能膜の形成以外の用途に用いられる領域である。そして、予備領域５８において基板１５の４隅と４辺の約中間の場所には液面検出領域５９が８箇所設定されている。
【００６９】
図３（ｂ）は液面検出領域を説明する模式平面図であり、図３（ｃ）は液面検出領域を説明する模式断面図である。そして、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＢ−Ｂ’における断面を示している。図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、液面検出領域５９には隔壁部６０が格子状に配置されている。この隔壁部６０に囲まれた複数の塗布領域６１は各々略同じ面積に形成され、隔壁部６０は略同じ高さに形成されている。そして、この隔壁部６０には液状体６２が塗布され、この液状体６２の塗布量は大中小の３水準形成されている。そして、塗布量が大の領域である大領域６３、塗布量が中の領域である中領域６４、塗布量が小の領域である小領域６５が混在して配置されている。
【００７０】
図４は液状体に照射される光の挙動を説明する図である。図４（ａ）は液状体６２が凸状であり、図４（ｂ）は液状体６２が平面状であり、図４（ｃ）は液状体６２が凹状となっている。図４（ａ）に示すように、塗布領域６１に液状体６２が凸状に塗布されている。そして、光４０が液状体６２に照射されるとき、一部の光４０は液状体６２の表面で反射し、一部の光４０は液状体６２の内部に入射する。反射と入射とは液状体６２の表面に対する光４０の入射角と液状体６２の屈折率により切り換わる。そして、液状体６２の表面形状が曲面となっているので、反射及び入射した光４０が進行する方向は多方向に進行する。そして、液状体６２の内部に入射した光４０は基板１５を照射し、この光４０は基板１５において反射した後液状体６２を通過する。つまり、液状体６２が凸状のとき、液状体６２において反射及び通過する光４０は多方向に進行する。そして、図２に示す照射部３７から照射する光４０は図２に示す第２検出部３９の方向に進行する。
【００７１】
図４（ｂ）では、塗布領域６１に液状体６２が平面状に塗布されている。そして、光４０が液状体６２に照射されるとき、一部の光４０は液状体６２の表面で反射し、一部の光４０は液状体６２の内部に入射する。そして、液状体６２の表面形状が平面状となっているので、反射した光４０が進行する方向は略１方向に進行する。そして、液状体６２の内部に入射した光４０は基板１５を照射し、この光４０は基板１５において反射した後、液状体６２を通過する。このとき、液状体６２は表面と底面とが平行な面となっているので、液状体６２の表面で反射する光４０の進行方向と液状体６２の内部を通過する光４０の進行方向は略同一の方向となる。そして、照射部３７から照射する光４０は図２に示す第１検出部３８の方向に進行する。このとき、液状体６２を照射する光４０と基板１５とが成す角度４２は、反射する光４０が基板１５と成す角度４４と略同じ角度となる。
【００７２】
図４（ｃ）では、塗布領域６１に液状体６２が凹状に塗布されている。そして、光４０が液状体６２に照射されるとき、一部の光４０は液状体６２の表面で反射し、一部の光４０は液状体６２の内部に入射する。そして、液状体６２の表面形状が曲面となっているので、反射及び入射した光４０が進行する方向は多方向に進行する。そして、液状体６２の内部に入射した光４０は基板１５を照射し、この光４０は基板１５において反射した後液状体６２を屈折して通過する。つまり、液状体６２が凹状のとき、液状体６２において反射及び通過する光４０は多方向に進行する。
【００７３】
図５は液状体の形状と反射光の光量との関係を説明する図である。図５（ａ）は液状体の形状を示す模式断面図である。図５（ｂ）は液状体の形状と第１検出部が検出する光量との関係を示すグラフであり、図５（ｃ）は液状体の形状と第２検出部が検出する光量との関係を示すグラフである。図５（ａ）に示すように、隔壁部６０に囲まれた塗布領域６１に液状体６２が塗布されている。そして、隔壁部６０の隔壁部上面６０ａと液状体６２の中央部６２ａのＺ方向（液状体６２の厚さ方向）の差を突出量６６とする。液状体６２が凸状のとき突出量６６の値は正数となり、液状体６２が凹状のとき突出量６６の値は負数となる。そして、液状体６２の中央部６２ａが隔壁部上面６０ａと同じ面になるとき、突出量６６の値は零となり、液状体６２は略平面状となる。
【００７４】
図５（ｂ）において横軸は突出量６６を示し、左側が大きく右側が小さくなっている。縦軸は図２に示す第１検出部３８が受光する光量６７を示し、上側が大きく下側が小さくなっている。そして、受光量曲線６８は突出量６６の変化に対する光量６７の変化の推移を示している。受光量曲線６８が示すように突出量６６が大きいとき光量６７は小さくなっている。このとき、液状体６２に入射する光は乱反射する状態となっている。そして、突出量６６が零地点６６ａに近づくにつれて光量６７が増加し、突出量６６が零地点６６ａとなるとき変化点としての極値６８ａとなる。このとき、液状体６２は平面状となり、液状体６２を照射する光４０が正反射するので、第１検出部３８が検出する光量６７が大きくなる。突出量６６が零地点６６ａの近辺では、正反射する場所の面積が急激に変化するので、受光量曲線６８の変化が大きくなる。そして、突出量６６がさらに減るとき、液状体６２は凹状となり、液状体６２を照射する光４０が乱反射するので、第１検出部３８が検出する光量６７が小さくなる。
【００７５】
図５（ｃ）において横軸は突出量６６を示し、左側が大きく右側が小さくなっている。縦軸は図２に示す第２検出部３９が受光する光量６７を示し、上側が大きく下側が小さくなっている。そして、受光量曲線６９は突出量６６の変化に対する光量６７の変化の推移を示している。受光量曲線６９が示すように突出量６６が大きいとき光量６７は大きくなっている。このとき、液状体６２に入射する光は乱反射する状態となっている。そして、乱反射する光４０の一部を第２検出部３９が受光しているので、光量６７が大きくなっている。次に、突出量６６が零地点６６ａに近づくにつれて光量６７が減少し、突出量６６が零地点６６ａとなるとき変化点としての極値６９ａとなる。このとき、液状体６２は平面状となり、液状体６２を照射する光４０が正反射するので、第２検出部３９が検出する光量６７が小さくなる。そして、突出量６６がさらに減るとき、液状体６２は凹状となり、液状体６２を照射する光４０が乱反射するので、第２検出部３９が検出する光量６７が大きくなる。以上のように、第１検出部３８及び第２検出部３９が受光する光量６７を検出することにより液状体６２の液面の状態を認識することが可能となっている。
【００７６】
図６は、乾燥装置の電気制御ブロック図である。図６において、乾燥装置１の制御装置７０はプロセッサとして各種の演算処理を行うＣＰＵ（演算処理装置）７１と、各種情報を記憶するメモリ７２とを有している。
【００７７】
バルブ駆動装置７３、排気装置３２、テーブル駆動装置７４、連通弁駆動装置７５、流速計３４、圧力計３３は、入出力インターフェース７６及びデータバス７７を介してＣＰＵ７１に接続されている。さらに、入力装置７８、ディスプレイ装置７９も入出力インターフェース７６及びデータバス７７を介してＣＰＵ７１に接続されている。
【００７８】
バルブ駆動装置７３は吸気バルブ２３及び排気バルブ３０を駆動して各バルブの開閉を制御する装置である。バルブ駆動装置７３が吸気バルブ２３を閉じると乾燥室３に供給される気体の量が減少する。そして、バルブ駆動装置７３が吸気バルブ２３を開くと乾燥室３に供給される気体の量が増加するので、バルブ駆動装置７３は乾燥室３に供給する気体の量を制御可能となっている。
【００７９】
バルブ駆動装置７３が排気バルブ３０を閉じると乾燥室３から排気される気体の量が減少する。そして、バルブ駆動装置７３が排気バルブ３０を開くと乾燥室３から排気される気体の量が増加するので、バルブ駆動装置７３は乾燥室３から排気する気体の量を制御可能となっている。排気装置３２は乾燥室３から気体を排気する装置であり、排気流量を制御する機能を備えている。そして、排気装置３２と排気バルブ３０とを制御することにより乾燥室３から排気する気体の量を制御可能となっている。
【００８０】
テーブル駆動装置７４は移動テーブル１２の移動及び停止と除給材扉１３の開閉を駆動する装置である。連通弁駆動装置７５は連通弁１０を駆動する装置であり、連通弁１０を通過する気流の流量を制御する機能を有している。
【００８１】
流速計３４は連通弁１０付近における気流の流速を測定する機能を備え、気流に影響を与えず測定可能であれば良く、プロペラ式流速計、熱線流速計、レーザドップラー流速計、ピトー管式流速計等を用いることができる。本実施形態においては、例えば、熱線流速計を採用している。
【００８２】
圧力計３３は第１室５及び第２室６に配置され、各室の気圧を測定する。圧力計３３は気圧の差によって伸縮するダイアラムやブルドン管の変位を歪みゲージで測定する計器を用いることができる。他にも、シリコン基板に薄肉部を形成し、薄肉部上に配線を形成し、薄肉部が圧力により変化する変位量を配線抵抗の変化を用いて測定する半導体圧力センサ等を用いることができる。本実施形態においては、例えば、半導体圧力センサを採用している。
【００８３】
入力装置７８は気圧や気流の流速等の乾燥に係る各種加工条件を入力する装置である。ディスプレイ装置７９は加工条件や、作業状況を表示する装置であり、操作者はディスプレイ装置７９に表示される情報を基に入力装置７８を用いて操作を行う。
【００８４】
メモリ７２は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等といった半導体メモリや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭといった外部記憶装置を含む概念である。機能的には、乾燥装置１における動作の制御手順が記述されたプログラムソフト８０を記憶する記憶領域が設定される。さらに、基板１５を乾燥するときの条件を示す乾燥条件データ８１を記憶するための記憶領域も設定される。他にも、液面検出装置１８の出力に応じて乾燥条件を切り換える判断をするときの閾値である判断閾値データ８２を記憶するための記憶領域が設定される。さらに、液面を測定するときの測定条件である測定条件データ８３や測定した液面測定データ８４を記憶するための記憶領域が設定される。他にも、ＣＰＵ７１のためのワークエリアやテンポラリファイル等として機能する記憶領域やその他各種の記憶領域が設定される。
【００８５】
ＣＰＵ７１は、メモリ７２内に記憶されたプログラムソフト８０に従って、基板１５を乾燥するための制御を行うものである。具体的な機能実現部として、除給材扉１３の開閉や移動テーブル１２の移動を制御して、基板１５の除給材を行うための演算を行う除給材制御演算部８７を有する。さらに、気圧や気流の流速等の乾燥条件を調整する固化条件調整部８８を有する。さらに、吸気バルブ２３や排気バルブ３０の開閉量を演算するバルブ制御演算部８９や、連通弁１０の開閉量を演算する連通弁制御演算部９０を有する。他に、乾燥にかかる時間を測定する乾燥時間演算部９１や液面検出装置１８の出力から固化具合を判断する固化判断部９２等を有する。
【００８６】
固化判断部９２が液面検出装置１８の出力値を用いて液面の固化具合を判断する。そして、固化判断部９２が固化条件調整部８８に乾燥条件の継続又は変更する指示を出す。固化条件調整部８８は圧力計３３及び流速計３４の測定値を受信して乾燥条件の変更量を演算してバルブ制御演算部８９及び連通弁制御演算部９０に指示情報を出力する。次に、バルブ制御演算部８９は吸気バルブ２３及び排気バルブ３０の開閉量を演算してバルブ駆動装置７３にバルブ開閉量情報を出力する。バルブ駆動装置７３はバルブ開閉量情報を受信した後、吸気バルブ２３や排気バルブ３０の開閉量を変更する。
【００８７】
同様に、連通弁制御演算部９０は連通弁１０の開閉量を演算して連通弁駆動装置７５にバルブ開閉量情報を出力する。連通弁駆動装置７５はバルブ開閉量情報を受信した後、連通弁１０の開閉量を変更する。以上の手順により液面の固化状態に対応して乾燥条件が変更可能となっている。
【００８８】
（膜形成方法）
次に、上述した乾燥装置１を使って、基板に塗布された液状体を乾燥して固化する製造方法について図７〜図１２にて説明する。図７は、基板上に膜を形成する製造工程を示すフローチャートであり、図８〜図１２は、基板上に膜を形成する製造方法を説明する図である。
【００８９】
図７のフローチャートにおいて、ステップＳ１は、隔壁形成工程に相当し、基板上に隔壁を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、塗布工程に相当し、隔壁に囲まれた領域に液状体を塗布する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、検出工程に相当し、塗布された液面の状態を検出する工程である。次にステップＳ４移行する。ステップＳ４は、風速変更判断工程に相当し、液面の状態に応じて装置内の風速を変更するかの判断を行う工程である。風速を変更するとき、ステップＳ５に移行する。風速を変更しないとき、ステップＳ６に移行する。ステップＳ５は、固化条件調整工程に相当し、バルブ及び連通弁を調整する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ６は、固化判断工程に相当し、液状体の固化が完了したかを判断する工程である。固化が完了していないとき（未固化のとき）、ステップＳ３に移行する。固化が完了したとき（固化済のとき）、ステップＳ７に移行する。ステップＳ３〜ステップＳ６のステップを合わせてステップＳ１１の固化工程とする。このとき、乾燥時間演算部はステップＳ１１にかかる時間を測定する。ステップＳ７は、保守要否判断工程に相当し、乾燥装置を保守するか否かを判断する工程である。乾燥時間演算部が保守する必要があると判断するとき（必要のとき）、ステップＳ８に移行する。乾燥時間演算部が保守する必要がないと判断するとき（不要のとき）、製造工程を終了する。ステップＳ８は、保守工程に相当し、乾燥装置の内壁に結露した液状体を除去する工程である。以上の工程により膜形成方法を終了する。
【００９０】
次に、図８を用いて、図７に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図８（ａ）〜図８（ｄ）はステップＳ１に対応する図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、基板１５を用意し、基板１５に隔壁部の材料である隔壁部形成材料９５を塗布する。隔壁部形成材料９５は特に限定されないが、フロロカーボンガスプラズマ処理によりテフロン（登録商標）化でき、隔壁部６０に塗布する液状体６２に対して耐久性の良い有機系感光性材料を用いることが好ましい。例えば、感光性アクリル樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性ポリイミド等を用いることができる。本実施形態においては、例えば、感光性ポリイミドを採用している。そして、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の方法で、基板１５上に隔壁部形成材料９５を塗布する。次に、塗布された隔壁部形成材料９５を乾燥して固化することにより隔壁膜９６を形成する。
【００９１】
次に、図８（ｃ）に示すように、マスク９７を基板１５に重ねて、紫外光９８を照射する。マスク９７には隔壁部６０のパターンが形成され、マスク９７を通過する紫外光９８は隔壁膜９６を照射する。そして、照射された隔壁膜９６は紫外線により変質した変質部が形成される。次に、基板１５を現像する。基板１５をアルカリ現像液に浸漬して、変質部を除去する。アルカリ現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、コリン、珪酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることができる。本実施形態ではＴＭＡＨを採用している。変質部を除去した後、純水にてリンスして乾燥する。図８（ｄ）に示すように、現像することにより基板１５上に隔壁部６０が形成される。次に、基板１５及び隔壁部６０の表面を改質する。まず隔壁部底面６０ｂの親液性を改善するために大気圧プラズマ処理を行う。具体的には、例えば、ヘリウムに酸素を２０％加えた混合ガスに高電圧を印加することによりプラズマ雰囲気を形成する。このプラズマ雰囲気中に基板１５を通過させることにより基板１５が洗浄される。この洗浄により表面エネルギが向上し隔壁部底面６０ｂの親液性が改善される。
【００９２】
次に、隔壁部６０を撥液性にする表面改質を行う。表面改質としては、例えば導入ガスにフッ素又はフッ素化合物を含んだガスを使用し、減圧雰囲気下や大気圧雰囲気下でプラズマ照射をする減圧プラズマ処理や大気圧プラズマ処理を行う。フッ素系化合物を含んだガス中でプラズマ処理を行うとき、有機材料表面においてフッ素系化合物分子が有機材料表面に入り込む混入化現象により表面が非極性化される。従って、有機材料をフッ素系化合物が過多の条件でプラズマ処理すると、隔壁部６０は極性分子を含んだ流動体に対して非親和性を示し、非極性分子を含んだ流動体に対して親和性を示すようになる。フッ素又はフッ素化合物を含んだガスとしては、例えばＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3等のハロゲンガスを用いることができる。本実施形態では、例えば、ＣＦ4を採用している。
【００９３】
図８（ｅ）及び図８（ｆ）はステップＳ２に対応する図である。図８（ｅ）及び図８（ｆ）に示す様に、液滴吐出装置を用いて液状体６２を塗布する。この液滴吐出装置はノズル９９が形成された液滴吐出ヘッド１００を備え、インクジェット法を用いて液滴１０１を吐出する装置である。隔壁部６０により囲われた塗布領域６１にノズル９９から液滴１０１を吐出する。このとき、隔壁部６０には撥液性となる表面改質が行われているので、液状体６２が大量に塗布されても隔壁部上面６０ａを越え難くなっているので、液状体６２は塗布領域６１において凸状となる。
【００９４】
図８（ｇ）〜図９はステップＳ３に対応する図である。図８（ｇ）に示すように、液状体６２、隔壁部６０、基板１５に光４０を照射する。照射された光４０は反射して第１検出部３８及び第２検出部３９を照射する。第１検出部３８及び第２検出部３９が受光する光４０の光量は液状体６２の形状により変化する。
【００９５】
図９（ａ）は第２検出部が受光する光量と測定間隔との関係を示すグラフである。図９（ａ）において縦軸は第２検出部３９が受光する光量１０２を示し、上側が下側より光量１０２が小さい量となっている。横軸は第１検出部３８及び第２検出部３９が測定する測定間隔１０３を示し、右側が左側より測定間隔１０３が長くなっている。そして、測定間隔曲線１０４は第２検出部３９が受光する光量１０２に対して設定される測定間隔１０３の相関を示している。この測定間隔曲線１０４は略指数関数曲線となっており、光量１０２が小さい程測定間隔１０３が短く設定される。逆に光量１０２が大きい程測定間隔１０３が長く設定されるようになっている。液状体６２に光４０を照射するとき、乱反射する光量１０２が小さいときに第２検出部３９が受光する光量１０２が小さくなる。つまり、乱反射する光量１０２が小さいとき、測定間隔１０３が短くなるように設定する。そして、この測定間隔曲線１０４のデータはメモリ７２に測定条件データ８３の一つとして格納されている。又、照射部３７は測定するときのみ光４０を照射するので、この照射は間欠照射となっている。
【００９６】
図９（ｂ）は第２検出部が受光する光量の推移を示すグラフである。そして、図９（ｃ）は検出部における測定間隔の推移を示すグラフである。図９（ｂ）において、縦軸は第２検出部３９が受光する光量１０２を示し、上側が下側より光量１０２が大きい量となっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、光量推移曲線１０６は第２検出部３９が受光する光量１０２の時間経過に対して変化する様子を示している。そして、光量推移曲線１０６において光量１０２が最も下がる下限点１０６ａに対応する時間１０５を平坦時時間１０５ａとする。このとき、液状体６２は図４（ｂ）に示すように平坦となり照射される光４０が乱反射し難いので、第２検出部３９を照射する光４０が小さくなっている。
【００９７】
図９（ｃ）において、縦軸は第１検出部３８及び第２検出部３９が測定する測定間隔１０３を示し、上側が下側より測定間隔１０３が短くなっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、測定間隔推移曲線１０７は第１検出部３８及び第２検出部３９が測定する測定間隔１０３の時間経過に対して変化する様子を示している。そして、測定間隔推移曲線１０７が示すように平坦時時間１０５ａに近い時、第２検出部３９が受光する光量１０２が小さいので測定間隔１０３が短く設定される。そして、平坦時時間１０５ａから離れているとき第２検出部３９が受光する光量１０２が大きくなるので測定間隔１０３が長く設定される。
【００９８】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はステップＳ４及びステップＳ５に対応する図である。図１０（ａ）は第２検出部が測定する光量データの推移を示すグラフである。図１０（ａ）において、縦軸は第２検出部３９が受光する光量１０２を示し、上側が下側より光量１０２が大きい量となっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、３回測定したときの測定データ１０８と、各回における測定データ１０８の平均値である平均光量１０９が示されている。図１に示すように乾燥装置１には８個の液面検出装置１８が配置されているので、１回の測定により８箇所の光量１０２データが取得される。
【００９９】
図１０（ｂ）は平均光量との差に対する風速の補正量を示すグラフである。図１０（ｂ）において、縦軸は平均光量との差１１０であり、測定データ１０８から平均光量１０９を引いた演算値を示している。縦軸の上側が正の値を示し、下側が負の値を示している。そして、上側が下側より光量１０２が大きい量となっている。横軸は風速の補正量１１１を示し、横軸の右側が正の値を示し、左側が負の値を示している。そして、右側が左側より風速の補正量１１１が大きい量となっている。平均光量との差１１０と風速の補正量１１１との相関関係を風速補正線１１２が示している。この風速補正線１１２が示すデータはメモリ７２の乾燥条件データ８１に格納されている。
【０１００】
この風速補正線１１２が示すように第２検出部３９の測定データ１０８が大きい場所では、風速の補正量１１１を大きくして風速を大きくする。逆に、第２検出部３９の測定データ１０８が小さい場所では、風速の補正量１１１を小さくして風速を小さくする。つまり、８箇所の測定場所において液状体６２の突出量６６が大きい場所では連通弁１０を調整することにより風速を大きくして、突出量６６が小さい場所の風速を小さくしている。そして、風速の大きい場所では液状体６２の乾燥が早く進むので、突出量６６が早く小さくなる。従って、第２検出部３９が検出する光量１０２が小さくなる。つまり、第２検出部３９が測定する光量１０２が大きい場所では、連通弁１０を制御して風速を大きくすることにより、突出量６６が小さく成り易くする。従って、第２検出部３９が測定する光量１０２が他の場所に比べて早く小さくなる。逆に、第２検出部３９が測定する光量１０２が小さい場所では、連通弁１０を制御して風速を小さくすることにより、突出量６６が小さく成り難くする。そして、第２検出部３９が測定する光量１０２の変化を小さくする。その結果、図１０（ａ）に示すように時間１０５の経過に従って測定データ１０８の分散を小さくなる。つまり、基板１５の各場所において略同じ速度で固化することが可能となっている。
【０１０１】
図１１はステップＳ４〜ステップＳ６に対応する図である。図１１（ａ）は第１検出部が受光する光量の推移を示すグラフであり、図１１（ｂ）は乾燥室内の流速の推移を示すグラフである。図１１（ａ）において、縦軸は第１検出部３８が受光する光量１０２を示し、上側が下側より光量１０２が大きくなっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、第１光量推移曲線１１３、第２光量推移曲線１１４、第３光量推移曲線１１５は第１検出部３８が受光する光量１０２の時間経過に対して変化する様子を示している。この第１光量推移曲線１１３は図３（ｃ）に示す小領域６５から正反射する光量１０２の推移を示している。そして、第２光量推移曲線１１４は中領域６４から正反射する光量１０２の推移を示し、第３光量推移曲線１１５は大領域６３から正反射する光量１０２の推移を示している。
【０１０２】
小領域６５の液状体６２は中領域６４に比べて容量が小さいので、乾燥して他の領域より先に凸状から平坦になる。そして、小領域６５の液状体６２が乾燥して凸状から平坦になるとき、第１光量推移曲線１１３は最大になる。このとき第１光量推移曲線１１３が変化点としての極値１１３ａを超えるときの時間を第１平坦時１０５ｂとする。次に、中領域６４の液状体６２が乾燥して凸状から平坦になり、最後に大領域６３の液状体６２が乾燥して凸状から平坦になる。中領域６４、大領域６３の液状体６２が平坦になり、第２光量推移曲線１１４が変化点としての極値１１４ａを越えるときの時間、第３光量推移曲線１１５が変化点としての極値１１５ａを越えるときの時間、をそれぞれ、第２平坦時１０５ｃ、第３平坦時１０５ｄとする。
【０１０３】
図１１（ｂ）において、縦軸は乾燥室３の流速計３４が測定する流速１１６を示し、上側が下側より流速１１６が大きい量となっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、固化条件調整部８８が総ての流速計３４が測定する流速の平均を演算し、演算した平均値の推移を平均流速曲線１１７に示している。
【０１０４】
図１１（ｂ）に示すように、平均流速曲線１１７は初期速度１１７ａのまま固化工程を継続する。そして、第１平坦時１０５ｂにおいて流速１１６を第１速度１１７ｂまで上げる。このとき、液状体６２の表面には膜の形成が開始されており、液状体６２が流動し難くなっている。次に、第２平坦時１０５ｃにおいて流速１１６を第２速度１１７ｃまで上げる。このとき、液状体６２の表面に形成された膜の厚みが増しており、液状体６２はさらに流動し難くなっている。そして、第３平坦時１０５ｄにおいて液状体６２が固化されたと判断し、流速１１６を下げてステップＳ６を終了する。
【０１０５】
図１２はステップＳ７に対応する図であり、乾燥所要時間の推移を示すグラフである。図１２において、縦軸はステップＳ１１において固化するまでの時間である乾燥所要時間１１８を示し、上側が下側より長い時間となっている。横軸は前回保守した後、装置を稼動した回数である乾燥装置駆動回数１１９を示し、右側が左側より多い回数となっている。そして、各回における乾燥所要時間１１８の推移を乾燥時間推移曲線１２０が示している。乾燥装置１を連続駆動するとき、乾燥室３の内壁に液状体６２が結露することがある。この結露した液状体６２の量が増えてくると、基板１５に塗布された液状体６２が乾燥し難くなるので、乾燥所要時間１１８が長くなる傾向がある。従って、乾燥時間推移曲線１２０が示すように乾燥装置駆動回数１１９が多くなるにつれて乾燥所要時間１１８が長くなる。
【０１０６】
制御装置７０はメモリ７２に格納された判断閾値データ８２の一つに閾値としての保守判断閾値１２１を有している。ステップＳ１１において乾燥所要時間１１８を測定し、ステップＳ７において乾燥時間演算部９１が乾燥所要時間１１８と保守判断閾値１２１とを比較する。そして、乾燥所要時間１１８が保守判断閾値１２１を越えるとき、保守を行う必要があると判断する。そして、ステップＳ８において乾燥室３の内壁に付着した液状体６２を除去する。以上の工程により膜を形成する製造工程を終了する。
【０１０７】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、液状体６２に斜めから光４０を照射し、液状体６２の表面で反射する光４０と液状体６２の内部に進行して基板１５から反射する光４０を検出している。このとき、液状体６２の形状が変化することより、反射する光４０の分布も変化する。そして、液状体６２に対して光４０を照射して、反射する光４０を検出することで、固化状態が判断できることから、簡便な方法で固化状態を判断することができる。
【０１０８】
（２）本実施形態によれば、正反射する光４０を検出している。液状体６２が凸状のときと凹状のとき、液状体６２に対して斜め方向から光４０を照射しても、光４０が正反射し難くなっている。そして、液状体６２が略平坦のとき、液状体６２に対して斜め方向から光４０を照射することにより正反射させることができる。従って、正反射する光４０を検出することにより液状体６２の表面が略平坦な状態になっていることを判断することができる。
【０１０９】
（３）本実施形態によれば、第２検出部３９が正反射する光４０以外の光４０を検出している。凸状のときと凹状の液状体６２に対して斜め方向から光４０を照射するとき、反射する光４０は指向性の弱い光分布となっている。そして、液状体６２が平坦に近づくにつれて、指向性の強い光分布となる。そして、正反射する光４０以外の光は、液状体６２が平坦に近づくにつれて弱くなる。次に、平坦から凹状に進行するに従い、正反射以外の光４０は強くなる。従って、第２検出部３９が正反射する光４０以外の光４０を検出することにより液状体６２の表面が凸状又は凹状の状態になっていることを判断することができる。
【０１１０】
（４）本実施形態によれば、正反射する光４０と、正反射する光４０以外の光４０とを用いて液状体６２の固化状態を判断している。正反射する光４０を検出するとき、液状体６２が略平坦の状態の判断が可能である。そして、正反射する光４０以外の光４０を検出するとき、液状体６２が凸状のときと凹状のときの状態の判断をすることができる。従って、正反射する光４０と、正反射する光４０以外の光とを用いるとき、液状体６２が、略平坦の状態と、凸状又は凹状の状態との両方の判断を行うことができる。
【０１１１】
（５）本実施形態によれば、複数の液面検出領域５９において反射光を検出している。従って、複数の液面検出領域５９における固化状態を判断することができる。
【０１１２】
（６）本実施形態によれば、液面検出領域５９には複数の塗布領域６１が配置され、塗布領域６１には異なる量の液状体６２が塗布されている。大量の液状体６２が塗布されている大領域６３の近くと、小量の液状体６２が塗布されている小領域６５の近くとでは、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ乾燥速度にムラが生じる。そして、大領域６３、中領域６４、小領域６５が混在して配置されているので、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ難くなっている。従って、乾燥速度のムラに影響を受けずに固化状態を判断することができる。
【０１１３】
（７）本実施形態によれば、塗布領域６１に塗布する液状体６２の量を変えることにより、凸状の大きさを変えることができる。そして、塗布する液状体６２の量を調整することにより、所定の液状体の量において液状体６２が蒸発して略平坦になる時を検出することができる。
【０１１４】
（８）本実施形態によれば、液状体６２の固化状態に応じて連通弁１０、吸気バルブ２３、排気バルブ３０を制御することにより乾燥条件を変更している。従って、乾燥状態に応じて乾燥速度を変更することができる。
【０１１５】
（９）本実施形態によれば、固化状態を確認してステップＳ１１の固化工程を終了している。通常、固化工程は固化に要する時間を用いて管理することが多い。そして、確実に固化するためには、固化に必要な時間より長い時間乾燥を行う必要がある。この方法では、固化に必要な時間より長い時間乾燥する必要がない。従って、乾燥に要する時間を管理する方法に比べて、生産性良く固化することができる。
【０１１６】
（１０）本実施形態によれば、液状体６２の乾燥所要時間１１８が保守判断閾値１２１より長いとき保守を行う判断をするので、乾燥所要時間１１８が長くならないように維持することができる。従って、生産性良く固化することができる。
【０１１７】
（１１）本実施形態によれば、第２検出部３９が受光する光量１０２に応じて測定間隔１０３を変更している。このとき、液状体６２に光４０が常時照射されないので、液状体６２が光４０により加熱され難くなっている。従って、液状体６２の乾燥状態が照射する光４０の影響を受け難いので、精度良く乾燥状態を判断することができる。
【０１１８】
（１２）本実施形態によれば、液面検出領域５９は基板１５の外周に配置され、乾燥し易い場所における液状体６２の乾燥状態を判断している。そして、乾燥し易い場所は乾燥し難い場所に比べて固化の変化が早いので、変化の早い場所の固化状態に対応して乾燥条件を調整することができる。
【０１１９】
（１３）本実施形態によれば、液状体６２の固化状態を判断し、固化状態に応じて気流の速度分布を調整している。気流の速度が速い場所では早く固化させることができることから、基板１５内で液状体６２が固化する分布を制御することができる。従って、基板１５内の塗布領域６１において、略同時に固化が終了するように乾燥することができる。一部分が遅れて乾燥するとき、その部分が乾燥する時間だけ長く乾燥時間がかかる。この場合に比べて、生産性良く固化することができる。
【０１２０】
（第２の実施形態）
本実施形態では、液状体を乾燥して膜を形成する本実施形態の特徴的な乾燥方法の一実施形態について図１３を用いて説明する。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、液面検出領域５９における大領域６３、中領域６４、小領域６５の配置が異なる点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１２１】
図１３（ａ）は液面検出領域を説明する模式平面図であり、図１３（ｂ）は液面検出領域を説明する模式断面図である。そして、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＣ−Ｃ’における断面を示している。そして、図１３に示す液面検出領域１２４は図３に示す液面検出領域５９に相当する領域である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、液面検出領域２４には隔壁部６０が６行６列の格子状に配置され、隔壁部６０に囲まれた塗布領域６１には液状体６２が塗布されている。この液状体６２の塗布量は大中小の３水準形成されている。そして、塗布量が大の領域である大領域６３、塗布量が中の領域である中領域６４、塗布量が小の領域である小領域６５が配置されている。
【０１２２】
液面検出領域１２４の最外周には大領域６３が配置され、大領域６３の内側の行及び列には中領域６４が配置されている。そして、中央には小領域６５が配置されている。つまり、液面検出領域１２４の内側の塗布領域６１に比べて外側の塗布領域６１の方が塗布量が大きくなるように配置されている。この液面検出領域１２４の状態にて第１の実施形態と同様に膜の形成を行う。
【０１２３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、塗布量の小さい小領域６５が塗布量の大きい大領域６３に囲まれて配置されている。つまり、蒸発溶媒の分子分圧の小さい場所が、蒸発溶媒の分子分圧の大きい場所に囲まれている。従って、蒸発溶媒の分子分圧の小さい場所が、蒸発溶媒の分子分圧の大きい場所の影響を受けて、蒸発溶媒の分子分圧の大きくなり易くなっている。その結果、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ難くなり、乾燥速度のムラに影響を受けずに固化状態を判断することができる。
【０１２４】
（第３の実施形態）
本実施形態では、液状体を乾燥して膜を形成する本実施形態の特徴的な乾燥装置と基板の一実施形態について図１４を用いて説明する。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、液面検出領域が基板１５の外周を囲んで配置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１２５】
図１４（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図である。図１４（ａ）に示すように、乾燥装置１２５は基台７を備え、基台７には支持部１６が４箇所立設され、各支持部１６の上端には各支持部１６の間を架橋する架橋部１７が形成されている。そして、Ｘ方向に延在する架橋部１７には長尺の第１液面検出装置１２６が配置され、Ｙ方向に延在する架橋部１７には短尺の第２液面検出装置１２７が配置されている。そして第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７が矩形の枠状に配置され、基板１５の周囲と対向する場所に配置されている。第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７の内部構造は図２に示す液面検出装置１８と同様の構造となっている。そして、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７が液面検出装置１８と異なる点は各光学要素が長く配列して配置されており、長い範囲における液状体６２の状態を検出可能となっている。
【０１２６】
図１４（ｂ）は、基板の測定場所を説明する模式平面図であり、図１４（ｃ）は、液面検出領域を説明する模式平面図である。図１４（ｂ）に示すように、基板１５は中央に機能領域５７が配置され、機能領域５７の周辺には予備領域５８が配置されている。そして、予備領域５８において機能領域５７の周囲を囲んで液面検出領域１２８が設定されている。
【０１２７】
図１４（ｃ）に示すように、液面検出領域１２８には矩形の塗布領域６１が配列して配置され、各塗布領域６１を囲んで隔壁部６０が形成されている。そして、隔壁部６０に囲まれた塗布領域６１には液状体６２が塗布されている。この液状体６２の塗布量は大中小の３水準形成されている。そして、塗布量が大の領域である大領域６３、塗布量が中の領域である中領域６４、塗布量が小の領域である小領域６５がこの順に並んで配置されている。
【０１２８】
乾燥装置１２５を駆動するとき、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７が液面検出領域１２８に並んで配置された液状体６２の状態を検出する。そして、基板１５の外周における固化状態の分布を検出しつつ、乾燥を行うことが可能となっている。
【０１２９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７は複数の光学要素が長く配列して配置され、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７が塗布領域６１に塗布された液状体６２から反射された反射光の分布を検出することができる。従って、広い範囲の反射光を検出することができる。
【０１３０】
（第４の実施形態）
本実施形態では、液状体を乾燥して膜を形成する本実施形態の特徴的な乾燥装置と基板の一実施形態について図１５を用いて説明する。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、液面検出領域が基板１５と異なる場所に配置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１３１】
図１５（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略側断面図であり、図１５（ｂ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図である。図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＤ−Ｄ’における断面である。図１５に示すように、乾燥装置１２９は移動テーブル１２を備え、移動テーブル１２の中央に基板１５が配置されている。そして、基板１５の周囲には検出用基板１３０が配置されている。検出用基板１３０は基板１５と同様、基板チャック機構により固定されている。
【０１３２】
検出用基板１３０において液面検出装置１８と対向する場所には図３に示す液面検出領域５９が形成されている。そして、液面検出領域５９の中には大領域６３、中領域６４、小領域６５に液状体６２が塗布される。そして、検出用基板１３０における固化状態の分布を検出しつつ、乾燥を行うことが可能となっている。
【０１３３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、基板１５と異なる場所に検出用基板１３０を配置し、検出用基板１３０に塗布された液状体６２の固化状態を検出している。従って、基板１５の中に固化状態を観測するための塗布領域６１を設ける必要がない。従って、基板１５を効率良く用いることができる。
【０１３４】
（第５の実施形態）
本実施形態では、液状体を乾燥して膜を形成する本実施形態の特徴的な乾燥方法の一実施形態について図１６を用いて説明する。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、検出部が受光する光量と閾値とを比較して固化状態を判断する点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１３５】
図１６（ａ）は第１検出部が検出する光量の推移を示すグラフであり、図１６（ｂ）は第２検出部が検出する光量の推移を示すグラフである。図１６（ａ）において縦軸は図２に示す第１検出部３８が受光する光量６７を示し、上側が大きく下側が小さくなっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、受光量曲線１３１は時間１０５の経過に対する光量６７の変化の推移を示している。そして、メモリ７２の判断閾値データ８２の一つに閾値としての固化判断閾値１３２を格納する。ステップＳ６において固化判断部９２は第１検出部３８が受光する光量６７と固化判断閾値１３２とを比較する。光量６７が固化判断閾値１３２を越えるとき固化を終了する。このときの時間を固化終了時間１０５ｅとする。
【０１３６】
図１６（ｂ）において縦軸は図２に示す第２検出部３９が受光する光量６７を示し、上側が大きく下側が小さくなっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、受光量曲線１３３は時間１０５の経過に対する光量６７の変化の推移を示している。そして、メモリ７２の判断閾値データ８２の一つに閾値としての固化判断閾値１３４を格納する。ステップＳ４において固化判断部９２は第２検出部３９が受光する光量６７と固化判断閾値１３４とを比較する。光量６７が固化判断閾値１３４を越えるとき固化が進み、液状体６２が流動し難い段階に達したことを判断する。このときの時間を非流動化時間１０５ｆとする。
【０１３７】
図１６（ｃ）は乾燥室内の流速の推移を示すグラフである。図１６（ｃ）において、縦軸は乾燥室３の流速計３４が測定する流速１１６を示し、上側が下側より流速１１６が大きい量となっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、固化条件調整部８８が総ての流速計３４が測定する流速の平均を演算し、演算した平均値の推移を平均流速曲線１３５に示している。
【０１３８】
図１６（ｃ）に示すように、平均流速曲線１３５は初期速度１３５ａのまま固化工程を継続する。そして、非流動化時間１０５ｆにおいて流速１１６を第１速度１３５ｂまで上げる。このとき、液状体６２の表面には膜の形成が開始されており、液状体６２が流動し難くなっている。そして、固化終了時間１０５ｅにおいて液状体６２が固化されたと判断し、流速１１６を下げてステップＳ６を終了する。続いて、以降の工程を行い、膜を形成する工程を終了する。
【０１３９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、予め反射光の光量６７と固化状態との相関を調べて、固化状態を判断する固化判断閾値１３２及び固化判断閾値１３４が設定されている。そして、閾値と比較することにより、簡便に固化状態を判断することができる。
【０１４０】
（第６の実施形態）
次に、上記の膜形成方法を応用して有機ＥＬ装置を製造する一実施形態について図１７を用いて説明する。
【０１４１】
まず、電気光学装置の一つである有機ＥＬ装置について説明する。図１７は、有機ＥＬ装置の構造を示す概略分解斜視図である。
【０１４２】
図１７に示すように、光学素子基板及び電気光学装置としての有機ＥＬ装置１３７は、基板１３８を備えている。基板１３８の上側には、絶縁膜１３９が形成されている。絶縁膜１３９上には、コンタクト電極１４０がマトリクス状に形成され、各コンタクト電極１４０と隣接する場所には、スイッチング機能を有する半導体としてのＴＦＴ素子１４１が形成されている。そして、ＴＦＴ素子１４１のドレイン端子にコンタクト電極１４０が接続されている。
【０１４３】
各コンタクト電極１４０及びＴＦＴ素子１４１を囲むように、配線としての走査線１４２及び配線としてのデータ線１４３が格子状に形成されている。そして、走査線１４２は、ＴＦＴ素子１４１のゲート端子と接続され、データ線１４３は、ＴＦＴ素子１４１のソース端子と接続されている。
【０１４４】
そして、コンタクト電極１４０、ＴＦＴ素子１４１、走査線１４２、データ線１４３等からなる素子層１４４が形成されている。素子層１４４の上側には、絶縁膜１４５が形成され、絶縁膜１４５の上側には、隔壁部１４６が格子状に形成されている。
【０１４５】
隔壁部１４６により形成される凹状領域の各底部には、電極としての画素電極１４７が形成され、画素電極１４７は、コンタクト電極１４０と電気的に接続されている。画素電極１４７の上面には、発光素子としての正孔輸送層１４８が形成され、正孔輸送層１４８の上面には、発光素子としての発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂが形成されている。そして、正孔輸送層１４８と発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂとにより発光素子としての機能層１５０が形成されている。
【０１４６】
発光層１４９Ｒは、赤色を発光する有機発光材料等により構成された発光層であり、発光素子としての発光層１４９Ｇは、緑色を発光する有機発光材料等により構成された発光層である。同様に、発光素子としての発光層１４９Ｂは、青色を発光する有機発光材料等により構成された発光層である。
【０１４７】
機能層１５０及び隔壁部１４６の上側全面に渡って、光透過性を有する導電性材料等からなる電極としての陰極１５１が形成されている。本実施形態においては、陰極１５１は、例えば、ＩＴＯを採用している。
【０１４８】
陰極１５１の上面には、光透過性を有する材料等からなる封止膜１５２が形成され、陰極１５１及び機能層１５０が空気中の酸素により酸化されることを防止している。
【０１４９】
画素電極１４７と陰極１５１との間に電圧を印加するとき、正孔輸送層１４８は、正孔のみを流動する。そして、発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂは、正孔輸送層１４８から供給される正孔と陰極１５１から供給される電子とが、合体するときのエネルギにより、発光する性質を持っている。ＴＦＴ素子１４１は、スイッチング動作を行い、機能層１５０にかける電圧をコントロールすることにより、発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂが発光する光量を制御する。このように、発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂが発光する光量を制御することにより、画素毎に光量をコントロールし、画素を明滅させることにより、映像を表示させることができる。
【０１５０】
画素電極１４７は、ＴＦＴ素子１４１のドレイン端子に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線１４３から供給される画素信号が各画素電極１４７に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極１４７に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、陰極１５１と画素電極１４７との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂが発光する光量が変化する。
【０１５１】
素子層１４４に走査線１４２及びデータ線１４３の配線を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、絶縁膜で隔壁部を形成した後、液滴吐出装置を用いて、この配線の材料液を隔壁部の間に形成された凹部に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて配線の材料液を減圧乾燥して固化することにより陰極１５１を形成する。
【０１５２】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、配線の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより走査線１４２及びデータ線１４３を形成する。
【０１５３】
さらに、素子層１４４にＴＦＴ素子１４１を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、絶縁膜で隔壁部を形成した後、液滴吐出装置を用いて、シリコン等のＴＦＴ素子の材料液を隔壁部の間に形成された凹部に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて配線の材料液を減圧乾燥して固化することにより陰極１５１を形成する。
【０１５４】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、ＴＦＴ素子の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することによりＴＦＴ素子の材料液を結晶化する。その後、イオンドープした後、絶縁膜及び端子を形成することにより、ＴＦＴ素子１４１を形成する。
【０１５５】
さらに、絶縁膜１４５の表面に画素電極１４７を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、絶縁膜で隔壁部を形成した後、液滴吐出装置を用いて、この画素電極の材料液を隔壁部の間に形成された凹部に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて画素電極の材料液を減圧乾燥して固化することにより画素電極１４７を形成する。
【０１５６】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、画素電極の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより画素電極１４７を形成する。
【０１５７】
さらに、画素電極１４７の表面に正孔輸送層１４８を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、液滴吐出装置を用いて、この正孔輸送層の材料液を画素電極１４７の表面に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて正孔輸送層の材料液を減圧乾燥して固化することにより正孔輸送層１４８を形成する。
【０１５８】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、正孔輸送層の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより正孔輸送層１４８を形成する。
【０１５９】
さらに、正孔輸送層１４８の表面に発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂを形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、液滴吐出装置を用いて、この発光層の材料液を正孔輸送層１４８の表面に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて発光層の材料液を減圧乾燥して固化することにより発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂを形成する。
【０１６０】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、発光層の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂを形成する。
【０１６１】
さらに、機能層１５０及び隔壁部１４６の上面に陰極１５１を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、液滴吐出装置を用いて、この陰極の材料液を機能層１５０及び隔壁部１４６の上面に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて陰極の材料液を減圧乾燥して固化することにより陰極１５１を形成する。
【０１６２】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、陰極の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより陰極１５１を形成する。
【０１６３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、走査線１４２及びデータ線１４３を製造する工程において、第１の実施形態における吐出方法を用いることにより、配線材料を生産性良く固化して走査線１４２及びデータ線１４３を製造することができる。
【０１６４】
（２）本実施形態によれば、ＴＦＴ素子１４１を製造する工程において、第１の実施形態における吐出方法を用いることにより、ＴＦＴ素子の材料を生産性良く固化してＴＦＴ素子１４１を製造することができる。
【０１６５】
（３）本実施形態によれば、画素電極１４７及び陰極１５１を製造する工程において、
第１の実施形態における吐出方法を用いることにより、電極材料を生産性良く固化して画素電極１４７及び陰極１５１を製造することができる。
【０１６６】
（４）本実施形態によれば、機能層１５０を製造する工程において、第１の実施形態における吐出方法を用いることにより、発光素子形成材料を生産性良く固化して機能層１５０を製造することができる。
【０１６７】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態において、大領域６３、中領域６４、小領域６５の塗布領域６１は同じ面積に形成されていたが、各領域の面積を異なる面積に設定しても良い。また、隔壁部の高さを異なる高さに設定しても良い。いずれの方法においても液状体６２の表面曲率を検出し易い曲率の範囲にすることにより固化状態を検出し易くすることができる。
【０１６８】
（変形例２）
前記第１の実施形態において、乾燥室３を流動する気流の流速１１６を制御したが、第１室５及び第２室６の気圧を制御しても良い。さらに、流速１１６と気圧との両方を検出して制御しても良い。そして、流速１１６と気圧の内、測定及び制御し易い方を用いても良い。制御し易い方法を採用する方が精度良く制御することができる。
【０１６９】
（変形例３）
前記第１の実施形態において、塗布領域６１は矩形に形成されているが、これに限らない。平行四辺形、楕円形等配置し易い形状を採用しても良い。基板１５を効率良く活用することができる。
【０１７０】
（変形例４）
前記第１の実施形態において、光検出部５２及び光検出部５４にＣＣＤカメラを用いた。ＣＣＤカメラはエリアセンサであるが、エリアセンサに限らず、検出部が１点のみのセンサでも良く、直線に配列されたラインセンサでも良い。検出する液面検出領域５９の形態に合わせて切り換えても良い。センサが簡便な方が簡便な装置にすることができる。
【０１７１】
（変形例５）
前記第３の実施形態において、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７は
各光学要素を長く配列して配置したが、これに限らない。光源に長尺な発光素子を用いても良い。例えば蛍光管、冷陰極管等を採用しても良い。また、レンズは柱状レンズを採用しても良い。さらに、光検出部にはラインセンサを採用しても良い。個別に光学要素を配列して形成する方法に比べて、簡便に第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７を製造することができる。
【０１７２】
（変形例６）
前記第６の実施形態において、有機ＥＬ装置の製造方法に第１の実施形態を活用して製造したが、第２の実施形態〜第５の実施形態を活用して製造しても良い。同様の効果を得ることができる。
【０１７３】
（変形例７）
前記第１の実施形態〜前記第５の実施形態を用いて、光学レンズを製造しても良い。レンズの平面形状に隔壁部を形成した後、隔壁部内にレンズ形成材料を塗布する。その後、前記第１の実施形態〜前記第５の実施形態を用いてレンズ形成材料を固化する。この場合にも、生産性良くレンズを形成することができる。
【０１７４】
（変形例８）
前記第１の実施形態〜前記第５の実施形態を用いて、カラーフィルタを製造しても良い。格子状に隔壁部を形成した後、隔壁部内にカラーフィルタ形成材料を塗布する。その後、前記第１の実施形態〜前記第５の実施形態を用いてカラーフィルタ形成材料を固化する。この場合にも、生産性良くカラーフィルタを形成することができる。
【０１７５】
（変形例９）
前記第１の実施形態において、塗布領域６１に塗布する塗布量は３水準にしたが、水準数に限定されない。１水準でも良く、このとき、簡便に判断することができる。また、水準数を多くすることにより、固化状態を細かく検出することができる。
【０１７６】
（変形例１０）
前記第１の実施形態において、液面検出装置１８には正反射光を検出する第１検出部３８と乱反射光の一部を検出する第２検出部３９とを配置したが、どちらか一方を設置しても良い。検出部を減らすことにより簡便な装置にすることができる。
【０１７７】
（変形例１１）
前記第１の実施形態において、光源４７と基板１５との間に赤外カットフィルタ、紫外カットフィルタ等のフィルタを設けても良い。光４０が液状体６２に及ぼす影響を少なくすることにより、測定精度を向上することができる。
【０１７８】
（変形例１２）
前記第１の実施形態において、基板１５に液面検出領域５９を８箇所配置したが、液面検出領域５９の設置数に限定されない。液面検出領域５９の個数が少ないとき簡便な装置とすることができ、液面検出領域５９の個数が多いとき、固化状態の進行具合の分布を精度良く検出することができる。
【０１７９】
（変形例１３）
前記第１の実施形態において、液面検出領域５９は基板１５の周辺に配置したが、これに限らず、基板１５の中央等周辺以外の場所に配置しても良い。流速１１６の分布が異なる場所に液面検出領域５９を配置することにより、各場所における乾燥条件を制御して、膜厚ムラの少ない膜を形成することができる。
【０１８０】
（変形例１４）
前記第１の実施形態において、液面検出領域５９は移動テーブル１２上の基板１５に配置されたが、これに限らず、乾燥室３の内壁等、各所に配置しても良い。各場所の状態を配慮して乾燥条件を制御できる為、膜厚ムラの少ない膜を形成することができる。
【０１８１】
（変形例１５）
前記第１の実施形態において、乾燥室３の流速を初期速度１１７ａから第２速度１１７ｃまで上げたが、これに限らない。初期速度１１７ａの流速１１６が高く、第２速度１１７ｃが低くとも良い。液状体６２の性質に合わせて切り換えても良い。
【０１８２】
（変形例１６）
前記第１の実施形態において、乾燥室３の内部には圧力計３３と流速計３４とを配置したが、温度計を加えても良い。そして、固化状態に応じて、乾燥室３内を流動する気流の温度を制御しても良い。温度により乾燥速度を変えられることから、生産性良く固化することができる。
【０１８３】
（変形例１７）
前記第１の実施形態において、乾燥室３の気圧を減圧して、気流の流れを形成して乾燥したが、減圧する方法と気流の流れを活用する方法のどちらか一方を用いてもよい。固化する液状体６２の性質に合わせて選択するのが好ましい。膜厚ムラの少ない膜を形成することができる。
【０１８４】
（変形例１８）
前記第１の実施形態において、乾燥室３の気圧を減圧して、気流の流れを形成して乾燥したが、乾燥室３内の温度を上げて乾燥しても良い。ヒータを配置する方法は減圧及び気流を形成する方法に比べて簡便な装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８５】
【図１】第１の実施形態に係り、（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略側断面図、（ｂ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図。
【図２】液面検出装置の構造を示す模式断面図。
【図３】（ａ）は、基板の測定場所を説明する模式平面図、（ｂ）は、液面検出領域を説明する模式平面図、（ｃ）は、液面検出領域を説明する模式断面図。
【図４】液状体に照射される光の挙動を説明する図。
【図５】液状体の形状と反射光の光量との関係を説明する図。
【図６】乾燥装置の電気制御ブロック図。
【図７】膜を形成する製造工程を示すフローチャート。
【図８】膜を形成する製造方法を説明する図。
【図９】（ａ）は、第２検出部が受光する光量と測定間隔との関係を示すグラフ、（ｂ）は、第２検出部が受光する光量の推移を示すグラフ、（ｃ）は、検出部における測定間隔の推移を示すグラフ。
【図１０】（ａ）は、第２検出部が測定する光量データの推移を示すグラフ、（ｂ）は、平均光量との差に対する風速の補正量を示すグラフ。
【図１１】（ａ）は、第１検出部が受光する光量の推移を示すグラフ、（ｂ）は、乾燥室内の流速の推移を示すグラフ。
【図１２】乾燥所要時間の推移を示すグラフ。
【図１３】第２の実施形態に係り、（ａ）は、液面検出領域を説明する模式平面図であり、（ｂ）は、液面検出領域を説明する模式断面図。
【図１４】第３の実施形態に係り、（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図、（ｂ）は、基板の測定場所を説明する模式平面図、（ｃ）は、液面検出領域を説明する模式平面図。
【図１５】第４の実施形態に係り、（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略側断面図、（ｂ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図。
【図１６】第５の実施形態に係り、（ａ）は第１検出部が検出する光量の推移を示すグラフ、（ｂ）は第２検出部が検出する光量の推移を示すグラフ、（ｃ）は乾燥室内の流速の推移を示すグラフ。（ａ）は第１検出部が検出する光量の推移を示すグラフであり、図１６（ｂ）は第２検出部が検出する光量の推移を示すグラフである。
【図１７】第６の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す概略分解斜視図。
【符号の説明】
【０１８６】
１…乾燥装置、３…乾燥室、１５…基板、３２…送風部及び減圧部としての排気装置、３７…照射部、３８…検出部としての第１検出部、３９…検出部としての第２検出部、４０…光、６０…隔壁部、６１…塗布領域、６２…液状体、６７…光量、８８…固化条件調整部、９２…固化判断部、１１６…流速、１２１…閾値としての保守判断閾値、１３２，１３４…閾値としての固化判断閾値。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾燥方法及び乾燥装置に係り、特に簡便に乾燥状態を判断する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置のカラーフィルタや有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）の発光素子等において、インクジェット法を用いて膜を形成する方法が活用されている。この膜を形成する工程では、最初に、膜を形成する膜形成領域を囲んでバンクを形成する。次に、膜を形成する液状材料を膜形成領域に塗布する。そして、液状材料を乾燥して固化することにより膜を形成している。
【０００３】
この膜の膜厚を均一にすることにより光学特性を改善する方法が特許文献１に開示されている。これによれば、有機ＥＬ材料を塗布した後、紫外光を照射して蛍光カメラで撮像する。そして、撮像した画像を解析することにより有機ＥＬ材料の膜厚を測定して乾燥条件を自動調整していた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２８００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の方法では紫外線を放射することから人体に対して危害を及ぼす危険性があった。又、蛍光を撮像する特殊カメラを用いることから簡便な方法でないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる乾燥方法は、基板に塗布された液状体を固化して膜を形成する乾燥方法であって、前記基板に隔壁部を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁部に囲まれた塗布領域に前記液状体を塗布する塗布工程と、塗布された前記液状体を乾燥して固化する固化工程と、を有し、前記固化工程は、前記液状体に対して斜め方向から光を照射し、前記液状体からの反射光の光量を検出する検出工程と前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断する固化判断工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
この乾燥方法によれば、隔壁部により囲まれた塗布領域に液状体が塗布され、乾燥するにとにより固化される。このとき、液状体が乾燥するに従い、表面形状が変形する。隔壁部より高くなる量の液状体が塗布されるとき、液状体に表面張力が働くので、液状体の形状が凸状となる。そして、液状体の乾燥が進むにつれて、液状体の一部が蒸発して、凸状から平坦な面に近づく。さらに乾燥を継続するとき、略平坦な面から凹状の面に推移することもある。
【０００９】
そして、この液状体に斜めから光を照射し、液状体の表面で反射する反射光と液状体の内部に進行して基板から反射する反射光を検出する。このとき、液状体の形状が変化することより、反射光の分布も変化する。そして、反射光を検出することにより、液状体の固化状態を判断することができる。その結果、液状体に対して光を照射して反射光を検出することで固化状態が判断できることから、簡便な方法で固化状態を判断することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、前記固化判断工程では、前記反射光の光量が増加した後減少するときの変化点を用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００１１】
この乾燥方法によれば、正反射する光を検出している。液状体の表面が凸状のときと凹状のとき、液状体に対して斜め方向から光を照射しても、光は正反射し難くなっている。そして、液状体の表面が略平坦のとき、液状体に対して斜め方向から光を照射することにより正反射させることができる。従って、正反射する光を検出することにより液状体の表面が略平坦な状態になっていることを判断することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、前記固化判断工程では、前記反射光の光量を用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００１３】
この乾燥方法によれば、正反射する光以外の光を検出している。液状体の表面が凸状のときと凹状のとき、液状体に対して斜め方向から照射した光の反射光は指向性の弱い光分布となっている。そして、液状体の表面が平坦に近づくにつれて、指向性の強い光分布となる。そして、正反射する光以外の光は、液状体の表面が平坦に近づくにつれて弱くなる。次に、平坦から凹状に進行するに従い、正反射する光以外の光は強くなる。従って、正反射する光以外の光を検出することにより液状体の表面が凸状又は凹状の状態になっていることを判断することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記検出工程では、前記正反射する光の検出に加え、前記液状体からの前記反射光の内、前記正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、前記固化判断工程では、前記正反射する光の光量と、前記正反射する光以外の光の光量とを用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００１５】
この乾燥方法によれば、正反射する光と、正反射する光以外の光とを用いて液状体の固化状態を判断している。正反射する光を検出するとき、液状体の表面が略平坦の状態の判断が可能である。そして、正反射する光以外の光を検出するとき、液状体の表面が凸状のときと凹状のときの状態の判断をすることができる。従って、正反射する光と、正反射する光以外の光とを用いるとき、液状体の表面が、略平坦の状態と、凸状又は凹状の状態との両方の判断を行うことができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記隔壁形成工程では、複数の前記塗布領域を形成し、前記塗布工程では、複数の前記塗布領域に異なる量の前記液状体を塗布し、前記検出工程では、複数の前記塗布領域における前記反射光の光量を検出し、前記固化判断工程では、複数の前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断することを特徴とする。
【００１７】
この乾燥方法によれば、複数の塗布領域において反射光を検出している。従って、複数の塗布領域における固化状態を判断することができる。
【００１８】
［適用例６］
上記適用例にかかる乾燥方法において、異なる量の前記液状体が塗布された前記塗布領域が混在して配置されることを特徴とする。
【００１９】
この乾燥方法によれば、複数の塗布領域が配置され、塗布領域には異なる量の液状体が塗布されている。大量の液状体が塗布されている塗布領域の近くと、小量の液状体が塗布されている塗布領域の近くとでは、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ乾燥速度にムラが生じる。そして、大量の液状体が塗布されている塗布領域と、小量の液状体が塗布されている塗布領域とが混在して配置されているので、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ難くなっている。従って、乾燥速度のムラに影響を受けずに固化状態を判断することができる。
【００２０】
［適用例７］
上記適用例にかかる乾燥方法において、複数配置された前記塗布領域の内側に比べて、外側の前記塗布領域に大きい量の前記液状体が塗布されることを特徴とする。
【００２１】
この乾燥方法によれば、塗布量の小さい塗布領域が塗布量の大きい塗布領域に囲まれて配置されている。つまり、蒸発溶媒の分子分圧の小さい場所が、蒸発溶媒の分子分圧の大きい場所に囲まれている。従って、蒸発溶媒の分子分圧の小さい場所が、蒸発溶媒の分子分圧の大きい場所の影響を受けて、蒸発溶媒の分子分圧が大きくなり易くなっている。その結果、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ難くなり、乾燥速度のムラに影響を受けずに固化状態を判断することができる。
【００２２】
［適用例８］
上記適用例にかかる乾燥方法において、複数の前記塗布領域の内、少なくとも一部の前記塗布領域において、前記塗布領域の面積及び前記隔壁部の高さが略同じに形成されていることを特徴とする。
【００２３】
この乾燥方法によれば、液状体の量を大きくするとき液状体の表面が凸状となり、少なくすると凹状にすることができる。そして、液状体の量を変えることにより、凸状の大きさを変えることができる。つまり、塗布する液状体の量を調整することにより、液状体が蒸発して略平坦になるまでの液状体の量を制御することができる。
【００２４】
［適用例９］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化工程は固化条件調整工程を有し、前記固化条件調整工程では、前記固化判断工程で判断した固化状態に応じて、前記液状体の周囲を流動する気流の速度と、前記液状体の周囲の気圧との内少なくとも一方を調整することを特徴とする。
【００２５】
この乾燥方法によれば、液状体の固化状態に応じて乾燥条件を変更している。従って、膜の固化状態に応じて乾燥速度を変更することができる。
【００２６】
［適用例１０］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化判断工程は前記固化工程を終了する判断を行うことを特徴とする。
【００２７】
この乾燥方法によれば、固化状態を確認して固化工程を終了している。通常、固化工程は固化に要する時間を用いて管理することが多い。そして、確実に固化するためには、固化に必要な時間より長い時間乾燥を行う必要がある。この方法では、固化に必要な時間より長い時間乾燥を行う必要がない。従って、乾燥時間を管理する方法に比べて、生産性良く固化することができる。
【００２８】
［適用例１１］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化工程では、前記液状体が固化する時間を測定し、前記液状体が固化する時間を用いて保守を行う判断をする保守要否判断工程を備えることを特徴とする。
【００２９】
この乾燥方法によれば、固化にかかる時間を用いて保守作業が必要か否かを判断している。液状体に含まれる溶媒が気化するとき、気化した溶媒の一部が排出されずに乾燥装置内の内壁等に付着して結露することがある。結露した溶媒が気化するとき、基板に塗布された液状体が乾燥するのを阻害する要因となる。この方法では、液状体が固化する時間が所定の時間より長いとき保守を行う判断をするので、液状体が固化する時間が長くならないように維持することができる。従って、生産性良く乾燥することができる。
【００３０】
［適用例１２］
上記適用例にかかる乾燥方法では、前記検出工程において、前記液状体に照射する光は間欠照射されることを特徴とする。
【００３１】
この乾燥方法によれば、液状体に光が常時照射されないので、液状体が光により加熱され難くなっている。従って、液状体の乾燥状態が照射する光の影響を受け難いので、精度良く乾燥状態を判断することができる。
【００３２】
［適用例１３］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化工程では、前記液状体の周囲に気流を形成し、前記検出工程では、前記気流の流速の早い場所に位置する前記塗布領域に光を照射し、前記液状体からの前記反射光の光量を検出することを特徴とする。
【００３３】
この乾燥方法によれば、乾燥し易い場所と乾燥し難い場所とがある時、乾燥し易い場所における液状体の乾燥状態を判断している。そして、乾燥し易い場所は乾燥し難い場所に比べて固化の変化が早いので、変化の早い場所の固化状態に対応して乾燥条件を調整することができる。
【００３４】
［適用例１４］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記固化工程では、前記液状体の周囲に気流を形成し、前記固化工程は固化条件調整工程を有し、前記検出工程では、複数の前記塗布領域に光を照射し、前記液状体からの前記反射光の光量を検出し、前記固化判断工程では、複数の前記塗布領域における固化状態を判断し、前記固化条件調整工程では、前記固化判断工程で判断した固化状態に応じて、複数の前記塗布領域の速度分布を調整することを特徴とする。
【００３５】
この乾燥方法によれば、液状体の固化状態を判断し、固化状態に応じて気流の速度分布を調整している。気流の速度が速い場所では早く固化させることができることから、気流を制御することにより基板内で液状体が固化する分布を制御することができる。そして、基板内の塗布領域において、略同時に固化が終了するように乾燥することができる。一部分が遅れて乾燥するとき、その部分が乾燥する時間だけ長く乾燥時間がかかる。この場合に比べて、生産性良く乾燥することができる。
【００３６】
［適用例１５］
上記適用例にかかる乾燥方法において、前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、前記固化判断工程では、光量と閾値とを比較して固化状態を判断することを特徴とする。
【００３７】
この乾燥方法によれば、予め反射光の光量と固化状態との相関を調べて、固化状態を判断する閾値が設定されている。そして、この閾値と光量とを比較して固化状態を判断している。この方法は光量の増減の変化点を検出する方法に比べて、簡便に固化状態を判断することができる。
【００３８】
［適用例１６］
本適用例にかかる乾燥装置は、基板の塗布領域に塗布された液状体を乾燥することにより固化して膜を形成する乾燥装置であって、前記液状体に対して斜め方向から光を照射する照射部と、前記液状体からの反射光の光量を検出する検出部と、前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断する固化判断部とを有することを特徴とする。
【００３９】
この乾燥装置によれば、液状体に斜めから光を照射し、液状体の表面で反射する反射光と液状体の内部に進行して基板から反射する反射光を検出する。このとき、液状体の形状が変化することより、反射光の分布も変化する。そして、反射光を検出することにより、液状体の固化状態を判断することができる。その結果、照射部と検出部とによる出力から固化判断部が固化状態を判断できることから、簡便な方法で固化状態を判断することができる。
【００４０】
［適用例１７］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記照射部は、略平行に進行する光を照射し、前記検出部は、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、前記固化判断部は、光量が増加した後減少するときの変化点を用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００４１】
この乾燥装置によれば、正反射する光を検出している。液状体の表面が凸状のときと凹状のとき、液状体に対して斜め方向から光を照射しても、光は正反射し難くなっている。そして、液状体の表面が略平坦のとき、液状体に対して斜め方向から略平行な光を照射することにより正反射させることができる。従って、正反射する光を検出することにより液状体の表面が略平坦な状態になっていることを判断することができる。
【００４２】
［適用例１８］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記検出部は、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、前記固化判断部は、光量を用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００４３】
この乾燥装置によれば、正反射する光以外の光を検出している。液状体の表面が凸状のときと凹状のとき、液状体に対して斜め方向から照射した光の反射光は指向性の弱い光分布となっている。そして、液状体の表面が平坦に近づくにつれて、指向性の強い光分布となる。従って、正反射する光以外の光は、液状体の表面が平坦に近づくにつれて弱くなる。次に、平坦から凹状に進行するに従い、正反射する光以外の光は強くなる。従って、正反射する光以外の光を検出することにより液状体の表面が凸状又は凹状の状態になっていることを判断することができる。
【００４４】
［適用例１９］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記検出部は、前記正反射する光の検出に加え、前記液状体からの前記反射光の内、前記正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、前記固化判断部は、前記正反射する光の光量と、前記正反射する光以外の光の光量とを用いて固化状態を判断することを特徴とする。
【００４５】
この乾燥装置によれば、正反射する光と、正反射する光以外の光とを用いて液状体の固化状態を判断している。正反射する光を検出するとき、液状体の表面が略平坦の状態の判断が可能である。そして、正反射する光以外の光を検出するとき、液状体の表面が凸状のときと凹状のときの状態の判断をすることができる。従って、正反射する光と、正反射する光以外の光とを用いるとき、液状体の表面が、略平坦の状態と、凸状又は凹状の状態との両方の判断を行うことができる。
【００４６】
［適用例２０］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記塗布領域の周囲に気流を形成する送風部と、前記送風部を制御して前記気流の速度を調整する固化条件調整部とを有し、前記固化条件調整部は、前記固化判断部が判断した固化状態に応じて、前記液状体の周囲を流動する前記気流の速度を調整することを特徴とする。
【００４７】
この乾燥装置によれば、固化条件調整部が液状体の固化状態に応じて送風部を制御する。そして、気流の速度を調整することにより、乾燥条件を変更している。従って、乾燥状態に応じて乾燥速度を変更することができる。
【００４８】
［適用例２１］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記基板を内部に配置する乾燥室と、前記乾燥室内の気圧を減圧する減圧部と、前記減圧部を制御して前記気圧を調整する固化条件調整部とを有し、前記固化条件調整部は、前記固化判断部が判断した固化状態に応じて、前記乾燥室内の前記気圧を調整することを特徴とする。
【００４９】
この乾燥装置によれば、固化条件調整部が液状体の固化状態に応じて減圧部を制御する。そして、乾燥室内の気圧を調整することにより、乾燥条件を変更している。従って、乾燥状態に応じて乾燥速度を変更することができる。
【００５０】
［適用例２２］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記照射部は前記基板と異なる場所に塗布された液状体に対して斜め方向から光を照射し、前記検出部は前記基板と異なる場所に塗布された前記液状体からの前記反射光の光量を検出することを特徴とする。
【００５１】
この乾燥装置によれば、基板内と異なる場所に塗布された液状体の固化状態を検出している。従って、基板内に固化状態を観測するための塗布領域を設ける必要がない。従って、基板を効率良く用いることができる。
【００５２】
［適用例２３］
上記適用例にかかる乾燥装置において、前記検出部は複数の光検出素子が広い範囲に配置されていることを特徴とする。
【００５３】
この乾燥装置によれば、検出部は複数の光検出素子を備え、各光検出素子が塗布領域に塗布された液状体から反射された反射光の分布を検出することができる。従って、広い範囲の反射光を検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
以下、実施形態について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
本実施形態では乾燥装置とこの乾燥装置を用いて膜を形成する場合の特徴的な例について図１〜図１２に従って説明する。
【００５５】
図１（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略側断面図であり、図１（ｂ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’における断面である。図１に示すように、乾燥装置１は、液状体が塗布された基板を乾燥室内に収容し、液状体の溶媒を減圧下で蒸発させ乾燥させる減圧乾燥法を行う装置である。
【００５６】
乾燥装置１は外形が略直方体に囲まれた外壁２を備え、外壁２により内側が空洞に形成された乾燥室３を備えている。乾燥室３は上下方向の略中央に隔壁部４を備え、隔壁部４により乾燥室３は上側の第１室５と下側の第２室６とに分割されている。隔壁部４の平面方向の中央には略直方体の基台７が形成され、基台７の長手方向をＸ方向とし、Ｘ方向と直交する方向をＹ方向する。そして、上下方向をＺ方向とする。
【００５７】
隔壁部４には第１室５と第２室６とを連通する連通口８が基台７の周囲に沿って８個設けられている。各連通口８には図示しないモータの軸と連動して回転する回転軸９が配置され、回転軸９と連動して回転する連通弁１０が設けられている。各連通弁１０は連通口８と略同じ大きさに形成され、連通弁１０が回転することにより、第１室５と第２室６との間を流れる気流の遮断及び流動が切換可能と可能となっている。
【００５８】
基台７の上面には１対の案内レール１１がＹ方向に延在して配置されている。案内レール１１の上側には移動テーブル１２が配置され、移動テーブル１２は図示しない直動機構によりＹ方向に移動可能となっている。Ｙ方向の逆方向の外壁２には案内レール１１が貫通して配置され、案内レール１１は外壁２より突き出して形成されている。そして、案内レール１１の突き出している部分はレール支持部２ａにより支持されている。外壁２において案内レール１１近辺には開閉可能に形成された除給材扉１３が形成されている。除給材扉１３は図示しない開閉装置を備えている。そして、移動テーブル１２が案内レール１１に沿って移動し除給材扉１３を通過するとき、除給材扉１３が開口する。次に、移動テーブル１２が除給材扉１３を通過した後、除給材扉１３が閉鎖することにより、除給材扉１３から気流が流入及び流出しないようになっている。
【００５９】
移動テーブル１２の上面には、載置面１４が形成され、その載置面１４には、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。そして、載置面１４に基板１５を載置すると、基板チャック機構によって、その基板１５が載置面１４の所定位置に位置決め固定されるようになっている。
【００６０】
基台７の上側には移動テーブル１２の４隅の近くに支持部１６が４箇所立設され、各支持部１６の上端には各支持部１６の間を架橋する架橋部１７が形成されている。そして、この架橋部１７には８個の液面検出装置１８が配置されている。基板１５周辺の基板１５と対向する場所に液面検出装置１８が配置され、基板１５のＸ方向両端の上側に各１個、基板１５のＹ方向両端の上側に各３個の液面検出装置１８が配置されている。
【００６１】
第１室５の中であって移動テーブル１２の上側には整流器１９が配置され、この整流器１９を通過する気流を整流器１９が多方向に分散して流動させている。外壁２の上部中央付近には、供給口２０が設けられており、配管２１を介して吸気バルブ２３と接続されている。そして、吸気バルブ２３は配管２４を介して気体調整装置２５と接続されている。気体調整装置２５は通過する気体の湿度及び温度を調整し気体に含まれる塵を除去する装置である。気体調整装置２５は配管２６を介して窒素ガス供給装置２７に接続されている。そして、供給口２０からは、塵が除去され温度及び湿度が調整された窒素ガスが供給されるようになっている。
【００６２】
第２室６の下部（底面）中央付近には、排気口２８が設けられており、排気口２８は配管２９を介して排気バルブ３０と接続されている。そして、排気バルブ３０は配管３１を介して排気装置３２と接続されている。そして、排気装置３２、吸気バルブ２３、排気バルブ３０、連通弁１０等により送風部及び減圧部が構成されている。
【００６３】
第１室５及び第２室６の側壁には圧力計３３が設けられ、第１室５及び第２室６内の減圧状態が測定可能となっている。そして、第１室５の連通口８付近では外壁２及び基台７に流速計３４が配置され、連通口８を通過する気流の速度が測定可能となっている。
【００６４】
窒素ガス供給装置２７が供給する窒素ガスは配管２４、吸気バルブ２３、配管２１、供給口２０を通過して乾燥室３の第１室５に供給される。そして、窒素ガスの気流が整流器１９を通過するとき気流が分散して基板１５の近くを通過する。その後、気流は連通口８を通過して第２室６に流入する。そして、気流は排気口２８、配管２９、排気バルブ３０、配管３１を通過して排気装置３２により排出される。乾燥室３内の気圧は圧力計３３を用いて測定され、連通口８付近の流速は流速計３４を用いて測定される。そして、排気装置３２が吸引する気圧、吸気バルブ２３、連通弁１０、排気バルブ３０を制御することにより、乾燥室３内の気圧と、内部を流れる気流の流速が制御される。この気圧と気流の流速を調整することにより基板１５に塗布された液状体の乾燥速度が制御可能となっている。
【００６５】
図２は液面検出装置の構造を示す模式断面図である。図２に示すように、液面検出装置１８は照射部３７、検出部としての第１検出部３８、検出部としての第２検出部３９を備えている。そして照射部３７が基板１５に光４０を照射し、基板１５にて反射する光４０を第１検出部３８及び第２検出部３９が検出するようになっている。そして、照射部３７が照射する光４０の光軸４１と基板１５との成す角度４２と第１検出部３８の光軸４３が基板１５と成す角度４４とは略同じ角度に設定され、例えば、本実施形態では３０度に設定されている。そして、照射部３７が照射する光４０が基板１５にて正反射するとき、この正反射した光４０の光量を第１検出部３８が検出可能となっている。第２検出部３９の光軸４５が基板１５と成す角度４６は、第１検出部３８の光軸４３が基板１５と成す角度４４より大きな角度に設定され、例えば、本実施形態では６０度に設定されている。そして、照射部３７が照射する光４０が基板１５にて乱反射するとき、この乱反射した光４０の一部を第２検出部３９が検出可能となっている。
【００６６】
照射部３７は光源４７を備えている。光源４７は同一の光量の光を安定して発光するものであれば良く、レーザダイオード、蛍光管、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、白熱灯、冷陰極管等を用いることができる。本実施形態では、例えば、ＬＥＤを採用している。光源４７の光軸４１上には集光レンズ４８、絞り板４９、コリメートレンズ５０が配置されている。光源４７が発光する光４０は集光レンズ４８により集光される。そして、集光される場所に絞り板４９の瞳部４９ａが配置されている。この瞳部４９ａにコリメートレンズ５０の焦点が位置するようにコリメートレンズ５０を配置されている。このとき、コリメートレンズ５０から照射される光４０は略平行な光線となる。
【００６７】
第１検出部３８は集光レンズ５１と光検出部５２等により構成されている。そして、基板１５にて反射した光４０は集光レンズ５１により集光され光検出部５２を照射する。この光検出部５２は光４０の光量の増減を電気信号に変換する機能を備え、この光検出部５２には光電管、フォトダイオード、等を用いることができる。本実施形態に置いては、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）カメラを採用した。ＣＣＤカメラは光電変換素子が複数配置されているので、複数の場所から反射される光４０を検出することができる。第２検出部３９も集光レンズ５３と光検出部５４等により構成され、第１検出部３８と同様の機能を備えている。
【００６８】
図３（ａ）は基板の測定場所を説明する模式平面図である。図３（ａ）に示すように、基板１５は中央に機能領域５７が配置され、機能領域５７の周辺には予備領域５８が配置されている。機能領域５７は特定の機能を有する機能膜を形成する領域であり、予備領域５８は機能膜の形成以外の用途に用いられる領域である。そして、予備領域５８において基板１５の４隅と４辺の約中間の場所には液面検出領域５９が８箇所設定されている。
【００６９】
図３（ｂ）は液面検出領域を説明する模式平面図であり、図３（ｃ）は液面検出領域を説明する模式断面図である。そして、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＢ−Ｂ’における断面を示している。図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、液面検出領域５９には隔壁部６０が格子状に配置されている。この隔壁部６０に囲まれた複数の塗布領域６１は各々略同じ面積に形成され、隔壁部６０は略同じ高さに形成されている。そして、この隔壁部６０には液状体６２が塗布され、この液状体６２の塗布量は大中小の３水準形成されている。そして、塗布量が大の領域である大領域６３、塗布量が中の領域である中領域６４、塗布量が小の領域である小領域６５が混在して配置されている。
【００７０】
図４は液状体に照射される光の挙動を説明する図である。図４（ａ）は液状体６２が凸状であり、図４（ｂ）は液状体６２が平面状であり、図４（ｃ）は液状体６２が凹状となっている。図４（ａ）に示すように、塗布領域６１に液状体６２が凸状に塗布されている。そして、光４０が液状体６２に照射されるとき、一部の光４０は液状体６２の表面で反射し、一部の光４０は液状体６２の内部に入射する。反射と入射とは液状体６２の表面に対する光４０の入射角と液状体６２の屈折率により切り換わる。そして、液状体６２の表面形状が曲面となっているので、反射及び入射した光４０が進行する方向は多方向に進行する。そして、液状体６２の内部に入射した光４０は基板１５を照射し、この光４０は基板１５において反射した後液状体６２を通過する。つまり、液状体６２が凸状のとき、液状体６２において反射及び通過する光４０は多方向に進行する。そして、図２に示す照射部３７から照射する光４０は図２に示す第２検出部３９の方向に進行する。
【００７１】
図４（ｂ）では、塗布領域６１に液状体６２が平面状に塗布されている。そして、光４０が液状体６２に照射されるとき、一部の光４０は液状体６２の表面で反射し、一部の光４０は液状体６２の内部に入射する。そして、液状体６２の表面形状が平面状となっているので、反射した光４０が進行する方向は略１方向に進行する。そして、液状体６２の内部に入射した光４０は基板１５を照射し、この光４０は基板１５において反射した後、液状体６２を通過する。このとき、液状体６２は表面と底面とが平行な面となっているので、液状体６２の表面で反射する光４０の進行方向と液状体６２の内部を通過する光４０の進行方向は略同一の方向となる。そして、照射部３７から照射する光４０は図２に示す第１検出部３８の方向に進行する。このとき、液状体６２を照射する光４０と基板１５とが成す角度４２は、反射する光４０が基板１５と成す角度４４と略同じ角度となる。
【００７２】
図４（ｃ）では、塗布領域６１に液状体６２が凹状に塗布されている。そして、光４０が液状体６２に照射されるとき、一部の光４０は液状体６２の表面で反射し、一部の光４０は液状体６２の内部に入射する。そして、液状体６２の表面形状が曲面となっているので、反射及び入射した光４０が進行する方向は多方向に進行する。そして、液状体６２の内部に入射した光４０は基板１５を照射し、この光４０は基板１５において反射した後液状体６２を屈折して通過する。つまり、液状体６２が凹状のとき、液状体６２において反射及び通過する光４０は多方向に進行する。
【００７３】
図５は液状体の形状と反射光の光量との関係を説明する図である。図５（ａ）は液状体の形状を示す模式断面図である。図５（ｂ）は液状体の形状と第１検出部が検出する光量との関係を示すグラフであり、図５（ｃ）は液状体の形状と第２検出部が検出する光量との関係を示すグラフである。図５（ａ）に示すように、隔壁部６０に囲まれた塗布領域６１に液状体６２が塗布されている。そして、隔壁部６０の隔壁部上面６０ａと液状体６２の中央部６２ａのＺ方向（液状体６２の厚さ方向）の差を突出量６６とする。液状体６２が凸状のとき突出量６６の値は正数となり、液状体６２が凹状のとき突出量６６の値は負数となる。そして、液状体６２の中央部６２ａが隔壁部上面６０ａと同じ面になるとき、突出量６６の値は零となり、液状体６２は略平面状となる。
【００７４】
図５（ｂ）において横軸は突出量６６を示し、左側が大きく右側が小さくなっている。縦軸は図２に示す第１検出部３８が受光する光量６７を示し、上側が大きく下側が小さくなっている。そして、受光量曲線６８は突出量６６の変化に対する光量６７の変化の推移を示している。受光量曲線６８が示すように突出量６６が大きいとき光量６７は小さくなっている。このとき、液状体６２に入射する光は乱反射する状態となっている。そして、突出量６６が零地点６６ａに近づくにつれて光量６７が増加し、突出量６６が零地点６６ａとなるとき変化点としての極値６８ａとなる。このとき、液状体６２は平面状となり、液状体６２を照射する光４０が正反射するので、第１検出部３８が検出する光量６７が大きくなる。突出量６６が零地点６６ａの近辺では、正反射する場所の面積が急激に変化するので、受光量曲線６８の変化が大きくなる。そして、突出量６６がさらに減るとき、液状体６２は凹状となり、液状体６２を照射する光４０が乱反射するので、第１検出部３８が検出する光量６７が小さくなる。
【００７５】
図５（ｃ）において横軸は突出量６６を示し、左側が大きく右側が小さくなっている。縦軸は図２に示す第２検出部３９が受光する光量６７を示し、上側が大きく下側が小さくなっている。そして、受光量曲線６９は突出量６６の変化に対する光量６７の変化の推移を示している。受光量曲線６９が示すように突出量６６が大きいとき光量６７は大きくなっている。このとき、液状体６２に入射する光は乱反射する状態となっている。そして、乱反射する光４０の一部を第２検出部３９が受光しているので、光量６７が大きくなっている。次に、突出量６６が零地点６６ａに近づくにつれて光量６７が減少し、突出量６６が零地点６６ａとなるとき変化点としての極値６９ａとなる。このとき、液状体６２は平面状となり、液状体６２を照射する光４０が正反射するので、第２検出部３９が検出する光量６７が小さくなる。そして、突出量６６がさらに減るとき、液状体６２は凹状となり、液状体６２を照射する光４０が乱反射するので、第２検出部３９が検出する光量６７が大きくなる。以上のように、第１検出部３８及び第２検出部３９が受光する光量６７を検出することにより液状体６２の液面の状態を認識することが可能となっている。
【００７６】
図６は、乾燥装置の電気制御ブロック図である。図６において、乾燥装置１の制御装置７０はプロセッサとして各種の演算処理を行うＣＰＵ（演算処理装置）７１と、各種情報を記憶するメモリ７２とを有している。
【００７７】
バルブ駆動装置７３、排気装置３２、テーブル駆動装置７４、連通弁駆動装置７５、流速計３４、圧力計３３は、入出力インターフェース７６及びデータバス７７を介してＣＰＵ７１に接続されている。さらに、入力装置７８、ディスプレイ装置７９も入出力インターフェース７６及びデータバス７７を介してＣＰＵ７１に接続されている。
【００７８】
バルブ駆動装置７３は吸気バルブ２３及び排気バルブ３０を駆動して各バルブの開閉を制御する装置である。バルブ駆動装置７３が吸気バルブ２３を閉じると乾燥室３に供給される気体の量が減少する。そして、バルブ駆動装置７３が吸気バルブ２３を開くと乾燥室３に供給される気体の量が増加するので、バルブ駆動装置７３は乾燥室３に供給する気体の量を制御可能となっている。
【００７９】
バルブ駆動装置７３が排気バルブ３０を閉じると乾燥室３から排気される気体の量が減少する。そして、バルブ駆動装置７３が排気バルブ３０を開くと乾燥室３から排気される気体の量が増加するので、バルブ駆動装置７３は乾燥室３から排気する気体の量を制御可能となっている。排気装置３２は乾燥室３から気体を排気する装置であり、排気流量を制御する機能を備えている。そして、排気装置３２と排気バルブ３０とを制御することにより乾燥室３から排気する気体の量を制御可能となっている。
【００８０】
テーブル駆動装置７４は移動テーブル１２の移動及び停止と除給材扉１３の開閉を駆動する装置である。連通弁駆動装置７５は連通弁１０を駆動する装置であり、連通弁１０を通過する気流の流量を制御する機能を有している。
【００８１】
流速計３４は連通弁１０付近における気流の流速を測定する機能を備え、気流に影響を与えず測定可能であれば良く、プロペラ式流速計、熱線流速計、レーザドップラー流速計、ピトー管式流速計等を用いることができる。本実施形態においては、例えば、熱線流速計を採用している。
【００８２】
圧力計３３は第１室５及び第２室６に配置され、各室の気圧を測定する。圧力計３３は気圧の差によって伸縮するダイアラムやブルドン管の変位を歪みゲージで測定する計器を用いることができる。他にも、シリコン基板に薄肉部を形成し、薄肉部上に配線を形成し、薄肉部が圧力により変化する変位量を配線抵抗の変化を用いて測定する半導体圧力センサ等を用いることができる。本実施形態においては、例えば、半導体圧力センサを採用している。
【００８３】
入力装置７８は気圧や気流の流速等の乾燥に係る各種加工条件を入力する装置である。ディスプレイ装置７９は加工条件や、作業状況を表示する装置であり、操作者はディスプレイ装置７９に表示される情報を基に入力装置７８を用いて操作を行う。
【００８４】
メモリ７２は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等といった半導体メモリや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭといった外部記憶装置を含む概念である。機能的には、乾燥装置１における動作の制御手順が記述されたプログラムソフト８０を記憶する記憶領域が設定される。さらに、基板１５を乾燥するときの条件を示す乾燥条件データ８１を記憶するための記憶領域も設定される。他にも、液面検出装置１８の出力に応じて乾燥条件を切り換える判断をするときの閾値である判断閾値データ８２を記憶するための記憶領域が設定される。さらに、液面を測定するときの測定条件である測定条件データ８３や測定した液面測定データ８４を記憶するための記憶領域が設定される。他にも、ＣＰＵ７１のためのワークエリアやテンポラリファイル等として機能する記憶領域やその他各種の記憶領域が設定される。
【００８５】
ＣＰＵ７１は、メモリ７２内に記憶されたプログラムソフト８０に従って、基板１５を乾燥するための制御を行うものである。具体的な機能実現部として、除給材扉１３の開閉や移動テーブル１２の移動を制御して、基板１５の除給材を行うための演算を行う除給材制御演算部８７を有する。さらに、気圧や気流の流速等の乾燥条件を調整する固化条件調整部８８を有する。さらに、吸気バルブ２３や排気バルブ３０の開閉量を演算するバルブ制御演算部８９や、連通弁１０の開閉量を演算する連通弁制御演算部９０を有する。他に、乾燥にかかる時間を測定する乾燥時間演算部９１や液面検出装置１８の出力から固化具合を判断する固化判断部９２等を有する。
【００８６】
固化判断部９２が液面検出装置１８の出力値を用いて液面の固化具合を判断する。そして、固化判断部９２が固化条件調整部８８に乾燥条件の継続又は変更する指示を出す。固化条件調整部８８は圧力計３３及び流速計３４の測定値を受信して乾燥条件の変更量を演算してバルブ制御演算部８９及び連通弁制御演算部９０に指示情報を出力する。次に、バルブ制御演算部８９は吸気バルブ２３及び排気バルブ３０の開閉量を演算してバルブ駆動装置７３にバルブ開閉量情報を出力する。バルブ駆動装置７３はバルブ開閉量情報を受信した後、吸気バルブ２３や排気バルブ３０の開閉量を変更する。
【００８７】
同様に、連通弁制御演算部９０は連通弁１０の開閉量を演算して連通弁駆動装置７５にバルブ開閉量情報を出力する。連通弁駆動装置７５はバルブ開閉量情報を受信した後、連通弁１０の開閉量を変更する。以上の手順により液面の固化状態に対応して乾燥条件が変更可能となっている。
【００８８】
（膜形成方法）
次に、上述した乾燥装置１を使って、基板に塗布された液状体を乾燥して固化する製造方法について図７〜図１２にて説明する。図７は、基板上に膜を形成する製造工程を示すフローチャートであり、図８〜図１２は、基板上に膜を形成する製造方法を説明する図である。
【００８９】
図７のフローチャートにおいて、ステップＳ１は、隔壁形成工程に相当し、基板上に隔壁を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、塗布工程に相当し、隔壁に囲まれた領域に液状体を塗布する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、検出工程に相当し、塗布された液面の状態を検出する工程である。次にステップＳ４移行する。ステップＳ４は、風速変更判断工程に相当し、液面の状態に応じて装置内の風速を変更するかの判断を行う工程である。風速を変更するとき、ステップＳ５に移行する。風速を変更しないとき、ステップＳ６に移行する。ステップＳ５は、固化条件調整工程に相当し、バルブ及び連通弁を調整する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ６は、固化判断工程に相当し、液状体の固化が完了したかを判断する工程である。固化が完了していないとき（未固化のとき）、ステップＳ３に移行する。固化が完了したとき（固化済のとき）、ステップＳ７に移行する。ステップＳ３〜ステップＳ６のステップを合わせてステップＳ１１の固化工程とする。このとき、乾燥時間演算部はステップＳ１１にかかる時間を測定する。ステップＳ７は、保守要否判断工程に相当し、乾燥装置を保守するか否かを判断する工程である。乾燥時間演算部が保守する必要があると判断するとき（必要のとき）、ステップＳ８に移行する。乾燥時間演算部が保守する必要がないと判断するとき（不要のとき）、製造工程を終了する。ステップＳ８は、保守工程に相当し、乾燥装置の内壁に結露した液状体を除去する工程である。以上の工程により膜形成方法を終了する。
【００９０】
次に、図８を用いて、図７に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図８（ａ）〜図８（ｄ）はステップＳ１に対応する図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、基板１５を用意し、基板１５に隔壁部の材料である隔壁部形成材料９５を塗布する。隔壁部形成材料９５は特に限定されないが、フロロカーボンガスプラズマ処理によりテフロン（登録商標）化でき、隔壁部６０に塗布する液状体６２に対して耐久性の良い有機系感光性材料を用いることが好ましい。例えば、感光性アクリル樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性ポリイミド等を用いることができる。本実施形態においては、例えば、感光性ポリイミドを採用している。そして、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の方法で、基板１５上に隔壁部形成材料９５を塗布する。次に、塗布された隔壁部形成材料９５を乾燥して固化することにより隔壁膜９６を形成する。
【００９１】
次に、図８（ｃ）に示すように、マスク９７を基板１５に重ねて、紫外光９８を照射する。マスク９７には隔壁部６０のパターンが形成され、マスク９７を通過する紫外光９８は隔壁膜９６を照射する。そして、照射された隔壁膜９６は紫外線により変質した変質部が形成される。次に、基板１５を現像する。基板１５をアルカリ現像液に浸漬して、変質部を除去する。アルカリ現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、コリン、珪酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることができる。本実施形態ではＴＭＡＨを採用している。変質部を除去した後、純水にてリンスして乾燥する。図８（ｄ）に示すように、現像することにより基板１５上に隔壁部６０が形成される。次に、基板１５及び隔壁部６０の表面を改質する。まず隔壁部底面６０ｂの親液性を改善するために大気圧プラズマ処理を行う。具体的には、例えば、ヘリウムに酸素を２０％加えた混合ガスに高電圧を印加することによりプラズマ雰囲気を形成する。このプラズマ雰囲気中に基板１５を通過させることにより基板１５が洗浄される。この洗浄により表面エネルギが向上し隔壁部底面６０ｂの親液性が改善される。
【００９２】
次に、隔壁部６０を撥液性にする表面改質を行う。表面改質としては、例えば導入ガスにフッ素又はフッ素化合物を含んだガスを使用し、減圧雰囲気下や大気圧雰囲気下でプラズマ照射をする減圧プラズマ処理や大気圧プラズマ処理を行う。フッ素系化合物を含んだガス中でプラズマ処理を行うとき、有機材料表面においてフッ素系化合物分子が有機材料表面に入り込む混入化現象により表面が非極性化される。従って、有機材料をフッ素系化合物が過多の条件でプラズマ処理すると、隔壁部６０は極性分子を含んだ流動体に対して非親和性を示し、非極性分子を含んだ流動体に対して親和性を示すようになる。フッ素又はフッ素化合物を含んだガスとしては、例えばＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3等のハロゲンガスを用いることができる。本実施形態では、例えば、ＣＦ4を採用している。
【００９３】
図８（ｅ）及び図８（ｆ）はステップＳ２に対応する図である。図８（ｅ）及び図８（ｆ）に示す様に、液滴吐出装置を用いて液状体６２を塗布する。この液滴吐出装置はノズル９９が形成された液滴吐出ヘッド１００を備え、インクジェット法を用いて液滴１０１を吐出する装置である。隔壁部６０により囲われた塗布領域６１にノズル９９から液滴１０１を吐出する。このとき、隔壁部６０には撥液性となる表面改質が行われているので、液状体６２が大量に塗布されても隔壁部上面６０ａを越え難くなっているので、液状体６２は塗布領域６１において凸状となる。
【００９４】
図８（ｇ）〜図９はステップＳ３に対応する図である。図８（ｇ）に示すように、液状体６２、隔壁部６０、基板１５に光４０を照射する。照射された光４０は反射して第１検出部３８及び第２検出部３９を照射する。第１検出部３８及び第２検出部３９が受光する光４０の光量は液状体６２の形状により変化する。
【００９５】
図９（ａ）は第２検出部が受光する光量と測定間隔との関係を示すグラフである。図９（ａ）において縦軸は第２検出部３９が受光する光量１０２を示し、上側が下側より光量１０２が小さい量となっている。横軸は第１検出部３８及び第２検出部３９が測定する測定間隔１０３を示し、右側が左側より測定間隔１０３が長くなっている。そして、測定間隔曲線１０４は第２検出部３９が受光する光量１０２に対して設定される測定間隔１０３の相関を示している。この測定間隔曲線１０４は略指数関数曲線となっており、光量１０２が小さい程測定間隔１０３が短く設定される。逆に光量１０２が大きい程測定間隔１０３が長く設定されるようになっている。液状体６２に光４０を照射するとき、乱反射する光量１０２が小さいときに第２検出部３９が受光する光量１０２が小さくなる。つまり、乱反射する光量１０２が小さいとき、測定間隔１０３が短くなるように設定する。そして、この測定間隔曲線１０４のデータはメモリ７２に測定条件データ８３の一つとして格納されている。又、照射部３７は測定するときのみ光４０を照射するので、この照射は間欠照射となっている。
【００９６】
図９（ｂ）は第２検出部が受光する光量の推移を示すグラフである。そして、図９（ｃ）は検出部における測定間隔の推移を示すグラフである。図９（ｂ）において、縦軸は第２検出部３９が受光する光量１０２を示し、上側が下側より光量１０２が大きい量となっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、光量推移曲線１０６は第２検出部３９が受光する光量１０２の時間経過に対して変化する様子を示している。そして、光量推移曲線１０６において光量１０２が最も下がる下限点１０６ａに対応する時間１０５を平坦時時間１０５ａとする。このとき、液状体６２は図４（ｂ）に示すように平坦となり照射される光４０が乱反射し難いので、第２検出部３９を照射する光４０が小さくなっている。
【００９７】
図９（ｃ）において、縦軸は第１検出部３８及び第２検出部３９が測定する測定間隔１０３を示し、上側が下側より測定間隔１０３が短くなっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、測定間隔推移曲線１０７は第１検出部３８及び第２検出部３９が測定する測定間隔１０３の時間経過に対して変化する様子を示している。そして、測定間隔推移曲線１０７が示すように平坦時時間１０５ａに近い時、第２検出部３９が受光する光量１０２が小さいので測定間隔１０３が短く設定される。そして、平坦時時間１０５ａから離れているとき第２検出部３９が受光する光量１０２が大きくなるので測定間隔１０３が長く設定される。
【００９８】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はステップＳ４及びステップＳ５に対応する図である。図１０（ａ）は第２検出部が測定する光量データの推移を示すグラフである。図１０（ａ）において、縦軸は第２検出部３９が受光する光量１０２を示し、上側が下側より光量１０２が大きい量となっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、３回測定したときの測定データ１０８と、各回における測定データ１０８の平均値である平均光量１０９が示されている。図１に示すように乾燥装置１には８個の液面検出装置１８が配置されているので、１回の測定により８箇所の光量１０２データが取得される。
【００９９】
図１０（ｂ）は平均光量との差に対する風速の補正量を示すグラフである。図１０（ｂ）において、縦軸は平均光量との差１１０であり、測定データ１０８から平均光量１０９を引いた演算値を示している。縦軸の上側が正の値を示し、下側が負の値を示している。そして、上側が下側より光量１０２が大きい量となっている。横軸は風速の補正量１１１を示し、横軸の右側が正の値を示し、左側が負の値を示している。そして、右側が左側より風速の補正量１１１が大きい量となっている。平均光量との差１１０と風速の補正量１１１との相関関係を風速補正線１１２が示している。この風速補正線１１２が示すデータはメモリ７２の乾燥条件データ８１に格納されている。
【０１００】
この風速補正線１１２が示すように第２検出部３９の測定データ１０８が大きい場所では、風速の補正量１１１を大きくして風速を大きくする。逆に、第２検出部３９の測定データ１０８が小さい場所では、風速の補正量１１１を小さくして風速を小さくする。つまり、８箇所の測定場所において液状体６２の突出量６６が大きい場所では連通弁１０を調整することにより風速を大きくして、突出量６６が小さい場所の風速を小さくしている。そして、風速の大きい場所では液状体６２の乾燥が早く進むので、突出量６６が早く小さくなる。従って、第２検出部３９が検出する光量１０２が小さくなる。つまり、第２検出部３９が測定する光量１０２が大きい場所では、連通弁１０を制御して風速を大きくすることにより、突出量６６が小さく成り易くする。従って、第２検出部３９が測定する光量１０２が他の場所に比べて早く小さくなる。逆に、第２検出部３９が測定する光量１０２が小さい場所では、連通弁１０を制御して風速を小さくすることにより、突出量６６が小さく成り難くする。そして、第２検出部３９が測定する光量１０２の変化を小さくする。その結果、図１０（ａ）に示すように時間１０５の経過に従って測定データ１０８の分散を小さくなる。つまり、基板１５の各場所において略同じ速度で固化することが可能となっている。
【０１０１】
図１１はステップＳ４〜ステップＳ６に対応する図である。図１１（ａ）は第１検出部が受光する光量の推移を示すグラフであり、図１１（ｂ）は乾燥室内の流速の推移を示すグラフである。図１１（ａ）において、縦軸は第１検出部３８が受光する光量１０２を示し、上側が下側より光量１０２が大きくなっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、第１光量推移曲線１１３、第２光量推移曲線１１４、第３光量推移曲線１１５は第１検出部３８が受光する光量１０２の時間経過に対して変化する様子を示している。この第１光量推移曲線１１３は図３（ｃ）に示す小領域６５から正反射する光量１０２の推移を示している。そして、第２光量推移曲線１１４は中領域６４から正反射する光量１０２の推移を示し、第３光量推移曲線１１５は大領域６３から正反射する光量１０２の推移を示している。
【０１０２】
小領域６５の液状体６２は中領域６４に比べて容量が小さいので、乾燥して他の領域より先に凸状から平坦になる。そして、小領域６５の液状体６２が乾燥して凸状から平坦になるとき、第１光量推移曲線１１３は最大になる。このとき第１光量推移曲線１１３が変化点としての極値１１３ａを超えるときの時間を第１平坦時１０５ｂとする。次に、中領域６４の液状体６２が乾燥して凸状から平坦になり、最後に大領域６３の液状体６２が乾燥して凸状から平坦になる。中領域６４、大領域６３の液状体６２が平坦になり、第２光量推移曲線１１４が変化点としての極値１１４ａを越えるときの時間、第３光量推移曲線１１５が変化点としての極値１１５ａを越えるときの時間、をそれぞれ、第２平坦時１０５ｃ、第３平坦時１０５ｄとする。
【０１０３】
図１１（ｂ）において、縦軸は乾燥室３の流速計３４が測定する流速１１６を示し、上側が下側より流速１１６が大きい量となっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、固化条件調整部８８が総ての流速計３４が測定する流速の平均を演算し、演算した平均値の推移を平均流速曲線１１７に示している。
【０１０４】
図１１（ｂ）に示すように、平均流速曲線１１７は初期速度１１７ａのまま固化工程を継続する。そして、第１平坦時１０５ｂにおいて流速１１６を第１速度１１７ｂまで上げる。このとき、液状体６２の表面には膜の形成が開始されており、液状体６２が流動し難くなっている。次に、第２平坦時１０５ｃにおいて流速１１６を第２速度１１７ｃまで上げる。このとき、液状体６２の表面に形成された膜の厚みが増しており、液状体６２はさらに流動し難くなっている。そして、第３平坦時１０５ｄにおいて液状体６２が固化されたと判断し、流速１１６を下げてステップＳ６を終了する。
【０１０５】
図１２はステップＳ７に対応する図であり、乾燥所要時間の推移を示すグラフである。図１２において、縦軸はステップＳ１１において固化するまでの時間である乾燥所要時間１１８を示し、上側が下側より長い時間となっている。横軸は前回保守した後、装置を稼動した回数である乾燥装置駆動回数１１９を示し、右側が左側より多い回数となっている。そして、各回における乾燥所要時間１１８の推移を乾燥時間推移曲線１２０が示している。乾燥装置１を連続駆動するとき、乾燥室３の内壁に液状体６２が結露することがある。この結露した液状体６２の量が増えてくると、基板１５に塗布された液状体６２が乾燥し難くなるので、乾燥所要時間１１８が長くなる傾向がある。従って、乾燥時間推移曲線１２０が示すように乾燥装置駆動回数１１９が多くなるにつれて乾燥所要時間１１８が長くなる。
【０１０６】
制御装置７０はメモリ７２に格納された判断閾値データ８２の一つに閾値としての保守判断閾値１２１を有している。ステップＳ１１において乾燥所要時間１１８を測定し、ステップＳ７において乾燥時間演算部９１が乾燥所要時間１１８と保守判断閾値１２１とを比較する。そして、乾燥所要時間１１８が保守判断閾値１２１を越えるとき、保守を行う必要があると判断する。そして、ステップＳ８において乾燥室３の内壁に付着した液状体６２を除去する。以上の工程により膜を形成する製造工程を終了する。
【０１０７】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、液状体６２に斜めから光４０を照射し、液状体６２の表面で反射する光４０と液状体６２の内部に進行して基板１５から反射する光４０を検出している。このとき、液状体６２の形状が変化することより、反射する光４０の分布も変化する。そして、液状体６２に対して光４０を照射して、反射する光４０を検出することで、固化状態が判断できることから、簡便な方法で固化状態を判断することができる。
【０１０８】
（２）本実施形態によれば、正反射する光４０を検出している。液状体６２が凸状のときと凹状のとき、液状体６２に対して斜め方向から光４０を照射しても、光４０が正反射し難くなっている。そして、液状体６２が略平坦のとき、液状体６２に対して斜め方向から光４０を照射することにより正反射させることができる。従って、正反射する光４０を検出することにより液状体６２の表面が略平坦な状態になっていることを判断することができる。
【０１０９】
（３）本実施形態によれば、第２検出部３９が正反射する光４０以外の光４０を検出している。凸状のときと凹状の液状体６２に対して斜め方向から光４０を照射するとき、反射する光４０は指向性の弱い光分布となっている。そして、液状体６２が平坦に近づくにつれて、指向性の強い光分布となる。そして、正反射する光４０以外の光は、液状体６２が平坦に近づくにつれて弱くなる。次に、平坦から凹状に進行するに従い、正反射以外の光４０は強くなる。従って、第２検出部３９が正反射する光４０以外の光４０を検出することにより液状体６２の表面が凸状又は凹状の状態になっていることを判断することができる。
【０１１０】
（４）本実施形態によれば、正反射する光４０と、正反射する光４０以外の光４０とを用いて液状体６２の固化状態を判断している。正反射する光４０を検出するとき、液状体６２が略平坦の状態の判断が可能である。そして、正反射する光４０以外の光４０を検出するとき、液状体６２が凸状のときと凹状のときの状態の判断をすることができる。従って、正反射する光４０と、正反射する光４０以外の光とを用いるとき、液状体６２が、略平坦の状態と、凸状又は凹状の状態との両方の判断を行うことができる。
【０１１１】
（５）本実施形態によれば、複数の液面検出領域５９において反射光を検出している。従って、複数の液面検出領域５９における固化状態を判断することができる。
【０１１２】
（６）本実施形態によれば、液面検出領域５９には複数の塗布領域６１が配置され、塗布領域６１には異なる量の液状体６２が塗布されている。大量の液状体６２が塗布されている大領域６３の近くと、小量の液状体６２が塗布されている小領域６５の近くとでは、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ乾燥速度にムラが生じる。そして、大領域６３、中領域６４、小領域６５が混在して配置されているので、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ難くなっている。従って、乾燥速度のムラに影響を受けずに固化状態を判断することができる。
【０１１３】
（７）本実施形態によれば、塗布領域６１に塗布する液状体６２の量を変えることにより、凸状の大きさを変えることができる。そして、塗布する液状体６２の量を調整することにより、所定の液状体の量において液状体６２が蒸発して略平坦になる時を検出することができる。
【０１１４】
（８）本実施形態によれば、液状体６２の固化状態に応じて連通弁１０、吸気バルブ２３、排気バルブ３０を制御することにより乾燥条件を変更している。従って、乾燥状態に応じて乾燥速度を変更することができる。
【０１１５】
（９）本実施形態によれば、固化状態を確認してステップＳ１１の固化工程を終了している。通常、固化工程は固化に要する時間を用いて管理することが多い。そして、確実に固化するためには、固化に必要な時間より長い時間乾燥を行う必要がある。この方法では、固化に必要な時間より長い時間乾燥する必要がない。従って、乾燥に要する時間を管理する方法に比べて、生産性良く固化することができる。
【０１１６】
（１０）本実施形態によれば、液状体６２の乾燥所要時間１１８が保守判断閾値１２１より長いとき保守を行う判断をするので、乾燥所要時間１１８が長くならないように維持することができる。従って、生産性良く固化することができる。
【０１１７】
（１１）本実施形態によれば、第２検出部３９が受光する光量１０２に応じて測定間隔１０３を変更している。このとき、液状体６２に光４０が常時照射されないので、液状体６２が光４０により加熱され難くなっている。従って、液状体６２の乾燥状態が照射する光４０の影響を受け難いので、精度良く乾燥状態を判断することができる。
【０１１８】
（１２）本実施形態によれば、液面検出領域５９は基板１５の外周に配置され、乾燥し易い場所における液状体６２の乾燥状態を判断している。そして、乾燥し易い場所は乾燥し難い場所に比べて固化の変化が早いので、変化の早い場所の固化状態に対応して乾燥条件を調整することができる。
【０１１９】
（１３）本実施形態によれば、液状体６２の固化状態を判断し、固化状態に応じて気流の速度分布を調整している。気流の速度が速い場所では早く固化させることができることから、基板１５内で液状体６２が固化する分布を制御することができる。従って、基板１５内の塗布領域６１において、略同時に固化が終了するように乾燥することができる。一部分が遅れて乾燥するとき、その部分が乾燥する時間だけ長く乾燥時間がかかる。この場合に比べて、生産性良く固化することができる。
【０１２０】
（第２の実施形態）
本実施形態では、液状体を乾燥して膜を形成する本実施形態の特徴的な乾燥方法の一実施形態について図１３を用いて説明する。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、液面検出領域５９における大領域６３、中領域６４、小領域６５の配置が異なる点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１２１】
図１３（ａ）は液面検出領域を説明する模式平面図であり、図１３（ｂ）は液面検出領域を説明する模式断面図である。そして、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＣ−Ｃ’における断面を示している。そして、図１３に示す液面検出領域１２４は図３に示す液面検出領域５９に相当する領域である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、液面検出領域２４には隔壁部６０が６行６列の格子状に配置され、隔壁部６０に囲まれた塗布領域６１には液状体６２が塗布されている。この液状体６２の塗布量は大中小の３水準形成されている。そして、塗布量が大の領域である大領域６３、塗布量が中の領域である中領域６４、塗布量が小の領域である小領域６５が配置されている。
【０１２２】
液面検出領域１２４の最外周には大領域６３が配置され、大領域６３の内側の行及び列には中領域６４が配置されている。そして、中央には小領域６５が配置されている。つまり、液面検出領域１２４の内側の塗布領域６１に比べて外側の塗布領域６１の方が塗布量が大きくなるように配置されている。この液面検出領域１２４の状態にて第１の実施形態と同様に膜の形成を行う。
【０１２３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、塗布量の小さい小領域６５が塗布量の大きい大領域６３に囲まれて配置されている。つまり、蒸発溶媒の分子分圧の小さい場所が、蒸発溶媒の分子分圧の大きい場所に囲まれている。従って、蒸発溶媒の分子分圧の小さい場所が、蒸発溶媒の分子分圧の大きい場所の影響を受けて、蒸発溶媒の分子分圧の大きくなり易くなっている。その結果、局所的に蒸発溶媒の分子分圧差が生じ難くなり、乾燥速度のムラに影響を受けずに固化状態を判断することができる。
【０１２４】
（第３の実施形態）
本実施形態では、液状体を乾燥して膜を形成する本実施形態の特徴的な乾燥装置と基板の一実施形態について図１４を用いて説明する。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、液面検出領域が基板１５の外周を囲んで配置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１２５】
図１４（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図である。図１４（ａ）に示すように、乾燥装置１２５は基台７を備え、基台７には支持部１６が４箇所立設され、各支持部１６の上端には各支持部１６の間を架橋する架橋部１７が形成されている。そして、Ｘ方向に延在する架橋部１７には長尺の第１液面検出装置１２６が配置され、Ｙ方向に延在する架橋部１７には短尺の第２液面検出装置１２７が配置されている。そして第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７が矩形の枠状に配置され、基板１５の周囲と対向する場所に配置されている。第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７の内部構造は図２に示す液面検出装置１８と同様の構造となっている。そして、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７が液面検出装置１８と異なる点は各光学要素が長く配列して配置されており、長い範囲における液状体６２の状態を検出可能となっている。
【０１２６】
図１４（ｂ）は、基板の測定場所を説明する模式平面図であり、図１４（ｃ）は、液面検出領域を説明する模式平面図である。図１４（ｂ）に示すように、基板１５は中央に機能領域５７が配置され、機能領域５７の周辺には予備領域５８が配置されている。そして、予備領域５８において機能領域５７の周囲を囲んで液面検出領域１２８が設定されている。
【０１２７】
図１４（ｃ）に示すように、液面検出領域１２８には矩形の塗布領域６１が配列して配置され、各塗布領域６１を囲んで隔壁部６０が形成されている。そして、隔壁部６０に囲まれた塗布領域６１には液状体６２が塗布されている。この液状体６２の塗布量は大中小の３水準形成されている。そして、塗布量が大の領域である大領域６３、塗布量が中の領域である中領域６４、塗布量が小の領域である小領域６５がこの順に並んで配置されている。
【０１２８】
乾燥装置１２５を駆動するとき、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７が液面検出領域１２８に並んで配置された液状体６２の状態を検出する。そして、基板１５の外周における固化状態の分布を検出しつつ、乾燥を行うことが可能となっている。
【０１２９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７は複数の光学要素が長く配列して配置され、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７が塗布領域６１に塗布された液状体６２から反射された反射光の分布を検出することができる。従って、広い範囲の反射光を検出することができる。
【０１３０】
（第４の実施形態）
本実施形態では、液状体を乾燥して膜を形成する本実施形態の特徴的な乾燥装置と基板の一実施形態について図１５を用いて説明する。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、液面検出領域が基板１５と異なる場所に配置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１３１】
図１５（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略側断面図であり、図１５（ｂ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図である。図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＤ−Ｄ’における断面である。図１５に示すように、乾燥装置１２９は移動テーブル１２を備え、移動テーブル１２の中央に基板１５が配置されている。そして、基板１５の周囲には検出用基板１３０が配置されている。検出用基板１３０は基板１５と同様、基板チャック機構により固定されている。
【０１３２】
検出用基板１３０において液面検出装置１８と対向する場所には図３に示す液面検出領域５９が形成されている。そして、液面検出領域５９の中には大領域６３、中領域６４、小領域６５に液状体６２が塗布される。そして、検出用基板１３０における固化状態の分布を検出しつつ、乾燥を行うことが可能となっている。
【０１３３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、基板１５と異なる場所に検出用基板１３０を配置し、検出用基板１３０に塗布された液状体６２の固化状態を検出している。従って、基板１５の中に固化状態を観測するための塗布領域６１を設ける必要がない。従って、基板１５を効率良く用いることができる。
【０１３４】
（第５の実施形態）
本実施形態では、液状体を乾燥して膜を形成する本実施形態の特徴的な乾燥方法の一実施形態について図１６を用いて説明する。この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、検出部が受光する光量と閾値とを比較して固化状態を判断する点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１３５】
図１６（ａ）は第１検出部が検出する光量の推移を示すグラフであり、図１６（ｂ）は第２検出部が検出する光量の推移を示すグラフである。図１６（ａ）において縦軸は図２に示す第１検出部３８が受光する光量６７を示し、上側が大きく下側が小さくなっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、受光量曲線１３１は時間１０５の経過に対する光量６７の変化の推移を示している。そして、メモリ７２の判断閾値データ８２の一つに閾値としての固化判断閾値１３２を格納する。ステップＳ６において固化判断部９２は第１検出部３８が受光する光量６７と固化判断閾値１３２とを比較する。光量６７が固化判断閾値１３２を越えるとき固化を終了する。このときの時間を固化終了時間１０５ｅとする。
【０１３６】
図１６（ｂ）において縦軸は図２に示す第２検出部３９が受光する光量６７を示し、上側が大きく下側が小さくなっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、受光量曲線１３３は時間１０５の経過に対する光量６７の変化の推移を示している。そして、メモリ７２の判断閾値データ８２の一つに閾値としての固化判断閾値１３４を格納する。ステップＳ４において固化判断部９２は第２検出部３９が受光する光量６７と固化判断閾値１３４とを比較する。光量６７が固化判断閾値１３４を越えるとき固化が進み、液状体６２が流動し難い段階に達したことを判断する。このときの時間を非流動化時間１０５ｆとする。
【０１３７】
図１６（ｃ）は乾燥室内の流速の推移を示すグラフである。図１６（ｃ）において、縦軸は乾燥室３の流速計３４が測定する流速１１６を示し、上側が下側より流速１１６が大きい量となっている。横軸は時間１０５の経過を示している。そして、固化条件調整部８８が総ての流速計３４が測定する流速の平均を演算し、演算した平均値の推移を平均流速曲線１３５に示している。
【０１３８】
図１６（ｃ）に示すように、平均流速曲線１３５は初期速度１３５ａのまま固化工程を継続する。そして、非流動化時間１０５ｆにおいて流速１１６を第１速度１３５ｂまで上げる。このとき、液状体６２の表面には膜の形成が開始されており、液状体６２が流動し難くなっている。そして、固化終了時間１０５ｅにおいて液状体６２が固化されたと判断し、流速１１６を下げてステップＳ６を終了する。続いて、以降の工程を行い、膜を形成する工程を終了する。
【０１３９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、予め反射光の光量６７と固化状態との相関を調べて、固化状態を判断する固化判断閾値１３２及び固化判断閾値１３４が設定されている。そして、閾値と比較することにより、簡便に固化状態を判断することができる。
【０１４０】
（第６の実施形態）
次に、上記の膜形成方法を応用して有機ＥＬ装置を製造する一実施形態について図１７を用いて説明する。
【０１４１】
まず、電気光学装置の一つである有機ＥＬ装置について説明する。図１７は、有機ＥＬ装置の構造を示す概略分解斜視図である。
【０１４２】
図１７に示すように、光学素子基板及び電気光学装置としての有機ＥＬ装置１３７は、基板１３８を備えている。基板１３８の上側には、絶縁膜１３９が形成されている。絶縁膜１３９上には、コンタクト電極１４０がマトリクス状に形成され、各コンタクト電極１４０と隣接する場所には、スイッチング機能を有する半導体としてのＴＦＴ素子１４１が形成されている。そして、ＴＦＴ素子１４１のドレイン端子にコンタクト電極１４０が接続されている。
【０１４３】
各コンタクト電極１４０及びＴＦＴ素子１４１を囲むように、配線としての走査線１４２及び配線としてのデータ線１４３が格子状に形成されている。そして、走査線１４２は、ＴＦＴ素子１４１のゲート端子と接続され、データ線１４３は、ＴＦＴ素子１４１のソース端子と接続されている。
【０１４４】
そして、コンタクト電極１４０、ＴＦＴ素子１４１、走査線１４２、データ線１４３等からなる素子層１４４が形成されている。素子層１４４の上側には、絶縁膜１４５が形成され、絶縁膜１４５の上側には、隔壁部１４６が格子状に形成されている。
【０１４５】
隔壁部１４６により形成される凹状領域の各底部には、電極としての画素電極１４７が形成され、画素電極１４７は、コンタクト電極１４０と電気的に接続されている。画素電極１４７の上面には、発光素子としての正孔輸送層１４８が形成され、正孔輸送層１４８の上面には、発光素子としての発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂが形成されている。そして、正孔輸送層１４８と発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂとにより発光素子としての機能層１５０が形成されている。
【０１４６】
発光層１４９Ｒは、赤色を発光する有機発光材料等により構成された発光層であり、発光素子としての発光層１４９Ｇは、緑色を発光する有機発光材料等により構成された発光層である。同様に、発光素子としての発光層１４９Ｂは、青色を発光する有機発光材料等により構成された発光層である。
【０１４７】
機能層１５０及び隔壁部１４６の上側全面に渡って、光透過性を有する導電性材料等からなる電極としての陰極１５１が形成されている。本実施形態においては、陰極１５１は、例えば、ＩＴＯを採用している。
【０１４８】
陰極１５１の上面には、光透過性を有する材料等からなる封止膜１５２が形成され、陰極１５１及び機能層１５０が空気中の酸素により酸化されることを防止している。
【０１４９】
画素電極１４７と陰極１５１との間に電圧を印加するとき、正孔輸送層１４８は、正孔のみを流動する。そして、発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂは、正孔輸送層１４８から供給される正孔と陰極１５１から供給される電子とが、合体するときのエネルギにより、発光する性質を持っている。ＴＦＴ素子１４１は、スイッチング動作を行い、機能層１５０にかける電圧をコントロールすることにより、発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂが発光する光量を制御する。このように、発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂが発光する光量を制御することにより、画素毎に光量をコントロールし、画素を明滅させることにより、映像を表示させることができる。
【０１５０】
画素電極１４７は、ＴＦＴ素子１４１のドレイン端子に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線１４３から供給される画素信号が各画素電極１４７に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極１４７に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、陰極１５１と画素電極１４７との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂが発光する光量が変化する。
【０１５１】
素子層１４４に走査線１４２及びデータ線１４３の配線を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、絶縁膜で隔壁部を形成した後、液滴吐出装置を用いて、この配線の材料液を隔壁部の間に形成された凹部に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて配線の材料液を減圧乾燥して固化することにより陰極１５１を形成する。
【０１５２】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、配線の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより走査線１４２及びデータ線１４３を形成する。
【０１５３】
さらに、素子層１４４にＴＦＴ素子１４１を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、絶縁膜で隔壁部を形成した後、液滴吐出装置を用いて、シリコン等のＴＦＴ素子の材料液を隔壁部の間に形成された凹部に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて配線の材料液を減圧乾燥して固化することにより陰極１５１を形成する。
【０１５４】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、ＴＦＴ素子の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することによりＴＦＴ素子の材料液を結晶化する。その後、イオンドープした後、絶縁膜及び端子を形成することにより、ＴＦＴ素子１４１を形成する。
【０１５５】
さらに、絶縁膜１４５の表面に画素電極１４７を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、絶縁膜で隔壁部を形成した後、液滴吐出装置を用いて、この画素電極の材料液を隔壁部の間に形成された凹部に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて画素電極の材料液を減圧乾燥して固化することにより画素電極１４７を形成する。
【０１５６】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、画素電極の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより画素電極１４７を形成する。
【０１５７】
さらに、画素電極１４７の表面に正孔輸送層１４８を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、液滴吐出装置を用いて、この正孔輸送層の材料液を画素電極１４７の表面に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて正孔輸送層の材料液を減圧乾燥して固化することにより正孔輸送層１４８を形成する。
【０１５８】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、正孔輸送層の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより正孔輸送層１４８を形成する。
【０１５９】
さらに、正孔輸送層１４８の表面に発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂを形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、液滴吐出装置を用いて、この発光層の材料液を正孔輸送層１４８の表面に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて発光層の材料液を減圧乾燥して固化することにより発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂを形成する。
【０１６０】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、発光層の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより発光層１４９Ｒ，１４９Ｇ，１４９Ｂを形成する。
【０１６１】
さらに、機能層１５０及び隔壁部１４６の上面に陰極１５１を形成する工程において、第１の実施形態における乾燥方法を用いる。具体的には、液滴吐出装置を用いて、この陰極の材料液を機能層１５０及び隔壁部１４６の上面に吐出して塗布する。その後、乾燥装置１を用いて陰極の材料液を減圧乾燥して固化することにより陰極１５１を形成する。
【０１６２】
このとき、第１の実施形態における固化工程と同様な工程を用いる。つまり、陰極の材料液の固化状態を確認して乾燥条件を調整しながら固化する。その後、固化したことを確認した後、乾燥を終了することにより陰極１５１を形成する。
【０１６３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、走査線１４２及びデータ線１４３を製造する工程において、第１の実施形態における吐出方法を用いることにより、配線材料を生産性良く固化して走査線１４２及びデータ線１４３を製造することができる。
【０１６４】
（２）本実施形態によれば、ＴＦＴ素子１４１を製造する工程において、第１の実施形態における吐出方法を用いることにより、ＴＦＴ素子の材料を生産性良く固化してＴＦＴ素子１４１を製造することができる。
【０１６５】
（３）本実施形態によれば、画素電極１４７及び陰極１５１を製造する工程において、
第１の実施形態における吐出方法を用いることにより、電極材料を生産性良く固化して画素電極１４７及び陰極１５１を製造することができる。
【０１６６】
（４）本実施形態によれば、機能層１５０を製造する工程において、第１の実施形態における吐出方法を用いることにより、発光素子形成材料を生産性良く固化して機能層１５０を製造することができる。
【０１６７】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態において、大領域６３、中領域６４、小領域６５の塗布領域６１は同じ面積に形成されていたが、各領域の面積を異なる面積に設定しても良い。また、隔壁部の高さを異なる高さに設定しても良い。いずれの方法においても液状体６２の表面曲率を検出し易い曲率の範囲にすることにより固化状態を検出し易くすることができる。
【０１６８】
（変形例２）
前記第１の実施形態において、乾燥室３を流動する気流の流速１１６を制御したが、第１室５及び第２室６の気圧を制御しても良い。さらに、流速１１６と気圧との両方を検出して制御しても良い。そして、流速１１６と気圧の内、測定及び制御し易い方を用いても良い。制御し易い方法を採用する方が精度良く制御することができる。
【０１６９】
（変形例３）
前記第１の実施形態において、塗布領域６１は矩形に形成されているが、これに限らない。平行四辺形、楕円形等配置し易い形状を採用しても良い。基板１５を効率良く活用することができる。
【０１７０】
（変形例４）
前記第１の実施形態において、光検出部５２及び光検出部５４にＣＣＤカメラを用いた。ＣＣＤカメラはエリアセンサであるが、エリアセンサに限らず、検出部が１点のみのセンサでも良く、直線に配列されたラインセンサでも良い。検出する液面検出領域５９の形態に合わせて切り換えても良い。センサが簡便な方が簡便な装置にすることができる。
【０１７１】
（変形例５）
前記第３の実施形態において、第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７は
各光学要素を長く配列して配置したが、これに限らない。光源に長尺な発光素子を用いても良い。例えば蛍光管、冷陰極管等を採用しても良い。また、レンズは柱状レンズを採用しても良い。さらに、光検出部にはラインセンサを採用しても良い。個別に光学要素を配列して形成する方法に比べて、簡便に第１液面検出装置１２６及び第２液面検出装置１２７を製造することができる。
【０１７２】
（変形例６）
前記第６の実施形態において、有機ＥＬ装置の製造方法に第１の実施形態を活用して製造したが、第２の実施形態〜第５の実施形態を活用して製造しても良い。同様の効果を得ることができる。
【０１７３】
（変形例７）
前記第１の実施形態〜前記第５の実施形態を用いて、光学レンズを製造しても良い。レンズの平面形状に隔壁部を形成した後、隔壁部内にレンズ形成材料を塗布する。その後、前記第１の実施形態〜前記第５の実施形態を用いてレンズ形成材料を固化する。この場合にも、生産性良くレンズを形成することができる。
【０１７４】
（変形例８）
前記第１の実施形態〜前記第５の実施形態を用いて、カラーフィルタを製造しても良い。格子状に隔壁部を形成した後、隔壁部内にカラーフィルタ形成材料を塗布する。その後、前記第１の実施形態〜前記第５の実施形態を用いてカラーフィルタ形成材料を固化する。この場合にも、生産性良くカラーフィルタを形成することができる。
【０１７５】
（変形例９）
前記第１の実施形態において、塗布領域６１に塗布する塗布量は３水準にしたが、水準数に限定されない。１水準でも良く、このとき、簡便に判断することができる。また、水準数を多くすることにより、固化状態を細かく検出することができる。
【０１７６】
（変形例１０）
前記第１の実施形態において、液面検出装置１８には正反射光を検出する第１検出部３８と乱反射光の一部を検出する第２検出部３９とを配置したが、どちらか一方を設置しても良い。検出部を減らすことにより簡便な装置にすることができる。
【０１７７】
（変形例１１）
前記第１の実施形態において、光源４７と基板１５との間に赤外カットフィルタ、紫外カットフィルタ等のフィルタを設けても良い。光４０が液状体６２に及ぼす影響を少なくすることにより、測定精度を向上することができる。
【０１７８】
（変形例１２）
前記第１の実施形態において、基板１５に液面検出領域５９を８箇所配置したが、液面検出領域５９の設置数に限定されない。液面検出領域５９の個数が少ないとき簡便な装置とすることができ、液面検出領域５９の個数が多いとき、固化状態の進行具合の分布を精度良く検出することができる。
【０１７９】
（変形例１３）
前記第１の実施形態において、液面検出領域５９は基板１５の周辺に配置したが、これに限らず、基板１５の中央等周辺以外の場所に配置しても良い。流速１１６の分布が異なる場所に液面検出領域５９を配置することにより、各場所における乾燥条件を制御して、膜厚ムラの少ない膜を形成することができる。
【０１８０】
（変形例１４）
前記第１の実施形態において、液面検出領域５９は移動テーブル１２上の基板１５に配置されたが、これに限らず、乾燥室３の内壁等、各所に配置しても良い。各場所の状態を配慮して乾燥条件を制御できる為、膜厚ムラの少ない膜を形成することができる。
【０１８１】
（変形例１５）
前記第１の実施形態において、乾燥室３の流速を初期速度１１７ａから第２速度１１７ｃまで上げたが、これに限らない。初期速度１１７ａの流速１１６が高く、第２速度１１７ｃが低くとも良い。液状体６２の性質に合わせて切り換えても良い。
【０１８２】
（変形例１６）
前記第１の実施形態において、乾燥室３の内部には圧力計３３と流速計３４とを配置したが、温度計を加えても良い。そして、固化状態に応じて、乾燥室３内を流動する気流の温度を制御しても良い。温度により乾燥速度を変えられることから、生産性良く固化することができる。
【０１８３】
（変形例１７）
前記第１の実施形態において、乾燥室３の気圧を減圧して、気流の流れを形成して乾燥したが、減圧する方法と気流の流れを活用する方法のどちらか一方を用いてもよい。固化する液状体６２の性質に合わせて選択するのが好ましい。膜厚ムラの少ない膜を形成することができる。
【０１８４】
（変形例１８）
前記第１の実施形態において、乾燥室３の気圧を減圧して、気流の流れを形成して乾燥したが、乾燥室３内の温度を上げて乾燥しても良い。ヒータを配置する方法は減圧及び気流を形成する方法に比べて簡便な装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８５】
【図１】第１の実施形態に係り、（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略側断面図、（ｂ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図。
【図２】液面検出装置の構造を示す模式断面図。
【図３】（ａ）は、基板の測定場所を説明する模式平面図、（ｂ）は、液面検出領域を説明する模式平面図、（ｃ）は、液面検出領域を説明する模式断面図。
【図４】液状体に照射される光の挙動を説明する図。
【図５】液状体の形状と反射光の光量との関係を説明する図。
【図６】乾燥装置の電気制御ブロック図。
【図７】膜を形成する製造工程を示すフローチャート。
【図８】膜を形成する製造方法を説明する図。
【図９】（ａ）は、第２検出部が受光する光量と測定間隔との関係を示すグラフ、（ｂ）は、第２検出部が受光する光量の推移を示すグラフ、（ｃ）は、検出部における測定間隔の推移を示すグラフ。
【図１０】（ａ）は、第２検出部が測定する光量データの推移を示すグラフ、（ｂ）は、平均光量との差に対する風速の補正量を示すグラフ。
【図１１】（ａ）は、第１検出部が受光する光量の推移を示すグラフ、（ｂ）は、乾燥室内の流速の推移を示すグラフ。
【図１２】乾燥所要時間の推移を示すグラフ。
【図１３】第２の実施形態に係り、（ａ）は、液面検出領域を説明する模式平面図であり、（ｂ）は、液面検出領域を説明する模式断面図。
【図１４】第３の実施形態に係り、（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図、（ｂ）は、基板の測定場所を説明する模式平面図、（ｃ）は、液面検出領域を説明する模式平面図。
【図１５】第４の実施形態に係り、（ａ）は、乾燥装置の構造を示す概略側断面図、（ｂ）は、乾燥装置の構造を示す概略平断面図。
【図１６】第５の実施形態に係り、（ａ）は第１検出部が検出する光量の推移を示すグラフ、（ｂ）は第２検出部が検出する光量の推移を示すグラフ、（ｃ）は乾燥室内の流速の推移を示すグラフ。（ａ）は第１検出部が検出する光量の推移を示すグラフであり、図１６（ｂ）は第２検出部が検出する光量の推移を示すグラフである。
【図１７】第６の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す概略分解斜視図。
【符号の説明】
【０１８６】
１…乾燥装置、３…乾燥室、１５…基板、３２…送風部及び減圧部としての排気装置、３７…照射部、３８…検出部としての第１検出部、３９…検出部としての第２検出部、４０…光、６０…隔壁部、６１…塗布領域、６２…液状体、６７…光量、８８…固化条件調整部、９２…固化判断部、１１６…流速、１２１…閾値としての保守判断閾値、１３２，１３４…閾値としての固化判断閾値。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布された液状体を固化して膜を形成する乾燥方法であって、
前記基板に隔壁部を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁部に囲まれた塗布領域に前記液状体を塗布する塗布工程と、
塗布された前記液状体を乾燥して固化する固化工程と、を有し、
前記固化工程は、前記液状体に対して斜め方向から光を照射し、前記液状体からの反射光の光量を検出する検出工程と
前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断する固化判断工程とを有することを特徴とする乾燥方法。
【請求項２】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、
前記固化判断工程では、光量が増加した後減少するときの変化点を用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項３】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、
前記固化判断工程では、前記反射光の光量を用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項４】
請求項２に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程では、前記正反射する光の検出に加え、
前記液状体からの前記反射光の内、前記正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、
前記固化判断工程では、前記正反射する光の光量と、前記正反射する光以外の光の光量とを用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項５】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記隔壁形成工程では、複数の前記塗布領域を形成し、
前記塗布工程では、複数の前記塗布領域に異なる量の前記液状体を塗布し、
前記検出工程では、複数の前記塗布領域における前記反射光の光量を検出し、
前記固化判断工程では、複数の前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項６】
請求項５に記載の乾燥方法であって、
異なる量の前記液状体が塗布された前記塗布領域が混在して配置されることを特徴とする乾燥方法。
【請求項７】
請求項５に記載の乾燥方法であって、
複数配置された前記塗布領域の内側に比べて、外側の前記塗布領域に大きい量の前記液状体が塗布されることを特徴とする乾燥方法。
【請求項８】
請求項５に記載の乾燥方法であって、
複数の前記塗布領域の内、少なくとも一部の前記塗布領域において、前記塗布領域の面積及び前記隔壁部の高さが略同じに形成されていることを特徴とする乾燥方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の乾燥方法であって、
前記固化工程は固化条件調整工程を有し、
前記固化条件調整工程では、前記固化判断工程で判断した固化状態に応じて、
前記液状体の周囲を流動する気流の速度と、前記液状体の周囲の気圧との内少なくとも一方を調整することを特徴とする乾燥方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の乾燥方法であって、
前記固化判断工程は前記固化工程を終了する判断を行うことを特徴とする乾燥方法。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の乾燥方法であって、
前記固化工程では、前記液状体が固化する時間を測定し、
前記液状体が固化する時間を用いて保守を行う判断をする保守要否判断工程を備えることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程において、前記液状体に照射する光は間欠照射されることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記固化工程では、前記液状体の周囲に気流を形成し、
前記検出工程では、前記気流の流速の早い場所に位置する前記塗布領域に光を照射し、前記液状体からの前記反射光の光量を検出することを特徴とする乾燥方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記固化工程では、前記液状体の周囲に気流を形成し、
前記固化工程は固化条件調整工程を有し、
前記検出工程では、複数の前記塗布領域に光を照射し、前記液状体からの前記反射光の光量を検出し、
前記固化判断工程では、複数の前記塗布領域における固化状態を判断し、
前記固化条件調整工程では、前記固化判断工程で判断した固化状態に応じて、
複数の前記塗布領域の速度分布を調整することを特徴とする乾燥方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、
前記固化判断工程では、光量と閾値とを比較して固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項１６】
基板の塗布領域に塗布された液状体を乾燥することにより固化して膜を形成する乾燥装置であって、
前記液状体に対して斜め方向から光を照射する照射部と、
前記液状体からの反射光の光量を検出する検出部と、
前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断する固化判断部とを有することを特徴とする乾燥装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の乾燥装置であって、
前記照射部は、略平行に進行する光を照射し、
前記検出部は、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、
前記固化判断部は、光量が増加した後減少するときの変化点を用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の乾燥装置であって、
前記検出部は、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、
前記固化判断部は、光量を用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の乾燥装置であって、
前記検出部は、前記正反射する光の検出に加え、
前記液状体からの前記反射光の内、前記正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、
前記固化判断部は、前記正反射する光の光量と、前記正反射する光以外の光の光量とを用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２０】
請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の乾燥装置であって、
前記塗布領域の周囲に気流を形成する送風部と、
前記送風部を制御して前記気流の速度を調整する固化条件調整部とを有し、
前記固化条件調整部は、前記固化判断部が判断した固化状態に応じて、
前記液状体の周囲を流動する前記気流の速度を調整することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２１】
請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の乾燥装置であって、
前記基板を内部に配置する乾燥室と、
前記乾燥室内の気圧を減圧する減圧部と、
前記減圧部を制御して前記気圧を調整する固化条件調整部とを有し、
前記固化条件調整部は、前記固化判断部が判断した固化状態に応じて、
前記乾燥室内の前記気圧を調整することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２２】
請求項１６に記載の乾燥装置であって、
前記照射部は前記基板と異なる場所に塗布された液状体に対して斜め方向から光を照射し、
前記検出部は前記基板と異なる場所に塗布された前記液状体からの前記反射光の光量を検出することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２３】
請求項１６又は２１に記載の乾燥装置であって、
前記検出部は複数の光検出素子が広い範囲に配置されていることを特徴とする乾燥装置。
【請求項１】
基板に塗布された液状体を固化して膜を形成する乾燥方法であって、
前記基板に隔壁部を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁部に囲まれた塗布領域に前記液状体を塗布する塗布工程と、
塗布された前記液状体を乾燥して固化する固化工程と、を有し、
前記固化工程は、前記液状体に対して斜め方向から光を照射し、前記液状体からの反射光の光量を検出する検出工程と
前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断する固化判断工程とを有することを特徴とする乾燥方法。
【請求項２】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、
前記固化判断工程では、光量が増加した後減少するときの変化点を用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項３】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、
前記固化判断工程では、前記反射光の光量を用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項４】
請求項２に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程では、前記正反射する光の検出に加え、
前記液状体からの前記反射光の内、前記正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、
前記固化判断工程では、前記正反射する光の光量と、前記正反射する光以外の光の光量とを用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項５】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記隔壁形成工程では、複数の前記塗布領域を形成し、
前記塗布工程では、複数の前記塗布領域に異なる量の前記液状体を塗布し、
前記検出工程では、複数の前記塗布領域における前記反射光の光量を検出し、
前記固化判断工程では、複数の前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項６】
請求項５に記載の乾燥方法であって、
異なる量の前記液状体が塗布された前記塗布領域が混在して配置されることを特徴とする乾燥方法。
【請求項７】
請求項５に記載の乾燥方法であって、
複数配置された前記塗布領域の内側に比べて、外側の前記塗布領域に大きい量の前記液状体が塗布されることを特徴とする乾燥方法。
【請求項８】
請求項５に記載の乾燥方法であって、
複数の前記塗布領域の内、少なくとも一部の前記塗布領域において、前記塗布領域の面積及び前記隔壁部の高さが略同じに形成されていることを特徴とする乾燥方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の乾燥方法であって、
前記固化工程は固化条件調整工程を有し、
前記固化条件調整工程では、前記固化判断工程で判断した固化状態に応じて、
前記液状体の周囲を流動する気流の速度と、前記液状体の周囲の気圧との内少なくとも一方を調整することを特徴とする乾燥方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の乾燥方法であって、
前記固化判断工程は前記固化工程を終了する判断を行うことを特徴とする乾燥方法。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の乾燥方法であって、
前記固化工程では、前記液状体が固化する時間を測定し、
前記液状体が固化する時間を用いて保守を行う判断をする保守要否判断工程を備えることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程において、前記液状体に照射する光は間欠照射されることを特徴とする乾燥方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記固化工程では、前記液状体の周囲に気流を形成し、
前記検出工程では、前記気流の流速の早い場所に位置する前記塗布領域に光を照射し、前記液状体からの前記反射光の光量を検出することを特徴とする乾燥方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記固化工程では、前記液状体の周囲に気流を形成し、
前記固化工程は固化条件調整工程を有し、
前記検出工程では、複数の前記塗布領域に光を照射し、前記液状体からの前記反射光の光量を検出し、
前記固化判断工程では、複数の前記塗布領域における固化状態を判断し、
前記固化条件調整工程では、前記固化判断工程で判断した固化状態に応じて、
複数の前記塗布領域の速度分布を調整することを特徴とする乾燥方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の乾燥方法であって、
前記検出工程では、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、
前記固化判断工程では、光量と閾値とを比較して固化状態を判断することを特徴とする乾燥方法。
【請求項１６】
基板の塗布領域に塗布された液状体を乾燥することにより固化して膜を形成する乾燥装置であって、
前記液状体に対して斜め方向から光を照射する照射部と、
前記液状体からの反射光の光量を検出する検出部と、
前記反射光の光量を用いて前記液状体の固化状態を判断する固化判断部とを有することを特徴とする乾燥装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の乾燥装置であって、
前記照射部は、略平行に進行する光を照射し、
前記検出部は、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光を検出し、
前記固化判断部は、光量が増加した後減少するときの変化点を用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の乾燥装置であって、
前記検出部は、前記液状体からの前記反射光の内、正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、
前記固化判断部は、光量を用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の乾燥装置であって、
前記検出部は、前記正反射する光の検出に加え、
前記液状体からの前記反射光の内、前記正反射する光以外の光の少なくとも一部を検出し、
前記固化判断部は、前記正反射する光の光量と、前記正反射する光以外の光の光量とを用いて固化状態を判断することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２０】
請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の乾燥装置であって、
前記塗布領域の周囲に気流を形成する送風部と、
前記送風部を制御して前記気流の速度を調整する固化条件調整部とを有し、
前記固化条件調整部は、前記固化判断部が判断した固化状態に応じて、
前記液状体の周囲を流動する前記気流の速度を調整することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２１】
請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の乾燥装置であって、
前記基板を内部に配置する乾燥室と、
前記乾燥室内の気圧を減圧する減圧部と、
前記減圧部を制御して前記気圧を調整する固化条件調整部とを有し、
前記固化条件調整部は、前記固化判断部が判断した固化状態に応じて、
前記乾燥室内の前記気圧を調整することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２２】
請求項１６に記載の乾燥装置であって、
前記照射部は前記基板と異なる場所に塗布された液状体に対して斜め方向から光を照射し、
前記検出部は前記基板と異なる場所に塗布された前記液状体からの前記反射光の光量を検出することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２３】
請求項１６又は２１に記載の乾燥装置であって、
前記検出部は複数の光検出素子が広い範囲に配置されていることを特徴とする乾燥装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００９−７６２２８（Ｐ２００９−７６２２８Ａ）
【公開日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２４１９０９（Ｐ２００７−２４１９０９）
【出願日】平成１９年９月１９日（２００７．９．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１９日（２００７．９．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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