乾燥装置
【課題】基板の大きさや形状によらず容易に基板を乾燥できる乾燥装置を提供する。
【解決手段】 乾燥装置１は外箱３を有し、外箱３の底面にはホットプレート５が設けられている。
ホットプレート５上にはリフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆが設けられており、これらは図示しないアクチュエータ等によって上下に移動可能である。
さらにホットプレート５上には可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉが設けられている。
可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉの裏面には磁石が設けられており、ホットプレート５上の任意の位置に固定可能である。
【解決手段】 乾燥装置１は外箱３を有し、外箱３の底面にはホットプレート５が設けられている。
ホットプレート５上にはリフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆが設けられており、これらは図示しないアクチュエータ等によって上下に移動可能である。
さらにホットプレート５上には可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉが設けられている。
可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉの裏面には磁石が設けられており、ホットプレート５上の任意の位置に固定可能である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾燥装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、細密化が進み、電子機器を構成する部品においても、精度の高い微細なパターンが求められている。
特に、携帯電話やノート型パーソナルコンピュータの普及により、これらの表示装置に求められるカラー液晶ディスプレイの精細さの向上には著しいものがある。
【０００３】
カラー液晶ディスプレイは、通常、赤、緑、青の三原色の着色パターンを備えたカラーフィルタを有しており、赤、緑、青のそれぞれの画素に対応する電極を流れる電流を入、切させることにより、液晶がシャッタとして作動し、それぞれの画素を光が通過してカラー表示を行う。
【０００４】
カラーフィルタの着色方法としては、基板を染色浴に浸漬する染色法や、顔料を分散した感光性樹脂層を形成して、これをパターニングする顔料分散法などがあるが、近年、インクジェット方式で着色インクを基板に吹きつける方法が提案されている。
【０００５】
インクジェット方式を用いる場合、基板表面に親インク性と撥インク性のパターンを形成する必要がある。このようなパターンを形成する方法としては、親インク性と撥インク性のパターンを形成するパターン形成層を塗布し、その後、暗箱内で紫外線等を照射してパターン形成層の一部を露光して、親インク性と撥インク性のパターンを形成する方法がある。
このような処理を行った基板表面にインクを吹きつけると、親インク性面にのみインクが定着するため、所望の着色層のパターンを形成することができる。
【０００６】
ここで、パターン形成層を露光する前に、基板をホットプレート等で乾燥させる必要がある。
このとき、基板を直接ホットプレート上に載置すると、基板の裏面の汚染、急激な加熱によりガラスにヒビが入る、ホットプレート定盤上の模様やリフトピン口がムラとなって転写される等の問題があるため、ピン等を用いて基板を浮かせる必要がある。
【０００７】
ここで、基板にブラックマトリクス等が形成されている描画部とブラックマトリクス等が形成されていない非描画部とがある場合、ピンは非描画部の裏面に接触するように設けられなくてはならない。これは、描画部の裏面にピンを接触させると、乾燥の際に描画部に乾燥ムラが生じるおそれがあるからである。
このような方法としては、以下のようなものが知られている。
（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１-７４９２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、基板の種類により非描画部の大きさや形状が異なるため、基板に合わせてピンとホットプレートを交換するか、基板の非描画部を使用するホットプレートの仕様に合わせて設計しなければならない問題があった。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は基板の大きさや形状によらず容易にムラが発生しないように基板を乾燥できる乾燥装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した目的を達成するために、本発明は、コーティング液が塗布された基板を乾燥する乾燥装置であって、ホットプレートと、前記ホットプレート上に着脱可能に設けられ、前記基板を保持する複数の可動ピンと、を有することを特徴とする乾燥装置である。
前記可動ピンは、前記ホットプレートと固定する磁石を有してもよい。
前記可動ピンは支持点が一点であってもよい。
前記可動ピンは、接触面積が最小となるような形状を有してもよい。
前記基板は、パターンが描画された描画部と、パターンが描画されていない非描画部と、を有し、前記可動ピンは前記基板の非描画部の裏面と接触するように前記ホットプレート上に設置されてもよい。
前記ホットプレートには、複数のリフトピンが上下に移動可能に設けられていてもよい。
【００１１】
本発明では、ホットプレート上に、基板を保持する複数の可動ピンが着脱可能に設けられており、基板の形状に応じて、可動ピンを所定の位置に載置する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板の大きさや形状によらず容易にムラが発生しないように基板を乾燥できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面に基づいて本発明に好適な実施形態であるカラーフィルタの例を詳細に説明する。
最初に、図１を用いてカラーフィルタ用の基板７１の着色工程の概略を説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態に係るカラーフィルタ用の基板７１の着色工程を示すフローチャートあって、図２は処理前の基板７１を示す図であり、図３はコーティング層１９を形成するための基板７１へのコーティング液１９ａの塗布工程を示す図である。
また、図４は基板７１にコーティング液１９ａを塗布して形成したコーティング層１９の乾燥工程を示す図、図５は基板７１の水洗工程を示す図、図６は基板７１の露光工程を示す図であり、図７は基板７１へのインクの吹き付け工程を示す図である。
【００１５】
図２に示すように、カラーフィルタ用の基板７１は、ガラス基板７３上にブラックマトリクス７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄを配置した構造を有している。
【００１６】
まず、図１および図３に示すように、ダイコートノズル７７を用いて、コーティング液１９ａを基板７１上に塗布し、コーティング層１９を形成する（ステップ１０１）。
コーティング液１９ａの具体例については後述する。
【００１７】
次に、図１および図４に示すように、乾燥機８１内で基板７１上に塗布したコーティング層１９を乾燥させる（ステップ１０２）。
次に、図１に示すように、基板７１上に塗布したコーティング層１９を焼成する（ステップ１０３）。
なお、この状態では、コーティング層１９の表面はインクを弾く撥インク性を有している。
【００１８】
次に、図１および図５に示すように、コーティング層１９を塗布した基板７１をシャワー８３で水洗する（ステップ１０４）。
水洗を行う目的は、基板７１上に付着したゴミを除去し、後述する露光の際の、ゴミによる点欠陥を除去するためである。
【００１９】
次に、図１および図６に示すように、コーティング層１９を塗布した基板７１に紫外線８９を照射し、コーティング層１９の一部を露光する（ステップ１０４）。
この際、基板７１の裏面、即ちガラス基板７３側から紫外線８９を照射するため、遮光部となるブラックマトリクス７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄの上部に塗布されたコーティング層１９には紫外線８９が当たらず、この部分は撥インク性を有する撥インク部８７ａ、８７ｂ、８７ｃ、８７ｄのままである。
【００２０】
一方、ブラックマトリクス７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄが載置されていない部分に塗布されたコーティング層１９には紫外線８９が当たるため、この部分は紫外線によって感光されて物性が変化し、親インク性を有する親インク部８５ａ、８５ｂ、８５ｃとなる（ステップ１０６）。
【００２１】
次に、ノズル等を用い、カラーインク９１ａ、９１ｂ、９１ｃを基板７１の表面に吹きつけ、着色層を形成する（ステップ１０７）。
この際、図７に示すように、撥インク部８７ａ、８７ｂ、８７ｃ、８７ｄは撥インク性を有するためカラーインク９１ａ、９１ｂ、９１ｃは濡れ広がらず、親インク部８５ａ、８５ｂ、８５ｃのみにインクは濡れ広がり、着色層が形成される。
【００２２】
このようにして、基板７１上にインクが塗布される。
【００２３】
ここで、コーティング液１９ａの成分について説明する。
コーティング液１９ａは２種類の溶液を混合してなる溶液であり、一方の溶液は少なくとも酸化チタンとアルキルシリケートを含有する溶液であり、他方の溶液は少なくともポリシロキサンを含有する溶液である。
【００２４】
まず、酸化チタンについて説明する。酸化チタンは、紫外線を照射した際に光触媒として作用し、チタン表面に活性酸素を生じさせ、有機物を分解する。
本実施形態においては、光の照射により生じた活性酸素が、撥インク性を発現させる有機物を分解するため、親インク性に変化させる。
酸化チタンにはアナタ−ゼ型とルチル型があり、本実施形態ではいずれも使用可能であるが、アナタ−ゼ型を使用するのが好ましい。
【００２５】
また、酸化チタンの粒径は小さいほど、光触媒反応が効果的に起こることから、平均粒径５０ｎｍ以下であることが好ましく、特に２０ｎｍ以下の酸化チタンを使用することが好ましい。
【００２６】
次に、アルキルシリケートについて説明する。アルキルシリケートは酸化チタンの分散安定剤として用いられる。
【００２７】
アルキルシリケートは一般式Ｓｉｎ Ｏｎ−１ （ＯＲ）２ｎ＋２（ただしＳｉはケイ素、Ｏは酸素、Ｒはアルキル基を示す。）で表される化合物であり、ｎは１〜６の範囲内、Ｒは炭素数が１〜４のアルキル基であるものが好ましい。
【００２８】
アルキルシリケートの配合量としては、アルキルシリケート中のケイ素をＳｉＯ２に換算した量と、酸化チタン中のチタンをＴｉＯ２に換算した量との重量比（ＳｉＯ２／ＴｉＯ２）が０．２〜１．５であるのが好ましく、特に好ましくは０．２〜１．０である。
これは、アルキルシリケートの配合量が、上記範囲より少ないと分散安定性が低下しやすく、逆に上記範囲より多いと、酸化チタンの光触媒機能が低下するからである。
【００２９】
次にポリシロキサンについて説明する。本実施形態では、撥インク性を有する置換基がポリシロキサンを構成するＳｉ原子に直接結合しているポリシロキサンが用いられる。
【００３０】
撥インク性を有する置換基としては、具体的には、アルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基、またはエポキシ基等が挙げられる。
この撥インク性を有する置換基が、ポリシロキサンを構成するＳｉ原子に直接結合していることから、コーティング液を塗布してパターン形成層を形成した際に、パターン形成層の表面が全面撥インク性を発現する。
【００３１】
一方、濡れ性変化層に紫外線等を照射することにより、これらの置換基は分解され、コーティング層１９の表面が親インク性を発現する。
【００３２】
なお、置換基が、ポリシロキサンを構成するＳｉ原子に直接結合している状態とは、置換基が、Ｏ原子等を介さず、Ｓｉ原子に直接結合していることをいう。
【００３３】
また、本実施形態で用いられるポリシロキサンは、通常、複数のアルコキシル基、アセチル基、またはハロゲンを置換基とし有するものである。
【００３４】
このようなポリシロキサンは、加水分解により縮合し、濡れ性変化層を形成した際に、主骨格が酸化チタンの光励起により分解されないような高い結合エネルギーを有するものであれば、特に限定されるものではなく、例えばゾルゲル反応等により、加水分解、重縮合して大きな強度を発揮するもの等を挙げることができる。
【００３５】
この場合、一般式
Ｙｎ ＳｉＸ（４−ｎ）
（ここでＹはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基、またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示す。ｎは０〜３までの整数である）で示されるケイ素化合物の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であることが好ましく、上記２種類以上のケイ素化合物同士の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であってもよい。
【００３６】
なお、ここでＹで示される基の炭素数は１〜２０の範囲内であることが好ましく、また、Ｘで示されるアルコキシル基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。
【００３７】
本実施形態においては、上記撥インク性を有する置換基の中でも、フルオロアルキル基であることが特に好ましい。
【００３８】
上記フルオロアルキル基を含むケイ素化合物としては、フルオロアルキルシランが挙げられ、一般にフッ素系シランカップリング剤として知られたものを使用することができ、例えば以下のようなものが挙げられる。
【００３９】
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；および
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ２Ｈ４ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３。
【００４０】
次に、乾燥工程で用いる乾燥装置について説明する。
図８は本実施形態に係る乾燥装置１を示す斜視図であって、図９は可動ピン１２ａの拡大図である。また、図１０は図９の断面図である。
【００４１】
乾燥装置１は外箱３を有し、外箱３の底面にはホットプレート５が設けられている。
外箱３の１つの側面には吸気口６ａ、６ｂ、６ｃが設けられており、吸気口６ａ、６ｂ、６ｃが設けられた面と反対側の側面には排気口７ａ、７ｂ、７ｃが設けられている。
【００４２】
また、１つの側面の下方には、シャッタ９が設けられている。
【００４３】
ホットプレート５上にはリフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆが設けられており、これらは図示しないアクチュエータ等によって上下に移動可能である。
【００４４】
さらにホットプレート５上には可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉが設けられている。
【００４５】
図９に示すように、可動ピン１１ａは円錐状の本体１３ａを有し、本体１３ａの底部には磁石１４ａが設けられ、上端にはボール１５ａが設けられている。
図１０に示すようにボール１５ａは本体１３ａに対して回転できるように設けられている。
なお、可動ピン１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉの構造は、可動ピン１２ａと同様であるため、説明を省略する。
【００４６】
ホットプレート５は、熱を発して基板７１を乾燥する。
なお、ホットプレート５の表面は鋼板であり、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉは底面に設けられた磁石によってホットプレート５の任意の位置に固定される。
【００４７】
シャッタ９は乾燥装置１に基板７１を出し入れする際の入り口であり、出し入れの際には開閉する。
吸気口６ａ、６ｂ、６ｃおよび排気口７ａ、７ｂ、７ｃは、乾燥装置１内の換気に用いられる。
リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは後述するように、乾燥装置１に基板７１を出し入れする際に基板７１を一時的に保持する。
可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉは、後述するように基板を乾燥する際に基板７１を保持する。
【００４８】
次に、基板７１を乾燥する際の乾燥装置１の動作について説明する。
図１１は基板７１を乾燥装置から出し入れする際の図、図１２は図１１の側面図である。
また、図１３は基板７１を乾燥する際の図であり、図１４は図１３の側面図である。また、図１５は図１３の底面図である。なお、各図とも外箱３の表記を省略してある。
【００４９】
図１１、図１２に示すように、基板７１は、図示しないフォーク等によって図１１のＡ方向に搬送され、リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ上に載置される。
なお、この際、リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆよりも高い位置に上昇させておく。
【００５０】
次に、図１３および図１４に示すように、リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは下降し、基板７１は可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉ上に載置される。
【００５１】
なお、図１５に示すように、基板７１にはブラックマトリクス等が描画された描画部２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄと、ブラックマトリクス等が描画されていない非描画部２１ｅとが設けられているが、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉは、非描画部２１ｅの裏面に接触するように設けられる。
【００５２】
これは、描画部２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄの裏面に可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉを置くと、乾燥の際に描画部２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄに乾燥ムラが生じる恐れがあるからである。
【００５３】
なお、非描画部２１ｅの形状や大きさは、基板７１の種類によって異なるため、種類に応じて、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉを置く場所は異なる。
【００５４】
ここで、先に述べたようにホットプレート５の表面は鋼板であり、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉは底面に磁石が設けられているため、非描画部２１ｅの形状や大きさに応じて、ホットプレート５の任意の位置に容易に可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉを固定することができる。
【００５５】
乾燥が終了すると、リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは再び上昇し、基板７１は図示しないフォーク等によって図１１のＢ方向に搬送され、乾燥装置１内から取り出される。
【００５６】
このように、本実施の形態によれば、ホットプレート上に可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉが設けられており、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉの底面には磁石が設けられている。
したがって、基板７１の種類に応じて可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉの位置を基板に応じて変更することができる。
従って、基板の大きさや形状によらず容易に基板７１を乾燥できる。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明したが、本発明の技術的範囲は、前述した実施の形態に左右されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５８】
例えば、本発明の装置は、カラーフィルタの着色層を設けるとき以外にも、有機ＥＬの発光層を設けるとき、ディスプレイの電極を設けるとき、基板に電子回路を設けるとき等の微細なパターンを形成する際にも利用することができる。
また、基板上に遮光部を設けて、基板、遮光部、及び、感光層が一体となった例について説明してきたが、感光層付基板と遮光部が別体となっていてもよく、また、遮光部はブラックマトリクス以外にも、ストライプ状でも曲線状であってもよい。
【００５９】
さらに、可動ピンをホットプレートに固定する手段としては、磁石に換えて、両面テープで接着してもよく、また表面が凹凸構造もしくは粗面構造であるホットプレートの場合には、可動ピンの裏面を粗面とすることで固定してもよい。
さらにまた、可動ピンの底面積を増やすことでピンの安定化を図ってもよく、その場合、例えば、ワッシャを可動ピンに接着してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】カラーフィルタ用の基板７１の着色工程を示すフローチャート
【図２】処理前の基板７１を示す図
【図３】コーティング層１９を形成するための基板７１へのコーティング液１９ａの塗布工程を示す図
【図４】基板７１にコーティング液１９ａを塗布して形成したコーティング層１９の乾燥工程を示す図
【図５】基板７１の水洗工程を示す図
【図６】基板７１の露光工程を示す図
【図７】基板７１へのインクの吹き付け工程を示す図
【図８】乾燥装置１を示す斜視図
【図９】可動ピン１２ａの拡大図
【図１０】図９の断面図
【図１１】基板７１を乾燥装置から出し入れする際の図
【図１２】図１１の側面図
【図１３】基板７１を乾燥する際の図
【図１４】図１３の側面図
【図１５】図１３の底面図
【符号の説明】
【００６１】
１…………乾燥装置
３…………外箱
５…………ホットプレート
６ａ………吸気口
７ａ………排気口
９…………シャッタ
１１ａ……リフトピン
１２ａ……可動ピン
２１ａ……描画部
２１ｅ……非描画部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾燥装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、細密化が進み、電子機器を構成する部品においても、精度の高い微細なパターンが求められている。
特に、携帯電話やノート型パーソナルコンピュータの普及により、これらの表示装置に求められるカラー液晶ディスプレイの精細さの向上には著しいものがある。
【０００３】
カラー液晶ディスプレイは、通常、赤、緑、青の三原色の着色パターンを備えたカラーフィルタを有しており、赤、緑、青のそれぞれの画素に対応する電極を流れる電流を入、切させることにより、液晶がシャッタとして作動し、それぞれの画素を光が通過してカラー表示を行う。
【０００４】
カラーフィルタの着色方法としては、基板を染色浴に浸漬する染色法や、顔料を分散した感光性樹脂層を形成して、これをパターニングする顔料分散法などがあるが、近年、インクジェット方式で着色インクを基板に吹きつける方法が提案されている。
【０００５】
インクジェット方式を用いる場合、基板表面に親インク性と撥インク性のパターンを形成する必要がある。このようなパターンを形成する方法としては、親インク性と撥インク性のパターンを形成するパターン形成層を塗布し、その後、暗箱内で紫外線等を照射してパターン形成層の一部を露光して、親インク性と撥インク性のパターンを形成する方法がある。
このような処理を行った基板表面にインクを吹きつけると、親インク性面にのみインクが定着するため、所望の着色層のパターンを形成することができる。
【０００６】
ここで、パターン形成層を露光する前に、基板をホットプレート等で乾燥させる必要がある。
このとき、基板を直接ホットプレート上に載置すると、基板の裏面の汚染、急激な加熱によりガラスにヒビが入る、ホットプレート定盤上の模様やリフトピン口がムラとなって転写される等の問題があるため、ピン等を用いて基板を浮かせる必要がある。
【０００７】
ここで、基板にブラックマトリクス等が形成されている描画部とブラックマトリクス等が形成されていない非描画部とがある場合、ピンは非描画部の裏面に接触するように設けられなくてはならない。これは、描画部の裏面にピンを接触させると、乾燥の際に描画部に乾燥ムラが生じるおそれがあるからである。
このような方法としては、以下のようなものが知られている。
（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１-７４９２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、基板の種類により非描画部の大きさや形状が異なるため、基板に合わせてピンとホットプレートを交換するか、基板の非描画部を使用するホットプレートの仕様に合わせて設計しなければならない問題があった。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は基板の大きさや形状によらず容易にムラが発生しないように基板を乾燥できる乾燥装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した目的を達成するために、本発明は、コーティング液が塗布された基板を乾燥する乾燥装置であって、ホットプレートと、前記ホットプレート上に着脱可能に設けられ、前記基板を保持する複数の可動ピンと、を有することを特徴とする乾燥装置である。
前記可動ピンは、前記ホットプレートと固定する磁石を有してもよい。
前記可動ピンは支持点が一点であってもよい。
前記可動ピンは、接触面積が最小となるような形状を有してもよい。
前記基板は、パターンが描画された描画部と、パターンが描画されていない非描画部と、を有し、前記可動ピンは前記基板の非描画部の裏面と接触するように前記ホットプレート上に設置されてもよい。
前記ホットプレートには、複数のリフトピンが上下に移動可能に設けられていてもよい。
【００１１】
本発明では、ホットプレート上に、基板を保持する複数の可動ピンが着脱可能に設けられており、基板の形状に応じて、可動ピンを所定の位置に載置する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板の大きさや形状によらず容易にムラが発生しないように基板を乾燥できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面に基づいて本発明に好適な実施形態であるカラーフィルタの例を詳細に説明する。
最初に、図１を用いてカラーフィルタ用の基板７１の着色工程の概略を説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態に係るカラーフィルタ用の基板７１の着色工程を示すフローチャートあって、図２は処理前の基板７１を示す図であり、図３はコーティング層１９を形成するための基板７１へのコーティング液１９ａの塗布工程を示す図である。
また、図４は基板７１にコーティング液１９ａを塗布して形成したコーティング層１９の乾燥工程を示す図、図５は基板７１の水洗工程を示す図、図６は基板７１の露光工程を示す図であり、図７は基板７１へのインクの吹き付け工程を示す図である。
【００１５】
図２に示すように、カラーフィルタ用の基板７１は、ガラス基板７３上にブラックマトリクス７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄを配置した構造を有している。
【００１６】
まず、図１および図３に示すように、ダイコートノズル７７を用いて、コーティング液１９ａを基板７１上に塗布し、コーティング層１９を形成する（ステップ１０１）。
コーティング液１９ａの具体例については後述する。
【００１７】
次に、図１および図４に示すように、乾燥機８１内で基板７１上に塗布したコーティング層１９を乾燥させる（ステップ１０２）。
次に、図１に示すように、基板７１上に塗布したコーティング層１９を焼成する（ステップ１０３）。
なお、この状態では、コーティング層１９の表面はインクを弾く撥インク性を有している。
【００１８】
次に、図１および図５に示すように、コーティング層１９を塗布した基板７１をシャワー８３で水洗する（ステップ１０４）。
水洗を行う目的は、基板７１上に付着したゴミを除去し、後述する露光の際の、ゴミによる点欠陥を除去するためである。
【００１９】
次に、図１および図６に示すように、コーティング層１９を塗布した基板７１に紫外線８９を照射し、コーティング層１９の一部を露光する（ステップ１０４）。
この際、基板７１の裏面、即ちガラス基板７３側から紫外線８９を照射するため、遮光部となるブラックマトリクス７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄの上部に塗布されたコーティング層１９には紫外線８９が当たらず、この部分は撥インク性を有する撥インク部８７ａ、８７ｂ、８７ｃ、８７ｄのままである。
【００２０】
一方、ブラックマトリクス７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄが載置されていない部分に塗布されたコーティング層１９には紫外線８９が当たるため、この部分は紫外線によって感光されて物性が変化し、親インク性を有する親インク部８５ａ、８５ｂ、８５ｃとなる（ステップ１０６）。
【００２１】
次に、ノズル等を用い、カラーインク９１ａ、９１ｂ、９１ｃを基板７１の表面に吹きつけ、着色層を形成する（ステップ１０７）。
この際、図７に示すように、撥インク部８７ａ、８７ｂ、８７ｃ、８７ｄは撥インク性を有するためカラーインク９１ａ、９１ｂ、９１ｃは濡れ広がらず、親インク部８５ａ、８５ｂ、８５ｃのみにインクは濡れ広がり、着色層が形成される。
【００２２】
このようにして、基板７１上にインクが塗布される。
【００２３】
ここで、コーティング液１９ａの成分について説明する。
コーティング液１９ａは２種類の溶液を混合してなる溶液であり、一方の溶液は少なくとも酸化チタンとアルキルシリケートを含有する溶液であり、他方の溶液は少なくともポリシロキサンを含有する溶液である。
【００２４】
まず、酸化チタンについて説明する。酸化チタンは、紫外線を照射した際に光触媒として作用し、チタン表面に活性酸素を生じさせ、有機物を分解する。
本実施形態においては、光の照射により生じた活性酸素が、撥インク性を発現させる有機物を分解するため、親インク性に変化させる。
酸化チタンにはアナタ−ゼ型とルチル型があり、本実施形態ではいずれも使用可能であるが、アナタ−ゼ型を使用するのが好ましい。
【００２５】
また、酸化チタンの粒径は小さいほど、光触媒反応が効果的に起こることから、平均粒径５０ｎｍ以下であることが好ましく、特に２０ｎｍ以下の酸化チタンを使用することが好ましい。
【００２６】
次に、アルキルシリケートについて説明する。アルキルシリケートは酸化チタンの分散安定剤として用いられる。
【００２７】
アルキルシリケートは一般式Ｓｉｎ Ｏｎ−１ （ＯＲ）２ｎ＋２（ただしＳｉはケイ素、Ｏは酸素、Ｒはアルキル基を示す。）で表される化合物であり、ｎは１〜６の範囲内、Ｒは炭素数が１〜４のアルキル基であるものが好ましい。
【００２８】
アルキルシリケートの配合量としては、アルキルシリケート中のケイ素をＳｉＯ２に換算した量と、酸化チタン中のチタンをＴｉＯ２に換算した量との重量比（ＳｉＯ２／ＴｉＯ２）が０．２〜１．５であるのが好ましく、特に好ましくは０．２〜１．０である。
これは、アルキルシリケートの配合量が、上記範囲より少ないと分散安定性が低下しやすく、逆に上記範囲より多いと、酸化チタンの光触媒機能が低下するからである。
【００２９】
次にポリシロキサンについて説明する。本実施形態では、撥インク性を有する置換基がポリシロキサンを構成するＳｉ原子に直接結合しているポリシロキサンが用いられる。
【００３０】
撥インク性を有する置換基としては、具体的には、アルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基、またはエポキシ基等が挙げられる。
この撥インク性を有する置換基が、ポリシロキサンを構成するＳｉ原子に直接結合していることから、コーティング液を塗布してパターン形成層を形成した際に、パターン形成層の表面が全面撥インク性を発現する。
【００３１】
一方、濡れ性変化層に紫外線等を照射することにより、これらの置換基は分解され、コーティング層１９の表面が親インク性を発現する。
【００３２】
なお、置換基が、ポリシロキサンを構成するＳｉ原子に直接結合している状態とは、置換基が、Ｏ原子等を介さず、Ｓｉ原子に直接結合していることをいう。
【００３３】
また、本実施形態で用いられるポリシロキサンは、通常、複数のアルコキシル基、アセチル基、またはハロゲンを置換基とし有するものである。
【００３４】
このようなポリシロキサンは、加水分解により縮合し、濡れ性変化層を形成した際に、主骨格が酸化チタンの光励起により分解されないような高い結合エネルギーを有するものであれば、特に限定されるものではなく、例えばゾルゲル反応等により、加水分解、重縮合して大きな強度を発揮するもの等を挙げることができる。
【００３５】
この場合、一般式
Ｙｎ ＳｉＸ（４−ｎ）
（ここでＹはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基、またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示す。ｎは０〜３までの整数である）で示されるケイ素化合物の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であることが好ましく、上記２種類以上のケイ素化合物同士の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であってもよい。
【００３６】
なお、ここでＹで示される基の炭素数は１〜２０の範囲内であることが好ましく、また、Ｘで示されるアルコキシル基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。
【００３７】
本実施形態においては、上記撥インク性を有する置換基の中でも、フルオロアルキル基であることが特に好ましい。
【００３８】
上記フルオロアルキル基を含むケイ素化合物としては、フルオロアルキルシランが挙げられ、一般にフッ素系シランカップリング剤として知られたものを使用することができ、例えば以下のようなものが挙げられる。
【００３９】
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；および
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ２Ｈ４ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３。
【００４０】
次に、乾燥工程で用いる乾燥装置について説明する。
図８は本実施形態に係る乾燥装置１を示す斜視図であって、図９は可動ピン１２ａの拡大図である。また、図１０は図９の断面図である。
【００４１】
乾燥装置１は外箱３を有し、外箱３の底面にはホットプレート５が設けられている。
外箱３の１つの側面には吸気口６ａ、６ｂ、６ｃが設けられており、吸気口６ａ、６ｂ、６ｃが設けられた面と反対側の側面には排気口７ａ、７ｂ、７ｃが設けられている。
【００４２】
また、１つの側面の下方には、シャッタ９が設けられている。
【００４３】
ホットプレート５上にはリフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆが設けられており、これらは図示しないアクチュエータ等によって上下に移動可能である。
【００４４】
さらにホットプレート５上には可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉが設けられている。
【００４５】
図９に示すように、可動ピン１１ａは円錐状の本体１３ａを有し、本体１３ａの底部には磁石１４ａが設けられ、上端にはボール１５ａが設けられている。
図１０に示すようにボール１５ａは本体１３ａに対して回転できるように設けられている。
なお、可動ピン１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉの構造は、可動ピン１２ａと同様であるため、説明を省略する。
【００４６】
ホットプレート５は、熱を発して基板７１を乾燥する。
なお、ホットプレート５の表面は鋼板であり、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉは底面に設けられた磁石によってホットプレート５の任意の位置に固定される。
【００４７】
シャッタ９は乾燥装置１に基板７１を出し入れする際の入り口であり、出し入れの際には開閉する。
吸気口６ａ、６ｂ、６ｃおよび排気口７ａ、７ｂ、７ｃは、乾燥装置１内の換気に用いられる。
リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは後述するように、乾燥装置１に基板７１を出し入れする際に基板７１を一時的に保持する。
可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉは、後述するように基板を乾燥する際に基板７１を保持する。
【００４８】
次に、基板７１を乾燥する際の乾燥装置１の動作について説明する。
図１１は基板７１を乾燥装置から出し入れする際の図、図１２は図１１の側面図である。
また、図１３は基板７１を乾燥する際の図であり、図１４は図１３の側面図である。また、図１５は図１３の底面図である。なお、各図とも外箱３の表記を省略してある。
【００４９】
図１１、図１２に示すように、基板７１は、図示しないフォーク等によって図１１のＡ方向に搬送され、リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ上に載置される。
なお、この際、リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆよりも高い位置に上昇させておく。
【００５０】
次に、図１３および図１４に示すように、リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは下降し、基板７１は可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉ上に載置される。
【００５１】
なお、図１５に示すように、基板７１にはブラックマトリクス等が描画された描画部２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄと、ブラックマトリクス等が描画されていない非描画部２１ｅとが設けられているが、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉは、非描画部２１ｅの裏面に接触するように設けられる。
【００５２】
これは、描画部２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄの裏面に可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉを置くと、乾燥の際に描画部２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄに乾燥ムラが生じる恐れがあるからである。
【００５３】
なお、非描画部２１ｅの形状や大きさは、基板７１の種類によって異なるため、種類に応じて、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉを置く場所は異なる。
【００５４】
ここで、先に述べたようにホットプレート５の表面は鋼板であり、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉは底面に磁石が設けられているため、非描画部２１ｅの形状や大きさに応じて、ホットプレート５の任意の位置に容易に可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉを固定することができる。
【００５５】
乾燥が終了すると、リフトピン１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは再び上昇し、基板７１は図示しないフォーク等によって図１１のＢ方向に搬送され、乾燥装置１内から取り出される。
【００５６】
このように、本実施の形態によれば、ホットプレート上に可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉが設けられており、可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉの底面には磁石が設けられている。
したがって、基板７１の種類に応じて可動ピン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉの位置を基板に応じて変更することができる。
従って、基板の大きさや形状によらず容易に基板７１を乾燥できる。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明したが、本発明の技術的範囲は、前述した実施の形態に左右されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５８】
例えば、本発明の装置は、カラーフィルタの着色層を設けるとき以外にも、有機ＥＬの発光層を設けるとき、ディスプレイの電極を設けるとき、基板に電子回路を設けるとき等の微細なパターンを形成する際にも利用することができる。
また、基板上に遮光部を設けて、基板、遮光部、及び、感光層が一体となった例について説明してきたが、感光層付基板と遮光部が別体となっていてもよく、また、遮光部はブラックマトリクス以外にも、ストライプ状でも曲線状であってもよい。
【００５９】
さらに、可動ピンをホットプレートに固定する手段としては、磁石に換えて、両面テープで接着してもよく、また表面が凹凸構造もしくは粗面構造であるホットプレートの場合には、可動ピンの裏面を粗面とすることで固定してもよい。
さらにまた、可動ピンの底面積を増やすことでピンの安定化を図ってもよく、その場合、例えば、ワッシャを可動ピンに接着してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】カラーフィルタ用の基板７１の着色工程を示すフローチャート
【図２】処理前の基板７１を示す図
【図３】コーティング層１９を形成するための基板７１へのコーティング液１９ａの塗布工程を示す図
【図４】基板７１にコーティング液１９ａを塗布して形成したコーティング層１９の乾燥工程を示す図
【図５】基板７１の水洗工程を示す図
【図６】基板７１の露光工程を示す図
【図７】基板７１へのインクの吹き付け工程を示す図
【図８】乾燥装置１を示す斜視図
【図９】可動ピン１２ａの拡大図
【図１０】図９の断面図
【図１１】基板７１を乾燥装置から出し入れする際の図
【図１２】図１１の側面図
【図１３】基板７１を乾燥する際の図
【図１４】図１３の側面図
【図１５】図１３の底面図
【符号の説明】
【００６１】
１…………乾燥装置
３…………外箱
５…………ホットプレート
６ａ………吸気口
７ａ………排気口
９…………シャッタ
１１ａ……リフトピン
１２ａ……可動ピン
２１ａ……描画部
２１ｅ……非描画部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティング液が塗布された基板を乾燥する乾燥装置であって、
ホットプレートと、
前記ホットプレート上に着脱可能に設けられ、前記基板を保持する複数の可動ピンと、
を有することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２】
前記可動ピンは、前記ホットプレートと固定する磁石を有することを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項３】
前記可動ピンは支持点が一点であることを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項４】
前記可動ピンは、接触面積が最小となるような形状を有することを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項５】
前記基板は、
パターンが描画された描画部と、
パターンが描画されていない非描画部と、
を有し、
前記可動ピンは前記基板の非描画部の裏面と接触するように前記ホットプレート上に設置されることを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項６】
前記ホットプレートには、複数のリフトピンが上下に移動可能に設けられていることを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項１】
コーティング液が塗布された基板を乾燥する乾燥装置であって、
ホットプレートと、
前記ホットプレート上に着脱可能に設けられ、前記基板を保持する複数の可動ピンと、
を有することを特徴とする乾燥装置。
【請求項２】
前記可動ピンは、前記ホットプレートと固定する磁石を有することを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項３】
前記可動ピンは支持点が一点であることを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項４】
前記可動ピンは、接触面積が最小となるような形状を有することを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項５】
前記基板は、
パターンが描画された描画部と、
パターンが描画されていない非描画部と、
を有し、
前記可動ピンは前記基板の非描画部の裏面と接触するように前記ホットプレート上に設置されることを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【請求項６】
前記ホットプレートには、複数のリフトピンが上下に移動可能に設けられていることを特徴とする請求項１記載の乾燥装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００６−２７８３７５（Ｐ２００６−２７８３７５Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１２日（２００６．１０．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−９０５８５（Ｐ２００５−９０５８５）
【出願日】平成１７年３月２８日（２００５．３．２８）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１２日（２００６．１０．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月２８日（２００５．３．２８）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
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