多層配線基板及びその製造方法
【課題】貫通配線を効率的に形成できる貫通配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】絶縁基板１１の一方の面１１ａにグランド回路２１又は電源回路を備え、グランド回路２１又は電源回路に接続される層間導通のためのビア３１を複数有する配線基板１１αを少なくとも一つ以上備えた多層配線基板１であって、ビア３１の少なくとも一つにおいて、当該ビア３１を構成する導電性ペーストとグランド回路２１又は電源回路との接続部に、グランド回路２１又は電源回路をなす導体膜を貫く小穴が設けられ、前記小穴の内部に前記導電性ペーストが充填されていることを特徴とする多層配線基板１。
【解決手段】絶縁基板１１の一方の面１１ａにグランド回路２１又は電源回路を備え、グランド回路２１又は電源回路に接続される層間導通のためのビア３１を複数有する配線基板１１αを少なくとも一つ以上備えた多層配線基板１であって、ビア３１の少なくとも一つにおいて、当該ビア３１を構成する導電性ペーストとグランド回路２１又は電源回路との接続部に、グランド回路２１又は電源回路をなす導体膜を貫く小穴が設けられ、前記小穴の内部に前記導電性ペーストが充填されていることを特徴とする多層配線基板１。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に使用される多層配線基板及びその製造方法に関する。詳細には、層間導通用ビアの導体として導電性ペーストを用いた多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導電性ペーストを用いて多層配線基板の層間を電気的に接続する多層プリント配線基板が知られている（特許文献１）。例えば図７に示す多層プリント配線基板１００には、ポリイミドフィルムなどの絶縁樹脂層（絶縁基板）１０１に銅膜が貼り合わされてなる銅張積層板（ＣＣＬ）に、サブトラクティブ工法などによって、銅回路１０２を形成したプリント基板が一般に用いられている。このプリント基板を多層化するために、銅回路１０２に接続された貫通孔を当該プリント基板内に形成し、導電性ペーストを充填することによって層間を電気的に接続するためのビア１０３を設けて積層用基板とし、複数の積層用基板の間に接着層１０４を介して積層し、一括積層法によって多層配線基板とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１５８７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の多層プリント配線基板では、銅膜からなるグランド回路及び電源回路が、信号配線よりも多頻度で絶縁基板から剥離してしまう問題がある。剥離が生じると、導電性ペーストからなるビアによる層間の電気的接続が破断する不良が発生してしまう。また、多層プリント配線基板は多層化されているため、層内で起きた剥離の検出は困難であり、多層プリント配線基板の長期使用における信頼性を損なう恐れがある。
【０００５】
本発明者が鋭意検討したところ、グランド回路及び電源回路は、信号配線と比べて大面積の銅膜で構成されているため、リフロー時などに発生する水分が銅膜と絶縁基板との間に閉じ込められて剥離を起こす原因となることをつきとめた。一方、信号配線は、グランド回路及び電源回路と比べて、横幅の狭い小面積の銅膜からなるため、水分が逃げ易く、比較的剥離が起こり難いことがわかった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、グランド回路及び電源回路が絶縁基板から剥離する恐れが低減された多層配線基板及びその製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に記載の多層配線基板は、絶縁基板の一方の面にグランド回路又は電源回路を備え、前記グランド回路又は電源回路に接続される層間導通のためのビアを複数有する配線基板を少なくとも一つ以上備えた多層配線基板であって、前記ビアの少なくとも一つにおいて、当該ビアを構成する導電性ペーストと前記グランド回路又は電源回路との接続部に、前記グランド回路又は電源回路をなす導体膜を貫く小穴が設けられ、前記小穴の内部に前記導電性ペーストが充填されていることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の多層配線基板は、請求項１において、前記小穴を備えるビアは、グランド回路又は電源回路内に、１．５〜９．０個／ｍｍ２存在することを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の多層配線基板は、請求項１又は２において、前記配線基板には、信号回路と前記信号回路に接続された有底のビアを備えていることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の多層配線基板の製造方法は、絶縁基板の一方の面にグランド回路又は電源回路をなす導体膜が配された基材を準備し、前記絶縁基板の他方の面に接着層及びマスク層をこの順で形成するマスク層形成工程と、前記マスク層側から、前記一方の面に配された前記導体膜を露出するように、前記マスク層、前記接着層及び前記絶縁基板を掘り下げて、貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔の底部に露出した前記導体膜の露出面の一部のみを穿孔して、小穴を開ける小穴形成工程と、前記貫通孔及び小穴の内部に導電性ペーストを充填する充填工程と、前記マスク層を除去するマスク層除去工程と、を含む一連の工程によって積層用基板を得て、前記積層用基板を複数重ねて加熱及び加圧することにより一括積層することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の多層配線基板によれば、グランド回路又は電源回路に接続されたビアのうち、小穴を有するビア（一型ビア）において、製造工程における加熱及び加圧による一括積層又は半田ペーストのリフロー時等に発生した水分（水蒸気）、液体及び揮発性ガス等の流体が、小穴を通して脱出できるので、絶縁基板とグランド回路又は電源回路との間に前記流体が閉じ込められ難くなる。この結果、グランド回路又は電源回路が絶縁基板から剥離する恐れを低減でき、多層配線基板の長期使用における信頼性を向上できる。
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、製造工程における加熱及び加圧による一括積層又は半田ペーストのリフロー時に、グランド回路又は電源回路を剥離させてしまう恐れが低減でき、歩留まり良く多層配線基板を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の多層配線基板の第一実施形態の断面を示す模式図である。
【図２】本発明の多層配線基板の第一実施形態において、第一層の絶縁基板に配された一型ビアの断面を示す模式図である。
【図３】本発明の多層配線基板の第一実施形態において、第一層の絶縁基板に配された二型ビアの断面を示す模式図である。
【図４】本発明の多層配線基板の第一実施形態において、第二層の絶縁基板に配された一型ビアの断面を示す模式図である。
【図５】本発明の多層配線基板の第一実施形態において、第三層の絶縁基板に配された二型ビアの断面を示す模式図である。
【図６】本発明の多層配線基板の第一実施形態の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。
【図７】従来の多層配線基板の断面を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
＜＜多層配線基板＞＞
本発明にかかる多層配線基板の第一実施形態の模式的な断面を図１に示す。当該多層配線基板１は、絶縁基板１１の一方の面１１ａにグランド回路２１又は電源回路を備え、グランド回路２１又は電源回路に接続される層間導通のためのビア３１を複数有する配線基板１１αを少なくとも一つ以上備えた多層配線基板１であって、ビア３１の少なくとも一つにおいて、当該ビア３１を構成する導電性ペーストとグランド回路２１又は電源回路との接続部に、グランド回路２１又は電源回路をなす導体膜を貫く小穴が設けられ、前記小穴の内部に前記導電性ペーストが充填されているものである。
【００１０】
多層配線基板１は、第一層の配線基板１１α、第二層の配線基板１２α、第三層の配線基板１３α、第四層の配線基板１４α、第五層の配線基板１５α、及び第六層の配線基板１６αが各々の接着層を介して積層されている。各配線基板は、絶縁基板１１〜１６の一方の面に導体膜からなるグランド回路、電源回路又は信号配線が形成されている。第六層の配線基板１６αにおいては、一方の面だけでなく、他方の面にも導体膜からなる回路又は配線が形成されている。
【００１１】
多層配線基板１には、層間の導通をとるビアが二種類存在する。以下では、貫通孔内の導電性ペーストが導体膜に接続する接続部に前記小穴が有るビアを「一型ビア」と呼び、接続部の導体膜に前記小穴が無いビアを「二型ビア」と呼ぶ。多層配線基板１において、一型ビアは、絶縁基板の一方の面に形成されたグランド回路又は電源回路に接続され、当該グランド回路又は電源回路と、当該絶縁基板の他方の面側に積層された別の絶縁基板の一方の面に形成されたグランド回路、電源回路若しくは信号配線と、を電気的に接続している。また、多層配線基板１において、二型ビアは、絶縁基板の一方の面に形成された信号配線に接続され、当該信号配線と、当該絶縁基板の他方の面側に積層された別の絶縁基板の一方の面に形成された信号配線、グランド回路若しくは電源回路と、を電気的に接続している。
【００１２】
以下、絶縁基板の一方の面に「グランド回路」が形成されている場合を説明するが、「グランド回路」を「電源回路」と読み換えた場合も、本発明の効果は同様に奏される。
【００１３】
多層配線基板１において、第一層の配線基板１１αを構成する絶縁基板１１の一方の面１１ａには、グランド回路２１及び信号配線５１が形成されている。図１の断面において、グランド回路２１には、当該絶縁基板の他方の面側から３個の一型ビア３１が接続されている。
【００１４】
一型ビア３１は、第一層の配線基板１１αを構成する絶縁基板１１の一方の面１１ａに配されたグランド回路２１と、第二層の配線基板１２αを構成する絶縁基板１２の一方の面１２ａに配されたグランド回路２２とを電気的に接続している（図２）。
【００１５】
一型ビア３１は、絶縁基板１１の一方の面１１ａから他方の面１１ｂに亘って貫通する貫通孔４の内部に、導電性ペースト６が充填されてなる。貫通孔４が一方の面１１ａに開口する領域において、該開口をグランド回路２１をなす導体膜２１が覆っており、グランド回路２１と貫通孔４内の導電性ペースト６とが接触して電気的に接続をとっている。この領域を接続部Ｓと呼ぶ。接続部Ｓにおいて、グランド回路２１をなす導体膜２１を貫く小穴５が設けられ、小穴５の内部にも導電性ペースト６が充填されている。小穴５の開口面積及び開口径は、貫通孔４の一方の面における開口面積及び開口径よりも小さい。
【００１６】
二型ビア５２は、第一層の配線基板１１αを構成する絶縁基板１１の一方の面１１ａに配された信号配線５１と、第二層の配線基板１２αを構成する絶縁基板１２の一方の面１２ａに配された信号配線５３とを電気的に接続している（図３）。
【００１７】
二型ビア５２は、絶縁基板１１の一方の面１１ａから他方の面１１ｂに亘って貫通する貫通孔４の内部に、導電性ペースト６が充填されてなる。貫通孔４が一方の面１１ａに開口する領域において、該開口を信号配線５１をなす導体膜５１が覆っており、信号配線５１と貫通孔４内の導電性ペースト６とが接触して電気的に接続をとっている。この領域を接続部Ｖと呼ぶ。接続部Ｖにおいて、信号配線５１は、貫通孔４が一方の面１１ａに開口する領域を完全に覆って蓋をしている。
【００１８】
絶縁基板１１の一方の面１１ａにおいて、一型ビア３１が接続しているグランド回路２１の占める面積は、二型ビア５２が接続している信号配線５１の占める面積よりも広い。
言い換えると、信号配線の場合、パッドに該当する部分の面積が最も広い場合が多く、例えばΦ５００μｍ以下の面積となるが、グランド回路の場合には、通常その５倍以上の面積を有する。このようなグランド回路２１の例として、いわゆる「ベタグランド（ベタＧＮＤ）」が挙げられる。
【００１９】
また、グランド回路２１をなす導体膜２１が絶縁基板１１の一方の面１１ａを占める面積は、１個の小穴５が占める面積の１０００倍以上となることが通常である。
【００２０】
グランド回路２１は、信号配線５１よりも幅広の導体膜からなるため、グランド回路２１と絶縁基板１１の一方の面１１ａとの間の接着性に問題が生じると、グランド回路２１が一方の面１１ａから剥離する恐れがある。このような問題が起こる原因として、両者の接着面に水分（水蒸気）、液体若しくは揮発性ガス等の流体が入り込む又は発生することが挙げられる。例えば多層配線基板の製造時における加圧・加熱による一括積層の際、前記流体が接着面に発生することがある。
【００２１】
本発明の多層配線基板においては、前記流体が前記接着面に発生したとしても、グランド回路２１に一型ビア３１が接続されているため、前記流体が小穴５から脱出できるので、グランド回路２１が剥離してしまうことを防止できる。この場合、小穴５がガス抜き穴（流体が抜ける穴）として機能している。さらに、別のメカニズムとして、小穴５内に充填されている導電性ペースト６が、グランド回路２１をなす導体膜２１のに食い込んで、引っかかるアンカーとして機能している。当該アンカーは、導体膜２１を剥離させる力に対して、物理的な構造によって対抗している。一型ビアは、少なくともこれら二つのメカニズムによって、グランド回路２１が剥離することを防止している。
【００２２】
一方、信号配線５１は幅広の導体膜ではないので、仮に前記流体が接着面に生じたとしても、導体膜の端から当該流体が容易に脱出できるため、信号配線５１が絶縁基板１１から剥離してしまうことは殆んど無い。
【００２３】
前記二つのメカニズムをより確実に機能させるため、一方の面１１ａと平行な平面視において、小穴５の面積は、貫通孔４の接続部Ｓの全面積の１〜８０％が好ましく、５〜７０％がより好ましく、１０〜６０％が更に好ましい。
上記範囲の下限値以上であることにより、前記ガス抜きの機能がより確実に働く。
上記範囲の上限値以下であることにより、前記アンカーの機能がより確実に働く。
【００２４】
具体的には、例えば小穴５及び貫通孔４が略円筒形である場合、小穴５の直径が２０μｍ〜４０μｍ、且つ貫通孔４の接続部Ｓの直径（貫通孔４の孔径）が８０μｍ〜１２０μｍという構成が挙げられる。
【００２５】
接続部Ｓにおいて、小穴５が設けられる位置は特に制限されず、図２に示すように接続部Ｓの中央部であってもよいし、接続部Ｓの周縁部であっても良い。前記ガス抜きの機能及びアンカーの機能をバランス良く、より一層確実に働かせる観点から、小穴５は接続部Ｓの中央部に設けられることが好ましい。
【００２６】
また、接続部Ｓに設けられる小穴５の数も特に制限されず、通常１〜３個が好ましい。多数の小穴５を設けると、接続部Ｓの構造的強度が脆弱となって、接続の信頼性が落ちる恐れがある。これを防ぐために、小穴５の数は、１個又は２個がより好ましく、１個が更に好ましい。
【００２７】
また、小穴５の形状は特に制限されず、例えば、略円、楕円、矩形、多角形等の形で開口するものが挙げられる。貫通孔４の形状も特に制限されず、公知の貫通配線基板における貫通孔と同様の形状が適用できる。
【００２８】
以上では、第一層の絶縁基板１１に設けられた一型ビア３１について説明した。
次に、第二層以降の絶縁基板に設けられた一型ビアについて説明する。
【００２９】
多層配線基板１において、第二層の配線基板１２αを構成する絶縁基板１２の一方の面１２ａには、グランド回路２２及び信号配線５２が形成されている。図１の断面において、グランド回路２２には、当該絶縁基板の他方の面側から３個の一型ビア３２が接続されている。
【００３０】
第二層の一型ビア３２は、第二層の配線基板１２αを構成する絶縁基板１２の一方の面１２ａに配されたグランド回路２２と、第三層の配線基板１３αを構成する絶縁基板１３の一方の面１３ａに配されたグランド回路２３とを電気的に接続している（図４）。
【００３１】
第二層の一型ビア３２は、絶縁基板１２の一方の面１２ａから他方の面１２ｂに亘って貫通する貫通孔４の内部に、導電性ペースト６が充填されてなる。貫通孔４が一方の面１２ａに開口する領域において、該開口をグランド回路２２をなす導体膜２２が覆っており、グランド回路２２と貫通孔４内の導電性ペースト６とが接触して電気的に接続をとっている。この領域を接続部Ｓと呼ぶ。接続部Ｓにおいて、グランド回路２２をなす導体膜２２を貫く小穴５が設けられ、小穴５の内部にも導電性ペースト６が充填されている。小穴５の開口面積及び開口径は、貫通孔４の一方の面における開口面積及び開口径よりも小さい。
【００３２】
さらに、小穴５に充填された導電性ペースト６の上端部は、接着層４１に接着している。通常、導電性ペースト６には樹脂成分が含有されているため、接着層４１を構成する樹脂成分との接着性が優れる。この結果、第二層の一型ビア３２が存在することによって、第二層のグランド回路２２をなす導体膜２２に対する接着層４１の接着性が向上するので、第二層のグランド回路２２の剥離を更に確実に防止できる。
前記アンカーの機能は、第二層の一型ビア３２と第二層のグランド回路２２との相互作用によって働くものである。ここで述べた接着性の向上は、第二層の一型ビア３２と接着層４１との相互作用によって奏されるものである。
【００３３】
この接着性の向上の機能を一層高める観点から、一方の面１２ａと平行な平面視において、第二層の一型ビア３２の小穴５の面積、すなわち小穴５に充填された導電性ペースト６と接着層４１との接着面積は、貫通孔４の接続部Ｓの全面積の５〜９０％が好ましく、１０〜８０％がより好ましく、２０〜７０％が更に好ましい。
上記範囲の下限値以上であることにより、前記接着性の向上の機能を一層高められる。
上記範囲の上限値以下であることにより、前記アンカーの機能がより確実に働く。
上記好適な範囲及び上記効果は、第二層以降における一型ビアの全てに当てはまる。。
【００３４】
本発明の多層配線基板において、グランド回路又は電源回路内に設ける一型ビアの個数としては、１．５〜９．０個／ｍｍ２存在することが好ましく、２．５〜５．０個／ｍｍ２存在することがより好ましく、２．５〜３．５個／ｍｍ２存在することが更に好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、前記ガス抜きの機能、前記アンカーの機能及び前記接着性を向上する機能がより確実に働く。
上記範囲の上限値以下であると、小穴５が多数貫通することによってグランド回路２１のグランドとしての機能が妨げられることを防げる。
【００３５】
第三層の二型ビア５５は、第三層の配線基板１３αを構成する絶縁基板１３の一方の面１３ａに配された信号配線５４と、第四層の配線基板１４αを構成する絶縁基板１４の一方の面１４ａに配された信号配線５６とを電気的に接続している（図５）。
【００３６】
第三層の二型ビア５５は、絶縁基板１３の一方の面１３ａから他方の面１３ｂに亘って貫通する貫通孔４の内部に、導電性ペースト６が充填されてなる。貫通孔４が一方の面１３ａに開口する領域において、該開口を信号配線５４をなす導体膜５４が覆っており、信号配線５４と貫通孔４内の導電性ペースト６の上端部とが接触して電気的に接続をとっている。この領域を接続部Ｖと呼ぶ。接続部Ｖにおいて、信号配線５４は、貫通孔４が一方の面１３ａに開口する領域を完全に覆って蓋をしている。
【００３７】
さらに、導電性ペースト６の下端部は、貫通孔４が他方の面１３ｂに開口する位置よりも更に下方へ延設されて、信号配線５６をなす導体膜５６に達している。ここで、導電ペースト６の下端部が下方へ延設された厚さは、接着層４３の厚さに等しい。この構成によって、第三層の二型ビア５５は、いわゆる有底のビア（有底ビア）となっている。有底ビアであることによって、信号配線５４及び信号配線５６と二型ビア５５との接続信頼性が向上するので好ましい。なお、前述の第一層の二型ビア５２、第一層の一型ビア３１及び第二層の一型ビア３２も、同様の有底ビアとなっている。
【００３８】
＜＜多層配線基板の製造方法＞＞
本発明にかかる多層配線基板１の製造方法の第一実施形態を説明する。
まず、ポリイミド等の樹脂からなる絶縁基板１１の一方の面１１ａにグランド回路２１又は電源回路をなす導体膜２１、及び信号配線５１をなす導体膜５１が配された基材１１βを準備する（図６(a)）。
【００３９】
基材１１βは、多層配線基板１における配線基板１１αに対応する。基材１１βを準備するのと同様に、多層配線基板１における配線基板１２α〜１６αに対応する基材１２β〜１６βを準備する。各基材としては、例えば前述のサブトラクティブ工法等によって得られる公知のプリント配線基板を適用できる。
前記樹脂からなる絶縁基板の厚さは特に制限されず、例えば１０μｍ〜５０μｍとすればよい。
【００４０】
本明細書及び特許請求の範囲において、「基板」とは、必ずしも「変形しないリジッドな板」だけを意味するものではなく、「柔軟に変形するフィルム」も含むものである。
【００４１】
準備した基材１１βの他方の面１１ｂに接着層４１を塗工し、その上にポリイミド等の樹脂からなるマスク層Ｍを形成する（図６(b),(c)）。
接着層４１の厚さは特に制限されず、例えば１０μｍ〜４０μｍとすればよい。
マスク層Ｍの厚さは特に制限されず、例えば１０μｍ〜４０μｍとすればよい。
【００４２】
続いて、他方の面１１ｂからレーザー光を照射する方法や、銅箔をマスクとするケミカルエッチング又はドライエッチングなどの公知の方法により、接着層４１及びマスク層Ｍを局所的に掘り下げて除去し、所定の位置に貫通孔４を形成する。この際、貫通孔４の底部には、導体膜２１及び導体膜５１を露出させる（図６(d)）。
貫通孔４の孔径は特に制限されず、例えば８０μｍ〜１２０μｍとすればよい。
【００４３】
次に、貫通孔４の底部に露出した導体膜２１及び導体膜５１のうち、グランド回路２１又は電源回路を構成する導体膜２１について、その露出面の一部のみを穿孔して、小穴５を開ける（図６(e)）。
小穴５を穿孔する方法としては、絶縁基板１１の一方の面１１ａにグランド回路２１又は電源回路をなす導体膜２１を形成する際に、同時にパターンニングして所定位置に小穴５を形成する、又は導体膜２１を形成した後に、エッチング等の方法で所定位置に穿孔する方法が好ましい。予め小穴５を穿孔した位置に、上記のように貫通孔４を形成すれば、導体膜２１が貫通孔４を覆う面の一部に、予め穿孔した小穴５を配することができる。また、別の方法として、貫通孔４の底面（接続部）に露出した導体膜２１に、貫通孔４よりも細い径の針を刺したり、導体膜２１を貫通し得るレーザーを極細のビーム径で照射することによって穿孔しても良い。
小穴５の穴径は特に制限されず、例えば貫通孔４の孔径の１／３程度とすればよく、具体的には、例えば２５μｍ〜４０μｍとすればよい。
【００４４】
続いて、貫通孔４及び小穴５の内部に、導電性ペーストを充填する（図６(f)）。
導電性ペーストを貫通孔４及び小穴５の内部に充填する方法としては、スクリーン印刷で使用するようなスキージプレートを使用して、マスク層Mの側から銀ペースト等の導電性ペーストをスクイジングによって、貫通孔４及び小穴５の全てに穴埋め充填する方法が挙げられる。
【００４５】
次に、マスク層Mを剥離させる。この結果、得られた積層用基板１１α（配線基板１１α）の他方の面１１ｂ側に、マスク層Mの厚さに相当する厚さ分だけ、導電性ペースト６が突出している（図６(g)）。
【００４６】
配線基板１１αに対応する積層用基板１１αを得た様に、配線基板１２α〜１６αに対応する積層用基板１２α〜１６αを得る。次に、各積層用基板をＸ線等によって透視しつつ位置合わせして重ね（図６(h)）、一括積層法で加圧及び加熱することによって、図１に示す多層配線基板１が得られる。
前記一括積層法は、真空キュアプレス機又はキュアプレス機を用いて、基板を１〜５Mpaに加圧し、１５０〜２５０℃に加熱して、３０分〜２時間保持することによって行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明に係る多層配線基板は、電子デバイス等の製造に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１…多層配線基板、４…貫通孔、５…小穴、６…導電性ペースト、Ｓ，Ｖ…接続部、１１〜１６…絶縁基板、１１α〜１６α…配線基板、１１β…基材、２１〜２３…グランド回路、３１〜３３…ビア（第一ビア）、４１〜４３…接着層、５１，５３，５４，５６，５８…信号配線、５２，５５…第二ビア、Ｍ…マスク層、１００…従来の多層配線基板、１０１…絶縁基板、１０２…グランド回路、１０３…ビア（第二ビア）、１０４…接着層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に使用される多層配線基板及びその製造方法に関する。詳細には、層間導通用ビアの導体として導電性ペーストを用いた多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導電性ペーストを用いて多層配線基板の層間を電気的に接続する多層プリント配線基板が知られている（特許文献１）。例えば図７に示す多層プリント配線基板１００には、ポリイミドフィルムなどの絶縁樹脂層（絶縁基板）１０１に銅膜が貼り合わされてなる銅張積層板（ＣＣＬ）に、サブトラクティブ工法などによって、銅回路１０２を形成したプリント基板が一般に用いられている。このプリント基板を多層化するために、銅回路１０２に接続された貫通孔を当該プリント基板内に形成し、導電性ペーストを充填することによって層間を電気的に接続するためのビア１０３を設けて積層用基板とし、複数の積層用基板の間に接着層１０４を介して積層し、一括積層法によって多層配線基板とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１５８７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の多層プリント配線基板では、銅膜からなるグランド回路及び電源回路が、信号配線よりも多頻度で絶縁基板から剥離してしまう問題がある。剥離が生じると、導電性ペーストからなるビアによる層間の電気的接続が破断する不良が発生してしまう。また、多層プリント配線基板は多層化されているため、層内で起きた剥離の検出は困難であり、多層プリント配線基板の長期使用における信頼性を損なう恐れがある。
【０００５】
本発明者が鋭意検討したところ、グランド回路及び電源回路は、信号配線と比べて大面積の銅膜で構成されているため、リフロー時などに発生する水分が銅膜と絶縁基板との間に閉じ込められて剥離を起こす原因となることをつきとめた。一方、信号配線は、グランド回路及び電源回路と比べて、横幅の狭い小面積の銅膜からなるため、水分が逃げ易く、比較的剥離が起こり難いことがわかった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、グランド回路及び電源回路が絶縁基板から剥離する恐れが低減された多層配線基板及びその製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に記載の多層配線基板は、絶縁基板の一方の面にグランド回路又は電源回路を備え、前記グランド回路又は電源回路に接続される層間導通のためのビアを複数有する配線基板を少なくとも一つ以上備えた多層配線基板であって、前記ビアの少なくとも一つにおいて、当該ビアを構成する導電性ペーストと前記グランド回路又は電源回路との接続部に、前記グランド回路又は電源回路をなす導体膜を貫く小穴が設けられ、前記小穴の内部に前記導電性ペーストが充填されていることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の多層配線基板は、請求項１において、前記小穴を備えるビアは、グランド回路又は電源回路内に、１．５〜９．０個／ｍｍ２存在することを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の多層配線基板は、請求項１又は２において、前記配線基板には、信号回路と前記信号回路に接続された有底のビアを備えていることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の多層配線基板の製造方法は、絶縁基板の一方の面にグランド回路又は電源回路をなす導体膜が配された基材を準備し、前記絶縁基板の他方の面に接着層及びマスク層をこの順で形成するマスク層形成工程と、前記マスク層側から、前記一方の面に配された前記導体膜を露出するように、前記マスク層、前記接着層及び前記絶縁基板を掘り下げて、貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔の底部に露出した前記導体膜の露出面の一部のみを穿孔して、小穴を開ける小穴形成工程と、前記貫通孔及び小穴の内部に導電性ペーストを充填する充填工程と、前記マスク層を除去するマスク層除去工程と、を含む一連の工程によって積層用基板を得て、前記積層用基板を複数重ねて加熱及び加圧することにより一括積層することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の多層配線基板によれば、グランド回路又は電源回路に接続されたビアのうち、小穴を有するビア（一型ビア）において、製造工程における加熱及び加圧による一括積層又は半田ペーストのリフロー時等に発生した水分（水蒸気）、液体及び揮発性ガス等の流体が、小穴を通して脱出できるので、絶縁基板とグランド回路又は電源回路との間に前記流体が閉じ込められ難くなる。この結果、グランド回路又は電源回路が絶縁基板から剥離する恐れを低減でき、多層配線基板の長期使用における信頼性を向上できる。
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、製造工程における加熱及び加圧による一括積層又は半田ペーストのリフロー時に、グランド回路又は電源回路を剥離させてしまう恐れが低減でき、歩留まり良く多層配線基板を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の多層配線基板の第一実施形態の断面を示す模式図である。
【図２】本発明の多層配線基板の第一実施形態において、第一層の絶縁基板に配された一型ビアの断面を示す模式図である。
【図３】本発明の多層配線基板の第一実施形態において、第一層の絶縁基板に配された二型ビアの断面を示す模式図である。
【図４】本発明の多層配線基板の第一実施形態において、第二層の絶縁基板に配された一型ビアの断面を示す模式図である。
【図５】本発明の多層配線基板の第一実施形態において、第三層の絶縁基板に配された二型ビアの断面を示す模式図である。
【図６】本発明の多層配線基板の第一実施形態の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。
【図７】従来の多層配線基板の断面を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
＜＜多層配線基板＞＞
本発明にかかる多層配線基板の第一実施形態の模式的な断面を図１に示す。当該多層配線基板１は、絶縁基板１１の一方の面１１ａにグランド回路２１又は電源回路を備え、グランド回路２１又は電源回路に接続される層間導通のためのビア３１を複数有する配線基板１１αを少なくとも一つ以上備えた多層配線基板１であって、ビア３１の少なくとも一つにおいて、当該ビア３１を構成する導電性ペーストとグランド回路２１又は電源回路との接続部に、グランド回路２１又は電源回路をなす導体膜を貫く小穴が設けられ、前記小穴の内部に前記導電性ペーストが充填されているものである。
【００１０】
多層配線基板１は、第一層の配線基板１１α、第二層の配線基板１２α、第三層の配線基板１３α、第四層の配線基板１４α、第五層の配線基板１５α、及び第六層の配線基板１６αが各々の接着層を介して積層されている。各配線基板は、絶縁基板１１〜１６の一方の面に導体膜からなるグランド回路、電源回路又は信号配線が形成されている。第六層の配線基板１６αにおいては、一方の面だけでなく、他方の面にも導体膜からなる回路又は配線が形成されている。
【００１１】
多層配線基板１には、層間の導通をとるビアが二種類存在する。以下では、貫通孔内の導電性ペーストが導体膜に接続する接続部に前記小穴が有るビアを「一型ビア」と呼び、接続部の導体膜に前記小穴が無いビアを「二型ビア」と呼ぶ。多層配線基板１において、一型ビアは、絶縁基板の一方の面に形成されたグランド回路又は電源回路に接続され、当該グランド回路又は電源回路と、当該絶縁基板の他方の面側に積層された別の絶縁基板の一方の面に形成されたグランド回路、電源回路若しくは信号配線と、を電気的に接続している。また、多層配線基板１において、二型ビアは、絶縁基板の一方の面に形成された信号配線に接続され、当該信号配線と、当該絶縁基板の他方の面側に積層された別の絶縁基板の一方の面に形成された信号配線、グランド回路若しくは電源回路と、を電気的に接続している。
【００１２】
以下、絶縁基板の一方の面に「グランド回路」が形成されている場合を説明するが、「グランド回路」を「電源回路」と読み換えた場合も、本発明の効果は同様に奏される。
【００１３】
多層配線基板１において、第一層の配線基板１１αを構成する絶縁基板１１の一方の面１１ａには、グランド回路２１及び信号配線５１が形成されている。図１の断面において、グランド回路２１には、当該絶縁基板の他方の面側から３個の一型ビア３１が接続されている。
【００１４】
一型ビア３１は、第一層の配線基板１１αを構成する絶縁基板１１の一方の面１１ａに配されたグランド回路２１と、第二層の配線基板１２αを構成する絶縁基板１２の一方の面１２ａに配されたグランド回路２２とを電気的に接続している（図２）。
【００１５】
一型ビア３１は、絶縁基板１１の一方の面１１ａから他方の面１１ｂに亘って貫通する貫通孔４の内部に、導電性ペースト６が充填されてなる。貫通孔４が一方の面１１ａに開口する領域において、該開口をグランド回路２１をなす導体膜２１が覆っており、グランド回路２１と貫通孔４内の導電性ペースト６とが接触して電気的に接続をとっている。この領域を接続部Ｓと呼ぶ。接続部Ｓにおいて、グランド回路２１をなす導体膜２１を貫く小穴５が設けられ、小穴５の内部にも導電性ペースト６が充填されている。小穴５の開口面積及び開口径は、貫通孔４の一方の面における開口面積及び開口径よりも小さい。
【００１６】
二型ビア５２は、第一層の配線基板１１αを構成する絶縁基板１１の一方の面１１ａに配された信号配線５１と、第二層の配線基板１２αを構成する絶縁基板１２の一方の面１２ａに配された信号配線５３とを電気的に接続している（図３）。
【００１７】
二型ビア５２は、絶縁基板１１の一方の面１１ａから他方の面１１ｂに亘って貫通する貫通孔４の内部に、導電性ペースト６が充填されてなる。貫通孔４が一方の面１１ａに開口する領域において、該開口を信号配線５１をなす導体膜５１が覆っており、信号配線５１と貫通孔４内の導電性ペースト６とが接触して電気的に接続をとっている。この領域を接続部Ｖと呼ぶ。接続部Ｖにおいて、信号配線５１は、貫通孔４が一方の面１１ａに開口する領域を完全に覆って蓋をしている。
【００１８】
絶縁基板１１の一方の面１１ａにおいて、一型ビア３１が接続しているグランド回路２１の占める面積は、二型ビア５２が接続している信号配線５１の占める面積よりも広い。
言い換えると、信号配線の場合、パッドに該当する部分の面積が最も広い場合が多く、例えばΦ５００μｍ以下の面積となるが、グランド回路の場合には、通常その５倍以上の面積を有する。このようなグランド回路２１の例として、いわゆる「ベタグランド（ベタＧＮＤ）」が挙げられる。
【００１９】
また、グランド回路２１をなす導体膜２１が絶縁基板１１の一方の面１１ａを占める面積は、１個の小穴５が占める面積の１０００倍以上となることが通常である。
【００２０】
グランド回路２１は、信号配線５１よりも幅広の導体膜からなるため、グランド回路２１と絶縁基板１１の一方の面１１ａとの間の接着性に問題が生じると、グランド回路２１が一方の面１１ａから剥離する恐れがある。このような問題が起こる原因として、両者の接着面に水分（水蒸気）、液体若しくは揮発性ガス等の流体が入り込む又は発生することが挙げられる。例えば多層配線基板の製造時における加圧・加熱による一括積層の際、前記流体が接着面に発生することがある。
【００２１】
本発明の多層配線基板においては、前記流体が前記接着面に発生したとしても、グランド回路２１に一型ビア３１が接続されているため、前記流体が小穴５から脱出できるので、グランド回路２１が剥離してしまうことを防止できる。この場合、小穴５がガス抜き穴（流体が抜ける穴）として機能している。さらに、別のメカニズムとして、小穴５内に充填されている導電性ペースト６が、グランド回路２１をなす導体膜２１のに食い込んで、引っかかるアンカーとして機能している。当該アンカーは、導体膜２１を剥離させる力に対して、物理的な構造によって対抗している。一型ビアは、少なくともこれら二つのメカニズムによって、グランド回路２１が剥離することを防止している。
【００２２】
一方、信号配線５１は幅広の導体膜ではないので、仮に前記流体が接着面に生じたとしても、導体膜の端から当該流体が容易に脱出できるため、信号配線５１が絶縁基板１１から剥離してしまうことは殆んど無い。
【００２３】
前記二つのメカニズムをより確実に機能させるため、一方の面１１ａと平行な平面視において、小穴５の面積は、貫通孔４の接続部Ｓの全面積の１〜８０％が好ましく、５〜７０％がより好ましく、１０〜６０％が更に好ましい。
上記範囲の下限値以上であることにより、前記ガス抜きの機能がより確実に働く。
上記範囲の上限値以下であることにより、前記アンカーの機能がより確実に働く。
【００２４】
具体的には、例えば小穴５及び貫通孔４が略円筒形である場合、小穴５の直径が２０μｍ〜４０μｍ、且つ貫通孔４の接続部Ｓの直径（貫通孔４の孔径）が８０μｍ〜１２０μｍという構成が挙げられる。
【００２５】
接続部Ｓにおいて、小穴５が設けられる位置は特に制限されず、図２に示すように接続部Ｓの中央部であってもよいし、接続部Ｓの周縁部であっても良い。前記ガス抜きの機能及びアンカーの機能をバランス良く、より一層確実に働かせる観点から、小穴５は接続部Ｓの中央部に設けられることが好ましい。
【００２６】
また、接続部Ｓに設けられる小穴５の数も特に制限されず、通常１〜３個が好ましい。多数の小穴５を設けると、接続部Ｓの構造的強度が脆弱となって、接続の信頼性が落ちる恐れがある。これを防ぐために、小穴５の数は、１個又は２個がより好ましく、１個が更に好ましい。
【００２７】
また、小穴５の形状は特に制限されず、例えば、略円、楕円、矩形、多角形等の形で開口するものが挙げられる。貫通孔４の形状も特に制限されず、公知の貫通配線基板における貫通孔と同様の形状が適用できる。
【００２８】
以上では、第一層の絶縁基板１１に設けられた一型ビア３１について説明した。
次に、第二層以降の絶縁基板に設けられた一型ビアについて説明する。
【００２９】
多層配線基板１において、第二層の配線基板１２αを構成する絶縁基板１２の一方の面１２ａには、グランド回路２２及び信号配線５２が形成されている。図１の断面において、グランド回路２２には、当該絶縁基板の他方の面側から３個の一型ビア３２が接続されている。
【００３０】
第二層の一型ビア３２は、第二層の配線基板１２αを構成する絶縁基板１２の一方の面１２ａに配されたグランド回路２２と、第三層の配線基板１３αを構成する絶縁基板１３の一方の面１３ａに配されたグランド回路２３とを電気的に接続している（図４）。
【００３１】
第二層の一型ビア３２は、絶縁基板１２の一方の面１２ａから他方の面１２ｂに亘って貫通する貫通孔４の内部に、導電性ペースト６が充填されてなる。貫通孔４が一方の面１２ａに開口する領域において、該開口をグランド回路２２をなす導体膜２２が覆っており、グランド回路２２と貫通孔４内の導電性ペースト６とが接触して電気的に接続をとっている。この領域を接続部Ｓと呼ぶ。接続部Ｓにおいて、グランド回路２２をなす導体膜２２を貫く小穴５が設けられ、小穴５の内部にも導電性ペースト６が充填されている。小穴５の開口面積及び開口径は、貫通孔４の一方の面における開口面積及び開口径よりも小さい。
【００３２】
さらに、小穴５に充填された導電性ペースト６の上端部は、接着層４１に接着している。通常、導電性ペースト６には樹脂成分が含有されているため、接着層４１を構成する樹脂成分との接着性が優れる。この結果、第二層の一型ビア３２が存在することによって、第二層のグランド回路２２をなす導体膜２２に対する接着層４１の接着性が向上するので、第二層のグランド回路２２の剥離を更に確実に防止できる。
前記アンカーの機能は、第二層の一型ビア３２と第二層のグランド回路２２との相互作用によって働くものである。ここで述べた接着性の向上は、第二層の一型ビア３２と接着層４１との相互作用によって奏されるものである。
【００３３】
この接着性の向上の機能を一層高める観点から、一方の面１２ａと平行な平面視において、第二層の一型ビア３２の小穴５の面積、すなわち小穴５に充填された導電性ペースト６と接着層４１との接着面積は、貫通孔４の接続部Ｓの全面積の５〜９０％が好ましく、１０〜８０％がより好ましく、２０〜７０％が更に好ましい。
上記範囲の下限値以上であることにより、前記接着性の向上の機能を一層高められる。
上記範囲の上限値以下であることにより、前記アンカーの機能がより確実に働く。
上記好適な範囲及び上記効果は、第二層以降における一型ビアの全てに当てはまる。。
【００３４】
本発明の多層配線基板において、グランド回路又は電源回路内に設ける一型ビアの個数としては、１．５〜９．０個／ｍｍ２存在することが好ましく、２．５〜５．０個／ｍｍ２存在することがより好ましく、２．５〜３．５個／ｍｍ２存在することが更に好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、前記ガス抜きの機能、前記アンカーの機能及び前記接着性を向上する機能がより確実に働く。
上記範囲の上限値以下であると、小穴５が多数貫通することによってグランド回路２１のグランドとしての機能が妨げられることを防げる。
【００３５】
第三層の二型ビア５５は、第三層の配線基板１３αを構成する絶縁基板１３の一方の面１３ａに配された信号配線５４と、第四層の配線基板１４αを構成する絶縁基板１４の一方の面１４ａに配された信号配線５６とを電気的に接続している（図５）。
【００３６】
第三層の二型ビア５５は、絶縁基板１３の一方の面１３ａから他方の面１３ｂに亘って貫通する貫通孔４の内部に、導電性ペースト６が充填されてなる。貫通孔４が一方の面１３ａに開口する領域において、該開口を信号配線５４をなす導体膜５４が覆っており、信号配線５４と貫通孔４内の導電性ペースト６の上端部とが接触して電気的に接続をとっている。この領域を接続部Ｖと呼ぶ。接続部Ｖにおいて、信号配線５４は、貫通孔４が一方の面１３ａに開口する領域を完全に覆って蓋をしている。
【００３７】
さらに、導電性ペースト６の下端部は、貫通孔４が他方の面１３ｂに開口する位置よりも更に下方へ延設されて、信号配線５６をなす導体膜５６に達している。ここで、導電ペースト６の下端部が下方へ延設された厚さは、接着層４３の厚さに等しい。この構成によって、第三層の二型ビア５５は、いわゆる有底のビア（有底ビア）となっている。有底ビアであることによって、信号配線５４及び信号配線５６と二型ビア５５との接続信頼性が向上するので好ましい。なお、前述の第一層の二型ビア５２、第一層の一型ビア３１及び第二層の一型ビア３２も、同様の有底ビアとなっている。
【００３８】
＜＜多層配線基板の製造方法＞＞
本発明にかかる多層配線基板１の製造方法の第一実施形態を説明する。
まず、ポリイミド等の樹脂からなる絶縁基板１１の一方の面１１ａにグランド回路２１又は電源回路をなす導体膜２１、及び信号配線５１をなす導体膜５１が配された基材１１βを準備する（図６(a)）。
【００３９】
基材１１βは、多層配線基板１における配線基板１１αに対応する。基材１１βを準備するのと同様に、多層配線基板１における配線基板１２α〜１６αに対応する基材１２β〜１６βを準備する。各基材としては、例えば前述のサブトラクティブ工法等によって得られる公知のプリント配線基板を適用できる。
前記樹脂からなる絶縁基板の厚さは特に制限されず、例えば１０μｍ〜５０μｍとすればよい。
【００４０】
本明細書及び特許請求の範囲において、「基板」とは、必ずしも「変形しないリジッドな板」だけを意味するものではなく、「柔軟に変形するフィルム」も含むものである。
【００４１】
準備した基材１１βの他方の面１１ｂに接着層４１を塗工し、その上にポリイミド等の樹脂からなるマスク層Ｍを形成する（図６(b),(c)）。
接着層４１の厚さは特に制限されず、例えば１０μｍ〜４０μｍとすればよい。
マスク層Ｍの厚さは特に制限されず、例えば１０μｍ〜４０μｍとすればよい。
【００４２】
続いて、他方の面１１ｂからレーザー光を照射する方法や、銅箔をマスクとするケミカルエッチング又はドライエッチングなどの公知の方法により、接着層４１及びマスク層Ｍを局所的に掘り下げて除去し、所定の位置に貫通孔４を形成する。この際、貫通孔４の底部には、導体膜２１及び導体膜５１を露出させる（図６(d)）。
貫通孔４の孔径は特に制限されず、例えば８０μｍ〜１２０μｍとすればよい。
【００４３】
次に、貫通孔４の底部に露出した導体膜２１及び導体膜５１のうち、グランド回路２１又は電源回路を構成する導体膜２１について、その露出面の一部のみを穿孔して、小穴５を開ける（図６(e)）。
小穴５を穿孔する方法としては、絶縁基板１１の一方の面１１ａにグランド回路２１又は電源回路をなす導体膜２１を形成する際に、同時にパターンニングして所定位置に小穴５を形成する、又は導体膜２１を形成した後に、エッチング等の方法で所定位置に穿孔する方法が好ましい。予め小穴５を穿孔した位置に、上記のように貫通孔４を形成すれば、導体膜２１が貫通孔４を覆う面の一部に、予め穿孔した小穴５を配することができる。また、別の方法として、貫通孔４の底面（接続部）に露出した導体膜２１に、貫通孔４よりも細い径の針を刺したり、導体膜２１を貫通し得るレーザーを極細のビーム径で照射することによって穿孔しても良い。
小穴５の穴径は特に制限されず、例えば貫通孔４の孔径の１／３程度とすればよく、具体的には、例えば２５μｍ〜４０μｍとすればよい。
【００４４】
続いて、貫通孔４及び小穴５の内部に、導電性ペーストを充填する（図６(f)）。
導電性ペーストを貫通孔４及び小穴５の内部に充填する方法としては、スクリーン印刷で使用するようなスキージプレートを使用して、マスク層Mの側から銀ペースト等の導電性ペーストをスクイジングによって、貫通孔４及び小穴５の全てに穴埋め充填する方法が挙げられる。
【００４５】
次に、マスク層Mを剥離させる。この結果、得られた積層用基板１１α（配線基板１１α）の他方の面１１ｂ側に、マスク層Mの厚さに相当する厚さ分だけ、導電性ペースト６が突出している（図６(g)）。
【００４６】
配線基板１１αに対応する積層用基板１１αを得た様に、配線基板１２α〜１６αに対応する積層用基板１２α〜１６αを得る。次に、各積層用基板をＸ線等によって透視しつつ位置合わせして重ね（図６(h)）、一括積層法で加圧及び加熱することによって、図１に示す多層配線基板１が得られる。
前記一括積層法は、真空キュアプレス機又はキュアプレス機を用いて、基板を１〜５Mpaに加圧し、１５０〜２５０℃に加熱して、３０分〜２時間保持することによって行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明に係る多層配線基板は、電子デバイス等の製造に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１…多層配線基板、４…貫通孔、５…小穴、６…導電性ペースト、Ｓ，Ｖ…接続部、１１〜１６…絶縁基板、１１α〜１６α…配線基板、１１β…基材、２１〜２３…グランド回路、３１〜３３…ビア（第一ビア）、４１〜４３…接着層、５１，５３，５４，５６，５８…信号配線、５２，５５…第二ビア、Ｍ…マスク層、１００…従来の多層配線基板、１０１…絶縁基板、１０２…グランド回路、１０３…ビア（第二ビア）、１０４…接着層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の一方の面にグランド回路又は電源回路を備え、前記グランド回路又は電源回路に接続される層間導通のためのビアを複数有する配線基板を少なくとも一つ以上備えた多層配線基板であって、
前記ビアの少なくとも一つにおいて、当該ビアを構成する導電性ペーストと前記グランド回路又は電源回路との接続部に、前記グランド回路又は電源回路をなす導体膜を貫く小穴が設けられ、前記小穴の内部に前記導電性ペーストが充填されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記小穴を備えるビアは、グランド回路又は電源回路内に、１．５〜９．０個／ｍｍ２存在することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記配線基板には、信号回路と前記信号回路に接続された有底のビアを備えていることを特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板。
【請求項４】
絶縁基板の一方の面にグランド回路又は電源回路をなす導体膜が配された基材を準備し、
前記絶縁基板の他方の面に接着層及びマスク層をこの順で形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層側から、前記一方の面に配された前記導体膜を露出するように、前記マスク層、前記接着層及び前記絶縁基板を掘り下げて、貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の底部に露出した前記導体膜の露出面の一部のみを穿孔して、小穴を開ける小穴形成工程と、
前記貫通孔及び小穴の内部に導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記マスク層を除去するマスク層除去工程と、
を含む一連の工程によって積層用基板を得て、
前記積層用基板を複数重ねて加熱及び加圧することにより一括積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１】
絶縁基板の一方の面にグランド回路又は電源回路を備え、前記グランド回路又は電源回路に接続される層間導通のためのビアを複数有する配線基板を少なくとも一つ以上備えた多層配線基板であって、
前記ビアの少なくとも一つにおいて、当該ビアを構成する導電性ペーストと前記グランド回路又は電源回路との接続部に、前記グランド回路又は電源回路をなす導体膜を貫く小穴が設けられ、前記小穴の内部に前記導電性ペーストが充填されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記小穴を備えるビアは、グランド回路又は電源回路内に、１．５〜９．０個／ｍｍ２存在することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記配線基板には、信号回路と前記信号回路に接続された有底のビアを備えていることを特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板。
【請求項４】
絶縁基板の一方の面にグランド回路又は電源回路をなす導体膜が配された基材を準備し、
前記絶縁基板の他方の面に接着層及びマスク層をこの順で形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層側から、前記一方の面に配された前記導体膜を露出するように、前記マスク層、前記接着層及び前記絶縁基板を掘り下げて、貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の底部に露出した前記導体膜の露出面の一部のみを穿孔して、小穴を開ける小穴形成工程と、
前記貫通孔及び小穴の内部に導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記マスク層を除去するマスク層除去工程と、
を含む一連の工程によって積層用基板を得て、
前記積層用基板を複数重ねて加熱及び加圧することにより一括積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−４１８５９（Ｐ２０１３−４１８５９Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７５８６６（Ｐ２０１１−１７５８６６）
【出願日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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