樹脂多層デバイス
【課題】高性能なバランスフィルタを実現でき、かつ簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを提供する。
【解決手段】基板１０上に、ＧＮＤ層４０、基板１０又はＧＮＤ層４０上に設けられた第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層し、バランスフィルタのバラン１１０は、第１導電パターン群１３０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と、第２導電パターン群１５０の不平衡信号伝送路５０とを有し、第１平衡信号伝送路３０および第１不平衡信号伝送路部５０ｃは内周に第１スペースＥ１を有し、第２平衡信号伝送路３５および第２不平衡信号伝送路部５０ｄは内周に第２スペースＥ２を有し、バランスフィルタのフィルタ１２０は、第１スペースＥ１内および／または第２スペースＥ２内に配置されている。
【解決手段】基板１０上に、ＧＮＤ層４０、基板１０又はＧＮＤ層４０上に設けられた第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層し、バランスフィルタのバラン１１０は、第１導電パターン群１３０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と、第２導電パターン群１５０の不平衡信号伝送路５０とを有し、第１平衡信号伝送路３０および第１不平衡信号伝送路部５０ｃは内周に第１スペースＥ１を有し、第２平衡信号伝送路３５および第２不平衡信号伝送路部５０ｄは内周に第２スペースＥ２を有し、バランスフィルタのフィルタ１２０は、第１スペースＥ１内および／または第２スペースＥ２内に配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線通信機器等の高周波回路に用いられるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスに関し、特に、ウェハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ：Wafer Level Chip Size/Scale Package）技術により形成された積層型のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機器では、高周波信号処理ＩＣから出力された平衡信号（差動信号）を、バランにおいて不平衡信号（単一信号）に変換し、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）またはローパスフィルタ（ＬＰＦ）で不要信号を除去して、アンテナから送信する。また、アンテナで受信された不平衡信号を、ＢＰＦに通して周波数帯域を選択し、バランにおいて平衡信号に変換して、高周波信号処理ＩＣに入力する（例えば特許文献１，２参照）。
【０００３】
このように、無線通信回路では、バランとフィルタとがセットで、高周波信号処理ＩＣとアンテナの間に設けられるため、バランとフィルタとを一体化した様々なバランスフィルタが開発されている（例えば特許文献１〜３参照）。
【０００４】
積層型のバランスフィルタは、積層型バランと、積層型フィルタとによって構成されている。積層型バランは、不平衡信号伝送路と、２つの平衡信号伝送路とが、誘電体層を介して積層配置された構成になっている。積層型バランの製造技術としては、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）技術をベースとしたもの（例えば特許文献４参照）、多層プリント基板製造技術をベースとしたもの（例えば特許文献５参照）、半導体加工技術をベースとしたもの（例えば、特許文献６、非特許文献１参照）、誘電体層として樹脂層を用いたもの（例えば特許文献３，７参照）がある。なお、積層型フィルタの製造技術は、積層型バランと同様である。
【０００５】
バランは、不平衡信号出入力側のインピーダンス、および平衡信号入出力側のインピーダンスが設計仕様のインピーダンス値であることを要求される。これらのインピーダンス仕様を満たすためのパラメータは、伝送路の幅、伝送路の厚さ、伝送路間の絶縁層の厚さ（伝送路間の距離）および誘電率、下側伝送路の下層の絶縁層の厚さおよび誘電率、ならびに上側伝送路の上層の絶縁層の厚さおよび誘電率である（例えば特許文献５参照）。
【０００６】
一方、近年、ＷＬＣＳＰという技術が提案されている（例えば特許文献８参照）。ＷＬＣＳＰは、ウェハ上に、樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによって樹脂多層デバイスを作り込み、そのあとにチップにダイシングする技術である。つまり、ウェハのまま、パッケージングまでする製法である。なお、ＷＬＣＳＰ技術によって製造されたパッケージを、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer LevelPackage）とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２６０９０３号公報
【特許文献２】特開２００５−２４４８４８号公報
【特許文献３】特開２００５−１９８２４１号公報
【特許文献４】特開２００２−０５０９１０号公報
【特許文献５】特開２００６−１２１３１３号公報
【特許文献６】特開２００４−１７２２８４号公報
【特許文献７】特開２００５−１３０３７６号公報
【特許文献８】特開２００７−２８１２３０号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Yeong J.Yoon，「Design and characterization of Multilayer Spiral Transmission-Line Baluns」,IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES,VOL.47,No.9,SEPTEMBER,1999
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記ＬＴＣＣ技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、ＧＮＤ層（接地層）や信号入力のためのレイヤ等、多数のレイヤを必要とするため、構成および製造手順が複雑になるという課題があった。さらに、バランの下側伝送路と上側伝送路の位置合せ精度が悪く、インピーダンスが設計値からずれるという課題があった。
【００１０】
また、上記多層プリント基板製造技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、プリント基板に伝送路やキャパシタ、インダクタを形成するため、微細加工ができず、サイズが大きくなるという課題があった。また、高精度な加工ができないため、バランの下側伝送路と上側伝送路の位置合せ精度が悪く、伝送路のインピーダンスが設計値からずれるという課題があった。
【００１１】
また、上記半導体加工技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、微細加工および高精度な加工は可能であるが、バランの伝送路やフィルタのインダクタを、抵抗値の大きなアルミパターンで形成すること、およびシリコン基板からの影響を受けることにより、バランの挿入損失が大きくなるとともに、Ｑ値の高いインダクタを得ることができないので、フィルタの周波数特性が悪いという課題があった。
【００１２】
さらに、上記ＷＬＣＳＰ製造技術による場合には、上記ＬＴＣＣ技術による場合よりも誘電体層の比誘電率が低くなるので、バランの伝送路を長くする必要があり、このバランとフィルタとを単に配置した場合には、大きな面積が必要になるという課題があった。
【００１３】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび優れた周波数特性のフィルタを実現でき、かつ簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１に記載の樹脂多層デバイスは、バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、基板と、前記基板上に形成されたＧＮＤ層と、前記基板又は前記ＧＮＤ層上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていて、前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域を除いた領域に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項２に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１において、前記第１スペース及び前記第２スペースにおいて、前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配された距離をＡ、前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項３に記載の樹脂多層デバイスは、バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項４に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、ボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項５に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、前記第３樹脂層上に設けられた導電パターンによって接続されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項６に記載の樹脂多層デバイスは、請求項４または５において、前記フィルタは、複数のインダクタと複数のキャパシタとによって構成されており、前記インダクタおよび前記キャパシタが、前記第１フィルタ部と前記第２フィルタ部とに、対称となるように振り分けられて配置されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項７に記載の樹脂多層デバイスは、請求項４または５において、前記フィルタはバンドパスフィルタであり、前記第１フィルタ部はハイパスフィルタであり、前記第２フィルタ部はローパスフィルタであることを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項８に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板上に、ＧＮＤ層、第１樹脂層、第１導電パターン群、第２樹脂層、第２導電パターン群、第３樹脂層を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、バランの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペース内にフィルタを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル伝送路が占有する面積に積層型のフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるという効果がある。さらに、前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域以外の領域に形成されているので、前記フィルタを構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【００２３】
ここで、前記スペースにおいて、前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配されており、その延伸された距離をＡ、前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上であると、前記ＧＮＤ層と前記第１導電パターン群との間の電気力線、及び前記ＧＮＤ層と前記第２導電パターン群との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【００２４】
また、本発明によれば、基板上に、第１樹脂層、第１導電パターン群、第２樹脂層、第２導電パターン群、第３樹脂層を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、バランの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペース内にフィルタを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル伝送路が占有する面積に積層型のバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるＧＮＤ層の配置の一例を説明する上面図である。
【図３】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるバランの構成を説明する上面図である。
【図４】図３においてのＧ−Ｇ間の断面図である。
【図５】図３においてのＨ−Ｈ間の断面図である。
【図６】図３においてのＩ−Ｉ間の断面図である。
【図７】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるバランの動作を説明する模式回路図である。
【図８】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの構成を説明する上面図である。
【図９】図８におけるＪ−Ｊ間の断面図である。
【図１０】図８におけるＫ−Ｋ間の断面図である。
【図１１】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの回路構成図である。
【図１２】本発明の実施形態２の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの回路構成図である。
【図１３】本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
【図１４】本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図１５】本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
【図１６】本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図１７】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの構成を説明する別の上面図である。
【図１８】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する斜視図である。
【図１９】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの構成の一例を説明する上面図である。
【図２０】図１９においてのＡ−Ａ間の断面図である。
【図２１】図１９においてのＢ−Ｂ間の断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの動作を説明する模式回路図である
【図２３】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの構成を説明する上面図である。
【図２４】図２３においてのＤ−Ｄ間の断面図である。
【図２５】図２３においてのＥ−Ｅ間の断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図２７】本発明の実施の形態６の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図２８】本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する上面図である。
【図２９】本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図３０】本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する上面図である。
【図３１】本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図３２】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する斜視図である。
【図３３】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの構成の別の例を説明する上面図である。
【図３４】図３３においてのＰ−Ｐ間の断面図である。
【図３５】本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する上面図である。
【図３６】本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する上面図である。
【図３７】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの構成を説明する別の上面図である。
【図３８】図３７においてのＱ−Ｑ間の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。なお、以下の説明に用いる図面は、模式的なものであって、実際のインダクタ、キャパシタ等の占有面積は以下の図面とは異なる。
【００２７】
＜実施形態１＞
図１は、本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。この実施形態１の樹脂多層デバイス１００は、基板１０と、ＧＮＤ層４０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、６つの接地部（第１接地部７０ｘ、第３接地部７０ｙ、第５接地部７０ｚ；第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、ボンディングワイヤ１６０とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００２８】
［基板１０］
基板１０は、例えば、シリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、あるいはＧａＡｓ等の絶縁性基板である。
【００２９】
［ＧＮＤ層４０］
ＧＮＤ層４０は、前記基板１０上に形成された導電性金属からなる接地層（グランド層）である。該導電性金属としては、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミ（Ａｌ）等の金属を用いる。基板上にＧＮＤ層４０を設ける方法としては、めっき法、スパッタ法等が適用できる。
【００３０】
ＧＮＤ層４０は、後述のフィルタを構成するインダクタ及びキャパシタと重なる領域を除いた領域に形成されている。すなわち、図２において、基板１０を図面の上方から見たとき、前記インダクタ及びキャパシタと重なる基板１０の領域上には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。基板１０上において、ＧＮＤ層４０の形成されていない領域には、後述の第１樹脂層２２が形成されている。
【００３１】
［多層樹脂体２０］
第１樹脂層２２と、第２樹脂層２４と、第３樹脂層２６とは、多層樹脂体２０を構成している。第１樹脂層２２は、基板１０又はＧＮＤ層４０上に形成されている。すなわち、ＧＮＤ層４０上の他に、ＧＮＤ層４０の形成されていない基板１０の上にも第１樹脂層２２が形成されている。この第１樹脂層２２としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【００３２】
また、第２樹脂層２４は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。この第２樹脂層２４としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【００３３】
また、第３樹脂層２６は、不平衡信号伝送路５０の２つの不平衡信号伝送路部５０ｃ（第１不平衡信号伝送路部）および５０ｄ（第２不平衡信号伝送路部）を含む第２導電パターン群１５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。この第３樹脂層２６としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【００３４】
これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、および第３樹脂層２６は、同じ材料を用いて同じ手法で形成する等により、同じ比誘電率を有することが望ましい。
【００３５】
樹脂多層デバイス１００には、積層型のバラン１１０と、積層型のフィルタ１２０とを一体化したバランスフィルタが作り込まれている。
【００３６】
［バラン１１０］
バラン１１０は、第１樹脂層２２と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、第２樹脂層２４と、不平衡信号伝送路５０と、第３樹脂層２６とによって構成されている。また、バラン１１０は、内周に第１スペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置された第１バラン部１１０ａと、内周に第２スペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置された第２バラン部１１０ｂとを備えて構成されている。第１バラン部１１０ａは、第１平衡信号伝送路３０と、これに対向する第１不平衡信号伝送路部５０ｃとを有する。第２バラン部１１０ｂは、第２平衡信号伝送路３５と、これに対向する第２不平衡信号伝送路部５０ｄとを有する。
【００３７】
図２は、樹脂多層デバイス１００におけるＧＮＤ層４０の配置の一例を説明する上面図である。第１スペースＥ１において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａは、第１バラン部１１０ａの最内周の部位４４ａより内側に距離Ａで延伸して配されている。第２スペースＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂは、第２バラン部１１０ｂの最内周の部位４４ｂより内側に距離Ａｘで延伸して配されている。
【００３８】
また、図２において、樹脂多層デバイス１００の上面に対して垂直に見下ろしたとき、第１スペースＥ１におけるＧＮＤ層４０の形成されていない領域Ｅ３の形状は、第１スペースＥ１の形状と相似形であってもよく、相似形でなくてもよい。同様に、第２スペースＥ２におけるＧＮＤ層４０の形成されていない領域Ｅ４は、第２スペースＥ２と相似形であってもよく、相似形でなくてもよい。領域Ｅ３と領域Ｅ４は、バランスフィルタの動作を良好にする観点から、同一の形状であることが好ましい。なお、図２に示した領域Ｅ３及び領域Ｅ４の長方形の形状は一例であり、必ずしもこの形状である必要はない。
【００３９】
図３はバラン１１０の構成を説明する上面図である。また、図４は図３においてのＧ−Ｇ間の断面図、図５は図３においてのＨ−Ｈ間の断面図、図６は図３においてのＩ−Ｉ間の断面図である。ただし、図３〜図６では、バラン１１０を判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【００４０】
［第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５］
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターン（第１導電パターン群１３０に属するあるいは第１導電パターン群１３０を構成する導電パターン）として、電気的に互いに独立して第１樹脂層２２上に形成されている。第１平衡信号伝送路３０は、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。同様に、第２平衡信号伝送路３５も、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。
【００４１】
平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０の外周端（一端）３０ａと、同様に平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５の外周端（一端）３５ａとは、間隔ｇをもって配置されている。これらの第１平衡信号伝送路３０の一端３０ａおよび第２平衡信号伝送路３５の一端３５ａは、それぞれ平衡信号（差動信号）が入出力される信号端である。また、第１平衡信号伝送路３０の内周端（他端）３０ｂおよび第２平衡信号伝送路３５の内周端（他端）３５ｂは、それぞれ接地端になっている。
【００４２】
第１平衡信号伝送路３０の接地端は、内周端３０ｂから引き出された配線３２の端部においてビア３３を介してＧＮＤ層４０に電気的に接続された第１接地部７０ｘにつなげられている（図３，６参照）。また、第２平衡信号伝送路３５の接地端は、内周端３５ｂから引き出された配線３７の端部においてビア３８を介してＧＮＤ層４０に電気的に接続された第２接地部７５ｘにつなげられている（図３参照）。
【００４３】
ビア３３及びビア３８は、フォトリソグラフィ等によって第１樹脂層２２を貫通するように設けられたビア・ホールに金属材料が埋め込まれて、又はビア・ホールの内壁を沿うようにめっきして、形成されている。該金属材料は第１平衡信号伝送路３０及び第２平衡信号伝送路３５と同じ材料によって形成されることが望ましく、例えば銅めっき等のめっき金属が挙げられる。
【００４４】
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンとして、同じ金属材料によって同時に形成され、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。また、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２とは、同じ長さ（Ｌ１＝Ｌ２）となるように形成されることが望ましい。また、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５とは、同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されることが望ましい。なお、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の下面とＧＮＤ層４０上面との間隔（第１樹脂層２２の層厚）はｈ１ｘである（図４参照）。
【００４５】
［不平衡信号伝送路５０］
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、第２樹脂層２４上に形成されている。この不平衡信号伝送路５０は、その下面が第１平衡信号伝送路３０の上面に対向するように設けられて内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと、その下面が第２平衡信号伝送路３５の上面に対向するように設けられて内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄとの外周端同士を一体に接続（電気的に接続）した１本の伝送路である。
【００４６】
不平衡信号伝送路５０の一端（第２不平衡信号伝送路部５０ｄの内周端）５０ａは不平衡信号が出入力される信号端になっており、不平衡信号伝送路５０の他端（第１不平衡信号伝送路部５０ｃの内周端）５０ｂは開放端になっている。
【００４７】
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。この不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ形成手法によって同じ金属材料で形成されていることが望ましい。
【００４８】
不平衡信号伝送路５０は、その長さＬが、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と、第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２と、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａと第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａの間隔ｇとの合計の長さと同じになるように形成されていることが望ましい。また、不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されていることが望ましい。
【００４９】
なお、第２樹脂層２４を介して対向配置された不平衡信号伝送路５０下面と、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面との間隔はｄである。また、不平衡信号伝送路５０上面から第３樹脂層６０上面までの間隔はｈ２である（図４参照）。
【００５０】
［バランスフィルタの動作］
図７はバランスフィルタ１１０の動作を説明する模式回路図である。図７において、ＳＤ１は、平衡信号（差動信号）の内、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに入力される（または信号端３０ａから出力される）信号、ＳＤ２は、上記平衡信号の内、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに入力される（または信号端３５ａから出力される）信号、ＳＳは、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａからフィルタ１２０を介して出力される（またはフィルタ１２０を介して信号端５０ａに入力される）不平衡信号（単一信号）をそれぞれ表している。
【００５１】
また、図７において、ＺＤ１は第１平衡信号伝送路３０の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＤ２は第２平衡信号伝送路３５の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＳは不平衡伝送路５０の出力インピーダンス（または入力インピーダンス）をそれぞれ表している。
【００５２】
バラン１１０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０とを、第２樹脂層２４（図１等参照）を介して近接配置することにより、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０との間に電磁結合を生じる回路である。
【００５３】
このバラン１１０において、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａに平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２を入力すると、これらの平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２は不平衡信号に変換され、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａから出力される。この不平衡信号は、フィルタ１２０に入力され、高調波成分の除去等のフィルタ処理をされた不平衡信号ＳＳが、フィルタ１２０から出力される。
【００５４】
また、これとは逆に、バラン１１０において、フィルタ１２０を介して不平衡信号ＳＳを不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに入力すると、この不平衡信号は平衡信号に変換され、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａから平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２が出力される。
【００５５】
ここで、伝送する信号（変換する信号）の波長をλとすると、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１および第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２がそれぞれλ／４となり、不平衡信号伝送路５０の内の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと第２不平衡信号伝送路部５０ｄの合計の伝送路長（＝Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌ−ｇ）がλ／２となるように、それぞれの伝送路を設けることが望ましい。
【００５６】
また、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａが、第１バラン部１１０ａの最内周の部位４４ａより内側に延伸された距離は距離Ａ以上であることが好ましく、該距離Ａは、ＧＮＤ層４０の上面と第２導電パターン群１５０である不平衡信号伝送路５０の下面との距離Ｂの５倍（以上）である。ここで、該距離Ｂは、図４において、ｈ１ｘ＋Ｔ＋ｄで示される距離である。同様に、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂが、第２バラン部１１０ｂの最内周の部位４４ｂより内側に延伸された距離は距離Ａｘ以上であることが好ましく、該距離Ａｘは、前記距離Ｂの５倍（以上）である。
【００５７】
さらに、バラン１１０は、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換については、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ、および平衡信号側のインピーダンスＺＤ１，ＺＤ２が設計仕様のインピーダンス値であることが要求される。例えば、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ＝５０Ω、平衡信号側のインピーダンスＺＤ１＋ＺＤ２＝１００，１５０，２００Ωである。
【００５８】
このようなバランスフィルタは、アンテナで受信した高周波不平衡信号を復調するために平衡信号に変換する必要があり、逆に変調された高周波平衡信号をアンテナから送信するために不平衡信号に変換する必要がある無線通信機器では、不可欠な回路である。
【００５９】
無線通信機器においては、高周波信号処理ＩＣの入出力インピーダンスとアンテナの出入力インピーダンスとは必ずしも整合していない。このため、両者のインピーダンスを整合させるためにも、インピーダンス変換機能を有するバランスフィルタは不可欠である。上記両者の間にバランスフィルタを挿入しないと、あるいは挿入してもバランスフィルタのインピーダンスが設計値からずれていると、別のインピーダンス変換器が必要になる。
【００６０】
無線通信機器の信号送信部においては、高周波信号処理ＩＣから出力された送信平衡信号（送信差動信号）は、バランに入力されて不平衡信号に変換される。この送信不平衡信号は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）またはバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）において高調波成分を除去され、電力増幅器（ＰＡ）において増幅され、アンテナスイッチ（ＴＤＤ方式の場合）を通ってアンテナから送信される。電力増幅器は差動化が進んでおらず不平衡信号によって動作しているため、平衡信号によって動作している高周波信号処理ＩＣとの間に、バランとＬＰＦまたはＢＰＦを一体化したバランスフィルタが必要になる。
【００６１】
この実施形態１のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号送信部に適用する場合には、バラン１１０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号入力側になり、フィルタ１２０が信号出力側になる。従って、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの送信信号出力端子にそれぞれ接続し、フィルタ１２０の出力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記電力増幅器の入力端子に接続することになる。
【００６２】
また、無線通信機器の信号受信部においては、アンテナで受信された受信不平衡信号は、アンテナスイッチを通って低雑音増幅器（ＬＮＡ）において増幅され、ＢＰＦにおいて所望の周波数帯域成分が選択されたあと、バランに入力されて平衡信号に変換される。そして、この受信平衡信号が高周波信号処理ＩＣに入力される。高周波信号処理ＩＣは、平衡信号によって動作しているため、不平衡信号を出力する低雑音増幅器との間に、ＢＰＦとバランを一体化したバランスフィルタが必要になる。
【００６３】
この実施形態１のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号受信部に適用する場合には、上記信号送信部に適用する場合とは逆に、フィルタ１２０が信号入力側、バラン１１０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号出力側になる。従って、フィルタ１２０の入力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記低雑音増幅器の出力端子に接続し、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの受信信号入力端子にそれぞれ接続することになる。なお、この実施形態１のフィルタ１２０はＬＰＦとして構成されているため、上記信号受信部に適用する場合には、フィルタ１２０をＢＰＦとして構成する必要がある。
【００６４】
［フィルタ１２０］
図８はフィルタ１２０の構成を説明する上面図である。また、図９は図８においてのＪ−Ｊ間の断面図、図１０は図８においてのＫ−Ｋ間の断面図である。さらに、図１１はフィルタ１２０の回路構成図である。
【００６５】
フィルタ１２０は、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４と、インダクタＬ１１，Ｌ１２によって構成されている。また、フィルタ１２０は、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部１２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部１２０ｂとを有する。第１フィルタ部１２０ａの一端は不平衡信号端子部９０に接続され、他端は第１フィルタ端子部８０に接続されている。第２フィルタ部１２０ｂの一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続され、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
【００６６】
第１フィルタ部１２０ａには、キャパシタＣ１３，Ｃ１４、およびインダクタＬ１２が配置されており、第２フィルタ部１２０ｂには、キャパシタＣ１１，Ｃ１２、およびインダクタＬ１１が配置されている。
【００６７】
キャパシタＣ１１の一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている（図８参照）。第４接地部７５ｙは、第２接地部７５ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ１１の一端は信号端５０ａに接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
キャパシタＣ１２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている（図８参照）。第６接地部７５ｚは、第２接地部７５ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
【００６８】
また、キャパシタＣ１３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は第３接地部７０ｙによって接地されている（図８参照）。第３接地部７０ｙは、第１接地部７０ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ１２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ１４の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第５接地部７０ｚによって接地されている（図８参照）。第５接地部７０ｚは、第１接地部７０ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【００６９】
なお、図８の上面図は、図１７の上面図に示す構成とすることもできる。図１７では、領域Ｅ３および領域Ｅ４の形状が長方形でない場合を示している。ここで、図１７において、図８と同様のものには同じ符号を付してある。
【００７０】
キャパシタＣ１１は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３１と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５１とを有する。下部電極１３１は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第４接地部７５ｙのビア３９に接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている（図９参照）。ここで、キャパシタＣ１１を構成する下部電極１３１及び上部電極１５１と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない（図９参照）。また、上部電極１５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。
なお、第４接地部７５ｙのビア３９は、前述の第２接地部７５ｘのビア３８と同様に形成されている。
【００７１】
インダクタＬ１１は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５２と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３２とを有する。コイルパターン１５２の内周端は、アンダーパスパターン１３２および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。また、コイルパターン１５２の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている（図１０参照）。ここで、インダクタＬ１１を構成するコイルパターン１５２及びアンダーパスパターン１３２と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない（図１０参照）。
【００７２】
キャパシタＣ１２は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３３と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５３とを有する。下部電極１３３は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第６接地部７５ｚのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１２を構成する下部電極１３３及び上部電極１５３と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５３は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。
なお、第６接地部７５ｚのビアは、前述の第２接地部７５ｘのビア３８と同様に形成されている。
【００７３】
キャパシタＣ１３は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３６と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５６とを有する。下部電極１３６は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第３接地部７０ｙのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１３を構成する下部電極１３６及び上部電極１５６と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。
なお、第３接地部７０ｙのビアは、前述の第１接地部７０ｘのビア３３と同様に形成されている。
【００７４】
インダクタＬ１２は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５７と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３７とを有する。コイルパターン１５７の内周端は、アンダーパスパターン１３７および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。また、コイルパターン１５７の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。ここで、インダクタＬ１２を構成するコイルパターン１５７及びアンダーパスパターン１３７と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。
【００７５】
キャパシタＣ１４は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３８と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５８とを有する。下部電極１３８は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第５接地部７０ｚのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１４を構成する下部電極１３８及び上部電極１５８と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５８は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。
なお、第５接地部７０ｚのビアは、前述の第１接地部７０ｘのビア３３と同様に形成されている。
【００７６】
このように、フィルタ１２０では、キャパシタとインダクタとを、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、対称に配置した構成としている。フィルタ１２０は、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ１２とＣ１３とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部１２０ａと、第２フィルタ部１２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。
【００７７】
特に、インダクタを第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があるが、一般に、インダクタのＱ値は、コイルパターンの内径対外径比が大きいほど高くできる。このため、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ１２０は、２つのインダクタＬ１１，Ｌ１２を有するので、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、つまり第１スペースＥ１における領域Ｅ３と第２スペースＥ２における領域Ｅ４に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。
【００７８】
この実施形態１では、基板１０上に、ＷＬＣＳＰ技術によって、ＧＮＤ層４０、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層して、バランスフィルタを形成することにより、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の伝送路を形成することができるとともに、銅めっき等による高いＱ値のインダクタを形成することができる。
【００７９】
［第１平衡信号端子部６０、第２平衡信号端子部６５］
第１平衡信号端子部６０は、第３樹脂層２６の開口部２６ａ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５１を設けたものである。平衡信号電極パッド５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに接続されている。
【００８０】
同様に、第２平衡信号端子部６５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｃ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５６を設けたものである。平衡信号電極パッド５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに接続されている。
【００８１】
［第１接地部７０ｘ、第２接地部７５ｘ、第３接地部７０ｙ、第４接地部７５ｙ、第５接地部７０ｚ、第６接地部７５ｚ］
第１接地部７０ｘは、第１樹脂層を貫通するビア３３を介して、第１平衡信号伝送路３０（第１導電パターン群１３０）をＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。
同様に、第２接地部７５ｘは、第１樹脂層を貫通するビア３８を介して、第２平衡信号伝送路３５（第１導電パターン群１３０）をＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。
【００８２】
また、第３接地部７０ｙ、第４接地部７５ｙ、第５接地部７０ｚ、及び第６接地部７５ｚは、第１樹脂層を貫通する個別のビアを介して、キャパシタＣ１１、キャパシタＣ１２、キャパシタＣ１３、及びキャパシタＣ１４を、ぞれぞれＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。該ビアは、前述のビア３３及びビア３８と同様に、各キャパシタの下部電極から引き出された配線パターン（第一導電パターン群１３０）に接続されて設けられている。
【００８３】
［第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５］
第１フィルタ端子部８０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｇ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５を設けたものである。フィルタ電極パッド１５５は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１３の上部電極１５６およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。また、第２フィルタ端子部８５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｆ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４を設けたものである。フィルタ電極パッド１５４は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１２の上部電極１５３およびインダクタＬ１１のコイルパターン１５２に接続されている。そして、フィルタ電極パッド１５４と１５５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【００８４】
これらの第１フィルタ端子部８０と、第２フィルタ端子部８５とは、第１フィルタ部１２０ａのキャパシタＣ１３の上部電極１５６と、第２フィルタ部１２０ｂのキャパシタＣ１２の上部電極１５３とを、ボンディングワイヤ１６０によって接続して、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるフィルタ１２０を完成させるためのものである。
【００８５】
このように、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。
【００８６】
なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。
【００８７】
［不平衡信号端子部９０］
不平衡信号端子部９０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｅ内に、第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９を設けたものである。不平衡信号電極パッド５９は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、フィルタ部１２０のキャパシタＣ１４の上部電極１５８およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。
【００８８】
この実施形態１では、第１フィルタ部１２０ａ、第１接地部７０ｘ、第３接地部７０ｙ、第５接地部７０ｚ、第１フィルタ端子部８０、および不平衡信号端子部９０は、第１バラン部１１０ａの内周に確保された第１スペースＥ１内に配置されている。また、第２フィルタ部１２０ｂ、第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ、および第２フィルタ端子部８５は、第２バラン部１１０ｂの内周に確保された第２スペースＥ２内に配置されている。なお、第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５は、これらの第１スペースＥ１および第２スペースＥ２の外側に配置されている。従って、この実施形態１では、ほぼ２つの平面スパイラル型伝送路が占有する面積に、２層の導電層構造でバランスフィルタを作製することができる。
【００８９】
なお、樹脂多層デバイス１００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、平衡信号電極パッド５１，５６上、不平衡信号電極パッド５９上、およびフィルタ電極パッド１５４，１５５上にそれぞれ、はんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【００９０】
［製造手順］
図１〜図１１を参照して、樹脂多層デバイス１００の製造手順を以下に説明する。以下の説明において、基板１０は、シリコン（Ｓｉ）ウェハであるものとする。樹脂多層デバイス１００は、ＷＬＰであるから、シリコンウェハ上に樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってバランスフィルタを作り込み、そのあとにチップにダイシングするＷＬＣＳＰ技術によって製造される。
【００９１】
まず、シリコンウェハである基板１０上にＧＮＤ層４０を、例えば銅めっき、アルミ膜、銅膜によって形成する。つづいて、基板１０上に均一に形成されたＧＮＤ層４０のうち、領域Ｅ３及び領域Ｅ４と重なる領域のＧＮＤ層はエッチング法によって除去する。ＧＮＤ層４０は、後で樹脂多層デバイス１００を実装する基板のＧＮＤに導通される。
【００９２】
次に、ＧＮＤ層４０及びＧＮＤ層４０が除かれた領域（Ｅ３，Ｅ４）の基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって基板１０のＧＮＤ層４０が除かれた領域及びＧＮＤ層４０上にコーティングし、ＧＮＤ層４０上における厚さ寸法がｈ１ｘとなるように感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって、前記ビアを形成するためのビア・ホール（貫通孔）を形成する。なお、ＧＮＤ層４０が除かれた領域において基板１０上に形成された第１樹脂層２２の厚さ寸法は「ｈ１ｘ＋ＧＮＤ層４０の厚み」である。
【００９３】
次に、第１樹脂層２２上に、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５、前記ビア、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の下部電極１３１，１３３，１３６，１３８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のアンダーパスパターン１３２，１３７等を含む第１導電パターン群１３０を設ける。
【００９４】
第１導電パターン群１３０としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上及び前記ビア・ホール内にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１の第１平衡信号伝送路３０、および幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２（＝Ｌ１）の第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０を形成する。この際、前記ビア・ホール内を銅めっき等することにより、第１導電パターン群１３０とＧＮＤ層４０とを電気的に接続するビア３３及びビア３８を形成する。なお、キャパシタの（下部）電極は、スパッタでも良い。
【００９５】
次に、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、上記第１導電パターン群１３０の導電パターンを第２導電パターン群１５０の導電パターンにコンタクトさせるための開口部を設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面からの厚さ寸法ｄの感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって上記開口部を設ける。
【００９６】
次に、第２樹脂層２４上に、不平衡信号伝送路５０、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の上部電極１５１，１５３，１５６，１５８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のコイルパターン１５２，１５７、平衡信号電極パッド５１，５６、不平衡信号電極パッド５９、フィルタ電極パッド１５４，１５５等を含む第２導電パターン群１５０を設ける。
【００９７】
平衡信号電極パッド５１は、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａを第１平衡信号端子部６０に導くための電極パッドである。平衡信号電極パッド５６は、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａを第２平衡信号端子部６５に導くための電極パッドである。フィルタ電極パッド１５４は、第２フィルタ部１２０ｂの他端を第２フィルタ端子部８５に導く電極パッドである。フィルタ電極パッド１５５は、第１フィルタ部１２０ａの他端を第１フィルタ端子部８０に導くための電極パッドである。そして、不平衡信号電極パッド５９は、フィルタ１２０の信号出入力端（第１フィルタ部１２０ａの一端）を不平衡信号端子部９０に導くための電極パッドである。
【００９８】
第２導電パターン群１５０としては、第１導電パターン群１３０と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ、厚さ寸法Ｔ、長さ寸法Ｌの不平衡信号伝送路５０を含む第２導電パターン群１５０を形成する。なお、キャパシタの（上部）電極は、スパッタでも良い。
【００９９】
次に、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、電極パッド５１，５６，５９，１５４，１５５をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｃ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、不平衡信号伝送路５０上面からの厚さ寸法ｈ２の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ａ，２６ｃ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを形成する。
【０１００】
以上の手順を完了したあと、シリコンウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス１００を得る。
【０１０１】
以上のように実施形態１によれば、基板上に、ＧＮＤ層４０、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１０２】
さらに、この実施形態１では、バラン１１０の平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペースＥ１における領域Ｅ３，Ｅ２における領域Ｅ４内にフィルタ１２０を配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１０３】
また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ１２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ１２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【０１０４】
さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【０１０５】
＜実施形態２＞
図１２は本発明の実施形態２の樹脂多層デバイスにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１２において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。
【０１０６】
この実施形態２の樹脂多層デバイスは、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を、図１２のフィルタ２２０としたものである。
【０１０７】
［フィルタ２２０］
フィルタ２２０は、５次の楕円関数型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６と、インダクタＬ２１，Ｌ２２によって構成されている。また、フィルタ２２０は、第１スペースＥ１における領域Ｅ３内に設けられた第１フィルタ部２２０ａと、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた第２フィルタ部２２０ｂとを有する。
【０１０８】
第１フィルタ部２２０ａには、キャパシタＣ２４，Ｃ２５，Ｃ２６、およびインダクタＬ２２が配置されており、第２フィルタ部２２０ｂには、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３、およびインダクタＬ２１が配置されている。
【０１０９】
キャパシタＣ２１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２１とキャパシタＣ２２は並列接続されており、この並列回路の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ２３の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。
【０１１０】
また、キャパシタＣ２４の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２２とキャパシタＣ２５は並列接続されており、この並列回路の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ２６の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【０１１１】
キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０１１２】
また、インダクタＬ２１，Ｌ２２も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０１１３】
この実施形態２のフィルタ２２０では、上記実施形態１のフィルタ１２０（図８〜図１１参照）と同様に、第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂとに、キャパシタとインダクタとを対称に配置した構成としている。フィルタ２２０は、５次の楕円関数型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ２３とＣ２４とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。
【０１１４】
特に、インダクタを第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があり、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ２２０は、２つのインダクタＬ２１，Ｌ２２を有するので、第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、つまり第１スペースＥ１における領域Ｅ３と第２スペースＥ２における領域Ｅ４に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。
【０１１５】
また、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。
【０１１６】
なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。
【０１１７】
また、この実施形態２の樹脂多層デバイスを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０１１８】
この実施形態２の樹脂多層デバイスの製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。
【０１１９】
以上のように実施形態２によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度な入出力インピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１２０】
また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ２２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ２２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【０１２１】
さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【０１２２】
＜実施形態３＞
図１３は本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図１３において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。また、図１４は実施形態３の樹脂多層デバイス３００においてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１４において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。
【０１２３】
この実施形態３の樹脂多層デバイス３００は、基板１０と、ＧＮＤ層４０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、６つの接地部（第１接地部７０ｘ、第７接地部７３ｘ、第８接地部７３ｙ；第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、フィルタ部接続導電パターン１７０とを備えて構成されたＷＬＰである。
【０１２４】
つまり、実施形態３の樹脂多層デバイス３００は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、第３樹脂層２６上に、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続するフィルタ部接続導電パターン１７０を設けるとともに、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を、図１３のフィルタ３２０としたものである。このフィルタ部接続導電パターン１７０としては、例えば第１導電パターン群１３０および第２導電パターン群１５０と同じ導電性材料を使用することができる。なお、フィルタ部接続導電パターン１７０上には、さらに樹脂層を形成することが望ましい。
【０１２５】
［フィルタ３２０］
フィルタ３２０は、ＢＰＦであり、積層型のキャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３と、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３によって構成されている。また、フィルタ３２０は、第１スペースＥ１における領域Ｅ３内に設けられた第１フィルタ部３２０ａと、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた第２フィルタ部３２０ｂとを有する。
【０１２６】
第１フィルタ部３２０ａには、キャパシタＣ３３、およびインダクタＬ３２，Ｌ３３が配置されている。この第１フィルタ部３２０ａは、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を構成している。また、第２フィルタ部３２０ｂには、キャパシタＣ３１，Ｃ３２、およびインダクタＬ３１が配置されている。この第２フィルタ部３２０ｂは、ＬＰＦを構成している。
そして、第１フィルタ部３２０ａのＨＰＦと、第２フィルタ部３２０ｂのＬＰＦとを直列接続することにより、ＢＰＦが構成されている。
【０１２７】
キャパシタＣ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている。第４接地部７５ｙは、前述の実施形態１の第４接地部７５ｙと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
キャパシタＣ３２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている。第６接地部７５ｚは、前述の実施形態１の第６接地部７５ｚと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
【０１２８】
また、インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。キャパシタＣ３３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。そして、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、フィルタ部接続導電パターン１７０によって接続されている。
【０１２９】
キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０１３０】
また、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０１３１】
インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は第７接地部７３ｘによって接地されている。第７接地部７３ｘは、第１導電パターン群の配線（アンダーパスパターン）によって、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。同様に、インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第８接地部７３ｙによって接地されている。第８接地部７３ｙは、第１導電パターン群の配線（アンダーパスパターン）によって、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
【０１３２】
なお、この実施形態３の樹脂多層デバイス３００においても、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１または図１１等参照）のように、ボンディングワイヤ１６０によって、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。
【０１３３】
また、この実施形態３の樹脂多層デバイス３００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、フィルタ部接続導電パターン１７０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０１３４】
この実施形態３の樹脂多層デバイス３００の製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。
【０１３５】
以上のように実施形態３によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１３６】
また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ３２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ３２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【０１３７】
さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【０１３８】
＜実施形態４＞
図１５は本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図１５において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。また、図１６は実施形態４の樹脂多層デバイス４００においてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１６において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。
【０１３９】
この実施形態４の樹脂多層デバイス４００は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を図１６のフィルタ４２０とし、不平衡信号端子部９０を第１スペースＥ１内ではなく第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けるとともに、第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設けない構成としたものである。
【０１４０】
つまり、この実施形態４では、第１スペースＥ１にフィルタが設けられておらず、これにより第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００よりも簡単な構成とすることができる。
【０１４１】
［フィルタ４２０］
フィルタ４２０は、ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ４１，Ｃ４２と、インダクタＬ４１によって構成されている。また、フィルタ４２０は、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられており、第１スペースＥ１内には設けられていない。
【０１４２】
キャパシタＣ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている。第４接地部７５ｙは、前述の実施形態１の第４接地部７５ｙと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ４２の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている。第６接地部７５ｚは、前述の実施形態１の第６接地部７５ｚと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
【０１４３】
キャパシタＣ４１，Ｃ４２は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０１４４】
また、インダクタＬ４１も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０１４５】
なお、この実施形態４の樹脂多層デバイス４００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、それぞれの端子部の電極パッド上にはんだバンプを設ける。この実施形態４の樹脂多層デバイス４００の製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。
【０１４６】
以上のように実施形態４によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度な入出力インピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１４７】
さらに、フィルタ４２０を第２スペースＥ２における領域Ｅ４にのみ設け、第１スペースＥ１には設けない構成としたことにより、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００に設けられていた第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施形態１よりもさらに簡単な構成にすることができる。
【０１４８】
また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ４２０と重なる領域Ｅ４以外の領域に形成されているので、フィルタ４２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【０１４９】
さらに、スペースＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【０１５０】
なお、上記各実施形態の説明では、２層配線構造の積層フィルタ（特にキャパシタ）を例として説明したが、本発明の樹脂多層デバイスでは、３層以上の配線層でフィルタを構成することも可能である。また、キャパシタ電極間の誘電体は、比誘電率Ｅｒのものだけでなく、比誘電率Ｅｒでない（特に比誘電率Ｅｒよりも大きい）ものを用いることも可能である。さらに、本発明の樹脂多層デバイスでは、フィルタは、ＬＰＦ、あるいはＬＰＦとＨＰＦの組合せによるＢＰＦに限らず、任意の形式のバンドパスフィルタ、例えば、チェビシェフ型、楕円関数型、バターワース型等のバンドパスフィルタを形成することが可能である。
【０１５１】
＜実施の形態５＞
図１８は本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。図１８において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。
この実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａは、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、ボンディングワイヤ１６０とを備えて構成されたＷＬＰである。
なお、実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成例として、図３２に示す構成も挙げられる。図３２において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。
【０１５２】
［基板１０］
基板１０は、例えば、シリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、あるいはＧａＡｓ等の絶縁性基板である。
【０１５３】
［多層樹脂体２０］
第１樹脂層２２と、第２樹脂層２４と、第３樹脂層２６とは、多層樹脂体２０を構成している。第１樹脂層２２は、基板１０上に形成されている。この第１樹脂層２２としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【０１５４】
また、第２樹脂層２４は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。この第２樹脂層２４としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【０１５５】
また、第３樹脂層２６は、不平衡信号伝送路５０の２つの不平衡信号伝送路部５０ｃ（第１不平衡信号伝送路部）および５０ｄ（第２不平衡信号伝送路部）を含む第２導電パターン群１５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。この第３樹脂層２６としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【０１５６】
これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、および第３樹脂層２６は、同じ材料を用いて同じ手法で形成する等により、同じ比誘電率を有することが望ましい。
【０１５７】
樹脂多層デバイス１００Ａには、積層型のバラン１１０Ａと、積層型のフィルタ１２０Ａとを一体化したバランスフィルタが作り込まれている。
【０１５８】
［バラン１１０Ａ］
バラン１１０Ａは、第１樹脂層２２と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、第２樹脂層２４と、不平衡信号伝送路５０と、第３樹脂層２６とによって構成されている。また、バラン１１０Ａは、内周に第１スペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置された第１バラン部１１０ａと、内周に第２スペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置された第２バラン部１１０ｂとを備えて構成されている。第１バラン部１１０ａは、第１平衡信号伝送路３０と、これに対向する第１不平衡信号伝送路部５０ｃとを有する。第２バラン部１１０ｂは、第２平衡信号伝送路３５と、これに対向する第２不平衡信号伝送路部５０ｄとを有する。
【０１５９】
図１９はバラン１１０Ａの構成を説明する上面図である。図１９において、図２と同様のものには同じ符号を付してある。
また、図２０は図１９においてのＡ−Ａ間の断面図、図２１は図１９においてのＢ−Ｂ間の断面図である。ただし、図１９〜図２１では、バラン１１０Ａを判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【０１６０】
上述のバラン１１０Ａの構成を示す図１９は、図３３に示す上面図としてもよい。図３３において、図１９と同様のものには同じ符号を付してある。また、図３４は図３３においてのＰ−Ｐ間の断面図であり、図３３においてのＢ−Ｂ間の断面図は図１９である。図３３においても、バラン１１０Ａを判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【０１６１】
［第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５］
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターン（第１導電パターン群１３０に属するあるいは第１導電パターン群１３０を構成する導電パターン）として、電気的に互いに独立して第１樹脂層２２上に形成されている。第１平衡信号伝送路３０は、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。同様に、第２平衡信号伝送路３５も、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。
【０１６２】
平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０の外周端（一端）３０ａと、同様に平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５の外周端（一端）３５ａとは、間隔ｇをもって配置されている。これらの第１平衡信号伝送路３０の一端３０ａおよび第２平衡信号伝送路３５の一端３５ａは、それぞれ平衡信号（差動信号）が入出力される信号端である。また、第１平衡信号伝送路３０の内周端（他端）３０ｂおよび第２平衡信号伝送路３５の内周端（他端）３５ｂは、それぞれ接地端になっている。
【０１６３】
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンとして、同じ金属材料によって同時に形成され、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。また、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２とは、同じ長さ（Ｌ１＝Ｌ２）となるように形成されることが望ましい。また、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５とは、同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されることが望ましい。なお、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の下面と基板１０上面との間隔（第１樹脂層２２の層厚）はｈ１である（図２０参照）。
【０１６４】
［不平衡信号伝送路５０］
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、第２樹脂層２４上に形成されている。この不平衡信号伝送路５０は、その下面が第１平衡信号伝送路３０の上面に対向するように設けられて内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと、その下面が第２平衡信号伝送路３５の上面に対向するように設けられて内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄとの外周端同士を一体に接続（電気的に接続）した１本の伝送路である。
【０１６５】
不平衡信号伝送路５０の一端（第２不平衡信号伝送路部５０ｄの内周端）５０ａは不平衡信号が出入力される信号端になっており、不平衡信号伝送路５０の他端（第１不平衡信号伝送路部５０ｃの内周端）５０ｂは開放端になっている。
【０１６６】
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。この不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ形成手法によって同じ金属材料で形成されていることが望ましい。
【０１６７】
不平衡信号伝送路５０は、その長さＬが、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と、第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２と、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａと第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａの間隔ｇとの合計の長さと同じになるように形成されていることが望ましい。また、不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されていることが望ましい。
【０１６８】
なお、第２樹脂層２４を介して対向配置された不平衡信号伝送路５０下面と、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面との間隔はｄである。また、不平衡信号伝送路５０上面から第３樹脂層６０上面までの間隔はｈ２である（図２０参照）。
【０１６９】
［バランスフィルタの動作］
図２２はバラン１１０Ａの動作を説明する模式回路図である。図２２において、ＳＤ１は、平衡信号（差動信号）の内、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに入力される（または信号端３０ａから出力される）信号、ＳＤ２は、上記平衡信号の内、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに入力される（または信号端３５ａから出力される）信号、ＳＳは、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａからフィルタ１２０Ａを介して出力される（またはフィルタ１２０Ａを介して信号端５０ａに入力される）不平衡信号（単一信号）をそれぞれ表している。
【０１７０】
また、図２２において、ＺＤ１は第１平衡信号伝送路３０の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＤ２は第２平衡信号伝送路３５の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＳは不平衡伝送路５０の出力インピーダンス（または入力インピーダンス）をそれぞれ表している。
【０１７１】
バラン１１０Ａは、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０とを、第２樹脂層２４（図１８等参照）を介して近接配置することにより、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０との間に電磁結合を生じる回路である。
【０１７２】
このバラン１１０Ａにおいて、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａに平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２を入力すると、これらの平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２は不平衡信号に変換され、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａから出力される。この不平衡信号は、フィルタ１２０Ａに入力され、高調波成分の除去等のフィルタ処理をされた不平衡信号ＳＳが、フィルタ１２０Ａから出力される。
【０１７３】
また、これとは逆に、バラン１１０Ａにおいて、フィルタ１２０Ａを介して不平衡信号ＳＳを不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに入力すると、この不平衡信号は平衡信号に変換され、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａから平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２が出力される。
【０１７４】
ここで、伝送する信号（変換する信号）の波長をλとすると、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１および第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２がそれぞれλ／４となり、不平衡信号伝送路５０の内の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと第２不平衡信号伝送路部５０ｄの合計の伝送路長（＝Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌ−ｇ）がλ／２となるように、それぞれの伝送路を設けることが望ましい。
【０１７５】
さらに、バラン１１０Ａは、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換については、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ、および平衡信号側のインピーダンスＺＤ１，ＺＤ２が設計仕様のインピーダンス値であることが要求される。例えば、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ＝５０Ω、平衡信号側のインピーダンスＺＤ１＋ＺＤ２＝１００，１５０，２００Ωである。
【０１７６】
このようなバランスフィルタは、アンテナで受信した高周波不平衡信号を復調するために平衡信号に変換する必要があり、逆に変調された高周波平衡信号をアンテナから送信するために不平衡信号に変換する必要がある無線通信機器では、不可欠な回路である。
【０１７７】
無線通信機器においては、高周波信号処理ＩＣの入出力インピーダンスとアンテナの出入力インピーダンスとは必ずしも整合していない。このため、両者のインピーダンスを整合させるためにも、インピーダンス変換機能を有するバランスフィルタは不可欠である。上記両者の間にバランスフィルタを挿入しないと、あるいは挿入してもバランスフィルタのインピーダンスが設計値からずれていると、別のインピーダンス変換器が必要になる。
【０１７８】
無線通信機器の信号送信部においては、高周波信号処理ＩＣから出力された送信平衡信号（送信差動信号）は、バランに入力されて不平衡信号に変換される。この送信不平衡信号は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）またはバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）において高調波成分を除去され、電力増幅器（ＰＡ）において増幅され、アンテナスイッチ（ＴＤＤ方式の場合）を通ってアンテナから送信される。電力増幅器は差動化が進んでおらず不平衡信号によって動作しているため、平衡信号によって動作している高周波信号処理ＩＣとの間に、バランとＬＰＦまたはＢＰＦを一体化したバランスフィルタが必要になる。
【０１７９】
この実施の形態５のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号送信部に適用する場合には、バラン１１０Ａの第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号入力側になり、フィルタ１２０Ａが信号出力側になる。従って、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの送信信号出力端子にそれぞれ接続し、フィルタ１２０Ａの出力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記電力増幅器の入力端子に接続することになる。
【０１８０】
また、無線通信機器の信号受信部においては、アンテナで受信された受信不平衡信号は、アンテナスイッチを通って低雑音増幅器（ＬＮＡ）において増幅され、ＢＰＦにおいて所望の周波数帯域成分が選択されたあと、バランに入力されて平衡信号に変換される。そして、この受信平衡信号が高周波信号処理ＩＣに入力される。高周波信号処理ＩＣは、平衡信号によって動作しているため、不平衡信号を出力する低雑音増幅器との間に、ＢＰＦとバランを一体化したバランスフィルタが必要になる。
【０１８１】
この実施の形態５のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号受信部に適用する場合には、上記信号送信部に適用する場合とは逆に、フィルタ１２０Ａが信号入力側、バラン１１０Ａの第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号出力側になる。従って、フィルタ１２０Ａの入力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記低雑音増幅器の出力端子に接続し、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの受信信号入力端子にそれぞれ接続することになる。なお、この実施の形態５のフィルタ１２０ＡはＬＰＦとして構成されているため、上記信号受信部に適用する場合には、フィルタ１２０ＡをＢＰＦとして構成する必要がある。
【０１８２】
［フィルタ１２０Ａ］
図２３はフィルタ１２０Ａの構成を説明する上面図である。図２３において、図８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図２４は図２３においてのＤ−Ｄ間の断面図、図２５は図２３においてのＥ−Ｅ間の断面図である。さらに、図２６はフィルタ１２０Ａの回路構成図である。
【０１８３】
フィルタ１２０Ａは、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４と、インダクタＬ１１，Ｌ１２によって構成されている。また、フィルタ１２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部１２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部１２０ｂとを有する。第１フィルタ部１２０ａの一端は不平衡信号端子部９０に接続され、他端は第１フィルタ端子部８０に接続されている。第２フィルタ部１２０ｂの一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続され、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
【０１８４】
第１フィルタ部１２０ａには、キャパシタＣ１３，Ｃ１４、およびインダクタＬ１２が配置されており、第２フィルタ部１２０ｂには、キャパシタＣ１１，Ｃ１２、およびインダクタＬ１１が配置されている。
【０１８５】
キャパシタＣ１１の一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されており、他端は接地されている（第２接地端子部７５に接続されている）。インダクタＬ１１の一端は信号端５０ａに接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ１２の一端は第２フィルタ端子８５に接続されており、他端は接地されている（第２接地端子部７５に接続されている）。
【０１８６】
また、キャパシタＣ１３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている（第１接地端子部７０に接続されている）。インダクタＬ１２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ１４の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている（第１接地端子部７０に接続されている）。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【０１８７】
図２３では、第１導電パターン群１３０の配線パターンを２通りの場合で併記している。図２３に示す構成においては、配線パターン１８０及び１８２、又は配線パターン１８１及び１８３のいずれか一方が備えられていればよい。また、これらの配線パターン上に示した「Ｘ１」又は「Ｘ２」の位置に、第１接地端子部７０又は第２接地端子部と同様な接地端子部（図示略）を設けてもよい。
【０１８８】
さらに、図２３では、第２接地端子部７５にキャパシタＣ１１及び１２が接続されているが、キャパシタＣ１１及び１２はそれぞれ第２接地端子部７５及び「Ｘ２」の位置に設けられた接地端子部（図示略）に独立して接続される構成であってもよい。このとき、キャパシタＣ１１とＣ１２とは、第１導電パターン群１３０の配線パターン１８０（又は１８１）を介して互いに接続されている必要はない。
【０１８９】
同様に、図２３では、第１接地端子部７０にキャパシタＣ１３及び１４が接続されているが、キャパシタＣ１３及び１４はそれぞれ第１接地端子部７０及び「Ｘ１」の位置に設けられた接地端子部（図示略）に独立して接続される構成であってもよい。このとき、キャパシタＣ１３とＣ１４とは、第１導電パターン群１３０の配線パターン１８２（又は１８３）を介して互いに接続されている必要はない。
【０１９０】
以下に、キャパシタＣ１１〜１４及びインダクタＬ１１〜１２の構成をさらに詳細に説明する。
キャパシタＣ１１は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３１と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５１とを有する。下部電極１３１は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７に接続されている。また、上部電極１５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。
【０１９１】
インダクタＬ１１は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５２と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３２とを有する。コイルパターン１５２の内周端は、アンダーパスパターン１３２および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。また、コイルパターン１５２の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。
【０１９２】
キャパシタＣ１２は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３３と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５３とを有する。下部電極１３３は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７に接続されている。また、上部電極１５３は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。
【０１９３】
キャパシタＣ１３は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３６と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５６とを有する。下部電極１３６は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２に接続されている。また、上部電極１５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。
【０１９４】
インダクタＬ１２は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５７と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３７とを有する。コイルパターン１５７の内周端は、アンダーパスパターン１３７および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。また、コイルパターン１５７の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。
【０１９５】
キャパシタＣ１４は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３８と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５８とを有する。下部電極１３８は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２に接続されている。また、上部電極１５８は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。
【０１９６】
また、図２３に示す構成に代えて図３７に示す構成としてもよい。図３７において、図２３と同様のものには同じ符号を付してある。図３８は図３７においてのＱ−Ｑ間の断面図である。
図３７の構成は、キャパシタＣ１１の上部電極１５１、キャパシタＣ１２の上部電極１５３、キャパシタＣ１３の上部電極１５６、及びキャパシタＣ１４の上部電極１５８に、それぞれ開口部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、及び２７ｄを設けて、これらの開口部をそれぞれ接地電極パッド５８ａ、５８ｂ、５８ｃ、及び５８ｄとする構成である。この構成であることにより、第１接地端子部７０及び第２接地端子部７５（接地電極パッド５７及び５２）を設ける必要がなくなる。
【０１９７】
このように、フィルタ１２０Ａでは、キャパシタとインダクタとを、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、対称に配置した構成としている。フィルタ１２０Ａは、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ１２とＣ１３とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部１２０ａと、第２フィルタ部１２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。
【０１９８】
特に、インダクタを第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があるが、一般に、インダクタのＱ値は、コイルパターンの内径対外径比が大きいほど高くできる。このため、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ１２０Ａは、２つのインダクタＬ１１，Ｌ１２を有するので、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、つまり第１スペースＥ１と第２スペースＥ２に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。
【０１９９】
この実施の形態５では、基板１０上に、ＷＬＣＳＰ技術によって、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層して、バランスフィルタを形成することにより、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の伝送路を形成することができるとともに、銅めっき等による高いＱ値のインダクタを形成することができる。
【０２００】
［第１平衡信号端子部６０、第２平衡信号端子部６５］
第１平衡信号端子部６０は、第３樹脂層２６の開口部２６ａ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５１を設けたものである。平衡信号電極パッド５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに接続されている。
【０２０１】
同様に、第２平衡信号端子部６５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｃ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５６を設けたものである。平衡信号電極パッド５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに接続されている。
【０２０２】
［第１接地端子部７０、第２接地端子部７５］
第１接地端子部７０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｂ内に、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２を設けたものである。接地電極パッド５２は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂ、およびキャパシタＣ１３の下部電極１３６、キャパシタＣ１４の下部電極１３８に接続されている。
【０２０３】
同様に、第２接地端子部７５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｄ内に、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７を設けたものである。接地電極パッド５７は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂ、およびキャパシタＣ１１の下部電極１３１、キャパシタＣ１２の下部電極１３３に接続されている。
【０２０４】
［第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５］
第１フィルタ端子部８０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｇ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５を設けたものである。フィルタ電極パッド１５５は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１３の上部電極１５６およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。また、第２フィルタ端子部８５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｆ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４を設けたものである。フィルタ電極パッド１５４は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１２の上部電極１５３およびインダクタＬ１１のコイルパターン１５２に接続されている。そして、フィルタ電極パッド１５４と１５５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【０２０５】
これらの第１フィルタ端子部８０と、第２フィルタ端子部８５とは、第１フィルタ部１２０ａのキャパシタＣ１３の上部電極１５６と、第２フィルタ部１２０ｂのキャパシタＣ１２の上部電極１５３とを、ボンディングワイヤ１６０によって接続して、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるフィルタ１２０Ａを完成させるためのものである。
【０２０６】
このように、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。
【０２０７】
なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。
【０２０８】
［不平衡信号端子部９０］
不平衡信号端子部９０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｅ内に、第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９を設けたものである。不平衡信号電極パッド５９は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、フィルタ部１２０ＡのキャパシタＣ１４の上部電極１５８およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。
【０２０９】
この実施の形態５では、第１フィルタ部１２０ａ、ならびに第１接地端子部７０、第１フィルタ端子部８０、および不平衡信号端子部９０は、第１バラン部１１０ａの内周に確保された第１スペースＥ１内に配置されている。また、第２フィルタ部１２０ｂ、ならびに第２接地端子部７５および第２フィルタ部８５は、第２バラン部１１０ｂの内周に確保された第２スペースＥ２内に配置されている。なお、第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５は、これらの第１スペースＥ１および第２スペースＥ２の外側に配置されている。従って、この実施の形態５では、ほぼ２つの平面スパイラル型伝送路が占有する面積に、２層の導電層構造でバランスフィルタを作製することができる。
【０２１０】
なお、樹脂多層デバイス１００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、平衡信号電極パッド５１，５６上、接地電極パッド５２，５７上、不平衡信号電極パッド５９上、およびフィルタ電極パッド１５４，１５５上にそれぞれ、はんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０２１１】
［製造手順］
図１８〜図２６を参照して、樹脂多層デバイス１００Ａの製造手順を以下に説明する。以下の説明において、基板１０は、シリコン（Ｓｉ）ウェハであるものとする。樹脂多層デバイス１００Ａは、ＷＬＰであるから、シリコンウェハ上に樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってバランスフィルタを作り込み、そのあとにチップにダイシングするＷＬＣＳＰ技術によって製造される。
【０２１２】
まず、シリコンウェハである基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によってウェハ基板１０上にコーティングし、厚さ寸法ｈ１の感光性樹脂層を形成する。
【０２１３】
次に、第１樹脂層２２上に、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の下部電極１３１，１３３，１３６，１３８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のアンダーパスパターン１３２，１３７等を含む第１導電パターン群１３０を設ける。
【０２１４】
第１導電パターン群１３０としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１の第１平衡信号伝送路３０、および幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２（＝Ｌ１）の第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０を形成する。なお、キャパシタの（下部）電極は、スパッタでも良い。
【０２１５】
次に、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、上記第１導電パターン群１３０の導電パターンを第２導電パターン群１５０の導電パターンにコンタクトさせるための開口部を設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面からの厚さ寸法ｄの感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって上記開口部を設ける。
【０２１６】
次に、第２樹脂層２４上に、不平衡信号伝送路５０、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の上部電極１５１，１５３，１５６，１５８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のコイルパターン１５２，１５７、平衡信号電極パッド５１，５６、接地電極パッド５２，５７、不平衡信号電極パッド５９、フィルタ電極パッド１５４，１５５等を含む第２導電パターン群１５０を設ける。
【０２１７】
平衡信号電極パッド５１は、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａを第１平衡信号端子部６０に導くための電極パッドである。接地電極パッド５２は、第１平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂを第１接地端子部７０に導くための電極パッドである。平衡信号電極パッド５６は、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａを第２平衡信号端子部６５に導くための電極パッドである。接地電極パッド５７は、第２平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂを第２接地端子部７５に導くための電極パッドである。フィルタ電極パッド１５４は、第２フィルタ部１２０ｂの他端を第２フィルタ端子部８５に導く電極パッドである。フィルタ電極パッド１５５は、第１フィルタ部１２０ａの他端を第１フィルタ端子部８０に導くための電極パッドである。そして、不平衡信号電極パッド５９は、フィルタ１２０Ａの信号出入力端（第１フィルタ部１２０ａの一端）を不平衡信号端子部９０に導くための電極パッドである。
【０２１８】
第２導電パターン群１５０としては、第１導電パターン群１３０と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ、厚さ寸法Ｔ、長さ寸法Ｌの不平衡信号伝送路５０を含む第２導電パターン群１５０を形成する。なお、キャパシタの（上部）電極は、スパッタでも良い。
【０２１９】
次に、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９，１５４，１５５をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、不平衡信号伝送路５０上面からの厚さ寸法ｈ２の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを形成する。
【０２２０】
以上の手順を完了したあと、シリコンウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス１００Ａを得る。
【０２２１】
以上のように実施の形態５によれば、基板上に、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２２２】
さらに、この実施の形態５では、バラン１１０Ａの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペースＥ１，Ｅ２内にフィルタ１２０Ａを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２２３】
＜実施の形態６＞
図２７は本発明の実施の形態６の樹脂多層デバイスにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図２７において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。
【０２２４】
この実施の形態６の樹脂多層デバイスは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を、図２７のフィルタ２２０Ａとしたものである。
【０２２５】
［フィルタ２２０Ａ］
フィルタ２２０Ａは、５次の楕円関数型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６と、インダクタＬ２１，Ｌ２２によって構成されている。また、フィルタ２２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部２２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部２２０ｂとを有する。
【０２２６】
第１フィルタ部２２０ａには、キャパシタＣ２４，Ｃ２５，Ｃ２６、およびインダクタＬ２２が配置されており、第２フィルタ部２２０ｂには、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３、およびインダクタＬ２１が配置されている。
【０２２７】
キャパシタＣ２１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２１とキャパシタＣ２２は並列接続されており、この並列回路の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ２３の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。
【０２２８】
また、キャパシタＣ２４の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２２とキャパシタＣ２５は並列接続されており、この並列回路の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ２６の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【０２２９】
キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０２３０】
また、インダクタＬ２１，Ｌ２２も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０２３１】
この実施の形態６のフィルタ２２０Ａでは、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａ（図２３〜図２６参照）と同様に、第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂとに、キャパシタとインダクタとを対称に配置した構成としている。フィルタ２２０Ａは、５次の楕円関数型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ２３とＣ２４とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。
【０２３２】
特に、インダクタを第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があり、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ２２０Ａは、２つのインダクタＬ２１，Ｌ２２を有するので、第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、つまり第１スペースＥ１と第２スペースＥ２に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。
【０２３３】
また、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。
【０２３４】
なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。
【０２３５】
また、この実施の形態６の樹脂多層デバイスを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０２３６】
この実施の形態６の樹脂多層デバイスの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。
【０２３７】
以上のように実施の形態６によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２３８】
＜実施の形態７＞
図２８は本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図２８において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図２９は実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図２９において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。
また、実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成例として、図３５に示す構成も挙げられる。図３５において、図２８と同様のものには同じ符号を付してある。
【０２３９】
この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａは、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、フィルタ部接続導電パターン１７０とを備えて構成されたＷＬＰである。
【０２４０】
つまり、実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、第３樹脂層２６上に、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続するフィルタ部接続導電パターン１７０を設けるとともに、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を、図２８のフィルタ３２０Ａとしたものである。このフィルタ部接続導電パターン１７０としては、例えば第１導電パターン群１３０および第２導電パターン群１５０と同じ導電性材料を使用することができる。なお、フィルタ部接続導電パターン１７０上には、さらに樹脂層を形成することが望ましい。
【０２４１】
［フィルタ３２０Ａ］
フィルタ３２０Ａは、ＢＰＦであり、積層型のキャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３と、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３によって構成されている。また、フィルタ３２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部３２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部３２０ｂとを有する。
【０２４２】
第１フィルタ部３２０ａには、キャパシタＣ３３、およびインダクタＬ３２，Ｌ３３が配置されている。この第１フィルタ部３２０ａは、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を構成している。また、第２フィルタ部３２０ｂには、キャパシタＣ３１，Ｃ３２、およびインダクタＬ３１が配置されている。この第２フィルタ部３２０ｂは、ＬＰＦを構成している。
そして、第１フィルタ部３２０ａのＨＰＦと、第２フィルタ部３２０ｂのＬＰＦとを直列接続することにより、ＢＰＦが構成されている。
【０２４３】
キャパシタＣ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ３２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。
【０２４４】
また、インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。キャパシタＣ３３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。そして、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、フィルタ部接続導電パターン１７０によって接続されている。
【０２４５】
キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０２４６】
また、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０２４７】
なお、この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａにおいても、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８または図２６等参照）のように、ボンディングワイヤ１６０によって、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。
【０２４８】
また、この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、フィルタ部接続導電パターン１７０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０２４９】
この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。
【０２５０】
以上のように実施の形態７によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２５１】
＜実施の形態８＞
図３０は本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図３０において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図３１は実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図３１において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。
また、実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成例として、図３６に示す構成も挙げられる。図３６において、図３０と同様のものには同じ符号を付してある。
【０２５２】
この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を図３１のフィルタ４２０Ａとし、不平衡信号端子部９０を第１スペースＥ１内ではなく第２スペースＥ２内に設けるとともに、第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設けない構成としたものである。
【０２５３】
つまり、この実施の形態８では、第１スペースＥ１にフィルタが設けられておらず、これにより第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａよりも簡単な構成とすることができる。
【０２５４】
［フィルタ４２０Ａ］
フィルタ４２０Ａは、ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ４１，Ｃ４２と、インダクタＬ４１によって構成されている。また、フィルタ４２０Ａは、第２スペースＥ２内に設けられており、第１スペースＥ１内には設けられていない。
【０２５５】
キャパシタＣ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２スペースＥ２内に設けられた不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ４２の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。
【０２５６】
キャパシタＣ４１，Ｃ４２は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０２５７】
また、インダクタＬ４１も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０２５８】
なお、この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、それぞれの端子部の電極パッド上にはんだバンプを設ける。この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。
【０２５９】
以上のように実施の形態８によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２６０】
さらに、フィルタ４２０Ａを第２スペースＥ２にのみ設け、第１スペースＥ１には設けない構成としたことにより、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａに設けられていた第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施の形態５よりもさらに簡単な構成にすることができる。
【０２６１】
なお、上記実施の形態の説明では、２層配線構造の積層フィルタ（特にキャパシタ）を例として説明したが、本発明の樹脂多層デバイスでは、３層以上の配線層でフィルタを構成することも可能である。また、キャパシタ電極間の誘電体は、比誘電率Ｅｒのものだけでなく、比誘電率Ｅｒでない（特に比誘電率Ｅｒよりも大きい）ものを用いることも可能である。さらに、本発明の樹脂多層デバイスでは、フィルタは、ＬＰＦ、あるいはＬＰＦとＨＰＦの組合せによるＢＰＦに限らず、任意の形式のバンドパスフィルタ、例えば、チェビシェフ型、楕円関数型、バターワース型等のバンドパスフィルタを形成することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０２６２】
本発明は、あらゆる高周波回路に利用可能であり、特に、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）等の無線通信機器を構成する回路に利用可能である。
【符号の説明】
【０２６３】
１０ 基板、 ２０ 多層樹脂体、 ２２ 第１樹脂層、 ２４ 第２樹脂層、 ２６ 第３樹脂層、 ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ 開口部、 ２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ 開口部、 ３０ 第１平衡信号伝送路、 ３０ａ 信号端、 ３０ｂ 接地端、 ３５ 第２平衡信号伝送路、 ３５ａ 信号端、 ３５ｂ 接地端、４０ ＧＮＤ層、 ５０ 不平衡信号伝送路、 ５０ａ 信号端、 ５０ｂ 開放端、 ５０ｃ 第１不平衡信号伝送路部、 ５０ｄ 第２不平衡信号伝送路部、 ５１ 平衡信号電極パッド、 ５２ 接地電極パッド、 ５６ 平衡信号電極パッド、 ５７ 接地電極パッド、５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄ 接地電極パッド、 ５９ 不平衡信号電極パッド、 ６０，６５ 平衡信号端子部、 ７０，７５ 接地端子部、 ７０ｘ，７０ｙ，７０ｚ，７３ｘ，７３ｙ，７５ｘ，７５ｙ，７５ｚ 接地部、８０，８５ フィルタ端子部、 ９０ 不平衡信号端子部、 １００，１００Ａ 樹脂多層デバイス、 １１０，１１０Ａ バラン、 １１０ａ 第１バラン部、 １１０ｂ 第２バラン部、 １２０，１２０Ａ フィルタ、 １２０ａ 第１フィルタ部、 １２０ｂ 第２フィルタ部、 １３０ 第１導電パターン群、 １３１ 下部電極、 １３２ アンダーパスパターン、 １３３ 下部電極、 １３６ 下部電極、 １３７ アンダーパスパターン、 １３８ 下部電極、 １５０ 第２導電パターン群、 １５１ 上部電極、 １５２ コイルパターン、 １５３ 上部電極、 １５４，１５５ フィルタ電極パッド、 １５６ 上部電極、 １５７ コイルパターン、 １５８ 上部電極、 １６０ ボンディングワイヤ、 １７０ フィルタ部接続導電パターン、１８０，１８１，１８２，１８３ 配線パターン、 ２２０，２２０Ａ フィルタ、 ２２０ａ 第１フィルタ部、 ２２０ｂ 第２フィルタ部、 ３００，３００Ａ 樹脂多層デバイス、 ３２０，３２０Ａ フィルタ、 ３２０ａ 第１フィルタ部、 ３２０ｂ 第２フィルタ部、 ４００，４００Ａ 樹脂多層デバイス、 ４２０，４２０Ａ フィルタ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線通信機器等の高周波回路に用いられるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスに関し、特に、ウェハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ：Wafer Level Chip Size/Scale Package）技術により形成された積層型のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機器では、高周波信号処理ＩＣから出力された平衡信号（差動信号）を、バランにおいて不平衡信号（単一信号）に変換し、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）またはローパスフィルタ（ＬＰＦ）で不要信号を除去して、アンテナから送信する。また、アンテナで受信された不平衡信号を、ＢＰＦに通して周波数帯域を選択し、バランにおいて平衡信号に変換して、高周波信号処理ＩＣに入力する（例えば特許文献１，２参照）。
【０００３】
このように、無線通信回路では、バランとフィルタとがセットで、高周波信号処理ＩＣとアンテナの間に設けられるため、バランとフィルタとを一体化した様々なバランスフィルタが開発されている（例えば特許文献１〜３参照）。
【０００４】
積層型のバランスフィルタは、積層型バランと、積層型フィルタとによって構成されている。積層型バランは、不平衡信号伝送路と、２つの平衡信号伝送路とが、誘電体層を介して積層配置された構成になっている。積層型バランの製造技術としては、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）技術をベースとしたもの（例えば特許文献４参照）、多層プリント基板製造技術をベースとしたもの（例えば特許文献５参照）、半導体加工技術をベースとしたもの（例えば、特許文献６、非特許文献１参照）、誘電体層として樹脂層を用いたもの（例えば特許文献３，７参照）がある。なお、積層型フィルタの製造技術は、積層型バランと同様である。
【０００５】
バランは、不平衡信号出入力側のインピーダンス、および平衡信号入出力側のインピーダンスが設計仕様のインピーダンス値であることを要求される。これらのインピーダンス仕様を満たすためのパラメータは、伝送路の幅、伝送路の厚さ、伝送路間の絶縁層の厚さ（伝送路間の距離）および誘電率、下側伝送路の下層の絶縁層の厚さおよび誘電率、ならびに上側伝送路の上層の絶縁層の厚さおよび誘電率である（例えば特許文献５参照）。
【０００６】
一方、近年、ＷＬＣＳＰという技術が提案されている（例えば特許文献８参照）。ＷＬＣＳＰは、ウェハ上に、樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによって樹脂多層デバイスを作り込み、そのあとにチップにダイシングする技術である。つまり、ウェハのまま、パッケージングまでする製法である。なお、ＷＬＣＳＰ技術によって製造されたパッケージを、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer LevelPackage）とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２６０９０３号公報
【特許文献２】特開２００５−２４４８４８号公報
【特許文献３】特開２００５−１９８２４１号公報
【特許文献４】特開２００２−０５０９１０号公報
【特許文献５】特開２００６−１２１３１３号公報
【特許文献６】特開２００４−１７２２８４号公報
【特許文献７】特開２００５−１３０３７６号公報
【特許文献８】特開２００７−２８１２３０号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Yeong J.Yoon，「Design and characterization of Multilayer Spiral Transmission-Line Baluns」,IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES,VOL.47,No.9,SEPTEMBER,1999
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記ＬＴＣＣ技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、ＧＮＤ層（接地層）や信号入力のためのレイヤ等、多数のレイヤを必要とするため、構成および製造手順が複雑になるという課題があった。さらに、バランの下側伝送路と上側伝送路の位置合せ精度が悪く、インピーダンスが設計値からずれるという課題があった。
【００１０】
また、上記多層プリント基板製造技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、プリント基板に伝送路やキャパシタ、インダクタを形成するため、微細加工ができず、サイズが大きくなるという課題があった。また、高精度な加工ができないため、バランの下側伝送路と上側伝送路の位置合せ精度が悪く、伝送路のインピーダンスが設計値からずれるという課題があった。
【００１１】
また、上記半導体加工技術をベースとして製造されたバランスフィルタでは、微細加工および高精度な加工は可能であるが、バランの伝送路やフィルタのインダクタを、抵抗値の大きなアルミパターンで形成すること、およびシリコン基板からの影響を受けることにより、バランの挿入損失が大きくなるとともに、Ｑ値の高いインダクタを得ることができないので、フィルタの周波数特性が悪いという課題があった。
【００１２】
さらに、上記ＷＬＣＳＰ製造技術による場合には、上記ＬＴＣＣ技術による場合よりも誘電体層の比誘電率が低くなるので、バランの伝送路を長くする必要があり、このバランとフィルタとを単に配置した場合には、大きな面積が必要になるという課題があった。
【００１３】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび優れた周波数特性のフィルタを実現でき、かつ簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１に記載の樹脂多層デバイスは、バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、基板と、前記基板上に形成されたＧＮＤ層と、前記基板又は前記ＧＮＤ層上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていて、前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域を除いた領域に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項２に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１において、前記第１スペース及び前記第２スペースにおいて、前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配された距離をＡ、前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項３に記載の樹脂多層デバイスは、バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項４に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、ボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項５に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、前記第３樹脂層上に設けられた導電パターンによって接続されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項６に記載の樹脂多層デバイスは、請求項４または５において、前記フィルタは、複数のインダクタと複数のキャパシタとによって構成されており、前記インダクタおよび前記キャパシタが、前記第１フィルタ部と前記第２フィルタ部とに、対称となるように振り分けられて配置されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項７に記載の樹脂多層デバイスは、請求項４または５において、前記フィルタはバンドパスフィルタであり、前記第１フィルタ部はハイパスフィルタであり、前記第２フィルタ部はローパスフィルタであることを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項８に記載の樹脂多層デバイスは、請求項１〜３のいずれか一項において、それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、をさらに備え、前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板上に、ＧＮＤ層、第１樹脂層、第１導電パターン群、第２樹脂層、第２導電パターン群、第３樹脂層を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、バランの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペース内にフィルタを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル伝送路が占有する面積に積層型のフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるという効果がある。さらに、前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域以外の領域に形成されているので、前記フィルタを構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【００２３】
ここで、前記スペースにおいて、前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配されており、その延伸された距離をＡ、前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上であると、前記ＧＮＤ層と前記第１導電パターン群との間の電気力線、及び前記ＧＮＤ層と前記第２導電パターン群との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【００２４】
また、本発明によれば、基板上に、第１樹脂層、第１導電パターン群、第２樹脂層、第２導電パターン群、第３樹脂層を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、バランの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペース内にフィルタを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル伝送路が占有する面積に積層型のバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるＧＮＤ層の配置の一例を説明する上面図である。
【図３】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるバランの構成を説明する上面図である。
【図４】図３においてのＧ−Ｇ間の断面図である。
【図５】図３においてのＨ−Ｈ間の断面図である。
【図６】図３においてのＩ−Ｉ間の断面図である。
【図７】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるバランの動作を説明する模式回路図である。
【図８】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの構成を説明する上面図である。
【図９】図８におけるＪ−Ｊ間の断面図である。
【図１０】図８におけるＫ−Ｋ間の断面図である。
【図１１】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの回路構成図である。
【図１２】本発明の実施形態２の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの回路構成図である。
【図１３】本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
【図１４】本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図１５】本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
【図１６】本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図１７】本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスにおけるフィルタの構成を説明する別の上面図である。
【図１８】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する斜視図である。
【図１９】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの構成の一例を説明する上面図である。
【図２０】図１９においてのＡ−Ａ間の断面図である。
【図２１】図１９においてのＢ−Ｂ間の断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの動作を説明する模式回路図である
【図２３】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの構成を説明する上面図である。
【図２４】図２３においてのＤ−Ｄ間の断面図である。
【図２５】図２３においてのＥ−Ｅ間の断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図２７】本発明の実施の形態６の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図２８】本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する上面図である。
【図２９】本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図３０】本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成の一例を説明する上面図である。
【図３１】本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの回路構成図である。
【図３２】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する斜視図である。
【図３３】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのバランの構成の別の例を説明する上面図である。
【図３４】図３３においてのＰ−Ｐ間の断面図である。
【図３５】本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する上面図である。
【図３６】本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成の別の例を説明する上面図である。
【図３７】本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスにおいてのフィルタの構成を説明する別の上面図である。
【図３８】図３７においてのＱ−Ｑ間の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。なお、以下の説明に用いる図面は、模式的なものであって、実際のインダクタ、キャパシタ等の占有面積は以下の図面とは異なる。
【００２７】
＜実施形態１＞
図１は、本発明の実施形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。この実施形態１の樹脂多層デバイス１００は、基板１０と、ＧＮＤ層４０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、６つの接地部（第１接地部７０ｘ、第３接地部７０ｙ、第５接地部７０ｚ；第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、ボンディングワイヤ１６０とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００２８】
［基板１０］
基板１０は、例えば、シリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、あるいはＧａＡｓ等の絶縁性基板である。
【００２９】
［ＧＮＤ層４０］
ＧＮＤ層４０は、前記基板１０上に形成された導電性金属からなる接地層（グランド層）である。該導電性金属としては、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミ（Ａｌ）等の金属を用いる。基板上にＧＮＤ層４０を設ける方法としては、めっき法、スパッタ法等が適用できる。
【００３０】
ＧＮＤ層４０は、後述のフィルタを構成するインダクタ及びキャパシタと重なる領域を除いた領域に形成されている。すなわち、図２において、基板１０を図面の上方から見たとき、前記インダクタ及びキャパシタと重なる基板１０の領域上には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。基板１０上において、ＧＮＤ層４０の形成されていない領域には、後述の第１樹脂層２２が形成されている。
【００３１】
［多層樹脂体２０］
第１樹脂層２２と、第２樹脂層２４と、第３樹脂層２６とは、多層樹脂体２０を構成している。第１樹脂層２２は、基板１０又はＧＮＤ層４０上に形成されている。すなわち、ＧＮＤ層４０上の他に、ＧＮＤ層４０の形成されていない基板１０の上にも第１樹脂層２２が形成されている。この第１樹脂層２２としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【００３２】
また、第２樹脂層２４は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。この第２樹脂層２４としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【００３３】
また、第３樹脂層２６は、不平衡信号伝送路５０の２つの不平衡信号伝送路部５０ｃ（第１不平衡信号伝送路部）および５０ｄ（第２不平衡信号伝送路部）を含む第２導電パターン群１５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。この第３樹脂層２６としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【００３４】
これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、および第３樹脂層２６は、同じ材料を用いて同じ手法で形成する等により、同じ比誘電率を有することが望ましい。
【００３５】
樹脂多層デバイス１００には、積層型のバラン１１０と、積層型のフィルタ１２０とを一体化したバランスフィルタが作り込まれている。
【００３６】
［バラン１１０］
バラン１１０は、第１樹脂層２２と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、第２樹脂層２４と、不平衡信号伝送路５０と、第３樹脂層２６とによって構成されている。また、バラン１１０は、内周に第１スペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置された第１バラン部１１０ａと、内周に第２スペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置された第２バラン部１１０ｂとを備えて構成されている。第１バラン部１１０ａは、第１平衡信号伝送路３０と、これに対向する第１不平衡信号伝送路部５０ｃとを有する。第２バラン部１１０ｂは、第２平衡信号伝送路３５と、これに対向する第２不平衡信号伝送路部５０ｄとを有する。
【００３７】
図２は、樹脂多層デバイス１００におけるＧＮＤ層４０の配置の一例を説明する上面図である。第１スペースＥ１において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａは、第１バラン部１１０ａの最内周の部位４４ａより内側に距離Ａで延伸して配されている。第２スペースＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂは、第２バラン部１１０ｂの最内周の部位４４ｂより内側に距離Ａｘで延伸して配されている。
【００３８】
また、図２において、樹脂多層デバイス１００の上面に対して垂直に見下ろしたとき、第１スペースＥ１におけるＧＮＤ層４０の形成されていない領域Ｅ３の形状は、第１スペースＥ１の形状と相似形であってもよく、相似形でなくてもよい。同様に、第２スペースＥ２におけるＧＮＤ層４０の形成されていない領域Ｅ４は、第２スペースＥ２と相似形であってもよく、相似形でなくてもよい。領域Ｅ３と領域Ｅ４は、バランスフィルタの動作を良好にする観点から、同一の形状であることが好ましい。なお、図２に示した領域Ｅ３及び領域Ｅ４の長方形の形状は一例であり、必ずしもこの形状である必要はない。
【００３９】
図３はバラン１１０の構成を説明する上面図である。また、図４は図３においてのＧ−Ｇ間の断面図、図５は図３においてのＨ−Ｈ間の断面図、図６は図３においてのＩ−Ｉ間の断面図である。ただし、図３〜図６では、バラン１１０を判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【００４０】
［第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５］
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターン（第１導電パターン群１３０に属するあるいは第１導電パターン群１３０を構成する導電パターン）として、電気的に互いに独立して第１樹脂層２２上に形成されている。第１平衡信号伝送路３０は、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。同様に、第２平衡信号伝送路３５も、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。
【００４１】
平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０の外周端（一端）３０ａと、同様に平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５の外周端（一端）３５ａとは、間隔ｇをもって配置されている。これらの第１平衡信号伝送路３０の一端３０ａおよび第２平衡信号伝送路３５の一端３５ａは、それぞれ平衡信号（差動信号）が入出力される信号端である。また、第１平衡信号伝送路３０の内周端（他端）３０ｂおよび第２平衡信号伝送路３５の内周端（他端）３５ｂは、それぞれ接地端になっている。
【００４２】
第１平衡信号伝送路３０の接地端は、内周端３０ｂから引き出された配線３２の端部においてビア３３を介してＧＮＤ層４０に電気的に接続された第１接地部７０ｘにつなげられている（図３，６参照）。また、第２平衡信号伝送路３５の接地端は、内周端３５ｂから引き出された配線３７の端部においてビア３８を介してＧＮＤ層４０に電気的に接続された第２接地部７５ｘにつなげられている（図３参照）。
【００４３】
ビア３３及びビア３８は、フォトリソグラフィ等によって第１樹脂層２２を貫通するように設けられたビア・ホールに金属材料が埋め込まれて、又はビア・ホールの内壁を沿うようにめっきして、形成されている。該金属材料は第１平衡信号伝送路３０及び第２平衡信号伝送路３５と同じ材料によって形成されることが望ましく、例えば銅めっき等のめっき金属が挙げられる。
【００４４】
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンとして、同じ金属材料によって同時に形成され、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。また、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２とは、同じ長さ（Ｌ１＝Ｌ２）となるように形成されることが望ましい。また、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５とは、同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されることが望ましい。なお、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の下面とＧＮＤ層４０上面との間隔（第１樹脂層２２の層厚）はｈ１ｘである（図４参照）。
【００４５】
［不平衡信号伝送路５０］
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、第２樹脂層２４上に形成されている。この不平衡信号伝送路５０は、その下面が第１平衡信号伝送路３０の上面に対向するように設けられて内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと、その下面が第２平衡信号伝送路３５の上面に対向するように設けられて内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄとの外周端同士を一体に接続（電気的に接続）した１本の伝送路である。
【００４６】
不平衡信号伝送路５０の一端（第２不平衡信号伝送路部５０ｄの内周端）５０ａは不平衡信号が出入力される信号端になっており、不平衡信号伝送路５０の他端（第１不平衡信号伝送路部５０ｃの内周端）５０ｂは開放端になっている。
【００４７】
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。この不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ形成手法によって同じ金属材料で形成されていることが望ましい。
【００４８】
不平衡信号伝送路５０は、その長さＬが、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と、第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２と、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａと第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａの間隔ｇとの合計の長さと同じになるように形成されていることが望ましい。また、不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されていることが望ましい。
【００４９】
なお、第２樹脂層２４を介して対向配置された不平衡信号伝送路５０下面と、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面との間隔はｄである。また、不平衡信号伝送路５０上面から第３樹脂層６０上面までの間隔はｈ２である（図４参照）。
【００５０】
［バランスフィルタの動作］
図７はバランスフィルタ１１０の動作を説明する模式回路図である。図７において、ＳＤ１は、平衡信号（差動信号）の内、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに入力される（または信号端３０ａから出力される）信号、ＳＤ２は、上記平衡信号の内、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに入力される（または信号端３５ａから出力される）信号、ＳＳは、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａからフィルタ１２０を介して出力される（またはフィルタ１２０を介して信号端５０ａに入力される）不平衡信号（単一信号）をそれぞれ表している。
【００５１】
また、図７において、ＺＤ１は第１平衡信号伝送路３０の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＤ２は第２平衡信号伝送路３５の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＳは不平衡伝送路５０の出力インピーダンス（または入力インピーダンス）をそれぞれ表している。
【００５２】
バラン１１０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０とを、第２樹脂層２４（図１等参照）を介して近接配置することにより、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０との間に電磁結合を生じる回路である。
【００５３】
このバラン１１０において、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａに平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２を入力すると、これらの平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２は不平衡信号に変換され、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａから出力される。この不平衡信号は、フィルタ１２０に入力され、高調波成分の除去等のフィルタ処理をされた不平衡信号ＳＳが、フィルタ１２０から出力される。
【００５４】
また、これとは逆に、バラン１１０において、フィルタ１２０を介して不平衡信号ＳＳを不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに入力すると、この不平衡信号は平衡信号に変換され、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａから平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２が出力される。
【００５５】
ここで、伝送する信号（変換する信号）の波長をλとすると、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１および第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２がそれぞれλ／４となり、不平衡信号伝送路５０の内の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと第２不平衡信号伝送路部５０ｄの合計の伝送路長（＝Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌ−ｇ）がλ／２となるように、それぞれの伝送路を設けることが望ましい。
【００５６】
また、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａが、第１バラン部１１０ａの最内周の部位４４ａより内側に延伸された距離は距離Ａ以上であることが好ましく、該距離Ａは、ＧＮＤ層４０の上面と第２導電パターン群１５０である不平衡信号伝送路５０の下面との距離Ｂの５倍（以上）である。ここで、該距離Ｂは、図４において、ｈ１ｘ＋Ｔ＋ｄで示される距離である。同様に、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂが、第２バラン部１１０ｂの最内周の部位４４ｂより内側に延伸された距離は距離Ａｘ以上であることが好ましく、該距離Ａｘは、前記距離Ｂの５倍（以上）である。
【００５７】
さらに、バラン１１０は、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換については、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ、および平衡信号側のインピーダンスＺＤ１，ＺＤ２が設計仕様のインピーダンス値であることが要求される。例えば、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ＝５０Ω、平衡信号側のインピーダンスＺＤ１＋ＺＤ２＝１００，１５０，２００Ωである。
【００５８】
このようなバランスフィルタは、アンテナで受信した高周波不平衡信号を復調するために平衡信号に変換する必要があり、逆に変調された高周波平衡信号をアンテナから送信するために不平衡信号に変換する必要がある無線通信機器では、不可欠な回路である。
【００５９】
無線通信機器においては、高周波信号処理ＩＣの入出力インピーダンスとアンテナの出入力インピーダンスとは必ずしも整合していない。このため、両者のインピーダンスを整合させるためにも、インピーダンス変換機能を有するバランスフィルタは不可欠である。上記両者の間にバランスフィルタを挿入しないと、あるいは挿入してもバランスフィルタのインピーダンスが設計値からずれていると、別のインピーダンス変換器が必要になる。
【００６０】
無線通信機器の信号送信部においては、高周波信号処理ＩＣから出力された送信平衡信号（送信差動信号）は、バランに入力されて不平衡信号に変換される。この送信不平衡信号は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）またはバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）において高調波成分を除去され、電力増幅器（ＰＡ）において増幅され、アンテナスイッチ（ＴＤＤ方式の場合）を通ってアンテナから送信される。電力増幅器は差動化が進んでおらず不平衡信号によって動作しているため、平衡信号によって動作している高周波信号処理ＩＣとの間に、バランとＬＰＦまたはＢＰＦを一体化したバランスフィルタが必要になる。
【００６１】
この実施形態１のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号送信部に適用する場合には、バラン１１０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号入力側になり、フィルタ１２０が信号出力側になる。従って、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの送信信号出力端子にそれぞれ接続し、フィルタ１２０の出力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記電力増幅器の入力端子に接続することになる。
【００６２】
また、無線通信機器の信号受信部においては、アンテナで受信された受信不平衡信号は、アンテナスイッチを通って低雑音増幅器（ＬＮＡ）において増幅され、ＢＰＦにおいて所望の周波数帯域成分が選択されたあと、バランに入力されて平衡信号に変換される。そして、この受信平衡信号が高周波信号処理ＩＣに入力される。高周波信号処理ＩＣは、平衡信号によって動作しているため、不平衡信号を出力する低雑音増幅器との間に、ＢＰＦとバランを一体化したバランスフィルタが必要になる。
【００６３】
この実施形態１のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号受信部に適用する場合には、上記信号送信部に適用する場合とは逆に、フィルタ１２０が信号入力側、バラン１１０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号出力側になる。従って、フィルタ１２０の入力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記低雑音増幅器の出力端子に接続し、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの受信信号入力端子にそれぞれ接続することになる。なお、この実施形態１のフィルタ１２０はＬＰＦとして構成されているため、上記信号受信部に適用する場合には、フィルタ１２０をＢＰＦとして構成する必要がある。
【００６４】
［フィルタ１２０］
図８はフィルタ１２０の構成を説明する上面図である。また、図９は図８においてのＪ−Ｊ間の断面図、図１０は図８においてのＫ−Ｋ間の断面図である。さらに、図１１はフィルタ１２０の回路構成図である。
【００６５】
フィルタ１２０は、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４と、インダクタＬ１１，Ｌ１２によって構成されている。また、フィルタ１２０は、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部１２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部１２０ｂとを有する。第１フィルタ部１２０ａの一端は不平衡信号端子部９０に接続され、他端は第１フィルタ端子部８０に接続されている。第２フィルタ部１２０ｂの一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続され、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
【００６６】
第１フィルタ部１２０ａには、キャパシタＣ１３，Ｃ１４、およびインダクタＬ１２が配置されており、第２フィルタ部１２０ｂには、キャパシタＣ１１，Ｃ１２、およびインダクタＬ１１が配置されている。
【００６７】
キャパシタＣ１１の一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている（図８参照）。第４接地部７５ｙは、第２接地部７５ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ１１の一端は信号端５０ａに接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
キャパシタＣ１２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている（図８参照）。第６接地部７５ｚは、第２接地部７５ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
【００６８】
また、キャパシタＣ１３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は第３接地部７０ｙによって接地されている（図８参照）。第３接地部７０ｙは、第１接地部７０ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ１２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ１４の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第５接地部７０ｚによって接地されている（図８参照）。第５接地部７０ｚは、第１接地部７０ｘと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【００６９】
なお、図８の上面図は、図１７の上面図に示す構成とすることもできる。図１７では、領域Ｅ３および領域Ｅ４の形状が長方形でない場合を示している。ここで、図１７において、図８と同様のものには同じ符号を付してある。
【００７０】
キャパシタＣ１１は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３１と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５１とを有する。下部電極１３１は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第４接地部７５ｙのビア３９に接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている（図９参照）。ここで、キャパシタＣ１１を構成する下部電極１３１及び上部電極１５１と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない（図９参照）。また、上部電極１５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。
なお、第４接地部７５ｙのビア３９は、前述の第２接地部７５ｘのビア３８と同様に形成されている。
【００７１】
インダクタＬ１１は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５２と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３２とを有する。コイルパターン１５２の内周端は、アンダーパスパターン１３２および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。また、コイルパターン１５２の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている（図１０参照）。ここで、インダクタＬ１１を構成するコイルパターン１５２及びアンダーパスパターン１３２と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない（図１０参照）。
【００７２】
キャパシタＣ１２は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３３と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５３とを有する。下部電極１３３は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第６接地部７５ｚのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１２を構成する下部電極１３３及び上部電極１５３と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５３は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。
なお、第６接地部７５ｚのビアは、前述の第２接地部７５ｘのビア３８と同様に形成されている。
【００７３】
キャパシタＣ１３は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３６と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５６とを有する。下部電極１３６は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第３接地部７０ｙのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１３を構成する下部電極１３６及び上部電極１５６と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。
なお、第３接地部７０ｙのビアは、前述の第１接地部７０ｘのビア３３と同様に形成されている。
【００７４】
インダクタＬ１２は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５７と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３７とを有する。コイルパターン１５７の内周端は、アンダーパスパターン１３７および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。また、コイルパターン１５７の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。ここで、インダクタＬ１２を構成するコイルパターン１５７及びアンダーパスパターン１３７と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。
【００７５】
キャパシタＣ１４は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３８と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５８とを有する。下部電極１３８は、第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第５接地部７０ｚのビアに接続されて、ＧＮＤ層４０につながれている。ここで、キャパシタＣ１４を構成する下部電極１３８及び上部電極１５８と重なる基板１０上の領域には、ＧＮＤ層４０は形成されていない。また、上部電極１５８は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。
なお、第５接地部７０ｚのビアは、前述の第１接地部７０ｘのビア３３と同様に形成されている。
【００７６】
このように、フィルタ１２０では、キャパシタとインダクタとを、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、対称に配置した構成としている。フィルタ１２０は、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ１２とＣ１３とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部１２０ａと、第２フィルタ部１２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。
【００７７】
特に、インダクタを第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があるが、一般に、インダクタのＱ値は、コイルパターンの内径対外径比が大きいほど高くできる。このため、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ１２０は、２つのインダクタＬ１１，Ｌ１２を有するので、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、つまり第１スペースＥ１における領域Ｅ３と第２スペースＥ２における領域Ｅ４に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。
【００７８】
この実施形態１では、基板１０上に、ＷＬＣＳＰ技術によって、ＧＮＤ層４０、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層して、バランスフィルタを形成することにより、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の伝送路を形成することができるとともに、銅めっき等による高いＱ値のインダクタを形成することができる。
【００７９】
［第１平衡信号端子部６０、第２平衡信号端子部６５］
第１平衡信号端子部６０は、第３樹脂層２６の開口部２６ａ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５１を設けたものである。平衡信号電極パッド５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに接続されている。
【００８０】
同様に、第２平衡信号端子部６５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｃ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５６を設けたものである。平衡信号電極パッド５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに接続されている。
【００８１】
［第１接地部７０ｘ、第２接地部７５ｘ、第３接地部７０ｙ、第４接地部７５ｙ、第５接地部７０ｚ、第６接地部７５ｚ］
第１接地部７０ｘは、第１樹脂層を貫通するビア３３を介して、第１平衡信号伝送路３０（第１導電パターン群１３０）をＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。
同様に、第２接地部７５ｘは、第１樹脂層を貫通するビア３８を介して、第２平衡信号伝送路３５（第１導電パターン群１３０）をＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。
【００８２】
また、第３接地部７０ｙ、第４接地部７５ｙ、第５接地部７０ｚ、及び第６接地部７５ｚは、第１樹脂層を貫通する個別のビアを介して、キャパシタＣ１１、キャパシタＣ１２、キャパシタＣ１３、及びキャパシタＣ１４を、ぞれぞれＧＮＤ層４０に電気的に接続するものである。該ビアは、前述のビア３３及びビア３８と同様に、各キャパシタの下部電極から引き出された配線パターン（第一導電パターン群１３０）に接続されて設けられている。
【００８３】
［第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５］
第１フィルタ端子部８０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｇ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５を設けたものである。フィルタ電極パッド１５５は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１３の上部電極１５６およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。また、第２フィルタ端子部８５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｆ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４を設けたものである。フィルタ電極パッド１５４は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１２の上部電極１５３およびインダクタＬ１１のコイルパターン１５２に接続されている。そして、フィルタ電極パッド１５４と１５５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【００８４】
これらの第１フィルタ端子部８０と、第２フィルタ端子部８５とは、第１フィルタ部１２０ａのキャパシタＣ１３の上部電極１５６と、第２フィルタ部１２０ｂのキャパシタＣ１２の上部電極１５３とを、ボンディングワイヤ１６０によって接続して、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるフィルタ１２０を完成させるためのものである。
【００８５】
このように、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。
【００８６】
なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。
【００８７】
［不平衡信号端子部９０］
不平衡信号端子部９０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｅ内に、第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９を設けたものである。不平衡信号電極パッド５９は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、フィルタ部１２０のキャパシタＣ１４の上部電極１５８およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。
【００８８】
この実施形態１では、第１フィルタ部１２０ａ、第１接地部７０ｘ、第３接地部７０ｙ、第５接地部７０ｚ、第１フィルタ端子部８０、および不平衡信号端子部９０は、第１バラン部１１０ａの内周に確保された第１スペースＥ１内に配置されている。また、第２フィルタ部１２０ｂ、第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ、および第２フィルタ端子部８５は、第２バラン部１１０ｂの内周に確保された第２スペースＥ２内に配置されている。なお、第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５は、これらの第１スペースＥ１および第２スペースＥ２の外側に配置されている。従って、この実施形態１では、ほぼ２つの平面スパイラル型伝送路が占有する面積に、２層の導電層構造でバランスフィルタを作製することができる。
【００８９】
なお、樹脂多層デバイス１００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、平衡信号電極パッド５１，５６上、不平衡信号電極パッド５９上、およびフィルタ電極パッド１５４，１５５上にそれぞれ、はんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【００９０】
［製造手順］
図１〜図１１を参照して、樹脂多層デバイス１００の製造手順を以下に説明する。以下の説明において、基板１０は、シリコン（Ｓｉ）ウェハであるものとする。樹脂多層デバイス１００は、ＷＬＰであるから、シリコンウェハ上に樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってバランスフィルタを作り込み、そのあとにチップにダイシングするＷＬＣＳＰ技術によって製造される。
【００９１】
まず、シリコンウェハである基板１０上にＧＮＤ層４０を、例えば銅めっき、アルミ膜、銅膜によって形成する。つづいて、基板１０上に均一に形成されたＧＮＤ層４０のうち、領域Ｅ３及び領域Ｅ４と重なる領域のＧＮＤ層はエッチング法によって除去する。ＧＮＤ層４０は、後で樹脂多層デバイス１００を実装する基板のＧＮＤに導通される。
【００９２】
次に、ＧＮＤ層４０及びＧＮＤ層４０が除かれた領域（Ｅ３，Ｅ４）の基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって基板１０のＧＮＤ層４０が除かれた領域及びＧＮＤ層４０上にコーティングし、ＧＮＤ層４０上における厚さ寸法がｈ１ｘとなるように感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって、前記ビアを形成するためのビア・ホール（貫通孔）を形成する。なお、ＧＮＤ層４０が除かれた領域において基板１０上に形成された第１樹脂層２２の厚さ寸法は「ｈ１ｘ＋ＧＮＤ層４０の厚み」である。
【００９３】
次に、第１樹脂層２２上に、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５、前記ビア、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の下部電極１３１，１３３，１３６，１３８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のアンダーパスパターン１３２，１３７等を含む第１導電パターン群１３０を設ける。
【００９４】
第１導電パターン群１３０としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上及び前記ビア・ホール内にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１の第１平衡信号伝送路３０、および幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２（＝Ｌ１）の第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０を形成する。この際、前記ビア・ホール内を銅めっき等することにより、第１導電パターン群１３０とＧＮＤ層４０とを電気的に接続するビア３３及びビア３８を形成する。なお、キャパシタの（下部）電極は、スパッタでも良い。
【００９５】
次に、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、上記第１導電パターン群１３０の導電パターンを第２導電パターン群１５０の導電パターンにコンタクトさせるための開口部を設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面からの厚さ寸法ｄの感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって上記開口部を設ける。
【００９６】
次に、第２樹脂層２４上に、不平衡信号伝送路５０、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の上部電極１５１，１５３，１５６，１５８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のコイルパターン１５２，１５７、平衡信号電極パッド５１，５６、不平衡信号電極パッド５９、フィルタ電極パッド１５４，１５５等を含む第２導電パターン群１５０を設ける。
【００９７】
平衡信号電極パッド５１は、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａを第１平衡信号端子部６０に導くための電極パッドである。平衡信号電極パッド５６は、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａを第２平衡信号端子部６５に導くための電極パッドである。フィルタ電極パッド１５４は、第２フィルタ部１２０ｂの他端を第２フィルタ端子部８５に導く電極パッドである。フィルタ電極パッド１５５は、第１フィルタ部１２０ａの他端を第１フィルタ端子部８０に導くための電極パッドである。そして、不平衡信号電極パッド５９は、フィルタ１２０の信号出入力端（第１フィルタ部１２０ａの一端）を不平衡信号端子部９０に導くための電極パッドである。
【００９８】
第２導電パターン群１５０としては、第１導電パターン群１３０と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ、厚さ寸法Ｔ、長さ寸法Ｌの不平衡信号伝送路５０を含む第２導電パターン群１５０を形成する。なお、キャパシタの（上部）電極は、スパッタでも良い。
【００９９】
次に、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、電極パッド５１，５６，５９，１５４，１５５をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｃ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、不平衡信号伝送路５０上面からの厚さ寸法ｈ２の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ａ，２６ｃ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを形成する。
【０１００】
以上の手順を完了したあと、シリコンウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス１００を得る。
【０１０１】
以上のように実施形態１によれば、基板上に、ＧＮＤ層４０、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１０２】
さらに、この実施形態１では、バラン１１０の平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペースＥ１における領域Ｅ３，Ｅ２における領域Ｅ４内にフィルタ１２０を配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１０３】
また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ１２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ１２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【０１０４】
さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【０１０５】
＜実施形態２＞
図１２は本発明の実施形態２の樹脂多層デバイスにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１２において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。
【０１０６】
この実施形態２の樹脂多層デバイスは、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を、図１２のフィルタ２２０としたものである。
【０１０７】
［フィルタ２２０］
フィルタ２２０は、５次の楕円関数型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６と、インダクタＬ２１，Ｌ２２によって構成されている。また、フィルタ２２０は、第１スペースＥ１における領域Ｅ３内に設けられた第１フィルタ部２２０ａと、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた第２フィルタ部２２０ｂとを有する。
【０１０８】
第１フィルタ部２２０ａには、キャパシタＣ２４，Ｃ２５，Ｃ２６、およびインダクタＬ２２が配置されており、第２フィルタ部２２０ｂには、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３、およびインダクタＬ２１が配置されている。
【０１０９】
キャパシタＣ２１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２１とキャパシタＣ２２は並列接続されており、この並列回路の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ２３の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。
【０１１０】
また、キャパシタＣ２４の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２２とキャパシタＣ２５は並列接続されており、この並列回路の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ２６の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【０１１１】
キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０１１２】
また、インダクタＬ２１，Ｌ２２も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０１１３】
この実施形態２のフィルタ２２０では、上記実施形態１のフィルタ１２０（図８〜図１１参照）と同様に、第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂとに、キャパシタとインダクタとを対称に配置した構成としている。フィルタ２２０は、５次の楕円関数型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ２３とＣ２４とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。
【０１１４】
特に、インダクタを第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があり、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ２２０は、２つのインダクタＬ２１，Ｌ２２を有するので、第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、つまり第１スペースＥ１における領域Ｅ３と第２スペースＥ２における領域Ｅ４に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。
【０１１５】
また、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。
【０１１６】
なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。
【０１１７】
また、この実施形態２の樹脂多層デバイスを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０１１８】
この実施形態２の樹脂多層デバイスの製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。
【０１１９】
以上のように実施形態２によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度な入出力インピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１２０】
また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ２２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ２２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【０１２１】
さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【０１２２】
＜実施形態３＞
図１３は本発明の実施形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図１３において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。また、図１４は実施形態３の樹脂多層デバイス３００においてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１４において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。
【０１２３】
この実施形態３の樹脂多層デバイス３００は、基板１０と、ＧＮＤ層４０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、６つの接地部（第１接地部７０ｘ、第７接地部７３ｘ、第８接地部７３ｙ；第２接地部７５ｘ、第４接地部７５ｙ、第６接地部７５ｚ）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、フィルタ部接続導電パターン１７０とを備えて構成されたＷＬＰである。
【０１２４】
つまり、実施形態３の樹脂多層デバイス３００は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、第３樹脂層２６上に、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続するフィルタ部接続導電パターン１７０を設けるとともに、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を、図１３のフィルタ３２０としたものである。このフィルタ部接続導電パターン１７０としては、例えば第１導電パターン群１３０および第２導電パターン群１５０と同じ導電性材料を使用することができる。なお、フィルタ部接続導電パターン１７０上には、さらに樹脂層を形成することが望ましい。
【０１２５】
［フィルタ３２０］
フィルタ３２０は、ＢＰＦであり、積層型のキャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３と、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３によって構成されている。また、フィルタ３２０は、第１スペースＥ１における領域Ｅ３内に設けられた第１フィルタ部３２０ａと、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた第２フィルタ部３２０ｂとを有する。
【０１２６】
第１フィルタ部３２０ａには、キャパシタＣ３３、およびインダクタＬ３２，Ｌ３３が配置されている。この第１フィルタ部３２０ａは、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を構成している。また、第２フィルタ部３２０ｂには、キャパシタＣ３１，Ｃ３２、およびインダクタＬ３１が配置されている。この第２フィルタ部３２０ｂは、ＬＰＦを構成している。
そして、第１フィルタ部３２０ａのＨＰＦと、第２フィルタ部３２０ｂのＬＰＦとを直列接続することにより、ＢＰＦが構成されている。
【０１２７】
キャパシタＣ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている。第４接地部７５ｙは、前述の実施形態１の第４接地部７５ｙと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
キャパシタＣ３２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている。第６接地部７５ｚは、前述の実施形態１の第６接地部７５ｚと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
【０１２８】
また、インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。キャパシタＣ３３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。そして、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、フィルタ部接続導電パターン１７０によって接続されている。
【０１２９】
キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０１３０】
また、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０１３１】
インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は第７接地部７３ｘによって接地されている。第７接地部７３ｘは、第１導電パターン群の配線（アンダーパスパターン）によって、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。同様に、インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第８接地部７３ｙによって接地されている。第８接地部７３ｙは、第１導電パターン群の配線（アンダーパスパターン）によって、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
【０１３２】
なお、この実施形態３の樹脂多層デバイス３００においても、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１または図１１等参照）のように、ボンディングワイヤ１６０によって、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。
【０１３３】
また、この実施形態３の樹脂多層デバイス３００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、フィルタ部接続導電パターン１７０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０１３４】
この実施形態３の樹脂多層デバイス３００の製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。
【０１３５】
以上のように実施形態３によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１３６】
また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ３２０と重なる領域Ｅ３及びＥ４以外の領域に形成されているので、フィルタ３２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【０１３７】
さらに、スペースＥ１及びＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ａ及び４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ａ及び４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡ及びＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａ及びＡｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【０１３８】
＜実施形態４＞
図１５は本発明の実施形態４の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図１５において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。また、図１６は実施形態４の樹脂多層デバイス４００においてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図１６において、図１または図１１等と同様のものには同じ符号を付してある。
【０１３９】
この実施形態４の樹脂多層デバイス４００は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００（図１等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０（図１１等参照）を図１６のフィルタ４２０とし、不平衡信号端子部９０を第１スペースＥ１内ではなく第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けるとともに、第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設けない構成としたものである。
【０１４０】
つまり、この実施形態４では、第１スペースＥ１にフィルタが設けられておらず、これにより第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００よりも簡単な構成とすることができる。
【０１４１】
［フィルタ４２０］
フィルタ４２０は、ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ４１，Ｃ４２と、インダクタＬ４１によって構成されている。また、フィルタ４２０は、第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられており、第１スペースＥ１内には設けられていない。
【０１４２】
キャパシタＣ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第４接地部７５ｙによって接地されている。第４接地部７５ｙは、前述の実施形態１の第４接地部７５ｙと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
インダクタＬ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２スペースＥ２における領域Ｅ４内に設けられた不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ４２の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は第６接地部７５ｚによって接地されている。第６接地部７５ｚは、前述の実施形態１の第６接地部７５ｚと同様に、ビアを介して該他端とＧＮＤ層４０を接続している。
【０１４３】
キャパシタＣ４１，Ｃ４２は、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図８〜図１１参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０１４４】
また、インダクタＬ４１も、上記実施形態１のフィルタ１２０を構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図８〜図１１参照）と同様に、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０１４５】
なお、この実施形態４の樹脂多層デバイス４００を実装基板にフリップチップ実装する場合には、それぞれの端子部の電極パッド上にはんだバンプを設ける。この実施形態４の樹脂多層デバイス４００の製造手順は、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００と同様である。
【０１４６】
以上のように実施形態４によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度な入出力インピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０１４７】
さらに、フィルタ４２０を第２スペースＥ２における領域Ｅ４にのみ設け、第１スペースＥ１には設けない構成としたことにより、上記実施形態１の樹脂多層デバイス１００に設けられていた第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施形態１よりもさらに簡単な構成にすることができる。
【０１４８】
また、ＧＮＤ層４０は、フィルタ４２０と重なる領域Ｅ４以外の領域に形成されているので、フィルタ４２０を構成するインダクタ及びキャパシタに干渉することがなく、該フィルタの優れた周波数特性が保たれる。
【０１４９】
さらに、スペースＥ２において、ＧＮＤ層４０の内縁を成す端部４２ｂが、前記バランを構成する最内周の部位４４ｂより内側に延伸して配された距離をＡｘ、ＧＮＤ層４０の上面と前記第２導電パターン群１５０の下面との距離をＢとした場合、前記Ａｘは前記Ｂの５倍以上であると、ＧＮＤ層４０と第１導電パターン群１３０との間の電気力線、及びＧＮＤ層４０と第２導電パターン群１５０との間の電気力線が伸びやかに形成されるため、前記ＧＮＤ層が形成されていない領域があることによるバラン動作への悪影響を防ぐことができる。
【０１５０】
なお、上記各実施形態の説明では、２層配線構造の積層フィルタ（特にキャパシタ）を例として説明したが、本発明の樹脂多層デバイスでは、３層以上の配線層でフィルタを構成することも可能である。また、キャパシタ電極間の誘電体は、比誘電率Ｅｒのものだけでなく、比誘電率Ｅｒでない（特に比誘電率Ｅｒよりも大きい）ものを用いることも可能である。さらに、本発明の樹脂多層デバイスでは、フィルタは、ＬＰＦ、あるいはＬＰＦとＨＰＦの組合せによるＢＰＦに限らず、任意の形式のバンドパスフィルタ、例えば、チェビシェフ型、楕円関数型、バターワース型等のバンドパスフィルタを形成することが可能である。
【０１５１】
＜実施の形態５＞
図１８は本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。図１８において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。
この実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａは、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、ボンディングワイヤ１６０とを備えて構成されたＷＬＰである。
なお、実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成例として、図３２に示す構成も挙げられる。図３２において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。
【０１５２】
［基板１０］
基板１０は、例えば、シリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、あるいはＧａＡｓ等の絶縁性基板である。
【０１５３】
［多層樹脂体２０］
第１樹脂層２２と、第２樹脂層２４と、第３樹脂層２６とは、多層樹脂体２０を構成している。第１樹脂層２２は、基板１０上に形成されている。この第１樹脂層２２としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【０１５４】
また、第２樹脂層２４は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。この第２樹脂層２４としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【０１５５】
また、第３樹脂層２６は、不平衡信号伝送路５０の２つの不平衡信号伝送路部５０ｃ（第１不平衡信号伝送路部）および５０ｄ（第２不平衡信号伝送路部）を含む第２導電パターン群１５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。この第３樹脂層２６としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の感光性樹脂を用いる。
【０１５６】
これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、および第３樹脂層２６は、同じ材料を用いて同じ手法で形成する等により、同じ比誘電率を有することが望ましい。
【０１５７】
樹脂多層デバイス１００Ａには、積層型のバラン１１０Ａと、積層型のフィルタ１２０Ａとを一体化したバランスフィルタが作り込まれている。
【０１５８】
［バラン１１０Ａ］
バラン１１０Ａは、第１樹脂層２２と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、第２樹脂層２４と、不平衡信号伝送路５０と、第３樹脂層２６とによって構成されている。また、バラン１１０Ａは、内周に第１スペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置された第１バラン部１１０ａと、内周に第２スペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置された第２バラン部１１０ｂとを備えて構成されている。第１バラン部１１０ａは、第１平衡信号伝送路３０と、これに対向する第１不平衡信号伝送路部５０ｃとを有する。第２バラン部１１０ｂは、第２平衡信号伝送路３５と、これに対向する第２不平衡信号伝送路部５０ｄとを有する。
【０１５９】
図１９はバラン１１０Ａの構成を説明する上面図である。図１９において、図２と同様のものには同じ符号を付してある。
また、図２０は図１９においてのＡ−Ａ間の断面図、図２１は図１９においてのＢ−Ｂ間の断面図である。ただし、図１９〜図２１では、バラン１１０Ａを判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【０１６０】
上述のバラン１１０Ａの構成を示す図１９は、図３３に示す上面図としてもよい。図３３において、図１９と同様のものには同じ符号を付してある。また、図３４は図３３においてのＰ−Ｐ間の断面図であり、図３３においてのＢ−Ｂ間の断面図は図１９である。図３３においても、バラン１１０Ａを判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【０１６１】
［第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５］
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターン（第１導電パターン群１３０に属するあるいは第１導電パターン群１３０を構成する導電パターン）として、電気的に互いに独立して第１樹脂層２２上に形成されている。第１平衡信号伝送路３０は、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。同様に、第２平衡信号伝送路３５も、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型に配置された伝送路である。
【０１６２】
平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０の外周端（一端）３０ａと、同様に平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５の外周端（一端）３５ａとは、間隔ｇをもって配置されている。これらの第１平衡信号伝送路３０の一端３０ａおよび第２平衡信号伝送路３５の一端３５ａは、それぞれ平衡信号（差動信号）が入出力される信号端である。また、第１平衡信号伝送路３０の内周端（他端）３０ｂおよび第２平衡信号伝送路３５の内周端（他端）３５ｂは、それぞれ接地端になっている。
【０１６３】
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンとして、同じ金属材料によって同時に形成され、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。また、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２とは、同じ長さ（Ｌ１＝Ｌ２）となるように形成されることが望ましい。また、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５とは、同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されることが望ましい。なお、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の下面と基板１０上面との間隔（第１樹脂層２２の層厚）はｈ１である（図２０参照）。
【０１６４】
［不平衡信号伝送路５０］
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、第２樹脂層２４上に形成されている。この不平衡信号伝送路５０は、その下面が第１平衡信号伝送路３０の上面に対向するように設けられて内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと、その下面が第２平衡信号伝送路３５の上面に対向するように設けられて内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄとの外周端同士を一体に接続（電気的に接続）した１本の伝送路である。
【０１６５】
不平衡信号伝送路５０の一端（第２不平衡信号伝送路部５０ｄの内周端）５０ａは不平衡信号が出入力される信号端になっており、不平衡信号伝送路５０の他端（第１不平衡信号伝送路部５０ｃの内周端）５０ｂは開放端になっている。
【０１６６】
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。この不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ形成手法によって同じ金属材料で形成されていることが望ましい。
【０１６７】
不平衡信号伝送路５０は、その長さＬが、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と、第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２と、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａと第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａの間隔ｇとの合計の長さと同じになるように形成されていることが望ましい。また、不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されていることが望ましい。
【０１６８】
なお、第２樹脂層２４を介して対向配置された不平衡信号伝送路５０下面と、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面との間隔はｄである。また、不平衡信号伝送路５０上面から第３樹脂層６０上面までの間隔はｈ２である（図２０参照）。
【０１６９】
［バランスフィルタの動作］
図２２はバラン１１０Ａの動作を説明する模式回路図である。図２２において、ＳＤ１は、平衡信号（差動信号）の内、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに入力される（または信号端３０ａから出力される）信号、ＳＤ２は、上記平衡信号の内、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに入力される（または信号端３５ａから出力される）信号、ＳＳは、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａからフィルタ１２０Ａを介して出力される（またはフィルタ１２０Ａを介して信号端５０ａに入力される）不平衡信号（単一信号）をそれぞれ表している。
【０１７０】
また、図２２において、ＺＤ１は第１平衡信号伝送路３０の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＤ２は第２平衡信号伝送路３５の入力インピーダンス（または出力インピーダンス）、ＺＳは不平衡伝送路５０の出力インピーダンス（または入力インピーダンス）をそれぞれ表している。
【０１７１】
バラン１１０Ａは、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０とを、第２樹脂層２４（図１８等参照）を介して近接配置することにより、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０との間に電磁結合を生じる回路である。
【０１７２】
このバラン１１０Ａにおいて、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａに平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２を入力すると、これらの平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２は不平衡信号に変換され、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａから出力される。この不平衡信号は、フィルタ１２０Ａに入力され、高調波成分の除去等のフィルタ処理をされた不平衡信号ＳＳが、フィルタ１２０Ａから出力される。
【０１７３】
また、これとは逆に、バラン１１０Ａにおいて、フィルタ１２０Ａを介して不平衡信号ＳＳを不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに入力すると、この不平衡信号は平衡信号に変換され、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａから平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２が出力される。
【０１７４】
ここで、伝送する信号（変換する信号）の波長をλとすると、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１および第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２がそれぞれλ／４となり、不平衡信号伝送路５０の内の第１不平衡信号伝送路部５０ｃと第２不平衡信号伝送路部５０ｄの合計の伝送路長（＝Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌ−ｇ）がλ／２となるように、それぞれの伝送路を設けることが望ましい。
【０１７５】
さらに、バラン１１０Ａは、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換については、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ、および平衡信号側のインピーダンスＺＤ１，ＺＤ２が設計仕様のインピーダンス値であることが要求される。例えば、不平衡信号側のインピーダンスＺＳ＝５０Ω、平衡信号側のインピーダンスＺＤ１＋ＺＤ２＝１００，１５０，２００Ωである。
【０１７６】
このようなバランスフィルタは、アンテナで受信した高周波不平衡信号を復調するために平衡信号に変換する必要があり、逆に変調された高周波平衡信号をアンテナから送信するために不平衡信号に変換する必要がある無線通信機器では、不可欠な回路である。
【０１７７】
無線通信機器においては、高周波信号処理ＩＣの入出力インピーダンスとアンテナの出入力インピーダンスとは必ずしも整合していない。このため、両者のインピーダンスを整合させるためにも、インピーダンス変換機能を有するバランスフィルタは不可欠である。上記両者の間にバランスフィルタを挿入しないと、あるいは挿入してもバランスフィルタのインピーダンスが設計値からずれていると、別のインピーダンス変換器が必要になる。
【０１７８】
無線通信機器の信号送信部においては、高周波信号処理ＩＣから出力された送信平衡信号（送信差動信号）は、バランに入力されて不平衡信号に変換される。この送信不平衡信号は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）またはバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）において高調波成分を除去され、電力増幅器（ＰＡ）において増幅され、アンテナスイッチ（ＴＤＤ方式の場合）を通ってアンテナから送信される。電力増幅器は差動化が進んでおらず不平衡信号によって動作しているため、平衡信号によって動作している高周波信号処理ＩＣとの間に、バランとＬＰＦまたはＢＰＦを一体化したバランスフィルタが必要になる。
【０１７９】
この実施の形態５のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号送信部に適用する場合には、バラン１１０Ａの第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号入力側になり、フィルタ１２０Ａが信号出力側になる。従って、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの送信信号出力端子にそれぞれ接続し、フィルタ１２０Ａの出力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記電力増幅器の入力端子に接続することになる。
【０１８０】
また、無線通信機器の信号受信部においては、アンテナで受信された受信不平衡信号は、アンテナスイッチを通って低雑音増幅器（ＬＮＡ）において増幅され、ＢＰＦにおいて所望の周波数帯域成分が選択されたあと、バランに入力されて平衡信号に変換される。そして、この受信平衡信号が高周波信号処理ＩＣに入力される。高周波信号処理ＩＣは、平衡信号によって動作しているため、不平衡信号を出力する低雑音増幅器との間に、ＢＰＦとバランを一体化したバランスフィルタが必要になる。
【０１８１】
この実施の形態５のバランスフィルタを上記無線通信機器の信号受信部に適用する場合には、上記信号送信部に適用する場合とは逆に、フィルタ１２０Ａが信号入力側、バラン１１０Ａの第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａが信号出力側になる。従って、フィルタ１２０Ａの入力側に接続された不平衡信号端子部９０を、上記低雑音増幅器の出力端子に接続し、信号端３０ａ，３５ａにそれぞれ接続されている第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５を、上記高周波信号処理ＩＣの受信信号入力端子にそれぞれ接続することになる。なお、この実施の形態５のフィルタ１２０ＡはＬＰＦとして構成されているため、上記信号受信部に適用する場合には、フィルタ１２０ＡをＢＰＦとして構成する必要がある。
【０１８２】
［フィルタ１２０Ａ］
図２３はフィルタ１２０Ａの構成を説明する上面図である。図２３において、図８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図２４は図２３においてのＤ−Ｄ間の断面図、図２５は図２３においてのＥ−Ｅ間の断面図である。さらに、図２６はフィルタ１２０Ａの回路構成図である。
【０１８３】
フィルタ１２０Ａは、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４と、インダクタＬ１１，Ｌ１２によって構成されている。また、フィルタ１２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部１２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部１２０ｂとを有する。第１フィルタ部１２０ａの一端は不平衡信号端子部９０に接続され、他端は第１フィルタ端子部８０に接続されている。第２フィルタ部１２０ｂの一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続され、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。
【０１８４】
第１フィルタ部１２０ａには、キャパシタＣ１３，Ｃ１４、およびインダクタＬ１２が配置されており、第２フィルタ部１２０ｂには、キャパシタＣ１１，Ｃ１２、およびインダクタＬ１１が配置されている。
【０１８５】
キャパシタＣ１１の一端は不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されており、他端は接地されている（第２接地端子部７５に接続されている）。インダクタＬ１１の一端は信号端５０ａに接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ１２の一端は第２フィルタ端子８５に接続されており、他端は接地されている（第２接地端子部７５に接続されている）。
【０１８６】
また、キャパシタＣ１３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている（第１接地端子部７０に接続されている）。インダクタＬ１２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。
キャパシタＣ１４の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている（第１接地端子部７０に接続されている）。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【０１８７】
図２３では、第１導電パターン群１３０の配線パターンを２通りの場合で併記している。図２３に示す構成においては、配線パターン１８０及び１８２、又は配線パターン１８１及び１８３のいずれか一方が備えられていればよい。また、これらの配線パターン上に示した「Ｘ１」又は「Ｘ２」の位置に、第１接地端子部７０又は第２接地端子部と同様な接地端子部（図示略）を設けてもよい。
【０１８８】
さらに、図２３では、第２接地端子部７５にキャパシタＣ１１及び１２が接続されているが、キャパシタＣ１１及び１２はそれぞれ第２接地端子部７５及び「Ｘ２」の位置に設けられた接地端子部（図示略）に独立して接続される構成であってもよい。このとき、キャパシタＣ１１とＣ１２とは、第１導電パターン群１３０の配線パターン１８０（又は１８１）を介して互いに接続されている必要はない。
【０１８９】
同様に、図２３では、第１接地端子部７０にキャパシタＣ１３及び１４が接続されているが、キャパシタＣ１３及び１４はそれぞれ第１接地端子部７０及び「Ｘ１」の位置に設けられた接地端子部（図示略）に独立して接続される構成であってもよい。このとき、キャパシタＣ１３とＣ１４とは、第１導電パターン群１３０の配線パターン１８２（又は１８３）を介して互いに接続されている必要はない。
【０１９０】
以下に、キャパシタＣ１１〜１４及びインダクタＬ１１〜１２の構成をさらに詳細に説明する。
キャパシタＣ１１は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３１と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５１とを有する。下部電極１３１は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７に接続されている。また、上部電極１５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。
【０１９１】
インダクタＬ１１は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５２と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３２とを有する。コイルパターン１５２の内周端は、アンダーパスパターン１３２および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに接続されている。また、コイルパターン１５２の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。
【０１９２】
キャパシタＣ１２は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３３と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５３とを有する。下部電極１３３は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７に接続されている。また、上部電極１５３は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４に接続されている。
【０１９３】
キャパシタＣ１３は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３６と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５６とを有する。下部電極１３６は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２に接続されている。また、上部電極１５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。
【０１９４】
インダクタＬ１２は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５７と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３７とを有する。コイルパターン１５７の内周端は、アンダーパスパターン１３７および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５に接続されている。また、コイルパターン１５７の外周端は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。
【０１９５】
キャパシタＣ１４は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３８と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５８とを有する。下部電極１３８は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２に接続されている。また、上部電極１５８は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、同じく第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９に接続されている。
【０１９６】
また、図２３に示す構成に代えて図３７に示す構成としてもよい。図３７において、図２３と同様のものには同じ符号を付してある。図３８は図３７においてのＱ−Ｑ間の断面図である。
図３７の構成は、キャパシタＣ１１の上部電極１５１、キャパシタＣ１２の上部電極１５３、キャパシタＣ１３の上部電極１５６、及びキャパシタＣ１４の上部電極１５８に、それぞれ開口部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、及び２７ｄを設けて、これらの開口部をそれぞれ接地電極パッド５８ａ、５８ｂ、５８ｃ、及び５８ｄとする構成である。この構成であることにより、第１接地端子部７０及び第２接地端子部７５（接地電極パッド５７及び５２）を設ける必要がなくなる。
【０１９７】
このように、フィルタ１２０Ａでは、キャパシタとインダクタとを、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、対称に配置した構成としている。フィルタ１２０Ａは、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ１２とＣ１３とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部１２０ａと、第２フィルタ部１２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。
【０１９８】
特に、インダクタを第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があるが、一般に、インダクタのＱ値は、コイルパターンの内径対外径比が大きいほど高くできる。このため、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ１２０Ａは、２つのインダクタＬ１１，Ｌ１２を有するので、第１フィルタ部１２０ａと第２フィルタ部１２０ｂに、つまり第１スペースＥ１と第２スペースＥ２に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。
【０１９９】
この実施の形態５では、基板１０上に、ＷＬＣＳＰ技術によって、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層して、バランスフィルタを形成することにより、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の伝送路を形成することができるとともに、銅めっき等による高いＱ値のインダクタを形成することができる。
【０２００】
［第１平衡信号端子部６０、第２平衡信号端子部６５］
第１平衡信号端子部６０は、第３樹脂層２６の開口部２６ａ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５１を設けたものである。平衡信号電極パッド５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに接続されている。
【０２０１】
同様に、第２平衡信号端子部６５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｃ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５６を設けたものである。平衡信号電極パッド５６は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに接続されている。
【０２０２】
［第１接地端子部７０、第２接地端子部７５］
第１接地端子部７０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｂ内に、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５２を設けたものである。接地電極パッド５２は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第１平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂ、およびキャパシタＣ１３の下部電極１３６、キャパシタＣ１４の下部電極１３８に接続されている。
【０２０３】
同様に、第２接地端子部７５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｄ内に、第２導電パターン群１５０の接地電極パッド５７を設けたものである。接地電極パッド５７は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、第２平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂ、およびキャパシタＣ１１の下部電極１３１、キャパシタＣ１２の下部電極１３３に接続されている。
【０２０４】
［第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５］
第１フィルタ端子部８０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｇ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５５を設けたものである。フィルタ電極パッド１５５は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１３の上部電極１５６およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。また、第２フィルタ端子部８５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｆ内に、第２導電パターン群１５０のフィルタ電極パッド１５４を設けたものである。フィルタ電極パッド１５４は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタＣ１２の上部電極１５３およびインダクタＬ１１のコイルパターン１５２に接続されている。そして、フィルタ電極パッド１５４と１５５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【０２０５】
これらの第１フィルタ端子部８０と、第２フィルタ端子部８５とは、第１フィルタ部１２０ａのキャパシタＣ１３の上部電極１５６と、第２フィルタ部１２０ｂのキャパシタＣ１２の上部電極１５３とを、ボンディングワイヤ１６０によって接続して、５次のチェビシェフ型ＬＰＦであるフィルタ１２０Ａを完成させるためのものである。
【０２０６】
このように、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。
【０２０７】
なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。
【０２０８】
［不平衡信号端子部９０］
不平衡信号端子部９０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｅ内に、第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５９を設けたものである。不平衡信号電極パッド５９は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、フィルタ部１２０ＡのキャパシタＣ１４の上部電極１５８およびインダクタＬ１２のコイルパターン１５７に接続されている。
【０２０９】
この実施の形態５では、第１フィルタ部１２０ａ、ならびに第１接地端子部７０、第１フィルタ端子部８０、および不平衡信号端子部９０は、第１バラン部１１０ａの内周に確保された第１スペースＥ１内に配置されている。また、第２フィルタ部１２０ｂ、ならびに第２接地端子部７５および第２フィルタ部８５は、第２バラン部１１０ｂの内周に確保された第２スペースＥ２内に配置されている。なお、第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５は、これらの第１スペースＥ１および第２スペースＥ２の外側に配置されている。従って、この実施の形態５では、ほぼ２つの平面スパイラル型伝送路が占有する面積に、２層の導電層構造でバランスフィルタを作製することができる。
【０２１０】
なお、樹脂多層デバイス１００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、平衡信号電極パッド５１，５６上、接地電極パッド５２，５７上、不平衡信号電極パッド５９上、およびフィルタ電極パッド１５４，１５５上にそれぞれ、はんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０２１１】
［製造手順］
図１８〜図２６を参照して、樹脂多層デバイス１００Ａの製造手順を以下に説明する。以下の説明において、基板１０は、シリコン（Ｓｉ）ウェハであるものとする。樹脂多層デバイス１００Ａは、ＷＬＰであるから、シリコンウェハ上に樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってバランスフィルタを作り込み、そのあとにチップにダイシングするＷＬＣＳＰ技術によって製造される。
【０２１２】
まず、シリコンウェハである基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によってウェハ基板１０上にコーティングし、厚さ寸法ｈ１の感光性樹脂層を形成する。
【０２１３】
次に、第１樹脂層２２上に、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の下部電極１３１，１３３，１３６，１３８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のアンダーパスパターン１３２，１３７等を含む第１導電パターン群１３０を設ける。
【０２１４】
第１導電パターン群１３０としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１の第１平衡信号伝送路３０、および幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２（＝Ｌ１）の第２平衡信号伝送路３５を含む第１導電パターン群１３０を形成する。なお、キャパシタの（下部）電極は、スパッタでも良い。
【０２１５】
次に、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、上記第１導電パターン群１３０の導電パターンを第２導電パターン群１５０の導電パターンにコンタクトさせるための開口部を設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、第１平衡信号伝送路３０上面および第２平衡信号伝送路３５上面からの厚さ寸法ｄの感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって上記開口部を設ける。
【０２１６】
次に、第２樹脂層２４上に、不平衡信号伝送路５０、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４の上部電極１５１，１５３，１５６，１５８、インダクタＬ１１，Ｌ１２のコイルパターン１５２，１５７、平衡信号電極パッド５１，５６、接地電極パッド５２，５７、不平衡信号電極パッド５９、フィルタ電極パッド１５４，１５５等を含む第２導電パターン群１５０を設ける。
【０２１７】
平衡信号電極パッド５１は、第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａを第１平衡信号端子部６０に導くための電極パッドである。接地電極パッド５２は、第１平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂを第１接地端子部７０に導くための電極パッドである。平衡信号電極パッド５６は、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａを第２平衡信号端子部６５に導くための電極パッドである。接地電極パッド５７は、第２平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂを第２接地端子部７５に導くための電極パッドである。フィルタ電極パッド１５４は、第２フィルタ部１２０ｂの他端を第２フィルタ端子部８５に導く電極パッドである。フィルタ電極パッド１５５は、第１フィルタ部１２０ａの他端を第１フィルタ端子部８０に導くための電極パッドである。そして、不平衡信号電極パッド５９は、フィルタ１２０Ａの信号出入力端（第１フィルタ部１２０ａの一端）を不平衡信号端子部９０に導くための電極パッドである。
【０２１８】
第２導電パターン群１５０としては、第１導電パターン群１３０と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ、厚さ寸法Ｔ、長さ寸法Ｌの不平衡信号伝送路５０を含む第２導電パターン群１５０を形成する。なお、キャパシタの（上部）電極は、スパッタでも良い。
【０２１９】
次に、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９，１５４，１５５をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、不平衡信号伝送路５０上面からの厚さ寸法ｈ２の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを形成する。
【０２２０】
以上の手順を完了したあと、シリコンウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス１００Ａを得る。
【０２２１】
以上のように実施の形態５によれば、基板上に、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を順に積層した構成によって、バランスフィルタを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２２２】
さらに、この実施の形態５では、バラン１１０Ａの平面スパイラル型の伝送路内周に確保されたスペースＥ１，Ｅ２内にフィルタ１２０Ａを配置したことにより、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２２３】
＜実施の形態６＞
図２７は本発明の実施の形態６の樹脂多層デバイスにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図２７において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。
【０２２４】
この実施の形態６の樹脂多層デバイスは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を、図２７のフィルタ２２０Ａとしたものである。
【０２２５】
［フィルタ２２０Ａ］
フィルタ２２０Ａは、５次の楕円関数型ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６と、インダクタＬ２１，Ｌ２２によって構成されている。また、フィルタ２２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部２２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部２２０ｂとを有する。
【０２２６】
第１フィルタ部２２０ａには、キャパシタＣ２４，Ｃ２５，Ｃ２６、およびインダクタＬ２２が配置されており、第２フィルタ部２２０ｂには、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３、およびインダクタＬ２１が配置されている。
【０２２７】
キャパシタＣ２１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２１とキャパシタＣ２２は並列接続されており、この並列回路の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ２３の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。
【０２２８】
また、キャパシタＣ２４の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ２２とキャパシタＣ２５は並列接続されており、この並列回路の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ２６の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。なお、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、ボンディングワイヤ１６０によって接続されている。
【０２２９】
キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０２３０】
また、インダクタＬ２１，Ｌ２２も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０２３１】
この実施の形態６のフィルタ２２０Ａでは、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａ（図２３〜図２６参照）と同様に、第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂとに、キャパシタとインダクタとを対称に配置した構成としている。フィルタ２２０Ａは、５次の楕円関数型ＬＰＦであるため、一般には、キャパシタＣ２３とＣ２４とは１つのキャパシタとなる。しかし、これを分割して第１フィルタ部２２０ａと、第２フィルタ部２２０ｂにそれぞれ配置することにより、第１スペースＥ１と第２スペースＥ２の対称性を確保でき、バランス性に優れた回路配置とすることができる。
【０２３２】
特に、インダクタを第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、均等に割り振って対称配置することにより、インダクタの特性を向上させることができる。優れた特性のフィルタを得るには、インダクタのＱ値を高くする必要があり、インダクタのＱ値を高くするには、インダクタの占有面積を大きくする必要がある。フィルタ２２０Ａは、２つのインダクタＬ２１，Ｌ２２を有するので、第１フィルタ部２２０ａと第２フィルタ部２２０ｂに、つまり第１スペースＥ１と第２スペースＥ２に、インダクタを１つずつ配置することにより、それぞれのインダクタを大きくすることが可能となる。
【０２３３】
また、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とを、ボンディングワイヤ１６０で接続することにより、第１導電パターン群１３０による導電層と第２導電パターン群１５０による導電層の２層構造で、積層型バランスフィルタを実現できる。
【０２３４】
なお、第３樹脂層２６上に導電パターンを設けて、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。この場合には、上記導電パターン上に、さらに樹脂層を形成することが望ましい。第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を、上記のようにボンディングワイヤ１６０で接続すれば、工数を削減することができる。
【０２３５】
また、この実施の形態６の樹脂多層デバイスを実装基板にフリップチップ実装する場合には、ボンディングワイヤ１６０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０２３６】
この実施の形態６の樹脂多層デバイスの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。
【０２３７】
以上のように実施の形態６によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２３８】
＜実施の形態７＞
図２８は本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図２８において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図２９は実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図２９において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。
また、実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成例として、図３５に示す構成も挙げられる。図３５において、図２８と同様のものには同じ符号を付してある。
【０２３９】
この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａは、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、２つのフィルタ端子部８０（第１フィルタ端子部）および８５（第２フィルタ端子部）と、不平衡信号端子部９０と、フィルタ部接続導電パターン１７０とを備えて構成されたＷＬＰである。
【０２４０】
つまり、実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、第３樹脂層２６上に、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続するフィルタ部接続導電パターン１７０を設けるとともに、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を、図２８のフィルタ３２０Ａとしたものである。このフィルタ部接続導電パターン１７０としては、例えば第１導電パターン群１３０および第２導電パターン群１５０と同じ導電性材料を使用することができる。なお、フィルタ部接続導電パターン１７０上には、さらに樹脂層を形成することが望ましい。
【０２４１】
［フィルタ３２０Ａ］
フィルタ３２０Ａは、ＢＰＦであり、積層型のキャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３と、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３によって構成されている。また、フィルタ３２０Ａは、第１スペースＥ１内に設けられた第１フィルタ部３２０ａと、第２スペースＥ２内に設けられた第２フィルタ部３２０ｂとを有する。
【０２４２】
第１フィルタ部３２０ａには、キャパシタＣ３３、およびインダクタＬ３２，Ｌ３３が配置されている。この第１フィルタ部３２０ａは、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を構成している。また、第２フィルタ部３２０ｂには、キャパシタＣ３１，Ｃ３２、およびインダクタＬ３１が配置されている。この第２フィルタ部３２０ｂは、ＬＰＦを構成している。
そして、第１フィルタ部３２０ａのＨＰＦと、第２フィルタ部３２０ｂのＬＰＦとを直列接続することにより、ＢＰＦが構成されている。
【０２４３】
キャパシタＣ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ３１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２フィルタ端子部８５に接続されている。キャパシタＣ３２の一端は第２フィルタ端子部８５に接続されており、他端は接地されている。
【０２４４】
また、インダクタＬ３２の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は接地されている。キャパシタＣ３３の一端は第１フィルタ端子部８０に接続されており、他端は不平衡信号端子部９０に接続されている。インダクタＬ３３の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。そして、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、フィルタ部接続導電パターン１７０によって接続されている。
【０２４５】
キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０２４６】
また、インダクタＬ３１，Ｌ３２，Ｌ３３も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０２４７】
なお、この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａにおいても、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８または図２６等参照）のように、ボンディングワイヤ１６０によって、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５を接続した構成とすることも可能である。
【０２４８】
また、この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、フィルタ部接続導電パターン１７０を設けず、それぞれの電極パッド上にはんだバンプを設ける。この場合、第１フィルタ端子部８０と第２フィルタ端子部８５とは、実装基板に設けられた導電パターンを介して接続されることになる。
【０２４９】
この実施の形態７の樹脂多層デバイス３００Ａの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。
【０２５０】
以上のように実施の形態７によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２５１】
＜実施の形態８＞
図３０は本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成例を説明する上面図である。
図３０において、図１８と同様のものには同じ符号を付してある。また、図３１は実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａにおいてバランスフィルタを構成するフィルタの回路構成図である。なお、図３１において、図１８または図２６等と同様のものには同じ符号を付してある。
また、実施の形態８の樹脂多層デバイスの構成例として、図３６に示す構成も挙げられる。図３６において、図３０と同様のものには同じ符号を付してある。
【０２５２】
この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａは、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａ（図１８等参照）において、バランスフィルタを構成するフィルタ１２０Ａ（図２６等参照）を図３１のフィルタ４２０Ａとし、不平衡信号端子部９０を第１スペースＥ１内ではなく第２スペースＥ２内に設けるとともに、第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設けない構成としたものである。
【０２５３】
つまり、この実施の形態８では、第１スペースＥ１にフィルタが設けられておらず、これにより第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａよりも簡単な構成とすることができる。
【０２５４】
［フィルタ４２０Ａ］
フィルタ４２０Ａは、ＬＰＦであり、積層型のキャパシタＣ４１，Ｃ４２と、インダクタＬ４１によって構成されている。また、フィルタ４２０Ａは、第２スペースＥ２内に設けられており、第１スペースＥ１内には設けられていない。
【０２５５】
キャパシタＣ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は接地されている。インダクタＬ４１の一端は不平衡信号伝送路５０に接続されており、他端は第２スペースＥ２内に設けられた不平衡信号端子部９０に接続されている。キャパシタＣ４２の一端は不平衡信号端子部９０に接続されており、他端は接地されている。
【０２５６】
キャパシタＣ４１，Ｃ４２は、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４（図２３〜図２６参照）と同様に、それぞれ第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極と、それぞれ第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極とを有している。
【０２５７】
また、インダクタＬ４１も、上記実施の形態５のフィルタ１２０Ａを構成するインダクタＬ１１，Ｌ１２（図２３〜図２６参照）と同様に、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターンと、第１導電パターン群１３０の導電パターンであるアンダーパスパターンとを有している。
【０２５８】
なお、この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａを実装基板にフリップチップ実装する場合には、それぞれの端子部の電極パッド上にはんだバンプを設ける。この実施の形態８の樹脂多層デバイス４００Ａの製造手順は、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａと同様である。
【０２５９】
以上のように実施の形態８によれば、上記実施の形態５と同様に、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の導電パターンを形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランおよび周波数特性に優れたフィルタによるバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、ほぼ２つの平面スパイラル型の伝送路が占有する面積に２層の導電層でバランスフィルタを作製できるので、簡単でコンパクトな構成のバランスフィルタを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【０２６０】
さらに、フィルタ４２０Ａを第２スペースＥ２にのみ設け、第１スペースＥ１には設けない構成としたことにより、上記実施の形態５の樹脂多層デバイス１００Ａに設けられていた第１フィルタ端子部８０、第２フィルタ端子部８５、およびボンディングワイヤ１６０を設ける必要がないので、上記実施の形態５よりもさらに簡単な構成にすることができる。
【０２６１】
なお、上記実施の形態の説明では、２層配線構造の積層フィルタ（特にキャパシタ）を例として説明したが、本発明の樹脂多層デバイスでは、３層以上の配線層でフィルタを構成することも可能である。また、キャパシタ電極間の誘電体は、比誘電率Ｅｒのものだけでなく、比誘電率Ｅｒでない（特に比誘電率Ｅｒよりも大きい）ものを用いることも可能である。さらに、本発明の樹脂多層デバイスでは、フィルタは、ＬＰＦ、あるいはＬＰＦとＨＰＦの組合せによるＢＰＦに限らず、任意の形式のバンドパスフィルタ、例えば、チェビシェフ型、楕円関数型、バターワース型等のバンドパスフィルタを形成することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０２６２】
本発明は、あらゆる高周波回路に利用可能であり、特に、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）等の無線通信機器を構成する回路に利用可能である。
【符号の説明】
【０２６３】
１０ 基板、 ２０ 多層樹脂体、 ２２ 第１樹脂層、 ２４ 第２樹脂層、 ２６ 第３樹脂層、 ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ 開口部、 ２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ 開口部、 ３０ 第１平衡信号伝送路、 ３０ａ 信号端、 ３０ｂ 接地端、 ３５ 第２平衡信号伝送路、 ３５ａ 信号端、 ３５ｂ 接地端、４０ ＧＮＤ層、 ５０ 不平衡信号伝送路、 ５０ａ 信号端、 ５０ｂ 開放端、 ５０ｃ 第１不平衡信号伝送路部、 ５０ｄ 第２不平衡信号伝送路部、 ５１ 平衡信号電極パッド、 ５２ 接地電極パッド、 ５６ 平衡信号電極パッド、 ５７ 接地電極パッド、５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄ 接地電極パッド、 ５９ 不平衡信号電極パッド、 ６０，６５ 平衡信号端子部、 ７０，７５ 接地端子部、 ７０ｘ，７０ｙ，７０ｚ，７３ｘ，７３ｙ，７５ｘ，７５ｙ，７５ｚ 接地部、８０，８５ フィルタ端子部、 ９０ 不平衡信号端子部、 １００，１００Ａ 樹脂多層デバイス、 １１０，１１０Ａ バラン、 １１０ａ 第１バラン部、 １１０ｂ 第２バラン部、 １２０，１２０Ａ フィルタ、 １２０ａ 第１フィルタ部、 １２０ｂ 第２フィルタ部、 １３０ 第１導電パターン群、 １３１ 下部電極、 １３２ アンダーパスパターン、 １３３ 下部電極、 １３６ 下部電極、 １３７ アンダーパスパターン、 １３８ 下部電極、 １５０ 第２導電パターン群、 １５１ 上部電極、 １５２ コイルパターン、 １５３ 上部電極、 １５４，１５５ フィルタ電極パッド、 １５６ 上部電極、 １５７ コイルパターン、 １５８ 上部電極、 １６０ ボンディングワイヤ、 １７０ フィルタ部接続導電パターン、１８０，１８１，１８２，１８３ 配線パターン、 ２２０，２２０Ａ フィルタ、 ２２０ａ 第１フィルタ部、 ２２０ｂ 第２フィルタ部、 ３００，３００Ａ 樹脂多層デバイス、 ３２０，３２０Ａ フィルタ、 ３２０ａ 第１フィルタ部、 ３２０ｂ 第２フィルタ部、 ４００，４００Ａ 樹脂多層デバイス、 ４２０，４２０Ａ フィルタ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、
基板と、前記基板上に形成されたＧＮＤ層と、前記基板又は前記ＧＮＤ層上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、
前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、
前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、
前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていて、
前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域を除いた領域に形成されている
ことを特徴とする樹脂多層デバイス。
【請求項２】
前記第１スペース及び前記第２スペースにおいて、
前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配された距離をＡ、
前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項３】
バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、
基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、
前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、
前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、
前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていることを特徴とする樹脂多層デバイス。
【請求項４】
それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、
前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、ボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項５】
それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、
前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、前記第３樹脂層上に設けられた導電パターンによって接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項６】
前記フィルタは、複数のインダクタと複数のキャパシタとによって構成されており、
前記インダクタおよび前記キャパシタが、前記第１フィルタ部と前記第２フィルタ部とに、対称となるように振り分けられて配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項７】
前記フィルタはバンドパスフィルタであり、前記第１フィルタ部はハイパスフィルタであり、前記第２フィルタ部はローパスフィルタであることを特徴とする請求項４または５に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項８】
それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項１】
バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、
基板と、前記基板上に形成されたＧＮＤ層と、前記基板又は前記ＧＮＤ層上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、
前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、
前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、
前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていて、
前記ＧＮＤ層は、前記フィルタと重なる領域を除いた領域に形成されている
ことを特徴とする樹脂多層デバイス。
【請求項２】
前記第１スペース及び前記第２スペースにおいて、
前記ＧＮＤ層の内縁を成す端部が、前記バランを構成する最内周の部位より内側に延伸して配された距離をＡ、
前記ＧＮＤ層の上面と前記第２導電パターン群の下面との距離をＢとした場合、前記Ａは前記Ｂの５倍以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項３】
バランスフィルタを有する樹脂多層デバイスであって、
基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層と、を備え、
前記バランスフィルタのバランは、前記第１導電パターン群の導電パターンとして電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路および第２平衡信号伝送路と、前記第２導電パターン群の導電パターンとして前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路と、を有し、
前記第１平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第１不平衡信号伝送路部は、内周に第１スペースを有する平面スパイラル型に配置され、前記第２平衡信号伝送路およびこれに対向する前記不平衡信号伝送路の第２不平衡信号伝送路部は、内周に第２スペースを有する平面スパイラル型に配置されており、
前記バランスフィルタのフィルタは、前記第１導電パターン群の導電パターンと、前記第２導電パターン群の導電パターンと、を有し、前記第１スペース内および／または前記第２スペース内に配置されていることを特徴とする樹脂多層デバイス。
【請求項４】
それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、
前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、ボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項５】
それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された第１フィルタ電極パッドと、前記第２スペース内に配置された第２フィルタ電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第１フィルタ電極パッドに接続された第１フィルタ部と、前記第２スペース内に配置され、一端が前記第２フィルタ電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続された第２フィルタ部と、を有し、
前記第１フィルタ電極パッドと前記第２フィルタ電極パッドとが、前記第３樹脂層上に設けられた導電パターンによって接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項６】
前記フィルタは、複数のインダクタと複数のキャパシタとによって構成されており、
前記インダクタおよび前記キャパシタが、前記第１フィルタ部と前記第２フィルタ部とに、対称となるように振り分けられて配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項７】
前記フィルタはバンドパスフィルタであり、前記第１フィルタ部はハイパスフィルタであり、前記第２フィルタ部はローパスフィルタであることを特徴とする請求項４または５に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項８】
それぞれ前記第２導電パターン群の導電パターンとして、前記第１平衡信号伝送路の一端に接続された第１平衡信号電極パッドと、前記第２平衡信号伝送路の一端に接続された第２平衡信号電極パッドと、前記第１スペース内に配置された不平衡信号電極パッドと、をさらに備え、
前記フィルタは、前記第１スペース内に配置され、一端が前記不平衡信号電極パッドに接続され、他端が前記第２不平衡信号伝送路部の内周端に接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂多層デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【公開番号】特開２０１０−１５４５１７（Ｐ２０１０−１５４５１７Ａ）
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６４０２４（Ｐ２００９−２６４０２４）
【出願日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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