画像表示装置
【課題】 光学センサを搭載したとしても額縁部分の大型化を防止することのできる画像表示装置を提供する。
【解決手段】 画像表示装置は、画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備えている。透明な導電性部材からなる第一電極と、第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように透明絶縁性基板上に配置されている。
【解決手段】 画像表示装置は、画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備えている。透明な導電性部材からなる第一電極と、第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように透明絶縁性基板上に配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置に係り、特にデジタル画像を順次切り替えながら表示することのできる画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル画像を順次切り替えて表示させる画像表示装置としてデジタルフォトフレーム（デジタル写真立て）が知られている。このデジタルフォトフレームでは、複数の画像データをメモリや記憶装置に入力すると、所定の間隔で順番に、又は、ランダムにこれらの画像をデジタルフォトフレームのディスプレイ上に表示させることができる。
近年、このようなデジタルフォトフレームにおいては、画像の表示されない額縁部分に光学センサを設け、その光学センサによってデジタルフォトフレーム前に人物が存在しているか否かを判断し、存在しているときだけデジタル画像を表示できるデジタルフォトフレームが知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２２４７１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、光学センサが額縁部分に搭載される構成であると、光学センサの設置面積を確保する必要があるため額縁部分がどうしても大きくなってしまっていた。額縁部分が大型になってしまうと、デジタルフォトフレームの外形サイズを保つ場合には画像表示領域が狭くなってしまうし、画像表示領域の外形サイズを保つ場合にはデジタルフォトフレームの外形サイズが大きくなってしまう。
このため、本発明の課題は、光学センサを搭載したとしても額縁部分の大型化を防止することのできる画像表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、
画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、
前記画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備え、
透明な導電性部材からなる第一電極と、
前記第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、
前記第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、前記画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように前記透明絶縁性基板上に配置されていることを特徴とする画像表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、光学センサを搭載したとしても額縁部分の大型化を防止することのできる画像表示装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る画像表示装置としてのデジタルフォトフレームの概略構成を示す正面図である。
【図２】図１のII-II切断線から見た模式断面図である。
【図３】図１のデジタルフォトフレームに備わる光学センサの概略構成を示す模式断面図である。
【図４】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【図５】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【図６】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【図７】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【図８】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。ただし、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る画像表示装置としてのデジタルフォトフレーム１の概略構成を示す正面図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ切断線から見た模式断面図である。図１及び図２に示すように、デジタルフォトフレーム１は、画像を表示する表示部２と、表示部２の表示面を覆う透明絶縁性基板である保護ガラス３と、表示部２及び保護ガラス３を収容するカバー４とを備えている。
【００１０】
表示部２は、画像表示領域２１を有した例えば液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの表示パネル２２と、表示パネル２２の各種制御を行う制御装置２３とを備えている。
保護ガラス３は、表示パネル２２の画像表示領域２１を上側から覆うように、表示パネル２２上に重ねられている。なお、使用者は上側から表示パネル２２を観察する。
カバー４は、表示部２及び保護ガラス３の側方を囲む額縁部４１と、表示部２の背面を覆う背面板４２とを備えている。
【００１１】
そして、表示パネル２２の画像表示領域２１の内側に設けられた所定の領域に重なるように、保護ガラス３上に光学センサ５が設けられている。
図３は光学センサ５の概略構成を示す模式断面図である。図３に示すように、光学センサ５は、電極板５１と、光導電性膜５２と、透明電極膜５３と、第一透明絶縁性保護膜５４と、引き出し線５５，５６と、第二透明絶縁性保護膜５７と、平坦化膜５８とを備える。なお、図３では便宜上、光学センサ３を誇張して標記している。
電極板５１は、第一の引き出し線である引き出し線５５と導通しており、光学センサ５の一方の電極（第一電極）となる。電極板５１には、例えば透明な導電性部材を用いることができる。
【００１２】
本実施形態の光導電性膜５２は可視光は透過するが、紫外光は吸収する透明な物質からなり、電極板５１の表面に形成されている。また、光導電性膜５２には、電極板５１の引き出し線５５との接続部を露出させるコンタクトホール５２ａが設けられている。なお、本実施形態では、可視光は波長３８０ｎｍ超７５０ｎｍ以下の光のことを指し、紫外光は波長３８０ｎｍ以下の光のことを指す。
光導電性膜５２は光が当たらない状態では絶縁性であるが、光が当たると所定の波長領域の光を吸収し内部光電効果により導電性が増す。このような性質の光導電性膜５２として、例えば、ＺｎＯ、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、β−Ｇａ２Ｏ３、（Ｇａ１−ｘＩｎｘ）２Ｏ３(0＜ｘ＜１)、ＡｌＮ、ＡｌｘＧａ１―ｘＮ(0＜ｘ＜１)、ＧａＮ、Ｃ（ダイヤモンド）等からなる非結晶性の薄膜を用いることができる。光導電性膜５２の材料は、検出する光の波長によって適宜選択することができる。例として記載すると、紫外領域を検出するためには例えば、ＺｎＯを用いればよく、深紫外領域を検出するためには例えば、Ｇａ２Ｏ３やＡｌｘＧａ１−ｘＮ（0＜ｘ＜1）等を用いればよい。
【００１３】
非結晶性の薄膜の成膜方法としては、例えば、スプレー法（Ｇａ２Ｏ３）、スパッタ法（ＺｎＯ、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３）、ミストＣＶＤ（Chemical vapor deposition）法（ＺｎＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）、ＭｇＯ、ＣｄＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３）、減圧ＣＶＤ法（ＺｎＯ）、常圧ＣＶＤ法（ＺｎＯ）、ゾルゲル法（Ｇａ２Ｏ３、（Ｇａ１−ｘＩｎｘ）２Ｏ３（0＜ｘ＜1）、ＺｎＯ）、ＭＯＶＰＥ（Metalorganic vapor phase epitaxy；有機金属化学気相エピタキシー）法（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（0＜ｘ＜1）、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＯ）、ＨＶＰＥ法（Ｈydride vapar phase epitaxy：ハイドライド気相エピタキシー）法（ＡｌＸＧａ１−ｘＮ（0＜ｘ＜1）、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＯ）、ＭＢＥ法（Ｍolecular beam epitaxy；分子線エピタキシー）法（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（0＜ｘ＜1）、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＯ）、マイクロ波プラズマＣＶＤ法（Ｃ；ダイヤモンド）等の低温堆積法を適用することができる。また、上述の各材料を非結晶性の薄膜に形成することができる場合は、上述した成膜方法以外の成膜方法を当該材料に適用してもよい。
【００１４】
例えば、ＺｎＯを成膜する場合には、酢酸亜鉛を酸化雰囲気で分解して成膜する。同様に、Ｇａ２Ｏ３やＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）を成膜する場合には、それぞれの金属の硝酸化合物、酢酸化合物等を水に溶解させて原料として、ミストＣＶＤ法等で生成することができる。
【００１５】
透明電極膜５３は、光導電性膜５２上に形成されている。透明電極膜５３は、第二の引き出し線である引き出し線５６と導通しており、光学センサ５の他方の電極（第二電極）となる。また、透明電極膜５３には、コンタクトホール５２ａと同じ位置に電極板５１の引き出し線５５との接続部を露出させるコンタクトホール５３ａが設けられている。
【００１６】
透明電極膜５３は光導電性膜５２の導電性を変化させる波長の光を透過させる、導電性をもった透明な導電部材からなる。透明電極膜５３として、例えばＰｔ、Ａｌ、Ａｕ等の金属薄膜を用いることができる。金属薄膜の厚さが充分に薄ければ、光学センサ５を所望の感度に維持できる程度に上記の波長の光を透過させることができ、これによって、上記の波長の光に対する透明電極膜５３の透明性を確保することができる。金属薄膜は、例えば光導電性膜５２が形成された電極板５１を自転または公転させながらスパッタリングすることで形成することができる。
【００１７】
あるいは、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ等の導電性ポリマーからなる薄膜を透明電極膜５３としてもよい。
あるいは、光導電性膜５２の表面に不純物を導入することで、光導電性膜５２の表面を透明電極膜５３にしてもよい。あるいは、Ｇａ２Ｏ３またはＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）等からなる非結晶性の薄膜を減圧ＣＶＤ法やミストＣＶＤ法により形成して透明電極膜５３としてもよい。
あるいは、透明電極膜５３としてＩＴＯをスパッタ法などで光導電性膜５２上に成膜してもよい。
【００１８】
光導電性膜５２と透明電極膜５３の材料の組み合わせにより、所望の波長に対する感度を得ることができる。ここで、光導電性膜５２と透明電極膜５３の材料の組み合わせと、検出されるピーク波長について例示する。
光導電性膜５２にＭｇ０．３５Ｚｎ０．６５Ｏ、透明電極膜５３にＰｔを用いた場合の検出ピーク波長は、２５０ｎｍである。
光導電性膜５２にＺｎＯ、透明電極膜５３にＰｔを用いた場合の検出ピーク波長は、３８０ｎｍである。
光導電性膜５２にＣ（ダイヤモンド）、透明電極膜５３にＰｔまたはＡｌを用いた場合の検出ピーク波長は、１９０ｎｍである。
光導電性膜５２にＧａ２Ｏ３、透明電極膜５３にＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを用いた場合の検出ピーク波長は、２５０ｎｍである。
光導電性膜５２にＡｌ０．４３Ｇａ０．５７Ｎ、透明電極膜５３にＰｔ、Ａｕを用いた場合の検出ピーク波長は、２７０ｎｍである。
光導電性膜５２にβ−Ｇａ２Ｏ３、透明電極膜５３にＡｕを用いた場合の検出ピーク波長は、２１０〜２５０ｎｍである。
【００１９】
第一透明絶縁性保護膜５４は、電極板５１の光導電性膜５２及び透明電極膜５３が形成された面全体を被覆するように成膜されている。第一透明絶縁性保護膜５４は静電気など光以外の原因により光導電性膜５２の導電性が変化することを防止する。
なお、第一透明絶縁性保護膜５４には、コンタクトホール５２ａ，５３ａと同じ位置に、電極板５１の引き出し線５５との接続部を露出させるコンタクトホール５４ａが形成されている。コンタクトホール５４ａはコンタクトホール５２ａ，５３ａよりも小さい。このため、光導電性膜５２及び透明電極膜５３はコンタクトホール５４ａにおいて露出せず、第一透明絶縁性保護膜５４により被覆されている。
また、第一透明絶縁性保護膜５４には、透明電極膜５３の引き出し線５６との接続部を露出させるコンタクトホール５４ｂが形成されている。
第一透明絶縁性保護膜５４には、例えば透明な窒化珪素（ＳｉＮ）を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法により成膜することができる。
【００２０】
第二透明絶縁性保護膜５７は、第一透明絶縁性保護膜５４及び引き出し線５５，５６の表面全体を被覆するように形成されている。第二透明絶縁性保護膜５７には、例えば透明な窒化珪素（ＳｉＮ）を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法により成膜することができる。
電極板５１の上部において、光導電性膜５２、透明電極膜５３、第一透明絶縁性保護膜５４、第二透明絶縁性保護膜５７が積層された部分が、光学センサ５の受光部となる。
【００２１】
引き出し線５５はコンタクトホール５４ａより電極板５１と接続され、引き出し線５６はコンタクトホール５４ｂより透明電極膜５３と接続されている。引き出し線５５、５６は例えばＩＴＯ等のような透明導電膜により形成されている。引き出し線５５，５６は、例えば透明導電膜により電極板５１や透明電極膜５３と接続された状態で固定される。なお、電極板５１と引き出し線５５、透明電極膜５３と引き出し線５６との導通が取れるのであれば、単に接触させるだけでもよい。
この引き出し線５５，５６を設けることで、配線の引き回しが容易になる。なお、本実施形態ではこの配線も例えばＩＴＯなどのような透明導電膜により形成されている。
【００２２】
平坦化膜５８は、保護ガラス３と電極板５１との間に介在されている。平坦化膜５８には、例えば透明な窒化珪素（ＳｉＮ）を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法により成膜することができる。この平坦化膜５８が予め保護ガラス３に形成されていることで、電極板５１若しくは保護ガラス３の互いに対向する面に微小な凹凸があったとしても、保護ガラス３及び電極板５１の両者間に隙間が形成されることを防止することができる。
【００２３】
制御装置２３は、表示パネル２２の奥側に配置されている。制御装置２３は、表示パネル２２の表示ドライバ２３１と、画像データを記憶する画像データ記憶部２３２と、インピーダンス測定器２３３と、これらを制御する制御部２３４とを備えている。
インピーダンス測定器２３３は引き出し線５５と引き出し線５６とに電気的に接続されている。すなわち、インピーダンス測定器２３３は電極板５１と透明電極膜５３とに接続されており、電極板５１と透明電極膜５３との間のインピーダンスを測定する。また、インピーダンス測定器２３３は、ＡＤコンバータ２３５を介して制御部２３４に電気的に接続されている。
制御部２３４は、ＣＰＵ（中央演算装置）と、メモリとを有して構成され、デジタルフォトフレーム１の各構成要素を制御する。メモリは、デジタルフォトフレーム１の各構成要素を制御するためのプログラムを記憶している。ＣＰＵは、メモリ内のプログラムに基づいて演算を行ない、この演算結果に基づいて各構成要素に制御信号を送信する。
例えば、ＣＰＵは、画像データ記憶部２３２に格納された画像データを読み出し、メモリ内のプログラムに基づいて演算を行ない、この演算結果に基づいて表示ドライバ２３１を制御することで表示パネル２２に画像データに基づいた画像を表示させる。
また、引き出し線５５，５６の間に交流電圧が印加されている状態で、光学センサ５の受光部に光が入射すると、光導電性膜５２の導電性が増すため、インピーダンス測定器２３３によりインピーダンスの変化が検出される。この検出結果は、常に制御部２３４に送られており、制御部２３４は検出結果が所定値以上、すなわちインピーダンスの変化量が事前に設定してあった設定値以上であるか否かを判断している。検出結果が所定値以上である場合、制御部２３４は表示ドライバ２３１を制御して、検出結果に基づく情報を表示パネル２２に表示し、報知する。具体的に、光学センサ５で検出する所定の光が例えば太陽が発する紫外光であると、制御部２３４は、紫外線警報が表現された警告画像を表示パネル２２に表示する。警告画像としては文字で警告を示した画像でもよいし、現在表示中の画像を変化させた画像であってもよい。現在表示中の画像を変化させるものとしては、表示色を変化させることが挙げられる。例えば、背景色を変化させてもいいし、表示中の画像の人物像に対し皮膚の色を濃くして日焼けを表現してもいい。
【００２４】
次に、光学センサ５の製造方法について説明する。
まず、図４に示すように、電極板５１の一方の面に、光導電性膜５２をべた一面に形成する。
次に、図５に示すように、光導電性膜５２の表面に透明電極膜５３をべた一面に形成する。
次に、図６に示すように、光導電性膜５２及び透明電極膜５３をエッチングし、コンタクトホール５２ａ，５３ａを形成する。
【００２５】
次に、図７に示すように、電極板５１、光導電性膜５２及び透明電極膜５３を被覆する第一透明絶縁性保護膜５４を形成する。
次に、図８に示すように、第一透明絶縁性保護膜５４をエッチングし、コンタクトホール５４ａ、コンタクトホール５４ｂを形成する。
その後、コンタクトホール５４ａより引き出し線５５を電極板５１と接続し、コンタクトホール５４ｂより引き出し線５６を透明電極膜５３と接続し、第二透明絶縁性保護膜５７を成膜する。
その後、平坦化膜５８を保護ガラス３の所定位置に成膜してから、その平坦化膜５８上に電極板５１が重なるように光学センサ５を設置する。そして、引き出し線５５，５６にインピーダンス測定器２３３を接続する。以上により、図３に示す光学センサ５が完成する。
【００２６】
次に、本実施形態の作用について説明する。
電源がＯＮになると、引き出し線５５，５６の間に交流電圧が印加され、インピーダンス測定器２３３の検出結果が制御部２３４に常に送られている。制御部２３４は、インピーダンス測定器２３３の検出結果からインピーダンスの変化量を読み取って、検知したい波長の光が光導電性膜５２に入射し、光導電性膜５２の導電性が変化したか否かを常に判断している。
また、制御部２３４は、画像データ記憶部２３２から画像データを読み出し、当該画像データを基に表示ドライバ２３１を制御することで、表示パネル２２に画像を表示させる。制御部２３４は、所定時間が経過すると、別の画像データを画像データ記憶部２３２から読み出し、当該画像データを基に表示ドライバ２３１を制御することで、表示パネル２２に表示される画像を切り替える。
インピーダンス測定器２３３の検出結果からインピーダンスの変化量が所定値未満である場合は、上述した画像の表示が行われている。
インピーダンス測定器２３３の検出結果からインピーダンスの変化量が所定値以上になると、制御部２３４は表示ドライバ２３１を制御して、その旨を表示パネル２２に表示し報知する。
【００２７】
以上のように、本実施形態によれば、透明な光学センサ５が表示パネル２２の画像表示領域２１上に配置されているので、表示パネル２２の表示を阻害することなく、光を検出することができる。したがって、光学センサ５を搭載したとしても額縁部４１の大型化を防止することが可能となる。
特に、透明な電極板５１の上に透明な光導電性膜５２を形成し、さらに光導電性膜５２の導電性を変化させる波長の光を透過させる透明電極膜５３を光導電性膜５２に積層しているため、光学センサ５のほぼ全面を受光部とすることができる。したがって、受光面積が大きくなり、感度を向上させることができる。
【００２８】
なお、本発明は上記実施形態に限らず適宜変更可能である。
例えば、上記実施形態では、表示パネル２２が報知部として機能する場合を例示して説明したが、報知部としてスピーカを設け、このスピーカにより音で報知を行うことや、報知部として振動素子を設け、この振動素子により振動で報知を行うことも可能である。
【００２９】
また、上記実施形態では、光学センサ５が検出する光として、太陽から発せられた紫外光である場合を例示して説明したが、炎が発する紫外光を検出してもよい。この場合、制御部２３４は、インピーダンス測定器２３３の検出結果が所定値を超えると、火災警報を報知部から報知させる。このように、デジタルフォトフレーム１を火災報知器として用いることも可能である。
ここで、炎が発する紫外光は、波長２８０ｎｍ程度の炎特有の紫外線が照射されるため、当該波長に対する感度が得られるように光導電性膜５２と透明電極膜５３との材料を組み合わせる必要がある。
【００３０】
また、上記実施形態では光学センサ５を先に作成してから保護ガラス３に設置する場合について説明したが、保護ガラス３に直接光学センサ５を製造することも可能である。上述したように光導電性膜５２が非結晶であるので、製造時に保護ガラス３を高温に晒す必要もなくなり、保護ガラス３の軟化点温度よりも低い温度で、保護ガラス３の変質を考慮しなくとも直接保護ガラス３上に光学センサ５を製造することができる。なお、ガラスの軟化点温度はそのガラスにどのような不純物がどれくらい入っているかにより変化するが、６００度から７００度程度である。これにより、保護ガラス３上に光学センサ５が一体化した基板を用いることができるので、保護ガラス３と光学センサ５とを別々な部品として扱って保護ガラス３上に光学センサ５を配置するという煩雑な工程を省略することができ、デジタルフォトフレーム１を製造する際の製造工程を簡略化することができる。
また、保護ガラス３上に直接光学センサ５を製造できるのであれば平坦化膜５８も省略することも可能である。
【００３１】
また、本実施形態では光センサ５を画像表示領域２１の所定領域に形成したが、表示パネル２２の画像表示領域２１の全面に形成してもよく、その場合は光学センサ５の受光面積を表示パネル２２の画像表示領域２１の全面にとれるので感度をさらに向上させることができる。
【００３２】
また、本実施形態においては、インピーダンス測定器２３３によりインピーダンスの変化量を検出することで光の入射を検出したが、これに限らず、光導電性膜５２の受光部に光が入射した際に生じる導電性変化を検出することができれば、例えば、直流電圧を印加して抵抗値を測定することで導電性変化を検出する方法、またはパルス波（例えば矩形波、三角波など）を印加し、光が光導電性膜に入射して光導電性膜の導電性が変化した時のそのパルス波形変化を測定することにより導電性変化を検出する方法等、他の方法を用いてもよい。
【００３３】
また、本実施形態の光学センサ５は透明電極膜５３や第一透明絶縁性保護５４にコンタクトホールを形成して、電極板５１と透明電極膜５３とから配線を引き回したが、導電性部材から電極板５１を形成する際に電極板５１と共に、電極板５１の縁部から延出した配線部も一括して形成し、導電性部材から透明電極膜５３を形成する際に、透明電極膜５３の縁部から延出した配線部も一括して形成してもよい。このようにすれば、コンタクトホールを形成する必要が無くなる。
【００３４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、本発明の技術的範囲には特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲が含まれる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
【００３５】
〔付記〕
［請求項１］
画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、
前記画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備え、
透明な導電性部材からなる第一電極と、
前記第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、
前記第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、前記画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように前記透明絶縁性基板上に配置されていることを特徴とする画像表示装置。
［請求項２］
請求項１記載の画像表示装置において、
前記光導電性膜は、可視光を透過し、紫外光を吸収して導電性が変化する透明な物質からなることを特徴とする画像表示装置。
［請求項３］
請求項１又は２記載の画像表示装置において、
前記第一電極、前記光導電性膜及び前記第二電極を覆うように成膜された透明絶縁性保護膜をさらに備えることを特徴とする画像表示装置。
［請求項４］
請求項１〜３のいずれか一項に記載の画像表示装置において、
前記第一電極と前記第二電極とに接続され、前記第一電極と前記第二電極との間のインピーダンスを測定するインピーダンス測定器と、
報知を行う報知部と、
前記報知部を制御して、前記インピーダンス測定器の検出結果に基づく情報を前記報知部から報知させる制御部とを備えることを特徴とする画像表示装置。
［請求項５］
請求項４記載の画像表示装置において、
前記所定の光は炎が発する紫外光であり、
前記制御部は、前記インピーダンス測定器の検出結果によって得られるインピーダンスの変化量が事前に設定した設定値を超えると、火災警報を前記報知部から報知させることを特徴とする画像表示装置。
［請求項６］
請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像表示装置において、
前記光導電性膜は非結晶であることを特徴とする画像表示装置。
【符号の説明】
【００３６】
１ デジタルフォトフレーム（画像表示装置）
２ 表示部
３ 保護ガラス（透明絶縁性基板）
４ カバー
５ 光学センサ
２１ 画像表示領域
２２ 表示パネル
２３ 制御装置
４１ 額縁部
４２ 背面板
５１ 電極板（第一電極）
５２ 光導電性膜
５３ 透明電極膜（第二電極）
５４ 第一透明絶縁性保護膜
５５ 引き出し線（第一の引き出し線）
５６ 引き出し線（第二の引き出し線）
５７ 第二透明絶縁性保護膜
５８ 平坦化膜
２３１ 表示ドライバ
２３２ 画像データ記憶部
２３３ インピーダンス測定器
２３４ 制御部
２３５ ＡＤコンバータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置に係り、特にデジタル画像を順次切り替えながら表示することのできる画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル画像を順次切り替えて表示させる画像表示装置としてデジタルフォトフレーム（デジタル写真立て）が知られている。このデジタルフォトフレームでは、複数の画像データをメモリや記憶装置に入力すると、所定の間隔で順番に、又は、ランダムにこれらの画像をデジタルフォトフレームのディスプレイ上に表示させることができる。
近年、このようなデジタルフォトフレームにおいては、画像の表示されない額縁部分に光学センサを設け、その光学センサによってデジタルフォトフレーム前に人物が存在しているか否かを判断し、存在しているときだけデジタル画像を表示できるデジタルフォトフレームが知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２２４７１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、光学センサが額縁部分に搭載される構成であると、光学センサの設置面積を確保する必要があるため額縁部分がどうしても大きくなってしまっていた。額縁部分が大型になってしまうと、デジタルフォトフレームの外形サイズを保つ場合には画像表示領域が狭くなってしまうし、画像表示領域の外形サイズを保つ場合にはデジタルフォトフレームの外形サイズが大きくなってしまう。
このため、本発明の課題は、光学センサを搭載したとしても額縁部分の大型化を防止することのできる画像表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、
画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、
前記画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備え、
透明な導電性部材からなる第一電極と、
前記第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、
前記第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、前記画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように前記透明絶縁性基板上に配置されていることを特徴とする画像表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、光学センサを搭載したとしても額縁部分の大型化を防止することのできる画像表示装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る画像表示装置としてのデジタルフォトフレームの概略構成を示す正面図である。
【図２】図１のII-II切断線から見た模式断面図である。
【図３】図１のデジタルフォトフレームに備わる光学センサの概略構成を示す模式断面図である。
【図４】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【図５】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【図６】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【図７】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【図８】図３の光学センサを製造する際の一工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。ただし、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る画像表示装置としてのデジタルフォトフレーム１の概略構成を示す正面図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ切断線から見た模式断面図である。図１及び図２に示すように、デジタルフォトフレーム１は、画像を表示する表示部２と、表示部２の表示面を覆う透明絶縁性基板である保護ガラス３と、表示部２及び保護ガラス３を収容するカバー４とを備えている。
【００１０】
表示部２は、画像表示領域２１を有した例えば液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの表示パネル２２と、表示パネル２２の各種制御を行う制御装置２３とを備えている。
保護ガラス３は、表示パネル２２の画像表示領域２１を上側から覆うように、表示パネル２２上に重ねられている。なお、使用者は上側から表示パネル２２を観察する。
カバー４は、表示部２及び保護ガラス３の側方を囲む額縁部４１と、表示部２の背面を覆う背面板４２とを備えている。
【００１１】
そして、表示パネル２２の画像表示領域２１の内側に設けられた所定の領域に重なるように、保護ガラス３上に光学センサ５が設けられている。
図３は光学センサ５の概略構成を示す模式断面図である。図３に示すように、光学センサ５は、電極板５１と、光導電性膜５２と、透明電極膜５３と、第一透明絶縁性保護膜５４と、引き出し線５５，５６と、第二透明絶縁性保護膜５７と、平坦化膜５８とを備える。なお、図３では便宜上、光学センサ３を誇張して標記している。
電極板５１は、第一の引き出し線である引き出し線５５と導通しており、光学センサ５の一方の電極（第一電極）となる。電極板５１には、例えば透明な導電性部材を用いることができる。
【００１２】
本実施形態の光導電性膜５２は可視光は透過するが、紫外光は吸収する透明な物質からなり、電極板５１の表面に形成されている。また、光導電性膜５２には、電極板５１の引き出し線５５との接続部を露出させるコンタクトホール５２ａが設けられている。なお、本実施形態では、可視光は波長３８０ｎｍ超７５０ｎｍ以下の光のことを指し、紫外光は波長３８０ｎｍ以下の光のことを指す。
光導電性膜５２は光が当たらない状態では絶縁性であるが、光が当たると所定の波長領域の光を吸収し内部光電効果により導電性が増す。このような性質の光導電性膜５２として、例えば、ＺｎＯ、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、β−Ｇａ２Ｏ３、（Ｇａ１−ｘＩｎｘ）２Ｏ３(0＜ｘ＜１)、ＡｌＮ、ＡｌｘＧａ１―ｘＮ(0＜ｘ＜１)、ＧａＮ、Ｃ（ダイヤモンド）等からなる非結晶性の薄膜を用いることができる。光導電性膜５２の材料は、検出する光の波長によって適宜選択することができる。例として記載すると、紫外領域を検出するためには例えば、ＺｎＯを用いればよく、深紫外領域を検出するためには例えば、Ｇａ２Ｏ３やＡｌｘＧａ１−ｘＮ（0＜ｘ＜1）等を用いればよい。
【００１３】
非結晶性の薄膜の成膜方法としては、例えば、スプレー法（Ｇａ２Ｏ３）、スパッタ法（ＺｎＯ、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３）、ミストＣＶＤ（Chemical vapor deposition）法（ＺｎＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）、ＭｇＯ、ＣｄＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３）、減圧ＣＶＤ法（ＺｎＯ）、常圧ＣＶＤ法（ＺｎＯ）、ゾルゲル法（Ｇａ２Ｏ３、（Ｇａ１−ｘＩｎｘ）２Ｏ３（0＜ｘ＜1）、ＺｎＯ）、ＭＯＶＰＥ（Metalorganic vapor phase epitaxy；有機金属化学気相エピタキシー）法（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（0＜ｘ＜1）、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＯ）、ＨＶＰＥ法（Ｈydride vapar phase epitaxy：ハイドライド気相エピタキシー）法（ＡｌＸＧａ１−ｘＮ（0＜ｘ＜1）、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＯ）、ＭＢＥ法（Ｍolecular beam epitaxy；分子線エピタキシー）法（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（0＜ｘ＜1）、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＯ）、マイクロ波プラズマＣＶＤ法（Ｃ；ダイヤモンド）等の低温堆積法を適用することができる。また、上述の各材料を非結晶性の薄膜に形成することができる場合は、上述した成膜方法以外の成膜方法を当該材料に適用してもよい。
【００１４】
例えば、ＺｎＯを成膜する場合には、酢酸亜鉛を酸化雰囲気で分解して成膜する。同様に、Ｇａ２Ｏ３やＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）を成膜する場合には、それぞれの金属の硝酸化合物、酢酸化合物等を水に溶解させて原料として、ミストＣＶＤ法等で生成することができる。
【００１５】
透明電極膜５３は、光導電性膜５２上に形成されている。透明電極膜５３は、第二の引き出し線である引き出し線５６と導通しており、光学センサ５の他方の電極（第二電極）となる。また、透明電極膜５３には、コンタクトホール５２ａと同じ位置に電極板５１の引き出し線５５との接続部を露出させるコンタクトホール５３ａが設けられている。
【００１６】
透明電極膜５３は光導電性膜５２の導電性を変化させる波長の光を透過させる、導電性をもった透明な導電部材からなる。透明電極膜５３として、例えばＰｔ、Ａｌ、Ａｕ等の金属薄膜を用いることができる。金属薄膜の厚さが充分に薄ければ、光学センサ５を所望の感度に維持できる程度に上記の波長の光を透過させることができ、これによって、上記の波長の光に対する透明電極膜５３の透明性を確保することができる。金属薄膜は、例えば光導電性膜５２が形成された電極板５１を自転または公転させながらスパッタリングすることで形成することができる。
【００１７】
あるいは、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ等の導電性ポリマーからなる薄膜を透明電極膜５３としてもよい。
あるいは、光導電性膜５２の表面に不純物を導入することで、光導電性膜５２の表面を透明電極膜５３にしてもよい。あるいは、Ｇａ２Ｏ３またはＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（0＜ｘ＜1）等からなる非結晶性の薄膜を減圧ＣＶＤ法やミストＣＶＤ法により形成して透明電極膜５３としてもよい。
あるいは、透明電極膜５３としてＩＴＯをスパッタ法などで光導電性膜５２上に成膜してもよい。
【００１８】
光導電性膜５２と透明電極膜５３の材料の組み合わせにより、所望の波長に対する感度を得ることができる。ここで、光導電性膜５２と透明電極膜５３の材料の組み合わせと、検出されるピーク波長について例示する。
光導電性膜５２にＭｇ０．３５Ｚｎ０．６５Ｏ、透明電極膜５３にＰｔを用いた場合の検出ピーク波長は、２５０ｎｍである。
光導電性膜５２にＺｎＯ、透明電極膜５３にＰｔを用いた場合の検出ピーク波長は、３８０ｎｍである。
光導電性膜５２にＣ（ダイヤモンド）、透明電極膜５３にＰｔまたはＡｌを用いた場合の検出ピーク波長は、１９０ｎｍである。
光導電性膜５２にＧａ２Ｏ３、透明電極膜５３にＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを用いた場合の検出ピーク波長は、２５０ｎｍである。
光導電性膜５２にＡｌ０．４３Ｇａ０．５７Ｎ、透明電極膜５３にＰｔ、Ａｕを用いた場合の検出ピーク波長は、２７０ｎｍである。
光導電性膜５２にβ−Ｇａ２Ｏ３、透明電極膜５３にＡｕを用いた場合の検出ピーク波長は、２１０〜２５０ｎｍである。
【００１９】
第一透明絶縁性保護膜５４は、電極板５１の光導電性膜５２及び透明電極膜５３が形成された面全体を被覆するように成膜されている。第一透明絶縁性保護膜５４は静電気など光以外の原因により光導電性膜５２の導電性が変化することを防止する。
なお、第一透明絶縁性保護膜５４には、コンタクトホール５２ａ，５３ａと同じ位置に、電極板５１の引き出し線５５との接続部を露出させるコンタクトホール５４ａが形成されている。コンタクトホール５４ａはコンタクトホール５２ａ，５３ａよりも小さい。このため、光導電性膜５２及び透明電極膜５３はコンタクトホール５４ａにおいて露出せず、第一透明絶縁性保護膜５４により被覆されている。
また、第一透明絶縁性保護膜５４には、透明電極膜５３の引き出し線５６との接続部を露出させるコンタクトホール５４ｂが形成されている。
第一透明絶縁性保護膜５４には、例えば透明な窒化珪素（ＳｉＮ）を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法により成膜することができる。
【００２０】
第二透明絶縁性保護膜５７は、第一透明絶縁性保護膜５４及び引き出し線５５，５６の表面全体を被覆するように形成されている。第二透明絶縁性保護膜５７には、例えば透明な窒化珪素（ＳｉＮ）を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法により成膜することができる。
電極板５１の上部において、光導電性膜５２、透明電極膜５３、第一透明絶縁性保護膜５４、第二透明絶縁性保護膜５７が積層された部分が、光学センサ５の受光部となる。
【００２１】
引き出し線５５はコンタクトホール５４ａより電極板５１と接続され、引き出し線５６はコンタクトホール５４ｂより透明電極膜５３と接続されている。引き出し線５５、５６は例えばＩＴＯ等のような透明導電膜により形成されている。引き出し線５５，５６は、例えば透明導電膜により電極板５１や透明電極膜５３と接続された状態で固定される。なお、電極板５１と引き出し線５５、透明電極膜５３と引き出し線５６との導通が取れるのであれば、単に接触させるだけでもよい。
この引き出し線５５，５６を設けることで、配線の引き回しが容易になる。なお、本実施形態ではこの配線も例えばＩＴＯなどのような透明導電膜により形成されている。
【００２２】
平坦化膜５８は、保護ガラス３と電極板５１との間に介在されている。平坦化膜５８には、例えば透明な窒化珪素（ＳｉＮ）を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法により成膜することができる。この平坦化膜５８が予め保護ガラス３に形成されていることで、電極板５１若しくは保護ガラス３の互いに対向する面に微小な凹凸があったとしても、保護ガラス３及び電極板５１の両者間に隙間が形成されることを防止することができる。
【００２３】
制御装置２３は、表示パネル２２の奥側に配置されている。制御装置２３は、表示パネル２２の表示ドライバ２３１と、画像データを記憶する画像データ記憶部２３２と、インピーダンス測定器２３３と、これらを制御する制御部２３４とを備えている。
インピーダンス測定器２３３は引き出し線５５と引き出し線５６とに電気的に接続されている。すなわち、インピーダンス測定器２３３は電極板５１と透明電極膜５３とに接続されており、電極板５１と透明電極膜５３との間のインピーダンスを測定する。また、インピーダンス測定器２３３は、ＡＤコンバータ２３５を介して制御部２３４に電気的に接続されている。
制御部２３４は、ＣＰＵ（中央演算装置）と、メモリとを有して構成され、デジタルフォトフレーム１の各構成要素を制御する。メモリは、デジタルフォトフレーム１の各構成要素を制御するためのプログラムを記憶している。ＣＰＵは、メモリ内のプログラムに基づいて演算を行ない、この演算結果に基づいて各構成要素に制御信号を送信する。
例えば、ＣＰＵは、画像データ記憶部２３２に格納された画像データを読み出し、メモリ内のプログラムに基づいて演算を行ない、この演算結果に基づいて表示ドライバ２３１を制御することで表示パネル２２に画像データに基づいた画像を表示させる。
また、引き出し線５５，５６の間に交流電圧が印加されている状態で、光学センサ５の受光部に光が入射すると、光導電性膜５２の導電性が増すため、インピーダンス測定器２３３によりインピーダンスの変化が検出される。この検出結果は、常に制御部２３４に送られており、制御部２３４は検出結果が所定値以上、すなわちインピーダンスの変化量が事前に設定してあった設定値以上であるか否かを判断している。検出結果が所定値以上である場合、制御部２３４は表示ドライバ２３１を制御して、検出結果に基づく情報を表示パネル２２に表示し、報知する。具体的に、光学センサ５で検出する所定の光が例えば太陽が発する紫外光であると、制御部２３４は、紫外線警報が表現された警告画像を表示パネル２２に表示する。警告画像としては文字で警告を示した画像でもよいし、現在表示中の画像を変化させた画像であってもよい。現在表示中の画像を変化させるものとしては、表示色を変化させることが挙げられる。例えば、背景色を変化させてもいいし、表示中の画像の人物像に対し皮膚の色を濃くして日焼けを表現してもいい。
【００２４】
次に、光学センサ５の製造方法について説明する。
まず、図４に示すように、電極板５１の一方の面に、光導電性膜５２をべた一面に形成する。
次に、図５に示すように、光導電性膜５２の表面に透明電極膜５３をべた一面に形成する。
次に、図６に示すように、光導電性膜５２及び透明電極膜５３をエッチングし、コンタクトホール５２ａ，５３ａを形成する。
【００２５】
次に、図７に示すように、電極板５１、光導電性膜５２及び透明電極膜５３を被覆する第一透明絶縁性保護膜５４を形成する。
次に、図８に示すように、第一透明絶縁性保護膜５４をエッチングし、コンタクトホール５４ａ、コンタクトホール５４ｂを形成する。
その後、コンタクトホール５４ａより引き出し線５５を電極板５１と接続し、コンタクトホール５４ｂより引き出し線５６を透明電極膜５３と接続し、第二透明絶縁性保護膜５７を成膜する。
その後、平坦化膜５８を保護ガラス３の所定位置に成膜してから、その平坦化膜５８上に電極板５１が重なるように光学センサ５を設置する。そして、引き出し線５５，５６にインピーダンス測定器２３３を接続する。以上により、図３に示す光学センサ５が完成する。
【００２６】
次に、本実施形態の作用について説明する。
電源がＯＮになると、引き出し線５５，５６の間に交流電圧が印加され、インピーダンス測定器２３３の検出結果が制御部２３４に常に送られている。制御部２３４は、インピーダンス測定器２３３の検出結果からインピーダンスの変化量を読み取って、検知したい波長の光が光導電性膜５２に入射し、光導電性膜５２の導電性が変化したか否かを常に判断している。
また、制御部２３４は、画像データ記憶部２３２から画像データを読み出し、当該画像データを基に表示ドライバ２３１を制御することで、表示パネル２２に画像を表示させる。制御部２３４は、所定時間が経過すると、別の画像データを画像データ記憶部２３２から読み出し、当該画像データを基に表示ドライバ２３１を制御することで、表示パネル２２に表示される画像を切り替える。
インピーダンス測定器２３３の検出結果からインピーダンスの変化量が所定値未満である場合は、上述した画像の表示が行われている。
インピーダンス測定器２３３の検出結果からインピーダンスの変化量が所定値以上になると、制御部２３４は表示ドライバ２３１を制御して、その旨を表示パネル２２に表示し報知する。
【００２７】
以上のように、本実施形態によれば、透明な光学センサ５が表示パネル２２の画像表示領域２１上に配置されているので、表示パネル２２の表示を阻害することなく、光を検出することができる。したがって、光学センサ５を搭載したとしても額縁部４１の大型化を防止することが可能となる。
特に、透明な電極板５１の上に透明な光導電性膜５２を形成し、さらに光導電性膜５２の導電性を変化させる波長の光を透過させる透明電極膜５３を光導電性膜５２に積層しているため、光学センサ５のほぼ全面を受光部とすることができる。したがって、受光面積が大きくなり、感度を向上させることができる。
【００２８】
なお、本発明は上記実施形態に限らず適宜変更可能である。
例えば、上記実施形態では、表示パネル２２が報知部として機能する場合を例示して説明したが、報知部としてスピーカを設け、このスピーカにより音で報知を行うことや、報知部として振動素子を設け、この振動素子により振動で報知を行うことも可能である。
【００２９】
また、上記実施形態では、光学センサ５が検出する光として、太陽から発せられた紫外光である場合を例示して説明したが、炎が発する紫外光を検出してもよい。この場合、制御部２３４は、インピーダンス測定器２３３の検出結果が所定値を超えると、火災警報を報知部から報知させる。このように、デジタルフォトフレーム１を火災報知器として用いることも可能である。
ここで、炎が発する紫外光は、波長２８０ｎｍ程度の炎特有の紫外線が照射されるため、当該波長に対する感度が得られるように光導電性膜５２と透明電極膜５３との材料を組み合わせる必要がある。
【００３０】
また、上記実施形態では光学センサ５を先に作成してから保護ガラス３に設置する場合について説明したが、保護ガラス３に直接光学センサ５を製造することも可能である。上述したように光導電性膜５２が非結晶であるので、製造時に保護ガラス３を高温に晒す必要もなくなり、保護ガラス３の軟化点温度よりも低い温度で、保護ガラス３の変質を考慮しなくとも直接保護ガラス３上に光学センサ５を製造することができる。なお、ガラスの軟化点温度はそのガラスにどのような不純物がどれくらい入っているかにより変化するが、６００度から７００度程度である。これにより、保護ガラス３上に光学センサ５が一体化した基板を用いることができるので、保護ガラス３と光学センサ５とを別々な部品として扱って保護ガラス３上に光学センサ５を配置するという煩雑な工程を省略することができ、デジタルフォトフレーム１を製造する際の製造工程を簡略化することができる。
また、保護ガラス３上に直接光学センサ５を製造できるのであれば平坦化膜５８も省略することも可能である。
【００３１】
また、本実施形態では光センサ５を画像表示領域２１の所定領域に形成したが、表示パネル２２の画像表示領域２１の全面に形成してもよく、その場合は光学センサ５の受光面積を表示パネル２２の画像表示領域２１の全面にとれるので感度をさらに向上させることができる。
【００３２】
また、本実施形態においては、インピーダンス測定器２３３によりインピーダンスの変化量を検出することで光の入射を検出したが、これに限らず、光導電性膜５２の受光部に光が入射した際に生じる導電性変化を検出することができれば、例えば、直流電圧を印加して抵抗値を測定することで導電性変化を検出する方法、またはパルス波（例えば矩形波、三角波など）を印加し、光が光導電性膜に入射して光導電性膜の導電性が変化した時のそのパルス波形変化を測定することにより導電性変化を検出する方法等、他の方法を用いてもよい。
【００３３】
また、本実施形態の光学センサ５は透明電極膜５３や第一透明絶縁性保護５４にコンタクトホールを形成して、電極板５１と透明電極膜５３とから配線を引き回したが、導電性部材から電極板５１を形成する際に電極板５１と共に、電極板５１の縁部から延出した配線部も一括して形成し、導電性部材から透明電極膜５３を形成する際に、透明電極膜５３の縁部から延出した配線部も一括して形成してもよい。このようにすれば、コンタクトホールを形成する必要が無くなる。
【００３４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、本発明の技術的範囲には特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲が含まれる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
【００３５】
〔付記〕
［請求項１］
画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、
前記画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備え、
透明な導電性部材からなる第一電極と、
前記第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、
前記第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、前記画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように前記透明絶縁性基板上に配置されていることを特徴とする画像表示装置。
［請求項２］
請求項１記載の画像表示装置において、
前記光導電性膜は、可視光を透過し、紫外光を吸収して導電性が変化する透明な物質からなることを特徴とする画像表示装置。
［請求項３］
請求項１又は２記載の画像表示装置において、
前記第一電極、前記光導電性膜及び前記第二電極を覆うように成膜された透明絶縁性保護膜をさらに備えることを特徴とする画像表示装置。
［請求項４］
請求項１〜３のいずれか一項に記載の画像表示装置において、
前記第一電極と前記第二電極とに接続され、前記第一電極と前記第二電極との間のインピーダンスを測定するインピーダンス測定器と、
報知を行う報知部と、
前記報知部を制御して、前記インピーダンス測定器の検出結果に基づく情報を前記報知部から報知させる制御部とを備えることを特徴とする画像表示装置。
［請求項５］
請求項４記載の画像表示装置において、
前記所定の光は炎が発する紫外光であり、
前記制御部は、前記インピーダンス測定器の検出結果によって得られるインピーダンスの変化量が事前に設定した設定値を超えると、火災警報を前記報知部から報知させることを特徴とする画像表示装置。
［請求項６］
請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像表示装置において、
前記光導電性膜は非結晶であることを特徴とする画像表示装置。
【符号の説明】
【００３６】
１ デジタルフォトフレーム（画像表示装置）
２ 表示部
３ 保護ガラス（透明絶縁性基板）
４ カバー
５ 光学センサ
２１ 画像表示領域
２２ 表示パネル
２３ 制御装置
４１ 額縁部
４２ 背面板
５１ 電極板（第一電極）
５２ 光導電性膜
５３ 透明電極膜（第二電極）
５４ 第一透明絶縁性保護膜
５５ 引き出し線（第一の引き出し線）
５６ 引き出し線（第二の引き出し線）
５７ 第二透明絶縁性保護膜
５８ 平坦化膜
２３１ 表示ドライバ
２３２ 画像データ記憶部
２３３ インピーダンス測定器
２３４ 制御部
２３５ ＡＤコンバータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、
前記画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備え、
透明な導電性部材からなる第一電極と、
前記第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、
前記第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、前記画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように前記透明絶縁性基板上に配置されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像表示装置において、
前記光導電性膜は、可視光を透過し、紫外光を吸収して導電性が変化する透明な物質からなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の画像表示装置において、
前記第一電極、前記光導電性膜及び前記第二電極を覆うように成膜された透明絶縁性保護膜をさらに備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の画像表示装置において、
前記第一電極と前記第二電極とに接続され、前記第一電極と前記第二電極との間のインピーダンスを測定するインピーダンス測定器と、
報知を行う報知部と、
前記報知部を制御して、前記インピーダンス測定器の検出結果に基づく情報を前記報知部から報知させる制御部とを備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の画像表示装置において、
前記所定の光は炎が発する紫外光であり、
前記制御部は、前記インピーダンス測定器の検出結果によって得られるインピーダンスの変化量が事前に設定した設定値を超えると、火災警報を前記報知部から報知させることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像表示装置において、
前記光導電性膜は非結晶であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１】
画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、
前記画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備え、
透明な導電性部材からなる第一電極と、
前記第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、
前記第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、前記画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように前記透明絶縁性基板上に配置されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像表示装置において、
前記光導電性膜は、可視光を透過し、紫外光を吸収して導電性が変化する透明な物質からなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の画像表示装置において、
前記第一電極、前記光導電性膜及び前記第二電極を覆うように成膜された透明絶縁性保護膜をさらに備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の画像表示装置において、
前記第一電極と前記第二電極とに接続され、前記第一電極と前記第二電極との間のインピーダンスを測定するインピーダンス測定器と、
報知を行う報知部と、
前記報知部を制御して、前記インピーダンス測定器の検出結果に基づく情報を前記報知部から報知させる制御部とを備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の画像表示装置において、
前記所定の光は炎が発する紫外光であり、
前記制御部は、前記インピーダンス測定器の検出結果によって得られるインピーダンスの変化量が事前に設定した設定値を超えると、火災警報を前記報知部から報知させることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像表示装置において、
前記光導電性膜は非結晶であることを特徴とする画像表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−１８５３３４（Ｐ２０１２−１８５３３４Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４８４５０（Ｐ２０１１−４８４５０）
【出願日】平成２３年３月７日（２０１１．３．７）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月７日（２０１１．３．７）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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