配線基板の製造方法、配線基板、半導体基板の製造方法、半導体基板及び電気光学装置の製造方法
【課題】 導電パターン同士の導通を確実に得ることができる配線基板の製造方法、配線基板、半導体基板の製造方法、半導体基板さらには電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 間隔をあけて設けられた複数の導電パターン１１，１２を接続する工程を含む配線基板１の製造方法であって、複数の導電パターン１１，１２のうちの少なくとも一つの導電パターンの接続する側の端部にパターン本体１４，１５よりも幅狭の幅狭部１６，１７を有する形状となるように、複数の導電パターン１１，１２を形成する導電パターン形成工程と、複数の導電パターン１１，１２を無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする。
【解決手段】 間隔をあけて設けられた複数の導電パターン１１，１２を接続する工程を含む配線基板１の製造方法であって、複数の導電パターン１１，１２のうちの少なくとも一つの導電パターンの接続する側の端部にパターン本体１４，１５よりも幅狭の幅狭部１６，１７を有する形状となるように、複数の導電パターン１１，１２を形成する導電パターン形成工程と、複数の導電パターン１１，１２を無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、配線基板、半導体基板の製造方法、半導体基板及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する）装置等の電気光学装置として、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）等の半導体素子を基板上に備えた構成を含むものが知られている。このような半導体素子を含む半導体基板の製造に際しては、高温プロセスを必要とする場合が多いため、該半導体素子を基板上に形成して電気光学装置を構成すると、基板の熱変形や周辺の回路素子の破壊、寿命低下を招いてしまい、結果として当該電気光学装置の特性低下を引き起こす惧れがあった。
【０００３】
そこで、近年では、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術を用いてＴＦＴ等の半導体素子を耐熱性の基礎基板上に形成した後に、当該基礎基板からＴＦＴが形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを配線基板に貼り付けることによって電気光学装置を製造する転写技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような転写技術を用いることにより、比較的耐熱性の低いプラスチック基板等の上に半導体素子を形成することができ、当該電気光学装置の設計の幅が広がるとともに、周辺の回路素子を高温プロセスに曝すこともなく、結果的に基板の熱変形や回路素子の破壊を抑制し、好適な電気光学装置を提供することが可能となる。
【特許文献１】特開２００３−０３１７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した転写技術において、半導体素子を配線基板に実装するには、配線基板上に形成したバンプ上に導電性粒子を印刷して配置し、さらに硬化性樹脂を介して半導体素子を転写した後に、加熱加圧により配線基板と半導体素子とを接合させている。しかしながら、オープン不良を回避すべく加熱加圧量を高めると、半導体素子が破損、損傷してしまう惧れがあった。
そこで、半導体素子の接続端子（導電パターン）が上面を向くように配線基板上に転写する方法が提案されている。この場合の実装方法として、配線基板の接続端子（導電パターン）および半導体素子の接続端子の両方から、無電解めっき法によりめっきを成長させ、両者の導通をとる方法が採用されている。また、配線基板上に配された複数の導電パターン同士を接続する方法としても無電解めっき法が採用されている。
【０００５】
しかしながら、接続端子の形状は、一般的に矩形状であるため、異なる接続端子から成長させためっきの出合部（接触部）では、両めっき間に微小な隙間が形成されるので、両めっきは接合されにくくなる。しかも、接続端子の狭ピッチ化に伴って、両めっきの出合部には、横からめっき液が流入しにくくなっている。そして、出合部に隙間を保持したまま両めっきが成長すると、接続端子間の導通が得られないか、又は接続信頼性が確保できないという問題が発生する。また、異なる接続端子から成長させためっきの出合部は、面（線）接触となるため、出合部には界面が発生し、この界面においてめっきが剥離してしまうという問題が生じる。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、導電パターン同士の導通を確実に得ることができる配線基板の製造方法、配線基板、半導体基板の製造方法、半導体基板さらには電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の配線基板の製造方法は、間隔をあけて設けられた複数の導電パターンを接続する工程を含む配線基板の製造方法であって、前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一つの導電パターンの接続する側の端部にパターン本体よりも幅狭の幅狭部を有する形状となるように、前記複数の導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記複数の導電パターンを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る配線基板の製造方法では、複数の導電パターンのうち少なくとも一つの接続する側の端部に幅狭部を有する形状に形成した後、導電パターン同士を無電解めっきにより電気的に接続をとるものとしている。このとき、導電パターンの幅狭部から成長しためっき金属は、幅狭部の形状に沿って成長するので、他の導電パターンから成長しためっき金属と接触する際、これらめっき金属の接触面積は従来に比べて小さくなっている。このため、めっき金属の接触部分には、めっき液が供給され易くなり、導電パターン同士の接続する際の処理時間の短縮を図ることができる。また、それぞれの導電パターンから成長しためっき金属の接触面積を小さくすることができるため、めっき金属の接触部における界面及び微小スペースの発生を抑えることができ、従来のような界面におけるめっき金属の剥離を防止することが可能となる。したがって、導電パターン同士の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることが可能となる。
【０００８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であることが好ましい。
本発明に係る配線基板の製造方法では、幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であるため、幅狭部から成長しためっき金属は、他の導電パターンから成長しためっき金属と接触する際、点接触に近い状態となるため、接触面積を最も小さくすることができる。したがって、導電パターン同士の導通を、さらに確実に確保することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記導電パターン形成工程において、前記少なくとも一つの導電パターンと接続する側の端部に前記幅狭部を複数有する形状となるように、前記複数の導電パターンを形成することが好ましい。
【００１０】
本発明に係る配線基板の製造方法では、導電パターンのうち少なくとも一つの接続する側の端部に幅狭部を複数有する形状に形成した後、それぞれ導電パターンからめっき金属を成長させた際、導電パターンに幅狭部が複数形成されているため、複数箇所においてめっき金属の接触面積を小さくすることができる。すなわち、複数箇所においてめっき液が供給され易くなっているため、それぞれの導電パターンから成長しためっき金属の導通を確実に得ることができる。
【００１１】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記導電パターン形成工程において、対向する一対の前記導電パターンの互いに接続する側の端部に前記幅狭部がそれぞれ設けられ、一方の前記導電パターンの幅狭部と、他方の前記導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状となるように、一対の前記導電パターンを形成することが好ましい。
【００１２】
本発明に係る配線基板の製造方法では、一対の導電パターンの一方の導電パターンの幅狭部と、他方の導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状に形成した後、一対の導電パターンからめっき金属を成長させる。このとき、一方の導電パターンの幅狭部から成長しためっき金属は、他方の導電パターンの幅狭部間の凹部から成長しためっき金属と接触する際、これらめっき金属の接触面積を小さくすることができる。そして、めっき金属の成長が進むにつれて、接触面積は次第に大きくなるため、導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることが可能となる。
【００１３】
また、本発明の配線基板は、上記の配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係る配線基板では、上記配線基板の製造方法を用いることにより、導電パターン同士を確実に導通することができるため、信頼性の高い基板を得ることが可能となる。
【００１４】
本発明の半導体基板の製造方法は、配線基板上に半導体素子が実装されてなり、前記配線基板上の基板側導電パターンと前記半導体素子上の素子側導電パターンとを電気的に接続する工程を含む半導体基板の製造方法であって、前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンの少なくとも一方の他方の導電パターンと接続する側の端部にパターン本体よりも幅狭の幅狭部を有する形状となるように、前記各導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記配線基板上に半導体素子を実装する素子実装工程と、前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンとを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る半導体基板の製造方法では、基板側導電パターンと素子側導電パターンとのうち少なくとも一方の接続する側の端部に幅狭部を有する形状に形成した後、配線基板上に半導体素子を実装する。そして、基板側導電パターンと素子側導電パターンとをめっき金属により電気的に接続をとるものとしている。このとき、上述した配線基板の製造方法と同様に、それぞれの導電パターンから成長しためっき金属の接触面積を小さくすることができるため、めっき金属の剥離を防止することが可能となる。したがって、基板側導電パターンと素子側導電パターンとの導通を確実に確保することができるため、高い接続信頼性を得た半導体基板を製造することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であることが好ましい。
本発明に係る半導体基板の製造方法では、上述した配線基板の製造方法と同様に、それぞれから成長しためっき金属同士が点接触に近い状態となるため、導電パターン同士の導通を、さらに確実に確保することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記導電パターン形成工程において、前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンの少なくとも一方の導電パターンと接続する側の端部に前記幅狭部を複数有する形状となるように、前記各導電パターンを形成することが好ましい。
【００１８】
本発明に係る半導体基板の製造方法では、基板側導電パターンと素子側導電パターンのうち少なくとも一方の接続する側の端部に幅狭部を複数有する形状に形成した後、基板側導電パターンと素子側導電パターンとからめっき金属を成長させた際、上述した配線基板の製造方法と同様に、複数箇所においてめっき液が供給され易くなっているため、基板側導電パターンと素子側導電パターンとから成長しためっき金属の導通を確実に得ることができる。
【００１９】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記導電パターン形成工程において、対向する一対の前記基板側導電パターン及び前記素子側導電パターンの互いに接続する側の端部に前記幅狭部がそれぞれ設けられ、一方の前記導電パターンの幅狭部と、他方の前記導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状となるように、一対の前記基板側導電パターン及び前記素子側導電パターンを形成することが好ましい。
【００２０】
本発明に係る半導体基板の製造方法では、一対の基板側導電パターン及び素子側導電パターンの一方の導電パターン幅狭部と、他方の導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置するように形成した後、一対の基板側導電パターン及び素子側導電パターンとからめっき金属を成長させる。このとき、上述した配線基板の製造方法と同様に、めっき金属の成長が進むにつれて、接触面積は次第に大きくなるため、導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることが可能となる。
【００２１】
また、本発明の半導体基板は、上記の半導体基板の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係る半導体基板では、上記半導体基板の製造方法を用いることにより、基板側導電パターン及び素子側導電パターンとを確実に導通することができる。その結果、信頼性の高い半導体基板を製造することができる。
【００２２】
また、本発明の電気光学装置は、発光素子を駆動するためのスイッチング素子が配線基板に実装されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記スイッチング素子として半導体素子を用い、該半導体素子を前記配線基板に実装する工程として、上記の半導体基板の製造方法を用いることを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置の製造方法では、素子特性が良好で非常に信頼性の高い電気光学装置を得ることができる。
なお、本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２５】
［第１実施形態］
まず、本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を用いて製造された配線基板１の構成について、図１を参照して説明する。
図１は、配線基板１の構成を示す平面図（図１（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図１（ｂ））、図２は、導電パターン接続後の配線基板１を示す平面図（図２（ａ））及びそのＢ−Ｂ’断面図（図２（ｂ））である。本実施形態の配線基板１は、ガラス基板１０の表面１０ａに導電パターン１１が形成されたものである。
【００２６】
（１−１．導電パターンの形成工程）
まず、図１に示した配線基板１上に導電パターン１１を形成する工程について説明する。
はじめに、ガラス基板１０を用意する。ガラス基板１０としては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、このガラス基板１０の表面１０ａに、Ａｌ，Ｃｕ等の金属導電材料を成膜する。このように、金属導電材料が成膜されたガラス基板をフォトリソグラフィを用いて加工を行う。まず、金属導電材料の膜上に、紫外線反応型レジスト等のフォトレジスト（ネガ型、ポジ型のいずれでも良い）を塗布してレジスト層（図示略）を形成する。そして、このレジスト層上に、所定の形状のフォトマスクを設置した状態で、紫外光等の光源を用いてフォトレジスト層を露光する。なお、本実施形態ではネガ型フォトレジストを用いている。
【００２７】
そして、露光工程が終了した後、現像処理を行う。ここで、ネガ型のフォトレジストは溶剤に溶ける性質を持っているため、光化学反応によって光が照射されたレジスト層は、溶剤に不溶となり、残ることになる。
さらに、マスクパターンが形成された金属導電材の膜に、エッチングを施して、ガラス基板１０上に所望の形状の導電パターン１１を形成する。
【００２８】
この導電パターン１１は、図１に示すように、対向して配置された、第１の導電パターン（導電パターン）１２と、第２の導電パターン（導電パターン）１３とを備えている。これら導電パターン１２，１３は、接続する側の端部１２ａ，１３ａにパターン本体１４，１５の幅Ｌより狭い幅の幅狭部１６，１７を有する形状となっている。なお、ここでの幅とは、第１の導電パターン１２と第２の導電パターン１３とを接続する方向（図１に示すＸ方向）に垂直な方向（図１に示すＹ方向）の長さを示している。
上記幅狭部１６，１７は、対向する導電パターンの方向（第１の導電パターン１２は第２の導電パターン１３の方向，第２の導電パターン１３は第２の導電パターン１２の方向）に向かって漸次幅が狭くなるとともに、先端が尖った形状となっている。
【００２９】
（１−２．導電パターン接続工程）
以上の導電パターン１１を形成した後、各導電パターン１２，１３の電気的接続を行う。ここでは、無電解めっき処理法を用いて接続するものとしている。まず、各導電パターン１２，１３の表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。本実施形態では、フッ酸が０．０１％〜０．１％、及び硫酸が０．０１％〜０．１％含有した水溶液中に１分〜５分間含浸する。あるいは０．１％〜１０％の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に１分〜１０分浸漬してもよい。
【００３０】
次に、水酸化ナトリウムベースでｐＨが９〜１３のアルカリ性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬し、表面の酸化膜を除去する。あるいは５％〜３０％硝酸をベースとしたｐＨ１〜３の酸性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬してもよい。
さらに、ＺｎＯを含有したｐＨ１１〜１３のジンケート液中に１秒〜２分間浸漬し、端子表面をＺｎに置換する。その後、５％〜３０％の硝酸水溶液に１秒〜６０秒浸漬し、Ｚｎを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に１秒〜２分浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。その後、無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、Ｎｉめっきを形成する。
めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８０℃〜９５℃である。
【００３１】
このような工程においては、次亜リン酸浴を行うので、リン（Ｐ）が共析する。めっき金属は、第１の導電パターン１２と、第２の導電パターン１３との双方から等方成長するため、双方の第１，第２の導電パターン１２，１３の幅狭部１６，１７の形状に沿って成長しためっき金属が、ガラス基板１０の表面１０ａの第１の導電パターン１２と第２の導電パターン１３との中間地点まで成長することにより接触する。そして、図２に示すように、第１，第２の導電パターン１２，１３から成長しためっき金属１９，２０の接触部１８にさらにめっき液が供給され、接触面積が増えて行く。
【００３２】
第１，第２の導電パターン１２，１３同士が接続されたら、最後に置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用い、ｐＨ６〜８、浴温５０℃〜８０℃で、１分〜３０分間の浸漬を行う。このようにして、双方の第１，第２の導電パターン１２，１３上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成する。
以上により、双方の第１，第２の導電パターン１２，１３は、無電解めっきによって成長したバンプによって互いに電気的に接続される。
【００３３】
このように、本実施形態では、第１，第２の導電パターン１２，１３の端部１２ａ，１３ａに幅狭部１６，１７を有する形状となっているため、第１の導電パターン１２から成長しためっき金属１９と、第２の導電パターン１３から成長しためっき金属２０とが接触する際、これらめっき金属１９，２０の接触面積は、図３に示すような従来の導電パターン２１，２２から成長しためっき金属２３，２４の接触面積に比べて小さくなっている。したがって、めっき金属１９，２０の接触部１８における界面及び微小スペースの発生を抑えることができ、めっき金属１９，２０の剥離を防止することが可能となる。すなわち、各導電パターン１２，１３同士の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得た配線基板１を得ることが可能となる。
【００３４】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について、図４及び図５を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る配線基板１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る配線基板３０において、第１実施形態と導電パターン３１の形状で異なっている。
【００３５】
図４は、配線基板３０の構成を示す平面図（図４（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図４（ｂ））、図５は、導電パターン接続後の配線基板３０を示す平面図（図５（ａ））及びそのＢ−Ｂ’断面図（図５（ｂ））である。本実施形態の配線基板３０は、ガラス基板３０ａの表面３０ｂに導電パターン３１が形成されたものである。
上記導電パターン３１は、図４に示すように、対向して配置された、第１の導電パターン（導電パターン）３２と、第２の導電パターン（導電パターン）３３とを備えている。これら導電パターン３２，３３は、接続する側の端部３２ａ，３３ａにパターン本体３４，３５の幅Ｍより狭い幅の幅狭部３６，３７を複数（本実施形態では３個）有する形状となっている。
上記複数の幅狭部３６，３７は、第１実施形態と同様に、対向する第２，第１の導電パターン３３，３２の方向に向かって漸次幅が狭くなっている。
【００３６】
まず、第１実施形態と同様にして、フォトリソグラフィを用いて導電パターン３１を形成した後、各導電パターン３２，３３の電気的接続を行う。そして、第１実施形態と同様にして、無電解めっきＮｉめっき浴に浸漬すると、めっき金属は、第１の導電パターン３２と、第２の導電パターン３３の双方から等方成長するため、双方の第１，第２の導電パターン３２，３３の複数の幅狭部３６，３７の形状に沿って成長しためっき金属が、ガラス基板３０ａの表面３０ｂの第１の導電パターン３２に設けられた複数の幅狭部３６と第２の導電パターン３３に設けられた複数の幅狭部３７との中間地点まで成長することにより複数箇所において接触する。そして、図５に示すように、第１，第２の導電パターン３２，３３から成長しためっき金属３８，３９の接触部４０にさらにめっき液が供給され、接触面積が増えて行く。
このようにして、双方の第１，第２の導電パターン３２，３３上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成し、双方の第１，第２の導電パターン３２，３３は、無電解めっきによって成長したバンプによって互いに電気的に接続される。
【００３７】
このように、本実施形態では、第１，第２の導電パターン３２，３３の端部３２ａ，３３ａに幅狭部３６，３７を複数有する形状となっているため、複数箇所においてめっき金属の接触面積を小さくすることができる。すなわち、複数箇所においてめっき液が供給され易くなっているため、第１，第２の導電パターン３２，３３のそれぞれから成長しためっき金属の導通を確実に得ることができる。
【００３８】
［第３実施形態］
次に、本発明に係る第３実施形態について、図６及び図７を参照して説明する。
本実施形態に係る配線基板４０において、第１実施形態と導電パターン４１の形状で異なっている。
【００３９】
図６は、配線基板４０の構成を示す平面図（図６（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図６（ｂ））、図７は、導電パターン接続後の配線基板４０を示す平面図（図７（ａ））及びそのＢ−Ｂ’断面図（図７（ｂ））である。本実施形態の配線基板４０は、ガラス基板４０ａの表面４０ｂに導電パターン４１が形成されたものである。
上記導電パターン４１は、図６に示すように、対向して配置された一対の第１の導電パターン４２（一方の導電パターン）と及び第２の導電パターン（他方の導電パターン）４３とを備えている。これら導電パターン４２，４３は、接続する側の端部４２ａ，４３ａにパターン本体４４，４５の幅Ｎより狭い幅の幅狭部４６，４７を複数有する形状となっている。
上記複数の幅狭部４６，４７は、第１実施形態と同様に、対向する第２，第１の導電パターン４３，４２の方向に向かって漸次幅が狭くなっている。
また、導電パターン４１は、第１の導電パターン４２の幅狭部４６と、第２の導電パターン４３の幅狭部４７間の凹部４７ａとを対向配置する形状に形成されている。
【００４０】
まず、第１実施形態と同様にして、フォトリソグラフィを用いて導電パターン４１を形成した後、各導電パターン４２，４３の電気的接続を行う。そして、第１実施形態と同様にして、無電解めっきＮｉめっき浴に浸漬すると、めっき金属は、第１の導電パターン４２と、第２の導電パターン４３の双方から等方成長するため、双方の第１，第２の導電パターン４２，４３の複数の幅狭部４６，４７の形状に沿って成長しためっき金属４８，４９が、ガラス基板４０ａの表面４０ｂの第１の導電パターン４２に設けられた複数の幅狭部４６と第１の導電パターン４３に設けられた複数の幅狭部４７間の凹部４７ａとの中間地点まで成長することにより接触する。そして、さらにめっき金属４８，４９が成長すると、図７に示すように、第１の導電パターン４２と第２の導電パターン４３とのすべてにめっき金属４８，４９が供給される。
このようにして、双方の第１，第２の導電パターン４２，４３上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成し、双方の第１，第２の導電パターン４２，４３は、無電解めっきによって成長したバンプによって互いに電気的に接続される。
【００４１】
このように、本実施形態では、第１の導電パターン４２の幅狭部４６と、第２の導電パターン４３の幅狭部４７間の凹部４７ａとを対向配置する形状に形成されているため、第１の導電パターン４２の幅狭部４６から成長しためっき金属４８は、第２の導電パターン４３の幅狭部４７間の凹部４７ａから成長しためっき金属４９と接触する際、これらめっき金属の接触面積を小さくすることができる。そして、めっき金属の成長が進むにつれて、接触面積は次第に大きくなるため、導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることが可能となる。
なお、本実施形態において、第１，第２の導電パターン４２，４３に幅狭部４６，４７を複数設けたが、図８に示すように、対向する導電パターンの一方の電極パターン５１に幅狭部５２を一つ設け、他方の電極パターン５３に、幅狭部５２に対応した凹部５４を設けた形状であっても、同様な効果が得られる。
【００４２】
［第４実施形態］
次に、本発明に係る第４実施形態について、図９から図１１を参照して説明する。
まず、本発明の第４実施形態に係る半導体基板の製造方法を用いて製造された電気光学装置の構成について、図９を参照して説明する。図９は電気光学装置の概略構成を示す断面図であって、電気光学装置５５は少なくとも基板接合体５６を具備しており、該基板接合体５６は半導体基板６０と有機ＥＬ基板５７とが貼り合わされた構成を具備している。
【００４３】
図１０は、半導体基板６０の構成を示す平面図（図１０（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図１０（ｂ））、図１１は、導電パターン接続後の半導体基板６０を示す平面図である。
半導体基板６０は、図９及び図１０に示すように、配線基板６１と、配線基板６１に形成された所定形状の導電パターン（基板側導電パターン）６２と、有機ＥＬ素子５８等を駆動させるＴＦＴ（半導体素子）６３と、ＴＦＴ６３に形成された所定形状の導電パターン（素子側導電パターン）６４とを備えている。なお、導電パターン６２は、ＴＦＴ６３に形成された導電パターン６４に応じて形成されるものである。
【００４４】
まず、半導体基板６１の製造プロセスにおいては、半導体素子の形成方法として、配線基板１０に対して半導体素子たるＴＦＴを複数転写させる方法を採用している。つまり、導電パターン６２を有する配線基板６１に対して、ＴＦＴ６３を有する基板（以下「素子基板」という）を貼り合わせ、該ＴＦＴ６３を配線基板６１側に転写させることで、半導体基板６１を得ている。
【００４５】
まず、図１０に示した配線基板６１上に導電パターン６２を形成する工程について説明する。
はじめに、ガラス基板６５を用意し、第１実施形態と同様に、金属導電材料を成膜した後、フォトリソグラフィを用いて、図１０に示すように、図１に示した第１，第２の導電パターン１２，１３と同様の形状の導電パターン６２を形成する。この導電パターン６２は、ＴＦＴ６３の貼合わせ領域６３ａを挟んで対向する配置とされている。また、導電パターン６２は、接続する側の端部６２ａに設けられた幅狭部６６は、ＴＦＴ６３に向かって漸次幅が狭くなっている。
【００４６】
次に、素子基板の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板（図示略）を用意する。ガラス基板としては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板の表面にＴＦＴ６３を形成する。ＴＦＴ６３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略する。なお、ここではＴＦＴ６３の導電パターン６４がガラス基板の直上に位置するように、つまりＴＦＴ６３の導電パターン６４がガラス基板の表面に面するように、該ＴＦＴ６３を公知の高温プロセス技術にて形成するものとしている。また、導電パターン６４は、図１０に示すように、図１に示した第１，第２の導電パターン１２，１３と同様の形状の導電パターン６４が形成されている。この導電パターン６４は、配線基板６１に形成された導電パターン６２と対向する位置に設けられており、導電パターン６４の接続する側の端部６４ａに設けられた幅狭部６７は、ＴＦＴ６３の端部、すなわち、導電パターン６２に向かって漸次幅が狭くなっている。
【００４７】
なお、ガラス基板のＴＦＴ１３が形成された表面には、剥離層（図示略）が形成されている。剥離層は、レーザ光等の照射により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００４８】
以上のような方法により製造した配線基板６１の貼合せ領域６３ａに接着剤５９を塗布し、素子基板（図示略）を貼り合わせる。
その後、ガラス基板６５の裏面側（素子基板のＴＦＴ６３が形成されていない側の面）から、レーザ光を照射する。そうすると、剥離層の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ６３とガラス基板との結合力が完全になくなり、レーザ光が照射された部分のガラス基板とＴＦＴ６３との結合（接着）を容易に取り外すことが可能となる。
以上のようなレーザ光照射により、ＴＦＴ６３からガラス基板を剥離することで、図１０（ｂ）に示したように、配線基板６１の導電パターン６２の表面と、ＴＦＴ６３の導電パターン６４の表面とが、それぞれ同方向（上方向）を指向する形にて配置されるようになる。
【００４９】
以上のように、配線基板６１上にＴＦＴ６３を実装した後、配線基板６１に形成された導電パターン６２と、ＴＦＴ６３に形成された導電パターン６４との電気的接続を行う。この場合も、第１実施形態と同様にして、無電解めっきＮｉめっき浴に浸漬すると、めっき金属は、導電パターン６２と、導電パターン６４の双方から等方成長するため、双方の導電パターン６２，６４の幅狭部６６，６７の形状に沿って成長しためっき金属６８，６９が、ＴＦＴ６３の側面６３ｂの略半分の高さの位置まで成長することより接合する。そして、図１１に示すように、導電パターン６２，６４から成長しためっき金属６８，６９の接触部７０にさらにめっき液が供給され、接触面積が増えて行く。
このようにして、双方の導電パターン６２，６４上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成し、双方の導電パターン６２，６４は、無電解めっきによって成長したバンプによって互いに電気的に接続される。
【００５０】
このように、本実施形態では、導電パターン６２，６４の端部６２ａ，６４ａに幅狭部６６，６７を有する形状とすることにより、めっき金属６８，６９の接触面積を小さくすることができる。このため、めっき金属６８，６９の接触部分には、めっき液が供給され易くなり、配線基板６１側の導電パターン６２とＴＦＴ６３側の導電パターン６４との接続する際の処理時間の短縮を図ることができる。また、配線基板６１側の導電パターン６２とＴＦＴ６３側の導電パターン６４との導通を確実に確保することができるため、高い接続信頼性を得た半導体基板６０を製造することが可能となる。
【００５１】
なお、本実施形態において、配線基板６１側の導電パターン６２及びＴＦＴ６３側の導電パターン６４の端部に幅狭部を１つ設けたが、第２実施形態に示したように、複数設けた形状であっても良く、さらには第３実施形態に示したように、配線基板６１側の導電パターン６２及びＴＦＴ６３側の導電パターン６４のうち一方の導電パターンの幅狭部と、他方の導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状であっても良い。
【００５２】
次に、上記電気光学装置を用いた電子機器として、例えば、有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について、図１２を用いて説明する。図１２は、携帯電話１０００の斜視図である。有機ＥＬ装置は、半導体基板上に有機ＥＬ素子を備えた構成となっており、この半導体基板に本発明の半導体基板が用いられている。
本実施形態の半導体基板は、前記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々、種々の電子機器に適用することができる。いずれの電子機器においても、本発明の半導体基板を適用することで、高性能な電子機器を製造することができる。
【００５３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態において、導電パターンは先端が尖った形状に限らず、パターン本体より幅狭が狭くなっていれば良いため、例えば図１３に示すように、導電パターン７５は、パターン本体７６より幅の狭い突起部７７が形成された形状であっても良い。また、すべての導電パターンにおいて、幅狭部を設けた形状にしたが、接続する複数の導電パターンのうちの少なくとも一つの導電パターンの接続する側の端部に幅狭部が形成されていれば良い。
また、導電パターン１２，１３，３２，３３，４２，４３，６２，６４を構成する材料としては、例えばＡｌ，Ｃｕ等の金属導電材料の他、ＴｉＮ等の金属窒化膜を用いても良い。
【００５４】
また、第１実施形態から第３実施形態において、配線基板１０の同一平面状に導電パターン１２，１３，３２，３３，４２，４３を形成したが、図１４に示すように、段差があるガラス基板８１に導電パターン８２，８３を設けた配線基板８０であっても良い。この構成の場合も、それぞれの導電パターン８１，８２から成長しためっき金属の接触面積を小さくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線基板を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図２】本発明の第１実施形態に係る配線基板の導電パターン接続後を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図３】従来の導電パターンを示す平面図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る配線基板を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図５】本発明の第２実施形態に係る配線基板の導電パターン接続後を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図６】本発明の第３実施形態に係る配線基板を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図７】本発明の第３実施形態に係る配線基板の導電パターン接続後を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図８】本発明の第３実施形態に係る配線基板の変形例を示す平面図。
【図９】本発明の第４実施形態に係る半導体基板及び電気光学装置の概略構成を示す断面図。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る半導体基板を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る配線基板の導電パターン接続後を示す断面図。
【図１２】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【図１３】上記実施形態に係る導電パターンの変形例を示す平面図。
【図１４】上記実施形態に係る配線基板の変形例を示す断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１０，６１，８０…配線基板、１２…第１の導電パターン（導電パターン）、１３…第２の導電パターン（導電パターン）、１４，１５，３４，３５，４４，４５…パターン本体、１６，１７，３６，３７，４６，４７，５２，６６，６７…幅狭部、３２…第１の導電パターン（導電パターン）、３３…第２の導電パターン（導電パターン）、４２…第１の導電パターン（一方の導電パターン）、４３…第２の導電パターン（他方の導電パターン）、６２…導電パターン（基板側導電パターン）、６３…TFT（半導体素子）、６４…導電パターン（素子側導電パターン）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、配線基板、半導体基板の製造方法、半導体基板及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する）装置等の電気光学装置として、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）等の半導体素子を基板上に備えた構成を含むものが知られている。このような半導体素子を含む半導体基板の製造に際しては、高温プロセスを必要とする場合が多いため、該半導体素子を基板上に形成して電気光学装置を構成すると、基板の熱変形や周辺の回路素子の破壊、寿命低下を招いてしまい、結果として当該電気光学装置の特性低下を引き起こす惧れがあった。
【０００３】
そこで、近年では、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術を用いてＴＦＴ等の半導体素子を耐熱性の基礎基板上に形成した後に、当該基礎基板からＴＦＴが形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを配線基板に貼り付けることによって電気光学装置を製造する転写技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような転写技術を用いることにより、比較的耐熱性の低いプラスチック基板等の上に半導体素子を形成することができ、当該電気光学装置の設計の幅が広がるとともに、周辺の回路素子を高温プロセスに曝すこともなく、結果的に基板の熱変形や回路素子の破壊を抑制し、好適な電気光学装置を提供することが可能となる。
【特許文献１】特開２００３−０３１７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した転写技術において、半導体素子を配線基板に実装するには、配線基板上に形成したバンプ上に導電性粒子を印刷して配置し、さらに硬化性樹脂を介して半導体素子を転写した後に、加熱加圧により配線基板と半導体素子とを接合させている。しかしながら、オープン不良を回避すべく加熱加圧量を高めると、半導体素子が破損、損傷してしまう惧れがあった。
そこで、半導体素子の接続端子（導電パターン）が上面を向くように配線基板上に転写する方法が提案されている。この場合の実装方法として、配線基板の接続端子（導電パターン）および半導体素子の接続端子の両方から、無電解めっき法によりめっきを成長させ、両者の導通をとる方法が採用されている。また、配線基板上に配された複数の導電パターン同士を接続する方法としても無電解めっき法が採用されている。
【０００５】
しかしながら、接続端子の形状は、一般的に矩形状であるため、異なる接続端子から成長させためっきの出合部（接触部）では、両めっき間に微小な隙間が形成されるので、両めっきは接合されにくくなる。しかも、接続端子の狭ピッチ化に伴って、両めっきの出合部には、横からめっき液が流入しにくくなっている。そして、出合部に隙間を保持したまま両めっきが成長すると、接続端子間の導通が得られないか、又は接続信頼性が確保できないという問題が発生する。また、異なる接続端子から成長させためっきの出合部は、面（線）接触となるため、出合部には界面が発生し、この界面においてめっきが剥離してしまうという問題が生じる。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、導電パターン同士の導通を確実に得ることができる配線基板の製造方法、配線基板、半導体基板の製造方法、半導体基板さらには電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の配線基板の製造方法は、間隔をあけて設けられた複数の導電パターンを接続する工程を含む配線基板の製造方法であって、前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一つの導電パターンの接続する側の端部にパターン本体よりも幅狭の幅狭部を有する形状となるように、前記複数の導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記複数の導電パターンを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る配線基板の製造方法では、複数の導電パターンのうち少なくとも一つの接続する側の端部に幅狭部を有する形状に形成した後、導電パターン同士を無電解めっきにより電気的に接続をとるものとしている。このとき、導電パターンの幅狭部から成長しためっき金属は、幅狭部の形状に沿って成長するので、他の導電パターンから成長しためっき金属と接触する際、これらめっき金属の接触面積は従来に比べて小さくなっている。このため、めっき金属の接触部分には、めっき液が供給され易くなり、導電パターン同士の接続する際の処理時間の短縮を図ることができる。また、それぞれの導電パターンから成長しためっき金属の接触面積を小さくすることができるため、めっき金属の接触部における界面及び微小スペースの発生を抑えることができ、従来のような界面におけるめっき金属の剥離を防止することが可能となる。したがって、導電パターン同士の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることが可能となる。
【０００８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であることが好ましい。
本発明に係る配線基板の製造方法では、幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であるため、幅狭部から成長しためっき金属は、他の導電パターンから成長しためっき金属と接触する際、点接触に近い状態となるため、接触面積を最も小さくすることができる。したがって、導電パターン同士の導通を、さらに確実に確保することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記導電パターン形成工程において、前記少なくとも一つの導電パターンと接続する側の端部に前記幅狭部を複数有する形状となるように、前記複数の導電パターンを形成することが好ましい。
【００１０】
本発明に係る配線基板の製造方法では、導電パターンのうち少なくとも一つの接続する側の端部に幅狭部を複数有する形状に形成した後、それぞれ導電パターンからめっき金属を成長させた際、導電パターンに幅狭部が複数形成されているため、複数箇所においてめっき金属の接触面積を小さくすることができる。すなわち、複数箇所においてめっき液が供給され易くなっているため、それぞれの導電パターンから成長しためっき金属の導通を確実に得ることができる。
【００１１】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記導電パターン形成工程において、対向する一対の前記導電パターンの互いに接続する側の端部に前記幅狭部がそれぞれ設けられ、一方の前記導電パターンの幅狭部と、他方の前記導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状となるように、一対の前記導電パターンを形成することが好ましい。
【００１２】
本発明に係る配線基板の製造方法では、一対の導電パターンの一方の導電パターンの幅狭部と、他方の導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状に形成した後、一対の導電パターンからめっき金属を成長させる。このとき、一方の導電パターンの幅狭部から成長しためっき金属は、他方の導電パターンの幅狭部間の凹部から成長しためっき金属と接触する際、これらめっき金属の接触面積を小さくすることができる。そして、めっき金属の成長が進むにつれて、接触面積は次第に大きくなるため、導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることが可能となる。
【００１３】
また、本発明の配線基板は、上記の配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係る配線基板では、上記配線基板の製造方法を用いることにより、導電パターン同士を確実に導通することができるため、信頼性の高い基板を得ることが可能となる。
【００１４】
本発明の半導体基板の製造方法は、配線基板上に半導体素子が実装されてなり、前記配線基板上の基板側導電パターンと前記半導体素子上の素子側導電パターンとを電気的に接続する工程を含む半導体基板の製造方法であって、前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンの少なくとも一方の他方の導電パターンと接続する側の端部にパターン本体よりも幅狭の幅狭部を有する形状となるように、前記各導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記配線基板上に半導体素子を実装する素子実装工程と、前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンとを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る半導体基板の製造方法では、基板側導電パターンと素子側導電パターンとのうち少なくとも一方の接続する側の端部に幅狭部を有する形状に形成した後、配線基板上に半導体素子を実装する。そして、基板側導電パターンと素子側導電パターンとをめっき金属により電気的に接続をとるものとしている。このとき、上述した配線基板の製造方法と同様に、それぞれの導電パターンから成長しためっき金属の接触面積を小さくすることができるため、めっき金属の剥離を防止することが可能となる。したがって、基板側導電パターンと素子側導電パターンとの導通を確実に確保することができるため、高い接続信頼性を得た半導体基板を製造することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であることが好ましい。
本発明に係る半導体基板の製造方法では、上述した配線基板の製造方法と同様に、それぞれから成長しためっき金属同士が点接触に近い状態となるため、導電パターン同士の導通を、さらに確実に確保することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記導電パターン形成工程において、前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンの少なくとも一方の導電パターンと接続する側の端部に前記幅狭部を複数有する形状となるように、前記各導電パターンを形成することが好ましい。
【００１８】
本発明に係る半導体基板の製造方法では、基板側導電パターンと素子側導電パターンのうち少なくとも一方の接続する側の端部に幅狭部を複数有する形状に形成した後、基板側導電パターンと素子側導電パターンとからめっき金属を成長させた際、上述した配線基板の製造方法と同様に、複数箇所においてめっき液が供給され易くなっているため、基板側導電パターンと素子側導電パターンとから成長しためっき金属の導通を確実に得ることができる。
【００１９】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、前記導電パターン形成工程において、対向する一対の前記基板側導電パターン及び前記素子側導電パターンの互いに接続する側の端部に前記幅狭部がそれぞれ設けられ、一方の前記導電パターンの幅狭部と、他方の前記導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状となるように、一対の前記基板側導電パターン及び前記素子側導電パターンを形成することが好ましい。
【００２０】
本発明に係る半導体基板の製造方法では、一対の基板側導電パターン及び素子側導電パターンの一方の導電パターン幅狭部と、他方の導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置するように形成した後、一対の基板側導電パターン及び素子側導電パターンとからめっき金属を成長させる。このとき、上述した配線基板の製造方法と同様に、めっき金属の成長が進むにつれて、接触面積は次第に大きくなるため、導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることが可能となる。
【００２１】
また、本発明の半導体基板は、上記の半導体基板の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係る半導体基板では、上記半導体基板の製造方法を用いることにより、基板側導電パターン及び素子側導電パターンとを確実に導通することができる。その結果、信頼性の高い半導体基板を製造することができる。
【００２２】
また、本発明の電気光学装置は、発光素子を駆動するためのスイッチング素子が配線基板に実装されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記スイッチング素子として半導体素子を用い、該半導体素子を前記配線基板に実装する工程として、上記の半導体基板の製造方法を用いることを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置の製造方法では、素子特性が良好で非常に信頼性の高い電気光学装置を得ることができる。
なお、本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２５】
［第１実施形態］
まず、本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造方法を用いて製造された配線基板１の構成について、図１を参照して説明する。
図１は、配線基板１の構成を示す平面図（図１（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図１（ｂ））、図２は、導電パターン接続後の配線基板１を示す平面図（図２（ａ））及びそのＢ−Ｂ’断面図（図２（ｂ））である。本実施形態の配線基板１は、ガラス基板１０の表面１０ａに導電パターン１１が形成されたものである。
【００２６】
（１−１．導電パターンの形成工程）
まず、図１に示した配線基板１上に導電パターン１１を形成する工程について説明する。
はじめに、ガラス基板１０を用意する。ガラス基板１０としては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、このガラス基板１０の表面１０ａに、Ａｌ，Ｃｕ等の金属導電材料を成膜する。このように、金属導電材料が成膜されたガラス基板をフォトリソグラフィを用いて加工を行う。まず、金属導電材料の膜上に、紫外線反応型レジスト等のフォトレジスト（ネガ型、ポジ型のいずれでも良い）を塗布してレジスト層（図示略）を形成する。そして、このレジスト層上に、所定の形状のフォトマスクを設置した状態で、紫外光等の光源を用いてフォトレジスト層を露光する。なお、本実施形態ではネガ型フォトレジストを用いている。
【００２７】
そして、露光工程が終了した後、現像処理を行う。ここで、ネガ型のフォトレジストは溶剤に溶ける性質を持っているため、光化学反応によって光が照射されたレジスト層は、溶剤に不溶となり、残ることになる。
さらに、マスクパターンが形成された金属導電材の膜に、エッチングを施して、ガラス基板１０上に所望の形状の導電パターン１１を形成する。
【００２８】
この導電パターン１１は、図１に示すように、対向して配置された、第１の導電パターン（導電パターン）１２と、第２の導電パターン（導電パターン）１３とを備えている。これら導電パターン１２，１３は、接続する側の端部１２ａ，１３ａにパターン本体１４，１５の幅Ｌより狭い幅の幅狭部１６，１７を有する形状となっている。なお、ここでの幅とは、第１の導電パターン１２と第２の導電パターン１３とを接続する方向（図１に示すＸ方向）に垂直な方向（図１に示すＹ方向）の長さを示している。
上記幅狭部１６，１７は、対向する導電パターンの方向（第１の導電パターン１２は第２の導電パターン１３の方向，第２の導電パターン１３は第２の導電パターン１２の方向）に向かって漸次幅が狭くなるとともに、先端が尖った形状となっている。
【００２９】
（１−２．導電パターン接続工程）
以上の導電パターン１１を形成した後、各導電パターン１２，１３の電気的接続を行う。ここでは、無電解めっき処理法を用いて接続するものとしている。まず、各導電パターン１２，１３の表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。本実施形態では、フッ酸が０．０１％〜０．１％、及び硫酸が０．０１％〜０．１％含有した水溶液中に１分〜５分間含浸する。あるいは０．１％〜１０％の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に１分〜１０分浸漬してもよい。
【００３０】
次に、水酸化ナトリウムベースでｐＨが９〜１３のアルカリ性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬し、表面の酸化膜を除去する。あるいは５％〜３０％硝酸をベースとしたｐＨ１〜３の酸性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬してもよい。
さらに、ＺｎＯを含有したｐＨ１１〜１３のジンケート液中に１秒〜２分間浸漬し、端子表面をＺｎに置換する。その後、５％〜３０％の硝酸水溶液に１秒〜６０秒浸漬し、Ｚｎを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に１秒〜２分浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。その後、無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、Ｎｉめっきを形成する。
めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８０℃〜９５℃である。
【００３１】
このような工程においては、次亜リン酸浴を行うので、リン（Ｐ）が共析する。めっき金属は、第１の導電パターン１２と、第２の導電パターン１３との双方から等方成長するため、双方の第１，第２の導電パターン１２，１３の幅狭部１６，１７の形状に沿って成長しためっき金属が、ガラス基板１０の表面１０ａの第１の導電パターン１２と第２の導電パターン１３との中間地点まで成長することにより接触する。そして、図２に示すように、第１，第２の導電パターン１２，１３から成長しためっき金属１９，２０の接触部１８にさらにめっき液が供給され、接触面積が増えて行く。
【００３２】
第１，第２の導電パターン１２，１３同士が接続されたら、最後に置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用い、ｐＨ６〜８、浴温５０℃〜８０℃で、１分〜３０分間の浸漬を行う。このようにして、双方の第１，第２の導電パターン１２，１３上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成する。
以上により、双方の第１，第２の導電パターン１２，１３は、無電解めっきによって成長したバンプによって互いに電気的に接続される。
【００３３】
このように、本実施形態では、第１，第２の導電パターン１２，１３の端部１２ａ，１３ａに幅狭部１６，１７を有する形状となっているため、第１の導電パターン１２から成長しためっき金属１９と、第２の導電パターン１３から成長しためっき金属２０とが接触する際、これらめっき金属１９，２０の接触面積は、図３に示すような従来の導電パターン２１，２２から成長しためっき金属２３，２４の接触面積に比べて小さくなっている。したがって、めっき金属１９，２０の接触部１８における界面及び微小スペースの発生を抑えることができ、めっき金属１９，２０の剥離を防止することが可能となる。すなわち、各導電パターン１２，１３同士の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得た配線基板１を得ることが可能となる。
【００３４】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について、図４及び図５を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る配線基板１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る配線基板３０において、第１実施形態と導電パターン３１の形状で異なっている。
【００３５】
図４は、配線基板３０の構成を示す平面図（図４（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図４（ｂ））、図５は、導電パターン接続後の配線基板３０を示す平面図（図５（ａ））及びそのＢ−Ｂ’断面図（図５（ｂ））である。本実施形態の配線基板３０は、ガラス基板３０ａの表面３０ｂに導電パターン３１が形成されたものである。
上記導電パターン３１は、図４に示すように、対向して配置された、第１の導電パターン（導電パターン）３２と、第２の導電パターン（導電パターン）３３とを備えている。これら導電パターン３２，３３は、接続する側の端部３２ａ，３３ａにパターン本体３４，３５の幅Ｍより狭い幅の幅狭部３６，３７を複数（本実施形態では３個）有する形状となっている。
上記複数の幅狭部３６，３７は、第１実施形態と同様に、対向する第２，第１の導電パターン３３，３２の方向に向かって漸次幅が狭くなっている。
【００３６】
まず、第１実施形態と同様にして、フォトリソグラフィを用いて導電パターン３１を形成した後、各導電パターン３２，３３の電気的接続を行う。そして、第１実施形態と同様にして、無電解めっきＮｉめっき浴に浸漬すると、めっき金属は、第１の導電パターン３２と、第２の導電パターン３３の双方から等方成長するため、双方の第１，第２の導電パターン３２，３３の複数の幅狭部３６，３７の形状に沿って成長しためっき金属が、ガラス基板３０ａの表面３０ｂの第１の導電パターン３２に設けられた複数の幅狭部３６と第２の導電パターン３３に設けられた複数の幅狭部３７との中間地点まで成長することにより複数箇所において接触する。そして、図５に示すように、第１，第２の導電パターン３２，３３から成長しためっき金属３８，３９の接触部４０にさらにめっき液が供給され、接触面積が増えて行く。
このようにして、双方の第１，第２の導電パターン３２，３３上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成し、双方の第１，第２の導電パターン３２，３３は、無電解めっきによって成長したバンプによって互いに電気的に接続される。
【００３７】
このように、本実施形態では、第１，第２の導電パターン３２，３３の端部３２ａ，３３ａに幅狭部３６，３７を複数有する形状となっているため、複数箇所においてめっき金属の接触面積を小さくすることができる。すなわち、複数箇所においてめっき液が供給され易くなっているため、第１，第２の導電パターン３２，３３のそれぞれから成長しためっき金属の導通を確実に得ることができる。
【００３８】
［第３実施形態］
次に、本発明に係る第３実施形態について、図６及び図７を参照して説明する。
本実施形態に係る配線基板４０において、第１実施形態と導電パターン４１の形状で異なっている。
【００３９】
図６は、配線基板４０の構成を示す平面図（図６（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図６（ｂ））、図７は、導電パターン接続後の配線基板４０を示す平面図（図７（ａ））及びそのＢ−Ｂ’断面図（図７（ｂ））である。本実施形態の配線基板４０は、ガラス基板４０ａの表面４０ｂに導電パターン４１が形成されたものである。
上記導電パターン４１は、図６に示すように、対向して配置された一対の第１の導電パターン４２（一方の導電パターン）と及び第２の導電パターン（他方の導電パターン）４３とを備えている。これら導電パターン４２，４３は、接続する側の端部４２ａ，４３ａにパターン本体４４，４５の幅Ｎより狭い幅の幅狭部４６，４７を複数有する形状となっている。
上記複数の幅狭部４６，４７は、第１実施形態と同様に、対向する第２，第１の導電パターン４３，４２の方向に向かって漸次幅が狭くなっている。
また、導電パターン４１は、第１の導電パターン４２の幅狭部４６と、第２の導電パターン４３の幅狭部４７間の凹部４７ａとを対向配置する形状に形成されている。
【００４０】
まず、第１実施形態と同様にして、フォトリソグラフィを用いて導電パターン４１を形成した後、各導電パターン４２，４３の電気的接続を行う。そして、第１実施形態と同様にして、無電解めっきＮｉめっき浴に浸漬すると、めっき金属は、第１の導電パターン４２と、第２の導電パターン４３の双方から等方成長するため、双方の第１，第２の導電パターン４２，４３の複数の幅狭部４６，４７の形状に沿って成長しためっき金属４８，４９が、ガラス基板４０ａの表面４０ｂの第１の導電パターン４２に設けられた複数の幅狭部４６と第１の導電パターン４３に設けられた複数の幅狭部４７間の凹部４７ａとの中間地点まで成長することにより接触する。そして、さらにめっき金属４８，４９が成長すると、図７に示すように、第１の導電パターン４２と第２の導電パターン４３とのすべてにめっき金属４８，４９が供給される。
このようにして、双方の第１，第２の導電パターン４２，４３上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成し、双方の第１，第２の導電パターン４２，４３は、無電解めっきによって成長したバンプによって互いに電気的に接続される。
【００４１】
このように、本実施形態では、第１の導電パターン４２の幅狭部４６と、第２の導電パターン４３の幅狭部４７間の凹部４７ａとを対向配置する形状に形成されているため、第１の導電パターン４２の幅狭部４６から成長しためっき金属４８は、第２の導電パターン４３の幅狭部４７間の凹部４７ａから成長しためっき金属４９と接触する際、これらめっき金属の接触面積を小さくすることができる。そして、めっき金属の成長が進むにつれて、接触面積は次第に大きくなるため、導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることが可能となる。
なお、本実施形態において、第１，第２の導電パターン４２，４３に幅狭部４６，４７を複数設けたが、図８に示すように、対向する導電パターンの一方の電極パターン５１に幅狭部５２を一つ設け、他方の電極パターン５３に、幅狭部５２に対応した凹部５４を設けた形状であっても、同様な効果が得られる。
【００４２】
［第４実施形態］
次に、本発明に係る第４実施形態について、図９から図１１を参照して説明する。
まず、本発明の第４実施形態に係る半導体基板の製造方法を用いて製造された電気光学装置の構成について、図９を参照して説明する。図９は電気光学装置の概略構成を示す断面図であって、電気光学装置５５は少なくとも基板接合体５６を具備しており、該基板接合体５６は半導体基板６０と有機ＥＬ基板５７とが貼り合わされた構成を具備している。
【００４３】
図１０は、半導体基板６０の構成を示す平面図（図１０（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図１０（ｂ））、図１１は、導電パターン接続後の半導体基板６０を示す平面図である。
半導体基板６０は、図９及び図１０に示すように、配線基板６１と、配線基板６１に形成された所定形状の導電パターン（基板側導電パターン）６２と、有機ＥＬ素子５８等を駆動させるＴＦＴ（半導体素子）６３と、ＴＦＴ６３に形成された所定形状の導電パターン（素子側導電パターン）６４とを備えている。なお、導電パターン６２は、ＴＦＴ６３に形成された導電パターン６４に応じて形成されるものである。
【００４４】
まず、半導体基板６１の製造プロセスにおいては、半導体素子の形成方法として、配線基板１０に対して半導体素子たるＴＦＴを複数転写させる方法を採用している。つまり、導電パターン６２を有する配線基板６１に対して、ＴＦＴ６３を有する基板（以下「素子基板」という）を貼り合わせ、該ＴＦＴ６３を配線基板６１側に転写させることで、半導体基板６１を得ている。
【００４５】
まず、図１０に示した配線基板６１上に導電パターン６２を形成する工程について説明する。
はじめに、ガラス基板６５を用意し、第１実施形態と同様に、金属導電材料を成膜した後、フォトリソグラフィを用いて、図１０に示すように、図１に示した第１，第２の導電パターン１２，１３と同様の形状の導電パターン６２を形成する。この導電パターン６２は、ＴＦＴ６３の貼合わせ領域６３ａを挟んで対向する配置とされている。また、導電パターン６２は、接続する側の端部６２ａに設けられた幅狭部６６は、ＴＦＴ６３に向かって漸次幅が狭くなっている。
【００４６】
次に、素子基板の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板（図示略）を用意する。ガラス基板としては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板の表面にＴＦＴ６３を形成する。ＴＦＴ６３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略する。なお、ここではＴＦＴ６３の導電パターン６４がガラス基板の直上に位置するように、つまりＴＦＴ６３の導電パターン６４がガラス基板の表面に面するように、該ＴＦＴ６３を公知の高温プロセス技術にて形成するものとしている。また、導電パターン６４は、図１０に示すように、図１に示した第１，第２の導電パターン１２，１３と同様の形状の導電パターン６４が形成されている。この導電パターン６４は、配線基板６１に形成された導電パターン６２と対向する位置に設けられており、導電パターン６４の接続する側の端部６４ａに設けられた幅狭部６７は、ＴＦＴ６３の端部、すなわち、導電パターン６２に向かって漸次幅が狭くなっている。
【００４７】
なお、ガラス基板のＴＦＴ１３が形成された表面には、剥離層（図示略）が形成されている。剥離層は、レーザ光等の照射により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００４８】
以上のような方法により製造した配線基板６１の貼合せ領域６３ａに接着剤５９を塗布し、素子基板（図示略）を貼り合わせる。
その後、ガラス基板６５の裏面側（素子基板のＴＦＴ６３が形成されていない側の面）から、レーザ光を照射する。そうすると、剥離層の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ６３とガラス基板との結合力が完全になくなり、レーザ光が照射された部分のガラス基板とＴＦＴ６３との結合（接着）を容易に取り外すことが可能となる。
以上のようなレーザ光照射により、ＴＦＴ６３からガラス基板を剥離することで、図１０（ｂ）に示したように、配線基板６１の導電パターン６２の表面と、ＴＦＴ６３の導電パターン６４の表面とが、それぞれ同方向（上方向）を指向する形にて配置されるようになる。
【００４９】
以上のように、配線基板６１上にＴＦＴ６３を実装した後、配線基板６１に形成された導電パターン６２と、ＴＦＴ６３に形成された導電パターン６４との電気的接続を行う。この場合も、第１実施形態と同様にして、無電解めっきＮｉめっき浴に浸漬すると、めっき金属は、導電パターン６２と、導電パターン６４の双方から等方成長するため、双方の導電パターン６２，６４の幅狭部６６，６７の形状に沿って成長しためっき金属６８，６９が、ＴＦＴ６３の側面６３ｂの略半分の高さの位置まで成長することより接合する。そして、図１１に示すように、導電パターン６２，６４から成長しためっき金属６８，６９の接触部７０にさらにめっき液が供給され、接触面積が増えて行く。
このようにして、双方の導電パターン６２，６４上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成し、双方の導電パターン６２，６４は、無電解めっきによって成長したバンプによって互いに電気的に接続される。
【００５０】
このように、本実施形態では、導電パターン６２，６４の端部６２ａ，６４ａに幅狭部６６，６７を有する形状とすることにより、めっき金属６８，６９の接触面積を小さくすることができる。このため、めっき金属６８，６９の接触部分には、めっき液が供給され易くなり、配線基板６１側の導電パターン６２とＴＦＴ６３側の導電パターン６４との接続する際の処理時間の短縮を図ることができる。また、配線基板６１側の導電パターン６２とＴＦＴ６３側の導電パターン６４との導通を確実に確保することができるため、高い接続信頼性を得た半導体基板６０を製造することが可能となる。
【００５１】
なお、本実施形態において、配線基板６１側の導電パターン６２及びＴＦＴ６３側の導電パターン６４の端部に幅狭部を１つ設けたが、第２実施形態に示したように、複数設けた形状であっても良く、さらには第３実施形態に示したように、配線基板６１側の導電パターン６２及びＴＦＴ６３側の導電パターン６４のうち一方の導電パターンの幅狭部と、他方の導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状であっても良い。
【００５２】
次に、上記電気光学装置を用いた電子機器として、例えば、有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について、図１２を用いて説明する。図１２は、携帯電話１０００の斜視図である。有機ＥＬ装置は、半導体基板上に有機ＥＬ素子を備えた構成となっており、この半導体基板に本発明の半導体基板が用いられている。
本実施形態の半導体基板は、前記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々、種々の電子機器に適用することができる。いずれの電子機器においても、本発明の半導体基板を適用することで、高性能な電子機器を製造することができる。
【００５３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態において、導電パターンは先端が尖った形状に限らず、パターン本体より幅狭が狭くなっていれば良いため、例えば図１３に示すように、導電パターン７５は、パターン本体７６より幅の狭い突起部７７が形成された形状であっても良い。また、すべての導電パターンにおいて、幅狭部を設けた形状にしたが、接続する複数の導電パターンのうちの少なくとも一つの導電パターンの接続する側の端部に幅狭部が形成されていれば良い。
また、導電パターン１２，１３，３２，３３，４２，４３，６２，６４を構成する材料としては、例えばＡｌ，Ｃｕ等の金属導電材料の他、ＴｉＮ等の金属窒化膜を用いても良い。
【００５４】
また、第１実施形態から第３実施形態において、配線基板１０の同一平面状に導電パターン１２，１３，３２，３３，４２，４３を形成したが、図１４に示すように、段差があるガラス基板８１に導電パターン８２，８３を設けた配線基板８０であっても良い。この構成の場合も、それぞれの導電パターン８１，８２から成長しためっき金属の接触面積を小さくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線基板を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図２】本発明の第１実施形態に係る配線基板の導電パターン接続後を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図３】従来の導電パターンを示す平面図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る配線基板を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図５】本発明の第２実施形態に係る配線基板の導電パターン接続後を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図６】本発明の第３実施形態に係る配線基板を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図７】本発明の第３実施形態に係る配線基板の導電パターン接続後を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図８】本発明の第３実施形態に係る配線基板の変形例を示す平面図。
【図９】本発明の第４実施形態に係る半導体基板及び電気光学装置の概略構成を示す断面図。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る半導体基板を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る配線基板の導電パターン接続後を示す断面図。
【図１２】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【図１３】上記実施形態に係る導電パターンの変形例を示す平面図。
【図１４】上記実施形態に係る配線基板の変形例を示す断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１０，６１，８０…配線基板、１２…第１の導電パターン（導電パターン）、１３…第２の導電パターン（導電パターン）、１４，１５，３４，３５，４４，４５…パターン本体、１６，１７，３６，３７，４６，４７，５２，６６，６７…幅狭部、３２…第１の導電パターン（導電パターン）、３３…第２の導電パターン（導電パターン）、４２…第１の導電パターン（一方の導電パターン）、４３…第２の導電パターン（他方の導電パターン）、６２…導電パターン（基板側導電パターン）、６３…TFT（半導体素子）、６４…導電パターン（素子側導電パターン）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隔をあけて設けられた複数の導電パターンを接続する工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一つの導電パターンの接続する側の端部にパターン本体よりも幅狭の幅狭部を有する形状となるように、前記複数の導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、
前記複数の導電パターンを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電パターン形成工程において、前記少なくとも一つの導電パターンと接続する側の端部に前記幅狭部を複数有する形状となるように、前記複数の導電パターンを形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電パターン形成工程において、対向する一対の前記導電パターンの互いに接続する側の端部に前記幅狭部がそれぞれ設けられ、一方の前記導電パターンの幅狭部と、他方の前記導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状となるように、一対の前記導電パターンを形成することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
配線基板上に半導体素子が実装されてなり、前記配線基板上の基板側導電パターンと前記半導体素子上の素子側導電パターンとを電気的に接続する工程を含む半導体基板の製造方法であって、
前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンの少なくとも一方の他方の導電パターンと接続する側の端部にパターン本体よりも幅狭の幅狭部を有する形状となるように、前記各導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、
前記配線基板上に半導体素子を実装する素子実装工程と、
前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンとを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記導電パターン形成工程において、前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンの少なくとも一方の導電パターンと接続する側の端部に前記幅狭部を複数有する形状となるように、前記各導電パターンを形成することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記導電パターン形成工程において、対向する一対の前記基板側導電パターン及び前記素子側導電パターンの互いに接続する側の端部に前記幅狭部がそれぞれ設けられ、一方の前記導電パターンの幅狭部と、他方の前記導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状となるように、一対の前記基板側導電パターン及び前記素子側導電パターンを形成することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体基板。
【請求項１１】
発光素子を駆動するためのスイッチング素子が配線基板に実装されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記スイッチング素子として半導体素子を用い、該半導体素子を前記配線基板に実装する工程として、請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
間隔をあけて設けられた複数の導電パターンを接続する工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一つの導電パターンの接続する側の端部にパターン本体よりも幅狭の幅狭部を有する形状となるように、前記複数の導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、
前記複数の導電パターンを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電パターン形成工程において、前記少なくとも一つの導電パターンと接続する側の端部に前記幅狭部を複数有する形状となるように、前記複数の導電パターンを形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電パターン形成工程において、対向する一対の前記導電パターンの互いに接続する側の端部に前記幅狭部がそれぞれ設けられ、一方の前記導電パターンの幅狭部と、他方の前記導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状となるように、一対の前記導電パターンを形成することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
配線基板上に半導体素子が実装されてなり、前記配線基板上の基板側導電パターンと前記半導体素子上の素子側導電パターンとを電気的に接続する工程を含む半導体基板の製造方法であって、
前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンの少なくとも一方の他方の導電パターンと接続する側の端部にパターン本体よりも幅狭の幅狭部を有する形状となるように、前記各導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、
前記配線基板上に半導体素子を実装する素子実装工程と、
前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンとを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記幅狭部が、先端に向かって細くなるとともに、尖った形状であることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記導電パターン形成工程において、前記基板側導電パターンと前記素子側導電パターンの少なくとも一方の導電パターンと接続する側の端部に前記幅狭部を複数有する形状となるように、前記各導電パターンを形成することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記導電パターン形成工程において、対向する一対の前記基板側導電パターン及び前記素子側導電パターンの互いに接続する側の端部に前記幅狭部がそれぞれ設けられ、一方の前記導電パターンの幅狭部と、他方の前記導電パターンの幅狭部間の凹部とを対向配置する形状となるように、一対の前記基板側導電パターン及び前記素子側導電パターンを形成することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体基板。
【請求項１１】
発光素子を駆動するためのスイッチング素子が配線基板に実装されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記スイッチング素子として半導体素子を用い、該半導体素子を前記配線基板に実装する工程として、請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００６−１７１０９９（Ｐ２００６−１７１０９９Ａ）
【公開日】平成１８年６月２９日（２００６．６．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３６００２６（Ｐ２００４−３６００２６）
【出願日】平成１６年１２月１３日（２００４．１２．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月２９日（２００６．６．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月１３日（２００４．１２．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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