説明

配線基板

【課題】信号線に伝送される高周波信号を低損失で伝送することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】互いに積層された複数の絶縁層1と、絶縁層1の層間に配設された帯状の信号線2と、信号線2の上下に絶縁層1を挟んで対向配置された対向導体3と、信号線2と同じ絶縁層間に信号線2に対して並設された共面導体4と、を具備して成る配線基板であって、対向導体3と共面導体4との間に、対向導体3および共面導体4に電気的に接続された付加導体5が信号線2に対して並設されている。付加導体5により信号線2の側端部への電界の集中が緩和され、それにより信号線2に伝送される高周波信号を低損失で伝送することが可能となる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ストリップライン構造を有する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
高周波の信号を伝送する配線基板としてストリップライン構造を有する配線基板が多用されている。このストリップライン構造は、例えば図5に要部断面図および図6に部分的に透視した要部斜視図で示すように、互いに積層された絶縁層11の間に帯状の信号線12を延在させるとともに、信号線12の上下に絶縁層11を挟んでベタ状の対向導体13を対向配置させて成る。さらに、信号線12の両側の絶縁層11間には、信号線12との間に所定の間隔をあけてベタ状の共面導体14を配設するとともに上下の対向導体13と共面導体14との間を信号線12の両側に所定間隔で並べて配置された貫通導体15により電気的に接続することで信号線12に対する電磁的なシールドを強化し外部からのノイズの侵入や外部へのノイズの放射を防止している。なお、対向導体13および共面導体14は接地用や電源用の電位に電気的に接続される。
【0003】
しかしながら、このようなストリップライン構造を有する配線基板において信号線12に伝送される信号の周波数は、例えば30GHz以上と極めて高周波になってきている。このような30GHz以上の超高周波を伝送するための配線基板においては、信号線12を伝送される信号の反射損が低いことが要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2006−24618号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の課題は、信号線に伝送される高周波信号を低損失で伝送することが可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の配線基板は、互いに積層された複数の絶縁層と、前記絶縁層の層間に配設された帯状の信号線と、該信号線の上下に前記絶縁層を挟んで対向配置された対向導体と、前記信号線と同じ絶縁層間に前記信号線に対して並設された共面導体と、を具備して成る配線基板であって、前記対向導体と共面導体との間に、該対向導体および共面導体に電気的に接続された付加導体が前記信号線に対して並設されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【0007】
本発明の配線基板によれば、対向導体と共面導体との間に、これらの対向導体および共面導体に電気的に接続された付加導体が信号線に対して並設されていることから、この付加導体により信号線の側端部への電界の集中が緩和され、それにより信号線を伝送される高周波信号を低損失で伝送することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】図1は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す要部断面図である。
【図2】図2は、図1に示す配線基板を部分的に透視した要部斜視図である。
【図3】図3は、本発明に対応するシミュレーションモデルと従来技術に対応するシミュレーションモデルとにおける反射損を電磁界シミュレータを用いて解析した結果を示すグラフである。
【図4】図4は、本発明に対応するシミュレーションモデルと従来技術に対応するシミュレーションモデルとにおける電界分布を電磁界シミュレータを用いて解析した結果を示す電界分布図である。
【図5】図5は、従来の配線基板の例を示す要部断面図である。
【図6】図6は、図5に示す配線基板を部分的に透視した要部斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
次に本発明の配線基板の実施形態の一例を図1および図2を基に説明する。図1は本例の配線基板の一部を示す要部断面図であり、図2はその配線基板を部分的に透視した要部斜視図である。これらの図中、1は絶縁層、2は信号線、3は対向導体、4は共面導体、5は付加導体、6は貫通導体である。なお、図2においては、絶縁層1は示されておらず、最上層の対向導体3を半透明として示している。
【0010】
本例の配線基板では、図1に示すように、4層の絶縁層1が互いに上下に積層されている。絶縁層1は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂系の電気絶縁材料から成り、厚みが25〜100μm程度である。
【0011】
積層された絶縁層1のうち、内側の2層の間に信号線2が配設されている。信号線2は、例えば銅箔や銅めっき層から成り、線幅が10〜100μm程度、厚みが5〜20μm程度の帯状の配線である。この信号線2には、例えば30GHzを超える高周波信号が伝送される。
【0012】
信号線2の上下には、上側の2層の絶縁層1および下側の2層の絶縁層1を挟んで信号線2と対向する対向導体3が配置されている。対向導体3は、信号線2と同様の銅箔や銅めっき層から成り、信号線2の幅よりも広い幅を有するベタ状のパターンであり、厚みが5〜20μm程度である。
【0013】
さらに絶縁層1の層間には、信号線2と同じ層間に共面導体4が配設されているとともに、対向導体3と共面導体4との間の層間に付加導体5が配設されている。これらの共面導体4および付加導体5は、信号線2の幅よりも広い幅を有するベタ状のパターンであり、信号線2に対して所定間隔をあけて並設されている。共面導体4および付加導体5は、信号配線2や対向導体3と同様の銅箔や銅めっき層から成り、厚みが5〜20μm程度である。
【0014】
対向導体3および共面導体4および付加導体5は、絶縁層1を貫通する貫通導体6により互いに電気的に接続されている。そして、接地電位や電源電位に電気的に接続されて、信号線2に対するシールド層として機能するとともに信号線2に伝送される高周波信号に対するリターンパスを提供する。
【0015】
対向導体3および共面導体4および付加導体5を接続する貫通導体6は、図2に示すように、多数個が信号線2に沿って列を成して並んでいる。貫通導体6は、例えば一般的にビアホールとかスルーホールと呼ばれる貫通孔の内部に被着または充填させた銅めっきや硬化した導体ペーストから成り、直径が30〜100μm程度であり、信号線2から50〜200μm程度離間した位置に150〜1000μmのピッチで配列されている。これらの貫通導体6は、信号線2に対する電磁的なシールドを強化し外部からのノイズの侵入や外部へのノイズの放射を防止している。
【0016】
そして本例の配線基板においては、対向導体3と共面導体4との間に付加導体5が信号線2に対して並設されていることが重要である。このような付加導体5を設けることにより、信号線2の側端部に対する電界が共面導体4と付加導体5とに分散される。その結果、信号線2を伝送される高周波信号の反射損を抑制して高周波信号を低損失で伝送することが可能となる。
【0017】
ここで、図1および図2で示した本発明の配線基板に対応する解析モデルおよび図5および図6で示した従来の配線基板に対応する解析モデルを用いて電磁界シミュレータにより解析した反射損の解析結果を図3に示すとともに、それぞれの電界分布の解析結果を図4に示す。図3から分かるように、本発明に対応する解析モデルでは、従来技術に対応する解析モデルよりも反射損が小さいことがわかる。また、図4から分かるように、本発明の配線基板に対応する解析モデルでは、信号線の側端部から共面導体および付加導体にかけて電界が広がって信号線の側端部に対する電界の集中が緩和されているのが分かる。
【0018】
かくして、本発明によれば、信号線に伝送される高周波信号の反射損を抑制して高周波信号を低損失で伝送することが可能な配線基板を提供することができる。なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の実施形態の一例では、付加導体5は、対向導体3と共面導体4との間に1層ずつ配設されていたが、付加導体5は、対向導体3と共面導体4との間に2層以上ずつ配設されていてもよい。
【符号の説明】
【0019】
1 絶縁層
2 信号線
3 対向導体
4 共面導体
5 付加導体

【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに積層された複数の絶縁層と、前記絶縁層の層間に配設された帯状の信号線と、該信号線の上下に前記絶縁層を挟んで対向配置された対向導体と、前記信号線と同じ絶縁層間に前記信号線に対して並設された共面導体と、を具備して成る配線基板であって、前記対向導体と共面導体との間に、該対向導体および共面導体に電気的に接続された付加導体が前記信号線に対して並設されていることを特徴とする配線基板。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図5】
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【図6】
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【図4】
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【公開番号】特開2013−89841(P2013−89841A)
【公開日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−230466(P2011−230466)
【出願日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【出願人】(304024898)京セラSLCテクノロジー株式会社 (213)
【Fターム(参考)】