電気光学装置及び電子機器
【課題】例えば、画素スイッチング用ＴＦＴが選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じるプッシュダウン現象に起因して生じる画素電極の電位の低下、即ち、画像信号の書き込み不足を補償する。
【解決手段】画素回路（７０）は、液晶素子（１１８）、画素電極（９ａ）、ＴＦＴ（３０）、ノード（Ｎ）、保持容量（１１９）、容量素子（Ｃｆ）を備えている。容量素子（Ｃｆ）は、補正信号線（１３１）を介して供給された補正信号（φｊ）によって駆動され、当該補正信号（φｊ）に応じて、ノード（Ｎ）の電位、即ち、画素電極（９ａ）の電極電位の変化を補償する。これにより、走査信号（Ｙｊ）が立ち下がる際、即ち一水平走査期間を終了する際に生じるプッシュダウン現象に起因する表示性能の低下を抑制できる。
【解決手段】画素回路（７０）は、液晶素子（１１８）、画素電極（９ａ）、ＴＦＴ（３０）、ノード（Ｎ）、保持容量（１１９）、容量素子（Ｃｆ）を備えている。容量素子（Ｃｆ）は、補正信号線（１３１）を介して供給された補正信号（φｊ）によって駆動され、当該補正信号（φｊ）に応じて、ノード（Ｎ）の電位、即ち、画素電極（９ａ）の電極電位の変化を補償する。これにより、走査信号（Ｙｊ）が立ち下がる際、即ち一水平走査期間を終了する際に生じるプッシュダウン現象に起因する表示性能の低下を抑制できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、複数の画素から構成される表示領域に縦横に配列された複数の走査線及び複数のデータ線、並びにこれらの各交点に対応して複数の画素電極が基板上に設けられている。このような液晶装置は、例えば各画素に対応して設けられた画素スイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）のオンオフ、即ち、選択状態及び非選択状態を走査信号によって切り換え、データ線から画素スイッチング用ＴＦＴを介して画像信号が画素電極に供給されることによって画像を表示するアクティブマトリクス駆動方式を採用している。
【０００３】
液晶装置の駆動時に画素スイッチング用ＴＦＴが選択状態から非選択状態に切り換えられた際には、例えば、画素スイッチング用ＴＦＴのゲート絶縁膜を誘電体膜として寄生容量が発生し、当該寄生容量を一因として画素電極の電位が低下してしまうプッシュダウン現象が生じる場合がある。このようなプッシュダウン現象によれば、画像信号が画素電極に供給されることによって設定された画素電極の電極電位が低下し、液晶装置の表示性能を低下させてしまう。特に、画像信号がアナログ信号として画素電極に供給される駆動方法を採用する液晶装置では、各画素の輝度は、画素電極、及び当該画素電極に対向する対向電極間に挟持された液晶に印加される印加電圧に依存するため、画素電極の電位の低下は、画素の輝度に直接影響し、液晶装置の表示性能を大きく低下させる一因になる。このような画素電極の電位の低下は、画素電極の電位を保持するために画素スイッチング用ＴＦＴ及び画素電極間に保持容量が電気的に接続されている場合でも、大なり小なり発生する。そこで、特許文献１は、このようなプッシュダウン現象によって生じる画素電極の電位の低下を抑制する技術を開示している。
【０００４】
また、この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、液晶の焼付きや劣化を防ぐため、ドット反転、ライン反転、フレーム反転等の反転駆動方式が採用されている。反転駆動方式を採用する液晶装置によれば、各画素における画素電極の電位は、当該画素電極に対向する対向電極の電位を基準として、正極性書き込み期間及び負極性書き込み期間の夫々の期間において正極性及び負極性の夫々の極性に設定されるため、各期間において液晶に印加される印加電圧の大きさが一定になるように、画素電極に書き込まれる画像信号の電位、或いは対向電極の電位を調整している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３４１３１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、液晶を駆動するために各画素に設けられた画素回路の構成が複雑になる問題点がある。加えて、表示領域に表示される画像の高精細化を目的として画素のサイズを小さくする場合、ＴＦＴ及びこれらＴＦＴを相互に電気的に接続する配線が形成されるスペースを画素に確保することが困難となる問題点も生じるうえ、仮に、これらＴＦＴ及び配線を画素に作り込むことが可能になったとしても、ＴＦＴ等の素子及び配線間に生じる寄生容量によって画素電極の電位が低下し、各画素電極に対する画像信号の書き込み不足が生じる可能性である。また、この種の電気光学装置では、相前後するフレーム期間のうち後のフレーム期間においてデータ線に供給される画像信号の電位に変動を生じさせないように、先のフレーム期間の終了後にデータ線をプリチャージするプリチャージ動作が行われる場合がある。特許文献１に開示された技術によれば、画素電極の電位の低下を抑制するためには、画像信号を画素電極に書き込んだ後に一定の期間が必要となるため、プリチャージ動作を行う期間を確保することが技術的に困難になる。
【０００７】
一方、反転駆動方式を採用する液晶装置では、画像信号供給回路等の外部回路によって電位が調整された画像信号をデータ線に供給することになるため、画像信号の電位の調整が煩雑になることに加え、このような調整を実行する外部回路の構成が複雑になる。加えて、正極性を有する画像信号及び負極性を有する画像信号の夫々の電位を予め狙いの電位より高い電位側に調整しておく必要が生じる。したがって、これら画像信号を画素電極に供給する画素スイッチング用ＴＦＴを駆動するために走査線から当該ＴＦＴに印加される走査信号の電圧が大きくなり、走査線の耐圧性能を高める必要も生じてしまう。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、画素スイッチング用ＴＦＴが選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じるプッシュダウン現象に起因して生じる画素電極の電位の低下、即ち、画像信号の書き込み不足を補償可能な電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる表示装置等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の表示領域で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられた複数の表示素子の駆動を制御する複数の画素回路とを備え、前記画素回路は、前記表示素子を駆動する駆動電極と、（ｉ）前記データ線に電気的に接続され、且つ前記データ線を介して画像信号が入力される入力側端子、（ｉｉ）前記駆動電極に電気的に接続され、且つ前記駆動電極に前記画像信号を出力する出力側端子、及び（ｉｉｉ）前記走査線に電気的に接続されたゲート電極を有しており、前記駆動電極を介して前記駆動を制御する駆動用トランジスタ素子と、（ａ）固定電位が供給される固定電位線に電気的に接続された第１容量電極、及び（ｂ）前記駆動電極及び前記出力側端子間を電気的に接続する接続経路の途中に設けられたノードに電気的に接続され、且つ前記第１容量電極と共に一対の容量電極を構成する第２容量電極を有しており、前記画像信号の電位に応じて設定された前記駆動電極の電極電位を保持する保持容量と、補正信号供給回路から補正信号が供給される補正信号線及び前記ノード間において、前記補正信号線及び前記ノードの夫々に電気的に接続されており、前記駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に前記ノードの電位に生じる第１変化量を前記補正信号に応じて補償する容量手段とを有する。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置によれば、「表示素子」とは、液晶素子のように光を変調することによって表示光を出射する変調素子、或いはＥＬ素子等の自発発光素子をいい、駆動電極と共に画素回路の一部を構成している。ここで、「駆動電極」とは、表示素子を駆動するために当該表示素子に電圧を印加、或いは電流を供給する電極をいう。より具体的には、駆動電極は、例えば、表示素子が液晶素子である場合には、駆動電極は液晶に駆動電圧を印加するために各画素に設けられた画素電極であり、表示素子がＥＬ素子等の自発光素子である場合には、発光層に駆動電流を供給するために当該発光層に電気的に接続された電極である。このような駆動電極は、後述する駆動用トランジスタ素子を介して供給された画像信号に応じた電圧を表示素子に印加したり、電流を供給したりする。
【００１１】
駆動用トランジスタ素子は、（ｉ）前記データ線に電気的に接続され、且つ前記データ線を介して画像信号が入力される入力側端子、（ｉｉ）前記駆動電極に電気的に接続され、且つ前記駆動電極に前記画像信号を出力する出力側端子、及び（ｉｉｉ）前記走査線に電気的に接続されたゲート電極を有しており、前記駆動電極を介して前記駆動を制御する。入力側端子及び出力側端子の夫々は、当該駆動用トランジスタ素子のソース領域及びドレイン領域に電気的に接続されており、例えば、当該電気光学装置が反転駆動方式を採用する液晶装置である場合である場合には、これら端子の夫々に電気的に接続されたソース領域及びドレイン領域の役割は、画像信号の電位に応じて相互に入れ替わる。より具体的には、例えば、駆動用トランジスタ素子がＮチャネル型ＴＦＴであり、正極性の画像信号が入力側端子に供給された場合、当該入力側端子はソース領域に電気的に接続された端子として機能し、出力側端子はドレイン領域に電気的に接続された端子として機能する。逆に、負極性の画像信号が入力側端子に供給された場合には、入力側端子はドレイン領域に電気的に接続された端子と機能し、出力側端子はソース領域に電気的に接続された端子として機能する。このような駆動用トランジスタ素子は、走査線を介してゲート電極に供給された走査信号によって選択状態及び非選択状態、即ちチャネル領域の導通及び非導通が切り換え可能に構成されており、駆動電極を介して表示素子に印加される電圧、或いは表示素子に供給される電流によって表示素子の駆動を制御する。
【００１２】
保持容量は、（ａ）固定電位が供給される固定電位線に電気的に接続された第１容量電極、及び（ｂ）前記駆動電極及び前記出力側端子間を電気的に接続する接続経路の途中に設けられたノードに電気的に接続され、且つ前記第１容量電極と共に一対の容量電極を構成する第２容量電極を有しており、前記画像信号の電位に応じて設定された前記駆動電極の電極電位を保持する。
【００１３】
ノードは、駆動電極及び出力側端子間を電気的に接続する配線等の接続経路の途中に設けられており、回路構成上、ノードの電位及び駆動電極の電位は相互に一致している。したがって、画像信号が供給された駆動電極の電極電位が変化すれば、当該変化に応じてノードの電位も変化する。
【００１４】
保持容量は、例えば、基板上に形成された層間絶縁膜の一部を誘電体層とし、当該誘電体層を挟持する第１容量電極及び第２容量電極を一対の容量電極として有する積層構造を有している。第１容量電極は、当該電気光学装置の一例である液晶装置の動作時において、例えば、画素電極として機能する駆動電極に対向する対向電極と同電位、或いは対向電極に供給される共通電位と相互に異なる一定の固定電位が供給され、駆動電極の電極電位を保持するように動作する。
【００１５】
容量手段は、補正信号供給回路から補正信号が供給される補正信号線及びノード間において、補正信号線及びノードの夫々に電気的に接続されており、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードの電位に生じる第１変化量を補正信号に応じて補償する。
【００１６】
補正信号供給回路は、例えば、走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路の一部を構成する回路部、或いは走査線駆動回路とは別に設けられた回路部であり、当該電気光学装置の動作時に、走査線に対応して設けられた補正信号線を介して容量手段に補正信号を供給する。
【００１７】
容量手段は、例えば、駆動用トランジスタ素子にゲート絶縁膜、或いは当該ゲート絶縁膜と同層に形成された絶縁膜部分を誘電体膜として含んで構成されるゲート容量、駆動用トランジスタ素子のソース領域及びドレイン領域間に生じるＳＤジャンクション容量、基板上に形成された配線を一対の電極及びこれら電極間に延びる絶縁膜を誘電体膜として構成される容量素子、配線間の寄生容量、或いは他のトランジスタ素子を含んで容量を生じさせる各種容量回路であり、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードの電位に生じる第１変化量を補償するように動作する構成を有していればよい。より具体的には、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられることによって生じる、ノード、即ち駆動電極から移動する電荷の移動量に相当する電荷を補償できればよい。
【００１８】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じる駆動電極の電位の低下を抑制でき、駆動電極の電位を画像信号の電位に応じた電位に維持（即ち、ホールド）することが可能であるため、駆動電極の電位の変化に起因して生じる表示不良を低減できる。特に、画像信号がアナログ信号である場合、表示素子の一例である液晶素子における液晶の配向状態は、当該液晶に加わる電圧Ｖと、電圧Ｖが維持される保持時間Ｔとの関係を規定するＶ−Ｔ曲線によって概ね規定されるため、画素電極として機能する駆動電極の電位をより長く保持（即ち、ホールド）できることによって、画素の輝度が狙いの輝度からずれることを効果的に抑制でき、電気光学装置の表示性能を高めることが可能である。
【００１９】
加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた直後から補正信号を容量手段に供給できるため、データ線にプリチャージを施すプリチャージ期間を確保することもできる。また、画素回路とは別に設けられた外部回路から補正済の画像信号が供給することなく駆動電極の電極電位を補償できるため、基板上に形成される回路構成を簡便なものにすることができるうえ、画像の高精細化を目的として画素サイズを小さく設定する場合でも、各画素に設けられる画素回路のサイズの増大を極力抑えつつ、画素を微細化できる利点もある。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記補正信号供給回路は、前記駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられる第１タイミングに先んじて、前記補正信号の電位を第１電位から第２電位に変更し、前記第１タイミングの後に前記補正信号の電位を前記第２電位から前記第１電位に変更してもよい。
【００２１】
この態様によれば、第１電位及び第２電位の電位差に応じて、容量手段によって補償可能な第１変化量、即ち駆動電極の電極電位の変化量を特定できるため、画像信号の電位を調整する場合に比べて簡便に電極電位を保持することが可能である。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリングスイッチを有するサンプリング回路と、前記サンプリングスイッチを介して前記データ線に前記画像信号が供給されるように前記サンプリングスイッチを非選択状態から選択状態に切り換えるデータ線駆動回路とを備え、前記補正信号供給回路は、前記サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられる第２タイミングに先んじて、前記補正信号の電位を前記第１電位から前記第２電位に変更し、前記容量手段は、前記サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられた際に前記ノードの電位に生じる第２変化量を補償してもよい。
【００２３】
この態様によれば、画像信号は、当該電気光学装置の駆動時において、シリアル−パラレル変換されたＮ個の画像信号の一つであり、Ｎ本の画像信号線のうち一本の画像信号線に供給され、更に、例えばサンプリング回路へと供給される。Ｎ個の画像信号は、例えば駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、３相、６相、１２相、２４相、・・・など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成される。このような画像信号の供給と並行して、例えばデータ線駆動回路によって、複数のデータ線を一群とするデータ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にＮ個の画像信号が順次供給される。よって、同一データ線群に属するデータ線は同時に駆動されることとなる。尚、サンプリングスイッチは、例えば、ＴＦＴにより夫々構成されており、出力側がデータ線に接続され、ゲートに供給されたサンプリング信号に応じて非選択状態から選択状態に切り換えられ、画像信号がデータ線に供給される。
【００２４】
ここで、データ線に電気的に接続されたサンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられた際には、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた場合と同様に、ノードの電位、即ち駆動電極の電極電位が変化してしまう。したがって、このような電位の変化に対応する第２変化量によっても電極電位の保持が困難になるため、補正信号供給回路は、サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられる第２タイミングに先んじて、補正信号の電位を第１電位から前記第２電位に変更し、容量手段は、サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードの電位に生じる第２変化量を補償する。
【００２５】
したがって、この態様によれば、第１変化量だけでなく、第２変化量に起因して生じる電極電位の変動の抑制することが可能であり、第１変化量のみを補償する場合に比べて、より一層高品位の画像を表示することが可能である。
【００２６】
この態様では、前記第１電位及び前記第２電位間の電位差である差分電圧値と、前記容量手段の容量値との組み合わせは、前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量を補償可能なように設定されていてもよい。
【００２７】
この態様によれば、容量手段の設計が制限されることによって容量値が制限される場合であっても、差分電圧値を便宜設定することによって第１変化量及び第２変化量のうち少なくとも第１変化量を補償できる。また、差分電圧値の設定値が制限される場合には、容量値を便宜設定することによって、第１変化量及び第２変化量のうち少なくとも第１変化量を補償できる。したがって、この態様によれば、差分電圧値及び容量値の少なくとも一方をパラメータとして少なくとも第１変化量を補償することが可能であり、基板上に形成される容量手段の設計及び差分電圧値の設定値の夫々の自由度を高めることが可能である。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記補正信号線は、複数の補助補正信号線から構成されており、前記補正信号は、前記補正信号供給回路から前記複数の補助補正信号線に供給される複数の補助補正信号であり、前記容量手段は、前記ノードに各々電気的に接続された複数の補助容量手段であり、前記複数の補助容量手段の夫々は、前記複数の補助補正信号線の夫々に応じて前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量の補償を分担してもよい。
【００２９】
この態様によれば、一つの容量手段によって第１変化量及び第２変化量のうち少なくとも第１変化量を補償する場合に比べて、当該一つの容量手段が他の画素回路に与える影響を低減できる。より具体的には、複数の補助容量手段の夫々によって補償される電位の変化量は、第１変化量全体に比べて小さいため、例えば、一つの容量素子で構成される容量手段によって他の画素回路に生じる駆動電極の電位変動に比べて当該他の画素回路における電極電位の変動を抑制できる。
【００３０】
また、電気光学装置が反転駆動方式を採用する液晶装置である場合には、複数の容量手段の夫々が相互に独立して、互いに異なる極性を有する画像信号の夫々が供給された駆動電極の電極電位を補償することも可能である。
【００３１】
この態様では、前記補正信号供給回路は、前記複数の補助補正信号を互いに異なるタイミングで前記複数の補助補正信号線の夫々に供給し、前記複数の補助容量手段は、前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量を時間軸に沿って段階的に補償してもよい。
【００３２】
この態様によれば、「段階的に」とは、時間軸に沿って少なくとも第１変化量を複数の補助容量手段によって分担して補償することをいう。したがって、この態様によれば、複数の補助容量手段によって少なくとも第１変化量を同一のタイミングで補償する場合に比べて、時間的に緩やかに補償でき、他の画素回路に寄生容量が生じることを低減できる。
【００３３】
この態様では、前記複数の補助補正信号の夫々の波形のうち前記時間軸に対する前記複数の補助補正信号の電位の変化で特定される傾き部分の夫々は、前記時間軸に対して互いに異なる傾きを有していてもよい。
【００３４】
この態様によれば、複数の補助補正信号の夫々によって各々動作する複数の補助容量手段によって、例えば、ノードと他の配線等の導電部との間に生じる容量結合を低減できると共に、液晶素子等の表示素子における対向電極に供給される共通電位とノードの電位に起因して生じる結合容量を低減できる。
【００３５】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記複数の補助容量手段の夫々の容量値は、互いに異なる値であってもよい。
【００３６】
この態様によれば、第１変化量及び第２変化量のうち少なくとも第１変化量を補償することができ、例えば、ノードと他の配線等の導電部との間に生じる容量結合を低減できると共に、液晶素子等の表示素子における対向電極に供給される共通電位とノードの電位に起因して生じる結合容量を低減できる。
【００３７】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１電位は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なり、前記第２電位は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なっていてもよい。
【００３８】
この態様によれば、差分電圧値を規定する第１電位及び第２電位の設定値の自由度を高めることが可能である。
【００３９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記複数の補助補正信号の夫々における前記第１電位及び前記第２電位の差である差分電圧値の夫々は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なっていてもよい。
【００４０】
この態様によれば、他の画素回路に対する影響を電気的な影響を抑制しつつノードの電位変動を低減することが可能である。
【００４１】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記サンプリングスイッチは、サンプリング用トランジスタ素子であり、前記補正信号供給回路は、前記サンプリング用トランジスタ素子及び前記駆動用トランジスタ素子の少なくとも一方と並行して形成され、且つ前記一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子を含んで構成されていてもよい。
【００４２】
この態様によれば、一つの補正信号、或いは複数の補助補正信号の夫々に応じて補償可能な電圧をサンプリング用トランジスタ素子及び駆動用トランジスタ素子の少なくとも一方のしきい値電圧で一致させることが可能である。より具体的には、サンプリング用トランジスタ素子及び駆動用トランジスタ素子の少なくとも一方と並行して形成され、且つ当該一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子と異なるトランジスタ素子を介して出力される複数の補助補正信号に比べて、複数の補助補正信号相互の電位のばらつきを低減可能である。
【００４３】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００４４】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００４５】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。
【００４７】
＜１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶パネル１００の全体構成を説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶パネル１００の概略的な平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルを例に挙げている。
【００４８】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明の「表示領域」の一例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００５０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５１】
画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、走査線駆動回路１０４を、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されるようにする。
【００５２】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、本発明の「駆動電極」の一例である画素電極９ａが、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後に形成されており、その上に配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００５４】
尚、図１及び図２には図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４等に加えて、後述するように画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、及び、各画素回路に補正信号を供給する補正信号供給回路が形成されている。本実施形態では、サンプリング回路のほか、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５５】
＜２：電気光学装置の電気的な構成＞
次に、図３及び図４を参照しながら、液晶パネル１００の電気的な構成を説明する。ここに、図３は、液晶パネルを含んで構成される液晶装置の全体構成を示すブロック図であり、図４は、液晶パネル１００の電気的な構成を示すブロック図である。
【００５６】
図３に示すように、液晶装置５００は、液晶パネル１００を備えると共に、外部回路として設けられた画像信号供給回路３００、タイミング制御回路４００、及び電源回路７００を備えている。
【００５７】
タイミング制御回路４００は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路４００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。
【００５８】
画像信号供給回路３００には、液晶装置５００の動作時、即ち、液晶パネル１００の動作時に、外部から１系統の入力画像データＶＩＤが入力される。画像信号供給回路３００は、１系統の入力画像データＶＩＤをシリアル−パラレル変換して、Ｎ相、本実施形態では６相（Ｎ＝６）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を生成する。更に、画像信号供給回路３００において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々の電圧が、所定の基準電位に対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が出力される。
【００５９】
電源回路７００は、所定の共通電位ＬＣＣＯＭの共通電源を、図２に示す対向電極２１に供給する。本実施形態において、対向電極２１は、図２に示す対向基板２０の下側に、複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。
【００６０】
図４に示すように、液晶パネル１００には、そのＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路２００、及び補正信号供給回路６００が設けられている。
【００６１】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍを順次生成して出力する。
【００６２】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成し、配線１１６を介して各サンプリングスイッチ２０２にサンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを出力する。
【００６３】
サンプリング回路２００は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから夫々構成された複数のサンプリングスイッチ２０２を備えている。
【００６４】
液晶パネル１００は、更に、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２を備え、それらの交点に対応する各画素部に画素回路７０を備えている。尚、本実施形態では特に、走査線１１２の総本数をｍ本（但し、ｍは２以上の自然数）とし、データ線１１４の総本数をｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）として説明する。
【００６５】
６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、Ｎ本、本実施形態では６本の画像信号線１７１を介して液晶パネル１００に供給される。ｎ本のデータ線１１４は、以下に説明するように、画像信号線１７１の本数に対応する６本のデータ線１１４を１群とするデータ線群毎に、順次駆動される。
【００６６】
データ線駆動回路１０１から、各データ線群に対応するサンプリングスイッチ２０２毎にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングスイッチ２０２はオン状態となる。各サンプリングスイッチ２０２は、中継配線を介して画像信号線１７１に接続されている。
【００６７】
よって、サンプリングスイッチ２０２がオン状態となった際に、即ち、サンプリングスイッチ２０２が非選択状態から選択状態に切り換った際に、６本の画像信号線１７１から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、データ線群に属するデータ線１１４に同時に、且つデータ線群毎に順次供給される。よって、データ線群に属するデータ線１１４は互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、ｎ本のデータ線１１４をデータ線群毎に駆動できるため、相展開しない場合に比べて液晶パネル１００の駆動周波数を抑制できる。
【００６８】
液晶パネル１００は、補正信号線１３１、電源線１３２及び１３３を備えている。
【００６９】
補正信号線１３１は、補正信号供給回路６００及び画素回路７０を電気的に中継している。後述するように、補正信号供給回路６００から出力された補正信号は、補正信号線１３１を介して各画素回路７０に供給される。
【００７０】
電源線１３２は、外部回路から供給された共通電位ＬＣＣＯＭを画素回路７０に供給する。電源線１３３は、後述する固定電位ＶＣＯＭを画素回路７０に供給する。
【００７１】
＜３：画素回路の構成及び動作＞
次に、図５乃至図１０を参照しながら、画素回路７０の電気的な構成、及びその動作を説明する。図５は、本実施形態に係る画素回路７０の回路構成をサンプリングスイッチ２０２と共に示した回路図である。図６及び図７は、本実施形態に係る液晶パネルに供給される各種信号のタイミングチャートである。図８は、本実施形態に係る液晶パネルが有する画素回路の比較例に係る画素回路の回路図である。図９は、図８に示した画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートである。図１０は、比較例に係る画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートの他の例である。
【００７２】
図５に示すように、画素回路７０は、本発明の「表示素子」の一例である液晶素子１１８、画素電極９ａ、本発明の「駆動用トランジスタ素子」の一例であるＴＦＴ３０、ノードＮ、保持容量１１９、本発明の「容量手段」の一例である容量素子Ｃｆを備えている。
【００７３】
液晶素子１１８は、液晶パネル１００の動作時に、画素電極９ａと、画素電極９ａに対向する対向電極２１との間に生じる電圧によって液晶の配向状態が制御され、当該配向状態に応じて光源光を透過させる。
【００７４】
ＴＦＴ３０は、本発明の「入力側端子」の一例であるソース電極３０ａ、本発明の「出力側端子」の一例であるドレイン電極３０ｂ、ゲート電極３０ｃを有しており、液晶パネル１００の動作時に画素電極９ａを介して液晶素子１１８の駆動を制御する。より具体的には、図４及び図５に示すように、ソース電極３０ａには、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、３、・・・、６）が供給されるデータ線１１４が電気的に接続されている一方、ゲート電極３０ｃには、走査信号Ｙｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給される走査線１１２が電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン電極３０ｂには、液晶素子１１８の画素電極９ａが接続されている。
【００７５】
ソース電極３０ａ及びドレイン電極３０ｂの夫々は、ＴＦＴ３０の一部を構成する活性層のうちソース領域及びドレイン領域の夫々に電気的に接続されている。本実施形態では、特に、液晶パネル１００を駆動するアクティブマトリクス駆動方式のうち画像信号の極性を反転させる反転駆動方式を採用しているため、ソース電極３０ａ及びドレイン電極３０ｂの夫々に電気的に接続されたソース領域及びドレイン領域の電位は、画像信号の極性に電位に応じて相互に入れ替わる。より具体的には、例えば、ＴＦＴ３０がＮチャネル型ＴＦＴであり、正極性の画像信号がソース電極３０ａに供給された場合、ソース電極３０ａがドレイン電極３０ｂより高電位になり、負極性の画像信号がソース電極３０ａに供給された場合には、ソース電極３０ａがドレイン電極３０ｂより低電位となり、ドレイン電極として機能する。画素回路７０において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。
【００７６】
走査信号Ｙｊが供給された走査線１１２に対応する画素回路７０、即ち、選択された走査線１１２に対応する画素回路７０において、ＴＦＴ３０に走査信号Ｙｊが供給されると、ＴＦＴ３０はオン状態（即ち、非選択状態から選択状態）に切り換り、当該画素回路７０は選択状態となる。液晶素子１１８の画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線１１４より画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶パネル１００からは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７７】
図５に示すように、保持容量１１９は、第１容量電極１１９ａ及び第２容量電極１１９ｂと、これら容量電極間に挟持された誘電体層（不図示）を備えて構成されている。保持容量１１９は、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された層間絶縁膜の一部を誘電体層とし、当該誘電体層を挟持する第１容量電極１１９ａ及び第２容量電極１１９ｂを一対の容量電極として有する積層構造を有している。
【００７８】
第１容量電極１１９ｂは、電源線１３３に電気的に接続されており、液晶パネル１００の動作時に、電源線１３３を介して固定電位ＶＣＯＭが供給される。第２容量電極１１９ａは、ＴＦＴ３０のドレイン電極３０ｂ側に電気的に接続されている。即ち、保持容量１１９は、液晶素子１１８と並列に付加されており、画像信号ＶＩＤｋに応じて設定された画素電極９ａの電極電位を保持する。より具体的には、例えば、第１容量電極１１９ｂは、液晶装置の動作時において、例えば、画素電極９ａに対向する対向電極と同電位、或いは対向電極に供給される共通電位と相互に異なる一定の固定電位ＶＣＯＭが供給され、画素電極９ａの電極電位を保持するように動作する。
【００７９】
画素電極９ａに保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａの電位は、ソース電圧が印加された時間よりも理想的には３桁も長い時間だけ保持容量１１９によって保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００８０】
しかしながら、通常、ＴＦＴ３０の動作時に生じるＴＦＴ３０のゲート及びドレイン間容量Ｃ１、或いは、データ線１１４及びグランド間に生じる容量Ｃ２、並びに、サンプリングスイッチ２０２が選択状態から非選択状態に切り換えられる際にサンプリングスイッチ２０２のゲート及びドレイン間に生じる容量Ｃ３に起因して、画素電極９ａ、言い換えれば、画素電極９ａ及びドレイン電極３０ｂ間を電気的に接続する接続経路の途中に設けられたノードＮの電位がプッシュダウン現象により低下してしまい、液晶パネル１００の表示性能が低下してしまう。そこで、画素回路７０では、後述するように、容量素子Ｃｆによって、ノードＮの電位、即ち画素電極９ａの電極電位に生じる変化を補償し、液晶パネル１００の表示性能を向上させている。
【００８１】
尚、本発明に係る電気光学装置は、液晶素子のように光を変調することによって表示光を出射する変調素子によって画像を表示する液晶装置に限定されるものではなく、例えば、ＥＬ素子等の自発発光素子等の表示素子を含んでなる画素回路を備えた表示装置でもよい。このような表示装置では、発光層に駆動電流を供給する電極が駆動電極の一例となり、液晶パネル１００と同様にして、プッシュダン現象に起因する電極電位の低下が補償される。
【００８２】
次に、図５乃至図７を参照しながら、画素回路７０の動作を説明する。
【００８３】
図５及び図６（ａ）に示すように、液晶パネル１００に供給されたＹクロック信号ＣＬＹ、及びＹスタートパルスＤＹに応じて、各走査線１１２に順次走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍが供給される。図５及び図６（ｂ）に示すように、一水平走査期間においてデータ線駆動回路１０１に供給されるＸスタートパルスＤＸ及びＸクロック信号ＣＬＸに応じて、画像信号ＶＩＤ１、・・・、ＶＩＤ６が画像信号線１１７を介してサンプリング回路２００に供給される。サンプリング回路２００を構成する複数のサンプリングスイッチ２０２の夫々は、Ｘクロック信号ＣＬＸに応じてデータ線駆動回路１０１が出力されるサンプリング信号Ｓｉに応じてオフ状態（即ち、非選択状態）からオン状態（即ち、選択状態）に切り換えられ、画像信号ＶＩＤ１、・・・、ＶＩＤ６の夫々を、各画像信号に対応するデータ線１１４に供給する。
【００８４】
ここで、図８乃至図１０を参照しながら、本実施形態に係る液晶パネルの比較例である液晶パネルが備える画素回路の動作を説明しつつ、画素電極９ａの電極電位、即ちノードＮの電位が低下するプッシュダウン現象の発生プロセスを説明する。尚、以下では、本実施形態に係る液晶パネルと共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略している。
【００８５】
図８に示すように、比較例に係る液晶パネルに設けられた画素回路７０ａの電気的構成は、容量素子Ｃｆ及び補正信号線１３１を有していない点で画素回路７０と相違する。
【００８６】
図９に示すように、走査信号Ｙｊが走査線１１２に供給された後、言い換えれば、走査線１１２の電位が、走査信号Ｙｊの供給に応じて電位Ｅ０から電位Ｅ１に立ち上った後に、画像信号ＶＩＤｋがデータ線１１４に供給される。画像信号ＶＩＤｋは、例えば、１フィールド期間等の所定の期間毎に固定電位ＶＣＯＭに対して正極性及び負極性に反転された状態で供給される。図９では、例えば、正極性のＶＩＤｋが、固定電位ＶＣＯＭに対して電位Ｖｄだけ高い電位を有しており、負極性のＶＩＤｋは、固定電位ＶＣＯＭに対して電気Ｖｄだけ低い電位を有している。
【００８７】
画像信号ＶＩＤｋの極性が正極性である場合、ノードＮの電位、即ち画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘは、サンプリングスイッチ２０２が非選択状態から選択状態に切り換った際に、固定電位ＶＣＯＭより高い電位＋Ｖｄに立ち上がる。
【００８８】
しかしながら、ＴＦＴ３０が非選択状態から選択状態に切り換る際にゲート及びドレイン間に生じる容量Ｃ１に起因して、画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘは、電位ΔＶだけ低下する。電極電位Ｖｐｉｘの低下は、正極性及び負極性の夫々の画像信号ＶＩＤＮが供給された場合の両方で発生する。
【００８９】
ここで、図１０に示すように、電極電位Ｖｐｉｘにおける電位ΔＶの変化を低減するために、画像信号ＶＩＤｋの電位を狙いの電位＋Ｖｄ及び−Ｖｄより予めΔＶだけ高く設定しておくことによって、電極電位Ｖｐｉｘのずれを補償しておく方法も考えられる。
【００９０】
しかしながら、液晶パネルの外部から当該液晶パネルに供給される画像信号の電位を画像信号供給回路等３００等の外部回路によって制御する必要が生じ、外部回路の設計変更を行う必要が生じる。加えて、高電位側に電位が設定された画像信号ＶＩＤｋを画素電極９ａに供給するＴＦＴ３０のゲート電圧を高くする必要があるため、走査線１１２の耐圧性を高める必要も生じてしまい、液晶パネルの設計について変更すべき部分が増えてしまう問題点が生じる。
【００９１】
そこで、図５及び図７を参照しながら詳細に説明するように、本実施形態に係る液晶パネル１００が有する容量素子Ｃｆによって、ノードＮの電位、即ち、画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘの電位の変化を補償する。
【００９２】
図５及び図７において、走査信号Ｙｊが供給される一水平走査期間において、サンプリングスイッチ２０２にサンプリング信号Ｓiが供給されると、画像信号ＶＩＤｋが当該画像信号ＶＩＤｋに対応するデータ線１１４にサンプリングされ、データ線１１４のデータ線電位ＤＬｋが立ち上がる。尚、図７では、正極性の画像信号ＶＩＤｋが供給される期間を図中Ａで示しており、負極性の画像信号ＶＩＤｋが供給される期間を図中Ｂで示している。本実施形態では、説明を簡便にするために正極性の画像信号ＶＩＤｋが供給される期間を例に挙げて画素回路７０の動作を説明する。したがって、図７中で、サンプリング信号Ｓｉに応じてサンプリングされた画像信号ＶＩＤｋは正極性を有しており、当該画像信号ＶＩＤｋが供給されたデータ線１１４のデータ線電位ＤＬｋは、固定電位ＶＣＯＭより高い電位Ｖｄに立ち上がる。
【００９３】
容量素子Ｃｆは、補正信号供給回路６００（図４参照）から補正信号φｊが供給される補正信号線１３１及びノードＮ間において、補正信号線１３１及びノードＮの夫々に電気的に接続されており、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードＮの電位に生じる第１変化量−ΔＶ２を補正信号φｊに応じて補償する。
【００９４】
より具体的には、走査信号Ｙｊが立ち下がる前に、即ち、走査信号Ｙｊの電位が電位Ｅ１から電位Ｅ０に立ち下がる前に、補正信号供給回路６００が、補正信号φの電位を第１電位Ｖφ１から第２電位Ｖφ２に差分電圧値ΔＶｓだけ立ち下げる。その後、走査信号Ｙｊの電位が立ち下がった後、補正信号供給回路６００は、補正信号φの電位を第２電位Ｖφ２から第１電位Ｖφ１に高める。このように補正信号φの電位を変更することによって、容量素子Ｃｆは、補正信号φの電位の変化に応じて画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘの電位の変化を補償し、画像信号ＶＩＤｋの電位に応じた電極電位Ｖｐｉｘを保持する。
【００９５】
ここで、差分電位差ΔＶｓは、液晶パネル１００の動作時にノードＮの電位、即ち電極電位Ｖｐｉｘにおいて生じる画像信号ＶＩＤｋの電位からのずれのうち少なくともＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じる電位の変化である第１変化量−ΔＶ２を補償するように設定される。より具体的には、容量素子Ｃｆによって補償される電位の変化量＋ΔＶ３は、容量素子Ｃｆの容量Ｃｆ、保持容量１１９の容量値ＣｃａｐＡ、ＴＦＴ３０のゲート及びドレイン間に生じる容量Ｃ１、差分電圧値ΔＶｓを用いて、式（１）に基づいて算出可能である。
【００９６】
【数１】
容量素子１１９は、例えば、ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜、或いは当該ゲート絶縁膜と同層に形成された絶縁膜部分を誘電体膜として含んで構成されるゲート容量、ＴＦＴ３０のソース領域及びドレイン領域間に生じるＳＤジャンクション容量、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配線を一対の電極とすると共にこれら電極間に延びる絶縁膜を誘電体膜として構成される容量、配線間の寄生容量、或いは他のトランジスタ素子を含んで容量を生じさせる各種容量回路であり、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードＮ、即ち電極電位Ｖｐｉｘに生じる電位の第１変化量−ΔＶ２を補償するように動作する構成を有している。より具体的には、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられることによって生じる、ノードＮ、即ち画素電極９ａから移動する電荷の移動量に相当する電荷を補償できればよい。
【００９７】
本実施形態に係る液晶パネル１００では、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられる際だけでなく、サンプリング信号Ｓｉが立ち下がる際、即ちサンプリングスイッチ２０２が選択状態から非選択状態に切り換えられる際にも、ノードＮの電位は当該サンプリングスイッチ２０２の切り換え動作に応じて生じる容量Ｃ３に起因して第２変化量ΔＶ１だけ低下する。容量素子Ｃｆは、容量Ｃ３に起因して生じるノードＮの電位の変化である第２変化量−ΔＶ１も補償可能である。より具体的には、第１変化量ΔＶ２に加えて、第２変化量ΔＶ１も補償する際には、補正信号φの電位を第１電位Ｖφ１から第２電位Ｖφ２に立ち下げるタイミングは、サンプリング信号Ｓｉを立ち下げる第２タイミングより前になる。このようなタイミングで補正信号φの電位を第１電位Ｖφ１から第２電位Ｖφ２に立ち下げ、且つノードＮの電位の第２変化量ΔＶ１を考慮して変化量ΔＶ３を設定することによって、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１の両方を補償できる。
【００９８】
尚、本実施形態では、差分電圧値ΔＶｓと、容量値Ｃｆとの組み合わせは、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１のうち少なくとも第１変化量ΔＶ２を補償可能なように設定することが可能である。差分電圧値ΔＶｓ及び容量値Ｃｆの組み合わせを設定可能であることにより、容量素子Ｃｆの設計が制限されることによって容量値Ｃｆが制限される場合であっても、差分電圧値ΔＶｓが便宜設定可能の状態となり、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１のうち少なくとも第１変化量ΔＶ２の補償が可能になる。
【００９９】
また、差分電圧値ΔＶｓの設定値が制限される場合、即ち第１電位Ｖφ１及び第２電位Ｖφ２の設定値が制限される場合には、容量値Ｃｆを便宜設定することによって、少なくとも第１変化量ΔＶ２を補償できる。したがって、本実施形態に係る液晶パネルによれば、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される容量素子Ｃｆの設計及び差分電圧値ΔＶの設定値の夫々の自由度を高めることが可能である。
【０１００】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶パネル１００によれば、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じる画素電極９ａの電位の低下を抑制でき、画素電極９ａの電位を画像信号ＶＩＤｋの電位に応じた電位に維持（即ち、ホールド）することが可能となり、画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘの変化に起因して生じる表示不良を低減できる。特に、画像信号ＶＩＤｋがアナログ信号である場合、液晶素子１１８における液晶の配向状態は、当該液晶に加わる電圧Ｖと、当該電圧が維持される保持時間Ｔとの関係を規定するＶ−Ｔ曲線によって概ね規定されるため、画素電極の電位をより長く保持（即ち、ホールド）することによって、画素における輝度が狙いの輝度からずれることを効果的に抑制でき、液晶パネルの表示性能を高めることが可能である。
【０１０１】
加えて、本実施形態に係る液晶パネル１００によれば、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた直後から補正信号φを容量素子Ｃｆに供給できるため、データ線１１４にプリチャージを施すプリチャージ期間を確保することもできる。
【０１０２】
また、本実施形態に係る液晶パネル１００によれば、画素回路７０とは別に設けられた外部回路から補正済の画像信号を供給することなく画素電極の電極電位を補償できるため、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される回路構成を簡便なものにすることができる。加えて、画像の高精細化を目的として画素サイズを小さく設定する場合でも、各画素に設けられる画素回路のサイズの増大を極力抑えつつ、画素を微細化できる利点もある。
【０１０３】
（変形例）
次に、図１１乃至図１４を参照しながら、本実施形態に係る液晶パネルの変形例を説明する。図１１は、本例に係る液晶パネルに設けられた画素回路の構成を示した回路図である。図１２は、図１１に示した画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートである。図１３は、補正信号の波形を詳細に示したタイミングチャートである。図１４は、図１３に示した補正信号の波形の一部を詳細に示したタイミングチャートである。
【０１０４】
図１１に示すように、本例に係る液晶パネルにおける画素回路７０ｂは、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）を備えている点で上述の画素回路７０と相違する。
【０１０５】
補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の夫々は、本発明の「補助容量手段」の一例であり、これら補助容量素子の夫々に対応する複数の補助補正信号線１３１−１、・・・、１３１−ｉの夫々と、ノードＮとの間に電気的に接続されている。複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々は、液晶パネルの動作時に、補助補正信号供給回路から複数の補助補正信号線１３１−１、・・・、１３１−ｉの夫々を介して複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の夫々に供給される。
【０１０６】
図１１及び図１２に示すように、データ線１１４の電位ＤＬｋは、上述の液晶パネル１００の動作時と同様に、サンプリング信号Ｓｉが立ち下がるタイミングと、走査信号Ｙｊが立ち下がるタイミングとの夫々において、プッシュダウン現象が生じることによって、電圧ΔＶ１及びΔＶ２だけ低下する。本例に係る液晶パネルでは、一つの容量素子によってデータ線１１４のデータ線電位ＤＬｋの低下を補償するのではなく、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）が当該データ線電位ＤＬｋの低下に対する補償を分担する点に特徴がある。
【０１０７】
複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々は、サンプリング信号Ｓｉが入力されるタイミングの前に、第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａから第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂに下げられる。その後、走査信号Ｙｊが供給されなくなるタイミング、即ち一水平走査期間が終了した後に、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々の電位は、第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂから再度第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａに高められる。このように複数の補正信号φ１、・・・、φｉの夫々の電位を変更することによって、これら第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａと、第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂとの差分電圧値ΔＶｓ（１）、・・・、ΔＶｓ（ｉ）の夫々が複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）に印加される。複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）は、印加された差分電圧値ΔＶｓ（１）、・・・、ΔＶｓ（ｉ）に応じて、これら補助容量素子全体でノードＮの電位を電圧ΔＶ３だけ高める。これにより、上述の液晶パネル１００と同様に、プッシュダウンによって生じたノードＮの電位の低下、即ち画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘが補償される。
【０１０８】
したがって、本例に係る液晶パネルによれば、上述の液晶パネル１００と異なり、ノードＮに生じた電位の変化を一つの容量素子によって補償する場合に比べて、当該一つの容量素子が他の画素回路に与える影響を低減できる。より具体的には、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）のうち一つの補助容量素子によって補償される電位の変化量は、第１変化量ΔＶ２に比べて小さいため、一つの容量素子で構成される容量手段によって他の画素回路に生じる画素電極９ａの電位変動に比べて当該他の画素回路における電極電位の変動を抑制できる。このような複数の補助容量素子による電位の補償は、相展開駆動される液晶パネルにおいて、表示性能を高める上で特に有効である。
【０１０９】
また、本例に係る液晶パネルのように、駆動方式として反転駆動方式を採用する場合には、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の夫々が相互に独立して、互いに異なる極性を有する画像信号ＶＩＤｋの夫々が供給された画素電極９ａの電極電位を補償することも可能である。
【０１１０】
尚、本実施形態では、ノードＮに生じた電位の変化のうち、走査信号Ｙｊが立ち下がったタイミングで生じる第１変化量ΔＶ２と、サンプリング信号Ｓｉが立ち下がったタイミングで生じる第２変化量ΔＶ１との両方が補償されているが、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）は、これら電位の変化量のうち少なくとも第１変化量ΔＶ２を補償するように動作すればよいが、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１の両方が補償されるほうがより好ましい。
【０１１１】
次に、図１３を参照しながら、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの波形を詳細に説明する。尚、図１３では、説明の便宜上、補助補正信号φ１、φｉ−１、φｉの波形のみを図示している。
【０１１２】
図１３に示すように、補正信号供給回路６００は、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々を互いに異なるタイミングで複数の補助補正信号線１３１−１、・・・、１３１−ｉの夫々に供給し、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）は、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１のうち少なくとも第１変化量ΔＶ２を時間軸に沿って段階的に補償する。より具体的には、補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々を第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂの夫々から第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａの夫々に立ち上げるタイミングは相互に異なっている。
【０１１３】
したがって、本例に係る液晶パネルによれば、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）に同一のタイミングでノードＮの電位の変化、即ち電極電位Ｖｐｉｘの変化を補償する場合に比べて、時間的に緩やかに電位の変化を補償でき、他の画素回路に寄生容量が生じることを低減できる。
【０１１４】
また、本例に係る液晶パネルによれば、第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａの夫々は相互に異なっていてもよいし、第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂの夫々も相互に異なっていてもよい。このように第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａ、及び第２電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａを設定可能にしておくことによって、差分電圧値ΔＶｓ（１）、・・・ΔＶｓ（ｉ）を規定する第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａ、及び第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂの設定値の自由度を高めることが可能である。同様の理由により、差分電圧値ΔＶｓ（１）、・・・ΔＶｓ（ｉ）の夫々が、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々について互いに異なっていてもよい。
【０１１５】
加えて、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の夫々の容量値は、互いに異なる値であってもよい。このように、第１電位及び第２電位、差分電圧値、並びに複数の補助容量素子の夫々の容量値について設定値の自由度を高めることが可能であるため、補助補正信号φ１、・・・、φｉの設定値に制限がある場合には、補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の容量値を適切な値に設定することによってノードＮの電位の変化量を補償可能である。
【０１１６】
同様に、補助補正信号φ１、・・・、φｉを出力する補助補正信号供給回路６００の設計、或いは製造プロセスに制限が課されることによって、適切な補助補正信号φ１、・・・、φｉを複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）に供給できない場合であっても、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）の夫々の容量値を適切な値に設定しておくことによって、ノードＮに生じる電位の変化を補償できると共に、例えば、ノードＮと他の配線等の導電部との間に生じる容量結合を低減でき、液晶素子等の表示素子における対向電極に供給される共通電位ＬＣＣＯＭとノードＮの電位との電位差に起因して生じる結合容量を低減できる。
【０１１７】
次に、図１４を参照しながら、補助補正信号φ１、・・・、φｉの波形の形状を詳細に説明する。
【０１１８】
図１４に示すように、本例に係る液晶パネルでは、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々の波形のうち時間軸Ｔに対する複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの電位の変化で特定される傾き部分の夫々が、時間軸Ｔに対して互いに異なる傾きを有している。
【０１１９】
より具体的には、例えば、補助補正信号φ１、φｉ−１、及びφｉの夫々における傾き部分Ｐ１、Ｐｉ−１、及びＰｉの夫々が時間軸Ｔに対して相互に異なる傾きを有している。
【０１２０】
このような補助補正信号φ１、・・・、φｉによれば、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々によって各々動作する複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）によって、ノードＮと他の配線等の導電部との間に生じる容量結合を低減できると共に、液晶素子等の表示素子における対向電極に供給される共通電位ＬＣＣＯＭとノードＮの電位差に起因して生じる結合容量を効果的に低減できる。
【０１２１】
尚、本実施形態に係る液晶パネルでは、補正信号供給回路６００は、サンプリングスイッチ２０２及びＴＦＴ３０の少なくとも一方と並行して形成され、且つ当該一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子を含んで構成されていてもよい。
【０１２２】
このような補正信号供給回路６００によれば、一つの補正信号、或いは複数の補助補正信号の夫々に応じて補償可能な電圧をサンプリングスイッチ２０２及びＴＦＴ３０の少なくとも一方のしきい値電圧で一致させることが可能であり、サンプリングスイッチ２０２及びＴＦＴ３０の少なくとも一方と並行して形成され、且つ当該一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子と異なるトランジスタ素子を介して、補正信号或いは複数の補助補正信号が出力されるに比べて、これら信号相互の電位のばらつきを低減可能である。
【０１２３】
＜４：電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１２４】
＜４−１：モバイル型コンピュータ＞
先ず、上述の液晶装置をモバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１５において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１２５】
＜４−２：携帯電話＞
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１６において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１２６】
尚、図１５及び図１６を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１２７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本実施形態に係る液晶パネルの平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶パネルの全体構成を示したブロック図である。
【図４】本実施形態に係る液晶パネルの電気的構成を示したブロック図である。
【図５】本実施形態に係る液晶パネルにおける画素回路７０の回路構成をサンプリングスイッチと共に示した回路図である。
【図６】本実施形態に係る液晶パネルに供給される各種信号のタイミングチャート（その１）である。
【図７】本実施形態に係る液晶パネルに供給される各種信号のタイミングチャート（その２）である。
【図８】本実施形態に係る液晶パネルが有する画素回路の比較例に係る画素回路の回路図である。
【図９】本実施形態に係る液晶パネルが有する画素回路の比較例に係る画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートである。
【図１０】本実施形態に係る液晶パネルが有する画素回路の比較例に係る画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートの他の例である。
【図１１】本実施形態に係る液晶パネルに設けられた画素回路の変形例の構成を示した回路図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶パネルに設けられた画素回路の変形例に係る画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートである。
【図１３】本実施形態に係る液晶パネルに設けられた画素回路の変形例に係る画素回路に供給される補正信号の波形を詳細に示したタイミングチャートである。
【図１４】図１３に示した補正信号の波形の一部を詳細に示したタイミングチャートである。
【図１５】本発明に係る電子機器の一例であるパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の例である携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【０１２９】
９ａ・・・画素電極、３０・・・ＴＦＴ、１０１・・・データ線駆動回路、１０４・・・走査線駆動回路、１１２・・・走査線、１１４・・・データ線、１１９・・・保持容量、２００・・・サンプリング回路、Ｎ・・・ノード、Ｃｆ・・・容量素子、Ｃｆ（ｉ）・・・補助容量素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、複数の画素から構成される表示領域に縦横に配列された複数の走査線及び複数のデータ線、並びにこれらの各交点に対応して複数の画素電極が基板上に設けられている。このような液晶装置は、例えば各画素に対応して設けられた画素スイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）のオンオフ、即ち、選択状態及び非選択状態を走査信号によって切り換え、データ線から画素スイッチング用ＴＦＴを介して画像信号が画素電極に供給されることによって画像を表示するアクティブマトリクス駆動方式を採用している。
【０００３】
液晶装置の駆動時に画素スイッチング用ＴＦＴが選択状態から非選択状態に切り換えられた際には、例えば、画素スイッチング用ＴＦＴのゲート絶縁膜を誘電体膜として寄生容量が発生し、当該寄生容量を一因として画素電極の電位が低下してしまうプッシュダウン現象が生じる場合がある。このようなプッシュダウン現象によれば、画像信号が画素電極に供給されることによって設定された画素電極の電極電位が低下し、液晶装置の表示性能を低下させてしまう。特に、画像信号がアナログ信号として画素電極に供給される駆動方法を採用する液晶装置では、各画素の輝度は、画素電極、及び当該画素電極に対向する対向電極間に挟持された液晶に印加される印加電圧に依存するため、画素電極の電位の低下は、画素の輝度に直接影響し、液晶装置の表示性能を大きく低下させる一因になる。このような画素電極の電位の低下は、画素電極の電位を保持するために画素スイッチング用ＴＦＴ及び画素電極間に保持容量が電気的に接続されている場合でも、大なり小なり発生する。そこで、特許文献１は、このようなプッシュダウン現象によって生じる画素電極の電位の低下を抑制する技術を開示している。
【０００４】
また、この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、液晶の焼付きや劣化を防ぐため、ドット反転、ライン反転、フレーム反転等の反転駆動方式が採用されている。反転駆動方式を採用する液晶装置によれば、各画素における画素電極の電位は、当該画素電極に対向する対向電極の電位を基準として、正極性書き込み期間及び負極性書き込み期間の夫々の期間において正極性及び負極性の夫々の極性に設定されるため、各期間において液晶に印加される印加電圧の大きさが一定になるように、画素電極に書き込まれる画像信号の電位、或いは対向電極の電位を調整している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３４１３１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、液晶を駆動するために各画素に設けられた画素回路の構成が複雑になる問題点がある。加えて、表示領域に表示される画像の高精細化を目的として画素のサイズを小さくする場合、ＴＦＴ及びこれらＴＦＴを相互に電気的に接続する配線が形成されるスペースを画素に確保することが困難となる問題点も生じるうえ、仮に、これらＴＦＴ及び配線を画素に作り込むことが可能になったとしても、ＴＦＴ等の素子及び配線間に生じる寄生容量によって画素電極の電位が低下し、各画素電極に対する画像信号の書き込み不足が生じる可能性である。また、この種の電気光学装置では、相前後するフレーム期間のうち後のフレーム期間においてデータ線に供給される画像信号の電位に変動を生じさせないように、先のフレーム期間の終了後にデータ線をプリチャージするプリチャージ動作が行われる場合がある。特許文献１に開示された技術によれば、画素電極の電位の低下を抑制するためには、画像信号を画素電極に書き込んだ後に一定の期間が必要となるため、プリチャージ動作を行う期間を確保することが技術的に困難になる。
【０００７】
一方、反転駆動方式を採用する液晶装置では、画像信号供給回路等の外部回路によって電位が調整された画像信号をデータ線に供給することになるため、画像信号の電位の調整が煩雑になることに加え、このような調整を実行する外部回路の構成が複雑になる。加えて、正極性を有する画像信号及び負極性を有する画像信号の夫々の電位を予め狙いの電位より高い電位側に調整しておく必要が生じる。したがって、これら画像信号を画素電極に供給する画素スイッチング用ＴＦＴを駆動するために走査線から当該ＴＦＴに印加される走査信号の電圧が大きくなり、走査線の耐圧性能を高める必要も生じてしまう。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、画素スイッチング用ＴＦＴが選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じるプッシュダウン現象に起因して生じる画素電極の電位の低下、即ち、画像信号の書き込み不足を補償可能な電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる表示装置等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の表示領域で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられた複数の表示素子の駆動を制御する複数の画素回路とを備え、前記画素回路は、前記表示素子を駆動する駆動電極と、（ｉ）前記データ線に電気的に接続され、且つ前記データ線を介して画像信号が入力される入力側端子、（ｉｉ）前記駆動電極に電気的に接続され、且つ前記駆動電極に前記画像信号を出力する出力側端子、及び（ｉｉｉ）前記走査線に電気的に接続されたゲート電極を有しており、前記駆動電極を介して前記駆動を制御する駆動用トランジスタ素子と、（ａ）固定電位が供給される固定電位線に電気的に接続された第１容量電極、及び（ｂ）前記駆動電極及び前記出力側端子間を電気的に接続する接続経路の途中に設けられたノードに電気的に接続され、且つ前記第１容量電極と共に一対の容量電極を構成する第２容量電極を有しており、前記画像信号の電位に応じて設定された前記駆動電極の電極電位を保持する保持容量と、補正信号供給回路から補正信号が供給される補正信号線及び前記ノード間において、前記補正信号線及び前記ノードの夫々に電気的に接続されており、前記駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に前記ノードの電位に生じる第１変化量を前記補正信号に応じて補償する容量手段とを有する。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置によれば、「表示素子」とは、液晶素子のように光を変調することによって表示光を出射する変調素子、或いはＥＬ素子等の自発発光素子をいい、駆動電極と共に画素回路の一部を構成している。ここで、「駆動電極」とは、表示素子を駆動するために当該表示素子に電圧を印加、或いは電流を供給する電極をいう。より具体的には、駆動電極は、例えば、表示素子が液晶素子である場合には、駆動電極は液晶に駆動電圧を印加するために各画素に設けられた画素電極であり、表示素子がＥＬ素子等の自発光素子である場合には、発光層に駆動電流を供給するために当該発光層に電気的に接続された電極である。このような駆動電極は、後述する駆動用トランジスタ素子を介して供給された画像信号に応じた電圧を表示素子に印加したり、電流を供給したりする。
【００１１】
駆動用トランジスタ素子は、（ｉ）前記データ線に電気的に接続され、且つ前記データ線を介して画像信号が入力される入力側端子、（ｉｉ）前記駆動電極に電気的に接続され、且つ前記駆動電極に前記画像信号を出力する出力側端子、及び（ｉｉｉ）前記走査線に電気的に接続されたゲート電極を有しており、前記駆動電極を介して前記駆動を制御する。入力側端子及び出力側端子の夫々は、当該駆動用トランジスタ素子のソース領域及びドレイン領域に電気的に接続されており、例えば、当該電気光学装置が反転駆動方式を採用する液晶装置である場合である場合には、これら端子の夫々に電気的に接続されたソース領域及びドレイン領域の役割は、画像信号の電位に応じて相互に入れ替わる。より具体的には、例えば、駆動用トランジスタ素子がＮチャネル型ＴＦＴであり、正極性の画像信号が入力側端子に供給された場合、当該入力側端子はソース領域に電気的に接続された端子として機能し、出力側端子はドレイン領域に電気的に接続された端子として機能する。逆に、負極性の画像信号が入力側端子に供給された場合には、入力側端子はドレイン領域に電気的に接続された端子と機能し、出力側端子はソース領域に電気的に接続された端子として機能する。このような駆動用トランジスタ素子は、走査線を介してゲート電極に供給された走査信号によって選択状態及び非選択状態、即ちチャネル領域の導通及び非導通が切り換え可能に構成されており、駆動電極を介して表示素子に印加される電圧、或いは表示素子に供給される電流によって表示素子の駆動を制御する。
【００１２】
保持容量は、（ａ）固定電位が供給される固定電位線に電気的に接続された第１容量電極、及び（ｂ）前記駆動電極及び前記出力側端子間を電気的に接続する接続経路の途中に設けられたノードに電気的に接続され、且つ前記第１容量電極と共に一対の容量電極を構成する第２容量電極を有しており、前記画像信号の電位に応じて設定された前記駆動電極の電極電位を保持する。
【００１３】
ノードは、駆動電極及び出力側端子間を電気的に接続する配線等の接続経路の途中に設けられており、回路構成上、ノードの電位及び駆動電極の電位は相互に一致している。したがって、画像信号が供給された駆動電極の電極電位が変化すれば、当該変化に応じてノードの電位も変化する。
【００１４】
保持容量は、例えば、基板上に形成された層間絶縁膜の一部を誘電体層とし、当該誘電体層を挟持する第１容量電極及び第２容量電極を一対の容量電極として有する積層構造を有している。第１容量電極は、当該電気光学装置の一例である液晶装置の動作時において、例えば、画素電極として機能する駆動電極に対向する対向電極と同電位、或いは対向電極に供給される共通電位と相互に異なる一定の固定電位が供給され、駆動電極の電極電位を保持するように動作する。
【００１５】
容量手段は、補正信号供給回路から補正信号が供給される補正信号線及びノード間において、補正信号線及びノードの夫々に電気的に接続されており、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードの電位に生じる第１変化量を補正信号に応じて補償する。
【００１６】
補正信号供給回路は、例えば、走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路の一部を構成する回路部、或いは走査線駆動回路とは別に設けられた回路部であり、当該電気光学装置の動作時に、走査線に対応して設けられた補正信号線を介して容量手段に補正信号を供給する。
【００１７】
容量手段は、例えば、駆動用トランジスタ素子にゲート絶縁膜、或いは当該ゲート絶縁膜と同層に形成された絶縁膜部分を誘電体膜として含んで構成されるゲート容量、駆動用トランジスタ素子のソース領域及びドレイン領域間に生じるＳＤジャンクション容量、基板上に形成された配線を一対の電極及びこれら電極間に延びる絶縁膜を誘電体膜として構成される容量素子、配線間の寄生容量、或いは他のトランジスタ素子を含んで容量を生じさせる各種容量回路であり、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードの電位に生じる第１変化量を補償するように動作する構成を有していればよい。より具体的には、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられることによって生じる、ノード、即ち駆動電極から移動する電荷の移動量に相当する電荷を補償できればよい。
【００１８】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じる駆動電極の電位の低下を抑制でき、駆動電極の電位を画像信号の電位に応じた電位に維持（即ち、ホールド）することが可能であるため、駆動電極の電位の変化に起因して生じる表示不良を低減できる。特に、画像信号がアナログ信号である場合、表示素子の一例である液晶素子における液晶の配向状態は、当該液晶に加わる電圧Ｖと、電圧Ｖが維持される保持時間Ｔとの関係を規定するＶ−Ｔ曲線によって概ね規定されるため、画素電極として機能する駆動電極の電位をより長く保持（即ち、ホールド）できることによって、画素の輝度が狙いの輝度からずれることを効果的に抑制でき、電気光学装置の表示性能を高めることが可能である。
【００１９】
加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた直後から補正信号を容量手段に供給できるため、データ線にプリチャージを施すプリチャージ期間を確保することもできる。また、画素回路とは別に設けられた外部回路から補正済の画像信号が供給することなく駆動電極の電極電位を補償できるため、基板上に形成される回路構成を簡便なものにすることができるうえ、画像の高精細化を目的として画素サイズを小さく設定する場合でも、各画素に設けられる画素回路のサイズの増大を極力抑えつつ、画素を微細化できる利点もある。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記補正信号供給回路は、前記駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられる第１タイミングに先んじて、前記補正信号の電位を第１電位から第２電位に変更し、前記第１タイミングの後に前記補正信号の電位を前記第２電位から前記第１電位に変更してもよい。
【００２１】
この態様によれば、第１電位及び第２電位の電位差に応じて、容量手段によって補償可能な第１変化量、即ち駆動電極の電極電位の変化量を特定できるため、画像信号の電位を調整する場合に比べて簡便に電極電位を保持することが可能である。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリングスイッチを有するサンプリング回路と、前記サンプリングスイッチを介して前記データ線に前記画像信号が供給されるように前記サンプリングスイッチを非選択状態から選択状態に切り換えるデータ線駆動回路とを備え、前記補正信号供給回路は、前記サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられる第２タイミングに先んじて、前記補正信号の電位を前記第１電位から前記第２電位に変更し、前記容量手段は、前記サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられた際に前記ノードの電位に生じる第２変化量を補償してもよい。
【００２３】
この態様によれば、画像信号は、当該電気光学装置の駆動時において、シリアル−パラレル変換されたＮ個の画像信号の一つであり、Ｎ本の画像信号線のうち一本の画像信号線に供給され、更に、例えばサンプリング回路へと供給される。Ｎ個の画像信号は、例えば駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、３相、６相、１２相、２４相、・・・など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成される。このような画像信号の供給と並行して、例えばデータ線駆動回路によって、複数のデータ線を一群とするデータ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にＮ個の画像信号が順次供給される。よって、同一データ線群に属するデータ線は同時に駆動されることとなる。尚、サンプリングスイッチは、例えば、ＴＦＴにより夫々構成されており、出力側がデータ線に接続され、ゲートに供給されたサンプリング信号に応じて非選択状態から選択状態に切り換えられ、画像信号がデータ線に供給される。
【００２４】
ここで、データ線に電気的に接続されたサンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられた際には、駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた場合と同様に、ノードの電位、即ち駆動電極の電極電位が変化してしまう。したがって、このような電位の変化に対応する第２変化量によっても電極電位の保持が困難になるため、補正信号供給回路は、サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられる第２タイミングに先んじて、補正信号の電位を第１電位から前記第２電位に変更し、容量手段は、サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードの電位に生じる第２変化量を補償する。
【００２５】
したがって、この態様によれば、第１変化量だけでなく、第２変化量に起因して生じる電極電位の変動の抑制することが可能であり、第１変化量のみを補償する場合に比べて、より一層高品位の画像を表示することが可能である。
【００２６】
この態様では、前記第１電位及び前記第２電位間の電位差である差分電圧値と、前記容量手段の容量値との組み合わせは、前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量を補償可能なように設定されていてもよい。
【００２７】
この態様によれば、容量手段の設計が制限されることによって容量値が制限される場合であっても、差分電圧値を便宜設定することによって第１変化量及び第２変化量のうち少なくとも第１変化量を補償できる。また、差分電圧値の設定値が制限される場合には、容量値を便宜設定することによって、第１変化量及び第２変化量のうち少なくとも第１変化量を補償できる。したがって、この態様によれば、差分電圧値及び容量値の少なくとも一方をパラメータとして少なくとも第１変化量を補償することが可能であり、基板上に形成される容量手段の設計及び差分電圧値の設定値の夫々の自由度を高めることが可能である。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記補正信号線は、複数の補助補正信号線から構成されており、前記補正信号は、前記補正信号供給回路から前記複数の補助補正信号線に供給される複数の補助補正信号であり、前記容量手段は、前記ノードに各々電気的に接続された複数の補助容量手段であり、前記複数の補助容量手段の夫々は、前記複数の補助補正信号線の夫々に応じて前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量の補償を分担してもよい。
【００２９】
この態様によれば、一つの容量手段によって第１変化量及び第２変化量のうち少なくとも第１変化量を補償する場合に比べて、当該一つの容量手段が他の画素回路に与える影響を低減できる。より具体的には、複数の補助容量手段の夫々によって補償される電位の変化量は、第１変化量全体に比べて小さいため、例えば、一つの容量素子で構成される容量手段によって他の画素回路に生じる駆動電極の電位変動に比べて当該他の画素回路における電極電位の変動を抑制できる。
【００３０】
また、電気光学装置が反転駆動方式を採用する液晶装置である場合には、複数の容量手段の夫々が相互に独立して、互いに異なる極性を有する画像信号の夫々が供給された駆動電極の電極電位を補償することも可能である。
【００３１】
この態様では、前記補正信号供給回路は、前記複数の補助補正信号を互いに異なるタイミングで前記複数の補助補正信号線の夫々に供給し、前記複数の補助容量手段は、前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量を時間軸に沿って段階的に補償してもよい。
【００３２】
この態様によれば、「段階的に」とは、時間軸に沿って少なくとも第１変化量を複数の補助容量手段によって分担して補償することをいう。したがって、この態様によれば、複数の補助容量手段によって少なくとも第１変化量を同一のタイミングで補償する場合に比べて、時間的に緩やかに補償でき、他の画素回路に寄生容量が生じることを低減できる。
【００３３】
この態様では、前記複数の補助補正信号の夫々の波形のうち前記時間軸に対する前記複数の補助補正信号の電位の変化で特定される傾き部分の夫々は、前記時間軸に対して互いに異なる傾きを有していてもよい。
【００３４】
この態様によれば、複数の補助補正信号の夫々によって各々動作する複数の補助容量手段によって、例えば、ノードと他の配線等の導電部との間に生じる容量結合を低減できると共に、液晶素子等の表示素子における対向電極に供給される共通電位とノードの電位に起因して生じる結合容量を低減できる。
【００３５】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記複数の補助容量手段の夫々の容量値は、互いに異なる値であってもよい。
【００３６】
この態様によれば、第１変化量及び第２変化量のうち少なくとも第１変化量を補償することができ、例えば、ノードと他の配線等の導電部との間に生じる容量結合を低減できると共に、液晶素子等の表示素子における対向電極に供給される共通電位とノードの電位に起因して生じる結合容量を低減できる。
【００３７】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１電位は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なり、前記第２電位は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なっていてもよい。
【００３８】
この態様によれば、差分電圧値を規定する第１電位及び第２電位の設定値の自由度を高めることが可能である。
【００３９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記複数の補助補正信号の夫々における前記第１電位及び前記第２電位の差である差分電圧値の夫々は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なっていてもよい。
【００４０】
この態様によれば、他の画素回路に対する影響を電気的な影響を抑制しつつノードの電位変動を低減することが可能である。
【００４１】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記サンプリングスイッチは、サンプリング用トランジスタ素子であり、前記補正信号供給回路は、前記サンプリング用トランジスタ素子及び前記駆動用トランジスタ素子の少なくとも一方と並行して形成され、且つ前記一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子を含んで構成されていてもよい。
【００４２】
この態様によれば、一つの補正信号、或いは複数の補助補正信号の夫々に応じて補償可能な電圧をサンプリング用トランジスタ素子及び駆動用トランジスタ素子の少なくとも一方のしきい値電圧で一致させることが可能である。より具体的には、サンプリング用トランジスタ素子及び駆動用トランジスタ素子の少なくとも一方と並行して形成され、且つ当該一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子と異なるトランジスタ素子を介して出力される複数の補助補正信号に比べて、複数の補助補正信号相互の電位のばらつきを低減可能である。
【００４３】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００４４】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００４５】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。
【００４７】
＜１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶パネル１００の全体構成を説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶パネル１００の概略的な平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルを例に挙げている。
【００４８】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明の「表示領域」の一例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００５０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５１】
画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、走査線駆動回路１０４を、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されるようにする。
【００５２】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、本発明の「駆動電極」の一例である画素電極９ａが、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後に形成されており、その上に配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００５４】
尚、図１及び図２には図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４等に加えて、後述するように画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、及び、各画素回路に補正信号を供給する補正信号供給回路が形成されている。本実施形態では、サンプリング回路のほか、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５５】
＜２：電気光学装置の電気的な構成＞
次に、図３及び図４を参照しながら、液晶パネル１００の電気的な構成を説明する。ここに、図３は、液晶パネルを含んで構成される液晶装置の全体構成を示すブロック図であり、図４は、液晶パネル１００の電気的な構成を示すブロック図である。
【００５６】
図３に示すように、液晶装置５００は、液晶パネル１００を備えると共に、外部回路として設けられた画像信号供給回路３００、タイミング制御回路４００、及び電源回路７００を備えている。
【００５７】
タイミング制御回路４００は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路４００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。
【００５８】
画像信号供給回路３００には、液晶装置５００の動作時、即ち、液晶パネル１００の動作時に、外部から１系統の入力画像データＶＩＤが入力される。画像信号供給回路３００は、１系統の入力画像データＶＩＤをシリアル−パラレル変換して、Ｎ相、本実施形態では６相（Ｎ＝６）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を生成する。更に、画像信号供給回路３００において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々の電圧が、所定の基準電位に対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が出力される。
【００５９】
電源回路７００は、所定の共通電位ＬＣＣＯＭの共通電源を、図２に示す対向電極２１に供給する。本実施形態において、対向電極２１は、図２に示す対向基板２０の下側に、複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。
【００６０】
図４に示すように、液晶パネル１００には、そのＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路２００、及び補正信号供給回路６００が設けられている。
【００６１】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍを順次生成して出力する。
【００６２】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成し、配線１１６を介して各サンプリングスイッチ２０２にサンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを出力する。
【００６３】
サンプリング回路２００は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから夫々構成された複数のサンプリングスイッチ２０２を備えている。
【００６４】
液晶パネル１００は、更に、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２を備え、それらの交点に対応する各画素部に画素回路７０を備えている。尚、本実施形態では特に、走査線１１２の総本数をｍ本（但し、ｍは２以上の自然数）とし、データ線１１４の総本数をｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）として説明する。
【００６５】
６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、Ｎ本、本実施形態では６本の画像信号線１７１を介して液晶パネル１００に供給される。ｎ本のデータ線１１４は、以下に説明するように、画像信号線１７１の本数に対応する６本のデータ線１１４を１群とするデータ線群毎に、順次駆動される。
【００６６】
データ線駆動回路１０１から、各データ線群に対応するサンプリングスイッチ２０２毎にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングスイッチ２０２はオン状態となる。各サンプリングスイッチ２０２は、中継配線を介して画像信号線１７１に接続されている。
【００６７】
よって、サンプリングスイッチ２０２がオン状態となった際に、即ち、サンプリングスイッチ２０２が非選択状態から選択状態に切り換った際に、６本の画像信号線１７１から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、データ線群に属するデータ線１１４に同時に、且つデータ線群毎に順次供給される。よって、データ線群に属するデータ線１１４は互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、ｎ本のデータ線１１４をデータ線群毎に駆動できるため、相展開しない場合に比べて液晶パネル１００の駆動周波数を抑制できる。
【００６８】
液晶パネル１００は、補正信号線１３１、電源線１３２及び１３３を備えている。
【００６９】
補正信号線１３１は、補正信号供給回路６００及び画素回路７０を電気的に中継している。後述するように、補正信号供給回路６００から出力された補正信号は、補正信号線１３１を介して各画素回路７０に供給される。
【００７０】
電源線１３２は、外部回路から供給された共通電位ＬＣＣＯＭを画素回路７０に供給する。電源線１３３は、後述する固定電位ＶＣＯＭを画素回路７０に供給する。
【００７１】
＜３：画素回路の構成及び動作＞
次に、図５乃至図１０を参照しながら、画素回路７０の電気的な構成、及びその動作を説明する。図５は、本実施形態に係る画素回路７０の回路構成をサンプリングスイッチ２０２と共に示した回路図である。図６及び図７は、本実施形態に係る液晶パネルに供給される各種信号のタイミングチャートである。図８は、本実施形態に係る液晶パネルが有する画素回路の比較例に係る画素回路の回路図である。図９は、図８に示した画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートである。図１０は、比較例に係る画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートの他の例である。
【００７２】
図５に示すように、画素回路７０は、本発明の「表示素子」の一例である液晶素子１１８、画素電極９ａ、本発明の「駆動用トランジスタ素子」の一例であるＴＦＴ３０、ノードＮ、保持容量１１９、本発明の「容量手段」の一例である容量素子Ｃｆを備えている。
【００７３】
液晶素子１１８は、液晶パネル１００の動作時に、画素電極９ａと、画素電極９ａに対向する対向電極２１との間に生じる電圧によって液晶の配向状態が制御され、当該配向状態に応じて光源光を透過させる。
【００７４】
ＴＦＴ３０は、本発明の「入力側端子」の一例であるソース電極３０ａ、本発明の「出力側端子」の一例であるドレイン電極３０ｂ、ゲート電極３０ｃを有しており、液晶パネル１００の動作時に画素電極９ａを介して液晶素子１１８の駆動を制御する。より具体的には、図４及び図５に示すように、ソース電極３０ａには、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、３、・・・、６）が供給されるデータ線１１４が電気的に接続されている一方、ゲート電極３０ｃには、走査信号Ｙｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給される走査線１１２が電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン電極３０ｂには、液晶素子１１８の画素電極９ａが接続されている。
【００７５】
ソース電極３０ａ及びドレイン電極３０ｂの夫々は、ＴＦＴ３０の一部を構成する活性層のうちソース領域及びドレイン領域の夫々に電気的に接続されている。本実施形態では、特に、液晶パネル１００を駆動するアクティブマトリクス駆動方式のうち画像信号の極性を反転させる反転駆動方式を採用しているため、ソース電極３０ａ及びドレイン電極３０ｂの夫々に電気的に接続されたソース領域及びドレイン領域の電位は、画像信号の極性に電位に応じて相互に入れ替わる。より具体的には、例えば、ＴＦＴ３０がＮチャネル型ＴＦＴであり、正極性の画像信号がソース電極３０ａに供給された場合、ソース電極３０ａがドレイン電極３０ｂより高電位になり、負極性の画像信号がソース電極３０ａに供給された場合には、ソース電極３０ａがドレイン電極３０ｂより低電位となり、ドレイン電極として機能する。画素回路７０において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。
【００７６】
走査信号Ｙｊが供給された走査線１１２に対応する画素回路７０、即ち、選択された走査線１１２に対応する画素回路７０において、ＴＦＴ３０に走査信号Ｙｊが供給されると、ＴＦＴ３０はオン状態（即ち、非選択状態から選択状態）に切り換り、当該画素回路７０は選択状態となる。液晶素子１１８の画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線１１４より画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶パネル１００からは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７７】
図５に示すように、保持容量１１９は、第１容量電極１１９ａ及び第２容量電極１１９ｂと、これら容量電極間に挟持された誘電体層（不図示）を備えて構成されている。保持容量１１９は、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された層間絶縁膜の一部を誘電体層とし、当該誘電体層を挟持する第１容量電極１１９ａ及び第２容量電極１１９ｂを一対の容量電極として有する積層構造を有している。
【００７８】
第１容量電極１１９ｂは、電源線１３３に電気的に接続されており、液晶パネル１００の動作時に、電源線１３３を介して固定電位ＶＣＯＭが供給される。第２容量電極１１９ａは、ＴＦＴ３０のドレイン電極３０ｂ側に電気的に接続されている。即ち、保持容量１１９は、液晶素子１１８と並列に付加されており、画像信号ＶＩＤｋに応じて設定された画素電極９ａの電極電位を保持する。より具体的には、例えば、第１容量電極１１９ｂは、液晶装置の動作時において、例えば、画素電極９ａに対向する対向電極と同電位、或いは対向電極に供給される共通電位と相互に異なる一定の固定電位ＶＣＯＭが供給され、画素電極９ａの電極電位を保持するように動作する。
【００７９】
画素電極９ａに保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａの電位は、ソース電圧が印加された時間よりも理想的には３桁も長い時間だけ保持容量１１９によって保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００８０】
しかしながら、通常、ＴＦＴ３０の動作時に生じるＴＦＴ３０のゲート及びドレイン間容量Ｃ１、或いは、データ線１１４及びグランド間に生じる容量Ｃ２、並びに、サンプリングスイッチ２０２が選択状態から非選択状態に切り換えられる際にサンプリングスイッチ２０２のゲート及びドレイン間に生じる容量Ｃ３に起因して、画素電極９ａ、言い換えれば、画素電極９ａ及びドレイン電極３０ｂ間を電気的に接続する接続経路の途中に設けられたノードＮの電位がプッシュダウン現象により低下してしまい、液晶パネル１００の表示性能が低下してしまう。そこで、画素回路７０では、後述するように、容量素子Ｃｆによって、ノードＮの電位、即ち画素電極９ａの電極電位に生じる変化を補償し、液晶パネル１００の表示性能を向上させている。
【００８１】
尚、本発明に係る電気光学装置は、液晶素子のように光を変調することによって表示光を出射する変調素子によって画像を表示する液晶装置に限定されるものではなく、例えば、ＥＬ素子等の自発発光素子等の表示素子を含んでなる画素回路を備えた表示装置でもよい。このような表示装置では、発光層に駆動電流を供給する電極が駆動電極の一例となり、液晶パネル１００と同様にして、プッシュダン現象に起因する電極電位の低下が補償される。
【００８２】
次に、図５乃至図７を参照しながら、画素回路７０の動作を説明する。
【００８３】
図５及び図６（ａ）に示すように、液晶パネル１００に供給されたＹクロック信号ＣＬＹ、及びＹスタートパルスＤＹに応じて、各走査線１１２に順次走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍが供給される。図５及び図６（ｂ）に示すように、一水平走査期間においてデータ線駆動回路１０１に供給されるＸスタートパルスＤＸ及びＸクロック信号ＣＬＸに応じて、画像信号ＶＩＤ１、・・・、ＶＩＤ６が画像信号線１１７を介してサンプリング回路２００に供給される。サンプリング回路２００を構成する複数のサンプリングスイッチ２０２の夫々は、Ｘクロック信号ＣＬＸに応じてデータ線駆動回路１０１が出力されるサンプリング信号Ｓｉに応じてオフ状態（即ち、非選択状態）からオン状態（即ち、選択状態）に切り換えられ、画像信号ＶＩＤ１、・・・、ＶＩＤ６の夫々を、各画像信号に対応するデータ線１１４に供給する。
【００８４】
ここで、図８乃至図１０を参照しながら、本実施形態に係る液晶パネルの比較例である液晶パネルが備える画素回路の動作を説明しつつ、画素電極９ａの電極電位、即ちノードＮの電位が低下するプッシュダウン現象の発生プロセスを説明する。尚、以下では、本実施形態に係る液晶パネルと共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略している。
【００８５】
図８に示すように、比較例に係る液晶パネルに設けられた画素回路７０ａの電気的構成は、容量素子Ｃｆ及び補正信号線１３１を有していない点で画素回路７０と相違する。
【００８６】
図９に示すように、走査信号Ｙｊが走査線１１２に供給された後、言い換えれば、走査線１１２の電位が、走査信号Ｙｊの供給に応じて電位Ｅ０から電位Ｅ１に立ち上った後に、画像信号ＶＩＤｋがデータ線１１４に供給される。画像信号ＶＩＤｋは、例えば、１フィールド期間等の所定の期間毎に固定電位ＶＣＯＭに対して正極性及び負極性に反転された状態で供給される。図９では、例えば、正極性のＶＩＤｋが、固定電位ＶＣＯＭに対して電位Ｖｄだけ高い電位を有しており、負極性のＶＩＤｋは、固定電位ＶＣＯＭに対して電気Ｖｄだけ低い電位を有している。
【００８７】
画像信号ＶＩＤｋの極性が正極性である場合、ノードＮの電位、即ち画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘは、サンプリングスイッチ２０２が非選択状態から選択状態に切り換った際に、固定電位ＶＣＯＭより高い電位＋Ｖｄに立ち上がる。
【００８８】
しかしながら、ＴＦＴ３０が非選択状態から選択状態に切り換る際にゲート及びドレイン間に生じる容量Ｃ１に起因して、画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘは、電位ΔＶだけ低下する。電極電位Ｖｐｉｘの低下は、正極性及び負極性の夫々の画像信号ＶＩＤＮが供給された場合の両方で発生する。
【００８９】
ここで、図１０に示すように、電極電位Ｖｐｉｘにおける電位ΔＶの変化を低減するために、画像信号ＶＩＤｋの電位を狙いの電位＋Ｖｄ及び−Ｖｄより予めΔＶだけ高く設定しておくことによって、電極電位Ｖｐｉｘのずれを補償しておく方法も考えられる。
【００９０】
しかしながら、液晶パネルの外部から当該液晶パネルに供給される画像信号の電位を画像信号供給回路等３００等の外部回路によって制御する必要が生じ、外部回路の設計変更を行う必要が生じる。加えて、高電位側に電位が設定された画像信号ＶＩＤｋを画素電極９ａに供給するＴＦＴ３０のゲート電圧を高くする必要があるため、走査線１１２の耐圧性を高める必要も生じてしまい、液晶パネルの設計について変更すべき部分が増えてしまう問題点が生じる。
【００９１】
そこで、図５及び図７を参照しながら詳細に説明するように、本実施形態に係る液晶パネル１００が有する容量素子Ｃｆによって、ノードＮの電位、即ち、画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘの電位の変化を補償する。
【００９２】
図５及び図７において、走査信号Ｙｊが供給される一水平走査期間において、サンプリングスイッチ２０２にサンプリング信号Ｓiが供給されると、画像信号ＶＩＤｋが当該画像信号ＶＩＤｋに対応するデータ線１１４にサンプリングされ、データ線１１４のデータ線電位ＤＬｋが立ち上がる。尚、図７では、正極性の画像信号ＶＩＤｋが供給される期間を図中Ａで示しており、負極性の画像信号ＶＩＤｋが供給される期間を図中Ｂで示している。本実施形態では、説明を簡便にするために正極性の画像信号ＶＩＤｋが供給される期間を例に挙げて画素回路７０の動作を説明する。したがって、図７中で、サンプリング信号Ｓｉに応じてサンプリングされた画像信号ＶＩＤｋは正極性を有しており、当該画像信号ＶＩＤｋが供給されたデータ線１１４のデータ線電位ＤＬｋは、固定電位ＶＣＯＭより高い電位Ｖｄに立ち上がる。
【００９３】
容量素子Ｃｆは、補正信号供給回路６００（図４参照）から補正信号φｊが供給される補正信号線１３１及びノードＮ間において、補正信号線１３１及びノードＮの夫々に電気的に接続されており、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードＮの電位に生じる第１変化量−ΔＶ２を補正信号φｊに応じて補償する。
【００９４】
より具体的には、走査信号Ｙｊが立ち下がる前に、即ち、走査信号Ｙｊの電位が電位Ｅ１から電位Ｅ０に立ち下がる前に、補正信号供給回路６００が、補正信号φの電位を第１電位Ｖφ１から第２電位Ｖφ２に差分電圧値ΔＶｓだけ立ち下げる。その後、走査信号Ｙｊの電位が立ち下がった後、補正信号供給回路６００は、補正信号φの電位を第２電位Ｖφ２から第１電位Ｖφ１に高める。このように補正信号φの電位を変更することによって、容量素子Ｃｆは、補正信号φの電位の変化に応じて画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘの電位の変化を補償し、画像信号ＶＩＤｋの電位に応じた電極電位Ｖｐｉｘを保持する。
【００９５】
ここで、差分電位差ΔＶｓは、液晶パネル１００の動作時にノードＮの電位、即ち電極電位Ｖｐｉｘにおいて生じる画像信号ＶＩＤｋの電位からのずれのうち少なくともＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じる電位の変化である第１変化量−ΔＶ２を補償するように設定される。より具体的には、容量素子Ｃｆによって補償される電位の変化量＋ΔＶ３は、容量素子Ｃｆの容量Ｃｆ、保持容量１１９の容量値ＣｃａｐＡ、ＴＦＴ３０のゲート及びドレイン間に生じる容量Ｃ１、差分電圧値ΔＶｓを用いて、式（１）に基づいて算出可能である。
【００９６】
【数１】
容量素子１１９は、例えば、ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜、或いは当該ゲート絶縁膜と同層に形成された絶縁膜部分を誘電体膜として含んで構成されるゲート容量、ＴＦＴ３０のソース領域及びドレイン領域間に生じるＳＤジャンクション容量、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配線を一対の電極とすると共にこれら電極間に延びる絶縁膜を誘電体膜として構成される容量、配線間の寄生容量、或いは他のトランジスタ素子を含んで容量を生じさせる各種容量回路であり、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた際にノードＮ、即ち電極電位Ｖｐｉｘに生じる電位の第１変化量−ΔＶ２を補償するように動作する構成を有している。より具体的には、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられることによって生じる、ノードＮ、即ち画素電極９ａから移動する電荷の移動量に相当する電荷を補償できればよい。
【００９７】
本実施形態に係る液晶パネル１００では、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられる際だけでなく、サンプリング信号Ｓｉが立ち下がる際、即ちサンプリングスイッチ２０２が選択状態から非選択状態に切り換えられる際にも、ノードＮの電位は当該サンプリングスイッチ２０２の切り換え動作に応じて生じる容量Ｃ３に起因して第２変化量ΔＶ１だけ低下する。容量素子Ｃｆは、容量Ｃ３に起因して生じるノードＮの電位の変化である第２変化量−ΔＶ１も補償可能である。より具体的には、第１変化量ΔＶ２に加えて、第２変化量ΔＶ１も補償する際には、補正信号φの電位を第１電位Ｖφ１から第２電位Ｖφ２に立ち下げるタイミングは、サンプリング信号Ｓｉを立ち下げる第２タイミングより前になる。このようなタイミングで補正信号φの電位を第１電位Ｖφ１から第２電位Ｖφ２に立ち下げ、且つノードＮの電位の第２変化量ΔＶ１を考慮して変化量ΔＶ３を設定することによって、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１の両方を補償できる。
【００９８】
尚、本実施形態では、差分電圧値ΔＶｓと、容量値Ｃｆとの組み合わせは、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１のうち少なくとも第１変化量ΔＶ２を補償可能なように設定することが可能である。差分電圧値ΔＶｓ及び容量値Ｃｆの組み合わせを設定可能であることにより、容量素子Ｃｆの設計が制限されることによって容量値Ｃｆが制限される場合であっても、差分電圧値ΔＶｓが便宜設定可能の状態となり、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１のうち少なくとも第１変化量ΔＶ２の補償が可能になる。
【００９９】
また、差分電圧値ΔＶｓの設定値が制限される場合、即ち第１電位Ｖφ１及び第２電位Ｖφ２の設定値が制限される場合には、容量値Ｃｆを便宜設定することによって、少なくとも第１変化量ΔＶ２を補償できる。したがって、本実施形態に係る液晶パネルによれば、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される容量素子Ｃｆの設計及び差分電圧値ΔＶの設定値の夫々の自由度を高めることが可能である。
【０１００】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶パネル１００によれば、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に生じる画素電極９ａの電位の低下を抑制でき、画素電極９ａの電位を画像信号ＶＩＤｋの電位に応じた電位に維持（即ち、ホールド）することが可能となり、画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘの変化に起因して生じる表示不良を低減できる。特に、画像信号ＶＩＤｋがアナログ信号である場合、液晶素子１１８における液晶の配向状態は、当該液晶に加わる電圧Ｖと、当該電圧が維持される保持時間Ｔとの関係を規定するＶ−Ｔ曲線によって概ね規定されるため、画素電極の電位をより長く保持（即ち、ホールド）することによって、画素における輝度が狙いの輝度からずれることを効果的に抑制でき、液晶パネルの表示性能を高めることが可能である。
【０１０１】
加えて、本実施形態に係る液晶パネル１００によれば、ＴＦＴ３０が選択状態から非選択状態に切り換えられた直後から補正信号φを容量素子Ｃｆに供給できるため、データ線１１４にプリチャージを施すプリチャージ期間を確保することもできる。
【０１０２】
また、本実施形態に係る液晶パネル１００によれば、画素回路７０とは別に設けられた外部回路から補正済の画像信号を供給することなく画素電極の電極電位を補償できるため、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される回路構成を簡便なものにすることができる。加えて、画像の高精細化を目的として画素サイズを小さく設定する場合でも、各画素に設けられる画素回路のサイズの増大を極力抑えつつ、画素を微細化できる利点もある。
【０１０３】
（変形例）
次に、図１１乃至図１４を参照しながら、本実施形態に係る液晶パネルの変形例を説明する。図１１は、本例に係る液晶パネルに設けられた画素回路の構成を示した回路図である。図１２は、図１１に示した画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートである。図１３は、補正信号の波形を詳細に示したタイミングチャートである。図１４は、図１３に示した補正信号の波形の一部を詳細に示したタイミングチャートである。
【０１０４】
図１１に示すように、本例に係る液晶パネルにおける画素回路７０ｂは、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）を備えている点で上述の画素回路７０と相違する。
【０１０５】
補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の夫々は、本発明の「補助容量手段」の一例であり、これら補助容量素子の夫々に対応する複数の補助補正信号線１３１−１、・・・、１３１−ｉの夫々と、ノードＮとの間に電気的に接続されている。複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々は、液晶パネルの動作時に、補助補正信号供給回路から複数の補助補正信号線１３１−１、・・・、１３１−ｉの夫々を介して複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の夫々に供給される。
【０１０６】
図１１及び図１２に示すように、データ線１１４の電位ＤＬｋは、上述の液晶パネル１００の動作時と同様に、サンプリング信号Ｓｉが立ち下がるタイミングと、走査信号Ｙｊが立ち下がるタイミングとの夫々において、プッシュダウン現象が生じることによって、電圧ΔＶ１及びΔＶ２だけ低下する。本例に係る液晶パネルでは、一つの容量素子によってデータ線１１４のデータ線電位ＤＬｋの低下を補償するのではなく、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）が当該データ線電位ＤＬｋの低下に対する補償を分担する点に特徴がある。
【０１０７】
複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々は、サンプリング信号Ｓｉが入力されるタイミングの前に、第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａから第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂに下げられる。その後、走査信号Ｙｊが供給されなくなるタイミング、即ち一水平走査期間が終了した後に、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々の電位は、第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂから再度第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａに高められる。このように複数の補正信号φ１、・・・、φｉの夫々の電位を変更することによって、これら第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａと、第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂとの差分電圧値ΔＶｓ（１）、・・・、ΔＶｓ（ｉ）の夫々が複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）に印加される。複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）は、印加された差分電圧値ΔＶｓ（１）、・・・、ΔＶｓ（ｉ）に応じて、これら補助容量素子全体でノードＮの電位を電圧ΔＶ３だけ高める。これにより、上述の液晶パネル１００と同様に、プッシュダウンによって生じたノードＮの電位の低下、即ち画素電極９ａの電極電位Ｖｐｉｘが補償される。
【０１０８】
したがって、本例に係る液晶パネルによれば、上述の液晶パネル１００と異なり、ノードＮに生じた電位の変化を一つの容量素子によって補償する場合に比べて、当該一つの容量素子が他の画素回路に与える影響を低減できる。より具体的には、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）のうち一つの補助容量素子によって補償される電位の変化量は、第１変化量ΔＶ２に比べて小さいため、一つの容量素子で構成される容量手段によって他の画素回路に生じる画素電極９ａの電位変動に比べて当該他の画素回路における電極電位の変動を抑制できる。このような複数の補助容量素子による電位の補償は、相展開駆動される液晶パネルにおいて、表示性能を高める上で特に有効である。
【０１０９】
また、本例に係る液晶パネルのように、駆動方式として反転駆動方式を採用する場合には、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の夫々が相互に独立して、互いに異なる極性を有する画像信号ＶＩＤｋの夫々が供給された画素電極９ａの電極電位を補償することも可能である。
【０１１０】
尚、本実施形態では、ノードＮに生じた電位の変化のうち、走査信号Ｙｊが立ち下がったタイミングで生じる第１変化量ΔＶ２と、サンプリング信号Ｓｉが立ち下がったタイミングで生じる第２変化量ΔＶ１との両方が補償されているが、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）は、これら電位の変化量のうち少なくとも第１変化量ΔＶ２を補償するように動作すればよいが、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１の両方が補償されるほうがより好ましい。
【０１１１】
次に、図１３を参照しながら、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの波形を詳細に説明する。尚、図１３では、説明の便宜上、補助補正信号φ１、φｉ−１、φｉの波形のみを図示している。
【０１１２】
図１３に示すように、補正信号供給回路６００は、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々を互いに異なるタイミングで複数の補助補正信号線１３１−１、・・・、１３１−ｉの夫々に供給し、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）は、第１変化量ΔＶ２及び第２変化量ΔＶ１のうち少なくとも第１変化量ΔＶ２を時間軸に沿って段階的に補償する。より具体的には、補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々を第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂの夫々から第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａの夫々に立ち上げるタイミングは相互に異なっている。
【０１１３】
したがって、本例に係る液晶パネルによれば、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）に同一のタイミングでノードＮの電位の変化、即ち電極電位Ｖｐｉｘの変化を補償する場合に比べて、時間的に緩やかに電位の変化を補償でき、他の画素回路に寄生容量が生じることを低減できる。
【０１１４】
また、本例に係る液晶パネルによれば、第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａの夫々は相互に異なっていてもよいし、第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂの夫々も相互に異なっていてもよい。このように第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａ、及び第２電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａを設定可能にしておくことによって、差分電圧値ΔＶｓ（１）、・・・ΔＶｓ（ｉ）を規定する第１電位Ｖφ１ａ、・・・、Ｖφｉａ、及び第２電位Ｖφ１ｂ、・・・、Ｖφｉｂの設定値の自由度を高めることが可能である。同様の理由により、差分電圧値ΔＶｓ（１）、・・・ΔＶｓ（ｉ）の夫々が、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々について互いに異なっていてもよい。
【０１１５】
加えて、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の夫々の容量値は、互いに異なる値であってもよい。このように、第１電位及び第２電位、差分電圧値、並びに複数の補助容量素子の夫々の容量値について設定値の自由度を高めることが可能であるため、補助補正信号φ１、・・・、φｉの設定値に制限がある場合には、補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・、Ｃｆ（ｉ）の容量値を適切な値に設定することによってノードＮの電位の変化量を補償可能である。
【０１１６】
同様に、補助補正信号φ１、・・・、φｉを出力する補助補正信号供給回路６００の設計、或いは製造プロセスに制限が課されることによって、適切な補助補正信号φ１、・・・、φｉを複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）に供給できない場合であっても、複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）の夫々の容量値を適切な値に設定しておくことによって、ノードＮに生じる電位の変化を補償できると共に、例えば、ノードＮと他の配線等の導電部との間に生じる容量結合を低減でき、液晶素子等の表示素子における対向電極に供給される共通電位ＬＣＣＯＭとノードＮの電位との電位差に起因して生じる結合容量を低減できる。
【０１１７】
次に、図１４を参照しながら、補助補正信号φ１、・・・、φｉの波形の形状を詳細に説明する。
【０１１８】
図１４に示すように、本例に係る液晶パネルでは、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々の波形のうち時間軸Ｔに対する複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの電位の変化で特定される傾き部分の夫々が、時間軸Ｔに対して互いに異なる傾きを有している。
【０１１９】
より具体的には、例えば、補助補正信号φ１、φｉ−１、及びφｉの夫々における傾き部分Ｐ１、Ｐｉ−１、及びＰｉの夫々が時間軸Ｔに対して相互に異なる傾きを有している。
【０１２０】
このような補助補正信号φ１、・・・、φｉによれば、複数の補助補正信号φ１、・・・、φｉの夫々によって各々動作する複数の補助容量素子Ｃｆ（１）、・・・Ｃｆ（ｉ）によって、ノードＮと他の配線等の導電部との間に生じる容量結合を低減できると共に、液晶素子等の表示素子における対向電極に供給される共通電位ＬＣＣＯＭとノードＮの電位差に起因して生じる結合容量を効果的に低減できる。
【０１２１】
尚、本実施形態に係る液晶パネルでは、補正信号供給回路６００は、サンプリングスイッチ２０２及びＴＦＴ３０の少なくとも一方と並行して形成され、且つ当該一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子を含んで構成されていてもよい。
【０１２２】
このような補正信号供給回路６００によれば、一つの補正信号、或いは複数の補助補正信号の夫々に応じて補償可能な電圧をサンプリングスイッチ２０２及びＴＦＴ３０の少なくとも一方のしきい値電圧で一致させることが可能であり、サンプリングスイッチ２０２及びＴＦＴ３０の少なくとも一方と並行して形成され、且つ当該一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子と異なるトランジスタ素子を介して、補正信号或いは複数の補助補正信号が出力されるに比べて、これら信号相互の電位のばらつきを低減可能である。
【０１２３】
＜４：電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１２４】
＜４−１：モバイル型コンピュータ＞
先ず、上述の液晶装置をモバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１５において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１２５】
＜４−２：携帯電話＞
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１６において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１２６】
尚、図１５及び図１６を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１２７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本実施形態に係る液晶パネルの平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶パネルの全体構成を示したブロック図である。
【図４】本実施形態に係る液晶パネルの電気的構成を示したブロック図である。
【図５】本実施形態に係る液晶パネルにおける画素回路７０の回路構成をサンプリングスイッチと共に示した回路図である。
【図６】本実施形態に係る液晶パネルに供給される各種信号のタイミングチャート（その１）である。
【図７】本実施形態に係る液晶パネルに供給される各種信号のタイミングチャート（その２）である。
【図８】本実施形態に係る液晶パネルが有する画素回路の比較例に係る画素回路の回路図である。
【図９】本実施形態に係る液晶パネルが有する画素回路の比較例に係る画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートである。
【図１０】本実施形態に係る液晶パネルが有する画素回路の比較例に係る画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートの他の例である。
【図１１】本実施形態に係る液晶パネルに設けられた画素回路の変形例の構成を示した回路図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶パネルに設けられた画素回路の変形例に係る画素回路に供給される各種信号のタイミングチャートである。
【図１３】本実施形態に係る液晶パネルに設けられた画素回路の変形例に係る画素回路に供給される補正信号の波形を詳細に示したタイミングチャートである。
【図１４】図１３に示した補正信号の波形の一部を詳細に示したタイミングチャートである。
【図１５】本発明に係る電子機器の一例であるパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の例である携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【０１２９】
９ａ・・・画素電極、３０・・・ＴＦＴ、１０１・・・データ線駆動回路、１０４・・・走査線駆動回路、１１２・・・走査線、１１４・・・データ線、１１９・・・保持容量、２００・・・サンプリング回路、Ｎ・・・ノード、Ｃｆ・・・容量素子、Ｃｆ（ｉ）・・・補助容量素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられた複数の表示素子の駆動を制御する複数の画素回路とを備え、
前記画素回路は、
前記表示素子を駆動する駆動電極と、
（ｉ）前記データ線に電気的に接続され、且つ前記データ線を介して画像信号が入力される入力側端子、（ｉｉ）前記駆動電極に電気的に接続され、且つ前記駆動電極に前記画像信号を出力する出力側端子、及び（ｉｉｉ）前記走査線に電気的に接続されたゲート電極を有しており、前記駆動電極を介して前記駆動を制御する駆動用トランジスタ素子と、
（ａ）固定電位が供給される固定電位線に電気的に接続された第１容量電極、及び（ｂ）前記駆動電極及び前記出力側端子間を電気的に接続する接続経路の途中に設けられたノードに電気的に接続され、且つ前記第１容量電極と共に一対の容量電極を構成する第２容量電極を有しており、前記画像信号の電位に応じて設定された前記駆動電極の電極電位を保持する保持容量と、
補正信号供給回路から補正信号が供給される補正信号線及び前記ノード間において、前記補正信号線及び前記ノードの夫々に電気的に接続されており、前記駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に前記ノードの電位に生じる第１変化量を前記補正信号に応じて補償する容量手段とを有すること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記補正信号供給回路は、前記駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられる第１タイミングに先んじて、前記補正信号の電位を第１電位から第２電位に変更し、前記第１タイミングの後に前記補正信号の電位を前記第２電位から前記第１電位に変更すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリングスイッチを有するサンプリング回路と、
前記サンプリングスイッチを介して前記データ線に前記画像信号が供給されるように前記サンプリングスイッチを非選択状態から選択状態に切り換えるデータ線駆動回路とを備え、
前記補正信号供給回路は、前記サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられる第２タイミングに先んじて、前記補正信号の電位を前記第１電位から前記第２電位に変更し、
前記容量手段は、前記サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられた際に前記ノードの電位に生じる第２変化量を補償すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１電位及び前記第２電位間の電位差である差分電圧値と、前記容量手段の容量値との組み合わせは、前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量を補償可能なように設定されていること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記補正信号線は、複数の補助補正信号線から構成されており、
前記補正信号は、前記補正信号供給回路から前記複数の補助補正信号線に供給される複数の補助補正信号であり、
前記容量手段は、前記ノードに各々電気的に接続された複数の補助容量手段であり、
前記複数の補助容量手段の夫々は、前記複数の補助補正信号線の夫々に応じて前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量の補償を分担すること
を特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記補正信号供給回路は、前記複数の補助補正信号を互いに異なるタイミングで前記複数の補助補正信号線の夫々に供給し、
前記複数の補助容量手段は、前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量を時間軸に沿って段階的に補償すること
を特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の補助補正信号の夫々の波形のうち前記時間軸に対する前記複数の補助補正信号の電位の変化で特定される傾き部分の夫々は、前記時間軸に対して互いに異なる傾きを有すること
を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の補助容量手段の夫々の容量値は、互いに異なる値であること
を特徴とする請求項５乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１電位は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なり、
前記第２電位は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なること
を特徴とする請求項５乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記複数の補助補正信号の夫々における前記第１電位及び前記第２電位の差である差分電圧値の夫々は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なること
を特徴とする請求項５乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記サンプリングスイッチは、サンプリング用トランジスタ素子であり、
前記補正信号供給回路は、前記サンプリング用トランジスタ素子及び前記駆動用トランジスタ素子の少なくとも一方と並行して形成され、且つ前記一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子を含んで構成されていること
を特徴とする請求項３乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上の表示領域で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられた複数の表示素子の駆動を制御する複数の画素回路とを備え、
前記画素回路は、
前記表示素子を駆動する駆動電極と、
（ｉ）前記データ線に電気的に接続され、且つ前記データ線を介して画像信号が入力される入力側端子、（ｉｉ）前記駆動電極に電気的に接続され、且つ前記駆動電極に前記画像信号を出力する出力側端子、及び（ｉｉｉ）前記走査線に電気的に接続されたゲート電極を有しており、前記駆動電極を介して前記駆動を制御する駆動用トランジスタ素子と、
（ａ）固定電位が供給される固定電位線に電気的に接続された第１容量電極、及び（ｂ）前記駆動電極及び前記出力側端子間を電気的に接続する接続経路の途中に設けられたノードに電気的に接続され、且つ前記第１容量電極と共に一対の容量電極を構成する第２容量電極を有しており、前記画像信号の電位に応じて設定された前記駆動電極の電極電位を保持する保持容量と、
補正信号供給回路から補正信号が供給される補正信号線及び前記ノード間において、前記補正信号線及び前記ノードの夫々に電気的に接続されており、前記駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられた際に前記ノードの電位に生じる第１変化量を前記補正信号に応じて補償する容量手段とを有すること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記補正信号供給回路は、前記駆動用トランジスタ素子が選択状態から非選択状態に切り換えられる第１タイミングに先んじて、前記補正信号の電位を第１電位から第２電位に変更し、前記第１タイミングの後に前記補正信号の電位を前記第２電位から前記第１電位に変更すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリングスイッチを有するサンプリング回路と、
前記サンプリングスイッチを介して前記データ線に前記画像信号が供給されるように前記サンプリングスイッチを非選択状態から選択状態に切り換えるデータ線駆動回路とを備え、
前記補正信号供給回路は、前記サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられる第２タイミングに先んじて、前記補正信号の電位を前記第１電位から前記第２電位に変更し、
前記容量手段は、前記サンプリングスイッチが選択状態から非選択状態に切り換えられた際に前記ノードの電位に生じる第２変化量を補償すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１電位及び前記第２電位間の電位差である差分電圧値と、前記容量手段の容量値との組み合わせは、前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量を補償可能なように設定されていること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記補正信号線は、複数の補助補正信号線から構成されており、
前記補正信号は、前記補正信号供給回路から前記複数の補助補正信号線に供給される複数の補助補正信号であり、
前記容量手段は、前記ノードに各々電気的に接続された複数の補助容量手段であり、
前記複数の補助容量手段の夫々は、前記複数の補助補正信号線の夫々に応じて前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量の補償を分担すること
を特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記補正信号供給回路は、前記複数の補助補正信号を互いに異なるタイミングで前記複数の補助補正信号線の夫々に供給し、
前記複数の補助容量手段は、前記第１変化量及び前記第２変化量のうち少なくとも前記第１変化量を時間軸に沿って段階的に補償すること
を特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の補助補正信号の夫々の波形のうち前記時間軸に対する前記複数の補助補正信号の電位の変化で特定される傾き部分の夫々は、前記時間軸に対して互いに異なる傾きを有すること
を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の補助容量手段の夫々の容量値は、互いに異なる値であること
を特徴とする請求項５乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１電位は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なり、
前記第２電位は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なること
を特徴とする請求項５乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記複数の補助補正信号の夫々における前記第１電位及び前記第２電位の差である差分電圧値の夫々は、前記複数の補助補正信号の夫々において互いに異なること
を特徴とする請求項５乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記サンプリングスイッチは、サンプリング用トランジスタ素子であり、
前記補正信号供給回路は、前記サンプリング用トランジスタ素子及び前記駆動用トランジスタ素子の少なくとも一方と並行して形成され、且つ前記一方と同一の素子設計を有する供給回路用トランジスタ素子を含んで構成されていること
を特徴とする請求項３乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００９−７５３０１（Ｐ２００９−７５３０１Ａ）
【公開日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２４３４４２（Ｐ２００７−２４３４４２）
【出願日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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