露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
【課題】描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔を設定し、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させる。
【解決手段】チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダ３２を設け、エンコーダ３２のパルス信号からチャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な移動量を検出する。描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、チャック１０の位置座標を決定し、チャック１０の位置座標に応じた描画データを光ビーム照射装置２０の駆動回路へ供給する。
【解決手段】チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダ３２を設け、エンコーダ３２のパルス信号からチャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な移動量を検出する。描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、チャック１０の位置座標を決定し、チャック１０の位置座標に応じた描画データを光ビーム照射装置２０の駆動回路へ供給する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。
【０００３】
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。この様な露光装置として、例えば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３に記載のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−４４３１８号公報
【特許文献２】特開２０１０−６０９９０号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０２０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光ビームにより基板にパターンを描画する際、光ビームの変調には、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）等の空間的光変調器が用いられる。ＤＭＤは、光ビームを反射する複数の微小なミラーを二方向に配列して構成され、各ミラーの角度を変更することにより、基板へ照射する光ビームを変調する。ＤＭＤの駆動回路は、描画データに基づいて、各ミラーを駆動するための駆動信号をＤＭＤへ出力する。光ビームによる基板の走査は、基板を支持するチャックと、ＤＭＤにより変調された光ビームを基板へ照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動して行われる。
【０００６】
描画データは、描画するパターンのＣＡＤデータから作られた座標データを元に生成されてメモリに記憶され、チャックと光ビーム照射装置との相対的な移動に伴い、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標に応じて、メモリから読み出されてＤＭＤの駆動回路へ供給される。描画データに基づき空間的光変調器を駆動する度に、空間的光変調器により変調された光ビームが照射される描画領域を移動する距離（露光間隔）に関しては、照射される光ビームの強度により十分な露光量を得るため描画速度を制御する必要があり、さらに描画データの解像度と移動距離の基準となるエンコーダのパルス信号の周期（距離）とが一致する値とする必要がある。
【０００７】
チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標は、チャック又は光ビーム照射装置の移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダを設け、エンコーダのパルス信号からチャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量を検出して決定される。従って、描画データに基づき空間的光変調器を駆動する度に、空間的光変調器により変調された光ビームが照射される描画領域を移動する距離（露光間隔）は、エンコーダのパルス信号の周期の整数倍となる。ここで、描画データの解像度で決まる露光間隔と、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とが、同一又は倍数の関係にないと、両者の間にずれが生じ、描画精度が低下する。
【０００８】
本発明の課題は、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔を設定し、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させることである。さらに、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置と、チャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、移動手段の移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダと、エンコーダのパルス信号から移動手段の移動量を検出して、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定し、決定した位置座標に応じた描画データを光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画制御手段とを備え、描画制御手段が、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定する座標決定手段を有するものである。
【００１０】
また、本発明の露光方法は、フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、チャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、チャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダを設け、エンコーダのパルス信号からチャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量を検出し、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定し、決定した位置座標に応じた描画データを光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。
【００１１】
本発明において、露光間隔とは、描画データに基づき空間的光変調器を駆動する度に、空間的光変調器により変調された光ビームが照射される描画領域を移動する距離を示し、目標とする基準露光間隔は、チャックと光ビーム照射装置との相対的な移動速度、露光光の光量、基板に塗布されたフォトレジストの性能等に応じて決定される。描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算するので、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく、露光間隔が設定される。従って、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させることができる。
【００１２】
さらに、本発明の露光装置は、座標決定手段が、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくするものである。また、本発明の露光方法は、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくするものである。
【００１３】
描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を演算する際、実際の演算回路では、演算結果が演算回路の解像度に依存し、解像度以下の誤差が蓄積して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれが大きくなる。演算回路の解像度を細かくすれば、このずれを小さくすることができるが、解像度を細かくすると、より多くのビット数が必要となり、演算回路の規模が増大する。本発明では、描画データの解像度よりも細かな解像度で仮想の基準座標を設定しており、実際の演算回路を変更することなく、目標とする基準露光間隔に応じて、基準座標の解像度を変更することができる。目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくするので、演算回路の解像度の制約による描画精度の低下が抑制される。
【００１４】
さらに、本発明の露光装置は、座標決定手段が、基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出する第１の演算回路と、基準座標上で、移動手段の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正する第２の演算回路と、基準座標上で、移動手段の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正する第３の演算回路とを有するものである。
【００１５】
また、本発明の露光方法は、基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出し、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正し、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正するものである。
【００１６】
基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正するので、基準露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれが、エンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる。また、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正するので、基準露光間隔と描画データの解像度で決まる露光間隔とのずれが、描画データの解像度より小さくなる。
【００１７】
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔が設定され、描画精度が向上するので、高品質な表示用パネル基板が製造される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の露光装置及び露光方法によれば、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算することにより、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく、露光間隔を設定することができる。従って、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させることができる。
【００１９】
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくすることにより、演算回路の解像度の制約による描画精度の低下を抑制することができる。
【００２０】
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正することにより、基準露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを、エンコーダのパルス信号の間隔より小さくすることができる。また、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正することにより、基準露光間隔と描画データの解像度で決まる露光間隔とのずれを、描画データの解像度より小さくすることができる。
【００２１】
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔を設定して、描画精度を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による露光装置の側面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。
【図４】光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。
【図５】ＤＭＤのミラー部の一例を示す図である。
【図６】レーザー測長系の動作を説明する図である。
【図７】本発明の一実施の形態による描画制御部の概略構成を示す図である。
【図８】中心点座標決定部の一例のブロック図である。
【図９】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１０】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１１】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１２】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１３】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１４】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１５】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１６】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１７】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１８】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１９】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図２は本発明の一実施の形態による露光装置の側面図、図３は本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック１０、ゲート１１、光ビーム照射装置２０、リニアスケール３１，３３、エンコーダ３２，３４、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を含んで構成されている。なお、図２及び図３では、レーザー測長系のレーザー光源４１、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
【００２４】
なお、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。
【００２５】
図１及び図２において、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０は、基板１の裏面を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストが塗布されている。
【００２６】
基板１の露光を行う露光位置の上空に、ベース３をまたいでゲート１１が設けられている。ゲート１１には、複数の光ビーム照射装置２０が搭載されている。なお、本実施の形態は、８つの光ビーム照射装置２０を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、本発明は１つ又は２つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。
【００２７】
図４は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置２０は、光ファイバー２２、レンズ２３、ミラー２４、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）２５、投影レンズ２６、及びＤＭＤ駆動回路２７を含んで構成されている。光ファイバー２２は、レーザー光源ユニット２１から発生された紫外光の光ビームを、光ビーム照射装置２０内へ導入する。光ファイバー２２から射出された光ビームは、レンズ２３及びミラー２４を介して、ＤＭＤ２５へ照射される。ＤＭＤ２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。ＤＭＤ２５により変調された光ビームは、投影レンズ２６を含むヘッド部２０ａから照射される。ＤＭＤ駆動回路２７は、主制御装置７０から供給された描画データに基づいて、ＤＭＤ２５の各ミラーの角度を変更する。
【００２８】
図２及び図３において、チャック１０は、θステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。Ｘステージ５、Ｙステージ７、及びθステージ８には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図１のステージ駆動回路６０により駆動される。
【００２９】
θステージ８のθ方向への回転により、チャック１０に搭載された基板１は、直交する二辺がＸ方向及びＹ方向へ向く様に回転される。Ｘステージ５のＸ方向への移動により、チャック１０は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームが、基板１をＸ方向へ走査する。また、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームによる基板１の走査領域が、Ｙ方向へ移動される。図１において、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、θステージ８のθ方向へ回転、Ｘステージ５のＸ方向への移動、及びＹステージ７のＹ方向への移動を行う。
【００３０】
図５は、ＤＭＤのミラー部の一例を示す図である。光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５は、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査方向（Ｘ方向）に対して、所定の角度θだけ傾いて配置されている。ＤＭＤ２５を、走査方向に対して傾けて配置すると、直交する二方向に配列された複数のミラー２５ａのいずれかが、隣接するミラー２５ａ間の隙間に対応する箇所をカバーするので、パターンの描画を隙間無く行うことができる。
【００３１】
なお、本実施の形態では、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行っているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行ってもよい。また、本実施の形態では、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更しているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更してもよい。
【００３２】
図１及び図２において、ベース３には、Ｘ方向へ伸びるリニアスケール３１が設置されている。リニアスケール３１には、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。また、Ｘステージ５には、Ｙ方向へ伸びるリニアスケール３３が設置されている。リニアスケール３３には、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。
【００３３】
図１及び図３において、Ｘステージ５の一側面には、リニアスケール３１に対向して、エンコーダ３２が取り付けられている。エンコーダ３２は、リニアスケール３１の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。また、図１及び図２において、Ｙステージ７の一側面には、リニアスケール３３に対向して、エンコーダ３４が取り付けられている。エンコーダ３４は、リニアスケール３３の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。主制御装置７０は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出し、エンコーダ３４のパルス信号をカウントして、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出する。
【００３４】
図６は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図６においては、図１に示したゲート１１、及び光ビーム照射装置２０が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源４１、レーザー干渉計４２，４４、及びバーミラー４３，４５を含んで構成されている。バーミラー４３は、チャック１０のＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。また、バーミラー４５は、チャック１０のＸ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。
【００３５】
レーザー干渉計４２は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４３へ照射し、バーミラー４３により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４３により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Ｙ方向の２箇所で行う。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４２の測定結果から、チャック１０のＸ方向の位置及び回転を検出する。
【００３６】
一方、レーザー干渉計４４は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４４の測定結果から、チャック１０のＹ方向の位置を検出する。
【００３７】
図４において、主制御装置７０は、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ描画データを供給する描画制御部を有する。図７は、描画制御部の概略構成を示す図である。描画制御部７１は、メモリ７２、バンド幅設定部７３、中心点座標決定部７４、及び座標決定部７５を含んで構成されている。メモリ７２は、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを、そのＸＹ座標をアドレスとして記憶している。
【００３８】
バンド幅設定部７３は、メモリ７２から読み出す描画データのＹ座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＹ方向のバンド幅を設定する。
【００３９】
レーザー測長系制御装置４０は、露光位置における基板１の露光を開始する前のチャック１０のＸＹ方向の位置を検出する。中心点座標決定部７４は、レーザー測長系制御装置４０が検出したチャック１０のＸＹ方向の位置から、基板１の露光を開始する前のチャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。図１において、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１の走査を行う際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動させる。基板１の走査領域を移動する際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動させる。図７において、中心点座標決定部７４は、エンコーダ３２，３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量及びＹステージ７のＹ方向への移動量を検出し、チャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。
【００４０】
座標決定部７５は、中心点座標決定部７４が決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標に基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定する。メモリ７２は、座標決定部７５が決定したＸＹ座標をアドレスとして入力し、入力したＸＹ座標のアドレスに記憶された描画データを、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ出力する。
【００４１】
以下、本発明の一実施の形態による露光方法について説明する。図８は、中心点座標決定部の一例のブロック図である。また、図９〜図１３は、中心点座標決定部の動作を示す図である。図８において、中心点座標決定部７４は、露光間隔タイミング生成回路４１０、基準座標演算回路４２０、エンコーダ座標演算回路４３０、描画座標演算回路４４０、及び描画座標生成回路４５０を含んで構成されている。
【００４２】
図９は、目標とする基準露光間隔が１０．６２５ｍｍ、エンコーダ３２のパルス信号の間隔が０．８ｍｍのときの例を示している。このとき、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔は、エンコーダ３２のパルス信号の間隔の１３倍（１３ビット）の１０．４０ｍｍとなり、解像度誤差は、０．２２５ｍｍとなる。また、図１０は、目標とする基準露光間隔が１０．６２５ｍｍ、描画データの解像度が０．５ｍｍのときの例を示している。このとき、描画データの解像度で決まる露光間隔は、描画データの解像度の２１倍（２１ビット）の１０．５０ｍｍとなり、解像度誤差は、０．１２５ｍｍとなる。
【００４３】
図８において、露光間隔タイミング生成回路４１０は、露光間隔レジスタ４１１、演算器４１２、カウンタ４１３、及び比較器４１４を含んで構成されている。露光間隔レジスタ４１１には、露光間隔をエンコーダ３２のパルス信号のビット数で示した数値（図９の例における「１３」）が記憶されている。カウンタ４１３は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、カウントした数値を出力する。比較器４１４は、露光間隔レジスタ４１１から演算器４１２を介して入力した数値と、カウンタ４１３が出力した数値とを比較し、両者が一致すると、露光間隔を制御するタイミング信号を出力する。
【００４４】
基準座標演算回路４２０は、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出する。基準座標演算回路４２０は、露光間隔レジスタ４２１、及び加算器４２２を含んで構成されている。露光間隔レジスタ４２１には、目標とする基準露光間隔の数値（図９及び図１０の例における「１０．６２５」）が記憶されている。加算器４２２は、露光間隔タイミング生成回路４１０からタイミング信号を入力する度に、露光間隔レジスタ４２１から入力した目標とする基準露光間隔の数値を積算して、基準積算移動量を算出する。
【００４５】
エンコーダ座標演算回路４３０は、基準座標演算回路４２０と同じ基準座標を設定し、基準座標上で、Ｘステージ５の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正する。エンコーダ座標演算回路４３０は、露光間隔レジスタ４３１、演算器４３２、加算器４３３、エンコーダパルス間隔レジスタ４３４、及び比較器４３５を含んで構成されている。
【００４６】
露光間隔レジスタ４３１には、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔の数値（図９の例における「１０．４０」）が記憶されている。加算器４３３は、露光間隔タイミング生成回路４１０からタイミング信号を入力する度に、露光間隔レジスタ４３１から演算器４３２を介して入力した露光間隔の数値を積算して、チャック１０の積算移動量を算出する。
【００４７】
エンコーダパルス間隔レジスタ４３４には、エンコーダ３２のパルス信号の間隔の数値（図９の例における「０．８」）が記憶されている。比較器４３５は、基準座標演算回路４２０の加算器４２２から入力した基準積算移動量の数値と、加算器４３３から入力した積算移動量の数値とを比較し、両者の差（図９の例における「積算誤差」）がエンコーダパルス間隔レジスタ４３４から入力したパルス信号の間隔の数値に達する一回前に、露光間隔の補正を要求する補正要求信号を出力する。
【００４８】
比較器４３５から補正要求信号が出力されると、露光間隔タイミング生成回路４１０の演算器４１２は、露光間隔レジスタ４１１から入力した数値に補正要求信号の「１」を加算して、比較器４１４へ出力する。図９の例において、比較器４１４は、補正要求信号が出力されない場合、カウンタ４１３が出力した数値が露光間隔レジスタ４１１に記憶された数値「１３」に達すると、タイミング信号を出力し、補正要求信号が出力された場合、カウンタ４１３が出力した数値が演算器４１２により「１」を加算された数値「１４」に達すると、タイミング信号を出力する。従って、前のタイミング信号が出力されてからのチャック１０の移動量は、補正要求信号が出力されない場合、１０．４０ｍｍ（１３ビット）となり、補正要求信号が出力された場合、１１．２０ｍｍ（１４ビット）となる。図９の例では、露光番号４，８，１１，１５，１８，２２，２５，２９のところで、補正要求信号が出力され、チャック１０の移動量が１１．２０ｍｍ（１４ビット）となっている。
【００４９】
また、比較器４３５から補正要求信号が出力されると、エンコーダ座標演算回路４３０の演算器４３２は、露光間隔レジスタ４３１に記憶されたエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔の数値（図９の例における「１０．４０」）に、エンコーダパルス間隔レジスタ４３４に記憶されたエンコーダ３２のパルス信号の間隔の数値（図９の例における「０．８」）を加算した数値を、加算器４３３へ出力する。従って、図９の例において、加算器４３３から出力されるチャック１０の積算移動量は、補正要求信号が出力されない場合、１０．４０ｍｍずつ増加し、補正要求信号が出力された場合、１１．２０ｍｍ増加する。図９の例では、露光番号４，８，１１，１５，１８，２２，２５，２９のところで、補正要求信号が出力され、チャック１０の積算移動量の増分が１１．２０ｍｍとなっている。
【００５０】
エンコーダ座標演算回路４３０により、基準座標上で、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な積算移動量を算出し、積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正するので、基準露光間隔とエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれが、エンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくなる。
【００５１】
描画座標演算回路４４０は、基準座標演算回路４２０と同じ基準座標を設定し、基準座標上で、Ｘステージ５の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正する。描画座標演算回路４４０は、露光間隔レジスタ４４１、演算器４４２、加算器４３３、描画解像度レジスタ４４４、及び比較器４４５を含んで構成されている。
【００５２】
露光間隔レジスタ４４１には、描画データの解像度で決まる露光間隔の数値（図１０の例における「１０．５０」）が記憶されている。加算器４４３は、露光間隔タイミング生成回路４１０からタイミング信号を入力する度に、露光間隔レジスタ４４１から演算器４４２を介して入力した露光間隔の数値を積算して、チャック１０の積算移動量を算出する。
【００５３】
描画解像度レジスタ４４４には、描画データの解像度の数値（図１０の例における「０．５」）が記憶されている。比較器４４５は、基準座標演算回路４２０の加算器４２２から入力した基準積算移動量の数値と、加算器４３３から入力した積算移動量の数値とを比較し、両者の差（図１０の例における「積算誤差」）が描画解像度レジスタ４４４から入力した描画データの解像度の数値に達する一回前に、露光間隔の補正を要求する補正要求信号を出力する。
【００５４】
描画座標生成回路４５０は、座標移動間隔レジスタ４５１、演算器４５２、及び加算器４５３を含んで構成されている。座標移動間隔レジスタ４５１には、露光間隔を描画データの解像度のビット数で示した数値（図１０の例における「２１」）が記憶されている。加算器４５３は、露光間隔タイミング生成回路４１０からタイミング信号を入力する度に、座標移動間隔レジスタ４５１から演算器４５２を介して入力した露光間隔の数値を積算して、チャック１０の積算移動量を算出する。
【００５５】
描画座標演算回路４４０の比較器４４５から補正要求信号が出力されると、描画座標演算回路４４０の演算器４４２は、露光間隔レジスタ４４１に記憶された描画データの解像度で決まる露光間隔の数値（図１０の例における「１０．５０」）に、描画解像度レジスタ４４４に記憶された描画データの解像度の数値（図１０の例における「０．５」）を加算した数値を、加算器４４３へ出力する。従って、図１０の例において、加算器４４３から出力されるチャック１０の積算移動量は、補正要求信号が出力されない場合、１０．５０ｍｍずつ増加し、補正要求信号が出力された場合、１１．００ｍｍ増加する。図１０の例では、露光番号４，８，１２，１６，２０，２４，２８のところで、補正要求信号が出力され、チャック１０の積算移動量の増分が１１．００ｍｍとなっている。
【００５６】
また、描画座標演算回路４４０の比較器４４５から補正要求信号が出力されると、描画座標生成回路４５０の演算器４５２は、座標移動間隔レジスタ４５１から入力した数値に補正要求信号の「１」を加算して、加算器４５３へ出力する。図１０の例において、加算器４５３は、補正要求信号が出力されない場合、座標移動間隔レジスタ４５１に記憶された数値「２１」を出力し、補正要求信号が出力された場合、演算器４５２により「１」を加算された数値「２２」を出力する。従って、前のタイミング信号が出力されてからのチャック１０の移動量は、補正要求信号が出力されない場合、１０．５０ｍｍ（２１ビット）となり、補正要求信号が出力された場合、１１．００ｍｍ（２２ビット）となる。図１０の例では、露光番号４，８，１２，１６，２０，２４，２８のところで、補正要求信号が出力され、チャック１０の移動量が１１．００ｍｍ（２２ビット）となっている。
【００５７】
描画座標演算回路４４０により、基準座標上で、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な積算移動量を算出し、積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正するので、基準露光間隔と描画データの解像度で決まる露光間隔とのずれが、描画データの解像度より小さくなる。
【００５８】
描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を演算する際、実際の演算回路では、演算結果が演算回路の解像度に依存し、解像度以下の誤差が蓄積して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれが大きくなる。例えば、図１１は、目標とする基準露光間隔が１０．６２４ｍｍ、エンコーダ３２のパルス信号の間隔が０．８ｍｍのときの例を示している。このとき、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔は、エンコーダ３２のパルス信号の間隔の１３倍（１３ビット）の１０．４０ｍｍとなり、解像度誤差は、０．２２４ｍｍとなる。しかしながら、演算回路の解像度を、０．００５ｍｍとすると、図１２に示す様に、演算上の露光間隔は解像度の２１２４倍（２１２４ビット）の１０．６２０ｍｍとなり、解像度誤差は、０．２２０ｍｍとなる。そして、この場合の積算誤差を、図１１の場合の積算誤差と比較すると、図１２の場合は、露光番号が増加するに従って、積算誤差が０．００４ｍｍずつ増加している。
【００５９】
演算回路の解像度を細かくすれば、このずれを小さくすることができるが、解像度を細かくすると、より多くのビット数が必要となり、演算回路の規模が増大する。本発明では、描画データの解像度よりも細かな解像度で仮想の基準座標を設定しており、実際の演算回路を変更することなく、目標とする基準露光間隔に応じて、基準座標の解像度を変更することができる。例えば、図１１の例では、演算回路の解像度を、０．００１ｍｍとすると、図１３に示す様に、演算上の露光間隔値は解像度の１０６２４倍（１０６２４ビット）の１０．６２４ｍｍとなり、解像度誤差は、０．２２４ｍｍとなる。従って、この場合の積算誤差は、図１１の場合の積算誤差と同じになる。目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくするので、演算回路の解像度の制約による描画精度の低下が抑制される。
【００６０】
また、仮想の基準座標の原点を、Ｘステージ５及びＹステージ７の移動範囲の外側のチャック１０の中心点が到達しない位置に設定すると、基準座標演算回路４２０、エンコーダ座標演算回路４３０、及び描画座標演算回路４４０において、演算結果の正負の極性が全て同じになるので、基準座標演算回路４２０、エンコーダ座標演算回路４３０、及び描画座標演算回路４４０の各構成要素を簡単な構成にすることができる。
【００６１】
図１４〜図１７は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図１４〜図１７は、８つの光ビーム照射装置２０からの８本の光ビームにより、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示している。図１４〜図１７においては、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａが破線で示されている。各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームは、Ｙ方向にバンド幅Ｗを有し、Ｘステージ５のＸ方向への移動によって、基板１を矢印で示す方向へ走査する。
【００６２】
図１４は、１回目の走査を示し、Ｘ方向への１回目の走査により、図１４に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。１回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１５は、２回目の走査を示し、Ｘ方向への２回目の走査により、図１５に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。２回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１６は、３回目の走査を示し、Ｘ方向への３回目の走査により、図１６に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。３回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１７は、４回目の走査を示し、Ｘ方向への４回目の走査により、図１７に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板１全体の走査が終了する。
【００６３】
複数の光ビーム照射装置２０からの複数の光ビームにより基板１の走査を並行して行うことにより、基板１全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。
【００６４】
なお、図１４〜図１７では、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板１のＸ方向の走査を３回以下又は５回以上行って、基板１全体を走査してもよい。
【００６５】
以上説明した実施の形態によれば、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算することにより、描画データの解像度やエンコーダ３２のパルス信号の周期に依存することなく、露光間隔を設定することができる。従って、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させることができる。
【００６６】
さらに、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくすることにより、演算回路の解像度の制約による描画精度の低下を抑制することができる。
【００６７】
さらに、基準座標上で、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正することにより、基準露光間隔とエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを、エンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくすることができる。また、基準座標上で、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正することにより、基準露光間隔と描画データの解像度で決まる露光間隔とのずれを、描画データの解像度より小さくすることができる。
【００６８】
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔を設定して、描画精度を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【００６９】
例えば、図１８は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００７０】
また、図１９は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。
【００７１】
図１８に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図１９に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップ２０２）の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１ 基板
３ ベース
４ Ｘガイド
５ Ｘステージ
６ Ｙガイド
７ Ｙステージ
８ θステージ
１０ チャック
１１ ゲート
２０ 光ビーム照射装置
２０ａ ヘッド部
２１ レーザー光源ユニット
２２ 光ファイバー
２３ レンズ
２４ ミラー
２５ ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）
２６ 投影レンズ
２７ ＤＭＤ駆動回路
３１，３３ リニアスケール
３２，３４ エンコーダ
４０ レーザー測長系制御装置
４１ レーザー光源
４２，４４ レーザー干渉計
４３，４５ バーミラー
６０ ステージ駆動回路
７０ 主制御装置
７１ 描画制御部
７２ メモリ
７３ バンド幅設定部
７４ 中心点座標決定部
７５ 座標決定部
４１０ 露光間隔タイミング生成回路
４１１，４２１，４３１，４４１ 露光間隔レジスタ
４１２，４３２，４４２，４５２ 演算器
４１３ カウンタ
４１４，４３５，４４５ 比較器
４２０ 基準座標演算回路
４２２，４３３，４４３，４５３ 加算器
４３０ エンコーダ座標演算回路
４３４ エンコーダパルス間隔レジスタ
４４０ 描画座標演算回路
４４４ 描画解像度レジスタ
４５０ 描画座標生成回路
４５１ 座標移動間隔レジスタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。
【０００３】
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。この様な露光装置として、例えば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３に記載のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−４４３１８号公報
【特許文献２】特開２０１０−６０９９０号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０２０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光ビームにより基板にパターンを描画する際、光ビームの変調には、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）等の空間的光変調器が用いられる。ＤＭＤは、光ビームを反射する複数の微小なミラーを二方向に配列して構成され、各ミラーの角度を変更することにより、基板へ照射する光ビームを変調する。ＤＭＤの駆動回路は、描画データに基づいて、各ミラーを駆動するための駆動信号をＤＭＤへ出力する。光ビームによる基板の走査は、基板を支持するチャックと、ＤＭＤにより変調された光ビームを基板へ照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動して行われる。
【０００６】
描画データは、描画するパターンのＣＡＤデータから作られた座標データを元に生成されてメモリに記憶され、チャックと光ビーム照射装置との相対的な移動に伴い、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標に応じて、メモリから読み出されてＤＭＤの駆動回路へ供給される。描画データに基づき空間的光変調器を駆動する度に、空間的光変調器により変調された光ビームが照射される描画領域を移動する距離（露光間隔）に関しては、照射される光ビームの強度により十分な露光量を得るため描画速度を制御する必要があり、さらに描画データの解像度と移動距離の基準となるエンコーダのパルス信号の周期（距離）とが一致する値とする必要がある。
【０００７】
チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標は、チャック又は光ビーム照射装置の移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダを設け、エンコーダのパルス信号からチャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量を検出して決定される。従って、描画データに基づき空間的光変調器を駆動する度に、空間的光変調器により変調された光ビームが照射される描画領域を移動する距離（露光間隔）は、エンコーダのパルス信号の周期の整数倍となる。ここで、描画データの解像度で決まる露光間隔と、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とが、同一又は倍数の関係にないと、両者の間にずれが生じ、描画精度が低下する。
【０００８】
本発明の課題は、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔を設定し、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させることである。さらに、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置と、チャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、移動手段の移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダと、エンコーダのパルス信号から移動手段の移動量を検出して、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定し、決定した位置座標に応じた描画データを光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画制御手段とを備え、描画制御手段が、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定する座標決定手段を有するものである。
【００１０】
また、本発明の露光方法は、フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、チャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、チャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダを設け、エンコーダのパルス信号からチャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量を検出し、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定し、決定した位置座標に応じた描画データを光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。
【００１１】
本発明において、露光間隔とは、描画データに基づき空間的光変調器を駆動する度に、空間的光変調器により変調された光ビームが照射される描画領域を移動する距離を示し、目標とする基準露光間隔は、チャックと光ビーム照射装置との相対的な移動速度、露光光の光量、基板に塗布されたフォトレジストの性能等に応じて決定される。描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算するので、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく、露光間隔が設定される。従って、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させることができる。
【００１２】
さらに、本発明の露光装置は、座標決定手段が、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくするものである。また、本発明の露光方法は、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくするものである。
【００１３】
描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を演算する際、実際の演算回路では、演算結果が演算回路の解像度に依存し、解像度以下の誤差が蓄積して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれが大きくなる。演算回路の解像度を細かくすれば、このずれを小さくすることができるが、解像度を細かくすると、より多くのビット数が必要となり、演算回路の規模が増大する。本発明では、描画データの解像度よりも細かな解像度で仮想の基準座標を設定しており、実際の演算回路を変更することなく、目標とする基準露光間隔に応じて、基準座標の解像度を変更することができる。目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくするので、演算回路の解像度の制約による描画精度の低下が抑制される。
【００１４】
さらに、本発明の露光装置は、座標決定手段が、基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出する第１の演算回路と、基準座標上で、移動手段の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正する第２の演算回路と、基準座標上で、移動手段の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正する第３の演算回路とを有するものである。
【００１５】
また、本発明の露光方法は、基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出し、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正し、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正するものである。
【００１６】
基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正するので、基準露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれが、エンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる。また、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正するので、基準露光間隔と描画データの解像度で決まる露光間隔とのずれが、描画データの解像度より小さくなる。
【００１７】
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔が設定され、描画精度が向上するので、高品質な表示用パネル基板が製造される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の露光装置及び露光方法によれば、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算することにより、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく、露光間隔を設定することができる。従って、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させることができる。
【００１９】
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくすることにより、演算回路の解像度の制約による描画精度の低下を抑制することができる。
【００２０】
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正することにより、基準露光間隔とエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを、エンコーダのパルス信号の間隔より小さくすることができる。また、基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正することにより、基準露光間隔と描画データの解像度で決まる露光間隔とのずれを、描画データの解像度より小さくすることができる。
【００２１】
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔を設定して、描画精度を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による露光装置の側面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。
【図４】光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。
【図５】ＤＭＤのミラー部の一例を示す図である。
【図６】レーザー測長系の動作を説明する図である。
【図７】本発明の一実施の形態による描画制御部の概略構成を示す図である。
【図８】中心点座標決定部の一例のブロック図である。
【図９】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１０】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１１】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１２】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１３】中心点座標決定部の動作を示す図である。
【図１４】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１５】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１６】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１７】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１８】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１９】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図２は本発明の一実施の形態による露光装置の側面図、図３は本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック１０、ゲート１１、光ビーム照射装置２０、リニアスケール３１，３３、エンコーダ３２，３４、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を含んで構成されている。なお、図２及び図３では、レーザー測長系のレーザー光源４１、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
【００２４】
なお、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。
【００２５】
図１及び図２において、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０は、基板１の裏面を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストが塗布されている。
【００２６】
基板１の露光を行う露光位置の上空に、ベース３をまたいでゲート１１が設けられている。ゲート１１には、複数の光ビーム照射装置２０が搭載されている。なお、本実施の形態は、８つの光ビーム照射装置２０を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、本発明は１つ又は２つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。
【００２７】
図４は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置２０は、光ファイバー２２、レンズ２３、ミラー２４、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）２５、投影レンズ２６、及びＤＭＤ駆動回路２７を含んで構成されている。光ファイバー２２は、レーザー光源ユニット２１から発生された紫外光の光ビームを、光ビーム照射装置２０内へ導入する。光ファイバー２２から射出された光ビームは、レンズ２３及びミラー２４を介して、ＤＭＤ２５へ照射される。ＤＭＤ２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。ＤＭＤ２５により変調された光ビームは、投影レンズ２６を含むヘッド部２０ａから照射される。ＤＭＤ駆動回路２７は、主制御装置７０から供給された描画データに基づいて、ＤＭＤ２５の各ミラーの角度を変更する。
【００２８】
図２及び図３において、チャック１０は、θステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。Ｘステージ５、Ｙステージ７、及びθステージ８には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図１のステージ駆動回路６０により駆動される。
【００２９】
θステージ８のθ方向への回転により、チャック１０に搭載された基板１は、直交する二辺がＸ方向及びＹ方向へ向く様に回転される。Ｘステージ５のＸ方向への移動により、チャック１０は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームが、基板１をＸ方向へ走査する。また、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームによる基板１の走査領域が、Ｙ方向へ移動される。図１において、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、θステージ８のθ方向へ回転、Ｘステージ５のＸ方向への移動、及びＹステージ７のＹ方向への移動を行う。
【００３０】
図５は、ＤＭＤのミラー部の一例を示す図である。光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５は、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査方向（Ｘ方向）に対して、所定の角度θだけ傾いて配置されている。ＤＭＤ２５を、走査方向に対して傾けて配置すると、直交する二方向に配列された複数のミラー２５ａのいずれかが、隣接するミラー２５ａ間の隙間に対応する箇所をカバーするので、パターンの描画を隙間無く行うことができる。
【００３１】
なお、本実施の形態では、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行っているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行ってもよい。また、本実施の形態では、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更しているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更してもよい。
【００３２】
図１及び図２において、ベース３には、Ｘ方向へ伸びるリニアスケール３１が設置されている。リニアスケール３１には、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。また、Ｘステージ５には、Ｙ方向へ伸びるリニアスケール３３が設置されている。リニアスケール３３には、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。
【００３３】
図１及び図３において、Ｘステージ５の一側面には、リニアスケール３１に対向して、エンコーダ３２が取り付けられている。エンコーダ３２は、リニアスケール３１の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。また、図１及び図２において、Ｙステージ７の一側面には、リニアスケール３３に対向して、エンコーダ３４が取り付けられている。エンコーダ３４は、リニアスケール３３の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。主制御装置７０は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出し、エンコーダ３４のパルス信号をカウントして、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出する。
【００３４】
図６は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図６においては、図１に示したゲート１１、及び光ビーム照射装置２０が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源４１、レーザー干渉計４２，４４、及びバーミラー４３，４５を含んで構成されている。バーミラー４３は、チャック１０のＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。また、バーミラー４５は、チャック１０のＸ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。
【００３５】
レーザー干渉計４２は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４３へ照射し、バーミラー４３により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４３により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Ｙ方向の２箇所で行う。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４２の測定結果から、チャック１０のＸ方向の位置及び回転を検出する。
【００３６】
一方、レーザー干渉計４４は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４４の測定結果から、チャック１０のＹ方向の位置を検出する。
【００３７】
図４において、主制御装置７０は、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ描画データを供給する描画制御部を有する。図７は、描画制御部の概略構成を示す図である。描画制御部７１は、メモリ７２、バンド幅設定部７３、中心点座標決定部７４、及び座標決定部７５を含んで構成されている。メモリ７２は、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを、そのＸＹ座標をアドレスとして記憶している。
【００３８】
バンド幅設定部７３は、メモリ７２から読み出す描画データのＹ座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＹ方向のバンド幅を設定する。
【００３９】
レーザー測長系制御装置４０は、露光位置における基板１の露光を開始する前のチャック１０のＸＹ方向の位置を検出する。中心点座標決定部７４は、レーザー測長系制御装置４０が検出したチャック１０のＸＹ方向の位置から、基板１の露光を開始する前のチャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。図１において、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１の走査を行う際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動させる。基板１の走査領域を移動する際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動させる。図７において、中心点座標決定部７４は、エンコーダ３２，３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量及びＹステージ７のＹ方向への移動量を検出し、チャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。
【００４０】
座標決定部７５は、中心点座標決定部７４が決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標に基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定する。メモリ７２は、座標決定部７５が決定したＸＹ座標をアドレスとして入力し、入力したＸＹ座標のアドレスに記憶された描画データを、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ出力する。
【００４１】
以下、本発明の一実施の形態による露光方法について説明する。図８は、中心点座標決定部の一例のブロック図である。また、図９〜図１３は、中心点座標決定部の動作を示す図である。図８において、中心点座標決定部７４は、露光間隔タイミング生成回路４１０、基準座標演算回路４２０、エンコーダ座標演算回路４３０、描画座標演算回路４４０、及び描画座標生成回路４５０を含んで構成されている。
【００４２】
図９は、目標とする基準露光間隔が１０．６２５ｍｍ、エンコーダ３２のパルス信号の間隔が０．８ｍｍのときの例を示している。このとき、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔は、エンコーダ３２のパルス信号の間隔の１３倍（１３ビット）の１０．４０ｍｍとなり、解像度誤差は、０．２２５ｍｍとなる。また、図１０は、目標とする基準露光間隔が１０．６２５ｍｍ、描画データの解像度が０．５ｍｍのときの例を示している。このとき、描画データの解像度で決まる露光間隔は、描画データの解像度の２１倍（２１ビット）の１０．５０ｍｍとなり、解像度誤差は、０．１２５ｍｍとなる。
【００４３】
図８において、露光間隔タイミング生成回路４１０は、露光間隔レジスタ４１１、演算器４１２、カウンタ４１３、及び比較器４１４を含んで構成されている。露光間隔レジスタ４１１には、露光間隔をエンコーダ３２のパルス信号のビット数で示した数値（図９の例における「１３」）が記憶されている。カウンタ４１３は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、カウントした数値を出力する。比較器４１４は、露光間隔レジスタ４１１から演算器４１２を介して入力した数値と、カウンタ４１３が出力した数値とを比較し、両者が一致すると、露光間隔を制御するタイミング信号を出力する。
【００４４】
基準座標演算回路４２０は、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出する。基準座標演算回路４２０は、露光間隔レジスタ４２１、及び加算器４２２を含んで構成されている。露光間隔レジスタ４２１には、目標とする基準露光間隔の数値（図９及び図１０の例における「１０．６２５」）が記憶されている。加算器４２２は、露光間隔タイミング生成回路４１０からタイミング信号を入力する度に、露光間隔レジスタ４２１から入力した目標とする基準露光間隔の数値を積算して、基準積算移動量を算出する。
【００４５】
エンコーダ座標演算回路４３０は、基準座標演算回路４２０と同じ基準座標を設定し、基準座標上で、Ｘステージ５の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正する。エンコーダ座標演算回路４３０は、露光間隔レジスタ４３１、演算器４３２、加算器４３３、エンコーダパルス間隔レジスタ４３４、及び比較器４３５を含んで構成されている。
【００４６】
露光間隔レジスタ４３１には、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔の数値（図９の例における「１０．４０」）が記憶されている。加算器４３３は、露光間隔タイミング生成回路４１０からタイミング信号を入力する度に、露光間隔レジスタ４３１から演算器４３２を介して入力した露光間隔の数値を積算して、チャック１０の積算移動量を算出する。
【００４７】
エンコーダパルス間隔レジスタ４３４には、エンコーダ３２のパルス信号の間隔の数値（図９の例における「０．８」）が記憶されている。比較器４３５は、基準座標演算回路４２０の加算器４２２から入力した基準積算移動量の数値と、加算器４３３から入力した積算移動量の数値とを比較し、両者の差（図９の例における「積算誤差」）がエンコーダパルス間隔レジスタ４３４から入力したパルス信号の間隔の数値に達する一回前に、露光間隔の補正を要求する補正要求信号を出力する。
【００４８】
比較器４３５から補正要求信号が出力されると、露光間隔タイミング生成回路４１０の演算器４１２は、露光間隔レジスタ４１１から入力した数値に補正要求信号の「１」を加算して、比較器４１４へ出力する。図９の例において、比較器４１４は、補正要求信号が出力されない場合、カウンタ４１３が出力した数値が露光間隔レジスタ４１１に記憶された数値「１３」に達すると、タイミング信号を出力し、補正要求信号が出力された場合、カウンタ４１３が出力した数値が演算器４１２により「１」を加算された数値「１４」に達すると、タイミング信号を出力する。従って、前のタイミング信号が出力されてからのチャック１０の移動量は、補正要求信号が出力されない場合、１０．４０ｍｍ（１３ビット）となり、補正要求信号が出力された場合、１１．２０ｍｍ（１４ビット）となる。図９の例では、露光番号４，８，１１，１５，１８，２２，２５，２９のところで、補正要求信号が出力され、チャック１０の移動量が１１．２０ｍｍ（１４ビット）となっている。
【００４９】
また、比較器４３５から補正要求信号が出力されると、エンコーダ座標演算回路４３０の演算器４３２は、露光間隔レジスタ４３１に記憶されたエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔の数値（図９の例における「１０．４０」）に、エンコーダパルス間隔レジスタ４３４に記憶されたエンコーダ３２のパルス信号の間隔の数値（図９の例における「０．８」）を加算した数値を、加算器４３３へ出力する。従って、図９の例において、加算器４３３から出力されるチャック１０の積算移動量は、補正要求信号が出力されない場合、１０．４０ｍｍずつ増加し、補正要求信号が出力された場合、１１．２０ｍｍ増加する。図９の例では、露光番号４，８，１１，１５，１８，２２，２５，２９のところで、補正要求信号が出力され、チャック１０の積算移動量の増分が１１．２０ｍｍとなっている。
【００５０】
エンコーダ座標演算回路４３０により、基準座標上で、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な積算移動量を算出し、積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正するので、基準露光間隔とエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれが、エンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくなる。
【００５１】
描画座標演算回路４４０は、基準座標演算回路４２０と同じ基準座標を設定し、基準座標上で、Ｘステージ５の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正する。描画座標演算回路４４０は、露光間隔レジスタ４４１、演算器４４２、加算器４３３、描画解像度レジスタ４４４、及び比較器４４５を含んで構成されている。
【００５２】
露光間隔レジスタ４４１には、描画データの解像度で決まる露光間隔の数値（図１０の例における「１０．５０」）が記憶されている。加算器４４３は、露光間隔タイミング生成回路４１０からタイミング信号を入力する度に、露光間隔レジスタ４４１から演算器４４２を介して入力した露光間隔の数値を積算して、チャック１０の積算移動量を算出する。
【００５３】
描画解像度レジスタ４４４には、描画データの解像度の数値（図１０の例における「０．５」）が記憶されている。比較器４４５は、基準座標演算回路４２０の加算器４２２から入力した基準積算移動量の数値と、加算器４３３から入力した積算移動量の数値とを比較し、両者の差（図１０の例における「積算誤差」）が描画解像度レジスタ４４４から入力した描画データの解像度の数値に達する一回前に、露光間隔の補正を要求する補正要求信号を出力する。
【００５４】
描画座標生成回路４５０は、座標移動間隔レジスタ４５１、演算器４５２、及び加算器４５３を含んで構成されている。座標移動間隔レジスタ４５１には、露光間隔を描画データの解像度のビット数で示した数値（図１０の例における「２１」）が記憶されている。加算器４５３は、露光間隔タイミング生成回路４１０からタイミング信号を入力する度に、座標移動間隔レジスタ４５１から演算器４５２を介して入力した露光間隔の数値を積算して、チャック１０の積算移動量を算出する。
【００５５】
描画座標演算回路４４０の比較器４４５から補正要求信号が出力されると、描画座標演算回路４４０の演算器４４２は、露光間隔レジスタ４４１に記憶された描画データの解像度で決まる露光間隔の数値（図１０の例における「１０．５０」）に、描画解像度レジスタ４４４に記憶された描画データの解像度の数値（図１０の例における「０．５」）を加算した数値を、加算器４４３へ出力する。従って、図１０の例において、加算器４４３から出力されるチャック１０の積算移動量は、補正要求信号が出力されない場合、１０．５０ｍｍずつ増加し、補正要求信号が出力された場合、１１．００ｍｍ増加する。図１０の例では、露光番号４，８，１２，１６，２０，２４，２８のところで、補正要求信号が出力され、チャック１０の積算移動量の増分が１１．００ｍｍとなっている。
【００５６】
また、描画座標演算回路４４０の比較器４４５から補正要求信号が出力されると、描画座標生成回路４５０の演算器４５２は、座標移動間隔レジスタ４５１から入力した数値に補正要求信号の「１」を加算して、加算器４５３へ出力する。図１０の例において、加算器４５３は、補正要求信号が出力されない場合、座標移動間隔レジスタ４５１に記憶された数値「２１」を出力し、補正要求信号が出力された場合、演算器４５２により「１」を加算された数値「２２」を出力する。従って、前のタイミング信号が出力されてからのチャック１０の移動量は、補正要求信号が出力されない場合、１０．５０ｍｍ（２１ビット）となり、補正要求信号が出力された場合、１１．００ｍｍ（２２ビット）となる。図１０の例では、露光番号４，８，１２，１６，２０，２４，２８のところで、補正要求信号が出力され、チャック１０の移動量が１１．００ｍｍ（２２ビット）となっている。
【００５７】
描画座標演算回路４４０により、基準座標上で、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な積算移動量を算出し、積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正するので、基準露光間隔と描画データの解像度で決まる露光間隔とのずれが、描画データの解像度より小さくなる。
【００５８】
描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を演算する際、実際の演算回路では、演算結果が演算回路の解像度に依存し、解像度以下の誤差が蓄積して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれが大きくなる。例えば、図１１は、目標とする基準露光間隔が１０．６２４ｍｍ、エンコーダ３２のパルス信号の間隔が０．８ｍｍのときの例を示している。このとき、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔は、エンコーダ３２のパルス信号の間隔の１３倍（１３ビット）の１０．４０ｍｍとなり、解像度誤差は、０．２２４ｍｍとなる。しかしながら、演算回路の解像度を、０．００５ｍｍとすると、図１２に示す様に、演算上の露光間隔は解像度の２１２４倍（２１２４ビット）の１０．６２０ｍｍとなり、解像度誤差は、０．２２０ｍｍとなる。そして、この場合の積算誤差を、図１１の場合の積算誤差と比較すると、図１２の場合は、露光番号が増加するに従って、積算誤差が０．００４ｍｍずつ増加している。
【００５９】
演算回路の解像度を細かくすれば、このずれを小さくすることができるが、解像度を細かくすると、より多くのビット数が必要となり、演算回路の規模が増大する。本発明では、描画データの解像度よりも細かな解像度で仮想の基準座標を設定しており、実際の演算回路を変更することなく、目標とする基準露光間隔に応じて、基準座標の解像度を変更することができる。例えば、図１１の例では、演算回路の解像度を、０．００１ｍｍとすると、図１３に示す様に、演算上の露光間隔値は解像度の１０６２４倍（１０６２４ビット）の１０．６２４ｍｍとなり、解像度誤差は、０．２２４ｍｍとなる。従って、この場合の積算誤差は、図１１の場合の積算誤差と同じになる。目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくするので、演算回路の解像度の制約による描画精度の低下が抑制される。
【００６０】
また、仮想の基準座標の原点を、Ｘステージ５及びＹステージ７の移動範囲の外側のチャック１０の中心点が到達しない位置に設定すると、基準座標演算回路４２０、エンコーダ座標演算回路４３０、及び描画座標演算回路４４０において、演算結果の正負の極性が全て同じになるので、基準座標演算回路４２０、エンコーダ座標演算回路４３０、及び描画座標演算回路４４０の各構成要素を簡単な構成にすることができる。
【００６１】
図１４〜図１７は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図１４〜図１７は、８つの光ビーム照射装置２０からの８本の光ビームにより、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示している。図１４〜図１７においては、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａが破線で示されている。各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームは、Ｙ方向にバンド幅Ｗを有し、Ｘステージ５のＸ方向への移動によって、基板１を矢印で示す方向へ走査する。
【００６２】
図１４は、１回目の走査を示し、Ｘ方向への１回目の走査により、図１４に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。１回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１５は、２回目の走査を示し、Ｘ方向への２回目の走査により、図１５に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。２回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１６は、３回目の走査を示し、Ｘ方向への３回目の走査により、図１６に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。３回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１７は、４回目の走査を示し、Ｘ方向への４回目の走査により、図１７に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板１全体の走査が終了する。
【００６３】
複数の光ビーム照射装置２０からの複数の光ビームにより基板１の走査を並行して行うことにより、基板１全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。
【００６４】
なお、図１４〜図１７では、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板１のＸ方向の走査を３回以下又は５回以上行って、基板１全体を走査してもよい。
【００６５】
以上説明した実施の形態によれば、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算することにより、描画データの解像度やエンコーダ３２のパルス信号の周期に依存することなく、露光間隔を設定することができる。従って、描画データの解像度で決まる露光間隔とエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを小さくして、描画精度を向上させることができる。
【００６６】
さらに、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくすることにより、演算回路の解像度の制約による描画精度の低下を抑制することができる。
【００６７】
さらに、基準座標上で、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正することにより、基準露光間隔とエンコーダ３２のパルス信号の周期で決まる露光間隔とのずれを、エンコーダ３２のパルス信号の間隔より小さくすることができる。また、基準座標上で、チャック１０と光ビーム照射装置２０との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正することにより、基準露光間隔と描画データの解像度で決まる露光間隔とのずれを、描画データの解像度より小さくすることができる。
【００６８】
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、描画データの解像度やエンコーダのパルス信号の周期に依存することなく露光間隔を設定して、描画精度を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【００６９】
例えば、図１８は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００７０】
また、図１９は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。
【００７１】
図１８に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図１９に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップ２０２）の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１ 基板
３ ベース
４ Ｘガイド
５ Ｘステージ
６ Ｙガイド
７ Ｙステージ
８ θステージ
１０ チャック
１１ ゲート
２０ 光ビーム照射装置
２０ａ ヘッド部
２１ レーザー光源ユニット
２２ 光ファイバー
２３ レンズ
２４ ミラー
２５ ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）
２６ 投影レンズ
２７ ＤＭＤ駆動回路
３１，３３ リニアスケール
３２，３４ エンコーダ
４０ レーザー測長系制御装置
４１ レーザー光源
４２，４４ レーザー干渉計
４３，４５ バーミラー
６０ ステージ駆動回路
７０ 主制御装置
７１ 描画制御部
７２ メモリ
７３ バンド幅設定部
７４ 中心点座標決定部
７５ 座標決定部
４１０ 露光間隔タイミング生成回路
４１１，４２１，４３１，４４１ 露光間隔レジスタ
４１２，４３２，４４２，４５２ 演算器
４１３ カウンタ
４１４，４３５，４４５ 比較器
４２０ 基準座標演算回路
４２２，４３３，４４３，４５３ 加算器
４３０ エンコーダ座標演算回路
４３４ エンコーダパルス間隔レジスタ
４４０ 描画座標演算回路
４４４ 描画解像度レジスタ
４５０ 描画座標生成回路
４５１ 座標移動間隔レジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、
光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置と、
前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、
前記移動手段により前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動し、前記光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、
前記移動手段の移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダと、
前記エンコーダのパルス信号から前記移動手段の移動量を検出して、前記チャックと前記光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定し、決定した位置座標に応じた描画データを前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画制御手段とを備え、
前記描画制御手段は、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及び前記エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、前記チャックと前記光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定する座標決定手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記座標決定手段は、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくすることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記座標決定手段は、
基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出する第１の演算回路と、
基準座標上で、前記移動手段の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が前記エンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正する第２の演算回路と、
基準座標上で、前記移動手段の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正する第３の演算回路とを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、
チャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、
光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、
チャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダを設け、
エンコーダのパルス信号からチャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量を検出し、
描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定し、
決定した位置座標に応じた描画データを光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする露光方法。
【請求項５】
目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくすることを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出し、
基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正し、
基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【請求項１】
フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、
光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置と、
前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、
前記移動手段により前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動し、前記光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、
前記移動手段の移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダと、
前記エンコーダのパルス信号から前記移動手段の移動量を検出して、前記チャックと前記光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定し、決定した位置座標に応じた描画データを前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画制御手段とを備え、
前記描画制御手段は、描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及び前記エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、前記チャックと前記光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定する座標決定手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記座標決定手段は、目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくすることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記座標決定手段は、
基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出する第１の演算回路と、
基準座標上で、前記移動手段の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が前記エンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正する第２の演算回路と、
基準座標上で、前記移動手段の積算移動量を算出し、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正する第３の演算回路とを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、
チャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、
光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、
チャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダを設け、
エンコーダのパルス信号からチャックと光ビーム照射装置との相対的な移動量を検出し、
描画データの解像度よりも細かな解像度で基準座標を設定し、目標とする基準露光間隔に対して、描画データの解像度で決まる露光間隔及びエンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を、基準座標上で演算して、チャックと光ビーム照射装置との相対的な位置座標を決定し、
決定した位置座標に応じた描画データを光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする露光方法。
【請求項５】
目標とする基準露光間隔に応じ、基準座標の解像度を変更して、基準露光間隔と演算上の露光間隔とのずれを小さくすることを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
基準座標上で、目標とする基準露光間隔を積算して、基準積算移動量を算出し、
基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差がエンコーダのパルス信号の間隔より小さくなる様に、エンコーダのパルス信号の周期で決まる露光間隔を補正し、
基準座標上で、チャックと光ビーム照射装置との相対的な積算移動量を算出して、算出した積算移動量と基準積算移動量との差が描画データの解像度より小さくなる様に、描画データの解像度で決まる露光間隔を補正することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−１８５４３３（Ｐ２０１２−１８５４３３Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５００２８（Ｐ２０１１−５００２８）
【出願日】平成２３年３月８日（２０１１．３．８）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月８日（２０１１．３．８）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
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