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Fターム[2F063AA25]の内容

電気磁気的手段を用いた長さ、角度等の測定 (19,512) | 測定内容 (2,719) | 変形量、歪み (241)

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【課題】CNT膜の破損や異物混入等の発生を抑え、センサ機能の持続性を高めることができる歪みセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、柔軟性を有する基板と、この基板の表面側に設けられ、一方向に配向する複数のCNT繊維からなるCNT膜と、このCNT膜の、上記CNT繊維の配向とは異なる方向の両端に配設される一対の電極とを備えた歪みセンサであって、上記CNT繊維表面の少なくとも一部と接触し、上記CNT膜を保護する樹脂製の保護部をさらに備えることを特徴とする。上記保護部がCNT膜の表面に積層されていることが好ましい。上記CNT膜を構成するCNT繊維の少なくとも一部に保護部が存在することも好ましい。 (もっと読む)


【課題】構造材のひずみを測定できると共に、構造材に生じる疲労破壊の兆候を事前にかつ的確に予測可能な疲労度検出ひずみゲージを提供する。
【解決手段】構造物の疲労強度を検出するため、ストランド151と隣接するストランド151とを疲労度検出用折り返しタブ152で接続することにより構成される疲労度検出部を複数備えた疲労度検出用ひずみゲージ100であって、複数の前記ストランド151の線幅に対する疲労度検出用折り返しタブ152の長さの比をETRとしたとき、ETRの等しい疲労度検出部150における疲労度検出用折り返しタブ152の折り返し数をストランド151の両端側においてそれぞれ複数形成して、ストランド151と隣接するストランド151とを疲労度検出用折り返しタブ152で接続することにより構成される疲労度検出部150を複数形成した。 (もっと読む)


【課題】省スペース化を実現でき、かつ、小さい変化量を継続的に検出することが可能な検出センサを提供する。
【解決手段】検出センサは、絶縁体、第1の導電部及び第2の導電部を具備する。絶縁体は、対象物に取り付けられる変形可能なものであり、第1の導電部は、前記絶縁体上に配置される導線から成り、電流が供給されることで磁界を発生させる磁界発生部を備える。第2の導電部は、前記絶縁体上の前記第1の導電部と同面に配置される導線から成り、前記磁界発生部で発生された磁界のうち少なくとも一部を受け取り前記受け取った磁界の磁束密度に応じた電流を発生させる電流発生部を備え、発生した電流を伝送する。 (もっと読む)


【課題】スロットル開度を検出するための構成を簡素化して組立性の向上等を図ることのできる内燃機関のスロットル装置を提供する。
【解決手段】内燃機関のスロットル装置1は、吸気通路3を開閉するスロットルバルブ8が固定されたスロットルシャフト6と、スロットルシャフト6を回転駆動するモータ4と、を備える。スロットルバルブ8は、モータ4の非通電時にスロットルスプリング15によって所定の開度に保持される。半導体ひずみセンサは、スロットルスプリング15又はスロットルスプリング15のフック部15aが取り付けられるボス部16に設置される。スロットル装置1は、前記半導体ひずみセンサの出力信号に基づいてスロットル開度を検出する。 (もっと読む)


【課題】微小領域で歪を高感度に検知することができる歪検知装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体回路部と、半導体回路部の上に設けられた検知部と、を含む歪検知装置が提供される。半導体回路部は、半導体基板上に設けられたトランジスタを有する。検知部は、トランジスタの上方に設けられた空洞部と、空洞部と並置された非空洞部と、を有する。検知部は、可動梁、歪検知素子部、第1、第2埋め込み配線を含む。可動梁は、固定部分及び可動部分を有し、第1、第2配線層を含む。固定部分は非空洞部に固定される。可動部分は、固定部分から空洞部に延びトランジスタと離間する。歪検知素子部は、可動部分に固定され、第1、第2配線層と電気的に接続され、第1磁性層を含む。第1、第2埋め込み配線は、非空洞部に設けられ、第1、第2配線層と半導体回路部とを電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、より簡易で部品点数の少ない態様で、歪センサを歪計測対象部材に押圧することができる歪センサの取り付け構造の提供を目的とする。
【解決手段】 射出成形機の構成要素である歪計測対象部材に取り付けられる歪センサの取り付け構造において、歪計測対象部材に磁力により吸着されて設けられる磁石を備え、歪センサは、歪計測対象部材の表面と磁石との間に挟まるように設けられることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造コストを低減でき、耐久性を向上できるセンサユニットを提供する。
【解決手段】センサユニット10は、対象物に取り付けられる2つの部材であって、1つの回動軸41に対し回動可能に連結された2つの部材11・12と、対象物の変位に応じて変化する、2つの部材11・12がなす角度を検出する角度センサ13とを備える。 (もっと読む)


【課題】磁極位置の検出を非接触で行うことができ、しかも、コストを低減することができる電磁サスペンションを提供する。
【解決手段】可動子7の永久磁石9の磁極位置を検出する磁極位置検出装置11を、固定子2に設ける。この磁極位置検出装置11は、固定子2に取付けられる被検出板12と、該被検出板12の先端側に取付けられる磁極位置検出用磁石13と、被検出板12の基端側に取付けられる歪センサ14とにより構成する。歪センサ14は、磁極位置検出用磁石13と可動子7の永久磁石9との吸引反発力により生じる被検出板12の曲げ歪を検出する。これにより、磁極位置検出装置11は、この曲げ歪に対応する永久磁石9の磁極位置を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】 測定対象部材に貼付して、稼働中の対象部材に生成したひずみが所定の大きさを越えたか否かを推定する小型で低廉なひずみ感知センサを供給する。
【解決手段】 薄膜基板4と少なくとも1対のひずみ伝達片2とセンサ箔1からなり、薄膜基板4は測定対象に貼付されて測定対象と共に歪むもので、ひずみ伝達片2は薄膜基板4上に形成されそれぞれ一端7が薄膜基板4に固定されて測定スパンが決められ、絶縁膜はひずみ伝達片2とセンサ箔1との間に配置され、センサ箔1とひずみ伝達片2は絶縁膜を介して貼付され、センサ箔1は電気良導体でなり断面積がひずみ伝達片2より小さいブリッジ部が対になったひずみ伝達片のギャップの間に渡されるように形成され、ひずみがセンサ箔1の限度を超えるとセンサ箔1が破断して、これを電気的に検出することにより、測定対象のひずみ履歴を推定する。 (もっと読む)


【課題】 セメント硬化体を作製する型枠内に歪みゲージを簡便に設置でき、しかも設置した歪みゲージによってセメント硬化体の歪み測定を精度良く行うことができる歪みゲージ設置用治具を提供することを課題としている。
【解決手段】 筒状の型枠内に長尺状の歪みゲージを設置するために用いられる歪みゲージ設置用治具であって、前記型枠内で使用する状態では、前記型枠の筒軸方向に沿って前記歪みゲージを貫通させる貫通孔が形成された筒状の貫通部と、該貫通部を支持すべく該貫通部から前記型枠の内面に内接するまで外方側へ延びた複数の支持用延出部とを備え、前記貫通部の貫通孔内に前記型枠の中心軸が位置するように構成されている歪みゲージ設置用治具を提供する。 (もっと読む)


【課題】 取り換えを要するひずみゲージおよび当該ひずみゲージに接続されたリード線の取り換え作業を確実かつ容易にすること。
【解決手段】 被測定物の、どの測定個所のひずみゲージを交換すべきかについては、CPU24で解析され、I/O25を介して出力された各チャネル対応のひずみ量に関する数値データと、ひずみゲージと測定個所との対応表等とを参照することで特定する。被測定物の現場作業者は、特定された被測定個所のひずみゲージを、新しいひずみゲージに交換し、そのリード線13をLED12が点灯したブリッジボックス1において、当該リード線13の古い方を取り外し、交換したひずみゲージが接続された新しいリード線13をコネクタに接続する。 (もっと読む)


【課題】素子の変形により電気的変化を生じるセンサであって、時間が経過しても感度が低下しないセンサを提供する。
【解決手段】電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサ(40)において、第1の電歪材料層(1)およびその両面に各々配置された一対の電極(3a、3b)より構成される第1の電歪素子(10)と、第2の電歪材料層(11)およびその両面に各々配置された一対の電極(13a、13b)より構成される第2の電歪素子(20)と、これら電歪素子間に挟持された基材(25)とを含む受感部(30)を設ける。受感部(30)は、外力の作用を受けることにより変形である。第1および第2の電歪材料層(1、11)の静電容量をそれぞれ測定可能なように、各電極に引出し線(5a、5b、15a、15b)が接続される。第1および第2の電歪材料層(1、11)は、10μm以下の厚みおよび20以上の比誘電率を各々有するものとする。 (もっと読む)


【課題】高速にスイッチ素子の切り替えを行ったとしても、センサを幅方向に区画した部分センサ領域の電気抵抗を高精度に計測することができる変形センサシステムを提供する。
【解決手段】制御回路60は、切り替え前における計測回路50による計測対象の部分センサ領域12aと切り替え後における計測回路50による計測対象の部分センサ領域12cとの間に、少なくとも一以上の他の部分センサ領域12bが介在するように、ハイサイドスイッチ素子30a〜30fおよびローサイドスイッチ素子40a〜40fを順次切り替える。 (もっと読む)


【課題】柔軟に屈曲あるいは変形可能でありつつ、曲げあるいは引っ張りによる断線が発生しにくく、断線が発生したとしても応力が解除されることにより導電性を復元させることが可能な配線構造体、センサ、及び前記当該配線構造体の製造方法の提供を目的とした。
【解決手段】センサ10が備えている配線構造体20は、ベース層22、導電層24、及びカバー層26を積層させたものである。ベース層22及びカバー層26は、柔軟性を有する樹脂素材によって形成されている。また、ベース層22の表面には、断面形状が波形の凹凸部28が形成されており、この凹凸部28の上に導電層24が積層されている。 (もっと読む)


【課題】インバータユニットのケースの変形を迅速に検出可能な被破壊センサを提供することを課題とする。
【解決手段】被破壊センサ1は、センサ取付面とセンサ押圧面との間に介装され、母材が樹脂であって脆性および導電性を併有する被破壊部と、被破壊部とセンサ取付面との間に介装され、センサ取付面との間に被破壊部が破壊される際のストロークを確保する複数の支持部と、を有する被破壊部材を備える。被破壊センサは、外部からケースに荷重が入力される際、センサ取付面とセンサ押圧面との間の間隔が短くなり、センサ取付面に支持部が当接した状態で、センサ押圧面から押圧力が加わることにより被破壊部が破壊され、被破壊部の破壊前後において電気抵抗が変化することを基に、ケースの変形を検出する。 (もっと読む)


【課題】ひずみを受感する素子と温度補償素子との接合部の段差に対する応力集中による疲労破断が発生しにくいひずみゲージおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】ひずみを受感する素子11、12、13、14と、温度補償素子17、18と、を一体に形成して成るひずみゲージ10であって、前記温度補償素子17、18が、表面にメッキまたは蒸着を施して成ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】特に高感度で抵抗温度係数の大きなひずみゲージ材料を採用した場合においても、温度勾配に起因する熱見かけひずみを低減可能なひずみゲージを提供することである。
【解決手段】主ひずみを受感する素子11と、副ひずみを受感する素子12および13と、で形成されるひずみゲージ10であって、前記主ひずみを受感する素子11と一対の前記副ひずみを受感する素子12および13とが各々直交する2方向から成り、前記主ひずみを受感する素子11の左右に一対の前記副ひずみを受感する素子12および13を対称に配置し、両側の前記副ひずみを受感する素子12および13方向からの熱による見かけひずみを相殺する構成にしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】歪抵抗薄膜全体としてのTCR値を低く抑えることが可能であると共に、温度サイクルに対して、比抵抗ρに代表される電気特性が安定で、かつ優れた高温安定性と高いゲージ率とを実現可能な歪抵抗薄膜および当該歪抵抗薄膜を用いたセンサの提供。
【解決手段】積層膜からなる歪抵抗薄膜10、20であって、上記積層膜が、クロム薄膜、酸化クロム薄膜または窒化クロム薄膜からなる第一の薄膜11、21と、第一の薄膜11の両主面のうち第一面111または第一面211と第二面212に積層され、薄膜の膜厚を同一としたときのTCR値[ppm・K−1]が第一の薄膜より小さい第二の薄膜12、22、23とを少なくとも一層以上有し、上記積層膜を構成する第二の薄膜12、22の一つが上記積層膜の表出面Sとして表出している歪抵抗薄膜とする。 (もっと読む)


【課題】筒状の第1の電極と、この第1の電極の内側へ進退可能とされた棒状の第2の電極とを備えた歪計において、第2の電極を強固に支持できるようにする。
【解決手段】歪計10は、筒状に形成された第1の電極12aと、第1の電極12aの内側へ進退可能とされ、第1の電極12aとともにコンデンサを構成する棒状の第2の電極12bと、第1の電極12aを支持する第1のケーシング14aと、第2の電極12bを支持する第2のケーシング14bと、を備え、第2のケーシング14bの脚部16bは、第2の電極12bの軸方向に、ケーシング本体15bの中間部から第1の電極12aと反対側の端部近傍まで延出している。 (もっと読む)


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