【課題】ＣＮＴ膜の破損や異物混入等の発生を抑え、センサ機能の持続性を高めることができる歪みセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、柔軟性を有する基板と、この基板の表面側に設けられ、一方向に配向する複数のＣＮＴ繊維からなるＣＮＴ膜と、このＣＮＴ膜の、上記ＣＮＴ繊維の配向とは異なる方向の両端に配設される一対の電極とを備えた歪みセンサであって、上記ＣＮＴ繊維表面の少なくとも一部と接触し、上記ＣＮＴ膜を保護する樹脂製の保護部をさらに備えることを特徴とする。上記保護部がＣＮＴ膜の表面に積層されていることが好ましい。上記ＣＮＴ膜を構成するＣＮＴ繊維の少なくとも一部に保護部が存在することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】構造材のひずみを測定できると共に、構造材に生じる疲労破壊の兆候を事前にかつ的確に予測可能な疲労度検出ひずみゲージを提供する。
【解決手段】構造物の疲労強度を検出するため、ストランド１５１と隣接するストランド１５１とを疲労度検出用折り返しタブ１５２で接続することにより構成される疲労度検出部を複数備えた疲労度検出用ひずみゲージ１００であって、複数の前記ストランド１５１の線幅に対する疲労度検出用折り返しタブ１５２の長さの比をＥＴＲとしたとき、ＥＴＲの等しい疲労度検出部１５０における疲労度検出用折り返しタブ１５２の折り返し数をストランド１５１の両端側においてそれぞれ複数形成して、ストランド１５１と隣接するストランド１５１とを疲労度検出用折り返しタブ１５２で接続することにより構成される疲労度検出部１５０を複数形成した。 （もっと読む）

【課題】省スペース化を実現でき、かつ、小さい変化量を継続的に検出することが可能な検出センサを提供する。
【解決手段】検出センサは、絶縁体、第１の導電部及び第２の導電部を具備する。絶縁体は、対象物に取り付けられる変形可能なものであり、第１の導電部は、前記絶縁体上に配置される導線から成り、電流が供給されることで磁界を発生させる磁界発生部を備える。第２の導電部は、前記絶縁体上の前記第１の導電部と同面に配置される導線から成り、前記磁界発生部で発生された磁界のうち少なくとも一部を受け取り前記受け取った磁界の磁束密度に応じた電流を発生させる電流発生部を備え、発生した電流を伝送する。 （もっと読む）

【課題】スロットル開度を検出するための構成を簡素化して組立性の向上等を図ることのできる内燃機関のスロットル装置を提供する。
【解決手段】内燃機関のスロットル装置１は、吸気通路３を開閉するスロットルバルブ８が固定されたスロットルシャフト６と、スロットルシャフト６を回転駆動するモータ４と、を備える。スロットルバルブ８は、モータ４の非通電時にスロットルスプリング１５によって所定の開度に保持される。半導体ひずみセンサは、スロットルスプリング１５又はスロットルスプリング１５のフック部１５ａが取り付けられるボス部１６に設置される。スロットル装置１は、前記半導体ひずみセンサの出力信号に基づいてスロットル開度を検出する。 （もっと読む）

【課題】微小領域で歪を高感度に検知することができる歪検知装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体回路部と、半導体回路部の上に設けられた検知部と、を含む歪検知装置が提供される。半導体回路部は、半導体基板上に設けられたトランジスタを有する。検知部は、トランジスタの上方に設けられた空洞部と、空洞部と並置された非空洞部と、を有する。検知部は、可動梁、歪検知素子部、第１、第２埋め込み配線を含む。可動梁は、固定部分及び可動部分を有し、第１、第２配線層を含む。固定部分は非空洞部に固定される。可動部分は、固定部分から空洞部に延びトランジスタと離間する。歪検知素子部は、可動部分に固定され、第１、第２配線層と電気的に接続され、第１磁性層を含む。第１、第２埋め込み配線は、非空洞部に設けられ、第１、第２配線層と半導体回路部とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、より簡易で部品点数の少ない態様で、歪センサを歪計測対象部材に押圧することができる歪センサの取り付け構造の提供を目的とする。
【解決手段】 射出成形機の構成要素である歪計測対象部材に取り付けられる歪センサの取り付け構造において、歪計測対象部材に磁力により吸着されて設けられる磁石を備え、歪センサは、歪計測対象部材の表面と磁石との間に挟まるように設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減でき、耐久性を向上できるセンサユニットを提供する。
【解決手段】センサユニット１０は、対象物に取り付けられる２つの部材であって、１つの回動軸４１に対し回動可能に連結された２つの部材１１・１２と、対象物の変位に応じて変化する、２つの部材１１・１２がなす角度を検出する角度センサ１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁極位置の検出を非接触で行うことができ、しかも、コストを低減することができる電磁サスペンションを提供する。
【解決手段】可動子７の永久磁石９の磁極位置を検出する磁極位置検出装置１１を、固定子２に設ける。この磁極位置検出装置１１は、固定子２に取付けられる被検出板１２と、該被検出板１２の先端側に取付けられる磁極位置検出用磁石１３と、被検出板１２の基端側に取付けられる歪センサ１４とにより構成する。歪センサ１４は、磁極位置検出用磁石１３と可動子７の永久磁石９との吸引反発力により生じる被検出板１２の曲げ歪を検出する。これにより、磁極位置検出装置１１は、この曲げ歪に対応する永久磁石９の磁極位置を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 測定対象部材に貼付して、稼働中の対象部材に生成したひずみが所定の大きさを越えたか否かを推定する小型で低廉なひずみ感知センサを供給する。
【解決手段】 薄膜基板４と少なくとも１対のひずみ伝達片２とセンサ箔１からなり、薄膜基板４は測定対象に貼付されて測定対象と共に歪むもので、ひずみ伝達片２は薄膜基板４上に形成されそれぞれ一端７が薄膜基板４に固定されて測定スパンが決められ、絶縁膜はひずみ伝達片２とセンサ箔１との間に配置され、センサ箔１とひずみ伝達片２は絶縁膜を介して貼付され、センサ箔１は電気良導体でなり断面積がひずみ伝達片２より小さいブリッジ部が対になったひずみ伝達片のギャップの間に渡されるように形成され、ひずみがセンサ箔１の限度を超えるとセンサ箔１が破断して、これを電気的に検出することにより、測定対象のひずみ履歴を推定する。 （もっと読む）

【課題】 セメント硬化体を作製する型枠内に歪みゲージを簡便に設置でき、しかも設置した歪みゲージによってセメント硬化体の歪み測定を精度良く行うことができる歪みゲージ設置用治具を提供することを課題としている。
【解決手段】 筒状の型枠内に長尺状の歪みゲージを設置するために用いられる歪みゲージ設置用治具であって、前記型枠内で使用する状態では、前記型枠の筒軸方向に沿って前記歪みゲージを貫通させる貫通孔が形成された筒状の貫通部と、該貫通部を支持すべく該貫通部から前記型枠の内面に内接するまで外方側へ延びた複数の支持用延出部とを備え、前記貫通部の貫通孔内に前記型枠の中心軸が位置するように構成されている歪みゲージ設置用治具を提供する。 （もっと読む）

【課題】 取り換えを要するひずみゲージおよび当該ひずみゲージに接続されたリード線の取り換え作業を確実かつ容易にすること。
【解決手段】 被測定物の、どの測定個所のひずみゲージを交換すべきかについては、ＣＰＵ２４で解析され、Ｉ／Ｏ２５を介して出力された各チャネル対応のひずみ量に関する数値データと、ひずみゲージと測定個所との対応表等とを参照することで特定する。被測定物の現場作業者は、特定された被測定個所のひずみゲージを、新しいひずみゲージに交換し、そのリード線１３をＬＥＤ１２が点灯したブリッジボックス１において、当該リード線１３の古い方を取り外し、交換したひずみゲージが接続された新しいリード線１３をコネクタに接続する。 （もっと読む）

【課題】素子の変形により電気的変化を生じるセンサであって、時間が経過しても感度が低下しないセンサを提供する。
【解決手段】電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサ（４０）において、第１の電歪材料層（１）およびその両面に各々配置された一対の電極（３ａ、３ｂ）より構成される第１の電歪素子（１０）と、第２の電歪材料層（１１）およびその両面に各々配置された一対の電極（１３ａ、１３ｂ）より構成される第２の電歪素子（２０）と、これら電歪素子間に挟持された基材（２５）とを含む受感部（３０）を設ける。受感部（３０）は、外力の作用を受けることにより変形である。第１および第２の電歪材料層（１、１１）の静電容量をそれぞれ測定可能なように、各電極に引出し線（５ａ、５ｂ、１５ａ、１５ｂ）が接続される。第１および第２の電歪材料層（１、１１）は、１０μｍ以下の厚みおよび２０以上の比誘電率を各々有するものとする。 （もっと読む）

【課題】高速にスイッチ素子の切り替えを行ったとしても、センサを幅方向に区画した部分センサ領域の電気抵抗を高精度に計測することができる変形センサシステムを提供する。
【解決手段】制御回路６０は、切り替え前における計測回路５０による計測対象の部分センサ領域１２ａと切り替え後における計測回路５０による計測対象の部分センサ領域１２ｃとの間に、少なくとも一以上の他の部分センサ領域１２ｂが介在するように、ハイサイドスイッチ素子３０ａ〜３０ｆおよびローサイドスイッチ素子４０ａ〜４０ｆを順次切り替える。 （もっと読む）

【課題】柔軟に屈曲あるいは変形可能でありつつ、曲げあるいは引っ張りによる断線が発生しにくく、断線が発生したとしても応力が解除されることにより導電性を復元させることが可能な配線構造体、センサ、及び前記当該配線構造体の製造方法の提供を目的とした。
【解決手段】センサ１０が備えている配線構造体２０は、ベース層２２、導電層２４、及びカバー層２６を積層させたものである。ベース層２２及びカバー層２６は、柔軟性を有する樹脂素材によって形成されている。また、ベース層２２の表面には、断面形状が波形の凹凸部２８が形成されており、この凹凸部２８の上に導電層２４が積層されている。 （もっと読む）

【課題】インバータユニットのケースの変形を迅速に検出可能な被破壊センサを提供することを課題とする。
【解決手段】被破壊センサ１は、センサ取付面とセンサ押圧面との間に介装され、母材が樹脂であって脆性および導電性を併有する被破壊部と、被破壊部とセンサ取付面との間に介装され、センサ取付面との間に被破壊部が破壊される際のストロークを確保する複数の支持部と、を有する被破壊部材を備える。被破壊センサは、外部からケースに荷重が入力される際、センサ取付面とセンサ押圧面との間の間隔が短くなり、センサ取付面に支持部が当接した状態で、センサ押圧面から押圧力が加わることにより被破壊部が破壊され、被破壊部の破壊前後において電気抵抗が変化することを基に、ケースの変形を検出する。 （もっと読む）

【課題】歪抵抗薄膜全体としてのＴＣＲ値を低く抑えることが可能であると共に、温度サイクルに対して、比抵抗ρに代表される電気特性が安定で、かつ優れた高温安定性と高いゲージ率とを実現可能な歪抵抗薄膜および当該歪抵抗薄膜を用いたセンサの提供。
【解決手段】積層膜からなる歪抵抗薄膜１０、２０であって、上記積層膜が、クロム薄膜、酸化クロム薄膜または窒化クロム薄膜からなる第一の薄膜１１、２１と、第一の薄膜１１の両主面のうち第一面１１１または第一面２１１と第二面２１２に積層され、薄膜の膜厚を同一としたときのＴＣＲ値［ｐｐｍ・Ｋ^−１］が第一の薄膜より小さい第二の薄膜１２、２２、２３とを少なくとも一層以上有し、上記積層膜を構成する第二の薄膜１２、２２の一つが上記積層膜の表出面Ｓとして表出している歪抵抗薄膜とする。 （もっと読む）

【課題】ひずみを受感する素子と温度補償素子との接合部の段差に対する応力集中による疲労破断が発生しにくいひずみゲージおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】ひずみを受感する素子１１、１２、１３、１４と、温度補償素子１７、１８と、を一体に形成して成るひずみゲージ１０であって、前記温度補償素子１７、１８が、表面にメッキまたは蒸着を施して成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に高感度で抵抗温度係数の大きなひずみゲージ材料を採用した場合においても、温度勾配に起因する熱見かけひずみを低減可能なひずみゲージを提供することである。
【解決手段】主ひずみを受感する素子１１と、副ひずみを受感する素子１２および１３と、で形成されるひずみゲージ１０であって、前記主ひずみを受感する素子１１と一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３とが各々直交する２方向から成り、前記主ひずみを受感する素子１１の左右に一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３を対称に配置し、両側の前記副ひずみを受感する素子１２および１３方向からの熱による見かけひずみを相殺する構成にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】筒状の第１の電極と、この第１の電極の内側へ進退可能とされた棒状の第２の電極とを備えた歪計において、第２の電極を強固に支持できるようにする。
【解決手段】歪計１０は、筒状に形成された第１の電極１２ａと、第１の電極１２ａの内側へ進退可能とされ、第１の電極１２ａとともにコンデンサを構成する棒状の第２の電極１２ｂと、第１の電極１２ａを支持する第１のケーシング１４ａと、第２の電極１２ｂを支持する第２のケーシング１４ｂと、を備え、第２のケーシング１４ｂの脚部１６ｂは、第２の電極１２ｂの軸方向に、ケーシング本体１５ｂの中間部から第１の電極１２ａと反対側の端部近傍まで延出している。 （もっと読む）