【課題】 垂直スライスイメージングを利用した検査方法を提供する。
【解決手段】 垂直スライスイメージングを利用した検査方法。対象物を貫通して延びる多数の水平スライス画像が取得される。水平スライス画像を示すデータから垂直な対象領域が規定される。垂直スライス画像は、垂直な対象領域内にある水平スライス画像データに基づいて構成される。垂直スライス画像データは、不良を検出するために解析されても良い。また、ＢＧＡ接合の不良を検出するための方法が提供される。この方法は、接合部の中心の位置を見つけることを含んでいる。方法は、接合部を貫通する多数の直径を測定し、測定された直径と期待された直径とを比較するために規則を適用することを更に含んでいても良い。 （もっと読む）

【課題】薄膜の結晶粒子の配列状態を簡便に得る方法とこれを用いた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜面を測定して得たＸ線回折パターンＰａと、前記薄膜面に対して直角な薄膜断面を測定面として測定して得たＸ線回折パターンＰｂとを用い、薄膜を構成する結晶粒子の面方位に該当するピークの実測強度の総和をＩｐｓ１とし、所望面方位に該当するピークの実測強度の和をＩｐｏ１とし、無配向のＸ線回折パターンを用いて、薄膜を構成する結晶粒子の面方位に該当するピークの強度の総和をＩｐｓ２とし、無配向のＸ線回折パターンを用いて、前記所望方位に該当するピークの強度の和をＩｐｏ２とし、下記式に代入して配向度Ｋを求める。
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【課題】検査対象物内の液体の流れを停止させないで保温材内の水の存在位置を精度良く測定できる水分検出装置を提供する。
【解決手段】配管検査装置１５の中性子発生管１及び中性子検出器を有する。中性子発生管２は単一エネルギーを有するパルス状の高速中性子２０を発生し、保温材１２に照射する。高速中性子２０は保温材１２内に存在する水１４及び配管１１内を流れる液体１０によって減速されて熱中性子２１となる。高速中性子２０の照射方向とは逆方向に進行する熱中性子２１は^３Ｈｅ比例計数管２で検出される。この計数管２からの出力信号は多チャンネル波高分析器８を経てデータ処理装置９に達する。データ処理装置９は高速中性子の発生時刻を基準とする熱中性子検出率の分布情報を算出し、さらに、この分布情報を用いて、保温材１２内に水１４が存在する場合の水１４の位置及び水１４の量を求める。 （もっと読む）

【課題】固体酸化物燃料電池（ＳＯＦＣ）表面の分析用のシステム及び方法を提供する。
【解決手段】固体酸化物燃料電池（ＳＯＦＣ）表面分析システムは、セラミック表面を有するＳＯＦＣを分析試料として、セラミック表面に隣接し且つセラミック表面に関連するデータを収集するスキャナ、スキャナに対してＳＯＦＣを保持する構造体、セラミック表面のデータを収集し処理するデバイス、及び、デバイス上に常駐し且つセラミック表面のデータを分析し提示するプロセスから構成される。 （もっと読む）

【課題】オペレータフリーな完全自動化された高スループットを実現するパターンマッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、設計データと走査型電子顕微鏡にて取得される画像との間でパターンマッチングを行うパターンマッチング方法及び装置であって、設計データのエッジと、走査型電子顕微鏡によって取得される画像のエッジ間で、方向別のマッチング処理を行う。 （もっと読む）

本発明は、Ｘ線光子１２、１４を計数する装置１０に関する。装置１０は、光子１２、１４を電荷パルスに変換するよう構成されるセンサ１６と、電荷パルス５１を電気パルス５３に変換するよう構成される処理要素１８と、電気パルス５３を第１の閾値ＴＨ１と比較し、第１の閾値ＴＨ１が越えられる場合イベント５５を出力するよう構成される第１の識別器２０とを有する。第１のゲート要素２４により計数が禁止されるまで、第１のカウンタ２２はこれらのイベント５５を計数する。上記第１の識別器２０が上記イベント５５を出力するとき、第１のゲート要素２４は起動される。測定により又は上記処理要素１８において光子１２、１４を処理するのにかかる時間に関する情報により、光子１２、１４の上記処理が完了したとわかるか又は完了しそうであるとき、このゲート要素は停止される。上記第１のカウンタ２２を起動及び停止することにより、パイルアップイベント、即ち、複数の電気パルス５３のパイルアップが、処理されることができる。本発明は、対応する撮像デバイス及び対応する方法にも関連する。
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【課題】画像データを用いた構造解析の解像度を向上させる。
【解決手段】測定画像のデータおよび所定の数の複数の参照画像のデータを取得し（Ｓ１０３）、複数の測定画像のそれぞれについて、参照画像に対する相対位置を移動させた測定画像の派生画像群のデータを作成し、生成した複数の派生画像群のそれぞれについて、派生画像群と前記参照画像との類似度を評価して、それぞれの派生画像群の中から、複数の参照画像のうちのいずれかとの類似度の高い複数の派生画像を抽出する（Ｓ１０５）。抽出された複数の派生画像を、派生画像の空間配置を考慮して複数のグループに分類し、共通のグループに分類された派生画像を平均化して、複数の平均化画像のデータを作成し（Ｓ１０７）、平均化画像のデータに基づいて、測定対象の構造を推定する（Ｓ１１５）。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】電子線を検査対象物に照射する照射光学系（１，４）と、この照射光学系の照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部（７）と、電子線が照射されることにより検査対象物で発生した二次電子又は反射電子を制御する帯電制御電極（５）と、この帯電制御電極を介して二次電子又は反射電子を検出するセンサ（１３）と、このセンサで検出した信号を電子線の照射開始時刻からディジタル画像信号に逐次変換するＡ／Ｄ変換器（１４）とを備えた半導体ウェーハ検査装置であって、ディジタル画像信号を第１の設定時刻から第２の設定時刻まで画素毎に加算して検出画像を生成する加算回路（１５）と、検出画像と検査対象物に形成された回路パターンの参照画像とを比較して欠陥を判定する画像処理回路（１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 被検査物を移動させながら行う検査において、被検査物中の異物を正確に検出することができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線を照射するＸ線源１と、Ｘ線源１と対向配置され、Ｘ線を検出して検出信号を出力するＸ線検出器３と、Ｘ線源１とＸ線検出器３との間で、被検査物７を載置し移動させるための被検査物載置部５と、Ｘ線検出器３のキャリブレーションデータを作成して記憶させるキャリブレーションデータ作成部３１と、キャリブレーションデータに基づいて、被検査物７のＸ線透過像データを作成するＸ線透過像データ作成部３３とを備えるＸ線検査装置８０であって、キャリブレーションデータ作成部３１は、被検査物載置部５を所定の時間駆動しながら取得した複数の検出信号に基づいて、キャリブレーションデータを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】物理量検査領域の各区画毎に、物理量算出結果をそれに対応するＸ線画像と関連付けた把握容易な表示を行なうことができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源２と、Ｘ線検出部４と、データ処理部６と、表示部２０とを備えたＸ線検査装置において、被検査物の質量検査領域を複数の区画Ａ，Ｂ，Ｃに分割し、Ｘ線検出部４からの検出情報のうち所定検出レベル範囲の検出情報を複数の区画の各区画毎に抽出して質量測定領域のＸ線画像をＸ線画像生成部１１に生成させる領域抽出処理部８と、この領域抽出処理部８で抽出された検出情報に基づいてワークＷの質量を算出する質量算出部１３と、複数の区画における質量測定領域のＸ線画像と質量算出部１３で算出された質量を示す複数のグラフ表示要素４３，４４，４５とをそれぞれ関連付けて表示部２０に表示させる表示データ生成部１５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバの外部からの外光を遮断しつつ、走査光学系の光ビームを真空チャンバ内部に導いて試料上を走査することが可能となる真空チャンバ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバの内部に設けられ、試料を載置し、任意の方向に移動可能とする真空試料ステージ部と、真空チャンバの外部に配置され、試料を走査するための走査ビームを出射、偏向する走査光学系と、真空チャンバと走査光学系とを連結するとともに、真空チャンバ内部へ入射する外光を遮光する外光遮光手段と、真空チャンバと外光遮光手段との連結部分に設けられ、走査ビームが透過可能な内部観察用手段と、走査光学系から出射された走査ビームを、外光遮光手段及び内部観察用手段を介して真空チャンバの内部に導く走査ビーム折り返し手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板内部に生じる局所的帯電の定量的で詳細な大きさを把握でき、チャージングを低減することができる荷電粒子ビーム検査方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 荷電粒子ビーム検査方法及び装置において、荷電粒子ビーム光学鏡筒の下面と試料との間に、導電性を有し、かつ、荷電粒子光学系の光路に沿って開口を有し、かつ、試料の表面上のＥＢ照射点から見て、鏡筒の下部の一部を覆う板を設ける。複数枚のスキャン画像の各々、あるいは複数枚のスキャン画像を積算した積算画像と、設計データとの比較照合を行い、倍率を求め、当該倍率の変動または変動の傾向から、荷電粒子ビームが照射されている局所領域における倍率との相関量を求め、その値に応じてランディングエネルギーを変化させる。 （もっと読む）

【課題】測定種別の選択と光学部品の交換作業とを関連付けて、交換すべき光学部品の情報を図を用いて画面に表示することで、測定準備作業を容易にする。
【解決手段】Ｘ線分析装置の測定準備作業に関連して、選択画面において、複数の測定種別の中からオペレータが所望の測定種別を選択すると、その測定種別に応じて、取り付けるべき光学部品及び取り外すべき光学部品の情報が、図を伴って表示装置の画面に表示される。オペレータは、その作業指示を見て、Ｘ線分析装置の光学系から光学部品を取り外したり、光学部品を取り付けたりする作業を実行する。図を伴って表示する形態には、交換すべき光学部品１６，１８の光学系上の位置を図示することや、取り付け作業と取り外し作業の区別を絵記号６９で表示することや、光学部品の識別マーク７０，７２を表示すること、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】エックス線分析装置での測定ではエックス線の照射方向と検出方向とを被測定位置で交差させる必要があり、エックス線の集中手段の指向方向を簡便に調整でき、さらに照射エックス線のうち集中手段に導かれないエックス線が周囲に漏洩することを防止したエックス線分析装置を提供する。
【解決手段】キャピラリー12、13を挿入したキャピラリーチャックの先端部にロックナットを締め付けてキャピラリー12、13を保持させ、該キャピラリーチャックをキャピラリーホルダ16に挿入し、該キャピラリーホルダ16を発生装置２と検出装置３にそれぞれカバー14、15を介して取り付ける。キャピラリーホルダ16の周壁に植設した調整ネジの締め付け状態を調整することによりキャピラリーチャックの姿勢を調整してキャピラリー12、13の指向方向を調整する。 （もっと読む）

【課題】ゴニオメータの機械誤差を現在以上に正確に補正することができるＸ線回折測定方法の角度補正方法を提供する。
【解決手段】標準試料に関して回折角度（２θ）ごとの回折線強度（Ｉ_Ｒ））を測定よって求め、回折線強度（Ｉ_Ｒ）と標準試料の真値の回折線強度（Ｉ_Ｒｔｒｕ）との比較から回折角度（２θ）ごとの誤差（Δ２θ）を求め、誤差（Δ２θ）及び系統誤差（Δ２θ_０）を Δ２θ_ｍ＝Δ２θ−Δ２θ_０ の式に代入して回折角度（２θ）ごとの機械誤差（Δ２θ_ｍ）を求め、測定試料に関して回折角度（２θ）ごとの回折線強度（Ｉ）を測定によって求め、測定試料に関して求めた回折角度（２θ）及び機械誤差（Δ２θ_ｍ）を ２θ_Ｋ＝２θ＋Δ２θ_ｍの式に代入して校正回折角度（２θ_Ｋ）を求めと、校正回折角度（２θ_Ｋ）に基づいて等間隔回折角度（２θ_Ｔ）を設定し、測定試料の回折線強度（Ｉ）を等間隔回折角度（２θ_Ｔ）に所定配分比で配分する。 （もっと読む）

【課題】ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。
【解決手段】他の光学式検査装置によって検出された、膜６６中に存在する欠陥の原因となる異物６５を他の光学式検査装置で取得された位置情報を基に光学式顕微鏡４３で検出し、電子顕微鏡画像やイオン顕微鏡画像による異物６５の観察やＥＤＸによる異物６５の元素分析ができるように非金属のイオンビーム２２で試料３１を加工する。 （もっと読む）

【課題】ラインスキャン方式において、電子ビームの位置ずれを補正して正確な二次元マッピング画像を得る。
【解決手段】ビーム走査部により電子ビームで試料表面の所定の領域を走査して得られた二次元画像の１つを参照画像として記憶しておき、予め設定された本数のラインスキャンごとにビーム走査部を駆動させて二次元画像を得、参照画像記憶部に記憶されている参照画像と比較して電子ビームのズレ量を算出する。その算出されたズレ量に基づいて偏向レンズにより電子ビームの位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】真正欠陥と疑欠陥の正答率を高め、欠陥検出率を向上させる。
【解決手段】基板走査により得られる二次元検出信号に基づいて基板欠陥を検出する基板検査方法であって、基板走査により得られる二次元検出信号に基づいて基板欠陥を検出して欠陥データを求め、この欠陥データの中から、予め求めておいた検出系に起因して検出される疑欠陥情報と合致する欠陥データを検索し、この検索で合致した欠陥データを疑欠陥として判定する。疑欠陥の検索に用いる疑欠陥情報は、疑欠陥の位置データと疑欠陥の強度データを含む。検索では、欠陥データの位置データと疑欠陥情報の疑欠陥の位置データの両位置データの合致、および、欠陥データの強度データと疑欠陥情報の疑欠陥の強度データの両強度データの合致の２つの合致を条件として行う。 （もっと読む）

【課題】
被検査基板の帯電状態を任意に制御でき、信頼性の高い電子ビームを用いた回路パターンの検査装置を提供する。
【解決手段】
回路パターンが形成されたチップを複数有する基板表面に電子ビームを照射し、該照射によって基板から発生する信号を検出して画像化し、該画像と他の画像とを比較して回路パターン上の欠陥を検出する回路パターンの検査装置において、電子ビームで走査しながら一方向に移動する基板のひとつの移動であるラインに含まれるチップ列に電子ビームを照射する検査スキャンにより検査用の画像を取得した後に、検査スキャンにより電子ビームが照射された領域の帯電状態を飽和状態にする、あるいは帯電状態を元に戻すことによって画像の質が均一になるように、該照射された領域に再び電子ビームを照射するポストスキャンの電子光学条件を設定する条件設定手段を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 自動焦点合わせ可能な範囲を超える程度の反りが発生した場合でも、半導体ウエハ表面のすべての欠陥に焦点を合わせて欠陥画像を取得することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 表面上の欠陥の位置情報が知られている半導体ウエハを、撮像装置のステージに載置する。半導体ウエハの表面上の複数箇所の、高さ方向の位置を測定する。測定された高さ方向の位置に基づいて、表面内を複数の部分領域に区分する。部分領域から、欠陥画像の取得が終了していない部分領域を１つ選択する。選択された部分領域内が、撮像装置の自動フォーカス範囲内に位置するように、ステージの高さを調整する。選択された部分領域内の欠陥を撮像装置で撮像し、欠陥画像を取得する。すべての部分領域内の欠陥の欠陥画像が取得されるまで、部分領域の選択からｅから撮像までの工程を繰り返す。 （もっと読む）