【課題】半導体装置のしきい値電圧特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】半導体基板２の表面にアルミニウム電極３を形成する。次いで、半導体基板２の表面にジンケート処理を行った後、水洗処理を行う。次いで、無電解めっき処理を行い、アルミニウム電極３の表面にニッケルめっき層５および金めっき層６をこの順で形成する。ジンケート処理後の水洗処理により、アルミニウム電極３の表面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を９．２０×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ²以下にする。無電解ニッケルめっき浴中のナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を３４００ｗｔｐｐｍ以下とする。このように作製された半導体装置１の、ニッケルめっき層５およびニッケルめっき層５とアルミニウム電極３との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は３．２０×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ²以下である。 （もっと読む）

本発明は、プリント回路板、ＩＣ基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての１μｍ以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解（浸漬）めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 （もっと読む）

タイヤのような成形及び押出物品用の補強手段は、自身に結合したシリカゲルの層を有する金属構造体を有している。このシリカゲルは、ゴム配合物の成形／加硫中に遅い硬化段階を必要とせずに、補強手段をゴム配合物に結合させる。このシリカゲルは、１５０℃以下の温度でゾルを乾燥させることによってゲルが形成されるゾルゲルプロセスにより金属構造体に塗布してもよい。補強手段は、好ましくは、上記シリカゲルでコーティングされた複数のスチールワイヤーから形成されたケーブルである。シリカゲルのゴム配合物への結合をさらに向上させるために、ゴム配合物に有機シラン結合剤を含ませる、又は結合剤として有機シランを含む第２層を補強手段に設けてもよい。補強手段は、タイヤを強化し、幾何学的安定性を付与するのに特に有用である。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすること。また、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうこと。
【解決手段】複数枚の被処理ウェハ２が適当な間隔をおいて平行に並べられたウェハカセット３を、めっき槽１内へ、被処理ウェハ２が薬液表面に対して垂直となるように挿入する。また、めっき槽１の側壁には、薬液供給口４が設けられている。ポンプによって薬液供給口４からめっき槽１内へ供給された薬液を、薬液表面および被処理ウェハ２に対して平行な方向に流通させ、バッファー板６によって流れを整流してからウェハカセット３へ流す。 （もっと読む）

【課題】プラントを構成する炭素鋼部材の腐食をさらに抑制することができる炭素鋼部材の防食方法を提供する。
【解決手段】ニッケルイオン及びギ酸を含む薬液を、循環配管内に流れる皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ４）。この皮膜形成水溶液をＢＷＲプラントの炭素鋼製の給水配管に供給し、給水配管の内面にニッケル金属皮膜を形成する。ニッケル金属皮膜が形成された後、鉄（II）イオン、ギ酸、ニッケルイオン、過酸化水素及びヒドラジンを含む皮膜形成水溶液を、給水配管に供給する（Ｓ５〜Ｓ７）。給水配管内でニッケル金属皮膜の表面にニッケルフェライト皮膜が形成される。その後、酸素を含む１５０℃以上の水をニッケルフェライト皮膜に接触させ、ニッケル金属皮膜をニッケルフェライト皮膜に変換する（Ｓ１０）。給水配管の内面に厚みの厚いニッケルフェライト皮膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】非真空プロセスを用いるため、膜の製造コストを抑えることができ、また、従来の非真空プロセスでは達成できなかった膜密度の高い緻密なＣＩＳ系膜を得ることができる。また、従来よりも低温の処理温度でセレン化処理が可能となる。
【解決手段】溶液を基板に塗布し、焼成して金属酸化物膜を形成した後、金属酸化物膜を還元処理して金属膜とし、続いて金属膜をセレン化処理することによりＣＩＳ系膜を形成するためのＣＳＤ溶液であり、Ｃｕ及びＩｎ、並びに必要に応じてＧａの各前駆体原料と有機溶媒とから構成され、各前駆体原料が１種又は２種以上の有機金属化合物からなることを特徴とする。有機金属化合物はカルボン酸塩やアルコキシドからなり、有機溶媒は飽和炭化水素やベンゼン誘導体からなる。また、添加剤として有機セレン化合物を加え、液中に金属−セレン結合を有する前駆体を生成させる。 （もっと読む）

【課題】 種々の微細なパターン化金属箔の作製が可能なパターン化金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）表面に開口方向に向かって幅広な凹部が形成されており、表面が導電性であるめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、
（Ｂ）上記めっき用導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程
を含むことを特徴とする、少なくとも片面にパターンが施された金属箔の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、はんだめっき皮膜の密着性の低下やめっき未着を解決し、均一なはんだめっき層が形成された電子部品用複合ボールの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、Ｃｕの球体からなるコアボールを用意する工程と、前記コアボールの表面を還元性水溶液で洗浄する第１洗浄処理工程と、前記コアボールを包囲するようにＮｉ下地めっき層を形成する第１めっき処理工程と、前記下地めっき層の表面を還元性水溶液で洗浄する第２洗浄処理工程と、前記下地めっき層を包囲するようにはんだめっき層を形成する第２めっき処理工程と、前記はんだめっき層の表面を洗浄する第３洗浄処理工程を経る電子部品用複合ボールの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】還元反応が十分に進行しない、形成される金属構造物の表面に欠陥を有する等の不良現象が抑制され、光沢に優れた金属構造物を形成する方法及びその形成方法に用いられる金属構造物形成用組成物並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は、基材に、蟻酸の金属錯体（Ａ）及び蟻酸アンモニウム（Ｂ）を含有する金属構造物形成用組成物を塗布し、塗布物を形成する工程と、得られた塗布物に対して、加熱及び／又は光照射し、金属からなる構造物を基材の表面に形成する工程とを、順次、備える金属構造物の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 リン酸亜鉛化成処理やジルコニウム系化成処理と言った塗装下地処理を行わずに塗装、特に電着塗装を施しても、塗装下地処理を行った場合と同等以上の塗装後耐食性および塗膜密着性を得ることのできると共に、防錆油の除去性に優れた表面処理鋼板およびその製造方法の提供。
【解決手段】 粒子状Ｂｉが鋼板表面に付着し、その上に防錆油が０．５〜２．０ｇ／ｍ^２塗油されていることを特徴とする表面処理鋼板。 （もっと読む）

【課題】基材と環境とを流体連通するピンホール欠陥が実質的に存在しない無電解金属皮膜を有する物品を製造する方法の提供。
【解決手段】無電解金属皮膜２０のピンホール３０の封止方法は、（ａ）基材１０を無電解金属皮膜層２０で被覆して基材１０の表面に接触した無電解金属皮膜２０を有する被覆物品を形成する工程であって、基材１０と環境とを流体連通するピンホール欠陥が無電解金属皮膜２０に存在する工程、（ｂ）無電解金属皮膜層上に硬化性エポキシ封止材４０の層を塗工し、ピンホール欠陥を充填する工程、（ｃ）硬化性エポキシ封止材４０を硬化して硬化エポキシオーバーコート層を形成する工程、（ｄ）硬化エポキシオーバーコート層の大部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程（ステップＳ５２）と、第２めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５４）と、第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５６）を含む。第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第２めっき槽および第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 （もっと読む）

【課題】表面清浄化処理（脱脂）と塗装下地処理とを同一工程で行う金属表面処理技術において、塗装工程において優れた塗膜密着性及び耐食性を達成可能な手段を提供する。
【解決手段】Ｂｉイオン１０〜１０００ｐｐｍおよび３価Ｆｅイオン１００〜２０００ｐｐｍを含有し、［２×Ｂｉイオン濃度＋３価Ｆｅイオン濃度］が５００〜３０００ｐｐｍであり、更にＢｉおよびＦｅを可溶化するに充分なキレート剤および界面活性剤を含有するｐＨ３〜１４の水溶液を用いて金属表面を処理する。 （もっと読む）

試薬溶液から固体膜を基材上に堆積するための装置は、試薬溶液内における均一反応を阻害するのに十分低い温度に保った試薬溶液の貯槽を備える。冷却した溶液は、シャワーヘッドにより、一度に、基材上に分注される。シャワーヘッドの１つが試薬溶液を微細ミストとして送達するようにネブライザーを含むのに対して、他のシャワーヘッドは試薬を流れるストリームとして送達する。基材の下に配置されたヒータは、試薬溶液からの所望の固体相の堆積が開始され得る温度に基材を昇温して保つ。各試薬溶液は、少なくとも１種の金属およびＳもしくはＳｅのいずれかまたは両方を含有する。試薬溶液の少なくとも１つは、Ｃｕを含有する。該装置およびそれに関連する使用方法は、Ｃｕ含有化合物半導体の膜を形成するために特に適する。
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本発明は、チタン基材上に得られ、チタン及びタンタルの酸化物を含む高緻密二重バリア層と触媒層とを有する電解用途用の電極、所望により酸素発生アノードに関する。二重バリア層の形成法は、基材に適用された前駆体溶液の熱分解、所望によりその後のクエンチングステップ、及び高温での長時間の熱処理を含む。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一実施形態は、集積回路製造のためにキャップ層を無電解析出させる方法である。方法は、浴の無電解析出特性を実質的に維持するように、無電解析出浴の組成の制御を含む。本発明の別の実施形態は、無電解析出溶液を含む。本発明のさらに別の実施形態は、無電解析出浴を再調整するために用いられる組成である。 （もっと読む）

【課題】安価で経済的に優れた材料を使用し、ナノポーラス構造体で且つ光学応用や触媒応用のために貴金属の薄い層（レイヤー）により装飾されているナノポ−ラス金属材料を提供する。
【解決手段】貴金属で表面修飾されたナノポ−ラス金属（ナノ多孔質金属）が、コントロールすることのできるイン・サイチュの犠牲を伴うテンプレート技術により簡単な手法で得ることができる、得られたコア・シェル型ナノポーラス金属コンポジットは、生物化学センサーを含めたセンサー、電解酸化触媒などを含めた触媒、ナノスケールウェーブガイド具、電磁気分野並びに光伝達分野などにおけるエンハンサー用材料、水素ガスなどのガスや元素、分子用の表面プラスモン共鳴(SPR)のセンサー、表面増強ラマン散乱用センサー用材料などとして有用である。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れためっき被膜を形成することができる無電解ニッケルめっき浴、及び、無電解ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】水１Ｌに、次亜リン酸を１１０〜１３０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを９８〜１２０ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを４５〜６０ｇ／Ｌ、硝酸鉛を０．００５〜０．０２５ｇ／Ｌ、チオ尿素を０．００３〜０．０２３ｇ／Ｌ、リンゴ酸を７０〜９５ｇ／Ｌ、さらに、ｐH緩衝剤として苛性ソーダを３０〜５０ｇ／Ｌ溶解させて、ｐＨ４．８〜５．３に調節した無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、並びに２−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 （もっと読む）

【課題】一次実装後に導電層が露出しにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子の表面に、導電層、密着層、及び、錫又は錫と他の金属との合金からなる低融点金属層が順次積層されている導電性微粒子であって、前記密着層は、置換めっきによって形成されたものである導電性微粒子。 （もっと読む）