Fターム[4K022BA31]の内容

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Fターム[4K022BA31]に分類される特許

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【課題】 導体層パターンを容易に生産性よく作製するためのめっき方法、また、耐久性のよいめっき用導電性基材を使用するめっき方法、さらに、めっき速度が速く従って生産効率のよいめっき方法を提供する。
【解決手段】 導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材にめっきにより金属を析出させることを特徴とするめっき方法。めっき用導電性基材にめっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている上記絶縁層はダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ホット・プレート状の基板加熱手段を利用して、基板面側から金属ナノ粒子分散液塗布膜を加熱処理する手法を適用して、下地層に対する優れた密着性と、高い導電性を有する金属ナノ粒子焼結体厚膜層を基板上に形成する方法の提供。
【解決手段】表面に塗布膜が描画された基板を、温度Tplateに加熱されたホット・プレート状の基板加熱手段上に配置し、基板加熱手段に接する基板裏面側から加熱を行い、
塗布膜の基板面側の温度:Tbottom(t)を、150℃〜250℃の範囲であって、塗布膜中に含まれる分散溶媒の沸点Tb-solventよりも低く選択される温度とし、
塗布膜の表面温度:Ttop(t)を、温度差ΔT(t)={Tbottom(t)−Ttop(t)}≧10℃となる範囲に維持して、該塗布膜に対する加熱処理を行って、含まれている金属ナノ粒子の低温焼結を起させる。 (もっと読む)


【課題】複数の部材を積層して積層構造体を製造する場合に、部材間の接合強度を向上させる積層構造体の製造方法、及び、インク流路内の部材間の接合強度と耐インク性を向上させるインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の部材410,420,430,440,450,460,470が一部に架橋性樹脂415,465を介して積層されている積層構造体400を用意し、架橋性樹脂が露出している部分に高圧流体315を供給することにより、該架橋性樹脂の架橋度を増大させた後、積層構造体から高圧流体を除去する。インクジェット記録ヘッドの場合、高圧流体を除去した後、さらに、第2の高圧流体とめっき液とを混合して攪拌した混合流体317により、インク流路490の内壁422にめっき膜423を形成する。 (もっと読む)


【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、(A)基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、(B)無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、(C)ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 (もっと読む)


【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料22の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液19中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は1nm以上100μm以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 (もっと読む)


【課題】表面化粧構造体の表面処理方法およびそれによる表面化粧構造体を提供する。
【解決手段】ステンレススチール製薄板をプレス、深絞りまたは圧延により構造体を成型する第1工程と、該成型された構造体に、成型により表面に発生した5μm以下の微細クラックまたはピンホールが存在する場合に、少なくとも該微細クラックまたはピンホールが存在する部分に、洗浄処理を介して、つきまわり、均一電着性に富む金属(Cu、Sn、Ni、Inまたはそれらの合金)の電解メッキまたは非電解メッキを厚さ0.1〜3μm施す第2工程と、該電解メッキまたは非電解メッキ部をバッフィングまたはポリシングする第3工程と、または第3工程を省略して、さらに前工程後にケ−ス全体に印刷インキまたは塗料による表面化粧被覆を施す第4工程を有することを特徴とする表面化粧構造体の表面処理方法およびそれによる表面化粧構造体。 (もっと読む)


【課題】本発明は、無機酸化物膜中に金属微粒子が層状に配列された新規な配列膜を、簡便な方法により製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射基板上に、無機酸化物ゾル−ゲル成分と金属成分とを含有する薄膜を製膜する工程(A)と、前記反射基板上の薄膜に、特定の波長の光を照射する工程(B)とを含むことを特徴とする、配列した金属微粒子を含有する無機酸化物膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い選択的な無電解めっき方法、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地の金属より卑な金属を無電解めっき方法により選択的に積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体3が分散され、核体3表面に無電解めっきにより導電層1が析出中の核体3を、表面に導電体2を有する被めっき体へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体2への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体3が分散され、核体3表面に無電解めっきにより導電層1が析出中の核体3が分散し、攪拌しているめっき液中へ、表面に導電体2を有する被めっき体を浸漬することを特徴とする導電体2への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法。 (もっと読む)


【課題】 製造が容易な白金錯体であって、媒体に有害性の高い溶剤を使用する必要のない、セラミック基材への電極形成に適した無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】 ビス(2,4−オクタンジオン)白金錯体などの白金錯体0.005〜10.000質量%と、有機溶剤60.000〜99.895質量%と、増粘剤0.100〜30.000質量%とを含有する無電解めっき前処理剤。有機溶剤としては、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテートが好ましい。セラミック基材の表面に、前記無電解めっき前処理剤を塗布した後、350〜450℃で焼成することによりセラミックス基板上に白金の触媒を形成し、次いで前記触媒上に無電解白金めっきを行い、セラミック基板に電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】ミクロンオーダーからナノオーダーのインプリント技術において、インプリント用金型の離型性、耐磨耗性、耐久性、コストに問題があった。
【解決手段】平均孔径が10μm以下の気孔を有する多孔質金属めっき膜を備えるインプリント用金型である。所定の微細パターンに必要な凹凸部分に、多孔質金属めっき膜中の気孔を利用したものである。 (もっと読む)


【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第4周期から第6周期の第VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA属から選ばれた金属(例えば、銀、銅、ビスマスなど)の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ベンゾアゾール環の2位のメルカプト基にC3〜C6アルキレンが結合した特定の2−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記C3〜C6アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 (もっと読む)


【課題】電子回路の集積化を容易にすると共に、触媒に含まれる貴金属の省資源化を図り、更に無電解めっきによる精密な導電性回路を形成する方法を提供する。
【解決手段】射出成形した第1のばね基体2を粗化して、ポリ乳酸等からなる被覆材3を部分的に被覆して第2のばね基体4を形成し、触媒5を付与する。疎水性の被覆材3の表面に付着した触媒5を水洗浄で除去する。次に被覆材3で被覆されていない無電解めっきを形成する部分4aに、浴組成が酸性または中性の無電解めっきを行なって導電性回路6を形成し、その後にアルカリ性溶液でこの被覆材3を加水分解して除去する。被覆材3は耐酸性であるため、酸性または中性の無電解めっき液で溶解せず、また無電解めっき後に被覆材3を除去するため、無電解めっきを形成する部分4aに付与した触媒5がアルカリ性溶液によって脱落するという問題が生じない。 (もっと読む)


【課題】 環境公害の発生が少なく人体に安全な方法であって、銀ナノ粒子などの金属ナノ粒子の殺菌効果を最大限に引き出すような金属ナノ粒子を用いた表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の金属ナノ粒子を用いた表面処理方法は、球根植物若しくは塊根植物の一部を乾燥して形成される微細多孔質担体に、金属前駆体を反応させて生成される金属ナノ粒子コロイドを用い、前記金属ナノ粒子コロイドから金属ナノ粒子を被処理体の表面に固定させることを特徴とする。本発明によれば薄膜の超微細積層粒子層を形成させて抗菌性に優れた器具を原価も格段に安く提供でき、殺菌消毒をしながら固着している非衛生な異物などを確実に取り除くことができる。 (もっと読む)


【課題】 無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後(150°C、大気中に168時間放置された後)の密着力を高めることを課題とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射した後、酸性溶液に浸漬する処理、触媒付与処理を施し、その後、無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】加熱雰囲気温度の均一性の影響を受け易く、基材面に薄膜で且つ均斉な銅膜を形成することが困難であるという、蟻酸銅又はその化合物を熱分解する従来の銅膜の形成方法での課題を解決する。
【解決手段】所定温度に加熱されている基板10を、前記加熱温度で不活性な不活性ガス雰囲気内に載置して、基板10の表面に向けて前記加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した蟻酸銅溶液をノズル20から噴霧し、前記加熱温度下で噴霧された蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発すると共に、前記蟻酸銅を熱分解して、基板10の一面側に薄膜の銅膜を形成した後、前記銅膜の表面に形成される酸化膜を還元する還元剤を含有する還元剤溶液を、前記不活性ガス雰囲気内で加熱されている基板10にノズル20から噴霧することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 下地層の上にスズ皮膜を形成する2層メッキ方式において、上層のスズ皮膜でのピンホールやスズホイスカーの発生を防止する。
【解決手段】 被メッキ物に無電解スズ−銀合金メッキ皮膜よりなる下地皮膜を形成した後、当該下地皮膜の上に無電解スズメッキ皮膜(上層皮膜)を形成するスズホイスカーの防止方法であって、下地皮膜の膜厚が0.025〜0.5μmで、且つ、下地と上層皮膜の合計膜厚が0.1〜6μmであり、下地皮膜中の銀の組成比率が5〜90重量%であり、銅張り積層基板などを被メッキ物とする無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法である。下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 (もっと読む)


【課題】環状オレフィン系樹脂の透明性を活かすとともに、環状オレフィン系樹脂成形品の表面がアンカー効果による高いメッキ密着力を実現するための環状オレフィン系樹脂成形品の表面処理方法であり、且つ従来の環状オレフィン系樹脂成形品に対する化学メッキよりも、容易に化学メッキするための環状オレフィン系樹脂成形品の表面処理方法を提供する。
【解決手段】環状オレフィン系樹脂成形品の表面に対して、溶解度パラメーターが12.0Jl/2/cm3/2から20.1Jl/2/cm3/2である有機溶媒によって、表面をエッチングするエッチング工程後に化学メッキ処理する。 (もっと読む)


【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】金属の無電解析出用に、酸化物表面を活性化する溶液を提供する。溶液には、酸化物表面と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、触媒と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、を有する結合剤が含まれる。本発明は、また、電子デバイスの製造方法と、その製造方法を用いて製造した電子デバイスとを提供する。 (もっと読む)


【課題】十分な耐圧強度が得られると共により軽量化された熱交換器用チューブを提供する。
【解決手段】アルミニウム製扁平チューブ50の外面の幅方向における前面側領域に前面側Zn付着層53aが形成され、扁平チューブの外面の幅方向における前面側Zn付着層53aよりも背面側の領域に、背面側Zn付着層が形成され又はZn付着層が存在せず、前面側Zn付着層53aにおける単位表面積当たりに存在するZnの質量を「X」(g/m2)とし、背面側領域における単位表面積当たりに存在するZnの質量を「Y」(g/m2)としたとき、X−Y≧0.5(但し、Yが0g/m2である場合を含む)の関係式が成立する構成とする。 (もっと読む)


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