【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで，これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに，フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック１２０と，伝熱ガス供給機構２００とを備え，伝熱ガス供給機構は，基板裏面に第１伝熱ガスを供給する第１伝熱ガス供給部２１０と，フォーカスリング裏面に第２伝熱ガスを供給する第２伝熱ガス供給部２２０とを独立して設けた。 （もっと読む）

【課題】中密度プラズマ領域のプラズマを用い、高い制御性を得るとともに大口径ウエハにおける処理の均一性を得る。
【解決手段】真空排気手段により排気される真空処理室と、該真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、前記真空処理室内に磁場を発生させるためのソレノイドコイルと、ヨークと、中央部あるいは外周部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の略１／４ 突出させて形成した誘電体製マイクロ波透過窓とを備えたプラズマ処理装置において、前記誘電体製マイクロ波透過窓は、平板部と、該平板部上に載置された突出部と、該突出部を平板部に位置決めする位置決め用凹凸部を備えた。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有物をエッチングする装置において、分離回収装置や除害装置を不要とし、設備コストを低減する。
【解決手段】分解部２０において、フッ素含有成分を含む原料ガスに高周波又は熱エネルギーを印加して、フッ素含有成分を分解する。分解中又は分解後の原料ガスと水素含有成分とを接触させてフッ化水素を含むエッチングガスを生成する。このエッチングガスを処理槽１０内の被処理物９に吹き付け、シリコン含有物９ａをエッチングする。更に、処理槽１０内のガスを排気手段５によって吸引して排出する。シリコン含有物９ａのエッチングレートが所定以上になるよう、かつ排出ガス中のフッ素含有成分の流量が放出許容値以下になるよう、分解部２０への原料ガスの供給流量、及び供給電力又は供給周波数を設定する。 （もっと読む）

【課題】隣接デバイスの特性への悪影響を低減するＴＳＶ相互接続構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主面Ｓ１を有する基板を設け、少なくとも一つのＴＳＶ穴部と、ＴＳＶ穴部を囲み残りの基板材料によって分離されるトレンチ状構造３、とをエッチングにより同時に作製する。基板の第１の主面でトレンチ状構造の開口をピンチオフするためと、ＴＳＶ穴部側壁を平滑にするために、誘電性のライナー２ａ、２ｂを堆積し、トレンチ状構造にエアギャップ４を作製する。ＴＳＶ相互接続１０を生成するためにＴＳＶ穴部に導体材料を堆積する。 （もっと読む）

【課題】金属部材の劣化を抑えた集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る集積回路装置の製造方法は、ハロゲンを含むガスを用いて金属部材をエッチングする工程と、エッチングされた前記金属部材を大気に曝すことなく、前記金属部材のエッチング面を覆うようにシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）をノーマリーオフ化させる。
【解決手段】基板１１上に形成された第１の半導体層１２と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層１３と、所定の領域の前記第２の半導体層の一部または全部を除去することにより形成されているゲートリセス２２と、前記ゲートリセス及び第２の半導体層上に形成されている絶縁膜３１と、前記ゲートリセス上に絶縁膜を介して形成されているゲート電極３２と、前記第１の半導体層または前記第２の半導体層上に形成されているソース電極３３及びドレイン電極３４と、を有し、前記ゲートリセスが形成されている領域における前記第２の半導体層、または、前記第２の半導体層及び前記第１の半導体層にはフッ素が含まれているフッ素を含む領域２４を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜を除去するラジカルクリーニング方法であって、ラジカルクリーニングを行う際に生成する残留生成物も除去することができるラジカルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマによりＨラジカル生成用ガスを分解してＨラジカルを生成させ、このＨラジカルとＮＦ_３ガスを反応させてＮ、Ｆ及びＨからなるラジカルを生成するＮＦＨラジカル生成工程と、真空槽内で、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜に前記Ｎ、Ｆ及びＨからなるラジカルを照射することにより前記ＳｉＯ_２膜を除去するエッチング工程と、真空槽内で、前記エッチング工程で前記Ｓｉ基板上に生成した残留生成物にマイクロ波を照射することにより、前記残留生成物を加熱して蒸発させて除去する残留生成物除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。
【解決手段】セラミック物品は、典型的に、少なくとも２つの相又は３つの相を有する多相のセラミックを含む。第１の実施形態において、セラミックは、モル濃度が約５０モル％〜約７５モル％の酸化イットリウム、モル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化ジルコニウム、及びモル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの他の成分から形成されている。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を向上することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷ上の半導体デバイスに形成されたハフニウム酸化膜にエッチング処理を施す際、ウエハＷをプラズマ処理装置１０のチャンバ１１内に搬入し、該チャンバ１１内の処理空間ＳにＣ_４Ｆ_８ガス、一酸化炭素ガス、アルゴンガス及びキセノンガスを所定の流量比で供給し、処理空間Ｓに高周波電力を印加して供給された処理ガスからプラズマを発生させ、キセノンによってＣ_４Ｆ_８からのフッ素の解離をより促進して高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜を除去するラジカルクリーニング方法であって、Ｓｉ基板に付着した（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６等の残留生成物を除去する際に反応室（真空槽）内へ再付着した残留生成物も除去することができるラジカルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマによりＨラジカル生成用ガスを分解してＨラジカルを生成させ、このＨラジカルとＮＦ_３ガスを反応させてＮ、Ｆ及びＨからなるラジカルを生成するＮＦＨラジカル生成工程と、真空槽内で、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜に前記Ｎ、Ｆ及びＨからなるラジカルを照射することにより前記ＳｉＯ_２膜を除去するエッチング工程と、真空槽内で、前記エッチング工程で前記Ｓｉ基板上に生成した残留生成物を加熱して蒸発させることにより、前記残留生成物を前記Ｓｉ基板上から除去する第１残留生成物除去工程と、前記第１残留生成物除去工程で真空槽内に付着した前記残留生成物にマイクロ波を照射することにより、真空槽内に付着した前記残留生成物を昇華させて除去する第２残留生成物除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１，３，３，３−テトラフルオロプロペンと、（Ｂ）Ｈ_２、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＦ_３ＯＦ、ＣＯＦ_２、ＮＯ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ_３、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ、又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦７である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）不活性ガスを含むドライエッチング剤を提供する。
これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】 有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングが困難な遷移金属の膜を、サイドエッチングが極力生じないようにパターニングする。
【解決手段】絶縁膜の上にバリア層・密着層を形成し（Ｓ１）、その上に遷移金属からなるシード層を形成する（Ｓ２）。シード層の上にＳｉＯ_２膜及びフォトレジスト膜を順次形成し（Ｓ３、Ｓ４）、フォトレジスト膜、ＳｉＯ_２膜をパターニングして開口を形成し（Ｓ５，Ｓ６）、開口内にＣｕ膜及びマスクＡｌ膜を積層する（Ｓ７、Ｓ８）。次に、ＳｉＯ_２膜をエッチング（Ｓ９）、露出したシード層をその膜厚方向に異方的に改質し（Ｓ１０）、改質されたシード層、露出したバリア・密着層、及びマスクＡｌ膜を順次エッチングにより除去することにより（Ｓ１０〜Ｓ１３）、パターン化金属膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 接続孔のホールサイズについて制御性良い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に上層絶縁膜が形成され、前記上層絶縁膜上にSiを含む非晶質膜が形成される。前記非晶質膜上に第１のレジスト膜が形成され、前記第１のレジスト膜に第１のレジストパターンが形成される。前記第１のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。前記非晶質膜および前記遷移金属膜の熱反応により、前記非晶質膜よりも体積が大きいシリサイド膜が形成される。前記遷移金属膜が除去され、前記シリサイド膜をマスクとして、前記上層絶縁膜を加工し、前記上層絶縁膜に第１の溝が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明では、処理室内壁や処理室内のパーツのＹ₂Ｏ₃表面の変質層に起因した異物の抑制または低減するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は処理室内壁面を構成する材料、または処理室内パーツの材料がイットリアからなるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記処理室内に試料を配置し、前記試料をエッチングする工程と、前記エッチング工程により前記処理室内に堆積した堆積物を、フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマにより除去する堆積物除去工程と、前記堆積物除去工程後の前記処理室内を、希ガスのプラズマに曝す工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 水酸化カルシウムを含有する除去剤を用いてフッ素（Ｆ_２）や三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）のようなハロゲン元素からなるフッ化物のガスであるハロゲンガスや該ハロゲンガスとの反応により生成するフッ化物ガスを除去する場合、上記のように除去剤に含有する水分を蒸発させるより、蒸発させずに除去剤と、ハロゲンガス又はフッ化物ガスとを、反応させる方法より、さらに除去剤の単位質量あたりの処理量を多くできる除去方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲンガス又はフッ化物ガスを含有する排出ガスを、水酸化カルシウムを主成分とする除去剤に接触させて、ハロゲンガスを固定して除去する方法において、該除去剤に水分を供給することを特徴とするハロゲンガス又はフッ化物ガスの除去方法。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、ＨＢｒガスと、ＣＦ_４ガスと、酸素ガスの混合ガスを含むガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させる。このようにエッチングを薄膜トランジスタのバックチャネル部を形成するエッチングに適用することで、当該薄膜トランジスタの電気的特性を良好なものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って確実にプラズマに点火可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】軸方向に中空構造を有する中空構造体（１１）、中空構造体（１１）の内部に配置される第１電極（１２）、中空構造体（１１）のプラズマ発生領域（１３）を外面から覆う構造を有する第２電極（１４）を備え、第１電極（１２）は、中空構造体のプラズマ発生領域において変形構造（１２ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。
【解決手段】本発明は厚さが２００ｎｍから５００ｎｍの磁性膜をドライエッチングするプラズマ処理方法において、レジスト膜と、前記レジスト膜の下層膜である非有機系の膜と、前記非有機系の膜の下層膜であるＣｒ膜と、前記Ｃｒ膜の下層膜であるＡｌ₂Ｏ₃膜とを含む積層膜を前記磁性膜の上に成膜した試料をドライエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）