【課題】圧電体薄膜を微細加工するとともに制御性良く加工を停止させることを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、及び圧電体薄膜ウェハの加工方法、並びに圧電体薄膜素子、圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．７＜ｘ≦１．０）で表される下地層４を形成する工程と、下地層４上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜５を形成する工程と、基板２上に形成された下地層４及び圧電体薄膜５に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行う工程と、ドライエッチングにおいて放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】露光時の剥れが抑制される感光性レジストパターンの形成方法、及びそれを利用した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ドライエッチングが施されたシリコン基板の表面に対して、酸溶液又はアルカリ溶液によりウエットエッチング処理を施す工程と、ウエットエッチング処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基で終端させる表面処理を施す工程と、水酸基で終端させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理を施す工程と、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、感光性レジストパターンを形成する工程と、を有する感光性レジストパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】サイドモード抑制の効果が大きく、均一性、再現性に優れる深さの異なる回折格子を含む半導体素子およびその作製方法を提供すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを複数の組成の異なる層かなる半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。複数の組成の異なる層の内、エッチングされる層が開口部幅によって異なるようにエッチングする。 （もっと読む）

【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル汚染の低減したプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ１０を構成する、ガス供給板２２、チャンバライナ３０、フォーカスリング１４などの部品の表面を、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つ、セラミック又は高温ポリマー等の材料をプラズマ溶射し、被覆３２する。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルが低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷のない水素を用いて、太陽電池用のシリコン系基板表面にテクスチャーを広い面積に形成できるシリコン系基板表面粗面化処理方法およびその装置を提供する。
【解決手段】粗面化処理装置１０を用い、シリコン系基板Ｗを処理室１に載置する基板供給工程と、処理室１を真空ポンプ１６により減圧する減圧工程と、減圧した状態を保持しながら処理室１にプラズマ化工程を行って生成した水素活性種Ｈ^*をプラズマ発生室２から供給してこの水素活性種Ｈ^*でシリコン系基板Ｗをエッチングするプラズマ供給工程と、を行って、シリコン系基板Ｗの表面に凹凸構造を形成する。前記プラズマ化工程は、マスフローコントローラ２１により水素Ｈ₂をプラズマ発生室２に供給しながら、プラズマ源３によりプラズマ発生室２に高周波電力を印加することで水素Ｈ₂をプラズマ化する。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を異方的にエッチングすることを可能とするとともに、銅を用いたバンプ電極を短時間で形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部配線１５３上に絶縁膜１５６を形成する工程と、絶縁膜１５６に内部配線１５３に通じる開口１５７を形成する工程と、開口１５７が形成された絶縁膜１５６上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、バンプ電極形成パターンに対応したマスク材１０２を形成する工程と、マスク材１０２をマスクに用いて、銅膜１０１を異方的にエッチングし、バンプ電極を形成する工程と、とを具備する。 （もっと読む）

【課題】異方的にエッチングされた銅膜に、簡単で実用的にＣｕバリア膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕバリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、マスク材１０２を形成する工程と、マスク材１０２をマスクに用いて、銅膜１０１をＣｕバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、マスク材１０２を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、銅膜１０１に対して触媒作用があり、Ｃｕバリア膜１００には触媒作用がない選択析出現象を利用した無電解めっき法を用いて、銅の拡散を抑制する物質を含むめっき膜１０４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層１，７，８の上に非加工膜１４を形成する工程と、非加工膜１４および下地層１，７，８に溝４を形成する工程と、溝内を埋め込むように加工膜５を形成する工程と、非加工膜１４を露出させるように加工膜５を平坦化する工程とを備える。更に、加工膜５および非加工膜１４の上に保護膜１６を形成する工程と、ＲＩＥ法を用いて、保護膜１６をエッチングすると共に、加工膜５を選択的にエッチングして溝内の加工膜５を落とし込む工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジストに対する高い選択性、表面粗度上昇の抑制と、シリコン酸化膜の高いエッチングレートを達成させることのできるエッチングガスおよびそれを用いたエッチング方法を、環境負荷の低い材料により提供する。
【解決手段】 少なくとも、一般式（１）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスと一般式（２）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスとを含んでなる、シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするためのエッチングガス。
一般式（１）：Ｃｘ_１Ｈｙ_１Ｆｚ_１ （ｘ_１＝４〜６、ｚ_１−ｙ_１≦２ｘ_１−２、ｘ_１、ｙ_１およびｚ_１はいずれも整数）
一般式（２）：Ｃｘ_２Ｈｙ_２ＯｗＦｚ_２ （ｘ_２＝５〜７、２（ｘ_２−ｗ）−２＜ｚ_２−ｙ_２≦２ｘ_２、ｗ≧０、ｘ_２、ｙ_２、ｚ_２およびｗはいずれも整数） （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法を用いて、ガスの切り替え時に発生するガス流量のハンチングを抑制し、ガス流量の安定した制御を行う。
【解決手段】エッチングガスの供給方法は、エッチングプロセスに使用される第１のエッチングガスを処理容器内に供給するステップと、前記エッチングプロセスに使用される第２のエッチングガスを前記処理容器内に供給するステップと、を含み、前記第１のエッチングガス及び前記第２のエッチングガスの一方から他方にガスを切り替える際、切り替え前のエッチングガスとして必要であって切り替え後のエッチングガスとして必要でないガスを微少量だけ供給し続ける。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】特性が良好なトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を３層の積層構造とし、２段階のエッチングを行う。すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを上昇でき、生産性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に交互に積層されたシリコン層とシリコン酸化膜とを備える多層膜に対して、一括してエッチングを行う工程を含み、前記エッチングの際のエッチングガスは、少なくとも２種類以上の第７族元素と、第３族元素，第４族元素，第５族元素，または第６族元素とを含有し、前記エッチング工程の際の前記半導体基板に入射するイオンのエネルギーは、１００ｅＶ以上であり、前記第７族元素に対する、前記第３族乃至前記７族元素の添加比率は、０．５以上３．０以下である。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチング工程の前に、良好にレジスト膜を改質する。
【解決手段】プラズマ処理方法は、被エッチング層上に反射防止膜であるＳｉ−ＡＲＣ１５が形成され、反射防止膜上にパターン化されたＡｒＦレジスト膜１６が形成された積層膜に対して、エッチングガスから生成されたプラズマにより前記レジスト膜をマスクとして前記反射防止膜をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の前に実行され、プラズマ処理装置内にＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＡｒガスとを含む改質用ガスを導入し、該改質用ガスから生成されたプラズマによりＡｒＦレジスト膜１６を改質する改質工程とを含む。 （もっと読む）