【課題】 本発明は、半導体発光素子表面の微細構造体（輝度向上構造）の製造に好適に使用される単粒子膜エッチングマスクとその製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体を光取り出し面に有する半導体発光素子に関する。
【解決手段】基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層してなる半導体発光素子の製造方法において、下記式（１）で定義される粒子の配列のずれＤ（％）が１０％以下である単粒子膜からなるエッチングマスクを前記半導体発光素子の光取り出し面上の少なくとも一部に形成し、ドライエッチングすることにより、前記光取り出し面上の少なくとも一部に微細構造体を形成する半導体発光素子の製造方法。
Ｄ（％）＝｜Ｂ−Ａ｜×１００／Ａ・・・（１）
（式（１）中、Ａは前記粒子の平均粒径、Ｂは前記単粒子膜における前記粒子間の平均ピッチを示す。） （もっと読む）

【課題】オフ電流が小さく、好ましくはオン電流及び移動度も高く、工程が簡略化された半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製に際して、ゲート絶縁層上に少なくとも半導体層を形成し、半導体層上に導電膜を形成し、導電膜上にエッチングマスクを形成し、基板を反応室内に搬入し、導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層を形成し、反応室内に半導体エッチング用のガスを導入し、反応室内で半導体エッチング用のガスでエッチングを行い、基板を反応室から搬出し、その後エッチングマスクを除去する。すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン基板上に密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンのマスクを有する試料のシリコンをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Ｃｌ₂ガスとＮ₂ガスの混合ガスを用い、０.１Ｐａ以下の圧力で、デューティー比５％〜５０％の時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料に印加しながら、シリコンのエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。基板Ｓに対するエッチング処理を実施しているときに、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との切り替えを周期的に行うことによって静電チャック１７のチャック電極１７ｂに印加する直流電圧の極性を周期的に変える。 （もっと読む）

【課題】面内均一性の向上を図ることができる容量結合型のエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、真空槽１０と、真空槽内にエッチングガスを供給するガス供給部１０ｅと、真空槽内に配置されて、その上面に基板Ｓｂが載置される平板状のステージ電極１３と、ステージ電極１３とプラズマ生成空間Ｓを介して対向する平板状の上部電極板１７と、ステージ電極１３に高周波電力を供給する高周波電源２０と、直径がそれぞれ異なる３本の環状の磁気コイル３１〜３３から構成され、それらの磁気コイル３１〜３３の中心が同軸となるように真空槽１０の上方に設けられるとともに、最も外側の磁気コイル３１の直径が基板Ｓｂの直径よりも大きく、中央の磁気コイル３２の直径が基板Ｓｂの直径以下であって、プラズマ生成空間Ｓに磁気中性線ＮＬを生成する磁気コイル群３０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】レジストマスク、シリコンを含む膜及びシリコン層が上方側からこの順番で積層された基板に対して、レジストマスクのパターンを介してプラズマエッチング処理を行ってシリコン層に凹部を形成するにあたり、前記シリコンを含む膜のサイドエッチングの発生を抑えること。
【解決手段】窒化シリコン膜２をエッチングしてシリコン層１を露出させた後、塩素を含む処理ガスのプラズマ（イオン）を用いて当該シリコン層１を僅かにエッチングして、窒化シリコン膜２の側壁に塩素とシリコンとを含む付着物１３を付着させる。この付着物１３はシリコン層１よりもエッチングされにくい物質であり、更に塩素イオンは異方性エッチングを行うプラズマである。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面の酸化物を含む不純物を、エッチングあるいは、他の層を積層する前に除去する。
【解決手段】第１の半導体層１１０の少なくとも一部に接し、第１の半導体層１１０に含まれる不純物の固溶度が、第１の半導体層１１０より高い第１の犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１の犠牲層および第１の半導体層をアニールするアニール工程と、第１の犠牲層をウェットプロセスで除去する除去工程と、第１の半導体層の少なくとも一部を覆う絶縁層１２０を形成する工程および第１の半導体層の一部をエッチングする工程の少なくとも一の工程と、第１の半導体層に電気的に接続された電極層１２６を形成する電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料の面方向について処理の均一性を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室と、この処理室内部に配置される試料がその上に配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され電界が透過する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置され前記電界が上方から導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央上方に配置され内部を前記電界が伝播する導波管と、前記空洞を構成し前記導波管との連結部を含む中央部とこの中央部の外周部とで前記円板部材の上面から異なる高さを有する第一及び第二の空洞部と、これら第一，第二の空洞部の上方に配置されこれらの高さを調節する調節器と、前記処理の進行に伴って前記調節器に前記第一，第二の空洞部の高さを変更する指令を発信する制御器とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴにおいて、多結晶シリコンの残存による電気的な短絡、ゲート電極の寄生容量の増大を防止する。逆狭チャネル効果の抑制。
【解決手段】シリコン膜１３を有するＳＯＩ基板上にゲート絶縁膜１４、第１の多結晶シリコン膜１５、ストッパー窒化膜（１６）を順次堆積する。シリコン膜１３、第１の多結晶シリコン膜１５の側面に逆テーパー面（テーパー角θが鈍角）が形成されるようにエッチングして素子分離溝を形成する。ＳＴＩ埋め込み絶縁膜１７を堆積し、ＣＭＰにより平坦化した後、等速性のＲＩＥによりストッパー窒化膜（１６）と絶縁膜１７をエッチングして平坦な表面を得、その上に第２の多結晶シリコン膜１８を堆積し（ｅ）、積層多結晶シリコン膜をエッチングして積層ゲート電極（１５、１８）を形成する（ｆ）。以下、ソース・ドレイン領域２１、シリサイド膜２２、層間絶縁膜２３及びメタル配線２４等を形成する（ｇ）。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のエッチングを精度良く行い、再生率を低減させる
【解決手段】基板にトランジスタを形成し、トランジスタを覆うように第１層間絶縁膜２２を形成する。さらに、第１層間絶縁膜２２の上方に形成したレジスト膜２７を用いて第１層間絶縁膜２２をエッチングし、トランジスタのソース／ドレイン領域に到達するコンタクトホール３１を形成する。この際、レジスト膜２７の開口部２７Ａの半径ｒと、開口部２７Ａが設計位置からずれている位置ずれ量ΔＸとを測定し、コンタクトホール３１に必要な半径Ｒｘと、コンタクトホール３１を形成可能な限界距離Ｓとから、ｒ＋ΔＸ−Ｓ＜ＥＳ＜ｒ−Ｒｘを満たす半径差ＥＳを決定し、半径差ＥＳからエッチング条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】処理室の内壁に付着した被膜を除去する際に使用するクリーニングガスの使用量を従来に比して削減することができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、クリーニング工程と、濃度測定工程と、微分値算出工程と、変化検出工程と、排気工程と、を含む半導体製造装置のクリーニング方法が提供される。クリーニング工程では、チャンバ１１内にクリーニングガスを封入し、チャンバ１１内の堆積物とクリーニングガスとを反応させた反応ガスを生成する。濃度測定工程では、チャンバ１１内のガスを排気しながら排気ガス中の実反応ガス濃度を測定する。微分値算出工程では、実反応ガス濃度を時系列で並べて得られる曲線の実反応ガス濃度測定時の時間に対する微分値を算出する。変化検出工程では、微分値が過去に算出された微分値と異なる値を示すかを判定する。そして、排気工程では、チャンバ１１内のガスを排気する。 （もっと読む）

【課題】被対象物を効率よく所望する形状となるようにエッチングすることが可能な異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイスを得る。
【解決手段】異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。本方法と、Ｂｏｓｃｈ法による垂直異方性エッチングを行う垂直異方性エッチング工程とを用いて三次元構造体を製造し、該三次元構造体をデバイスに利用する。 （もっと読む）

【課題】基板上のガス流れを均一化し、基板処理を均一に行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する減圧可能な処理チャンバを有する基板処理装置であって、基板を載置する基板載置台と、前記処理チャンバの内部を処理空間と排気空間に仕切るように前記基板載置台の周囲に設けられるバッフル板と、前記処理チャンバの内部を排気する排気口と、を備え、前記基板載置台と前記バッフル板との間には隙間が設けられ、前記バッフル板には前記処理空間と前記排気空間を連通させる複数の連通孔が形成されている、基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に挟まれた接着層をエッチングする際に、シリコン基板の積層方向へエッチングを進みやすくすることのできるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】
接着層が、第１シリコン基板と第２シリコン基板とに挟まれた積層体３０を真空槽１１に搬入し、該積層体３０に対し、第１シリコン基板と接着層とを貫通して積層体３０の積層方向に延びる凹部を形成する。このとき、第１ガスのプラズマにより、上記積層方向に延びる凹部を第１シリコン基板の第１シリコン層に形成する工程と、第２ガスのプラズマにより、積層方向に延びる凹部を接着層に形成する第２エッチング工程とを実施する。加えて、第１シリコン層のエッチング工程と接着層のエッチング工程との間には、第１ガスと第２ガスとの混合ガスのプラズマにより、第１シリコン層と接着層との境界をエッチングする境界エッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗを真空槽２１内に配置し、真空槽２１内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Ｗに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Ｗをエッチングし、基板Ｗに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レジスト等の炭素含有薄膜のパターンの凸部のスリミング処理時のスリミング量（削り取り量）のばらつきを抑制してスリミング処理毎の再現性を向上させることが可能な炭素含有薄膜のスリミング方法である。
【解決手段】パターン化された炭素含有薄膜１０４が形成された被処理体Ｗを酸化装置２の処理容器４内へ搬入する搬入工程と、処理容器内へ水分を供給しつつ酸化ガスにより炭素含有薄膜１０４の表面を酸化処理して除去することによりパターンの凸部１０４Ｂの幅を小さくするスリミング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで，これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに，フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック１２０と，伝熱ガス供給機構２００とを備え，伝熱ガス供給機構は，基板裏面に第１伝熱ガスを供給する第１伝熱ガス供給部２１０と，フォーカスリング裏面に第２伝熱ガスを供給する第２伝熱ガス供給部２２０とを独立して設けた。 （もっと読む）