【課題】窒化物半導体基板の表面にダメージを与えることなく、平坦な表面を有する窒化物半導体基板を製造できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれか、又はこれらいずれかの金属の窒化物から形成される表面を有する定盤を用い、前記定盤の前記表面と窒化物半導体基板の平坦化する表面とを対向して近接して配置し、対向配置の前記定盤および前記窒化物半導体基板を９００℃以上の高温状態とし、前記定盤の表面と前記窒化物半導体基板の表面との間に少なくとも水素とアンモニアを含むガスを供給することにより、前記定盤に対向する前記窒化物半導体基板の表面をエッチングして平坦化する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダミー材料の除去により形成される溝や孔に容易にトップラウンドを設けることができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、層間酸化膜に周囲を囲まれたダミー材料を除去することにより溝または孔を形成するドライエッチング方法において、前記ダミー材料を所定の深さまでエッチングし、前記エッチング後に等方性エッチングを行い、等方性エッチング後に前記ダミー材料の残りを除去することを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。
【解決手段】 基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極２００を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，エッジガスのガス孔２１４を複数設けたエッジガス導入部２０６とを備え，エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔２３２が形成されたガス孔形成板２３０をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって，エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊および残渣の発生を抑制または防止すること。
【解決手段】フッ化水素を含むＨＦベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを基板に供給することにより、不要物をエッチングして基板から除去する除去工程（Ｓ２）が行われる。また、除去工程と並行して、基板上の溶剤を蒸発させる蒸発工程（Ｓ２）が行われる。 （もっと読む）

【課題】マスクをプラズマから保護することができ、形成する穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上方にパターニングされたシリコン酸化膜が形成されてなる被処理基板におけるシリコン層を第１の処理ガスによりエッチングして穴部を形成するプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを含む第２の処理ガスによりシリコン酸化膜の表面に保護膜を堆積させる第１の堆積ステップＳ１１と、第１の処理ガスによりシリコン層をエッチングする第１のエッチングステップＳ１２と、穴部の側壁に第２の処理ガスにより保護膜を堆積させる第２の堆積ステップＳ１３と、第１の処理ガスによりシリコン層を更にエッチングする第２のエッチングステップＳ１４とを有し、第２の堆積ステップＳ１３と第２のエッチングステップＳ１４とを少なくとも２回ずつ交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】特殊な装置を用いることなく、好適なエッチングレートを維持しつつ、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ＳＦ_６からなるガスに、酸素を添加するとともに、ＳＦ_６に対する流量比を０．２２以上０．６７以下に調整してＳｉｘＦｙで表されるフッ化ケイ素ガスを添加したエッチングガスをプラズマ化して、シリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面処理量の面内均一性も改善することができるアンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】アンテナは、誘電体窓と、前記誘電体窓の一方面に設けられたスロット板とを備えている。前記誘電体窓の他方面は、環状の第１凹部１４７に囲まれた平坦面１４６と、平坦面１４６の重心位置を囲むように、平坦面１４６内に形成された複数の第２凹部１５３とを有している。前記スロット板の主表面に垂直な方向からみた場合、前記スロット板におけるそれぞれのスロット１３３内に、それぞれの第２凹部１５３の重心位置が重なって位置している。 （もっと読む）

【課題】ＮＨ_３ガスの利用効率を高めることのできる酸化膜エッチング装置、及び酸化膜エッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜をプロセスチャンバ１１でエッチングする酸化膜エッチング装置１０であって、プロセスチャンバ１１の前段でガスを励起する放電管１２と、この放電管１２にアンモニアガスを供給するマスフローコントローラ１６ａと、放電管１２の後段にアンモニアガスを供給するマスフローコントローラ１６ｃと、放電管１２の後段に三フッ化窒素ガスを供給するマスフローコントローラ１６ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、堆積性のガスを用いたプラズマ処理において、被処理体の処理枚数の増加による異物を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、処理室内に導入された堆積性ガスからプラズマを生成し、当該処理室内に設けられた試料台上に載置される被処理体を、高周波電力を印加した状態で前記プラズマに曝すことにより前記被処理体のエッチングを行うプラズマ処理方法において、前記被処理体を前記プラズマに曝す第一の期間と、前記被処理体を前記プラズマに曝し当該第一の期間よりも前記被処理体に対するエッチングレートの低い第二の期間とを繰り返すことにより、前記処理室内壁面への堆積膜がアモルファスになるエッチング条件で前記被処理体をエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光散乱封じ込め効果を有効に発揮すると共に、後工程で所定の薄膜を形成するような場合でも、カバレッジよく成膜できるようにしたテクスチャー構造を持つシリコン基板を効率よく製造できる低コストのドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗを配置した減圧下の成膜室１２内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第１のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面をエッチングする第１工程と、第１工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第２エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜を用いて形成する電極のアスペクト比を増大させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１非晶質炭素膜を形成し、周辺回路領域の第１非晶質炭素膜を除去してメモリセル領域の第１非晶質炭素膜を第２非晶質炭素膜とし、第２非晶質炭素膜を覆う第１シリコン酸化膜を基板全面に形成し、第２非晶質炭素膜上の第１シリコン酸化膜を除去して周辺回路領域の第１シリコン酸化膜を第２シリコン酸化膜とし、第２非晶質炭素膜と第２シリコン酸化膜を覆う第１絶縁膜を形成し、第１絶縁膜に第１開口を形成し、第１開口を埋め込む第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜に第２開口を形成し、第２開口と第１開口が重なる位置に露出する第２非晶質炭素膜にホールを形成し、ホール内に下部電極を形成し、第２絶縁膜を除去して第１開口内に第２非晶質炭素膜を露出させ、露出した第２非晶質炭素膜を全て除去する。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０を窒素プラズマに曝露する。これにより、既存の側壁保護膜３２にＡｌＮが合わさって側壁保護膜３２を分厚くすることができる。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０の表面を覆うように、ＳｉＮ膜３８を形成する。これにより、既存の側壁保護膜３６にＳｉＮ膜３８が合わさって側壁保護膜３２が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をエッチングして穴部を形成する際に、穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるとともに、高速にシリコン層をエッチングできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の上方にレジスト層が形成されてなる被処理基板が設置されている処理容器内に、酸素ガスとフッ化硫黄ガスとを含んだエッチングガスを所定の流量で供給し、供給したエッチングガスをプラズマ化したプラズマにより、シリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ化硫黄ガスの流量に対する酸素ガスの流量の流量比を第１の流量比とした状態でエッチングする第１のステップＳ１と、流量比が第１の流量比から第１の流量比よりも小さい第２の流量比になるように、酸素ガスの流量を減少させながらエッチングする第２のステップＳ２と、流量比を第２の流量比とした状態でエッチングする第３のステップＳ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣからなる第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、第２層間膜１７をエッチングすることにより低段部２８を形成する。このとき、第２層間膜１７（ＳｉＣ）からＣを解離させ、その解離したＣを含む反応生成物を側壁保護膜３２に定着させることによって、側壁保護膜３２を厚くする。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２膜３３およびＳｉＣ膜３５からなる積層膜３６を形成し、この積層膜３６をパターニングすることによりハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、当該エッチングによりＳｉＣ膜３５から解離したＣを含む反応生成物を含む側壁保護膜３２を、エッチング途中のＡｌＣｕ膜３０の側面に形成しながらＡｌＣｕ配線層３４をパターニングすることによって、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルと、大気圧以下に減圧可能な洗浄室と；洗浄室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、純水、フッ化水素水からなる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む乾燥ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板を貫通するビアホールの形成時におけるノッチの発生を抑制することができ、製造歩留まり及び信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 シリコン基板貫通電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面側に機能素子と配線層１５が形成され、且つ配線層１５の下層にエッチング停止層１２を有するシリコン基板１０の表面側に支持基板３０を取着した後、基板１０の裏面側を研削して厚みを減少させる。次いで、基板１０の裏面側に、ビアホール用開口及び該開口よりも小径のダミーホール用開口を有するマスクを形成した後、基板１０の裏面側からエッチングすることにより、配線層１５の一部に達するビアホール４２を形成すると共に、基板１０の途中までダミーホール４３を形成する。次いで、ビアホール４２の側面に絶縁膜４４を形成した後、ビアホール４２内に配線材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板における凹凸形状を備えた面と下地基板の表面とを仮接着した後に減圧下において処理する際の、加工精度、処理効率、及び／又は処理の安全性を高める。
【解決手段】本発明の１つの貼り合せ構造体４０の製造方法は、凹部４２Ａ及び凸部４２Ｂが形成された第１表面を備える被処理基板４１の第１表面４２上に、２５℃における粘度が０．０２Ｐａ・ｓ以上０．１Ｐａ・ｓ以下である溶液状仮接着材を供給する溶液状仮接着材供給工程と、その溶液状仮接着材を加熱することにより、第１表面４２の凸部４２Ｂを１０μｍ超２０μｍ以下の厚みの仮接着材４６Ｂによって覆う仮接着材形成工程と、その仮接着材４６Ｂを介して、第１表面４２と平板状の下地基板４８とを一時的に貼り合わせる貼り合せ工程とを含む。 （もっと読む）