【課題】 回転機構を持たない基板処理装置であっても、基板と接触する部位を清掃することができる基板処理装置の清掃装置を提供する。
【解決手段】 清掃装置２は、処理されるウエハＷと同じ外形のベース４００と、ベース４００の下面の周縁部に下向きに植設された清掃具であるブラシ４０２と、ブラシ４０２を動かす駆動源の振動発生装置４０４とからなり、ハンド１１上で清掃装置２の振動発生装置４０４が振動してブラシ４０２が振動し、ハンド１１のウエハ支持部材８１の支持面８６ａを清掃する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インデクサブロック１１は、一対のキャリア載置部１１１ａ，１１１ｂおよび搬送部１１２を含む。キャリア載置部１１１ａ，１１１ｂには、複数の基板Ｗを多段に収容するキャリア１１３がそれぞれ載置される。搬送部１１２には、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２が設けられる。搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２は、互いに並行して基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】 基板を均一に処理することが可能な基板処理装置および搬送ローラを提供する。
【解決手段】 搬送ローラ１は、駆動軸３と、複数のローラ部２とから成る。そして、複数のローラ部２は、各々、同一形状を成す３個のローラ部材２ａ、２ｂ、２ｃから構成される。これらのローラ部材２ａ、２ｂ、２ｃには、その表面が駆動軸３を中心とする円上に配置されたガラス基板との当接領域と、その表面が円より駆動軸３の軸心側に配置されたガラス基板との非当接領域とが形成されている。この当接領域は、円の円周全域の１／３をわずかに越えている。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を乾燥させる際に、基板表面における乾燥ムラの発生を防止できる基板保持具、およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の保持部材３６ａおよび第２の保持部材３６ｂの下部には、ボルト３８ａ用の貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄが複数形成されており、貫通孔３６ｃ及び貫通孔３６ｄの形状は、固定具３８のボルト３８ａの外径よりも大きい孔で、楕円形であるので、貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄに処理液の液滴がたまることがない。このため、複数枚の基板Ｗを乾燥させる際に、処理液の液滴が原因の基板Ｗ表面における乾燥ムラの発生を防止できる。また、第１のワッシャー３７ａの下部に直線の切欠部３７ｃが形成され、第２のワッシャー３７ｂの下部に直線の切欠部３７ｄが形成されているので、貫通孔３６ｃ及び貫通孔３６ｄから切欠部３７ｃ及び切欠部３７ｄを通って、スムーズに処理液の液滴を排出することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄時に洗浄液が環状フレーム押さえに当たってウエーハ上面に飛散することのない保護膜塗布装置を提供することである。
【解決手段】環状フレーム押さえ手段４９は、強磁性体からなる錘部９２と、錘部に連結され環状フレームを抑える爪部９４とを含む振り子体９０と、スピンナテーブルの外周部に配設されて振り子体を回動可能に支持する支持部８８と、爪部が環状フレームを押さえる押さえ位置と爪部が環状フレームを解放する解放位置との間で回動可能なように振り子体を支持部に回動可能に取り付ける振り子軸９５と、錘部に対面して支持部に固定され、爪部が解放位置に位置付けられた状態で錘部を所定の磁力で固定する永久磁石からなる錘固定部９６とを有する。スピンナテーブルの回転速度が所定速度以下の時には、永久磁石の磁力が振り子体の遠心力に打ち勝って錘固定部が錘部を固定することにより爪部が解放位置に位置付けられる。 （もっと読む）

【課題】保持部材の長寿命化を実現することができる基板保持装置、基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持するスピンチャックにおいて、鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転可能にスピンプレート５２０が設けられる。スピンプレート５２０には、基板保持機構７００の支持部７２０が取り付けられる。支持部７２０により軸部７３０が軸部７３０の中心軸の周りで回転可能に支持される。略円柱形状を有する保持ピン７１０が、軸部７３０により周方向に回転可能に保持される。軸部７３０が回転することにより、保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部に当接する状態と保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部から離間する状態とに移行する。軸部７３０においては、ねじＮ１が締め込まれることにより保持ピン７１０の周方向の回転が阻止され、ねじＮ１が緩められることにより保持ピン７１０の周方向の回転が許容される。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を乾燥させる際に、基板表面における乾燥ムラの発生を防止できる基板保持具、およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の保持部材３６ａおよび第２の保持部材３６ｂの下部には、ボルト３８ａ用の貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄが複数箇所形成されている。第１の保持部材３６ａにおける貫通孔３６ｃよりも下側に直線の切欠部３６ｅが形成されるとともに、第２の保持部材３６ｂにおける貫通孔３６ｄよりも下側に直線の切欠部３６ｆが形成されている。このため、貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄに処理液の液滴がたまることがない。したがって、複数枚の基板Ｗを乾燥させる際に、処理液の液滴が原因で発生する基板Ｗ表面における乾燥ムラを防止できる。 （もっと読む）

【課題】保護フィルム等の副材を基板に貼付することなく、極薄の半導体基板をパッドで破損させることなく搬送できる方法の提供。
【解決手段】基板保持用パッド１９面を半導体基板面ｗ上に押し付けて半導体基板を基板保持用パッド面に保持させ、然る後にアーム１の移動により半導体基板を保持する基板保持用パッドを第二加工ステージ上へと移送し、基板保持用パッドとパッド保持基板とで形成された前記流体室２ｃに加圧流体を供給して基板保持用パッドを膨張させることにより半導体基板を前記第二加工ステージ上へ載置する。 （もっと読む）

【課題】基板が少ない枚数のロットも効率的に搬送することができるとともに、ロット内に基板の抜けがあっても各基板の間隔を一定にすることができる基板移載装置を提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰに収納可能な基板Ｗの枚数より少なく、かつ２個以上の支持アーム１７を備えている。３個の支持アーム１７により、ＦＯＵＰ内の不等間隔で収容されていた３枚の基板を、姿勢変換部に一度に搬送するとともに、３枚の基板の間隔を一定にすることができる。したがって、基板が少ない場合であっても複数の支持アーム１７によって効率的に搬送することができる。また、処理部における処理を３枚の基板について均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】装置寸法の増加を抑制しつつも、収納器の収容数を増やして装置の高スループットを生かすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理ユニット１１と収納器収容・搬送ユニット７との間に収納器収容ユニット９を備え、搬送ロボット１９によりロードポート５と棚配列３３との間の搬送を行う。搬送ロボット３１により、棚配列３３と棚配列６９と載置部２７との間における搬送とを行う。ロードポート５と棚配列３３との間の搬送と、棚配列６９と、棚配列３３と、載置部２７との間の搬送とをほぼ並行できる。よって、ＦＯＵＰ３の搬送効率を向上させて、スループットを向上できる。その上、収納器収容・搬送ユニット７と基板処理ユニット１１との間に収納器収容ユニット９を配置するだけであり、装置寸法の増加を抑制でき、ＦＯＵＰ３の収容数を増やして装置の高スループットを生かすことができる。 （もっと読む）

【課題】パターニング前工程にて半導体製造基板の歩留りへの影響を受けず、ＳＥＭレビューを可能とする半導体装置の製造方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】製造装置３０ａにて所定の製造処理が施されたウェハＷは、検査装置１０にて欠陥が検査された後、評価装置２０に搬送される。評価装置２０では、検査装置１０にて検出された欠陥がＳＥＭレビューされる。そのＳＥＭレビューされたウェハＷは、洗浄装置４０に搬送され、その表面に有機溶剤が塗布されて洗浄される。その洗浄後のウェハＷは、製造装置３０ｂに搬送され、次工程の製造処理が施される。 （もっと読む）

【課題】マランゴニー対流を用いる乾燥方式で乾燥させる際に、薄板状基板と基板支持治具との支持接点に残り易い液滴残渣を少なくし、良好な品質で安定した乾燥を可能とする基板支持治具を提供すること。
【解決手段】基板を洗浄し、その後マランゴニー乾燥させるために用いる基板支持治具が、前記基板を直立させて保持するための支持板を備え、該支持板が前記基板の支持用接点に溝を有し、前記支持板表面の純水に対する接触角が１５度以下であるとする。 （もっと読む）

【課題】 搬送時に円形凹部の底面を異物で汚染することのないウエーハ及びウエーハの搬送方法を提供することである。
【解決手段】 円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを裏面に備えるウエーハであって、該円形凹部の直径が該環状凸部の上面から該円形凹部の底面に向かって大きくなる様に該環状凸部の内周壁が傾斜していることを特徴とする。搬送方法は、複数の支持指を円形凹部内に挿入し、支持指で環状凸部の内周壁上方を支持した状態でウエーハを搬送する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示素子用ガラス基板は帯電しやすく、ガラス基板上に形成される薄膜トランジスタが破壊される等の不具合が生じていた。従来から、イオン化された気体をガラス基板に吹き付けて除電する技術は知られていたが、イオンの極性の時間的変化が早いとイオンが再結合で減少し、時間的変化が遅いとイオンのムラが生じるという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる基板処理装置は、ステージ内にあって基板をリフトアップさせるリフトピンと、発生するイオンの極性が時間的に切り替わるイオナイザと、該イオンの極性の切り替わる周波数を変更できる周波数制御部と、該周波数制御部に信号を送り、かつ、上記リフトピンの昇降動作を制御するリフトアップ制御部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】複数の処理槽のそれぞれに複数の基板を良好に一括搬送することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送ロボット１０と、処理部４０とを有している。処理部４０は、複数の処理槽４１、４２を有しており、処理槽４１には処理液として洗浄液が、処理槽４２には処理液として薬液が貯留される。搬送ロボット１０は、単一の搬送ユニットとして構成されている。搬送ロボット１０は、本体部１２と、本体部１２から離隔して配置された各処理槽４１、４２に向かって伸びるアーム部１３とを有している。ここで、各処理槽４１、４２は、搬送ロボット１０の可動範囲内となるように、複数の基板の搬送空間８に配置されている。これにより、搬送ロボット１０は、複数の基板を、各処理槽４１、４２の配置によらず、任意の順番で、各処理槽４１、４２に対応して貯留された処理液に、浸漬することができる。 （もっと読む）

【課題】基板同士の接合の良否を検査し、基板接合後の処理を円滑に行う。
【解決手段】上ウェハと下ウェハを接合する（工程Ｓ１〜Ｓ１３）。その後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接着の良否を判定する（工程Ｓ１４）。その後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合強度の良否を判定する（工程Ｓ１５）。その後、重合ウェハの外径を測定し、当該測定結果に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合位置の良否を判定する（工程Ｓ１６）。工程Ｓ１６では、測定結果が所定の閾値未満である場合、接合位置が正常であると判定し、測定結果が所定の閾値以上である場合、接合位置が異常であると判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に非接触で基板を搬送し、基板を高速かつ安定的に移動させながら、基板の汚染やローラー痕の生成なく、基板の上下両面又は下面のみに処理を行う、非接触浮上搬送機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の上面と下面の両方又は下面のみに、水による洗浄処理、薬液による化学的処理、水によるリンス処理又は空気、窒素ガスといった気体による乾燥処理のいずれかの処理を行う、複数の基板処理ユニット７、８、９を備えてなる基板処理装置が、基板１の下面に向かって水、薬液、空気、窒素ガスといった流体を噴出して、基板１を浮上させ、基板１の下面に非接触でその位置を保持する、複数配置された基板浮上ユニット１０と、基板１の左右両側のエッジ部に水平方向から接触して、基板１を移動させる複数配置された搬送ローラー１２を有する基板搬送ユニットと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板を押圧する際の荷重を適切に制御し、基板同士の接合を適切に行う。
【解決手段】接合装置は、下面に上ウェハＷ_Ｕを吸着保持する上部チャック２３０と、上部チャック２３０の下方に設けられ、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して吸着保持する下部チャック２３１と、を有している。上部チャック２３０には、上ウェハＷ_Ｕの中心部を押圧する押動部材２５０が設けられている。押動部材２５０は、上ウェハＷ_Ｕの中心部と当接して当該上ウェハＷ_Ｕの中心部にかかる荷重を制御するアクチュエータ部２５１と、アクチュエータ部２５１を鉛直方向に移動させるシリンダ部２５２とを有している。アクチュエータ部２５１には、当該アクチュエータ部２５１に対して所定の圧力の空気を供給する電空レギュレータが設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の一面に樹脂層を配し、この樹脂層を硬化させた後に生じる、又は基板の一面に導体層を形成した後に生じる、基板の反りを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面Ｗａに樹脂層Ｒ１が配された、ウエハ状の半導体からなる基板Ｗを、一面Ｗａの全域が球面状に膨出するように、反らせて保持する第一工程と、前記第一工程の後に、樹脂層Ｒ１を硬化させる第二工程と、を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】吸着物の表面に対し周辺部が相対的に湾曲しているシート状被吸着物であっても、その全体を吸着パッドの表面に沿って確実に位置決め保持する真空チャックを提供する。
【解決手段】シート状被吸着物の周辺部を位置決め保持する吸着パッドの表面の部位に吸気領域ＶＥを設定し、吸気領域の単位面積あたりのコンダクタンスＣｎ１を、吸気領域を除く吸着パッドの表面の単位面積あたりのコンダクタンスＣｎ２より大きくすることにより、周辺部が吸着パッドの表面から離れていても、吸気領域ＶＥを通過する通気量を増加いさせて表面への吸着力を増加させる。 （もっと読む）