【課題】ダイシングレーンあるいはダイと、突き上げ痕の位置関係を画像処理によって認識することにより、突き上げピンの中心とダイの中心とのずれ量を算出して、突き上げピンを位置補正するようにした突き上げピンの位置補正方法を提供する。
【解決手段】ダイシングレーン４４およびダイ部品Ｐの少なくとも一方と、突き上げピン４５による突き上げによって粘着シート４３に形成された突き上げ痕４８とを撮像装置２５により撮像して画像処理し、ダイシングレーンおよびダイの少なくとも一方と、突き上げ痕の位置関係を画像処理によって認識することにより、突き上げピンの中心とダイ部品の中心とのずれ量を算出し、該ずれ量に基づいてダイ部品に対する突き出しピンの突き上げ位置を補正するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを傷つけることなく安定した状態で確実に持ち上げて搬送でき、また、半導体パッケージを搬送する搬送装置の製造コストや維持費も低く抑えることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ４を含む板状のパッケージ本体２を備え、当該パッケージ本体２の側部に、パッケージ本体２の板厚方向に段差が形成されることで、搬送用の治具１００をパッケージ本体２の板厚方向の一方側から当接させる支持用段差部８が画成され、この支持用段差部８が、少なくとも平面視したパッケージ本体２を側部から挟み込むような位置に形成された半導体パッケージ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と製品率の低下防止を図ることができ、しかも、製造コストを削減できる半導体チップ用保持具及びその使用方法を提供する。
【解決手段】支持基板１に粘着保持層１０を積層し、粘着保持層１０に、半導体ウェーハに並べて接合される複数の半導体チップ２を着脱自在に粘着保持させる保持具であり、支持基板１を半導体ウェーハと略同サイズに形成し、支持基板１に、半導体チップ２用の複数の作業孔３を穿孔し、粘着保持層１０に可撓性を付与してその一部を支持基板１に対する接着領域１１とするとともに、粘着保持層１０の残部を支持基板１に接着しない非接着領域１３とし、非接着領域１３に半導体チップ２用の複数の保持部１５を配列形成して各保持部１５を半導体チップ２よりも大きく区画し、各保持部１５を支持基板１の作業孔３に対向させる。 （もっと読む）

【課題】確実にダイを剥離できるピックアップ装置を提供すること、または前記ピックアップ装置を用い、信頼性の高いダイボンダのピックアップ装置を提供することを特徴とする。
【解決手段】ダイ４を表面に搭載したダイシングフィルムが固定されたピックアップ装置と、前記ダイシングフィルム上より剥離された前記ダイ４を吸着して基板に実装するコレット４２を備えたダイボンダのピックアップ装置において、前記ダイ４の周辺部の前記ダイシングフィルムを突き上げて剥離起点を形成する剥離起点形成手段と、前記剥離起点とは異なる部分の前記ダイシングフィルムを突き上げて前記ダイ４を前記ダイシングフィルムから剥離する剥離手段と、前記剥離起点形成手段の前記突き上げと前記剥離手段の前記突き上げとを別々に駆動する駆動手段とを有する突き上げユニット５０とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを低下させず、認識精度が向上するチップソータを提供する。
【解決手段】本発明のチップソータは、第１のカメラがウェハのパターン面を撮像して第１の画像を取得し、第２のカメラがチップの裏面を撮像して第２の画像を取得し、認識処理部が前記第１の画像に基づいてウェハ認識し、また、前記第２の画像に基づいてチップのＸ、Ｙ、θ軸位置測定認識およびチップ欠け認識を行い、制御部は、前記認識処理部から出力された認識結果に基づいて前記駆動系を制御する、 （もっと読む）

【課題】確実にダイを剥離できるダイボンダを提供すること，または前記ダイボンダを用い、信頼性の高いダイボンドまたはピックアップ方法を提供する。
【解決手段】ダイシングフィルム１６に貼り付けられた複数のダイ(半導体チップ)４ｄのうち剥離対象のダイ４を突上げて前記ダイシングフィルムから剥離する際に、前記ダイの周辺部のうちの所定部における前記ダイシングフィルムを突上げて剥離起点５１ａを形成し、その後、前記所定部以外の部分の前記ダイシングフィルムを突上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハリングの高さとウェハカセットの高さにずれがあった場合には、ウェハリングの取り出しを失敗することが考えられる。さらに、近年、特にウェハサイズの大型化と薄板化が進み、ウェハのそりが問題となってきている。ウェハのそりが大きい場合にも、ウェハリングの取り出しを失敗する可能性が高い。ウェハリングの取り出しを失敗した場合、即ち、ウェハリングが取り出せなかった場合には、実装のスループットが長くなり、さらに、取り出せなかったウェハリングは、オペレータが手動で取り除く必要が出てくる。このため作業工数も増加する。
【解決手段】前記ウェハエキストラクタ部が前記ウェハカセット部からウェハリングを取り出す前に、前記ウェハカセットリフト部を上下振動させ、その後に前記ウェハエキストラクタ部が前記ウェハカセット部からウェハリングを取り出す。 （もっと読む）

【課題】ウエハから良品のダイを取り出して基板に実装する際の実装時間を短縮することができる電子部品実装装置及び電子部品実装方法を提供する。
【解決手段】電子部品実装装置は、ウエハ全体の画像から、それぞれのダイの位置情報を取得する。また、それぞれのダイの良否情報を取得する。さらに、それぞれのダイの位置情報と良否情報から、良品のダイの位置情報を取得する。そして、取得した良品のダイの位置情報に基づいて、ウエハから良品のダイを取り出して基板に実装する。そのため、従来のように、それぞれのダイを撮像する必要がない。従って、ウエハから良品のダイを取り出して基板に実装する際の実装時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２種類の半導体素子を１個のワークに装着する半導体素子装着装置において、１種類の半導体素子のみを装着する場合においても、より生産効率の高い半導体素子装着装置を提供することである。
【解決手段】本発明は、各ワークを所定間隔毎に設けられた複数の送り爪で係止し凹状の搬送路を間欠送りし、前記所定間隔で規定される所定のピッチで前記送り爪を往復動作させて搬送し、最大Ｎ個(２≦Ｎの整数)の前記ワークを同時に前記送り爪にそれぞれ１個ずつ係止できるように前記搬送路に供給し、最大Ｎ個の前記ワークにそれぞれ半導体素子を装着することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は不良チップをピックアップせず、良品チップだけを確実にピックアップできるピックアップ装置を提供することにある。
【解決手段】半導体ウエハを照明する光源４４と、半導体ウエハの各チップを撮像する撮像カメラ４３と、撮像カメラによってチップを撮像するとき、光源によって半導体ウエハを照明する照明光の光量を、ミラーチップからの反射光の影響を受ける部分ではその影響の度合に応じて影響を受けない部分よりも減少させる設定部４２及び演算処理部４７と、光量が制御された照明光によって半導体ウエハを照射して撮像カメラで撮像し、撮像カメラの撮像信号を閾値と比較してチップが良品チップ或いは不良チップであるかを判定する制御装置４１の判定部４８具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイシングテープから半導体チップを剥離させる際、半導体チップが破損することを防止可能な半導体チップの剥離装置、及び半導体チップの剥離装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上下方向に移動可能な構成とされ、ダイシングテープを介して、半導体チップのうち、少なくとも貫通電極の形成領域に対応する第１の部分を突き上げる第１の突き上げ面４３ａを有した第１の突き上げ部材４３と、上下方向に移動可能な構成とされ、ダイシングテープを介して、半導体チップのうち、貫通電極が形成されていない第２の部分を突き上げる第２の突き上げ面４４ａを有した第２の突き上げ部材４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】個片化されたチップ領域を有する半導体ウエハに形成した接着剤層の切断性を高めると共に、接着剤層の切断屑等による半導体チップの汚染等を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態において、第１の面３ａに貼付された表面保護フィルム４でウエハ形状が維持された半導体ウエハ３に液状接着剤を塗布して接着剤層７を形成する。半導体ウエハ３の第２の面３ａに粘着層８を有する支持シート９を貼付する。表面保護フィルム４を剥離した後、支持シート９を引き伸ばしてダイシング溝１内に充填された接着剤を含む接着剤層７を割断する。支持シート９の引き伸ばし状態を維持しつつ洗浄する。粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を、洗浄工程前に選択的に低下させる。 （もっと読む）

【課題】薄型の半導体素子の製造工程における半導体素子の割れ率を低減させること。
【解決手段】表面および裏面に素子構造部が形成された半導体ウエハーの表面に、加熱によって剥離可能な支持部材を貼り合わせ、支持部材が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハーの前記支持部材が貼り合わせられた面に対して反対側の面に分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状に分離可能な状態とし、半導体ウエハーの裏面側にコレクタ層と電極を形成し、支持部材の、個々のチップに相当する部分を個別に加熱してその部分に位置するチップを吸着して、該チップを前記支持部材から剥離する。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、基板の接合面で急激に酸化が進行することを効率的に抑制する。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、
支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１５０と、移動機構１５０により水平方向に移動させることで露出した被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊに不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１７０と、を有している。不活性ガス供給機構１７０は、複数の孔が形成された平板形状の多孔質部１７１と、多孔質部１７１に接続され、当該多孔質部１７１に不活性ガスを供給するガス供給管１７２を有し、多孔質部１７１は、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊから鉛直方向に所定の距離離間して設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程またはダイ・ボンディング工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良またはダイ・ボンディング工程不良の低減方法を提供する。
【解決手段】チップをコレットで真空吸着してダイ・ボンディングする場合において、吸引コレットの真空吸着を早期に解除（吸着オフステップ２０６）して、ダイ・ボンディング（ボンディングステップ２０８）時のチップの湾曲状態に起因するボイド等の発生を回避するものである。 （もっと読む）

【解決課題】バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物又は半導体ウェハの加工面とは反対側の面側の仮固定樹脂組成物が除去されることがない半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式（Ｉ）：０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５（Ｉ）（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】専用のテーブルや治具等を省略して作業を簡素化でき、ダイシング工程やピックアップ工程でそのまま使用して作業の迅速化を実現し、粘着保持層の材料が制約されることのない半導体ウェーハ用保持具及び半導体ウェーハの取り扱い方法を提供する。
【解決手段】薄化された半導体ウェーハＷを中空部に収容可能な保持フレーム１と、保持フレーム１に支持されて半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持する粘着保持層１０とを備えた半導体ウェーハ用保持具であり、保持フレーム１を、中空部を区画する内フレーム２と、内フレーム２に着脱自在に嵌合する外フレーム４とから形成し、内フレーム２と外フレーム４をそれぞれ１．０〜２．８ｍｍの厚さに形成してその間には粘着保持層１０の周縁部を挟持させ、内フレーム２、外フレーム４、及び粘着保持層１０に耐熱性をそれぞれ付与し、外フレーム４の外周縁部の前後左右をそれぞれ直線的に切り欠く。 （もっと読む）

【課題】長ストローク化、小型化及び振動を抑制することが可能な半導体製造装置用のＸＹステージを提供する。
【解決手段】Ｘ軸リニアモータとＹ軸リニアモータとを有し、Ｘ軸リニアモータ及びＹ軸リニアモータは、移動部としての３相のコイルからなるコイル部及び固定部としてのヨーク部を有し、ヨーク部は、長手方向の中心線に対してその上部及び下部に開口部が設けられており、上部の開口部の上面及び下部の開口部の下面には複数の永久磁石の表面がＮ極、Ｓ極となるように交互に配列され、ヨーク上部の開口部の永久磁石と垂直方向におけるヨーク部下部の開口部の永久磁石は、同じ極となるように配列され、中心付近のヨークに３相のコイルが挿入された構成を成し、ヨーク部をコイル部と同一軸方向に移動可能なヨーク部ガイドを介してベース上に固定し、コイル部の移動時の反力を吸収するように構成し、移動テーブルの下部にＸ軸リニアモータを配する。 （もっと読む）

【課題】極薄の半導体ウエハを用いる場合であっても、半導体ウエハの破損を十分に防止しながら、半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の回路面にバックグラインドテープ４を積層する工程と、裏面を研磨する研磨工程と、研磨された裏面上にＢステージ化された接着剤層５を形成する工程と、接着剤層５上にダイシングテープ６を積層する工程と、バックグラインドテープ４を回路面から剥離する工程と、半導体ウエハを複数の半導体チップに切り分ける工程と、半導体チップをその裏面上に設けられた前記接着剤層５を介して支持部材又は他の半導体チップに接着する接着工程と、をこの順に備える、半導体装置の製造方法。回路面にバックグラインドテープを積層してから、半導体ウエハが半導体チップに切り分けられるまでの間、半導体ウエハが接する環境又は物体の温度が５〜３５℃である。 （もっと読む）

【課題】ダイ供給装置において、突き上げポットがウエハパレットの円形開口縁部と干渉しないＸＹ方向の移動可能範囲の情報を入力する作業を不要にする。
【解決手段】ウエハパレット２２に張ったダイシングシート上のウエハから分割したダイ２１を吸着ノズルで吸着する際に、該ダイシングシートのうちの吸着しようとするダイ２１の貼着部分をその真下から突き上げポットで突き上げるダイ供給装置１１において、ダイシングシート上のウエハのサイズ等のウエハ情報を記述した情報記録部３５をウエハパレット２２に設ける。この情報記録部３５として、上面にウエハ情報を表す２次元コード等のコードが記録されたものを使用すると共に、情報読取り部として、ダイ撮像用のカメラ２４を使用し、該カメラ２４で情報記録部３５のコードを撮像して画像処理することで、該コードを読み取って突き上げポットのＸＹ方向の移動可能範囲を自動設定する。 （もっと読む）