【課題】低電圧で動作する分極率の高い強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】基板の上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極と、を有し、前記強誘電体膜は、第１の強誘電体膜と第２の強誘電体膜とを有しており、前記第１の強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛を含む材料により形成されており、前記第２の強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛を含む材料にＲｕがドープされているものにより形成されており、前記第２の強誘電体膜において、前記Ｒｕは前記第２の強誘電体膜におけるＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉのいずれかと置換しているものであることを特徴とする記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】過電圧がＬＳＩの電源端子に印加されたことを確認できるようにする。
【解決手段】半導体集積回路装置（１０）は、内部回路（１１）と、上記内部回路に電源電圧を供給するための電源端子（１５，１６）とを含む。このとき、上記内部回路の電源電圧として想定されるレベルを越える電圧（過電圧）が上記電源端子に印加された事実を記録するための過電圧印加情報記録回路（１２）を設ける。過電圧印加情報記録回路には、過電圧が上記電源端子に印加された事実が記録されているため、それに基づいて、過電圧がＬＳＩの電源端子に印加されたことを確認することができる。 （もっと読む）

【課題】リファレンスセルの抵抗状態に応じて、読み出し電流を設定する構成で、誤書き込みによる抵抗の変化が発生することなく、より信頼性の高いリファレンス電流を得ることが可能な抵抗変化型メモリデバイスおよびその駆動方法を提供する。
【解決手段】素子両端に極性の異なる信号を印加することで可逆的に記憶素子の抵抗値が変化するメインメモリセルを含むメモリアレイ部と、素子両端に極性の異なる信号を印加することで可逆的に抵抗値が変化する記憶素子を含み、メインメモリセルのデータを識別するために必要な参照電流を発生させるリファレンスセルを含むリファレンスセル部と、を有し、リファレンスセルの抵抗状態に応じた参照電流の印加電流の向きが設定されている。 （もっと読む）

【課題】多値記録が可能で、アモルファスと結晶との相混合比を制御する方式に比較して、パルス電流条件のマージンが広い情報記憶素子を提供する。
【解決手段】相変化材料にそれぞれ形状の異なるパルス電流を流すことによって、アモルファス状態、微細な結晶粒からなる固相結晶、粒径の大きな結晶状態からなる溶融結晶の３状態を形成し、従来に比較してパルス電流条件のマージンが広く、信頼性の高い多値記録が可能な情報記憶素子を実現する。３状態を形成するには、相変化材料の組成を変更したり、他の元素を添加したりすることによって、溶融後の再結晶化速度および抵抗を制御する。 （もっと読む）

【課題】シリサイド工程によるゲート絶縁膜の金属汚染や、メモリセルのショートチャネル効果を抑制する。
【解決手段】実施形態によれば、不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に順に形成された第１絶縁層、電荷蓄積層、第２絶縁層、および制御電極を有し、前記電荷蓄積層の側面が傾斜面を有する複数のメモリセルトランジスタとを備える。さらに、前記装置は、前記メモリセルトランジスタの側面と、前記メモリセルトランジスタ間の前記半導体基板の上面に形成された第１の絶縁膜部分と、前記メモリセルトランジスタ間のエアギャップ上と前記メモリセルトランジスタ上に連続して形成された第２の絶縁膜部分と、を有する１層以上の絶縁膜を備える。さらに、前記メモリセルトランジスタ間の前記半導体基板の上面から前記エアギャップの下端までの第１距離は、前記メモリセルトランジスタの側面に形成された前記絶縁膜の膜厚よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】書き込み特性を向上することが可能な不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のゲート電極構造１３は、半導体基板１１上に形成されたゲート絶縁膜１２、電荷蓄積層１４、ゲート間絶縁膜１５、第１制御ゲート１６、及び前記第１制御ゲートより幅が広い第２制御ゲート電極１７を有する。絶縁膜１９は、制御ゲート電極１７間及び制御ゲート電極より上方に形成された空隙１９を有する。 （もっと読む）

【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より１５％高い温度〜１５％低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第１冷却工程と、次いで該第１冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第２冷却工程とで実施する。 （もっと読む）

【課題】電極抵抗および界面抵抗の低下を実現する熱安定性の高いバリアメタル構造を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたポリシリコン膜２と、前記ポリシリコン膜上に形成された金属のシリサイド膜１０と、を備える。実施形態の半導体装置は、前記シリサイド膜の上に形成された前記金属の酸化膜４と、前記酸化膜の上に形成されたタングステン或いはモリブデンを含む膜５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる半導体記憶装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、積層して設けられた複数のゲート電極と、前記ゲート電極の間に設けられた絶縁膜と、を有した積層体と、前記積層体を貫く半導体ピラーと、前記半導体ピラーと前記ゲート電極との間に空隙を介して設けられた電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層と前記ゲート電極との間に設けられたブロック絶縁層と、を有したメモリセルを積層方向に複数備えている。そして、前記複数の各メモリセル毎に、前記電荷蓄積層と前記半導体ピラーとの間の距離を保つ支持部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 （もっと読む）

【課題】イオン源電極を構成する金属の凝集を防止することができる抵抗変化メモリおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の抵抗変化メモリは、第１配線と、第１配線の上方に設けられ第１配線と交差する第２配線と、第２配線の上方に設けられ第２配線と交差する第３配線と、第１配線と第２配線との交差領域に設けられた第１抵抗変化素子であって、第１配線上に設けられた第１抵抗変化層と、第１抵抗変化層上に設けられ第２配線を貫通するとともに第２配線に接続し金属イオン源を含むイオン源電極と、を有する第１抵抗変化素子と、第２配線と第３配線との交差領域に設けられた第２抵抗変化素子であって、イオン源電極上に設けられた第２抵抗変化層を有する第２抵抗変化素子と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】個別にアドレス指定可能なセルを具備した受動マトリクス・アドレス指定可能素子の読み取りの方法を提供する。
【解決手段】セルはデータを各セルの中で２つの分極状態の１つの形式で格納し、セル内の分極状態は直交する電極マトリクスの形でワードおよびビット・ラインを形成する電極を経由してアドレス指定して書き込みおよび読み取りが行われ、セルがワードおよびビット・ラインの間の交差部内またはその部分に具備され、電圧パルス・プロトコルが使用され、それに基づいて全てのワードおよびビット・ライン上の電位が時間を調整される。読み取り中にはワード・ラインが電圧を与えることでアクティブ化され、この電圧は電圧に対応する全ての交差ビット・ライン上の電位に比例し、このアクティブ・ワード・ラインに接続されたセル内に格納されたデータは、そのセルの電荷値を検出装置で検出して決定される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態（例えば３以上の状態）の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第２信号線及び複数のワード線を駆動する、第２信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第１信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化物質を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】印加された電圧によって抵抗が変化する抵抗変化物質をチャネル層として含む半導体素子及びその製造方法、前記半導体素子を含む不揮発性メモリ装置に係り、前記半導体素子は、絶縁基板上に配置されたチャネル層、前記チャネル層内に配置されたゲート電極、前記ゲート電極を取り囲むゲート絶縁膜、前記ゲート電極の両側面で、前記チャネル層上に配置されるソース電極及びドレイン電極、並びに前記基板と前記ゲート電極との間に配置される抵抗変化物質層を含み、これにより、前記半導体素子は、スイッチの機能と不揮発性メモリの機能とを同時に遂行することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層上での占有面積の増加を抑制しながらキャパシタ素子の容量を増大させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、素子分離溝２によって分離された複数の活性領域Ａを有するｎ型半導体層３と、素子分離溝２の側壁２ｂを覆う側壁被覆部１７を有する容量膜１５と、容量膜１５に積層された電極膜１８とを含む。ｎ型半導体層３、容量膜１５および電極膜１８によってキャパシタＣが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 スタティックノイズマージンを損なうことなく、揮発性記憶部および不揮発性記憶部間のストアとリコールを行える不揮発性メモリセルを提供する。
【解決手段】 不揮発性記憶部１２は、揮発性記憶部１１のノードＶ１とバイアス供給ノードＮＳとの間に直列に介挿されたＮチャネルトランジスタＴｗ１および抵抗変化型素子Ｒ１と、揮発性記憶部１１のノードＶ２とバイアス供給ノードＮＳとの間に直列に介挿されたＮチャネルトランジスタＴｗ２および抵抗変化型素子Ｒ２を有する。ストア時、ＮチャネルトランジスタＴｗ１およびＴｗ２はＯＮとされ、抵抗変化型素子Ｒ１およびＲ２は、ノードＶ１（Ｖ２）からバイアス供給ノードＮＳに向かう電流を通過させたときに高抵抗となり、逆方向の電流を通過させたときに低抵抗となる。リコール時は、揮発性記憶部１１のフリップフロップに対する電源電圧を立ち上げる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴなどのトランジスタ特性がばらつく状況や、ＲＦ回路から電源が供給され
電源が安定しない状況で、ＳＲＡＭを作製する場合、従来の１つのメモリセルに６つのト
ランジスタの構成では読み出し時にメモリセルが保持する値が書き換わる誤書き込みが発
生してしまう。
【解決手段】ＳＲＡＭのメモリセルは、書き込みの回路と読み出しの回路を分離する事に
より、ＳＲＡＭの誤書き込みを防ぎ、安定した動作を行うことを可能にする。また、書き
込みのタイミングを考慮する事により、誤書き込みを起こさず、より確実に書き込みの動
作を行うことが可能なＳＲＡＭを提供する。 （もっと読む）

【課題】大容量で、信頼性が高く、少ない工程数で製造可能なメモリ用シフトレジスタを提供する。
【解決手段】一の実施形態によれば、メモリ用シフトレジスタは、基板の主面に平行な第１方向に延び、前記第１方向に垂直な第２方向に向かい合う第１及び第２の制御電極を備える。さらに、前記レジスタは、前記第１及び第２の制御電極間において、前記第１の制御電極側に一列に設けられた複数の第１の浮遊電極を備える。さらに、前記レジスタは、前記第１及び第２の制御電極間において、前記第２の制御電極側に一列に設けられた複数の第２の浮遊電極を備える。さらに、前記第１及び第２の浮遊電極の各々は、前記第１方向に垂直な平面に対し、鏡面非対称な平面形状を有する。 （もっと読む）

【課題】主成分として有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。
【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式（１）Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘＭｎＯ_３（１≧ｘ＞０．４）・・・（１）で表されるマンガン酸化物である。単位格子１の対称中心には磁性イオンであるＭｎイオン３が存在する。単位格子１の対称中心をＭｎサイトとする。単位格子１が有する８個の頂点には、ＳｒイオンおよびＢａイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子１が有する頂点をＳｒサイト２とする。単位格子１が有する６面の面心には、Ｏイオン４が存在する。 （もっと読む）