【課題】特定の環境処理を必要としないで、電極の腐食防止を可能とする弾性表面波デバイス及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成された弾性表面波形成用電極と、前記圧電基板上において前記弾性表面波形成用電極を囲う枠状層と、前記枠状層上に接合形成され、前記弾性表面波形成用電極との間に中空部を形成する蓋体とを有し、前記枠状層及び前記蓋体は感光性樹脂を含み、前記蓋体は貫通孔を有し、前記貫通孔はハロゲンフリーの熱硬化性樹脂で塞がれている。 （もっと読む）

【課題】通過帯域の劣化を抑制することができ、また小型化を図ることができる弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】第１の直列腕２、第２の直列腕３及び並列腕３の弾性波共振子が共通の接続点に接続された回路を備えた弾性波フィルタにおいて、第１の直列腕２と、第２の直列腕３又は並列腕４の一方と、を左右方向に隣接して位置させ、これらの並びの後方側に第２の直列腕３又は並列腕４の他方を位置させ、更に第１の直列腕２、第２の直列腕３、並列腕４内の所定のバスバー２２ｂ、３２ｂ、４２ａを共通の接続点側に位置させる。 （もっと読む）

特にダイプレクサまたはデュプレクサなどの、電気的構成要素のための本願発明によれば、さまざまな配置が基板底部上の端子面において提供される。それらは、ダイプレクサまたはデュプレクサの第１および第２のフィルタのための端子面が、互いから最大の距離では配置されていないことを特に特徴とする。第１のおよび第２のフィルタが、１つの、または２つの別々の構成要素として基板上に配置されてもよく、１つのフィルタは多層基板に一体化されるように実装されてもよい。 （もっと読む）

【課題】機能素子上が中空状態で封止されてなる電子部品のパッケージ構造に関して、小型、薄型で、かつ、樹脂封止のトランスファーモールド法でも作製できるようにすること。
【解決手段】表面に機能領域と電極を有する素子が形成された基板と、前記基板の前記機能領域上に空間を設けて配置された樹脂層と、前記空間を覆う金属層と、前記金属層の前記樹脂層に対応する位置に設けられた絶縁樹脂層とからなる電子部品パッケージであって、前記樹脂層の弾性率が前記絶縁層の弾性率よりも大きいことを特徴とする電子部品パッケージ構造をもちいる。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、均一な単結晶で結晶育成の成功率が高く、生産コストが低い圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、前記Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶は、点Ａ（Ｌａ_２Ｏ_３が４４重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が４６重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）、点Ｂ（Ｌａ_２Ｏ_３が４５重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５２重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｃ（Ｌａ_２Ｏ_３が３２重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が６５重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｄ（Ｌａ_２Ｏ_３が３７重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５３重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げる。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の樹脂封止の際に生じるリーク不良、樹脂侵入不良等による不良品の発生を防止できるとともに、多数の電子部品をまとめて簡単に樹脂封止できる。
【解決手段】 集合基板３の主面に形成された配線電極上に、フェースダウン・ボンディングにより、ＳＡＷチップ２を実装した電子部品の製造方法において、ＳＡＷチップ２実装済みの集合基板３の主面に樹脂シート６を載置する工程と、柔軟性をもつ密閉袋Ｐ内に実装済み集合基板３を収納した後、密閉袋Ｐを密閉する工程と、収納袋Ｐを液体Ｌを満たした加圧容器Ｔ内に投入した後、加圧容器Ｔを密閉する工程と、加圧容器Ｔ内に加圧流体を供給し、加圧容器Ｔ内の圧力を上昇させつつ、樹脂シート６を硬化させ、ＳＡＷチップ２と実装済み集合基板３の主面側に密着・貼付させて樹脂封止する工程と、加圧容器Ｔから密閉袋Ｐを取り出す工程と、密閉袋Ｐから樹脂封止済みの実装済み集合基板３を取り出す工程と、取り出した樹脂封止済みの集合基板３を個片３ａに切断する工程と、からなる電子部品の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止工程を実施する際に使用する樹脂シートの肉厚を集合基板の表裏面に印刷したダイシング・マークに印刷ずれを考慮して設定することにより、気密空間部への樹脂の浸入がなく、かつ、ダイシングによる端子電極等の切損を阻止可能とする。
【解決手段】圧電部品製造方法は、セラミック基板３にバンプ５付のＳＡＷチップ２をフリップチップ実装する工程と、実装済の集合基板に樹脂シート６を加熱軟化して貼付け、更に加熱硬化にて樹脂封止する工程と、封止・硬化した実装済の集合基板の裏面にダイシング・マークを設け、該ダイシング・マークを用いて集合基板を個片１に切断する工程と、を備え、樹脂封止する工程前の樹脂シート６の厚みが、チップ寸法、表裏ずれ、切断しろ、ＳＡＷデバイス寸法、樹脂封止層厚等間の所定の関係式で規定される。 （もっと読む）

本発明は、部品構造体を支持するチップと、反射と音響体積波とによる妨害を避ける目的で音響体積波を散乱させるために部品構造体の反対のチップ背面に設けられる金属構造体と、を備えるＭＥＭＳ部品に関する。金属構造体は、チップの材料に音響的に整合する金属で構成される。 （もっと読む）

圧電基板と、該基板上に配置され、第１のトランスデューサ１および第２のトランスデューサ２が配置された音響トラックとを有する、表面弾性波を用いて動作するトランスバーサルフィルタが記載される。各トランスデューサ１、２は電極フィンガを有する。関数９は、第２のトランスデューサ２内の異なる極性の電極フィンガの重なり長さの重み付けを特徴付け、１つのハーフメインローブ２３と少なくとも１つのサイドローブ２４、２５を有する。ローブ２３、２４、２５の振幅は第１のトランスデューサに向かう方向において単調に減少する。 （もっと読む）

【課題】平衡型端子を有する弾性表面波フィルタに関して、バランス特性が劣化するという課題があった。
【解決手段】圧電基板１０１と、圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極１０２〜１０４とを備えた弾性表面波フィルタ素子であって、複数のＩＤＴ電極の内、少なくとも一つのＩＤＴ電極１０２は平衡型端子に接続され、他のＩＤＴ電極１０３、１０４は不平衡型端子に接続され、少なくとも一つのＩＤＴ電極１０２に接続された第１、第２の配線電極１０７、１０９は、他のＩＤＴ電極に接続された第３の回路基板上配線電極１１６と異なる平面上に配置されており、ＩＤＴ電極と異なる平面上に設けられた、第３の回路基板上配線電極１１６は、ＩＤＴ電極１０３、１０４の電極指とバンプ又はビアを介して実質的に直接に接続された構成である。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ波を利用したＳＡＷデバイスの通電時の周波数シフトを低減する方法を提供する。
【解決手段】水晶基板１１は、Ｙカット水晶基板の回転角θを結晶軸Ｚより反時計方向に約−５０°とし、結晶軸Ｘに対し９０°±５°方向（Ｚ’軸方向）に伝搬するＳＨ波型表面波を励起する基板を用いる。そして、水晶基板１１のＺ’軸方向に沿ってアルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする合金のＩＤＴ電極１２と、その両側にグレーティング反射器１３ａ、１３ｂとを配置して、ＳＨ波型ＳＡＷ共振子を構成する。また、前記ＩＤＴ電極１２を構成する電極指の電極指幅／（電極指幅＋電極指間のスペース）をライン占有率ｍｒとした時に、ライン占有率ｍｒが、０．４１＜ｍｒ＜０．５３を満足する。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス以外の電子部品について調整及び／又は検査をする場合であっても、調整及び／又は検査の作業効率を向上させ、さらに、小型化を図ることができる電子モジュールを提供する。
【解決手段】回路基板３１に圧電デバイス２２，２４とその他の電子部品２３，２６，２７が搭載されている電子モジュールであって、電子部品２３は、その電気的特性を調整及び／又は検査するための調整端子２３ａ，２３ｂを有しており、圧電デバイス２２，２４は、圧電振動片が収容されたパッケージ２２ａ，２４ａを封止するための蓋体２２ｂ，２４ｂの主面が上向きに配置されており、蓋体２２ｂ，２４ｂが調整端子２３ａ，２３ｂと導通されている。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において広帯域化を図ることができるＳＡＷフィルタ装置を提供する。
【解決手段】所定の中心周波数とは異なる中心周波数で、帯域幅が所定帯域幅より狭い複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂと、複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂの入出力ラインに夫々設けられ、何れかのＳＡＷフィルタを選択するために連動して切り替わる切替スイッチ３、４と、を備え、複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂは、回転Ｙカット角を結晶Ｚ軸より反時計方向に４０°±２０°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して９０°±３°に設定した水晶基板１１と、この水晶基板１１上に形成され、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなりＳＨ波を励振するＩＤＴ１３、１４とを有し、励振するＳＡＷの波長をλとしたとき、ＩＤＴ１３，１４の膜厚が０．０６λ以下となるようにした。 （もっと読む）

【課題】分散型すだれ状電極を用いたダウン方向に一方向性をもつ分散型フィルタでは、遅延時間周波数特性が周波数に対して大きく変化するため、通信用には、一部でしか応用できない。そこで、新たな構造のアップ方向及びダウン方向に一方向性をもつ分散型すだれ状電極を提供する。
【解決手段】分散型すだれ状電極を用いたダウン方向、及びアップ方向に一方向性特性をもつ変換器を、グレーティング薄膜反射器と分散型すだれ状電極を組み合わせた一方向性分散型すだれ状電極、及び浮き電極分散型一方向性すだれ状電極を用いることにより、位相直線・低損失・角形の特性をもつフィルタ等の弾性表面波機能素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスの共振周波数の高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記溝は前記圧電基板の厚さＨの２９％より深くした弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスおいて、共振周波数より高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧すると共に、圧電基板の裏面を装置で吸引する際のエラーを低減する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に、前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θ（０°＜θ≦９０°）を有する複数の溝を備え、前記溝は、エッチング工程により前記圧電基板の裏面の周縁部を残して形成され弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、通信機器等に用いられる弾性表面波フィルタに関し、弾性表面波フィルタの耐電力性の改善に伴うＩＭ特性の劣化を抑制することを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために本発明は、特に、弾性表面波フィルタを形成する配線電極３の構成を、櫛型電極２を形成する積層電極７上にさらにチタン層８とアルミニウム層９を配置して形成し、このチタン層８の厚みを櫛型電極２を形成するチタン層６より厚くしたのである。 （もっと読む）

【課題】ラダー型圧電フィルタにおいて、通過帯域幅を広げつつ、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やす。
【解決手段】ラダー型圧電フィルタ１は、並列腕１１，１３，１５と直列腕１２，１４とを交互に接続して構成される。並列腕１１，１３，１５は、それぞれ、並列共振子１１１，１３１，１５１とＬＣ素子網１１２，１３２，１５２とを直列接続して構成され、直列腕１２，１４は、それぞれ、直列共振子１２１，１４１から構成される。ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、それぞれ、直列接続された並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数において誘導性となるように構成されている。さらに、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、高周波数側の阻止帯域内における新たな直列共振点の形成に寄与するキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主として無線通信機器にて使用される弾性表面波デバイスに関して、弾性表面波デバイスの電気的特性を向上させることを目的とするものである。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、圧電体基板１と、この圧電体基板１の表面に設けた櫛型電極２と、前記圧電体基板１の裏面に設けた支持層５を備え、弾性表面波デバイスを構成する圧電体基板１の裏面に設けられる支持層５を多結晶体で形成するようにしたものである。 （もっと読む）

開示されているのは、音響的に結合された電気音響変換器（１１、１２、１３）でトラックを囲む帯域通過フィルタ（１００）を含む電気フィルタである。さらに、フィルタは、少なくとも１つの電気音響直列素子（２１、２２）および少なくとも１つの電気音響並列素子（２３、２４）を備える帯域阻止フィルタ（２００）を含む。帯域阻止フィルタの直列素子（２１、２２）は帯域通過フィルタの少なくとも１つの変換器（１１、１２）に連続的に接続される。帯域阻止フィルタの並列素子（２３、２４）は、帯域通過フィルタの少なくとも１つの変換器（１１、１２、１３）に電気接続されるシャントアーム内に配置される。少なくとも１つの電気音響素子（２１、２２、２３、２４）の共振周波数および反共振周波数は、帯域通過フィルタ（１００）の帯域の外側にある。 （もっと読む）