ウェハ構造の電気的結合
第１ウェハ１０５を第２ウェハ１０３に電気的に結合する方法が提供される。方法が、結合物質１２１を用いて第１ウェハを第２ウェハに結合することを含む。方法が、第２ウェハのスクライブ領域１４１または１４３における第１ウェハに開口２０１または２０３を形成して、第２ウェハの導電性構造１０８または１１２の表面を露出させることをさらに含む。方法が、第１ウェハおよび第１ウェハの開口の上方に導電性層３０１を形成し、導電性層が第２ウェハの導電性構造１０８または１１２との電気的接続を形成し、第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合することをさらに含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して半導体デバイスに関するものであり、さらに詳しくは２つのウェハ構造の電気的結合に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ半導体デバイスのようないくつかの半導体デバイスは、キャップウェハを利用して、動作におけるＭＥＭＳデバイスの保護キャビティを提供する。いくつかの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、半導体デバイス工程とともに通常に製造される微小電気機械デバイスである。ＭＥＭＳデバイスの例は、加速度計、センサ、マイクロモータおよびスイッチを含む。いくつかの例において、ＭＥＭＳデバイスは、動作中に移動する部分（例えば、プルーフマス（proof masses））を含む。この移動のため、キャビティは、この部分の移動中にこの部分を保護するように用いられる。
【０００３】
キャップウェハに開口を形成し、デバイスウェハにキャップウェハを結合し、開口がMEMSデバイスを覆うことによって、キャビティは具体化される。その後、キャップウェハおよびデバイスウェハは分離されて、ＭＥＭＳダイを形成する。
【０００４】
いくつかの例におけるキャップウェハの具体化に関連する１つの問題は、デバイスウェハとの好適な接地結合（grounding coupling）が必要とされることである。いくつかの例において、接地結合は、キャップウェハからデバイスウェハへのワイヤ結合、キャップウェハからデバイスウェハへ貫通する導電性ビア、またはキャップウェハとデバイスウェハとの間の導電性結合材料によって形成される。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図２】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図３】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図４】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図５】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図６】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
添付の図面を参照することによって、本発明はよりよく理解され、その多くの目的、特徴および利点が当業者に明らかになる。図面は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。例えば、本発明の特徴を明確に示すために、図示される構造の幅と高さとの比は、正確でなくてもよい。
【０００７】
以下に述べるのは本発明を実施するための１つのモードの詳細な説明である。この説明は本発明の例示を意図するものであり、限定するものではない。
本明細書に記載されるように、一実施形態において、キャップウェハ構造からデバイスウェハ構造への電気的結合は、デバイスウェハの導電性構造のスクライブ領域におけるキャップウェハに開口を形成し、次に、開口および開口の側壁を含むキャップウェハ上に、デバイスウェハの導電性構造と接続する導電性層を形成することによって形成される。その後、キャップおよびデバイスウェハは、開口の側壁上に導電性材料が残るようにスクライブ領域において分離されて、キャップウェハ構造をデバイスウェハ構造に電気的に結合する。
【０００８】
図１が、結合物質１２１を用いてキャップウェハ１０５に結合されたデバイスウェハ１０２を含む、製造されたウェハ１０１の部分断面側面図を示す。一実施形態において、結合物質１２１は非導電性グラスフリットである。しかしながら、他の実施形態において、導電性グラスフリット（例えば、鉛のような導電性材料）または半田のような結合材料等のほかの種類の結合物質が用いられてもよい。一実施形態において、複数のウェハは、所定期間に温度や圧力の下で互いに結合されて、２つのウェハとの間に機械的な固相結合を備える。一実施形態において、結合は密封結合（hermetic bond）である。
【０００９】
デバイスウェハ１０２は、ウェハ１０２とウェハ１０５との結合を先立って形成される基板１０３に配置された複数の半導体デバイス１０７，１０９，１１０を含む。一実施形態において、このデバイスは、半導体製造工程によって形成される半導体、導電性および／または誘電性物質により構成された構造を含む。複数のデバイス１０７，１０９，１１０が、異なる構造を形成するように製造される複数の異なる材料の層を含んでもよい。一実施形態において、複数のデバイス１０７，１０９，１１０は多軸加速度計であるが、他の実施形態において、複数のデバイス１０７，１０９，１１０は、他のタイプの加速度計、センサ、モータまたはスイッチのようなＭＥＭＳデバイスであってもよい。また、他の実施形態において、複数のデバイス１０７、１０９、１１０は、集積回路、個別デバイスまたはセンサのような半導体デバイスであってよい。一実施形態において、複数のデバイス１０７，１０９，１１０は、基板１０３上に異なる層を成形・処理することによって形成される。
【００１０】
ウェハ１０２が、複数のデバイス１０７，１０９，１１０を外部的に外部デバイスに結合する複数のパッド１１３，１１５を含んで、外部デバイス（例えば、集積回路ダイ上）に信号を伝達する。複数のパッド１１３，１１５は、導電性材料（例えば、銅、アルミニウム、及び金）から形成され、一実施形態において、該導電性材料はワイヤ結合可能である。複数のパッド１１３，１１５は、複数のポリシリコン構造１１４，１１６上にそれぞれ配置され、複数のポリシリコン構造１１４，１１６と電気的にそれぞれ接続される。一実施形態において、基板１０３が、複数の半導体デバイス１０７，１０９，１１０の導電性構造を複数のパッド支持構造１１４，１１６に電気的に結合する複数の導電性構造（図示せず）を含む。例えば、デバイス１０７は構造１１４に電気的に結合され、デバイス１０９は構造１１６に電気的に結合される。
【００１１】
一実施形態において、基板１０３が、基板１０３の層に配置された導電性構造および誘電性構造を有する、シリコン等の半導性材料を含む。いくつかの実施形態において、半導体材料の部分は導電性になるように選択的にドープされる。しかしながら、他の実施形態において、ウェハ１０２が他の構成を有してもよい。
【００１２】
デバイスウェハ１０２が、複数のスクライブ領域１４１，１４３に配置された部分を含む複数のスクライブ導電性構造１０８、１１２を含む。スクライブ領域は、ダイシング中に分離されるウェハの複数のデバイス領域間に配置されるウェハの領域であり、分離経路を含む。複数の構造１０８，１１２は、ポリシリコンまたは金属のような導電性材料から形成されている。複数のスクライブ構造１０８，１１２の各々は、基板１０３に配置された導電性構造（図示せず）によって（複数のデバイス１０７，１０９，１１０のうちの）２つのデバイスに電気的に結合される。例えば、導電性構造１１２は、デバイス１０９およびデバイス１１０に電気的に結合される。
【００１３】
また、ウェハ１０２は、デバイスとパッド領域との間に配置される、キャップウェハと結合するための複数の導電性構造１２４，１２６を含み、複数のデバイス１０７，１０９のシールを提供する。
【００１４】
一実施形態において、キャップウェハ１０５は、半導体材料（例えば、シリコン）から形成され、デバイスウェハ１０２の構造に対するキャビティを形成するための（例えば、エッチングによって形成される）複数の開口１３１，１３３，１３５，１３７を含む。一実施形態において、ウェハ１０５はウェハ１０２に貼り付けられた後、ウェハ１０５の上面にグラインド加工及びポリッシング加工を行って、ウェハ１０５の膜厚を薄くする。一実施形態では、ウェハ１０５は、１００〜４００マイクロメートルの範囲の薄くされた膜厚に研磨される。しかしながら、他の実施形態において、キャップは他の膜厚に研磨されてもよくまたは研磨しなくてもよい。いくつかの実施形態において、キャップウェハ１０５が、ＭＥＭＳデバイスまたはそれに形成される他の半導体デバイスのようなデバイスを含んでもよい。一実施形態において、ウェハ１０５が、複数の開口１３１，１３３，１３５，１３７を含まない。
【００１５】
図２は、ウェハ１０５に複数の開口２０１，２０３が形成されてウェハ１０２のスクライブ領域内の複数の導電性構造１０８，１１２を露出させた後に得られるウェハ１０１の部分的断面側面図を示す。一実施形態において、ウェハ１０５および結合物質１２１が複数の構造１０８，１１２の上方の位置から除去されて導電性構造を露出させることを保障するために、開口は特定の深さに形成される。このような除去は、複数の構造１０８，１１２の上部分を除去することを含んでもよい。一実施形態において、開口は鋸を用いて形成される。図示される実施形態において、複数の開口２０１，２０３が８０マイクロンの幅２０５，２０７を有するが、他の実施形態において、他の幅であってよい。
【００１６】
他の実施形態において、結合物質１２１は、複数の開口２０１，２０３の領域に形成されない。この領域において、キャップウェハ１０５と複数のスクライブ導電性構造１０８，１１２との間に空洞がある。しかしながら、この領域に結合物質を形成することは、スクライブ導電性構造１０８，１１２とキャップウェハ１０５との間に結合物質が配置されるため、開口の平らな側壁を提供する。平らな側壁が側壁により優れた導電性層を後に形成する。
【００１７】
他の実施形態において、複数の開口２０１，２０３は、両軸円鋸盤、レーザまたはエッチングのような方法によって形成されてもよい。
図３が、ウェハ１０１上に導電性層３０１を形成した後に得られるウェハ１０１の部分的断面図を示す。一実施形態において、層３０１は金属（例えば、銅、アルミニウム、または金）によって形成される。一実施形態において、層が２マイクロンの膜厚を有するが、他の実施形態において、他の膜厚を有してもよい。優れた電気導電性を備えるために、層３０１は、複数の開口２０１，２０３の側壁に良好なステップカバレッジ（step coverage）を有するように形成される。一実施形態において、層３０１は、化学蒸着、物理蒸着、電気メッキまたは他の金属形成工程のような金属堆積工程によって形成される。一実施形態において、層３０１が異なる材料の複数の層を含んでもよい。
【００１８】
図４は、複数のパッド１１３，１１５の上方に開口４０１が形成されて後のテストのためにパッドを露出させた後に得られるウェハ１０１の部分的断面図を示す。一実施形態において、開口４０１は両軸円鋸盤によって形成されるが、他の実施形態では他の方法（例えば、エッチング）によって形成されてもよい。開口を形成した後に、ウェハ１０１は、アッシングのような洗浄工程を受けて不要な有機物質を除去する。その後に、複数のデバイス１０７，１０９，１１０は、露出された複数のパッド１１３，１１５に接触するテストプローブを用いて動作性をテストされる。
【００１９】
図５は、製造されたウェハ１０１が別個のダイ５２９，５２１，５２３，５２７に個体化した後の後部分的断面図を示す。一実施形態において、個体化は、スクライブ領域１４１，１４３及びパッド１１４，１１６間においてウェハ１０１を切削することによって実施される。一実施形態において、ウェハは、鋸、レーザまたは他のウェハカット用装置によって切断される。他の実施形態において、個体化は、スクライブ領域においてウェハ１０１をエッチングすることによって実施することができる。各ダイ５２９，５２１，５２３，５２７が、（複数の開口１３１，１３５，１３７から形成される）キャビティに配置される半導体デバイス１０７，１０９，１１０を含む。一実施形態において、ウェハ１０２がウェハ１０５に結合するとき、このキャビティは密封される。
【００２０】
図示される実施形態において、複数の鋸経路５０１，５０３，５１５は、４０〜５０マイクロン幅である幅５０７，５０９，５１１を有するが、他の実施形態において、他の幅であってよい。鋸経路の幅５０７，５０９，５１１は、前に形成された開口２０１，２０３の幅２０５，２０７未満である。したがって、層３０１の一部分が開口２０１，２０３の側面に残って、各ダイのウェハ１０５の部分を個体化後に残った導電性スクライブ構造１０８，１１２に電気的に結合する導電性経路を提供する。
【００２１】
図示される実施形態において、スクライブ導電性構造１１２，１０８の残留部分は、構造１２４，１２６のような導電性構造に沿ってシールリングを形成して、各ダイのキャビティをシールする。
【００２２】
図６は、個体化後のダイ５２３の上面図を示す。図示される実施形態において、層３０１は、複数のパッド１１５，６０５，６０７を露出させる開口４０１によって形成される部分を除いてダイ５２３の上部のすべてを覆う。図示される実施形態において、層３０１が、スクライブ領域の上方の開口（例えば、２０１および２０３）によって形成される３つの側壁５４１，６０３，６０１を覆う。これにより、図示される実施形態において、２つのウェハ部分を互いに接続する比較的多くの導電性物質が設けられている。他の実施形態において、層３０１の形状および被覆は異なってよい。例えば、キャップウェハ構造の側壁部分のみまたはキャップウェハ構造のすべての４つの側壁を覆ってもよい。また、他の外部導体のために、層３０１の上側に開口があってもよい。
【００２３】
製造されたダイは、自身または他の集積回路ダイによって（例えば、密封物質において）さらにパッケージ化されてもよい。層３０１はパッケージの接地端子に電気的に結合されてもよい。製造されたパッケージは様々な電子システムに利用され得る。
【００２４】
結合された２つのウェハ間の電気的な結合を提供することは、スクライブ領域に開口を形成して、次に開口を被覆する導電性層を形成することを含み、他の従来技術よりも、２つのウェハ間のより効率的および高信頼性の電気的な結合を提供する。２つのウェハの電気的な結合は、電気的に導電性層により形成されるので、電気導電性特徴に関わらず、ウェハの結合物質１２１は、ウェハの結合物質１２１の結合特性によって選択され得る。
【００２５】
このような実施形態において、ワイヤ結合は２つのウェハ間の接地結合に必要とされない。これにより、通常キャップウェハを接地するワイヤボンドはキャップウェハの上面に形成される点で、最終的なパッケージの総計の高さは低くなる。
【００２６】
さらに、比較的大きな開口の側壁に導電性層を形成することは、キャップウェハ内に比較的小さな開口に貫挿される導電性ビアを形成することと比べて技術的に容易である。また、層３０１は、ダイを囲まれるスクライブ領域の大部分を覆うように構成され、内部デバイス領域はワイヤ結合またはビア形成と同様に必要ではない。さらに、複数のワイヤ結合および導電性ビアは、複数のウェハを電気的に結合するために、キャップウェハ構造の側壁に配置される同量の導電性物質を得ることを必要とする。
【００２７】
他の実施形態において、複数の初期スクライブ開口２０１，２０３はデバイスウェハ１０２の下部により形成されて、キャップウェハ１０５の導電性表面を露出させる。次に、導電性層３０１は、デバイスウェハ１０２の底面上に形成され、開口を広げて、キャップウェハ１０５の露出された導電性表面と接続する。このような実施形態において、デバイスウェハ１０２の底部は研磨されてウェハ結合後の膜厚を薄くさせる。
【００２８】
本発明の一実施形態は、第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合することを含む。この方法は、第１ウェハを第２ウェハに結合すること、第２ウェハのスクライブ領域内における第１ウェハに開口を形成して第２ウェハの導電性構造の表面を露出させること、導電性層が第２ウェハの導電性構造と電気的に接続部を形成するように第１ウェハおよび第１ウェハにおける開口上に導電性層を形成して第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合することを含む。
【００２９】
別の実施形態が、キャップウェハをデバイスウェハに電気的に結合する方法を含む。該方法は、結合物質を用いてキャップウェハをデバイスウェハに結合することを含む。デバイスウェハは、基板を含む。該方法は、デバイスウェハのスクライブ領域に結合物質を形成し、且つキャップウェハに開口を形成して、デバイスウェハの導電性構造の表面を露出させることを含む。キャップウェハおよび結合材料を貫通する開口を形成することは、デバイスウェハのスクライブ領域におけるキャップウェハ及び結合物質を切削することを含む。該方法は、導電性層がデバイスウェハの導電性構造と電気的接続を形成するようにキャップウェハおよびキャップウェハにおける開口上に導電性層を形成して、キャップウェハをデバイスウェハに電気的に結合することを含む。
【００３０】
別の実施形態が、第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合する方法を含む。該方法は、結合物質を用いて第１ウェハを第２ウェハに結合すること、第２ウェハのスクライブ領域に結合物質を形成し、且つ第１ウェハに開口を形成して、第２ウェハの導電性構造の表面を露出させること、および導電性層が第２ウェハの導電性構造と電気的接続部を形成するように第１ウェハ及び第１ウェハにおける開口上に導電性層を形成して、第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合することを含む。該方法は、結合ウェハを複数のダイに分離することを含む。分離することは、第２ウェハの分離経路の物質を除去し、分離経路は第１幅を有する。開口が第２幅を有し、導電性層の少なくとも１つの部分が、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に残るように、第１および第２幅を選択して、第１ウェハと第２ウェハとの間の電気的結合を提供する。
【００３１】
本発明の特定の実施態様を示して説明してきたが、本明細書の教示に基づいて、本発明およびそのより広範な態様から逸脱することなく、さらなる変更および修正がなされ得ることが当業者には認められるであろう。したがって添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲の内にあるそのような変更および修正の全てを、その範囲の内に包含するものである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して半導体デバイスに関するものであり、さらに詳しくは２つのウェハ構造の電気的結合に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ半導体デバイスのようないくつかの半導体デバイスは、キャップウェハを利用して、動作におけるＭＥＭＳデバイスの保護キャビティを提供する。いくつかの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、半導体デバイス工程とともに通常に製造される微小電気機械デバイスである。ＭＥＭＳデバイスの例は、加速度計、センサ、マイクロモータおよびスイッチを含む。いくつかの例において、ＭＥＭＳデバイスは、動作中に移動する部分（例えば、プルーフマス（proof masses））を含む。この移動のため、キャビティは、この部分の移動中にこの部分を保護するように用いられる。
【０００３】
キャップウェハに開口を形成し、デバイスウェハにキャップウェハを結合し、開口がMEMSデバイスを覆うことによって、キャビティは具体化される。その後、キャップウェハおよびデバイスウェハは分離されて、ＭＥＭＳダイを形成する。
【０００４】
いくつかの例におけるキャップウェハの具体化に関連する１つの問題は、デバイスウェハとの好適な接地結合（grounding coupling）が必要とされることである。いくつかの例において、接地結合は、キャップウェハからデバイスウェハへのワイヤ結合、キャップウェハからデバイスウェハへ貫通する導電性ビア、またはキャップウェハとデバイスウェハとの間の導電性結合材料によって形成される。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図２】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図３】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図４】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図５】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【図６】本発明の一実施形態にしたがった、キャップウェハ構造を有する半導体デバイスの製造における各段階の図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
添付の図面を参照することによって、本発明はよりよく理解され、その多くの目的、特徴および利点が当業者に明らかになる。図面は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。例えば、本発明の特徴を明確に示すために、図示される構造の幅と高さとの比は、正確でなくてもよい。
【０００７】
以下に述べるのは本発明を実施するための１つのモードの詳細な説明である。この説明は本発明の例示を意図するものであり、限定するものではない。
本明細書に記載されるように、一実施形態において、キャップウェハ構造からデバイスウェハ構造への電気的結合は、デバイスウェハの導電性構造のスクライブ領域におけるキャップウェハに開口を形成し、次に、開口および開口の側壁を含むキャップウェハ上に、デバイスウェハの導電性構造と接続する導電性層を形成することによって形成される。その後、キャップおよびデバイスウェハは、開口の側壁上に導電性材料が残るようにスクライブ領域において分離されて、キャップウェハ構造をデバイスウェハ構造に電気的に結合する。
【０００８】
図１が、結合物質１２１を用いてキャップウェハ１０５に結合されたデバイスウェハ１０２を含む、製造されたウェハ１０１の部分断面側面図を示す。一実施形態において、結合物質１２１は非導電性グラスフリットである。しかしながら、他の実施形態において、導電性グラスフリット（例えば、鉛のような導電性材料）または半田のような結合材料等のほかの種類の結合物質が用いられてもよい。一実施形態において、複数のウェハは、所定期間に温度や圧力の下で互いに結合されて、２つのウェハとの間に機械的な固相結合を備える。一実施形態において、結合は密封結合（hermetic bond）である。
【０００９】
デバイスウェハ１０２は、ウェハ１０２とウェハ１０５との結合を先立って形成される基板１０３に配置された複数の半導体デバイス１０７，１０９，１１０を含む。一実施形態において、このデバイスは、半導体製造工程によって形成される半導体、導電性および／または誘電性物質により構成された構造を含む。複数のデバイス１０７，１０９，１１０が、異なる構造を形成するように製造される複数の異なる材料の層を含んでもよい。一実施形態において、複数のデバイス１０７，１０９，１１０は多軸加速度計であるが、他の実施形態において、複数のデバイス１０７，１０９，１１０は、他のタイプの加速度計、センサ、モータまたはスイッチのようなＭＥＭＳデバイスであってもよい。また、他の実施形態において、複数のデバイス１０７、１０９、１１０は、集積回路、個別デバイスまたはセンサのような半導体デバイスであってよい。一実施形態において、複数のデバイス１０７，１０９，１１０は、基板１０３上に異なる層を成形・処理することによって形成される。
【００１０】
ウェハ１０２が、複数のデバイス１０７，１０９，１１０を外部的に外部デバイスに結合する複数のパッド１１３，１１５を含んで、外部デバイス（例えば、集積回路ダイ上）に信号を伝達する。複数のパッド１１３，１１５は、導電性材料（例えば、銅、アルミニウム、及び金）から形成され、一実施形態において、該導電性材料はワイヤ結合可能である。複数のパッド１１３，１１５は、複数のポリシリコン構造１１４，１１６上にそれぞれ配置され、複数のポリシリコン構造１１４，１１６と電気的にそれぞれ接続される。一実施形態において、基板１０３が、複数の半導体デバイス１０７，１０９，１１０の導電性構造を複数のパッド支持構造１１４，１１６に電気的に結合する複数の導電性構造（図示せず）を含む。例えば、デバイス１０７は構造１１４に電気的に結合され、デバイス１０９は構造１１６に電気的に結合される。
【００１１】
一実施形態において、基板１０３が、基板１０３の層に配置された導電性構造および誘電性構造を有する、シリコン等の半導性材料を含む。いくつかの実施形態において、半導体材料の部分は導電性になるように選択的にドープされる。しかしながら、他の実施形態において、ウェハ１０２が他の構成を有してもよい。
【００１２】
デバイスウェハ１０２が、複数のスクライブ領域１４１，１４３に配置された部分を含む複数のスクライブ導電性構造１０８、１１２を含む。スクライブ領域は、ダイシング中に分離されるウェハの複数のデバイス領域間に配置されるウェハの領域であり、分離経路を含む。複数の構造１０８，１１２は、ポリシリコンまたは金属のような導電性材料から形成されている。複数のスクライブ構造１０８，１１２の各々は、基板１０３に配置された導電性構造（図示せず）によって（複数のデバイス１０７，１０９，１１０のうちの）２つのデバイスに電気的に結合される。例えば、導電性構造１１２は、デバイス１０９およびデバイス１１０に電気的に結合される。
【００１３】
また、ウェハ１０２は、デバイスとパッド領域との間に配置される、キャップウェハと結合するための複数の導電性構造１２４，１２６を含み、複数のデバイス１０７，１０９のシールを提供する。
【００１４】
一実施形態において、キャップウェハ１０５は、半導体材料（例えば、シリコン）から形成され、デバイスウェハ１０２の構造に対するキャビティを形成するための（例えば、エッチングによって形成される）複数の開口１３１，１３３，１３５，１３７を含む。一実施形態において、ウェハ１０５はウェハ１０２に貼り付けられた後、ウェハ１０５の上面にグラインド加工及びポリッシング加工を行って、ウェハ１０５の膜厚を薄くする。一実施形態では、ウェハ１０５は、１００〜４００マイクロメートルの範囲の薄くされた膜厚に研磨される。しかしながら、他の実施形態において、キャップは他の膜厚に研磨されてもよくまたは研磨しなくてもよい。いくつかの実施形態において、キャップウェハ１０５が、ＭＥＭＳデバイスまたはそれに形成される他の半導体デバイスのようなデバイスを含んでもよい。一実施形態において、ウェハ１０５が、複数の開口１３１，１３３，１３５，１３７を含まない。
【００１５】
図２は、ウェハ１０５に複数の開口２０１，２０３が形成されてウェハ１０２のスクライブ領域内の複数の導電性構造１０８，１１２を露出させた後に得られるウェハ１０１の部分的断面側面図を示す。一実施形態において、ウェハ１０５および結合物質１２１が複数の構造１０８，１１２の上方の位置から除去されて導電性構造を露出させることを保障するために、開口は特定の深さに形成される。このような除去は、複数の構造１０８，１１２の上部分を除去することを含んでもよい。一実施形態において、開口は鋸を用いて形成される。図示される実施形態において、複数の開口２０１，２０３が８０マイクロンの幅２０５，２０７を有するが、他の実施形態において、他の幅であってよい。
【００１６】
他の実施形態において、結合物質１２１は、複数の開口２０１，２０３の領域に形成されない。この領域において、キャップウェハ１０５と複数のスクライブ導電性構造１０８，１１２との間に空洞がある。しかしながら、この領域に結合物質を形成することは、スクライブ導電性構造１０８，１１２とキャップウェハ１０５との間に結合物質が配置されるため、開口の平らな側壁を提供する。平らな側壁が側壁により優れた導電性層を後に形成する。
【００１７】
他の実施形態において、複数の開口２０１，２０３は、両軸円鋸盤、レーザまたはエッチングのような方法によって形成されてもよい。
図３が、ウェハ１０１上に導電性層３０１を形成した後に得られるウェハ１０１の部分的断面図を示す。一実施形態において、層３０１は金属（例えば、銅、アルミニウム、または金）によって形成される。一実施形態において、層が２マイクロンの膜厚を有するが、他の実施形態において、他の膜厚を有してもよい。優れた電気導電性を備えるために、層３０１は、複数の開口２０１，２０３の側壁に良好なステップカバレッジ（step coverage）を有するように形成される。一実施形態において、層３０１は、化学蒸着、物理蒸着、電気メッキまたは他の金属形成工程のような金属堆積工程によって形成される。一実施形態において、層３０１が異なる材料の複数の層を含んでもよい。
【００１８】
図４は、複数のパッド１１３，１１５の上方に開口４０１が形成されて後のテストのためにパッドを露出させた後に得られるウェハ１０１の部分的断面図を示す。一実施形態において、開口４０１は両軸円鋸盤によって形成されるが、他の実施形態では他の方法（例えば、エッチング）によって形成されてもよい。開口を形成した後に、ウェハ１０１は、アッシングのような洗浄工程を受けて不要な有機物質を除去する。その後に、複数のデバイス１０７，１０９，１１０は、露出された複数のパッド１１３，１１５に接触するテストプローブを用いて動作性をテストされる。
【００１９】
図５は、製造されたウェハ１０１が別個のダイ５２９，５２１，５２３，５２７に個体化した後の後部分的断面図を示す。一実施形態において、個体化は、スクライブ領域１４１，１４３及びパッド１１４，１１６間においてウェハ１０１を切削することによって実施される。一実施形態において、ウェハは、鋸、レーザまたは他のウェハカット用装置によって切断される。他の実施形態において、個体化は、スクライブ領域においてウェハ１０１をエッチングすることによって実施することができる。各ダイ５２９，５２１，５２３，５２７が、（複数の開口１３１，１３５，１３７から形成される）キャビティに配置される半導体デバイス１０７，１０９，１１０を含む。一実施形態において、ウェハ１０２がウェハ１０５に結合するとき、このキャビティは密封される。
【００２０】
図示される実施形態において、複数の鋸経路５０１，５０３，５１５は、４０〜５０マイクロン幅である幅５０７，５０９，５１１を有するが、他の実施形態において、他の幅であってよい。鋸経路の幅５０７，５０９，５１１は、前に形成された開口２０１，２０３の幅２０５，２０７未満である。したがって、層３０１の一部分が開口２０１，２０３の側面に残って、各ダイのウェハ１０５の部分を個体化後に残った導電性スクライブ構造１０８，１１２に電気的に結合する導電性経路を提供する。
【００２１】
図示される実施形態において、スクライブ導電性構造１１２，１０８の残留部分は、構造１２４，１２６のような導電性構造に沿ってシールリングを形成して、各ダイのキャビティをシールする。
【００２２】
図６は、個体化後のダイ５２３の上面図を示す。図示される実施形態において、層３０１は、複数のパッド１１５，６０５，６０７を露出させる開口４０１によって形成される部分を除いてダイ５２３の上部のすべてを覆う。図示される実施形態において、層３０１が、スクライブ領域の上方の開口（例えば、２０１および２０３）によって形成される３つの側壁５４１，６０３，６０１を覆う。これにより、図示される実施形態において、２つのウェハ部分を互いに接続する比較的多くの導電性物質が設けられている。他の実施形態において、層３０１の形状および被覆は異なってよい。例えば、キャップウェハ構造の側壁部分のみまたはキャップウェハ構造のすべての４つの側壁を覆ってもよい。また、他の外部導体のために、層３０１の上側に開口があってもよい。
【００２３】
製造されたダイは、自身または他の集積回路ダイによって（例えば、密封物質において）さらにパッケージ化されてもよい。層３０１はパッケージの接地端子に電気的に結合されてもよい。製造されたパッケージは様々な電子システムに利用され得る。
【００２４】
結合された２つのウェハ間の電気的な結合を提供することは、スクライブ領域に開口を形成して、次に開口を被覆する導電性層を形成することを含み、他の従来技術よりも、２つのウェハ間のより効率的および高信頼性の電気的な結合を提供する。２つのウェハの電気的な結合は、電気的に導電性層により形成されるので、電気導電性特徴に関わらず、ウェハの結合物質１２１は、ウェハの結合物質１２１の結合特性によって選択され得る。
【００２５】
このような実施形態において、ワイヤ結合は２つのウェハ間の接地結合に必要とされない。これにより、通常キャップウェハを接地するワイヤボンドはキャップウェハの上面に形成される点で、最終的なパッケージの総計の高さは低くなる。
【００２６】
さらに、比較的大きな開口の側壁に導電性層を形成することは、キャップウェハ内に比較的小さな開口に貫挿される導電性ビアを形成することと比べて技術的に容易である。また、層３０１は、ダイを囲まれるスクライブ領域の大部分を覆うように構成され、内部デバイス領域はワイヤ結合またはビア形成と同様に必要ではない。さらに、複数のワイヤ結合および導電性ビアは、複数のウェハを電気的に結合するために、キャップウェハ構造の側壁に配置される同量の導電性物質を得ることを必要とする。
【００２７】
他の実施形態において、複数の初期スクライブ開口２０１，２０３はデバイスウェハ１０２の下部により形成されて、キャップウェハ１０５の導電性表面を露出させる。次に、導電性層３０１は、デバイスウェハ１０２の底面上に形成され、開口を広げて、キャップウェハ１０５の露出された導電性表面と接続する。このような実施形態において、デバイスウェハ１０２の底部は研磨されてウェハ結合後の膜厚を薄くさせる。
【００２８】
本発明の一実施形態は、第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合することを含む。この方法は、第１ウェハを第２ウェハに結合すること、第２ウェハのスクライブ領域内における第１ウェハに開口を形成して第２ウェハの導電性構造の表面を露出させること、導電性層が第２ウェハの導電性構造と電気的に接続部を形成するように第１ウェハおよび第１ウェハにおける開口上に導電性層を形成して第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合することを含む。
【００２９】
別の実施形態が、キャップウェハをデバイスウェハに電気的に結合する方法を含む。該方法は、結合物質を用いてキャップウェハをデバイスウェハに結合することを含む。デバイスウェハは、基板を含む。該方法は、デバイスウェハのスクライブ領域に結合物質を形成し、且つキャップウェハに開口を形成して、デバイスウェハの導電性構造の表面を露出させることを含む。キャップウェハおよび結合材料を貫通する開口を形成することは、デバイスウェハのスクライブ領域におけるキャップウェハ及び結合物質を切削することを含む。該方法は、導電性層がデバイスウェハの導電性構造と電気的接続を形成するようにキャップウェハおよびキャップウェハにおける開口上に導電性層を形成して、キャップウェハをデバイスウェハに電気的に結合することを含む。
【００３０】
別の実施形態が、第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合する方法を含む。該方法は、結合物質を用いて第１ウェハを第２ウェハに結合すること、第２ウェハのスクライブ領域に結合物質を形成し、且つ第１ウェハに開口を形成して、第２ウェハの導電性構造の表面を露出させること、および導電性層が第２ウェハの導電性構造と電気的接続部を形成するように第１ウェハ及び第１ウェハにおける開口上に導電性層を形成して、第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合することを含む。該方法は、結合ウェハを複数のダイに分離することを含む。分離することは、第２ウェハの分離経路の物質を除去し、分離経路は第１幅を有する。開口が第２幅を有し、導電性層の少なくとも１つの部分が、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に残るように、第１および第２幅を選択して、第１ウェハと第２ウェハとの間の電気的結合を提供する。
【００３１】
本発明の特定の実施態様を示して説明してきたが、本明細書の教示に基づいて、本発明およびそのより広範な態様から逸脱することなく、さらなる変更および修正がなされ得ることが当業者には認められるであろう。したがって添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲の内にあるそのような変更および修正の全てを、その範囲の内に包含するものである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合する方法であって、
前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合すること、
前記第２ウェハのスクライブ領域における第１ウェハに開口を形成して前記第２ウェハの導電性構造の表面を露出させること、
前記第１ウェハおよび前記第１ウェハの前記開口上に導電性層を形成して、前記導電性層が前記第２ウェハの導電性構造と電気的に結合して前記第１ウェハを前記第２ウェハに電気的に結合することを備える、方法。
【請求項２】
前記第２ウェハが複数のパッドを含み、
前記第１ウェハに前記開口を形成した後に前記第１ウェハに第２開口を形成して前記複数のパッドを露出させることをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１ウェハを貫通する前記開口を形成することは、前記第２ウェハの前記スクライブ領域における前記第１ウェハを切削することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合することは、結合物質を用いて前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合することを含み、
前記開口を形成することは、前記結合物質に開口を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２ウェハが少なくとも１つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２ウェハを切削して、結合された前記第１および前記第２ウェハを複数のダイに分離することをさらに備え、
前記切削することは、スクライブ領域における鋸経路に沿って切削することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
製造された前記第１および前記第２ウェハを複数のダイに分離することをさらに備え、
前記分離することは、前記第２ウェハの分離経路の物質を除去することを含み、
前記分離経路は第１幅を有し、前記開口は第２幅を有し、
前記第１幅および前記第２幅は、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に前記導電性層の少なくとも１つの部分を残して、前記第１ウェハと前記第２ウェハとの間の電気的結合を提供するように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２幅は前記第１幅よりも広い、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
キャップウェハをデバイスウェハに電気的に結合する方法であって、
結合物質を用いて前記キャップウェハを前記デバイスに結合することであって、前記デバイスウェハは基板を含む、前記結合すること、
前記キャップウェハと前記デバイスウェハのスクライブ領域における結合材料とに開口を形成して、前記デバイスウェハの導電性構造の表面を露出させることであって、前記キャップウェハおよび前記結合物質を貫通する開口を形成することは、前記デバイスウェハの前記スクライブ領域における前記キャップウェハおよび前記結合物質を切削することを含む、前記露出させること、
前記キャップウェハおよび前記キャップウェハの前記開口上に導電性層を形成して、前記導電性構造が前記デバイスウェハの導電性構造との電気的接続を形成して前記キャップウェハを前記デバイスウェハに電気的に結合することを備える、方法。
【請求項１０】
前記デバイスウェハは、複数のパッドを含み、
前記キャップウェハに前記開口を形成した後に、前記キャップウェハに第２開口を形成して前記複数のパッドを露出させることをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記デバイスウェハは、少なくとも１つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記デバイスウェハを切削して前記結合されるウェハを複数のダイに分離することをさらに備え、
前記複数のダイの各々が少なくとも１つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記結合されたウェハを複数のダイに分離することをさらに備え、
前記分離することは、前記スクライブ領域における前記デバイスウェハの分離経路の物質を除去することを含み、
前記分離経路は第１幅を有し、前記開口は第２幅を有し、
前記第１幅および前記第２幅は、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に前記導電性層の少なくとも１つの部分を残して、前記キャップウェハと前記デバイスウェハとの間の電気的結合を提供し続けるように選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記結合物質は非導電性である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記非導電性の結合物質は、グラスフリットである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合する方法であって、
結合物質を用いて前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合して、結合されたウェハを形成すること、
前記第１ウェハと前記第２ウェハのスクライブ領域における結合物質とに開口を形成すること、
前記第１ウェハおよび前記第１ウェハにおける前記開口上に導電性層を形成して、前記導電性層が前記第２ウェハの導電性構造との電気的接続を形成して前記第１ウェハを前記第２ウェハに電気的に結合すること、
前記結合されたウェハを複数のダイに分離することを備え、
前記分離することは、前記第２ウェハの分離経路の物質を除去することを含み、
前記分離経路は、第１幅を有し、前記開口は第２幅を有し、
前記第１幅および前記第２幅は、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に前記導電性層の少なくとも１つの部分を残して、前記第１ウェハと前記第２ウェハとの間の電気的結合を提供するように選択される、方法。
【請求項１７】
前記第２ウェハが複数のパッドを含み、
前記第１ウェハにおいて前記開口を形成した後に、前記第１ウェハに第２開口を形成して前記複数のパッドの露出させることをさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のダイの各々が、前記第１ウェハの構造の表面および前記第２ウェハの構造の表面によって画定されるキャビティを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２ウェハが複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記結合物質は非導電性のグラスフリットである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１】
第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合する方法であって、
前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合すること、
前記第２ウェハのスクライブ領域における第１ウェハに開口を形成して前記第２ウェハの導電性構造の表面を露出させること、
前記第１ウェハおよび前記第１ウェハの前記開口上に導電性層を形成して、前記導電性層が前記第２ウェハの導電性構造と電気的に結合して前記第１ウェハを前記第２ウェハに電気的に結合することを備える、方法。
【請求項２】
前記第２ウェハが複数のパッドを含み、
前記第１ウェハに前記開口を形成した後に前記第１ウェハに第２開口を形成して前記複数のパッドを露出させることをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１ウェハを貫通する前記開口を形成することは、前記第２ウェハの前記スクライブ領域における前記第１ウェハを切削することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合することは、結合物質を用いて前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合することを含み、
前記開口を形成することは、前記結合物質に開口を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２ウェハが少なくとも１つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２ウェハを切削して、結合された前記第１および前記第２ウェハを複数のダイに分離することをさらに備え、
前記切削することは、スクライブ領域における鋸経路に沿って切削することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
製造された前記第１および前記第２ウェハを複数のダイに分離することをさらに備え、
前記分離することは、前記第２ウェハの分離経路の物質を除去することを含み、
前記分離経路は第１幅を有し、前記開口は第２幅を有し、
前記第１幅および前記第２幅は、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に前記導電性層の少なくとも１つの部分を残して、前記第１ウェハと前記第２ウェハとの間の電気的結合を提供するように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２幅は前記第１幅よりも広い、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
キャップウェハをデバイスウェハに電気的に結合する方法であって、
結合物質を用いて前記キャップウェハを前記デバイスに結合することであって、前記デバイスウェハは基板を含む、前記結合すること、
前記キャップウェハと前記デバイスウェハのスクライブ領域における結合材料とに開口を形成して、前記デバイスウェハの導電性構造の表面を露出させることであって、前記キャップウェハおよび前記結合物質を貫通する開口を形成することは、前記デバイスウェハの前記スクライブ領域における前記キャップウェハおよび前記結合物質を切削することを含む、前記露出させること、
前記キャップウェハおよび前記キャップウェハの前記開口上に導電性層を形成して、前記導電性構造が前記デバイスウェハの導電性構造との電気的接続を形成して前記キャップウェハを前記デバイスウェハに電気的に結合することを備える、方法。
【請求項１０】
前記デバイスウェハは、複数のパッドを含み、
前記キャップウェハに前記開口を形成した後に、前記キャップウェハに第２開口を形成して前記複数のパッドを露出させることをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記デバイスウェハは、少なくとも１つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記デバイスウェハを切削して前記結合されるウェハを複数のダイに分離することをさらに備え、
前記複数のダイの各々が少なくとも１つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記結合されたウェハを複数のダイに分離することをさらに備え、
前記分離することは、前記スクライブ領域における前記デバイスウェハの分離経路の物質を除去することを含み、
前記分離経路は第１幅を有し、前記開口は第２幅を有し、
前記第１幅および前記第２幅は、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に前記導電性層の少なくとも１つの部分を残して、前記キャップウェハと前記デバイスウェハとの間の電気的結合を提供し続けるように選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記結合物質は非導電性である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記非導電性の結合物質は、グラスフリットである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１ウェハを第２ウェハに電気的に結合する方法であって、
結合物質を用いて前記第１ウェハを前記第２ウェハに結合して、結合されたウェハを形成すること、
前記第１ウェハと前記第２ウェハのスクライブ領域における結合物質とに開口を形成すること、
前記第１ウェハおよび前記第１ウェハにおける前記開口上に導電性層を形成して、前記導電性層が前記第２ウェハの導電性構造との電気的接続を形成して前記第１ウェハを前記第２ウェハに電気的に結合すること、
前記結合されたウェハを複数のダイに分離することを備え、
前記分離することは、前記第２ウェハの分離経路の物質を除去することを含み、
前記分離経路は、第１幅を有し、前記開口は第２幅を有し、
前記第１幅および前記第２幅は、分離されたダイの少なくとも１つの側壁に前記導電性層の少なくとも１つの部分を残して、前記第１ウェハと前記第２ウェハとの間の電気的結合を提供するように選択される、方法。
【請求項１７】
前記第２ウェハが複数のパッドを含み、
前記第１ウェハにおいて前記開口を形成した後に、前記第１ウェハに第２開口を形成して前記複数のパッドの露出させることをさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のダイの各々が、前記第１ウェハの構造の表面および前記第２ウェハの構造の表面によって画定されるキャビティを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２ウェハが複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記結合物質は非導電性のグラスフリットである、請求項１６に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公表番号】特表２０１３−５１３９７１（Ｐ２０１３−５１３９７１Ａ）
【公表日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５４４５５１（Ｐ２０１２−５４４５５１）
【出願日】平成２２年１１月２２日（２０１０．１１．２２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０５７６２４
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０８１７４１
【国際公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【出願人】（５０４１９９１２７）フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド (806)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月２２日（２０１０．１１．２２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０５７６２４
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０８１７４１
【国際公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【出願人】（５０４１９９１２７）フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド (806)
【Ｆターム（参考）】
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