フィルター回路、バンドパス・フィルターおよびフィルター回路の製造方法
【課題】 薄膜層の上下の上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用な、基板上にサポートされた薄膜層を含むフィルター回路を提供する。
【解決手段】 薄膜層の上下に形成した上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用な、基板上にサポートされた薄膜層を含むフィルター回路の上部電極層は、マイクロストリップにパターン化されて、フィルター回路用のインダクターとして機能するように構成されている。
【解決手段】 薄膜層の上下に形成した上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用な、基板上にサポートされた薄膜層を含むフィルター回路の上部電極層は、マイクロストリップにパターン化されて、フィルター回路用のインダクターとして機能するように構成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フィルター回路、バンドパス・フィルターおよびフィルター回路の製造方法に関するものであり、特に、改良されたフィルター回路および実装配置と、コンパクト・バンドパス・フィルター（ＢＰＦ）の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この領域の技術者にとって、バンドパス・フィルター（ＢＰＦ）の配置および製造方法は、高周波と低周波のノイズおよび協調共鳴信号を効果的に取除くことができないため、依然として技術的問題に直面している。さらに、従来の方法は、コンデンサーやインダクターのような異なる回路部品でＢＰＦを組立て、実装するため、形状因子を改良してＢＰＦ回路のサイズを減少させるのには限界がある。近年、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル通信機器がますます大衆的になったため、超小型携帯装置に取付けるより小型化された高ピークおよび低ノイズのＢＰＦの需要が増えてきている。しかし、ＢＰＦに電子装置を組み立てる従来の方法と配置にはこれらの技術的制限があるため、この領域の技術者が需要を満足させるのは依然として困難である。
【０００３】
図１（ａ）を参照すると、従来のＢＰＦはチップインダクター、スパイラルインダクター、チップコンデンサー、およびＭＩＭコンデンサーを使用して、図１（ｂ）に示したＢＰＦを形成する。このようなＢＰＦは広い領域を占有するため、小型化のための柔軟性を大いに制限する。図１（ｃ）に示した従来のＢＰＦ回路は、並列に接続された２つの対称性共鳴器を備える。図１（ｄ）は、バンドパスの波形を示す周波数（Frequency ）特性図である。共鳴器の１つは、通過帯域の中心で共鳴周波数ｆ０を有し、もう１つの共鳴器は、その周波数で信号の送信を取除くために、異なる共鳴周波数を有する。図１各図で示した従来のＢＰＦは、低周波を通る擬似信号と、高周波の共鳴協調ノイズという制限を有する。
【０００４】
特許文献１において、Sasaki et al. の“Bandpass filter, diplexer, high-frequency module and communication device” は、バンドパス・フィルターを開示している。ＢＰＦは、通過帯域の両側に減衰域を形成するために提供される。一端が開放端であり、他端が接地電極に接続した複数のマイクロストリップライン共鳴器が列をなして提供されているとともに、内側のマイクロストリップライン共鳴器はＣ形に曲げられ、外側のマイクロストリップライン共鳴器の開放端は、内側のマイクロストリップライン共鳴器より突出している。マイクロストリップライン共鳴器の開放端間の支線が改良され、そこに容量が形成されるため、Sasaki et al. の発明は、通過帯域の両側に減衰域を形成し、減衰量を増加させることができる。しかしながら、Sasaki et al. の技術は、水平方向に広がったコンデンサーを形成する際に、大きなサイズによって制限される。さらに、この発明で開示されるＢＰＦを実施するには分別された接続が要求されるために、Sasaki et al. のＢＰＦは、外部回路への接続を便利でコンパクトにさせない実装の形状因子によって、制限される。
【０００５】
特許文献２において、Nakamura et al. の“Microstrip line filter combining a low pass filter with a half wave bandpass filter” は、基板においてそれぞれに並列に配置された複数の合成素子を開示している。合成素子は、矩形のマイクロストリップライン素子、入力マイクロストリップライン、および出力マイクロストリップラインを含む。マイクロストリップライン素子は、２つの長辺側および２つの端を有し、入力マイクロストリップラインは、出力マイクロストリップラインが一端における一長辺側に接続している間に、他端における他の長辺側に接続する。合成素子は、ローパス・フィルターを設置するために縦続される。Nakamura et al. の発明は、参考として有効な回路配置を提供しているが、従来の技術により得られるＢＰＦを改良するのに有効なＢＰＦの配置を提供するための特定の解決方法を提供しておらず、この領域の技術者が現在遭遇している制限や困難を克服することができない。
【０００６】
特許文献３において、Lao et al.は、光学、電子、有線または無線通信において使用される高速集積回路のための連続実装を開示している。連続実装は、ＩＣパッドと外部端間の通信信号のためのマイクロストリップを有する基板を含む。一組の差分マイクロストリップは、ＩＣパッド付近でそれぞれに隣接して配置され、容量結合を生成する。このように結合した容量は、マイクロストリップの幅を減少させることができる。ＩＣパッド付近の結合したマイクロストリップの一部は、容量を増やすために広がるため、伝送路全体は、オールパス・ネットワークになって、ＩＣパッドから結合線を通ってマイクロストリップへ通過する。マイクロストリップの残りの部分は、それぞれの外部コネクターに近づくにつれて小さくなる。さらに、多層実装は、基板と、高速信号を実行するために実装の側面に形成された少なくとも１つの同軸外部端と、低速信号を実行するために実装の底部に形成されたＢＧＡコネクターと、高速信号を同軸端に接続するためのマイクロストリップと、低速信号をＢＧＡコネクターに接続するためのマイクロストリップおよび内部同軸コネクターとを含む。実装配置には、実装の信号伝路の隅々まで特性インピーダンスを実質的に一定に維持するという利点がある。しかしながら、マイクロストリップを使用する配置および方法は、コンパクトで高性能なバンドパス・フィルターを生成する困難や制限を解決するための方法を提供していない。
【０００７】
Liang et al.の特許文献４において、ハイブリッド共鳴器マイクロストリップライン・フィルターは基板上に形成され、接地コンダクターおよび基板に配置された複数の線形マイクロストリップを含み、それぞれのマイクロストリップは接地コンダクターに接続した第１端を有する。コンデンサーは線形マイクロストリップと接地コンダクターのそれぞれの第２端の間で接続される。Ｕ字型マイクロストリップは、線形マイクロストリップに並列に配置された第１および第２延伸部を含むＵ字型マイクロストリップとともに、線形マイクロストリップに隣接して配置される。付加的コンデンサーは、Ｕ字型マイクロストリップの第１延伸部の第１端と接地コンダクターとの間、およびＵ字型マイクロストリップの第２延伸部の第１端と接地コンダクターとの間に接続される。付加的なＵ字型マイクロストリップを含む。入力は、線形マイクロストリップの１つあるいはＵ字型マイクロストリップの延伸部の１つに結合され、出力は、もう１つの線形マイクロストリップあるいはもう１つのＵ字型マイクロストリップの延伸部に結合される。コンデンサーは、電圧調整可能な誘電体コンデンサーである。マイクロストリップを異なる形に配置することによる特殊な機能的応用が開示されているが、これらのマイクロストリップ配置が、高ピークで低ノイズな効能を提供する一方で、改良された形状因子を有するコンパクトなバンドパス・フィルターを形成するための解決方法や装置の配置を提供していない。
【０００８】
【特許文献１】米国特許６，３２６，８６６号
【特許文献２】米国特許６，７００，４６２号
【特許文献３】特許公開２００３００９５０１４号
【特許文献４】米国特許２００２０１１８０８１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、バンドパス・フィルターの設計技術および製造において、斬新で改良された装置配置および製造方法を提供して、これらの問題を解決することが必要である。低コストおよび高生産量を達成するために、改良されたＢＰＦ配置と製造方法を単純化することが望ましく、また、この配置と製造方法は、小型化された電極装置に便利に集積することができるインダクターのような低プロフィールによってさらに小型化されたＢＰＦを提供することができる。さらに、単純化された配置および製造方法によって、新しく改良されたＢＰＦおよび製造方法が生産高を増進させることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し、所望の目的を達成するために、この発明は、単純化された製造過程を有するバンドパス・フィルター（ＢＰＦ）の新しい構造配置および製造方法を提供し、高さとサイズがより小さく、装置の信頼性がより高い改良された形状因子を有するＢＰＦを製造することができる。
【００１１】
この発明は、特に、上部電極層と下部電極層との間で薄膜を媒体層として使用することによってフィルター回路を製造するための単純化された方法を提供する。さらに、この発明方法は、上部電極層および下部電極層をマイクロストリップにパターン化して、フィルター回路のような連結機能を有するインダクターおよび連結コンデンサーとして機能させる工程を含む。この発明方法は、さらにバンドパス・フィルターの範囲を超えるまたは下回る高いまたは低い減衰周波を定めることによってフィルター回路を形成する工程を含み、バンドパス・フィルターの実施を大きく改良することができる。単純化された製造方法によって、生産コストおよび生産時間を大幅に減少させ、製品の信頼性を大きく改良する。
【００１２】
以上をまとめると、より好適な実施例において、この発明が提供するバンドパス・フィルターは、基板上にサポートされた薄膜絶縁層の上下に配置された上部電極層および下部電極層を備え、上部電極層および下部電極層は、インダクターおよびコンデンサーとして機能するマイクロストリップを有する。さらに、バンドパス・フィルターは、バンドパス・フィルターのバンドパス周波数範囲外の減衰伝送周波を有する。
【００１３】
この発明が提供するフィルター回路の製造方法は、基板上に媒体層として機能する薄膜層を形成するとともに、薄膜層の上下に上部電極層および下部電極層を形成することによってコンデンサーを形成する工程を含む。この方法はさらに、上部電極層をマイクロストリップにパターンして、フィルター回路用のインダクターとして機能させる工程を含む。
【００１４】
この発明の上記およびその他の目的、特徴および長所を明確に理解してもらうため、以下により好適な実施例ならびに図面を示し、詳細を説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図２（ａ）は、バンドパス・フィルター１００の回路図である。図２（ｂ），（ｃ）は、この発明の基板１０５で支えられるマイクロストリップの実施の形態を図示する平面図である。図２（ｂ），図２（ｃ）で示したマイクロストリップまたはその配置によって、半集中配布回路として実施される。マイクロストリップ１２０は、直列に接続したコンデンサー１１５とともに、入力ライン１１０に直列に接続され、高周波共鳴器ｆＨ を生成する。マイクロストリップ１２０は、コンデンサー１２５に並列に接続され、伝送周波数ｆ０で共鳴周波数を生成する。マイクロストリップ１２０は、マイクロストリップ１３０と結合して、もう一つのコンデンサー１４０と並列に結合し、外部のフィードバック・コンデンサー１５０と連結して、低周波ｆＬ で低周波共鳴器を生成する。ＢＰＦ１００は、低周波抑制ＢＰＦとして配列され、抑制された低周波と減少した低周波ノイズを有するバンドパス信号を送信する。
【００１６】
図２（ｄ）〜図２（ｍ）は、図２（ａ）、図２（ｂ）および図２（ｃ）で示したＢＰＦの製造方法を示した一連の断面図および斜視図である。図２（ｄ）において、厚さが４〜１５ミクロンの銅、銀、金の層である金属層１６０は、接地金属層としてセラミック基板１０５の後ろに配置される。セラミック基板１０５は、０．３〜１ミリメーターまでの厚さを有する酸化アルミニウム基板であるのが望ましい。薄膜絶縁層として形成されたガラス層１６５は、セラミック基板の上部に印刷される。３〜１５ミクロメーターの厚さを有する銅、銀、または金から構成される下部電極層１７０は、薄膜絶縁層１６５の上部に形成される。図２（ｅ）において、接地層１６０および下部電極層１７０を作るために適用されたフォトレジストマスク１７５を示す。パターンされた下部電極層は、ＢＰＦにおけるコンデンサーの下部電極として機能する。図２（ｆ）において、０．０１〜０．５ミクロメーターまでの厚さを有する粘着層は、下部電極層１７０の上部に形成される。図２（ｇ）において、窒化ケイ素から成る薄膜誘電層１８５は、粘着層１８０の上部に形成される。誘電層１８５は、上部と底部電極との間のコンデンサーの媒体層である。図２（ｈ）は、誘電層１８５の上部における上部電極層１９０の堆積を示す。銅、銀または金から構成される上部電極層１９０は、４〜１５ミクロメーターの厚さを有する。上部電極層１９０はパターン化され、図２（ｂ），図２（ｃ）に示したコンデンサーおよびインダクターの上部電極を形成する。連結コンデンサーおよびフィードバック・コンデンサーの底部電極は、薄膜誘電層を通って、バイアコネクションによって接続される。図２（ｉ）において、保護膜１９５は、バンドパス・フィルターの上部および底部をカバーするように形成される。図２（ｊ）において、スティック・ブレーク動作を行って、ウェファーを複数のスティックに分割する。図２（ｋ）において、金属面を利用して伝導層１９６をスパッタリングした後、図２（ｌ）に示すように、分割動作を行って、スティックを複数のチップ１９７に分割する。そしてバレル鍍金を行い、図２（ｍ）に示すようにそれぞれのチップに信号入力および信号出力コネクションを形成させる。
【００１７】
図３（ａ）は、この発明のもう一つのバンドパス・フィルター２００を示す回路図である。図３（ｂ）は、基板２０５にサポートされたマイクロストリップの実施の形態の平面図であり、このＢＰＦは、マイクロストリップラインによって半集中配布回路として実施される。マイクロストリップ２２０は、直列に接続したコンデンサー２１５とともに、入力ライン２１０に直列に接続される。第２マイクロストリップ２２５は、マイクロストリップ２２０に直列に接続され、高周波共鳴器ｆＨ を生成する。マイクロストリップ２２０および２２５は、コンデンサー２２８に並列に結合し、伝送周波数ｆ０で共鳴周波数を生成する。マイクロストリップ２２０および２２５は、並列に接続したもう一つのコンデンサー２４０を有する一組のマイクロストリップ２３０および２３５と結合し、これらと外部のフィードバック・コンデンサー２５０とを結合して、低周波ｆＬ で低周波共鳴器を生成する。さらに、一組の連結したマイクロストリップ２３０および２３５と結合したマイクロストリップ２２０および２２５は、下記に述べるように、低周波ｆＬ で低周波共鳴器をさらに生成するフィードバック・コンデンサーと結合した並列共鳴器を生成する。ＢＰＦ２００は、低周波抑制ＢＰＦとして配列され、抑制された低周波と減少した低周波ノイズを有するバンドパス信号を送信する。
【００１８】
図４（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター３００を示す回路図であり、コンデンサー３１０は、ＢＰＦの入力端に接続される。図４（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。図示した低周波ノイズ３１０’ は、従来のＢＰＦ信号の伝送より減衰している。
【００１９】
図５（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター３５０を示す回路図であり、インダクター３６０は、ＢＰＦの出力端に接続される。図５（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。図示した高周波ノイズ３６０’ は、従来のＢＰＦ信号の伝送より減衰している。
【００２０】
図６（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター４００を示す回路図であり、コンデンサー４１０−１は、共鳴器４０５−１とＢＰＦの接地端との間に接続され、ＢＰＦにゼロ伝送ポイントを追加する。また、コンデンサー４１０−２は、共鳴器４０５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。並列に接続された２つの共鳴器４０５−１および４０５−２は、低周波信号用の共鳴周波数ｆ０を有するため、これら２つの共鳴器は、インダクターの等価電気機能を有する。したがって、低周波信号に対して、追加されたコンデンサー４１０−１は、２つの共鳴器４０５−１および４０５−２によって提供された等価インダクターとともに動作することができ、低周波ゼロ伝送ポイントｆＬ で共鳴する。図６（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。図示したように、低周波ノイズ４６０’ は、従来のＢＰＦ信号伝送より減衰している。
【００２１】
図７（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター４５０を示す回路図であり、インダクター４６０−１は、共鳴器４５５−１と接地端との間に接続される。また、インダクター４６０−２は、共鳴器４５５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。並列に接続された２つの共鳴器４５５−１および４５５−２は、低周波信号用の共鳴周波数ｆ０を有するため、これら２つの共鳴器は、コンデンサーの等価電気機能を有する。したがって、低周波信号に対して、追加されたインダクター４６０−１は、２つの共鳴器４１０−１および４１０−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、低周波ゼロ伝送ポイントｆＨ で共鳴する。図７（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。インダクター４６０−１のインダクタンスを正確に選択することによって、例えば２回の共鳴周波２＊Ｆ０の第２協調周波である高周波ノイズ４６０’は、図７（ｂ）に明確に示したように、従来のＢＰＦ信号伝送より減衰している。
【００２２】
図８（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター５００を示す回路図であり、インダクター５１０−１は、共鳴器５０５−１と接地端との間に接続される。また、インダクター５１０−２は、共鳴器５０５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。インダクター５１０−１および５１０−２は、非対称である。並列に接続された２つの共鳴器５０５−１および５０５−２は、高周波信号用の共鳴周波数ｆ０を有するため、これら２つの共鳴器は、コンデンサーの等価電気機能を有する。したがって、高周波信号に対して、追加されたインダクター５１０−１は、２つの共鳴器５０５−１および５０５−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、第２協調周波である第１高周波ゼロ伝送ポイントｆＨ１で共鳴する。高周波信号に対して、追加されたインダクター５１０−２は、２つの共鳴器５０５−１および５０５−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、第３協調周波である第２高周波ゼロ伝送ポイントｆＨ２で共鳴する。図８（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。インダクター５１０−１および５１０−２のインダクタンスを正確に選択することによって、例えば２回の共鳴周波２＊Ｆ０の第２協調周波である高周波ノイズ５１０-１’ 、および、例えば３回の共鳴周波３＊Ｆ０の第３協調周波である高周波ノイズ５１０-２’ は、図８（ｂ）に明確に示したように、従来のＢＰＦ信号伝送より減衰している。
【００２３】
図９（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター５５０を示す回路図であり、インダクター５６０−１は、共鳴器５５５−１と接地端との間に接続される。また、コンデンサー５６０−２は、共鳴器５５５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。並列に接続された２つの共鳴器５５５−１および５５５−２は、高周波信号用の共鳴周波数ｆ０を有するため、これら２つの共鳴器は、コンデンサーの等価電気機能を有する。したがって、高周波信号に対して、追加されたインダクター５６０−１は、２つの共鳴器５５５−１および５５５−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、第２協調周波である高周波ゼロ伝送ポイントｆＨ で共鳴する。低周波信号に対して、追加されたコンデンサー５６０−２は、２つの共鳴器５５５−１および５５５−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、低周波ゼロ伝送ポイントｆＬ で共鳴する。図９（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。インダクター５６０−１のインダクタンスを正確に選択することによって、例えば２回の共鳴周波数２＊Ｆ０の第２協調周波である高周波ノイズ５１０−１’は、５６０−１’に示したように、また、低周波ノイズは、５６０−２’に示したように、図９（ｂ）に明確に示したように、従来のＢＰＦ信号伝送より減衰している。
【００２４】
図１０（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター６００を示す回路図であり、基本的には図８（ａ）に示したＢＰＦ５００の回路と同じである。インダクター６１０−１は、共鳴器６０５−１と接地端との間に接続される。また、インダクター６１０−２は、共鳴器６０５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。インダクター６０１−１および６０１−２は、非対称的である。追加されたインダクター６０１−１および６０１−２は、上記において、図１０（ｂ）の５６０−１’および５６０−２’で示したように、第２および第３協調共鳴周波で２つのゼロ伝送ポイントを生成する。連結したフィードバック・コンデンサー６２０は、入力端と出力端との間で接続され、図１０（ｂ）の６２０’で示したように、周波数ｆＬ で低周波ゼロ伝送ポイントを生成する。
【００２５】
図１１（ａ）は、この発明の対照的な共鳴器として配置されたバンドパス・フィルター６５０を示す回路図であり、第１の連続的に接続された一組の共鳴器６６０−１および６６０−２は、それぞれコンデンサーおよびインダクターを含み、図１１（ｂ）のｆＬ に示したように、低周波６６０’ でゼロ伝送ポイントを生成する。第２の連続的に接続された一組の共鳴器６７０−１および６７０−２は、それぞれコンデンサーおよびインダクターを含み、図１１（ｂ）のｆＨ に示したように、高周波６７０’でゼロ伝送ポイントを生成する。
【００２６】
図１２（ａ）は、５つの非対称的共鳴器を含む結合共鳴器で構成されたこの発明のバンドパス・フィルター７００を示す回路図である。第１の並列に接続された非対称的共鳴器７１０および７２０において、共鳴器７１０は、第１低周波ｆＬ１でゼロの伝送共鳴周波数を有し、共鳴器７２０は、第１高周波ｆＨ１でゼロの伝送共鳴周波数を有する。第１の一組の共鳴器７１０および７２０はさらに、伝送共鳴周波数ｆ０によって第１結合共鳴器７２５として機能する。並列に接続された第２の一組の非対称的共鳴器７３０および７４０において、共鳴器７３０は、第２低周波ｆＬ２でゼロの伝送共鳴周波数を有し、共鳴器７４０は、第２高周波ｆＨ２でゼロの伝送共鳴周波数を有する。第２の一組の共鳴器７３０および７４０はさらに、伝送共鳴周波数ｆ０によって第２結合共鳴器７４５として機能する。第１結合共鳴器７２５は、連続的相互接続共鳴器７５０を経由して、第３ゼロ伝送周波ｆＬ３によって第２結合共鳴器７４５に接続される。図１２（ｂ）は、対応するゼロ伝送周波７１０’、７２０’、７３０’、７４０’および７５０’で減衰信号をもった５つのゼロ伝送周波数を有するＢＰＦの波形を示す。バンドパス信号f０は、従来のＢＰＦと比較すると、このＢＰＦ７００を通って、高周波および低周波で減少したノイズにより伝送される。
【００２７】
上述のバンドパス・フィルターは、図２（ａ）〜（ｍ）および図３（ａ）〜（ｃ）に示したマイクロストリップの使用により実施される。図２（ａ）において、コンデンサー１２５および１５０は、図１３に示したように、それぞれ２つのマイクロストリップ１２５’および１５０’と置換される。マイクロストリップ１２５’および１５０’の長さを調整して、低ゼロ伝送共鳴周波ｆＬ および高ゼロ伝送共鳴周波ｆＨ を生成し、設計されたＢＰＦの伝送バンド外部の低信号伝送および高信号伝送を減少させる。
【００２８】
図１４において、一組のフィードバック・コンデンサー１６０および１７０は、結合マイクロストリップ１２０および１３０とともに作動する共鳴器に接続され、ゼロ伝送共鳴器低周波ｆＬ を生成し、さらに設計されたＢＰＦの伝送バンド外部の低信号伝送を減少させる。
【００２９】
また、図３（ａ）に示したように、マイクロストリップを利用して、コンデンサー２４０をインダクターとして機能するマイクロストリップ２４０’と置換することにより、ＢＰＦ２００を修正することができる。マイクロストリップの長さを調整することによって、連結しているマイクロストリップ間に形成されたコンデンサーと結合したマイクロストリップは、高共鳴周波または低共鳴周波のｆＨ またはｆＬ のどちらかでゼロ伝送周波数をもつ結合共鳴器を有する共鳴器として機能し、設計されたＢＰＦの伝送バンド外部の高信号伝送または低信号伝送を減少させる。
【００３０】
図１６は、図３（ａ）で示したＢＰＦ２００の変形例としてＢＰＦ２００’を示し、２つのマイクロストリップ２２５−１’と２２５−２’および２３５−１’と２３５−２’を形成して、図３（ａ）に示したＢＰＦ２００の２２５および２３５とそれぞれ置換する。形成された共鳴器は、第２および第３強調共鳴周波で共鳴されるように設計され、第２および第３強調高周波ノイズを減少させる。さらに、結合したインダクターは、フィードバック・コンデンサー２４０とともに作動し、さらに低周波ｆＬ によって共鳴器として機能して、低周波ノイズを減少させる。
【００３１】
図１７は、図３（ａ）および図１６で示したＢＰＦ２００’’の変形例としてＢＰＦ２００’’’を示しており、２つのマイクロストリップ２２５−１’と２２５−２’および２３５−１’と２３５−２’を形成して、図３（ａ）に示したＢＰＦ２００の２２５および２３５とそれぞれ置換する。さらに、２つのマイクロストリップは、並列したコンデンサー２２８および２５０にそれぞれ連続して接続される。マイクロストリップをインダクターとして機能させ、共鳴器としてコンデンサーと作動することによって、もう一つのゼロ伝送低周波ｆＬ１を生成して、低周波ノイズをさらに減少させる。
【００３２】
図２（ａ）〜図１７および上述した説明に基づき、この発明が提供するフィルター回路は、基板上にサポートされた薄膜層を含み、この薄膜層は、薄膜層の上下に形成された上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として役に立つ。上部電極層は、マイクロストリップにパターンされ、フィルター回路用のインダクターとして機能する。
【００３３】
この発明が提供するフィルター回路の製造方法は、さらに、基板上に媒体層として機能する薄膜層を形成するとともに、薄膜層の上下に上部電極層および下部電極層を形成することによってコンデンサーを形成する工程を含む。
【００３４】
この発明が提供するＢＰＦは、本質的に、基板上にサポートされた薄膜層の上下に配置された上部電極層および下部電極層を含み、マイクロストリップを有する上部および下部電極層をインダクターおよびコンデンサーとして機能させる。さらに、バンドパス・フィルターは、バンドパス・フィルターのバンドパス周波数範囲外の減衰伝送周波を含む。
【００３５】
以上のごとく、この発明を好適な実施例により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１（ａ）は、従来のバンドパス・フィルターの平面図であり、図１（ｂ）は、従来のＢＰＦの回路図であり、図１（ｃ）および（ｄ）は、従来のバンドパス・フィルターの回路図および各通過帯域の波形である。
【図２（ａ）】この発明のＢＰＦの等価回路図である。
【図２（ｂ）】図２（ａ）のＢＰＦを形成するマイクロストリップの実施の形態を示す平面図である。
【図２（ｃ）】図２（ａ）のＢＰＦを形成するマイクロストリップの実施の形態を示す平面図である。
【図２（ｄ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｅ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｆ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｇ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｈ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｉ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｊ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｋ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｌ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｍ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図３】図３（ａ）は、この発明のＢＰＦのもう１つの実施例における等価回路図であり、図３（ｂ）および図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢＰＦを形成するマイクロストリップの実施の形態を示す平面図および底面図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、この発明のＢＰＦの回路図および波形である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図９】図９（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図１０】図１０（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図１１】図１１（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図１２】図１２（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図１３】図１３は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【図１４】図１４は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【図１５】図１５は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【図１６】図１６は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【図１７】図１７は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００，２００，２００’，２００’’，２００’’’，３００，３５０，４００，４５０，５００，５５０，６００，６５０，７００ バンドパス・フィルター
１０５，２０５ 基板
１１０，２１０ 入力ライン
１１５，１２５，１４０，１５０，１６０，１７０，２１５，２２８，２４０，２５０，３１０，４１０−１，４１０−２，５６０−２，６２０ コンデンサー
１２０，１２５’，１３０，１５０’，２２０，２２５，２２５−１’，２２５−２’，２３０，２３５，２３５−１’，２３５−２’，２４０’ マイクロストリップ
１６０ 金属層（接地金属層）
１６５ ガラス層（薄膜絶縁層）
１７０ 下部電極層
１７５ フォトレジストマスク
１８０ 粘着層
１８５ 薄膜誘電層
１９０ 上部電極層
１９５ 保護膜
１９６ 伝導層
１９７ チップ
３１０’，４１０’ 低周波ノイズ
３６０，４６０−１，４６０−２，５１０−１，５１０−２，５６０−１，６１０−１，６１０−２ インダクター
３６０’，４６０’，５１０−１’，５１０−２’ 高周波ノイズ
４０５−１，４０５−２，４５５−１，４５５−２，５０５−１，５０５−２，，５５５−１，５５５−２，６０５−１，６０５−２，６６０−１，６６０-２，６７０−１，６７０−２，７１０，７２０，７３０，７４０，７５０ 共鳴器
６６０’ 低周波
６７０’ 高周波
７２５ 第１結合共鳴器
７４５ 第２結合共鳴器
７１０’，７２０’，７３０’，７４０’，７５０’ ゼロ伝送周波数
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フィルター回路、バンドパス・フィルターおよびフィルター回路の製造方法に関するものであり、特に、改良されたフィルター回路および実装配置と、コンパクト・バンドパス・フィルター（ＢＰＦ）の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この領域の技術者にとって、バンドパス・フィルター（ＢＰＦ）の配置および製造方法は、高周波と低周波のノイズおよび協調共鳴信号を効果的に取除くことができないため、依然として技術的問題に直面している。さらに、従来の方法は、コンデンサーやインダクターのような異なる回路部品でＢＰＦを組立て、実装するため、形状因子を改良してＢＰＦ回路のサイズを減少させるのには限界がある。近年、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル通信機器がますます大衆的になったため、超小型携帯装置に取付けるより小型化された高ピークおよび低ノイズのＢＰＦの需要が増えてきている。しかし、ＢＰＦに電子装置を組み立てる従来の方法と配置にはこれらの技術的制限があるため、この領域の技術者が需要を満足させるのは依然として困難である。
【０００３】
図１（ａ）を参照すると、従来のＢＰＦはチップインダクター、スパイラルインダクター、チップコンデンサー、およびＭＩＭコンデンサーを使用して、図１（ｂ）に示したＢＰＦを形成する。このようなＢＰＦは広い領域を占有するため、小型化のための柔軟性を大いに制限する。図１（ｃ）に示した従来のＢＰＦ回路は、並列に接続された２つの対称性共鳴器を備える。図１（ｄ）は、バンドパスの波形を示す周波数（Frequency ）特性図である。共鳴器の１つは、通過帯域の中心で共鳴周波数ｆ０を有し、もう１つの共鳴器は、その周波数で信号の送信を取除くために、異なる共鳴周波数を有する。図１各図で示した従来のＢＰＦは、低周波を通る擬似信号と、高周波の共鳴協調ノイズという制限を有する。
【０００４】
特許文献１において、Sasaki et al. の“Bandpass filter, diplexer, high-frequency module and communication device” は、バンドパス・フィルターを開示している。ＢＰＦは、通過帯域の両側に減衰域を形成するために提供される。一端が開放端であり、他端が接地電極に接続した複数のマイクロストリップライン共鳴器が列をなして提供されているとともに、内側のマイクロストリップライン共鳴器はＣ形に曲げられ、外側のマイクロストリップライン共鳴器の開放端は、内側のマイクロストリップライン共鳴器より突出している。マイクロストリップライン共鳴器の開放端間の支線が改良され、そこに容量が形成されるため、Sasaki et al. の発明は、通過帯域の両側に減衰域を形成し、減衰量を増加させることができる。しかしながら、Sasaki et al. の技術は、水平方向に広がったコンデンサーを形成する際に、大きなサイズによって制限される。さらに、この発明で開示されるＢＰＦを実施するには分別された接続が要求されるために、Sasaki et al. のＢＰＦは、外部回路への接続を便利でコンパクトにさせない実装の形状因子によって、制限される。
【０００５】
特許文献２において、Nakamura et al. の“Microstrip line filter combining a low pass filter with a half wave bandpass filter” は、基板においてそれぞれに並列に配置された複数の合成素子を開示している。合成素子は、矩形のマイクロストリップライン素子、入力マイクロストリップライン、および出力マイクロストリップラインを含む。マイクロストリップライン素子は、２つの長辺側および２つの端を有し、入力マイクロストリップラインは、出力マイクロストリップラインが一端における一長辺側に接続している間に、他端における他の長辺側に接続する。合成素子は、ローパス・フィルターを設置するために縦続される。Nakamura et al. の発明は、参考として有効な回路配置を提供しているが、従来の技術により得られるＢＰＦを改良するのに有効なＢＰＦの配置を提供するための特定の解決方法を提供しておらず、この領域の技術者が現在遭遇している制限や困難を克服することができない。
【０００６】
特許文献３において、Lao et al.は、光学、電子、有線または無線通信において使用される高速集積回路のための連続実装を開示している。連続実装は、ＩＣパッドと外部端間の通信信号のためのマイクロストリップを有する基板を含む。一組の差分マイクロストリップは、ＩＣパッド付近でそれぞれに隣接して配置され、容量結合を生成する。このように結合した容量は、マイクロストリップの幅を減少させることができる。ＩＣパッド付近の結合したマイクロストリップの一部は、容量を増やすために広がるため、伝送路全体は、オールパス・ネットワークになって、ＩＣパッドから結合線を通ってマイクロストリップへ通過する。マイクロストリップの残りの部分は、それぞれの外部コネクターに近づくにつれて小さくなる。さらに、多層実装は、基板と、高速信号を実行するために実装の側面に形成された少なくとも１つの同軸外部端と、低速信号を実行するために実装の底部に形成されたＢＧＡコネクターと、高速信号を同軸端に接続するためのマイクロストリップと、低速信号をＢＧＡコネクターに接続するためのマイクロストリップおよび内部同軸コネクターとを含む。実装配置には、実装の信号伝路の隅々まで特性インピーダンスを実質的に一定に維持するという利点がある。しかしながら、マイクロストリップを使用する配置および方法は、コンパクトで高性能なバンドパス・フィルターを生成する困難や制限を解決するための方法を提供していない。
【０００７】
Liang et al.の特許文献４において、ハイブリッド共鳴器マイクロストリップライン・フィルターは基板上に形成され、接地コンダクターおよび基板に配置された複数の線形マイクロストリップを含み、それぞれのマイクロストリップは接地コンダクターに接続した第１端を有する。コンデンサーは線形マイクロストリップと接地コンダクターのそれぞれの第２端の間で接続される。Ｕ字型マイクロストリップは、線形マイクロストリップに並列に配置された第１および第２延伸部を含むＵ字型マイクロストリップとともに、線形マイクロストリップに隣接して配置される。付加的コンデンサーは、Ｕ字型マイクロストリップの第１延伸部の第１端と接地コンダクターとの間、およびＵ字型マイクロストリップの第２延伸部の第１端と接地コンダクターとの間に接続される。付加的なＵ字型マイクロストリップを含む。入力は、線形マイクロストリップの１つあるいはＵ字型マイクロストリップの延伸部の１つに結合され、出力は、もう１つの線形マイクロストリップあるいはもう１つのＵ字型マイクロストリップの延伸部に結合される。コンデンサーは、電圧調整可能な誘電体コンデンサーである。マイクロストリップを異なる形に配置することによる特殊な機能的応用が開示されているが、これらのマイクロストリップ配置が、高ピークで低ノイズな効能を提供する一方で、改良された形状因子を有するコンパクトなバンドパス・フィルターを形成するための解決方法や装置の配置を提供していない。
【０００８】
【特許文献１】米国特許６，３２６，８６６号
【特許文献２】米国特許６，７００，４６２号
【特許文献３】特許公開２００３００９５０１４号
【特許文献４】米国特許２００２０１１８０８１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、バンドパス・フィルターの設計技術および製造において、斬新で改良された装置配置および製造方法を提供して、これらの問題を解決することが必要である。低コストおよび高生産量を達成するために、改良されたＢＰＦ配置と製造方法を単純化することが望ましく、また、この配置と製造方法は、小型化された電極装置に便利に集積することができるインダクターのような低プロフィールによってさらに小型化されたＢＰＦを提供することができる。さらに、単純化された配置および製造方法によって、新しく改良されたＢＰＦおよび製造方法が生産高を増進させることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し、所望の目的を達成するために、この発明は、単純化された製造過程を有するバンドパス・フィルター（ＢＰＦ）の新しい構造配置および製造方法を提供し、高さとサイズがより小さく、装置の信頼性がより高い改良された形状因子を有するＢＰＦを製造することができる。
【００１１】
この発明は、特に、上部電極層と下部電極層との間で薄膜を媒体層として使用することによってフィルター回路を製造するための単純化された方法を提供する。さらに、この発明方法は、上部電極層および下部電極層をマイクロストリップにパターン化して、フィルター回路のような連結機能を有するインダクターおよび連結コンデンサーとして機能させる工程を含む。この発明方法は、さらにバンドパス・フィルターの範囲を超えるまたは下回る高いまたは低い減衰周波を定めることによってフィルター回路を形成する工程を含み、バンドパス・フィルターの実施を大きく改良することができる。単純化された製造方法によって、生産コストおよび生産時間を大幅に減少させ、製品の信頼性を大きく改良する。
【００１２】
以上をまとめると、より好適な実施例において、この発明が提供するバンドパス・フィルターは、基板上にサポートされた薄膜絶縁層の上下に配置された上部電極層および下部電極層を備え、上部電極層および下部電極層は、インダクターおよびコンデンサーとして機能するマイクロストリップを有する。さらに、バンドパス・フィルターは、バンドパス・フィルターのバンドパス周波数範囲外の減衰伝送周波を有する。
【００１３】
この発明が提供するフィルター回路の製造方法は、基板上に媒体層として機能する薄膜層を形成するとともに、薄膜層の上下に上部電極層および下部電極層を形成することによってコンデンサーを形成する工程を含む。この方法はさらに、上部電極層をマイクロストリップにパターンして、フィルター回路用のインダクターとして機能させる工程を含む。
【００１４】
この発明の上記およびその他の目的、特徴および長所を明確に理解してもらうため、以下により好適な実施例ならびに図面を示し、詳細を説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図２（ａ）は、バンドパス・フィルター１００の回路図である。図２（ｂ），（ｃ）は、この発明の基板１０５で支えられるマイクロストリップの実施の形態を図示する平面図である。図２（ｂ），図２（ｃ）で示したマイクロストリップまたはその配置によって、半集中配布回路として実施される。マイクロストリップ１２０は、直列に接続したコンデンサー１１５とともに、入力ライン１１０に直列に接続され、高周波共鳴器ｆＨ を生成する。マイクロストリップ１２０は、コンデンサー１２５に並列に接続され、伝送周波数ｆ０で共鳴周波数を生成する。マイクロストリップ１２０は、マイクロストリップ１３０と結合して、もう一つのコンデンサー１４０と並列に結合し、外部のフィードバック・コンデンサー１５０と連結して、低周波ｆＬ で低周波共鳴器を生成する。ＢＰＦ１００は、低周波抑制ＢＰＦとして配列され、抑制された低周波と減少した低周波ノイズを有するバンドパス信号を送信する。
【００１６】
図２（ｄ）〜図２（ｍ）は、図２（ａ）、図２（ｂ）および図２（ｃ）で示したＢＰＦの製造方法を示した一連の断面図および斜視図である。図２（ｄ）において、厚さが４〜１５ミクロンの銅、銀、金の層である金属層１６０は、接地金属層としてセラミック基板１０５の後ろに配置される。セラミック基板１０５は、０．３〜１ミリメーターまでの厚さを有する酸化アルミニウム基板であるのが望ましい。薄膜絶縁層として形成されたガラス層１６５は、セラミック基板の上部に印刷される。３〜１５ミクロメーターの厚さを有する銅、銀、または金から構成される下部電極層１７０は、薄膜絶縁層１６５の上部に形成される。図２（ｅ）において、接地層１６０および下部電極層１７０を作るために適用されたフォトレジストマスク１７５を示す。パターンされた下部電極層は、ＢＰＦにおけるコンデンサーの下部電極として機能する。図２（ｆ）において、０．０１〜０．５ミクロメーターまでの厚さを有する粘着層は、下部電極層１７０の上部に形成される。図２（ｇ）において、窒化ケイ素から成る薄膜誘電層１８５は、粘着層１８０の上部に形成される。誘電層１８５は、上部と底部電極との間のコンデンサーの媒体層である。図２（ｈ）は、誘電層１８５の上部における上部電極層１９０の堆積を示す。銅、銀または金から構成される上部電極層１９０は、４〜１５ミクロメーターの厚さを有する。上部電極層１９０はパターン化され、図２（ｂ），図２（ｃ）に示したコンデンサーおよびインダクターの上部電極を形成する。連結コンデンサーおよびフィードバック・コンデンサーの底部電極は、薄膜誘電層を通って、バイアコネクションによって接続される。図２（ｉ）において、保護膜１９５は、バンドパス・フィルターの上部および底部をカバーするように形成される。図２（ｊ）において、スティック・ブレーク動作を行って、ウェファーを複数のスティックに分割する。図２（ｋ）において、金属面を利用して伝導層１９６をスパッタリングした後、図２（ｌ）に示すように、分割動作を行って、スティックを複数のチップ１９７に分割する。そしてバレル鍍金を行い、図２（ｍ）に示すようにそれぞれのチップに信号入力および信号出力コネクションを形成させる。
【００１７】
図３（ａ）は、この発明のもう一つのバンドパス・フィルター２００を示す回路図である。図３（ｂ）は、基板２０５にサポートされたマイクロストリップの実施の形態の平面図であり、このＢＰＦは、マイクロストリップラインによって半集中配布回路として実施される。マイクロストリップ２２０は、直列に接続したコンデンサー２１５とともに、入力ライン２１０に直列に接続される。第２マイクロストリップ２２５は、マイクロストリップ２２０に直列に接続され、高周波共鳴器ｆＨ を生成する。マイクロストリップ２２０および２２５は、コンデンサー２２８に並列に結合し、伝送周波数ｆ０で共鳴周波数を生成する。マイクロストリップ２２０および２２５は、並列に接続したもう一つのコンデンサー２４０を有する一組のマイクロストリップ２３０および２３５と結合し、これらと外部のフィードバック・コンデンサー２５０とを結合して、低周波ｆＬ で低周波共鳴器を生成する。さらに、一組の連結したマイクロストリップ２３０および２３５と結合したマイクロストリップ２２０および２２５は、下記に述べるように、低周波ｆＬ で低周波共鳴器をさらに生成するフィードバック・コンデンサーと結合した並列共鳴器を生成する。ＢＰＦ２００は、低周波抑制ＢＰＦとして配列され、抑制された低周波と減少した低周波ノイズを有するバンドパス信号を送信する。
【００１８】
図４（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター３００を示す回路図であり、コンデンサー３１０は、ＢＰＦの入力端に接続される。図４（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。図示した低周波ノイズ３１０’ は、従来のＢＰＦ信号の伝送より減衰している。
【００１９】
図５（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター３５０を示す回路図であり、インダクター３６０は、ＢＰＦの出力端に接続される。図５（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。図示した高周波ノイズ３６０’ は、従来のＢＰＦ信号の伝送より減衰している。
【００２０】
図６（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター４００を示す回路図であり、コンデンサー４１０−１は、共鳴器４０５−１とＢＰＦの接地端との間に接続され、ＢＰＦにゼロ伝送ポイントを追加する。また、コンデンサー４１０−２は、共鳴器４０５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。並列に接続された２つの共鳴器４０５−１および４０５−２は、低周波信号用の共鳴周波数ｆ０を有するため、これら２つの共鳴器は、インダクターの等価電気機能を有する。したがって、低周波信号に対して、追加されたコンデンサー４１０−１は、２つの共鳴器４０５−１および４０５−２によって提供された等価インダクターとともに動作することができ、低周波ゼロ伝送ポイントｆＬ で共鳴する。図６（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。図示したように、低周波ノイズ４６０’ は、従来のＢＰＦ信号伝送より減衰している。
【００２１】
図７（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター４５０を示す回路図であり、インダクター４６０−１は、共鳴器４５５−１と接地端との間に接続される。また、インダクター４６０−２は、共鳴器４５５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。並列に接続された２つの共鳴器４５５−１および４５５−２は、低周波信号用の共鳴周波数ｆ０を有するため、これら２つの共鳴器は、コンデンサーの等価電気機能を有する。したがって、低周波信号に対して、追加されたインダクター４６０−１は、２つの共鳴器４１０−１および４１０−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、低周波ゼロ伝送ポイントｆＨ で共鳴する。図７（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。インダクター４６０−１のインダクタンスを正確に選択することによって、例えば２回の共鳴周波２＊Ｆ０の第２協調周波である高周波ノイズ４６０’は、図７（ｂ）に明確に示したように、従来のＢＰＦ信号伝送より減衰している。
【００２２】
図８（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター５００を示す回路図であり、インダクター５１０−１は、共鳴器５０５−１と接地端との間に接続される。また、インダクター５１０−２は、共鳴器５０５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。インダクター５１０−１および５１０−２は、非対称である。並列に接続された２つの共鳴器５０５−１および５０５−２は、高周波信号用の共鳴周波数ｆ０を有するため、これら２つの共鳴器は、コンデンサーの等価電気機能を有する。したがって、高周波信号に対して、追加されたインダクター５１０−１は、２つの共鳴器５０５−１および５０５−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、第２協調周波である第１高周波ゼロ伝送ポイントｆＨ１で共鳴する。高周波信号に対して、追加されたインダクター５１０−２は、２つの共鳴器５０５−１および５０５−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、第３協調周波である第２高周波ゼロ伝送ポイントｆＨ２で共鳴する。図８（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。インダクター５１０−１および５１０−２のインダクタンスを正確に選択することによって、例えば２回の共鳴周波２＊Ｆ０の第２協調周波である高周波ノイズ５１０-１’ 、および、例えば３回の共鳴周波３＊Ｆ０の第３協調周波である高周波ノイズ５１０-２’ は、図８（ｂ）に明確に示したように、従来のＢＰＦ信号伝送より減衰している。
【００２３】
図９（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター５５０を示す回路図であり、インダクター５６０−１は、共鳴器５５５−１と接地端との間に接続される。また、コンデンサー５６０−２は、共鳴器５５５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。並列に接続された２つの共鳴器５５５−１および５５５−２は、高周波信号用の共鳴周波数ｆ０を有するため、これら２つの共鳴器は、コンデンサーの等価電気機能を有する。したがって、高周波信号に対して、追加されたインダクター５６０−１は、２つの共鳴器５５５−１および５５５−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、第２協調周波である高周波ゼロ伝送ポイントｆＨ で共鳴する。低周波信号に対して、追加されたコンデンサー５６０−２は、２つの共鳴器５５５−１および５５５−２によって提供された等価コンデンサーとともに動作することができ、低周波ゼロ伝送ポイントｆＬ で共鳴する。図９（ｂ）は、伝送信号の減衰量を示す。インダクター５６０−１のインダクタンスを正確に選択することによって、例えば２回の共鳴周波数２＊Ｆ０の第２協調周波である高周波ノイズ５１０−１’は、５６０−１’に示したように、また、低周波ノイズは、５６０−２’に示したように、図９（ｂ）に明確に示したように、従来のＢＰＦ信号伝送より減衰している。
【００２４】
図１０（ａ）は、この発明のバンドパス・フィルター６００を示す回路図であり、基本的には図８（ａ）に示したＢＰＦ５００の回路と同じである。インダクター６１０−１は、共鳴器６０５−１と接地端との間に接続される。また、インダクター６１０−２は、共鳴器６０５−２とＢＰＦの接地端との間に接続される。インダクター６０１−１および６０１−２は、非対称的である。追加されたインダクター６０１−１および６０１−２は、上記において、図１０（ｂ）の５６０−１’および５６０−２’で示したように、第２および第３協調共鳴周波で２つのゼロ伝送ポイントを生成する。連結したフィードバック・コンデンサー６２０は、入力端と出力端との間で接続され、図１０（ｂ）の６２０’で示したように、周波数ｆＬ で低周波ゼロ伝送ポイントを生成する。
【００２５】
図１１（ａ）は、この発明の対照的な共鳴器として配置されたバンドパス・フィルター６５０を示す回路図であり、第１の連続的に接続された一組の共鳴器６６０−１および６６０−２は、それぞれコンデンサーおよびインダクターを含み、図１１（ｂ）のｆＬ に示したように、低周波６６０’ でゼロ伝送ポイントを生成する。第２の連続的に接続された一組の共鳴器６７０−１および６７０−２は、それぞれコンデンサーおよびインダクターを含み、図１１（ｂ）のｆＨ に示したように、高周波６７０’でゼロ伝送ポイントを生成する。
【００２６】
図１２（ａ）は、５つの非対称的共鳴器を含む結合共鳴器で構成されたこの発明のバンドパス・フィルター７００を示す回路図である。第１の並列に接続された非対称的共鳴器７１０および７２０において、共鳴器７１０は、第１低周波ｆＬ１でゼロの伝送共鳴周波数を有し、共鳴器７２０は、第１高周波ｆＨ１でゼロの伝送共鳴周波数を有する。第１の一組の共鳴器７１０および７２０はさらに、伝送共鳴周波数ｆ０によって第１結合共鳴器７２５として機能する。並列に接続された第２の一組の非対称的共鳴器７３０および７４０において、共鳴器７３０は、第２低周波ｆＬ２でゼロの伝送共鳴周波数を有し、共鳴器７４０は、第２高周波ｆＨ２でゼロの伝送共鳴周波数を有する。第２の一組の共鳴器７３０および７４０はさらに、伝送共鳴周波数ｆ０によって第２結合共鳴器７４５として機能する。第１結合共鳴器７２５は、連続的相互接続共鳴器７５０を経由して、第３ゼロ伝送周波ｆＬ３によって第２結合共鳴器７４５に接続される。図１２（ｂ）は、対応するゼロ伝送周波７１０’、７２０’、７３０’、７４０’および７５０’で減衰信号をもった５つのゼロ伝送周波数を有するＢＰＦの波形を示す。バンドパス信号f０は、従来のＢＰＦと比較すると、このＢＰＦ７００を通って、高周波および低周波で減少したノイズにより伝送される。
【００２７】
上述のバンドパス・フィルターは、図２（ａ）〜（ｍ）および図３（ａ）〜（ｃ）に示したマイクロストリップの使用により実施される。図２（ａ）において、コンデンサー１２５および１５０は、図１３に示したように、それぞれ２つのマイクロストリップ１２５’および１５０’と置換される。マイクロストリップ１２５’および１５０’の長さを調整して、低ゼロ伝送共鳴周波ｆＬ および高ゼロ伝送共鳴周波ｆＨ を生成し、設計されたＢＰＦの伝送バンド外部の低信号伝送および高信号伝送を減少させる。
【００２８】
図１４において、一組のフィードバック・コンデンサー１６０および１７０は、結合マイクロストリップ１２０および１３０とともに作動する共鳴器に接続され、ゼロ伝送共鳴器低周波ｆＬ を生成し、さらに設計されたＢＰＦの伝送バンド外部の低信号伝送を減少させる。
【００２９】
また、図３（ａ）に示したように、マイクロストリップを利用して、コンデンサー２４０をインダクターとして機能するマイクロストリップ２４０’と置換することにより、ＢＰＦ２００を修正することができる。マイクロストリップの長さを調整することによって、連結しているマイクロストリップ間に形成されたコンデンサーと結合したマイクロストリップは、高共鳴周波または低共鳴周波のｆＨ またはｆＬ のどちらかでゼロ伝送周波数をもつ結合共鳴器を有する共鳴器として機能し、設計されたＢＰＦの伝送バンド外部の高信号伝送または低信号伝送を減少させる。
【００３０】
図１６は、図３（ａ）で示したＢＰＦ２００の変形例としてＢＰＦ２００’を示し、２つのマイクロストリップ２２５−１’と２２５−２’および２３５−１’と２３５−２’を形成して、図３（ａ）に示したＢＰＦ２００の２２５および２３５とそれぞれ置換する。形成された共鳴器は、第２および第３強調共鳴周波で共鳴されるように設計され、第２および第３強調高周波ノイズを減少させる。さらに、結合したインダクターは、フィードバック・コンデンサー２４０とともに作動し、さらに低周波ｆＬ によって共鳴器として機能して、低周波ノイズを減少させる。
【００３１】
図１７は、図３（ａ）および図１６で示したＢＰＦ２００’’の変形例としてＢＰＦ２００’’’を示しており、２つのマイクロストリップ２２５−１’と２２５−２’および２３５−１’と２３５−２’を形成して、図３（ａ）に示したＢＰＦ２００の２２５および２３５とそれぞれ置換する。さらに、２つのマイクロストリップは、並列したコンデンサー２２８および２５０にそれぞれ連続して接続される。マイクロストリップをインダクターとして機能させ、共鳴器としてコンデンサーと作動することによって、もう一つのゼロ伝送低周波ｆＬ１を生成して、低周波ノイズをさらに減少させる。
【００３２】
図２（ａ）〜図１７および上述した説明に基づき、この発明が提供するフィルター回路は、基板上にサポートされた薄膜層を含み、この薄膜層は、薄膜層の上下に形成された上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として役に立つ。上部電極層は、マイクロストリップにパターンされ、フィルター回路用のインダクターとして機能する。
【００３３】
この発明が提供するフィルター回路の製造方法は、さらに、基板上に媒体層として機能する薄膜層を形成するとともに、薄膜層の上下に上部電極層および下部電極層を形成することによってコンデンサーを形成する工程を含む。
【００３４】
この発明が提供するＢＰＦは、本質的に、基板上にサポートされた薄膜層の上下に配置された上部電極層および下部電極層を含み、マイクロストリップを有する上部および下部電極層をインダクターおよびコンデンサーとして機能させる。さらに、バンドパス・フィルターは、バンドパス・フィルターのバンドパス周波数範囲外の減衰伝送周波を含む。
【００３５】
以上のごとく、この発明を好適な実施例により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１（ａ）は、従来のバンドパス・フィルターの平面図であり、図１（ｂ）は、従来のＢＰＦの回路図であり、図１（ｃ）および（ｄ）は、従来のバンドパス・フィルターの回路図および各通過帯域の波形である。
【図２（ａ）】この発明のＢＰＦの等価回路図である。
【図２（ｂ）】図２（ａ）のＢＰＦを形成するマイクロストリップの実施の形態を示す平面図である。
【図２（ｃ）】図２（ａ）のＢＰＦを形成するマイクロストリップの実施の形態を示す平面図である。
【図２（ｄ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｅ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｆ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｇ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｈ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｉ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｊ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｋ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｌ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図２（ｍ）】この発明のバンドパス・フィルターの層構造およびその製造方法を示す一連の断面図および斜視図である。
【図３】図３（ａ）は、この発明のＢＰＦのもう１つの実施例における等価回路図であり、図３（ｂ）および図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢＰＦを形成するマイクロストリップの実施の形態を示す平面図および底面図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、この発明のＢＰＦの回路図および波形である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図９】図９（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図１０】図１０（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図１１】図１１（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図１２】図１２（ａ）および図８（ｂ）は、この発明のもう１つのＢＰＦの回路図および波形である。
【図１３】図１３は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【図１４】図１４は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【図１５】図１５は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【図１６】図１６は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【図１７】図１７は、この発明の半集中配布の配置を有するマイクロストリップで実施された異なるＢＰＦの回路図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００，２００，２００’，２００’’，２００’’’，３００，３５０，４００，４５０，５００，５５０，６００，６５０，７００ バンドパス・フィルター
１０５，２０５ 基板
１１０，２１０ 入力ライン
１１５，１２５，１４０，１５０，１６０，１７０，２１５，２２８，２４０，２５０，３１０，４１０−１，４１０−２，５６０−２，６２０ コンデンサー
１２０，１２５’，１３０，１５０’，２２０，２２５，２２５−１’，２２５−２’，２３０，２３５，２３５−１’，２３５−２’，２４０’ マイクロストリップ
１６０ 金属層（接地金属層）
１６５ ガラス層（薄膜絶縁層）
１７０ 下部電極層
１７５ フォトレジストマスク
１８０ 粘着層
１８５ 薄膜誘電層
１９０ 上部電極層
１９５ 保護膜
１９６ 伝導層
１９７ チップ
３１０’，４１０’ 低周波ノイズ
３６０，４６０−１，４６０−２，５１０−１，５１０−２，５６０−１，６１０−１，６１０−２ インダクター
３６０’，４６０’，５１０−１’，５１０−２’ 高周波ノイズ
４０５−１，４０５−２，４５５−１，４５５−２，５０５−１，５０５−２，，５５５−１，５５５−２，６０５−１，６０５−２，６６０−１，６６０-２，６７０−１，６７０−２，７１０，７２０，７３０，７４０，７５０ 共鳴器
６６０’ 低周波
６７０’ 高周波
７２５ 第１結合共鳴器
７４５ 第２結合共鳴器
７１０’，７２０’，７３０’，７４０’，７５０’ ゼロ伝送周波数
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜層の上下に形成した上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用な、基板上にサポートされた薄膜層から構成され、前記上部電極層は、前記フィルター回路用のインダクターとして機能するマイクロストリップから構成されることを特徴とするフィルター回路。
【請求項２】
前記薄膜層は、絶縁材料からなる薄膜層であることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項３】
前記薄膜層は、窒化ケイ素の層であることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項４】
前記上部電極層はさらに、それぞれではインダクターとして機能し、合わせるとコンデンサーとして機能する少なくとも２つのマイクロストリップで構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項５】
前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置された粘着層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項６】
前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置されたチタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびニッケルクロム（ＮｉＣｒ）を有する粘着層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項７】
前記下部電極層は、銅、銀および金から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項８】
前記上部電極層は、銅、銀および金から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項９】
前記下部電極層の下に配置された前記基板に印刷されたガラス層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１０】
前記基板の底面に配置された接地層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１１】
前記基板は、酸化アルミニウム基板から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１２】
前記フィルター回路を保護するために、前記上部電極層を覆う保護層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１３】
前記基板の側面の周囲を包み、上面における回路構成要素を、前記基板の前記底面に配置された前記設置層に接続する包囲接地接続層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１４】
前記基板の側面の周囲を包んで側端として機能させ、信号入力端または信号出力端を前記フィルター回路に接続する包囲信号接続層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１５】
前記フィルター回路は、バンドパス・フィルター（ＢＰＦ）から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１６】
酸化アルミニウム基板上にサポートされた薄膜絶縁層であって、前記薄膜絶縁層は、前記薄膜絶縁層の上下に形成された上部金属電極層と下部金属電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用であるとともに、前記上部電極層はさらに、前記ＢＰＦ用インダクターとして機能するマイクロストリップから構成される薄膜絶縁層と、
それぞれではインダクターとして機能し、合わせるとコンデンサーとして機能する少なくとも２つのマイクロストリップから成る前記上部電極層と、
前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置された粘着層と、
前記下部電極層の下に配置された前記基板に印刷されたガラス層と、
前記基板の底面に配置された接地層と、
前記上部電極層を覆って前記フィルター回路を保護する保護層と、
前記基板の側面の周囲を包み、上面における回路構成要素を前記基板の前記底面に配置された前記接地層に接続する包囲接地接続層と、
前記基板の側面の周囲を包んで側端として機能させ、信号入力端または信号出力端を前記フィルター回路に接続する包囲信号接続層と
を備えることを特徴とするバンドパス・フィルター。
【請求項１７】
前記薄膜層は、窒化ケイ素の層であることを特徴とする請求項１６記載のバンドパス・フィルター。
【請求項１８】
前記粘着層は、前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置されたチタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびニッケルクロム（ＮｉＣｒ）から構成されることを特徴とする請求項１６記載のバンドパス・フィルター。
【請求項１９】
前記下部電極層は、銅、銀および金から構成されることを特徴とする請求項１６記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２０】
前記上部電極層は、銅、銀および金から構成されることを特徴とする請求項１６記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２１】
基板上にサポートされた薄膜絶縁層の上下に配置され、前記上部および下部電極層は、インダクターおよびコンデンサーとして機能するマイクロストリップを有する上部電極層および下部電極層から構成されたバンドパス・フィルターであって、
前記バンドパス・フィルターは、前記バンドパス・フィルターのバンドパス周波数範囲外の減衰伝送周波を有することを特徴とするバンドパス・フィルター。
【請求項２２】
前記減衰伝送周波は、前記バンドパス・フィルターの前記バンドパス周波数の範囲より高い高周波減衰周波であることを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２３】
前記減衰伝送周波は、前記バンドパス・フィルターの前記バンドパス周波数の範囲より低い低周波減衰周波であることを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２４】
前記減衰伝送周波は、バンドパス・フィルターのバンドパス周波の第２協調共鳴周波で高周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２５】
前記減衰伝送周波は、バンドパス・フィルターのバンドパス周波の第３協調共鳴周波で高周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２６】
前記バンドパス・フィルターは、前記バンドパス周波数の範囲より高い高周波数とより低い低周波数で、それぞれ高周波減衰周波と低周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２７】
前記バンドパス・フィルターは、前記バンドパス周波数の範囲より高い少なくとも２つの高周波と１つの低周波で、それぞれ少なくとも２つの高周波減衰周波と１つの低周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２８】
前記バンドパス・フィルターは、前記バンドパス周波数の範囲より低い少なくとも２つの低周波と１つの高周波で、それぞれ少なくとも２つの低周波減衰周波と１つの高周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２９】
基板上に媒体層として機能する薄膜層を形成して、前記薄膜層の上下に上部電極層および下部電極層を形成することによってコンデンサーを形成するとともに、
前記上部電極層をマイクロストリップにパターンして、前記フィルター回路用のインダクターとして機能させることを特徴とするフィルター回路の製造方法。
【請求項３０】
前記薄膜層を形成する前記工程は、誘電性金属を有する前記薄膜層を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３１】
前記薄膜層を形成する前記工程は、窒化ケイ素の層として前記薄膜層を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３２】
前記上部電極層をパターンする前記工程は、さらに前記上部電極層を、それぞれではインダクターとして機能し、合わせるとコンデンサーとして機能する少なくとも２つのマイクロストリップにパターンする工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３３】
粘着層を前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３４】
チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびニッケルクロム（ＮｉＣｒ）を使用して、前記薄膜層と前記下部電極層との間に粘着層を形成することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３５】
前記下部電極層を形成する前記工程は、銅、銀または金を使用して前記下部電極層を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３６】
前記上部電極層を形成する前記工程は、銅、銀または金を使用して前記上部電極層を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３７】
前記基板にガラス層を印刷して前記下部電極層の下に前記ガラス層を配置することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３８】
前記基板の底面に接地層を形成することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３９】
前記基板上に前記バンドパス・フィルターをサポートする工程は、酸化アルミニウム基板を使用して前記バンドパス・フィルターをサポートする工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項４０】
前記上部電極層を覆う保護膜を形成して、前記フィルター回路を保護することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項４１】
包囲接地接続層を有する前記基板の側面の周囲を包み、上面における回路構成要素を、前記基板の前記底面に配置された前記接地層に接続することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項４２】
包囲信号接続層を有する前記基板の側面の周囲を包んで側端として機能させ、信号入力端または信号出力端を前記フィルター回路に接続することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項４３】
前記フィルター回路を形成する前記方法は、バンドパス・フィルターとして前記フィルター回路を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項１】
薄膜層の上下に形成した上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用な、基板上にサポートされた薄膜層から構成され、前記上部電極層は、前記フィルター回路用のインダクターとして機能するマイクロストリップから構成されることを特徴とするフィルター回路。
【請求項２】
前記薄膜層は、絶縁材料からなる薄膜層であることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項３】
前記薄膜層は、窒化ケイ素の層であることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項４】
前記上部電極層はさらに、それぞれではインダクターとして機能し、合わせるとコンデンサーとして機能する少なくとも２つのマイクロストリップで構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項５】
前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置された粘着層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項６】
前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置されたチタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびニッケルクロム（ＮｉＣｒ）を有する粘着層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項７】
前記下部電極層は、銅、銀および金から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項８】
前記上部電極層は、銅、銀および金から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項９】
前記下部電極層の下に配置された前記基板に印刷されたガラス層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１０】
前記基板の底面に配置された接地層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１１】
前記基板は、酸化アルミニウム基板から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１２】
前記フィルター回路を保護するために、前記上部電極層を覆う保護層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１３】
前記基板の側面の周囲を包み、上面における回路構成要素を、前記基板の前記底面に配置された前記設置層に接続する包囲接地接続層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１４】
前記基板の側面の周囲を包んで側端として機能させ、信号入力端または信号出力端を前記フィルター回路に接続する包囲信号接続層から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１５】
前記フィルター回路は、バンドパス・フィルター（ＢＰＦ）から構成されることを特徴とする請求項１記載のフィルター回路。
【請求項１６】
酸化アルミニウム基板上にサポートされた薄膜絶縁層であって、前記薄膜絶縁層は、前記薄膜絶縁層の上下に形成された上部金属電極層と下部金属電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用であるとともに、前記上部電極層はさらに、前記ＢＰＦ用インダクターとして機能するマイクロストリップから構成される薄膜絶縁層と、
それぞれではインダクターとして機能し、合わせるとコンデンサーとして機能する少なくとも２つのマイクロストリップから成る前記上部電極層と、
前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置された粘着層と、
前記下部電極層の下に配置された前記基板に印刷されたガラス層と、
前記基板の底面に配置された接地層と、
前記上部電極層を覆って前記フィルター回路を保護する保護層と、
前記基板の側面の周囲を包み、上面における回路構成要素を前記基板の前記底面に配置された前記接地層に接続する包囲接地接続層と、
前記基板の側面の周囲を包んで側端として機能させ、信号入力端または信号出力端を前記フィルター回路に接続する包囲信号接続層と
を備えることを特徴とするバンドパス・フィルター。
【請求項１７】
前記薄膜層は、窒化ケイ素の層であることを特徴とする請求項１６記載のバンドパス・フィルター。
【請求項１８】
前記粘着層は、前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置されたチタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびニッケルクロム（ＮｉＣｒ）から構成されることを特徴とする請求項１６記載のバンドパス・フィルター。
【請求項１９】
前記下部電極層は、銅、銀および金から構成されることを特徴とする請求項１６記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２０】
前記上部電極層は、銅、銀および金から構成されることを特徴とする請求項１６記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２１】
基板上にサポートされた薄膜絶縁層の上下に配置され、前記上部および下部電極層は、インダクターおよびコンデンサーとして機能するマイクロストリップを有する上部電極層および下部電極層から構成されたバンドパス・フィルターであって、
前記バンドパス・フィルターは、前記バンドパス・フィルターのバンドパス周波数範囲外の減衰伝送周波を有することを特徴とするバンドパス・フィルター。
【請求項２２】
前記減衰伝送周波は、前記バンドパス・フィルターの前記バンドパス周波数の範囲より高い高周波減衰周波であることを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２３】
前記減衰伝送周波は、前記バンドパス・フィルターの前記バンドパス周波数の範囲より低い低周波減衰周波であることを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２４】
前記減衰伝送周波は、バンドパス・フィルターのバンドパス周波の第２協調共鳴周波で高周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２５】
前記減衰伝送周波は、バンドパス・フィルターのバンドパス周波の第３協調共鳴周波で高周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２６】
前記バンドパス・フィルターは、前記バンドパス周波数の範囲より高い高周波数とより低い低周波数で、それぞれ高周波減衰周波と低周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２７】
前記バンドパス・フィルターは、前記バンドパス周波数の範囲より高い少なくとも２つの高周波と１つの低周波で、それぞれ少なくとも２つの高周波減衰周波と１つの低周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２８】
前記バンドパス・フィルターは、前記バンドパス周波数の範囲より低い少なくとも２つの低周波と１つの高周波で、それぞれ少なくとも２つの低周波減衰周波と１つの高周波減衰周波を有することを特徴とする請求項２１記載のバンドパス・フィルター。
【請求項２９】
基板上に媒体層として機能する薄膜層を形成して、前記薄膜層の上下に上部電極層および下部電極層を形成することによってコンデンサーを形成するとともに、
前記上部電極層をマイクロストリップにパターンして、前記フィルター回路用のインダクターとして機能させることを特徴とするフィルター回路の製造方法。
【請求項３０】
前記薄膜層を形成する前記工程は、誘電性金属を有する前記薄膜層を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３１】
前記薄膜層を形成する前記工程は、窒化ケイ素の層として前記薄膜層を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３２】
前記上部電極層をパターンする前記工程は、さらに前記上部電極層を、それぞれではインダクターとして機能し、合わせるとコンデンサーとして機能する少なくとも２つのマイクロストリップにパターンする工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３３】
粘着層を前記薄膜層と前記下部電極層との間に配置することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３４】
チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびニッケルクロム（ＮｉＣｒ）を使用して、前記薄膜層と前記下部電極層との間に粘着層を形成することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３５】
前記下部電極層を形成する前記工程は、銅、銀または金を使用して前記下部電極層を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３６】
前記上部電極層を形成する前記工程は、銅、銀または金を使用して前記上部電極層を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３７】
前記基板にガラス層を印刷して前記下部電極層の下に前記ガラス層を配置することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３８】
前記基板の底面に接地層を形成することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項３９】
前記基板上に前記バンドパス・フィルターをサポートする工程は、酸化アルミニウム基板を使用して前記バンドパス・フィルターをサポートする工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項４０】
前記上部電極層を覆う保護膜を形成して、前記フィルター回路を保護することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項４１】
包囲接地接続層を有する前記基板の側面の周囲を包み、上面における回路構成要素を、前記基板の前記底面に配置された前記接地層に接続することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項４２】
包囲信号接続層を有する前記基板の側面の周囲を包んで側端として機能させ、信号入力端または信号出力端を前記フィルター回路に接続することを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【請求項４３】
前記フィルター回路を形成する前記方法は、バンドパス・フィルターとして前記フィルター回路を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載のフィルター回路の製造方法。
【図１】
【図２（ａ）】
【図２（ｂ）】
【図２（ｃ）】
【図２（ｄ）】
【図２（ｅ）】
【図２（ｆ）】
【図２（ｇ）】
【図２（ｈ）】
【図２（ｉ）】
【図２（ｊ）】
【図２（ｋ）】
【図２（ｌ）】
【図２（ｍ）】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２（ａ）】
【図２（ｂ）】
【図２（ｃ）】
【図２（ｄ）】
【図２（ｅ）】
【図２（ｆ）】
【図２（ｇ）】
【図２（ｈ）】
【図２（ｉ）】
【図２（ｊ）】
【図２（ｋ）】
【図２（ｌ）】
【図２（ｍ）】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００６−３１０８９５（Ｐ２００６−３１０８９５Ａ）
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３７７４７８（Ｐ２００４−３７７４７８）
【出願日】平成１６年１２月２７日（２００４．１２．２７）
【出願人】（５０１２３１５４３）乾坤科技股▲ふん▼有限公司 (19)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月２７日（２００４．１２．２７）
【出願人】（５０１２３１５４３）乾坤科技股▲ふん▼有限公司 (19)
【Ｆターム（参考）】
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