プラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置
【課題】
高周波プラズマによる大面積・均一化処理における問題要因である定在波の影響を抑制し、大面積・均一化処理が可能なプラズマ表面処理方法及び表面処理装置を提供すること。
【解決手段】
非接地電極の裏面に、波長の四分の一の間隔に複数の給電点を配置し、該複数の給電点に互いに独立した関係にある複数の高周波電源から出力される電力を供給し、互いに独立した複数の定在波を発生させることにより、該電極間の電力分布を一様化するプラズマ表面処理方法及び装置。
高周波プラズマによる大面積・均一化処理における問題要因である定在波の影響を抑制し、大面積・均一化処理が可能なプラズマ表面処理方法及び表面処理装置を提供すること。
【解決手段】
非接地電極の裏面に、波長の四分の一の間隔に複数の給電点を配置し、該複数の給電点に互いに独立した関係にある複数の高周波電源から出力される電力を供給し、互いに独立した複数の定在波を発生させることにより、該電極間の電力分布を一様化するプラズマ表面処理方法及び装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、プラズマを利用して基板の表面に所定の処理を施す表面処理装置及び表面処理方法に関する。本発明は、特に、メートル級サイズの大面積基板を対象にした表面処理装置および表面処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
プラズマを用いて基板の表面に各種処理を施し、各種電子デバイスを製作することは、LSI(大規模集積回路)、LCD(液晶デイスプレー)用TFT(薄膜トランジスター)、アモルファスSi系太陽電池、薄膜多結晶Si系太陽電池、複写機用感光体、および各種情報記録デバイス等の分野において既に実用化されている。また、ダイヤモンド薄膜および立方晶ボロンナイトライド(C−BN)等の超硬質膜製造分野においても実用化が進みつつある。
【0003】
また、最近、薄膜太陽電池の本格的実用化普及を目指した低コスト化及び生産性向上に必要な大面積太陽電池製造用プラズマCVD装置や高画質で大面積の液晶デイスプレーの低コスト化に必要な大面積薄膜トランジスター(TFT)製造用プラズマCVD装置が、特に注目されている。
【0004】
上記技術分野は、薄膜形成、エッチング、表面改質およびコーテイング等多岐に亘るが、いずれも反応性プラズマの化学的および物理的作用を活用したものである。上記反応性プラズマの生成に関する装置および方法には、電極構造の形状で大別すると3つの代表的技術がある。
第1の代表的技術は、例えば、特許文献1及び非特許文献1、2に記載されているもので、プラズマ発生に非接地電極と接地電極から成る2枚の平行平板電極を一対として用いることを特徴とする。第2の代表的技術は、例えば特許文献2及び3に記載されているもので、プラズマ発生に棒電極あるいはラダー型電極と平板電極を一対として用いることを特徴とする。第3の代表的技術は、例えば、特許文献4に記載されているもので、電極がアンテナ方式であることを特徴とする。
【0005】
プラズマの大面積、均一化の方法及び手段で大別すると、第1の代表的技術は、例えば、特許文献1、3に記載されているもので、電極上の少なくとも2つの給電点へ給電する電力の電圧の位相差を時間的に変化させ、電極の電圧分布における定在波を揺動することにより、その発生の影響を抑制することを特徴とする。
第2の代表的技術は、特許文献5に記載されているもので、電極に、腹の位置が異なる2つの定在波を時間的にずらせて発生させ、それを重畳させることにより、均一な電圧分布が得られるということを特徴とする。
第3の代表的技術は、特許文献6に記載されているもので、電極に、互いに独立の関係にあり、かつ腹の位置が異なる2つの定在波を同時に発生させ、それを重畳させることにより、均一な電圧分布が得られるということを特徴とする。
【0006】
上記文献記載の技術の特徴は概略次の通りである。特許文献1に記載の技術は、非接地電極を方形電極とし、該方形電極の第1の辺の側面に複数の第1の電力供給点を配置し、該第1の辺と対向する第2の辺の側面に複数の第2の電力供給点を配置し、かつ、該複数の第1の給電点に供給される電力の電圧と該複数の第2の電力供給点に供給される前記電力の電圧の位相差を時間的に変化させることにより、一対の電極間の電界分布を平均化し、結果として、プラズマの強さの空間的分布を一様化することを特徴としている。なお、この技術では互いに向かい合った方向に伝播するように供給される2つの電力の進行波を干渉させて定在波を生成させ、該定在波の腹の位置を時間的に変化させることが可能である。
特許文献2に記載の技術は、一対の電極の電力供給点の反対側の先端部分に反射電力の位相を調整する位相調整回路が接続されるということを特徴としている。この技術では、該位相調整回路を制御することにより、反射波の位相の調整が可能で、該供給電力の進行波と反射波を干渉させて定在波を生成することが可能で、かつ、該定在波の腹の位置を移動することが可能である。
特許文献3に記載の技術は、電極上のある1つの給電点に供給される電力の電圧と他の少なくとも1つの給電点に供給される前記電力の電圧の位相差を時間的に変化させることにより、一対の電極間の電界分布を平均化し、結果として、プラズマの強さの空間的分布を一様化することを特徴としている。なお、この技術では、互いに向かい合った方向から供給される2つの電力の進行波を干渉させて定在波を生成させ、該定在波の腹の位置を時間的に変化させることが可能である。
特許文献4に記載の技術は、電極が線状導体をその中央点を基準に平面内に含まれるように折り返して形成され、該中央点を給電点としたことが特徴である。なお、この電極の形状には、例えばU字型あるいはM字型がある。また、該U字型あるいはM字型電極がアンテナとなって供給電力が空間へ放射される。
特許文献5に記載の技術は、電極の両端に対向して配置された第1の給電点及び第2の給電点に、それぞれに第1の高周波電源から出力された2つのパルス変調正弦波電力の電圧の位相差を所定の値に設定して供給し、かつ、該第1の高周波電源から出力された2つのパルス変調正弦波電力と時間帯を異ならせて、第2の高周波電源から出力された2つのパルス変調正弦波電力の電圧の位相差を所定の値に設定して供給することにより、即ち第1の高周波電源から出力されるパルス電力と第2の高周波電源から出力されるパルス電力を時間的に交互に供給することにより、腹の位置が異なり、かつ発生時間帯が異なる2つの定在波を発させ、それらを重畳することにより、電極の電圧分布を均一にすることを可能としている。
特許文献6に記載の技術は、電極の両端に対向して配置された第1の給電点及び第2の給電点に、互いに独立の関係にある位相可変2出力の第1及び第2の高周波電源から出力される高周波電力を同時に供給し、かつ、該第1の高周波電源から出力された2つの電力の電圧の位相差を所定の値に設定して、該第2の高周波電源から出力された2つの電力の電圧の位相差を所定の値に設定して供給することにより、腹の位置が異なり、かつ互いに独立の関係にある2つの定在波を発生させ、重畳することにより、電極の電圧分布を均一にすることが可能としている。
【0007】
非特許文献1に記載の技術は、非接地電極のプラズマに接する面の裏側の面にH文字状の給電帯を設置し、該H文字状給電帯上に複数の給電点を設置したことを特徴としている。
非特許文献2に記載の技術は、非接地電極の給電点の反対側、即ち電力伝播方向に位置する該電極の端部にコイルを設置し、電源と該一対の電極を結ぶ給電線および該電極に発生する定在波の腹の位置をずらすことを特徴としている。
【0008】
【特許文献1】特開2002−12977(第2頁、第1図、第10−11図)
【特許文献2】特開平11−243062(第2頁、第1図、第7〜8図)
【特許文献3】特許第3316490号(第1頁、第1図、第8図)
【特許文献4】特開2000−345351(第2頁、第1図、第5図、第7図)
【特許文献5】特開2005−123199(第2〜4頁、第1図、第2図、第6図)
【特許文献6】特開2005−123203(第2〜4頁、第1図、第2図、第8図)
【0009】
【非特許文献1】L.Sansonnens, A.Pletzer, D.Magni, A.A.Howling,Ch.Hollenstein and J.P.M.Schmitt,:A voltage uniformity study in large-area reactors for RF plasma deposition、Plasma Source Sci. Technol. 6 (1997),p.170-178.
【非特許文献2】J.Kuske, U.Stephan, O.Steinke and S.Rohleck: Power feeding in large area PECVD of amorphous silicon, Mat. Res. Soc. Symp.Proc. Vol. 377(1995),p.27-32.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
上記のプラズマ表面処理技術、即ちプラズマ表面処理装置とプラズマ表面処理方法は、LCD,LSI,電子複写機および太陽電池等の産業分野のいずれにおいても、生産性向上に伴う製品コストの低減および大面積壁掛けTVなど性能改善等に関する大面積・均一化および高速処理化のニーズが年々強まっている。
特に、最近はエネルギー資源問題や地球環境問題に対応した新エネルギー源として実用化普及の加速化が期待されている薄膜シリコン系太陽電池の分野では、これまで以上により一層の生産コストの低減が社会的ニーズとして求められている。
【0011】
上記ニーズに対応するため、最近では、一つの技術傾向として、産業界のみならず、学会でも特に、プラズマCVD(化学蒸着)技術およびプラズマエッチング技術ともに、高性能化と高速処理化が可能(低電子温度で高密度のプラズマが生成可能)という特徴のあるVHF帯(30MHzないし300MHz)の電源を用いたプラズマCVD技術の実用化研究が盛んになっている。しかしながら、従来技術では、以下に述べるような課題が依然として存在し、上記ニーズの分野では齟齬をきたしている。
【0012】
上記技術分野における課題は、VHFプラズマを用いた表面処理の高速化・大面積・均一化(生産性向上および性能向上)が可能な高生産性プロセス用VHFプラズマ表面処理装置及びVHFプラズマ表面処理方法に係わる技術のブレークスルーである。
一般に、LCD分野では、膜厚分布は再現性を確保して、±5%程度、太陽電池分野では、膜厚分布は再現性を確保して、±10%程度が実用化の一つの指標となっている。しかしながら、1987年世界初の試みとして登場したVHFプラズマの高速化・大面積・均一化に関する技術はあまり進展が見られない状況にある。
従来のVHFプラズマ技術では、例えばa−Si膜を製造する場合、再現性の確保を前提条件にすると、基板面積が50cmx50cm程度に関しては、±10〜15%程度の膜厚分布、100cmx100cm程度に関しては、±20〜40%程度の膜厚分布であり、上記指標をクリアできないという問題がある。
【0013】
膜厚分布の不均一性の直接的原因としてはプラズマ密度の不均一性があり、プラズマ密度の不均一性の原因には、上記VHF固有の問題である波の干渉現象に起因する定在波の発生がある。この定在波の問題は電磁波の伝播に伴う基本的な現象であるため、従来、抜本的解決手段がなく、次善の策として、前記特許文献1〜4にある技術が実用化されつつある。しかしながら、いずれの技術も次に述べるような問題がある。すなわち、この定在波の問題を抜本的に解決できていない。
(1)特許文献1記載の技術は、方形電極の互いに対向した2つの辺から供給される電力の電圧の位相差を時間的に、例えば数kHZの周波数で、鋸歯状に変化させることにより、一対の電極間に発生の定在波の腹の位置を移動させ、時間平均的に見て均一化するものである。膜厚分布は、アモルファスSi製膜では、基板面積が50cmx50cm程度に関しては、±10〜15%程度の膜厚分布が得られているが、100cmx100cm程度に関しては、±20%以上と見られている。また、技術改善が困難で±20%程度が限界と見られている。
(2)特許文献2記載の技術は、電力供給点の反対側に、位相調整装置を設置し、電力の反射波の位相を制御するので、電力の吸収率が高い条件、例えば圧力が数100Pa〜数1000Paでのプラズマ生成では反射波の強さが弱くなり、反射波の制御が無理となる。すなわち、プラズマ生成の圧力が数100Pa程度以下との条件の場合でないと応用できないという欠点がある。
(3)特許文献3記載の技術は、特許文献1記載の技術と同様に、電極上のある1つの給電点に供給される電力の電圧と他の少なくとも1つの給電点に供給される前記電力の電圧の位相差を時間的に変化させることにより、一対の電極間の電界分布を平均化し、結果として、プラズマの強さの空間的分布を一様化するものである。本技術のデータとして、膜厚分布は、アモルファスSi製膜では、基板面積が140cmx110cm程度に関し、製膜速度1.7nsで±18%程度が報告されている。しかしながら、技術改善が困難で±18%程度が限界と見られている。
(4)特許文献4記載の技術は、アンテナ方式即ち誘導結合型のプラズマ生成なので、圧力条件が数Pa以下という制約がある。すなわち、微結晶Si等のような圧力条件が数100Pa〜数1000Paである応用には無理があるという欠点がある。また、電極の周囲にある真空容器の形状や接地条件に影響を受けやすいで、製膜条件の適正条件の把握が困難と推測される。
(5)特許文献5記載の技術は、上記特許文献1、3に記載の技術を改善できる可能性のある技術である。しかしながら、まだ、基礎的な研究開発段階にある技術である。
(6)特許文献6記載の技術は、上記特許文献1、3に記載の技術を改善できる可能性のある技術である。しかしながら、まだ、基礎的な研究開発段階にある技術である。
【0014】
以上説明したように、従来技術では、生産性向上や低コスト化に必要な大面積基板、例えばサイズ1mx1m級大面積基板を対象にしたVHF(周波数30−300MHz)プラズマCVDおよびVHFプラズマエッチング等の応用は、依然として困難で、困難視されている。
即ち、プラズマ表面処理の高速化・大面積化・均一化等の課題に対応する為、一つの技術トレンドとして、VHFプラズマ技術が注目され、その実用化応用の開発研究が実施されているが、電極に発生の定在波に起因する技術的困難性のため、1mx1m級を越える大面積基板を対象にしたVHFプラズマ利用の高速化・大面積化・均一化が可能で、かつ再現性のある性能をもつ表面処理装置及びその方法の成功例は、まだ無い。
【0015】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、プラズマCVDによる大面積基板への製膜やプラズマによる大面積基板のエッチング処理などに対応可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】
本発明に係わるプラズマ表面処理方法は、排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、高周波電源及びインピーダンス整合器から成る電力供給系と、プラズマ処理すべき基板を配置する基板保持手段とを具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置に用いられるプラズマ表面処理方法であって、前記電力供給系から前記電極への電力供給箇所即ち給電点を、前記非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、前記電力供給系からの電力がプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個配置し、該複数の給電点に個々に、互いに独立した関係にある高周波電源から出力される電力を供給し、前記電極間に複数の、空間的、時間的に変動しない互いに独立した関係にある電力の定在波を発生させることにより該電極間の電力分布を一様化することを特徴とする。
【0017】
また、本発明においては、前記複数の高周波電源の出力電力の電圧の位相を、個々に、別々のランダム位相変調器を用いてランダムに変調させ、該複数の高周波電源の出力電力間の相互の干渉性を低減することを特徴とする。
なお、ここでは、ランダム位相変調器として、該高周波電源の出力をアナログ電圧制御型移相器(フェーズシフター)と乱数発生器、白色雑音発生器あるいはコンピユータ利用の乱数信号発生器を組み合わせた装置を用いる。
【0018】
また、本発明においては、前記高周波電源に、発振器とランダム位相変調器と増幅器から構成される高周波電源を用いることを特徴とする。
なお、ここでは、発振器の出力信号のランダム位相変調には、その共振回路の容量を外部信号で制御する手段を用いる。その外部信号発生器、即ちランダムランダム位相変調器には、乱数発生器、白色雑音発生器及びコンピユータ利用の乱数信号発生器(予め入力された乱数表に基ずいて電圧信号を発生する)がある。
【0019】
また、本発明においては、前記非接地電極を平板型の電極として、該非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で、複数個の給電点を配置させることを特徴とする。
【0020】
また、本発明においては、前記非接地電極を平板型の電極として、該電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させ、かつ、該複数個の個々の給電点から該直線に直交する方向に、前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させることを特徴とする。
【0021】
また、本発明においては、前記非接地電極に矩形状の平板型の電極を用い、該電極の対向する2側面に、前記真空容器の壁を貫通して設置され、かつ該真空容器と電気的に絶縁された導体板を接続することにより、前記電力供給系から前記給電点へ供給される電力の該給電点から該導体板方向の伝播路を介した該一対の電極間への伝播を遮断することを特徴とする。
【0022】
また、本発明においては、前記非接地電極を平板の矩形の電極とし、その辺の長さを前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の整数倍に等しい値にすることを特徴とする。
【0023】
また、本発明においては、前記非接地電極の互いに対向する側面に複数の給電点を配置させることを特徴とする。
【0024】
また、本発明においては、前記高周波電源の出力の周波数は、13、56MHz〜300MHzのHF帯域ないしVHF帯域に属していることを特徴とする。
【0025】
本発明に係わるプラズマ表面処理装置は、排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、高周波電源及びインピーダンス整合器から成る電力供給系と、プラズマ処理すべき基板を配置する基板保持手段とを具備し、発生したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置であって、前記高周波電源は、発振器とランダム位相変調器と電力増幅器から成り、複数の給電点が前記非接地電極の裏面、即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、あるいは、該非接地電極の側面に配置されるという構成を有することを特徴とする。
【0026】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記複数の給電点は該非接地電極の裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるという構成を有することを特徴とする。
【0027】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記複数の給電点は該非接地電極の裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるとともに、該給電点から該直線に直交する方向に、前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるという構成を有することを特徴とする。
【0028】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記非接地電極に、矩形状の平板型の電極が用いられるとともに、該電極の対向する2辺に、前記真空容器の壁を貫通して設置され、かつ該真空容器と電気的に絶縁された導体板が接続されるという構成を有することを特徴とする。
【0029】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記非接地電極を、平板の矩形の電極とし、かつ、その辺の長さが前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の整数倍に等しい値であるという構成を有することを特徴とする。
【0030】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記非接地電極が矩形平板の電極であり、該電極の側面に複数の給電点が配置されるという構成を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0031】
本発明によれば、大面積基板を対象にした大面積、均一のプラズマCVDによる高速製膜、及びプラズマによる高速エッチング処理が可能である。電源周波数がVHF帯域においても、一対の電極間の電力の強さの分布を均一化することが可能であるので、従来技術では困難視されるプラズマ密度及びラデイカル密度を均一化できる大面積のプラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置が提供される。特に、大面積のプラズマ表面処理が求められる薄膜太陽電池、液晶デイスプレー、LSI及び電子複写機等の産業における生産性向上および製品コストの低減に関する超高周波プラズマの大面積・高速・均一な製品製造への応用が確実に実現可能であり、貢献度が著しく大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【0032】
以下、本発明の実施の一形態に係わるプラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、プラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置の一例として、太陽電池を製作する際に必要なa―Si薄膜を製作する装置及び方法が記載されているが、本願の発明対象が下記の例の装置及び方法に限定されるものではない。
【0033】
(実施例1)
本発明に関する実施例1のプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)及びプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)について、図1ないし図8を参照して説明する。
【0034】
図1は実施例1に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図、図2は図1図示のプラズマ表面処理装置に用いられる給電点の配置の説明図、図3は図1図示のプラズマ表面処理装置で生成されるプラズマの領域を示す説明図、図4は図1図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における第1の給電点から供給される電力の伝播路の説明図、図5は図1図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における第2の給電点から供給される電力の伝播路の説明図、図6は一対の電極間を正方向及び逆方向に伝播する電力波の説明図、図7は一対の電極間に発生の定在波の腹の位置を示す説明図、図8は一対の電極間に発生の第1及び第2の定在波の強さの分布を示す説明図である。
【0035】
先ず、装置の構成を説明する。図1〜3において、符番1は真空容器である。この真空容器1には、非接地の第1の平板型電極2と図示しない基板ヒータ3を内臓した接地された第2の平板型電極4が配置されている。
該第1の平板型電極2は内部が空洞で、ガスシャワー孔7が配置されており、その空洞には絶縁部材5a、5bで電気絶縁されたガス導入管6a、6bから放電ガス、例えばシランガスが供給される。該第1の平板型電極2は、図示しない絶縁物支持材で固着されている。
なお、該ガスシャワー孔7は、放電ガスを前記一対の電極2と4の間に均一に供給する機能を有している。供給されたSiH4等放電ガスは前記一対の電極2と4の間でプラズマ化された後、排気管9a、9b及び図示しない真空ポンプ10a、10bにより、真空容器1の外へ排出される。
該第1の平板型電極2の辺の長さは、後述の第1及び第2の高周波電源17、27の出力電力がプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値にする。なお、プラズマ内を伝播中の波長は、放電ガスの種類、プラズマ密度等に依存するが、シランガスを用いたアモルファスシリコン製膜の一般的条件では真空中における波長の約0.6倍である。例えば、周波数60MHzの電磁波の真空中における波長は5mであるので、プラズマ内を伝播中の波長の四分の一の奇数倍に等しい値は1.25mx0.6x奇数倍=0.75mx奇数倍である。
ここでは、該第1の平板型電極2のサイズは、長さ3.75mx幅0.75mx厚み0.2mとする。
【0036】
真空容器1内の圧力は、図示しない圧力計によりモニターされ、図示しない圧力調整弁により自動的に所定の値に調整、設定される。なお、本実施例の場合は、放電ガスが流量500sccm〜1、500sccm程度の場合、圧力0.01Torr〜10Torr(1.33Pa〜1330Pa)程度に調整できる。真空容器1の真空到達圧力は2〜3E−7Torr(2.66〜3.99E−5Pa)程度である。
【0037】
符番11は基板で、図示しないゲートバルブ12の開閉操作により、第2の平板型電極4に設置される。そして、図示しない基板ヒータ3により所定の温度に加熱される。
【0038】
図1〜図3において、後述の電力供給系から前記一対の電力2、4へ高周波電力を給電する位置である給電点は、電極2の裏側に複数個設置する。
ここでは、図2及び図3に示すように、該電極2の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、該電極2の一つの辺に平行な一直線上に、複数個の給電点、例えば第1及び第2の給電点22、32を配置させる。その間隔は、後述の電力供給系から供給される電力のプラズマ中での波長の四分の一の奇数倍になるように推測して設定する。なお、プラズマ中での波長が既知の場合は、推測でなく、データベースでの数値が選定可能である。
複数の給電点の設定は、例えば給電数が2点の場合、図3に示すように、第1の給電点22及び第2の給電点32を設置する。その間隔は、第1及び第2の電力供給系の周波数を予め定めておき、例えば60MHzと定め、その周波数でのプラズマ中伝播時における波長の四分の一の奇数倍、例えば、真空中での四分の一波長(1.25m)と波長短縮率(例えば、シランガスのプラズマでは、真空中の波長の0.6倍に短縮する)の積の5倍、即ち1.25mx0.6x5=3.75mとする。
なお、一般的に一対の電極2、4間で生成されるプラズマ中での波長λは、真空中での電磁波の波長λ0に比べて短くなる。プラズマ生成条件で異なるが、SiH4ガスのプラズマでは、プラズマ中での波長λと真空中での波長λ0との比λ/λ0は0.6程度である。もしも、プラズマ中での波長λが不明な場合は、予め、実験にてデータを取れば良い。
【0039】
符番15は第1の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第1のランダム位相変調器で、ランダムに変調される。
符番16は第1のランダム位相変調器で、第1の発信器15の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の第1及び第2の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
また、発振器の出力信号のランダム位相変調には、その共振回路の容量を外部信号で制御する手段を用いる。その外部信号の発生器、即ちランダム位相変調器には、一般に、通信工学や機械振動工学等でも用いられている乱数発生器、白色雑音発生器及びコンピユータ利用の乱数信号発生器(予め入力された乱数表に基ずいて電圧信号を発生する)があるが、ここでは、白色雑音発生器を用いる。
また、本実施例では、説明を省くが、上記ランダム位相変調器の別の手段として、該発信器15の出力をアナログ電圧制御型移相器(フェーズシフター)と乱数発生器、白色雑音発生器あるいはコンピユータ利用の乱数信号発生器を組み合わせた装置を用いることができる。
符番17は第1の増幅器で、第1の発信器15から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第1のインピーダンス整合器18へ伝送する。符番20は第1の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル19と真空容器内に設置の第1の給電線21を接続し、該第1の給電線21を介して前記第1のインピーダンス整合器18の出力を第1の給電点22に伝送する。符番21は第1の給電線で、第1のインピーダンス整合器18の出力を第1の給電点22へ伝送する。
なお、第1の給電線21には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16及び第1の増幅器17から構成される第1の高周波電源と第1のインピーダンス整合器18から成る電力供給系を第1の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第1の電力増幅器17には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第1電力増幅器17本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
第1の給電点22に供給された前記第1のインピーダンス整合器18の出力は、図2及び図4に示すように、真空容器1の壁と第1の平板型電極2の裏面及び側面の空間を電磁波として伝播する(詳しくは、電磁波のポインテイングベクトル即ち電場と磁場のベクトル積として流れていく)。そして、第1の平板型電極2と第2の平板型電極4の間を伝播していく。
図4において、第1の給電点22から供給された電力の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における伝播は、例えば左回りに伝播していく電力波23と、右回りに伝播していく電力波24に分かれて伝播していく。その様子を概念的に、図4及び図6に示す。
なお、同一電源から供給された前記2つの電力波23、24は、後述するように、干渉現象により定在波を発生する。
【0040】
第1の給電点22から供給される電力の第1及び第2の給電点22、32を結ぶ線分に直交する方向への伝播は、図2に示すように、左回りの伝播路35及び右回りの伝播路36がある。この場合も、2つの伝播路35、36を伝播する電力は、後述するように、干渉現象により定在波を発生する。
【0041】
符番25は第2の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第2のランダム位相変調器26で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、前述の第1の電力供給系及び後述の第2の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
符番26は第2のランダム位相変調器で、第2の発信器25の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の第1及び第2の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
また、発振器の出力信号のランダム位相変調には、その共振回路の容量を外部信号で制御する手段を用いる。その外部信号の発生器、即ちランダム位相変調器には、一般に、通信工学や機械振動工学等でも用いられている乱数発生器、白色雑音発生器及びコンピユータ利用の乱数信号発生器(予め入力された乱数表に基ずいて電圧信号を発生する)があるが、ここでは、白色雑音発生器を用いる。
また、本実施例では、説明を省くが、上記ランダム位相変調器の別の手段として、該発信器15の出力をアナログ電圧制御型移相器(フェーズシフター)と乱数発生器、白色雑音発生器あるいはコンピユータ利用の乱数信号発生器を組み合わせた装置を用いることができる。
符番27は第2の増幅器で、第2の発信器25から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第2のインピーダンス整合器28へ伝送する。符番30は第2の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル29と真空容器1内に設置の第2の給電線31を接続し、該第2の給電線31を介して前記第2のインピーダンス整合器28の出力を第2の給電点32に伝送する。符番31は第2の給電線で、第2のインピーダンス整合器28の出力を第2の給電点32へ伝送する。
第2の給電線32には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
なお、ここでは、第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26及び第2の増幅器27から構成される第2の高周波電源と第2のインピーダンス整合器28から成る電力供給系を第2の電力供給系と呼ぶ。
前記第2の電力増幅器27には、出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による第2の電力増幅器27本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0042】
ここで、第2の給電点32に供給された前記第2のインピーダンス整合器28の出力は、図5に示すように、真空容器1の壁と第1の平板型電極2の裏面及び側面の空間を電磁波として伝播する(詳しくは、電磁波のポインテイングベクトル即ち電場と磁場のベクトル積として流れていく)。そして、第1の平板型電極2と第2の平板型電極4の間を伝播していく。図5において、第2の給電点32から供給された電力の第1及び第2の給電点を結ぶ方向での伝播は、例えば左回りに伝播していく電力波33と、右回りに伝播していく電力波34に分かれて伝播していく。その様子を概念的に、図5及び図6に示す。
なお、同一電源から供給された前記2つの電力波33、34は、後述するように、干渉現象により定在波を発生する。
【0043】
第2の給電点32から供給される電力の第1及び第2の給電点22、32を結ぶ線分に直交する方向への伝播は、前述の第1の給電点から該直交方向への伝播35、36と同様である。したがって、同様に、定在波を発生する。
【0044】
次に、上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造装置用のSiH4ガスのプラズマ発生装置及び方法を説明する。なお、本発明の実施あるいは応用では、手順として、第1及び第2の予備製膜工程と、製膜工程の3つの工程が必要である。
第1の予備製膜工程では、前記第1の給電点22を介して第1の電力供給系から供給する電力を用いて基板11への製膜する場合に発生する第1の定在波の空間的周期、即ち、隣り合う腹と腹の間隔と該第1の電力供給系の周波数との関係をデータとして把握する。
第2の予備製膜工程では、前記第2の給電点32を介して第2の電力供給系から供給する電力を用いて基板11へ製膜する場合に発生する第2の定在波の空間的周期、即ち、隣り合う腹と腹の間隔と該第2の電力供給系の周波数との関係をデータとして把握する。
製膜工程は目的とするアモルファスSiの製造のために実施される。
【0045】
先ず、第1の予備製膜工程であるが、図1〜図3において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
次に、前記第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16、第1の電力増幅器17、第1のインピーダンス整合器18、第1の電流導入端子20、第1の給電線21から成る第1の電力供給系を用いて、一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば500Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器18を調整することにより、それぞれのインピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0046】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。このような、製膜試験を第1の発信器15の周波数をパラメータに実施する。
例えば、圧力0.5Torr(66.5Pa)、電力500Wにおいて、周波数56、58、60、62、64、66MHzのデータを取得する。そして、第1の電極2の長さ方向において、基板11に製膜されたアモルファスシリコン膜の隣り合う最大厚み間の距離と出力の周波数の関係をデータとして把握する。例えば、周波数56MHzで距離1.62m、58MHzで距離1.55m、60MHzで距離1.5m、62MHzで距離1.45m、64MHzで距離1.41m、66MHzで距離1.36mが得られる。
もしも、前記第1及び第2の給電点間隔の設定の用いたプラズマ伝播時の波長の推定が、上記実測値と異なる場合は、実測された該波長の四分の一の値が0.75mに近い値を示す周波数を採用すれば良い。
【0047】
ところで、上記第1の給電点22から供給される電力の電力波は、同一電源から発振され、図4及び図6に示したように、互いに電極間を伝播していき、両者は互いに向かい合った方向から伝播しあって重なり合うので、干渉現象が発生する。その様子を、図4、図6及び図7を用いて説明する。
図4及び図6において、第1の給電点22から左回り方向への伝播路の距離をx(第1の給電点22を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(xの正方向)を伝播する電圧波をW11(x,t)とする。第1の給電点22から右回り方向への伝播路(xの負方向)を伝播する電圧波をW21(x,t)とすると、次のように表現される。
W11(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ1(t)}
W12(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ1(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ1(t)は第1のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、L0は第1の給電点22から左回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I1(x、t)は次式のようになる。
I1(x、t)
∝cos2{2π(x−L0/2)/λ+Φ1(t)−Φ1(t)}
=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
このI1(x、t)を概念的に、図7に示す。これは、定在波の強さの分布は、(x−L0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。これは、図4において、第1の給電点22から左回りの伝播路において、第1の給電点22から左回りでL0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
【0048】
図7において、定在波の隣り合う腹と腹の間隔は、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する電力の波長の二分の一である。
なお、ここでは、第1の電力供給系で生成され、かつ、第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生する定在波を第1の定在波と呼ぶ。
【0049】
他方、上記第1の給電点22から供給される電力の電力波は、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へも伝播する。
図2において、第1の給電点22から左回り方向への伝播路の距離をy(第1の給電点22を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(yの正方向)を伝播する電圧波をW31(y、t)とする。第1の給電点22から右回り方向への伝播路(yの負方向)を伝播する電圧波をW32(y、t)とすると、次のように表現される。
W31(y、t)=V・sin{ωt+2πy/λ+Φ1(t)}
W32(y、t)=V・sin{ωt−2π(y−M0)/λ+Φ1(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ1(t)は第1のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、M0は第1の給電点22から左回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I1(y、t)は次式のようになる。
I3(y、t)
∝cos2{2π(y−M0/2)/λ+Φ1(t)−Φ1(t)}
=cos2{2π(y−M0/2)/λ}
このI3(y、t)は、図7図示の定在波の強さの分布と同様である。これは、定在波の強さの分布は、(y−M0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。即ち、図2において、第1の給電点22から左回りの伝播路35において、第1の給電点22から左回りでM0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
なお、上記I3(y、t)を、第3の定在波と呼ぶ。
【0050】
次に、第2の予備製膜工程であるが、第1の予備製膜工程と同様に、図1〜図3において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
次に、前記第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26、第2の電力増幅器27、第2のインピーダンス整合器28、第2の電流導入端子30、第2の給電線31から成る第2の電力供給系を用いて、一対の電極2、4に高周波電力を、周波数を第1の予備製膜工程で選定された60MHzに設定し、その電力を第1の予備製膜工程と同じの500Wとする。
この場合、前記第2のインピーダンス整合器28を調整することにより、該インピーダンス整合器28の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0051】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。
前記第1の予備製膜工程で選定された条件、即ち、圧力0.5Torr(66.5Pa)、周波数60MHz、電力500Wにおいて、アモルファスシリコンを製膜する。
この場合は、第1の予備製膜工程で得られたデータと同様のものが得られる。
確認のため、定在波の腹と腹の間隔を測定する。即ち、1周期=1.5mの定在波の形をしたアモルファスシリコン膜が得られることを確認する。
【0052】
ところで、上記第2の給電点32から供給される電力の第1及び第2の給電点を結ぶ方向への伝播は、電力波は、図5に示したように、電極間を伝播していき、両者は互いに向かい合った方向から伝播し重なり合うので、干渉現象が発生する。その様子を、図5、図6及び図7を用いて説明する。
図5において、第2の給電点32から左回り方向への伝播路の距離をx(第2の給電点32を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(xの正方向)を伝播する電圧波をW21(x、t)とする。第2の給電点32から右回り方向への伝播路(xの負方向)を伝播する電圧波をW22(x、t)とすると、次のように表現される。
W21(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ2(t)}
W22(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ2(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ2(t)は第2のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、L0は第2の給電点32から右回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I2(x、t)は次式のようになる。
I2(x、t)
∝cos2{2π(x−L0/2)/λ−π/2+Φ2(t)−Φ2(t)}
=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
このI2(x、t)を概念的に、図7に示す。これは、定在波の強さの分布は、(x−L0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。また、これは、図5において、第2の給電点32から左回りの伝播路において、第2の給電点32から左回りでL0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
【0053】
図7図示の定在波において、隣り合う腹と腹の間隔は、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する電力の波長の二分の一である。
なお、ここでは、第2の電力供給系で生成され、かつ、第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生する定在波を第2の定在波と呼ぶ。
【0054】
他方、上記第2の給電点32から供給される電力の電力波は、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へも伝播する。それは図2図示の第1の給電点の場合と同様である。
左回り方向への伝播路(yの正方向)を伝播する電圧波をW41(y、t)とする。第2の給電点32から右回り方向への伝播路(yの負方向)を伝播する電圧波をW42(y、t)とすると、次のように表現される。
W41(y、t)=V・sin{ωt+2πy/λ+Φ2(t)}
W42(y、t)=V・sin{ωt−2π(y−M0)/λ+Φ2(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ2(t)は第2のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、M0は第1の給電点22から左回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I2(y、t)は次式のようになる。
I4(y、t)
∝cos2{2π(y−M0/2)/λ+Φ2(t)−Φ2(t)}
=cos2{2π(y−M0/2)/λ}
このI4(y、t)は、図7図示の定在波の強さの分布と同様である。これは、定在波の強さの分布は、(y−M0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。また、これは、図2において、第2の給電点32から左回りの伝播路において、第2の給電点32から左回りでM0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
なお、上記I4(y、t)を、第4の定在波と呼ぶ。
【0055】
さて、次に第3の工程である製膜工程を行う。第3の工程である製膜工程では、前記第1の予備製膜工程で行ったプラズマ生成条件で、第1の電力供給系から第1の給電点22に電力を供給し、かつ、同時に、第2の予備製膜工程で行ったプラズマ生成条件で、第2の電力供給系から第2の給電点32に電力を供給する。
そうすると、前記第1の定在波と、第2の定在波と、第3の定在波と、第4の定在波が同時に生成される。
第1の給電点22から第1及び第2の給電点22、32を結ぶ方向へ伝播する2つの波W11(x、t)とW12(x、t)、即ち、
W11(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ1(t)}
W12(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ1(t)}
及び、第2の給電点32から第1及び第2の給電点22、32を結ぶ方向へ伝播する2つの波W21(x、t)とW22(x、t)、即ち、
W21(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ2(t)}
W22(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ2(t)}
が、前記第1の電極2と第2の電極4の間で、重なりあう。また、同時に、
第1の給電点22から第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へ伝播する2つの波W31(y、t)とW32(y、t)、即ち、
W31(x、t)=V・sin{ωt+2πy/λ+Φ1(t)}
W32(x、t)=V・sin{ωt−2π(y−M0)/λ+Φ1(t)}
及び、第2の給電点32から第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へ伝播する2つの波W41(y、t)とW42(y、t)、即ち、
W41(x、t)=V・sin{ωt+2πy/λ+Φ2(t)}
W42(x、t)=V・sin{ωt−2π(y−M0)/λ+Φ2(t)}
その結果、W11(x、t)とW12(x、t)は干渉して、第1の定在波を発生する。W21(x、t)とW22(x、t)は干渉して、第2の定在波を発生する。W31(x、t)とW32(x、t)は干渉して、第3の定在波を発生する。W41(x、t)とW42(x、t)は干渉して、第4の定在波を発生する。
ただし、上記W11(x、t)とW21(x、t)、W1(x、t)とW22(x、t)、W12(x、t)とW21(x、t)、及びW12(x、t)とW22(x、t)は、それぞれの発生源が異なり、かつ、位相が時間的にランダム変調されているので、互いに独立した関係にある。したがって、それらは干渉しないので、定在波を形成できない。また、x方向及びy方向に伝播する波は、直交関係にあるので、干渉しない。
上記の定在波は次に示す数式で表される性質を有する。
第1の定在波の分布は、
I1(x、t)=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
第2の定在波は、
I2(x、t)=cos2{2π(x−L0/2)/λ}、
ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
第3の定在波は、
I3(y、t)=cos2{2π(y−M0/2)/λ}
第4の定在波は、
I4(y、t)=cos2{2π(y−M0/2)/λ}
で表される。
【0056】
ところで、本実施例では、第1及び第2の給電点は図3図示のように配置されているので、前記第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生の第1及び第2の定在波I1(x、t)、I2(x、t)は図3図示の40の領域に存在する。また、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向に発生の第3及び第4の定在波I3(y、t)、I4(y、t)は、図3図示の41、42の領域に存在する。
ここで、上記第1及び第2の定在波と、上記第3及び第4の定在波が空間的に分離されている領域が存在する。それは、図3図示の43の領域である。この領域では、上記第1の定在波及び第2の定在波が重なり合って一様な強さの分布を形成する。その結果を図9に示す。
【0057】
上記の通り、第3及び第4の定在波が、上記第1及び第2の定在波と空間的に分離されている領域では、上記第1の定在波及び第2の定在波が重なり合って一様な強さの分布を形成する。それを数式で示すと次の通りである。ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
I1(x、t)+I2(x、t)
=cos2{2π(x−L0/2)/λ−π/2}+cos2{2π(x−L0/2)/λ}
=sin2{2π(x−L0/2)/λ}+cos2{2π(x−L0/2)/λ}
=1
なお、第1及び第2の給電点の間隔を、予め、プラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍に設定しておけば、図8に示すように、2つの定在波は重なり合って、一定の強さになることが判る。
また、製膜試験の結果を見て、第1の定在波の腹(膜厚みが最大である位置)と第2の定在波の腹(膜厚みが最大である位置)の間隔が、プラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一に等しくない場合、それを所要の値に調整する手段として、第1及び第2の電力供給系の周波数を選定することが重要である。
【0058】
一般的に、一対の電極2、4間の電力の強さの分布とプラズマの強さの分布は比例関係にある。他方、上記工程において、SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中に存在するSiH3、SiH2、SiH等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板11の表面に吸着されることによりa−Si膜が堆積するが、プラズマの強さの分布と膜厚みの分布は比例関係にある。このことは、電力の強さの分布が均一化されるということは、膜厚み分布が均一化されるということである。
また、電力の強さの分布が均一化されるということは、プラズマ密度及びラデイカル密度が大面積に亘って均一化されるという意味である。
したがって、一対の電極2、4間の電力の強さが上述の通り一様である場合は、その堆積膜の分布は一様になる。その結果、膜厚みのバラツキは一様になる。実用上必要な膜厚みのバラツキは5〜10%であるので、それを達成することは容易に可能である。
このことは、波長λの四分の一を越えるサイズの基板を対象にした従来のVHFプラズマ表面処理装置及び方法では不可能視されている一様な膜厚分布の形成が実現可能であるということを意味している。したがって、上記のことはVHFプラズマの応用分野においては画期的な発見であり、その実用価値は著しく大きい。
なお、微結晶Siあるいは薄膜多結晶Si等は、製膜条件の中のSiH、H2の流量比、圧力および電力を適正化することで製膜できることは公知の技術であるので、上記アモルファスシリコン膜の製膜と同様に可能であることは、当然のことである。
【0059】
本実施例では、給電点の個数が2個であるので、基板サイズは幅400mm程度x長さ2000mm程度に制約されるが、給電点の個数を幅方向に2個以上に増加すれば基板サイズの幅は拡大可能であることは当然のことである。
なお、本実施例に示したプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)及びプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)においては、電極の長さを基板の長さより、一回り長く設定する必要がある。これは、装置が大型化になる要因になるので、一つの短所である。
【0060】
a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造では、膜厚分布として±10%以内であれば性能上問題はない。上記実施例によれば、60MHzの電源周波数を用いても、従来の装置および方法に比べ著しく良好な膜厚分布を得ることが可能である。このことは、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造分野での生産性向上および低コスト化に係わる工業的価値が著しく大きいことを意味している。
【0061】
(実施例2)
本発明に関する実施例2のプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)及びプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)について、図9〜図11を参照して説明する。
【0062】
先ず、装置の構成について説明する。ただし、実施例1で示した部材と同じ部材は同符番を付して説明を省略する。
図9は実施例2に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図、図10は図9図示のプラズマ表面処理装置の第1の電極の付属部材である非接地の導体板の構成を示す説明図、図11は図9図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点の配置及び電力の伝播方向を示す説明図である。
【0063】
先ず、装置の構成を説明する。図9〜図11において、符番200aは第1の非接地の導体板で、前記真空容器1に後述の第1の絶縁材201aを介して固着され、かつ、前記第1の平板型電極2の側面における第1及び第2の給電点22と32を結ぶ線分に平行な2つの側面の一方に固着される。符番201aは第1の絶縁材で、前記第1の非接地の導体板200aを、真空容器1に固着し、電気的に絶縁するとともに、該真空容器1の気密を保持する。符番202aは第1の開口で、非接地の導体板200aと真空容器1の内壁との間での放電を抑制する。
符番200bは第2の非接地の導体板で、前記真空容器1に後述の第2の絶縁物201bを介して固着され、かつ、前記第1の平板型電極2の側面における第1及び第2の給電点22と32を結ぶ線分に平行な2つの側面の他方に固着される。符番201bは第2の絶縁材で、前記第1の非接地の導体板200bを真空容器1に固着し、電気的に絶縁するとともに、該真空容器1の気密を保持する。符番202bは第2の開口で、非接地の導体板200bと真空容器1の内壁との間での放電を抑制する。
なお、上記第1及び第2の非接地の導体板200a、200bは、図9及び図10図示のように、該接地板の一方の端部は真空容器1を貫通して、大気側の真空容器1の面に、それぞれ、第1及び第2の絶縁材201a、201bを介して固着される。その他方の端部は第1の平板型電極2の両側の面に、それぞれ固着される。したがって、後述の第1及び第2の給電点22、32から供給される電力が、該第1及び第2の非接地の導体板200a、200bを乗り越えて、伝播することは出来ない。即ち、第1及び第2の給電点22、32から供給される電力の該第1及び第2の給電点22、32を結ぶ方向に直交する方向から、一対の電極2、4間への伝播は抑制される。
【0064】
本実施例における第1の平板型電極2のサイズは次のように設定する。該第1の平板型電極2の辺の長さは、第1及び第2の高周波電源17、27の出力電力が一対の電極2、4間に生成されるプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値にする。ここでは、該第1の平板型電極2のサイズを、例えば、長さ2.25m(0.75mx3)x幅0.75mx厚み0.2mとする。
なお、プラズマ内を伝播する際の波長は、放電ガスの種類、プラズマ密度等に依存するが、シランガスを用いたアモルファスシリコン製膜の一般的条件では真空中における波長の約0.6倍である。例えば、周波数60MHzの電磁波の真空中における波長は5mであるので、プラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値は1.25mx0.6x奇数倍=0.75mx奇数倍である。
【0065】
給電点は、実施例1と同様に、該電極2の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、該電極2の一つの辺に平行な一直線上に、複数個の給電点、例えば、図11に示すように第1及び第2の給電点22、32を配置させる。その間隔は、後述の電力供給系から供給される電力のプラズマ中での波長の四分の一の奇数倍になるように推測して設定する。なお、プラズマ中での波長が既知の場合は、推測でなく、データベースでの数値が選定可能である。
ここでは、第1及び第2の給電点22、32を、図11に示すように、該電極の長さ方向の一方の端部から三分の一の地点22及び該端部から三分の二の地点32に設定する。 即ち、第1の給電点22及び第2の給電点32間隔は0.75mである。
【0066】
図11において、前記第1及び第2の電力供給系から、それぞれ第1及び第2の給電点22、32へ供給される電力は、前記第1及び第2の非接地の導体板200a、200bの設置により、図11図示のように、該2つの給電点を結ぶ方向xの正と負の方向に伝播する。 該2つの給電点を結ぶx方向に直交するy方向には、第1及び第2の非接地の導体板200a、200bがあるので、電力波は伝播できない。即ち、該y方向から、一対の電極2、4のプラズマ生成空間への電力投入は出来ない。
したがって、一対の電極2、4間への電力供給は、該2つの給電点を結ぶ方向xの正と負の方向からの伝播路に限定される。
このことは、後述するように、一様な定在波発生が容易に可能となるということを意味している。
【0067】
次に、上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造装置用のSiH4ガスのプラズマ発生装置及び方法を説明する。なお、本発明の実施あるいは応用では、手順として、第1及び第2の予備製膜工程と、製膜工程の3つの工程が必要である。
第1の予備製膜工程では、前記第1の給電点22を介して第1の電力供給系から供給する電力を用いて基板11への製膜する場合に発生する第1の定在波の空間的周期、即ち隣り合う腹と腹の間隔と該第1の電力供給系の周波数との関係をデータとして把握する。
第2の予備製膜工程では、前記第2の給電点32を介して第2の電力供給系から供給する電力を用いて基板11へ製膜する場合に発生する第2の定在波の空間的周期、即ち隣り合う腹と腹の間隔と該第2の電力供給系の周波数との関係をデータとして把握する。
製膜工程は目的とするアモルファスSiの製造のために実施される。
【0068】
先ず、第1の予備製膜工程であるが、図9において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
次に、前記第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16、第1の電力増幅器17、第1のインピーダンス整合器18、第1の電流導入端子20、第1の給電線21から成る第1の電力供給系を用いて、一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば500Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器18を調整することにより、それぞれのインピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0069】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。このような、製膜試験を第1の発信器15の周波数をパラメータに実施する。
例えば、圧力0.5Torr(66.5Pa)、電力500Wにおいて、周波数56、58、60、62、64、66MHzのデータを取得する。そして、第1の電極2の長さ方向において、基板11に製膜されたアモルファスシリコン膜の隣り合う最大厚み間の距離と出力の周波数の関係をデータとして把握する。例えば、周波数56MHzで距離1.61m、58MHzで距離1.55m、60MHzで距離1.5m、62MHzで距離1.45m、64MHzで距離1.41m、66MHzで距離1.36mが得られる。
もしも、前記第1及び第2の給電点間隔の設定の用いたプラズマ伝播時の波長の推定が、上記実測値と異なる場合は、実測された該波長の四分の一の値が0.75mに近い値を示す周波数を採用すれば良い。
【0070】
ところで、上記第1の給電点22から供給される電力の電力波は、実施例1で説明したように、同一電源から発振された電力が互いに異なる伝播路を伝播して、一対の電極2、4間で互いに向かい合った方向から伝播しあって重なり場合、干渉現象が発生する。その様子については、実施例1での説明事項を参照することにし、ここでは省略する。
前記第1の給電系から第1の給電点22に、周波数60MHzの電力が供給されると、次に示すような正弦状の厚み分布を持つアモルファスシリコン膜が製膜される。
図11において、第1の給電点22から右回り方向への伝播路の距離をx(第1の給電点22を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(xの正方向)を伝播する電圧波をW11(x,t)とする。第1の給電点22から右回り方向への伝播路(xの負方向)を伝播する電圧波をW12(x、t)とすると、次のように表現される。
W11(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ1(t)}
W12(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ1(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ1(t)は第1のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、L0は第1の給電点22から左回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I1(x、t)は次式のようになる。
I1(x、t)
∝cos2{2π(x−L0/2)/λ+Φ1(t)−Φ1(t)}
=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
このI1(x、t)を概念的に、図7に示す。これは、定在波の強さの分布は、(x−L0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。これは、第1の給電点22から図11に示した左回りの伝播路において、第1の給電点22から左回りでL0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
【0071】
図7において、定在波の隣り合う腹と腹の間隔は、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する電力の波長の二分の一である。
なお、ここでは、第1の電力供給系で生成され、かつ、第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生する定在波を第1の定在波と呼ぶ。
【0072】
他方、一般的には、上記第1の給電点22から供給される電力の電力波は、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へも伝播する。しかしながら、本実施例の場合、第1及び第2非接地の導体板200a、200bの設置により、その方向への電力の伝播はない。
したがって、実施例1で示した第3の定在波は存在しない。
【0073】
次に、第2の予備製膜工程であるが、第1の予備製膜工程と同様に、図9において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
次に、前記第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26、第2の電力増幅器27、第1のインピーダンス整合器28、第2の電流導入端子30、第2の給電線31から成る第2の電力供給系を用いて、一対の電極2、4に高周波電力を、周波数を第1の予備製膜工程で選定された60MHzに設定し、その電力を第1の予備製膜工程と同じの500Wとする。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器28を調整することにより、インピーダンス整合器28の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0074】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。
前記第1の予備製膜工程で選定された条件、即ち、圧力0.5Torr(66.5Pa)、周波数60MHz、電力500Wにおいて、アモルファスシリコンを製膜する。
この場合は、第1の予備製膜工程で得られたデータと同様のものが得られる。
確認のため、定在波の腹と腹の間隔を測定する。即ち、1周期が0.75mx2=1.5mの定在波の形をしたアモルファスシリコン膜が得られることを確認する。
【0075】
ところで、上記第2の給電点32から供給される電力の電力波は、実施例1で説明したように、同一電源から発振された電力が互いに異なる伝播路を伝播して、一対の電極2、4間で互いに向かい合った方向から伝播しあって重なり場合、干渉現象が発生する。その様子については、実施例1での説明事項を参照することにし、ここでは省略する。
前記第1の給電系から第2の給電点32に、周波数60MHzの電力が供給されると、次に示すような正弦状の厚み分布を持つアモルファスシリコン膜が製膜される。
図11において、第2の給電点32から右回り方向への伝播路の距離をx(第2の給電点32を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(xの正方向)を伝播する電圧波をW21(x、t)とする。第2の給電点32から右回り方向への伝播路(xの負方向)を伝播する電圧波をW22(x、t)とすると、次のように表現される。
W21(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ2(t)}
W22(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ2(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ2(t)は第2のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、L0は第2の給電点32から右回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I2(x、t)は次式のようになる。
I2(x、t)
∝cos2{2π(x−L0/2)/λ−π/2+Φ2(t)−Φ2(t)}
=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
このI2(x、t)を概念的に、図7に示す。これは、定在波の強さの分布は、(x−L0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。また、これは、図11において、第2の給電点32から左回りの伝播路において、第2の給電点32から左回りでL0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
【0076】
図7図示の定在波において、隣り合う腹と腹の間隔は、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する電力の波長の二分の一である。
なお、ここでは、第2の電力供給系で生成され、かつ、第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生する定在波を第2の定在波と呼ぶ。
【0077】
他方、一般的には、上記第2の給電点32から供給される電力の電力波は、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へも伝播する。しかしながら、本実施例の場合、第1及び第2の非接地の導体板200a、200bの設置により、その方向への電力の伝播はない。
したがって、実施例1で示したような第4の定在波は存在しない。
【0078】
さて、次に第3の工程である製膜工程を行う。第3の工程である製膜工程では、前記第1の予備製膜工程で行ったプラズマ生成条件で、第1の電力供給系から第1の給電点22に電力を供給し、かつ、同時に、第2の予備製膜工程で行ったプラズマ生成条件で、第2の電力供給系から第2の給電点32に電力を供給する。
そうすると、前記第1の定在波と、第2の定在波が同時に生成される。
第1の給電点22から第1及び第2の給電点22、32を結ぶ線分での正と負の方向へ伝播する2つの波W11(x、t)とW12(x、t)、即ち、
W11(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ1(t)}
W12(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ1(t)}
及び、第2の給電点32から第1及び第2の給電点22、32を結ぶ線分でのせいと負の方向へ伝播する2つの波W21(x、t)とW22(x、t)、即ち、
W21(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ2(t)}
W22(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ2(t)}
が、前記第1の電極2と第2の電極4の間で、重なりあう。
ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
即ち、上記の定在波は次に示す数式で表される性質を有する。第1の定在波の分布は、
I1(x、t)=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
第2の定在波は、
I2(x、t)=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
で表される。ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
【0079】
上記の第1及び第2の定在波は、一対の電極2、4の間で重なり合うので、その結果、以下に示すような一様な強さの電力分布が形成される。数式で示すと次の通りである。
I1(x、t)+I2(x、t)
=cos2{2π(x−L0/2)/λ−π/2}+cos2{2π(x−L0/2)/λ}
=sin2{2π(x−L0/2)/λ}+cos2{2π(x−L0/2)/λ}
=1
なお、本実施例では、第1及び第2の給電点の間隔を、予め、周波数60MHzでのシランガスプラズマにおけるプラズマ中を伝播する際の波長である0.75mに等しい値に設定しているので、一様な分布の膜が得られる。
結果的に、一様な分布を持つアモルファスシリコン膜が得られない場合は、第1の定在波の腹(膜厚みが最大である位置)と第2の定在波の腹(膜厚みが最大である位置)の間隔が、プラズマ中を伝播する電力の波長の四分の一に等しくなるように、第1及び第2の電力供給系の周波数を選定することを試み、繰り返して、予備製膜試験を行えば良い。
【0080】
さて、一般的に、一対の電極2、4間の電力の強さとプラズマの強さは比例関係にある。即ち、一対の電極2、4間の電力の強さの分布とプラズマの強さの分布は比例関係にある。他方、上記工程において、SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中に存在するSiH3、SiH2、SiH等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板11の表面に吸着されることによりa−Si膜が堆積するが、プラズマの強さの分布と膜厚みの分布は比例関係にある。電力の強さの分布が均一化されるということは、応用上重要であるプラズマ密度及びラデイカル密度が大面積に亘って均一化されるという意味である。
したがって、一対の電極2、4間の電力の強さが上述の通り一様である場合は、その堆積膜の分布は一様になる。その結果、膜厚みのバラツキは一様になる。実用上必要な膜厚みのバラツキは5〜10%であるので、それを達成することは容易に可能である。
このことは、波長λの四分の一を越えるサイズの基板を対象にした従来のVHFプラズマ表面処理装置及び方法では不可能視されている一様な膜厚分布の形成が実現可能であるということを意味している。したがって、上記のことはVHFプラズマの応用分野においては画期的な発見であり、その実用価値は著しく大きい。
なお、微結晶Siあるいは薄膜多結晶Si等は、製膜条件の中のSiH4,H2の流量比、圧力および電力を適正化することで製膜できることは公知の技術であるので、上記アモルファスシリコン膜の製膜と同様に可能であることは、当然のことである。
【0081】
また、本実施例では、給電点の個数が2個であるので、基板サイズは幅400mm程度x長さ2000mm程度に制約されるが、給電点の個数を幅方向に2個以上増加すれば基板サイズの幅は拡大可能であることは当然のことである。
なお、本実施例に示したプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)及びプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)では、第1の平板型電極2のサイズが実施例1の場合よりも、小さいサイズ、即ち、長さ2.25m(0.75mx3)x幅0.75mx厚み0.2mとして、同様の基板サイズに製膜試験が行うことが可能である。その理由は、前記第1及び第2の非接地の導体板200a、200bを設置したことにより、上記第3及び第4の定在波の発生を防止したことによる。
【0082】
また、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造では、膜厚分布として±10%以内であれば性能上問題はない。上記実施例によれば、60MHzの電源周波数を用いても、従来の装置および方法に比べ著しく良好な膜厚分布を得ることが可能である。
このことは、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造分野での生産性向上および低コスト化に係わる工業的価値が著しく大きいことを意味している。
(実施例3)
本発明に関する実施例3のプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)及びプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)について、図12を参照して説明する。
【0083】
先ず、装置の構成について説明する。ただし、実施例1及び実施例2で示した部材と同じ部材は同符番を付して説明を省略する。
図12は実施例3に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図である。
【0084】
先ず、装置の構成を説明する。図12において、符番105は第1の分配器で、第1のインピーダンス整合器18の出力を2つに分けて、それぞれを、同軸ケーブル106、107を介して、第1aの電流導入端子20a及び第1bの電流導入端子20bに伝送する。
第1aの電流導入端子20aは、第1の分配器105から伝送された電力を、第1aの給電線21aを介して第1aの給電点22aに伝送する。第1bの電流導入端子20bは、第1の分配器105から伝送された電力を、第1bの給電線21bを介して第1bの給電点22bに伝送する。
【0085】
符番108は第2の分配器で、第2のインピーダンス整合器28の出力を2つに分けて、それぞれを、同軸ケーブル110、111を介して、第2aの電流導入端子30a及び第2bの電流導入端子30bに伝送する。
第2aの電流導入端子30aは、第2の分配器108から伝送された電力を、第2aの給電線31aを介して第2aの給電点32aに伝送する。第2bの電流導入端子30bは、第2の分配器105から伝送された電力を、第2bの給電線31bを介して第2bの給電点32bに伝送する。
【0086】
本実施例における第1の平板型電極2のサイズは次のように設定する。該第1の平板型電極2の辺の長さは、第1及び第2の高周波電源17、27の出力電力が一対の電極2、4間に生成されるプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値にする。
なお、プラズマ内を伝播する際の波長は、放電ガスの種類、プラズマ密度等に依存するが、シランガスを用いたアモルファスシリコン製膜の一般的条件では真空中における波長の約0.6倍である。例えば、周波数60MHzの電磁波の真空中における波長は5mであるので、プラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値は1.25mx0.6x奇数倍=0.75mx奇数倍である。
ここでは、該第1の平板型電極2のサイズを、例えば、長さ2.25m(0.75mx3)x幅1.5m(0.75mx2)x厚み0.2mとする。
【0087】
給電点は、実施例2と同様に、該電極2の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、該電極2の一つの辺に平行な一直線上に、複数個の給電点、例えば、図12に示すように第1a、第1b、第2a及び第2bの給電点22a、22b、32a、32bを配置させる。その間隔は、後述の電力供給系から供給される電力のプラズマ中での波長の四分の一の奇数倍になるように推測して設定する。なお、プラズマ中での波長が既知の場合は、推測でなく、データベースでの数値が選定可能である。
ここでは、第1a及び第2aの給電点22a、32aを、図12に示すように、該電極の長さ方向の一方の端部から三分の一の地点22a及び該端部から三分の二の地点32aに設定する。即ち、第1aの給電点22a及び第2aの給電点32aの間隔は0.75mである。
【0088】
図12において、前記第1及び第2の電力供給系から、第1a、第1b、第2a及び第2bの給電点22a、22b、32a、32bを介して供給される電力は、前記第1及び第2の非接地の導体板200a、200bの設置により、図12図示のxの正と負の方向に伝播する。 該2つの給電点を結ぶx方向に直交するy方向には、第1及び第2の非接地の導体板200a、200bがあるので、電力波は伝播できない。即ち、該y方向から、一対の電極2、4のプラズマ生成空間への電力投入は出来ない。
【0089】
上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、例えば、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造方法についてであるが、前述の実施例2の場合と同様であるので、説明を省略する。
(実施例4)
【0090】
先ず、装置の構成について説明する。ただし、実施例1〜3に示した部材と同じ部材は同符番を付して説明を省略する。
図13は実施例4に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図、図14は図13図示のプラズマ表面処理装置の第1〜第4の給電点の説明図である。
【0091】
最初に、装置全体の構成を説明する。装置構成は、実施例1の場合と同様であるが、実施例1と異なる点は、前記電極の裏面に、一直線上に前記高周波電源の出力電力がプラズマ中を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させ、かつ、該複数個の個々の給電点から該直線に垂直方向に、前記高周波電源の出力電力のプラズマ中を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させていることである。
ここでは、間隔を該波長の四分の一とし、給電点の数を4個とする。
【0092】
図13及び図14において、符番45は第3の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第3のランダム位相変調器46で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
符番46は第3のランダム位相変調器で、第3の発信器45の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
符番47は第3の増幅器で、第3の発信器45から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第3のインピーダンス整合器48へ伝送する。符番50は第3の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル49と真空容器内に設置の第3の給電線51を接続し、該第3の給電線51を介して前記第3のインピーダンス整合器48の出力を第3の給電点52に伝送する。符番51は第3の給電線で、第3のインピーダンス整合器48の出力を第3の給電点52へ伝送する。
なお、第3の給電線51には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第3の発信器45、第3のランダム位相変調器46及び第3の増幅器47から構成される第3の高周波電源と第3のインピーダンス整合器48から成る電力供給系を第3の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第3の電力増幅器47には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第3の電力増幅器47本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0093】
図13及び図14において、符番55は第4の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第4のランダム位相変調器56で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
符番56は第4のランダム位相変調器で、第4の発信器55の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
符番57は第4の増幅器で、第4の発信器55から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第4のインピーダンス整合器58へ伝送する。符番60は第4の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル59と真空容器内に設置の第4の給電線61を接続し、該第4の給電線61を介して前記第4のインピーダンス整合器58の出力を第4の給電点62に伝送する。符番61は第4の給電線で、第4のインピーダンス整合器58の出力を第4の給電点62へ伝送する。
なお、第4の給電線61には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第4の発信器55、第4のランダム位相変調器56及び第4の増幅器57から構成される第4の高周波電源と第4のインピーダンス整合器58から成る電力供給系を第4の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第4の電力増幅器57には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第4の電力増幅器57本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0094】
次に、上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造装置用のSiH4ガスのプラズマ発生装置及び方法を説明する。
【0095】
先ず、第1の予備試験として、以下に示す電力供給系の調整を行う。
図13において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
【0096】
次に、前記第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16、第1の電力増幅器17、第1のインピーダンス整合器18、第1の電流導入端子20、第1の給電線21から成る第1の電力供給系を用いて、第1の給電点22を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器18を調整することにより、該インピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0097】
次に、前記第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26、第2の電力増幅器27、第2のインピーダンス整合器8、第2の電流導入端子30、第2の給電線31から成る第2の電力供給系を用いて、第2の給電点32を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第2のインピーダンス整合器28を調整することにより、該インピーダンス整合器28の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0098】
次に、前記第3の発信器45、第3のランダム位相変調器46、第3の電力増幅器47、第3のインピーダンス整合器48、第3の電流導入端子50、第3の給電線51から成る第3の電力供給系を用いて、第3の給電点52を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第3のインピーダンス整合器48を調整することにより、該インピーダンス整合器48の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0099】
次に、前記第4の発信器55、第4のランダム位相変調器56、第4の電力増幅器57、第4のインピーダンス整合器58、第4の電流導入端子60、第4の給電線61から成る第4の電力供給系を用いて、第4の給電点62を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第4のインピーダンス整合器58を調整することにより、該インピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0100】
ここで、前記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の出力250Wを、一旦、ゼロとする。そして、上記放電ガスの供給を、一旦、ゼロにする。その後、真空容器1を大気に戻して、上記基板を取り出す。
【0101】
次に、第2の予備試験として、以下に示す製膜試験を行う。
図13において、再度、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
【0102】
次に、前記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の周波数を60MHzとし、出力をそれぞれ、250Wに設定する。合計で1KWである。その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0103】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。このような、製膜試験を前記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の周波数をパラメータに実施する。
例えば、圧力0.5Torr(66.5Pa)、電力合計1KWにおいて、周波数56、58、60、62、64、66MHzのデータを取得する。そして、第1及び第2の給電点を結ぶ方向、及び第1及び第3の給電点を結ぶ方向において、基板11に製膜されたアモルファスシリコン膜の厚みの分布にバラツキがあるか、否かを調査する。そのバラツキと出力の周波数の関係をデータとして把握する。
例えば、周波数56MHzの場合、±15%、周波数58MHzの場合、±10%、周波数60MHzの場合、±5%、周波数62MHzの場合、±10%、周波数64MHzの場合、±15%が得られる。
もしも、前記第1及び第2の給電点間隔の設定の用いたプラズマ伝播時の波長の推定が、上記実測値と異なる場合は、上記のようなデータでなく、例えば、周波数56MHzの場合、±20%、周波数58MHzの場合、±15%、周波数60MHzの場合、±10%、周波数62MHzの場合、±5%、周波数64MHzの場合、±10%のようなデータになる。この場合は、アモルファスシリコン膜の厚み分布バラツキが最も少ない周波数を採用すれば良い。
【0104】
ところで、上記データは以下に示すような定在波が重なりあって、結果として、一様な膜厚み分布となるのである。
図13において、上記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の出力が第1、第2、第3及び第4の給電点22、32、52、62を介して供給されると、以下に示すように、実施例1で説明した定在波と同様なものが発生する。
図14において、第1の給電点22から第2の給電点32の方向をx方向とする。第1の給電点22から第3の給電点52の方向をy方向とする。
x方向の定在波は、第1及び第2の給電点22、32から供給された電力の干渉と、第3及び第4の給電点52、62から供給された電力の干渉により、実施例1で説明した図8図示の第1及び第2の定在波が発生する。したがって、第1及び第2の給電点22、32の間隔、及び第3及び第4の給電点52、62の間隔が、それぞれ、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍であれば、上記第1及び第2の定在波の合成された強さは一様になる。
他方、y方向の定在波は、第1及び第3の給電点22、52から供給された電力の干渉と、第2及び第4の給電点32、62から供給された電力の干渉により、実施例1で説明した図8図示の第1及び第2の定在波が発生する。したがって、第1及び第3の給電点22、52の間隔、及び第2及び第4の給電点32、62の間隔が、それぞれ、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍であれば、上記第1及び第2の定在波の合成された強さは一様になる。
上記x方向及びy方向において、それぞれ、電力の強さの分布が一様な強さであれば、xy面としての電力の強さの分布は一様な強さになる。
【0105】
さて、一般的に、一対の電極2、4間の電力の強さの分布とプラズマの強さの分布は比例関係にある。他方、上記工程において、SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中に存在するSiH3、SiH2、SiH等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板11の表面に吸着されることによりa−Si膜が堆積するが、プラズマの強さの分布と膜厚みの分布は比例関係にある。電力の強さの分布が均一化されるということは、プラズマ密度及びラデイカル密度が大面積に亘って均一化されるという意味である。
したがって、一対の電極2、4間の電力の強さが上述の通り一様である場合は、その堆積膜の分布は一様になる。その結果、膜厚みのバラツキは一様になる。実用上必要な膜厚みのバラツキは5〜10%であるので、それを達成することは容易に可能である。
このことは、波長λの四分の一を越えるサイズの基板を対象にした従来のVHFプラズマ表面処理装置及び方法では不可能視されている一様な膜厚分布の形成が実現可能であるということを意味している。したがって、上記のことはVHFプラズマの応用分野においては画期的な発見であり、その実用価値は著しく大きい。
なお、微結晶Siあるいは薄膜多結晶Si等は、製膜条件の中のSiH4,H2の流量比、圧力および電力を適正化することで製膜できることは公知の技術であるので、上記アモルファスシリコン膜の製膜と同様に可能であることは、当然のことである。
【0106】
また、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造では、膜厚分布として±10%以内であれば性能上問題はない。上記実施例によれば、60MHzの電源周波数を用いても、従来の装置および方法に比べ著しく良好な膜厚分布を得ることが可能である。
このことは、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造分野での生産性向上および低コスト化に係わる工業的価値が著しく大きいことを意味している。
(実施例5)
【0107】
先ず、装置の構成について説明する。ただし、実施例1〜実施例4に示した部材と同じ部材は同符番を付して説明を省略する。
図15は実施例5に係わるプラズマ表面処理装置の一対の電極及び第1〜第8の給電点の説明図である。
【0108】
最初に、装置全体の構成を説明する。装置構成は、実施例4の場合と同様であるが、実施例4と異なる点は、前記電極の側面に、前記高周波電源の出力電力がプラズマ中を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させていることである。
ここでは、間隔を該波長の四分の三とし、給電点の数を8個とする。
【0109】
図15において、符番72は第5の給電点、符番70は第5の電流導入端子である。
図示しない符番65は第5の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は図示しない第5のランダム位相変調器66で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
図示しない符番66は第5のランダム位相変調器で、第5の発信器65の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
図示しない符番67は第5の増幅器で、第5の発信器65から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第5のインピーダンス整合器68へ伝送する。符番70は第5の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル69と真空容器内に設置の第5の給電線71を接続し、該第5の給電線71を介して前記第5のインピーダンス整合器68の出力を第5の給電点72に伝送する。図示しない符番71は第5の給電線で、第5のインピーダンス整合器68の出力を第5の給電点72へ伝送する。
なお、第5の給電線71には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第5の発信器65、第5のランダム位相変調器66及び第5の増幅器67から構成される第5の高周波電源と第5のインピーダンス整合器68から成る電力供給系を第5の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第3の電力増幅器47には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第3の電力増幅器47本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0110】
図15において、符番82は第6の給電点、符番80は第6の電流導入端子である。
図示しない符番75は第6の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第6のランダム位相変調器76で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
図示しない符番76は第6のランダム位相変調器で、第6の発信器75の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
図示しない符番77は第6の増幅器で、第6の発信器75から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第6のインピーダンス整合器78へ伝送する。符番80は第6の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル79と真空容器内に設置の第6の給電線81を接続し、該第6の給電線81を介して前記第6のインピーダンス整合器78の出力を第6の給電点82に伝送する。符番81は第6の給電線で、第6のインピーダンス整合器78の出力を第6の給電点82へ伝送する。
なお、第6の給電線81には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第6の発信器75、第6のランダム位相変調器76及び第6の増幅器77から構成される第6の高周波電源と第6のインピーダンス整合器78から成る電力供給系を第6の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第6の電力増幅器77には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第6の電力増幅器77本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0111】
図15において、符番92は第7の給電点、符番90は第7の電流導入端子である。
図示しない符番85は第7の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は図示しない第7のランダム位相変調器86で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
図示しない符番86は第7のランダム位相変調器で、第7の発信器85の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
図示しない符番87は第7の増幅器で、第7の発信器85から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第7のインピーダンス整合器88へ伝送する。符番90は第7の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル89と真空容器内に設置の第7の給電線91を接続し、該第7の給電線91を介して前記第7のインピーダンス整合器88の出力を第7の給電点92に伝送する。符番91は第7の給電線で、第7のインピーダンス整合器88の出力を第7の給電点92へ伝送する。
なお、第7の給電線91には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第7の発信器85、第7のランダム位相変調器86及び第7の増幅器87から構成される第7の高周波電源と第7のインピーダンス整合器88から成る電力供給系を第7の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第7の電力増幅器87には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第7の電力増幅器87本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0112】
図15において、符番102は第8の給電点、符番100は第8の電流導入端子である。
図示しない符番95は第8の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は図示しない第8のランダム位相変調器96で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
図示しない符番96は第8のランダム位相変調器で、第8の発信器95の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
図示しない符番97は第8の増幅器で、第8の発信器95から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第8のインピーダンス整合器98へ伝送する。符番100は第8の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル99と真空容器内に設置の第8の給電線101を接続し、該第8の給電線101を介して前記第8のインピーダンス整合器98の出力を第8の給電点102に伝送する。符番101は第8の給電線で、第8のインピーダンス整合器98の出力を第8の給電点102へ伝送する。
なお、第8の給電線101には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第8の発信器95、第8のランダム位相変調器96及び第8の増幅器97から構成される第8の高周波電源と第8のインピーダンス整合器98から成る電力供給系を第8の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第8の電力増幅器97には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第8の電力増幅器97本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0113】
次に、上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造装置用のSiH4ガスのプラズマ発生装置及び方法を説明する。
【0114】
先ず、第1の予備試験として、以下に示す電力供給系の調整を行う。
図15において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
【0115】
次に、前記第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16、第1の電力増幅器17、第1のインピーダンス整合器18、第1の電流導入端子20、第1の給電線21から成る第1の電力供給系を用いて、第1の給電点22を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器18を調整することにより、該インピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0116】
次に、前記第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26、第2の電力増幅器27、第2のインピーダンス整合器28、第2の電流導入端子30、第2の給電線31から成る第2の電力供給系を用いて、第2の給電点32を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第2のインピーダンス整合器28を調整することにより、該インピーダンス整合器28の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0117】
次に、前記第3の発信器45、第3のランダム位相変調器46、第3の電力増幅器47、第3のインピーダンス整合器48、第3の電流導入端子50、第3の給電線51から成る第3の電力供給系を用いて、第3の給電点52を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第3のインピーダンス整合器48を調整することにより、該インピーダンス整合器48の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0118】
次に、前記第4の発信器55、第4のランダム位相変調器56、第4の電力増幅器57、第4のインピーダンス整合器58、第4の電流導入端子60、第4の給電線61から成る第4の電力供給系を用いて、第4の給電点62を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第4のインピーダンス整合器58を調整することにより、該インピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0119】
次に、前記第5の発信器65、第5のランダム位相変調器66、第5の電力増幅器67、第5のインピーダンス整合器68、第5の電流導入端子70、第5の給電線71から成る第5の電力供給系を用いて、第5の給電点72を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器68を調整することにより、該インピーダンス整合器68の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0120】
次に、前記第6の発信器75、第6のランダム位相変調器76、第6の電力増幅器77、第6のインピーダンス整合器78、第6の電流導入端子80、第6の給電線81から成る第6の電力供給系を用いて、第6の給電点82を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第6のインピーダンス整合器78を調整することにより、該インピーダンス整合器78の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0121】
次に、前記第7の発信器85、第7のランダム位相変調器86、第7の電力増幅器87、第7のインピーダンス整合器88、第7の電流導入端子90、第7の給電線91から成る第7の電力供給系を用いて、第7の給電点92を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第7のインピーダンス整合器88を調整することにより、該インピーダンス整合器88の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0122】
次に、前記第8の発信器95、第8のランダム位相変調器96、第8の電力増幅器97、第8のインピーダンス整合器98、第8の電流導入端子100、第8の給電線101から成る第8の電力供給系を用いて、第8の給電点102を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第8のインピーダンス整合器98を調整することにより、該インピーダンス整合器98の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0123】
ここで、前記第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の電力供給系の出力250Wを、一旦、ゼロとする。そして、上記放電ガスの供給を、一旦、ゼロにする。その後、真空容器1を大気に戻して、上記基板を取り出す。
【0124】
次に、第2の予備試験として、以下に示す製膜試験を行う。図15において、再度、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
【0125】
次に、前記第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の電力供給系の周波数を60MHzとし、出力をそれぞれ、250Wに設定する。合計で2KWである。その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0126】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。このような、製膜試験を前記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の周波数をパラメータに実施する。
例えば、圧力0.5Torr(66.5Pa)、電力合計2KWにおいて、周波数56、58、60、62、64、66MHzのデータを取得する。そして、第1及び第2の給電点を結ぶ方向、及び第1及び第3の給電点を結ぶ方向において、
基板11に製膜されたアモルファスシリコン膜の厚みの分布にバラツキがあるか、否かを調査する。そのバラツキと出力の周波数の関係をデータとして把握する。 例えば、周波数56MHzの場合、±15%、周波数58MHzの場合、±10%、周波数60MHzの場合、±5%、周波数62MHzの場合、±10%、周波数64MHzの場合、±15%が得られる。
もしも、前記第1及び第2の給電点間隔の設定の用いたプラズマ伝播時の波長の推定が、上記実測値と異なる場合は、上記のようなデータでなく、例えば、周波数56MHzの場合、±20%、周波数58MHzの場合、±15%、周波数60MHzの場合、±10%、周波数62MHzの場合、±5%、周波数64MHzの場合、±10%のようなデータになる。この場合は、アモルファスシリコン膜の厚み分布バラツキが最も少ない周波数を採用すれば良い。
【0127】
ところで、上記データは以下に示すような定在波が重なりあって、結果として、一様な膜厚み分布となるのである。
図14において、上記前記第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の電力供給系の出力が第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の給電点22、32、52、62、72、82、92、102を介して供給されると、以下に示すように、実施例3で説明した定在波と同様なものが発生する。
図15において、第1の給電点22から第2の給電点32の方向をx方向とする。第1の給電点22から第3の給電点52の方向をy方向とする。
x方向の定在波は、第5及び第6の給電点72、82から供給された電力の干渉と、第7及び第8の給電点92、102から供給された電力の干渉により、実施例1で説明した図8図示の第1及び第2の定在波が発生する。したがって、第5及び第6の給電点72、82の間隔、及び第7及び第8の給電点92、102の間隔が、それぞれ、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍であれば、上記第1及び第2の定在波の合成された強さは一様になる。
他方、y方向の定在波は、第1及び第3の給電点22、52から供給された電力の干渉と、第2及び第4の給電点32、62から供給された電力の干渉により、実施例1で説明した図8図示の第1及び第2の定在波が発生する。したがって、第1及び第3の給電点22、52の間隔、及び第2及び第4の給電点32、62の間隔が、それぞれ、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍であれば、上記第1及び第2の定在波の合成された強さは一様になる。
上記x方向及びy方向において、それぞれ、電力の強さの分布が一様な強さであれば、xy面としての電力の強さの分布は一様な強さになる。
【0128】
さて、一般的に、一対の電極2、4間の電力の強さの分布とプラズマの強さの分布は比例関係にある。他方、上記工程において、SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中に存在するSiH3、SiH2、SiH等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板11の表面に吸着されることによりa−Si膜が堆積するが、プラズマの強さの分布と膜厚みの分布は比例関係にある。電力の強さの分布が均一化されるということは、プラズマ密度及びラデイカル密度が大面積に亘って均一化されるという意味である。
したがって、一対の電極2、4間の電力の強さが上述の通り一様である場合は、その堆積膜の分布は一様になる。その結果、膜厚みのバラツキは一様になる。実用上必要な膜厚みのバラツキは5〜10%であるので、それを達成することは容易に可能である。
このことは、波長λの四分の一を越えるサイズの基板を対象にした従来のVHFプラズマ表面処理装置及び方法では不可能視されている一様な膜厚分布の形成
が実現可能であるということを意味している。したがって、上記のことはVHFプラズマの応用分野においては画期的な発見であり、その実用価値は著しく大きい。
なお、微結晶Siあるいは薄膜多結晶Si等は、製膜条件の中のSiH4,H2の流量比、圧力および電力を適正化することで製膜できることは公知の技術であるので、上記アモルファスシリコン膜の製膜と同様に可能であることは、当然のことである。
【0129】
また、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造では、膜厚分布として±10%以内であれば性能上問題はない。上記実施例によれば、60MHzの電源周波数を用いても、従来の装置および方法に比べ著しく良好な膜厚分布を得ることが可能である。
このことは、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造分野での生産性向上および低コスト化に係わる工業的価値が著しく大きいことを意味している。
【図面の簡単な説明】
【0130】
【図1】図1は実施例1に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図。
【図2】図2は図1図示のプラズマ表面処理装置に用いられる給電点の配置の説明図。
【図3】図3は図1図示のプラズマ表面処理装置で生成されるプラズマの領域を示す説明図。
【図4】図4は図1図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における第1の給電点から供給される電力の伝播路の説明図。
【図5】図5は図1図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における第2の給電点から供給される電力の伝播路の説明図。
【図6】図6は一対の電極間を正方向及び逆方向に伝播する電力波の説明図
【図7】図7は一対の電極間に発生の定在波の腹の位置を示す説明図。
【図8】図8は一対の電極間に発生の第1及び第2の定在波の強さの分布を示す説明図。
【図9】図9は実施例2に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図。
【図10】図10は図9図示のプラズマ表面処理装置の構成部材である第1の電極の付属部材である非接地の導体板の構成を示す説明図。
【図11】図11は図9図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点の配置及び電力の伝播方向を示す説明図。
【図12】図12は実施例3に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図。
【図13】図13は実施例4に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図。
【図14】図14は図13図示のプラズマ表面処理装置の第1〜第4の給電点の説明図。
【図15】図15は実施例5に係わるプラズマ表面処理装置の一対の電極及び第1〜第8の給電点の説明図。
【符号の説明】
【0131】
1・・・真空容器、
2・・・第1の電極、
3・・・図示しない基板ヒータ、
4・・・第2の電極、
5a、5b・・・絶縁部材、
6a、6b・・・ガス導入菅、
7・・・ガスシャワー孔、
9a、9b・・・排気管、
10a、10b・・・図示しない真空ポンプ、
11・・・基板、
15・・・第1の発信器、
16・・・第1のランダム位相変調器、
17・・・第1の増幅器、
18・・・第1の電流導入端子、
19・・・同軸ケーブル、
20・・・第1の電流導入端子、
21・・・第1の給電線、
22・・・第1の給電点、
25・・・第2の発信器、
26・・・第2のランダム位相変調器、
27・・・第2の増幅器、
28・・・第2のインピーダンス整合器28、
29・・・同軸ケーブル29、
30・・・第2の電流導入端子、
31・・・第2の給電線、
32・・・第2の給電点、
200a・・・第1の非接地の導体板、
200b・・・第2の非接地の導体板、
201a・・・第1の絶縁材、
201b・・・第2の絶縁材、
202a・・・第1の開口、
202b・・・第2の開口。
【技術分野】
【0001】
本発明は、プラズマを利用して基板の表面に所定の処理を施す表面処理装置及び表面処理方法に関する。本発明は、特に、メートル級サイズの大面積基板を対象にした表面処理装置および表面処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
プラズマを用いて基板の表面に各種処理を施し、各種電子デバイスを製作することは、LSI(大規模集積回路)、LCD(液晶デイスプレー)用TFT(薄膜トランジスター)、アモルファスSi系太陽電池、薄膜多結晶Si系太陽電池、複写機用感光体、および各種情報記録デバイス等の分野において既に実用化されている。また、ダイヤモンド薄膜および立方晶ボロンナイトライド(C−BN)等の超硬質膜製造分野においても実用化が進みつつある。
【0003】
また、最近、薄膜太陽電池の本格的実用化普及を目指した低コスト化及び生産性向上に必要な大面積太陽電池製造用プラズマCVD装置や高画質で大面積の液晶デイスプレーの低コスト化に必要な大面積薄膜トランジスター(TFT)製造用プラズマCVD装置が、特に注目されている。
【0004】
上記技術分野は、薄膜形成、エッチング、表面改質およびコーテイング等多岐に亘るが、いずれも反応性プラズマの化学的および物理的作用を活用したものである。上記反応性プラズマの生成に関する装置および方法には、電極構造の形状で大別すると3つの代表的技術がある。
第1の代表的技術は、例えば、特許文献1及び非特許文献1、2に記載されているもので、プラズマ発生に非接地電極と接地電極から成る2枚の平行平板電極を一対として用いることを特徴とする。第2の代表的技術は、例えば特許文献2及び3に記載されているもので、プラズマ発生に棒電極あるいはラダー型電極と平板電極を一対として用いることを特徴とする。第3の代表的技術は、例えば、特許文献4に記載されているもので、電極がアンテナ方式であることを特徴とする。
【0005】
プラズマの大面積、均一化の方法及び手段で大別すると、第1の代表的技術は、例えば、特許文献1、3に記載されているもので、電極上の少なくとも2つの給電点へ給電する電力の電圧の位相差を時間的に変化させ、電極の電圧分布における定在波を揺動することにより、その発生の影響を抑制することを特徴とする。
第2の代表的技術は、特許文献5に記載されているもので、電極に、腹の位置が異なる2つの定在波を時間的にずらせて発生させ、それを重畳させることにより、均一な電圧分布が得られるということを特徴とする。
第3の代表的技術は、特許文献6に記載されているもので、電極に、互いに独立の関係にあり、かつ腹の位置が異なる2つの定在波を同時に発生させ、それを重畳させることにより、均一な電圧分布が得られるということを特徴とする。
【0006】
上記文献記載の技術の特徴は概略次の通りである。特許文献1に記載の技術は、非接地電極を方形電極とし、該方形電極の第1の辺の側面に複数の第1の電力供給点を配置し、該第1の辺と対向する第2の辺の側面に複数の第2の電力供給点を配置し、かつ、該複数の第1の給電点に供給される電力の電圧と該複数の第2の電力供給点に供給される前記電力の電圧の位相差を時間的に変化させることにより、一対の電極間の電界分布を平均化し、結果として、プラズマの強さの空間的分布を一様化することを特徴としている。なお、この技術では互いに向かい合った方向に伝播するように供給される2つの電力の進行波を干渉させて定在波を生成させ、該定在波の腹の位置を時間的に変化させることが可能である。
特許文献2に記載の技術は、一対の電極の電力供給点の反対側の先端部分に反射電力の位相を調整する位相調整回路が接続されるということを特徴としている。この技術では、該位相調整回路を制御することにより、反射波の位相の調整が可能で、該供給電力の進行波と反射波を干渉させて定在波を生成することが可能で、かつ、該定在波の腹の位置を移動することが可能である。
特許文献3に記載の技術は、電極上のある1つの給電点に供給される電力の電圧と他の少なくとも1つの給電点に供給される前記電力の電圧の位相差を時間的に変化させることにより、一対の電極間の電界分布を平均化し、結果として、プラズマの強さの空間的分布を一様化することを特徴としている。なお、この技術では、互いに向かい合った方向から供給される2つの電力の進行波を干渉させて定在波を生成させ、該定在波の腹の位置を時間的に変化させることが可能である。
特許文献4に記載の技術は、電極が線状導体をその中央点を基準に平面内に含まれるように折り返して形成され、該中央点を給電点としたことが特徴である。なお、この電極の形状には、例えばU字型あるいはM字型がある。また、該U字型あるいはM字型電極がアンテナとなって供給電力が空間へ放射される。
特許文献5に記載の技術は、電極の両端に対向して配置された第1の給電点及び第2の給電点に、それぞれに第1の高周波電源から出力された2つのパルス変調正弦波電力の電圧の位相差を所定の値に設定して供給し、かつ、該第1の高周波電源から出力された2つのパルス変調正弦波電力と時間帯を異ならせて、第2の高周波電源から出力された2つのパルス変調正弦波電力の電圧の位相差を所定の値に設定して供給することにより、即ち第1の高周波電源から出力されるパルス電力と第2の高周波電源から出力されるパルス電力を時間的に交互に供給することにより、腹の位置が異なり、かつ発生時間帯が異なる2つの定在波を発させ、それらを重畳することにより、電極の電圧分布を均一にすることを可能としている。
特許文献6に記載の技術は、電極の両端に対向して配置された第1の給電点及び第2の給電点に、互いに独立の関係にある位相可変2出力の第1及び第2の高周波電源から出力される高周波電力を同時に供給し、かつ、該第1の高周波電源から出力された2つの電力の電圧の位相差を所定の値に設定して、該第2の高周波電源から出力された2つの電力の電圧の位相差を所定の値に設定して供給することにより、腹の位置が異なり、かつ互いに独立の関係にある2つの定在波を発生させ、重畳することにより、電極の電圧分布を均一にすることが可能としている。
【0007】
非特許文献1に記載の技術は、非接地電極のプラズマに接する面の裏側の面にH文字状の給電帯を設置し、該H文字状給電帯上に複数の給電点を設置したことを特徴としている。
非特許文献2に記載の技術は、非接地電極の給電点の反対側、即ち電力伝播方向に位置する該電極の端部にコイルを設置し、電源と該一対の電極を結ぶ給電線および該電極に発生する定在波の腹の位置をずらすことを特徴としている。
【0008】
【特許文献1】特開2002−12977(第2頁、第1図、第10−11図)
【特許文献2】特開平11−243062(第2頁、第1図、第7〜8図)
【特許文献3】特許第3316490号(第1頁、第1図、第8図)
【特許文献4】特開2000−345351(第2頁、第1図、第5図、第7図)
【特許文献5】特開2005−123199(第2〜4頁、第1図、第2図、第6図)
【特許文献6】特開2005−123203(第2〜4頁、第1図、第2図、第8図)
【0009】
【非特許文献1】L.Sansonnens, A.Pletzer, D.Magni, A.A.Howling,Ch.Hollenstein and J.P.M.Schmitt,:A voltage uniformity study in large-area reactors for RF plasma deposition、Plasma Source Sci. Technol. 6 (1997),p.170-178.
【非特許文献2】J.Kuske, U.Stephan, O.Steinke and S.Rohleck: Power feeding in large area PECVD of amorphous silicon, Mat. Res. Soc. Symp.Proc. Vol. 377(1995),p.27-32.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
上記のプラズマ表面処理技術、即ちプラズマ表面処理装置とプラズマ表面処理方法は、LCD,LSI,電子複写機および太陽電池等の産業分野のいずれにおいても、生産性向上に伴う製品コストの低減および大面積壁掛けTVなど性能改善等に関する大面積・均一化および高速処理化のニーズが年々強まっている。
特に、最近はエネルギー資源問題や地球環境問題に対応した新エネルギー源として実用化普及の加速化が期待されている薄膜シリコン系太陽電池の分野では、これまで以上により一層の生産コストの低減が社会的ニーズとして求められている。
【0011】
上記ニーズに対応するため、最近では、一つの技術傾向として、産業界のみならず、学会でも特に、プラズマCVD(化学蒸着)技術およびプラズマエッチング技術ともに、高性能化と高速処理化が可能(低電子温度で高密度のプラズマが生成可能)という特徴のあるVHF帯(30MHzないし300MHz)の電源を用いたプラズマCVD技術の実用化研究が盛んになっている。しかしながら、従来技術では、以下に述べるような課題が依然として存在し、上記ニーズの分野では齟齬をきたしている。
【0012】
上記技術分野における課題は、VHFプラズマを用いた表面処理の高速化・大面積・均一化(生産性向上および性能向上)が可能な高生産性プロセス用VHFプラズマ表面処理装置及びVHFプラズマ表面処理方法に係わる技術のブレークスルーである。
一般に、LCD分野では、膜厚分布は再現性を確保して、±5%程度、太陽電池分野では、膜厚分布は再現性を確保して、±10%程度が実用化の一つの指標となっている。しかしながら、1987年世界初の試みとして登場したVHFプラズマの高速化・大面積・均一化に関する技術はあまり進展が見られない状況にある。
従来のVHFプラズマ技術では、例えばa−Si膜を製造する場合、再現性の確保を前提条件にすると、基板面積が50cmx50cm程度に関しては、±10〜15%程度の膜厚分布、100cmx100cm程度に関しては、±20〜40%程度の膜厚分布であり、上記指標をクリアできないという問題がある。
【0013】
膜厚分布の不均一性の直接的原因としてはプラズマ密度の不均一性があり、プラズマ密度の不均一性の原因には、上記VHF固有の問題である波の干渉現象に起因する定在波の発生がある。この定在波の問題は電磁波の伝播に伴う基本的な現象であるため、従来、抜本的解決手段がなく、次善の策として、前記特許文献1〜4にある技術が実用化されつつある。しかしながら、いずれの技術も次に述べるような問題がある。すなわち、この定在波の問題を抜本的に解決できていない。
(1)特許文献1記載の技術は、方形電極の互いに対向した2つの辺から供給される電力の電圧の位相差を時間的に、例えば数kHZの周波数で、鋸歯状に変化させることにより、一対の電極間に発生の定在波の腹の位置を移動させ、時間平均的に見て均一化するものである。膜厚分布は、アモルファスSi製膜では、基板面積が50cmx50cm程度に関しては、±10〜15%程度の膜厚分布が得られているが、100cmx100cm程度に関しては、±20%以上と見られている。また、技術改善が困難で±20%程度が限界と見られている。
(2)特許文献2記載の技術は、電力供給点の反対側に、位相調整装置を設置し、電力の反射波の位相を制御するので、電力の吸収率が高い条件、例えば圧力が数100Pa〜数1000Paでのプラズマ生成では反射波の強さが弱くなり、反射波の制御が無理となる。すなわち、プラズマ生成の圧力が数100Pa程度以下との条件の場合でないと応用できないという欠点がある。
(3)特許文献3記載の技術は、特許文献1記載の技術と同様に、電極上のある1つの給電点に供給される電力の電圧と他の少なくとも1つの給電点に供給される前記電力の電圧の位相差を時間的に変化させることにより、一対の電極間の電界分布を平均化し、結果として、プラズマの強さの空間的分布を一様化するものである。本技術のデータとして、膜厚分布は、アモルファスSi製膜では、基板面積が140cmx110cm程度に関し、製膜速度1.7nsで±18%程度が報告されている。しかしながら、技術改善が困難で±18%程度が限界と見られている。
(4)特許文献4記載の技術は、アンテナ方式即ち誘導結合型のプラズマ生成なので、圧力条件が数Pa以下という制約がある。すなわち、微結晶Si等のような圧力条件が数100Pa〜数1000Paである応用には無理があるという欠点がある。また、電極の周囲にある真空容器の形状や接地条件に影響を受けやすいで、製膜条件の適正条件の把握が困難と推測される。
(5)特許文献5記載の技術は、上記特許文献1、3に記載の技術を改善できる可能性のある技術である。しかしながら、まだ、基礎的な研究開発段階にある技術である。
(6)特許文献6記載の技術は、上記特許文献1、3に記載の技術を改善できる可能性のある技術である。しかしながら、まだ、基礎的な研究開発段階にある技術である。
【0014】
以上説明したように、従来技術では、生産性向上や低コスト化に必要な大面積基板、例えばサイズ1mx1m級大面積基板を対象にしたVHF(周波数30−300MHz)プラズマCVDおよびVHFプラズマエッチング等の応用は、依然として困難で、困難視されている。
即ち、プラズマ表面処理の高速化・大面積化・均一化等の課題に対応する為、一つの技術トレンドとして、VHFプラズマ技術が注目され、その実用化応用の開発研究が実施されているが、電極に発生の定在波に起因する技術的困難性のため、1mx1m級を越える大面積基板を対象にしたVHFプラズマ利用の高速化・大面積化・均一化が可能で、かつ再現性のある性能をもつ表面処理装置及びその方法の成功例は、まだ無い。
【0015】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、プラズマCVDによる大面積基板への製膜やプラズマによる大面積基板のエッチング処理などに対応可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】
本発明に係わるプラズマ表面処理方法は、排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、高周波電源及びインピーダンス整合器から成る電力供給系と、プラズマ処理すべき基板を配置する基板保持手段とを具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置に用いられるプラズマ表面処理方法であって、前記電力供給系から前記電極への電力供給箇所即ち給電点を、前記非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、前記電力供給系からの電力がプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個配置し、該複数の給電点に個々に、互いに独立した関係にある高周波電源から出力される電力を供給し、前記電極間に複数の、空間的、時間的に変動しない互いに独立した関係にある電力の定在波を発生させることにより該電極間の電力分布を一様化することを特徴とする。
【0017】
また、本発明においては、前記複数の高周波電源の出力電力の電圧の位相を、個々に、別々のランダム位相変調器を用いてランダムに変調させ、該複数の高周波電源の出力電力間の相互の干渉性を低減することを特徴とする。
なお、ここでは、ランダム位相変調器として、該高周波電源の出力をアナログ電圧制御型移相器(フェーズシフター)と乱数発生器、白色雑音発生器あるいはコンピユータ利用の乱数信号発生器を組み合わせた装置を用いる。
【0018】
また、本発明においては、前記高周波電源に、発振器とランダム位相変調器と増幅器から構成される高周波電源を用いることを特徴とする。
なお、ここでは、発振器の出力信号のランダム位相変調には、その共振回路の容量を外部信号で制御する手段を用いる。その外部信号発生器、即ちランダムランダム位相変調器には、乱数発生器、白色雑音発生器及びコンピユータ利用の乱数信号発生器(予め入力された乱数表に基ずいて電圧信号を発生する)がある。
【0019】
また、本発明においては、前記非接地電極を平板型の電極として、該非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で、複数個の給電点を配置させることを特徴とする。
【0020】
また、本発明においては、前記非接地電極を平板型の電極として、該電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させ、かつ、該複数個の個々の給電点から該直線に直交する方向に、前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させることを特徴とする。
【0021】
また、本発明においては、前記非接地電極に矩形状の平板型の電極を用い、該電極の対向する2側面に、前記真空容器の壁を貫通して設置され、かつ該真空容器と電気的に絶縁された導体板を接続することにより、前記電力供給系から前記給電点へ供給される電力の該給電点から該導体板方向の伝播路を介した該一対の電極間への伝播を遮断することを特徴とする。
【0022】
また、本発明においては、前記非接地電極を平板の矩形の電極とし、その辺の長さを前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の整数倍に等しい値にすることを特徴とする。
【0023】
また、本発明においては、前記非接地電極の互いに対向する側面に複数の給電点を配置させることを特徴とする。
【0024】
また、本発明においては、前記高周波電源の出力の周波数は、13、56MHz〜300MHzのHF帯域ないしVHF帯域に属していることを特徴とする。
【0025】
本発明に係わるプラズマ表面処理装置は、排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、高周波電源及びインピーダンス整合器から成る電力供給系と、プラズマ処理すべき基板を配置する基板保持手段とを具備し、発生したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置であって、前記高周波電源は、発振器とランダム位相変調器と電力増幅器から成り、複数の給電点が前記非接地電極の裏面、即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、あるいは、該非接地電極の側面に配置されるという構成を有することを特徴とする。
【0026】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記複数の給電点は該非接地電極の裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるという構成を有することを特徴とする。
【0027】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記複数の給電点は該非接地電極の裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるとともに、該給電点から該直線に直交する方向に、前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるという構成を有することを特徴とする。
【0028】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記非接地電極に、矩形状の平板型の電極が用いられるとともに、該電極の対向する2辺に、前記真空容器の壁を貫通して設置され、かつ該真空容器と電気的に絶縁された導体板が接続されるという構成を有することを特徴とする。
【0029】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記非接地電極を、平板の矩形の電極とし、かつ、その辺の長さが前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の整数倍に等しい値であるという構成を有することを特徴とする。
【0030】
また、本発明のプラズマ表面処理装置においては、前記非接地電極が矩形平板の電極であり、該電極の側面に複数の給電点が配置されるという構成を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0031】
本発明によれば、大面積基板を対象にした大面積、均一のプラズマCVDによる高速製膜、及びプラズマによる高速エッチング処理が可能である。電源周波数がVHF帯域においても、一対の電極間の電力の強さの分布を均一化することが可能であるので、従来技術では困難視されるプラズマ密度及びラデイカル密度を均一化できる大面積のプラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置が提供される。特に、大面積のプラズマ表面処理が求められる薄膜太陽電池、液晶デイスプレー、LSI及び電子複写機等の産業における生産性向上および製品コストの低減に関する超高周波プラズマの大面積・高速・均一な製品製造への応用が確実に実現可能であり、貢献度が著しく大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【0032】
以下、本発明の実施の一形態に係わるプラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、プラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置の一例として、太陽電池を製作する際に必要なa―Si薄膜を製作する装置及び方法が記載されているが、本願の発明対象が下記の例の装置及び方法に限定されるものではない。
【0033】
(実施例1)
本発明に関する実施例1のプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)及びプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)について、図1ないし図8を参照して説明する。
【0034】
図1は実施例1に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図、図2は図1図示のプラズマ表面処理装置に用いられる給電点の配置の説明図、図3は図1図示のプラズマ表面処理装置で生成されるプラズマの領域を示す説明図、図4は図1図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における第1の給電点から供給される電力の伝播路の説明図、図5は図1図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における第2の給電点から供給される電力の伝播路の説明図、図6は一対の電極間を正方向及び逆方向に伝播する電力波の説明図、図7は一対の電極間に発生の定在波の腹の位置を示す説明図、図8は一対の電極間に発生の第1及び第2の定在波の強さの分布を示す説明図である。
【0035】
先ず、装置の構成を説明する。図1〜3において、符番1は真空容器である。この真空容器1には、非接地の第1の平板型電極2と図示しない基板ヒータ3を内臓した接地された第2の平板型電極4が配置されている。
該第1の平板型電極2は内部が空洞で、ガスシャワー孔7が配置されており、その空洞には絶縁部材5a、5bで電気絶縁されたガス導入管6a、6bから放電ガス、例えばシランガスが供給される。該第1の平板型電極2は、図示しない絶縁物支持材で固着されている。
なお、該ガスシャワー孔7は、放電ガスを前記一対の電極2と4の間に均一に供給する機能を有している。供給されたSiH4等放電ガスは前記一対の電極2と4の間でプラズマ化された後、排気管9a、9b及び図示しない真空ポンプ10a、10bにより、真空容器1の外へ排出される。
該第1の平板型電極2の辺の長さは、後述の第1及び第2の高周波電源17、27の出力電力がプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値にする。なお、プラズマ内を伝播中の波長は、放電ガスの種類、プラズマ密度等に依存するが、シランガスを用いたアモルファスシリコン製膜の一般的条件では真空中における波長の約0.6倍である。例えば、周波数60MHzの電磁波の真空中における波長は5mであるので、プラズマ内を伝播中の波長の四分の一の奇数倍に等しい値は1.25mx0.6x奇数倍=0.75mx奇数倍である。
ここでは、該第1の平板型電極2のサイズは、長さ3.75mx幅0.75mx厚み0.2mとする。
【0036】
真空容器1内の圧力は、図示しない圧力計によりモニターされ、図示しない圧力調整弁により自動的に所定の値に調整、設定される。なお、本実施例の場合は、放電ガスが流量500sccm〜1、500sccm程度の場合、圧力0.01Torr〜10Torr(1.33Pa〜1330Pa)程度に調整できる。真空容器1の真空到達圧力は2〜3E−7Torr(2.66〜3.99E−5Pa)程度である。
【0037】
符番11は基板で、図示しないゲートバルブ12の開閉操作により、第2の平板型電極4に設置される。そして、図示しない基板ヒータ3により所定の温度に加熱される。
【0038】
図1〜図3において、後述の電力供給系から前記一対の電力2、4へ高周波電力を給電する位置である給電点は、電極2の裏側に複数個設置する。
ここでは、図2及び図3に示すように、該電極2の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、該電極2の一つの辺に平行な一直線上に、複数個の給電点、例えば第1及び第2の給電点22、32を配置させる。その間隔は、後述の電力供給系から供給される電力のプラズマ中での波長の四分の一の奇数倍になるように推測して設定する。なお、プラズマ中での波長が既知の場合は、推測でなく、データベースでの数値が選定可能である。
複数の給電点の設定は、例えば給電数が2点の場合、図3に示すように、第1の給電点22及び第2の給電点32を設置する。その間隔は、第1及び第2の電力供給系の周波数を予め定めておき、例えば60MHzと定め、その周波数でのプラズマ中伝播時における波長の四分の一の奇数倍、例えば、真空中での四分の一波長(1.25m)と波長短縮率(例えば、シランガスのプラズマでは、真空中の波長の0.6倍に短縮する)の積の5倍、即ち1.25mx0.6x5=3.75mとする。
なお、一般的に一対の電極2、4間で生成されるプラズマ中での波長λは、真空中での電磁波の波長λ0に比べて短くなる。プラズマ生成条件で異なるが、SiH4ガスのプラズマでは、プラズマ中での波長λと真空中での波長λ0との比λ/λ0は0.6程度である。もしも、プラズマ中での波長λが不明な場合は、予め、実験にてデータを取れば良い。
【0039】
符番15は第1の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第1のランダム位相変調器で、ランダムに変調される。
符番16は第1のランダム位相変調器で、第1の発信器15の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の第1及び第2の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
また、発振器の出力信号のランダム位相変調には、その共振回路の容量を外部信号で制御する手段を用いる。その外部信号の発生器、即ちランダム位相変調器には、一般に、通信工学や機械振動工学等でも用いられている乱数発生器、白色雑音発生器及びコンピユータ利用の乱数信号発生器(予め入力された乱数表に基ずいて電圧信号を発生する)があるが、ここでは、白色雑音発生器を用いる。
また、本実施例では、説明を省くが、上記ランダム位相変調器の別の手段として、該発信器15の出力をアナログ電圧制御型移相器(フェーズシフター)と乱数発生器、白色雑音発生器あるいはコンピユータ利用の乱数信号発生器を組み合わせた装置を用いることができる。
符番17は第1の増幅器で、第1の発信器15から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第1のインピーダンス整合器18へ伝送する。符番20は第1の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル19と真空容器内に設置の第1の給電線21を接続し、該第1の給電線21を介して前記第1のインピーダンス整合器18の出力を第1の給電点22に伝送する。符番21は第1の給電線で、第1のインピーダンス整合器18の出力を第1の給電点22へ伝送する。
なお、第1の給電線21には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16及び第1の増幅器17から構成される第1の高周波電源と第1のインピーダンス整合器18から成る電力供給系を第1の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第1の電力増幅器17には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第1電力増幅器17本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
第1の給電点22に供給された前記第1のインピーダンス整合器18の出力は、図2及び図4に示すように、真空容器1の壁と第1の平板型電極2の裏面及び側面の空間を電磁波として伝播する(詳しくは、電磁波のポインテイングベクトル即ち電場と磁場のベクトル積として流れていく)。そして、第1の平板型電極2と第2の平板型電極4の間を伝播していく。
図4において、第1の給電点22から供給された電力の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における伝播は、例えば左回りに伝播していく電力波23と、右回りに伝播していく電力波24に分かれて伝播していく。その様子を概念的に、図4及び図6に示す。
なお、同一電源から供給された前記2つの電力波23、24は、後述するように、干渉現象により定在波を発生する。
【0040】
第1の給電点22から供給される電力の第1及び第2の給電点22、32を結ぶ線分に直交する方向への伝播は、図2に示すように、左回りの伝播路35及び右回りの伝播路36がある。この場合も、2つの伝播路35、36を伝播する電力は、後述するように、干渉現象により定在波を発生する。
【0041】
符番25は第2の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第2のランダム位相変調器26で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、前述の第1の電力供給系及び後述の第2の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
符番26は第2のランダム位相変調器で、第2の発信器25の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の第1及び第2の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
また、発振器の出力信号のランダム位相変調には、その共振回路の容量を外部信号で制御する手段を用いる。その外部信号の発生器、即ちランダム位相変調器には、一般に、通信工学や機械振動工学等でも用いられている乱数発生器、白色雑音発生器及びコンピユータ利用の乱数信号発生器(予め入力された乱数表に基ずいて電圧信号を発生する)があるが、ここでは、白色雑音発生器を用いる。
また、本実施例では、説明を省くが、上記ランダム位相変調器の別の手段として、該発信器15の出力をアナログ電圧制御型移相器(フェーズシフター)と乱数発生器、白色雑音発生器あるいはコンピユータ利用の乱数信号発生器を組み合わせた装置を用いることができる。
符番27は第2の増幅器で、第2の発信器25から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第2のインピーダンス整合器28へ伝送する。符番30は第2の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル29と真空容器1内に設置の第2の給電線31を接続し、該第2の給電線31を介して前記第2のインピーダンス整合器28の出力を第2の給電点32に伝送する。符番31は第2の給電線で、第2のインピーダンス整合器28の出力を第2の給電点32へ伝送する。
第2の給電線32には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
なお、ここでは、第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26及び第2の増幅器27から構成される第2の高周波電源と第2のインピーダンス整合器28から成る電力供給系を第2の電力供給系と呼ぶ。
前記第2の電力増幅器27には、出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による第2の電力増幅器27本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0042】
ここで、第2の給電点32に供給された前記第2のインピーダンス整合器28の出力は、図5に示すように、真空容器1の壁と第1の平板型電極2の裏面及び側面の空間を電磁波として伝播する(詳しくは、電磁波のポインテイングベクトル即ち電場と磁場のベクトル積として流れていく)。そして、第1の平板型電極2と第2の平板型電極4の間を伝播していく。図5において、第2の給電点32から供給された電力の第1及び第2の給電点を結ぶ方向での伝播は、例えば左回りに伝播していく電力波33と、右回りに伝播していく電力波34に分かれて伝播していく。その様子を概念的に、図5及び図6に示す。
なお、同一電源から供給された前記2つの電力波33、34は、後述するように、干渉現象により定在波を発生する。
【0043】
第2の給電点32から供給される電力の第1及び第2の給電点22、32を結ぶ線分に直交する方向への伝播は、前述の第1の給電点から該直交方向への伝播35、36と同様である。したがって、同様に、定在波を発生する。
【0044】
次に、上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造装置用のSiH4ガスのプラズマ発生装置及び方法を説明する。なお、本発明の実施あるいは応用では、手順として、第1及び第2の予備製膜工程と、製膜工程の3つの工程が必要である。
第1の予備製膜工程では、前記第1の給電点22を介して第1の電力供給系から供給する電力を用いて基板11への製膜する場合に発生する第1の定在波の空間的周期、即ち、隣り合う腹と腹の間隔と該第1の電力供給系の周波数との関係をデータとして把握する。
第2の予備製膜工程では、前記第2の給電点32を介して第2の電力供給系から供給する電力を用いて基板11へ製膜する場合に発生する第2の定在波の空間的周期、即ち、隣り合う腹と腹の間隔と該第2の電力供給系の周波数との関係をデータとして把握する。
製膜工程は目的とするアモルファスSiの製造のために実施される。
【0045】
先ず、第1の予備製膜工程であるが、図1〜図3において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
次に、前記第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16、第1の電力増幅器17、第1のインピーダンス整合器18、第1の電流導入端子20、第1の給電線21から成る第1の電力供給系を用いて、一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば500Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器18を調整することにより、それぞれのインピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0046】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。このような、製膜試験を第1の発信器15の周波数をパラメータに実施する。
例えば、圧力0.5Torr(66.5Pa)、電力500Wにおいて、周波数56、58、60、62、64、66MHzのデータを取得する。そして、第1の電極2の長さ方向において、基板11に製膜されたアモルファスシリコン膜の隣り合う最大厚み間の距離と出力の周波数の関係をデータとして把握する。例えば、周波数56MHzで距離1.62m、58MHzで距離1.55m、60MHzで距離1.5m、62MHzで距離1.45m、64MHzで距離1.41m、66MHzで距離1.36mが得られる。
もしも、前記第1及び第2の給電点間隔の設定の用いたプラズマ伝播時の波長の推定が、上記実測値と異なる場合は、実測された該波長の四分の一の値が0.75mに近い値を示す周波数を採用すれば良い。
【0047】
ところで、上記第1の給電点22から供給される電力の電力波は、同一電源から発振され、図4及び図6に示したように、互いに電極間を伝播していき、両者は互いに向かい合った方向から伝播しあって重なり合うので、干渉現象が発生する。その様子を、図4、図6及び図7を用いて説明する。
図4及び図6において、第1の給電点22から左回り方向への伝播路の距離をx(第1の給電点22を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(xの正方向)を伝播する電圧波をW11(x,t)とする。第1の給電点22から右回り方向への伝播路(xの負方向)を伝播する電圧波をW21(x,t)とすると、次のように表現される。
W11(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ1(t)}
W12(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ1(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ1(t)は第1のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、L0は第1の給電点22から左回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I1(x、t)は次式のようになる。
I1(x、t)
∝cos2{2π(x−L0/2)/λ+Φ1(t)−Φ1(t)}
=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
このI1(x、t)を概念的に、図7に示す。これは、定在波の強さの分布は、(x−L0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。これは、図4において、第1の給電点22から左回りの伝播路において、第1の給電点22から左回りでL0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
【0048】
図7において、定在波の隣り合う腹と腹の間隔は、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する電力の波長の二分の一である。
なお、ここでは、第1の電力供給系で生成され、かつ、第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生する定在波を第1の定在波と呼ぶ。
【0049】
他方、上記第1の給電点22から供給される電力の電力波は、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へも伝播する。
図2において、第1の給電点22から左回り方向への伝播路の距離をy(第1の給電点22を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(yの正方向)を伝播する電圧波をW31(y、t)とする。第1の給電点22から右回り方向への伝播路(yの負方向)を伝播する電圧波をW32(y、t)とすると、次のように表現される。
W31(y、t)=V・sin{ωt+2πy/λ+Φ1(t)}
W32(y、t)=V・sin{ωt−2π(y−M0)/λ+Φ1(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ1(t)は第1のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、M0は第1の給電点22から左回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I1(y、t)は次式のようになる。
I3(y、t)
∝cos2{2π(y−M0/2)/λ+Φ1(t)−Φ1(t)}
=cos2{2π(y−M0/2)/λ}
このI3(y、t)は、図7図示の定在波の強さの分布と同様である。これは、定在波の強さの分布は、(y−M0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。即ち、図2において、第1の給電点22から左回りの伝播路35において、第1の給電点22から左回りでM0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
なお、上記I3(y、t)を、第3の定在波と呼ぶ。
【0050】
次に、第2の予備製膜工程であるが、第1の予備製膜工程と同様に、図1〜図3において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
次に、前記第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26、第2の電力増幅器27、第2のインピーダンス整合器28、第2の電流導入端子30、第2の給電線31から成る第2の電力供給系を用いて、一対の電極2、4に高周波電力を、周波数を第1の予備製膜工程で選定された60MHzに設定し、その電力を第1の予備製膜工程と同じの500Wとする。
この場合、前記第2のインピーダンス整合器28を調整することにより、該インピーダンス整合器28の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0051】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。
前記第1の予備製膜工程で選定された条件、即ち、圧力0.5Torr(66.5Pa)、周波数60MHz、電力500Wにおいて、アモルファスシリコンを製膜する。
この場合は、第1の予備製膜工程で得られたデータと同様のものが得られる。
確認のため、定在波の腹と腹の間隔を測定する。即ち、1周期=1.5mの定在波の形をしたアモルファスシリコン膜が得られることを確認する。
【0052】
ところで、上記第2の給電点32から供給される電力の第1及び第2の給電点を結ぶ方向への伝播は、電力波は、図5に示したように、電極間を伝播していき、両者は互いに向かい合った方向から伝播し重なり合うので、干渉現象が発生する。その様子を、図5、図6及び図7を用いて説明する。
図5において、第2の給電点32から左回り方向への伝播路の距離をx(第2の給電点32を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(xの正方向)を伝播する電圧波をW21(x、t)とする。第2の給電点32から右回り方向への伝播路(xの負方向)を伝播する電圧波をW22(x、t)とすると、次のように表現される。
W21(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ2(t)}
W22(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ2(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ2(t)は第2のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、L0は第2の給電点32から右回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I2(x、t)は次式のようになる。
I2(x、t)
∝cos2{2π(x−L0/2)/λ−π/2+Φ2(t)−Φ2(t)}
=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
このI2(x、t)を概念的に、図7に示す。これは、定在波の強さの分布は、(x−L0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。また、これは、図5において、第2の給電点32から左回りの伝播路において、第2の給電点32から左回りでL0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
【0053】
図7図示の定在波において、隣り合う腹と腹の間隔は、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する電力の波長の二分の一である。
なお、ここでは、第2の電力供給系で生成され、かつ、第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生する定在波を第2の定在波と呼ぶ。
【0054】
他方、上記第2の給電点32から供給される電力の電力波は、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へも伝播する。それは図2図示の第1の給電点の場合と同様である。
左回り方向への伝播路(yの正方向)を伝播する電圧波をW41(y、t)とする。第2の給電点32から右回り方向への伝播路(yの負方向)を伝播する電圧波をW42(y、t)とすると、次のように表現される。
W41(y、t)=V・sin{ωt+2πy/λ+Φ2(t)}
W42(y、t)=V・sin{ωt−2π(y−M0)/λ+Φ2(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ2(t)は第2のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、M0は第1の給電点22から左回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I2(y、t)は次式のようになる。
I4(y、t)
∝cos2{2π(y−M0/2)/λ+Φ2(t)−Φ2(t)}
=cos2{2π(y−M0/2)/λ}
このI4(y、t)は、図7図示の定在波の強さの分布と同様である。これは、定在波の強さの分布は、(y−M0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。また、これは、図2において、第2の給電点32から左回りの伝播路において、第2の給電点32から左回りでM0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
なお、上記I4(y、t)を、第4の定在波と呼ぶ。
【0055】
さて、次に第3の工程である製膜工程を行う。第3の工程である製膜工程では、前記第1の予備製膜工程で行ったプラズマ生成条件で、第1の電力供給系から第1の給電点22に電力を供給し、かつ、同時に、第2の予備製膜工程で行ったプラズマ生成条件で、第2の電力供給系から第2の給電点32に電力を供給する。
そうすると、前記第1の定在波と、第2の定在波と、第3の定在波と、第4の定在波が同時に生成される。
第1の給電点22から第1及び第2の給電点22、32を結ぶ方向へ伝播する2つの波W11(x、t)とW12(x、t)、即ち、
W11(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ1(t)}
W12(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ1(t)}
及び、第2の給電点32から第1及び第2の給電点22、32を結ぶ方向へ伝播する2つの波W21(x、t)とW22(x、t)、即ち、
W21(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ2(t)}
W22(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ2(t)}
が、前記第1の電極2と第2の電極4の間で、重なりあう。また、同時に、
第1の給電点22から第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へ伝播する2つの波W31(y、t)とW32(y、t)、即ち、
W31(x、t)=V・sin{ωt+2πy/λ+Φ1(t)}
W32(x、t)=V・sin{ωt−2π(y−M0)/λ+Φ1(t)}
及び、第2の給電点32から第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へ伝播する2つの波W41(y、t)とW42(y、t)、即ち、
W41(x、t)=V・sin{ωt+2πy/λ+Φ2(t)}
W42(x、t)=V・sin{ωt−2π(y−M0)/λ+Φ2(t)}
その結果、W11(x、t)とW12(x、t)は干渉して、第1の定在波を発生する。W21(x、t)とW22(x、t)は干渉して、第2の定在波を発生する。W31(x、t)とW32(x、t)は干渉して、第3の定在波を発生する。W41(x、t)とW42(x、t)は干渉して、第4の定在波を発生する。
ただし、上記W11(x、t)とW21(x、t)、W1(x、t)とW22(x、t)、W12(x、t)とW21(x、t)、及びW12(x、t)とW22(x、t)は、それぞれの発生源が異なり、かつ、位相が時間的にランダム変調されているので、互いに独立した関係にある。したがって、それらは干渉しないので、定在波を形成できない。また、x方向及びy方向に伝播する波は、直交関係にあるので、干渉しない。
上記の定在波は次に示す数式で表される性質を有する。
第1の定在波の分布は、
I1(x、t)=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
第2の定在波は、
I2(x、t)=cos2{2π(x−L0/2)/λ}、
ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
第3の定在波は、
I3(y、t)=cos2{2π(y−M0/2)/λ}
第4の定在波は、
I4(y、t)=cos2{2π(y−M0/2)/λ}
で表される。
【0056】
ところで、本実施例では、第1及び第2の給電点は図3図示のように配置されているので、前記第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生の第1及び第2の定在波I1(x、t)、I2(x、t)は図3図示の40の領域に存在する。また、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向に発生の第3及び第4の定在波I3(y、t)、I4(y、t)は、図3図示の41、42の領域に存在する。
ここで、上記第1及び第2の定在波と、上記第3及び第4の定在波が空間的に分離されている領域が存在する。それは、図3図示の43の領域である。この領域では、上記第1の定在波及び第2の定在波が重なり合って一様な強さの分布を形成する。その結果を図9に示す。
【0057】
上記の通り、第3及び第4の定在波が、上記第1及び第2の定在波と空間的に分離されている領域では、上記第1の定在波及び第2の定在波が重なり合って一様な強さの分布を形成する。それを数式で示すと次の通りである。ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
I1(x、t)+I2(x、t)
=cos2{2π(x−L0/2)/λ−π/2}+cos2{2π(x−L0/2)/λ}
=sin2{2π(x−L0/2)/λ}+cos2{2π(x−L0/2)/λ}
=1
なお、第1及び第2の給電点の間隔を、予め、プラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍に設定しておけば、図8に示すように、2つの定在波は重なり合って、一定の強さになることが判る。
また、製膜試験の結果を見て、第1の定在波の腹(膜厚みが最大である位置)と第2の定在波の腹(膜厚みが最大である位置)の間隔が、プラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一に等しくない場合、それを所要の値に調整する手段として、第1及び第2の電力供給系の周波数を選定することが重要である。
【0058】
一般的に、一対の電極2、4間の電力の強さの分布とプラズマの強さの分布は比例関係にある。他方、上記工程において、SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中に存在するSiH3、SiH2、SiH等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板11の表面に吸着されることによりa−Si膜が堆積するが、プラズマの強さの分布と膜厚みの分布は比例関係にある。このことは、電力の強さの分布が均一化されるということは、膜厚み分布が均一化されるということである。
また、電力の強さの分布が均一化されるということは、プラズマ密度及びラデイカル密度が大面積に亘って均一化されるという意味である。
したがって、一対の電極2、4間の電力の強さが上述の通り一様である場合は、その堆積膜の分布は一様になる。その結果、膜厚みのバラツキは一様になる。実用上必要な膜厚みのバラツキは5〜10%であるので、それを達成することは容易に可能である。
このことは、波長λの四分の一を越えるサイズの基板を対象にした従来のVHFプラズマ表面処理装置及び方法では不可能視されている一様な膜厚分布の形成が実現可能であるということを意味している。したがって、上記のことはVHFプラズマの応用分野においては画期的な発見であり、その実用価値は著しく大きい。
なお、微結晶Siあるいは薄膜多結晶Si等は、製膜条件の中のSiH、H2の流量比、圧力および電力を適正化することで製膜できることは公知の技術であるので、上記アモルファスシリコン膜の製膜と同様に可能であることは、当然のことである。
【0059】
本実施例では、給電点の個数が2個であるので、基板サイズは幅400mm程度x長さ2000mm程度に制約されるが、給電点の個数を幅方向に2個以上に増加すれば基板サイズの幅は拡大可能であることは当然のことである。
なお、本実施例に示したプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)及びプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)においては、電極の長さを基板の長さより、一回り長く設定する必要がある。これは、装置が大型化になる要因になるので、一つの短所である。
【0060】
a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造では、膜厚分布として±10%以内であれば性能上問題はない。上記実施例によれば、60MHzの電源周波数を用いても、従来の装置および方法に比べ著しく良好な膜厚分布を得ることが可能である。このことは、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造分野での生産性向上および低コスト化に係わる工業的価値が著しく大きいことを意味している。
【0061】
(実施例2)
本発明に関する実施例2のプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)及びプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)について、図9〜図11を参照して説明する。
【0062】
先ず、装置の構成について説明する。ただし、実施例1で示した部材と同じ部材は同符番を付して説明を省略する。
図9は実施例2に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図、図10は図9図示のプラズマ表面処理装置の第1の電極の付属部材である非接地の導体板の構成を示す説明図、図11は図9図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点の配置及び電力の伝播方向を示す説明図である。
【0063】
先ず、装置の構成を説明する。図9〜図11において、符番200aは第1の非接地の導体板で、前記真空容器1に後述の第1の絶縁材201aを介して固着され、かつ、前記第1の平板型電極2の側面における第1及び第2の給電点22と32を結ぶ線分に平行な2つの側面の一方に固着される。符番201aは第1の絶縁材で、前記第1の非接地の導体板200aを、真空容器1に固着し、電気的に絶縁するとともに、該真空容器1の気密を保持する。符番202aは第1の開口で、非接地の導体板200aと真空容器1の内壁との間での放電を抑制する。
符番200bは第2の非接地の導体板で、前記真空容器1に後述の第2の絶縁物201bを介して固着され、かつ、前記第1の平板型電極2の側面における第1及び第2の給電点22と32を結ぶ線分に平行な2つの側面の他方に固着される。符番201bは第2の絶縁材で、前記第1の非接地の導体板200bを真空容器1に固着し、電気的に絶縁するとともに、該真空容器1の気密を保持する。符番202bは第2の開口で、非接地の導体板200bと真空容器1の内壁との間での放電を抑制する。
なお、上記第1及び第2の非接地の導体板200a、200bは、図9及び図10図示のように、該接地板の一方の端部は真空容器1を貫通して、大気側の真空容器1の面に、それぞれ、第1及び第2の絶縁材201a、201bを介して固着される。その他方の端部は第1の平板型電極2の両側の面に、それぞれ固着される。したがって、後述の第1及び第2の給電点22、32から供給される電力が、該第1及び第2の非接地の導体板200a、200bを乗り越えて、伝播することは出来ない。即ち、第1及び第2の給電点22、32から供給される電力の該第1及び第2の給電点22、32を結ぶ方向に直交する方向から、一対の電極2、4間への伝播は抑制される。
【0064】
本実施例における第1の平板型電極2のサイズは次のように設定する。該第1の平板型電極2の辺の長さは、第1及び第2の高周波電源17、27の出力電力が一対の電極2、4間に生成されるプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値にする。ここでは、該第1の平板型電極2のサイズを、例えば、長さ2.25m(0.75mx3)x幅0.75mx厚み0.2mとする。
なお、プラズマ内を伝播する際の波長は、放電ガスの種類、プラズマ密度等に依存するが、シランガスを用いたアモルファスシリコン製膜の一般的条件では真空中における波長の約0.6倍である。例えば、周波数60MHzの電磁波の真空中における波長は5mであるので、プラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値は1.25mx0.6x奇数倍=0.75mx奇数倍である。
【0065】
給電点は、実施例1と同様に、該電極2の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、該電極2の一つの辺に平行な一直線上に、複数個の給電点、例えば、図11に示すように第1及び第2の給電点22、32を配置させる。その間隔は、後述の電力供給系から供給される電力のプラズマ中での波長の四分の一の奇数倍になるように推測して設定する。なお、プラズマ中での波長が既知の場合は、推測でなく、データベースでの数値が選定可能である。
ここでは、第1及び第2の給電点22、32を、図11に示すように、該電極の長さ方向の一方の端部から三分の一の地点22及び該端部から三分の二の地点32に設定する。 即ち、第1の給電点22及び第2の給電点32間隔は0.75mである。
【0066】
図11において、前記第1及び第2の電力供給系から、それぞれ第1及び第2の給電点22、32へ供給される電力は、前記第1及び第2の非接地の導体板200a、200bの設置により、図11図示のように、該2つの給電点を結ぶ方向xの正と負の方向に伝播する。 該2つの給電点を結ぶx方向に直交するy方向には、第1及び第2の非接地の導体板200a、200bがあるので、電力波は伝播できない。即ち、該y方向から、一対の電極2、4のプラズマ生成空間への電力投入は出来ない。
したがって、一対の電極2、4間への電力供給は、該2つの給電点を結ぶ方向xの正と負の方向からの伝播路に限定される。
このことは、後述するように、一様な定在波発生が容易に可能となるということを意味している。
【0067】
次に、上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造装置用のSiH4ガスのプラズマ発生装置及び方法を説明する。なお、本発明の実施あるいは応用では、手順として、第1及び第2の予備製膜工程と、製膜工程の3つの工程が必要である。
第1の予備製膜工程では、前記第1の給電点22を介して第1の電力供給系から供給する電力を用いて基板11への製膜する場合に発生する第1の定在波の空間的周期、即ち隣り合う腹と腹の間隔と該第1の電力供給系の周波数との関係をデータとして把握する。
第2の予備製膜工程では、前記第2の給電点32を介して第2の電力供給系から供給する電力を用いて基板11へ製膜する場合に発生する第2の定在波の空間的周期、即ち隣り合う腹と腹の間隔と該第2の電力供給系の周波数との関係をデータとして把握する。
製膜工程は目的とするアモルファスSiの製造のために実施される。
【0068】
先ず、第1の予備製膜工程であるが、図9において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
次に、前記第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16、第1の電力増幅器17、第1のインピーダンス整合器18、第1の電流導入端子20、第1の給電線21から成る第1の電力供給系を用いて、一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば500Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器18を調整することにより、それぞれのインピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0069】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。このような、製膜試験を第1の発信器15の周波数をパラメータに実施する。
例えば、圧力0.5Torr(66.5Pa)、電力500Wにおいて、周波数56、58、60、62、64、66MHzのデータを取得する。そして、第1の電極2の長さ方向において、基板11に製膜されたアモルファスシリコン膜の隣り合う最大厚み間の距離と出力の周波数の関係をデータとして把握する。例えば、周波数56MHzで距離1.61m、58MHzで距離1.55m、60MHzで距離1.5m、62MHzで距離1.45m、64MHzで距離1.41m、66MHzで距離1.36mが得られる。
もしも、前記第1及び第2の給電点間隔の設定の用いたプラズマ伝播時の波長の推定が、上記実測値と異なる場合は、実測された該波長の四分の一の値が0.75mに近い値を示す周波数を採用すれば良い。
【0070】
ところで、上記第1の給電点22から供給される電力の電力波は、実施例1で説明したように、同一電源から発振された電力が互いに異なる伝播路を伝播して、一対の電極2、4間で互いに向かい合った方向から伝播しあって重なり場合、干渉現象が発生する。その様子については、実施例1での説明事項を参照することにし、ここでは省略する。
前記第1の給電系から第1の給電点22に、周波数60MHzの電力が供給されると、次に示すような正弦状の厚み分布を持つアモルファスシリコン膜が製膜される。
図11において、第1の給電点22から右回り方向への伝播路の距離をx(第1の給電点22を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(xの正方向)を伝播する電圧波をW11(x,t)とする。第1の給電点22から右回り方向への伝播路(xの負方向)を伝播する電圧波をW12(x、t)とすると、次のように表現される。
W11(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ1(t)}
W12(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ1(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ1(t)は第1のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、L0は第1の給電点22から左回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I1(x、t)は次式のようになる。
I1(x、t)
∝cos2{2π(x−L0/2)/λ+Φ1(t)−Φ1(t)}
=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
このI1(x、t)を概念的に、図7に示す。これは、定在波の強さの分布は、(x−L0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。これは、第1の給電点22から図11に示した左回りの伝播路において、第1の給電点22から左回りでL0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
【0071】
図7において、定在波の隣り合う腹と腹の間隔は、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する電力の波長の二分の一である。
なお、ここでは、第1の電力供給系で生成され、かつ、第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生する定在波を第1の定在波と呼ぶ。
【0072】
他方、一般的には、上記第1の給電点22から供給される電力の電力波は、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へも伝播する。しかしながら、本実施例の場合、第1及び第2非接地の導体板200a、200bの設置により、その方向への電力の伝播はない。
したがって、実施例1で示した第3の定在波は存在しない。
【0073】
次に、第2の予備製膜工程であるが、第1の予備製膜工程と同様に、図9において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
次に、前記第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26、第2の電力増幅器27、第1のインピーダンス整合器28、第2の電流導入端子30、第2の給電線31から成る第2の電力供給系を用いて、一対の電極2、4に高周波電力を、周波数を第1の予備製膜工程で選定された60MHzに設定し、その電力を第1の予備製膜工程と同じの500Wとする。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器28を調整することにより、インピーダンス整合器28の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0074】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。
前記第1の予備製膜工程で選定された条件、即ち、圧力0.5Torr(66.5Pa)、周波数60MHz、電力500Wにおいて、アモルファスシリコンを製膜する。
この場合は、第1の予備製膜工程で得られたデータと同様のものが得られる。
確認のため、定在波の腹と腹の間隔を測定する。即ち、1周期が0.75mx2=1.5mの定在波の形をしたアモルファスシリコン膜が得られることを確認する。
【0075】
ところで、上記第2の給電点32から供給される電力の電力波は、実施例1で説明したように、同一電源から発振された電力が互いに異なる伝播路を伝播して、一対の電極2、4間で互いに向かい合った方向から伝播しあって重なり場合、干渉現象が発生する。その様子については、実施例1での説明事項を参照することにし、ここでは省略する。
前記第1の給電系から第2の給電点32に、周波数60MHzの電力が供給されると、次に示すような正弦状の厚み分布を持つアモルファスシリコン膜が製膜される。
図11において、第2の給電点32から右回り方向への伝播路の距離をx(第2の給電点32を原点)とし、その方向を正に取る。左回り方向への伝播路(xの正方向)を伝播する電圧波をW21(x、t)とする。第2の給電点32から右回り方向への伝播路(xの負方向)を伝播する電圧波をW22(x、t)とすると、次のように表現される。
W21(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ2(t)}
W22(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ2(t)}
ただし、Vは電圧波の振幅、ωは電圧の角周波数、λは電圧波の波長、tは時間、Φ2(t)は第2のランダム変調器で変調された時間的にランダムに変動する位相、L0は第2の給電点32から右回りで1周した分の距離である。
この2つの電圧波の合成波の強さの分布、即ち、定在波の強さの分布I2(x、t)は次式のようになる。
I2(x、t)
∝cos2{2π(x−L0/2)/λ−π/2+Φ2(t)−Φ2(t)}
=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
このI2(x、t)を概念的に、図7に示す。これは、定在波の強さの分布は、(x−L0/2)のみに依存して、COS二乗則に従うことを示している。また、これは、図11において、第2の給電点32から左回りの伝播路において、第2の給電点32から左回りでL0/2の距離に、定在波の腹が発生することを意味している。
ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
【0076】
図7図示の定在波において、隣り合う腹と腹の間隔は、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する電力の波長の二分の一である。
なお、ここでは、第2の電力供給系で生成され、かつ、第1及び第2の給電点を結ぶ方向に発生する定在波を第2の定在波と呼ぶ。
【0077】
他方、一般的には、上記第2の給電点32から供給される電力の電力波は、第1及び第2の給電点を結ぶ線分に直交する方向へも伝播する。しかしながら、本実施例の場合、第1及び第2の非接地の導体板200a、200bの設置により、その方向への電力の伝播はない。
したがって、実施例1で示したような第4の定在波は存在しない。
【0078】
さて、次に第3の工程である製膜工程を行う。第3の工程である製膜工程では、前記第1の予備製膜工程で行ったプラズマ生成条件で、第1の電力供給系から第1の給電点22に電力を供給し、かつ、同時に、第2の予備製膜工程で行ったプラズマ生成条件で、第2の電力供給系から第2の給電点32に電力を供給する。
そうすると、前記第1の定在波と、第2の定在波が同時に生成される。
第1の給電点22から第1及び第2の給電点22、32を結ぶ線分での正と負の方向へ伝播する2つの波W11(x、t)とW12(x、t)、即ち、
W11(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ1(t)}
W12(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ1(t)}
及び、第2の給電点32から第1及び第2の給電点22、32を結ぶ線分でのせいと負の方向へ伝播する2つの波W21(x、t)とW22(x、t)、即ち、
W21(x、t)=V・sin{ωt+2πx/λ+Φ2(t)}
W22(x、t)=V・sin{ωt−2π(x−L0)/λ+Φ2(t)}
が、前記第1の電極2と第2の電極4の間で、重なりあう。
ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
即ち、上記の定在波は次に示す数式で表される性質を有する。第1の定在波の分布は、
I1(x、t)=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
第2の定在波は、
I2(x、t)=cos2{2π(x−L0/2)/λ}
で表される。ただし、第1の定在波と第2の定在波は、図8に示すように、腹の位置が波長の四分の一だけ、ずれている。
【0079】
上記の第1及び第2の定在波は、一対の電極2、4の間で重なり合うので、その結果、以下に示すような一様な強さの電力分布が形成される。数式で示すと次の通りである。
I1(x、t)+I2(x、t)
=cos2{2π(x−L0/2)/λ−π/2}+cos2{2π(x−L0/2)/λ}
=sin2{2π(x−L0/2)/λ}+cos2{2π(x−L0/2)/λ}
=1
なお、本実施例では、第1及び第2の給電点の間隔を、予め、周波数60MHzでのシランガスプラズマにおけるプラズマ中を伝播する際の波長である0.75mに等しい値に設定しているので、一様な分布の膜が得られる。
結果的に、一様な分布を持つアモルファスシリコン膜が得られない場合は、第1の定在波の腹(膜厚みが最大である位置)と第2の定在波の腹(膜厚みが最大である位置)の間隔が、プラズマ中を伝播する電力の波長の四分の一に等しくなるように、第1及び第2の電力供給系の周波数を選定することを試み、繰り返して、予備製膜試験を行えば良い。
【0080】
さて、一般的に、一対の電極2、4間の電力の強さとプラズマの強さは比例関係にある。即ち、一対の電極2、4間の電力の強さの分布とプラズマの強さの分布は比例関係にある。他方、上記工程において、SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中に存在するSiH3、SiH2、SiH等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板11の表面に吸着されることによりa−Si膜が堆積するが、プラズマの強さの分布と膜厚みの分布は比例関係にある。電力の強さの分布が均一化されるということは、応用上重要であるプラズマ密度及びラデイカル密度が大面積に亘って均一化されるという意味である。
したがって、一対の電極2、4間の電力の強さが上述の通り一様である場合は、その堆積膜の分布は一様になる。その結果、膜厚みのバラツキは一様になる。実用上必要な膜厚みのバラツキは5〜10%であるので、それを達成することは容易に可能である。
このことは、波長λの四分の一を越えるサイズの基板を対象にした従来のVHFプラズマ表面処理装置及び方法では不可能視されている一様な膜厚分布の形成が実現可能であるということを意味している。したがって、上記のことはVHFプラズマの応用分野においては画期的な発見であり、その実用価値は著しく大きい。
なお、微結晶Siあるいは薄膜多結晶Si等は、製膜条件の中のSiH4,H2の流量比、圧力および電力を適正化することで製膜できることは公知の技術であるので、上記アモルファスシリコン膜の製膜と同様に可能であることは、当然のことである。
【0081】
また、本実施例では、給電点の個数が2個であるので、基板サイズは幅400mm程度x長さ2000mm程度に制約されるが、給電点の個数を幅方向に2個以上増加すれば基板サイズの幅は拡大可能であることは当然のことである。
なお、本実施例に示したプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)及びプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)では、第1の平板型電極2のサイズが実施例1の場合よりも、小さいサイズ、即ち、長さ2.25m(0.75mx3)x幅0.75mx厚み0.2mとして、同様の基板サイズに製膜試験が行うことが可能である。その理由は、前記第1及び第2の非接地の導体板200a、200bを設置したことにより、上記第3及び第4の定在波の発生を防止したことによる。
【0082】
また、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造では、膜厚分布として±10%以内であれば性能上問題はない。上記実施例によれば、60MHzの電源周波数を用いても、従来の装置および方法に比べ著しく良好な膜厚分布を得ることが可能である。
このことは、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造分野での生産性向上および低コスト化に係わる工業的価値が著しく大きいことを意味している。
(実施例3)
本発明に関する実施例3のプラズマ表面処理方法(プラズマCVD方法)及びプラズマ表面処理装置(プラズマCVD装置)について、図12を参照して説明する。
【0083】
先ず、装置の構成について説明する。ただし、実施例1及び実施例2で示した部材と同じ部材は同符番を付して説明を省略する。
図12は実施例3に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図である。
【0084】
先ず、装置の構成を説明する。図12において、符番105は第1の分配器で、第1のインピーダンス整合器18の出力を2つに分けて、それぞれを、同軸ケーブル106、107を介して、第1aの電流導入端子20a及び第1bの電流導入端子20bに伝送する。
第1aの電流導入端子20aは、第1の分配器105から伝送された電力を、第1aの給電線21aを介して第1aの給電点22aに伝送する。第1bの電流導入端子20bは、第1の分配器105から伝送された電力を、第1bの給電線21bを介して第1bの給電点22bに伝送する。
【0085】
符番108は第2の分配器で、第2のインピーダンス整合器28の出力を2つに分けて、それぞれを、同軸ケーブル110、111を介して、第2aの電流導入端子30a及び第2bの電流導入端子30bに伝送する。
第2aの電流導入端子30aは、第2の分配器108から伝送された電力を、第2aの給電線31aを介して第2aの給電点32aに伝送する。第2bの電流導入端子30bは、第2の分配器105から伝送された電力を、第2bの給電線31bを介して第2bの給電点32bに伝送する。
【0086】
本実施例における第1の平板型電極2のサイズは次のように設定する。該第1の平板型電極2の辺の長さは、第1及び第2の高周波電源17、27の出力電力が一対の電極2、4間に生成されるプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値にする。
なお、プラズマ内を伝播する際の波長は、放電ガスの種類、プラズマ密度等に依存するが、シランガスを用いたアモルファスシリコン製膜の一般的条件では真空中における波長の約0.6倍である。例えば、周波数60MHzの電磁波の真空中における波長は5mであるので、プラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい値は1.25mx0.6x奇数倍=0.75mx奇数倍である。
ここでは、該第1の平板型電極2のサイズを、例えば、長さ2.25m(0.75mx3)x幅1.5m(0.75mx2)x厚み0.2mとする。
【0087】
給電点は、実施例2と同様に、該電極2の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、該電極2の一つの辺に平行な一直線上に、複数個の給電点、例えば、図12に示すように第1a、第1b、第2a及び第2bの給電点22a、22b、32a、32bを配置させる。その間隔は、後述の電力供給系から供給される電力のプラズマ中での波長の四分の一の奇数倍になるように推測して設定する。なお、プラズマ中での波長が既知の場合は、推測でなく、データベースでの数値が選定可能である。
ここでは、第1a及び第2aの給電点22a、32aを、図12に示すように、該電極の長さ方向の一方の端部から三分の一の地点22a及び該端部から三分の二の地点32aに設定する。即ち、第1aの給電点22a及び第2aの給電点32aの間隔は0.75mである。
【0088】
図12において、前記第1及び第2の電力供給系から、第1a、第1b、第2a及び第2bの給電点22a、22b、32a、32bを介して供給される電力は、前記第1及び第2の非接地の導体板200a、200bの設置により、図12図示のxの正と負の方向に伝播する。 該2つの給電点を結ぶx方向に直交するy方向には、第1及び第2の非接地の導体板200a、200bがあるので、電力波は伝播できない。即ち、該y方向から、一対の電極2、4のプラズマ生成空間への電力投入は出来ない。
【0089】
上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、例えば、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造方法についてであるが、前述の実施例2の場合と同様であるので、説明を省略する。
(実施例4)
【0090】
先ず、装置の構成について説明する。ただし、実施例1〜3に示した部材と同じ部材は同符番を付して説明を省略する。
図13は実施例4に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図、図14は図13図示のプラズマ表面処理装置の第1〜第4の給電点の説明図である。
【0091】
最初に、装置全体の構成を説明する。装置構成は、実施例1の場合と同様であるが、実施例1と異なる点は、前記電極の裏面に、一直線上に前記高周波電源の出力電力がプラズマ中を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させ、かつ、該複数個の個々の給電点から該直線に垂直方向に、前記高周波電源の出力電力のプラズマ中を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させていることである。
ここでは、間隔を該波長の四分の一とし、給電点の数を4個とする。
【0092】
図13及び図14において、符番45は第3の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第3のランダム位相変調器46で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
符番46は第3のランダム位相変調器で、第3の発信器45の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
符番47は第3の増幅器で、第3の発信器45から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第3のインピーダンス整合器48へ伝送する。符番50は第3の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル49と真空容器内に設置の第3の給電線51を接続し、該第3の給電線51を介して前記第3のインピーダンス整合器48の出力を第3の給電点52に伝送する。符番51は第3の給電線で、第3のインピーダンス整合器48の出力を第3の給電点52へ伝送する。
なお、第3の給電線51には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第3の発信器45、第3のランダム位相変調器46及び第3の増幅器47から構成される第3の高周波電源と第3のインピーダンス整合器48から成る電力供給系を第3の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第3の電力増幅器47には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第3の電力増幅器47本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0093】
図13及び図14において、符番55は第4の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第4のランダム位相変調器56で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
符番56は第4のランダム位相変調器で、第4の発信器55の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
符番57は第4の増幅器で、第4の発信器55から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第4のインピーダンス整合器58へ伝送する。符番60は第4の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル59と真空容器内に設置の第4の給電線61を接続し、該第4の給電線61を介して前記第4のインピーダンス整合器58の出力を第4の給電点62に伝送する。符番61は第4の給電線で、第4のインピーダンス整合器58の出力を第4の給電点62へ伝送する。
なお、第4の給電線61には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第4の発信器55、第4のランダム位相変調器56及び第4の増幅器57から構成される第4の高周波電源と第4のインピーダンス整合器58から成る電力供給系を第4の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第4の電力増幅器57には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第4の電力増幅器57本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0094】
次に、上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造装置用のSiH4ガスのプラズマ発生装置及び方法を説明する。
【0095】
先ず、第1の予備試験として、以下に示す電力供給系の調整を行う。
図13において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
【0096】
次に、前記第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16、第1の電力増幅器17、第1のインピーダンス整合器18、第1の電流導入端子20、第1の給電線21から成る第1の電力供給系を用いて、第1の給電点22を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器18を調整することにより、該インピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0097】
次に、前記第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26、第2の電力増幅器27、第2のインピーダンス整合器8、第2の電流導入端子30、第2の給電線31から成る第2の電力供給系を用いて、第2の給電点32を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第2のインピーダンス整合器28を調整することにより、該インピーダンス整合器28の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0098】
次に、前記第3の発信器45、第3のランダム位相変調器46、第3の電力増幅器47、第3のインピーダンス整合器48、第3の電流導入端子50、第3の給電線51から成る第3の電力供給系を用いて、第3の給電点52を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第3のインピーダンス整合器48を調整することにより、該インピーダンス整合器48の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0099】
次に、前記第4の発信器55、第4のランダム位相変調器56、第4の電力増幅器57、第4のインピーダンス整合器58、第4の電流導入端子60、第4の給電線61から成る第4の電力供給系を用いて、第4の給電点62を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第4のインピーダンス整合器58を調整することにより、該インピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0100】
ここで、前記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の出力250Wを、一旦、ゼロとする。そして、上記放電ガスの供給を、一旦、ゼロにする。その後、真空容器1を大気に戻して、上記基板を取り出す。
【0101】
次に、第2の予備試験として、以下に示す製膜試験を行う。
図13において、再度、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
【0102】
次に、前記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の周波数を60MHzとし、出力をそれぞれ、250Wに設定する。合計で1KWである。その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0103】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。このような、製膜試験を前記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の周波数をパラメータに実施する。
例えば、圧力0.5Torr(66.5Pa)、電力合計1KWにおいて、周波数56、58、60、62、64、66MHzのデータを取得する。そして、第1及び第2の給電点を結ぶ方向、及び第1及び第3の給電点を結ぶ方向において、基板11に製膜されたアモルファスシリコン膜の厚みの分布にバラツキがあるか、否かを調査する。そのバラツキと出力の周波数の関係をデータとして把握する。
例えば、周波数56MHzの場合、±15%、周波数58MHzの場合、±10%、周波数60MHzの場合、±5%、周波数62MHzの場合、±10%、周波数64MHzの場合、±15%が得られる。
もしも、前記第1及び第2の給電点間隔の設定の用いたプラズマ伝播時の波長の推定が、上記実測値と異なる場合は、上記のようなデータでなく、例えば、周波数56MHzの場合、±20%、周波数58MHzの場合、±15%、周波数60MHzの場合、±10%、周波数62MHzの場合、±5%、周波数64MHzの場合、±10%のようなデータになる。この場合は、アモルファスシリコン膜の厚み分布バラツキが最も少ない周波数を採用すれば良い。
【0104】
ところで、上記データは以下に示すような定在波が重なりあって、結果として、一様な膜厚み分布となるのである。
図13において、上記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の出力が第1、第2、第3及び第4の給電点22、32、52、62を介して供給されると、以下に示すように、実施例1で説明した定在波と同様なものが発生する。
図14において、第1の給電点22から第2の給電点32の方向をx方向とする。第1の給電点22から第3の給電点52の方向をy方向とする。
x方向の定在波は、第1及び第2の給電点22、32から供給された電力の干渉と、第3及び第4の給電点52、62から供給された電力の干渉により、実施例1で説明した図8図示の第1及び第2の定在波が発生する。したがって、第1及び第2の給電点22、32の間隔、及び第3及び第4の給電点52、62の間隔が、それぞれ、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍であれば、上記第1及び第2の定在波の合成された強さは一様になる。
他方、y方向の定在波は、第1及び第3の給電点22、52から供給された電力の干渉と、第2及び第4の給電点32、62から供給された電力の干渉により、実施例1で説明した図8図示の第1及び第2の定在波が発生する。したがって、第1及び第3の給電点22、52の間隔、及び第2及び第4の給電点32、62の間隔が、それぞれ、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍であれば、上記第1及び第2の定在波の合成された強さは一様になる。
上記x方向及びy方向において、それぞれ、電力の強さの分布が一様な強さであれば、xy面としての電力の強さの分布は一様な強さになる。
【0105】
さて、一般的に、一対の電極2、4間の電力の強さの分布とプラズマの強さの分布は比例関係にある。他方、上記工程において、SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中に存在するSiH3、SiH2、SiH等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板11の表面に吸着されることによりa−Si膜が堆積するが、プラズマの強さの分布と膜厚みの分布は比例関係にある。電力の強さの分布が均一化されるということは、プラズマ密度及びラデイカル密度が大面積に亘って均一化されるという意味である。
したがって、一対の電極2、4間の電力の強さが上述の通り一様である場合は、その堆積膜の分布は一様になる。その結果、膜厚みのバラツキは一様になる。実用上必要な膜厚みのバラツキは5〜10%であるので、それを達成することは容易に可能である。
このことは、波長λの四分の一を越えるサイズの基板を対象にした従来のVHFプラズマ表面処理装置及び方法では不可能視されている一様な膜厚分布の形成が実現可能であるということを意味している。したがって、上記のことはVHFプラズマの応用分野においては画期的な発見であり、その実用価値は著しく大きい。
なお、微結晶Siあるいは薄膜多結晶Si等は、製膜条件の中のSiH4,H2の流量比、圧力および電力を適正化することで製膜できることは公知の技術であるので、上記アモルファスシリコン膜の製膜と同様に可能であることは、当然のことである。
【0106】
また、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造では、膜厚分布として±10%以内であれば性能上問題はない。上記実施例によれば、60MHzの電源周波数を用いても、従来の装置および方法に比べ著しく良好な膜厚分布を得ることが可能である。
このことは、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造分野での生産性向上および低コスト化に係わる工業的価値が著しく大きいことを意味している。
(実施例5)
【0107】
先ず、装置の構成について説明する。ただし、実施例1〜実施例4に示した部材と同じ部材は同符番を付して説明を省略する。
図15は実施例5に係わるプラズマ表面処理装置の一対の電極及び第1〜第8の給電点の説明図である。
【0108】
最初に、装置全体の構成を説明する。装置構成は、実施例4の場合と同様であるが、実施例4と異なる点は、前記電極の側面に、前記高周波電源の出力電力がプラズマ中を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させていることである。
ここでは、間隔を該波長の四分の三とし、給電点の数を8個とする。
【0109】
図15において、符番72は第5の給電点、符番70は第5の電流導入端子である。
図示しない符番65は第5の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は図示しない第5のランダム位相変調器66で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
図示しない符番66は第5のランダム位相変調器で、第5の発信器65の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
図示しない符番67は第5の増幅器で、第5の発信器65から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第5のインピーダンス整合器68へ伝送する。符番70は第5の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル69と真空容器内に設置の第5の給電線71を接続し、該第5の給電線71を介して前記第5のインピーダンス整合器68の出力を第5の給電点72に伝送する。図示しない符番71は第5の給電線で、第5のインピーダンス整合器68の出力を第5の給電点72へ伝送する。
なお、第5の給電線71には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第5の発信器65、第5のランダム位相変調器66及び第5の増幅器67から構成される第5の高周波電源と第5のインピーダンス整合器68から成る電力供給系を第5の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第3の電力増幅器47には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第3の電力増幅器47本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0110】
図15において、符番82は第6の給電点、符番80は第6の電流導入端子である。
図示しない符番75は第6の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は第6のランダム位相変調器76で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
図示しない符番76は第6のランダム位相変調器で、第6の発信器75の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
図示しない符番77は第6の増幅器で、第6の発信器75から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第6のインピーダンス整合器78へ伝送する。符番80は第6の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル79と真空容器内に設置の第6の給電線81を接続し、該第6の給電線81を介して前記第6のインピーダンス整合器78の出力を第6の給電点82に伝送する。符番81は第6の給電線で、第6のインピーダンス整合器78の出力を第6の給電点82へ伝送する。
なお、第6の給電線81には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第6の発信器75、第6のランダム位相変調器76及び第6の増幅器77から構成される第6の高周波電源と第6のインピーダンス整合器78から成る電力供給系を第6の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第6の電力増幅器77には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第6の電力増幅器77本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0111】
図15において、符番92は第7の給電点、符番90は第7の電流導入端子である。
図示しない符番85は第7の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は図示しない第7のランダム位相変調器86で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
図示しない符番86は第7のランダム位相変調器で、第7の発信器85の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
図示しない符番87は第7の増幅器で、第7の発信器85から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第7のインピーダンス整合器88へ伝送する。符番90は第7の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル89と真空容器内に設置の第7の給電線91を接続し、該第7の給電線91を介して前記第7のインピーダンス整合器88の出力を第7の給電点92に伝送する。符番91は第7の給電線で、第7のインピーダンス整合器88の出力を第7の給電点92へ伝送する。
なお、第7の給電線91には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第7の発信器85、第7のランダム位相変調器86及び第7の増幅器87から構成される第7の高周波電源と第7のインピーダンス整合器88から成る電力供給系を第7の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第7の電力増幅器87には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第7の電力増幅器87本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0112】
図15において、符番102は第8の給電点、符番100は第8の電流導入端子である。
図示しない符番95は第8の発信器で、周波数10MHz〜30MHz(VH帯域)ないし30MHz〜300MHz(VHF帯域)の正弦波信号を発生し、かつ、その正弦波信号の位相は図示しない第8のランダム位相変調器96で、ランダムに変調される。なお、後述するように、該正弦波信号の位相をランダムに変調することにより、後述の他の電力供給系の出力間の相互の干渉性を低減することが可能である。
図示しない符番96は第8のランダム位相変調器で、第8の発信器95の正弦波信号の位相をランダムに変調する機能がある。
図示しない符番97は第8の増幅器で、第8の発信器95から送信されるランダム位相変調された正弦波信号の電力を増幅して、同軸ケーブルを介して第8のインピーダンス整合器98へ伝送する。符番100は第8の電流導入端子で、大気側の同軸ケーブル99と真空容器内に設置の第8の給電線101を接続し、該第8の給電線101を介して前記第8のインピーダンス整合器98の出力を第8の給電点102に伝送する。符番101は第8の給電線で、第8のインピーダンス整合器98の出力を第8の給電点102へ伝送する。
なお、第8の給電線101には、図示しない管状の絶縁材を取り付けて、その近傍での異常放電を抑制している。
ここでは、第8の発信器95、第8のランダム位相変調器96及び第8の増幅器97から構成される第8の高周波電源と第8のインピーダンス整合器98から成る電力供給系を第8の電力供給系と呼ぶ。
なお、前記第8の電力増幅器97には、それぞれ出力値(進行波)のモニター及び下流側から反射して戻ってくる反射波のモニターが付属している。また、該該反射波による該第8の電力増幅器97本体の電気回路を防護するためのアイソレータが付属されている。
【0113】
次に、上記構成のプラズマ表面処理装置を用いて、a−Si太陽電池用アモルファスSi製造装置用のSiH4ガスのプラズマ発生装置及び方法を説明する。
【0114】
先ず、第1の予備試験として、以下に示す電力供給系の調整を行う。
図15において、予め、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
【0115】
次に、前記第1の発信器15、第1のランダム位相変調器16、第1の電力増幅器17、第1のインピーダンス整合器18、第1の電流導入端子20、第1の給電線21から成る第1の電力供給系を用いて、第1の給電点22を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器18を調整することにより、該インピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0116】
次に、前記第2の発信器25、第2のランダム位相変調器26、第2の電力増幅器27、第2のインピーダンス整合器28、第2の電流導入端子30、第2の給電線31から成る第2の電力供給系を用いて、第2の給電点32を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第2のインピーダンス整合器28を調整することにより、該インピーダンス整合器28の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0117】
次に、前記第3の発信器45、第3のランダム位相変調器46、第3の電力増幅器47、第3のインピーダンス整合器48、第3の電流導入端子50、第3の給電線51から成る第3の電力供給系を用いて、第3の給電点52を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第3のインピーダンス整合器48を調整することにより、該インピーダンス整合器48の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0118】
次に、前記第4の発信器55、第4のランダム位相変調器56、第4の電力増幅器57、第4のインピーダンス整合器58、第4の電流導入端子60、第4の給電線61から成る第4の電力供給系を用いて、第4の給電点62を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第4のインピーダンス整合器58を調整することにより、該インピーダンス整合器18の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0119】
次に、前記第5の発信器65、第5のランダム位相変調器66、第5の電力増幅器67、第5のインピーダンス整合器68、第5の電流導入端子70、第5の給電線71から成る第5の電力供給系を用いて、第5の給電点72を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第1のインピーダンス整合器68を調整することにより、該インピーダンス整合器68の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0120】
次に、前記第6の発信器75、第6のランダム位相変調器76、第6の電力増幅器77、第6のインピーダンス整合器78、第6の電流導入端子80、第6の給電線81から成る第6の電力供給系を用いて、第6の給電点82を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第6のインピーダンス整合器78を調整することにより、該インピーダンス整合器78の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0121】
次に、前記第7の発信器85、第7のランダム位相変調器86、第7の電力増幅器87、第7のインピーダンス整合器88、第7の電流導入端子90、第7の給電線91から成る第7の電力供給系を用いて、第7の給電点92を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第7のインピーダンス整合器88を調整することにより、該インピーダンス整合器88の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0122】
次に、前記第8の発信器95、第8のランダム位相変調器96、第8の電力増幅器97、第8のインピーダンス整合器98、第8の電流導入端子100、第8の給電線101から成る第8の電力供給系を用いて、第8の給電点102を介して一対の電極2、4に高周波電力を、例えば周波数60MHzの電力、例えば250Wを供給する。
この場合、前記第8のインピーダンス整合器98を調整することにより、該インピーダンス整合器98の上流側に上記供給電力の反射波が戻らないようにできる。
【0123】
ここで、前記第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の電力供給系の出力250Wを、一旦、ゼロとする。そして、上記放電ガスの供給を、一旦、ゼロにする。その後、真空容器1を大気に戻して、上記基板を取り出す。
【0124】
次に、第2の予備試験として、以下に示す製膜試験を行う。図15において、再度、基板11を第2の電極4の上に設置し、図示しない真空ポンプ10a、10bを稼動させ、真空容器1内の不純物ガス等を除去した後、放電ガス供給管6a、6bからSiH4ガスを、例えば250sccm、圧力0.5Torr(66.5Pa)で供給しつつ、基板温度は80〜350℃の範囲、例えば180℃に保持する。
【0125】
次に、前記第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の電力供給系の周波数を60MHzとし、出力をそれぞれ、250Wに設定する。合計で2KWである。その結果、前記SiH4ガスのプラズマが生成され、基板11に例えばアモルファスSiが堆積する。
【0126】
前記要領で、製膜時間を例えば10〜20分間にして、前記基板11にアモルファスSi膜を形成させる。 製膜後、真空容器1から前記基板11を取り出して、該アモルファスSi膜の膜厚み分布を評価する。基板11に堆積された例えばアモルファスSiの膜厚分布は、後述するように、VHFプラズマ固有の現象である定在波の発生により、正弦的な分布となる。このような、製膜試験を前記第1、第2、第3及び第4の電力供給系の周波数をパラメータに実施する。
例えば、圧力0.5Torr(66.5Pa)、電力合計2KWにおいて、周波数56、58、60、62、64、66MHzのデータを取得する。そして、第1及び第2の給電点を結ぶ方向、及び第1及び第3の給電点を結ぶ方向において、
基板11に製膜されたアモルファスシリコン膜の厚みの分布にバラツキがあるか、否かを調査する。そのバラツキと出力の周波数の関係をデータとして把握する。 例えば、周波数56MHzの場合、±15%、周波数58MHzの場合、±10%、周波数60MHzの場合、±5%、周波数62MHzの場合、±10%、周波数64MHzの場合、±15%が得られる。
もしも、前記第1及び第2の給電点間隔の設定の用いたプラズマ伝播時の波長の推定が、上記実測値と異なる場合は、上記のようなデータでなく、例えば、周波数56MHzの場合、±20%、周波数58MHzの場合、±15%、周波数60MHzの場合、±10%、周波数62MHzの場合、±5%、周波数64MHzの場合、±10%のようなデータになる。この場合は、アモルファスシリコン膜の厚み分布バラツキが最も少ない周波数を採用すれば良い。
【0127】
ところで、上記データは以下に示すような定在波が重なりあって、結果として、一様な膜厚み分布となるのである。
図14において、上記前記第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の電力供給系の出力が第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の給電点22、32、52、62、72、82、92、102を介して供給されると、以下に示すように、実施例3で説明した定在波と同様なものが発生する。
図15において、第1の給電点22から第2の給電点32の方向をx方向とする。第1の給電点22から第3の給電点52の方向をy方向とする。
x方向の定在波は、第5及び第6の給電点72、82から供給された電力の干渉と、第7及び第8の給電点92、102から供給された電力の干渉により、実施例1で説明した図8図示の第1及び第2の定在波が発生する。したがって、第5及び第6の給電点72、82の間隔、及び第7及び第8の給電点92、102の間隔が、それぞれ、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍であれば、上記第1及び第2の定在波の合成された強さは一様になる。
他方、y方向の定在波は、第1及び第3の給電点22、52から供給された電力の干渉と、第2及び第4の給電点32、62から供給された電力の干渉により、実施例1で説明した図8図示の第1及び第2の定在波が発生する。したがって、第1及び第3の給電点22、52の間隔、及び第2及び第4の給電点32、62の間隔が、それぞれ、上記条件で生成されたプラズマ中を伝播する際の電力の波長の四分の一の奇数倍であれば、上記第1及び第2の定在波の合成された強さは一様になる。
上記x方向及びy方向において、それぞれ、電力の強さの分布が一様な強さであれば、xy面としての電力の強さの分布は一様な強さになる。
【0128】
さて、一般的に、一対の電極2、4間の電力の強さの分布とプラズマの強さの分布は比例関係にある。他方、上記工程において、SiH4ガスがプラズマ化されると、そのプラズマ中に存在するSiH3、SiH2、SiH等のラジカルが拡散現象により拡散し、基板11の表面に吸着されることによりa−Si膜が堆積するが、プラズマの強さの分布と膜厚みの分布は比例関係にある。電力の強さの分布が均一化されるということは、プラズマ密度及びラデイカル密度が大面積に亘って均一化されるという意味である。
したがって、一対の電極2、4間の電力の強さが上述の通り一様である場合は、その堆積膜の分布は一様になる。その結果、膜厚みのバラツキは一様になる。実用上必要な膜厚みのバラツキは5〜10%であるので、それを達成することは容易に可能である。
このことは、波長λの四分の一を越えるサイズの基板を対象にした従来のVHFプラズマ表面処理装置及び方法では不可能視されている一様な膜厚分布の形成
が実現可能であるということを意味している。したがって、上記のことはVHFプラズマの応用分野においては画期的な発見であり、その実用価値は著しく大きい。
なお、微結晶Siあるいは薄膜多結晶Si等は、製膜条件の中のSiH4,H2の流量比、圧力および電力を適正化することで製膜できることは公知の技術であるので、上記アモルファスシリコン膜の製膜と同様に可能であることは、当然のことである。
【0129】
また、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造では、膜厚分布として±10%以内であれば性能上問題はない。上記実施例によれば、60MHzの電源周波数を用いても、従来の装置および方法に比べ著しく良好な膜厚分布を得ることが可能である。
このことは、a−Si太陽電池、薄膜トランジスタおよび感光ドラム等の製造分野での生産性向上および低コスト化に係わる工業的価値が著しく大きいことを意味している。
【図面の簡単な説明】
【0130】
【図1】図1は実施例1に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図。
【図2】図2は図1図示のプラズマ表面処理装置に用いられる給電点の配置の説明図。
【図3】図3は図1図示のプラズマ表面処理装置で生成されるプラズマの領域を示す説明図。
【図4】図4は図1図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における第1の給電点から供給される電力の伝播路の説明図。
【図5】図5は図1図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点を結ぶ方向における第2の給電点から供給される電力の伝播路の説明図。
【図6】図6は一対の電極間を正方向及び逆方向に伝播する電力波の説明図
【図7】図7は一対の電極間に発生の定在波の腹の位置を示す説明図。
【図8】図8は一対の電極間に発生の第1及び第2の定在波の強さの分布を示す説明図。
【図9】図9は実施例2に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図。
【図10】図10は図9図示のプラズマ表面処理装置の構成部材である第1の電極の付属部材である非接地の導体板の構成を示す説明図。
【図11】図11は図9図示のプラズマ表面処理装置の第1及び第2の給電点の配置及び電力の伝播方向を示す説明図。
【図12】図12は実施例3に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図。
【図13】図13は実施例4に係わるプラズマ表面処理装置の全体を示す概略図。
【図14】図14は図13図示のプラズマ表面処理装置の第1〜第4の給電点の説明図。
【図15】図15は実施例5に係わるプラズマ表面処理装置の一対の電極及び第1〜第8の給電点の説明図。
【符号の説明】
【0131】
1・・・真空容器、
2・・・第1の電極、
3・・・図示しない基板ヒータ、
4・・・第2の電極、
5a、5b・・・絶縁部材、
6a、6b・・・ガス導入菅、
7・・・ガスシャワー孔、
9a、9b・・・排気管、
10a、10b・・・図示しない真空ポンプ、
11・・・基板、
15・・・第1の発信器、
16・・・第1のランダム位相変調器、
17・・・第1の増幅器、
18・・・第1の電流導入端子、
19・・・同軸ケーブル、
20・・・第1の電流導入端子、
21・・・第1の給電線、
22・・・第1の給電点、
25・・・第2の発信器、
26・・・第2のランダム位相変調器、
27・・・第2の増幅器、
28・・・第2のインピーダンス整合器28、
29・・・同軸ケーブル29、
30・・・第2の電流導入端子、
31・・・第2の給電線、
32・・・第2の給電点、
200a・・・第1の非接地の導体板、
200b・・・第2の非接地の導体板、
201a・・・第1の絶縁材、
201b・・・第2の絶縁材、
202a・・・第1の開口、
202b・・・第2の開口。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、高周波電源及びインピーダンス整合器から成る電力供給系と、プラズマ処理すべき基板を配置する基板保持手段とを具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置に用いられるプラズマ表面処理方法であって、前記電力供給系から前記電極への電力供給箇所即ち給電点を、前記非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、前記電力供給系からの電力がプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個配置し、該複数の給電点に個々に、互いに独立した関係にある高周波電源から出力される電力を供給し、前記電極間に複数の、空間的、時間的に変動しない互いに独立した関係にある電力の定在波を発生させることにより該電極間の電力分布を一様化することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項2】
請求項1に記載のプラズマ表面処理方法において、前記複数の高周波電源の出力電力の電圧の位相を、個々に、別々のランダム位相変調器を用いてランダムに変調させ、該複数の高周波電源の出力電力間の相互の干渉性を低減することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項3】
請求項1あるいは請求項2のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記高周波電源に、発振器とランダム位相変調器と増幅器から構成される高周波電源を用いることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項4】
請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極を平板型の電極として、該非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で、複数個の給電点を配置させることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極を平板型の電極として、該電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させ、かつ、該複数個の個々の給電点から該直線に直交する方向に、前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極に矩形状の平板型の電極を用い、該電極の対向する2側面に、前記真空容器の壁を貫通して設置され、かつ該真空容器と電気的に絶縁された導体板を接続することにより、前記電力供給系から前記給電点へ供給される電力の該給電点から該導体板方向の伝播路を介した該一対の電極間への伝播を遮断することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項7】
請求項1〜6のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極を平板の矩形の電極とし、その辺の長さを前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の整数倍に等しい値にすることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項8】
請求項7に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極の互いに対向する側面に複数の給電点を配置させることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項9】
請求項1〜8のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記高周波電源の出力の周波数は、13、56MHz〜300MHzのHF帯域ないしVHF帯域に属していることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項10】
排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、高周波電源及びインピーダンス整合器から成る電力供給系と、プラズマ処理すべき基板を配置する基板保持手段とを具備し、発生したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置であって、前記高周波電源は、発振器とランダム位相変調器と電力増幅器から成り、かつ、複数個の給電点が前記非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、あるいは、該非接地電極の側面に配置されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項11】
請求項10に記載のプラズマ表面処理装置において、前記複数個の給電点は該非接地電極の裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項12】
請求項10に記載のプラズマ表面処理装置において、前記複数個の給電点は該非接地電極の裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるとともに、該給電点から該直線に直交する方向に、前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項13】
請求項10〜12のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理装置において、前記非接地電極に、矩形状の平板型の電極が用いられるとともに、該電極の対向する2辺に、前記真空容器の壁を貫通して設置され、かつ該真空容器と電気的に絶縁された導体板が接続されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項14】
請求項10〜13のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理装置において、前記非接地電極を、平板の矩形の電極とし、かつ、その辺の長さが前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の整数倍に等しい値であるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項15】
請求項10〜13のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理装置において、前記非接地電極が矩形平板の電極であり、該電極の側面に複数の給電点が配置されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項1】
排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、高周波電源及びインピーダンス整合器から成る電力供給系と、プラズマ処理すべき基板を配置する基板保持手段とを具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置に用いられるプラズマ表面処理方法であって、前記電力供給系から前記電極への電力供給箇所即ち給電点を、前記非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、前記電力供給系からの電力がプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個配置し、該複数の給電点に個々に、互いに独立した関係にある高周波電源から出力される電力を供給し、前記電極間に複数の、空間的、時間的に変動しない互いに独立した関係にある電力の定在波を発生させることにより該電極間の電力分布を一様化することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項2】
請求項1に記載のプラズマ表面処理方法において、前記複数の高周波電源の出力電力の電圧の位相を、個々に、別々のランダム位相変調器を用いてランダムに変調させ、該複数の高周波電源の出力電力間の相互の干渉性を低減することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項3】
請求項1あるいは請求項2のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記高周波電源に、発振器とランダム位相変調器と増幅器から構成される高周波電源を用いることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項4】
請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極を平板型の電極として、該非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で、複数個の給電点を配置させることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極を平板型の電極として、該電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させ、かつ、該複数個の個々の給電点から該直線に直交する方向に、前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で複数個の給電点を配置させることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極に矩形状の平板型の電極を用い、該電極の対向する2側面に、前記真空容器の壁を貫通して設置され、かつ該真空容器と電気的に絶縁された導体板を接続することにより、前記電力供給系から前記給電点へ供給される電力の該給電点から該導体板方向の伝播路を介した該一対の電極間への伝播を遮断することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項7】
請求項1〜6のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極を平板の矩形の電極とし、その辺の長さを前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の整数倍に等しい値にすることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項8】
請求項7に記載のプラズマ表面処理方法において、前記非接地電極の互いに対向する側面に複数の給電点を配置させることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項9】
請求項1〜8のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理方法において、前記高周波電源の出力の周波数は、13、56MHz〜300MHzのHF帯域ないしVHF帯域に属していることを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項10】
排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、高周波電源及びインピーダンス整合器から成る電力供給系と、プラズマ処理すべき基板を配置する基板保持手段とを具備し、発生したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置であって、前記高周波電源は、発振器とランダム位相変調器と電力増幅器から成り、かつ、複数個の給電点が前記非接地電極の裏面即ちプラズマを生成する空間から見て裏側の面に、あるいは、該非接地電極の側面に配置されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項11】
請求項10に記載のプラズマ表面処理装置において、前記複数個の給電点は該非接地電極の裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項12】
請求項10に記載のプラズマ表面処理装置において、前記複数個の給電点は該非接地電極の裏側の面に、一直線上に前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるとともに、該給電点から該直線に直交する方向に、前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の奇数倍に等しい間隔で配置されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項13】
請求項10〜12のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理装置において、前記非接地電極に、矩形状の平板型の電極が用いられるとともに、該電極の対向する2辺に、前記真空容器の壁を貫通して設置され、かつ該真空容器と電気的に絶縁された導体板が接続されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項14】
請求項10〜13のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理装置において、前記非接地電極を、平板の矩形の電極とし、かつ、その辺の長さが前記高周波電源の出力のプラズマ内を伝播する際の波長の四分の一の整数倍に等しい値であるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項15】
請求項10〜13のいずれか1項に記載のプラズマ表面処理装置において、前記非接地電極が矩形平板の電極であり、該電極の側面に複数の給電点が配置されるという構成を有することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【公開番号】特開2006−332704(P2006−332704A)
【公開日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【国際特許分類】
【公開請求】
【出願番号】特願2006−223985(P2006−223985)
【出願日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【出願人】(303034908)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−223985(P2006−223985)
【出願日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【出願人】(303034908)
【Fターム(参考)】
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