レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びレジスト組成物の製造方法
【課題】支持体への塗布性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法及びレジスト組成物の製造方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）は、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを含み（ただし、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを混合して調製されたものを除く）、かつ、前記２−ブトキシ−１−プロパノールの割合が、前記１−ブトキシ−２−プロパノール１００質量部に対して１．５質量部以上であることを特徴とするレジスト組成物。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）は、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを含み（ただし、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを混合して調製されたものを除く）、かつ、前記２−ブトキシ−１−プロパノールの割合が、前記１−ブトキシ−２−プロパノール１００質量部に対して１．５質量部以上であることを特徴とするレジスト組成物。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、
前記有機溶剤（Ｓ）は、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを含み（ただし、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを混合して調製されたものを除く）、かつ、前記２−ブトキシ−１−プロパノールの割合が、前記１−ブトキシ−２−プロパノール１００質量部に対して１．５質量部以上であることを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
支持体上に、第一のレジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法において、
前記第二のレジスト組成物として用いられるレジスト組成物である請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ１）を含有する請求項１又は２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記樹脂成分（Ａ１）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する請求項３記載のレジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項４記載のレジスト組成物。
【請求項６】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）を有する請求項４又は５記載のレジスト組成物。
【化１】
［式（ａ５−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｙ１は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基であり、Ｚは１価の有機基であり；ａは１〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、かつ、ａ＋ｂ＝１〜３であり；ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ独立して０〜３の整数である。］
【請求項７】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、下記一般式（ａ６−１）で表される構成単位（ａ６）を有する請求項４〜６のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【化２】
［式（ａ６−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｙ３はアルキレン基又は脂肪族環式基であり；ｇ、ｈはそれぞれ独立して０〜３の整数であり；ｉは１〜３の整数である。］
【請求項８】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を溶解してなる請求項１〜７のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項９】
支持体上に、レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、請求項１〜８のいずれか一項に記載のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のレジスト組成物を製造する方法であって、
前記基材成分（Ａ）と前記酸発生剤成分（Ｂ）とを前記有機溶剤（Ｓ）に溶解するレジスト組成物の製造方法。
【請求項１１】
前記有機溶剤（Ｓ）が、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを含む有機溶剤から、その１−ブトキシ−２−プロパノールの少なくとも一部を蒸留によって除いたものである請求項１０記載のレジスト組成物の製造方法。
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、
前記有機溶剤（Ｓ）は、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを含み（ただし、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを混合して調製されたものを除く）、かつ、前記２−ブトキシ−１−プロパノールの割合が、前記１−ブトキシ−２−プロパノール１００質量部に対して１．５質量部以上であることを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
支持体上に、第一のレジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法において、
前記第二のレジスト組成物として用いられるレジスト組成物である請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ１）を含有する請求項１又は２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記樹脂成分（Ａ１）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する請求項３記載のレジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項４記載のレジスト組成物。
【請求項６】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）を有する請求項４又は５記載のレジスト組成物。
【化１】
［式（ａ５−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｙ１は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基であり、Ｚは１価の有機基であり；ａは１〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、かつ、ａ＋ｂ＝１〜３であり；ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ独立して０〜３の整数である。］
【請求項７】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、下記一般式（ａ６−１）で表される構成単位（ａ６）を有する請求項４〜６のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【化２】
［式（ａ６−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｙ３はアルキレン基又は脂肪族環式基であり；ｇ、ｈはそれぞれ独立して０〜３の整数であり；ｉは１〜３の整数である。］
【請求項８】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を溶解してなる請求項１〜７のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項９】
支持体上に、レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、請求項１〜８のいずれか一項に記載のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のレジスト組成物を製造する方法であって、
前記基材成分（Ａ）と前記酸発生剤成分（Ｂ）とを前記有機溶剤（Ｓ）に溶解するレジスト組成物の製造方法。
【請求項１１】
前記有機溶剤（Ｓ）が、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを含む有機溶剤から、その１−ブトキシ−２−プロパノールの少なくとも一部を蒸留によって除いたものである請求項１０記載のレジスト組成物の製造方法。
【公開番号】特開２０１０−２６２０７３（Ｐ２０１０−２６２０７３Ａ）
【公開日】平成２２年１１月１８日（２０１０．１１．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１１１４５６（Ｐ２００９−１１１４５６）
【出願日】平成２１年４月３０日（２００９．４．３０）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月１８日（２０１０．１１．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月３０日（２００９．４．３０）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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