【課題】ＤＵＶ光源のための高電力ガス放電レーザシステムを提供する。
【解決手段】方法及び装置は、線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムを含むことができ、システムは、パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ第１のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバと第１の発振空洞内の線狭化モジュールとを含むことができるシードレーザ発振器と、シードレーザ発振器の出力を受け取ってシードレーザ発振器の出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第２のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつリング電力増幅ステージを含むことができて、シードレーザ発振器の出力がこのリング電力増幅ステージの増幅利得媒体をループ毎に少なくとも２回通過するレーザ増幅ステージとを含むことができる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、
パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ
第１のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ、及び
第１の発振空洞内の線狭化モジュール、
を含む、
シードレーザ発振器と、
前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第２のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつ
リング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも２回通過する、
レーザ増幅ステージと、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記リング電力増幅ステージは、
前記シードレーザ発振器出力光ビームが、前記リング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記リング電力増幅ステージは、ボウタイ型ループを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記リング電力増幅ステージは、レーストラック型ループを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、０．１ｍＪに等しいか又はそれ未満である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、０．１ｍＪに等しいか又はそれ未満である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、０．２ｍＪに等しいか又はそれ未満である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、０．２ｍＪに等しいか又はそれ未満である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項９】
前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、０．５ｍＪに等しいか又はそれ未満である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、０．５ｍＪに等しいか又はそれ未満である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、０．７５ｍＪに等しいか又はそれ未満である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記シードレーザ発振器の前記出力のパルスエネルギが、０．７５ｍＪに等しいか又はそれ未満である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１３】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧１ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧１ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１５】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧２ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧２ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１７】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧５ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧５ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１９】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧１０ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧１０ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項２１】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧１５ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
前記リング電力増幅ステージは、前記シードレーザ発振空洞の前記出力を≧１５ｍＪのパルスエネルギまで増幅する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項２３】
１２ｋＨｚまでの出力パルス繰返し数で作動する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
１２ｋＨｚまでの出力パルス繰返し数で作動する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項２５】
≧２かつ≦８ｋＨｚの出力パルス繰返し数で作動する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２６】
≧２かつ≦８ｋＨｚの出力パルス繰返し数で作動する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項２７】
≧４かつ≦６ｋＨｚの出力パルス繰返し数で作動する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２８】
≧４かつ≦６ｋＨｚの出力パルス繰返し数で作動する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項２９】
広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、
パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ
第１のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含む、
シードレーザ発振器と、
前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第２のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつ
リング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が、該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも２回通過する、
レーザ増幅ステージと、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項３０】
前記リング電力増幅ステージは、
前記シードレーザ発振器出力光ビームが、前記リング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記リング電力増幅ステージは、ボウタイ型ループを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載の装置。
【請求項３２】
前記リング電力増幅ステージは、ボウタイ型ループを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３０に記載の装置。
【請求項３３】
前記リング電力増幅ステージは、レーストラック型ループを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載の装置。
【請求項３４】
前記リング電力増幅ステージは、レーストラック型ループを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３０に記載の装置。
【請求項３５】
前記シードレーザ発振器と前記増幅利得媒体の中間にある干渉破壊機構、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３６】
前記シードレーザ発振器と前記増幅利得媒体の中間にある干渉破壊機構、
を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項３７】
前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３５に記載の装置。
【請求項３８】
前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項３９】
前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３７に記載の装置。
【請求項４０】
前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３８に記載の装置。
【請求項４１】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３５に記載の装置。
【請求項４２】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項４３】
線狭化パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、
パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ
第１のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ、及び
第１の発振空洞内の線狭化モジュール、
を含む、
シードレーザ発振器と、
前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第２のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつ
リング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも２回通過する、
レーザ増幅ステージと、
前記シードレーザ発振器と前記リング電力増幅ステージの中間にある干渉破壊機構と、 を含むことを特徴とするシステム。
【請求項４４】
前記リング電力増幅ステージは、
前記シードレーザ発振器出力光ビームが、前記リング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４３に記載の装置。
【請求項４５】
前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４４に記載の装置。
【請求項４６】
前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４５に記載の装置。
【請求項４７】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４４に記載の装置。
【請求項４８】
前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、
各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４４に記載の装置。
【請求項４９】
広帯域パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、
パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ
第１のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバを含む、
シードレーザ発振器と、
前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第２のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつ
リング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が、該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも２回通過する、
レーザ増幅ステージと、
前記シードレーザ発振器と前記リング電力増幅ステージの中間にある干渉破壊機構と、 を含むことを特徴とするシステム。
【請求項５０】
前記リング電力増幅ステージは、
前記シードレーザ発振器出力光ビームが、前記リング電力増幅ステージ内に注入される時に通る部分反射光学要素を含む注入機構、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４９に記載の装置。
【請求項５１】
前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４８に記載の装置。
【請求項５２】
前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５１に記載の装置。
【請求項５３】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４８に記載の装置。
【請求項５４】
前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、
各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４８に記載の装置。
【請求項５５】
パルスエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザシステムであって、
パルスのレーザ出力光ビームを含む出力を生成し、かつ
第１のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバ、及び
第１の発振空洞内の線狭化モジュール、
を含む、
シードレーザ発振器と、
前記シードレーザ発振器の前記出力を受け取って該シードレーザ発振器の該出力を増幅し、パルスのレーザ出力光ビームを含むレーザシステム出力を形成する第２のガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザチャンバに増幅利得媒体を収容し、かつ
リング電力増幅ステージを含んで、前記シードレーザ発振器の前記出力が、該リング電力増幅ステージの前記増幅利得媒体をループ毎に少なくとも２回通過する、
レーザ増幅ステージと、
シードレーザ出力光ビームパルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含み、前記シードレーザ発振器と前記レーザ増幅ステージの中間にある干渉破壊機構と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項５６】
前記増幅ステージは、レーザ発振空洞を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５５に記載の装置。
【請求項５７】
前記増幅ステージは、前記増幅利得媒体を通る固定数の通過を定める光路を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５５に記載の装置。
【請求項５８】
前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５５に記載の装置。
【請求項５９】
前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項６０】
前記干渉破壊機構は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離よりも長い遅延長さを有する光学遅延経路を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５７に記載の装置。
【請求項６１】
前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５８に記載の装置。
【請求項６２】
前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５９に記載の装置。
【請求項６３】
前記光学遅延経路は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおける前記パルスの長さを大きくは増大しない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項６０に記載の装置。
【請求項６４】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５５に記載の装置。
【請求項６５】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項６６】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、パルスの前記シードレーザ発振器レーザ出力光ビームにおけるパルスの可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルス該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５７に記載の装置。
【請求項６７】
前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、
各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５５に記載の装置。
【請求項６８】
前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、
各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項６９】
前記干渉破壊機構は、単一の入力パルスから順に遅延した複数のサブパルスを発生する干渉破壊光学遅延構造を含み、
各サブパルスは、次のサブパルスからパルス光の可干渉距離よりも大きく遅延する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５７に記載の装置。
【請求項７０】
レーザ光源システムであって、
シードレーザ出力を供給する固体レーザシードビーム源と、
前記シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に変換する周波数変換ステージと、
前記変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ該変換波長でパルスのガス放電レーザ出力ビームを生成するエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体と、
前記出力パルスの可干渉距離よりも長い遅延経路を有する光学遅延要素を含む干渉破壊機構と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項７１】
前記エキシマ又は分子フッ素レーザは、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ、ＫｒＦ、ＡｒＦ、及びＦ₂レーザシステムを含む群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７０に記載の装置。
【請求項７２】
前記レーザ利得媒体は、電力増幅器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７１に記載の装置。
【請求項７３】
前記電力増幅器は、単一通過増幅器ステージを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７２に記載の装置。
【請求項７４】
前記電力増幅器は、多重通過増幅器ステージを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７２に記載の装置。
【請求項７５】
前記利得媒体は、リング電力増幅ステージを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７１に記載の装置。
【請求項７６】
前記リング電力増幅ステージは、ボウタイ構成を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７５に記載の装置。
【請求項７７】
入力／出力カプラシード注入機構、
を更に含むことを特徴とする請求項７０に記載の装置。
【請求項７８】
入力／出力カプラシード注入機構、
を更に含むことを特徴とする請求項７１に記載の装置。
【請求項７９】
前記干渉破壊機構は、前記レーザシードビーム源と前記ガス放電レーザ利得媒体の中間にある、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７７に記載の装置。
【請求項８０】
前記干渉破壊機構は、前記レーザシードビーム源と前記ガス放電レーザ利得媒体の中間にある、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７８に記載の装置。
【請求項８１】
前記固体シードレーザビーム源は、Ｎｄベースの固体レーザを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７０に記載の装置。
【請求項８２】
前記Ｎｄベース固体レーザをポンピングする周波数逓倍ポンプ、
を更に含むことを特徴とする請求項８１に記載の装置。
【請求項８３】
前記Ｎｄベース固体レーザは、ファイバー増幅器レーザを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８１に記載の装置。
【請求項８４】
前記Ｎｄベース固体レーザは、
Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、及びＮｄ：ＹＶＯ₄固体レーザ、
を含む群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８１に記載の装置。
【請求項８５】
前記固体シードレーザビーム源は、Ｅｒベースの固体レーザを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７０に記載の装置。
【請求項８６】
前記Ｅｒベース固体レーザは、ファイバーレーザを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８５に記載の装置。
【請求項８７】
前記Ｅｒベース固体レーザは、Ｅｒ：ＹＡＧレーザを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８５に記載の装置。
【請求項８８】
前記周波数変換ステージは、線形周波数変換器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７０に記載の装置。
【請求項８９】
前記線形周波数変換器は、Ｔｉ：サファイア結晶を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８８に記載の装置。
【請求項９０】
前記線形周波数変換器は、アレキサンドライトを含む結晶を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８９に記載の装置。
【請求項９１】
前記周波数変換ステージは、非線形周波数変換器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７０に記載の装置。
【請求項９２】
前記非線形周波数変換器は、２次高周波発生器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９１に記載の装置。
【請求項９３】
前記非線形周波数変換器は、和周波混合器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９１に記載の装置。
【請求項９４】
レーザ光源システムであって、
シードレーザ出力を供給する固体レーザシードビーム源と、
前記シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に変換する周波数変換ステージと、
前記変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ該変換波長でガス放電レーザ出力を生成し、かつ
リング電力増幅ステージを含む、
エキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項９５】
レーザ光源システムを作動する方法であって、
固体レーザシードビーム源を利用してシードレーザ出力を供給する段階と、
周波数変換ステージにおいて前記シードレーザ出力をエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザのシードに適する波長に周波数変換する段階と、
エキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザ利得媒体を利用して、前記変換されたシードレーザ出力を増幅してほぼ該変換波長のガス放電レーザ出力を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９６】
前記レーザ利得媒体は、電力発振器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７２に記載の装置。
【請求項９７】
レーストラック構成を含むリング電力増幅ステージ、
を更に含むことを特徴とする請求項７４に記載の装置。
【請求項９８】
処理機械であって、
パルスＵＶ光で加工物を照射する照射機械と、
ＵＶ光入射開口部と、
加工物保持台と、
前記ＵＶ光パルスの可干渉距離を超える光学遅延経路を含む干渉破壊機構と、
を含むことを特徴とする機械。
【請求項９９】
前記光学遅延経路は、前記ＵＶ光パルスの長さを大きくは増大しない、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９８に記載の装置。
【請求項１００】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、前記ＵＶ光パルスの前記可干渉距離を超えるが、該パルスの長さを大きくは増大せず、かつ該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルスの該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９８に記載の装置。
【請求項１０１】
前記干渉破壊機構は、第１の長さの第１の光学遅延経路及び第２の長さの第２の光学遅延経路を含み、該第１及び第２の遅延経路の各々における光学遅延は、前記ＵＶ光パルスの前記可干渉距離を超えるが、該パルスの前記長さを大きくは増大せず、かつ該第１の遅延経路及び該第２の光学遅延経路の該長さの差は、該パルスの該可干渉距離を超える、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９９に記載の装置。
【請求項１０２】
前記第１及び第２の光学遅延経路の少なくとも一方は、ビーム反転又はビーム平行移動機構を更に含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９８に記載の装置。
【請求項１０３】
前記第１及び第２の光学遅延経路の少なくとも一方は、ビーム反転又はビーム平行移動機構を更に含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９９に記載の装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【図６３】

【図６４】

【図６５】

【図６６】

【図６７】

【図６８】

【図６９】

【図７０】

【図７１】

【図７２】

【図７３】

【図７４】

【図７５】

【図７６】

【図７７】

【図７８】

【図７９】

【図８０】

【図８１Ａ】

【図８１Ｂ】

【図８１Ｃ】

【図８２Ａ】

【図８２Ｂ】

【図８３Ａ】

【図８３Ｂ】

【図８４Ａ】

【図８４Ｂ】

【図８５】

【図８６】

【公開番号】特開２０１１−１７６３５８（Ｐ２０１１−１７６３５８Ａ）
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０６８１６（Ｐ２０１１−１０６８１６）
【出願日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【分割の表示】特願２００８−５３８９１２（Ｐ２００８−５３８９１２）の分割
【原出願日】平成１８年１０月２０日（２００６．１０．２０）
【出願人】（５０４０１０６４８）サイマー　インコーポレイテッド (115)
【Ｆターム（参考）】