光半導体装置およびその製造方法
【課題】 本発明は、光結合効率が高く、かつ信頼性が確保され、さらに、容易に組立できるため生産性が向上した光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光半導体装置１０は、シリコン基板１１と、シリコン基板１１上に搭載された半導体レーザダイオード１２と、半導体レーザダイオード１２から出力されたレーザ光の光軸方向と一致する方向となるようにシリコン基板１１に形成された溝部１４と、溝部１４内に備えられ、レーザ光を光ファイバに導くための略円筒状の光学結合用レンズ１３と、を備える。この光学結合用レンズ１３は、溝部１４において対向する一対の支持部（傾斜面１９，２０）により光軸方向に位置決めされている。
【解決手段】 本発明に係る光半導体装置１０は、シリコン基板１１と、シリコン基板１１上に搭載された半導体レーザダイオード１２と、半導体レーザダイオード１２から出力されたレーザ光の光軸方向と一致する方向となるようにシリコン基板１１に形成された溝部１４と、溝部１４内に備えられ、レーザ光を光ファイバに導くための略円筒状の光学結合用レンズ１３と、を備える。この光学結合用レンズ１３は、溝部１４において対向する一対の支持部（傾斜面１９，２０）により光軸方向に位置決めされている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンオプティカルベンチを使用した光半導体装置およびその製造方法に関し、特に、円筒形状の光学結合用レンズを用いた光半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
メトロ・アクセス領域の光通信用装置においては、求められる性能および信頼性を、小型化しつつ実現し、さらに低コストで実現するかが重要な課題である。光半導体装置においても、一般的な半導体パッケージと同レベルの小型化、低コスト化が望まれている。しかしながら、光半導体装置は、光および電気接続の両方を行う必要があるため、そのサイズが大きくなる。さらに、金属部品を多用するために、コストが高くなる難点がある。
【０００３】
近年、光導波路技術や、基板上で光結合系を形成するパッシブアライメント技術の実用化により、光および電気機能を集積した光半導体装置が開発されている。その手法の一つとして、シリコンをベースとした基板（シリコンオプティカルベンチ）への実装方式がある。シリコンオプティカルベンチへは光学部品や電気部品をパッシブにアライメントでき、安価な光半導体装置を提供できることから、共通プラットフォームとして有望である。シリコンオプティカルベンチにおいては、レンズの実装形態およびその実装方法が重要である。すなわち、これらは、半導体レーザダイオードの出力光とファイバへの入力光との割合である光結合効率を向上させるために特に重要である。このため、シリコンオプティカルベンチへの光学結合用レンズの実装に際しては、位置精度、組立の容易性、さらには信頼性について十分に考慮する必要がある。
【０００４】
従来のシリコンオプティカルベンチ上への光学結合用レンズの実装形態としては、シリコンベンチ上にエッチングにより溝部を形成し、溝部に光学結合用レンズを埋め込む実装方法が一般的に行われている。特許文献１には、シリコンオプティカルベンチの端に異方性エッチングにより、底面が四角形および三角形の角錐状の溝を形成し、この溝内に球状の光学結合用レンズを上方から押し付けながら設置する方法が記載されている。この方法によれば、球状の光学結合用レンズ（以下、球状レンズともいう）が複数点でシリコンオプティカルベンチと接するため、球状レンズを位置決めすることができる。また、特許文献２には、球状レンズをシリコンオプティカルベンチ上に樹脂を用いて直接接着する方法が記載されている。この樹脂は、光半導体装置の動作温度範囲の最低温度よりも低いガラス転移温度を有する。これは、光半導体装置はガラス転移温度以上の環境温度で使用するので、樹脂は常にゲル状態で柔軟性を保つことによって、温度変化による応力の影響が緩和され、光学的安定性が保持される。この方法は、柔軟性を有する樹脂を用いることにより、機械的衝撃を緩和するものである。
【０００５】
このような球状レンズは、非球面を有する光学結合用レンズ（以下、非球面レンズともいう）よりも光結合における損失が大きい。そのため、近年では光結合効率の高い非球面レンズが用いられてきている。非球面レンズの場合、その形状は一般的には円筒形状となる。特許文献３には、図９に示すような光半導体装置１００が記載されている。図９に、光半導体装置１００の光軸に沿った縦断面図を示す。シリコンオプティカルベンチ１１１上に、光軸方向に直交する方向において対向するように一対の傾斜面（不図示）を有する溝部１１４を形成し、この溝部１１４内に円筒形状の光学結合用レンズ１１３が搭載された光半導体装置１００が記載されている。この光半導体装置１００においては、円筒形状の光学結合用レンズ１１３を、溝部１１４内の半導体レーザダイオード１１２側の傾斜面１２０と、一対の傾斜面（不図示）との３面に接触させることにより、光学結合用レンズ１１３の位置決めを行っている。また、特許文献４には、平板状のマイクロレンズを、シリコンオプティカルベンチ上に形成されたガイド溝に搭載する方法が記載されている。ガイド溝は、光学結合用レンズの形状と略同一形状に形成されており、平板状の光学結合用レンズをガイド溝に嵌合させることにより、光学結合用レンズの位置決めしている。
【特許文献１】特開２００２−１４１５９７号公報
【特許文献２】特開２００１−９４１９１号公報
【特許文献３】特開２００１−２４２３５７号公報
【特許文献４】特開２００３−１６７１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献３の光半導体装置１００において、光学結合用レンズ１１３は、半導体レーザダイオード１１２側の傾斜面１２０、および光軸方向と直交する方向に対向する一対の傾斜面（不図示）により、溝部１１４内に固定されている。近年、光通信の高速化、大容量化が要求されており、レンズ実装位置を精度良く位置決めし、光結合効率を向上させる必要が生じてきた。図９に示すように、円筒形状の光学結合用レンズ１１３を用いた場合、その形状の影響で光軸方向に位置決めされず、またレンズ実装時にレンズの傾き（煽り角）が発生する。そのため、レーザ光線が傾いてしまい、光ファイバとの光結合効率が劣化する問題が顕在化してきた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光半導体装置は、
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に搭載された半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードから出力されたレーザ光の光軸方向と一致する方向となるように前記シリコン基板に形成された溝部と、
前記溝部内に備えられ、前記レーザ光を光ファイバに導くための略円筒状の光学結合用レンズと、を備え、
前記光学結合用レンズは、前記溝部において対向する一対の支持部により光軸方向に位置決めされていることを特徴とする。
【０００８】
このような光半導体装置によれば、光学結合用レンズその形状が円筒形状であっても光軸方向に位置決めされる。そのため、光学結合用レンズを実装する際にレンズの傾き（煽り角）が発生することがなく、光ファイバとの光結合効率が向上する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光半導体装置によれば、略円筒形状の光学結合用レンズを実装する際にレンズの傾き（煽り角）が発生することがなく、光ファイバとの光結合効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
図１は、光半導体装置の第１実施形態を示す概略斜視図である。図２および図３は、各々図１のａ−ａ'線 断面図、ｂ−ｂ'線断面図である。
【００１２】
図１に示すように、光半導体装置１０は、シリコン基板（シリコンオプティカルベンチ１１）と、前記シリコン基板上に搭載された半導体レーザダイオード１２と、半導体レーザダイオード１２から出力されたレーザ光の光軸方向と一致する方向となるようにシリコン基板に形成された溝部１４と、溝部１４内に備えられ、前記レーザ光を光ファイバに導くための略円筒状の光学結合用レンズ１３と、を備える。なお、モニタ用フォトダイオード、温度モニタ用サーミスタ、薄膜抵抗体素子、インピーダ、光ファイバ等の図示を省略する。
【００１３】
シリコンオプティカルベンチ１１単体の概略斜視図を図４に示す。シリコンオプティカルベンチ１１には、溝部１４が形成されている。溝部１４は、深さの浅い第１溝部１４ａと、半導体レーザダイオード１２側に形成された深さの深い第２溝部１４ｂとからなる。第１溝部１４ａと第２溝部１４ｂとの間には、傾斜面１９が形成されている。第２溝部１４ｂは、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向する一対の傾斜面１９，２０と、光軸方向と直交する方向において対向する一対の傾斜面２１，２２とを有する。本実施形態においては、第１溝部１４ａおよび第２溝部１４ｂは底面を有する例によって示すが、特に限定されず、傾斜面のみで形成されていてもよい。傾斜面１９，２０は、下方向に向かってすぼむように傾斜しており、一方、傾斜面２１，２２も下方向に向かってすぼむように傾斜している。
【００１４】
半導体レーザダイオード１２は、シリコンオプティカルベンチ１１上にハンダ１７を介して固着されている。ハンダ１７としては、ＡｓＳｎなどを用いることができる。
【００１５】
光学結合用レンズ１３は、略円筒形状を有しており、かつ凸状の非球面を有する非球面レンズを用いることができる。光学結合用レンズ１３は、溝部１４において対向する一対の支持部（傾斜面１９，２０）により光軸方向に位置決めされている。具体的には、図２乃至図３に示すように、光学結合用レンズ１３は、第２溝部１４ｂ内に載置され、シリコンオプティカルベンチ１１に搭載されている。光学結合用レンズ１３は溝部１４内にＵＶ硬化樹脂などの接着剤により接着されている。光学結合用レンズ１３は、第２溝部１４ｂ内において傾斜面１９，２０に当接することにより光軸方向に位置決めされ、傾斜面２１，２２に当接することにより光軸方向に直交する方向に位置決めされている。
【００１６】
以下に、第１実施形態の光半導体装置１０の効果を説明する。
【００１７】
略円筒状の光学結合用レンズ１３は、溝部１４において対向する一対の支持部（傾斜面１９，２０）により光軸方向に位置決めされている。これにより、光学結合用レンズ１３は、その形状が円筒形状であっても光軸方向に位置決めされる。そのため、光学結合用レンズ１３を実装する時にレンズの傾き（煽り角）が発生することがなく、光ファイバとの光結合効率が向上する。
【００１８】
また、溝部１４に形成された一対の傾斜面１９，２０は、下方向に向かってすぼむように傾斜するとともに、光軸方向において対向するように構成されている。光学結合用レンズ１３は、この傾斜面１９，２０に当接することができ、光軸方向により確実に位置決めされ、光ファイバとの光結合効率がさらに向上する。
【００１９】
さらに、溝部１４は、下方向に向かってすぼむように傾斜するとともに、光軸方向と直交する方向において対向する一対の傾斜面２１，２２を有している。そのため、光学結合用レンズ１３は、一対の傾斜面２１，２２に当接することにより光軸方向と直交する方向に位置決めされるとともに、上述したように傾斜面１９，２０にも当接しているため光軸方向により確実に位置決めされることになる。
【００２０】
これにより、円筒形状の光学結合用レンズは、溝部１４内の４つの傾斜面に、線接触することになり、光学結合用レンズ１３の位置は光軸方向、および光軸方向に直交する方向に対しても一意に決まる。そのため、光学結合用レンズの実装が容易になり、光半導体装置の生産性が著しく向上する。さらに、光結合用レンズ１３を固定するために用いられる接着剤は、４つの傾斜面に阻まれ、第２溝部１４ｂ外に漏出することがない。このため、光結合用レンズ１３とシリコンオプティカルベンチ１１は、接着剤により確実に接着されるため、光学結合用レンズ１３の固定強度が増し、高信頼性が得られる。
【００２１】
また、半導体レーザダイオード１２側に位置する傾斜面２０に対向する傾斜面１９の上端部１９ａが、傾斜面２０の上端部２０ａよりも距離２３分低くなるように構成することができる。このような構成とすることにより、光学結合用レンズ１３を透過したレーザ光線にケラレが発生するのを防止することができる。この距離２３は、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００２２】
このような第１の実施形態における光半導体装置１０の製造方法を説明する。なお、図５において、シリコンオプティカルベンチ１１に溝部１４を形成する工程のみを工程上面図を示す。
【００２３】
光半導体装置１０の製造方法は、シリコンオプティカルベンチ１１に形成された溝部１４内に、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向するように一対の傾斜面１９，２０を形成する工程（図５（ａ）乃至図５（ｃ））と、
一対の傾斜面１９，２０に当接するように、溝部１４内に略円筒状の光学結合用レンズ１３を搭載する工程と、を含む。
以下、工程順に説明する。
【００２４】
シリコンオプティカルベンチ１１に形成された溝部１４内に、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向するように一対の傾斜面１９，２０を形成する（図５（ａ）乃至図５（ｃ））。
【００２５】
具体的には、まず、シリコンオプティカルベンチ１１にパターニングされた第１レジスト膜（不図示）を形成し、この第１レジスト膜をマスクとして異方性エッチングを施す。これにより、第１溝部１４ａが形成される（図５（ａ））。
【００２６】
次いで、第１レジスト膜を除去するとともに、シリコンオプティカルベンチ１１表面および第１溝部１４ａ内の一部を覆うように、所定の開口部を有するようにパターニングされた第２レジスト膜２４を形成する（図５（ｂ））。
【００２７】
そして、第２レジスト膜２４をマスクとしてシリコンオプティカルベンチ１１を選択的にエッチングし、第１溝部１４ａ内に、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向する一対の傾斜面１９，２０と、光軸方向に直交する方向において対向する一対の傾斜面２１，２２とを有する第２溝部１４ｂを形成する（図５（ｃ））。
【００２８】
シリコンオプティカルベンチ１１の上面の結晶面を（１００）とした場合、第２溝部１４ｂの傾斜面１９，２０，２１，２２の面方位はいずれも（１１１）となる。そのため、図２，３に示すように、傾斜面１９，２０，２１，２２の角度１５は５４．７度に一意に決まる。これらの角度はシリコンの異方性エッチングにより結晶面で決められた角度であるため、第２溝部１４ｂを高精度に形成することができ、かつ再現性よく形成することができる。
【００２９】
このような方法によれば、溝部１４をシリコンオプティカルベンチ１１に高精度で形成できる。そのため、光学結合用レンズ１３を、半導体レーザダイオード１２の発光点と光学結合用レンズ１３との間の距離が最適値になるように実装可能となり、光結合効率が向上する。
【００３０】
その後、シリコンオプティカルベンチ１１上にはアライメント用マーカ（不図示）を配置し、半導体レーザダイオードマウント部にハンダ１７を配置する。そして、半導体レーザダイオード１２を、アライメント用マーカを基準にして、シリコンオプティカルベンチ１１上のマウント部にハンダ１７によりパッシブ実装する。またフォトダイオード（不図示）も同様にアライメント用マーカを基準にしてＡｕＳｎハンダ等を用いてパッシブ実装する。さらに、光学結合用レンズ１３以外の電気部品(不図示)を、アライメント用マーカを基準にシリコンオプティカルベンチ上にＡｇペーストによりパッシブ実装する。これらの配置は光学的、電気的特性を考慮して設計されている。
【００３１】
次に、シリコンオプティカルベンチ１１の第２溝部１４ｂの底部に接着剤を塗布する。接着剤の量はディスペンサーによって一定量になるように調整する。次に光学結合用レンズ１３を、傾斜面すべてに接触するように載置する。第２溝部１４ｂの底部には、前記接着剤が塗布されており、光学結合用レンズ１３はこの接着剤により第２溝部１４ｂ内に確実に固定される。第２溝部１４ｂの底部は傾斜面１９，２０，２１，２２に囲まれており、底部に塗布された接着剤が第２溝部１４ｂ外に漏出することがない。そのため、光学結合用レンズ１３は第２溝部１４ｂ内に確実に固着される。
【００３２】
次に、ＵＶ光を照射し接着剤を硬化させる。さらに、ポストベークを行い、密着強度をさらに向上させ、光半導体装置１０を製造することができる。
【００３３】
また、第２の実施形態の光半導体装置１０として、以下のものを挙げることができる。
【００３４】
第２の実施形態の光半導体装置１０は、第１の実施形態とシリコンオプティカルベンチ１１の構造が異なるため、シリコンオプティカルベンチ１１の構造について述べる。図６にシリコンオプティカルベンチ１１の斜視図を示し、図７に図６のｃ−ｃ'線断面図を示す。
【００３５】
図６乃至図７に示すように、シリコンオプティカルベンチ１１は、その一部を切り欠くことにより形成された段差部２５を有している。この段差部２５により第２溝部１４ｂには傾斜面１９が形成される。第２溝部１４ｂは、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向する一対の傾斜面１９，２０と、光軸方向と直交する方向において対向する一対の傾斜面２１，２２とを有する。本実施形態においては、第１溝部１４ａおよび第２溝部１４ｂは底面を有する例によって示すが、特に限定されず、傾斜面のみで形成されていてもよい。傾斜面１９，２０は、下方向に向かってすぼむように傾斜しており、一方、傾斜面２１，２２も下方向に向かってすぼむように傾斜している。
【００３６】
第２溝部１４ｂ内に光学結合用レンズ１３を搭載した例を図８に示す。図８に示すように、光学結合用レンズ１３は第２溝部１４ｂにＵＶ硬化樹脂などの接着剤により接着されている。光学結合用レンズ１３は、第２溝部１４ｂ内において傾斜面１９，２０に当接することにより光軸方向に位置決めされ、傾斜面２１，２２に当接することにより光軸方向に直交する方向に位置決めされている。このような第２の実施態様の光半導体装置１０においても、上述した第１の実施態様と同様の効果が得られる。
【００３７】
第２実施形態における光半導体装置１０の製造方法を説明する。なお、第２実施形態の光半導体装置１０と第２実施形態の光半導体装置１０とは、シリコンオプティカルベンチ１１の構造のみが異なるため、シリコンオプティカルベンチ１１の製造方法のみを説明する。
【００３８】
まず、シリコンオプティカルベンチ１１にパターニングされたレジスト膜を形成し、この第１レジスト膜をマスクとして異方性エッチングを施す。これにより、略角錐状の第２溝部１４ｂを形成する。
【００３９】
次いで、レジスト膜を除去し、シリコンオプティカルベンチ１１に段差部２５を形成する。段差部２５は、ダイシングでシリコンオプティカルベンチ１１の所定の位置を切削加工することにより形成することができる。ダイシングは、傾斜面が一部残留するように行われ、傾斜面１９が形成される。傾斜面１９の上端部１９ａは、傾斜面２０の上端部２０ａよりも距離２３分低い位置に形成される。このような傾斜面１９を形成することにより、光学結合用レンズ１３を透過したレーザ光線にケラレが発生するのを防止することができる。この距離２３は、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００４０】
その後、第１の実施形態と同様にして、第２溝部１４ｂ内に半導体レーザダイオード１２等を搭載することにより光半導体装置１０を製造することができる。
【００４１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００４２】
例えば、上述の実施形態において、溝部１４において対向する一対の支持部として、傾斜面１９，２０を用いた例によって示したが、光学結合用レンズ１３を光軸方向に位置決めすることができれば特に限定されない。例えば、一対の支持部を、溝部１４内に形成された突起部などで構成することもできる。
【００４３】
また、半導体レーザダイオード１２を半導体受光素子として構成することもできる。この場合においても、光学結合用レンズの実装を精度よく行うことができるため、光ファイバから出射された光線を半導体受光素子に効率良く結合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１の実施形態における光半導体装置の概略斜視図を示す。
【図２】図１のａ−ａ'線断面図を示す。
【図３】図１のｂ−ｂ'線断面図を示す。
【図４】第１の実施形態におけるシリコンオプティカルベンチの概略斜視図を示す。
【図５】シリコンオプティカルベンチに溝部を形成する工程を示す上面図である。
【図６】第２の実施形態におけるシリコンオプティカルベンチの概略斜視図を示す。
【図７】図６のｃ−ｃ'線断面図を示す。
【図８】第２の実施形態における光半導体装置の縦断面図を示す。
【図９】従来の光半導体装置の縦断面図を示す。
【符号の説明】
【００４５】
１０ 光半導体装置
１１ シリコンオプティカルベンチ
１２ 半導体レーザダイオード
１３ 光学結合用レンズ
１４ 溝部
１４ａ 第１溝部
１４ｂ 第２溝部
１５ 角度
１７ ハンダ
１９，２０，２１，２２ 傾斜面
１９ａ，２０ａ 上端部
２３ 距離
２４ レジスト膜
２５ 段差部
１００ 光半導体装置
１１１ シリコンオプティカルベンチ
１１２ 半導体レーザダイオード
１１３ 光学結合用レンズ
１１４ 溝部
１２０ 傾斜面
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンオプティカルベンチを使用した光半導体装置およびその製造方法に関し、特に、円筒形状の光学結合用レンズを用いた光半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
メトロ・アクセス領域の光通信用装置においては、求められる性能および信頼性を、小型化しつつ実現し、さらに低コストで実現するかが重要な課題である。光半導体装置においても、一般的な半導体パッケージと同レベルの小型化、低コスト化が望まれている。しかしながら、光半導体装置は、光および電気接続の両方を行う必要があるため、そのサイズが大きくなる。さらに、金属部品を多用するために、コストが高くなる難点がある。
【０００３】
近年、光導波路技術や、基板上で光結合系を形成するパッシブアライメント技術の実用化により、光および電気機能を集積した光半導体装置が開発されている。その手法の一つとして、シリコンをベースとした基板（シリコンオプティカルベンチ）への実装方式がある。シリコンオプティカルベンチへは光学部品や電気部品をパッシブにアライメントでき、安価な光半導体装置を提供できることから、共通プラットフォームとして有望である。シリコンオプティカルベンチにおいては、レンズの実装形態およびその実装方法が重要である。すなわち、これらは、半導体レーザダイオードの出力光とファイバへの入力光との割合である光結合効率を向上させるために特に重要である。このため、シリコンオプティカルベンチへの光学結合用レンズの実装に際しては、位置精度、組立の容易性、さらには信頼性について十分に考慮する必要がある。
【０００４】
従来のシリコンオプティカルベンチ上への光学結合用レンズの実装形態としては、シリコンベンチ上にエッチングにより溝部を形成し、溝部に光学結合用レンズを埋め込む実装方法が一般的に行われている。特許文献１には、シリコンオプティカルベンチの端に異方性エッチングにより、底面が四角形および三角形の角錐状の溝を形成し、この溝内に球状の光学結合用レンズを上方から押し付けながら設置する方法が記載されている。この方法によれば、球状の光学結合用レンズ（以下、球状レンズともいう）が複数点でシリコンオプティカルベンチと接するため、球状レンズを位置決めすることができる。また、特許文献２には、球状レンズをシリコンオプティカルベンチ上に樹脂を用いて直接接着する方法が記載されている。この樹脂は、光半導体装置の動作温度範囲の最低温度よりも低いガラス転移温度を有する。これは、光半導体装置はガラス転移温度以上の環境温度で使用するので、樹脂は常にゲル状態で柔軟性を保つことによって、温度変化による応力の影響が緩和され、光学的安定性が保持される。この方法は、柔軟性を有する樹脂を用いることにより、機械的衝撃を緩和するものである。
【０００５】
このような球状レンズは、非球面を有する光学結合用レンズ（以下、非球面レンズともいう）よりも光結合における損失が大きい。そのため、近年では光結合効率の高い非球面レンズが用いられてきている。非球面レンズの場合、その形状は一般的には円筒形状となる。特許文献３には、図９に示すような光半導体装置１００が記載されている。図９に、光半導体装置１００の光軸に沿った縦断面図を示す。シリコンオプティカルベンチ１１１上に、光軸方向に直交する方向において対向するように一対の傾斜面（不図示）を有する溝部１１４を形成し、この溝部１１４内に円筒形状の光学結合用レンズ１１３が搭載された光半導体装置１００が記載されている。この光半導体装置１００においては、円筒形状の光学結合用レンズ１１３を、溝部１１４内の半導体レーザダイオード１１２側の傾斜面１２０と、一対の傾斜面（不図示）との３面に接触させることにより、光学結合用レンズ１１３の位置決めを行っている。また、特許文献４には、平板状のマイクロレンズを、シリコンオプティカルベンチ上に形成されたガイド溝に搭載する方法が記載されている。ガイド溝は、光学結合用レンズの形状と略同一形状に形成されており、平板状の光学結合用レンズをガイド溝に嵌合させることにより、光学結合用レンズの位置決めしている。
【特許文献１】特開２００２−１４１５９７号公報
【特許文献２】特開２００１−９４１９１号公報
【特許文献３】特開２００１−２４２３５７号公報
【特許文献４】特開２００３−１６７１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献３の光半導体装置１００において、光学結合用レンズ１１３は、半導体レーザダイオード１１２側の傾斜面１２０、および光軸方向と直交する方向に対向する一対の傾斜面（不図示）により、溝部１１４内に固定されている。近年、光通信の高速化、大容量化が要求されており、レンズ実装位置を精度良く位置決めし、光結合効率を向上させる必要が生じてきた。図９に示すように、円筒形状の光学結合用レンズ１１３を用いた場合、その形状の影響で光軸方向に位置決めされず、またレンズ実装時にレンズの傾き（煽り角）が発生する。そのため、レーザ光線が傾いてしまい、光ファイバとの光結合効率が劣化する問題が顕在化してきた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光半導体装置は、
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に搭載された半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードから出力されたレーザ光の光軸方向と一致する方向となるように前記シリコン基板に形成された溝部と、
前記溝部内に備えられ、前記レーザ光を光ファイバに導くための略円筒状の光学結合用レンズと、を備え、
前記光学結合用レンズは、前記溝部において対向する一対の支持部により光軸方向に位置決めされていることを特徴とする。
【０００８】
このような光半導体装置によれば、光学結合用レンズその形状が円筒形状であっても光軸方向に位置決めされる。そのため、光学結合用レンズを実装する際にレンズの傾き（煽り角）が発生することがなく、光ファイバとの光結合効率が向上する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光半導体装置によれば、略円筒形状の光学結合用レンズを実装する際にレンズの傾き（煽り角）が発生することがなく、光ファイバとの光結合効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
図１は、光半導体装置の第１実施形態を示す概略斜視図である。図２および図３は、各々図１のａ−ａ'線 断面図、ｂ−ｂ'線断面図である。
【００１２】
図１に示すように、光半導体装置１０は、シリコン基板（シリコンオプティカルベンチ１１）と、前記シリコン基板上に搭載された半導体レーザダイオード１２と、半導体レーザダイオード１２から出力されたレーザ光の光軸方向と一致する方向となるようにシリコン基板に形成された溝部１４と、溝部１４内に備えられ、前記レーザ光を光ファイバに導くための略円筒状の光学結合用レンズ１３と、を備える。なお、モニタ用フォトダイオード、温度モニタ用サーミスタ、薄膜抵抗体素子、インピーダ、光ファイバ等の図示を省略する。
【００１３】
シリコンオプティカルベンチ１１単体の概略斜視図を図４に示す。シリコンオプティカルベンチ１１には、溝部１４が形成されている。溝部１４は、深さの浅い第１溝部１４ａと、半導体レーザダイオード１２側に形成された深さの深い第２溝部１４ｂとからなる。第１溝部１４ａと第２溝部１４ｂとの間には、傾斜面１９が形成されている。第２溝部１４ｂは、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向する一対の傾斜面１９，２０と、光軸方向と直交する方向において対向する一対の傾斜面２１，２２とを有する。本実施形態においては、第１溝部１４ａおよび第２溝部１４ｂは底面を有する例によって示すが、特に限定されず、傾斜面のみで形成されていてもよい。傾斜面１９，２０は、下方向に向かってすぼむように傾斜しており、一方、傾斜面２１，２２も下方向に向かってすぼむように傾斜している。
【００１４】
半導体レーザダイオード１２は、シリコンオプティカルベンチ１１上にハンダ１７を介して固着されている。ハンダ１７としては、ＡｓＳｎなどを用いることができる。
【００１５】
光学結合用レンズ１３は、略円筒形状を有しており、かつ凸状の非球面を有する非球面レンズを用いることができる。光学結合用レンズ１３は、溝部１４において対向する一対の支持部（傾斜面１９，２０）により光軸方向に位置決めされている。具体的には、図２乃至図３に示すように、光学結合用レンズ１３は、第２溝部１４ｂ内に載置され、シリコンオプティカルベンチ１１に搭載されている。光学結合用レンズ１３は溝部１４内にＵＶ硬化樹脂などの接着剤により接着されている。光学結合用レンズ１３は、第２溝部１４ｂ内において傾斜面１９，２０に当接することにより光軸方向に位置決めされ、傾斜面２１，２２に当接することにより光軸方向に直交する方向に位置決めされている。
【００１６】
以下に、第１実施形態の光半導体装置１０の効果を説明する。
【００１７】
略円筒状の光学結合用レンズ１３は、溝部１４において対向する一対の支持部（傾斜面１９，２０）により光軸方向に位置決めされている。これにより、光学結合用レンズ１３は、その形状が円筒形状であっても光軸方向に位置決めされる。そのため、光学結合用レンズ１３を実装する時にレンズの傾き（煽り角）が発生することがなく、光ファイバとの光結合効率が向上する。
【００１８】
また、溝部１４に形成された一対の傾斜面１９，２０は、下方向に向かってすぼむように傾斜するとともに、光軸方向において対向するように構成されている。光学結合用レンズ１３は、この傾斜面１９，２０に当接することができ、光軸方向により確実に位置決めされ、光ファイバとの光結合効率がさらに向上する。
【００１９】
さらに、溝部１４は、下方向に向かってすぼむように傾斜するとともに、光軸方向と直交する方向において対向する一対の傾斜面２１，２２を有している。そのため、光学結合用レンズ１３は、一対の傾斜面２１，２２に当接することにより光軸方向と直交する方向に位置決めされるとともに、上述したように傾斜面１９，２０にも当接しているため光軸方向により確実に位置決めされることになる。
【００２０】
これにより、円筒形状の光学結合用レンズは、溝部１４内の４つの傾斜面に、線接触することになり、光学結合用レンズ１３の位置は光軸方向、および光軸方向に直交する方向に対しても一意に決まる。そのため、光学結合用レンズの実装が容易になり、光半導体装置の生産性が著しく向上する。さらに、光結合用レンズ１３を固定するために用いられる接着剤は、４つの傾斜面に阻まれ、第２溝部１４ｂ外に漏出することがない。このため、光結合用レンズ１３とシリコンオプティカルベンチ１１は、接着剤により確実に接着されるため、光学結合用レンズ１３の固定強度が増し、高信頼性が得られる。
【００２１】
また、半導体レーザダイオード１２側に位置する傾斜面２０に対向する傾斜面１９の上端部１９ａが、傾斜面２０の上端部２０ａよりも距離２３分低くなるように構成することができる。このような構成とすることにより、光学結合用レンズ１３を透過したレーザ光線にケラレが発生するのを防止することができる。この距離２３は、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００２２】
このような第１の実施形態における光半導体装置１０の製造方法を説明する。なお、図５において、シリコンオプティカルベンチ１１に溝部１４を形成する工程のみを工程上面図を示す。
【００２３】
光半導体装置１０の製造方法は、シリコンオプティカルベンチ１１に形成された溝部１４内に、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向するように一対の傾斜面１９，２０を形成する工程（図５（ａ）乃至図５（ｃ））と、
一対の傾斜面１９，２０に当接するように、溝部１４内に略円筒状の光学結合用レンズ１３を搭載する工程と、を含む。
以下、工程順に説明する。
【００２４】
シリコンオプティカルベンチ１１に形成された溝部１４内に、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向するように一対の傾斜面１９，２０を形成する（図５（ａ）乃至図５（ｃ））。
【００２５】
具体的には、まず、シリコンオプティカルベンチ１１にパターニングされた第１レジスト膜（不図示）を形成し、この第１レジスト膜をマスクとして異方性エッチングを施す。これにより、第１溝部１４ａが形成される（図５（ａ））。
【００２６】
次いで、第１レジスト膜を除去するとともに、シリコンオプティカルベンチ１１表面および第１溝部１４ａ内の一部を覆うように、所定の開口部を有するようにパターニングされた第２レジスト膜２４を形成する（図５（ｂ））。
【００２７】
そして、第２レジスト膜２４をマスクとしてシリコンオプティカルベンチ１１を選択的にエッチングし、第１溝部１４ａ内に、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向する一対の傾斜面１９，２０と、光軸方向に直交する方向において対向する一対の傾斜面２１，２２とを有する第２溝部１４ｂを形成する（図５（ｃ））。
【００２８】
シリコンオプティカルベンチ１１の上面の結晶面を（１００）とした場合、第２溝部１４ｂの傾斜面１９，２０，２１，２２の面方位はいずれも（１１１）となる。そのため、図２，３に示すように、傾斜面１９，２０，２１，２２の角度１５は５４．７度に一意に決まる。これらの角度はシリコンの異方性エッチングにより結晶面で決められた角度であるため、第２溝部１４ｂを高精度に形成することができ、かつ再現性よく形成することができる。
【００２９】
このような方法によれば、溝部１４をシリコンオプティカルベンチ１１に高精度で形成できる。そのため、光学結合用レンズ１３を、半導体レーザダイオード１２の発光点と光学結合用レンズ１３との間の距離が最適値になるように実装可能となり、光結合効率が向上する。
【００３０】
その後、シリコンオプティカルベンチ１１上にはアライメント用マーカ（不図示）を配置し、半導体レーザダイオードマウント部にハンダ１７を配置する。そして、半導体レーザダイオード１２を、アライメント用マーカを基準にして、シリコンオプティカルベンチ１１上のマウント部にハンダ１７によりパッシブ実装する。またフォトダイオード（不図示）も同様にアライメント用マーカを基準にしてＡｕＳｎハンダ等を用いてパッシブ実装する。さらに、光学結合用レンズ１３以外の電気部品(不図示)を、アライメント用マーカを基準にシリコンオプティカルベンチ上にＡｇペーストによりパッシブ実装する。これらの配置は光学的、電気的特性を考慮して設計されている。
【００３１】
次に、シリコンオプティカルベンチ１１の第２溝部１４ｂの底部に接着剤を塗布する。接着剤の量はディスペンサーによって一定量になるように調整する。次に光学結合用レンズ１３を、傾斜面すべてに接触するように載置する。第２溝部１４ｂの底部には、前記接着剤が塗布されており、光学結合用レンズ１３はこの接着剤により第２溝部１４ｂ内に確実に固定される。第２溝部１４ｂの底部は傾斜面１９，２０，２１，２２に囲まれており、底部に塗布された接着剤が第２溝部１４ｂ外に漏出することがない。そのため、光学結合用レンズ１３は第２溝部１４ｂ内に確実に固着される。
【００３２】
次に、ＵＶ光を照射し接着剤を硬化させる。さらに、ポストベークを行い、密着強度をさらに向上させ、光半導体装置１０を製造することができる。
【００３３】
また、第２の実施形態の光半導体装置１０として、以下のものを挙げることができる。
【００３４】
第２の実施形態の光半導体装置１０は、第１の実施形態とシリコンオプティカルベンチ１１の構造が異なるため、シリコンオプティカルベンチ１１の構造について述べる。図６にシリコンオプティカルベンチ１１の斜視図を示し、図７に図６のｃ−ｃ'線断面図を示す。
【００３５】
図６乃至図７に示すように、シリコンオプティカルベンチ１１は、その一部を切り欠くことにより形成された段差部２５を有している。この段差部２５により第２溝部１４ｂには傾斜面１９が形成される。第２溝部１４ｂは、光学結合用レンズ１３の光軸方向において対向する一対の傾斜面１９，２０と、光軸方向と直交する方向において対向する一対の傾斜面２１，２２とを有する。本実施形態においては、第１溝部１４ａおよび第２溝部１４ｂは底面を有する例によって示すが、特に限定されず、傾斜面のみで形成されていてもよい。傾斜面１９，２０は、下方向に向かってすぼむように傾斜しており、一方、傾斜面２１，２２も下方向に向かってすぼむように傾斜している。
【００３６】
第２溝部１４ｂ内に光学結合用レンズ１３を搭載した例を図８に示す。図８に示すように、光学結合用レンズ１３は第２溝部１４ｂにＵＶ硬化樹脂などの接着剤により接着されている。光学結合用レンズ１３は、第２溝部１４ｂ内において傾斜面１９，２０に当接することにより光軸方向に位置決めされ、傾斜面２１，２２に当接することにより光軸方向に直交する方向に位置決めされている。このような第２の実施態様の光半導体装置１０においても、上述した第１の実施態様と同様の効果が得られる。
【００３７】
第２実施形態における光半導体装置１０の製造方法を説明する。なお、第２実施形態の光半導体装置１０と第２実施形態の光半導体装置１０とは、シリコンオプティカルベンチ１１の構造のみが異なるため、シリコンオプティカルベンチ１１の製造方法のみを説明する。
【００３８】
まず、シリコンオプティカルベンチ１１にパターニングされたレジスト膜を形成し、この第１レジスト膜をマスクとして異方性エッチングを施す。これにより、略角錐状の第２溝部１４ｂを形成する。
【００３９】
次いで、レジスト膜を除去し、シリコンオプティカルベンチ１１に段差部２５を形成する。段差部２５は、ダイシングでシリコンオプティカルベンチ１１の所定の位置を切削加工することにより形成することができる。ダイシングは、傾斜面が一部残留するように行われ、傾斜面１９が形成される。傾斜面１９の上端部１９ａは、傾斜面２０の上端部２０ａよりも距離２３分低い位置に形成される。このような傾斜面１９を形成することにより、光学結合用レンズ１３を透過したレーザ光線にケラレが発生するのを防止することができる。この距離２３は、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００４０】
その後、第１の実施形態と同様にして、第２溝部１４ｂ内に半導体レーザダイオード１２等を搭載することにより光半導体装置１０を製造することができる。
【００４１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００４２】
例えば、上述の実施形態において、溝部１４において対向する一対の支持部として、傾斜面１９，２０を用いた例によって示したが、光学結合用レンズ１３を光軸方向に位置決めすることができれば特に限定されない。例えば、一対の支持部を、溝部１４内に形成された突起部などで構成することもできる。
【００４３】
また、半導体レーザダイオード１２を半導体受光素子として構成することもできる。この場合においても、光学結合用レンズの実装を精度よく行うことができるため、光ファイバから出射された光線を半導体受光素子に効率良く結合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１の実施形態における光半導体装置の概略斜視図を示す。
【図２】図１のａ−ａ'線断面図を示す。
【図３】図１のｂ−ｂ'線断面図を示す。
【図４】第１の実施形態におけるシリコンオプティカルベンチの概略斜視図を示す。
【図５】シリコンオプティカルベンチに溝部を形成する工程を示す上面図である。
【図６】第２の実施形態におけるシリコンオプティカルベンチの概略斜視図を示す。
【図７】図６のｃ−ｃ'線断面図を示す。
【図８】第２の実施形態における光半導体装置の縦断面図を示す。
【図９】従来の光半導体装置の縦断面図を示す。
【符号の説明】
【００４５】
１０ 光半導体装置
１１ シリコンオプティカルベンチ
１２ 半導体レーザダイオード
１３ 光学結合用レンズ
１４ 溝部
１４ａ 第１溝部
１４ｂ 第２溝部
１５ 角度
１７ ハンダ
１９，２０，２１，２２ 傾斜面
１９ａ，２０ａ 上端部
２３ 距離
２４ レジスト膜
２５ 段差部
１００ 光半導体装置
１１１ シリコンオプティカルベンチ
１１２ 半導体レーザダイオード
１１３ 光学結合用レンズ
１１４ 溝部
１２０ 傾斜面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に搭載された半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードから出力されたレーザ光の光軸方向と一致する方向となるように前記シリコン基板に形成された溝部と、
前記溝部内に備えられ、前記レーザ光を光ファイバに導くための略円筒状の光学結合用レンズと、
を備え、
前記光学結合用レンズは、前記溝部において対向する一対の支持部により光軸方向に位置決めされていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体装置であって、
一対の前記支持部は、下方向に向かってすぼむように傾斜するとともに、光軸方向において対向する一対の傾斜面であって、
前記光学結合用レンズは、前記傾斜面に当接することにより光軸方向に位置決めされていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光半導体装置であって、
前記溝部は、下方向に向かってすぼむように傾斜するとともに、光軸方向と直交する方向において対向する一対の傾斜面を有し、
前記光学結合用レンズは、前記傾斜面に当接することにより光軸方向と直交する方向に位置決めされていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の光半導体装置であって、
前記半導体レーザダイオード側に位置する前記傾斜面に対向する前記傾斜面の上端部が、前記半導体レーザダイオード側に位置する前記傾斜面の上端部よりも低いことを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光半導体装置であって、
２つの前記上端部との高低差が、２０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光半導体装置であって、
前記光学結合用レンズは、凸状の非球面を有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項７】
シリコン基板に形成された溝部内に搭載された略円筒状の光学結合用レンズを備える光半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン基板に形成された溝部内に、前記光学結合用レンズの光軸方向において対向するように一対の傾斜面を形成する工程と、
一対の前記傾斜面に当接するように、前記溝部内に略円筒状の前記光学結合用レンズを搭載する工程と、
を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の光半導体装置の製造方法であって、
一対の前記傾斜面を形成する前記工程は、
前記シリコン基板上に形成された第１レジスト膜をマスクとして前記シリコン基板を選択的にエッチングし、前記溝部を形成する工程と、
前記第１レジスト膜を除去するとともに、前記シリコン基板表面および前記溝部の一部を覆うように第２レジスト膜を形成する工程と、
前記第２レジスト膜をマスクとして前記シリコン基板を選択的にエッチングし、前記溝部内に前記光学結合用レンズの光軸方向において対向する一対の前記傾斜面を形成する工程と、
を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の光半導体装置の製造方法であって、
一対の前記傾斜面を形成する前記工程は、
前記シリコン基板上に形成されたレジスト膜をマスクとして前記シリコン基板を選択的にエッチングし、前記光学結合用レンズの光軸方向において対向する一対の前記傾斜面を有する前記溝部を形成する工程と、
前記シリコン基板の一部を削除することにより、前記半導体レーザダイオード側に位置する前記傾斜面に対向する前記傾斜面の上端部を、前記半導体レーザダイオード側に位置する前記傾斜面の上端部よりも低くする工程と、
を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法であって、
一対の前記傾斜面を形成する前記工程は、
前記光軸方向に直交する方向おいて対向する一対の傾斜面をさらに形成する工程であることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法であって、
前記光軸方向において対向する一対の前記傾斜面と、前記光軸方向と直交する方向において対向する一対の前記傾斜面とが、いずれも下方向に向かってすぼむように傾斜しており、
前記光学結合用レンズを搭載する前記工程が、
４つの前記傾斜面に当接するように前記光学結合用レンズを搭載する工程であることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に搭載された半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードから出力されたレーザ光の光軸方向と一致する方向となるように前記シリコン基板に形成された溝部と、
前記溝部内に備えられ、前記レーザ光を光ファイバに導くための略円筒状の光学結合用レンズと、
を備え、
前記光学結合用レンズは、前記溝部において対向する一対の支持部により光軸方向に位置決めされていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体装置であって、
一対の前記支持部は、下方向に向かってすぼむように傾斜するとともに、光軸方向において対向する一対の傾斜面であって、
前記光学結合用レンズは、前記傾斜面に当接することにより光軸方向に位置決めされていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光半導体装置であって、
前記溝部は、下方向に向かってすぼむように傾斜するとともに、光軸方向と直交する方向において対向する一対の傾斜面を有し、
前記光学結合用レンズは、前記傾斜面に当接することにより光軸方向と直交する方向に位置決めされていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の光半導体装置であって、
前記半導体レーザダイオード側に位置する前記傾斜面に対向する前記傾斜面の上端部が、前記半導体レーザダイオード側に位置する前記傾斜面の上端部よりも低いことを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光半導体装置であって、
２つの前記上端部との高低差が、２０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光半導体装置であって、
前記光学結合用レンズは、凸状の非球面を有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項７】
シリコン基板に形成された溝部内に搭載された略円筒状の光学結合用レンズを備える光半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン基板に形成された溝部内に、前記光学結合用レンズの光軸方向において対向するように一対の傾斜面を形成する工程と、
一対の前記傾斜面に当接するように、前記溝部内に略円筒状の前記光学結合用レンズを搭載する工程と、
を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の光半導体装置の製造方法であって、
一対の前記傾斜面を形成する前記工程は、
前記シリコン基板上に形成された第１レジスト膜をマスクとして前記シリコン基板を選択的にエッチングし、前記溝部を形成する工程と、
前記第１レジスト膜を除去するとともに、前記シリコン基板表面および前記溝部の一部を覆うように第２レジスト膜を形成する工程と、
前記第２レジスト膜をマスクとして前記シリコン基板を選択的にエッチングし、前記溝部内に前記光学結合用レンズの光軸方向において対向する一対の前記傾斜面を形成する工程と、
を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の光半導体装置の製造方法であって、
一対の前記傾斜面を形成する前記工程は、
前記シリコン基板上に形成されたレジスト膜をマスクとして前記シリコン基板を選択的にエッチングし、前記光学結合用レンズの光軸方向において対向する一対の前記傾斜面を有する前記溝部を形成する工程と、
前記シリコン基板の一部を削除することにより、前記半導体レーザダイオード側に位置する前記傾斜面に対向する前記傾斜面の上端部を、前記半導体レーザダイオード側に位置する前記傾斜面の上端部よりも低くする工程と、
を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法であって、
一対の前記傾斜面を形成する前記工程は、
前記光軸方向に直交する方向おいて対向する一対の傾斜面をさらに形成する工程であることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法であって、
前記光軸方向において対向する一対の前記傾斜面と、前記光軸方向と直交する方向において対向する一対の前記傾斜面とが、いずれも下方向に向かってすぼむように傾斜しており、
前記光学結合用レンズを搭載する前記工程が、
４つの前記傾斜面に当接するように前記光学結合用レンズを搭載する工程であることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−３３０４７５（Ｐ２００６−３３０４７５Ａ）
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１５５７０６（Ｐ２００５−１５５７０６）
【出願日】平成１７年５月２７日（２００５．５．２７）
【出願人】（３０２０６２９３１）ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月２７日（２００５．５．２７）
【出願人】（３０２０６２９３１）ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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