光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置
【課題】対象物の位置に応じて効率良く位置検出ができる光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置等を提供すること。
【解決手段】光学式位置検出装置は、Ｘ−Ｙ平面に沿って設定される検出エリアＲＤＥＴに照射光ＬＴを出射する光出射部ＥＵと、検出エリアＲＤＥＴにおいて照射光ＬＴが対象物ＯＢに反射したことによる反射光ＬＲを受光する受光部ＲＵと、受光部ＲＵの受光結果に基づいて、対象物ＯＢの位置情報を検出する検出部５０とを含む。光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴを設定する対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴと第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴとを出射し、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射する。
【解決手段】光学式位置検出装置は、Ｘ−Ｙ平面に沿って設定される検出エリアＲＤＥＴに照射光ＬＴを出射する光出射部ＥＵと、検出エリアＲＤＥＴにおいて照射光ＬＴが対象物ＯＢに反射したことによる反射光ＬＲを受光する受光部ＲＵと、受光部ＲＵの受光結果に基づいて、対象物ＯＢの位置情報を検出する検出部５０とを含む。光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴを設定する対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴと第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴとを出射し、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、パーソナルコンピューター、カーナビゲーション装置、券売機、銀行の端末などの電子機器では、近年、表示部の前面にタッチパネルが配置された位置検出機能付きの表示装置が用いられる。この表示装置によれば、ユーザは、表示部に表示された画像を参照しながら、表示画像のアイコン等をポインティングしたり、情報を入力することが可能になる。このようなタッチパネルによる位置検出方式としては、例えば抵抗膜方式や静電容量方式などが知られている。
【０００３】
一方、投写型表示装置（プロジェクター）やデジタルサイネージ用の表示装置では、携帯電話やパーソナルコンピューターの表示装置に比べて、その表示エリアが広い。従って、これらの表示装置において、上述の抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを用いて位置検出を実現することは難しい。
【０００４】
投写型表示装置用の位置検出装置の従来技術としては、例えば特許文献１に開示される技術が知られている。しかしながら、この位置検出装置では、検出エリアが広範囲になると消費電力が大きくなるなどの問題がある。
【０００５】
また位置検出装置の消費電力を低減する手法としては、例えば特許文献２に開示される手法が知られている。しかしながら、この手法は、対象物が検出されない場合に検出休止時間を増加させて低消費電力化を図るものであって、対象物の位置に応じた効率的な位置検出を行うことは難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１４２６４３号公報
【特許文献２】特開２００１−８２９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の幾つかの態様によれば、対象物の位置に応じて効率良く位置検出ができる光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置等を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、Ｘ−Ｙ平面に沿って設定される検出エリアに照射光を出射する光出射部と、前記検出エリアにおいて前記照射光が対象物に反射したことによる反射光を受光する受光部と、前記受光部の受光結果に基づいて、前記対象物の位置情報を検出する検出部とを含み、前記光出射部は、前記検出エリアを設定する対象面からの前記対象物の距離が短いと判断された場合には、第１の強度分布パターンの前記照射光と第２の強度分布パターンの前記照射光とを出射し、前記対象面からの前記対象物の距離が長いと判断された場合には、第３の強度分布パターンの前記照射光を出射する光学式位置検出装置に関係する。
【０００９】
本発明の一態様によれば、対象物の対象面からの距離に応じて照射光の強度分布パターンを切り換えることができるから、例えば対象物が対象面に近い場合には２つの強度分布パターンの照射光を用いて高い検出精度を確保し、一方、対象物が対象面から遠い場合には１つの強度分布パターンの照射光を用いて消費電力を低減することなどが可能になる。その結果、対象物の位置に応じて効率の良い光学式位置検出装置を実現することが可能になる。
【００１０】
また本発明の一態様では、前記光出射部は、前記対象面からの前記対象物の距離が短いと判断された場合に、第１の期間では前記第１の強度分布パターンの前記照射光を出射し、第２の期間では前記第２の強度分布パターンの前記照射光を出射してもよい。
【００１１】
このようにすれば、対象物が対象面に近い場合には、第１の強度分布パターンの照射光と第２の強度分布パターンの照射光とを交互に出射することができるから、高い精度で対象物の位置を検出することが可能になる。
【００１２】
また本発明の一態様では、前記第３の強度分布パターンは、前記第１の強度分布パターン及び前記第２の強度分布パターンのいずれか一方の強度分布パターンであってもよい。
【００１３】
このようにすれば、対象面からの対象物の距離が長いと判断された場合に、第１、第２の強度分布パターンを形成するための２つの光源のいずれか一方を点灯することで、第３の強度分布パターンを形成することができる。その結果、消費電力を低減することなどが可能になる。
【００１４】
また本発明の一態様では、前記第１の強度分布パターン及び前記第２の強度分布パターンは、前記検出エリアでの位置に応じて強度が異なる強度分布パターンであってもよい。
【００１５】
このようにすれば、対象物の検出エリアでの位置に応じて強度が異なる２つの強度分布パターンを形成することができるから、対象物の位置検出精度を高めることなどが可能になる。
【００１６】
また本発明の一態様では、前記受光部は、第１の受光ユニット及び第２の受光ユニットを有し、前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットは、Ｚ方向に沿って配置されてもよい。
【００１７】
このようにすれば、第１、第２の受光ユニットのそれぞれに対応する検出エリアをＺ方向に沿って設定することができる。
【００１８】
また本発明の一態様では、前記第１の受光ユニットの前記対象面からの距離は、前記第２の受光ユニットの前記対象面からの距離よりも短く配置され、前記第１の受光ユニットの前記検出エリアは、前記第２の受光ユニットの前記検出エリアよりも狭く設定されてもよい。
【００１９】
このようにすれば、対象面の近くに配置された受光ユニットの検出エリアを狭く設定することができるから、例えば対象面の近くにある対象物に対して位置検出精度を高めることなどが可能になる。
【００２０】
また本発明の一態様では、前記検出部は、前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットからの受光検出信号を増幅する第１の増幅部及び第２の増幅部を含み、前記第１の増幅部の方が、増幅率が低く設定されていてもよい。
【００２１】
このようにすれば、対象面に近い検出エリアからの受光検出信号を低い増幅率で増幅し、対象面から遠い検出エリアからの受光検出信号を高い増幅率で増幅することができるから、対象物の位置に応じて効率の良い位置検出などが可能になる。
【００２２】
また本発明の一態様では、前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットは、前記Ｘ−Ｙ平面に交差する方向の入射光を制限する入射光制限部を有し、前記第１の受光ユニットの前記入射光制限部の方が、前記入射光の制限の度合いが強く設定されてもよい。
【００２３】
このようにすれば、対象面からの距離が短いほど、入射光制限部により入射光の制限の度合いが強く設定されるから、検出エリアを狭く設定することができる。
【００２４】
また本発明の一態様では、前記入射光制限部は、スリットであり、前記第１の受光ユニットの前記入射光制限部の方が、前記スリットの幅が狭くてもよい。
【００２５】
このようにすれば、対象面からの距離が短いほど、スリットにより入射光の制限の度合いが強く設定されるから、検出エリアを狭く設定することができる。
【００２６】
また本発明の一態様では、前記光出射部は、前記対象物の前記対象面からの距離が長いほど、前記照射光の強度を弱くしてもよい。
【００２７】
このようにすれば、対象物の対象面からの距離が長いほど照射光の強度を弱くすることで、位置検出精度を低くしたり、消費電力を低減したりすることができる。その結果、対象物の位置に応じて、検出効率や電力効率の良い位置検出などが可能になる。
【００２８】
本発明の他の態様は、上記いずれかに記載の光学式位置検出装置を含む電子機器及び表示装置に関係する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、本実施形態の光学式位置検出装置等の基本的な構成例。
【図２】光出射部の詳細な構成例。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、位置検出の手法を説明する図。
【図４】光出射部の変形例。
【図５】受光部の構成例及び検出エリアの設定例。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、入射光制限部を有する受光ユニットの構成例。
【図７】検出部、駆動回路等の具体的な構成例。
【図８】位置検出動作のタイミングチャートの一例。
【図９】位置検出制御のフローの一例。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００３１】
１．光学式位置検出装置等の基本的な構成例
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に、本実施形態の光学式位置検出装置及びこれを用いた電子機器や表示装置の基本的な構成例を示す。図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、本実施形態の光学式位置検出装置を、液晶プロジェクター或いはデジタル・マイクロミラー・デバイスと呼ばれる投射型表示装置（プロジェクター）に適用した場合の例である。図１（Ａ）、図１（Ｂ）では、互いに交差する軸をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸（広義には第１、第２、第３の座標軸）としている。具体的には、Ｘ軸方向を横方向とし、Ｙ軸方向を縦方向とし、Ｚ軸方向を奥行き方向としている。
【００３２】
本実施形態の光学式位置検出装置は、光出射部ＥＵ、受光部ＲＵ、検出部５０を含む。また、さらに制御部６０を含んでもよい。また本実施形態の表示装置（電子機器）は、光学式位置検出装置とスクリーン２０（広義には検出エリアを設定する対象面）を含む。さらに表示装置（電子機器）は、画像投射装置１０（広義には画像生成装置）を含むことができる。なお、本実施形態の光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置は図１（Ａ）、図１（Ｂ）の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【００３３】
画像投射装置１０は、筺体の前面側に設けられた投射レンズからスクリーン２０に向けて画像表示光を拡大投射する。具体的には画像投射装置１０は、カラー画像の表示光を生成して、投射レンズを介してスクリーン２０に向けて出射する。これによりスクリーン２０の表示エリアＡＲＤにカラー画像が表示されるようになる。
【００３４】
本実施形態の光学式位置検出装置は、図１（Ｂ）に示すようにスクリーン２０の前方側（Ｚ軸方向側）に設定された検出エリアＲＤＥＴにおいて、ユーザの指やタッチペンなどの対象物を光学的に検出する。このために光学式位置検出装置の光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴに対象物を検出するための照射光ＬＴを出射する。具体的には、光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴでの位置に応じて強度分布が異なる照射光ＬＴを出射する。なお検出エリアＲＤＥＴは、スクリーン２０（検出エリアを設定する対象面）のＺ方向側（ユーザ側）において、Ｘ−Ｙ平面に沿って設定される領域である。
【００３５】
光出射部ＥＵは、例えばＬＥＤ（発光ダイオード）等の発光素子により構成される２つの光源部ＬＳ１、ＬＳ２（図示せず）を含む。この光源部は例えば赤外光（可視光領域に近い近赤外線）の光源光を放出する。即ち、光源部ＬＳ１が発光する光源光は、ユーザの指やタッチペン等の対象物により効率的に反射される波長帯域の光や、外乱光となる環境光にあまり含まれない波長帯域の光であることが望ましい。具体的には、人体の表面での反射率が高い波長帯域の光である８５０ｎｍ付近の波長の赤外光や、環境光にあまり含まれない波長帯域の光である９５０ｎｍ付近の赤外光などである。なお、光出射部ＥＵの具体的な構成については、後述する。
【００３６】
本実施形態の光出射部ＥＵは、対象物ＯＢの対象面（スクリーン）２０からの距離に応じて、３つの強度分布パターンの照射光ＬＴを出射する。具体的には、光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴを設定する対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴと第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴとを出射する。より具体的には、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、第１の期間では第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴを出射し、第２の期間では第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴとを出射する。すなわち第１、第２の強度分布パターンＰＩＤ１、ＰＩＤ２の照射光ＬＴを交互に出射する。また対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射する。より具体的には、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、第１の期間では第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射し、第２の期間では照射光ＬＴを出射しない。
【００３７】
第１の強度分布パターンＰＩＤ１及び第２の強度分布パターンＰＩＤ２は、検出エリアＲＤＥＴでの位置に応じて強度が異なる強度分布パターンである。また第３の強度分布パターンＰＩＤ３は、第１の強度分布パターンＰＩＤ１及び第２の強度分布パターンＰＩＤ２のいずれか一方の強度分布パターンであってもよい。なお、強度分布パターンの形成手段については、後述する。
【００３８】
こうすることで、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短い場合、すなわち対象物ＯＢが対象面２０に近い場合には、２つの異なる強度分布パターンの照射光を用いて、位置検出精度を高くすることができる。逆に、対象物ＯＢが対象面２０から遠い場合には、１つの強度分布パターンの照射光を用いることで、位置検出精度は落ちるが、消費電力を低減することができる。
【００３９】
また本実施形態の光出射部ＥＵは、対象面２０からの距離が長いほど、照射光ＬＴの強度を弱くすることができる。こうすることで、対象面（スクリーン）から遠くにある対象物に対しては、照射光の強度を弱くすることができるから、位置検出精度は落ちるが、消費電力を低減することが可能になる。
【００４０】
例えばスクリーン（対象面）２０に近い検出エリアでは、スクリーンに表示された画像等のある箇所を指し示したり、或いは手書き文字等により表示装置（電子機器）に情報を入力するなどの操作が行われる。このような素早い手又は指の動きを正確に検出するために、スクリーンに近い検出エリアでは、高い位置検出精度が要求される。一方、スクリーンから離れた検出エリアでは、対象物（例えば人体）の位置の概略等が検出されればよいから、位置検出精度を低くしてもよい。
【００４１】
受光部ＲＵは、検出エリアＲＤＥＴにおいて対象物ＯＢより反射した反射光ＬＲを受光する。具体的には、受光部ＲＵは、光出射部ＥＵからの照射光ＬＴが対象物ＯＢに反射されることによる反射光ＬＲを受光する。この受光部ＲＵは、例えばフォトダイオードやフォトトランジスターなどの受光素子により実現できる。この受光部ＲＵには検出部５０が例えば電気的に接続されている。
【００４２】
検出部５０は、受光部ＲＵでの受光結果に基づいて、対象物ＯＢの位置情報を検出する。この検出部５０の機能は、アナログ回路等を有する集積回路装置や、マイクロコンピューター上で動作するソフトウェア（プログラム）などにより実現できる。例えば検出部５０は、受光部ＲＵの受光素子が対象物ＯＢからの反射光ＬＲを受光することで発生した検出電流を、検出電圧に変換し、受光結果である検出電圧に基づいて、対象物ＯＢが位置する方向等を検出する。具体的には検出部５０は、受光部ＲＵでの受光結果（受光信号）に基づいて、対象物ＯＢまでの距離（光出射部ＥＵの配置位置からの距離）を検出する。そして検出された距離と、検出された対象物ＯＢの方向（存在方向）とに基づいて、対象物の位置を検出する。より具体的には、検出エリアＲＤＥＴのＸ−Ｙ平面でのＸ、Ｙ座標を検出する。
【００４３】
制御部６０は、光学式位置検出装置の各種の制御処理を行う。具体的には光出射部ＥＵが有する光源部の発光制御などを行う。この制御部６０は、光出射部ＥＵ、検出部５０に電気的に接続されている。制御部６０の機能は、集積回路装置やマイクロコンピューター上で動作するソフトウェアなどにより実現できる。例えば制御部６０は、対象物ＯＢの対象面２０からの距離に応じて、照射光の強度分布パターンを切り換える制御や照射光の強度を変化させる制御を行う。また例えば制御部６０は、光出射部ＥＵが第１、第２の光源部を含む場合に、これらの第１、第２の光源部を交互に発光させる制御を行う。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態の光学式位置検出装置によれば、対象物のスクリーン等（対象面）からの距離に応じて、照射光の強度分布パターンを切り換えることができる。すなわち対象物がスクリーン等に近い場合には、２つの異なる強度分布パターン（第１、第２の強度分布パターン）の照射光を用いて位置検出精度を高くし、逆に対象物がスクリーン等から遠い場合には、１つの強度分布パターン（第３の強度分布パターン）の照射光を用いることで、位置検出精度は落ちるが、消費電力を低減することができる。その結果、必要とされる位置検出精度を維持しながら、低消費電力の光学式位置検出装置を実現することが可能になる。
【００４５】
なお本実施形態の光学式位置検出装置は、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示す投射型表示装置には限定されず、各種の電子機器に搭載される様々な表示装置に適用できる。また本実施形態の光学式位置検出装置を適用できる電子機器としては、携帯電話、パーソナルコンピューター、カーナビゲーション装置、券売機、或いは銀行の端末などの様々な機器を想定できる。この電子機器は、例えば画像を表示する表示部（表示装置）や、情報を入力するための入力部や、入力された情報等に基づいて各種の処理を行う処理部などを含むことができる。
【００４６】
２．光出射部
図２に、本実施形態の光学式位置検出装置に含まれる光出射部ＥＵの詳細な構成例を示す。図２の構成例の光出射部ＥＵは、光源部ＬＳ１、ＬＳ２と、ライトガイドＬＧと、照射方向設定部ＬＥを含む。また反射シートＲＳを含む。そして照射方向設定部ＬＥは光学シートＰＳ及びルーバーフィルムＬＦを含む。なお、本実施形態の光出射部ＥＵは、図２の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【００４７】
光源部ＬＳ１、ＬＳ２は、光源光を出射するものであり、ＬＥＤ（発光ダイオード）等の発光素子を有する。この光源部ＬＳ１、ＬＳ２は例えば赤外光（可視光領域に近い近赤外線）の光源光を放出する。即ち、光源部ＬＳ１、ＬＳ２が発光する光源光は、ユーザの指やタッチペン等の対象物により効率的に反射される波長帯域の光や、外乱光となる環境光にあまり含まれない波長帯域の光であることが望ましい。具体的には、人体の表面での反射率が高い波長帯域の光である８５０ｎｍ付近の波長の赤外光や、環境光にあまり含まれない波長帯域の光である９５０ｎｍ付近の赤外光などである。
【００４８】
光源部ＬＳ１は、図２のＦ１に示すようライトガイドＬＧの一端側に設けられる。また第２の光源部ＬＳ２は、Ｆ２に示すようにライトガイドＬＧの他端側に設けられる。そして光源部ＬＳ１が、ライトガイドＬＧの一端側（Ｆ１）の光入射面に対して光源光を出射することで、照射光ＬＴ１を出射し、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光を対象物の検出エリアに形成（設定）する。一方、光源部ＬＳ２が、ライトガイドＬＧの他端側（Ｆ２）の光入射面に対して第２の光源光を出射することで、第２の照射光ＬＴ２を出射し、第１の強度分布パターンＰＩＤ１とは強度分布が異なる第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光を検出エリアに形成する。このように光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴでの位置に応じて強度分布パターンが異なる照射光を出射することができる。
【００４９】
ライトガイドＬＧ（導光部材）は、光源部ＬＳ１、ＬＳ２が発光した光源光を導光するものである。例えばライトガイドＬＧは、光源部ＬＳ１、ＬＳ２からの光源光を曲線状の導光経路に沿って導光し、その形状は曲線形状になっている。具体的には図２ではライガイドＬＧは円弧形状になっている。なお図２ではライトガイドＬＧはその中心角が１８０度の円弧形状になっているが、中心角が１８０度よりも小さい円弧形状であってもよい。ライトガイドＬＧは、例えばアクリル樹脂やポリカーボネートなどの透明な樹脂部材等により形成される。
【００５０】
ライトガイドＬＧの外周側及び内周側の少なくとも一方には、ライトガイドＬＧからの光源光の出光効率を調整するための加工が施されている。加工手法としては、例えば反射ドットを印刷するシルク印刷方式や、スタンパーやインジェクションで凹凸を付ける成型方式や、溝加工方式などの種々の手法を採用できる。
【００５１】
プリズムシートＰＳとルーバーフィルムＬＦにより実現される照射方向設定部ＬＥ（照射光出射部）は、ライトガイドＬＧの外周側に設けられ、ライトガイドＬＧの外周側（外周面）から出射される光源光を受ける。そして曲線形状（円弧形状）のライトガイドＬＧの内周側から外周側へと向かう方向に照射方向が設定された照射光ＬＴ１、ＬＴ２を出射する。即ち、ライトガイドＬＧの外周側から出射される光源光の方向を、ライトガイドＬＧの例えば法線方向（半径方向）に沿った照射方向に設定（規制）する。これにより、ライトガイドＬＧの内周側から外周側に向かう方向に、照射光ＬＴ１、ＬＴ２が放射状に出射されるようになる。
【００５２】
このような照射光ＬＴ１、ＬＴ２の照射方向の設定は、照射方向設定部ＬＥのプリズムシートＰＳやルーバーフィルムＬＦなどにより実現される。例えばプリズムシートＰＳは、ライトガイドＬＧの外周側から低視角で出射される光源光の方向を、法線方向側に立ち上げて、出光特性のピークが法線方向になるように設定する。またルーバーフィルムＬＦは、法線方向以外の方向の光（低視角光）を遮光（カット）する。
【００５３】
このように本実施形態の光出射部ＥＵによれば、ライトガイドＬＧの両端に光源部ＬＳ１、ＬＳ２を設け、これらの光源部ＬＳ１、ＬＳ２を交互に点灯させることで、２つの照射光強度分布を形成することができる。すなわちライトガイドＬＧの一端側の強度が高くなる第１の強度分布パターンＰＩＤ１と、ライトガイドＬＧの他端側の強度が高くなる第２の強度分布パターンＰＩＤ２を交互に形成することができる。
【００５４】
このような第１、第２の強度分布パターンＰＩＤ１、ＰＩＤ２を形成し、これらの強度分布の照射光による対象物の反射光を受光することで、環境光などの外乱光の影響を最小限に抑えた、より精度の高い対象物の検出が可能になる。即ち、外乱光に含まれる赤外成分を相殺することが可能になり、この赤外成分が対象物の検出に及ぼす悪影響を最小限に抑えることが可能になる。
【００５５】
また第１、第２の強度分布パターンＰＩＤ１、ＰＩＤ２の照射光を交互に形成する代わりに、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光を形成して位置検出を行うこともできる。第３の強度分布パターンＰＩＤ３は、第１の強度分布パターンＰＩＤ１及び第２の強度分布パターンＰＩＤ２のいずれか一方の強度分布パターンであってもよい。第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光を用いる場合は、位置検出精度は低くなるが、２つの光源部ＬＳ１、ＬＳ２のうちどちらか一方を発光（点灯）すればよいから、消費電力を低減することができる。
【００５６】
３．位置検出手法
図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、本実施形態の光学式位置検出装置による位置検出の手法を説明する図である。
【００５７】
図３（Ａ）のＥ１は、図２の第１の強度分布パターンＰＩＤ１において、照射光ＬＴ１の照射方向の角度と、その角度での照射光ＬＴ１の強度との関係を示す図である。図３（Ａ）のＥ１では、照射方向が図３（Ｂ）のＤＤ１の方向（左方向）である場合に強度が最も高くなる。一方、ＤＤ３の方向（右方向）である場合に強度が最も低くなり、ＤＤ２の方向ではその中間の強度になる。具体的には方向ＤＤ１から方向ＤＤ３への角度変化に対して照射光の強度は単調減少しており、例えばリニア（直線的）に変化している。なお図３（Ｂ）では、ライトガイドＬＧの円弧形状の中心位置が、光出射部ＥＵの配置位置ＰＥになっている。
【００５８】
また図３（Ａ）のＥ２は、図２の第２の強度分布パターンＰＩＤ２において、照射光ＬＴ２の照射方向の角度と、その角度での照射光ＬＴ２の強度との関係を示す図である。図３（Ａ）のＥ２では、照射方向が図３（Ｂ）のＤＤ３の方向である場合に強度が最も高くなる。一方、ＤＤ１の方向である場合に強度が最も低くなり、ＤＤ２の方向ではその中間の強度になる。具体的には方向ＤＤ３から方向ＤＤ１への角度変化に対して照射光の強度は単調減少しており、例えばリニアに変化している。なお図３（Ａ）では照射方向の角度と強度の関係はリニアな関係になっているが、本実施形態はこれに限定されず、例えば双曲線の関係等であってもよい。
【００５９】
そして図３（Ｂ）に示すように、角度θの方向ＤＤＢに対象物ＯＢが存在したとする。すると、光源部ＬＳ１が発光することで第１の強度分布パターンＰＩＤ１を形成した場合（Ｅ１の場合）には、図３（Ａ）に示すように、ＤＤＢ（角度θ）の方向に存在する対象物ＯＢの位置での強度はＩＮＴａになる。一方、光源部ＬＳ２が発光することで第２の強度分布パターンＰＩＤ２を形成した場合（Ｅ２の場合）には、ＤＤＢの方向に存在する対象物ＯＢの位置での強度はＩＮＴｂになる。
【００６０】
従って、これらの強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂの関係を求めることで、対象物ＯＢの位置する方向ＤＤＢ（角度θ）を特定できる。さらに例えば後述する図４に示すように、光出射部ＥＵとして２個の照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２を設け、ＥＵ１、ＥＵ２の各照射ユニットに対する対象物ＯＢの方向ＤＤＢ１（θ１）、ＤＤＢ２（θ２）を求めれば、これらの方向ＤＤＢ１、ＤＤＢ２と照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２間の距離ＤＳとにより、対象物ＯＢの位置を特定できる。
【００６１】
このような強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂの関係を求めるために、本実施形態では、受光部ＲＵが、第１の強度分布パターンＰＩＤ１を形成した際の対象物ＯＢの反射光（第１の反射光）を受光する。この時の反射光の検出受光量をＧａとした場合に、このＧａが強度ＩＮＴａに対応するようになる。また受光部ＲＵが、第２の強度分布パターンＰＩＤ２を形成した際の対象物ＯＢの反射光（第２の反射光）を受光する。この時の反射光の検出受光量をＧｂとした場合に、このＧｂが強度ＩＮＴｂに対応するようになる。従って、検出受光量ＧａとＧｂの関係が求まれば、強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂの関係が求まり、対象物ＯＢの位置する方向ＤＤＢを求めることができる。
【００６２】
例えば光源部ＬＳ１の制御量（例えば電流量）、変換係数、放出光量を、各々、Ｉａ、ｋ、Ｅａとする。また光源部ＬＳ２の制御量（電流量）、変換係数、放出光量を、各々、Ｉｂ、ｋ、Ｅｂとする。すると下式（１）、（２）が成立する。
【００６３】
Ｅａ＝ｋ・Ｉａ （１）
Ｅｂ＝ｋ・Ｉｂ （２）
また光源部ＬＳ１からの光源光（第１の光源光）の減衰係数をｆａとし、この光源光に対応する反射光（第１の反射光）の検出受光量をＧａとする。また光源部ＬＳ２からの光源光（第２の光源光）の減衰係数をｆｂとし、この光源光に対応する反射光（第２の反射光）の検出受光量をＧｂとする。すると下式（３）、（４）が成立する。
【００６４】
Ｇａ＝ｆａ・Ｅａ＝ｆａ・ｋ・Ｉａ （３）
Ｇｂ＝ｆｂ・Ｅｂ＝ｆｂ・ｋ・Ｉｂ （４）
従って、検出受光量Ｇａ、Ｇｂの比は下式（５）のように表せる。
【００６５】
Ｇａ／Ｇｂ＝（ｆａ／ｆｂ）・（Ｉａ／Ｉｂ） （５）
ここでＧａ／Ｇｂは、受光部ＲＵでの受光結果から特定することができ、Ｉａ／Ｉｂは、制御部６０による光出射部ＥＵの制御量から特定することができる。そして図３（Ａ）の強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂと減衰係数ｆａ、ｆｂとは一意の関係にある。例えば減衰係数ｆａ、ｆｂが小さな値となり、減衰量が大きい場合は、強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂが小さいことを意味する。一方、減衰係数ｆａ、ｆｂが大きな値となり、減衰量が小さい場合は、強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂが大きいことを意味する。従って、上式（５）から減衰率の比ｆａ／ｆｂを求めることで、対象物の方向、位置等を求めることが可能になる。
【００６６】
より具体的には、一方の制御量ＩａをＩｍに固定し、検出受光量の比Ｇａ／Ｇｂが１になるように、他方の制御量Ｉｂを制御する。例えば光源部ＬＳ１、ＬＳ２を逆相で交互に点灯させる制御を行い、検出受光量の波形を解析し、検出波形が観測されなくなるように（Ｇａ／Ｇｂ＝１になるように）、他方の制御量Ｉｂを制御する。そして、この時の他方の制御量Ｉｂ＝Ｉｍ・（ｆａ／ｆｂ）から、減衰係数の比ｆａ／ｆｂを求めて、対象物の方向、位置等を求める。
【００６７】
また下式（６）、（７）のように、Ｇａ／Ｇｂ＝１になると共に制御量ＩａとＩｂの和が一定になるように制御してもよい。
【００６８】
Ｇａ／Ｇｂ＝１ （６）
Ｉｍ＝Ｉａ＋Ｉｂ （７）
上式（６）、（７）を上式（５）に代入すると下式（８）が成立する。
【００６９】
Ｇａ／Ｇｂ＝１＝（ｆａ／ｆｂ）・（Ｉａ／Ｉｂ）
＝（ｆａ／ｆｂ）・{（Ｉｍ−Ｉｂ）／Ｉｂ} （８）
上式（８）より、Ｉｂは下式（９）のように表される。
【００７０】
Ｉｂ＝{ｆａ／（ｆａ＋ｆｂ）}・Ｉｍ （９）
ここでα＝ｆａ／（ｆａ＋ｆｂ）とおくと、上式（９）は下式（１０）のように表され、減衰係数の比ｆａ／ｆｂは、αを用いて下式（１１）のように表される。
【００７１】
Ｉｂ＝α・Ｉｍ （１０）
ｆａ／ｆｂ＝α／（１−α） （１１）
従って、Ｇａ／Ｇｂ＝１になると共にＩａとＩｂの和が一定値Ｉｍになるように制御すれば、そのときのＩｂ、Ｉｍから下式（１０）によりαを求め、求められたαを上式（１１）に代入することで、減衰係数の比ｆａ／ｆｂを求めることができる。これにより、対象物の方向、位置等を求めることが可能になる。そしてＧａ／Ｇｂ＝１になると共にＩａとＩｂの和が一定になるように制御することで、外乱光の影響等を相殺することが可能になり、検出精度の向上を図れる。
【００７２】
図４に、本実施形態の光出射部ＥＵの変形例を示す。図４では、光出射部ＥＵとして第１、第２の照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２が設けられる。これらの第１、第２の照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２は、対象物ＯＢの検出エリアＲＤＥＴの面に沿った方向において所与の距離ＤＳだけ離れて配置される。即ち図１（Ａ）、図１（Ｂ）のＸ軸方向に沿って距離ＤＳだけ離れて配置される。
【００７３】
第１の照射ユニットＥＵ１は、照射方向に応じて強度が異なる第１の照射光を放射状に出射する。第２の照射ユニットＥＵ２は、照射方向に応じて強度が異なる第２の照射光を放射状に出射する。受光部ＲＵは、第１の照射ユニットＥＵ１からの第１の照射光が対象物ＯＢに反射されることによる第１の反射光と、第２の照射ユニットＥＵ２からの第２の照射光が対象物ＯＢに反射されることによる第２の反射光を受光する。そして検出部５０は、受光部ＲＵでの受光結果に基づいて、対象物ＯＢの位置ＰＯＢを検出する。
【００７４】
具体的には検出部５０は、第１の反射光の受光結果に基づいて、第１の照射ユニットＥＵ１に対する対象物ＯＢの方向を第１の方向ＤＤＢ１（角度θ１）として検出する。また第２の反射光の受光結果に基づいて、第２の照射ユニットＥＵ２に対する対象物ＯＢの方向を第２の方向ＤＤＢ２（角度θ２）として検出する。そして検出された第１の方向ＤＤＢ１（θ１）及び第２の方向ＤＤＢ２（θ２）と、第１、第２の照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２の間の距離ＤＳとに基づいて、対象物ＯＢの位置ＰＯＢを求める。
【００７５】
４．受光部及び検出エリア
図５に本実施形態の光学式位置検出装置の受光部ＲＵの構成例及び検出エリアＲＤＥＴの設定例を示す。本実施形態の光学式位置検出装置の受光部ＲＵは、第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２を含む。なお、本実施形態の受光部ＲＵは、図５の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。例えば、図５の構成では第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２を示してあるが、３つ以上の受光ユニットを含む構成としてもよい。
【００７６】
第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２は、Ｚ方向に沿って配置され、例えばフォトダイオードやフォトトランジスターなどの受光素子により実現できる。例えば図５に示すように、第１の受光ユニットＰＤ１の対象面２０からの距離は、第２の受光ユニットＰＤ２の対象面２０からの距離よりも短く配置される。そして第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２に対応して、第１、第２の検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２が設定される。
【００７７】
具体的には、例えば図５のＡ１に示すように、対象物ＯＢが第１の検出エリアＲＤＥＴ１に存在する場合には、光出射部ＥＵからの照射光ＬＴが対象物ＯＢにより反射され、その反射光ＬＲを第１の受光ユニットＰＤ１が受光する。また図５のＡ２に示すように、対象物ＯＢが第２の検出エリアＲＤＥＴ２に存在する場合には、第２の受光ユニットＰＤ２が対象物ＯＢからの反射光ＬＲを受光する。
【００７８】
このようにすることで、対象物ＯＢが第１、第２の検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２のうちのどちらの検出エリアに存在するかを判断することができる。具体的には、第１の受光ユニットＰＤ１が反射光ＬＲを受光した場合には、対象物ＯＢは第１の検出エリアＲＤＥＴ１に存在すると判断し、第２の受光ユニットＰＤ２が反射光ＬＲを受光した場合には、対象物ＯＢは第２の検出エリアＲＤＥＴ２に存在すると判断することができる。そして対象物ＯＢがＲＤＥＴ１に存在すると判断した場合には、光出射部ＥＵは、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光と第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光とを出射する。また対象物ＯＢがＲＤＥＴ２に存在すると判断した場合には、光出射部ＥＵは、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光を出射する。
【００７９】
第１の受光ユニットＰＤ１の検出エリアＲＤＥＴ１は、第２の受光ユニットＰＤ２の検出エリアＲＤＥＴ２よりも狭く設定される。具体的には、例えば図５に示すように、対象面（スクリーン）２０上のある点ＰＡからＺ方向に沿って、各検出エリアの広がり（Ｚ方向の広がり）を定義することができる。すなわち、第１の検出エリアＲＤＥＴ１は、Ｚ方向に長さＺＡの奥行き（広がり）を有する領域であり、第２の検出エリアＲＤＥＴ２は、Ｚ方向に長さＺＢの奥行き（広がり）を有する領域である。このように定義した場合に、ＺＡ＜ＺＢであるように検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２が設定される。
【００８０】
第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２は、Ｘ−Ｙ平面に交差する方向の入射光を制限する入射光制限部ＬＭＴを有し、第１の受光ユニットＰＤ１の入射光制限部の方が、入射光の制限の度合いが強く設定される。その結果、上述したように、対象面（例えばスクリーン）２０からの距離が短い第１の受光ユニットＰＤ１の検出エリアＲＤＥＴ１の方が狭く設定される。
【００８１】
図６（Ａ）、図６（Ｂ）に、入射光制限部ＬＭＴを有する受光ユニットの構成例を示す。図６（Ａ）に示すように、受光素子ＰＨＤの前面に入射光制限部ＬＭＴを設けて、入射する入射光を制限する。具体的には、入射光制限部ＬＭＴは、スリットＳＬＴであり、対象面（スクリーン）２０からの距離が短いほど、スリットＳＬＴの幅が狭い。具体的には、例えば図５のＰＤ１、ＰＤ２では、ＰＤ１のスリット幅をＷＡ、ＰＤ２のスリット幅をＷＢとした場合に、ＷＡ＜ＷＢである。こうすることで、対象面（スクリーン）２０からの距離が短いほど、受光ユニットに入射する入射光のＺ方向の角度の範囲を狭くすることができる。その結果、上述したように、対象面（例えばスクリーン）２０に近いＰＤ１の検出エリアＲＤＥＴ１の方が狭く設定される。
【００８２】
図６（Ｂ）は、スリットＳＬＴを有する受光ユニットの上から見た平面図である。例えばアルミニウム等で作製された筐体（ケース）１００内に配線基板ＰＷＢが設けられ、この配線基板ＰＷＢ上に受光素子ＰＨＤが実装される。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態の光学式位置検出装置によれば、Ｚ方向に沿って配置される複数の受光ユニットを設け、さらに各受光ユニットに入射される入射光を制限することにより、各受光ユニットにそれぞれ対応してＺ方向に沿って配置される複数の検出エリアを設定することができる。こうすることで、対象物がスクリーン等（対象面）から近くにあるのか、遠くにあるのかを判断し、この判断に基づいて照射光の強度分布パターンを切り換えることができる。さらにスクリーン等からの距離が短いほど、検出エリアを狭く設定することができるから、例えばスクリーン等の近くにある対象物に限定して位置検出精度を高めることなどが可能になる。
【００８４】
５．検出部
図７に、本実施形態の検出部５０、駆動回路７０等の具体的な構成例を示す。検出部５０は、信号検出回路５２ａ、５２ｂ（広義には第１、第２の増幅部）、信号分離回路５４ａ、５４ｂ、判定部５６を含む。受光部ＲＵは、第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２を含む。第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２は、例えば図５に示したように、Ｚ方向に沿って配置される。なお、本実施形態の検出部５０、駆動回路７０等は、図７の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【００８５】
駆動回路７０は、光源部ＬＳ１の発光素子ＬＥＤＡと光源部ＬＳ２の発光素子ＬＥＤＢとを駆動する。この駆動回路７０は、可変抵抗ＲＡ、ＲＢを含む。可変抵抗ＲＡの一端には、制御部６０から矩形波形の駆動信号ＳＤＥ１が入力される。可変抵抗ＲＡは、信号ＳＤＥ１の入力ノードＮ１と、発光素子ＬＥＤＡのアノード側のノードＮ２の間に設けられる。可変抵抗ＲＢは、駆動信号ＳＤＥ２の入力ノードＮ３と、発光素子ＬＥＤＢのアノード側のノードＮ４の間に設けられる。発光素子ＬＥＤＡはノードＮ２とＧＮＤ（ＶＳＳ）の間に設けられ、発光素子ＬＥＤＢはノードＮ４とＧＮＤの間に設けられる。
【００８６】
そして駆動信号ＳＤＥ１がＨレベルである期間では、可変抵抗ＲＡを介して発光素子ＬＥＤＡに電流が流れて、発光素子ＬＥＤＡが発光する。また駆動信号ＳＤＥ２がＨレベルである期間では、可変抵抗ＲＢを介して発光素子ＬＥＤＢに電流が流れて、発光素子ＬＥＤＢが発光する。このように駆動信号ＳＤＥ１、ＳＤＥ２により、光源部ＬＳ１と光源部ＬＳ２とを交互に発光させることができる。
【００８７】
上述したように、本実施形態の光学式位置検出装置では、対象物ＯＢが検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２のうちのどの検出エリアに存在するかによって、反射光が入射する受光ユニット（反射光を検出する受光ユニット）が異なる。例えば図５で説明したように、対象物ＯＢが検出エリアＲＤＥＴ１に存在する場合には第１の受光ユニットＰＤ１が反射光を検出し、対象物ＯＢが検出エリアＲＤＥＴ２に存在する場合には第２の受光ユニットＰＤ２が反射光を検出する。
【００８８】
受光ユニットＰＤ１は、フォトダイオード等により実現される受光素子ＰＨＤと、電流・電圧変換用の抵抗Ｒ１を含む。そして光源部ＬＳ１が発光する期間（第１の期間）では、発光素子ＬＥＤＡからの光による対象物ＯＢの反射光が、例えば受光ユニットＰＤ１の受光素子ＰＨＤに入射されて、抵抗Ｒ１及び受光素子ＰＨＤに電流が流れ、ノードＮ５に電圧信号が発生する。一方、光源部ＬＳ２が発光する期間（第２の期間）では、発光素子ＬＥＤＢからの光による対象物ＯＢの反射光が、例えば受光ユニットＰＤ１の受光素子ＰＨＤに入射されて、抵抗Ｒ１及び受光素子ＰＨＤに電流が流れ、ノードＮ５に電圧信号が発生する。なお、第２の受光ユニットＰＤ２も同一の構成とすることができる。
【００８９】
信号検出回路（増幅部）５２ａは、キャパシターＣＦと演算増幅器ＯＰ１と抵抗Ｒ２を含み、第１の受光ユニットＰＤ１からの受光検出信号を増幅する。キャパシターＣＦは、ノードＮ５の電圧信号のＤＣ成分（直流成分）をカットするハイパスフィルターとして機能する。このようなキャパシターＣＦを設けることで、環境光に起因する低周波成分や直流成分をカットすることができ、検出精度を向上できる。演算増幅器ＯＰ１及び抵抗Ｒ２で構成されるＤＣバイアス設定回路は、ＤＣ成分カット後のＡＣ信号に対してＤＣバイアス電圧（ＶＢ／２）を設定するための回路である。なお、第２の信号検出回路（増幅部）５２ｂも同様の構成とすることができ、第２の受光ユニットＰＤ２からの受光検出信号を増幅する。
【００９０】
信号分離回路５４ａは、選択回路ＳＥＬ、キャパシターＣＡ、ＣＢ、演算増幅器ＯＰ２を含む。選択回路ＳＥＬは、検出制御信号ＳＤＲ１に基づいて、信号検出回路５２ａからの出力を演算増幅器ＯＰ２の２つの入力ノードのいずれか一方を選択して入力する。具体的には、第１の期間では、信号検出回路５２ａの出力ノードＮ７を、演算増幅器ＯＰ２の反転入力側（−）のノードＮ８に接続する。一方、第２の期間では、信号検出回路５２ａの出力ノードＮ７を、演算増幅器ＯＰ２の非反転入力側（＋）のノードＮ８に接続する。演算増幅器ＯＰ２は、キャパシターＣＡにより保持されたノードＮ８の電圧信号とキャパシターＣＢにより保持されたノードＮ９の電圧信号を比較する。なお、第２の信号分離回路５４ｂも同様の構成とすることができ、検出制御信号ＳＤＲ２に基づいて制御される。
【００９１】
制御部６０は、信号分離回路５４ａ、５４ｂでのノードＮ８、Ｎ９の電圧信号の比較結果に基づいて、駆動回路７０の可変抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値を制御信号ＳＣＡ、ＳＣＢにより制御する。判定部５６は、制御部６０での可変抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値の制御結果に基づいて、対象物の位置の判定処理を行う。また制御部６０は、対象物の位置検出結果に基づいて、対象物ＯＢが検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２のうちのどの検出エリアに存在するかを判断し、照射光の強度分布パターンを切り換える制御を行う。
【００９２】
本実施形態の光学式位置検出装置では、第１の期間での受光素子ＰＨＤの検出受光量をＧａとし、第２の期間での受光素子ＰＨＤの検出受光量をＧｂとすると、この検出受光量の比Ｇａ／Ｇｂが１になるように、制御部６０は、信号分離回路５４ａ、５４ｂでの比較結果に基づいて可変抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値を制御する。すなわち検出受光量の比Ｇａ／Ｇｂが１になるように、光源部ＬＳ１、ＬＳ２の発光制御を行う。このようにＧａ／Ｇｂ＝１とする制御を行うことで、対象物の位置の判定処理を行う。
【００９３】
さらに本実施形態の光学式位置検出装置によれば、光出射部ＥＵは、対象面（例えばスクリーン）からの対象物ＯＢの距離が長いほど、照射光の強度を弱くすることができる。具体的には、例えば対象面（スクリーン等）から遠い検出エリアＲＤＥＴ２に対象物ＯＢが存在する場合（検出される場合）には、制御部６０は、制御信号ＳＣＡ、ＳＣＢにより可変抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値を制御して、光源部ＬＳ１、ＬＳ２の発光強度を共に減少させ、照射光の強度を弱くする。こうすることで、スクリーン等から遠くにある対象物に対しては位置検出精度を低くして、消費電力を低減することが可能になる。
【００９４】
またさらに本実施形態の光学式位置検出装置では、Ｚ座標位置に応じて第１、第２の増幅部の増幅率が設定されている。具体的には、例えば受光ユニットＰＤ１からの受光検出信号を増幅する第１の増幅部（信号検出回路）５２ａの増幅率をＧ１とし、受光ユニットＰＤ２からの受光検出信号を増幅する第２の増幅部（信号検出回路）５２ｂの増幅率をＧ２とした場合に、Ｇ１＜Ｇ２に設定されている。このようにすることで、スクリーン等に近い対象物からの受光検出信号を低い増幅率で増幅し、スクリーン等から遠い対象物からの受光検出信号を高い増幅率で増幅することができるから、対象物の位置に応じて効率の良い位置検出などが可能になる。
【００９５】
６．位置検出動作
図８は、本実施形態の光学式位置検出装置の構成例（図５、図７）における位置検出動作のタイミングチャートの一例である。図８のタイミングチャートでは、光出射部ＥＵの光源部（例えばＬＥＤなど）ＬＳ１、ＬＳ２を駆動する駆動信号ＳＤＥ１、ＳＤＥ２を示す。また受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２からの受光検出信号の取り込みを制御する検出制御信号ＳＤＲ１、ＳＤＲ２を示す。さらに受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２の受光検出信号ＳＰＤ１、ＳＰＤ２を示す。駆動信号ＳＤＥ１、ＳＤＥ２及び検出制御信号ＳＤＲ１、ＳＤＲ２は、制御部６０により生成される。
【００９６】
上述したように本実施形態の光学式位置検出装置では、光出射部ＥＵは、対象物ＯＢの対象面（スクリーン）２０からの距離に応じて、３つの強度分布パターンの照射光ＬＴを出射する。すなわち光出射部ＥＵは、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合（例えば対象物が検出エリアＲＤＥＴ１に検出された場合）には、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴと第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴとを出射する。また対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合（例えば対象物が検出エリアＲＤＥＴ２に検出された場合）には、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射する。
【００９７】
具体的には、例えば図８のＡ１に示すように、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、第１の期間ＴＡ１では駆動信号ＳＤＥ１がＨレベルになり、光源部ＬＳ１が発光して第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴを出射する。そして第２の期間ＴＡ２では駆動信号ＳＤＥ２がＨレベルになり、光源部ＬＳ２が発光して第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴを出射する。すなわち第１、第２の強度分布パターンＰＩＤ１、ＰＩＤ２の照射光ＬＴを交互に出射する。
【００９８】
また例えば図８のＡ２に示すように、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、第１の期間ＴＢ１では光源部ＬＳ１が第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射し、第２の期間ＴＢ２では照射光ＬＴを出射しない。図８では、第３の強度分布パターンＰＩＤ３は、第１の強度分布パターンＰＩＤ１と同一の強度分布パターンであるが、ＰＩＤ３を第２の強度分布パターンＰＩＤ２と同一にしてもよい。
【００９９】
受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２からの受光検出信号ＳＰＤ１、ＳＰＤ２は、検出制御信号ＳＤＲ１、ＳＤＲ２に同期して検出部５０に取り込まれる。受光検出信号ＳＰＤ１、ＳＰＤ２は、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、例えば図８のＡ３に示すような信号波形になる。この受光検出信号は、環境光（外光）等によるノイズ成分ＶＡを含んでいるが、第１の期間ＴＡ１の信号レベルと第２の期間ＴＡ２の信号レベルとの差Ｖ１を検出することで、環境光等の影響を除去することができる。
【０１００】
一方、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、受光検出信号ＳＰＤ１、ＳＰＤ２は、例えば図８のＡ４に示すような信号波形になる。この受光検出信号もまた環境光（外光）等によるノイズ成分ＶＡを含んでいるが、第１の期間ＴＢ１の信号レベルと第２の期間ＴＢ２の信号レベルとの差Ｖ２を検出することで、環境光等の影響を除去することができる。この場合には、１つの強度分布パターンの照射光を用いるため、位置検出精度は低下するが、１つの光源部を発光すればよいから消費電力を低減することが可能になる。
【０１０１】
図９に、制御部６０による位置検出制御のフローの一例を示す。図９に示すフロー（ステップＳ１〜Ｓ６）は、上述した図８の位置検出動作に対応するものである。例えばステップＳ１、Ｓ２は図８のＡ１、Ａ３の動作に対応し、ステップＳ４、Ｓ５は図８のＡ２、Ａ４の動作に対応する。
【０１０２】
最初に光源部ＬＳ１、ＬＳ２の駆動を開始し、第１、第２の強度分布パターンの照射光を出射する（ステップＳ１）。次に受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２の検出結果により対象物の位置を検出する（ステップＳ２）。そして第２の検出エリアＲＤＥＴ２に対象物が存在するか否かを判断する（ステップＳ３）。対象物が存在する場合には、ステップＳ４に移行する。一方、対象物が存在しない場合には、ステップＳ２の処理を繰り返す。
【０１０３】
ステップＳ４では、光源部ＬＳ２の駆動を停止し、光源部ＬＳ１のみを駆動して第３の強度分布パターンの照射光を出射する。次に受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２の検出結果により対象物の位置を検出する（ステップＳ５）。そして第１の検出エリアＲＤＥＴ１に対象物が存在するか否かを判断する（ステップＳ６）。対象物が存在する場合には、ステップＳ１に戻り、第１、第２の強度分布パターンの照射光を出射する。一方、対象物が存在しない場合には、ステップＳ５の処理を繰り返す。
【０１０４】
このように、対象物がスクリーン等から離れた検出エリア（例えばＲＤＥＴ２）に存在する場合には、第３の強度分布パターンの照射光を用いることで、位置検出精度は低下するが消費電力を低減することができる。反対に対象物がスクリーン等に近い検出エリア（例えばＲＤＥＴ１）に存在する場合には、第１、第２の強度分布パターンの照射光を用いることで、位置検出精度を高めることができる。その結果、対象物のスクリーン等からの距離に応じて、必要とされる位置検出精度を維持しつつ、電力効率の良い位置検出を行うことなどが可能になる。
【０１０５】
なお本実施形態の発光制御手法は図７〜図９で説明した手法に限定されず、種々の変形実施が可能である。例えば図７の発光素子ＬＥＤＢを参照用光源部の発光素子として用いる手法を採用してもよい。この参照用光源部は、例えば他の光源部（図２のＬＳ１、ＬＳ２）に比べて受光部ＲＵから近い距離に配置されたり、受光部ＲＵと同じ筺体内に配置されることで、周囲光（外乱光、対象物からの反射光等）の入射が規制されるように配置設定される光源部である。そして制御部６０が、第１の期間において光源部ＬＳ１と図示しない参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、光源部ＬＳ１と参照用光源部の発光制御を行う。また第２の期間において第２の光源部ＬＳ２と参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第２の光源部ＬＳ２と参照用光源部の発光制御を行う。このようにすれば、光源部ＬＳ１が発光する第１の発光期間での検出受光量と、第２の光源部ＬＳ２が発光する第２の発光期間での検出受光量とが、参照用光源部を介して実質的に等しくなるように、発光制御が行われるようになる。
【０１０６】
また参照用光源部を図４の光源部ＬＳ１１〜ＬＳ２２と共に用いてもよい。この参照用光源部は、例えば他の光源部（ＬＳ１１〜ＬＳ２２）に比べて受光部ＲＵから近い距離に配置されたり、受光部ＲＵと同じ筺体内に配置されることで、周囲光（外乱光、対象物からの反射光等）の入射が規制されるように配置設定される光源部である。そして制御部６０が、第１の期間において図４の第１の光源部ＬＳ１１と図示しない参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第１の光源部ＬＳ１１と参照用光源部の発光制御を行う。また第２の期間において第２の光源部ＬＳ１２と参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第２の光源部ＬＳ１２と参照用光源部の発光制御を行う。また第３の期間において第３の光源部ＬＳ２１と参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第３の光源部ＬＳ２１と参照用光源部の発光制御を行う。また第４の期間において第４の光源部ＬＳ２２と参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第４の光源部ＬＳ２２と参照用光源部の発光制御を行う。このようにすれば、第１の光源部ＬＳ１１が発光する第１の発光期間での検出受光量と、第２の光源部ＬＳ１２が発光する第２の発光期間での検出受光量とが、参照用光源部を介して実質的に等しくなるように、発光制御が行われるようになる。また第３の光源部ＬＳ２１が発光する第３の発光期間での検出受光量と、第４の光源部ＬＳ２２が発光する第４の発光期間での検出受光量とが、参照用光源部を介して実質的に等しくなるように、発光制御が行われるようになる。
【０１０７】
なお、以上のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【０１０８】
ＥＵ 光出射部、ＲＵ 受光部、ＡＲＤ 表示エリア、ＬＴ 照射光、
ＬＲ 反射光、ＰＤ１、ＰＤ２ 受光ユニット、
ＲＤＥＴ、ＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２ 検出エリア、ＬＭＴ 入射光制限部、
ＳＬＴ スリット、ＬＧ、ＬＧ１、ＬＧ２ ライトガイド、ＬＳ１、ＬＳ２ 光源部、
ＲＳ 反射シート、ＰＳ プリズムシート、ＬＦ ルーバーフィルム、
ＬＥ 照射方向設定部、ＰＩＤ１〜ＰＩＤ３ 第１〜第３の強度分布パターン、
１０ 画像投影装置、２０ スクリーン（対象面）、５０ 検出部、
５２ 信号検出回路（増幅部）、５４ 信号分離回路、５６ 判定部、６０ 制御部、
７０ 駆動回路、１００ 筐体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、パーソナルコンピューター、カーナビゲーション装置、券売機、銀行の端末などの電子機器では、近年、表示部の前面にタッチパネルが配置された位置検出機能付きの表示装置が用いられる。この表示装置によれば、ユーザは、表示部に表示された画像を参照しながら、表示画像のアイコン等をポインティングしたり、情報を入力することが可能になる。このようなタッチパネルによる位置検出方式としては、例えば抵抗膜方式や静電容量方式などが知られている。
【０００３】
一方、投写型表示装置（プロジェクター）やデジタルサイネージ用の表示装置では、携帯電話やパーソナルコンピューターの表示装置に比べて、その表示エリアが広い。従って、これらの表示装置において、上述の抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルを用いて位置検出を実現することは難しい。
【０００４】
投写型表示装置用の位置検出装置の従来技術としては、例えば特許文献１に開示される技術が知られている。しかしながら、この位置検出装置では、検出エリアが広範囲になると消費電力が大きくなるなどの問題がある。
【０００５】
また位置検出装置の消費電力を低減する手法としては、例えば特許文献２に開示される手法が知られている。しかしながら、この手法は、対象物が検出されない場合に検出休止時間を増加させて低消費電力化を図るものであって、対象物の位置に応じた効率的な位置検出を行うことは難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１４２６４３号公報
【特許文献２】特開２００１−８２９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の幾つかの態様によれば、対象物の位置に応じて効率良く位置検出ができる光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置等を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、Ｘ−Ｙ平面に沿って設定される検出エリアに照射光を出射する光出射部と、前記検出エリアにおいて前記照射光が対象物に反射したことによる反射光を受光する受光部と、前記受光部の受光結果に基づいて、前記対象物の位置情報を検出する検出部とを含み、前記光出射部は、前記検出エリアを設定する対象面からの前記対象物の距離が短いと判断された場合には、第１の強度分布パターンの前記照射光と第２の強度分布パターンの前記照射光とを出射し、前記対象面からの前記対象物の距離が長いと判断された場合には、第３の強度分布パターンの前記照射光を出射する光学式位置検出装置に関係する。
【０００９】
本発明の一態様によれば、対象物の対象面からの距離に応じて照射光の強度分布パターンを切り換えることができるから、例えば対象物が対象面に近い場合には２つの強度分布パターンの照射光を用いて高い検出精度を確保し、一方、対象物が対象面から遠い場合には１つの強度分布パターンの照射光を用いて消費電力を低減することなどが可能になる。その結果、対象物の位置に応じて効率の良い光学式位置検出装置を実現することが可能になる。
【００１０】
また本発明の一態様では、前記光出射部は、前記対象面からの前記対象物の距離が短いと判断された場合に、第１の期間では前記第１の強度分布パターンの前記照射光を出射し、第２の期間では前記第２の強度分布パターンの前記照射光を出射してもよい。
【００１１】
このようにすれば、対象物が対象面に近い場合には、第１の強度分布パターンの照射光と第２の強度分布パターンの照射光とを交互に出射することができるから、高い精度で対象物の位置を検出することが可能になる。
【００１２】
また本発明の一態様では、前記第３の強度分布パターンは、前記第１の強度分布パターン及び前記第２の強度分布パターンのいずれか一方の強度分布パターンであってもよい。
【００１３】
このようにすれば、対象面からの対象物の距離が長いと判断された場合に、第１、第２の強度分布パターンを形成するための２つの光源のいずれか一方を点灯することで、第３の強度分布パターンを形成することができる。その結果、消費電力を低減することなどが可能になる。
【００１４】
また本発明の一態様では、前記第１の強度分布パターン及び前記第２の強度分布パターンは、前記検出エリアでの位置に応じて強度が異なる強度分布パターンであってもよい。
【００１５】
このようにすれば、対象物の検出エリアでの位置に応じて強度が異なる２つの強度分布パターンを形成することができるから、対象物の位置検出精度を高めることなどが可能になる。
【００１６】
また本発明の一態様では、前記受光部は、第１の受光ユニット及び第２の受光ユニットを有し、前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットは、Ｚ方向に沿って配置されてもよい。
【００１７】
このようにすれば、第１、第２の受光ユニットのそれぞれに対応する検出エリアをＺ方向に沿って設定することができる。
【００１８】
また本発明の一態様では、前記第１の受光ユニットの前記対象面からの距離は、前記第２の受光ユニットの前記対象面からの距離よりも短く配置され、前記第１の受光ユニットの前記検出エリアは、前記第２の受光ユニットの前記検出エリアよりも狭く設定されてもよい。
【００１９】
このようにすれば、対象面の近くに配置された受光ユニットの検出エリアを狭く設定することができるから、例えば対象面の近くにある対象物に対して位置検出精度を高めることなどが可能になる。
【００２０】
また本発明の一態様では、前記検出部は、前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットからの受光検出信号を増幅する第１の増幅部及び第２の増幅部を含み、前記第１の増幅部の方が、増幅率が低く設定されていてもよい。
【００２１】
このようにすれば、対象面に近い検出エリアからの受光検出信号を低い増幅率で増幅し、対象面から遠い検出エリアからの受光検出信号を高い増幅率で増幅することができるから、対象物の位置に応じて効率の良い位置検出などが可能になる。
【００２２】
また本発明の一態様では、前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットは、前記Ｘ−Ｙ平面に交差する方向の入射光を制限する入射光制限部を有し、前記第１の受光ユニットの前記入射光制限部の方が、前記入射光の制限の度合いが強く設定されてもよい。
【００２３】
このようにすれば、対象面からの距離が短いほど、入射光制限部により入射光の制限の度合いが強く設定されるから、検出エリアを狭く設定することができる。
【００２４】
また本発明の一態様では、前記入射光制限部は、スリットであり、前記第１の受光ユニットの前記入射光制限部の方が、前記スリットの幅が狭くてもよい。
【００２５】
このようにすれば、対象面からの距離が短いほど、スリットにより入射光の制限の度合いが強く設定されるから、検出エリアを狭く設定することができる。
【００２６】
また本発明の一態様では、前記光出射部は、前記対象物の前記対象面からの距離が長いほど、前記照射光の強度を弱くしてもよい。
【００２７】
このようにすれば、対象物の対象面からの距離が長いほど照射光の強度を弱くすることで、位置検出精度を低くしたり、消費電力を低減したりすることができる。その結果、対象物の位置に応じて、検出効率や電力効率の良い位置検出などが可能になる。
【００２８】
本発明の他の態様は、上記いずれかに記載の光学式位置検出装置を含む電子機器及び表示装置に関係する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、本実施形態の光学式位置検出装置等の基本的な構成例。
【図２】光出射部の詳細な構成例。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、位置検出の手法を説明する図。
【図４】光出射部の変形例。
【図５】受光部の構成例及び検出エリアの設定例。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、入射光制限部を有する受光ユニットの構成例。
【図７】検出部、駆動回路等の具体的な構成例。
【図８】位置検出動作のタイミングチャートの一例。
【図９】位置検出制御のフローの一例。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００３１】
１．光学式位置検出装置等の基本的な構成例
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に、本実施形態の光学式位置検出装置及びこれを用いた電子機器や表示装置の基本的な構成例を示す。図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、本実施形態の光学式位置検出装置を、液晶プロジェクター或いはデジタル・マイクロミラー・デバイスと呼ばれる投射型表示装置（プロジェクター）に適用した場合の例である。図１（Ａ）、図１（Ｂ）では、互いに交差する軸をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸（広義には第１、第２、第３の座標軸）としている。具体的には、Ｘ軸方向を横方向とし、Ｙ軸方向を縦方向とし、Ｚ軸方向を奥行き方向としている。
【００３２】
本実施形態の光学式位置検出装置は、光出射部ＥＵ、受光部ＲＵ、検出部５０を含む。また、さらに制御部６０を含んでもよい。また本実施形態の表示装置（電子機器）は、光学式位置検出装置とスクリーン２０（広義には検出エリアを設定する対象面）を含む。さらに表示装置（電子機器）は、画像投射装置１０（広義には画像生成装置）を含むことができる。なお、本実施形態の光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置は図１（Ａ）、図１（Ｂ）の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【００３３】
画像投射装置１０は、筺体の前面側に設けられた投射レンズからスクリーン２０に向けて画像表示光を拡大投射する。具体的には画像投射装置１０は、カラー画像の表示光を生成して、投射レンズを介してスクリーン２０に向けて出射する。これによりスクリーン２０の表示エリアＡＲＤにカラー画像が表示されるようになる。
【００３４】
本実施形態の光学式位置検出装置は、図１（Ｂ）に示すようにスクリーン２０の前方側（Ｚ軸方向側）に設定された検出エリアＲＤＥＴにおいて、ユーザの指やタッチペンなどの対象物を光学的に検出する。このために光学式位置検出装置の光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴに対象物を検出するための照射光ＬＴを出射する。具体的には、光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴでの位置に応じて強度分布が異なる照射光ＬＴを出射する。なお検出エリアＲＤＥＴは、スクリーン２０（検出エリアを設定する対象面）のＺ方向側（ユーザ側）において、Ｘ−Ｙ平面に沿って設定される領域である。
【００３５】
光出射部ＥＵは、例えばＬＥＤ（発光ダイオード）等の発光素子により構成される２つの光源部ＬＳ１、ＬＳ２（図示せず）を含む。この光源部は例えば赤外光（可視光領域に近い近赤外線）の光源光を放出する。即ち、光源部ＬＳ１が発光する光源光は、ユーザの指やタッチペン等の対象物により効率的に反射される波長帯域の光や、外乱光となる環境光にあまり含まれない波長帯域の光であることが望ましい。具体的には、人体の表面での反射率が高い波長帯域の光である８５０ｎｍ付近の波長の赤外光や、環境光にあまり含まれない波長帯域の光である９５０ｎｍ付近の赤外光などである。なお、光出射部ＥＵの具体的な構成については、後述する。
【００３６】
本実施形態の光出射部ＥＵは、対象物ＯＢの対象面（スクリーン）２０からの距離に応じて、３つの強度分布パターンの照射光ＬＴを出射する。具体的には、光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴを設定する対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴと第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴとを出射する。より具体的には、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、第１の期間では第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴを出射し、第２の期間では第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴとを出射する。すなわち第１、第２の強度分布パターンＰＩＤ１、ＰＩＤ２の照射光ＬＴを交互に出射する。また対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射する。より具体的には、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、第１の期間では第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射し、第２の期間では照射光ＬＴを出射しない。
【００３７】
第１の強度分布パターンＰＩＤ１及び第２の強度分布パターンＰＩＤ２は、検出エリアＲＤＥＴでの位置に応じて強度が異なる強度分布パターンである。また第３の強度分布パターンＰＩＤ３は、第１の強度分布パターンＰＩＤ１及び第２の強度分布パターンＰＩＤ２のいずれか一方の強度分布パターンであってもよい。なお、強度分布パターンの形成手段については、後述する。
【００３８】
こうすることで、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短い場合、すなわち対象物ＯＢが対象面２０に近い場合には、２つの異なる強度分布パターンの照射光を用いて、位置検出精度を高くすることができる。逆に、対象物ＯＢが対象面２０から遠い場合には、１つの強度分布パターンの照射光を用いることで、位置検出精度は落ちるが、消費電力を低減することができる。
【００３９】
また本実施形態の光出射部ＥＵは、対象面２０からの距離が長いほど、照射光ＬＴの強度を弱くすることができる。こうすることで、対象面（スクリーン）から遠くにある対象物に対しては、照射光の強度を弱くすることができるから、位置検出精度は落ちるが、消費電力を低減することが可能になる。
【００４０】
例えばスクリーン（対象面）２０に近い検出エリアでは、スクリーンに表示された画像等のある箇所を指し示したり、或いは手書き文字等により表示装置（電子機器）に情報を入力するなどの操作が行われる。このような素早い手又は指の動きを正確に検出するために、スクリーンに近い検出エリアでは、高い位置検出精度が要求される。一方、スクリーンから離れた検出エリアでは、対象物（例えば人体）の位置の概略等が検出されればよいから、位置検出精度を低くしてもよい。
【００４１】
受光部ＲＵは、検出エリアＲＤＥＴにおいて対象物ＯＢより反射した反射光ＬＲを受光する。具体的には、受光部ＲＵは、光出射部ＥＵからの照射光ＬＴが対象物ＯＢに反射されることによる反射光ＬＲを受光する。この受光部ＲＵは、例えばフォトダイオードやフォトトランジスターなどの受光素子により実現できる。この受光部ＲＵには検出部５０が例えば電気的に接続されている。
【００４２】
検出部５０は、受光部ＲＵでの受光結果に基づいて、対象物ＯＢの位置情報を検出する。この検出部５０の機能は、アナログ回路等を有する集積回路装置や、マイクロコンピューター上で動作するソフトウェア（プログラム）などにより実現できる。例えば検出部５０は、受光部ＲＵの受光素子が対象物ＯＢからの反射光ＬＲを受光することで発生した検出電流を、検出電圧に変換し、受光結果である検出電圧に基づいて、対象物ＯＢが位置する方向等を検出する。具体的には検出部５０は、受光部ＲＵでの受光結果（受光信号）に基づいて、対象物ＯＢまでの距離（光出射部ＥＵの配置位置からの距離）を検出する。そして検出された距離と、検出された対象物ＯＢの方向（存在方向）とに基づいて、対象物の位置を検出する。より具体的には、検出エリアＲＤＥＴのＸ−Ｙ平面でのＸ、Ｙ座標を検出する。
【００４３】
制御部６０は、光学式位置検出装置の各種の制御処理を行う。具体的には光出射部ＥＵが有する光源部の発光制御などを行う。この制御部６０は、光出射部ＥＵ、検出部５０に電気的に接続されている。制御部６０の機能は、集積回路装置やマイクロコンピューター上で動作するソフトウェアなどにより実現できる。例えば制御部６０は、対象物ＯＢの対象面２０からの距離に応じて、照射光の強度分布パターンを切り換える制御や照射光の強度を変化させる制御を行う。また例えば制御部６０は、光出射部ＥＵが第１、第２の光源部を含む場合に、これらの第１、第２の光源部を交互に発光させる制御を行う。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態の光学式位置検出装置によれば、対象物のスクリーン等（対象面）からの距離に応じて、照射光の強度分布パターンを切り換えることができる。すなわち対象物がスクリーン等に近い場合には、２つの異なる強度分布パターン（第１、第２の強度分布パターン）の照射光を用いて位置検出精度を高くし、逆に対象物がスクリーン等から遠い場合には、１つの強度分布パターン（第３の強度分布パターン）の照射光を用いることで、位置検出精度は落ちるが、消費電力を低減することができる。その結果、必要とされる位置検出精度を維持しながら、低消費電力の光学式位置検出装置を実現することが可能になる。
【００４５】
なお本実施形態の光学式位置検出装置は、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示す投射型表示装置には限定されず、各種の電子機器に搭載される様々な表示装置に適用できる。また本実施形態の光学式位置検出装置を適用できる電子機器としては、携帯電話、パーソナルコンピューター、カーナビゲーション装置、券売機、或いは銀行の端末などの様々な機器を想定できる。この電子機器は、例えば画像を表示する表示部（表示装置）や、情報を入力するための入力部や、入力された情報等に基づいて各種の処理を行う処理部などを含むことができる。
【００４６】
２．光出射部
図２に、本実施形態の光学式位置検出装置に含まれる光出射部ＥＵの詳細な構成例を示す。図２の構成例の光出射部ＥＵは、光源部ＬＳ１、ＬＳ２と、ライトガイドＬＧと、照射方向設定部ＬＥを含む。また反射シートＲＳを含む。そして照射方向設定部ＬＥは光学シートＰＳ及びルーバーフィルムＬＦを含む。なお、本実施形態の光出射部ＥＵは、図２の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【００４７】
光源部ＬＳ１、ＬＳ２は、光源光を出射するものであり、ＬＥＤ（発光ダイオード）等の発光素子を有する。この光源部ＬＳ１、ＬＳ２は例えば赤外光（可視光領域に近い近赤外線）の光源光を放出する。即ち、光源部ＬＳ１、ＬＳ２が発光する光源光は、ユーザの指やタッチペン等の対象物により効率的に反射される波長帯域の光や、外乱光となる環境光にあまり含まれない波長帯域の光であることが望ましい。具体的には、人体の表面での反射率が高い波長帯域の光である８５０ｎｍ付近の波長の赤外光や、環境光にあまり含まれない波長帯域の光である９５０ｎｍ付近の赤外光などである。
【００４８】
光源部ＬＳ１は、図２のＦ１に示すようライトガイドＬＧの一端側に設けられる。また第２の光源部ＬＳ２は、Ｆ２に示すようにライトガイドＬＧの他端側に設けられる。そして光源部ＬＳ１が、ライトガイドＬＧの一端側（Ｆ１）の光入射面に対して光源光を出射することで、照射光ＬＴ１を出射し、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光を対象物の検出エリアに形成（設定）する。一方、光源部ＬＳ２が、ライトガイドＬＧの他端側（Ｆ２）の光入射面に対して第２の光源光を出射することで、第２の照射光ＬＴ２を出射し、第１の強度分布パターンＰＩＤ１とは強度分布が異なる第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光を検出エリアに形成する。このように光出射部ＥＵは、検出エリアＲＤＥＴでの位置に応じて強度分布パターンが異なる照射光を出射することができる。
【００４９】
ライトガイドＬＧ（導光部材）は、光源部ＬＳ１、ＬＳ２が発光した光源光を導光するものである。例えばライトガイドＬＧは、光源部ＬＳ１、ＬＳ２からの光源光を曲線状の導光経路に沿って導光し、その形状は曲線形状になっている。具体的には図２ではライガイドＬＧは円弧形状になっている。なお図２ではライトガイドＬＧはその中心角が１８０度の円弧形状になっているが、中心角が１８０度よりも小さい円弧形状であってもよい。ライトガイドＬＧは、例えばアクリル樹脂やポリカーボネートなどの透明な樹脂部材等により形成される。
【００５０】
ライトガイドＬＧの外周側及び内周側の少なくとも一方には、ライトガイドＬＧからの光源光の出光効率を調整するための加工が施されている。加工手法としては、例えば反射ドットを印刷するシルク印刷方式や、スタンパーやインジェクションで凹凸を付ける成型方式や、溝加工方式などの種々の手法を採用できる。
【００５１】
プリズムシートＰＳとルーバーフィルムＬＦにより実現される照射方向設定部ＬＥ（照射光出射部）は、ライトガイドＬＧの外周側に設けられ、ライトガイドＬＧの外周側（外周面）から出射される光源光を受ける。そして曲線形状（円弧形状）のライトガイドＬＧの内周側から外周側へと向かう方向に照射方向が設定された照射光ＬＴ１、ＬＴ２を出射する。即ち、ライトガイドＬＧの外周側から出射される光源光の方向を、ライトガイドＬＧの例えば法線方向（半径方向）に沿った照射方向に設定（規制）する。これにより、ライトガイドＬＧの内周側から外周側に向かう方向に、照射光ＬＴ１、ＬＴ２が放射状に出射されるようになる。
【００５２】
このような照射光ＬＴ１、ＬＴ２の照射方向の設定は、照射方向設定部ＬＥのプリズムシートＰＳやルーバーフィルムＬＦなどにより実現される。例えばプリズムシートＰＳは、ライトガイドＬＧの外周側から低視角で出射される光源光の方向を、法線方向側に立ち上げて、出光特性のピークが法線方向になるように設定する。またルーバーフィルムＬＦは、法線方向以外の方向の光（低視角光）を遮光（カット）する。
【００５３】
このように本実施形態の光出射部ＥＵによれば、ライトガイドＬＧの両端に光源部ＬＳ１、ＬＳ２を設け、これらの光源部ＬＳ１、ＬＳ２を交互に点灯させることで、２つの照射光強度分布を形成することができる。すなわちライトガイドＬＧの一端側の強度が高くなる第１の強度分布パターンＰＩＤ１と、ライトガイドＬＧの他端側の強度が高くなる第２の強度分布パターンＰＩＤ２を交互に形成することができる。
【００５４】
このような第１、第２の強度分布パターンＰＩＤ１、ＰＩＤ２を形成し、これらの強度分布の照射光による対象物の反射光を受光することで、環境光などの外乱光の影響を最小限に抑えた、より精度の高い対象物の検出が可能になる。即ち、外乱光に含まれる赤外成分を相殺することが可能になり、この赤外成分が対象物の検出に及ぼす悪影響を最小限に抑えることが可能になる。
【００５５】
また第１、第２の強度分布パターンＰＩＤ１、ＰＩＤ２の照射光を交互に形成する代わりに、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光を形成して位置検出を行うこともできる。第３の強度分布パターンＰＩＤ３は、第１の強度分布パターンＰＩＤ１及び第２の強度分布パターンＰＩＤ２のいずれか一方の強度分布パターンであってもよい。第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光を用いる場合は、位置検出精度は低くなるが、２つの光源部ＬＳ１、ＬＳ２のうちどちらか一方を発光（点灯）すればよいから、消費電力を低減することができる。
【００５６】
３．位置検出手法
図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、本実施形態の光学式位置検出装置による位置検出の手法を説明する図である。
【００５７】
図３（Ａ）のＥ１は、図２の第１の強度分布パターンＰＩＤ１において、照射光ＬＴ１の照射方向の角度と、その角度での照射光ＬＴ１の強度との関係を示す図である。図３（Ａ）のＥ１では、照射方向が図３（Ｂ）のＤＤ１の方向（左方向）である場合に強度が最も高くなる。一方、ＤＤ３の方向（右方向）である場合に強度が最も低くなり、ＤＤ２の方向ではその中間の強度になる。具体的には方向ＤＤ１から方向ＤＤ３への角度変化に対して照射光の強度は単調減少しており、例えばリニア（直線的）に変化している。なお図３（Ｂ）では、ライトガイドＬＧの円弧形状の中心位置が、光出射部ＥＵの配置位置ＰＥになっている。
【００５８】
また図３（Ａ）のＥ２は、図２の第２の強度分布パターンＰＩＤ２において、照射光ＬＴ２の照射方向の角度と、その角度での照射光ＬＴ２の強度との関係を示す図である。図３（Ａ）のＥ２では、照射方向が図３（Ｂ）のＤＤ３の方向である場合に強度が最も高くなる。一方、ＤＤ１の方向である場合に強度が最も低くなり、ＤＤ２の方向ではその中間の強度になる。具体的には方向ＤＤ３から方向ＤＤ１への角度変化に対して照射光の強度は単調減少しており、例えばリニアに変化している。なお図３（Ａ）では照射方向の角度と強度の関係はリニアな関係になっているが、本実施形態はこれに限定されず、例えば双曲線の関係等であってもよい。
【００５９】
そして図３（Ｂ）に示すように、角度θの方向ＤＤＢに対象物ＯＢが存在したとする。すると、光源部ＬＳ１が発光することで第１の強度分布パターンＰＩＤ１を形成した場合（Ｅ１の場合）には、図３（Ａ）に示すように、ＤＤＢ（角度θ）の方向に存在する対象物ＯＢの位置での強度はＩＮＴａになる。一方、光源部ＬＳ２が発光することで第２の強度分布パターンＰＩＤ２を形成した場合（Ｅ２の場合）には、ＤＤＢの方向に存在する対象物ＯＢの位置での強度はＩＮＴｂになる。
【００６０】
従って、これらの強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂの関係を求めることで、対象物ＯＢの位置する方向ＤＤＢ（角度θ）を特定できる。さらに例えば後述する図４に示すように、光出射部ＥＵとして２個の照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２を設け、ＥＵ１、ＥＵ２の各照射ユニットに対する対象物ＯＢの方向ＤＤＢ１（θ１）、ＤＤＢ２（θ２）を求めれば、これらの方向ＤＤＢ１、ＤＤＢ２と照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２間の距離ＤＳとにより、対象物ＯＢの位置を特定できる。
【００６１】
このような強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂの関係を求めるために、本実施形態では、受光部ＲＵが、第１の強度分布パターンＰＩＤ１を形成した際の対象物ＯＢの反射光（第１の反射光）を受光する。この時の反射光の検出受光量をＧａとした場合に、このＧａが強度ＩＮＴａに対応するようになる。また受光部ＲＵが、第２の強度分布パターンＰＩＤ２を形成した際の対象物ＯＢの反射光（第２の反射光）を受光する。この時の反射光の検出受光量をＧｂとした場合に、このＧｂが強度ＩＮＴｂに対応するようになる。従って、検出受光量ＧａとＧｂの関係が求まれば、強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂの関係が求まり、対象物ＯＢの位置する方向ＤＤＢを求めることができる。
【００６２】
例えば光源部ＬＳ１の制御量（例えば電流量）、変換係数、放出光量を、各々、Ｉａ、ｋ、Ｅａとする。また光源部ＬＳ２の制御量（電流量）、変換係数、放出光量を、各々、Ｉｂ、ｋ、Ｅｂとする。すると下式（１）、（２）が成立する。
【００６３】
Ｅａ＝ｋ・Ｉａ （１）
Ｅｂ＝ｋ・Ｉｂ （２）
また光源部ＬＳ１からの光源光（第１の光源光）の減衰係数をｆａとし、この光源光に対応する反射光（第１の反射光）の検出受光量をＧａとする。また光源部ＬＳ２からの光源光（第２の光源光）の減衰係数をｆｂとし、この光源光に対応する反射光（第２の反射光）の検出受光量をＧｂとする。すると下式（３）、（４）が成立する。
【００６４】
Ｇａ＝ｆａ・Ｅａ＝ｆａ・ｋ・Ｉａ （３）
Ｇｂ＝ｆｂ・Ｅｂ＝ｆｂ・ｋ・Ｉｂ （４）
従って、検出受光量Ｇａ、Ｇｂの比は下式（５）のように表せる。
【００６５】
Ｇａ／Ｇｂ＝（ｆａ／ｆｂ）・（Ｉａ／Ｉｂ） （５）
ここでＧａ／Ｇｂは、受光部ＲＵでの受光結果から特定することができ、Ｉａ／Ｉｂは、制御部６０による光出射部ＥＵの制御量から特定することができる。そして図３（Ａ）の強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂと減衰係数ｆａ、ｆｂとは一意の関係にある。例えば減衰係数ｆａ、ｆｂが小さな値となり、減衰量が大きい場合は、強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂが小さいことを意味する。一方、減衰係数ｆａ、ｆｂが大きな値となり、減衰量が小さい場合は、強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂが大きいことを意味する。従って、上式（５）から減衰率の比ｆａ／ｆｂを求めることで、対象物の方向、位置等を求めることが可能になる。
【００６６】
より具体的には、一方の制御量ＩａをＩｍに固定し、検出受光量の比Ｇａ／Ｇｂが１になるように、他方の制御量Ｉｂを制御する。例えば光源部ＬＳ１、ＬＳ２を逆相で交互に点灯させる制御を行い、検出受光量の波形を解析し、検出波形が観測されなくなるように（Ｇａ／Ｇｂ＝１になるように）、他方の制御量Ｉｂを制御する。そして、この時の他方の制御量Ｉｂ＝Ｉｍ・（ｆａ／ｆｂ）から、減衰係数の比ｆａ／ｆｂを求めて、対象物の方向、位置等を求める。
【００６７】
また下式（６）、（７）のように、Ｇａ／Ｇｂ＝１になると共に制御量ＩａとＩｂの和が一定になるように制御してもよい。
【００６８】
Ｇａ／Ｇｂ＝１ （６）
Ｉｍ＝Ｉａ＋Ｉｂ （７）
上式（６）、（７）を上式（５）に代入すると下式（８）が成立する。
【００６９】
Ｇａ／Ｇｂ＝１＝（ｆａ／ｆｂ）・（Ｉａ／Ｉｂ）
＝（ｆａ／ｆｂ）・{（Ｉｍ−Ｉｂ）／Ｉｂ} （８）
上式（８）より、Ｉｂは下式（９）のように表される。
【００７０】
Ｉｂ＝{ｆａ／（ｆａ＋ｆｂ）}・Ｉｍ （９）
ここでα＝ｆａ／（ｆａ＋ｆｂ）とおくと、上式（９）は下式（１０）のように表され、減衰係数の比ｆａ／ｆｂは、αを用いて下式（１１）のように表される。
【００７１】
Ｉｂ＝α・Ｉｍ （１０）
ｆａ／ｆｂ＝α／（１−α） （１１）
従って、Ｇａ／Ｇｂ＝１になると共にＩａとＩｂの和が一定値Ｉｍになるように制御すれば、そのときのＩｂ、Ｉｍから下式（１０）によりαを求め、求められたαを上式（１１）に代入することで、減衰係数の比ｆａ／ｆｂを求めることができる。これにより、対象物の方向、位置等を求めることが可能になる。そしてＧａ／Ｇｂ＝１になると共にＩａとＩｂの和が一定になるように制御することで、外乱光の影響等を相殺することが可能になり、検出精度の向上を図れる。
【００７２】
図４に、本実施形態の光出射部ＥＵの変形例を示す。図４では、光出射部ＥＵとして第１、第２の照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２が設けられる。これらの第１、第２の照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２は、対象物ＯＢの検出エリアＲＤＥＴの面に沿った方向において所与の距離ＤＳだけ離れて配置される。即ち図１（Ａ）、図１（Ｂ）のＸ軸方向に沿って距離ＤＳだけ離れて配置される。
【００７３】
第１の照射ユニットＥＵ１は、照射方向に応じて強度が異なる第１の照射光を放射状に出射する。第２の照射ユニットＥＵ２は、照射方向に応じて強度が異なる第２の照射光を放射状に出射する。受光部ＲＵは、第１の照射ユニットＥＵ１からの第１の照射光が対象物ＯＢに反射されることによる第１の反射光と、第２の照射ユニットＥＵ２からの第２の照射光が対象物ＯＢに反射されることによる第２の反射光を受光する。そして検出部５０は、受光部ＲＵでの受光結果に基づいて、対象物ＯＢの位置ＰＯＢを検出する。
【００７４】
具体的には検出部５０は、第１の反射光の受光結果に基づいて、第１の照射ユニットＥＵ１に対する対象物ＯＢの方向を第１の方向ＤＤＢ１（角度θ１）として検出する。また第２の反射光の受光結果に基づいて、第２の照射ユニットＥＵ２に対する対象物ＯＢの方向を第２の方向ＤＤＢ２（角度θ２）として検出する。そして検出された第１の方向ＤＤＢ１（θ１）及び第２の方向ＤＤＢ２（θ２）と、第１、第２の照射ユニットＥＵ１、ＥＵ２の間の距離ＤＳとに基づいて、対象物ＯＢの位置ＰＯＢを求める。
【００７５】
４．受光部及び検出エリア
図５に本実施形態の光学式位置検出装置の受光部ＲＵの構成例及び検出エリアＲＤＥＴの設定例を示す。本実施形態の光学式位置検出装置の受光部ＲＵは、第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２を含む。なお、本実施形態の受光部ＲＵは、図５の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。例えば、図５の構成では第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２を示してあるが、３つ以上の受光ユニットを含む構成としてもよい。
【００７６】
第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２は、Ｚ方向に沿って配置され、例えばフォトダイオードやフォトトランジスターなどの受光素子により実現できる。例えば図５に示すように、第１の受光ユニットＰＤ１の対象面２０からの距離は、第２の受光ユニットＰＤ２の対象面２０からの距離よりも短く配置される。そして第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２に対応して、第１、第２の検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２が設定される。
【００７７】
具体的には、例えば図５のＡ１に示すように、対象物ＯＢが第１の検出エリアＲＤＥＴ１に存在する場合には、光出射部ＥＵからの照射光ＬＴが対象物ＯＢにより反射され、その反射光ＬＲを第１の受光ユニットＰＤ１が受光する。また図５のＡ２に示すように、対象物ＯＢが第２の検出エリアＲＤＥＴ２に存在する場合には、第２の受光ユニットＰＤ２が対象物ＯＢからの反射光ＬＲを受光する。
【００７８】
このようにすることで、対象物ＯＢが第１、第２の検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２のうちのどちらの検出エリアに存在するかを判断することができる。具体的には、第１の受光ユニットＰＤ１が反射光ＬＲを受光した場合には、対象物ＯＢは第１の検出エリアＲＤＥＴ１に存在すると判断し、第２の受光ユニットＰＤ２が反射光ＬＲを受光した場合には、対象物ＯＢは第２の検出エリアＲＤＥＴ２に存在すると判断することができる。そして対象物ＯＢがＲＤＥＴ１に存在すると判断した場合には、光出射部ＥＵは、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光と第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光とを出射する。また対象物ＯＢがＲＤＥＴ２に存在すると判断した場合には、光出射部ＥＵは、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光を出射する。
【００７９】
第１の受光ユニットＰＤ１の検出エリアＲＤＥＴ１は、第２の受光ユニットＰＤ２の検出エリアＲＤＥＴ２よりも狭く設定される。具体的には、例えば図５に示すように、対象面（スクリーン）２０上のある点ＰＡからＺ方向に沿って、各検出エリアの広がり（Ｚ方向の広がり）を定義することができる。すなわち、第１の検出エリアＲＤＥＴ１は、Ｚ方向に長さＺＡの奥行き（広がり）を有する領域であり、第２の検出エリアＲＤＥＴ２は、Ｚ方向に長さＺＢの奥行き（広がり）を有する領域である。このように定義した場合に、ＺＡ＜ＺＢであるように検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２が設定される。
【００８０】
第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２は、Ｘ−Ｙ平面に交差する方向の入射光を制限する入射光制限部ＬＭＴを有し、第１の受光ユニットＰＤ１の入射光制限部の方が、入射光の制限の度合いが強く設定される。その結果、上述したように、対象面（例えばスクリーン）２０からの距離が短い第１の受光ユニットＰＤ１の検出エリアＲＤＥＴ１の方が狭く設定される。
【００８１】
図６（Ａ）、図６（Ｂ）に、入射光制限部ＬＭＴを有する受光ユニットの構成例を示す。図６（Ａ）に示すように、受光素子ＰＨＤの前面に入射光制限部ＬＭＴを設けて、入射する入射光を制限する。具体的には、入射光制限部ＬＭＴは、スリットＳＬＴであり、対象面（スクリーン）２０からの距離が短いほど、スリットＳＬＴの幅が狭い。具体的には、例えば図５のＰＤ１、ＰＤ２では、ＰＤ１のスリット幅をＷＡ、ＰＤ２のスリット幅をＷＢとした場合に、ＷＡ＜ＷＢである。こうすることで、対象面（スクリーン）２０からの距離が短いほど、受光ユニットに入射する入射光のＺ方向の角度の範囲を狭くすることができる。その結果、上述したように、対象面（例えばスクリーン）２０に近いＰＤ１の検出エリアＲＤＥＴ１の方が狭く設定される。
【００８２】
図６（Ｂ）は、スリットＳＬＴを有する受光ユニットの上から見た平面図である。例えばアルミニウム等で作製された筐体（ケース）１００内に配線基板ＰＷＢが設けられ、この配線基板ＰＷＢ上に受光素子ＰＨＤが実装される。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態の光学式位置検出装置によれば、Ｚ方向に沿って配置される複数の受光ユニットを設け、さらに各受光ユニットに入射される入射光を制限することにより、各受光ユニットにそれぞれ対応してＺ方向に沿って配置される複数の検出エリアを設定することができる。こうすることで、対象物がスクリーン等（対象面）から近くにあるのか、遠くにあるのかを判断し、この判断に基づいて照射光の強度分布パターンを切り換えることができる。さらにスクリーン等からの距離が短いほど、検出エリアを狭く設定することができるから、例えばスクリーン等の近くにある対象物に限定して位置検出精度を高めることなどが可能になる。
【００８４】
５．検出部
図７に、本実施形態の検出部５０、駆動回路７０等の具体的な構成例を示す。検出部５０は、信号検出回路５２ａ、５２ｂ（広義には第１、第２の増幅部）、信号分離回路５４ａ、５４ｂ、判定部５６を含む。受光部ＲＵは、第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２を含む。第１、第２の受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２は、例えば図５に示したように、Ｚ方向に沿って配置される。なお、本実施形態の検出部５０、駆動回路７０等は、図７の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【００８５】
駆動回路７０は、光源部ＬＳ１の発光素子ＬＥＤＡと光源部ＬＳ２の発光素子ＬＥＤＢとを駆動する。この駆動回路７０は、可変抵抗ＲＡ、ＲＢを含む。可変抵抗ＲＡの一端には、制御部６０から矩形波形の駆動信号ＳＤＥ１が入力される。可変抵抗ＲＡは、信号ＳＤＥ１の入力ノードＮ１と、発光素子ＬＥＤＡのアノード側のノードＮ２の間に設けられる。可変抵抗ＲＢは、駆動信号ＳＤＥ２の入力ノードＮ３と、発光素子ＬＥＤＢのアノード側のノードＮ４の間に設けられる。発光素子ＬＥＤＡはノードＮ２とＧＮＤ（ＶＳＳ）の間に設けられ、発光素子ＬＥＤＢはノードＮ４とＧＮＤの間に設けられる。
【００８６】
そして駆動信号ＳＤＥ１がＨレベルである期間では、可変抵抗ＲＡを介して発光素子ＬＥＤＡに電流が流れて、発光素子ＬＥＤＡが発光する。また駆動信号ＳＤＥ２がＨレベルである期間では、可変抵抗ＲＢを介して発光素子ＬＥＤＢに電流が流れて、発光素子ＬＥＤＢが発光する。このように駆動信号ＳＤＥ１、ＳＤＥ２により、光源部ＬＳ１と光源部ＬＳ２とを交互に発光させることができる。
【００８７】
上述したように、本実施形態の光学式位置検出装置では、対象物ＯＢが検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２のうちのどの検出エリアに存在するかによって、反射光が入射する受光ユニット（反射光を検出する受光ユニット）が異なる。例えば図５で説明したように、対象物ＯＢが検出エリアＲＤＥＴ１に存在する場合には第１の受光ユニットＰＤ１が反射光を検出し、対象物ＯＢが検出エリアＲＤＥＴ２に存在する場合には第２の受光ユニットＰＤ２が反射光を検出する。
【００８８】
受光ユニットＰＤ１は、フォトダイオード等により実現される受光素子ＰＨＤと、電流・電圧変換用の抵抗Ｒ１を含む。そして光源部ＬＳ１が発光する期間（第１の期間）では、発光素子ＬＥＤＡからの光による対象物ＯＢの反射光が、例えば受光ユニットＰＤ１の受光素子ＰＨＤに入射されて、抵抗Ｒ１及び受光素子ＰＨＤに電流が流れ、ノードＮ５に電圧信号が発生する。一方、光源部ＬＳ２が発光する期間（第２の期間）では、発光素子ＬＥＤＢからの光による対象物ＯＢの反射光が、例えば受光ユニットＰＤ１の受光素子ＰＨＤに入射されて、抵抗Ｒ１及び受光素子ＰＨＤに電流が流れ、ノードＮ５に電圧信号が発生する。なお、第２の受光ユニットＰＤ２も同一の構成とすることができる。
【００８９】
信号検出回路（増幅部）５２ａは、キャパシターＣＦと演算増幅器ＯＰ１と抵抗Ｒ２を含み、第１の受光ユニットＰＤ１からの受光検出信号を増幅する。キャパシターＣＦは、ノードＮ５の電圧信号のＤＣ成分（直流成分）をカットするハイパスフィルターとして機能する。このようなキャパシターＣＦを設けることで、環境光に起因する低周波成分や直流成分をカットすることができ、検出精度を向上できる。演算増幅器ＯＰ１及び抵抗Ｒ２で構成されるＤＣバイアス設定回路は、ＤＣ成分カット後のＡＣ信号に対してＤＣバイアス電圧（ＶＢ／２）を設定するための回路である。なお、第２の信号検出回路（増幅部）５２ｂも同様の構成とすることができ、第２の受光ユニットＰＤ２からの受光検出信号を増幅する。
【００９０】
信号分離回路５４ａは、選択回路ＳＥＬ、キャパシターＣＡ、ＣＢ、演算増幅器ＯＰ２を含む。選択回路ＳＥＬは、検出制御信号ＳＤＲ１に基づいて、信号検出回路５２ａからの出力を演算増幅器ＯＰ２の２つの入力ノードのいずれか一方を選択して入力する。具体的には、第１の期間では、信号検出回路５２ａの出力ノードＮ７を、演算増幅器ＯＰ２の反転入力側（−）のノードＮ８に接続する。一方、第２の期間では、信号検出回路５２ａの出力ノードＮ７を、演算増幅器ＯＰ２の非反転入力側（＋）のノードＮ８に接続する。演算増幅器ＯＰ２は、キャパシターＣＡにより保持されたノードＮ８の電圧信号とキャパシターＣＢにより保持されたノードＮ９の電圧信号を比較する。なお、第２の信号分離回路５４ｂも同様の構成とすることができ、検出制御信号ＳＤＲ２に基づいて制御される。
【００９１】
制御部６０は、信号分離回路５４ａ、５４ｂでのノードＮ８、Ｎ９の電圧信号の比較結果に基づいて、駆動回路７０の可変抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値を制御信号ＳＣＡ、ＳＣＢにより制御する。判定部５６は、制御部６０での可変抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値の制御結果に基づいて、対象物の位置の判定処理を行う。また制御部６０は、対象物の位置検出結果に基づいて、対象物ＯＢが検出エリアＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２のうちのどの検出エリアに存在するかを判断し、照射光の強度分布パターンを切り換える制御を行う。
【００９２】
本実施形態の光学式位置検出装置では、第１の期間での受光素子ＰＨＤの検出受光量をＧａとし、第２の期間での受光素子ＰＨＤの検出受光量をＧｂとすると、この検出受光量の比Ｇａ／Ｇｂが１になるように、制御部６０は、信号分離回路５４ａ、５４ｂでの比較結果に基づいて可変抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値を制御する。すなわち検出受光量の比Ｇａ／Ｇｂが１になるように、光源部ＬＳ１、ＬＳ２の発光制御を行う。このようにＧａ／Ｇｂ＝１とする制御を行うことで、対象物の位置の判定処理を行う。
【００９３】
さらに本実施形態の光学式位置検出装置によれば、光出射部ＥＵは、対象面（例えばスクリーン）からの対象物ＯＢの距離が長いほど、照射光の強度を弱くすることができる。具体的には、例えば対象面（スクリーン等）から遠い検出エリアＲＤＥＴ２に対象物ＯＢが存在する場合（検出される場合）には、制御部６０は、制御信号ＳＣＡ、ＳＣＢにより可変抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値を制御して、光源部ＬＳ１、ＬＳ２の発光強度を共に減少させ、照射光の強度を弱くする。こうすることで、スクリーン等から遠くにある対象物に対しては位置検出精度を低くして、消費電力を低減することが可能になる。
【００９４】
またさらに本実施形態の光学式位置検出装置では、Ｚ座標位置に応じて第１、第２の増幅部の増幅率が設定されている。具体的には、例えば受光ユニットＰＤ１からの受光検出信号を増幅する第１の増幅部（信号検出回路）５２ａの増幅率をＧ１とし、受光ユニットＰＤ２からの受光検出信号を増幅する第２の増幅部（信号検出回路）５２ｂの増幅率をＧ２とした場合に、Ｇ１＜Ｇ２に設定されている。このようにすることで、スクリーン等に近い対象物からの受光検出信号を低い増幅率で増幅し、スクリーン等から遠い対象物からの受光検出信号を高い増幅率で増幅することができるから、対象物の位置に応じて効率の良い位置検出などが可能になる。
【００９５】
６．位置検出動作
図８は、本実施形態の光学式位置検出装置の構成例（図５、図７）における位置検出動作のタイミングチャートの一例である。図８のタイミングチャートでは、光出射部ＥＵの光源部（例えばＬＥＤなど）ＬＳ１、ＬＳ２を駆動する駆動信号ＳＤＥ１、ＳＤＥ２を示す。また受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２からの受光検出信号の取り込みを制御する検出制御信号ＳＤＲ１、ＳＤＲ２を示す。さらに受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２の受光検出信号ＳＰＤ１、ＳＰＤ２を示す。駆動信号ＳＤＥ１、ＳＤＥ２及び検出制御信号ＳＤＲ１、ＳＤＲ２は、制御部６０により生成される。
【００９６】
上述したように本実施形態の光学式位置検出装置では、光出射部ＥＵは、対象物ＯＢの対象面（スクリーン）２０からの距離に応じて、３つの強度分布パターンの照射光ＬＴを出射する。すなわち光出射部ＥＵは、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合（例えば対象物が検出エリアＲＤＥＴ１に検出された場合）には、第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴと第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴとを出射する。また対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合（例えば対象物が検出エリアＲＤＥＴ２に検出された場合）には、第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射する。
【００９７】
具体的には、例えば図８のＡ１に示すように、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、第１の期間ＴＡ１では駆動信号ＳＤＥ１がＨレベルになり、光源部ＬＳ１が発光して第１の強度分布パターンＰＩＤ１の照射光ＬＴを出射する。そして第２の期間ＴＡ２では駆動信号ＳＤＥ２がＨレベルになり、光源部ＬＳ２が発光して第２の強度分布パターンＰＩＤ２の照射光ＬＴを出射する。すなわち第１、第２の強度分布パターンＰＩＤ１、ＰＩＤ２の照射光ＬＴを交互に出射する。
【００９８】
また例えば図８のＡ２に示すように、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、第１の期間ＴＢ１では光源部ＬＳ１が第３の強度分布パターンＰＩＤ３の照射光ＬＴを出射し、第２の期間ＴＢ２では照射光ＬＴを出射しない。図８では、第３の強度分布パターンＰＩＤ３は、第１の強度分布パターンＰＩＤ１と同一の強度分布パターンであるが、ＰＩＤ３を第２の強度分布パターンＰＩＤ２と同一にしてもよい。
【００９９】
受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２からの受光検出信号ＳＰＤ１、ＳＰＤ２は、検出制御信号ＳＤＲ１、ＳＤＲ２に同期して検出部５０に取り込まれる。受光検出信号ＳＰＤ１、ＳＰＤ２は、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が短いと判断された場合には、例えば図８のＡ３に示すような信号波形になる。この受光検出信号は、環境光（外光）等によるノイズ成分ＶＡを含んでいるが、第１の期間ＴＡ１の信号レベルと第２の期間ＴＡ２の信号レベルとの差Ｖ１を検出することで、環境光等の影響を除去することができる。
【０１００】
一方、対象面２０からの対象物ＯＢの距離が長いと判断された場合には、受光検出信号ＳＰＤ１、ＳＰＤ２は、例えば図８のＡ４に示すような信号波形になる。この受光検出信号もまた環境光（外光）等によるノイズ成分ＶＡを含んでいるが、第１の期間ＴＢ１の信号レベルと第２の期間ＴＢ２の信号レベルとの差Ｖ２を検出することで、環境光等の影響を除去することができる。この場合には、１つの強度分布パターンの照射光を用いるため、位置検出精度は低下するが、１つの光源部を発光すればよいから消費電力を低減することが可能になる。
【０１０１】
図９に、制御部６０による位置検出制御のフローの一例を示す。図９に示すフロー（ステップＳ１〜Ｓ６）は、上述した図８の位置検出動作に対応するものである。例えばステップＳ１、Ｓ２は図８のＡ１、Ａ３の動作に対応し、ステップＳ４、Ｓ５は図８のＡ２、Ａ４の動作に対応する。
【０１０２】
最初に光源部ＬＳ１、ＬＳ２の駆動を開始し、第１、第２の強度分布パターンの照射光を出射する（ステップＳ１）。次に受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２の検出結果により対象物の位置を検出する（ステップＳ２）。そして第２の検出エリアＲＤＥＴ２に対象物が存在するか否かを判断する（ステップＳ３）。対象物が存在する場合には、ステップＳ４に移行する。一方、対象物が存在しない場合には、ステップＳ２の処理を繰り返す。
【０１０３】
ステップＳ４では、光源部ＬＳ２の駆動を停止し、光源部ＬＳ１のみを駆動して第３の強度分布パターンの照射光を出射する。次に受光ユニットＰＤ１、ＰＤ２の検出結果により対象物の位置を検出する（ステップＳ５）。そして第１の検出エリアＲＤＥＴ１に対象物が存在するか否かを判断する（ステップＳ６）。対象物が存在する場合には、ステップＳ１に戻り、第１、第２の強度分布パターンの照射光を出射する。一方、対象物が存在しない場合には、ステップＳ５の処理を繰り返す。
【０１０４】
このように、対象物がスクリーン等から離れた検出エリア（例えばＲＤＥＴ２）に存在する場合には、第３の強度分布パターンの照射光を用いることで、位置検出精度は低下するが消費電力を低減することができる。反対に対象物がスクリーン等に近い検出エリア（例えばＲＤＥＴ１）に存在する場合には、第１、第２の強度分布パターンの照射光を用いることで、位置検出精度を高めることができる。その結果、対象物のスクリーン等からの距離に応じて、必要とされる位置検出精度を維持しつつ、電力効率の良い位置検出を行うことなどが可能になる。
【０１０５】
なお本実施形態の発光制御手法は図７〜図９で説明した手法に限定されず、種々の変形実施が可能である。例えば図７の発光素子ＬＥＤＢを参照用光源部の発光素子として用いる手法を採用してもよい。この参照用光源部は、例えば他の光源部（図２のＬＳ１、ＬＳ２）に比べて受光部ＲＵから近い距離に配置されたり、受光部ＲＵと同じ筺体内に配置されることで、周囲光（外乱光、対象物からの反射光等）の入射が規制されるように配置設定される光源部である。そして制御部６０が、第１の期間において光源部ＬＳ１と図示しない参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、光源部ＬＳ１と参照用光源部の発光制御を行う。また第２の期間において第２の光源部ＬＳ２と参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第２の光源部ＬＳ２と参照用光源部の発光制御を行う。このようにすれば、光源部ＬＳ１が発光する第１の発光期間での検出受光量と、第２の光源部ＬＳ２が発光する第２の発光期間での検出受光量とが、参照用光源部を介して実質的に等しくなるように、発光制御が行われるようになる。
【０１０６】
また参照用光源部を図４の光源部ＬＳ１１〜ＬＳ２２と共に用いてもよい。この参照用光源部は、例えば他の光源部（ＬＳ１１〜ＬＳ２２）に比べて受光部ＲＵから近い距離に配置されたり、受光部ＲＵと同じ筺体内に配置されることで、周囲光（外乱光、対象物からの反射光等）の入射が規制されるように配置設定される光源部である。そして制御部６０が、第１の期間において図４の第１の光源部ＬＳ１１と図示しない参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第１の光源部ＬＳ１１と参照用光源部の発光制御を行う。また第２の期間において第２の光源部ＬＳ１２と参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第２の光源部ＬＳ１２と参照用光源部の発光制御を行う。また第３の期間において第３の光源部ＬＳ２１と参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第３の光源部ＬＳ２１と参照用光源部の発光制御を行う。また第４の期間において第４の光源部ＬＳ２２と参照用光源部を交互に発光させ、受光部ＲＵでの検出受光量が等しくなるように、第４の光源部ＬＳ２２と参照用光源部の発光制御を行う。このようにすれば、第１の光源部ＬＳ１１が発光する第１の発光期間での検出受光量と、第２の光源部ＬＳ１２が発光する第２の発光期間での検出受光量とが、参照用光源部を介して実質的に等しくなるように、発光制御が行われるようになる。また第３の光源部ＬＳ２１が発光する第３の発光期間での検出受光量と、第４の光源部ＬＳ２２が発光する第４の発光期間での検出受光量とが、参照用光源部を介して実質的に等しくなるように、発光制御が行われるようになる。
【０１０７】
なお、以上のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、光学式位置検出装置、電子機器及び表示装置の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【０１０８】
ＥＵ 光出射部、ＲＵ 受光部、ＡＲＤ 表示エリア、ＬＴ 照射光、
ＬＲ 反射光、ＰＤ１、ＰＤ２ 受光ユニット、
ＲＤＥＴ、ＲＤＥＴ１、ＲＤＥＴ２ 検出エリア、ＬＭＴ 入射光制限部、
ＳＬＴ スリット、ＬＧ、ＬＧ１、ＬＧ２ ライトガイド、ＬＳ１、ＬＳ２ 光源部、
ＲＳ 反射シート、ＰＳ プリズムシート、ＬＦ ルーバーフィルム、
ＬＥ 照射方向設定部、ＰＩＤ１〜ＰＩＤ３ 第１〜第３の強度分布パターン、
１０ 画像投影装置、２０ スクリーン（対象面）、５０ 検出部、
５２ 信号検出回路（増幅部）、５４ 信号分離回路、５６ 判定部、６０ 制御部、
７０ 駆動回路、１００ 筐体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ−Ｙ平面に沿って設定される検出エリアに照射光を出射する光出射部と、
前記検出エリアにおいて前記照射光が対象物に反射したことによる反射光を受光する受光部と、
前記受光部の受光結果に基づいて、前記対象物の位置情報を検出する検出部とを含み、
前記光出射部は、
前記検出エリアを設定する対象面からの前記対象物の距離が短いと判断された場合には、第１の強度分布パターンの前記照射光と第２の強度分布パターンの前記照射光とを出射し、
前記対象面からの前記対象物の距離が長いと判断された場合には、第３の強度分布パターンの前記照射光を出射することを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記光出射部は、前記対象面からの前記対象物の距離が短いと判断された場合に、第１の期間では前記第１の強度分布パターンの前記照射光を出射し、第２の期間では前記第２の強度分布パターンの前記照射光を出射することを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第３の強度分布パターンは、前記第１の強度分布パターン及び前記第２の強度分布パターンのいずれか一方の強度分布パターンであることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１の強度分布パターン及び前記第２の強度分布パターンは、前記検出エリアでの位置に応じて強度が異なる強度分布パターンであることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記受光部は、第１の受光ユニット及び第２の受光ユニットを有し、
前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットは、Ｚ方向に沿って配置されることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の受光ユニットの前記対象面からの距離は、前記第２の受光ユニットの前記対象面からの距離よりも短く配置され、
前記第１の受光ユニットの前記検出エリアは、前記第２の受光ユニットの前記検出エリアよりも狭く設定されることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記検出部は、前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットからの受光検出信号を増幅する第１の増幅部及び第２の増幅部を含み、
前記第１の増幅部の方が、増幅率が低く設定されていることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれかにおいて、
前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットは、前記Ｘ−Ｙ平面に交差する方向の入射光を制限する入射光制限部を有し、
前記第１の受光ユニットの前記入射光制限部の方が、前記入射光の制限の度合いが強く設定されることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記入射光制限部は、スリットであり、
前記第１の受光ユニットの前記入射光制限部の方が、前記スリットの幅が狭いことを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記光出射部は、前記対象物の前記対象面からの距離が長いほど、前記照射光の強度を弱くすることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の光学式位置検出装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の光学式位置検出装置を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１】
Ｘ−Ｙ平面に沿って設定される検出エリアに照射光を出射する光出射部と、
前記検出エリアにおいて前記照射光が対象物に反射したことによる反射光を受光する受光部と、
前記受光部の受光結果に基づいて、前記対象物の位置情報を検出する検出部とを含み、
前記光出射部は、
前記検出エリアを設定する対象面からの前記対象物の距離が短いと判断された場合には、第１の強度分布パターンの前記照射光と第２の強度分布パターンの前記照射光とを出射し、
前記対象面からの前記対象物の距離が長いと判断された場合には、第３の強度分布パターンの前記照射光を出射することを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記光出射部は、前記対象面からの前記対象物の距離が短いと判断された場合に、第１の期間では前記第１の強度分布パターンの前記照射光を出射し、第２の期間では前記第２の強度分布パターンの前記照射光を出射することを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第３の強度分布パターンは、前記第１の強度分布パターン及び前記第２の強度分布パターンのいずれか一方の強度分布パターンであることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１の強度分布パターン及び前記第２の強度分布パターンは、前記検出エリアでの位置に応じて強度が異なる強度分布パターンであることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記受光部は、第１の受光ユニット及び第２の受光ユニットを有し、
前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットは、Ｚ方向に沿って配置されることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の受光ユニットの前記対象面からの距離は、前記第２の受光ユニットの前記対象面からの距離よりも短く配置され、
前記第１の受光ユニットの前記検出エリアは、前記第２の受光ユニットの前記検出エリアよりも狭く設定されることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記検出部は、前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットからの受光検出信号を増幅する第１の増幅部及び第２の増幅部を含み、
前記第１の増幅部の方が、増幅率が低く設定されていることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれかにおいて、
前記第１の受光ユニット及び前記第２の受光ユニットは、前記Ｘ−Ｙ平面に交差する方向の入射光を制限する入射光制限部を有し、
前記第１の受光ユニットの前記入射光制限部の方が、前記入射光の制限の度合いが強く設定されることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記入射光制限部は、スリットであり、
前記第１の受光ユニットの前記入射光制限部の方が、前記スリットの幅が狭いことを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記光出射部は、前記対象物の前記対象面からの距離が長いほど、前記照射光の強度を弱くすることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の光学式位置検出装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の光学式位置検出装置を含むことを特徴とする表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−２５７３３６（Ｐ２０１１−２５７３３６Ａ）
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３３６７６（Ｐ２０１０−１３３６７６）
【出願日】平成２２年６月１１日（２０１０．６．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１１日（２０１０．６．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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