半導体装置及びその製造方法
【課題】メタルゲート電極を有するMIS型トランジスタと高抵抗素子とを容易に集積化でき、製造工程数の増加と歩留まりの低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板100の素子領域にシリコン膜118と金属膜103の積層構造からなるMIS型トランジスタのゲート電極、及び素子分離領域上に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなる高抵抗素子を形成する。そして、前記ゲート電極の側壁に耐酸化性の絶縁膜110を形成し、前記高抵抗素子の前記金属膜103を酸化する。
【解決手段】基板100の素子領域にシリコン膜118と金属膜103の積層構造からなるMIS型トランジスタのゲート電極、及び素子分離領域上に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなる高抵抗素子を形成する。そして、前記ゲート電極の側壁に耐酸化性の絶縁膜110を形成し、前記高抵抗素子の前記金属膜103を酸化する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、シリコン膜と金属膜との積層構造のゲート電極を有するMIS型トランジスタと、高抵抗素子とを集積化した半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ロジックデバイスにおける高抵抗素子の材料としては、ポリシリコン(Poly-Si)が広く用いられている。ポリシリコン膜で形成した抵抗素子は、MIS型トランジスタのゲート電極と同じレイヤーのポリシリコン膜で形成可能である。しかも、不純物濃度を制御することで抵抗値を自由に設定でき、且つ比較的容易に高抵抗値(800Ω/□以上)を実現できる。
【0003】
しかしながら、近年はゲート遅延を低減して動作速度の高速化を図るために、MIS型トランジスタのゲート電極に金属材料が用いられるようになっている(例えば特許文献1参照)。メタルゲート電極の世代になると、ゲート電極の抵抗値が低いため、高抵抗素子をゲート電極と同じレイヤーで形成するのは困難である。また、金属とポリシリコンを積層した構造(MIPS: Metal Inserted Poly-Si Stack)で、薄膜(10nm以下)のメタルゲート電極であっても、ゲート電極と同じレイヤーを用いて十分に高い抵抗値を実現することはできない。
【0004】
このため、MIS型トランジスタと高抵抗素子とを別の工程で形成するか、MIPS構造の抵抗素子を形成した後、金属層を除去して高抵抗化しなければならない。この金属層を除去する工程は非常に煩雑であり、製造工程数の増加は歩留まりの低下を招く恐れもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2005−150178号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、メタルゲート電極を有するMIS型トランジスタと高抵抗素子とを容易に集積化でき、製造工程数の増加と歩留まりの低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様によると、素子分離領域を形成した基板の主表面上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、前記ゲート絶縁膜上に金属膜を成膜する工程と、前記金属膜上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜と前記金属膜をパターニングして、素子領域に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなるMIS型トランジスタのゲート電極、及び前記素子分離領域上に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなる高抵抗素子を形成する工程と、前記ゲート電極の側壁に耐酸化性の絶縁膜を形成する工程と、前記高抵抗素子の前記金属膜を酸化する工程と、前記MIS型トランジスタの拡散層を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法が提供される。
【0008】
また、本発明の他の一態様によると、金属膜と前記金属膜上に形成された第1のシリコン膜との積層構造からなるゲート電極を有するMIS型トランジスタと、前記金属膜の酸化膜と前記酸化膜上に形成された第2のシリコン膜との積層構造からなる高抵抗素子とを具備する半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、メタルゲート電極を有するMIS型トランジスタと高抵抗素子とを容易に集積化でき、製造工程数の増加と歩留まりの低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第1の工程断面図。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第2の工程断面図。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第3の工程断面図。
【図4】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第4の工程断面図。
【図5】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第5の工程断面図。
【図6】TiN膜の比抵抗及びシリコン膜とTiN積層膜のシート抵抗値の酸化温度依存性との関係を示す図。
【図7】本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程の一部を示すパターン平面図及び断面図。
【図8】本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の一部の形成工程を示す工程断面図。
【図9】本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の図14に続く形成工程を示す工程断面図。
【図10】本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の図15に続く形成工程を示す工程断面図。
【図11】本発明に至る前段階の半導体装置の製造方法の形成工程を示す第1の工程断面図。
【図12】本発明に至る前段階の半導体装置の製造方法の形成工程を示す第2の工程断面図。
【図13】本発明に至る前段階の半導体装置の製造方法の形成工程を示す第3の工程断面図。
【図14】本発明に至る前段階の半導体装置製造方法の形成工程を示す第4の工程断面図。
【図15】本発明に至る前段階の半導体装置製造方法の形成工程を示す第5の工程断面図。
【図16】本発明に至る前段階の半導体装置製造方法の形成工程を示す工程第6の断面図。
【発明を実施するための形態】
【0011】
まず、本発明に至る前段階の技術について図11乃至図16により説明する。図11乃至図16はそれぞれ、メタルゲート電極を有するMIS型トランジスタと高抵抗素子の形成工程を順次示す工程断面図である。
【0012】
はじめに、図11に示すように、半導体基板、例えば単結晶シリコン基板100の主表面に、STI構造の素子分離領域101を形成する。本例では、素子分離領域101を形成した領域は高抵抗素子を形成する受動素子領域(Passive)になり、素子分離領域101を形成しない素子領域はトランジスタ領域(Tr.)になる。次に、上記単結晶シリコン基板100上に、例えば有機ソースを用いた化学的気相成長(CVD)法により、ハフニウムを含む膜厚2nm程度のゲート絶縁膜102を形成する。その上に、金属電極として、例えばスパッタ法によりTiN膜103を5nmの膜厚で成膜し、さらにアモルファスシリコン膜104を膜厚10nmで堆積形成する。
【0013】
次いで、図12に示すように、受動素子領域のアモルファスシリコン膜104、TiN膜103及びゲート絶縁膜102を除去する。
【0014】
引き続き、図13に示すように、上記アモルファスシリコン膜104及び露出された素子分離領域101上に、アモルファスシリコン膜105を膜厚60nmで堆積形成した後、その上にシリコン窒化膜106を膜厚70nmで堆積形成する。
【0015】
そして、シリコン窒化膜106をパターニングし、このパターニングしたシリコン窒化膜106をマスクに用いて、例えば30nmのゲート幅パターンにアモルファスシリコン膜105,104及びTiN膜103を異方性エッチングし、ゲート電極を形成する。この際、素子分離領域101上のアモルファスシリコン膜105を異方性エッチングして高抵抗素子を形成する。さらに、例えば異方性エッチングもしくは希釈HF処理により、ゲート電極の周辺の基板100上のハフニウムを含むゲート絶縁膜102を除去する。
【0016】
次いで、図14に示すように、全面にシリコン窒化膜107を堆積形成した後、このシリコン窒化膜107のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分をシリコン窒化膜107で覆う構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入を行い、加熱処理を施すことによって、MIS型トランジスタのエクステンション領域としての浅い拡散層108を形成する。
【0017】
引き続き、全面にシリコン酸化膜109及びシリコン窒化膜110を堆積形成した後、このシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分にシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110を残存させてスペーサ構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入し、加熱処理を施すことによってMIS型トランジスタのソース、ドレイン領域としての深い拡散層111を形成する。
【0018】
次に、図15に示すように、シリコン窒化膜112を全面に成膜した後、トランジスタ領域のシリコン窒化膜112を、例えばドライエッチングにより除去する。次いで、例えばNi膜(10nm)を全面に堆積形成し、350℃の温度で30秒程度の加熱処理を行い、Niとシリコンを反応させた後、未反応Ni膜を例えば硫酸と過酸化水素水の混合液により除去する。そして、500℃の温度で30秒程度の加熱処理を行う。このとき、ゲート電極上と拡散層108上にシリサイド層113が形成される。
【0019】
この際、高抵抗素子部分は、シリコン窒化膜112で被覆されているため、シリサイド層は形成されない。このように選択的なシリサイデーションを行う理由は、シリサイドの比抵抗が18μΩ・cm程度と低いため、高抵抗素子上に形成すると抵抗値が低くなり過ぎるからである。この高抵抗素子部分へは、必要に応じて不純物を導入し、抵抗値を不純物濃度で設定する。
【0020】
この後、図16に示すように、全面に第1の層間膜114を形成する。この第1の層間膜114に所望のコンタクトパターンを形成し、コンタクトパターンの内部に例えばTi/TiN/W膜を埋め込み、CMP法により平坦化することにより、コンタクト115を形成する。次いで、上記第1の層間膜114上に第2の層間膜116を堆積形成し、所望の溝パターンを形成した後、TaN/Cu膜を埋め込んでCMP法によって平坦化することにより、コンタクト115に電気的に接続されたCu配線117を形成する。
【0021】
上述したような製造工程によって、トランジスタ領域にTiN膜103とアモルファスシリコン膜104,105との積層構造のゲート電極を有するメタルゲートトランジスタを形成し、受動素子領域にアモルファスシリコン膜105からなる高抵抗素子を形成する。
【0022】
ここで、上記図12に示した工程において受動素子領域のTiN膜103を除去した理由を述べる。
【0023】
ポリシリコンゲートトランジスタは、ゲート電極が単層のポリシリコン膜であるため、高抵抗素子にゲート電極と同じ単層のポリシリコン膜を用い、そのポリシリコン膜中の不純物濃度を制御することで所望の抵抗値が得られる。
【0024】
一方、メタルゲートトランジスタでは、ゲート電極が金属とシリコン膜の積層構造であるため、同じ構造で高抵抗素子を形成すると、抵抗素子の抵抗値が非常に低くなってしまう。これは、抵抗値がシリコン膜中の不純物濃度では決まらずに金属部分でほぼ決まってしまうからである。それゆえ、高抵抗を実現するためには、図12に示したように金属膜を除去しなければならない。この金属膜を除去する工程は煩雑であり、且つ工程数増加による歩留まり低下の恐れがある。
【0025】
そこで、本発明の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法では、シリコン膜と金属膜との積層構造のゲート電極と、シリコン膜と金属膜との積層構造の高抵抗素子を同一工程で形成し、高抵抗素子の金属膜を側壁から酸化して絶縁膜化あるいは高抵抗化している。
【0026】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
まず、図1に示すように、半導体基板、例えば単結晶シリコン基板100の主表面に、STI構造の素子分離領域101を形成する。素子分離領域101を形成しない領域はトランジスタ領域(Tr.)であり、素子分離領域101を形成した領域が受動素子領域(Passive)になる。この単結晶シリコン基板100上に、例えば有機ソースを用いた化学的気相成長(CVD)法により、ハフニウムを含む膜厚2nm程度のゲート絶縁膜102を形成する。このゲート絶縁膜102上に、金属電極として、例えばスパッタ法によりTiN膜103を5nmの膜厚で成膜し、さらにアモルファスシリコン膜118を膜厚70nmで堆積形成する。その上に、シリコン窒化膜106を膜厚70nmで堆積形成する。
【0027】
次に、図2に示すように、シリコン窒化膜106をパターニングし、このパターニングしたシリコン窒化膜106をマスクに用いて、アモルファスシリコン膜118とTiN膜103を、例えば30nmのゲート幅パターンと高抵抗素子のパターンに異方性エッチングし、ゲート電極と高抵抗素子を形成する。さらに、例えば異方性エッチングもしくは希釈Hf処理により基板100上のハフニウムを含むゲート絶縁膜102を除去する。
【0028】
次いで、全面にシリコン窒化膜107を堆積形成した後、このシリコン窒化膜107のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分をシリコン窒化膜107で覆う構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入を行い、加熱処理を施すことによって、MIS型トランジスタのエクステンション領域としての浅い拡散層(第1の拡散層)108を形成する。
【0029】
引き続き、全面にシリコン酸化膜109及びシリコン窒化膜110を堆積形成した後、シリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分にシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110を残存させてスペーサ構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入し、加熱処理を施すことによってMIS型トランジスタのソース、ドレイン領域としての深い拡散層(第2の拡散層)111を形成する。この拡散層111の不純物濃度は、上記拡散層108の不純物濃度よりも高くする。
【0030】
この後、受動素子領域のシリコン窒化膜110、シリコン酸化膜109及びシリコン窒化膜107を除去し、TiN膜103の側面を露出させる。そして、TiN膜103を400℃の温度で1時間の条件で酸化することで、図3に示すようにTiON膜119を形成する。TiN膜を含め金属膜は低温でも十分酸化され、その抵抗が上昇することが知られている。
【0031】
次に、図4に示すように、シリコン窒化膜112を全面に成膜した後、トランジスタ領域のシリコン窒化膜112を、例えばドライエッチングにより除去する。次いで、例えばNi膜(10nm)を全面に堆積形成し、350℃の温度で30秒程度の加熱処理を行い、Niとシリコンを反応させる。その後、未反応Ni膜を例えば硫酸と過酸化水素水の混合液により除去する。そして、500℃の温度で30秒程度の加熱処理を行う。このとき、ゲート電極(アモルファスシリコン膜118)上と拡散層108上にシリサイド層113が形成される。
【0032】
この際、高抵抗素子部分は、シリコン窒化膜112で被覆されているため、シリサイド層は形成されない。このように選択的なシリサイデーションを行う理由は、シリサイドの比抵抗が18μΩ・cm程度と低いため、高抵抗素子上に形成すると抵抗値が低くなり過ぎるからである。この高抵抗素子部分へは、必要に応じて不純物を導入し、抵抗値を不純物濃度で設定する。
【0033】
この後、図5に示すように、全面に第1の層間膜114を形成する。この第1の層間膜114に所望のコンタクトパターンを形成し、コンタクトパターンの内部に例えばTi/TiN/W膜を埋め込み、CMP法により平坦化することにより、コンタクト115を形成する。次いで、上記第1の層間膜114上に第2の層間膜116を堆積形成し、所望の溝パターンを形成した後、TaN/Cu膜を埋め込んでCMP法によって平坦化することにより、コンタクト115に電気的に接続されたCu配線117を形成する。
【0034】
上述したような製造工程によって、トランジスタ領域にアモルファスシリコン膜118とTiN膜103との積層構造のゲート電極を有したメタルゲートトランジスタを形成し、受動素子領域にアモルファスシリコン膜118とTiON膜119との積層構造の高抵抗素子を形成する。ここで、上記TiON膜119は絶縁膜であるので、高抵抗素子の抵抗値は実質的にアモルファスシリコン膜118の抵抗値で決定され、このアモルファスシリコン膜118の抵抗値はその不純物濃度で設定されることになる。
【0035】
図6は、TiN膜の比抵抗の酸化温度依存性との関係、及びシリコン膜とTiN膜との積層膜のシート抵抗値と酸化温度依存性との関係を示している。酸化処理を施さない場合、TiN膜の比抵抗は200μΩ・cm程度である。積層膜のシート抵抗値はTiN膜とシリコン膜の抵抗が並列接続されたものであり、TiN膜の比抵抗が低い場合には積層膜のシート抵抗値は、シリコン膜の抵抗が高くてもTiN膜でほぼ決まってしまう。例えば、シリコン膜単層の抵抗率が1×103μΩ・cm以下であった場合、図6に示すように合成のシート抵抗値は500Ω/□以下となってしまうので高抵抗素子としては使えない。
【0036】
しかし、酸化温度を300℃程度まで上げると、その比抵抗は1×103μΩ・cmを越えるため、積層膜のシート抵抗はシリコン膜単層の半分程度まで上昇する。さらに、酸化温度を400℃まで上げると、TiN膜の比抵抗が1×104μΩ・cm程度まで上昇し、TiN膜の抵抗はシリコン膜に比べ無視し得る値となる。ここで少なくともシリコン膜単層程度の値、例えば700Ω/□を達成できれば高抵抗素子として機能する。
【0037】
[第2の実施形態]
図7(a),(b)はそれぞれ、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明するためのもので、図3に示した工程に対応する平面図及び断面図である。図3に示した工程において、TiN膜103を酸化してTiON膜119を形成する際に、側壁から酸化を進行させるため、高抵抗素子のパターン幅が広い場合には長い熱処理時間が必要になる。
【0038】
そこで、本第2の実施形態では、酸化の進行を促進するために、高抵抗素子のパターンを分割し、幅の狭い複数(本例では3つ)の抵抗素子のパターンを並列接続したパターン構成にしたものである。他の基本的な構成並びに製造方法は第1の実施形態と同様であるので詳細な説明は省略する。
【0039】
このような構成並びに製造方法であっても上記第1の実施形態と同様な作用効果が得られる。また、TiN膜103を酸化してTiON膜119−1,119−2,119−3を形成する際の熱処理時間を短縮できる。
【0040】
[第3の実施形態]
図8乃至図10はそれぞれ、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明するためのもので、図1に示した構成から図2に示した構成に至るまでの製造工程を順次示す断面図である。本第3の実施形態では、MIS型トランジスタのソース、ドレイン領域のための拡散層111の形成前に、TiN膜103を絶縁膜化(TiON膜化)するための側壁酸化を行っている。
【0041】
すなわち、図1に示したように、単結晶シリコン基板100上に、例えば有機ソースを用いた化学的気相成長(CVD)法により、ハフニウムを含む膜厚2nm程度のゲート絶縁膜102を形成する。このゲート絶縁膜102上に、金属電極として、例えばスパッタ法によりTiN膜103を5nmの膜厚で成膜し、さらにアモルファスシリコン膜118を膜厚70nmで堆積形成する。その上に、シリコン窒化膜106を膜厚70nmで堆積形成する。
【0042】
次に、シリコン窒化膜106をパターニングし、このパターニングしたシリコン窒化膜106をマスクに用いて、例えば30nmのゲート幅パターンと高抵抗素子のパターンにアモルファスシリコン膜118及びTiN膜103を異方性エッチングし、ゲート電極と高抵抗素子を形成する。さらに、例えば異方性エッチングもしくは希釈Hf処理により基板100上のハフニウムを含むゲート絶縁膜102を除去する。
【0043】
次いで、図8に示すように全面にシリコン窒化膜107を堆積形成した後、このシリコン窒化膜107のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分をシリコン窒化膜107で覆う構造にする。
【0044】
その後、受動素子領域のシリコン窒化膜107を除去し、図9に示すようにTiN膜103の側面を露出させる。この状態でTiN膜103を、例えば400℃の温度で1時間の条件で酸化することでTiON膜119を形成する。
【0045】
続いて、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入を行い、加熱処理を施すことによって、図10に示すようにMIS型トランジスタのエクステンション領域としての浅い拡散層108を形成する。
【0046】
引き続き、全面にシリコン酸化膜109及びシリコン窒化膜110を堆積形成した後、このシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分にシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110を残存させてスペーサ構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入し、加熱処理を施すことによってMIS型トランジスタのソース、ドレイン領域としての深い拡散層111を形成する。
【0047】
以後の製造方法は第1の実施形態における図3乃至図5に示した工程と同様であるので詳細な説明は省略する。
【0048】
このような構成並びに製造方法であっても上記第1の実施形態と同様な作用効果が得られる。
【0049】
以上のように、本発明の各実施形態では、受動素子領域にメタルゲート電極と同一工程で形成した積層構造の高抵抗素子のみを酸素雰囲気中に曝して金属膜を酸化することで、金属膜を除去せずに絶縁膜化または高抵抗化する。これによって、金属膜を除去する工程を入れずとも高抵抗素子を実現することが可能であり、且つ複雑な製造工程を必要としない。この結果、高抵抗素子の形成に係る工程数を大幅に削減することが可能となる。
【0050】
なお、上記第1乃至第3の実施形態では、金属膜を絶縁膜化または高抵抗化する際に熱酸化処理を用いたがプラズマ酸化を用いても良い。プラズマ酸化を用いると比較的低い温度(例えば200℃程度)で金属膜を酸化できるので他への影響(熱によるダメージ)を少なくできる。例えば拡散層の形成時には500℃程度、シリサイド層の形成時には400℃程度の熱処理が実施されるが、プラズマ酸化であればこれらの熱工程への影響はほとんどない。従って、エクステンション領域、ソース、ドレイン拡散層、及びシリサイド層の形成工程のいずれの工程の前後であっても金属膜を絶縁膜化または高抵抗化する工程を実施できる。
【0051】
また、TiN膜を金属電極として用いたが、IVa族(Ti、Zr、Hf)、Va族(V、Nb、Ta)であれば同様な効果が得られる。同様に、上記IVa族、Va族の窒化物や炭化物、またはIVa族、Va族とAlもしくはSiの合金、さらには、IVa族、Va族とAlもしくはSiの合金の窒化物や炭化物でも良い。
【0052】
さらに、ゲート絶縁膜102の材料としてハフニウム系の酸化膜を用いたが、ハフニウム系酸化膜以外に、例えば、Zr、Ti、Ta、Al、Sr、Y、La等の酸化物、もしくはZrSixOyなどそれら元素とシリコンの酸化物でも良く、それら酸化物の積層膜でも良いのは勿論である。ゲート電極の一部にアモルファスシリコン膜を用いたが、ポリシリコン膜などの他のシリコン膜を用いることもできる。
【0053】
以上第1乃至第3の実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【0054】
100…単結晶シリコン基板、101…素子分離領域、102…ハフニウムを含むゲート絶縁膜、103…TiN膜、104…アモルファスシリコン膜、105…アモルファスシリコン膜、106…シリコン窒化膜、107…シリコン窒化膜、108…浅い拡散層、109…シリコン酸化膜、110…シリコン窒化膜、111…深い拡散層、112…シリコン窒化膜、113…シリサイド層、114…第1の層間膜、115…コンタクト、116…第2の層間膜、117…Cu配線、118…アモルファスシリコン膜、119…TiON膜。
【技術分野】
【0001】
本発明は、シリコン膜と金属膜との積層構造のゲート電極を有するMIS型トランジスタと、高抵抗素子とを集積化した半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ロジックデバイスにおける高抵抗素子の材料としては、ポリシリコン(Poly-Si)が広く用いられている。ポリシリコン膜で形成した抵抗素子は、MIS型トランジスタのゲート電極と同じレイヤーのポリシリコン膜で形成可能である。しかも、不純物濃度を制御することで抵抗値を自由に設定でき、且つ比較的容易に高抵抗値(800Ω/□以上)を実現できる。
【0003】
しかしながら、近年はゲート遅延を低減して動作速度の高速化を図るために、MIS型トランジスタのゲート電極に金属材料が用いられるようになっている(例えば特許文献1参照)。メタルゲート電極の世代になると、ゲート電極の抵抗値が低いため、高抵抗素子をゲート電極と同じレイヤーで形成するのは困難である。また、金属とポリシリコンを積層した構造(MIPS: Metal Inserted Poly-Si Stack)で、薄膜(10nm以下)のメタルゲート電極であっても、ゲート電極と同じレイヤーを用いて十分に高い抵抗値を実現することはできない。
【0004】
このため、MIS型トランジスタと高抵抗素子とを別の工程で形成するか、MIPS構造の抵抗素子を形成した後、金属層を除去して高抵抗化しなければならない。この金属層を除去する工程は非常に煩雑であり、製造工程数の増加は歩留まりの低下を招く恐れもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2005−150178号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、メタルゲート電極を有するMIS型トランジスタと高抵抗素子とを容易に集積化でき、製造工程数の増加と歩留まりの低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様によると、素子分離領域を形成した基板の主表面上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、前記ゲート絶縁膜上に金属膜を成膜する工程と、前記金属膜上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜と前記金属膜をパターニングして、素子領域に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなるMIS型トランジスタのゲート電極、及び前記素子分離領域上に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなる高抵抗素子を形成する工程と、前記ゲート電極の側壁に耐酸化性の絶縁膜を形成する工程と、前記高抵抗素子の前記金属膜を酸化する工程と、前記MIS型トランジスタの拡散層を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法が提供される。
【0008】
また、本発明の他の一態様によると、金属膜と前記金属膜上に形成された第1のシリコン膜との積層構造からなるゲート電極を有するMIS型トランジスタと、前記金属膜の酸化膜と前記酸化膜上に形成された第2のシリコン膜との積層構造からなる高抵抗素子とを具備する半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、メタルゲート電極を有するMIS型トランジスタと高抵抗素子とを容易に集積化でき、製造工程数の増加と歩留まりの低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第1の工程断面図。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第2の工程断面図。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第3の工程断面図。
【図4】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第4の工程断面図。
【図5】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程を示す第5の工程断面図。
【図6】TiN膜の比抵抗及びシリコン膜とTiN積層膜のシート抵抗値の酸化温度依存性との関係を示す図。
【図7】本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の形成工程の一部を示すパターン平面図及び断面図。
【図8】本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の一部の形成工程を示す工程断面図。
【図9】本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の図14に続く形成工程を示す工程断面図。
【図10】本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の図15に続く形成工程を示す工程断面図。
【図11】本発明に至る前段階の半導体装置の製造方法の形成工程を示す第1の工程断面図。
【図12】本発明に至る前段階の半導体装置の製造方法の形成工程を示す第2の工程断面図。
【図13】本発明に至る前段階の半導体装置の製造方法の形成工程を示す第3の工程断面図。
【図14】本発明に至る前段階の半導体装置製造方法の形成工程を示す第4の工程断面図。
【図15】本発明に至る前段階の半導体装置製造方法の形成工程を示す第5の工程断面図。
【図16】本発明に至る前段階の半導体装置製造方法の形成工程を示す工程第6の断面図。
【発明を実施するための形態】
【0011】
まず、本発明に至る前段階の技術について図11乃至図16により説明する。図11乃至図16はそれぞれ、メタルゲート電極を有するMIS型トランジスタと高抵抗素子の形成工程を順次示す工程断面図である。
【0012】
はじめに、図11に示すように、半導体基板、例えば単結晶シリコン基板100の主表面に、STI構造の素子分離領域101を形成する。本例では、素子分離領域101を形成した領域は高抵抗素子を形成する受動素子領域(Passive)になり、素子分離領域101を形成しない素子領域はトランジスタ領域(Tr.)になる。次に、上記単結晶シリコン基板100上に、例えば有機ソースを用いた化学的気相成長(CVD)法により、ハフニウムを含む膜厚2nm程度のゲート絶縁膜102を形成する。その上に、金属電極として、例えばスパッタ法によりTiN膜103を5nmの膜厚で成膜し、さらにアモルファスシリコン膜104を膜厚10nmで堆積形成する。
【0013】
次いで、図12に示すように、受動素子領域のアモルファスシリコン膜104、TiN膜103及びゲート絶縁膜102を除去する。
【0014】
引き続き、図13に示すように、上記アモルファスシリコン膜104及び露出された素子分離領域101上に、アモルファスシリコン膜105を膜厚60nmで堆積形成した後、その上にシリコン窒化膜106を膜厚70nmで堆積形成する。
【0015】
そして、シリコン窒化膜106をパターニングし、このパターニングしたシリコン窒化膜106をマスクに用いて、例えば30nmのゲート幅パターンにアモルファスシリコン膜105,104及びTiN膜103を異方性エッチングし、ゲート電極を形成する。この際、素子分離領域101上のアモルファスシリコン膜105を異方性エッチングして高抵抗素子を形成する。さらに、例えば異方性エッチングもしくは希釈HF処理により、ゲート電極の周辺の基板100上のハフニウムを含むゲート絶縁膜102を除去する。
【0016】
次いで、図14に示すように、全面にシリコン窒化膜107を堆積形成した後、このシリコン窒化膜107のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分をシリコン窒化膜107で覆う構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入を行い、加熱処理を施すことによって、MIS型トランジスタのエクステンション領域としての浅い拡散層108を形成する。
【0017】
引き続き、全面にシリコン酸化膜109及びシリコン窒化膜110を堆積形成した後、このシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分にシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110を残存させてスペーサ構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入し、加熱処理を施すことによってMIS型トランジスタのソース、ドレイン領域としての深い拡散層111を形成する。
【0018】
次に、図15に示すように、シリコン窒化膜112を全面に成膜した後、トランジスタ領域のシリコン窒化膜112を、例えばドライエッチングにより除去する。次いで、例えばNi膜(10nm)を全面に堆積形成し、350℃の温度で30秒程度の加熱処理を行い、Niとシリコンを反応させた後、未反応Ni膜を例えば硫酸と過酸化水素水の混合液により除去する。そして、500℃の温度で30秒程度の加熱処理を行う。このとき、ゲート電極上と拡散層108上にシリサイド層113が形成される。
【0019】
この際、高抵抗素子部分は、シリコン窒化膜112で被覆されているため、シリサイド層は形成されない。このように選択的なシリサイデーションを行う理由は、シリサイドの比抵抗が18μΩ・cm程度と低いため、高抵抗素子上に形成すると抵抗値が低くなり過ぎるからである。この高抵抗素子部分へは、必要に応じて不純物を導入し、抵抗値を不純物濃度で設定する。
【0020】
この後、図16に示すように、全面に第1の層間膜114を形成する。この第1の層間膜114に所望のコンタクトパターンを形成し、コンタクトパターンの内部に例えばTi/TiN/W膜を埋め込み、CMP法により平坦化することにより、コンタクト115を形成する。次いで、上記第1の層間膜114上に第2の層間膜116を堆積形成し、所望の溝パターンを形成した後、TaN/Cu膜を埋め込んでCMP法によって平坦化することにより、コンタクト115に電気的に接続されたCu配線117を形成する。
【0021】
上述したような製造工程によって、トランジスタ領域にTiN膜103とアモルファスシリコン膜104,105との積層構造のゲート電極を有するメタルゲートトランジスタを形成し、受動素子領域にアモルファスシリコン膜105からなる高抵抗素子を形成する。
【0022】
ここで、上記図12に示した工程において受動素子領域のTiN膜103を除去した理由を述べる。
【0023】
ポリシリコンゲートトランジスタは、ゲート電極が単層のポリシリコン膜であるため、高抵抗素子にゲート電極と同じ単層のポリシリコン膜を用い、そのポリシリコン膜中の不純物濃度を制御することで所望の抵抗値が得られる。
【0024】
一方、メタルゲートトランジスタでは、ゲート電極が金属とシリコン膜の積層構造であるため、同じ構造で高抵抗素子を形成すると、抵抗素子の抵抗値が非常に低くなってしまう。これは、抵抗値がシリコン膜中の不純物濃度では決まらずに金属部分でほぼ決まってしまうからである。それゆえ、高抵抗を実現するためには、図12に示したように金属膜を除去しなければならない。この金属膜を除去する工程は煩雑であり、且つ工程数増加による歩留まり低下の恐れがある。
【0025】
そこで、本発明の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法では、シリコン膜と金属膜との積層構造のゲート電極と、シリコン膜と金属膜との積層構造の高抵抗素子を同一工程で形成し、高抵抗素子の金属膜を側壁から酸化して絶縁膜化あるいは高抵抗化している。
【0026】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
まず、図1に示すように、半導体基板、例えば単結晶シリコン基板100の主表面に、STI構造の素子分離領域101を形成する。素子分離領域101を形成しない領域はトランジスタ領域(Tr.)であり、素子分離領域101を形成した領域が受動素子領域(Passive)になる。この単結晶シリコン基板100上に、例えば有機ソースを用いた化学的気相成長(CVD)法により、ハフニウムを含む膜厚2nm程度のゲート絶縁膜102を形成する。このゲート絶縁膜102上に、金属電極として、例えばスパッタ法によりTiN膜103を5nmの膜厚で成膜し、さらにアモルファスシリコン膜118を膜厚70nmで堆積形成する。その上に、シリコン窒化膜106を膜厚70nmで堆積形成する。
【0027】
次に、図2に示すように、シリコン窒化膜106をパターニングし、このパターニングしたシリコン窒化膜106をマスクに用いて、アモルファスシリコン膜118とTiN膜103を、例えば30nmのゲート幅パターンと高抵抗素子のパターンに異方性エッチングし、ゲート電極と高抵抗素子を形成する。さらに、例えば異方性エッチングもしくは希釈Hf処理により基板100上のハフニウムを含むゲート絶縁膜102を除去する。
【0028】
次いで、全面にシリコン窒化膜107を堆積形成した後、このシリコン窒化膜107のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分をシリコン窒化膜107で覆う構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入を行い、加熱処理を施すことによって、MIS型トランジスタのエクステンション領域としての浅い拡散層(第1の拡散層)108を形成する。
【0029】
引き続き、全面にシリコン酸化膜109及びシリコン窒化膜110を堆積形成した後、シリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分にシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110を残存させてスペーサ構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入し、加熱処理を施すことによってMIS型トランジスタのソース、ドレイン領域としての深い拡散層(第2の拡散層)111を形成する。この拡散層111の不純物濃度は、上記拡散層108の不純物濃度よりも高くする。
【0030】
この後、受動素子領域のシリコン窒化膜110、シリコン酸化膜109及びシリコン窒化膜107を除去し、TiN膜103の側面を露出させる。そして、TiN膜103を400℃の温度で1時間の条件で酸化することで、図3に示すようにTiON膜119を形成する。TiN膜を含め金属膜は低温でも十分酸化され、その抵抗が上昇することが知られている。
【0031】
次に、図4に示すように、シリコン窒化膜112を全面に成膜した後、トランジスタ領域のシリコン窒化膜112を、例えばドライエッチングにより除去する。次いで、例えばNi膜(10nm)を全面に堆積形成し、350℃の温度で30秒程度の加熱処理を行い、Niとシリコンを反応させる。その後、未反応Ni膜を例えば硫酸と過酸化水素水の混合液により除去する。そして、500℃の温度で30秒程度の加熱処理を行う。このとき、ゲート電極(アモルファスシリコン膜118)上と拡散層108上にシリサイド層113が形成される。
【0032】
この際、高抵抗素子部分は、シリコン窒化膜112で被覆されているため、シリサイド層は形成されない。このように選択的なシリサイデーションを行う理由は、シリサイドの比抵抗が18μΩ・cm程度と低いため、高抵抗素子上に形成すると抵抗値が低くなり過ぎるからである。この高抵抗素子部分へは、必要に応じて不純物を導入し、抵抗値を不純物濃度で設定する。
【0033】
この後、図5に示すように、全面に第1の層間膜114を形成する。この第1の層間膜114に所望のコンタクトパターンを形成し、コンタクトパターンの内部に例えばTi/TiN/W膜を埋め込み、CMP法により平坦化することにより、コンタクト115を形成する。次いで、上記第1の層間膜114上に第2の層間膜116を堆積形成し、所望の溝パターンを形成した後、TaN/Cu膜を埋め込んでCMP法によって平坦化することにより、コンタクト115に電気的に接続されたCu配線117を形成する。
【0034】
上述したような製造工程によって、トランジスタ領域にアモルファスシリコン膜118とTiN膜103との積層構造のゲート電極を有したメタルゲートトランジスタを形成し、受動素子領域にアモルファスシリコン膜118とTiON膜119との積層構造の高抵抗素子を形成する。ここで、上記TiON膜119は絶縁膜であるので、高抵抗素子の抵抗値は実質的にアモルファスシリコン膜118の抵抗値で決定され、このアモルファスシリコン膜118の抵抗値はその不純物濃度で設定されることになる。
【0035】
図6は、TiN膜の比抵抗の酸化温度依存性との関係、及びシリコン膜とTiN膜との積層膜のシート抵抗値と酸化温度依存性との関係を示している。酸化処理を施さない場合、TiN膜の比抵抗は200μΩ・cm程度である。積層膜のシート抵抗値はTiN膜とシリコン膜の抵抗が並列接続されたものであり、TiN膜の比抵抗が低い場合には積層膜のシート抵抗値は、シリコン膜の抵抗が高くてもTiN膜でほぼ決まってしまう。例えば、シリコン膜単層の抵抗率が1×103μΩ・cm以下であった場合、図6に示すように合成のシート抵抗値は500Ω/□以下となってしまうので高抵抗素子としては使えない。
【0036】
しかし、酸化温度を300℃程度まで上げると、その比抵抗は1×103μΩ・cmを越えるため、積層膜のシート抵抗はシリコン膜単層の半分程度まで上昇する。さらに、酸化温度を400℃まで上げると、TiN膜の比抵抗が1×104μΩ・cm程度まで上昇し、TiN膜の抵抗はシリコン膜に比べ無視し得る値となる。ここで少なくともシリコン膜単層程度の値、例えば700Ω/□を達成できれば高抵抗素子として機能する。
【0037】
[第2の実施形態]
図7(a),(b)はそれぞれ、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明するためのもので、図3に示した工程に対応する平面図及び断面図である。図3に示した工程において、TiN膜103を酸化してTiON膜119を形成する際に、側壁から酸化を進行させるため、高抵抗素子のパターン幅が広い場合には長い熱処理時間が必要になる。
【0038】
そこで、本第2の実施形態では、酸化の進行を促進するために、高抵抗素子のパターンを分割し、幅の狭い複数(本例では3つ)の抵抗素子のパターンを並列接続したパターン構成にしたものである。他の基本的な構成並びに製造方法は第1の実施形態と同様であるので詳細な説明は省略する。
【0039】
このような構成並びに製造方法であっても上記第1の実施形態と同様な作用効果が得られる。また、TiN膜103を酸化してTiON膜119−1,119−2,119−3を形成する際の熱処理時間を短縮できる。
【0040】
[第3の実施形態]
図8乃至図10はそれぞれ、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明するためのもので、図1に示した構成から図2に示した構成に至るまでの製造工程を順次示す断面図である。本第3の実施形態では、MIS型トランジスタのソース、ドレイン領域のための拡散層111の形成前に、TiN膜103を絶縁膜化(TiON膜化)するための側壁酸化を行っている。
【0041】
すなわち、図1に示したように、単結晶シリコン基板100上に、例えば有機ソースを用いた化学的気相成長(CVD)法により、ハフニウムを含む膜厚2nm程度のゲート絶縁膜102を形成する。このゲート絶縁膜102上に、金属電極として、例えばスパッタ法によりTiN膜103を5nmの膜厚で成膜し、さらにアモルファスシリコン膜118を膜厚70nmで堆積形成する。その上に、シリコン窒化膜106を膜厚70nmで堆積形成する。
【0042】
次に、シリコン窒化膜106をパターニングし、このパターニングしたシリコン窒化膜106をマスクに用いて、例えば30nmのゲート幅パターンと高抵抗素子のパターンにアモルファスシリコン膜118及びTiN膜103を異方性エッチングし、ゲート電極と高抵抗素子を形成する。さらに、例えば異方性エッチングもしくは希釈Hf処理により基板100上のハフニウムを含むゲート絶縁膜102を除去する。
【0043】
次いで、図8に示すように全面にシリコン窒化膜107を堆積形成した後、このシリコン窒化膜107のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分をシリコン窒化膜107で覆う構造にする。
【0044】
その後、受動素子領域のシリコン窒化膜107を除去し、図9に示すようにTiN膜103の側面を露出させる。この状態でTiN膜103を、例えば400℃の温度で1時間の条件で酸化することでTiON膜119を形成する。
【0045】
続いて、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入を行い、加熱処理を施すことによって、図10に示すようにMIS型トランジスタのエクステンション領域としての浅い拡散層108を形成する。
【0046】
引き続き、全面にシリコン酸化膜109及びシリコン窒化膜110を堆積形成した後、このシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110のエッチバックを行い、電極パターンと高抵抗素子の側壁部分にシリコン酸化膜109とシリコン窒化膜110を残存させてスペーサ構造にする。さらに、基板100の主表面に電極パターン越しにイオン注入し、加熱処理を施すことによってMIS型トランジスタのソース、ドレイン領域としての深い拡散層111を形成する。
【0047】
以後の製造方法は第1の実施形態における図3乃至図5に示した工程と同様であるので詳細な説明は省略する。
【0048】
このような構成並びに製造方法であっても上記第1の実施形態と同様な作用効果が得られる。
【0049】
以上のように、本発明の各実施形態では、受動素子領域にメタルゲート電極と同一工程で形成した積層構造の高抵抗素子のみを酸素雰囲気中に曝して金属膜を酸化することで、金属膜を除去せずに絶縁膜化または高抵抗化する。これによって、金属膜を除去する工程を入れずとも高抵抗素子を実現することが可能であり、且つ複雑な製造工程を必要としない。この結果、高抵抗素子の形成に係る工程数を大幅に削減することが可能となる。
【0050】
なお、上記第1乃至第3の実施形態では、金属膜を絶縁膜化または高抵抗化する際に熱酸化処理を用いたがプラズマ酸化を用いても良い。プラズマ酸化を用いると比較的低い温度(例えば200℃程度)で金属膜を酸化できるので他への影響(熱によるダメージ)を少なくできる。例えば拡散層の形成時には500℃程度、シリサイド層の形成時には400℃程度の熱処理が実施されるが、プラズマ酸化であればこれらの熱工程への影響はほとんどない。従って、エクステンション領域、ソース、ドレイン拡散層、及びシリサイド層の形成工程のいずれの工程の前後であっても金属膜を絶縁膜化または高抵抗化する工程を実施できる。
【0051】
また、TiN膜を金属電極として用いたが、IVa族(Ti、Zr、Hf)、Va族(V、Nb、Ta)であれば同様な効果が得られる。同様に、上記IVa族、Va族の窒化物や炭化物、またはIVa族、Va族とAlもしくはSiの合金、さらには、IVa族、Va族とAlもしくはSiの合金の窒化物や炭化物でも良い。
【0052】
さらに、ゲート絶縁膜102の材料としてハフニウム系の酸化膜を用いたが、ハフニウム系酸化膜以外に、例えば、Zr、Ti、Ta、Al、Sr、Y、La等の酸化物、もしくはZrSixOyなどそれら元素とシリコンの酸化物でも良く、それら酸化物の積層膜でも良いのは勿論である。ゲート電極の一部にアモルファスシリコン膜を用いたが、ポリシリコン膜などの他のシリコン膜を用いることもできる。
【0053】
以上第1乃至第3の実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【0054】
100…単結晶シリコン基板、101…素子分離領域、102…ハフニウムを含むゲート絶縁膜、103…TiN膜、104…アモルファスシリコン膜、105…アモルファスシリコン膜、106…シリコン窒化膜、107…シリコン窒化膜、108…浅い拡散層、109…シリコン酸化膜、110…シリコン窒化膜、111…深い拡散層、112…シリコン窒化膜、113…シリサイド層、114…第1の層間膜、115…コンタクト、116…第2の層間膜、117…Cu配線、118…アモルファスシリコン膜、119…TiON膜。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
素子分離領域を形成した基板の主表面上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜上にシリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン膜と前記金属膜をパターニングして、素子領域に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなるMIS型トランジスタのゲート電極、及び前記素子分離領域上に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなる高抵抗素子を形成する工程と、
前記ゲート電極の側壁に耐酸化性の絶縁膜を形成する工程と、
前記高抵抗素子の前記金属膜を酸化する工程と、
前記MIS型トランジスタの拡散層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記金属膜の酸化後、前記高抵抗素子の上面及び側面上に保護膜を形成する工程と、
前記ゲート電極及び拡散層上にシリサイド層を形成する工程と、
を更に具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記金属膜の酸化は、プラズマ酸化により行われることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
金属膜と前記金属膜上に形成された第1のシリコン膜との積層構造からなるゲート電極を有するMIS型トランジスタと、
前記金属膜の酸化膜と前記酸化膜上に形成された第2のシリコン膜との積層構造からなる高抵抗素子とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
前記第2のシリコン膜の不純物濃度は、前記第1のシリコン膜の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
【請求項1】
素子分離領域を形成した基板の主表面上にゲート絶縁膜を成膜する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜上にシリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン膜と前記金属膜をパターニングして、素子領域に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなるMIS型トランジスタのゲート電極、及び前記素子分離領域上に前記シリコン膜と前記金属膜の積層構造からなる高抵抗素子を形成する工程と、
前記ゲート電極の側壁に耐酸化性の絶縁膜を形成する工程と、
前記高抵抗素子の前記金属膜を酸化する工程と、
前記MIS型トランジスタの拡散層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記金属膜の酸化後、前記高抵抗素子の上面及び側面上に保護膜を形成する工程と、
前記ゲート電極及び拡散層上にシリサイド層を形成する工程と、
を更に具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記金属膜の酸化は、プラズマ酸化により行われることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
金属膜と前記金属膜上に形成された第1のシリコン膜との積層構造からなるゲート電極を有するMIS型トランジスタと、
前記金属膜の酸化膜と前記酸化膜上に形成された第2のシリコン膜との積層構造からなる高抵抗素子とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
前記第2のシリコン膜の不純物濃度は、前記第1のシリコン膜の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【公開番号】特開2010−165786(P2010−165786A)
【公開日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−5846(P2009−5846)
【出願日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
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