放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器、および放射線画像生成システム
【課題】１回のダーク読取で有効なオフセット補正値を得ることが可能な放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器および放射線画像生成システムを提供する。
【解決手段】２次元状に配置された複数の光電変換素子１４の出力値を読み取る放射線画像検出器１を用いた画像生成方法であって、被写体を撮影した各光電変換素子１４の出力値を読み取る被写体撮影ステップＳ１と、被写体撮影ステップＳ１の前や後に少なくとも１回のダーク読取を行うダーク読取ステップＳ２と、ある光電変換素子１４のダーク読取値Ｄと当該光電変換素子１４と類似の特性関係にある他の光電変換素子１４の各ダーク読取値Ｄとに基づいて当該光電変換素子１４に対するオフセット補正値Ｏを算出する補正値算出ステップＳ３と、被写体を撮影した出力値からオフセット補正値Ｏを差し引いて画像データＩを生成する画像データ生成ステップＳ４とを有する。
【解決手段】２次元状に配置された複数の光電変換素子１４の出力値を読み取る放射線画像検出器１を用いた画像生成方法であって、被写体を撮影した各光電変換素子１４の出力値を読み取る被写体撮影ステップＳ１と、被写体撮影ステップＳ１の前や後に少なくとも１回のダーク読取を行うダーク読取ステップＳ２と、ある光電変換素子１４のダーク読取値Ｄと当該光電変換素子１４と類似の特性関係にある他の光電変換素子１４の各ダーク読取値Ｄとに基づいて当該光電変換素子１４に対するオフセット補正値Ｏを算出する補正値算出ステップＳ３と、被写体を撮影した出力値からオフセット補正値Ｏを差し引いて画像データＩを生成する画像データ生成ステップＳ４とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器、および放射線画像生成システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数の放射線検出素子（例えばフォトダイオード等の光電変換素子）を２次元状に配置して構成される放射線画像検出器（ＦＰＤ（Flat Panel Detector）ともいい、以下、ＦＰＤという。）においては、一般的に、ゲイン補正およびオフセット補正（ダーク（dark）読取補正等ともいう。）を行う必要があることが知られている。ゲイン補正は、一般的にはＦＰＤに放射線を照射して行われ、キャリブレーションとも呼ばれる。ゲイン補正は、ＦＰＤの施設への導入時等に、被写体がない状態で放射線発生装置からＦＰＤに放射線を照射し、被写体のない撮影画像の読み取りを実行することで算出される。
【０００３】
一方、オフセット補正は、放射線画像撮影の前または後に、放射線を照射しない状態での各放射線検出素子からの出力値（以下、ダーク読取値という。）をオフセット補正値として算出して、実際に被写体を透過してきた放射線による画像データ（実写画像データ）からオフセット補正値を差し引くこと（サブトラクション処理）で、撮影画像が補正される。
【０００４】
これは、放射線検出素子や信号読み出し用のスイッチ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等の各素子の温度特性影響や特性ばらつき、前回の放射線照射（撮影）に起因する残留電位影響等を相殺して、撮影画像におけるムラを除去するために行われるものである。なお、オフセット補正値の算出は、上記のように放射線画像撮影ごとに行われる場合もあるが、予め算出されたオフセット補正値を記憶手段等から取得して行われる場合もある。後者の場合、通常、上記のゲイン補正よりも短い所定の周期で行われる。
【０００５】
また、オフセット補正値を算出する際、各放射線検出素子からの１回のダーク読取値のみに基づいて算出すると、ダーク読取値に含まれるノイズ等の誤差要因の影響で誤差が大きくなってしまう。そのため、ダーク読取を複数回行い、それらの平均値をオフセット補正値として採用することも多い（例えば、特許文献１〜３等参照）。
【０００６】
このようなオフセット補正をはじめとする補正処理や、諧調処理等の画像処理は、従来から、撮影装置とは異なる画像処理プロセッサやコンソール等の処理装置で行われることが多い（例えば、特許文献４等参照）。
【０００７】
一方、近年、バッテリを内蔵し、ケーブルを介さずに無線方式により外部の処理装置等との間で画像データ等の送受信を行うポータブルのＦＰＤが開発されている（例えば、特許文献５等参照）。
【特許文献１】米国特許第５４５２３３８号明細書
【特許文献２】米国特許第６２２２９０１号明細書
【特許文献３】米国特許第７０４１９５５号明細書
【特許文献４】特開平１１−１１３８８９号公報
【特許文献５】特開平７−１４０２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ダーク読取を複数回行ってそれらの平均値をオフセット補正値として算出するように構成した場合、ＦＰＤからケーブル等を用いた有線方式或いは無線方式でダーク読取値を外部の処理装置に送信する際、ダーク読取値を送信するごとに電力を消費してしまう。また、全てのダーク読取値を送信し終わるまでの時間が長くなってしまう。
【０００９】
特に、バッテリ内蔵で無線方式のポータブルのＦＰＤを用いる場合、複数のダーク読取値を無線通信する際に、ダーク読取および無線通信のたびに内蔵バッテリの電力が用いられるため、内蔵バッテリが消耗し、充電サイクルが短くなるという新たな問題が生じる。
【００１０】
また、ピクセル（画素）サイズが１５０〜２００μｍで半切サイズ（１４インチ×１７インチ）相当の読み取り領域を有するＦＰＤの場合、１回のダーク読取時間は１秒未満であるが、そのダーク読取値の送信には数秒を要する（ダーク読取値が１０ＭＢで送信レートが１０Ｍｂｐｓの場合、送信時間は８秒）。しかも、ノイズ混入の抑制の観点から、ダーク読取値の送信中は、通常、次のダーク読取を行うことが回避される。
【００１１】
そのため、１回のダーク読取値の送信が完了した後に、次のダーク読取を行わざるを得ず、平均値としてオフセット補正値を算出するために必要なダーク読取値の全データが揃うまでにかなりの時間を要してしまう。そして、ダーク読取とダーク読取値の送信で電力を消費し、それが繰り返されるため、内蔵バッテリの消耗が著しくなり、バッテリ内蔵と無線方式の採用によるＦＰＤのポータブル化のメリットを十分に発揮できなくなる恐れがあった。
【００１２】
本発明は、以上のような課題を解決するためになされたものであり、１回のダーク読取で有効なオフセット補正値を得ることが可能な放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器および放射線画像生成システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像検出器を用いた画像生成方法は、
複数の放射線検出素子を２次元状に配置したセンサパネル部と、前記センサパネル部の前記各放射線検出素子の出力値を読み取る読取部とを備える放射線画像検出器を用いた画像生成方法であって、
被写体を透過した放射線に基づく前記各放射線検出素子の出力値を読み取る被写体撮影ステップと、
前記被写体撮影ステップの前または後に、少なくとも１回のダーク読取を行うダーク読取ステップと、
前記ダーク読取により得られた一の前記放射線検出素子のダーク読取値と、当該一の放射線検出素子と予め類似の特性関係にあると定められた他の放射線検出素子の各ダーク読取値とに基づいて、当該一の放射線検出素子に対するオフセット補正値を算出し、前記各放射線検出素子に対する前記オフセット補正値を算出する補正値算出ステップと、
前記被写体撮影ステップで読み取られた前記各放射線検出素子の出力値から、前記補正値算出ステップで前記各放射線検出素子について算出された前記各オフセット補正値をそれぞれ差し引いて、前記各放射線検出素子の前記被写体に対応する画像データを生成する画像データ生成ステップと、
を有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の放射線画像検出器は、
本発明の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を実行するための放射線画像検出器であって、
前記複数の放射線検出素子を２次元状に配置した前記センサパネル部と、
前記センサパネル部の前記各放射線検出素子の出力値を読み取る前記読取部と、
前記放射線検出素子に関する前記特性関係の情報が記憶された記憶手段と、
前記被写体撮影ステップ、前記ダーク読取ステップ、前記補正値算出ステップおよび前記画像データ生成ステップを実行し、前記補正値算出ステップでは前記記憶手段から前記特性関係の情報を読み出して前記特性関係の情報に基づいて前記各放射線検出素子の前記オフセット補正値を算出する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１５】
さらに、本発明の放射線画像生成システムは、
本発明の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を実行するための放射線画像生成システムであって、
前記複数の放射線検出素子を２次元状に配置した前記センサパネル部と、前記センサパネル部の前記各放射線検出素子の出力値を読み取る前記読取部と、前記ダーク読取値を含む前記各放射線検出素子の出力値の取得を行うように前記読取部を制御する制御手段と、前記ダーク読取値を含む前記各放射線検出素子の出力値を送信する通信手段と、を備える放射線画像検出器と、
前記放射線画像検出器から前記ダーク読取値を含む前記各放射線検出素子の出力値を取得して前記被写体に対応する画像データを生成するコンソールと、
前記放射線検出素子に関する前記特性関係の情報と、前記放射線画像検出器のＩＤとを対応付けて記憶する記憶手段を備えるサーバ手段と、
を備え、
前記コンソールと前記サーバ手段とはネットワーク接続されており、
前記コンソールは、前記放射線画像検出器から前記ダーク読取値を含む前記各放射線検出素子の出力値および前記ＩＤが送信されると、前記ＩＤに基づいて前記サーバ手段から前記ＩＤに対応付けられた前記放射線検出素子に関する前記特性関係の情報を入手し、前記ダーク読取値および前記特性関係の情報に基づいて前記放射線画像検出器の前記各放射線検出素子の前記オフセット補正値を算出して、前記被写体に対応する画像データを生成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のような方式の放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器、および放射線画像生成システムによれば、放射線画像撮影の前または後にダーク読取を１回（または少数回）行うだけで、放射線画像検出器の各放射線検出素子についてそれぞれ有効なオフセット補正値を取得することが可能となるため、例えば放射線画像検出器（ＦＰＤ）からダーク読取値を送信する場合、ダーク読取値の読取回数および送信回数が１回（または少数回）で済む。そのため、ダーク読取値の読取および送信に要する電力消費を低減させることが可能となるとともに、全てのダーク読取値を送信し終わるまでの送信時間の短縮を図ることが可能となる。
【００１７】
特に、放射線画像検出器がバッテリ内蔵型であり、ダーク読取値を無線通信するような場合でも、読取および送信が１回（または少数回）で済むため、読取および送信に要する電力消費が低減されて内蔵バッテリの消耗を防止することが可能となる。また、各放射線検出素子について、従来方式と同等の有効なオフセット補正値がそれぞれ取得されるため、良好な画像データを得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器、および放射線画像生成システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の図示例のものに限定されるものではない。
【００１９】
［放射線画像検出器の基本的な構成］
まず、以下の放射線画像検出器を用いた画像生成方法の説明において必要となる放射線画像検出器の基本的な構成について説明する。
【００２０】
放射線画像検出器（ＦＰＤ）１は、図１に示すように、内部を保護する筐体２を備えており、筐体２の内部には、照射された放射線を光に変換するシンチレータ層３が形成されている。シンチレータ層３は、例えばＣｓＩ：ＴｌやＣｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ａｇ等の母体内に発光中心物質が付活された蛍光体を用いて形成されたものを用いることができる。
【００２１】
シンチレータ層３の放射線が入射する側の面とは反対側の面側には、放射線検出素子として、シンチレータ層３から出力された光を電気信号に変換するフォトダイオード等の複数の光電変換素子が２次元状に配置されたセンサパネル部４が設けられている。２次元状に配置された各光電変換素子１４には、図３に示すように、行方向の位置ｍと列方向の位置ｎとからなる番号（ｍ，ｎ）がそれぞれ予め割り当てられている。なお、図３では、１６×８個の光電変換素子１４が記載されているが、これは簡略化して表現したものであり、実際にはさらに多くの光電変換素子１４が２次元状に配置されていてそれぞれ番号が割り当てられている。
【００２２】
また、図１に示すように、センサパネル部４の周囲の部分や裏面側には、センサパネル部４の各光電変換素子の出力値を読み取る読取部５が設けられている。読取部５は、マイクロコンピュータ等からなる制御手段６やＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ等からなる記憶手段７、走査駆動回路８、信号読み出し回路９等で構成されている。
【００２３】
また、放射線画像検出器１には、バッテリ１０が内蔵されており、制御手段６により、バッテリ１０から各部材への給電が制御されるようになっている。また、筐体２には、外部との通信およびバッテリ１０の充電用の端子１１や各種の操作状況等を表示するインジケータ１２、各種の指示等を入力設定するための入力操作部１３等が設けられている。
【００２４】
センサパネル部４および読取部５の構成についてさらに説明すると、図２の等価回路図に示すように、センサパネル部４の各光電変換素子１４の一方の電極にはそれぞれ信号読み出し用のスイッチ素子であるＴＦＴ１５のソース電極が接続されている。また、各光電変換素子１４の他方の電極にはバイアス線Ｌｂが接続されており、バイアス線Ｌｂはバイアス電源１６に接続されていて、バイアス電源１６から各光電変換素子１４にバイアス電圧が印加されるようになっている。
【００２５】
各ＴＦＴ１５のゲート電極はそれぞれ走査駆動回路８から延びる走査線Ｌｌに接続されており、各ＴＦＴ１５のドレイン電極はそれぞれ信号線Ｌｒに接続されている。各信号線Ｌｒは、それぞれ信号読み出し回路９内の増幅回路１７に接続されており、各増幅回路１７の出力線はそれぞれサンプルホールド回路１８を経てアナログマルチプレクサ１９に接続されている。また、アナログマルチプレクサ１９にはＡ／Ｄ変換機２０が接続されており、信号読み出し回路９はＡ／Ｄ変換機２０を介して制御手段６に接続されている。制御手段６には、記憶手段７が接続されている。
【００２６】
放射線画像検出器１では、図示しない被写体を撮影する放射線画像撮影において、被写体を透過した放射線がシンチレータ層３に入射すると、シンチレータ層３からセンサパネル部４に光が照射され、光の照射を受けた量に応じて、光電変換素子１４の特性が変化する。
【００２７】
そして、放射線画像撮影を終了し、放射線画像検出器１から画像データを電気信号として読み出す際には、走査線ＬｌからＴＦＴ１５のゲート電極に読み出し電圧を印加して各ＴＦＴ１５のゲートを開き、光電変換素子１４からＴＦＴ１５を介して電気信号を信号線Ｌｒに取り出す。そして、電気信号を増幅回路１７で増幅する等して、アナログマルチプレクサ１９から順次Ａ／Ｄ変換機２０を介して制御手段６に出力し、制御手段６は、電気信号と前述した光電変換素子１４（すなわち画素）の番号（ｍ，ｎ）とを対応付けて記憶手段７に保存する。
【００２８】
ＴＦＴ１５に読み出し電圧を印加する走査線Ｌｌを順次走査して上記の読み出し処理を走査線Ｌｌごとに行うことで、センサパネル部４の全光電変換素子１４から電気信号をそれぞれ読み出し、各電気信号にそれぞれ画素の番号（ｍ，ｎ）を対応付けて画像データとして記憶手段７に保存するようになっている。
【００２９】
また、放射線画像検出器１では、ダーク読取においては、放射線を照射しない状態で、走査線ＬｌからＴＦＴ１５のゲート電極に読み出し電圧を印加して各ＴＦＴ１５のゲートを開き、光電変換素子１４からその状態で溜まった電荷（出力値）を信号線Ｌｒに取り出す。そして、上記と同様に、出力値を増幅回路１７で増幅する等してアナログマルチプレクサ１９から順次Ａ／Ｄ変換機２０を介して制御手段６に出力し、制御手段６で出力値と各画素の番号（ｍ，ｎ）とを対応付けて記憶手段７に保存する。
【００３０】
そして、ＴＦＴ１５に読み出し電圧を印加する走査線Ｌｌを順次走査して上記の読み出し処理を走査線Ｌｌごとに行うことで、センサパネル部４の全光電変換素子１４から上記状態における出力値をそれぞれ読み出し、各電気信号にそれぞれ画素の番号（ｍ，ｎ）を対応付けてダーク読取値として記憶手段７に保存するようになっている。
【００３１】
なお、上記のように、本実施形態では、シンチレータ層３で放射線を光に変換して光電変換素子１４で検出する、いわゆる間接型の放射線画像検出器１を用いる場合について説明したが、放射線画像検出器は、この他にも、シンチレータ層３を介さず光電変換素子１４で入射した放射線を直接電気信号に変換する、いわゆる直接型の放射線画像検出器を用いることも可能であり、その場合にも本発明を適用することが可能である。
【００３２】
また、後述するように、上記のように構成された本実施形態の放射線画像検出器１を用いて、放射線画像撮影の前または後に少なくとも１回のダーク読取が行われ、取得されたダーク読取値に基づいて各光電変換素子１４に対するオフセット補正値が算出されるようになっているが、このような個々の撮影用のオフセット補正値算出のためのダーク読取とは別に、放射線画像検出器１の各光電変換素子１４からの出力値特性変動把握のために、図４に示すように予め設定された所定の時間間隔をおいて定期的にダーク読取が行われるようになっている。そして、１回のダーク読取の読取タイミングでは、１回または連続して複数回（図４の例では１回の読取タイミングにつき３回）のダーク読取値の取得が行われるようになっている。
【００３３】
ダーク読取値は、各光電変換素子１４内部の熱等による統計的なゆらぎや、各光電変換素子１４からの出力値を読み取る読取部５内の増幅回路１７等におけるノイズ等による影響で、読み取られた出力値にゆらぎを生じる。そのため、各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてそれぞれ各回ごとに取得される各ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）をヒストグラムにまとめて表すと、図５に示すように、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は平均値μ（ｍ，ｎ）を中心として標準偏差σ（ｍ，ｎ）を有する正規分布状に分布する。
【００３４】
本実施形態では、図４に示した定期的なダーク読取を行うたびに、各光電変換素子（ｍ，ｎ）ごとに、過去の所定回数の読取タイミングにおけるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）（図４の例では過去４回の読取タイミングにおける全１２回分のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ））についてヒストグラムを作成して、平均値μ（ｍ，ｎ）を算出するようになっている。なお、この処理は、放射線画像検出器１で行ってもよく、或いは放射線画像検出器１からコンソール３２（図１６参照）等の外部の装置にダーク読取値を送信して外部装置で行ってもよい。
【００３５】
算出された各光電変換素子（ｍ，ｎ）のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の平均値μ（ｍ，ｎ）は、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の番号（ｍ，ｎ）に対応付けられて更新されて、放射線画像検出器１の記憶手段７或いは外部装置の記憶手段に保存されるようになっている。
【００３６】
［放射線画像検出器を用いた画像生成方法］
以下、本発明に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法の実施の形態について説明する。本発明では、撮影された画像データのオフセット補正に用いるオフセット補正値を得るためのダーク読取は、当該放射線画像撮影の前または後に少なくとも１回行われるようになっており、そのダーク読取によって取得されたダーク読取値に基づいて各光電変換素子（ｍ，ｎ）のオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するようになっている。
【００３７】
なお、以下では、放射線画像撮影の後にダーク読取を１回だけ行う場合について説明するが、ダーク読取は当該放射線画像撮影の前に行ってもよく、また、ダーク読取を複数回行うように構成することも可能である。
【００３８】
放射線画像検出器１を用いた画像生成は、図６に示すフローチャートに従って行われるようになっている。放射線画像検出器１を用いた画像生成方法は、被写体撮影ステップ（ステップＳ１）と、ダーク読取ステップ（ステップＳ２）と、補正値算出ステップ（ステップＳ３）と、画像データ生成ステップ（ステップＳ４）とを有している。
【００３９】
被写体撮影ステップ（ステップＳ１）では、放射線画像検出器１の放射線入射面Ｘ（図１参照）側に図示しない患者の手等の被写体部位を載置または接近させた状態で、図示しない放射線発生装置から放射線を照射する通常の放射線照射が行われるようになっている。
【００４０】
そして、信号読み取り操作により、各光電変換素子１４から出力値として電気信号が順次読み取られ、放射線画像検出器１の制御手段６により電気信号（すなわち被写体を撮影した放射線画像のrawデータ）と光電変換素子１４の番号（ｍ，ｎ）とが対応付けられて記憶手段７に保存される。
【００４１】
ダーク読取ステップ（ステップＳ２）では、続いて、前述したダーク読取が行われるようになっている。すなわち、放射線を照射しない状態で、放射線画像検出器１の各走査線Ｌｌに順次読み出し電圧を印加して各光電変換素子１４に溜まった電荷（出力値）を取り出し、上記と同様に、放射線画像検出器１の制御手段６によりそれらの出力値がそれぞれ各光電変換素子の番号（ｍ，ｎ）と対応付けられたダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）として記憶手段７に保存される。
【００４２】
後述する補正値算出ステップ（ステップＳ３）や画像データ生成ステップ（ステップＳ４）をコンソール３２等の外部装置で行う場合には、有線方式や無線方式によって、光電変換素子１４の番号（ｍ，ｎ）と対応付けられた各電気信号（放射線画像のrawデータ）やダーク読取値がそれぞれ放射線画像検出器１から外部装置に送信される。
【００４３】
補正値算出ステップ（ステップＳ３）では、各光電変換素子（ｍ，ｎ）のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）に基づいて、各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）が算出されるようになっている。本発明では、特に、ダーク読取値の特性が互いに類似する光電変換素子に着目し、それらから出力されるダーク読取値を用いて各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するように構成されている。以下、詳しく説明する。
【００４４】
図５に示したように、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）をヒストグラムに投票していくと、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は平均値μ（ｍ，ｎ）を中心として標準偏差σ（ｍ，ｎ）を有する正規分布状に分布する。しかし、平均値μ（ｍ，ｎ）や標準偏差σ（ｍ，ｎ）は、光電変換素子同士で必ずしも同様の値にはならず、実際には、例えば図７に示すように、各光電変換素子（ｍ，ｎ）で種々の値を取る。
【００４５】
そこで、本実施形態では、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を予め多数回出力させて図７に示したようなダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布を得ておき、その分布のばらつきの度合、すなわちダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）で評価されるばらつきの度合に基づいて、各光電変換素子（ｍ，ｎ）を複数のグループに予め分類しておくようになっている。
【００４６】
例えば、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）に大小２つの閾値σth１、σth２（σth１＜σth２）を設定する。そして、各光電変換素子（ｍ，ｎ）について予め取得したダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布に基づいて、図７に示した光電変換素子（ｍ２，ｎ２）の分布の標準偏差σ（ｍ２，ｎ２）のように、標準偏差σ（ｍ，ｎ）が閾値σth１以下となるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を出力する光電変換素子（ｍ，ｎ）が互いに類似の特性関係にあると定められて第１グループに分類される。
【００４７】
また、図７に示した光電変換素子（ｍ１，ｎ１）の分布の標準偏差σ（ｍ１，ｎ１）のように、標準偏差σ（ｍ，ｎ）が閾値σth１より大きく閾値σth２以下となるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を出力する光電変換素子（ｍ，ｎ）が互いに類似の特性関係にあると定められて第２グループに分類され、光電変換素子（ｍ３，ｎ３）の分布の標準偏差σ（ｍ３，ｎ３）のように、標準偏差σ（ｍ，ｎ）が閾値σth２より大きくなるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を出力する光電変換素子（ｍ，ｎ）が互いに類似の特性関係にあると定められて第３グループに分類される。このようにグループ分けを行うと、放射線画像検出器１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）は、例えば図８に示すように予め各グループにそれぞれ分類される。
【００４８】
なお、図８では、斜線を付して示される光電変換素子（１，４）、（２，２）等が第３グループに属しており、別の斜線を付して示される光電変換素子（３，５）、（５，４）等が第２グループに属しており、斜線が付されていない他の光電変換素子（ｍ，ｎ）が第１グループに属していることが表されている。
【００４９】
また、以上の説明では、各光電変換素子（ｍ，ｎ）をそのダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布のばらつきの度合を、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）で評価する場合について説明したが、分布の分散σ２（ｍ，ｎ）を用いて評価し、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布の分散σ２（ｍ，ｎ）に基づいて各光電変換素子（ｍ，ｎ）を複数のグループに予め分類しておくように構成することも可能である。
【００５０】
さらに、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）のばらつきの度合は、前述したように各光電変換素子自体や読取部５等に起因するものであるため、その分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）や分散σ２（ｍ，ｎ）が他の光電変換素子に比べて相対的に大きいとか小さいという特性は、時間的に変化しないと考えられる。そのため、前述した定期的なダーク読取の際に取得されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）に基づいて各光電変換素子（ｍ，ｎ）をグループ分けし直すように構成することも可能であるが、放射線画像検出器１が製造された段階で各光電変換素子（ｍ，ｎ）から複数回出力させたダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）に基づいて予めグループ分けを行っておけば十分である。
【００５１】
補正値算出ステップ（図６のステップＳ３）では、以上のようにして予め分類されたグループに基づいて、各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するようになっている。そして、オフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）の算出の際に、各光電変換素子（ｍ，ｎ）のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）と、当該光電変換素子（ｍ，ｎ）が属するグループと同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍ´，ｎ´）のダーク読取値Ｄ（ｍ´，ｎ´）を用いて、当該光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するようになっている。
【００５２】
同一のグループに属する各光電変換素子（ｍ，ｎ）は、上記のように分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）は互いに近接する値を有しているが、分布の平均値μ（ｍ，ｎ）は、図９に示すように必ずしも近接した値であるとは限らない。
【００５３】
そこで、本実施形態では、ある光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出する際に、同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…のダーク読取値Ｄ（ｍＢ，ｎＢ）、Ｄ（ｍＣ，ｎＣ）、…を、平均値μ（ｍ，ｎ）を用いて当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）のダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）にいわば引き寄せて、オフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出するようになっている。
【００５４】
すなわち、前述したように、定期的なダーク読取により各光電変換素子（ｍ，ｎ）ごとに過去の所定回数の読取タイミングにおけるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の各平均値μ（ｍ，ｎ）が算出されているから、まず、他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値の平均値μ（ｍＫ，ｎＫ）と当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）のダーク補正値の平均値μ（ｍＡ，ｎＡ）との差分ΔＫＡを下記（１）式に従ってそれぞれ算出する。
ΔＫＡ＝μ（ｍＫ，ｎＫ）−μ（ｍＡ，ｎＡ） …（１）
【００５５】
そして、前述したダーク読取ステップ（図６のステップＳ２）で１回のダーク読取で各光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）、（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…から読み出された各ダーク読取値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）、Ｄ（ｍＢ，ｎＢ）、Ｄ（ｍＣ，ｎＣ）、…は、図１０に示すように、それぞれ各光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）、（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…の分布内に検出された１点の値であるから、上記の差分ΔＫＡを用い、下記（２）式に従って、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）以外の他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内における値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）に変換する。
Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）＝Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）−ΔＫＡ …（２）
【００５６】
このように、他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内に移行させると、図１１に示すように、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内に、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）のダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）の各ダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）から変換された各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）が集まる。
【００５７】
そこで、本実施形態では、下記（３）式に従って、これらのダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）の平均値を算出することにより、算出された平均値を当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）として算出するようになっている。なお、下記（３）式において、Ｎは当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）が属するグループに属する光電変換素子の総数である。
Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）＝（Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）＋ΣＤ＊（ｍＫ，ｎＫ））／Ｎ …（３）
【００５８】
また、同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…についても、同様にして、他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を当該光電変換素子（ｍ，ｎ）の分布内における値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）に変換して平均値を算出することで、オフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出することが可能である。
【００５９】
しかし、ある光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）が算出されれば、同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…については、各オフセット補正値Ｏ（ｍＢ，ｎＢ）、Ｏ（ｍＣ，ｎＣ）、…は、算出された光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）に前記差分ΔＢＡ、ΔＣＡ、…をそれぞれ加えた値になる。そのため、本実施形態では、同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）に対する各オフセット補正値Ｏ（ｍＫ，ｎＫ）は、算出された光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）に基づいて下記（４）式に従ってそれぞれ算出されるようになっている。
Ｏ（ｍＫ，ｎＫ）＝Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）＋ΔＫＡ …（４）
【００６０】
また、他のグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）についても同様にして同一のグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）のダーク補正値Ｄ（ｍ，ｎ）と平均値μ（ｍ，ｎ）を用いてオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）が算出される。このようにして、全光電変換素子（ｍ，ｎ）のオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）が算出されるようになっている。
【００６１】
なお、本実施形態では、上記（３）式に従って、これらのダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）を単純平均してオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出する場合について説明したが、これに限定されず、例えば、図１１に示したようなダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）をヒストグラムにそれぞれ投票してヒストグラムに基づいて平均値を算出するように構成することも可能である。また、例えば、ダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）を所定の条件に基づいて加重平均してオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出するように構成することも可能である。
【００６２】
画像データ生成ステップ（図６のステップＳ４）では、前述した被写体撮影ステップ（ステップＳ１）で各光電変換素子（ｍ，ｎ）から読み取られた出力値すなわち放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）から、上記の補正値算出ステップ（ステップＳ３）で各光電変換素子（ｍ，ｎ）について算出された各オフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）をそれぞれ差し引いて、被写体が撮影された各光電変換素子（ｍ，ｎ）の画像データＩ（ｍ，ｎ）が生成されるようになっている。
【００６３】
次に、本実施形態に係る放射線画像検出器１を用いた画像生成方法の作用について説明する。本実施形態の画像生成方法の各ステップ（ステップＳ１〜Ｓ４）における各処理は、上記のとおりであり、説明を省略する。
【００６４】
前述したように、従来の画像生成においては、各光電変換素子（ｍ，ｎ）のオフセット補正を、１回のデータ読取におけるデータ読取値Ｄ（ｍ，ｎ）をオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）として行うとデータ読取値Ｄ（ｍ，ｎ）にノイズ等が含まれていて誤差を生じる可能性があるため、放射線画像撮影の前または後にダーク読取を複数回行い、それらの平均値をオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）として採用した。そして、このように平均化することで、ノイズ等の影響を希釈化して、良好なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を得た。
【００６５】
それに対し、本実施形態では、上記のように、ダーク読取ステップ（図６のステップＳ２）では被写体を撮影する放射線画像撮影の前または後にダーク読取を１回しか行わない。また、ダーク読取を複数回行うように構成するとしても、より誤差が少ないオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を得る場合に、放射線画像検出器１のバッテリ１０（図１参照）の電力を多大に消耗しない程度に２、３回行われるだけである。
【００６６】
本実施形態の場合にも、その１回（または少数回）のダーク読取で各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるデータ読取値Ｄ（ｍ，ｎ）にノイズ等が含まれている可能性はある。しかし、本実施形態では、前述したように、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の特性が互いに類似する光電変換素子（ｍ，ｎ）に着目して、それらを同一のグループに分類し、ある光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出する際に、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）と同一のグループに属する他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を例えば上記（２）式に従って当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内における値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）に変換して当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内に集め、例えば上記（３）式に従ってこれらのダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）の平均値を算出してオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）として算出する。
【００６７】
そのため、例えば図１２に示すように、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）のダーク読取値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）にノイズがのっていても、同一のグループに属する他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）から変換された各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）と平均化されることによりノイズ等の影響が希釈化され、良好なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を得ることができる。しかも、従来の画像生成における複数回のダーク読取の場合とは異なり、１回（または少数回）のダーク読取で良好なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を得ることが可能となる。
【００６８】
ところで、放射線画像検出器１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は、前述したように各光電変換素子内部の熱等による統計的なゆらぎ等に起因するものであるため、光電変換素子（ｍ，ｎ）自体の温度によって変化することが知られている。放射線画像検出器１の電源をＯＮし、光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するバイアス線Ｌｂ（図２参照）を介したバイアス電圧の印加を開始すると、光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が上昇していく。
【００６９】
そのため、光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は、図１３に示すように、時間経過により光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が上昇するに従って上昇していき、光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が一定になると所定の値で安定することが知られている。なお、前述した定期的なダーク読取は、通常、このように光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）が安定した時点で行われる。
【００７０】
放射線画像検出器１は、バッテリ１０の電力の消耗を防止するため、電源がＯＮの状態であっても放射線画像検出を行わない場合にはいわゆるsleepモードとされることも多く、sleepモードでは通常各光電変換素子（ｍ，ｎ）へのバイアス電圧の印加が停止されるため、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が低下する。このように、放射線画像検出器１では、電源がＯＮになっていても、各光電変換素子（ｍ，ｎ）が常時一定に保たれているとは限らない。
【００７１】
そして、上記の被写体撮影ステップ（図６のステップＳ１）やダーク読取ステップ（ステップＳ２）が、光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が低い状態で行われる場合もあり得る。その場合、被写体撮影ステップ（ステップＳ１）で被写体を撮影して各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力される電気信号、すなわち被写体を撮影した放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）の値は、光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が高い場合と比較して小さな値になるため、オフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）も放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）の値に対応して小さくなる必要がある。
【００７２】
本実施形態では、図１３に示したように、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が低い場合、各光電変換素子（ｍ，ｎ）からは、温度が上昇した場合よりも低い値のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）がそれぞれ出力される。そのため、各ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は、図１０に示した各光電変換素子（ｍ，ｎ）の定期的なダーク読取で得られた分布の位置よりも低い値としてそれぞれ出力される。
【００７３】
そして、上記の手順に従って、オフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出する光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）と同一のグループに属する他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を上記（２）式に従って値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）に変換すると、図１４に示すように、ダーク読取値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）が光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布から低い側にシフトした位置に集まる。
【００７４】
そのため、上記（３）式に従ってそれらの値を平均してオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出すると、光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の定期的なダーク読取で得られた分布の平均値μ（ｍＡ，ｎＡ）よりも小さい値のオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）が得られ、オフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を放射線画像のrawデータ（ｍＡ，ｎＡ）の値に対応して小さな値とすることが可能となる。
【００７５】
このように、本実施形態によれば、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が上昇し或いは下降して各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力される放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）やダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）が増減しても、被写体撮影ステップ（図６のステップＳ１）とダーク読取ステップ（ステップＳ２）とを時間的に近接して行い、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が略同一になるようなタイミングで上記２つのステップを行うことで、各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を、当該光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力される放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）の値に的確に対応して増減させることが可能となり、画像データ生成ステップ（ステップＳ４）で、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の画像データＩ（ｍ，ｎ）を良好に生成することが可能となる。
【００７６】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法によれば、放射線画像撮影の前または後に、ダーク読取を１回（または少数回）行うだけで、放射線画像検出器１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてそれぞれ有効なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を取得することが可能となる。
【００７７】
そのため、例えば放射線画像検出器（ＦＰＤ）１からダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を送信する場合、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の送信が１回（または少数回）で済むため、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の読取や送信に要する電力消費を低減させることが可能となる。また、全てのダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を送信し終わるまでの送信時間の短縮を図ることが可能となる。
【００７８】
特に、放射線画像検出器１がバッテリ内蔵型であり、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を無線通信するような場合でも、送信が１回（または少数回）で済むため、送信に要する電力消費が低減されて内蔵バッテリの消耗を防止することが可能となる。
【００７９】
また、各光電変換素子（ｍ，ｎ）について従来方式と同等の有効なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）がそれぞれ取得されるため、良好な画像データＩ（ｍ，ｎ）を得ることが可能となる。
【００８０】
なお、本実施形態では、放射線画像検出器１の光電変換素子（ｍ，ｎ）を３つのグループに分類する場合について説明したが、本発明は、３つのグループに分類する場合に限定されず、分類するグループの数は、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の特性等に基づいて適宜決められる。
【００８１】
また、光電変換素子（ｍ，ｎ）に欠陥がある場合があるが、本実施形態では、そのような欠陥を有する光電変換素子（ｍ，ｎ）は無視される。また、欠陥画素（ｍ，ｎ）における画像データＩ（ｍ，ｎ）の値は周辺画素の出力値に基づく補間等の手法により適宜決められる。
【００８２】
さらに、本実施形態では、図１３に示したように、放射線画像検出器１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の時間経過に対する変化プロファイルが各光電変換素子（ｍ，ｎ）で一様である場合について説明した。しかし、放射線画像検出器１によっては、図１５に示すように、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の時間経過に対する変化プロファイルが一様でなく、各光電変換素子（ｍ，ｎ）ごとに異なる場合もあり得る。
【００８３】
そのため、このような場合には、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等の出力値の時間経過に対する変化プロファイルに基づいて、変化プロファイルが類似する光電変換素子同士を類似の特性関係にあるとして同じグループに分類できるように複数のグループを予め設定しておく。そして、同一のグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）に対して上記と同様の処理を行うことで、本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法と同様の効果を得ることが可能となる。
【００８４】
また、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等の出力値の時間経過に対する変化プロファイルが類似する光電変換素子同士を同じグループに分類できるように複数のグループを予め設定し、さらに、同じグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）を、本実施形態のように、分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）等で評価されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）のばらつきの各度合に応じて複数のサブグループに予め分類する。そして、同一のサブグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）に対して上記と同様の処理を行うことで、本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法と同様の効果を得ることが可能となる。
【００８５】
［放射線画像検出器］
上記の放射線画像検出器を用いた画像生成方法の実施に使用される放射線画像検出器１の基本構成は前述したとおりであり、上記の被写体撮影ステップ（図６のステップＳ１）、ダーク読取ステップ（ステップＳ２）、補正値算出ステップ（ステップＳ３）および画像データ生成ステップ（ステップＳ４）をすべて放射線画像検出器１の制御手段６で実行するように構成することが可能である。
【００８６】
この場合、記憶手段７には、各光電変換素子（ｍ，ｎ）（各光電変換素子１４）が属するグループの情報が予め記憶されており、また、定期的に行われるダーク読取により取得されたダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）に基づく分布の平均値μ（ｍ，ｎ）の情報も記憶手段７に記憶されている。
【００８７】
そして、制御手段６は、ＲＯＭ等に格納されている上記各ステップの実行に必要なプログラムを読み出してＲＡＭの作業領域に展開し、プログラムに従って各種処理を実行するようになっている。その際、制御手段６は、補正値算出ステップ（ステップＳ３）では、記憶手段７から各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてのグループの情報や各光電変換素子（ｍ，ｎ）の分布の平均値μ（ｍ，ｎ）をそれぞれ読み出して、各光電変換素子（ｍ，ｎ）のオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するように構成される。
【００８８】
このように放射線画像検出器１を構成すれば、上記の放射線画像検出器を用いた画像生成方法の効果が有効に発揮され、各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてそれぞれ有効なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を取得して、良好な画像データＩ（ｍ，ｎ）を得ることが可能となる。
【００８９】
また、それとともに、放射線画像撮影の前または後にダーク読取を１回（または少数回）行うだけで済むため、放射線画像撮影に要する電力消費を低減させることが可能となる。特に、放射線画像検出器１がバッテリ内蔵型である場合には、ダーク読取が１回（または少数回）で済むため、放射線画像撮影に要する電力消費が低減され、内蔵バッテリの消耗を防止することが可能となる。
【００９０】
［放射線画像生成システム］
また、上記の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を、放射線画像生成システムで実施することも可能である。放射線画像生成システム３０は、図１６に示すように、放射線画像検出器３１と、コンソール３２と、サーバ手段３３とを備えている。
【００９１】
放射線画像検出器３１は、撮影室Ｒ１に設けられたブッキー装置３４の保持部３４ａに装填されて用いられるようになっている。なお、ブッキー装置３４には、携帯情報端末様の小型の操作部３４ｂが設けられている。また、ブッキー装置３４には、それぞれ放射線発生装置３５が対応付けられて設けられており、放射線画像検出器３１をブッキー装置３４に装填して用いる場合には、対応する放射線発生装置３５から放射線が照射されるようになっている。
【００９２】
放射線画像検出器３１は、ブッキー装置３４に装填されずに、単独でフリーの状態で用いることもできるようになっており、その場合には、撮影室Ｒ１に備えられたポータブルの放射線発生装置３５ｃから放射線を照射するようになっている。
【００９３】
放射線画像検出器３１の基本構成は、図１に示した放射線画像検出器１の構成と同様であるが、この場合、図１７に示すように、筐体３１ａの側面部分に、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を無線方式で送信するための通信手段であるアンテナ装置３１ｂが設けられている。なお、３１ｃはバッテリ１０の交換用の蓋部材、３１ｄは放射線画像検出器３１の電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える電源スイッチ、３１ｅはインジケータである。
【００９４】
また、放射線画像検出器３１の筐体３１ａの反対側の側面部分には、放射線画像検出器３１がブッキー装置３４の保持部３４ａに装填された際に保持部３４ａに設けられた図示しない電極と接続してダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を有線方式で送信するための通信手段である図示しない端子が設けられている。
【００９５】
このように、放射線画像検出器３１は、ブッキー装置３４に装填された際には端子と保持部３４ａの電極とが接続されてダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を有線方式で送信し、また、ブッキー装置３４に装填されずに単独で用いられる場合には、アンテナ装置３１ｂを介してダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を無線方式で送信するようになっている。撮影室Ｒ１には、放射線画像検出器３１が無線方式でコンソール３２にダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を通信する際に中継する無線アクセスポイント３６が設けられている。
【００９６】
また、放射線画像検出器３１は、ブッキー装置３４に装填された際には電極から電力の供給を受けるが、単独で用いられる場合には、内蔵のバッテリ１０の電力により動作するようになっている。しかし、この形態には限定されない。
【００９７】
また、放射線画像検出器３１内には、図示しないタグが内蔵されている。この場合、タグとして、いわゆるＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification）タグが用いられており、タグには、タグの各部を制御する制御回路や放射線画像検出器３１のＩＤ等の固有情報を記憶する記憶部がコンパクトに内蔵されている。
【００９８】
前室Ｒ２の入口の近傍には、放射線画像検出器３１のＲＦＩＤタグを読み取るタグリーダ３７が設置されている。タグリーダ３７は、内蔵する図示しないアンテナを介して電波等に所定の指示情報を乗せて発信し、前室Ｒ２に入室し或いは退室する放射線画像検出器３１を検出して、放射線画像検出器３１のＩＤ等をコンソール３２に送信するようになっている。
【００９９】
前室Ｒ２には、放射線画像生成システム３０全体の制御を行うコンソール３２が設けられており、コンソール３２には、前述したブッキー装置３４や放射線発生装置３５、タグリーダ３７等が接続されている。
【０１００】
コンソール３２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ、ＲＡＭ、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータで構成されており、ＲＯＭに格納されている上記各ステップ（図６のステップＳ１〜Ｓ４）の実行に必要なプログラムを読み出してＲＡＭの作業領域に展開してプログラムに従って各種処理を実行するようになっている。
【０１０１】
また、コンソール３２には、無線アクセスポイント３６を介して放射線画像検出器３１から送信されてくるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を受信するための無線通信手段３８が設けられている。
【０１０２】
コンソール３２には、ネットワークＮＷを介してコンピュータからなるサーバ手段３３が接続されている。サーバ手段３３は、ハードディスク等からなる記憶手段３９が接続されており、記憶手段３９には、放射線画像生成システム３０で使用可能な各放射線画像検出器３１について、放射線画像検出器３１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）（各光電変換素子１４）が属するグループの情報が放射線画像検出器３１のＩＤに対応付けられて予めそれぞれ記憶されている。
【０１０３】
また、この場合も、放射線画像検出器３１は、ダーク読取を定期的に行い、その際取得されたダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）をコンソール３２を介してサーバ手段３３に送信するようになっている。サーバ手段３３は、放射線画像検出器３１からダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）が送信されてくると、記憶手段３９にダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を保存するとともに、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の分布の平均値μ（ｍ，ｎ）を算出して記憶手段３９に記憶させるようになっている。
【０１０４】
なお、このダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の保存および平均値μ（ｍ，ｎ）の算出、記憶はサーバ手段３３に接続された記憶手段３９で行う代わりに、コンソール３２で行うように構成することも可能である。
【０１０５】
コンソール３２は、放射線技師や医師等から放射線画像撮影の指示を受けると、放射線発生装置３５を駆動する等して被写体撮影ステップ（図６のステップＳ１）を実行する。また、放射線画像撮影の前または後に、少なくとも１回のダーク読取を行うように放射線画像検出器３１に指示信号を送信して、ダーク読取ステップ（ステップＳ２）を実行する。
【０１０６】
放射線画像検出器３１は、被写体撮影ステップ（ステップＳ１）で取得した放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）とダーク読取ステップ（ステップＳ２）で取得したダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）とを有線方式または無線方式でコンソール３２に送信する。
【０１０７】
コンソール３２は、放射線画像検出器３１から放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）とダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）とが送信されてくると、続いて、補正値算出ステップ（ステップＳ３）を実行する。その際、コンソール３２は、タグリーダ３７を介して送信されてきた放射線画像検出器３１のＩＤをネットワークＮＷを介してサーバ手段３３に送信し、サーバ手段３３がＩＤに基づいて記憶手段３９から読み出した当該放射線画像検出器３１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）のグループの情報および各光電変換素子（ｍ，ｎ）の分布の平均値μ（ｍ，ｎ）を入手し、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）と各光電変換素子（ｍ，ｎ）のグループの情報と分布の平均値μ（ｍ，ｎ）等に基づいて前述した補正値算出ステップ（ステップＳ３）を実行して、各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出する。
【０１０８】
コンソール３２は、続いて、画像データ生成ステップ（ステップＳ４）を実行し、放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）から、算出した各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）をそれぞれ差し引いて、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の被写体に対応する画像データＩ（ｍ，ｎ）を生成する。なお、放射線画像検出器３１のＩＤに対応付けて、欠陥画素のアドレス情報もサーバ手段３３側に保存しておき、各画素のグループ情報等とともにコンソール３２に送信し、各欠陥画素の周囲のオフセット補正済み画素値を使用した補間処理を行って、各欠陥画素の出力値としてもよい。
【０１０９】
このように放射線画像生成システム３０を構成することで、上記の放射線画像検出器を用いた画像生成方法の効果が有効に発揮され、各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてそれぞれ有効なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を取得して、良好な画像データＩ（ｍ，ｎ）を得ることが可能となる。
【０１１０】
また、それとともに、放射線画像撮影の前または後にダーク読取を１回（または少数回）行うだけで済み、放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）と１回分（または少数回分）のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を放射線画像検出器３１から送信するだけで済むため、放射線画像撮影に要する電力消費を低減させることが可能となる。
【０１１１】
特に、放射線画像検出器３１がバッテリ内蔵型である場合には、ダーク読取が１回（または少数回）で済み、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の送信が１回分（または少数回分）だけで済むため、放射線画像撮影やダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の送信に要する電力消費が低減され、内蔵バッテリの消耗を防止することが可能となる。
【０１１２】
さらに、放射線画像検出器３１の記憶手段７に各光電変換素子（ｍ，ｎ）が属するグループの情報等を記憶させておく必要がなくなるため、放射線画像検出器３１の記憶手段７に記憶させることができるデータ量が増大し、より多くの画像データ等を記憶させることが可能となる。
【０１１３】
なお、本発明が上記の実施の形態に限定されず、適宜変更可能であることはいうまでもない。本発明の概念は、類似の特性関係にある放射線検出素子同士を例えばグループ化する等して他の特性関係にある放射線検出素子と区別して各放射線検出素子のオフセット補正値を算出するものである。そのため、各放射線検出素子自体は、上記の実施形態のように光電変換素子タイプである必要はなく、他の構造を有するものを２次元的に配置したセンサパネル部を備える放射線画像検出器にも適用可能であることはいうまでもない。
【０１１４】
また、例えば、上記の実施形態においては、被写体撮影時とは個別に、定期的にダーク読取を行うこととしたが、被写体撮影時の前または後に行うダーク読取値を使用するように構成してもよく、この場合には、例えば連続する１２回分のダーク読取値を保存しておき、当該１２回分のダーク読取値を使用して上記の実施形態と同様に平均値μ（ｍ，ｎ）を算出するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法に用いられる放射線画像検出器の基本構成を示す図である。
【図２】放射線画像検出器のセンサパネル部および読取部の構成に示す等価回路図である。
【図３】光電変換素子に割り当てられた番号を説明する図である。
【図４】定期的に行われるダーク読取の読取タイミングを表す図である。
【図５】ダーク読取で取得されるダーク読取値の分布、平均値および標準偏差を表すグラフである。
【図６】本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法の処理手順を示すフローチャートである。
【図７】分布の平均値や標準偏差が光電変換素子で異なり得ることを示すグラフである。
【図８】各グループに分類された光電変換素子を表す図である。
【図９】同一のグループに属する各光電変換素子の分布の平均値が近接した値でない場合を表し、平均値の差分を説明するグラフである。
【図１０】１回のダーク読取で各分布内に検出されたダーク読取値を表すグラフである。
【図１１】光電変換素子のダーク読取値と他の光電変換素子のダーク読取値から変換された各値を表すグラフである。
【図１２】図１１のグラフで光電変換素子のダーク読取値にノイズがのった状態を表すグラフである。
【図１３】光電変換素子から出力されるダーク読取値の時間経過に対する変化プロファイルを表すグラフである。
【図１４】光電変換素子の温度が低い場合の光電変換素子のダーク読取値と他の光電変換素子のダーク読取値から変換された各値を表すグラフである。
【図１５】各光電変換素子から出力されるダーク読取値の時間経過に対する変化プロファイルが一様でない場合を説明するグラフである。
【図１６】本実施形態に係る放射線画像生成システムの構成を示す図である。
【図１７】図１６の放射線画像生成システムに用いられる放射線画像検出器の構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１、３１ 放射線画像検出器
４ センサパネル部
５ 読取部
６ 制御手段
７ 記憶手段
１０ バッテリ
１４、（ｍ，ｎ） 放射線検出素子（光電変換素子）
３０ 放射線画像生成システム
３１ｂ 通信手段（アンテナ装置）
３２ コンソール
３３ サーバ手段
３９ 記憶手段
Ｄ（ｍ，ｎ） ダーク読取値
Ｄ＊（ｍ，ｎ） 値
Ｉ（ｍ，ｎ） 画像データ
（ｍ，ｎ） 放射線検出素子（光電変換素子）の出力値（rawデータ）
ＮＷ ネットワーク
Ｏ（ｍ，ｎ） オフセット補正値
Δ 差分
μ（ｍ，ｎ） 平均値
σ（ｍ，ｎ） 標準偏差
σ２（ｍ，ｎ） 分散
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器、および放射線画像生成システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数の放射線検出素子（例えばフォトダイオード等の光電変換素子）を２次元状に配置して構成される放射線画像検出器（ＦＰＤ（Flat Panel Detector）ともいい、以下、ＦＰＤという。）においては、一般的に、ゲイン補正およびオフセット補正（ダーク（dark）読取補正等ともいう。）を行う必要があることが知られている。ゲイン補正は、一般的にはＦＰＤに放射線を照射して行われ、キャリブレーションとも呼ばれる。ゲイン補正は、ＦＰＤの施設への導入時等に、被写体がない状態で放射線発生装置からＦＰＤに放射線を照射し、被写体のない撮影画像の読み取りを実行することで算出される。
【０００３】
一方、オフセット補正は、放射線画像撮影の前または後に、放射線を照射しない状態での各放射線検出素子からの出力値（以下、ダーク読取値という。）をオフセット補正値として算出して、実際に被写体を透過してきた放射線による画像データ（実写画像データ）からオフセット補正値を差し引くこと（サブトラクション処理）で、撮影画像が補正される。
【０００４】
これは、放射線検出素子や信号読み出し用のスイッチ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等の各素子の温度特性影響や特性ばらつき、前回の放射線照射（撮影）に起因する残留電位影響等を相殺して、撮影画像におけるムラを除去するために行われるものである。なお、オフセット補正値の算出は、上記のように放射線画像撮影ごとに行われる場合もあるが、予め算出されたオフセット補正値を記憶手段等から取得して行われる場合もある。後者の場合、通常、上記のゲイン補正よりも短い所定の周期で行われる。
【０００５】
また、オフセット補正値を算出する際、各放射線検出素子からの１回のダーク読取値のみに基づいて算出すると、ダーク読取値に含まれるノイズ等の誤差要因の影響で誤差が大きくなってしまう。そのため、ダーク読取を複数回行い、それらの平均値をオフセット補正値として採用することも多い（例えば、特許文献１〜３等参照）。
【０００６】
このようなオフセット補正をはじめとする補正処理や、諧調処理等の画像処理は、従来から、撮影装置とは異なる画像処理プロセッサやコンソール等の処理装置で行われることが多い（例えば、特許文献４等参照）。
【０００７】
一方、近年、バッテリを内蔵し、ケーブルを介さずに無線方式により外部の処理装置等との間で画像データ等の送受信を行うポータブルのＦＰＤが開発されている（例えば、特許文献５等参照）。
【特許文献１】米国特許第５４５２３３８号明細書
【特許文献２】米国特許第６２２２９０１号明細書
【特許文献３】米国特許第７０４１９５５号明細書
【特許文献４】特開平１１−１１３８８９号公報
【特許文献５】特開平７−１４０２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ダーク読取を複数回行ってそれらの平均値をオフセット補正値として算出するように構成した場合、ＦＰＤからケーブル等を用いた有線方式或いは無線方式でダーク読取値を外部の処理装置に送信する際、ダーク読取値を送信するごとに電力を消費してしまう。また、全てのダーク読取値を送信し終わるまでの時間が長くなってしまう。
【０００９】
特に、バッテリ内蔵で無線方式のポータブルのＦＰＤを用いる場合、複数のダーク読取値を無線通信する際に、ダーク読取および無線通信のたびに内蔵バッテリの電力が用いられるため、内蔵バッテリが消耗し、充電サイクルが短くなるという新たな問題が生じる。
【００１０】
また、ピクセル（画素）サイズが１５０〜２００μｍで半切サイズ（１４インチ×１７インチ）相当の読み取り領域を有するＦＰＤの場合、１回のダーク読取時間は１秒未満であるが、そのダーク読取値の送信には数秒を要する（ダーク読取値が１０ＭＢで送信レートが１０Ｍｂｐｓの場合、送信時間は８秒）。しかも、ノイズ混入の抑制の観点から、ダーク読取値の送信中は、通常、次のダーク読取を行うことが回避される。
【００１１】
そのため、１回のダーク読取値の送信が完了した後に、次のダーク読取を行わざるを得ず、平均値としてオフセット補正値を算出するために必要なダーク読取値の全データが揃うまでにかなりの時間を要してしまう。そして、ダーク読取とダーク読取値の送信で電力を消費し、それが繰り返されるため、内蔵バッテリの消耗が著しくなり、バッテリ内蔵と無線方式の採用によるＦＰＤのポータブル化のメリットを十分に発揮できなくなる恐れがあった。
【００１２】
本発明は、以上のような課題を解決するためになされたものであり、１回のダーク読取で有効なオフセット補正値を得ることが可能な放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器および放射線画像生成システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像検出器を用いた画像生成方法は、
複数の放射線検出素子を２次元状に配置したセンサパネル部と、前記センサパネル部の前記各放射線検出素子の出力値を読み取る読取部とを備える放射線画像検出器を用いた画像生成方法であって、
被写体を透過した放射線に基づく前記各放射線検出素子の出力値を読み取る被写体撮影ステップと、
前記被写体撮影ステップの前または後に、少なくとも１回のダーク読取を行うダーク読取ステップと、
前記ダーク読取により得られた一の前記放射線検出素子のダーク読取値と、当該一の放射線検出素子と予め類似の特性関係にあると定められた他の放射線検出素子の各ダーク読取値とに基づいて、当該一の放射線検出素子に対するオフセット補正値を算出し、前記各放射線検出素子に対する前記オフセット補正値を算出する補正値算出ステップと、
前記被写体撮影ステップで読み取られた前記各放射線検出素子の出力値から、前記補正値算出ステップで前記各放射線検出素子について算出された前記各オフセット補正値をそれぞれ差し引いて、前記各放射線検出素子の前記被写体に対応する画像データを生成する画像データ生成ステップと、
を有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の放射線画像検出器は、
本発明の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を実行するための放射線画像検出器であって、
前記複数の放射線検出素子を２次元状に配置した前記センサパネル部と、
前記センサパネル部の前記各放射線検出素子の出力値を読み取る前記読取部と、
前記放射線検出素子に関する前記特性関係の情報が記憶された記憶手段と、
前記被写体撮影ステップ、前記ダーク読取ステップ、前記補正値算出ステップおよび前記画像データ生成ステップを実行し、前記補正値算出ステップでは前記記憶手段から前記特性関係の情報を読み出して前記特性関係の情報に基づいて前記各放射線検出素子の前記オフセット補正値を算出する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１５】
さらに、本発明の放射線画像生成システムは、
本発明の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を実行するための放射線画像生成システムであって、
前記複数の放射線検出素子を２次元状に配置した前記センサパネル部と、前記センサパネル部の前記各放射線検出素子の出力値を読み取る前記読取部と、前記ダーク読取値を含む前記各放射線検出素子の出力値の取得を行うように前記読取部を制御する制御手段と、前記ダーク読取値を含む前記各放射線検出素子の出力値を送信する通信手段と、を備える放射線画像検出器と、
前記放射線画像検出器から前記ダーク読取値を含む前記各放射線検出素子の出力値を取得して前記被写体に対応する画像データを生成するコンソールと、
前記放射線検出素子に関する前記特性関係の情報と、前記放射線画像検出器のＩＤとを対応付けて記憶する記憶手段を備えるサーバ手段と、
を備え、
前記コンソールと前記サーバ手段とはネットワーク接続されており、
前記コンソールは、前記放射線画像検出器から前記ダーク読取値を含む前記各放射線検出素子の出力値および前記ＩＤが送信されると、前記ＩＤに基づいて前記サーバ手段から前記ＩＤに対応付けられた前記放射線検出素子に関する前記特性関係の情報を入手し、前記ダーク読取値および前記特性関係の情報に基づいて前記放射線画像検出器の前記各放射線検出素子の前記オフセット補正値を算出して、前記被写体に対応する画像データを生成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のような方式の放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器、および放射線画像生成システムによれば、放射線画像撮影の前または後にダーク読取を１回（または少数回）行うだけで、放射線画像検出器の各放射線検出素子についてそれぞれ有効なオフセット補正値を取得することが可能となるため、例えば放射線画像検出器（ＦＰＤ）からダーク読取値を送信する場合、ダーク読取値の読取回数および送信回数が１回（または少数回）で済む。そのため、ダーク読取値の読取および送信に要する電力消費を低減させることが可能となるとともに、全てのダーク読取値を送信し終わるまでの送信時間の短縮を図ることが可能となる。
【００１７】
特に、放射線画像検出器がバッテリ内蔵型であり、ダーク読取値を無線通信するような場合でも、読取および送信が１回（または少数回）で済むため、読取および送信に要する電力消費が低減されて内蔵バッテリの消耗を防止することが可能となる。また、各放射線検出素子について、従来方式と同等の有効なオフセット補正値がそれぞれ取得されるため、良好な画像データを得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法、放射線画像検出器、および放射線画像生成システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の図示例のものに限定されるものではない。
【００１９】
［放射線画像検出器の基本的な構成］
まず、以下の放射線画像検出器を用いた画像生成方法の説明において必要となる放射線画像検出器の基本的な構成について説明する。
【００２０】
放射線画像検出器（ＦＰＤ）１は、図１に示すように、内部を保護する筐体２を備えており、筐体２の内部には、照射された放射線を光に変換するシンチレータ層３が形成されている。シンチレータ層３は、例えばＣｓＩ：ＴｌやＣｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ａｇ等の母体内に発光中心物質が付活された蛍光体を用いて形成されたものを用いることができる。
【００２１】
シンチレータ層３の放射線が入射する側の面とは反対側の面側には、放射線検出素子として、シンチレータ層３から出力された光を電気信号に変換するフォトダイオード等の複数の光電変換素子が２次元状に配置されたセンサパネル部４が設けられている。２次元状に配置された各光電変換素子１４には、図３に示すように、行方向の位置ｍと列方向の位置ｎとからなる番号（ｍ，ｎ）がそれぞれ予め割り当てられている。なお、図３では、１６×８個の光電変換素子１４が記載されているが、これは簡略化して表現したものであり、実際にはさらに多くの光電変換素子１４が２次元状に配置されていてそれぞれ番号が割り当てられている。
【００２２】
また、図１に示すように、センサパネル部４の周囲の部分や裏面側には、センサパネル部４の各光電変換素子の出力値を読み取る読取部５が設けられている。読取部５は、マイクロコンピュータ等からなる制御手段６やＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ等からなる記憶手段７、走査駆動回路８、信号読み出し回路９等で構成されている。
【００２３】
また、放射線画像検出器１には、バッテリ１０が内蔵されており、制御手段６により、バッテリ１０から各部材への給電が制御されるようになっている。また、筐体２には、外部との通信およびバッテリ１０の充電用の端子１１や各種の操作状況等を表示するインジケータ１２、各種の指示等を入力設定するための入力操作部１３等が設けられている。
【００２４】
センサパネル部４および読取部５の構成についてさらに説明すると、図２の等価回路図に示すように、センサパネル部４の各光電変換素子１４の一方の電極にはそれぞれ信号読み出し用のスイッチ素子であるＴＦＴ１５のソース電極が接続されている。また、各光電変換素子１４の他方の電極にはバイアス線Ｌｂが接続されており、バイアス線Ｌｂはバイアス電源１６に接続されていて、バイアス電源１６から各光電変換素子１４にバイアス電圧が印加されるようになっている。
【００２５】
各ＴＦＴ１５のゲート電極はそれぞれ走査駆動回路８から延びる走査線Ｌｌに接続されており、各ＴＦＴ１５のドレイン電極はそれぞれ信号線Ｌｒに接続されている。各信号線Ｌｒは、それぞれ信号読み出し回路９内の増幅回路１７に接続されており、各増幅回路１７の出力線はそれぞれサンプルホールド回路１８を経てアナログマルチプレクサ１９に接続されている。また、アナログマルチプレクサ１９にはＡ／Ｄ変換機２０が接続されており、信号読み出し回路９はＡ／Ｄ変換機２０を介して制御手段６に接続されている。制御手段６には、記憶手段７が接続されている。
【００２６】
放射線画像検出器１では、図示しない被写体を撮影する放射線画像撮影において、被写体を透過した放射線がシンチレータ層３に入射すると、シンチレータ層３からセンサパネル部４に光が照射され、光の照射を受けた量に応じて、光電変換素子１４の特性が変化する。
【００２７】
そして、放射線画像撮影を終了し、放射線画像検出器１から画像データを電気信号として読み出す際には、走査線ＬｌからＴＦＴ１５のゲート電極に読み出し電圧を印加して各ＴＦＴ１５のゲートを開き、光電変換素子１４からＴＦＴ１５を介して電気信号を信号線Ｌｒに取り出す。そして、電気信号を増幅回路１７で増幅する等して、アナログマルチプレクサ１９から順次Ａ／Ｄ変換機２０を介して制御手段６に出力し、制御手段６は、電気信号と前述した光電変換素子１４（すなわち画素）の番号（ｍ，ｎ）とを対応付けて記憶手段７に保存する。
【００２８】
ＴＦＴ１５に読み出し電圧を印加する走査線Ｌｌを順次走査して上記の読み出し処理を走査線Ｌｌごとに行うことで、センサパネル部４の全光電変換素子１４から電気信号をそれぞれ読み出し、各電気信号にそれぞれ画素の番号（ｍ，ｎ）を対応付けて画像データとして記憶手段７に保存するようになっている。
【００２９】
また、放射線画像検出器１では、ダーク読取においては、放射線を照射しない状態で、走査線ＬｌからＴＦＴ１５のゲート電極に読み出し電圧を印加して各ＴＦＴ１５のゲートを開き、光電変換素子１４からその状態で溜まった電荷（出力値）を信号線Ｌｒに取り出す。そして、上記と同様に、出力値を増幅回路１７で増幅する等してアナログマルチプレクサ１９から順次Ａ／Ｄ変換機２０を介して制御手段６に出力し、制御手段６で出力値と各画素の番号（ｍ，ｎ）とを対応付けて記憶手段７に保存する。
【００３０】
そして、ＴＦＴ１５に読み出し電圧を印加する走査線Ｌｌを順次走査して上記の読み出し処理を走査線Ｌｌごとに行うことで、センサパネル部４の全光電変換素子１４から上記状態における出力値をそれぞれ読み出し、各電気信号にそれぞれ画素の番号（ｍ，ｎ）を対応付けてダーク読取値として記憶手段７に保存するようになっている。
【００３１】
なお、上記のように、本実施形態では、シンチレータ層３で放射線を光に変換して光電変換素子１４で検出する、いわゆる間接型の放射線画像検出器１を用いる場合について説明したが、放射線画像検出器は、この他にも、シンチレータ層３を介さず光電変換素子１４で入射した放射線を直接電気信号に変換する、いわゆる直接型の放射線画像検出器を用いることも可能であり、その場合にも本発明を適用することが可能である。
【００３２】
また、後述するように、上記のように構成された本実施形態の放射線画像検出器１を用いて、放射線画像撮影の前または後に少なくとも１回のダーク読取が行われ、取得されたダーク読取値に基づいて各光電変換素子１４に対するオフセット補正値が算出されるようになっているが、このような個々の撮影用のオフセット補正値算出のためのダーク読取とは別に、放射線画像検出器１の各光電変換素子１４からの出力値特性変動把握のために、図４に示すように予め設定された所定の時間間隔をおいて定期的にダーク読取が行われるようになっている。そして、１回のダーク読取の読取タイミングでは、１回または連続して複数回（図４の例では１回の読取タイミングにつき３回）のダーク読取値の取得が行われるようになっている。
【００３３】
ダーク読取値は、各光電変換素子１４内部の熱等による統計的なゆらぎや、各光電変換素子１４からの出力値を読み取る読取部５内の増幅回路１７等におけるノイズ等による影響で、読み取られた出力値にゆらぎを生じる。そのため、各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてそれぞれ各回ごとに取得される各ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）をヒストグラムにまとめて表すと、図５に示すように、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は平均値μ（ｍ，ｎ）を中心として標準偏差σ（ｍ，ｎ）を有する正規分布状に分布する。
【００３４】
本実施形態では、図４に示した定期的なダーク読取を行うたびに、各光電変換素子（ｍ，ｎ）ごとに、過去の所定回数の読取タイミングにおけるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）（図４の例では過去４回の読取タイミングにおける全１２回分のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ））についてヒストグラムを作成して、平均値μ（ｍ，ｎ）を算出するようになっている。なお、この処理は、放射線画像検出器１で行ってもよく、或いは放射線画像検出器１からコンソール３２（図１６参照）等の外部の装置にダーク読取値を送信して外部装置で行ってもよい。
【００３５】
算出された各光電変換素子（ｍ，ｎ）のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の平均値μ（ｍ，ｎ）は、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の番号（ｍ，ｎ）に対応付けられて更新されて、放射線画像検出器１の記憶手段７或いは外部装置の記憶手段に保存されるようになっている。
【００３６】
［放射線画像検出器を用いた画像生成方法］
以下、本発明に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法の実施の形態について説明する。本発明では、撮影された画像データのオフセット補正に用いるオフセット補正値を得るためのダーク読取は、当該放射線画像撮影の前または後に少なくとも１回行われるようになっており、そのダーク読取によって取得されたダーク読取値に基づいて各光電変換素子（ｍ，ｎ）のオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するようになっている。
【００３７】
なお、以下では、放射線画像撮影の後にダーク読取を１回だけ行う場合について説明するが、ダーク読取は当該放射線画像撮影の前に行ってもよく、また、ダーク読取を複数回行うように構成することも可能である。
【００３８】
放射線画像検出器１を用いた画像生成は、図６に示すフローチャートに従って行われるようになっている。放射線画像検出器１を用いた画像生成方法は、被写体撮影ステップ（ステップＳ１）と、ダーク読取ステップ（ステップＳ２）と、補正値算出ステップ（ステップＳ３）と、画像データ生成ステップ（ステップＳ４）とを有している。
【００３９】
被写体撮影ステップ（ステップＳ１）では、放射線画像検出器１の放射線入射面Ｘ（図１参照）側に図示しない患者の手等の被写体部位を載置または接近させた状態で、図示しない放射線発生装置から放射線を照射する通常の放射線照射が行われるようになっている。
【００４０】
そして、信号読み取り操作により、各光電変換素子１４から出力値として電気信号が順次読み取られ、放射線画像検出器１の制御手段６により電気信号（すなわち被写体を撮影した放射線画像のrawデータ）と光電変換素子１４の番号（ｍ，ｎ）とが対応付けられて記憶手段７に保存される。
【００４１】
ダーク読取ステップ（ステップＳ２）では、続いて、前述したダーク読取が行われるようになっている。すなわち、放射線を照射しない状態で、放射線画像検出器１の各走査線Ｌｌに順次読み出し電圧を印加して各光電変換素子１４に溜まった電荷（出力値）を取り出し、上記と同様に、放射線画像検出器１の制御手段６によりそれらの出力値がそれぞれ各光電変換素子の番号（ｍ，ｎ）と対応付けられたダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）として記憶手段７に保存される。
【００４２】
後述する補正値算出ステップ（ステップＳ３）や画像データ生成ステップ（ステップＳ４）をコンソール３２等の外部装置で行う場合には、有線方式や無線方式によって、光電変換素子１４の番号（ｍ，ｎ）と対応付けられた各電気信号（放射線画像のrawデータ）やダーク読取値がそれぞれ放射線画像検出器１から外部装置に送信される。
【００４３】
補正値算出ステップ（ステップＳ３）では、各光電変換素子（ｍ，ｎ）のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）に基づいて、各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）が算出されるようになっている。本発明では、特に、ダーク読取値の特性が互いに類似する光電変換素子に着目し、それらから出力されるダーク読取値を用いて各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するように構成されている。以下、詳しく説明する。
【００４４】
図５に示したように、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）をヒストグラムに投票していくと、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は平均値μ（ｍ，ｎ）を中心として標準偏差σ（ｍ，ｎ）を有する正規分布状に分布する。しかし、平均値μ（ｍ，ｎ）や標準偏差σ（ｍ，ｎ）は、光電変換素子同士で必ずしも同様の値にはならず、実際には、例えば図７に示すように、各光電変換素子（ｍ，ｎ）で種々の値を取る。
【００４５】
そこで、本実施形態では、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を予め多数回出力させて図７に示したようなダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布を得ておき、その分布のばらつきの度合、すなわちダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）で評価されるばらつきの度合に基づいて、各光電変換素子（ｍ，ｎ）を複数のグループに予め分類しておくようになっている。
【００４６】
例えば、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）に大小２つの閾値σth１、σth２（σth１＜σth２）を設定する。そして、各光電変換素子（ｍ，ｎ）について予め取得したダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布に基づいて、図７に示した光電変換素子（ｍ２，ｎ２）の分布の標準偏差σ（ｍ２，ｎ２）のように、標準偏差σ（ｍ，ｎ）が閾値σth１以下となるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を出力する光電変換素子（ｍ，ｎ）が互いに類似の特性関係にあると定められて第１グループに分類される。
【００４７】
また、図７に示した光電変換素子（ｍ１，ｎ１）の分布の標準偏差σ（ｍ１，ｎ１）のように、標準偏差σ（ｍ，ｎ）が閾値σth１より大きく閾値σth２以下となるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を出力する光電変換素子（ｍ，ｎ）が互いに類似の特性関係にあると定められて第２グループに分類され、光電変換素子（ｍ３，ｎ３）の分布の標準偏差σ（ｍ３，ｎ３）のように、標準偏差σ（ｍ，ｎ）が閾値σth２より大きくなるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を出力する光電変換素子（ｍ，ｎ）が互いに類似の特性関係にあると定められて第３グループに分類される。このようにグループ分けを行うと、放射線画像検出器１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）は、例えば図８に示すように予め各グループにそれぞれ分類される。
【００４８】
なお、図８では、斜線を付して示される光電変換素子（１，４）、（２，２）等が第３グループに属しており、別の斜線を付して示される光電変換素子（３，５）、（５，４）等が第２グループに属しており、斜線が付されていない他の光電変換素子（ｍ，ｎ）が第１グループに属していることが表されている。
【００４９】
また、以上の説明では、各光電変換素子（ｍ，ｎ）をそのダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布のばらつきの度合を、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）で評価する場合について説明したが、分布の分散σ２（ｍ，ｎ）を用いて評価し、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の分布の分散σ２（ｍ，ｎ）に基づいて各光電変換素子（ｍ，ｎ）を複数のグループに予め分類しておくように構成することも可能である。
【００５０】
さらに、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）のばらつきの度合は、前述したように各光電変換素子自体や読取部５等に起因するものであるため、その分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）や分散σ２（ｍ，ｎ）が他の光電変換素子に比べて相対的に大きいとか小さいという特性は、時間的に変化しないと考えられる。そのため、前述した定期的なダーク読取の際に取得されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）に基づいて各光電変換素子（ｍ，ｎ）をグループ分けし直すように構成することも可能であるが、放射線画像検出器１が製造された段階で各光電変換素子（ｍ，ｎ）から複数回出力させたダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）に基づいて予めグループ分けを行っておけば十分である。
【００５１】
補正値算出ステップ（図６のステップＳ３）では、以上のようにして予め分類されたグループに基づいて、各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するようになっている。そして、オフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）の算出の際に、各光電変換素子（ｍ，ｎ）のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）と、当該光電変換素子（ｍ，ｎ）が属するグループと同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍ´，ｎ´）のダーク読取値Ｄ（ｍ´，ｎ´）を用いて、当該光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するようになっている。
【００５２】
同一のグループに属する各光電変換素子（ｍ，ｎ）は、上記のように分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）は互いに近接する値を有しているが、分布の平均値μ（ｍ，ｎ）は、図９に示すように必ずしも近接した値であるとは限らない。
【００５３】
そこで、本実施形態では、ある光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出する際に、同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…のダーク読取値Ｄ（ｍＢ，ｎＢ）、Ｄ（ｍＣ，ｎＣ）、…を、平均値μ（ｍ，ｎ）を用いて当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）のダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）にいわば引き寄せて、オフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出するようになっている。
【００５４】
すなわち、前述したように、定期的なダーク読取により各光電変換素子（ｍ，ｎ）ごとに過去の所定回数の読取タイミングにおけるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の各平均値μ（ｍ，ｎ）が算出されているから、まず、他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値の平均値μ（ｍＫ，ｎＫ）と当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）のダーク補正値の平均値μ（ｍＡ，ｎＡ）との差分ΔＫＡを下記（１）式に従ってそれぞれ算出する。
ΔＫＡ＝μ（ｍＫ，ｎＫ）−μ（ｍＡ，ｎＡ） …（１）
【００５５】
そして、前述したダーク読取ステップ（図６のステップＳ２）で１回のダーク読取で各光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）、（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…から読み出された各ダーク読取値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）、Ｄ（ｍＢ，ｎＢ）、Ｄ（ｍＣ，ｎＣ）、…は、図１０に示すように、それぞれ各光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）、（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…の分布内に検出された１点の値であるから、上記の差分ΔＫＡを用い、下記（２）式に従って、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）以外の他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内における値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）に変換する。
Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）＝Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）−ΔＫＡ …（２）
【００５６】
このように、他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内に移行させると、図１１に示すように、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内に、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）のダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）の各ダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）から変換された各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）が集まる。
【００５７】
そこで、本実施形態では、下記（３）式に従って、これらのダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）の平均値を算出することにより、算出された平均値を当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）として算出するようになっている。なお、下記（３）式において、Ｎは当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）が属するグループに属する光電変換素子の総数である。
Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）＝（Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）＋ΣＤ＊（ｍＫ，ｎＫ））／Ｎ …（３）
【００５８】
また、同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…についても、同様にして、他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を当該光電変換素子（ｍ，ｎ）の分布内における値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）に変換して平均値を算出することで、オフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出することが可能である。
【００５９】
しかし、ある光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）が算出されれば、同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍＢ，ｎＢ）、（ｍＣ，ｎＣ）、…については、各オフセット補正値Ｏ（ｍＢ，ｎＢ）、Ｏ（ｍＣ，ｎＣ）、…は、算出された光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）に前記差分ΔＢＡ、ΔＣＡ、…をそれぞれ加えた値になる。そのため、本実施形態では、同一のグループに属する他の光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）に対する各オフセット補正値Ｏ（ｍＫ，ｎＫ）は、算出された光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）に基づいて下記（４）式に従ってそれぞれ算出されるようになっている。
Ｏ（ｍＫ，ｎＫ）＝Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）＋ΔＫＡ …（４）
【００６０】
また、他のグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）についても同様にして同一のグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）のダーク補正値Ｄ（ｍ，ｎ）と平均値μ（ｍ，ｎ）を用いてオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）が算出される。このようにして、全光電変換素子（ｍ，ｎ）のオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）が算出されるようになっている。
【００６１】
なお、本実施形態では、上記（３）式に従って、これらのダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）を単純平均してオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出する場合について説明したが、これに限定されず、例えば、図１１に示したようなダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）をヒストグラムにそれぞれ投票してヒストグラムに基づいて平均値を算出するように構成することも可能である。また、例えば、ダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）を所定の条件に基づいて加重平均してオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出するように構成することも可能である。
【００６２】
画像データ生成ステップ（図６のステップＳ４）では、前述した被写体撮影ステップ（ステップＳ１）で各光電変換素子（ｍ，ｎ）から読み取られた出力値すなわち放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）から、上記の補正値算出ステップ（ステップＳ３）で各光電変換素子（ｍ，ｎ）について算出された各オフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）をそれぞれ差し引いて、被写体が撮影された各光電変換素子（ｍ，ｎ）の画像データＩ（ｍ，ｎ）が生成されるようになっている。
【００６３】
次に、本実施形態に係る放射線画像検出器１を用いた画像生成方法の作用について説明する。本実施形態の画像生成方法の各ステップ（ステップＳ１〜Ｓ４）における各処理は、上記のとおりであり、説明を省略する。
【００６４】
前述したように、従来の画像生成においては、各光電変換素子（ｍ，ｎ）のオフセット補正を、１回のデータ読取におけるデータ読取値Ｄ（ｍ，ｎ）をオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）として行うとデータ読取値Ｄ（ｍ，ｎ）にノイズ等が含まれていて誤差を生じる可能性があるため、放射線画像撮影の前または後にダーク読取を複数回行い、それらの平均値をオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）として採用した。そして、このように平均化することで、ノイズ等の影響を希釈化して、良好なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を得た。
【００６５】
それに対し、本実施形態では、上記のように、ダーク読取ステップ（図６のステップＳ２）では被写体を撮影する放射線画像撮影の前または後にダーク読取を１回しか行わない。また、ダーク読取を複数回行うように構成するとしても、より誤差が少ないオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を得る場合に、放射線画像検出器１のバッテリ１０（図１参照）の電力を多大に消耗しない程度に２、３回行われるだけである。
【００６６】
本実施形態の場合にも、その１回（または少数回）のダーク読取で各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるデータ読取値Ｄ（ｍ，ｎ）にノイズ等が含まれている可能性はある。しかし、本実施形態では、前述したように、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の特性が互いに類似する光電変換素子（ｍ，ｎ）に着目して、それらを同一のグループに分類し、ある光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出する際に、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）と同一のグループに属する他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を例えば上記（２）式に従って当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内における値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）に変換して当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布内に集め、例えば上記（３）式に従ってこれらのダーク補正値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）の平均値を算出してオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）として算出する。
【００６７】
そのため、例えば図１２に示すように、当該光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）のダーク読取値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）にノイズがのっていても、同一のグループに属する他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）から変換された各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）と平均化されることによりノイズ等の影響が希釈化され、良好なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を得ることができる。しかも、従来の画像生成における複数回のダーク読取の場合とは異なり、１回（または少数回）のダーク読取で良好なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を得ることが可能となる。
【００６８】
ところで、放射線画像検出器１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は、前述したように各光電変換素子内部の熱等による統計的なゆらぎ等に起因するものであるため、光電変換素子（ｍ，ｎ）自体の温度によって変化することが知られている。放射線画像検出器１の電源をＯＮし、光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するバイアス線Ｌｂ（図２参照）を介したバイアス電圧の印加を開始すると、光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が上昇していく。
【００６９】
そのため、光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は、図１３に示すように、時間経過により光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が上昇するに従って上昇していき、光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が一定になると所定の値で安定することが知られている。なお、前述した定期的なダーク読取は、通常、このように光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）が安定した時点で行われる。
【００７０】
放射線画像検出器１は、バッテリ１０の電力の消耗を防止するため、電源がＯＮの状態であっても放射線画像検出を行わない場合にはいわゆるsleepモードとされることも多く、sleepモードでは通常各光電変換素子（ｍ，ｎ）へのバイアス電圧の印加が停止されるため、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が低下する。このように、放射線画像検出器１では、電源がＯＮになっていても、各光電変換素子（ｍ，ｎ）が常時一定に保たれているとは限らない。
【００７１】
そして、上記の被写体撮影ステップ（図６のステップＳ１）やダーク読取ステップ（ステップＳ２）が、光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が低い状態で行われる場合もあり得る。その場合、被写体撮影ステップ（ステップＳ１）で被写体を撮影して各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力される電気信号、すなわち被写体を撮影した放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）の値は、光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が高い場合と比較して小さな値になるため、オフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）も放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）の値に対応して小さくなる必要がある。
【００７２】
本実施形態では、図１３に示したように、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が低い場合、各光電変換素子（ｍ，ｎ）からは、温度が上昇した場合よりも低い値のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）がそれぞれ出力される。そのため、各ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）は、図１０に示した各光電変換素子（ｍ，ｎ）の定期的なダーク読取で得られた分布の位置よりも低い値としてそれぞれ出力される。
【００７３】
そして、上記の手順に従って、オフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出する光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）と同一のグループに属する他の各光電変換素子（ｍＫ，ｎＫ）のダーク読取値Ｄ（ｍＫ，ｎＫ）を上記（２）式に従って値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）に変換すると、図１４に示すように、ダーク読取値Ｄ（ｍＡ，ｎＡ）や各値Ｄ＊（ｍＫ，ｎＫ）が光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の分布から低い側にシフトした位置に集まる。
【００７４】
そのため、上記（３）式に従ってそれらの値を平均してオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を算出すると、光電変換素子（ｍＡ，ｎＡ）の定期的なダーク読取で得られた分布の平均値μ（ｍＡ，ｎＡ）よりも小さい値のオフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）が得られ、オフセット補正値Ｏ（ｍＡ，ｎＡ）を放射線画像のrawデータ（ｍＡ，ｎＡ）の値に対応して小さな値とすることが可能となる。
【００７５】
このように、本実施形態によれば、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が上昇し或いは下降して各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力される放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）やダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）が増減しても、被写体撮影ステップ（図６のステップＳ１）とダーク読取ステップ（ステップＳ２）とを時間的に近接して行い、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の温度が略同一になるようなタイミングで上記２つのステップを行うことで、各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を、当該光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力される放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）の値に的確に対応して増減させることが可能となり、画像データ生成ステップ（ステップＳ４）で、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の画像データＩ（ｍ，ｎ）を良好に生成することが可能となる。
【００７６】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法によれば、放射線画像撮影の前または後に、ダーク読取を１回（または少数回）行うだけで、放射線画像検出器１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてそれぞれ有効なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を取得することが可能となる。
【００７７】
そのため、例えば放射線画像検出器（ＦＰＤ）１からダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を送信する場合、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の送信が１回（または少数回）で済むため、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の読取や送信に要する電力消費を低減させることが可能となる。また、全てのダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を送信し終わるまでの送信時間の短縮を図ることが可能となる。
【００７８】
特に、放射線画像検出器１がバッテリ内蔵型であり、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を無線通信するような場合でも、送信が１回（または少数回）で済むため、送信に要する電力消費が低減されて内蔵バッテリの消耗を防止することが可能となる。
【００７９】
また、各光電変換素子（ｍ，ｎ）について従来方式と同等の有効なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）がそれぞれ取得されるため、良好な画像データＩ（ｍ，ｎ）を得ることが可能となる。
【００８０】
なお、本実施形態では、放射線画像検出器１の光電変換素子（ｍ，ｎ）を３つのグループに分類する場合について説明したが、本発明は、３つのグループに分類する場合に限定されず、分類するグループの数は、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の特性等に基づいて適宜決められる。
【００８１】
また、光電変換素子（ｍ，ｎ）に欠陥がある場合があるが、本実施形態では、そのような欠陥を有する光電変換素子（ｍ，ｎ）は無視される。また、欠陥画素（ｍ，ｎ）における画像データＩ（ｍ，ｎ）の値は周辺画素の出力値に基づく補間等の手法により適宜決められる。
【００８２】
さらに、本実施形態では、図１３に示したように、放射線画像検出器１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の時間経過に対する変化プロファイルが各光電変換素子（ｍ，ｎ）で一様である場合について説明した。しかし、放射線画像検出器１によっては、図１５に示すように、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の時間経過に対する変化プロファイルが一様でなく、各光電変換素子（ｍ，ｎ）ごとに異なる場合もあり得る。
【００８３】
そのため、このような場合には、各光電変換素子（ｍ，ｎ）から出力されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等の出力値の時間経過に対する変化プロファイルに基づいて、変化プロファイルが類似する光電変換素子同士を類似の特性関係にあるとして同じグループに分類できるように複数のグループを予め設定しておく。そして、同一のグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）に対して上記と同様の処理を行うことで、本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法と同様の効果を得ることが可能となる。
【００８４】
また、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等の出力値の時間経過に対する変化プロファイルが類似する光電変換素子同士を同じグループに分類できるように複数のグループを予め設定し、さらに、同じグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）を、本実施形態のように、分布の標準偏差σ（ｍ，ｎ）等で評価されるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）のばらつきの各度合に応じて複数のサブグループに予め分類する。そして、同一のサブグループに属する光電変換素子（ｍ，ｎ）に対して上記と同様の処理を行うことで、本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法と同様の効果を得ることが可能となる。
【００８５】
［放射線画像検出器］
上記の放射線画像検出器を用いた画像生成方法の実施に使用される放射線画像検出器１の基本構成は前述したとおりであり、上記の被写体撮影ステップ（図６のステップＳ１）、ダーク読取ステップ（ステップＳ２）、補正値算出ステップ（ステップＳ３）および画像データ生成ステップ（ステップＳ４）をすべて放射線画像検出器１の制御手段６で実行するように構成することが可能である。
【００８６】
この場合、記憶手段７には、各光電変換素子（ｍ，ｎ）（各光電変換素子１４）が属するグループの情報が予め記憶されており、また、定期的に行われるダーク読取により取得されたダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）に基づく分布の平均値μ（ｍ，ｎ）の情報も記憶手段７に記憶されている。
【００８７】
そして、制御手段６は、ＲＯＭ等に格納されている上記各ステップの実行に必要なプログラムを読み出してＲＡＭの作業領域に展開し、プログラムに従って各種処理を実行するようになっている。その際、制御手段６は、補正値算出ステップ（ステップＳ３）では、記憶手段７から各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてのグループの情報や各光電変換素子（ｍ，ｎ）の分布の平均値μ（ｍ，ｎ）をそれぞれ読み出して、各光電変換素子（ｍ，ｎ）のオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出するように構成される。
【００８８】
このように放射線画像検出器１を構成すれば、上記の放射線画像検出器を用いた画像生成方法の効果が有効に発揮され、各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてそれぞれ有効なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を取得して、良好な画像データＩ（ｍ，ｎ）を得ることが可能となる。
【００８９】
また、それとともに、放射線画像撮影の前または後にダーク読取を１回（または少数回）行うだけで済むため、放射線画像撮影に要する電力消費を低減させることが可能となる。特に、放射線画像検出器１がバッテリ内蔵型である場合には、ダーク読取が１回（または少数回）で済むため、放射線画像撮影に要する電力消費が低減され、内蔵バッテリの消耗を防止することが可能となる。
【００９０】
［放射線画像生成システム］
また、上記の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を、放射線画像生成システムで実施することも可能である。放射線画像生成システム３０は、図１６に示すように、放射線画像検出器３１と、コンソール３２と、サーバ手段３３とを備えている。
【００９１】
放射線画像検出器３１は、撮影室Ｒ１に設けられたブッキー装置３４の保持部３４ａに装填されて用いられるようになっている。なお、ブッキー装置３４には、携帯情報端末様の小型の操作部３４ｂが設けられている。また、ブッキー装置３４には、それぞれ放射線発生装置３５が対応付けられて設けられており、放射線画像検出器３１をブッキー装置３４に装填して用いる場合には、対応する放射線発生装置３５から放射線が照射されるようになっている。
【００９２】
放射線画像検出器３１は、ブッキー装置３４に装填されずに、単独でフリーの状態で用いることもできるようになっており、その場合には、撮影室Ｒ１に備えられたポータブルの放射線発生装置３５ｃから放射線を照射するようになっている。
【００９３】
放射線画像検出器３１の基本構成は、図１に示した放射線画像検出器１の構成と同様であるが、この場合、図１７に示すように、筐体３１ａの側面部分に、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を無線方式で送信するための通信手段であるアンテナ装置３１ｂが設けられている。なお、３１ｃはバッテリ１０の交換用の蓋部材、３１ｄは放射線画像検出器３１の電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える電源スイッチ、３１ｅはインジケータである。
【００９４】
また、放射線画像検出器３１の筐体３１ａの反対側の側面部分には、放射線画像検出器３１がブッキー装置３４の保持部３４ａに装填された際に保持部３４ａに設けられた図示しない電極と接続してダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を有線方式で送信するための通信手段である図示しない端子が設けられている。
【００９５】
このように、放射線画像検出器３１は、ブッキー装置３４に装填された際には端子と保持部３４ａの電極とが接続されてダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を有線方式で送信し、また、ブッキー装置３４に装填されずに単独で用いられる場合には、アンテナ装置３１ｂを介してダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を無線方式で送信するようになっている。撮影室Ｒ１には、放射線画像検出器３１が無線方式でコンソール３２にダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を通信する際に中継する無線アクセスポイント３６が設けられている。
【００９６】
また、放射線画像検出器３１は、ブッキー装置３４に装填された際には電極から電力の供給を受けるが、単独で用いられる場合には、内蔵のバッテリ１０の電力により動作するようになっている。しかし、この形態には限定されない。
【００９７】
また、放射線画像検出器３１内には、図示しないタグが内蔵されている。この場合、タグとして、いわゆるＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification）タグが用いられており、タグには、タグの各部を制御する制御回路や放射線画像検出器３１のＩＤ等の固有情報を記憶する記憶部がコンパクトに内蔵されている。
【００９８】
前室Ｒ２の入口の近傍には、放射線画像検出器３１のＲＦＩＤタグを読み取るタグリーダ３７が設置されている。タグリーダ３７は、内蔵する図示しないアンテナを介して電波等に所定の指示情報を乗せて発信し、前室Ｒ２に入室し或いは退室する放射線画像検出器３１を検出して、放射線画像検出器３１のＩＤ等をコンソール３２に送信するようになっている。
【００９９】
前室Ｒ２には、放射線画像生成システム３０全体の制御を行うコンソール３２が設けられており、コンソール３２には、前述したブッキー装置３４や放射線発生装置３５、タグリーダ３７等が接続されている。
【０１００】
コンソール３２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ、ＲＡＭ、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータで構成されており、ＲＯＭに格納されている上記各ステップ（図６のステップＳ１〜Ｓ４）の実行に必要なプログラムを読み出してＲＡＭの作業領域に展開してプログラムに従って各種処理を実行するようになっている。
【０１０１】
また、コンソール３２には、無線アクセスポイント３６を介して放射線画像検出器３１から送信されてくるダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）等を受信するための無線通信手段３８が設けられている。
【０１０２】
コンソール３２には、ネットワークＮＷを介してコンピュータからなるサーバ手段３３が接続されている。サーバ手段３３は、ハードディスク等からなる記憶手段３９が接続されており、記憶手段３９には、放射線画像生成システム３０で使用可能な各放射線画像検出器３１について、放射線画像検出器３１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）（各光電変換素子１４）が属するグループの情報が放射線画像検出器３１のＩＤに対応付けられて予めそれぞれ記憶されている。
【０１０３】
また、この場合も、放射線画像検出器３１は、ダーク読取を定期的に行い、その際取得されたダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）をコンソール３２を介してサーバ手段３３に送信するようになっている。サーバ手段３３は、放射線画像検出器３１からダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）が送信されてくると、記憶手段３９にダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を保存するとともに、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の分布の平均値μ（ｍ，ｎ）を算出して記憶手段３９に記憶させるようになっている。
【０１０４】
なお、このダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の保存および平均値μ（ｍ，ｎ）の算出、記憶はサーバ手段３３に接続された記憶手段３９で行う代わりに、コンソール３２で行うように構成することも可能である。
【０１０５】
コンソール３２は、放射線技師や医師等から放射線画像撮影の指示を受けると、放射線発生装置３５を駆動する等して被写体撮影ステップ（図６のステップＳ１）を実行する。また、放射線画像撮影の前または後に、少なくとも１回のダーク読取を行うように放射線画像検出器３１に指示信号を送信して、ダーク読取ステップ（ステップＳ２）を実行する。
【０１０６】
放射線画像検出器３１は、被写体撮影ステップ（ステップＳ１）で取得した放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）とダーク読取ステップ（ステップＳ２）で取得したダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）とを有線方式または無線方式でコンソール３２に送信する。
【０１０７】
コンソール３２は、放射線画像検出器３１から放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）とダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）とが送信されてくると、続いて、補正値算出ステップ（ステップＳ３）を実行する。その際、コンソール３２は、タグリーダ３７を介して送信されてきた放射線画像検出器３１のＩＤをネットワークＮＷを介してサーバ手段３３に送信し、サーバ手段３３がＩＤに基づいて記憶手段３９から読み出した当該放射線画像検出器３１の各光電変換素子（ｍ，ｎ）のグループの情報および各光電変換素子（ｍ，ｎ）の分布の平均値μ（ｍ，ｎ）を入手し、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）と各光電変換素子（ｍ，ｎ）のグループの情報と分布の平均値μ（ｍ，ｎ）等に基づいて前述した補正値算出ステップ（ステップＳ３）を実行して、各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を算出する。
【０１０８】
コンソール３２は、続いて、画像データ生成ステップ（ステップＳ４）を実行し、放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）から、算出した各光電変換素子（ｍ，ｎ）に対するオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）をそれぞれ差し引いて、各光電変換素子（ｍ，ｎ）の被写体に対応する画像データＩ（ｍ，ｎ）を生成する。なお、放射線画像検出器３１のＩＤに対応付けて、欠陥画素のアドレス情報もサーバ手段３３側に保存しておき、各画素のグループ情報等とともにコンソール３２に送信し、各欠陥画素の周囲のオフセット補正済み画素値を使用した補間処理を行って、各欠陥画素の出力値としてもよい。
【０１０９】
このように放射線画像生成システム３０を構成することで、上記の放射線画像検出器を用いた画像生成方法の効果が有効に発揮され、各光電変換素子（ｍ，ｎ）についてそれぞれ有効なオフセット補正値Ｏ（ｍ，ｎ）を取得して、良好な画像データＩ（ｍ，ｎ）を得ることが可能となる。
【０１１０】
また、それとともに、放射線画像撮影の前または後にダーク読取を１回（または少数回）行うだけで済み、放射線画像のrawデータ（ｍ，ｎ）と１回分（または少数回分）のダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）を放射線画像検出器３１から送信するだけで済むため、放射線画像撮影に要する電力消費を低減させることが可能となる。
【０１１１】
特に、放射線画像検出器３１がバッテリ内蔵型である場合には、ダーク読取が１回（または少数回）で済み、ダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の送信が１回分（または少数回分）だけで済むため、放射線画像撮影やダーク読取値Ｄ（ｍ，ｎ）の送信に要する電力消費が低減され、内蔵バッテリの消耗を防止することが可能となる。
【０１１２】
さらに、放射線画像検出器３１の記憶手段７に各光電変換素子（ｍ，ｎ）が属するグループの情報等を記憶させておく必要がなくなるため、放射線画像検出器３１の記憶手段７に記憶させることができるデータ量が増大し、より多くの画像データ等を記憶させることが可能となる。
【０１１３】
なお、本発明が上記の実施の形態に限定されず、適宜変更可能であることはいうまでもない。本発明の概念は、類似の特性関係にある放射線検出素子同士を例えばグループ化する等して他の特性関係にある放射線検出素子と区別して各放射線検出素子のオフセット補正値を算出するものである。そのため、各放射線検出素子自体は、上記の実施形態のように光電変換素子タイプである必要はなく、他の構造を有するものを２次元的に配置したセンサパネル部を備える放射線画像検出器にも適用可能であることはいうまでもない。
【０１１４】
また、例えば、上記の実施形態においては、被写体撮影時とは個別に、定期的にダーク読取を行うこととしたが、被写体撮影時の前または後に行うダーク読取値を使用するように構成してもよく、この場合には、例えば連続する１２回分のダーク読取値を保存しておき、当該１２回分のダーク読取値を使用して上記の実施形態と同様に平均値μ（ｍ，ｎ）を算出するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法に用いられる放射線画像検出器の基本構成を示す図である。
【図２】放射線画像検出器のセンサパネル部および読取部の構成に示す等価回路図である。
【図３】光電変換素子に割り当てられた番号を説明する図である。
【図４】定期的に行われるダーク読取の読取タイミングを表す図である。
【図５】ダーク読取で取得されるダーク読取値の分布、平均値および標準偏差を表すグラフである。
【図６】本実施形態に係る放射線画像検出器を用いた画像生成方法の処理手順を示すフローチャートである。
【図７】分布の平均値や標準偏差が光電変換素子で異なり得ることを示すグラフである。
【図８】各グループに分類された光電変換素子を表す図である。
【図９】同一のグループに属する各光電変換素子の分布の平均値が近接した値でない場合を表し、平均値の差分を説明するグラフである。
【図１０】１回のダーク読取で各分布内に検出されたダーク読取値を表すグラフである。
【図１１】光電変換素子のダーク読取値と他の光電変換素子のダーク読取値から変換された各値を表すグラフである。
【図１２】図１１のグラフで光電変換素子のダーク読取値にノイズがのった状態を表すグラフである。
【図１３】光電変換素子から出力されるダーク読取値の時間経過に対する変化プロファイルを表すグラフである。
【図１４】光電変換素子の温度が低い場合の光電変換素子のダーク読取値と他の光電変換素子のダーク読取値から変換された各値を表すグラフである。
【図１５】各光電変換素子から出力されるダーク読取値の時間経過に対する変化プロファイルが一様でない場合を説明するグラフである。
【図１６】本実施形態に係る放射線画像生成システムの構成を示す図である。
【図１７】図１６の放射線画像生成システムに用いられる放射線画像検出器の構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１、３１ 放射線画像検出器
４ センサパネル部
５ 読取部
６ 制御手段
７ 記憶手段
１０ バッテリ
１４、（ｍ，ｎ） 放射線検出素子（光電変換素子）
３０ 放射線画像生成システム
３１ｂ 通信手段（アンテナ装置）
３２ コンソール
３３ サーバ手段
３９ 記憶手段
Ｄ（ｍ，ｎ） ダーク読取値
Ｄ＊（ｍ，ｎ） 値
Ｉ（ｍ，ｎ） 画像データ
（ｍ，ｎ） 放射線検出素子（光電変換素子）の出力値（rawデータ）
ＮＷ ネットワーク
Ｏ（ｍ，ｎ） オフセット補正値
Δ 差分
μ（ｍ，ｎ） 平均値
σ（ｍ，ｎ） 標準偏差
σ２（ｍ，ｎ） 分散
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子を２次元状に配置したセンサパネル部と、前記センサパネル部の前記各光電変換素子の出力値を読み取る読取部とを備える放射線画像検出器を用いた画像生成方法であって、
被写体を透過した放射線に基づく前記各光電変換素子の出力値を読み取る被写体撮影ステップと、
前記被写体撮影ステップの前または後に、少なくとも１回のダーク読取を行うダーク読取ステップと、
前記ダーク読取により得られた一の前記光電変換素子のダーク読取値と、当該一の光電変換素子と予め類似の特性関係にあると定められた他の光電変換素子の各ダーク読取値とに基づいて、当該一の光電変換素子に対するオフセット補正値を算出し、前記各光電変換素子に対する前記オフセット補正値を算出する補正値算出ステップと、
前記被写体撮影ステップで読み取られた前記各光電変換素子の出力値から、前記補正値算出ステップで前記各光電変換素子について算出された前記各オフセット補正値をそれぞれ差し引いて、前記各光電変換素子の前記被写体に対応する画像データを生成する画像データ生成ステップと、
を有することを特徴とする放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項２】
前記光電変換素子は、前記各光電変換素子から出力される出力値の時間経過に対する変化プロファイルに基づいて複数のグループに予め分類され、前記一の光電変換素子と同一のグループに属する前記他の光電変換素子が前記類似の特性関係にあると定められることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項３】
前記光電変換素子は、前記各光電変換素子から出力されるダーク読取値のばらつきの各度合に基づいて複数のグループに予め分類され、前記一の光電変換素子と同一のグループに属する前記他の光電変換素子が前記類似の特性関係にあると定められることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項４】
前記光電変換素子は、前記各光電変換素子から出力されるダーク読取値の時間経過に対する変化プロファイルに基づいて複数のグループに予め分類され、かつ、同一の前記グループに属する前記各光電変換素子のうち、各光電変換素子から出力されるダーク読取値のばらつきの各度合に基づいて当該各光電変換素子がさらに複数のサブグループに予め分類され、前記一の光電変換素子と同一のサブグループに属する前記他の光電変換素子が前記類似の特性関係にあると定められることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項５】
前記ダーク読取値のばらつきの度合は、前記各光電変換素子から出力されるダーク読取値の分布の標準偏差または分散により評価されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項６】
前記補正値算出ステップでは、前記一の光電変換素子と予め類似の特性関係にあると定められた前記他の光電変換素子の各ダーク読取値から、予め算出された前記一の光電変換素子のダーク読取値の平均値と当該他の光電変換素子のダーク読取値の平均値との差分をそれぞれ減じた各値と、前記一の光電変換素子のダーク読取値との平均値を算出して、当該一の光電変換素子に対するオフセット補正値とすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を実行するための放射線画像検出器であって、
前記複数の光電変換素子を２次元状に配置した前記センサパネル部と、
前記センサパネル部の前記各光電変換素子の出力値を読み取る前記読取部と、
前記光電変換素子に関する前記特性関係の情報が記憶された記憶手段と、
前記被写体撮影ステップ、前記ダーク読取ステップ、前記補正値算出ステップおよび前記画像データ生成ステップを実行し、前記補正値算出ステップでは前記記憶手段から前記特性関係の情報を読み出して前記特性関係の情報に基づいて前記各光電変換素子の前記オフセット補正値を算出する制御手段と、
を備えることを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項８】
バッテリが内蔵されており、前記制御手段により前記バッテリから各部材への給電が制御されることを特徴とする請求項７に記載の放射線画像検出器。
【請求項９】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を実行するための放射線画像生成システムであって、
前記複数の光電変換素子を２次元状に配置した前記センサパネル部と、前記センサパネル部の前記各光電変換素子の出力値を読み取る前記読取部と、前記ダーク読取値を含む前記各光電変換素子の出力値の取得を行うように前記読取部を制御する制御手段と、前記ダーク読取値を含む前記各光電変換素子の出力値を送信する通信手段と、を備える放射線画像検出器と、
前記放射線画像検出器から前記ダーク読取値を含む前記各光電変換素子の出力値を取得して前記被写体に対応する画像データを生成するコンソールと、
前記光電変換素子に関する前記特性関係の情報と、前記放射線画像検出器のＩＤとを対応付けて記憶する記憶手段を備えるサーバ手段と、
を備え、
前記コンソールと前記サーバ手段とはネットワーク接続されており、
前記コンソールは、前記放射線画像検出器から前記ダーク読取値を含む前記各光電変換素子の出力値および前記ＩＤが送信されると、前記ＩＤに基づいて前記サーバ手段から前記ＩＤに対応付けられた前記光電変換素子に関する前記特性関係の情報を入手し、前記ダーク読取値および前記特性関係の情報に基づいて前記放射線画像検出器の前記各光電変換素子の前記オフセット補正値を算出して、前記被写体に対応する画像データを生成することを特徴とする放射線画像生成システム。
【請求項１０】
前記放射線画像検出器には、バッテリが内蔵されており、
前記放射線画像検出器の前記通信手段は、無線方式の通信手段であることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像生成システム。
【請求項１１】
前記放射線画像検出器は、定期的にダーク読取を行うように構成され、
前記放射線画像検出器から前記定期的に行われるダーク読取により取得された前記ダーク読取値が送信されると、前記コンソールまたは前記サーバ手段で当該ダーク読取値が保存されることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の放射線画像生成システム。
【請求項１】
複数の光電変換素子を２次元状に配置したセンサパネル部と、前記センサパネル部の前記各光電変換素子の出力値を読み取る読取部とを備える放射線画像検出器を用いた画像生成方法であって、
被写体を透過した放射線に基づく前記各光電変換素子の出力値を読み取る被写体撮影ステップと、
前記被写体撮影ステップの前または後に、少なくとも１回のダーク読取を行うダーク読取ステップと、
前記ダーク読取により得られた一の前記光電変換素子のダーク読取値と、当該一の光電変換素子と予め類似の特性関係にあると定められた他の光電変換素子の各ダーク読取値とに基づいて、当該一の光電変換素子に対するオフセット補正値を算出し、前記各光電変換素子に対する前記オフセット補正値を算出する補正値算出ステップと、
前記被写体撮影ステップで読み取られた前記各光電変換素子の出力値から、前記補正値算出ステップで前記各光電変換素子について算出された前記各オフセット補正値をそれぞれ差し引いて、前記各光電変換素子の前記被写体に対応する画像データを生成する画像データ生成ステップと、
を有することを特徴とする放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項２】
前記光電変換素子は、前記各光電変換素子から出力される出力値の時間経過に対する変化プロファイルに基づいて複数のグループに予め分類され、前記一の光電変換素子と同一のグループに属する前記他の光電変換素子が前記類似の特性関係にあると定められることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項３】
前記光電変換素子は、前記各光電変換素子から出力されるダーク読取値のばらつきの各度合に基づいて複数のグループに予め分類され、前記一の光電変換素子と同一のグループに属する前記他の光電変換素子が前記類似の特性関係にあると定められることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項４】
前記光電変換素子は、前記各光電変換素子から出力されるダーク読取値の時間経過に対する変化プロファイルに基づいて複数のグループに予め分類され、かつ、同一の前記グループに属する前記各光電変換素子のうち、各光電変換素子から出力されるダーク読取値のばらつきの各度合に基づいて当該各光電変換素子がさらに複数のサブグループに予め分類され、前記一の光電変換素子と同一のサブグループに属する前記他の光電変換素子が前記類似の特性関係にあると定められることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項５】
前記ダーク読取値のばらつきの度合は、前記各光電変換素子から出力されるダーク読取値の分布の標準偏差または分散により評価されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項６】
前記補正値算出ステップでは、前記一の光電変換素子と予め類似の特性関係にあると定められた前記他の光電変換素子の各ダーク読取値から、予め算出された前記一の光電変換素子のダーク読取値の平均値と当該他の光電変換素子のダーク読取値の平均値との差分をそれぞれ減じた各値と、前記一の光電変換素子のダーク読取値との平均値を算出して、当該一の光電変換素子に対するオフセット補正値とすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を実行するための放射線画像検出器であって、
前記複数の光電変換素子を２次元状に配置した前記センサパネル部と、
前記センサパネル部の前記各光電変換素子の出力値を読み取る前記読取部と、
前記光電変換素子に関する前記特性関係の情報が記憶された記憶手段と、
前記被写体撮影ステップ、前記ダーク読取ステップ、前記補正値算出ステップおよび前記画像データ生成ステップを実行し、前記補正値算出ステップでは前記記憶手段から前記特性関係の情報を読み出して前記特性関係の情報に基づいて前記各光電変換素子の前記オフセット補正値を算出する制御手段と、
を備えることを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項８】
バッテリが内蔵されており、前記制御手段により前記バッテリから各部材への給電が制御されることを特徴とする請求項７に記載の放射線画像検出器。
【請求項９】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線画像検出器を用いた画像生成方法を実行するための放射線画像生成システムであって、
前記複数の光電変換素子を２次元状に配置した前記センサパネル部と、前記センサパネル部の前記各光電変換素子の出力値を読み取る前記読取部と、前記ダーク読取値を含む前記各光電変換素子の出力値の取得を行うように前記読取部を制御する制御手段と、前記ダーク読取値を含む前記各光電変換素子の出力値を送信する通信手段と、を備える放射線画像検出器と、
前記放射線画像検出器から前記ダーク読取値を含む前記各光電変換素子の出力値を取得して前記被写体に対応する画像データを生成するコンソールと、
前記光電変換素子に関する前記特性関係の情報と、前記放射線画像検出器のＩＤとを対応付けて記憶する記憶手段を備えるサーバ手段と、
を備え、
前記コンソールと前記サーバ手段とはネットワーク接続されており、
前記コンソールは、前記放射線画像検出器から前記ダーク読取値を含む前記各光電変換素子の出力値および前記ＩＤが送信されると、前記ＩＤに基づいて前記サーバ手段から前記ＩＤに対応付けられた前記光電変換素子に関する前記特性関係の情報を入手し、前記ダーク読取値および前記特性関係の情報に基づいて前記放射線画像検出器の前記各光電変換素子の前記オフセット補正値を算出して、前記被写体に対応する画像データを生成することを特徴とする放射線画像生成システム。
【請求項１０】
前記放射線画像検出器には、バッテリが内蔵されており、
前記放射線画像検出器の前記通信手段は、無線方式の通信手段であることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像生成システム。
【請求項１１】
前記放射線画像検出器は、定期的にダーク読取を行うように構成され、
前記放射線画像検出器から前記定期的に行われるダーク読取により取得された前記ダーク読取値が送信されると、前記コンソールまたは前記サーバ手段で当該ダーク読取値が保存されることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の放射線画像生成システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１１−１６０８１６（Ｐ２０１１−１６０８１６Ａ）
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１３５１４９（Ｐ２００８−１３５１４９）
【出願日】平成２０年５月２３日（２００８．５．２３）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月２３日（２００８．５．２３）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
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