新規なコポリマー、そのフォトレジスト組成物およびその深紫外線二層システム
深紫外線、特に１９３および２４８ｎｍでフォト画像形成可能な上部層コーティング、高解像度のフォトリソグラフィーを行う二層レジストシステムをつくるのに好適な新規なコポリマー。化学的に増幅されたフォトレジスト組成物、および新規なコポリマーを使用するＡｒＦおよびＫｒｆフォトリソグラフィーで使用するための材料として好適である、フォト画像形成可能なエッチングに耐えるフォトレジスト組成物のためのバインダー樹脂中で使用するのに好適な有機シリコン部分構造を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高解像度のフォトリソグラフィーを行うための深紫外線、特に１９３ｎｍおよび２４３ｎｍの二層レジストシステムで頂部層のフォト画像形成可能なコーティングを形成するために好適な新規なコポリマーを提供する。本発明はまた、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物および、ＡｒＦおよびＫｒＦフォトリソグラフィーで使用するための材料として好適であるフォト画像形成可能でエッチングに耐えるフォトレジスト組成物のためのバインダー樹脂中での使用に好適な有機シリコン部分構造を提供する。
【背景技術】
【０００２】
より小さいフィーチュア寸法を有する新規な電子デバイスを製造するために、新規で改良されたレジストが必要とされる。典型的に、フォトレジストの解像度、フォトスピード、焦点深度、およびその他の特性における改善が要求される。解像度の改善は、より大きい開口数（numerical aperture）を利用する露光システムによってもなされることができる。残念ながらより大きい開口数によって解像度が改善されるにつれ、最良解像度での焦点深度は光学的効果のため通常減少する。従って、レジストの焦点深度の改善もまた望ましい。
【０００３】
最も普通の種類のレジストは、画像形成およびプラズマエッチ抵抗の機能をレジストがともに有する「単一層」と称される。第２の種類のレジストは、頂部層に画像形成の機能が割り当てられており、また下層にプラズマエッチ抵抗の機能が割り当てられている「二層レジスト」と称される。酸素エッチ段階では、画像形成されたパターンが下層に移される。二層レジストは、典型的にシリコンを含有しまたより薄い画像形成フィルムを使用することから解像度についてある種の利点をもたらし、また多くの場合、二層レジスト／アンダーコートの組み合わせは、より良い基板プラズマエッチ抵抗をもたらす。二層レジストの例は例えば米国特許第６,３５９,０７８号、米国特許第５,９８５,５２４号および米国特許第６,０２８,１５４号ならびに他の特許中に見いだされ、これらは各々参照によってそれらの全体が本明細書に加入される。
【０００４】
ポリマー主骨格としてのシルセスキオキサンポリマーをベースとするフォトレジストは、米国特許第６,４２０,０８４号および他の特許中に報告されている。多面体状のオリゴマーシルセスキオキサンは、低い分子量および、駕篭状体の頂点に特定の数のシリコン原子を有する閉鎖されたまたは部分的に開放した駕篭状構造を特徴とする。多面体オリゴマーシルセスキオキサンは、ポリマー中に導入された時、ポリマーの主骨格を形成するのでなく一般にポリマー鎖からの側鎖であり、また典型的なシルセスキオキサンポリマーに関してより低い濃度を有する。多面体オリゴマーシルセスキオキサンがポリマー主骨格からの側鎖である多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ(登録商標)）を含有する感光性組成物に関しては僅かな報告しかない（ＵＳ２００２／０１８２５４１ Ａ１として公開された米国特許出願第０９／９９２５６０号を参照）。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、高解像度のフォトリソグラフィーを行うための深紫外線、特に１９３ｎｍおよび２４３ｎｍの二層レジストシステムで頂部層のフォト画像形成可能なコーティングを形成するために好適な新規なコポリマーを提供する。本発明はまた、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物および、ＡｒＦおよびＫｒＦフォトリソグラフィーで使用するための材料として好適であるフォト画像形成可能でエッチングに耐えるフォトレジスト組成物のためのバインダー樹脂中での使用に好適な有機シリコン部分構造を提供する。
【０００６】
本発明は１つの局面で、構造（ＩＡ）または構造（ＩＢ）または構造（ＩＣ）
【化１】
（式中、Ｒ1は各々独立に、水素原子またはメチル基であり；Ｒ3は各々独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基であり；ｍは約２から約１０までの整数であり；Ｒ4は各々独立にＨまたは構造（II）
【化２】
（式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または線状、分枝状もしくは環状および脂環式のフルオロアルキル基または置換されたもしくは非置換の脂環式基である）
であり；そしてＲ2は各々独立に
（１）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキルまたは非置換のもしくは置換された脂環式基；
（２）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキルまたはフッ素置換された脂環式基；および
（３）（ａ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ8がＨ、Ｒ3基またはα−アルコキシアルキル基であってよく；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−ＯＲ8；
（ｂ）ｎが約２から約１０までの整数でありそしてＲ9がＨ、Ｒ3基または酸感受性保護基であってよく；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−(Ｃ＝Ｏ)−ＯＲ9；
（ｃ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ10がＨまたはフルオロメチル、ジフルオロメチルまたはトリフルオロメチルであってよく、またＲ11はＨまたはＲ3アルキル基であってよい(ＣＨ2)n−Ｃ(ＣＦ3)Ｒ10−ＯＲ11；および
（ｄ）ｎが約２から約１０までの整数であり；そしてＲ3が炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である（ＣＨ2)n−Ｏ−(Ｃ＝Ｏ)Ｒ3のような極性基
であってよい）
によって表される１つまたはそれ以上の反復単位を含む少なくとも１つの構造（Ｉ）である第１の反復単位
および構造（III）
【化３】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもち、そしてＲ12は酸に不安定な基である）
によって表される第２の反復単位を含むコポリマーであって、ただし構造（ＩＡ）がコポリマー中に存在し、そしてＲ12がｔ−Ｂｕである時、構造（IV）もしくは構造（VI）を有する追加の反復単位、または以下に規定するような、構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位である、新規なコポリマーを提供する。
【０００７】
別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、および（IV）
【化４】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもち、またＲ13は以下の構造（Ｖａ〜Ｖｇ）
【化５】
から選択される）
の反復単位を含む。
【０００８】
別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、および（IV）の反復単位ならびに保護されていないアルカリ可溶化基部分を含む。
【０００９】
さらに別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、およびＲ1が上記に規定したのと同じ意味を有する（VI）
【化６】
の反復単位を含む。
【００１０】
別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）の反復単位、ならびに構造（ＩＡ）、（ＩＢ）、および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を含む。
【００１１】
別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、（VI）の反復単位、ならびに構造（ＩＡ）、（ＩＢ）、および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を含む。
【００１２】
別な局面において、本発明は、上記したコポリマー、光酸発生剤、有機溶媒および塩基性化合物を含有する化学的に増幅されたポジ型レジスト組成物を提供する。
【００１３】
本発明で使用するための成分を以下に詳細に述べる。
本発明の新規なコポリマーは、構造（ＩＡ）または構造（ＩＢ）または構造（ＩＣ）
【化７】
（式中、Ｒ1は各々独立に、水素原子またはメチル基であり；Ｒ3は各々独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基であり；ｍは約２から約１０までの整数であり；Ｒ4は各々独立にＨまたは構造（II）
【化８】
（式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または線状、分枝状もしくは環状および脂環式のフルオロアルキル基または置換されたもしくは非置換の脂環式基である）
であってよく；そして各々のＲ2は独立に
（１）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキルまたは非置換のもしくは置換された脂環式基；
（２）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキルまたはフッ素置換された脂環式基；および
（３）（ａ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ8がＨ、Ｒ3基またはα−アルコキシアルキル基であってよく；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である（ＣＨ2）n−ＯＲ8；
（ｂ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ9がＨ、Ｒ3基または酸感受性保護基であってよく；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−(Ｃ＝Ｏ)−ＯＲ9；
（ｃ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ10がＨまたはフルオロメチル、ジフルオロメチルもしくはトリフルオロメチルであってよく、またＲ11はＨまたはＲ3アルキル基であってよい(ＣＨ2)n−Ｃ(ＣＦ3)Ｒ10−ＯＲ11；および
（ｄ）ｎが約２から約１０までの整数であり；そしてＲ3が炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−Ｏ−(Ｃ＝Ｏ)Ｒ3
のような極性基
であってよい）
によって表される１つまたはそれ以上の反復単位を含む少なくとも１つの第１の構造（Ｉ）
および構造（III）
【化９】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもちそして、Ｒ12は酸に不安定な基であり、これは酸感受性のＲ9基の場合に上記に規定されている）
によって表される第２の反復単位を含むコポリマーであって、ただし構造（ＩＡ）がコポリマー中に存在しそしてＲ12がｔ−Ｂｕである時、構造（IV）もしくは構造（VI）を有する追加の反復単位、または以下に規定するような、構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位であるコポリマーである。
【００１４】
Ｒ3の好適な例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデカニルなどがあるが、これらに限定されない。
【００１５】
Ｒ5、Ｒ6およびＲ7の好適な例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノナニル、シクロデカニル、ノルボルナニル、イソボルナニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデカニル、トリフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピル、３，３，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６−ドデカフルオロヘキシル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７−ペンタデカフルオロヘプチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００１６】
構造（II）の例には、トリメチルシリル、エチルジメチルシリル、ジメチルプロピルシリル、メチルエチルプロピルシリル、ジエチルプロピルシリル、ジエチルメチルシリル、ジブチルメチルシリル、第３級−ブチルジメチルシリル、第３級−ブチルジエチルシリル、シクロヘキシルジメチルシリル、シクロペンチルジメチルシリル、オクチルジメチルシリル、シクロオクチルジメチルシリル、シクロノニルジメチルシリル、シクロデシルジメチルシリル、ノルボルニルジメチルシリル、イソボルニルジメチルシリル、アダマンチルジメチルシリル、アダマンチルメチレンジメチルシリル、２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）ジメチルシリル、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレンジメチルシリル、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルジメチルシル、ジメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルシリル、ジメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６−ドデカフルオロヘキシルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７−ペンタデカフルオロヘプチルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチルシリルなどがあるが、これらに限定されない。
【００１７】
Ｒ2は各々独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル、または置換されたもしくは非置換の脂環式基であってよい。脂環式基部分は任意の空席の結合位置に於いて１つまたはそれ以上の置換基によって置換されてよい。脂環式基部分上の好適な置換基の例には、線状、分枝状または環状のアルキル基、ヒドロキシル基、ならびに構造（VII）のようなヒドロキシアルキル基および構造（VIII）のようなエステル基
【化１０】
（式中、Ｒ14は水素、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基から選択され、ｏは約１から約１０までの整数であり、Ｒ15は水素、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基、および酸に不安定な基から選択される）
がある。
【００１８】
Ｒ2の例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、シクロヘプチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。置換脂環式基は、Ｒ14が水素または、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基および脂環式基であってよく、そしてｏが約１から約１０の整数である構造（VII）であってよい。Ｒ14の好適な例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。
【００１９】
構造（VII）の例には、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロパン−２−オール、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ブチル−２−オール、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソメチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソエチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソプロピル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソ−ｎ−ブチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソ−第３級ブチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロヘキシル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソオクチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロオクチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロノニル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロデシル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソノルボルニル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフ
ルオロメチル）プロピル−２−オキソイソボルニル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソアダマンチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソアダマンチルメチレン、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソトリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソテトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２０】
Ｒ2は、Ｒ15が水素または、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基もしくは脂環式基、または酸感受性基である構造（VIII）であってよい。Ｒ15の好適な具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。Ｒ15中の酸に不安定な保護基は、第３級ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１，１−ジエチルプロピル基、１，１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１，１−ジエチルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１，１−ジエチルヘキシル基など、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチル、ならびに１，１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１，１−ジメチル−３−オキソペンチル、テトラヒドロピラン−２−イルなどからなる群から選択されてよい。構造（VIII）の例には、５−（メトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（エトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（プロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（ｎ−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（第２級−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（第３級−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（オクチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロオクチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロノニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロデシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（ノルボルニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（イソボルニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（アダマンチルメチレンオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレンオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１，１−ジメチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１−メチル−１−エチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジメチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１−メチル−１−エチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジエチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジメチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１−メチル−１−エチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジエチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジメチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１−メチル−１−エチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジエチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−エチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−プロピル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−ブチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−プロピル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−ブチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−イソプロピル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１，１−ジメチル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−エチル−１−メチル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１，１−ジメチル−３−オキソペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）などがあるが、これらに限定されない。
【００２１】
Ｒ2は、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキル基またはフルオロ置換脂環式基であってよい。「フルオロアルキル」という用語は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子によって置き換えられているアルキル基をさし、そしてこれにはトリフルオロメチル、ジフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピル、３，３，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６−ドデカフルオロヘキシル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７−ペンタデカフルオロヘプチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチル、１，２，２，３，３，４，４，５−オクタフルオロシクロペンチル、２−（オクタフルオロ−１−トリフルオロメチルシクロペンチル）エチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２２】
Ｒ2はｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ8はＨ、Ｒ3基またはα−アルコキシ線状、分枝状もしくは環状のアルキル基でありうる（ＣＨ2）n−ＯＲ8のような極性基であってよい。アルキル基の実例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、シクロヘプチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。Ｒ8中の線状または分枝状のα−アルコキシアルキル基には、
【化１１】
があるが、これらに限定されない。
【００２３】
環状α−アルコキシアルキル基の実例には、テトラヒドロフラン−２−イル、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラン−２−イル、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２４】
（ＣＨ2）n−ＯＲ8の例には、エチル−１−オキソメチル、エチル−１−オキソエチル、エチル−１−オキソプロピル、エチル−１−オキソイソプロピル、エチル−１−オキソ−ｎ−ブチル、エチル−１−オキソ−第２級−ブチル、エチル−１−オキソ−第３級−ブチル、エチル−１−オキソ−シクロヘキシル、エチル−１−オキソ−シクロペンチル、エチル−１−オキソシクロヘプチル、エチル−１−オキソオクチル、エチル−１−オキソシクロオクチル、エチル−１−オキソシクロノニル、エチル−１−オキソシクロデシル、エチル−１−オキソノルボルニル、エチル−１−オキソイソボルニル、エチル−１−オキソアダマンチル、エチル−１−オキソアダマンチルメチレン、エチル−１−オキソトリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、エチル−１−オキソテトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシル、プロピル−１−オキソメチル、プロピル−１−オキソエチル、ブチル−１−オキソメチル、ペンチル−１−オキソメチル、ヘキシル−１−オキソメチル、ヘプチル−１−オキソメチル、オクチル−１−オキソメチル、ノナニル−１−オキソメチル、デシル−１−オキソメチル、エチル−１−オキソ−α−メトキシメチル、エチル−１−オキソ−α−メトキシエチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２５】
Ｒ2は、ｎが上記と同じ意味を有し、またＲ9がＨ、Ｒ3基または酸感受性の保護基でありうる（ＣＨ2）n−（Ｃ＝Ｏ）−ＯＲ9のような極性基であってよい。Ｒ9中の酸に不安定な保護基の好適な例には、第３級ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１，１−ジエチルプロピル基、１，１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１，１−ジエチルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシルル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１，１−ジエチルヘキシル基など、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチル、および１，１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１，１−ジメチル−３−オキソペンチル、テトラヒドロピラン−２−イルなどがあるが、これらに限定されない。（ＣＨ2）n−（Ｃ＝Ｏ）−ＯＲ9基の例には、第３級ブチルオキシカルボニルエチル、第３級ブチルオキシカルボニルプロピル、第３級ブチルオキシカルボニルブチル、第３級ブチルオキシカルボニルペンチル、第３級ブチルオキシカルボニルヘキシル、第３級ブチルオキシカルボニルヘプチル、第３級ブチルオキシカルボニルオクチル、１，１−ジメチルプロピルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルプロピルオキシカルボニルエチル、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニルエチル、１，１−ジメチルブチルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルブチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジエチルブチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジメチルペンチルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルペンチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジエチルペンチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジメチルヘキシルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルヘキシルオキシカルボニルエチル、１，１−ジエチルヘキシルオキシカルボニルエチルなど、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−エチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−プロピル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−ブチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−プロピル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−ブチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチルおよび１，１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジメチル−３−オキソペンチルオキシカルボニルエチル、テトラヒドロピラン−２−イルオキシカルボニルエチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２６】
Ｒ2は、ｎが上記と同じ意味を有し、またＲ10がＨまたはフルオロメチル、ジフルオロメチルもしくはトリフルオロメチルであり得、またＲ11がＨまたはＲ3基でありうる（ＣＨ2）n−Ｃ（ＣＦ3）Ｒ10−ＯＲ11のような極性基であってよい。（ＣＨ2）n−Ｃ（ＣＦ3）Ｒ10−ＯＲ11の例には、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシ、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシエチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシプロピル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシブチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ヘプチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）オクチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ヘプチルオキシ、（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ヘプチルオキシメチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２７】
Ｒ2は、ｎおよびＲ3が上記と同じ意味を有する（ＣＨ2）n−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）Ｒ3のような極性基であってよい。（ＣＨ2）n−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）Ｒ3基の例には、アセチルオキシエチル、アセチルオキシプロピル、アセチルオキシブチル、アセチルオキシペンチル、アセチルオキシヘキシル、アセチルオキシヘプチル、アセチルオキシオクチル、エチルカルボニルオキシエチル、エチルカルボニルオキシプロピル、エチルカルボニルオキシブチル、プロピルカルボニルオキシエチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２８】
構造（ＩＡ）を生成するモノマーの好適な例には、３−（３，５，７，９，１１，１３
，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルアクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタメチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタプロピルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタイソブチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタ−第３級−ブチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘキシルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ブチルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ペンチルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ヘキシルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタキス（３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチル）ペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタキス｛５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソメチル｝ペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタキス（第３級ブチル）ペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレートなどがあるが、これらに限定されない。
【００２９】
モノマーを生成する構造（ＩＢ）の好適な例には
３−（１３−ヒドロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタエチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）ブチルアクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−エチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロ
ピルアクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリエチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタエチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタイソブチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−第３級ブチルジメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ジメチル−１，１，１−トリフルオロプロピルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレートなどがあるが、これらに限定されない。
【００３０】
構造（ＩＣ）を生成するモノマーの例には、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタメチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルアクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタメチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタエチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタイソブチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタシクロペンチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタシクロヘキシルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタメチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］ブチルアクリレート、
３−［（７，１４−ジ（トリメチルシロキシ）−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタメチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルアクリレートなどがあるが、これらに限定されない。
【００３１】
構造Ｉの少なくとも１つの反復単位に加えて、新規のコポリマーは構造（III）
【化１２】
（式中、Ｒ1は上記に規定した意味を有しまたＲ12は酸に不安定な基である）
によって表される少なくとも１つの第２の反復単位をさらに含む。好適な任意の酸に不安定基が使用されてよい。酸に不安定な保護基の例には、第３級ブチル、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１，１−ジエチルプロピル基、１，１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１，１−ジエチルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１，１−ジエチルヘキシル基など、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチル、ならびに１，１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１，１−ジメチル−３−オキソペンチル、テトラヒドロピラン−２−イルなどがあるが、これらに限定されない。
【００３２】
モノマーを生成する構造（III）の例には、１，１−ジメチルプロピルアクリレート、１，１−ジメチルプロピルメタクリレート、１−メチル−１−エチルプロピルアクリレート、１−メチル−１−エチルプロピルメタクリレート、１，１−ジエチルプロピルアクリレート、１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、１，１−ジメチルブチルアクリレート、１，１−ジメチルブチルメタクリレート、１−メチル−１−エチルブチルアクリレート、１−メチル−１−エチルブチルメタクリレート、１，１−ジエチルブチルアクリレート、１，１−ジエチルブチルメタクリレート、１，１−ジメチルペンチルアクリレート、１，１−ジメチルペンチルメタクリレート、１−メチル−１−エチルペンチルメタクリレート、１，１−ジエチルペンチルアクリレート、１，１−ジメチルヘキシルアクリレート、１−メチル−１−エチルヘキシルアクリレート、１，１−ジエチルヘキシルアクリレートなど、１−メチル−１−シクロペンチルアクリレート、１−エチル−１−シクロペンチルアクリレート、１−プロピル−１−シクロペンチルアクリレート、１−ブチル−１−シクロペンチルアクリレート、１−メチル−１−シクロペンチルメタクリレート、１−エチル−１−シクロペンチルメタクリレート、１−プロピル−１−シクロペンチルメタクリレート、１−ブチル−１−シクロペンチルメタクリレート、１−メチル−１−シクロヘキシルアクリレート、１−メチル−１−シクロヘキシルメタクリレート、１−エチル−１−シクロヘキシルアクリレート、１−プロピル−１−シクロヘキシルアクリレート、１−ブチル−１−シクロヘキシルアクリレート、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート、２−エチル−２−アダマンチルアクリレート、２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート、２−プロピル−２−アダマンチルアクリレート、２−ブチル−２−アダマンチルアクリレート、２−イソプロピル−２−アダマンチルアクリレート、２−イソプロピル−２−アダマンチルメタクリレートおよび１，１−ジメチル−３−オキソブチルアクリレート、１−メチル−１−エチル−３−オキソブチルアクリレート、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルアクリレート、１，１−ジメチル−３−オキソペンチルアクリレート、テトラヒドロピラン−２−イルアクリレート、テトラヒドロピラン−２−イルメタクリレートなどがあるが、これらに限定されない。
【００３３】
構造（Ｉ）を有するポリマー中の反復単位の濃度は約１〜約５０モル％の範囲にあるであろう。構造（Ｉ）を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約５〜約２５モル％である。構造（Ｉ）を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約５〜約２０モル％の範囲である。構造（Ｉ）を有するポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約５〜約１５モル％である。
【００３４】
構造（III）を有するポリマー中の反復単位の濃度は約１５〜約６５モル％の範囲にあるであろう。構造（III）を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約２０〜約５０モル％である。構造（III）を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約２０〜約４５モル％の範囲である。構造（III）を有するポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約２０〜約４０モル％である。
【００３５】
構造（Ｉ）および（III）の反復単位を含むコポリマーは、他のエチレン性不飽和の重合可能な種類のモノマーとの共重合から生成する追加的な反復単位を含んでよい。追加的な種類のモノマーの例には、アクリレート、メタクリレート、エチレン性不飽和基を有する無水物、ヒドロキシスチレン、ヘキサフルオロイソプロピル基で置換されたスチレン、ビニルエーテル、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物およびビニルエステルがあるが、これらに限定されない。好ましいコモノマーには、重合の後に構造（IV）または構造（VI）を生成するモノマーが含まれる。他の好ましいコモノマーはエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物である。
【００３６】
好ましいコポリマーは、構造（Ｉ）、構造（III）、および構造（IV）
【化１３】
（式中、Ｒ1は上記と同じ意味をもち、またＲ13は以下の構造（Ｖａ〜Ｖｇ）
【化１４】
から選択される）
の反復単位を含む。
【００３７】
構造（IV）を有するポリマー中の反復単位の濃度は、約１５〜約７５モル％の範囲にあるであろう。構造（IV）を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約２０〜約５０モル％である。構造（IV）を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約２５〜約５０モル％の範囲である。構造（IV）を有するポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約３０〜約５０モル％である。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。
【００３８】
他の一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、（IV）の反復単位、および保護されていないアルカリ可溶化基部分（alkali solubilizing moiety）を含む。保護されていないアルカリ可溶化基部分の例は、フェノール基、カルボン酸、およびフッ素化されたアルコールである。重合後にアルカリ可溶化基部分を生成するモノマーの例には、ヒドロキシスチレン（およびその前駆体）、アクリル酸、メタクリル酸、および４−［２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシ）−プロピル］スチレンがある。
【００３９】
アルカリ可溶化基部分を有するポリマー中の反復単位の濃度は、約１〜約２０モル％の範囲にあるであろう。アルカリ可溶化基部分を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約３〜約１５モル％である。アルカリ可溶化基部分を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約５〜約１５モル％の範囲である。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位の含有率、ならびに構造（IV）の反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。
【００４０】
好ましいコポリマーは構造（Ｉ）、構造（III）および構造（VI）
【化１５】
（式中、Ｒ1は上記と同じ意味をもつ）
の反復単位を含む。好適なモノマーを生成する構造（VI）には無水マレイン酸、シトラコン酸無水物および２，３−ジメチル無水マレイン酸がある。
【００４１】
構造（VI）を有するポリマー中の反復単位の濃度は、１モル％超から約５０モル％の範囲にあるであろう。構造（VI）を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は１モル％超から約４０モル％である。構造（VI）を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約１０〜約４０モル％である。構造（VI）を有するポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約２０〜約４０モル％である。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。
【００４２】
好ましいコポリマーは、構造（Ｉ）、構造（III）の反復単位、および構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を含む。シリコンを含む好適な任意のモノマーはそれが重合可能な二重結合を有する限り使用することができる。このようなシリコン含有モノマーには、アリルトリアルキルシラン、ビニルトリアルキルシラン、トリアルキルシリルメタクリレートまたはトリアルキルシリルアクリレート、（トリアルキルシロキシ）アルキルメタクリレートまたは（トリアルキルシロキシ）アクリレート、および環状シリルメタクリレートまたは環状シリルアクリレートがあるが、これらに限定されない。シリコンを含むモノマーの好ましい例にはアリルトリメチルシラン、ビニルトリメチルシラン、メタクリロキシメチルトリメチルシラン、およびメタクリロキシプロピルトリス（トリメチルシロキシ）シランがある。
【００４３】
構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の濃度は約１５〜約６５モル％の範囲にあるであろう。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約２０〜約５０モル％の範囲にある。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約２５〜約５０モル％の範囲にある。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約３０〜約５０モル％の範囲にある。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。
【００４４】
別な好ましいコポリマーは、構造（Ｉ）、構造（III）、構造（VI）の反復単位、および構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を含む。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位および構造（VI）を有する反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の濃度は
約１０〜約５０モル％の範囲にあるであろう。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約１５〜約４５モル％の範囲にある。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約１５〜約４０モル％の範囲にある。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約２０〜約３５モル％の範囲にある。
【００４５】
本発明のコポリマー中のシリコンの水準は一般に、約４〜約１５重量％、好ましくは約８〜１４重量％の水準であり、これは二層システムのアンダーコート中への適切なパターンの転写を可能にするのに十分である。この水準を得るのに必要なモノマーのモル％は個々のモノマーのシリコン含有率に依存するであろう。
【００４６】
モノマーを生成する構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）は市販で購入でき、またはＲＳｉＣｌ3またはＲＳｉ(ＯＣＨ3)3の縮合によって合成されそして必要に応じて塩基性条件下で適当なトリクロロシランカップリング剤によってコーナーキャッピングすることができる。（Feher, F.J., Budzichowski, T.A., Blanski, R.L., Weller, K.J., Ziller, J.W.Organometallics 1991, 10, 2526-2528 および Lichtenhan, J.D., Otonari, Y.A., Carr, M.J. Macromolecules, 1995, 28, 8435-8437 を参照。）Lichtenhan, J.D. in Silsesquioxane-Based Polymers, Salmone, J.C., Ed.; Polymeric Materials Encyclopedia CRC Press, (1996) Vol 10 7768-7778;“Nanostructured Chemicals: A New Era in Chemical Technology," J.D. Lichtenhan, J.J. Schwab, W.A.Reinerth Chemical Innovation January (2001) pp3-5; および J.D. Lichtenhan,“Polyhedral Oligomeric Silsesquioxanes: BuildingBlocks for Silsesquioxane-Based Polymers および Hybrid Materials", 1995, Comments Inorg. Chem. 17, 115-130も参照されたい。
【００４７】
本発明の新規なコポリマーは、エチレン性不飽和基を反応させる好適な慣用の重合方法によって対応するモノマーから製造することができる。このような方法には、フリーラジカル重合または制御されたラジカル重合があるがこれらに限らない。このような方法は、触媒または開始剤を使用して溶媒中または溶媒混合物中で操作される。開始剤は重合で用いられる温度に基づいて選定され、次に、この温度は溶媒の沸点によって設定されてもよい。用いる温度はモノマーの安定性、操作温度での触媒の触媒能力、または開始剤の分解半減期に依存するであろう。
【００４８】
好適な開始剤濃度はモノマーの全モル数に対して開始剤約０.００１〜１０.０モル％である。好ましい範囲の開始剤濃度はモノマーの全モル数に対して開始剤約０.０１〜８.０モル％である。最も好ましい範囲の開始剤濃度はモノマーの全モル数に対して開始剤約０.１〜６.０モル％である。
【００４９】
好適なフリーラジカル開始剤の例には、ベンゾイルパーオキサイド、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（メチルイソブチロニトリル）、ジメチル２，２’−アゾビスイソブチレートおよびラウロイルパーオキサイドがあるが、これらに限定されない。場合によっては、連鎖移動剤（例えばカーボンテトラブロマイドまたは１−ドデカンチオール）が含められてよい。
【００５０】
重合のための好適な溶媒には、ジオキサン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、アセトニトリル、トルエン、エチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラヒドロピラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、およびジグリムまたはこれらの組み合わせがあるが、これらに限定されない。
ポリマーは重合溶液をポリマーが不溶性の適当な量の溶媒中に沈殿させることにより単離することができる。沈殿したポリマーは濾過によって単離されそして当業者に知られた慣用の技術を用いて乾燥することができる。
【００５１】
本発明のコポリマーはポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）で約５０００〜約４５,０００を有する。本発明のコポリマーはポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）で好ましくは７０００〜約３０,０００を有し、一層好ましくは約１０,０００〜約２０,０００を有する。ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が３０,０００を越えるなら、得られるフォトレジスト組成物は低い解像度を有するであろう。
【００５２】
Ｍｗの値は、例えば Jan Rabek, Experimental Methods in Polymer Chemistry, John Wiley & Sons, New York, 1983 中に記載されているごときゲル透過クロマトグラフィーのような標準的な方法によって決定されることができる。
【００５３】
感光性組成物は本発明のポリマーを使用して処方することができる。感光性組成物は本発明のポリマーと光酸発生剤とを含むであろう。本発明のポリマーはシリコンを含む他のフォトレジストポリマーと配合されてよい。一般に、酸感受性基によって保護されているアルカリ可溶化基を有する任意のフォトレジストポリマーがこれらの感光性組成物中に配合することができる。配合に好適でありまたシリコンを含有するが本発明のものではないフォトレジストポリマーには、参照によって本明細書に加入されている米国特許第６,１４６,７９３号および同第６,１６５,６８２号中に記載されているようなアクリルポリマーがある。配合のためのシリコン非含有の好適なフォトレジストポリマーには、参照によって本明細書に加入されている米国特許第４,４９１,６２８号、同第６,２８４,４３０号および同第６,０４２,９９７号がある。
【００５４】
フォトレジスト組成物中には任意の好適な光酸発生剤化合物が使用されてよい。好ましい光酸発生剤はスルホン酸を発生するものである。スルホン酸を発生する好適な部類の光酸発生剤には、スルホニウムまたはヨードニウム塩、オキシミドスルホネート、ビススルホニルジアゾメタン、およびニトロベンジルスルホネートエステルがあるが、これらに限定されない。好適な光酸発生剤化合物は例えば、参照によって本明細書に加入されている米国特許第５,５５８,９７８号および同第５,４６８,５８９号中に記載されている。
【００５５】
光酸発生剤のさらに別な例は、トリフェニルスルホニウムブロマイド、トリフェニルスルホニウムクロライド、トリフェニルスルホニウムヨージド、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアーセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルエチルスルホニウムクロライド、フェナシルジメチルスルホニウムクロライド、フェナシルテトラヒドロチオフェニウムクロライド、４−ニトロフェナシルテトラヒドロチオフェニウムクロライドおよび４−ヒドロキシ−２−メチルフェニルヘキサヒドロチオピリリウムクロライドである。
【００５６】
本発明で使用するために好適な光酸発生剤の追加的な例には、トリフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、メチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、４−ｎ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム ２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ４−ドデシルベンゼンスルホン酸、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム パーフ
ルオロオクタンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム ２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム
ベンゼンスルホネート、およびフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネートがある。
【００５７】
本発明で使用するための好適なヨードニウム塩の例には、ジフェニルヨードニウム パーフルオロブタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム パーフルオロブタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム パーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム パーフルオロオクタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム ベンゼンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム ２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、およびジフェニルヨードニウム ４−メトキシベンゼンスルホネートがあるが、これらに限定されない。
【００５８】
本発明で使用するための好適な光酸発生剤の別な例は、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロ−ヘキシルスルホニル−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオプロピオフェノン、２，４−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタ−３−オン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、２−（シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３,３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、シクロヘキシル−２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、第３級ブチル−２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、イソプロピル−２−ジアゾ−２−メタンスルホニルアセテート、シクロヘキシル−２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、第３級ブチル−２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、２−ニトロベンジル ｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジル ｐ−トルエンスルホネート、２，４−ジニトロベンジル ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートである。
【００５９】
光酸発生剤化合物はポリマー固形物の約０.１〜２０重量％そして一層好ましくは約１〜１０重量％の量で典型的に使用される。好ましい光酸発生剤はスルホニウム塩である。光酸発生剤は単独でもしくは１つ以上の光酸発生剤との組み合わせで使用されてよい。光酸発生剤の混合物中での各々の光酸発生剤の百分率は光酸発生剤の混合物全体の約１０〜約９０％である。好ましい光酸発生剤混合物は約２つまたは３つの光酸発生剤を含む。このような混合物は同じ部類または異なる部類からなってよい。好ましい混合物の例にはスルホニウム塩とビススルホニルジアゾメタン化合物、スルホニウム塩とイミドスルホネート、および２つのスルホニウム塩がある。
【００６０】
フォトレジスト組成物のための溶媒およびこの組成物の濃度の選定は、酸に不安定なポリマー中に導入される官能基の種類、光酸発生剤、およびコーティング方法に主として依
存する。溶媒は不活性であり、フォトレジスト中にすべての成分を溶解し、成分との化学反応を全く行わず、そしてコーティングの後の乾燥によって再度除去可能であるべきである。フォトレジスト組成物にとって好適な溶媒には、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メトキシ−１−プロピレンアセテート、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−エトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、１，２−ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルラクテート、メチルピルベート、エチルピルベート、メチル ３−メトキシプロピオネート、エチル ３−メトキシプロピオネート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，４−ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのようなケトン、エーテルおよびエステルがあるであろう。
【００６１】
追加的な態様では、フォトレジスト組成物に塩基添加剤が添加されてよい。塩基添加剤の１つの目的は、化学放射線によって照射されるのに先立って、フォトレジスト中に存在する陽子を掃去することである。塩基は、好ましくない酸による酸不安定基への攻撃および開裂を防止し、これによってレジストの性能および安定性が増加する。第２の目的は光で生成される酸の制御された拡散を行うことである。フォトレジスト組成物が照射された後に塩基が酸に不安定な基の開裂を妨げるのは好ましくないので、組成物中の塩基の百分率は光酸発生剤に比べて著しく低くなければならない。塩基化合物が存在するとき、その好ましい範囲は光酸発生剤化合物の約３〜５０重量％である。塩基添加剤の好適な例は２−メチルイミダゾール、トリイソプロピルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，４，５−トリフェニルイミダゾールおよび１，５−ジアゾビシクロ［４．３．０］ノネ−５−エンである。
【００６２】
化学放射線波長に対する組成物の吸収を増大するためにフォトレジストに染料が添加されてよい。染料は組成物を被毒してはならずまたあらゆる熱処理を含めてのプロセス条件に耐えることができねばならない。好適な染料の例はフルオレノン誘導体、アントラセン誘導体またはピレン誘導体である。フォトレジスト組成物にとって好適な他の特定の染料は米国特許第５,５９３,８１２号中に記載されている。
【００６３】
フォトレジスト組成物は接着促進剤および界面活性剤のような慣用の添加剤をさらに含有してよい。当業者なら所望の適切な添加剤およびその濃度を選定することができよう。
【００６４】
フォトレジスト組成物は既知のコーティング方法によって基板に均一に施される。例えばコーティングはスピンコーティング、浸漬、ナイフコーティング、積層、刷毛塗り、噴霧、および逆ロールコーティングによって施されてよい。コーティングの厚さは一般に約０.１から１０ｍｍ超までの値にわたる。コーティング操作の後、溶媒は乾燥によって一般に除去される。典型的に乾燥段階はソフトベークと称される加熱工程であり、この場合レジストおよび基板が、コーティングの厚さ、加熱要素および最終用途に応じて、約５０〜１５０℃の温度に大体数秒から数分にわたって；好ましくは約５秒から３０分間加熱される。
【００６５】
フォトレジスト組成物は電子工業で多くの異なる用途のために好適である。例えばこれは電気メッキレジスト、プラズマエッチレジスト、ハンダレジスト、印刷板製造用のレジスト、ケミカルミリング用のレジストまたは集積回路製造でのレジストとして使用されることができる。可能なコーティングおよびコートされた基板の加工条件は対応して異なる。
【００６６】
レリーフ構造を形成するために、アンダーコート層が施されていても施されていなくてもよい基板はフォトレジスト組成物でコートされそして像様に露光される。「像様の」露光という用語には、予め決められたパターンのあるフォトマスクを通じての露光、コートされた基板の表面上を移動されるコンピュータ制御下のレーザービームによる露光、コンピュータ制御された電子ビームによる露光、および対応するマスクを通じてのＸ線または紫外線による露光のすべてが含まれる。
【００６７】
使用できる放射線源は、光酸発生剤がそれに対する感受性をもつ放射線を放出するすべての線源である。例には、高圧水銀ランプ、ＫｒＦエキシマーレーザ、ＡｒＦエキシマーレーザ、電子ビームおよびｘ線の線源がある。
【００６８】
レリーフ構造を形成に関して上記に記載した方法には、さらなるプロセス手段として、露光と現像液による処理との間でのコーティングの加熱が含まれる。「露光後ベーク」として知られるこの熱処理の助けによって、露光によって発生する酸との、ポリマー樹脂中の酸に不安定な基の実質的に完全な反応が達せられる。この露光後ベークの継続時間および温度は広い範囲で変化し得、ポリマー樹脂の官能基、酸発生剤の種類およびこれら２つの成分の濃度に本質的に依存する。露光されたレジストは典型的に、約５０〜１５０℃の温度に数秒から数分にわたってさらされる。好ましい露光後ベークは、約８０〜１３０℃、約５〜３００秒である。
【００６９】
像様露光および何らかの材料の熱処理の後、フォトレジストの露光された領域は現像液中への溶解によって除去される。特定の現像液の選定は、フォトレジストの種類、特にポリマー樹脂または生成される光分解生成物の性質に依存する。現像液は、有機溶媒またはその混合物が添加されていてよい塩基の水溶液を含むことができる。特に好ましい現像液は水性アルカリ溶液である。これには例えば、アルカリ金属の珪酸塩、燐酸塩、水酸化物および炭酸塩の水溶液があるが、特にテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの、そして一層好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の水溶液がある。所望なら、比較的少量の湿潤剤および／または有機溶媒もまたこれらの溶液に添加されてよい。
【００７０】
現像段階の後、レジストコーティングを帯びた基板は一般に少なくとも１つのさらなる処理段階に付され、この段階はフォトレジストコーティングによって覆われていない領域で基板を変化させる。典型的に、この段階は、ドーパントの打ち込み（implantation）、基板上への他の物質の付着または基板のエッチングでありうる。通常、この後に、好適なストリッピング方法を用いる基板からのレジストコーティングの除去が続く。
【００７１】
本発明のレジストはアンダーコート上にコートされ２層レジストが生成される。アンダーコートのフィルムは典型的に、フォトレジストを施すのに好適な溶媒からスピンキャストされ、そしてフォトレジストと同様にベークされる。アンダーコートのフィルム厚さは応用そのものの如何によって変化しうるが、一般に約８００〜１０,０００オングストロームの範囲にある。約１５００〜約５０００オングストロームの厚さが好ましい。
【００７２】
好適なアンダーコートは要求されるいくつかの特性を有する。第１にアンダーコートとレジストとの間の相互の混合があってはならない。これは一般にアンダーコートのフィルムをキャストしそしてこれを架橋してキャスチング溶媒の溶解度を低下することにより達せられる。架橋は熱的にまたは光化学的に誘発される。この光化学的および熱的な架橋の例は、参照によって本明細書に加入された米国特許第６,１４６,７９３号、同第６,０５４,２４８号、同第６,３２３,２８７号、同第６,１６５,６８２号および同第６,６１０,８０８号中に見いだすことができる。一般に、アンダーコートもまた良好な基板プラズマエッチ抵抗を有するように計画される。一般に好適なアンダーコートの光学的パラメータ（ｎ，ｋ）は、反射を最小にするように露光波長に関して最適化される。
【００７３】
オーバーコート上での本発明の感光性組成物の画像形成は、基板上での画像形成と実質的に同じである。画像が放射線感受性レジスト中で形成された後、基板は酸素を含むプラズマエッチング環境内に置かれ、その結果、アンダーコートはレジストによって保護されていない領域で除去されるであろう。シリコンを含有するモノマー単位中のシリコンは、酸素プラズマに暴露される時に二酸化珪素を生成しそしてレジストがエッチングされないように保護し、その結果、アンダーコート層中にレリーフ構造が形成されることができる。
【００７４】
酸素プラズマ段階の後、２層レリーフ構造を有する基板は一般に少なくとも１つのさらなる処理段階に付され、これが２層コーティングによって覆われていない領域で基板を変化させる。典型的に、これはドーパントの打ち込み、基板上への他の物質の付着または基板のエッチングであってよい。通常この後にレジストおよびその生成物とアンダーコートとの除去が続く。
【００７５】
本発明を説明するために以下の実施例を示す。本発明はここに記載する実施例に限定されないことを理解すべきである。
【実施例】
【００７６】
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中での重合のための一般的な合成方法、１０グラムの規模：
還流コンデンサー、温度プローブおよびガス流入口を具備した丸底フラスコ中でモノマー混合物をＮ2下でＴＨＦ中に溶解した。混合物を撹拌しつつ５５℃に加熱した。注射針を通じてＮ2を溶液中に１５分間吹き込むことにより溶液を脱ガスした。ＴＨＦ中の開始剤の溶液を注射器で添加しそして溶液をＮ2雰囲気下で２４時間６５℃に加熱した。次いで反応混合物を室温まで冷却しそしてペンタンまたはヘキサン（５００ｍｌ）に滴状添加した。濾過により固体ポリマーを単離しそしてペンタンまたはヘキサン（５０ｍＬ×２）で洗浄した。濾過の後、固形物を６０℃で２４時間真空下で乾燥した。以下のＰｈｅｎｏｇｅｌ−１０、７．８×２５０ｍｍカラム：１０-4Å、５００Åおよび５０Å（Ｐｈｅｎｏｍｅｎａから入手される）を備えたＷａｔｅｒｓ Ｃｏｒｐ．の液体クロマトグラフ（屈折率の検出、Ｍｉｌｌｅｎｉｕｍ（ＧＰＣ Ｖソフトウェア））およびＴＨＦ溶出剤を使用して、分子量および分子量分布を測定した。Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ熱重量測定分析器を使用して熱分解測定（ＴＧＡ）を実施した。Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ Ｐｙｒｉｓ １ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒを使用し、２０℃／分の加熱速度でポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）を測定した。Ｂｒｕｋｅｒ ４００ ＭＨｚ ＮＭＲ−分光計を使用してポリマーの構造および組成を分析した。ポリマーの実施例の分析データについて表１を参照されたい。
【００７７】
〔ポリマーの実施例１〕
モノマーの混合物［（１−メチル−１−トリシクロ［３．３．１．１３，７］デセ−１−イル）エチルメタクリレート（Ｘ−ＡｄＭＡ）（２.５５ｇ、９.７１８ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（２.２５ｇ、１４.４１ミリモル）、（３，５−ジヒドロキシトリシクロ［３．３．１．１３，７］デセ−１−イル）メタクリレート（ＤＨＭＡ）（１.７２ｇ、７.２０ミリモル）および３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート（メタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ）（３.４９ｇ、４.６７ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１２ｇ、０.５９２ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２８.５７ｇ、固形物３５％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤のジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.４１ｇ、１.７８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化１６】
【００７８】
〔ポリマー実施例２〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２.０７ｇ、２１.１ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２.３４ｇ、２０.４７ミリモル）、Ｘ−ＡｄＭＡ（３.８４ｇ、１４.６３ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（１.７５ｇ、２.３４ミリモル）］を、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１８.５ｇ、固形物３５％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）（Ｖａｚｏ(登録商標)６７）（０.０４ｇ、０.２０８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。連鎖移動剤は使用しなかった。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化１７】
【００７９】
〔ポリマー実施例３〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（１.８１ｇ、１８.４５ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２.１１ｇ、１８.４５ミリモル）、Ｘ−ＡｄＭＡ（４.４１ｇ、１６.８ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（１.６７ｇ、２.３４ミリモル）］を、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１８.５ｇ、固形物３５％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤Ｖａｚｏ(登録商標)６７（０.０４ｇ、０.２０８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。連鎖移動剤は使用しなかった。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化１８】
【００８０】
〔ポリマー実施例４〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（１.８１ｇ、１８.４５ミリモル）、（ヘキサヒドロ−２−オキソ−３，５−メタノ−２Ｈ−シクロペンタ［β］フラン−６−イル）メタクリレート（ＬＭＡ）（２.０１ｇ、９.０６ミリモル）、Ｘ−ＡｄＭＡ（２.３８ｇ、９.０７ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（３.３８ｇ、４.５３ミリモル）］を、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１３ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤Ｖａｚｏ(登録商標)６７（０.０４ｇ、０.４１ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。連鎖移動剤は使用しなかった。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化１９】
【００８１】
〔ポリマー実施例５〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（４.６３ｇ、１８.５ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.４５ｇ、２６.２ミリモル）、ＤＨＭＡ（３.４１ｇ、１４.３ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（７.４８ｇ、１０.０ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１９ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（３５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６３ｇ、３.３ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化２０】
【００８２】
〔ポリマー実施例６〕
モノマーの混合物［ＬＭＡ（６.４３ｇ、２８.９ミリモル）、Ｘ−ＡｄＭＡ（３.１５ｇ、１２.０ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（５.４０ｇ、７.２３ミ
リモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１７ｇ、０.８ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（３４ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤Ｖａｚｏ(登録商標)６７（０.５６ｇ、２.９ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。連鎖移動剤は使用しなかった。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化２１】
【００８３】
〔ポリマー実施例７〕
モノマーの混合物［２−メタクリルオキシテトラヒドロピラン（０.８８ｇ、５.１７ミリモル）、ＬＭＡ（２.１１ｇ、９.４９ミリモル）および３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタエチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート（２.０１ｇ、２.５８ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１２ｇ、０.５９２ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２８.５７ｇ、固形物３５％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.４１ｇ、１.７８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（１２５ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２２】
【００８４】
〔ポリマー実施例８〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（６.７３ｇ、２５.７ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（５.３６ｇ、３１.５ミリモル）、アクリル酸（０.１６ｇ、２.２２ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（７.７９ｇ、１０.４ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１９ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（３２ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（３ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６７ｇ、３.４８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２１時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（４００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２３】
【００８５】
〔ポリマー実施例９〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（９.４３ｇ、３５.９ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（１１.２０ｇ、６５.８ミリモル）、アクリル酸（０.４４ｇ、６.１１ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（８.９７ｇ、１２.０ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.３４ｇ、１.７ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（５０ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（３ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（１.１５ｇ、６.０ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２１時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（７００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２４】
【００８６】
〔ポリマー実施例１０〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（４.２２ｇ、１６.1ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.５８ｇ、２６.９ミリモル）、アクリル酸（０.１９ｇ、２.６４ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（６.０４ｇ、８.１ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１６ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２７ｇ）及びＭＥＫ（５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（１ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.５２ｇ、２.７ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２２時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（５００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２５】
【００８７】
〔ポリマー実施例１１〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（６.５２ｇ、８.７ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.５５ｇ、２６.８ミリモル）、アクリル酸（０.６１ｇ、８.５ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（６.５２ｇ、８.７ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１９ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２８ｇ）およびＭＥＫ（５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（１ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６３ｇ、３.３ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２２時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（９００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２６】
【００８８】
〔ポリマー実施例１２〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（３.３６ｇ、１２.８ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.５４ｇ、２６.７ミリモル）、４−［２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシ）プロピル］スチレン（０.９７ｇ、３.６ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（６.１３ｇ、８.２ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１９ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２８ｇ）およびＭＥＫ（５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６２ｇ、３.２ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２２時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（９００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２７】
【００８９】
〔ポリマー実施例１３〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（３.５０ｇ、１３.３ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.７５ｇ、２７.９ミリモル）、４−ヒドロキシスチレン（０.４６ｇ、３.８ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（６.３６ｇ、８.５ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１８ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（３３ｇ）およびＭＥＫ（５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（１ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６２ｇ、３.２ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２２時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（２Ｌ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２８】
【００９０】
〔ポリマー実施例１４〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２５.６８ｇ、２６.２ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２９.９２ｇ、２６.２ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（３２.５４ｇ、２５.４ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（１１.８６ｇ、１.６ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.５０３ｇ、２.６１ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。次に反応混合物を室温まで冷却しそして溶媒を真空下で除去した。固体のポリマーをヘキサン３００ｍｌで１時間粉砕しそして濾過した。残留するモノマーを除去するために工程を２回反復した。濾過の後、固形物を６０℃で２４時間真空下で乾燥した。
【化２９】
【００９１】
〔ポリマー実施例１５〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２４.４７ｇ、２５.０ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２８.５２ｇ、２５.０ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（３０.０５ｇ、２３４ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（１６.９６ｇ、２.３ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４８０ｇ、２.４９ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３０】
【００９２】
〔ポリマー実施例１６〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２３.３８ｇ、２３.８ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２７.２４ｇ、２３.８ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（２７.７８ｇ、２１.７ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（２１.６０ｇ、２.９ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４５８ｇ、２.３８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３１】
【００９３】
〔ポリマー実施例１７〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２２.３８ｇ、２２.８ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２６.０６ｇ、２２.８ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（２５.７１ｇ、２０.１ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（２５.８６ｇ、３.５ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４３９ｇ、２.２８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３２】
【００９４】
〔ポリマー実施例１８〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２１.４６ｇ、２１.９ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２５.０１ｇ、２１.９ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（２３.８ｇ、１８.６ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（２９.７３ｇ、４.０ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４２１ｇ、２.１８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３３】
【００９５】
〔ポリマー実施例１９〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２０.６１ｇ、２１.０ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２４.０２ｇ、２１.０ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（２２.０４ｇ、１７.２ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（３３.３２ｇ、４.５ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４０４ｇ、２.１ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３４】
【００９６】
〔処方実施例１（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【００９７】
〔処方実施例２（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例２（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【００９８】
〔処方実施例３（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例３（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【００９９】
〔処方実施例４（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例４（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１００】
〔処方実施例５（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例４（８.４１ｇ）、トリス−第３級−ブチルフェニルスルホニウム ノナフレート（ＴＴＢＰＳ Ｎｏｎａｆｌａｔｅ、０.９５ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０７ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９０.５７ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０１】
〔処方実施例６（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例５（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０２】
〔処方実施例７（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例６（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０３】
〔処方実施例８（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例７（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０４】
〔処方実施例９（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例８（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０５】
〔処方実施例１０（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例９（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０６】
〔処方実施例１１（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１０（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０７】
〔処方実施例１２（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１１（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０８】
〔処方実施例１３（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１２（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０９】
〔処方実施例１４（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１３（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１１０】
〔処方実施例１５（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例２（３.０ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.０９２ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.００５８ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、２５.２２ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１１１】
〔処方実施例１６（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１４からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１２】
〔処方実施例１７（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１５からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１３】
〔処方実施例１８（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１６からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１４】
〔処方実施例１９（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１７からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パ
ーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１５】
〔処方実施例２０（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１８からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１６】
〔処方実施例２１（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１９からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１７】
〔処方実施例２２（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１４からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１８】
〔処方実施例２３（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１５からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１９】
〔処方実施例２４（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１６からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１２０】
〔処方実施例２５（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１７からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１２１】
〔処方実施例２６（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１８からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１２２】
〔処方実施例２７（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１９からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１２３】
一般的なリソグラフィー手順１（１９３ｎｍ２層法）
１９３ｎｍのＴＣＵ（熱硬化された下部層）（米国特許第６,３２３,２８７号の実施例２に記載のものと類似している）の溶液２ｍｌをシリコンウェーファ上に施与し、スピンコートし、そして２０５℃で７０秒硬化して、厚さ約４０００Åを有する均一な架橋された層を形成した。室温まで冷却した後、本発明のフォトレジスト約１ｍＬをＴＣＵ層の上に施し、スピンコートし、そして１２５℃で６０秒ベークして、厚さ約１５００Åを有する均一で均質なフィルムを得た。ＮＡ＝０.６である１９３ｎｍ ＩＳＩ Ｍｉｃｒｏｓｔｅｐ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ機器を使用して、様々な寸法のライン／スペースパターンを有するバイナリーレチクルを通じて慣用の照射によりウェーファを露光した。露光されたウェーファを１１５℃で６０秒間ベークした。０.２６２Ｎの水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液（ＯＰＤ−２６２、Ａｒｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから入手できる）の流れを用いて１０秒間現像し、続いて、蓄積した現像液のパドルを使用して５５秒間現像した。走査電子顕微鏡を使用して、ライン／スペースまたはコンタクトホールパターンについてフォトスピードおよび解像度を測定した。
【０１２４】
〔リソグラフィー実施例１〕
上記した一般的リソグラフィー手順１を用いてラインスペースパターンを形成するために処方４を使用した。均一にウェーファを横切って、垂直なプロフィールをもつ密なライン／スペースパターンを形成した。Ｏ2 ＲＩＥプラズマ法によって約３０秒間ＴＣＵ層を乾式現像し、Ｓｉを含有する上部層の画像のパターン転写を行った。高いアスペクト比を有するクリーンな垂直の１３０ｎｍのライン／スペースパターンが生じた。
【０１２５】
〔リソグラフィー実施例２〜１２〕
上記した一般的リソグラフィー手順を用いてリソグラフィー実施例２〜１２を実施した。リソグラフィーで試験した処方物およびリソグラフィーの結果を表２に示す。
【表１】
【０１２６】
〔一般的なリソグラフィー手順２：２４８ｎｍ２層法〕
２４８ｎｍのＴＣＵ（熱硬化された下部層）（米国特許第６,６１０,８０８号のアンダーコート処方物１中に記載のものと類似している）２ｍｌをＳｉウェーファ上に施与し、スピンコートし、そして２０５℃で７０秒硬化して、厚さ約５０００Åを有する均一な架橋された層を形成した。室温まで冷却した後、本発明のフォトレジスト１ｍＬをＴＣＵ層の上に施し、スピンコートし、そして１１０℃で６０秒ベークして、厚さ約１５００Åを有する均一で均質なフィルムを得た。次にコートされたウェーファを、ＩＳＩ ２４８ｎｍ Ｓｔｅｐｐｅｒを使用して、様々な寸法のライン／スペースパターンのバイナリーレクチルを通じて露光した。露光されたウェーファを１１５℃で６０秒間ベークした。０.２６２Ｎの水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液（ＯＰＤ−２６２、Ａｒｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから入手できる）の流れを用いて１０秒間現像し、続いて、蓄積した現像液のパドルを使用して５５秒間現像した。走査電子顕微鏡を使用して、ライン／スペースについてフォトスピードおよび解像度を測定した。
【０１２７】
〔リソグラフィー実施例２０〕
上記した一般的リソグラフィー手順２（２４８ｎｍ２層法）を用いてラインスペースパターンを形成するために処方２４を使用した。均一にウェーファを横切って、垂直なプロフィールをもつ密なライン／スペースパターンを形成した。Ｏ2 ＲＩＥプラズマ法によって約３０秒間ＴＣＵ層を乾式現像し、Ｓｉを含有する上部層の画像のパターン転写を行った。高いアスペクト比を有するクリーンな垂直の１４０ｎｍのライン／スペースパターンが生じた。
【０１２８】
その特定の態様を参照しつつ本発明を以上に説明してきたが、ここに開示する発明概念から逸脱することなく変化、変更および変改を行うことができることが分かるであろう。従って、付属する特許請求の範囲の趣意および範囲に属するような変化、変更および変改はすべてが包含されると考えられる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高解像度のフォトリソグラフィーを行うための深紫外線、特に１９３ｎｍおよび２４３ｎｍの二層レジストシステムで頂部層のフォト画像形成可能なコーティングを形成するために好適な新規なコポリマーを提供する。本発明はまた、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物および、ＡｒＦおよびＫｒＦフォトリソグラフィーで使用するための材料として好適であるフォト画像形成可能でエッチングに耐えるフォトレジスト組成物のためのバインダー樹脂中での使用に好適な有機シリコン部分構造を提供する。
【背景技術】
【０００２】
より小さいフィーチュア寸法を有する新規な電子デバイスを製造するために、新規で改良されたレジストが必要とされる。典型的に、フォトレジストの解像度、フォトスピード、焦点深度、およびその他の特性における改善が要求される。解像度の改善は、より大きい開口数（numerical aperture）を利用する露光システムによってもなされることができる。残念ながらより大きい開口数によって解像度が改善されるにつれ、最良解像度での焦点深度は光学的効果のため通常減少する。従って、レジストの焦点深度の改善もまた望ましい。
【０００３】
最も普通の種類のレジストは、画像形成およびプラズマエッチ抵抗の機能をレジストがともに有する「単一層」と称される。第２の種類のレジストは、頂部層に画像形成の機能が割り当てられており、また下層にプラズマエッチ抵抗の機能が割り当てられている「二層レジスト」と称される。酸素エッチ段階では、画像形成されたパターンが下層に移される。二層レジストは、典型的にシリコンを含有しまたより薄い画像形成フィルムを使用することから解像度についてある種の利点をもたらし、また多くの場合、二層レジスト／アンダーコートの組み合わせは、より良い基板プラズマエッチ抵抗をもたらす。二層レジストの例は例えば米国特許第６,３５９,０７８号、米国特許第５,９８５,５２４号および米国特許第６,０２８,１５４号ならびに他の特許中に見いだされ、これらは各々参照によってそれらの全体が本明細書に加入される。
【０００４】
ポリマー主骨格としてのシルセスキオキサンポリマーをベースとするフォトレジストは、米国特許第６,４２０,０８４号および他の特許中に報告されている。多面体状のオリゴマーシルセスキオキサンは、低い分子量および、駕篭状体の頂点に特定の数のシリコン原子を有する閉鎖されたまたは部分的に開放した駕篭状構造を特徴とする。多面体オリゴマーシルセスキオキサンは、ポリマー中に導入された時、ポリマーの主骨格を形成するのでなく一般にポリマー鎖からの側鎖であり、また典型的なシルセスキオキサンポリマーに関してより低い濃度を有する。多面体オリゴマーシルセスキオキサンがポリマー主骨格からの側鎖である多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ(登録商標)）を含有する感光性組成物に関しては僅かな報告しかない（ＵＳ２００２／０１８２５４１ Ａ１として公開された米国特許出願第０９／９９２５６０号を参照）。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、高解像度のフォトリソグラフィーを行うための深紫外線、特に１９３ｎｍおよび２４３ｎｍの二層レジストシステムで頂部層のフォト画像形成可能なコーティングを形成するために好適な新規なコポリマーを提供する。本発明はまた、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物および、ＡｒＦおよびＫｒＦフォトリソグラフィーで使用するための材料として好適であるフォト画像形成可能でエッチングに耐えるフォトレジスト組成物のためのバインダー樹脂中での使用に好適な有機シリコン部分構造を提供する。
【０００６】
本発明は１つの局面で、構造（ＩＡ）または構造（ＩＢ）または構造（ＩＣ）
【化１】
（式中、Ｒ1は各々独立に、水素原子またはメチル基であり；Ｒ3は各々独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基であり；ｍは約２から約１０までの整数であり；Ｒ4は各々独立にＨまたは構造（II）
【化２】
（式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または線状、分枝状もしくは環状および脂環式のフルオロアルキル基または置換されたもしくは非置換の脂環式基である）
であり；そしてＲ2は各々独立に
（１）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキルまたは非置換のもしくは置換された脂環式基；
（２）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキルまたはフッ素置換された脂環式基；および
（３）（ａ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ8がＨ、Ｒ3基またはα−アルコキシアルキル基であってよく；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−ＯＲ8；
（ｂ）ｎが約２から約１０までの整数でありそしてＲ9がＨ、Ｒ3基または酸感受性保護基であってよく；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−(Ｃ＝Ｏ)−ＯＲ9；
（ｃ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ10がＨまたはフルオロメチル、ジフルオロメチルまたはトリフルオロメチルであってよく、またＲ11はＨまたはＲ3アルキル基であってよい(ＣＨ2)n−Ｃ(ＣＦ3)Ｒ10−ＯＲ11；および
（ｄ）ｎが約２から約１０までの整数であり；そしてＲ3が炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である（ＣＨ2)n−Ｏ−(Ｃ＝Ｏ)Ｒ3のような極性基
であってよい）
によって表される１つまたはそれ以上の反復単位を含む少なくとも１つの構造（Ｉ）である第１の反復単位
および構造（III）
【化３】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもち、そしてＲ12は酸に不安定な基である）
によって表される第２の反復単位を含むコポリマーであって、ただし構造（ＩＡ）がコポリマー中に存在し、そしてＲ12がｔ−Ｂｕである時、構造（IV）もしくは構造（VI）を有する追加の反復単位、または以下に規定するような、構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位である、新規なコポリマーを提供する。
【０００７】
別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、および（IV）
【化４】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもち、またＲ13は以下の構造（Ｖａ〜Ｖｇ）
【化５】
から選択される）
の反復単位を含む。
【０００８】
別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、および（IV）の反復単位ならびに保護されていないアルカリ可溶化基部分を含む。
【０００９】
さらに別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、およびＲ1が上記に規定したのと同じ意味を有する（VI）
【化６】
の反復単位を含む。
【００１０】
別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）の反復単位、ならびに構造（ＩＡ）、（ＩＢ）、および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を含む。
【００１１】
別な一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、（VI）の反復単位、ならびに構造（ＩＡ）、（ＩＢ）、および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を含む。
【００１２】
別な局面において、本発明は、上記したコポリマー、光酸発生剤、有機溶媒および塩基性化合物を含有する化学的に増幅されたポジ型レジスト組成物を提供する。
【００１３】
本発明で使用するための成分を以下に詳細に述べる。
本発明の新規なコポリマーは、構造（ＩＡ）または構造（ＩＢ）または構造（ＩＣ）
【化７】
（式中、Ｒ1は各々独立に、水素原子またはメチル基であり；Ｒ3は各々独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基であり；ｍは約２から約１０までの整数であり；Ｒ4は各々独立にＨまたは構造（II）
【化８】
（式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または線状、分枝状もしくは環状および脂環式のフルオロアルキル基または置換されたもしくは非置換の脂環式基である）
であってよく；そして各々のＲ2は独立に
（１）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキルまたは非置換のもしくは置換された脂環式基；
（２）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキルまたはフッ素置換された脂環式基；および
（３）（ａ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ8がＨ、Ｒ3基またはα−アルコキシアルキル基であってよく；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である（ＣＨ2）n−ＯＲ8；
（ｂ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ9がＨ、Ｒ3基または酸感受性保護基であってよく；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−(Ｃ＝Ｏ)−ＯＲ9；
（ｃ）ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ10がＨまたはフルオロメチル、ジフルオロメチルもしくはトリフルオロメチルであってよく、またＲ11はＨまたはＲ3アルキル基であってよい(ＣＨ2)n−Ｃ(ＣＦ3)Ｒ10−ＯＲ11；および
（ｄ）ｎが約２から約１０までの整数であり；そしてＲ3が炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−Ｏ−(Ｃ＝Ｏ)Ｒ3
のような極性基
であってよい）
によって表される１つまたはそれ以上の反復単位を含む少なくとも１つの第１の構造（Ｉ）
および構造（III）
【化９】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもちそして、Ｒ12は酸に不安定な基であり、これは酸感受性のＲ9基の場合に上記に規定されている）
によって表される第２の反復単位を含むコポリマーであって、ただし構造（ＩＡ）がコポリマー中に存在しそしてＲ12がｔ−Ｂｕである時、構造（IV）もしくは構造（VI）を有する追加の反復単位、または以下に規定するような、構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位であるコポリマーである。
【００１４】
Ｒ3の好適な例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデカニルなどがあるが、これらに限定されない。
【００１５】
Ｒ5、Ｒ6およびＲ7の好適な例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノナニル、シクロデカニル、ノルボルナニル、イソボルナニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデカニル、トリフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピル、３，３，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６−ドデカフルオロヘキシル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７−ペンタデカフルオロヘプチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００１６】
構造（II）の例には、トリメチルシリル、エチルジメチルシリル、ジメチルプロピルシリル、メチルエチルプロピルシリル、ジエチルプロピルシリル、ジエチルメチルシリル、ジブチルメチルシリル、第３級−ブチルジメチルシリル、第３級−ブチルジエチルシリル、シクロヘキシルジメチルシリル、シクロペンチルジメチルシリル、オクチルジメチルシリル、シクロオクチルジメチルシリル、シクロノニルジメチルシリル、シクロデシルジメチルシリル、ノルボルニルジメチルシリル、イソボルニルジメチルシリル、アダマンチルジメチルシリル、アダマンチルメチレンジメチルシリル、２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）ジメチルシリル、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレンジメチルシリル、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルジメチルシル、ジメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルシリル、ジメチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６−ドデカフルオロヘキシルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７−ペンタデカフルオロヘプチルシリル、ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチルシリルなどがあるが、これらに限定されない。
【００１７】
Ｒ2は各々独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル、または置換されたもしくは非置換の脂環式基であってよい。脂環式基部分は任意の空席の結合位置に於いて１つまたはそれ以上の置換基によって置換されてよい。脂環式基部分上の好適な置換基の例には、線状、分枝状または環状のアルキル基、ヒドロキシル基、ならびに構造（VII）のようなヒドロキシアルキル基および構造（VIII）のようなエステル基
【化１０】
（式中、Ｒ14は水素、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基から選択され、ｏは約１から約１０までの整数であり、Ｒ15は水素、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基、および酸に不安定な基から選択される）
がある。
【００１８】
Ｒ2の例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、シクロヘプチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。置換脂環式基は、Ｒ14が水素または、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基および脂環式基であってよく、そしてｏが約１から約１０の整数である構造（VII）であってよい。Ｒ14の好適な例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。
【００１９】
構造（VII）の例には、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロパン−２−オール、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ブチル−２−オール、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソメチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソエチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソプロピル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソ−ｎ−ブチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソ−第３級ブチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロヘキシル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソオクチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロオクチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロノニル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロデシル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソノルボルニル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフ
ルオロメチル）プロピル−２−オキソイソボルニル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソアダマンチル、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソアダマンチルメチレン、
５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソトリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソテトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２０】
Ｒ2は、Ｒ15が水素または、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基もしくは脂環式基、または酸感受性基である構造（VIII）であってよい。Ｒ15の好適な具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。Ｒ15中の酸に不安定な保護基は、第３級ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１，１−ジエチルプロピル基、１，１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１，１−ジエチルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１，１−ジエチルヘキシル基など、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチル、ならびに１，１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１，１−ジメチル−３−オキソペンチル、テトラヒドロピラン−２−イルなどからなる群から選択されてよい。構造（VIII）の例には、５−（メトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（エトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（プロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（ｎ−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（第２級−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（第３級−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（オクチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロオクチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロノニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（シクロデシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（ノルボルニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（イソボルニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（アダマンチルメチレンオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレンオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１，１−ジメチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１−メチル−１−エチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジメチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１−メチル−１−エチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジエチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジメチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１−メチル−１−エチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジエチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジメチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１−メチル−１−エチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、
５−（１，１−ジエチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−エチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−プロピル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−ブチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−プロピル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−ブチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（２−イソプロピル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１，１−ジメチル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−エチル−１−メチル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（１，１−ジメチル−３−オキソペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）、５−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル）などがあるが、これらに限定されない。
【００２１】
Ｒ2は、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキル基またはフルオロ置換脂環式基であってよい。「フルオロアルキル」という用語は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子によって置き換えられているアルキル基をさし、そしてこれにはトリフルオロメチル、ジフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、３，３，３−トリフルオロプロピル、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピル、３，３，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６−ドデカフルオロヘキシル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７−ペンタデカフルオロヘプチル、３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチル、１，２，２，３，３，４，４，５−オクタフルオロシクロペンチル、２−（オクタフルオロ−１−トリフルオロメチルシクロペンチル）エチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２２】
Ｒ2はｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ8はＨ、Ｒ3基またはα−アルコキシ線状、分枝状もしくは環状のアルキル基でありうる（ＣＨ2）n−ＯＲ8のような極性基であってよい。アルキル基の実例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、シクロヘプチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシルなどがあるが、これらに限定されない。Ｒ8中の線状または分枝状のα−アルコキシアルキル基には、
【化１１】
があるが、これらに限定されない。
【００２３】
環状α−アルコキシアルキル基の実例には、テトラヒドロフラン−２−イル、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラン−２−イル、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２４】
（ＣＨ2）n−ＯＲ8の例には、エチル−１−オキソメチル、エチル−１−オキソエチル、エチル−１−オキソプロピル、エチル−１−オキソイソプロピル、エチル−１−オキソ−ｎ−ブチル、エチル−１−オキソ−第２級−ブチル、エチル−１−オキソ−第３級−ブチル、エチル−１−オキソ−シクロヘキシル、エチル−１−オキソ−シクロペンチル、エチル−１−オキソシクロヘプチル、エチル−１−オキソオクチル、エチル−１−オキソシクロオクチル、エチル−１−オキソシクロノニル、エチル−１−オキソシクロデシル、エチル−１−オキソノルボルニル、エチル−１−オキソイソボルニル、エチル−１−オキソアダマンチル、エチル−１−オキソアダマンチルメチレン、エチル−１−オキソトリシクロ［５，２，１，０2,6］デカンメチレン、エチル−１−オキソテトラシクロ［４，４，０，１2,5，１7,10］ドデシル、プロピル−１−オキソメチル、プロピル−１−オキソエチル、ブチル−１−オキソメチル、ペンチル−１−オキソメチル、ヘキシル−１−オキソメチル、ヘプチル−１−オキソメチル、オクチル−１−オキソメチル、ノナニル−１−オキソメチル、デシル−１−オキソメチル、エチル−１−オキソ−α−メトキシメチル、エチル−１−オキソ−α−メトキシエチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２５】
Ｒ2は、ｎが上記と同じ意味を有し、またＲ9がＨ、Ｒ3基または酸感受性の保護基でありうる（ＣＨ2）n−（Ｃ＝Ｏ）−ＯＲ9のような極性基であってよい。Ｒ9中の酸に不安定な保護基の好適な例には、第３級ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１，１−ジエチルプロピル基、１，１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１，１−ジエチルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシルル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１，１−ジエチルヘキシル基など、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチル、および１，１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１，１−ジメチル−３−オキソペンチル、テトラヒドロピラン−２−イルなどがあるが、これらに限定されない。（ＣＨ2）n−（Ｃ＝Ｏ）−ＯＲ9基の例には、第３級ブチルオキシカルボニルエチル、第３級ブチルオキシカルボニルプロピル、第３級ブチルオキシカルボニルブチル、第３級ブチルオキシカルボニルペンチル、第３級ブチルオキシカルボニルヘキシル、第３級ブチルオキシカルボニルヘプチル、第３級ブチルオキシカルボニルオクチル、１，１−ジメチルプロピルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルプロピルオキシカルボニルエチル、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニルエチル、１，１−ジメチルブチルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルブチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジエチルブチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジメチルペンチルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルペンチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジエチルペンチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジメチルヘキシルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルヘキシルオキシカルボニルエチル、１，１−ジエチルヘキシルオキシカルボニルエチルなど、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−エチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−プロピル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−ブチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−プロピル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−ブチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチルおよび１，１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルオキシカルボニルエチル、１，１−ジメチル−３−オキソペンチルオキシカルボニルエチル、テトラヒドロピラン−２−イルオキシカルボニルエチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２６】
Ｒ2は、ｎが上記と同じ意味を有し、またＲ10がＨまたはフルオロメチル、ジフルオロメチルもしくはトリフルオロメチルであり得、またＲ11がＨまたはＲ3基でありうる（ＣＨ2）n−Ｃ（ＣＦ3）Ｒ10−ＯＲ11のような極性基であってよい。（ＣＨ2）n−Ｃ（ＣＦ3）Ｒ10−ＯＲ11の例には、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシ、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシエチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシプロピル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシブチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ヘプチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）オクチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ヘプチルオキシ、（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ヘプチルオキシメチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２７】
Ｒ2は、ｎおよびＲ3が上記と同じ意味を有する（ＣＨ2）n−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）Ｒ3のような極性基であってよい。（ＣＨ2）n−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）Ｒ3基の例には、アセチルオキシエチル、アセチルオキシプロピル、アセチルオキシブチル、アセチルオキシペンチル、アセチルオキシヘキシル、アセチルオキシヘプチル、アセチルオキシオクチル、エチルカルボニルオキシエチル、エチルカルボニルオキシプロピル、エチルカルボニルオキシブチル、プロピルカルボニルオキシエチルなどがあるが、これらに限定されない。
【００２８】
構造（ＩＡ）を生成するモノマーの好適な例には、３−（３，５，７，９，１１，１３
，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルアクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタメチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタプロピルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタイソブチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタ−第３級−ブチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘキシルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ブチルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ペンチルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ヘキシルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタキス（３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチル）ペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタキス｛５−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル−２−（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソメチル｝ペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、
３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタキス（第３級ブチル）ペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレートなどがあるが、これらに限定されない。
【００２９】
モノマーを生成する構造（ＩＢ）の好適な例には
３−（１３−ヒドロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタエチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）ブチルアクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−エチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロ
ピルアクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリエチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタエチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタイソブチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−第３級ブチルジメチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ジメチル−１，１，１−トリフルオロプロピルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ジメチル−３，３，３，４，４，４，５，５，５，６，６，６，７，７，７，８，８，８−オクタデカフルオロオクチルシロキシ−１，３，５，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレートなどがあるが、これらに限定されない。
【００３０】
構造（ＩＣ）を生成するモノマーの例には、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタメチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルアクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタメチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタエチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタイソブチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタシクロペンチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタシクロヘキシルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７，１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタメチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］ブチルアクリレート、
３−［（７，１４−ジ（トリメチルシロキシ）−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタメチルトリシクロ［７．３．３．１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルアクリレートなどがあるが、これらに限定されない。
【００３１】
構造Ｉの少なくとも１つの反復単位に加えて、新規のコポリマーは構造（III）
【化１２】
（式中、Ｒ1は上記に規定した意味を有しまたＲ12は酸に不安定な基である）
によって表される少なくとも１つの第２の反復単位をさらに含む。好適な任意の酸に不安定基が使用されてよい。酸に不安定な保護基の例には、第３級ブチル、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１，１−ジエチルプロピル基、１，１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１，１−ジエチルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１，１−ジエチルヘキシル基など、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチル、ならびに１，１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１，１−ジメチル−３−オキソペンチル、テトラヒドロピラン−２−イルなどがあるが、これらに限定されない。
【００３２】
モノマーを生成する構造（III）の例には、１，１−ジメチルプロピルアクリレート、１，１−ジメチルプロピルメタクリレート、１−メチル−１−エチルプロピルアクリレート、１−メチル−１−エチルプロピルメタクリレート、１，１−ジエチルプロピルアクリレート、１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、１，１−ジメチルブチルアクリレート、１，１−ジメチルブチルメタクリレート、１−メチル−１−エチルブチルアクリレート、１−メチル−１−エチルブチルメタクリレート、１，１−ジエチルブチルアクリレート、１，１−ジエチルブチルメタクリレート、１，１−ジメチルペンチルアクリレート、１，１−ジメチルペンチルメタクリレート、１−メチル−１−エチルペンチルメタクリレート、１，１−ジエチルペンチルアクリレート、１，１−ジメチルヘキシルアクリレート、１−メチル−１−エチルヘキシルアクリレート、１，１−ジエチルヘキシルアクリレートなど、１−メチル−１−シクロペンチルアクリレート、１−エチル−１−シクロペンチルアクリレート、１−プロピル−１−シクロペンチルアクリレート、１−ブチル−１−シクロペンチルアクリレート、１−メチル−１−シクロペンチルメタクリレート、１−エチル−１−シクロペンチルメタクリレート、１−プロピル−１−シクロペンチルメタクリレート、１−ブチル−１−シクロペンチルメタクリレート、１−メチル−１−シクロヘキシルアクリレート、１−メチル−１−シクロヘキシルメタクリレート、１−エチル−１−シクロヘキシルアクリレート、１−プロピル−１−シクロヘキシルアクリレート、１−ブチル−１−シクロヘキシルアクリレート、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート、２−エチル−２−アダマンチルアクリレート、２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート、２−プロピル−２−アダマンチルアクリレート、２−ブチル−２−アダマンチルアクリレート、２−イソプロピル−２−アダマンチルアクリレート、２−イソプロピル−２−アダマンチルメタクリレートおよび１，１−ジメチル−３−オキソブチルアクリレート、１−メチル−１−エチル−３−オキソブチルアクリレート、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルアクリレート、１，１−ジメチル−３−オキソペンチルアクリレート、テトラヒドロピラン−２−イルアクリレート、テトラヒドロピラン−２−イルメタクリレートなどがあるが、これらに限定されない。
【００３３】
構造（Ｉ）を有するポリマー中の反復単位の濃度は約１〜約５０モル％の範囲にあるであろう。構造（Ｉ）を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約５〜約２５モル％である。構造（Ｉ）を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約５〜約２０モル％の範囲である。構造（Ｉ）を有するポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約５〜約１５モル％である。
【００３４】
構造（III）を有するポリマー中の反復単位の濃度は約１５〜約６５モル％の範囲にあるであろう。構造（III）を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約２０〜約５０モル％である。構造（III）を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約２０〜約４５モル％の範囲である。構造（III）を有するポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約２０〜約４０モル％である。
【００３５】
構造（Ｉ）および（III）の反復単位を含むコポリマーは、他のエチレン性不飽和の重合可能な種類のモノマーとの共重合から生成する追加的な反復単位を含んでよい。追加的な種類のモノマーの例には、アクリレート、メタクリレート、エチレン性不飽和基を有する無水物、ヒドロキシスチレン、ヘキサフルオロイソプロピル基で置換されたスチレン、ビニルエーテル、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物およびビニルエステルがあるが、これらに限定されない。好ましいコモノマーには、重合の後に構造（IV）または構造（VI）を生成するモノマーが含まれる。他の好ましいコモノマーはエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物である。
【００３６】
好ましいコポリマーは、構造（Ｉ）、構造（III）、および構造（IV）
【化１３】
（式中、Ｒ1は上記と同じ意味をもち、またＲ13は以下の構造（Ｖａ〜Ｖｇ）
【化１４】
から選択される）
の反復単位を含む。
【００３７】
構造（IV）を有するポリマー中の反復単位の濃度は、約１５〜約７５モル％の範囲にあるであろう。構造（IV）を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約２０〜約５０モル％である。構造（IV）を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約２５〜約５０モル％の範囲である。構造（IV）を有するポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約３０〜約５０モル％である。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。
【００３８】
他の一態様において、新規なコポリマーは、構造（Ｉ）、（III）、（IV）の反復単位、および保護されていないアルカリ可溶化基部分（alkali solubilizing moiety）を含む。保護されていないアルカリ可溶化基部分の例は、フェノール基、カルボン酸、およびフッ素化されたアルコールである。重合後にアルカリ可溶化基部分を生成するモノマーの例には、ヒドロキシスチレン（およびその前駆体）、アクリル酸、メタクリル酸、および４−［２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシ）−プロピル］スチレンがある。
【００３９】
アルカリ可溶化基部分を有するポリマー中の反復単位の濃度は、約１〜約２０モル％の範囲にあるであろう。アルカリ可溶化基部分を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約３〜約１５モル％である。アルカリ可溶化基部分を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約５〜約１５モル％の範囲である。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位の含有率、ならびに構造（IV）の反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。
【００４０】
好ましいコポリマーは構造（Ｉ）、構造（III）および構造（VI）
【化１５】
（式中、Ｒ1は上記と同じ意味をもつ）
の反復単位を含む。好適なモノマーを生成する構造（VI）には無水マレイン酸、シトラコン酸無水物および２，３−ジメチル無水マレイン酸がある。
【００４１】
構造（VI）を有するポリマー中の反復単位の濃度は、１モル％超から約５０モル％の範囲にあるであろう。構造（VI）を有するポリマー中の反復単位の好ましい濃度は１モル％超から約４０モル％である。構造（VI）を有するポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約１０〜約４０モル％である。構造（VI）を有するポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約２０〜約４０モル％である。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。
【００４２】
好ましいコポリマーは、構造（Ｉ）、構造（III）の反復単位、および構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を含む。シリコンを含む好適な任意のモノマーはそれが重合可能な二重結合を有する限り使用することができる。このようなシリコン含有モノマーには、アリルトリアルキルシラン、ビニルトリアルキルシラン、トリアルキルシリルメタクリレートまたはトリアルキルシリルアクリレート、（トリアルキルシロキシ）アルキルメタクリレートまたは（トリアルキルシロキシ）アクリレート、および環状シリルメタクリレートまたは環状シリルアクリレートがあるが、これらに限定されない。シリコンを含むモノマーの好ましい例にはアリルトリメチルシラン、ビニルトリメチルシラン、メタクリロキシメチルトリメチルシラン、およびメタクリロキシプロピルトリス（トリメチルシロキシ）シランがある。
【００４３】
構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の濃度は約１５〜約６５モル％の範囲にあるであろう。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約２０〜約５０モル％の範囲にある。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約２５〜約５０モル％の範囲にある。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約３０〜約５０モル％の範囲にある。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。
【００４４】
別な好ましいコポリマーは、構造（Ｉ）、構造（III）、構造（VI）の反復単位、および構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を含む。構造（Ｉ）および構造（III）の第１および第２の反復単位および構造（VI）を有する反復単位の含有率は上記に規定したとおりである。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の濃度は
約１０〜約５０モル％の範囲にあるであろう。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の好ましい濃度は約１５〜約４５モル％の範囲にある。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の一層好ましい濃度は約１５〜約４０モル％の範囲にある。構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）、および構造（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導されるポリマー中の反復単位の最も好ましい濃度は約２０〜約３５モル％の範囲にある。
【００４５】
本発明のコポリマー中のシリコンの水準は一般に、約４〜約１５重量％、好ましくは約８〜１４重量％の水準であり、これは二層システムのアンダーコート中への適切なパターンの転写を可能にするのに十分である。この水準を得るのに必要なモノマーのモル％は個々のモノマーのシリコン含有率に依存するであろう。
【００４６】
モノマーを生成する構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）は市販で購入でき、またはＲＳｉＣｌ3またはＲＳｉ(ＯＣＨ3)3の縮合によって合成されそして必要に応じて塩基性条件下で適当なトリクロロシランカップリング剤によってコーナーキャッピングすることができる。（Feher, F.J., Budzichowski, T.A., Blanski, R.L., Weller, K.J., Ziller, J.W.Organometallics 1991, 10, 2526-2528 および Lichtenhan, J.D., Otonari, Y.A., Carr, M.J. Macromolecules, 1995, 28, 8435-8437 を参照。）Lichtenhan, J.D. in Silsesquioxane-Based Polymers, Salmone, J.C., Ed.; Polymeric Materials Encyclopedia CRC Press, (1996) Vol 10 7768-7778;“Nanostructured Chemicals: A New Era in Chemical Technology," J.D. Lichtenhan, J.J. Schwab, W.A.Reinerth Chemical Innovation January (2001) pp3-5; および J.D. Lichtenhan,“Polyhedral Oligomeric Silsesquioxanes: BuildingBlocks for Silsesquioxane-Based Polymers および Hybrid Materials", 1995, Comments Inorg. Chem. 17, 115-130も参照されたい。
【００４７】
本発明の新規なコポリマーは、エチレン性不飽和基を反応させる好適な慣用の重合方法によって対応するモノマーから製造することができる。このような方法には、フリーラジカル重合または制御されたラジカル重合があるがこれらに限らない。このような方法は、触媒または開始剤を使用して溶媒中または溶媒混合物中で操作される。開始剤は重合で用いられる温度に基づいて選定され、次に、この温度は溶媒の沸点によって設定されてもよい。用いる温度はモノマーの安定性、操作温度での触媒の触媒能力、または開始剤の分解半減期に依存するであろう。
【００４８】
好適な開始剤濃度はモノマーの全モル数に対して開始剤約０.００１〜１０.０モル％である。好ましい範囲の開始剤濃度はモノマーの全モル数に対して開始剤約０.０１〜８.０モル％である。最も好ましい範囲の開始剤濃度はモノマーの全モル数に対して開始剤約０.１〜６.０モル％である。
【００４９】
好適なフリーラジカル開始剤の例には、ベンゾイルパーオキサイド、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（メチルイソブチロニトリル）、ジメチル２，２’−アゾビスイソブチレートおよびラウロイルパーオキサイドがあるが、これらに限定されない。場合によっては、連鎖移動剤（例えばカーボンテトラブロマイドまたは１−ドデカンチオール）が含められてよい。
【００５０】
重合のための好適な溶媒には、ジオキサン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、アセトニトリル、トルエン、エチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラヒドロピラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、およびジグリムまたはこれらの組み合わせがあるが、これらに限定されない。
ポリマーは重合溶液をポリマーが不溶性の適当な量の溶媒中に沈殿させることにより単離することができる。沈殿したポリマーは濾過によって単離されそして当業者に知られた慣用の技術を用いて乾燥することができる。
【００５１】
本発明のコポリマーはポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）で約５０００〜約４５,０００を有する。本発明のコポリマーはポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）で好ましくは７０００〜約３０,０００を有し、一層好ましくは約１０,０００〜約２０,０００を有する。ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が３０,０００を越えるなら、得られるフォトレジスト組成物は低い解像度を有するであろう。
【００５２】
Ｍｗの値は、例えば Jan Rabek, Experimental Methods in Polymer Chemistry, John Wiley & Sons, New York, 1983 中に記載されているごときゲル透過クロマトグラフィーのような標準的な方法によって決定されることができる。
【００５３】
感光性組成物は本発明のポリマーを使用して処方することができる。感光性組成物は本発明のポリマーと光酸発生剤とを含むであろう。本発明のポリマーはシリコンを含む他のフォトレジストポリマーと配合されてよい。一般に、酸感受性基によって保護されているアルカリ可溶化基を有する任意のフォトレジストポリマーがこれらの感光性組成物中に配合することができる。配合に好適でありまたシリコンを含有するが本発明のものではないフォトレジストポリマーには、参照によって本明細書に加入されている米国特許第６,１４６,７９３号および同第６,１６５,６８２号中に記載されているようなアクリルポリマーがある。配合のためのシリコン非含有の好適なフォトレジストポリマーには、参照によって本明細書に加入されている米国特許第４,４９１,６２８号、同第６,２８４,４３０号および同第６,０４２,９９７号がある。
【００５４】
フォトレジスト組成物中には任意の好適な光酸発生剤化合物が使用されてよい。好ましい光酸発生剤はスルホン酸を発生するものである。スルホン酸を発生する好適な部類の光酸発生剤には、スルホニウムまたはヨードニウム塩、オキシミドスルホネート、ビススルホニルジアゾメタン、およびニトロベンジルスルホネートエステルがあるが、これらに限定されない。好適な光酸発生剤化合物は例えば、参照によって本明細書に加入されている米国特許第５,５５８,９７８号および同第５,４６８,５８９号中に記載されている。
【００５５】
光酸発生剤のさらに別な例は、トリフェニルスルホニウムブロマイド、トリフェニルスルホニウムクロライド、トリフェニルスルホニウムヨージド、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアーセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルエチルスルホニウムクロライド、フェナシルジメチルスルホニウムクロライド、フェナシルテトラヒドロチオフェニウムクロライド、４−ニトロフェナシルテトラヒドロチオフェニウムクロライドおよび４−ヒドロキシ−２−メチルフェニルヘキサヒドロチオピリリウムクロライドである。
【００５６】
本発明で使用するために好適な光酸発生剤の追加的な例には、トリフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、メチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、４−ｎ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム ２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ４−ドデシルベンゼンスルホン酸、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム パーフ
ルオロオクタンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム ２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリス（−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム
ベンゼンスルホネート、およびフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネートがある。
【００５７】
本発明で使用するための好適なヨードニウム塩の例には、ジフェニルヨードニウム パーフルオロブタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム パーフルオロブタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム パーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム パーフルオロオクタンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム ベンゼンスルホネート、ビス−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム ２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、およびジフェニルヨードニウム ４−メトキシベンゼンスルホネートがあるが、これらに限定されない。
【００５８】
本発明で使用するための好適な光酸発生剤の別な例は、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロ−ヘキシルスルホニル−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオプロピオフェノン、２，４−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタ−３−オン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、２−（シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３,３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、シクロヘキシル−２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、第３級ブチル−２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、イソプロピル−２−ジアゾ−２−メタンスルホニルアセテート、シクロヘキシル−２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、第３級ブチル−２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、２−ニトロベンジル ｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジル ｐ−トルエンスルホネート、２，４−ジニトロベンジル ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートである。
【００５９】
光酸発生剤化合物はポリマー固形物の約０.１〜２０重量％そして一層好ましくは約１〜１０重量％の量で典型的に使用される。好ましい光酸発生剤はスルホニウム塩である。光酸発生剤は単独でもしくは１つ以上の光酸発生剤との組み合わせで使用されてよい。光酸発生剤の混合物中での各々の光酸発生剤の百分率は光酸発生剤の混合物全体の約１０〜約９０％である。好ましい光酸発生剤混合物は約２つまたは３つの光酸発生剤を含む。このような混合物は同じ部類または異なる部類からなってよい。好ましい混合物の例にはスルホニウム塩とビススルホニルジアゾメタン化合物、スルホニウム塩とイミドスルホネート、および２つのスルホニウム塩がある。
【００６０】
フォトレジスト組成物のための溶媒およびこの組成物の濃度の選定は、酸に不安定なポリマー中に導入される官能基の種類、光酸発生剤、およびコーティング方法に主として依
存する。溶媒は不活性であり、フォトレジスト中にすべての成分を溶解し、成分との化学反応を全く行わず、そしてコーティングの後の乾燥によって再度除去可能であるべきである。フォトレジスト組成物にとって好適な溶媒には、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メトキシ−１−プロピレンアセテート、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−エトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、１，２−ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルラクテート、メチルピルベート、エチルピルベート、メチル ３−メトキシプロピオネート、エチル ３−メトキシプロピオネート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，４−ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのようなケトン、エーテルおよびエステルがあるであろう。
【００６１】
追加的な態様では、フォトレジスト組成物に塩基添加剤が添加されてよい。塩基添加剤の１つの目的は、化学放射線によって照射されるのに先立って、フォトレジスト中に存在する陽子を掃去することである。塩基は、好ましくない酸による酸不安定基への攻撃および開裂を防止し、これによってレジストの性能および安定性が増加する。第２の目的は光で生成される酸の制御された拡散を行うことである。フォトレジスト組成物が照射された後に塩基が酸に不安定な基の開裂を妨げるのは好ましくないので、組成物中の塩基の百分率は光酸発生剤に比べて著しく低くなければならない。塩基化合物が存在するとき、その好ましい範囲は光酸発生剤化合物の約３〜５０重量％である。塩基添加剤の好適な例は２−メチルイミダゾール、トリイソプロピルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，４，５−トリフェニルイミダゾールおよび１，５−ジアゾビシクロ［４．３．０］ノネ−５−エンである。
【００６２】
化学放射線波長に対する組成物の吸収を増大するためにフォトレジストに染料が添加されてよい。染料は組成物を被毒してはならずまたあらゆる熱処理を含めてのプロセス条件に耐えることができねばならない。好適な染料の例はフルオレノン誘導体、アントラセン誘導体またはピレン誘導体である。フォトレジスト組成物にとって好適な他の特定の染料は米国特許第５,５９３,８１２号中に記載されている。
【００６３】
フォトレジスト組成物は接着促進剤および界面活性剤のような慣用の添加剤をさらに含有してよい。当業者なら所望の適切な添加剤およびその濃度を選定することができよう。
【００６４】
フォトレジスト組成物は既知のコーティング方法によって基板に均一に施される。例えばコーティングはスピンコーティング、浸漬、ナイフコーティング、積層、刷毛塗り、噴霧、および逆ロールコーティングによって施されてよい。コーティングの厚さは一般に約０.１から１０ｍｍ超までの値にわたる。コーティング操作の後、溶媒は乾燥によって一般に除去される。典型的に乾燥段階はソフトベークと称される加熱工程であり、この場合レジストおよび基板が、コーティングの厚さ、加熱要素および最終用途に応じて、約５０〜１５０℃の温度に大体数秒から数分にわたって；好ましくは約５秒から３０分間加熱される。
【００６５】
フォトレジスト組成物は電子工業で多くの異なる用途のために好適である。例えばこれは電気メッキレジスト、プラズマエッチレジスト、ハンダレジスト、印刷板製造用のレジスト、ケミカルミリング用のレジストまたは集積回路製造でのレジストとして使用されることができる。可能なコーティングおよびコートされた基板の加工条件は対応して異なる。
【００６６】
レリーフ構造を形成するために、アンダーコート層が施されていても施されていなくてもよい基板はフォトレジスト組成物でコートされそして像様に露光される。「像様の」露光という用語には、予め決められたパターンのあるフォトマスクを通じての露光、コートされた基板の表面上を移動されるコンピュータ制御下のレーザービームによる露光、コンピュータ制御された電子ビームによる露光、および対応するマスクを通じてのＸ線または紫外線による露光のすべてが含まれる。
【００６７】
使用できる放射線源は、光酸発生剤がそれに対する感受性をもつ放射線を放出するすべての線源である。例には、高圧水銀ランプ、ＫｒＦエキシマーレーザ、ＡｒＦエキシマーレーザ、電子ビームおよびｘ線の線源がある。
【００６８】
レリーフ構造を形成に関して上記に記載した方法には、さらなるプロセス手段として、露光と現像液による処理との間でのコーティングの加熱が含まれる。「露光後ベーク」として知られるこの熱処理の助けによって、露光によって発生する酸との、ポリマー樹脂中の酸に不安定な基の実質的に完全な反応が達せられる。この露光後ベークの継続時間および温度は広い範囲で変化し得、ポリマー樹脂の官能基、酸発生剤の種類およびこれら２つの成分の濃度に本質的に依存する。露光されたレジストは典型的に、約５０〜１５０℃の温度に数秒から数分にわたってさらされる。好ましい露光後ベークは、約８０〜１３０℃、約５〜３００秒である。
【００６９】
像様露光および何らかの材料の熱処理の後、フォトレジストの露光された領域は現像液中への溶解によって除去される。特定の現像液の選定は、フォトレジストの種類、特にポリマー樹脂または生成される光分解生成物の性質に依存する。現像液は、有機溶媒またはその混合物が添加されていてよい塩基の水溶液を含むことができる。特に好ましい現像液は水性アルカリ溶液である。これには例えば、アルカリ金属の珪酸塩、燐酸塩、水酸化物および炭酸塩の水溶液があるが、特にテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの、そして一層好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の水溶液がある。所望なら、比較的少量の湿潤剤および／または有機溶媒もまたこれらの溶液に添加されてよい。
【００７０】
現像段階の後、レジストコーティングを帯びた基板は一般に少なくとも１つのさらなる処理段階に付され、この段階はフォトレジストコーティングによって覆われていない領域で基板を変化させる。典型的に、この段階は、ドーパントの打ち込み（implantation）、基板上への他の物質の付着または基板のエッチングでありうる。通常、この後に、好適なストリッピング方法を用いる基板からのレジストコーティングの除去が続く。
【００７１】
本発明のレジストはアンダーコート上にコートされ２層レジストが生成される。アンダーコートのフィルムは典型的に、フォトレジストを施すのに好適な溶媒からスピンキャストされ、そしてフォトレジストと同様にベークされる。アンダーコートのフィルム厚さは応用そのものの如何によって変化しうるが、一般に約８００〜１０,０００オングストロームの範囲にある。約１５００〜約５０００オングストロームの厚さが好ましい。
【００７２】
好適なアンダーコートは要求されるいくつかの特性を有する。第１にアンダーコートとレジストとの間の相互の混合があってはならない。これは一般にアンダーコートのフィルムをキャストしそしてこれを架橋してキャスチング溶媒の溶解度を低下することにより達せられる。架橋は熱的にまたは光化学的に誘発される。この光化学的および熱的な架橋の例は、参照によって本明細書に加入された米国特許第６,１４６,７９３号、同第６,０５４,２４８号、同第６,３２３,２８７号、同第６,１６５,６８２号および同第６,６１０,８０８号中に見いだすことができる。一般に、アンダーコートもまた良好な基板プラズマエッチ抵抗を有するように計画される。一般に好適なアンダーコートの光学的パラメータ（ｎ，ｋ）は、反射を最小にするように露光波長に関して最適化される。
【００７３】
オーバーコート上での本発明の感光性組成物の画像形成は、基板上での画像形成と実質的に同じである。画像が放射線感受性レジスト中で形成された後、基板は酸素を含むプラズマエッチング環境内に置かれ、その結果、アンダーコートはレジストによって保護されていない領域で除去されるであろう。シリコンを含有するモノマー単位中のシリコンは、酸素プラズマに暴露される時に二酸化珪素を生成しそしてレジストがエッチングされないように保護し、その結果、アンダーコート層中にレリーフ構造が形成されることができる。
【００７４】
酸素プラズマ段階の後、２層レリーフ構造を有する基板は一般に少なくとも１つのさらなる処理段階に付され、これが２層コーティングによって覆われていない領域で基板を変化させる。典型的に、これはドーパントの打ち込み、基板上への他の物質の付着または基板のエッチングであってよい。通常この後にレジストおよびその生成物とアンダーコートとの除去が続く。
【００７５】
本発明を説明するために以下の実施例を示す。本発明はここに記載する実施例に限定されないことを理解すべきである。
【実施例】
【００７６】
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中での重合のための一般的な合成方法、１０グラムの規模：
還流コンデンサー、温度プローブおよびガス流入口を具備した丸底フラスコ中でモノマー混合物をＮ2下でＴＨＦ中に溶解した。混合物を撹拌しつつ５５℃に加熱した。注射針を通じてＮ2を溶液中に１５分間吹き込むことにより溶液を脱ガスした。ＴＨＦ中の開始剤の溶液を注射器で添加しそして溶液をＮ2雰囲気下で２４時間６５℃に加熱した。次いで反応混合物を室温まで冷却しそしてペンタンまたはヘキサン（５００ｍｌ）に滴状添加した。濾過により固体ポリマーを単離しそしてペンタンまたはヘキサン（５０ｍＬ×２）で洗浄した。濾過の後、固形物を６０℃で２４時間真空下で乾燥した。以下のＰｈｅｎｏｇｅｌ−１０、７．８×２５０ｍｍカラム：１０-4Å、５００Åおよび５０Å（Ｐｈｅｎｏｍｅｎａから入手される）を備えたＷａｔｅｒｓ Ｃｏｒｐ．の液体クロマトグラフ（屈折率の検出、Ｍｉｌｌｅｎｉｕｍ（ＧＰＣ Ｖソフトウェア））およびＴＨＦ溶出剤を使用して、分子量および分子量分布を測定した。Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ熱重量測定分析器を使用して熱分解測定（ＴＧＡ）を実施した。Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ Ｐｙｒｉｓ １ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒを使用し、２０℃／分の加熱速度でポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）を測定した。Ｂｒｕｋｅｒ ４００ ＭＨｚ ＮＭＲ−分光計を使用してポリマーの構造および組成を分析した。ポリマーの実施例の分析データについて表１を参照されたい。
【００７７】
〔ポリマーの実施例１〕
モノマーの混合物［（１−メチル−１−トリシクロ［３．３．１．１３，７］デセ−１−イル）エチルメタクリレート（Ｘ−ＡｄＭＡ）（２.５５ｇ、９.７１８ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（２.２５ｇ、１４.４１ミリモル）、（３，５−ジヒドロキシトリシクロ［３．３．１．１３，７］デセ−１−イル）メタクリレート（ＤＨＭＡ）（１.７２ｇ、７.２０ミリモル）および３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９．５．１．１3,9．１5,15．１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート（メタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ）（３.４９ｇ、４.６７ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１２ｇ、０.５９２ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２８.５７ｇ、固形物３５％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤のジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.４１ｇ、１.７８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化１６】
【００７８】
〔ポリマー実施例２〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２.０７ｇ、２１.１ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２.３４ｇ、２０.４７ミリモル）、Ｘ−ＡｄＭＡ（３.８４ｇ、１４.６３ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（１.７５ｇ、２.３４ミリモル）］を、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１８.５ｇ、固形物３５％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）（Ｖａｚｏ(登録商標)６７）（０.０４ｇ、０.２０８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。連鎖移動剤は使用しなかった。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化１７】
【００７９】
〔ポリマー実施例３〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（１.８１ｇ、１８.４５ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２.１１ｇ、１８.４５ミリモル）、Ｘ−ＡｄＭＡ（４.４１ｇ、１６.８ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（１.６７ｇ、２.３４ミリモル）］を、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１８.５ｇ、固形物３５％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤Ｖａｚｏ(登録商標)６７（０.０４ｇ、０.２０８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。連鎖移動剤は使用しなかった。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化１８】
【００８０】
〔ポリマー実施例４〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（１.８１ｇ、１８.４５ミリモル）、（ヘキサヒドロ−２−オキソ−３，５−メタノ−２Ｈ−シクロペンタ［β］フラン−６−イル）メタクリレート（ＬＭＡ）（２.０１ｇ、９.０６ミリモル）、Ｘ−ＡｄＭＡ（２.３８ｇ、９.０７ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（３.３８ｇ、４.５３ミリモル）］を、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１３ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤Ｖａｚｏ(登録商標)６７（０.０４ｇ、０.４１ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。連鎖移動剤は使用しなかった。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化１９】
【００８１】
〔ポリマー実施例５〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（４.６３ｇ、１８.５ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.４５ｇ、２６.２ミリモル）、ＤＨＭＡ（３.４１ｇ、１４.３ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（７.４８ｇ、１０.０ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１９ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（３５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６３ｇ、３.３ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化２０】
【００８２】
〔ポリマー実施例６〕
モノマーの混合物［ＬＭＡ（６.４３ｇ、２８.９ミリモル）、Ｘ−ＡｄＭＡ（３.１５ｇ、１２.０ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（５.４０ｇ、７.２３ミ
リモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１７ｇ、０.８ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（３４ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤Ｖａｚｏ(登録商標)６７（０.５６ｇ、２.９ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。連鎖移動剤は使用しなかった。ポリマーを一般的な手順に記載したように処理した。
【化２１】
【００８３】
〔ポリマー実施例７〕
モノマーの混合物［２−メタクリルオキシテトラヒドロピラン（０.８８ｇ、５.１７ミリモル）、ＬＭＡ（２.１１ｇ、９.４９ミリモル）および３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１，３，５，７，９，１１，１４−ヘプタエチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート（２.０１ｇ、２.５８ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１２ｇ、０.５９２ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２８.５７ｇ、固形物３５％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.４１ｇ、１.７８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（１２５ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２２】
【００８４】
〔ポリマー実施例８〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（６.７３ｇ、２５.７ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（５.３６ｇ、３１.５ミリモル）、アクリル酸（０.１６ｇ、２.２２ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（７.７９ｇ、１０.４ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１９ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（３２ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（３ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６７ｇ、３.４８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２１時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（４００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２３】
【００８５】
〔ポリマー実施例９〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（９.４３ｇ、３５.９ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（１１.２０ｇ、６５.８ミリモル）、アクリル酸（０.４４ｇ、６.１１ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（８.９７ｇ、１２.０ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.３４ｇ、１.７ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（５０ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（３ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（１.１５ｇ、６.０ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２１時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（７００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２４】
【００８６】
〔ポリマー実施例１０〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（４.２２ｇ、１６.1ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.５８ｇ、２６.９ミリモル）、アクリル酸（０.１９ｇ、２.６４ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（６.０４ｇ、８.１ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１６ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２７ｇ）及びＭＥＫ（５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（１ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.５２ｇ、２.７ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２２時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（５００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２５】
【００８７】
〔ポリマー実施例１１〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（６.５２ｇ、８.７ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.５５ｇ、２６.８ミリモル）、アクリル酸（０.６１ｇ、８.５ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（６.５２ｇ、８.７ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１９ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２８ｇ）およびＭＥＫ（５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（１ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６３ｇ、３.３ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２２時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（９００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２６】
【００８８】
〔ポリマー実施例１２〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（３.３６ｇ、１２.８ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.５４ｇ、２６.７ミリモル）、４−［２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシ）プロピル］スチレン（０.９７ｇ、３.６ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（６.１３ｇ、８.２ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１９ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（２８ｇ）およびＭＥＫ（５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６２ｇ、３.２ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２２時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（９００ｍＬ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２７】
【００８９】
〔ポリマー実施例１３〕
モノマーの混合物［Ｘ−ＡｄＭＡ（３.５０ｇ、１３.３ミリモル）、２−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン（４.７５ｇ、２７.９ミリモル）、４−ヒドロキシスチレン（０.４６ｇ、３.８ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（６.３６ｇ、８.５ミリモル）］と連鎖移動剤１−ドデカンチオール（０.１８ｇ、０.９ミリモル）とを、１００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（３３ｇ）およびＭＥＫ（５ｇ）中に溶解した。ＴＨＦ（１ｇ）中に溶解した開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（０.６２ｇ、３.２ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２２時間６５℃に加熱した。ポリマーをメタノール（２Ｌ）中で沈殿させ、次いで一般的な手順に記載したように処理した。
【化２８】
【００９０】
〔ポリマー実施例１４〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２５.６８ｇ、２６.２ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２９.９２ｇ、２６.２ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（３２.５４ｇ、２５.４ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（１１.８６ｇ、１.６ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.５０３ｇ、２.６１ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。次に反応混合物を室温まで冷却しそして溶媒を真空下で除去した。固体のポリマーをヘキサン３００ｍｌで１時間粉砕しそして濾過した。残留するモノマーを除去するために工程を２回反復した。濾過の後、固形物を６０℃で２４時間真空下で乾燥した。
【化２９】
【００９１】
〔ポリマー実施例１５〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２４.４７ｇ、２５.０ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２８.５２ｇ、２５.０ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（３０.０５ｇ、２３４ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（１６.９６ｇ、２.３ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４８０ｇ、２.４９ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３０】
【００９２】
〔ポリマー実施例１６〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２３.３８ｇ、２３.８ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２７.２４ｇ、２３.８ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（２７.７８ｇ、２１.７ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（２１.６０ｇ、２.９ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４５８ｇ、２.３８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３１】
【００９３】
〔ポリマー実施例１７〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２２.３８ｇ、２２.８ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２６.０６ｇ、２２.８ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（２５.７１ｇ、２０.１ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（２５.８６ｇ、３.５ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４３９ｇ、２.２８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３２】
【００９４】
〔ポリマー実施例１８〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２１.４６ｇ、２１.９ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２５.０１ｇ、２１.９ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（２３.８ｇ、１８.６ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（２９.７３ｇ、４.０ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４２１ｇ、２.１８ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３３】
【００９５】
〔ポリマー実施例１９〕
モノマーの混合物［無水マレイン酸（２０.６１ｇ、２１.０ミリモル）、アリルトリメチルシラン（２４.０２ｇ、２１.０ミリモル）、第３級−ブチルアクリレート（２２.０４ｇ、１７.２ミリモル）およびメタクリルＥｔｈｙｌ−ＰＯＳＳ（３３.３２ｇ、４.５ミリモル）］を、５００ｍＬの３つ口丸底フラスコ内でＴＨＦ（１５０ｇ、固形物４０％）中に溶解した。ＴＨＦ（２ｇ）中に溶解した開始剤ＶＡＺＯ(登録商標)６７（０.４０４ｇ、２.１ミリモル）を混合物に５５℃で添加しそして２４時間６５℃に加熱した。ポリマー実施例１４に記載のようにポリマーを処理した。
【化３４】
【００９６】
〔処方実施例１（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【００９７】
〔処方実施例２（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例２（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【００９８】
〔処方実施例３（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例３（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【００９９】
〔処方実施例４（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例４（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１００】
〔処方実施例５（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例４（８.４１ｇ）、トリス−第３級−ブチルフェニルスルホニウム ノナフレート（ＴＴＢＰＳ Ｎｏｎａｆｌａｔｅ、０.９５ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０７ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９０.５７ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０１】
〔処方実施例６（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例５（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０２】
〔処方実施例７（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例６（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０３】
〔処方実施例８（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例７（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０４】
〔処方実施例９（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例８（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０５】
〔処方実施例１０（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例９（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０６】
〔処方実施例１１（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１０（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０７】
〔処方実施例１２（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１１（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０８】
〔処方実施例１３（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１２（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１０９】
〔処方実施例１４（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１３（７.２５２ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.４０ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.０３ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、９２.０５ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１１０】
〔処方実施例１５（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例２（３.０ｇ）、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ、０.０９２ｇ）、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ、０.００５８ｇ）そして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、２５.２２ｇ）を添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのＰＴＦＥフィルターを通じて濾過した。
【０１１１】
〔処方実施例１６（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１４からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１２】
〔処方実施例１７（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１５からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１３】
〔処方実施例１８（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１６からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１４】
〔処方実施例１９（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１７からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パ
ーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１５】
〔処方実施例２０（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１８からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１６】
〔処方実施例２１（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１９からのポリマー７.４４ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.５２ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０４ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１７】
〔処方実施例２２（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１４からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１８】
〔処方実施例２３（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１５からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１１９】
〔処方実施例２４（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１６からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１２０】
〔処方実施例２５（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１７からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１２１】
〔処方実施例２６（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１８からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１２２】
〔処方実施例２７（フォトレジスト組成物）〕
ポリマー実施例１９からのポリマー７.１５ｇ、トルエンジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート ＰＡＧ（ＴＤＰＳ ＰＦＯＳ）０.８０ｇ、クウェンチャーとしての１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）０.０５ｇそして溶媒としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４２.０ｇおよび２−ヘプタノン４２.０ｇを添加することによりフォトレジスト組成物を調製した。得られる混合物を０.１μｍのテフロンフィルターを通じて濾過した。
【０１２３】
一般的なリソグラフィー手順１（１９３ｎｍ２層法）
１９３ｎｍのＴＣＵ（熱硬化された下部層）（米国特許第６,３２３,２８７号の実施例２に記載のものと類似している）の溶液２ｍｌをシリコンウェーファ上に施与し、スピンコートし、そして２０５℃で７０秒硬化して、厚さ約４０００Åを有する均一な架橋された層を形成した。室温まで冷却した後、本発明のフォトレジスト約１ｍＬをＴＣＵ層の上に施し、スピンコートし、そして１２５℃で６０秒ベークして、厚さ約１５００Åを有する均一で均質なフィルムを得た。ＮＡ＝０.６である１９３ｎｍ ＩＳＩ Ｍｉｃｒｏｓｔｅｐ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ機器を使用して、様々な寸法のライン／スペースパターンを有するバイナリーレチクルを通じて慣用の照射によりウェーファを露光した。露光されたウェーファを１１５℃で６０秒間ベークした。０.２６２Ｎの水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液（ＯＰＤ−２６２、Ａｒｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから入手できる）の流れを用いて１０秒間現像し、続いて、蓄積した現像液のパドルを使用して５５秒間現像した。走査電子顕微鏡を使用して、ライン／スペースまたはコンタクトホールパターンについてフォトスピードおよび解像度を測定した。
【０１２４】
〔リソグラフィー実施例１〕
上記した一般的リソグラフィー手順１を用いてラインスペースパターンを形成するために処方４を使用した。均一にウェーファを横切って、垂直なプロフィールをもつ密なライン／スペースパターンを形成した。Ｏ2 ＲＩＥプラズマ法によって約３０秒間ＴＣＵ層を乾式現像し、Ｓｉを含有する上部層の画像のパターン転写を行った。高いアスペクト比を有するクリーンな垂直の１３０ｎｍのライン／スペースパターンが生じた。
【０１２５】
〔リソグラフィー実施例２〜１２〕
上記した一般的リソグラフィー手順を用いてリソグラフィー実施例２〜１２を実施した。リソグラフィーで試験した処方物およびリソグラフィーの結果を表２に示す。
【表１】
【０１２６】
〔一般的なリソグラフィー手順２：２４８ｎｍ２層法〕
２４８ｎｍのＴＣＵ（熱硬化された下部層）（米国特許第６,６１０,８０８号のアンダーコート処方物１中に記載のものと類似している）２ｍｌをＳｉウェーファ上に施与し、スピンコートし、そして２０５℃で７０秒硬化して、厚さ約５０００Åを有する均一な架橋された層を形成した。室温まで冷却した後、本発明のフォトレジスト１ｍＬをＴＣＵ層の上に施し、スピンコートし、そして１１０℃で６０秒ベークして、厚さ約１５００Åを有する均一で均質なフィルムを得た。次にコートされたウェーファを、ＩＳＩ ２４８ｎｍ Ｓｔｅｐｐｅｒを使用して、様々な寸法のライン／スペースパターンのバイナリーレクチルを通じて露光した。露光されたウェーファを１１５℃で６０秒間ベークした。０.２６２Ｎの水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液（ＯＰＤ−２６２、Ａｒｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから入手できる）の流れを用いて１０秒間現像し、続いて、蓄積した現像液のパドルを使用して５５秒間現像した。走査電子顕微鏡を使用して、ライン／スペースについてフォトスピードおよび解像度を測定した。
【０１２７】
〔リソグラフィー実施例２０〕
上記した一般的リソグラフィー手順２（２４８ｎｍ２層法）を用いてラインスペースパターンを形成するために処方２４を使用した。均一にウェーファを横切って、垂直なプロフィールをもつ密なライン／スペースパターンを形成した。Ｏ2 ＲＩＥプラズマ法によって約３０秒間ＴＣＵ層を乾式現像し、Ｓｉを含有する上部層の画像のパターン転写を行った。高いアスペクト比を有するクリーンな垂直の１４０ｎｍのライン／スペースパターンが生じた。
【０１２８】
その特定の態様を参照しつつ本発明を以上に説明してきたが、ここに開示する発明概念から逸脱することなく変化、変更および変改を行うことができることが分かるであろう。従って、付属する特許請求の範囲の趣意および範囲に属するような変化、変更および変改はすべてが包含されると考えられる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）および構造（ＩＣ）
【化１】
［式中、Ｒ1は各々独立に、水素原子またはメチル基からなる群から選択され；Ｒ3は、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基からなる群から選択され；ｍは約２から約１０までの整数であり；Ｒ4は各々独立にＨおよび構造（II）
【化２】
（式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は各々独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状または環状のアルキル基、脂環式基およびフルオロアルキル基からなる群から選択される）からなる群から選択され；そして
Ｒ2は各々独立に
（ａ）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状または環状のアルキル、非置換のまたは置換された脂環式基；
（ｂ）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキルまたはフッ素置換された脂環式基；および
（ｃ）(１)ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ8がＨ、Ｒ3基およびα−アルコキシアルキル基からなる群から選択され；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−ＯＲ8；
(２)ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ9がＨ、Ｒ3基および酸感受性保護基からなる群から選択され；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−（Ｃ＝Ｏ）−ＯＲ9；
(３)ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ10がＨ、フルオロメチル、ジフルオロメチルおよびトリフルオロメチルからなる群から選択されまたＲ11はＨおよびＲ3アルキル基からなる群から選択される(ＣＨ2)n−Ｃ(ＣＦ3)Ｒ10−ＯＲ11；および
(４)ｎが約２から約１０までの整数であり；そしてＲ3が炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−Ｏ−(Ｃ＝Ｏ)Ｒ3
からなる群から選択される極性基
からなる群から選択される］
によって表される単位からなる群から選択される１つまたはそれ以上の反復単位を含む少なくとも１つの構造（Ｉ）の第１の反復単位、および
構造（III）
【化３】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもちそしてＲ12は酸に不安定な基である）
によって表される第２の反復単位
を含むコポリマーであって、ただし構造（ＩＡ）がコポリマー中に存在しそしてＲ12がｔ−Ｂｕである時、構造（IV）もしくは構造（VI）を有する追加の反復単位、または以下に規定するような、構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位が存在せねばならず、そして、ここで構造（IV）は以下
【化４】
［式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもち、またＲ13は以下の構造（Ｖａ〜Ｖｇ）
【化５】
からなる群から選択される］の通りであり、また構造（VI）は
【化６】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもつ）である上記コポリマー。
【請求項２】
構造（IV）および構造（VI）：
【化７】
［式中、Ｒ1は請求項１で規定したのと同じ意味をもち、またＲ13は以下の構造（Ｖａ〜Ｖｇ）
【化８】
から選択される］
【化９】
（式中、Ｒ1は請求項１で規定したのと同じ意味をもつ）
からなる群から選択される少なくとも１つの追加の反復単位を追加的に含む請求項１に記載のコポリマー。
【請求項３】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）または（ＩＣ）によって表される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約５〜約２５モル％であり；構造（III）によって表される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約２０〜約５０モル％であり；コポリマー中に存在する時、構造（IV）によって表される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約２０〜約５０モル％であり；そしてコポリマー中に存在する時、構造（VI）によって表される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約１〜約４０モル％である請求項２に記載のコポリマー。
【請求項４】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を追加的に含む請求項１に記載のコポリマー。
【請求項５】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位が、コポリマーを構成するすべての構成単位の約２０〜５０モル％である請求項４に記載のコポリマー。
【請求項６】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を追加的に含む請求項２に記載のコポリマー。
【請求項７】
構造（Ｉ）、構成（III）および構成（VI）の反復単位を含む請求項２に記載のコポリマー。
【請求項８】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を少なくとも１つ追加的に含む請求項７に記載のコポリマー。
【請求項９】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約１５〜約４５モル％である請求項８に記載のコポリマー。
【請求項１０】
ポリスチレン換算重量平均分子量が約７,０００〜約３０,０００である請求項１に記載
のコポリマー。
【請求項１１】
コポリマー中のシリコンのレベルが約４〜約１５重量％である請求項１に記載のコポリマー。
【請求項１２】
コポリマー中のシリコンのレベルが約４〜約１５重量％である請求項２に記載のコポリマー。
【請求項１３】
Ｒ3が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレンおよびテトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルからなる群から選択され；
Ｒ5、Ｒ6およびＲ7がそれぞれ独立に、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシル、トリフルオロメチル、２,２,２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、３,３,３−トリフルオロプロピル、１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロイソプロピル、３,３,３,４,４,４−ヘキサフルオロブチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５−ノナフルオロペンチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６−ドデカフルオロヘキシル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７−ペンタデカフルオロヘプチルおよび３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチルからなる群から選択され；
構造（II）が、トリメチルシリル、エチルジメチルシリル、ジメチルプロピルシリル、エチルメチルプロピルシリル、ジエチルプロピルシリル、ジエチルメチルシリル、ジブチルメチルシリル、第３級−ブチルジメチルシリル、第３級−ブチルジエチルシリル、シクロヘキシルジメチルシリル、シクロペンチルジメチルシリル、オクチルジメチルシリル、シクロオクチルジメチルシリル、シクロノニルジメチルシリル、シクロデシルジメチルシリル、ノルボルニルジメチルシリル、イソボルニルジメチルシリル、アダマンチルジメチルシリル、アダマンチルメチレンジメチルシリル、２−（ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）ジメチルシリル、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレンジメチルシリル、テトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルジメチルシリル、ジメチル−３,３,３−トリフルオロプロピルシリル、ジメチル−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロイソプロピルシリル、ジメチル−３,３,３,４,４,４−ヘキサフルオロブチルシリル、ジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５−ノナフルオロペンチルシリル、ジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６−ドデカフルオロヘキシルシリル、ジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７−ペンタドデカフルオロヘプチルシリル、およびジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチルシリルからなる群から選択され；
そしてＲ2置換脂環式基の各々が、任意の空席の結合位置に於いて１つまたはそれ以上の置換基によって置換されている脂環式基部分であり、そして脂環式基部分上のこれらの置換基が、線状、分枝状または環状のアルキル基、ヒドロキシル基、構造（VII）のヒドロキシアルキル基および構造（VIII）のエステル基
【化１０】
（式中、Ｒ14は水素、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状または環状のアルキル基および脂環式基からなる群から選択され、そしてｏは約１から１０までの整数であり；Ｒ15は水素、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状または環状のアルキル基および脂環式基、ならびに酸に不安定な基からなる群から選択される）
からなる群から選択される、
請求項１に記載のコポリマー。
【請求項１４】
Ｒ14が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレンおよびテトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルからなる群から選択され；そして
Ｒ15が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルからなる群から選択され；そしてＲ15中の酸に不安定な保護基が、第３級ブチル基、１,１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１,１−ジエチルプロピル基、１,１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１,１−ジエチルブチル基、１,１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１,１−ジエチルペンチル基、１,１−ジメチルヘキシル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１,１−ジエチルヘキシル基、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、２−イソプロピル−２−アダマンチル、１,１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１,１−ジメチル−３−オキソペンチル、およびテトラヒドロピラン−２−イルからなる群から選択される、
請求項１３に記載のコポリマー。
【請求項１５】
構造（VII）が５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロパン−２−オール、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ブチル−２−オール、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソメチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソエチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソプロピル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソ−ｎ−ブチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソ−第３級ブチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロヘキシル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソオクチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロオクチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロノニル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロデシル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソノルボルニル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソイソボルニル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソアダマンチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソアダマンチルメチレン、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソトリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレン、ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソおよびテトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルからなる群から選択され；そして
構造（VIII）が、５−（メトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（エトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（プロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（ｎ−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（第２級−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（第３級−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（オクチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロオクチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロノニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロデシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（ノルボルニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（イソボルニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（アダマンチルメチレンオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレンオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（テトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−エチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジエチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−エチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジエチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−エチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジエチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−エチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジエチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−シクロヘキシルオキシオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−エチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−プロピル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−ブチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−プロピル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−ブチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−イソプロピル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−エチル−１−メチル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチル−３−オキソペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル
）からなる群から選択される、
請求項１３に記載のコポリマー。
【請求項１６】
Ｒ2が極性基(ＣＨ2)n−Ｏ−(Ｃ＝Ｏ)Ｒ3であるとき、極性基がアセチルオキシエチル、アセチルオキシプロピル、アセチルオキシブチル、アセチルオキシペンチル、アセチルオキシヘキシル、アセチルオキシヘプチル、アセチルオキシオクチル、エチルカルボニルオキシエチル、エチルカルボニルオキシプロピル、エチルカルボニルオキシブチル、およびプロピルカルボニルオキシエチルからなる群から選択され；
Ｒ2が炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキル基またはフルオロ置換脂環式基であるとき、Ｒ2がトリフルオロメチル、ジフルオロメチル、２,２,２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、３,３,３−トリフルオロプロピル、１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロイソプロピル、３,３,３,４,４,４−ヘキサフルオロブチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５−ノナフルオロペンチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６−ドデカフルオロヘキシル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７−ペンタデカフルオロヘプチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチル、１,２,２,３,３,４,４,５−オクタフルオロシクロペンチルおよび２−（オクタフルオロ−１−トリフルオロメチルシクロペンチル）エチルからなる群から選択され；
Ｒ2が極性基(ＣＨ2)n−ＯＲ8であるとき、極性基がエチル−１−オキソメチル、エチル−１−オキソエチル、エチル−１−オキソプロピル、エチル−１−オキソイソプロピル、エチル−１−オキソ−ｎ−ブチル、エチル−１−オキソ−第２級−ブチル、エチル−１−オキソ−第３級−ブチル、エチル−１−オキソ−シクロヘキシル、エチル−１−オキソ−シクロペンチル、エチル−１−オキソシクロヘプチル、エチル−１−オキソオクチル、エチル−１−オキソシクロオクチル、エチル−１−オキソシクロノニル、エチル−１−オキソシクロデシル、エチル−１−オキソノルボルニル、エチル−１−オキソイソボルニル、エチル−１−オキソアダマンチル、エチル−１−オキソアダマンチルメチレン、エチル−１−オキソトリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレン、エチル−１−オキソテトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシル、プロピル−１−オキソメチル、プロピル−１−オキソエチル、ブチル−１−オキソメチル、ペンチル−１−オキソメチル、ヘキシル−１−オキソメチル、ヘプチル−１−オキソメチル、オクチル−１−オキソメチル、ノナニル−１−オキソメチル、デシル−１−オキソメチル、エチル−１−オキソ−α−メトキシメチル、およびエチル−１−オキソ−α−メトキシエチルからなる群から選択され；
Ｒ2が極性基(ＣＨ2)n−(Ｃ＝Ｏ)−ＯＲ9であるとき、極性基が第３級ブチルオキシカルボニルエチル、第３級ブチルオキシカルボニルプロピル、第３級ブチルオキシカルボニルブチル、第３級ブチルオキシカルボニルペンチル、第３級ブチルオキシカルボニルヘキシル、第３級ブチルオキシカルボニルヘプチル、第３級ブチルオキシカルボニルオクチル、１,１−ジメチルプロピルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルプロピルオキシカルボニルエチル、１,１−ジエチルプロピルオキシカルボニルエチル、１,１−ジメチルブチルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルブチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジエチルブチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジメチルペンチルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルペンチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジエチルペンチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジメチルヘキシルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルヘキシルオキシカルボニルエチル、１,１−ジエチルヘキシルオキシカルボニルエチルおよび同種のもの、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−エチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−プロピル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−ブチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−プロピル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−ブチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチルおよび１,１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジメチル−３−オキソペンチルオキシカルボニルエチル、およびテトラヒドロピラン−２−イルオキシカルボニルエチルからなる群から選択され；そして
Ｒ2が極性基(ＣＨ2)n−Ｃ(ＣＦ3)Ｒ10−ＯＲ11であるとき、極性基が、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシ、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシエチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシプロピル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシブチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ヘプチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）オクチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ヘプチルオキシ、（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、および（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ヘプチルオキシメチルからなる群から選択される、
請求項１に記載のコポリマー。
【請求項１７】
重合の後に構造（ＩＡ）の反復単位を生成するモノマーが、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルアクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタメチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタプロピルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタイソブチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタ−第３級−ブチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘキシルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ブチルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ペンチルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ヘキシルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタキス（３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチル）ペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタキス｛５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソメチル｝）ペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタキス（第３級ブチル）ペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレートからなる群から選択されるモノマーであり；
重合の後に構造（ＩＢ）の反復単位を生成するモノマーが、
３−（１３−ヒドロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタエチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）ブチルアクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−エチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリエチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタエチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロペンチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタイソブチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−第３級ブチルジメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ジメチル−１,１,１−トリフルオロプロピルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート
からなる群から選択されるモノマーであり；
重合の後に構造（ＩＣ）の反復単位を生成するモノマーが、３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタメチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルアクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタメチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタエチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタイソブチルトリ
シクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタシクロペンチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタシクロヘキシルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタメチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］ブチルアクリレート、
３−［（７,１４−ジ（トリメチルシロキシ）−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタメチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルアクリレートからなる群から選択されるモノマーである
請求項１に記載のモノマー。
【請求項１８】
構造（III）の反復単位中のＲ12が、第３級ブチル基、１,１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１,１−ジエチルプロピル基、１,１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１,１−ジエチルブチル基、１,１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１,１−ジエチルペンチル基、１,１−ジメチルヘキシル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１,１−ジエチルヘキシル基および同種のもの、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチルおよび１,１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１,１−ジメチル−３−オキソペンチル、およびテトラヒドロピラン−２−イルからなる群から選択される酸に不安定な基であり、そして
重合の後に構造（VI）の反復単位を生成するモノマーが、無水マレイン酸、シトラコン酸無水物および２,３−ジメチル無水マレイン酸からなる群から選択されるモノマーである、請求項１に記載のコポリマー。
【請求項１９】
構造（Ｉ）、（III）および（IV）の反復単位を含み、そして保護されていないアルカリ可溶化基部分を有する反復単位を追加的に含む請求項１に記載のコポリマー。
【請求項２０】
保護されていないアルカリ可溶化基部分を有する反復単位が、フェノール基、カルボン酸およびフッ素化されたアルコールからなる群から選択されるアルカリ可溶化基単位を有する請求項１９に記載のコポリマー。
【請求項２１】
保護されていないアルカリ可溶化基部分を有する反復単位が、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン前駆体、アクリル酸、メタクリル酸および４−［２−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシ）−プロピル］スチレンからの反復単位である請求項２０に記載のコポリマー。
【請求項２２】
（ａ）請求項１〜２１に記載のいずれか１つのコポリマー；
（ｂ）光酸発生剤；
（ｃ）溶媒；および
（ｄ）場合によっては塩基
を含む感光性組成物。
【請求項２３】
場合による塩基が存在し、そしてその塩基が２−メチルイミダゾール、トリイソプロピルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、４,４’−ジアミノジフェニルエーテル、２,４,５トリフェニルイミダゾールおよび１,５−ジアゾビシクロ［４.３.０］ノネ−５−エンからなる群から選択される請求項２２に記載の感光性組成物。
【請求項２４】
ａ．アンダーコートされた好適な基板上に請求項２２に記載の感光性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を形成し；
ｂ．コートされた基板をプリベークし；
ｃ．プリベークされ、コートされた基板を化学放射線に露光し；
ｄ．コートされ、露光された基板を場合によってはポストベークし；
ｅ．コートされ、露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化されていないレリーフ画像を作成し；そして
ｆ．感光性組成物によって保護されていない領域のアンダーコートを除去する
段階を包含する、基板上にパターン化された画像をつくる方法。
【請求項２５】
ａ．好適な基板上に請求項２２に記載の感光性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を形成し；
ｂ．コートされた基板をプリベークし；
ｃ．プリベークされ、コートされた基板を化学放射線に露光し；
ｄ．コートされ、露光された基板を場合によってはポストベークし；そして
ｅ．コートされ、露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化されていないレリーフ画像を作成する
段階を包含する、基板上にパターン化された画像をつくる方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の方法によってつくられるパターン化された基板。
【請求項２７】
請求項２５に記載の方法によってつくられるパターン化された基板。
【請求項１】
構造（ＩＡ）、構造（ＩＢ）および構造（ＩＣ）
【化１】
［式中、Ｒ1は各々独立に、水素原子またはメチル基からなる群から選択され；Ｒ3は、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状および環状のアルキル基または脂環式基からなる群から選択され；ｍは約２から約１０までの整数であり；Ｒ4は各々独立にＨおよび構造（II）
【化２】
（式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は各々独立に、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状または環状のアルキル基、脂環式基およびフルオロアルキル基からなる群から選択される）からなる群から選択され；そして
Ｒ2は各々独立に
（ａ）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状または環状のアルキル、非置換のまたは置換された脂環式基；
（ｂ）炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキルまたはフッ素置換された脂環式基；および
（ｃ）(１)ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ8がＨ、Ｒ3基およびα−アルコキシアルキル基からなる群から選択され；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−ＯＲ8；
(２)ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ9がＨ、Ｒ3基および酸感受性保護基からなる群から選択され；またＲ3は炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−（Ｃ＝Ｏ）−ＯＲ9；
(３)ｎが約２から約１０までの整数であり、そしてＲ10がＨ、フルオロメチル、ジフルオロメチルおよびトリフルオロメチルからなる群から選択されまたＲ11はＨおよびＲ3アルキル基からなる群から選択される(ＣＨ2)n−Ｃ(ＣＦ3)Ｒ10−ＯＲ11；および
(４)ｎが約２から約１０までの整数であり；そしてＲ3が炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のアルキル基または脂環式基である(ＣＨ2)n−Ｏ−(Ｃ＝Ｏ)Ｒ3
からなる群から選択される極性基
からなる群から選択される］
によって表される単位からなる群から選択される１つまたはそれ以上の反復単位を含む少なくとも１つの構造（Ｉ）の第１の反復単位、および
構造（III）
【化３】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもちそしてＲ12は酸に不安定な基である）
によって表される第２の反復単位
を含むコポリマーであって、ただし構造（ＩＡ）がコポリマー中に存在しそしてＲ12がｔ−Ｂｕである時、構造（IV）もしくは構造（VI）を有する追加の反復単位、または以下に規定するような、構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なるエチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位が存在せねばならず、そして、ここで構造（IV）は以下
【化４】
［式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもち、またＲ13は以下の構造（Ｖａ〜Ｖｇ）
【化５】
からなる群から選択される］の通りであり、また構造（VI）は
【化６】
（式中、Ｒ1は上記に規定したのと同じ意味をもつ）である上記コポリマー。
【請求項２】
構造（IV）および構造（VI）：
【化７】
［式中、Ｒ1は請求項１で規定したのと同じ意味をもち、またＲ13は以下の構造（Ｖａ〜Ｖｇ）
【化８】
から選択される］
【化９】
（式中、Ｒ1は請求項１で規定したのと同じ意味をもつ）
からなる群から選択される少なくとも１つの追加の反復単位を追加的に含む請求項１に記載のコポリマー。
【請求項３】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）または（ＩＣ）によって表される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約５〜約２５モル％であり；構造（III）によって表される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約２０〜約５０モル％であり；コポリマー中に存在する時、構造（IV）によって表される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約２０〜約５０モル％であり；そしてコポリマー中に存在する時、構造（VI）によって表される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約１〜約４０モル％である請求項２に記載のコポリマー。
【請求項４】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を追加的に含む請求項１に記載のコポリマー。
【請求項５】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位が、コポリマーを構成するすべての構成単位の約２０〜５０モル％である請求項４に記載のコポリマー。
【請求項６】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を追加的に含む請求項２に記載のコポリマー。
【請求項７】
構造（Ｉ）、構成（III）および構成（VI）の反復単位を含む請求項２に記載のコポリマー。
【請求項８】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位を少なくとも１つ追加的に含む請求項７に記載のコポリマー。
【請求項９】
構造（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）とは異なる、エチレン性不飽和の重合可能なシリコン化合物から誘導される反復単位が、コポリマーを構成するすべての反復単位の約１５〜約４５モル％である請求項８に記載のコポリマー。
【請求項１０】
ポリスチレン換算重量平均分子量が約７,０００〜約３０,０００である請求項１に記載
のコポリマー。
【請求項１１】
コポリマー中のシリコンのレベルが約４〜約１５重量％である請求項１に記載のコポリマー。
【請求項１２】
コポリマー中のシリコンのレベルが約４〜約１５重量％である請求項２に記載のコポリマー。
【請求項１３】
Ｒ3が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレンおよびテトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルからなる群から選択され；
Ｒ5、Ｒ6およびＲ7がそれぞれ独立に、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシル、トリフルオロメチル、２,２,２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、３,３,３−トリフルオロプロピル、１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロイソプロピル、３,３,３,４,４,４−ヘキサフルオロブチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５−ノナフルオロペンチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６−ドデカフルオロヘキシル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７−ペンタデカフルオロヘプチルおよび３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチルからなる群から選択され；
構造（II）が、トリメチルシリル、エチルジメチルシリル、ジメチルプロピルシリル、エチルメチルプロピルシリル、ジエチルプロピルシリル、ジエチルメチルシリル、ジブチルメチルシリル、第３級−ブチルジメチルシリル、第３級−ブチルジエチルシリル、シクロヘキシルジメチルシリル、シクロペンチルジメチルシリル、オクチルジメチルシリル、シクロオクチルジメチルシリル、シクロノニルジメチルシリル、シクロデシルジメチルシリル、ノルボルニルジメチルシリル、イソボルニルジメチルシリル、アダマンチルジメチルシリル、アダマンチルメチレンジメチルシリル、２−（ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）ジメチルシリル、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレンジメチルシリル、テトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルジメチルシリル、ジメチル−３,３,３−トリフルオロプロピルシリル、ジメチル−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロイソプロピルシリル、ジメチル−３,３,３,４,４,４−ヘキサフルオロブチルシリル、ジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５−ノナフルオロペンチルシリル、ジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６−ドデカフルオロヘキシルシリル、ジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７−ペンタドデカフルオロヘプチルシリル、およびジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチルシリルからなる群から選択され；
そしてＲ2置換脂環式基の各々が、任意の空席の結合位置に於いて１つまたはそれ以上の置換基によって置換されている脂環式基部分であり、そして脂環式基部分上のこれらの置換基が、線状、分枝状または環状のアルキル基、ヒドロキシル基、構造（VII）のヒドロキシアルキル基および構造（VIII）のエステル基
【化１０】
（式中、Ｒ14は水素、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状または環状のアルキル基および脂環式基からなる群から選択され、そしてｏは約１から１０までの整数であり；Ｒ15は水素、炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状または環状のアルキル基および脂環式基、ならびに酸に不安定な基からなる群から選択される）
からなる群から選択される、
請求項１に記載のコポリマー。
【請求項１４】
Ｒ14が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレンおよびテトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルからなる群から選択され；そして
Ｒ15が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第２級ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、オクチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ノルボルニル、イソボルニル、アダマンチル、アダマンチルメチレン、トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレン、テトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルからなる群から選択され；そしてＲ15中の酸に不安定な保護基が、第３級ブチル基、１,１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１,１−ジエチルプロピル基、１,１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１,１−ジエチルブチル基、１,１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１,１−ジエチルペンチル基、１,１−ジメチルヘキシル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１,１−ジエチルヘキシル基、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、２−イソプロピル−２−アダマンチル、１,１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１,１−ジメチル−３−オキソペンチル、およびテトラヒドロピラン−２−イルからなる群から選択される、
請求項１３に記載のコポリマー。
【請求項１５】
構造（VII）が５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロパン−２−オール、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ブチル−２−オール、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソメチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソエチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソプロピル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソ−ｎ−ブチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソ−第３級ブチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロヘキシル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソオクチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロオクチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロノニル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソシクロデシル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソノルボルニル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソイソボルニル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソアダマンチル、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソアダマンチルメチレン、５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソトリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレン、ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソおよびテトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルからなる群から選択され；そして
構造（VIII）が、５−（メトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（エトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（プロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（ｎ−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（第２級−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（第３級−ブトキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（オクチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロオクチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロノニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（シクロデシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（ノルボルニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（イソボルニルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（アダマンチルメチレンオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（トリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレンオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（テトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−エチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジエチルプロピルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−エチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジエチルブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−エチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジエチルペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−エチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジエチルヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−シクロヘキシルオキシオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−エチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−プロピル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−ブチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−プロピル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−ブチル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（２−イソプロピル−２−アダマンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−エチル−１−メチル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（１,１−ジメチル−３−オキソペンチルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル）、５−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシカルボニル−２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル
）からなる群から選択される、
請求項１３に記載のコポリマー。
【請求項１６】
Ｒ2が極性基(ＣＨ2)n−Ｏ−(Ｃ＝Ｏ)Ｒ3であるとき、極性基がアセチルオキシエチル、アセチルオキシプロピル、アセチルオキシブチル、アセチルオキシペンチル、アセチルオキシヘキシル、アセチルオキシヘプチル、アセチルオキシオクチル、エチルカルボニルオキシエチル、エチルカルボニルオキシプロピル、エチルカルボニルオキシブチル、およびプロピルカルボニルオキシエチルからなる群から選択され；
Ｒ2が炭素原子１〜２０個を有する線状、分枝状もしくは環状のフルオロアルキル基またはフルオロ置換脂環式基であるとき、Ｒ2がトリフルオロメチル、ジフルオロメチル、２,２,２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、３,３,３−トリフルオロプロピル、１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロイソプロピル、３,３,３,４,４,４−ヘキサフルオロブチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５−ノナフルオロペンチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６−ドデカフルオロヘキシル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７−ペンタデカフルオロヘプチル、３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチル、１,２,２,３,３,４,４,５−オクタフルオロシクロペンチルおよび２−（オクタフルオロ−１−トリフルオロメチルシクロペンチル）エチルからなる群から選択され；
Ｒ2が極性基(ＣＨ2)n−ＯＲ8であるとき、極性基がエチル−１−オキソメチル、エチル−１−オキソエチル、エチル−１−オキソプロピル、エチル−１−オキソイソプロピル、エチル−１−オキソ−ｎ−ブチル、エチル−１−オキソ−第２級−ブチル、エチル−１−オキソ−第３級−ブチル、エチル−１−オキソ−シクロヘキシル、エチル−１−オキソ−シクロペンチル、エチル−１−オキソシクロヘプチル、エチル−１−オキソオクチル、エチル−１−オキソシクロオクチル、エチル−１−オキソシクロノニル、エチル−１−オキソシクロデシル、エチル−１−オキソノルボルニル、エチル−１−オキソイソボルニル、エチル−１−オキソアダマンチル、エチル−１−オキソアダマンチルメチレン、エチル−１−オキソトリシクロ［５,２,１,０2,6］デカンメチレン、エチル−１−オキソテトラシクロ［４,４,０,１2,5,１7,10］ドデシル、プロピル−１−オキソメチル、プロピル−１−オキソエチル、ブチル−１−オキソメチル、ペンチル−１−オキソメチル、ヘキシル−１−オキソメチル、ヘプチル−１−オキソメチル、オクチル−１−オキソメチル、ノナニル−１−オキソメチル、デシル−１−オキソメチル、エチル−１−オキソ−α−メトキシメチル、およびエチル−１−オキソ−α−メトキシエチルからなる群から選択され；
Ｒ2が極性基(ＣＨ2)n−(Ｃ＝Ｏ)−ＯＲ9であるとき、極性基が第３級ブチルオキシカルボニルエチル、第３級ブチルオキシカルボニルプロピル、第３級ブチルオキシカルボニルブチル、第３級ブチルオキシカルボニルペンチル、第３級ブチルオキシカルボニルヘキシル、第３級ブチルオキシカルボニルヘプチル、第３級ブチルオキシカルボニルオクチル、１,１−ジメチルプロピルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルプロピルオキシカルボニルエチル、１,１−ジエチルプロピルオキシカルボニルエチル、１,１−ジメチルブチルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルブチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジエチルブチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジメチルペンチルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルペンチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジエチルペンチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジメチルヘキシルオキシカルボニルエチル、１−メチル−１−エチルヘキシルオキシカルボニルエチル、１,１−ジエチルヘキシルオキシカルボニルエチルおよび同種のもの、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−エチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−プロピル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、１−ブチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−プロピル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、２−ブチル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチルオキシカルボニルエチルおよび１,１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチルオキシカルボニルエチル、１,１−ジメチル−３−オキソペンチルオキシカルボニルエチル、およびテトラヒドロピラン−２−イルオキシカルボニルエチルからなる群から選択され；そして
Ｒ2が極性基(ＣＨ2)n−Ｃ(ＣＦ3)Ｒ10−ＯＲ11であるとき、極性基が、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシ、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシエチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシプロピル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ブチルオキシブチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）ヘプチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−フルオロメチル）オクチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−ジフルオロメチル）ヘプチルオキシ、（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ブチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ペンチルオキシメチル、（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ヘキシルオキシメチル、および（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）ヘプチルオキシメチルからなる群から選択される、
請求項１に記載のコポリマー。
【請求項１７】
重合の後に構造（ＩＡ）の反復単位を生成するモノマーが、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルアクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタメチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタプロピルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタイソブチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタ−第３級−ブチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘキシルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ブチルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ペンチルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタエチルペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）ヘキシルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタキス（３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチル）ペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタキス｛５−ビシクロ［２.２.１］ヘプチル−２−（１,１,１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル）プロピル−２−オキソメチル｝）ペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレート、３−（３,５,７,９,１１,１３,１５−ヘプタキス（第３級ブチル）ペンタシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15.１7,13］オクタ−シロキサン−１−イル）プロピルメタクリレートからなる群から選択されるモノマーであり；
重合の後に構造（ＩＢ）の反復単位を生成するモノマーが、
３−（１３−ヒドロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタエチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）ブチルアクリレート、
３−（１３−ヒドロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−エチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリエチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルアクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタメチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタエチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロペンチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタイソブチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−トリメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−第３級ブチルジメチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ジメチル−１,１,１−トリフルオロプロピルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート、
３−（１３−ジメチル−３,３,３,４,４,４,５,５,５,６,６,６,７,７,７,８,８,８−オクタデカフルオロオクチルシロキシ−１,３,５,９,１１,１３,１５−ヘプタシクロヘプチル−７−メチルテトラシクロ［９.５.１.１3,9.１5,15］オクタ−シロキサン−７−イル）プロピルメタクリレート
からなる群から選択されるモノマーであり；
重合の後に構造（ＩＣ）の反復単位を生成するモノマーが、３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタメチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルアクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタメチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタエチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタイソブチルトリ
シクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタシクロペンチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタシクロヘキシルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルメタクリレート、
３−［（７,１４−ジヒドロキシ−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタメチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］ブチルアクリレート、
３−［（７,１４−ジ（トリメチルシロキシ）−１,３,５,７,９,１１,１４−ヘプタメチルトリシクロ［７.３.３.１5,11］ヘプタシロキサン−３−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピルアクリレートからなる群から選択されるモノマーである
請求項１に記載のモノマー。
【請求項１８】
構造（III）の反復単位中のＲ12が、第３級ブチル基、１,１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１,１−ジエチルプロピル基、１,１−ジメチルブチル基、１−メチル−１−エチルブチル基、１,１−ジエチルブチル基、１,１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１,１−ジエチルペンチル基、１,１−ジメチルヘキシル基、１−メチル−１−エチルヘキシル基、１,１−ジエチルヘキシル基および同種のもの、１−メチル−１−シクロペンチル、１−エチル−１−シクロペンチル、１−プロピル−１−シクロペンチル、１−ブチル−１−シクロペンチル、１−メチル−１−シクロヘキシル、１−エチル−１−シクロヘキシル、１−プロピル−１−シクロヘキシル、１−ブチル−１−シクロヘキシル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、２−プロピル−２−アダマンチル、２−ブチル−２−アダマンチル、および２−イソプロピル−２−アダマンチルおよび１,１−ジメチル−３−オキソブチル、１−エチル−１−メチル−３−オキソブチル、１−メチル−１−シクロヘキシル−３−オキソブチル、１,１−ジメチル−３−オキソペンチル、およびテトラヒドロピラン−２−イルからなる群から選択される酸に不安定な基であり、そして
重合の後に構造（VI）の反復単位を生成するモノマーが、無水マレイン酸、シトラコン酸無水物および２,３−ジメチル無水マレイン酸からなる群から選択されるモノマーである、請求項１に記載のコポリマー。
【請求項１９】
構造（Ｉ）、（III）および（IV）の反復単位を含み、そして保護されていないアルカリ可溶化基部分を有する反復単位を追加的に含む請求項１に記載のコポリマー。
【請求項２０】
保護されていないアルカリ可溶化基部分を有する反復単位が、フェノール基、カルボン酸およびフッ素化されたアルコールからなる群から選択されるアルカリ可溶化基単位を有する請求項１９に記載のコポリマー。
【請求項２１】
保護されていないアルカリ可溶化基部分を有する反復単位が、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン前駆体、アクリル酸、メタクリル酸および４−［２−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシ）−プロピル］スチレンからの反復単位である請求項２０に記載のコポリマー。
【請求項２２】
（ａ）請求項１〜２１に記載のいずれか１つのコポリマー；
（ｂ）光酸発生剤；
（ｃ）溶媒；および
（ｄ）場合によっては塩基
を含む感光性組成物。
【請求項２３】
場合による塩基が存在し、そしてその塩基が２−メチルイミダゾール、トリイソプロピルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、４,４’−ジアミノジフェニルエーテル、２,４,５トリフェニルイミダゾールおよび１,５−ジアゾビシクロ［４.３.０］ノネ−５−エンからなる群から選択される請求項２２に記載の感光性組成物。
【請求項２４】
ａ．アンダーコートされた好適な基板上に請求項２２に記載の感光性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を形成し；
ｂ．コートされた基板をプリベークし；
ｃ．プリベークされ、コートされた基板を化学放射線に露光し；
ｄ．コートされ、露光された基板を場合によってはポストベークし；
ｅ．コートされ、露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化されていないレリーフ画像を作成し；そして
ｆ．感光性組成物によって保護されていない領域のアンダーコートを除去する
段階を包含する、基板上にパターン化された画像をつくる方法。
【請求項２５】
ａ．好適な基板上に請求項２２に記載の感光性組成物をコーティングすることによりコートされた基板を形成し；
ｂ．コートされた基板をプリベークし；
ｃ．プリベークされ、コートされた基板を化学放射線に露光し；
ｄ．コートされ、露光された基板を場合によってはポストベークし；そして
ｅ．コートされ、露光された基板を現像液によって現像することにより、コートされた基板上に硬化されていないレリーフ画像を作成する
段階を包含する、基板上にパターン化された画像をつくる方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の方法によってつくられるパターン化された基板。
【請求項２７】
請求項２５に記載の方法によってつくられるパターン化された基板。
【公表番号】特表２００６−５０４８２７（Ｐ２００６−５０４８２７Ａ）
【公表日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−５４８６２４（Ｐ２００４−５４８６２４）
【出願日】平成１５年１０月３１日（２００３．１０．３１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００３／０３４８３２
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０４０３７１
【国際公開日】平成１６年５月１３日（２００４．５．１３）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
テフロン
【出願人】（３０５０３７０８６）フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド (29)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１５年１０月３１日（２００３．１０．３１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００３／０３４８３２
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０４０３７１
【国際公開日】平成１６年５月１３日（２００４．５．１３）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
テフロン
【出願人】（３０５０３７０８６）フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド (29)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]