有機発光装置及びその製造方法
【課題】工程安定性を提供しつつも、優秀な電気的特性を有する有機発光装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板；基板上に形成され、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及びゲート電極をソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタ；薄膜トランジスタ上に形成された第１絶縁層；第１絶縁層上に形成され、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソード；カソード上に形成され、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層；第１層上に形成された有機層；有機層上に形成されたアノード；を含む、有機発光装置、及びその製造方法である。
【解決手段】基板；基板上に形成され、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及びゲート電極をソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタ；薄膜トランジスタ上に形成された第１絶縁層；第１絶縁層上に形成され、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソード；カソード上に形成され、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層；第１層上に形成された有機層；有機層上に形成されたアノード；を含む、有機発光装置、及びその製造方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光装置は、自発光型装置であり、視野角が広く、かつコントラストにすぐれるだけではなく、応答時間が速く、輝度、駆動電圧及び応答速度特性にすぐれ、また多色化が可能であるという長所を有している。
【０００３】
一般的な有機発光装置は、アノード及びカソードと、アノード及びカソード間に介在された有機層とを含むことができる。有機層は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを含むことができる。また、有機発光装置は、駆動トランジスタまたはスイッチング・トランジスタなどを含むことができる。
【０００４】
前述のような構造を有する有機発光装置の駆動原理は、次の通りである。
【０００５】
アノード及びカソード間に電圧を印加すれば、アノードから注入された正孔は、正孔輸送層を経由して発光層に移動して、カソードから注入された電子は、電子輸送層を経由して発光層に移動する。正孔及び電子のようなキャリアは、発光層領域で再結合して励起子を生成するが、該励起子が励起状態から基底状態に変わりつつ、光が生成される。
【０００６】
一方、大面積有機発光装置を提供するために、有機層を湿式工程を利用して形成しようとする研究が最近進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第２００９−００２１４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、工程安定性を提供しつつも、優秀な電気的特性を有する有機発光装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明において、基板；前記基板上に形成され、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタ；前記薄膜トランジスタ上に形成された第１絶縁層；前記第１絶縁層上に形成され、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソード；前記カソード上に形成され、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層；前記第１層上に形成された有機層；前記有機層上に形成されたアノード；を含む有機発光装置が提供される。
【００１０】
前記酸化物半導体層は、亜鉛含有酸化物を含むことができる。
【００１１】
前記亜鉛含有酸化物は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。
【００１２】
前記カソードは、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ａｇ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含むことができる。
【００１３】
前記第１物質は、２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数を有することができる。
【００１４】
前記第１物質は、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択されうる。
【００１５】
前記第１層は、電子注入物質をさらに含むことができる。
【００１６】
前記第１層の厚みは、３ｎｍないし３０ｎｍでありうる。
【００１７】
前記第１層と前記カソードとの間には電子注入層が介在されうる。
【００１８】
一方、本発明においてまた、基板上に、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタ上に第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層上に薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードを形成する段階と、蒸着法またはスパッタリング法を用いて、前記カソード上に、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層を形成する段階と、前記第１層上に有機層を形成する段階と、前記有機層上にアノードを形成する段階と、を含む有機発光装置の製造方法が提供される。
【００１９】
前記酸化物半導体層は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。
【００２０】
前記第１物質は、２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数を有することができる。
【００２１】
前記第１物質は、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択されうる。
【００２２】
前記第１層の形成段階を、第１物質形成用物質と共に電子注入物質を、蒸着またはスパッタリングすることによって行うことができる。
【００２３】
前記第１層の形成段階前に、前記カソード上に電子注入層を形成する段階を行うことができる。
【００２４】
前記有機層の形成段階を、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェット・プリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビア・コーティング、バー・コーティング、ロール・コーティング、ワイヤバー・コーティング、スクリーン・コーティング、フレキソ・コーティングまたはオフセット・コーティングを用いて行うことができる。
【００２５】
前記有機層の形成段階は、発光層が形成される領域(例えば、第1層、電子輸送層または正孔阻止層の上部)に、発光物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。
【００２６】
前記有機層の形成段階は、正孔注入層が形成される領域(例えば、発光層または正孔輸送層の上部)に正孔注入物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。
【００２７】
前記有機層の形成段階は、正孔輸送層(例えば、発光層の上部)が形成される領域に、正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、優秀な電気的特性を有しつつも、大面積に製造でき、かつ工程安定性にすぐれる有機発光装置、及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】一実施形態による有機発光装置の構造を簡略的に図示した断面図である。
【図２】他の実施形態による有機発光装置の構造を簡略的に図示した断面図である。
【図３】装置１の電圧・電流密度特性を２回評価した結果として得たグラフをそれぞれ図示した図面である。
【図４】装置１及び装置２の電圧・輝度特性を示したグラフをそれぞれ図示した図面であるである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明を実施形態を挙げて詳細に説明する。
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光装置Ｐの断面を概略的に図示した断面図である。
【００３２】
上記有機発光装置Ｐは、基板１０１上に形成され、ソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂ、酸化物半導体層１０７、ゲート電極１０３、及び上記ゲート電極１０３を上記ソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂと絶縁させるゲート絶縁層１０５を含む薄膜トランジスタを含む。上記薄膜トランジスタ上には、第１絶縁層１１０が形成されている。また、上記第１絶縁層１１０上に形成され、上記薄膜トランジスタのドレイン電極１０９ｂと連結されたカソード１２１が形成されており、画素定義膜１２３によって、画素領域が定義されている。上記カソード１２１の上部には、第１層１２５、有機層１２７及びアノード１２９が順に積層されている。
【００３３】
上記基板１０１としては、一般的な有機発光装置で使われる基板を使用できるが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれるガラス基板または透明プラスチック基板を使用できる。
【００３４】
ゲート電極１０３は、一般的な電極物質（例えば、金属など）から形成されうる。例えば、上記ゲート電極１０３は、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｓｎ）、それらのうち２以上の組み合わせ（合金、単純混合物などを含む）、それらのうち１以上の元素を含む酸化物（例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）など）であるが、これらに限定されるものではない。
【００３５】
ゲート絶縁層１０５は、ゲート電極１０３を覆い包み、ゲート電極１０３をソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂと絶縁させることができる。上記ゲート絶縁層１０５は、シリコン酸化物層やシリコン窒化物層を用いることができるが、それ以外の他の物質層、例えば、シリコン窒化物層より誘電定数の大きい高誘電物質層であってもよい。ゲート絶縁層１０５はまた、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層及び高誘電物質層のうち少なくとも２層以上が積層された構造を有することもできる。
【００３６】
上記酸化物半導体層１０７において、酸化物半導体は、バンドギャップが可視光領域の光エネルギーより大きく、可視光を実質的に吸収しないものでありうる。従って、上記酸化物半導体層１０７を具備した薄膜トランジスタは、可視光吸収による漏れ電流増加が実質的に起こらない。
【００３７】
上記酸化物半導体層１０７は、亜鉛含有酸化物を含むことができる。例えば、上記酸化物半導体層１０７は、ＺｎＯを含むことができる。
【００３８】
上記亜鉛含有酸化物は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。
【００３９】
例えば、上記酸化物半導体層１０７は、Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系物質、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏ系物質、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系物質、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系物質、またはＨｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系物質であるが、これらに限定されるものではない。
【００４０】
ゲート絶縁層１０５上に、酸化物半導体層１０７の両端にそれぞれ接触するソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂが備わっている。上記ソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂは、単一金属層または多重金属層でありうる。ソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂの形成用物質は、上記ゲート電極１０３形成用物質を使用することができる。
【００４１】
前述のような薄膜トランジスタの製造方法は、公知の多様な方法を参照できる。
【００４２】
図１において第１絶縁層１１０は、前述のような薄膜トランジスタを覆うように形成されうる。上記第１絶縁層１１０は、保護膜及び／または平坦化膜の役割を行うこともできる。上記第１絶縁層１１０は、シリコン酸化物層やシリコン窒化物層を用いることができるが、それ以外の他の物質層、例えば、シリコン窒化物層より誘電定数の大きい高誘電物質層であってもよい。第１絶縁層１１０は、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層及び高誘電物質層のうち少なくとも２層以上が積層された構造を有することもできる。上記第１絶縁層１１０は、コーティング法、蒸着法、スパッタリング法のような公知の多様な方法を利用して形成されうる。
【００４３】
上記第１絶縁層１１０上には、カソード１２１が備わっている。上記カソード１２１は、ビアホールを介して、ドレイン電極１０９ｂと電気的に連結されている。上記カソード１２１は、第１層１２５を経由して、有機層１２７に電子を注入する電極である。
【００４４】
上記カソード１２１は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムのようなアルカリ金属；ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムのようなアルカリ土類金属；アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムのような金属；それらのうち２以上の合金；それらのうち１以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、スズのうち１以上との合金；またはそれらのうち２以上の組み合わせを含むことができる。上記組み合わせは、前述のような元素のうち２以上を含む合金、前述のような元素をそれぞれ含む多層構造体などを含む。合金としては、例えば、マグネシウム・銀合金、マグネシウム・インジウム合金、マグネシウム・アルミニウム合金、インジウム・銀合金、リチウム・アルミニウム合金、リチウム・マグネシウム合金、リチウム・インジウム合金、カルシウム・アルミニウム合金などを挙げることができる。例えば、上記カソード１２１は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ａｇ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含むことができるが、これらに限定されるものではない。または、上記カソード１２１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ）、亜鉛酸化物のような、前述金属及びそれらのうち２以上の合金の酸化物などから形成されもする。上記カソード１２１は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。
【００４５】
上記カソード１２１の両端には、画素領域を定義する画素定義膜１２３が形成されている。上記画素定義膜１２３は、一般的な有機絶縁物などから形成されうる。
【００４６】
上記カソード１２１上には、第１層１２５が備わっている。
【００４７】
上記第１層１２５は、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含むことができる。
【００４８】
上記第１物質は、２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数、より好ましくは、２．６ｅＶないし４．２ｅＶの範囲の仕事関数を有することができる。この範囲を満足する場合、カソード１２１からの電子注入が効果的になされ、高効率及び高輝度の有機発光装置を提供できる。
【００４９】
上記第１物質は、例えば、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択されうる。上記「２以上の組み合わせ」は、例えば、互いに異なる金属を２以上含む物質（例えば、Ｂａ−Ｃｓ−Ｏ系物質）でもあり、Ｏ、Ｓ及びＮのうち２以上を含む物質（例えば、Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系物質）でもありうる。
【００５０】
上記第１物質は、第１層１２５の仕事関数の調節のために、後述するように多様に変形されうる。
【００５１】
例えば、上記第１物質は、ＺｎＳを含むことができる。
【００５２】
または、上記第１物質は、Ｓｃ２Ｏ３、ＣｓＯ、ＢａＯ及びＲｂＯからなる群から選択されうる。
【００５３】
または、上記第１物質は、Ｙ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｙ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｙ窒化物、Ｙｂ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｔｉ窒化物、及びＭｎ窒化物からなる群から選択されうる。
【００５４】
または、上記第１物質は、ＺｎＳ及びＳｃ２Ｏ３のうち一つ以上；Ｍｇ硫化物、Ｙ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｍｇ酸化物、Ｙ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｍｇ窒化物、Ｙ窒化物及びＹｂ窒化物からなる群から選択された一つ以上；を同時に含むことができる。
【００５５】
または、上記第１物質は、ＺｎＳ及びＳｃ２Ｏ３のうち一つ以上；Ｍｇ、Ｙ及びＹｂからなる群から選択された一つ以上；を同時に含むことができる。
【００５６】
または、上記第１物質は、Ｔｉ硫化物、Ｔｉ酸化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ硫化物、Ｍｎ酸化物及びＭｎ窒化物のうち一つ以上；Ｙ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｋ硫化物、Ｙ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｋ酸化物、Ｙ窒化物、Ｙｂ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｂａ窒化物及びＫ窒化物のうち一つ以上；を同時に含むことができるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
上記第１層１２５は、前述のような第１物質以外に、電子注入物質をさらに含むことができる。上記電子注入物質は、有機発光素子の電子注入層の形成用物質として公知の任意の物質のうち選択されうる。
【００５８】
例えば、上記電子注入物質は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ及びＢａＦ２からなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。上記電子注入物質は、より好ましくは、ＬｉＦであるが、これに限定されるものではない。
【００５９】
例えば、上記第１層１２５は、第１物質以外に、電子注入物質をさらに含むが、上記第１物質は、ＺｎＳであり、上記電子注入物質は、ＬｉＦでありうる。
【００６０】
上記第１層１２５が電子注入物質をさらに含む場合、上記第１物質と上記電子注入物質との重量比は、使用した第１物質の種類、使用した電子注入物質の種類によって異なるが、例えば、１０：１ないし１：１０、より好ましくは４：１ないし１：４でありうる。
【００６１】
上記第１層１２５の厚みは、約３ｎｍないし約３０ｎｍ、より好ましくは、約５ｎｍないし約２０ｎｍでありうる。上記第１層１２５の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子注入性能を得ることができる。
【００６２】
上記第１層１２５は、蒸着法（例えば、熱蒸着）またはスパッタリング法を利用して形成されうる。
【００６３】
例えば、第１物質形成用物質を蒸着（例えば、熱蒸着）またはスパッタリングすることによって、上記第１層１２５を形成できる。
【００６４】
ここで、「第１物質形成用物質」は、前述のような第１物質自体または前述のような第１物質に含まれた元素を含む物質であり、蒸着またはスパッタリングのソースとして使われうる物質を指すものである。例えば、第１物質として、ＺｎＳを含む第１層をスパッタリング法を利用して形成する場合、上記第１物質形成用物質は、ＺｎＳターゲットであり、またはＺｎターゲットとＳターゲットとであり、これは、当業者に容易に認識可能なことである。
【００６５】
また、上記第１層１２５が、第１物質以外に電子注入物質をさらに含む場合、前述のような第１物質形成用物質と共に、電子注入物質を蒸着またはスパッタリングすることによって、第１層１２５を形成できる。
【００６６】
例えば、ＺｎＳとＬｉＦとを共蒸着させることにより、第１層１２５を形成できる。
【００６７】
上記第１層１２５上には、有機層１２７が形成されうる。上記有機層１２７は、有機発光素子分野で公知の構造、物質、層厚などを有する正孔阻止層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層のうち１層以上の層を含むことができる。上記有機層１２７に含まれる物質は、有機物だけを意味するものではなく、金属錯体（例えば、発光ドーパントとして、イリジウム錯体など）も含むことができる。
【００６８】
例えば、上記有機層１２７は、高分子を含むことができる。例えば、上記有機層１２７は、第１層１２５上に、順に電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層からなる群から選択された１層以上の層をさらに含むことができる。
【００６９】
上記電子輸送層は、真空蒸着法などによって形成されたり、電子輸送物質及び溶媒を含む混合物を、電子輸送層形成領域に提供した後、これを熱処理する湿式工程によって形成されうる。上記電子輸送物質及び溶媒を含む混合物を、電子輸送層形成領域に提供する方法としては、スピンコーティング法、キャスト法、インクジェット・プリンティング法、ＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法のような多様な方法を利用できる。
【００７０】
真空蒸着法によって電子輸送層を形成する場合、その蒸着条件は、電子輸送層の材料として使用する化合物、目的とする電子輸送層の構造及び熱的特性などよって異なるが、例えば、蒸着温度１００ないし５００℃、真空度１０−８ないし１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１ないし１００Å／ｓｅｃ範囲で適切に選択できる。
【００７１】
スピンコーティング法を利用して電子輸送層を形成する場合、そのコーティング条件は、電子輸送層の材料として使用する化合物、目的とする電子輸送層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２，０００ｒｐｍないし５，０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃ないし３００℃の温度範囲で適切に選択できる。
【００７２】
上記電子輸送層の材料としては、公知の電子輸送材料を使用できるが、例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（ｐ−フェニルフェノラート）−アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベリリウムビス（ベンゾキノリン−１０−オレート）（Ｂｅｂｑ２）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）のような公知の材料を使用できる。
【００７３】
【化１】
【００７４】
上記電子輸送層の厚みは、約１００Åないし１，０００Å、例えば、２００Åないし５００Åでありうる。上記電子輸送層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子輸送特性を得ることができる。
【００７５】
上記正孔阻止層の形成方法は、前述の電子輸送層の形成方法を参照する。上記正孔阻止層の材料としては、公知の正孔阻止材料、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、１，２，４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００７６】
【化２】
【００７７】
上記正孔阻止層の厚みは、約５０Åないし１，０００Å、より好ましくは、１００Åないし３００Åでありうる。上記正孔阻止層の厚みがこの範囲を満足する場合、満足すべき正孔阻止特性を得ることができる。
【００７８】
上記発光層は、公知の発光物質を含むことができる。前記公知の発光物質は、ホストとドーパントとの組み合わせを含むことができる。 前記発光層が形成される領域は、例えば、前記第1層125、電子輸送層または正孔阻止層の上部であり得るが、これに限定されるものではない。公知のホストの例としては、Ａｌｑ３、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、（４，４−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン）（ＴＣＴＡ）、ＴＰＢＩ、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、Ｅ３、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、これらに限定されるものではない。
【００７９】
【化３】
【００８０】
一方、公知の赤色ドーパントとして、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
【化４】
【００８２】
また、公知の緑色ドーパントとして、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【００８３】
【化５】
【００８４】
一方、公知の青色ドーパントとして、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン、４，４’−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【００８５】
【化６】
【００８６】
上記発光層が、ホスト及びドーパントを含む場合、ドーパントの含有量は、一般的に、ホスト約１００重量部を基準として、約０．０１ないし約１５重量部の範囲で選択され、これらに限定されるものではない。
【００８７】
上記発光層の厚みは、約１００Åないし約１，０００Å、より好ましくは、約２００Åないし約６００Åでありうる。上記発光層の厚みがこの範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を示すことができる。
【００８８】
上記正孔輸送層の材料としては、公知の任意の正孔輸送物質を使用できるが、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）などを使用できる。
【００８９】
上記正孔輸送層の厚みは、約５０Åないし１，０００Å、より好ましくは１００Åないし６００Åでありうる。上記正孔輸送層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔輸送特性を得ることができる。上記正孔輸送層は、１層以上の構造を有することができる。
【００９０】
上記正孔注入層の材料としては、公知の任意の正孔注入物質を使用できるが、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（２Ｔ−ＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）またはポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【００９１】
【化７】
【００９２】
上記正孔注入層の厚みは、約１００Åないし１０，０００Å、より好ましくは、１００Åないし１，０００Åでありうる。上記正孔注入層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔注入特性を得ることができる。
【００９３】
上記有機層１２７は、公知の多様な方法を利用して形成されうる。例えば、上記有機層１２７は、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。または、上記有機層１２７は、前述したような有機層形成用物質(低分子または高分子であり得る)及び溶媒を含む混合物を用いた湿式工程を利用して形成されもする。
【００９４】
例えば、上記有機層１２７が発光層を含み、上記発光層が上記第１層１２５の上部に形成される場合、任意の発光物質(低分子または高分子であり得る)及び溶媒を含む混合物を、上記第１層１２５の上部に提供した後、これを熱処理することにより、発光物質を含む発光層を形成できる。ここで、上記発光物質及び溶媒を含む混合物を、上記第１層１２５の上部に提供する方法としては、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェット・プリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビア・コーティング、バー・コーティング、ロール・コーティング、ワイヤバー・コーティング、スクリーン・コーティング、フレキソ・コーティングまたはオフセット・コーティングを利用できるが、これらに限定されるものではない。このとき、上記第１層１２５は、上記第１物質（選択的に、電子注入物質をさらに含むことができる）を含み、かつ／または前述のように、蒸着（例えば、熱蒸着）またはスパッタリング法を利用して形成されうるので、発光層形成のために、上記発光物質及び溶媒を含む混合物を、上記第１層１２５の上部に提供しても、第１層１２５が上記溶媒によって実質的に損傷されない。従って、上記第１層１２５と発光層との界面には、上記第１層１２５に含まれた物質（すなわち、前述のような第１物質、及び選択的には電子注入物質）と、発光物質とが共存するインターミキシング領域が実質的に存在せず、第１層１２５にすぐれた表面特性を維持でき、優秀な電気的特性を確保しつつも、大面積製造の容易性と工程安定性とが確保された有機発光装置を効果的に製造できる。一方、上記有機層127は、正孔注入層及び/または正孔輸送層を含みうるが、上記正孔注入層及び/または正孔輸送層は、正孔注入物質または正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物をそれぞれ準備して、それを正孔注入層が形成される領域(例えば、正孔輸送層の上部)及び正孔輸送層が形成される領域(例えば、発光層または正孔輸送層の上部)にそれぞれ提供した後、熱処理することで形成することができる。
【００９５】
上記有機層１２７の上部には、アノード１２９が備わっている。上記アノード１２９は、正孔を有機層１２７に注入する電極である。
【００９６】
上記アノード１２９は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ及びそれらの複合体であるＩＴＯ、ＩＺＯのような酸化物、または金、白金、銀、銅などを利用できるが、これらに限定されるものではない。例えば、上記アノード１２９としてＩＴＯを使用する場合、その厚みは、１，０００ないし２，０００Åでありうる。または、上記アノード１２９としてＡｇを使用する場合、その厚みは、１５０ないし２５０Åでありうる。
【００９７】
上記アノード１２９は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうるが、これらに限定されるものではない。
【００９８】
図２は、本発明の他の実施形態による有機発光装置Ｐを概略的に図示した断面図である。図２の有機発光装置Ｐは、第１層１２５とカソード１２１との間に、電子注入層１２４が介在されているという点を除いては、上記図１に図示された有機発光装置と同じ構造を有しており、これについては、図１に係わる説明を参照する。
【００９９】
上記電子注入層１２４は、第１層１２５とカソード１２１との間に介在され、カソード１２１から第１層１２５への電子が効果的に注入されるようにする。
【０１００】
上記電子注入層１２４は、任意の電子注入物質を含むことができる。例えば、上記電子注入層１２４は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ及びＢａＦ２からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これらに限定されるものではない。上記電子注入層１２４は、より好ましくは、ＬｉＦを含むことができる。
【０１０１】
上記電子注入層１２４は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。
【０１０２】
上記電子注入層１２４の厚みは、０．１ｎｍないし１０ｎｍ、より好ましくは、０．５ｎｍないし５ｎｍでありうる。上記電子注入層１２４の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子注入性能を得ることができる。
【実施例】
【０１０３】
一方、Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったｎ型基板上に、Ａｌ層（カソード、７００Å）／ＬｉＦ層（電子注入層、１０Å）／ＺｎＳ層（第１層、２５０Å）／（ＡＤＮ＋ＤＰＶＢｉ）層（発光層、３００Å、ドーパントであるＤＰＶＢｉのドーピング濃度は、４重量％である）／ＮＰＢ層（正孔輸送層、１５０Å）／ＭＴＤＡＴＡ層（正孔注入層、７００Å）／ＩＴＯ層（アノード、１，０００ないし２，０００Å）が順に積層されている有機発光装置（以下、「装置１」とする）を製造し、上記装置１の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を、ＰＲ６５０輝度計（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ）Ｓｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ．（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ）とＫｅｉｔｈｅｌｙ ２３６（ＩＶＬ（電流、電圧、輝度）測定時に利用）とを利用して評価した。ここで、上記第１層は、熱蒸着法を利用して形成した。図３は、装置１の電流密度特性を２回測定した結果として収得したグラフをそれぞれ図示した図面である。また、図４に、電圧・輝度特性を示す。
【０１０４】
一方、上記装置１の駆動電圧別の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を表１に示す。
【０１０５】
【表１】
【０１０６】
図３及び表１から、上記装置１は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。
【０１０７】
一方、第１層として２５０ÅのＺｎＳ層を形成する代わりに、ＺｎＳとＬｉＦとを共蒸着（ＺｎＳとＬｉＦとの重量比は１：１である）し、ＺｎＳ及びＬｉＦを含む第１層（２５０Å）を形成した点を除いては、上記装置１と同じ構成を有する有機発光装置（以下、「装置２」とする）を製造した。また、図４に、電圧・輝度特性を示す。
【０１０８】
上記装置２の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を表２に示す。
【０１０９】
【表２】
【０１１０】
上記表２から、上記装置２は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。
【０１１１】
また、Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったｎ型基板上に、Ａｌ層（カソード、１，５００Å）／ＬｉＦ層（電子注入層、１０Å）／ＺｎＳ層（第１層、２５０Å）／Ｂｅｂｑ２層（電子輸送層、２５０Å）／（ＡＤＮ＋ＤＰＶＢｉ）層（発光層、３００Å、ドーパントであるＤＰＶＢｉのドーピング濃度は、４重量％である）／ＮＰＢ層（正孔輸送層、１５０Å）／ＭＴＤＡＴＡ層（正孔注入層、７００Å）／ＩＴＯ層（アノード、１，０００ないし２，０００Å）が順に積層されている有機発光装置（以下、「装置３」とする）；Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったｎ型基板上に、Ａｌ層（カソード、１，５００Å）／ＬｉＦ層（電子注入層、１０Å）／ＺｎＳ層（第１層、２５０Å）／Ｂｅｂｑ２層（電子輸送層、２５０Å）／（ＡＤＮ＋ＤＰＶＢｉ）層（発光層、３００Å、ドーパントであるＤＰＶＢｉのドーピング濃度は、４重量％である）／ＮＰＢ層（第１正孔輸送層、５０Å）／ＮＰＢ層（第２正孔輸送層、２００Å）／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層（正孔注入層、６００Å）／ＩＴＯ層（アノード、１，０００ないし２，０００Å）が順に積層されている有機発光装置（以下、「装置４」とする）；を製造し、上記装置３及び４の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を、ＰＲ６５０輝度計（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ）Ｓｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ．（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ）とＫｅｉｔｈｅｌｙ ２３６（ＩＶＬ測定時に利用する）とを利用して評価した。上記装置４において第２正孔輸送層は、ＮＰＢ及び有機溶媒を含む混合物を、第１正孔輸送層の上部に提供した後で熱処理して形成したものであり、正孔注入層は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液を、第２正孔輸送層の上部に提供した後で熱処理して形成したものである。
【０１１２】
【表３】
【０１１３】
上記表３から、上記装置３及び４は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１０１ 基板
１０３ ゲート電極
１０５ ゲート絶縁層
１０７ 酸化物半導体層
１０９ａ ソース電極
１０９ｂ ドレイン電極
１１０ 第１絶縁層
１２１ カソード
１２３ 画素定義膜
１２４ 電子注入層
１２５ 第１層
１２７ 有機層
１２９ アノード
Ｐ 有機発光装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光装置は、自発光型装置であり、視野角が広く、かつコントラストにすぐれるだけではなく、応答時間が速く、輝度、駆動電圧及び応答速度特性にすぐれ、また多色化が可能であるという長所を有している。
【０００３】
一般的な有機発光装置は、アノード及びカソードと、アノード及びカソード間に介在された有機層とを含むことができる。有機層は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを含むことができる。また、有機発光装置は、駆動トランジスタまたはスイッチング・トランジスタなどを含むことができる。
【０００４】
前述のような構造を有する有機発光装置の駆動原理は、次の通りである。
【０００５】
アノード及びカソード間に電圧を印加すれば、アノードから注入された正孔は、正孔輸送層を経由して発光層に移動して、カソードから注入された電子は、電子輸送層を経由して発光層に移動する。正孔及び電子のようなキャリアは、発光層領域で再結合して励起子を生成するが、該励起子が励起状態から基底状態に変わりつつ、光が生成される。
【０００６】
一方、大面積有機発光装置を提供するために、有機層を湿式工程を利用して形成しようとする研究が最近進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第２００９−００２１４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、工程安定性を提供しつつも、優秀な電気的特性を有する有機発光装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明において、基板；前記基板上に形成され、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタ；前記薄膜トランジスタ上に形成された第１絶縁層；前記第１絶縁層上に形成され、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソード；前記カソード上に形成され、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層；前記第１層上に形成された有機層；前記有機層上に形成されたアノード；を含む有機発光装置が提供される。
【００１０】
前記酸化物半導体層は、亜鉛含有酸化物を含むことができる。
【００１１】
前記亜鉛含有酸化物は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。
【００１２】
前記カソードは、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ａｇ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含むことができる。
【００１３】
前記第１物質は、２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数を有することができる。
【００１４】
前記第１物質は、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択されうる。
【００１５】
前記第１層は、電子注入物質をさらに含むことができる。
【００１６】
前記第１層の厚みは、３ｎｍないし３０ｎｍでありうる。
【００１７】
前記第１層と前記カソードとの間には電子注入層が介在されうる。
【００１８】
一方、本発明においてまた、基板上に、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタ上に第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層上に薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードを形成する段階と、蒸着法またはスパッタリング法を用いて、前記カソード上に、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層を形成する段階と、前記第１層上に有機層を形成する段階と、前記有機層上にアノードを形成する段階と、を含む有機発光装置の製造方法が提供される。
【００１９】
前記酸化物半導体層は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。
【００２０】
前記第１物質は、２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数を有することができる。
【００２１】
前記第１物質は、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択されうる。
【００２２】
前記第１層の形成段階を、第１物質形成用物質と共に電子注入物質を、蒸着またはスパッタリングすることによって行うことができる。
【００２３】
前記第１層の形成段階前に、前記カソード上に電子注入層を形成する段階を行うことができる。
【００２４】
前記有機層の形成段階を、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェット・プリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビア・コーティング、バー・コーティング、ロール・コーティング、ワイヤバー・コーティング、スクリーン・コーティング、フレキソ・コーティングまたはオフセット・コーティングを用いて行うことができる。
【００２５】
前記有機層の形成段階は、発光層が形成される領域(例えば、第1層、電子輸送層または正孔阻止層の上部)に、発光物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。
【００２６】
前記有機層の形成段階は、正孔注入層が形成される領域(例えば、発光層または正孔輸送層の上部)に正孔注入物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。
【００２７】
前記有機層の形成段階は、正孔輸送層(例えば、発光層の上部)が形成される領域に、正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含むことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、優秀な電気的特性を有しつつも、大面積に製造でき、かつ工程安定性にすぐれる有機発光装置、及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】一実施形態による有機発光装置の構造を簡略的に図示した断面図である。
【図２】他の実施形態による有機発光装置の構造を簡略的に図示した断面図である。
【図３】装置１の電圧・電流密度特性を２回評価した結果として得たグラフをそれぞれ図示した図面である。
【図４】装置１及び装置２の電圧・輝度特性を示したグラフをそれぞれ図示した図面であるである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明を実施形態を挙げて詳細に説明する。
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光装置Ｐの断面を概略的に図示した断面図である。
【００３２】
上記有機発光装置Ｐは、基板１０１上に形成され、ソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂ、酸化物半導体層１０７、ゲート電極１０３、及び上記ゲート電極１０３を上記ソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂと絶縁させるゲート絶縁層１０５を含む薄膜トランジスタを含む。上記薄膜トランジスタ上には、第１絶縁層１１０が形成されている。また、上記第１絶縁層１１０上に形成され、上記薄膜トランジスタのドレイン電極１０９ｂと連結されたカソード１２１が形成されており、画素定義膜１２３によって、画素領域が定義されている。上記カソード１２１の上部には、第１層１２５、有機層１２７及びアノード１２９が順に積層されている。
【００３３】
上記基板１０１としては、一般的な有機発光装置で使われる基板を使用できるが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれるガラス基板または透明プラスチック基板を使用できる。
【００３４】
ゲート電極１０３は、一般的な電極物質（例えば、金属など）から形成されうる。例えば、上記ゲート電極１０３は、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｓｎ）、それらのうち２以上の組み合わせ（合金、単純混合物などを含む）、それらのうち１以上の元素を含む酸化物（例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）など）であるが、これらに限定されるものではない。
【００３５】
ゲート絶縁層１０５は、ゲート電極１０３を覆い包み、ゲート電極１０３をソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂと絶縁させることができる。上記ゲート絶縁層１０５は、シリコン酸化物層やシリコン窒化物層を用いることができるが、それ以外の他の物質層、例えば、シリコン窒化物層より誘電定数の大きい高誘電物質層であってもよい。ゲート絶縁層１０５はまた、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層及び高誘電物質層のうち少なくとも２層以上が積層された構造を有することもできる。
【００３６】
上記酸化物半導体層１０７において、酸化物半導体は、バンドギャップが可視光領域の光エネルギーより大きく、可視光を実質的に吸収しないものでありうる。従って、上記酸化物半導体層１０７を具備した薄膜トランジスタは、可視光吸収による漏れ電流増加が実質的に起こらない。
【００３７】
上記酸化物半導体層１０７は、亜鉛含有酸化物を含むことができる。例えば、上記酸化物半導体層１０７は、ＺｎＯを含むことができる。
【００３８】
上記亜鉛含有酸化物は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含むことができる。
【００３９】
例えば、上記酸化物半導体層１０７は、Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系物質、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏ系物質、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系物質、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系物質、またはＨｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系物質であるが、これらに限定されるものではない。
【００４０】
ゲート絶縁層１０５上に、酸化物半導体層１０７の両端にそれぞれ接触するソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂが備わっている。上記ソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂは、単一金属層または多重金属層でありうる。ソース電極１０９ａ及びドレイン電極１０９ｂの形成用物質は、上記ゲート電極１０３形成用物質を使用することができる。
【００４１】
前述のような薄膜トランジスタの製造方法は、公知の多様な方法を参照できる。
【００４２】
図１において第１絶縁層１１０は、前述のような薄膜トランジスタを覆うように形成されうる。上記第１絶縁層１１０は、保護膜及び／または平坦化膜の役割を行うこともできる。上記第１絶縁層１１０は、シリコン酸化物層やシリコン窒化物層を用いることができるが、それ以外の他の物質層、例えば、シリコン窒化物層より誘電定数の大きい高誘電物質層であってもよい。第１絶縁層１１０は、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層及び高誘電物質層のうち少なくとも２層以上が積層された構造を有することもできる。上記第１絶縁層１１０は、コーティング法、蒸着法、スパッタリング法のような公知の多様な方法を利用して形成されうる。
【００４３】
上記第１絶縁層１１０上には、カソード１２１が備わっている。上記カソード１２１は、ビアホールを介して、ドレイン電極１０９ｂと電気的に連結されている。上記カソード１２１は、第１層１２５を経由して、有機層１２７に電子を注入する電極である。
【００４４】
上記カソード１２１は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムのようなアルカリ金属；ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムのようなアルカリ土類金属；アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムのような金属；それらのうち２以上の合金；それらのうち１以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、スズのうち１以上との合金；またはそれらのうち２以上の組み合わせを含むことができる。上記組み合わせは、前述のような元素のうち２以上を含む合金、前述のような元素をそれぞれ含む多層構造体などを含む。合金としては、例えば、マグネシウム・銀合金、マグネシウム・インジウム合金、マグネシウム・アルミニウム合金、インジウム・銀合金、リチウム・アルミニウム合金、リチウム・マグネシウム合金、リチウム・インジウム合金、カルシウム・アルミニウム合金などを挙げることができる。例えば、上記カソード１２１は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ａｇ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含むことができるが、これらに限定されるものではない。または、上記カソード１２１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ）、亜鉛酸化物のような、前述金属及びそれらのうち２以上の合金の酸化物などから形成されもする。上記カソード１２１は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。
【００４５】
上記カソード１２１の両端には、画素領域を定義する画素定義膜１２３が形成されている。上記画素定義膜１２３は、一般的な有機絶縁物などから形成されうる。
【００４６】
上記カソード１２１上には、第１層１２５が備わっている。
【００４７】
上記第１層１２５は、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含むことができる。
【００４８】
上記第１物質は、２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数、より好ましくは、２．６ｅＶないし４．２ｅＶの範囲の仕事関数を有することができる。この範囲を満足する場合、カソード１２１からの電子注入が効果的になされ、高効率及び高輝度の有機発光装置を提供できる。
【００４９】
上記第１物質は、例えば、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択されうる。上記「２以上の組み合わせ」は、例えば、互いに異なる金属を２以上含む物質（例えば、Ｂａ−Ｃｓ−Ｏ系物質）でもあり、Ｏ、Ｓ及びＮのうち２以上を含む物質（例えば、Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系物質）でもありうる。
【００５０】
上記第１物質は、第１層１２５の仕事関数の調節のために、後述するように多様に変形されうる。
【００５１】
例えば、上記第１物質は、ＺｎＳを含むことができる。
【００５２】
または、上記第１物質は、Ｓｃ２Ｏ３、ＣｓＯ、ＢａＯ及びＲｂＯからなる群から選択されうる。
【００５３】
または、上記第１物質は、Ｙ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｙ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｙ窒化物、Ｙｂ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｔｉ窒化物、及びＭｎ窒化物からなる群から選択されうる。
【００５４】
または、上記第１物質は、ＺｎＳ及びＳｃ２Ｏ３のうち一つ以上；Ｍｇ硫化物、Ｙ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｍｇ酸化物、Ｙ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｍｇ窒化物、Ｙ窒化物及びＹｂ窒化物からなる群から選択された一つ以上；を同時に含むことができる。
【００５５】
または、上記第１物質は、ＺｎＳ及びＳｃ２Ｏ３のうち一つ以上；Ｍｇ、Ｙ及びＹｂからなる群から選択された一つ以上；を同時に含むことができる。
【００５６】
または、上記第１物質は、Ｔｉ硫化物、Ｔｉ酸化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ硫化物、Ｍｎ酸化物及びＭｎ窒化物のうち一つ以上；Ｙ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｋ硫化物、Ｙ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｋ酸化物、Ｙ窒化物、Ｙｂ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｂａ窒化物及びＫ窒化物のうち一つ以上；を同時に含むことができるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
上記第１層１２５は、前述のような第１物質以外に、電子注入物質をさらに含むことができる。上記電子注入物質は、有機発光素子の電子注入層の形成用物質として公知の任意の物質のうち選択されうる。
【００５８】
例えば、上記電子注入物質は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ及びＢａＦ２からなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。上記電子注入物質は、より好ましくは、ＬｉＦであるが、これに限定されるものではない。
【００５９】
例えば、上記第１層１２５は、第１物質以外に、電子注入物質をさらに含むが、上記第１物質は、ＺｎＳであり、上記電子注入物質は、ＬｉＦでありうる。
【００６０】
上記第１層１２５が電子注入物質をさらに含む場合、上記第１物質と上記電子注入物質との重量比は、使用した第１物質の種類、使用した電子注入物質の種類によって異なるが、例えば、１０：１ないし１：１０、より好ましくは４：１ないし１：４でありうる。
【００６１】
上記第１層１２５の厚みは、約３ｎｍないし約３０ｎｍ、より好ましくは、約５ｎｍないし約２０ｎｍでありうる。上記第１層１２５の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子注入性能を得ることができる。
【００６２】
上記第１層１２５は、蒸着法（例えば、熱蒸着）またはスパッタリング法を利用して形成されうる。
【００６３】
例えば、第１物質形成用物質を蒸着（例えば、熱蒸着）またはスパッタリングすることによって、上記第１層１２５を形成できる。
【００６４】
ここで、「第１物質形成用物質」は、前述のような第１物質自体または前述のような第１物質に含まれた元素を含む物質であり、蒸着またはスパッタリングのソースとして使われうる物質を指すものである。例えば、第１物質として、ＺｎＳを含む第１層をスパッタリング法を利用して形成する場合、上記第１物質形成用物質は、ＺｎＳターゲットであり、またはＺｎターゲットとＳターゲットとであり、これは、当業者に容易に認識可能なことである。
【００６５】
また、上記第１層１２５が、第１物質以外に電子注入物質をさらに含む場合、前述のような第１物質形成用物質と共に、電子注入物質を蒸着またはスパッタリングすることによって、第１層１２５を形成できる。
【００６６】
例えば、ＺｎＳとＬｉＦとを共蒸着させることにより、第１層１２５を形成できる。
【００６７】
上記第１層１２５上には、有機層１２７が形成されうる。上記有機層１２７は、有機発光素子分野で公知の構造、物質、層厚などを有する正孔阻止層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層のうち１層以上の層を含むことができる。上記有機層１２７に含まれる物質は、有機物だけを意味するものではなく、金属錯体（例えば、発光ドーパントとして、イリジウム錯体など）も含むことができる。
【００６８】
例えば、上記有機層１２７は、高分子を含むことができる。例えば、上記有機層１２７は、第１層１２５上に、順に電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層からなる群から選択された１層以上の層をさらに含むことができる。
【００６９】
上記電子輸送層は、真空蒸着法などによって形成されたり、電子輸送物質及び溶媒を含む混合物を、電子輸送層形成領域に提供した後、これを熱処理する湿式工程によって形成されうる。上記電子輸送物質及び溶媒を含む混合物を、電子輸送層形成領域に提供する方法としては、スピンコーティング法、キャスト法、インクジェット・プリンティング法、ＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法のような多様な方法を利用できる。
【００７０】
真空蒸着法によって電子輸送層を形成する場合、その蒸着条件は、電子輸送層の材料として使用する化合物、目的とする電子輸送層の構造及び熱的特性などよって異なるが、例えば、蒸着温度１００ないし５００℃、真空度１０−８ないし１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１ないし１００Å／ｓｅｃ範囲で適切に選択できる。
【００７１】
スピンコーティング法を利用して電子輸送層を形成する場合、そのコーティング条件は、電子輸送層の材料として使用する化合物、目的とする電子輸送層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２，０００ｒｐｍないし５，０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃ないし３００℃の温度範囲で適切に選択できる。
【００７２】
上記電子輸送層の材料としては、公知の電子輸送材料を使用できるが、例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（ｐ−フェニルフェノラート）−アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベリリウムビス（ベンゾキノリン−１０−オレート）（Ｂｅｂｑ２）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）のような公知の材料を使用できる。
【００７３】
【化１】
【００７４】
上記電子輸送層の厚みは、約１００Åないし１，０００Å、例えば、２００Åないし５００Åでありうる。上記電子輸送層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子輸送特性を得ることができる。
【００７５】
上記正孔阻止層の形成方法は、前述の電子輸送層の形成方法を参照する。上記正孔阻止層の材料としては、公知の正孔阻止材料、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、１，２，４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００７６】
【化２】
【００７７】
上記正孔阻止層の厚みは、約５０Åないし１，０００Å、より好ましくは、１００Åないし３００Åでありうる。上記正孔阻止層の厚みがこの範囲を満足する場合、満足すべき正孔阻止特性を得ることができる。
【００７８】
上記発光層は、公知の発光物質を含むことができる。前記公知の発光物質は、ホストとドーパントとの組み合わせを含むことができる。 前記発光層が形成される領域は、例えば、前記第1層125、電子輸送層または正孔阻止層の上部であり得るが、これに限定されるものではない。公知のホストの例としては、Ａｌｑ３、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、（４，４−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン）（ＴＣＴＡ）、ＴＰＢＩ、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、Ｅ３、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、これらに限定されるものではない。
【００７９】
【化３】
【００８０】
一方、公知の赤色ドーパントとして、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
【化４】
【００８２】
また、公知の緑色ドーパントとして、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【００８３】
【化５】
【００８４】
一方、公知の青色ドーパントとして、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン、４，４’−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【００８５】
【化６】
【００８６】
上記発光層が、ホスト及びドーパントを含む場合、ドーパントの含有量は、一般的に、ホスト約１００重量部を基準として、約０．０１ないし約１５重量部の範囲で選択され、これらに限定されるものではない。
【００８７】
上記発光層の厚みは、約１００Åないし約１，０００Å、より好ましくは、約２００Åないし約６００Åでありうる。上記発光層の厚みがこの範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を示すことができる。
【００８８】
上記正孔輸送層の材料としては、公知の任意の正孔輸送物質を使用できるが、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）などを使用できる。
【００８９】
上記正孔輸送層の厚みは、約５０Åないし１，０００Å、より好ましくは１００Åないし６００Åでありうる。上記正孔輸送層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔輸送特性を得ることができる。上記正孔輸送層は、１層以上の構造を有することができる。
【００９０】
上記正孔注入層の材料としては、公知の任意の正孔注入物質を使用できるが、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（２Ｔ−ＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）またはポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【００９１】
【化７】
【００９２】
上記正孔注入層の厚みは、約１００Åないし１０，０００Å、より好ましくは、１００Åないし１，０００Åでありうる。上記正孔注入層の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔注入特性を得ることができる。
【００９３】
上記有機層１２７は、公知の多様な方法を利用して形成されうる。例えば、上記有機層１２７は、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。または、上記有機層１２７は、前述したような有機層形成用物質(低分子または高分子であり得る)及び溶媒を含む混合物を用いた湿式工程を利用して形成されもする。
【００９４】
例えば、上記有機層１２７が発光層を含み、上記発光層が上記第１層１２５の上部に形成される場合、任意の発光物質(低分子または高分子であり得る)及び溶媒を含む混合物を、上記第１層１２５の上部に提供した後、これを熱処理することにより、発光物質を含む発光層を形成できる。ここで、上記発光物質及び溶媒を含む混合物を、上記第１層１２５の上部に提供する方法としては、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェット・プリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビア・コーティング、バー・コーティング、ロール・コーティング、ワイヤバー・コーティング、スクリーン・コーティング、フレキソ・コーティングまたはオフセット・コーティングを利用できるが、これらに限定されるものではない。このとき、上記第１層１２５は、上記第１物質（選択的に、電子注入物質をさらに含むことができる）を含み、かつ／または前述のように、蒸着（例えば、熱蒸着）またはスパッタリング法を利用して形成されうるので、発光層形成のために、上記発光物質及び溶媒を含む混合物を、上記第１層１２５の上部に提供しても、第１層１２５が上記溶媒によって実質的に損傷されない。従って、上記第１層１２５と発光層との界面には、上記第１層１２５に含まれた物質（すなわち、前述のような第１物質、及び選択的には電子注入物質）と、発光物質とが共存するインターミキシング領域が実質的に存在せず、第１層１２５にすぐれた表面特性を維持でき、優秀な電気的特性を確保しつつも、大面積製造の容易性と工程安定性とが確保された有機発光装置を効果的に製造できる。一方、上記有機層127は、正孔注入層及び/または正孔輸送層を含みうるが、上記正孔注入層及び/または正孔輸送層は、正孔注入物質または正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物をそれぞれ準備して、それを正孔注入層が形成される領域(例えば、正孔輸送層の上部)及び正孔輸送層が形成される領域(例えば、発光層または正孔輸送層の上部)にそれぞれ提供した後、熱処理することで形成することができる。
【００９５】
上記有機層１２７の上部には、アノード１２９が備わっている。上記アノード１２９は、正孔を有機層１２７に注入する電極である。
【００９６】
上記アノード１２９は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ及びそれらの複合体であるＩＴＯ、ＩＺＯのような酸化物、または金、白金、銀、銅などを利用できるが、これらに限定されるものではない。例えば、上記アノード１２９としてＩＴＯを使用する場合、その厚みは、１，０００ないし２，０００Åでありうる。または、上記アノード１２９としてＡｇを使用する場合、その厚みは、１５０ないし２５０Åでありうる。
【００９７】
上記アノード１２９は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうるが、これらに限定されるものではない。
【００９８】
図２は、本発明の他の実施形態による有機発光装置Ｐを概略的に図示した断面図である。図２の有機発光装置Ｐは、第１層１２５とカソード１２１との間に、電子注入層１２４が介在されているという点を除いては、上記図１に図示された有機発光装置と同じ構造を有しており、これについては、図１に係わる説明を参照する。
【００９９】
上記電子注入層１２４は、第１層１２５とカソード１２１との間に介在され、カソード１２１から第１層１２５への電子が効果的に注入されるようにする。
【０１００】
上記電子注入層１２４は、任意の電子注入物質を含むことができる。例えば、上記電子注入層１２４は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ及びＢａＦ２からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これらに限定されるものではない。上記電子注入層１２４は、より好ましくは、ＬｉＦを含むことができる。
【０１０１】
上記電子注入層１２４は、公知の多様な方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などを利用して形成されうる。
【０１０２】
上記電子注入層１２４の厚みは、０．１ｎｍないし１０ｎｍ、より好ましくは、０．５ｎｍないし５ｎｍでありうる。上記電子注入層１２４の厚みがこの範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子注入性能を得ることができる。
【実施例】
【０１０３】
一方、Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったｎ型基板上に、Ａｌ層（カソード、７００Å）／ＬｉＦ層（電子注入層、１０Å）／ＺｎＳ層（第１層、２５０Å）／（ＡＤＮ＋ＤＰＶＢｉ）層（発光層、３００Å、ドーパントであるＤＰＶＢｉのドーピング濃度は、４重量％である）／ＮＰＢ層（正孔輸送層、１５０Å）／ＭＴＤＡＴＡ層（正孔注入層、７００Å）／ＩＴＯ層（アノード、１，０００ないし２，０００Å）が順に積層されている有機発光装置（以下、「装置１」とする）を製造し、上記装置１の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を、ＰＲ６５０輝度計（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ）Ｓｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ．（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ）とＫｅｉｔｈｅｌｙ ２３６（ＩＶＬ（電流、電圧、輝度）測定時に利用）とを利用して評価した。ここで、上記第１層は、熱蒸着法を利用して形成した。図３は、装置１の電流密度特性を２回測定した結果として収得したグラフをそれぞれ図示した図面である。また、図４に、電圧・輝度特性を示す。
【０１０４】
一方、上記装置１の駆動電圧別の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を表１に示す。
【０１０５】
【表１】
【０１０６】
図３及び表１から、上記装置１は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。
【０１０７】
一方、第１層として２５０ÅのＺｎＳ層を形成する代わりに、ＺｎＳとＬｉＦとを共蒸着（ＺｎＳとＬｉＦとの重量比は１：１である）し、ＺｎＳ及びＬｉＦを含む第１層（２５０Å）を形成した点を除いては、上記装置１と同じ構成を有する有機発光装置（以下、「装置２」とする）を製造した。また、図４に、電圧・輝度特性を示す。
【０１０８】
上記装置２の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を表２に示す。
【０１０９】
【表２】
【０１１０】
上記表２から、上記装置２は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。
【０１１１】
また、Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったｎ型基板上に、Ａｌ層（カソード、１，５００Å）／ＬｉＦ層（電子注入層、１０Å）／ＺｎＳ層（第１層、２５０Å）／Ｂｅｂｑ２層（電子輸送層、２５０Å）／（ＡＤＮ＋ＤＰＶＢｉ）層（発光層、３００Å、ドーパントであるＤＰＶＢｉのドーピング濃度は、４重量％である）／ＮＰＢ層（正孔輸送層、１５０Å）／ＭＴＤＡＴＡ層（正孔注入層、７００Å）／ＩＴＯ層（アノード、１，０００ないし２，０００Å）が順に積層されている有機発光装置（以下、「装置３」とする）；Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を具備した薄膜トランジスタが備わったｎ型基板上に、Ａｌ層（カソード、１，５００Å）／ＬｉＦ層（電子注入層、１０Å）／ＺｎＳ層（第１層、２５０Å）／Ｂｅｂｑ２層（電子輸送層、２５０Å）／（ＡＤＮ＋ＤＰＶＢｉ）層（発光層、３００Å、ドーパントであるＤＰＶＢｉのドーピング濃度は、４重量％である）／ＮＰＢ層（第１正孔輸送層、５０Å）／ＮＰＢ層（第２正孔輸送層、２００Å）／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層（正孔注入層、６００Å）／ＩＴＯ層（アノード、１，０００ないし２，０００Å）が順に積層されている有機発光装置（以下、「装置４」とする）；を製造し、上記装置３及び４の電流密度、効率、電力効率、輝度及び色座標を、ＰＲ６５０輝度計（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ）Ｓｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ．（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ）とＫｅｉｔｈｅｌｙ ２３６（ＩＶＬ測定時に利用する）とを利用して評価した。上記装置４において第２正孔輸送層は、ＮＰＢ及び有機溶媒を含む混合物を、第１正孔輸送層の上部に提供した後で熱処理して形成したものであり、正孔注入層は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液を、第２正孔輸送層の上部に提供した後で熱処理して形成したものである。
【０１１２】
【表３】
【０１１３】
上記表３から、上記装置３及び４は、優秀な電気的特性を有するということを確認することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１０１ 基板
１０３ ゲート電極
１０５ ゲート絶縁層
１０７ 酸化物半導体層
１０９ａ ソース電極
１０９ｂ ドレイン電極
１１０ 第１絶縁層
１２１ カソード
１２３ 画素定義膜
１２４ 電子注入層
１２５ 第１層
１２７ 有機層
１２９ アノード
Ｐ 有機発光装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードと、
前記カソード上に形成され、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層と、
前記第１層上に形成された有機層と、
前記有機層上に形成されたアノードと、を含む、有機発光装置。
【請求項２】
前記酸化物半導体層が、亜鉛含有酸化物を含む、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記亜鉛含有酸化物は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含む、請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記カソードが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ａｇ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記第１物質が２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第１物質が、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された、請求項１から５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記第１層が、電子注入物質をさらに含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記第１層の厚みが、３ｎｍないし３０ｎｍである、請求項１から７のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記第１層と前記カソードとの間に、電子注入層が介在された、請求項１から８のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
基板上に、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ上に第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に、薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードを形成する段階と、
蒸着法またはスパッタリング法を用いて、前記カソード上に、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層を形成する段階と、
前記第１層上に有機層を形成する段階と、
前記有機層上にアノードを形成する段階と、を含む、有機発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化物半導体層は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含む、請求項１０に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１物質が、２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数を有する、請求項１０または１１に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１物質が、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１４】
第１物質形成用物質と共に、電子注入物質を、蒸着またはスパッタリングすることによって、前記第１層の形成段階を行う、請求項１０から１３のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１層の形成段階前に、前記カソード上に、電子注入層を形成する段階を行う、請求項１０から１４のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記有機層の形成段階を、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェット・プリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビア・コーティング、バー・コーティング、ロール・コーティング、ワイヤバー・コーティング、スクリーン・コーティング、フレキソ・コーティングまたはオフセット・コーティングを用いて行う、請求項１０から１５のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記有機層の形成段階は、発光層が形成される領域に、発光物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項１０に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記有機層の形成段階は、正孔注入層が形成される領域に、正孔注入物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項１０に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記有機層の形成段階は、正孔輸送層が形成される領域に、正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項１０に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードと、
前記カソード上に形成され、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層と、
前記第１層上に形成された有機層と、
前記有機層上に形成されたアノードと、を含む、有機発光装置。
【請求項２】
前記酸化物半導体層が、亜鉛含有酸化物を含む、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記亜鉛含有酸化物は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含む、請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記カソードが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ａｇ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記第１物質が２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第１物質が、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された、請求項１から５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記第１層が、電子注入物質をさらに含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記第１層の厚みが、３ｎｍないし３０ｎｍである、請求項１から７のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記第１層と前記カソードとの間に、電子注入層が介在された、請求項１から８のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
基板上に、ソース電極及びドレイン電極、酸化物半導体層、ゲート電極、及び前記ゲート電極を前記ソース電極及びドレイン電極と絶縁させるゲート絶縁層を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ上に第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に、薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結されたカソードを形成する段階と、
蒸着法またはスパッタリング法を用いて、前記カソード上に、金属、金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された第１物質を含む第１層を形成する段階と、
前記第１層上に有機層を形成する段階と、
前記有機層上にアノードを形成する段階と、を含む、有機発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化物半導体層は、Ｈｆ、Ｙ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された物質をさらに含む、請求項１０に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１物質が、２．６ｅＶないし４．６ｅＶの範囲の仕事関数を有する、請求項１０または１１に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１物質が、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｙｂ、Ｋ硫化物、Ｒｂ硫化物、Ｃｓ硫化物、Ｍｇ硫化物、Ｓｒ硫化物、Ｂａ硫化物、Ｓｃ硫化物、Ｙ硫化物、Ｔｉ硫化物、Ｍｎ硫化物、Ｚｎ硫化物、Ｙｂ硫化物、Ｋ酸化物、Ｒｂ酸化物、Ｃｓ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｓｒ酸化物、Ｂａ酸化物、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｙｂ酸化物、Ｋ窒化物、Ｒｂ窒化物、Ｃｓ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｓｒ窒化物、Ｂａ窒化物、Ｓｃ窒化物、Ｙ窒化物、Ｔｉ窒化物、Ｍｎ窒化物、Ｚｎ窒化物、Ｙｂ窒化物、及びそれらのうち２以上の組み合わせからなる群から選択された、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１４】
第１物質形成用物質と共に、電子注入物質を、蒸着またはスパッタリングすることによって、前記第１層の形成段階を行う、請求項１０から１３のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１層の形成段階前に、前記カソード上に、電子注入層を形成する段階を行う、請求項１０から１４のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記有機層の形成段階を、スピンコーティング、スプレイ法、インクジェット・プリンティング、ディッピング、キャスティング、グラビア・コーティング、バー・コーティング、ロール・コーティング、ワイヤバー・コーティング、スクリーン・コーティング、フレキソ・コーティングまたはオフセット・コーティングを用いて行う、請求項１０から１５のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記有機層の形成段階は、発光層が形成される領域に、発光物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項１０に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記有機層の形成段階は、正孔注入層が形成される領域に、正孔注入物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項１０に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記有機層の形成段階は、正孔輸送層が形成される領域に、正孔輸送物質及び溶媒を含む混合物を提供する段階、及び前記混合物を含む基板を熱処理する段階を含む、請求項１０に記載の有機発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−２２３００１（Ｐ２０１１−２２３００１Ａ）
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８５１２０（Ｐ２０１１−８５１２０）
【出願日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
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