浄化フィルター、その製造方法及び排気ガス浄化装置

【課題】捕捉効率を向上するとともに、圧力損失の低下を抑制した浄化フィルター、その製造方法及び排気ガス浄化装置を提供すること。
【解決手段】原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、
上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。原料基体は、平均細孔径がウィスカーの平均径より大きい多孔質体とする。原料基体は、担体内に粉粒体を充填して成る。
原料基体に含まれる元素の含有率を調整し、不活性雰囲気中且つ微量酸素の存在下で加熱処理して、形成するウィスカーの太さ及び長さを制御して浄化フィルターを製造する。
浄化フィルターを２層以上用い、上流側に原料基体上に形成されたウィスカーの平均長さ及び太さが大きい浄化フィルター、下流側にそれらが小さい浄化フィルターを配設して成る排気ガス浄化装置である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浄化フィルター、その製造方法及び排気ガス浄化装置に係り、更に詳細には、微細なウィスカーを利用した浄化フィルター、その製造方法及び排気ガス浄化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＰＦ（ディーゼルパーティキュレートフィルター）とは、主にディーゼル車の排気ガスに含まれる粒子状物質（ＤＥＰ）を除去するために使う排出ガス浄化フィルターをいい、例えば、コーディエライト、炭化珪素、シリカ系繊維、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金及びＳＵＳなどを用いたＤＰＦが知られている。
これらの材料を用いたＤＰＦは、以下のようなメリット及びデメリットがある。即ち、上記コーディエライトハニカムは、捕集効率が高いが、耐熱強度が低く、溶損・破損し易い。上記炭化珪素ハニカムは、捕集効率が高く耐熱強度が高いが、熱膨張により破損し易く高コストである。上記シリカ系繊維巻き付けは、捕集効率が高いが、耐熱強度が低く、高コストであり、捕集面積が小さい。上記コーディエライトフォームは、捕集面積が大きいが、捕集効率が低い、耐熱強度が低い、再生が困難である。上記Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ金属フォームは、捕集面積が大きいが、捕集効率が低い、耐熱強度が低い、再生が困難ある。上記ＳＵＳメッシュは、耐震性に優れるが、捕集効率が低い、再生が困難であり、高コストである。
【０００３】
また、粒子状物質（ＤＥＰ）は、固形炭素粒、炭化水素、水、酸、塩基、アルコール、ＣＯ、ＣＯ_２、ＮＯｘ、ＳＯｘ及びその他有機物などから構成され、図１に示すように、１０μｍ〜１０ｎｍの範囲に粒径分布をもつ。また、質量分布からわかるように、０．０１〜０．１μｍ、０．１〜１μｍ、１〜１０μｍの範囲にそれぞれピークがある。
従って、ＤＥＰを除去するには、これら全ての大きさの粒子をいかに効率良く除去するかが重要である。
【０００４】
このような背景から、セラミックスハニカム構造体から成る触媒付ＤＰＦをセル隔壁の平均孔径の異なる複数種から構成し、平均孔の大きなものから小さなものを直列に配置することが提案されている（例えば特許文献１参照）。
しかし、このＤＰＦでは、圧力損失を少なくするため、細孔の大きさは小さくても１０μｍ程度である。このため、１００ｎｍ以下の微細粒子についての捕捉は難しい。また、セラミックスを用いるため、耐震性や熱衝撃により破損するなどの問題点があった。更に、捕捉効率を上げるために、フィルタ本体にある程度の大きさが必要であった。
【特許文献１】特開２００３−２２５５４０号公報
【０００５】
また、金属メッシュと多孔質触媒層を組合せたフィルター、具体的には、導電性金属の金属素線で構成された金網と金属粉末の焼結層とから成る多孔質金属複合体で、フィルター機能とヒーター機能の複合機能を備えたＤＰＦが提案されている（例えば特許文献２参照）。
しかし、このＤＰＦは、金網構造のため、網目の孔が非常に大きい。また、金属粉末の焼結層を厚くすれば孔が小さくなるが一方で圧力損失が大きくなってしまう。このため、捕捉効率と低圧力損失の両立が難しいという問題点があった。
【特許文献２】特開２００３−９７２５３号公報
【０００６】
更に、細孔径の平均値とその標準偏差を制御したセラミックスハニカムＤＰＦが提案されている（例えば特許文献３参照）。このＤＰＦは、平均粒径１０μｍの多孔質コーディエライトを使用して成り、０．１μｍ〜１μｍ程度までの粒子状物質（ＤＥＰ）が捕捉可能である。
【特許文献３】ＷＯ２００２／０２６３５１
【０００７】
一方、本発明者らは、サイズの異なるウィスカーの製造方法を提案している（特願２００４−３１９０１８号）。即ち、ウィスカーを成長させる原料基体に含まれるマンガン（Ｍｎ）の組成を変えて不活性ガス中で熱処理をすると、得られるウィスカーの大きさが変わることを見出した。
ここで、「ウィスカー」とは、細長いヒゲ状結晶を意味し、一般にはプラスティックやセラミックスの強化材として用いられる。また、ウィスカーを形成させた基体は表面積が増加するため、触媒の担持体などに利用できる。
【０００８】
そこで、本発明者らは、かかるウィスカーを用いたＤＰＦと、従来公知のＤＰＦとを同一サイズにて比較したところ、前者は極めて優れた特性を示すことを見出した。
即ち、該ウィスカーを用いたＤＰＦは、現在使用頻度が高いハニカムフィルターと比べると、比表面積が大きい、触媒が分散性良く担持できる（触媒使用量を低減できる）、ウィスカーの弾性により衝撃や熱応力に強い、基材を金属にすることができるので熱伝導を高められる、などのメリットがある。また、ＳｉＣなどの細線不織フィルターと比べると、ウィスカーが凹凸になるので粒子がより補足し易い、強度を気にせずウィスカーサイズを制御できる、ウィスカーを微細化することでより小さな粒子の除去が可能となる、などのメリットがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような従来技術の有する課題と新たな知見に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、捕捉効率を向上するとともに、圧力損失の低下を抑制した浄化フィルター、その製造方法及び排気ガス浄化装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、所定の元素を含む原料基体上に成長させた微細なウィスカーにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、微細且つ表面積が増大したウィスカーを使用するので、圧力損失が少ないうえに従来品の補足可能限界の１／１０以下の粒子まで補足できる。また、従来品と同じ補足効率のフィルターを、小型化、軽量化（低コスト化）することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の浄化フィルターについて詳細に説明する。なお、本特許請求の範囲及び本明細書において、「％」は特記しない限り質量百分率を表すものとする。
【００１３】
上述の如く、本発明の浄化フィルターは、原料基体上にウィスカーを形成して成る。また、この原料基体は、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉｎ）、銀（Ａｇ）、ガリウム（Ｇａ）、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン（Ｔｉ）又はシリコン（Ｓｉ）、及びこれら元素の任意の組み合わせを含む合金とするか、これら元素の少なくとも１種を含むセラミックスとする。
このような元素が原料基体の表面でウィスカーを形成することにより、比表面積の大きい浄化フィルターが得られる。また、ウィスカーは、片方の端部が開放されているため、圧力損失が少ない。更に、篩効果で１０μｍ以下の粒子が捕捉されるとともに、ウィスカーの凹凸による衝突捕捉によっても粒子が捕捉されるため、捕捉効率が向上する。
【００１４】
ここで、本発明の浄化フィルターが発揮する衝突捕捉について説明する。
図２（左図）に示すように、細孔による篩効果のみを利用したフィルターは、該細孔の大きさに対応した粒子を捕捉できるに留まるとともに、一旦粒子が捕捉されると細孔が塞がれてしまい圧力損失が増大する。
これに対して、本発明の浄化フィルターは、ウィスカーを用いるので篩効果に加えて、流れてきた粒子がウィスカーに衝突するときに該ウィスカーに引っ掛かることにより捕捉できる効果（衝突捕捉）を有する。即ち、図２（右図）に示すように、実際に細孔径を捕捉粒子のサイズまで小さくしなくても粒子を３次元的に捕捉できるため、従来の１／１０以下の粒子まで捕捉でき、上記圧力損失の問題が改善される。
なお、太さ１μｍのウィスカーを充填した浄化フィルターが衝突捕捉により捕集できるＰＭ粒子の粒子径と捕集率との関係を図３のグラフに示す。
【００１５】
また、本発明の浄化フィルターの使用による圧力損失の低減について説明する。
例えば、図４（左図）に示すように、原料基体として用いる直径１０μｍの粉粒体上に、太さ２μｍ、長さ２０μｍのウィスカー（円錐）を密生させる場合は、直径５０μｍの球体に対する空間占有率は３％となる。
また、図４（右図）に示すように、原料基体として用いる直径５μｍの粉粒体上に、太さ２０ｎｍ、長さ１μｍのウィスカー（円錐）を密生させる場合は、直径７μｍの球体に対する空間占有率は４７％となる。
このようにウィスカーの間隙に確保される空間により、多孔度の高い浄化フィルターを構成できるので、圧力損失を大幅に低減できる。
【００１６】
上記原料基体としては、多孔質体を使用でき、このときは、該多孔質体の平均細孔径が上記ウィスカーの平均径より大きいことが好適である。これより、多孔質の細孔内にウィスカーが形成され易くなり、平均細孔径がより小さくなるので、ウィスカー形成前よりも小さな粒子を捕捉できる。
上記多孔質体としては、例えば、図５に示すような合金メッシュや多孔質金属（発泡金属）などが挙げられ、これらにウィスカーを形成する場合は、細孔径より細かい粒子（１μｍ程度）まで篩効果を発揮でき、衝突捕捉効果により更に細かい粒子（〜０．０１μｍ）まで除去できる。
【００１７】
また、上記原料基体としては、粉粒体を使用することもできる。このときは、それらを担体内に充填して浄化フィルターとすることが好適である。このときは、粉粒体に形成されたウィスカー同士が絡み合い、適度な空隙率が確保された多孔質形状が構成され得る。よって、捕捉効率が向上し低圧力損失となるとともに、高強度（耐震性）で耐熱衝撃性に優れた浄化フィルターが得られる。例えば、粉粒体の表面積の半分に径１μｍ、長さ１０μｍのウィスカーを形成した場合は、ウィスカーを設けない場合に比べて表面積が８倍以上となる。また、従来のフィルターと同じ効果を奏するフィルターを小型化・軽量化（低コスト化）できる。
上記粉粒体としては、代表的には、Ｎｉ−Ｍｎ合金、インコネル（Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金）、ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金など）等の粉末の他、これら合金をチップ状、円柱状及び短繊維状などにしたものも含む。また、浄化フィルターを製造する際は、図６に示すように、粉粒体のアニール処理（加熱処理）後に担体に充填しても良いし（左図）、粉粒体を多孔質金属等に充填してからアニール処理しても良い（右図）。担体としては、上述の多孔質体やメタル担体などを使用できる。なお、担体内に充填する粉粒体は固定されていても良いし、固定されていなくても良い。
【００１８】
次に、本発明の浄化フィルター製造方法について詳細に説明する。
本発明の製造方法では、まず、原料基体である合金又はセラミックスに含まれる元素のうち、ウィスカーを構成する元素の含有量を調整する。次いで、原料基体を反応炉内に設置し、不活性雰囲気中且つ微量酸素の存在下で加熱処理することにより、長さ及び太さが制御されたウィスカーを原料基体の表面に形成できる。
例えば、マンガン粉末含有ニッケル発泡金属を原料基体とする場合には、図７に示すように、同一の熱処理条件下において、Ｍｎ粉末の含有比率を１０〜８０％の範囲で変更すると、平均太さが１０ｎｍ〜５μｍ、平均長さが２〜５０μｍまでの範囲でウィスカーの大きさを任意に設計できる。
このように、本発明では、ウィスカーの大きさを適宜制御することにより、対象物とする粒子の大きさに合ったサイズの浄化フィルターを製造できる。
【００１９】
ここで、現時点では、かかるウィスカーが成長する原理は明らかではないが、ウィスカーを構成する元素は蒸気圧が高く、原料基体中では揮発し易いこと、また原料基体中の他の成分と比べて同じ温度においてより蒸気圧が低い酸化物（但し、複数の酸化数を持つ金属の場合、全ての酸化数でこの条件を満たす必要はない）があること、によるものと推察できる。即ち、まず、原料基体の表面周辺にウィスカー構成元素の蒸気又はその酸化物の蒸気が存在する状態が形成される。次いで、原料基体の表面にウィスカーの基点となる核が形成される。更に、この核を先端としてウィスカーが成長する。このとき、原料基体表面の温度と不活性ガスの流量には最適範囲があり、その範囲から大きくても小さくても形成密度が減少すると考えられる。例えば、マンガンとインジウムを含む原料基体の表面が１０００℃のときは、マンガンの蒸気圧は約３×１０^−２Ｔｏｒｒ（約４Ｐａ）で酸化マンガン（ＭｎＯ）の蒸気圧が約３×１０^−７Ｔｏｒｒ、インジウムの蒸気圧は２×１０^−２Ｔｏｒｒで酸化インジウムの蒸気圧が７×１０^−８Ｔｏｒｒであることが密接に関係すると考えられる。
【００２０】
上記原料基体は、合金又はセラミックスを多孔質状、メッシュ状（織布・不織布）及び粉粒状などにして使用できるが、特にフィルター構造に成形した後に、加熱処理することが好適である。このときは、ウィスカー形成基体を担体に充填する場合に比べて、捕捉効率が向上し、また圧力損失の制御も容易になる。
なお、「フィルター構造」とは、原料基体を多孔質体にしたり、担体としての多孔質体（原料基体としての性質は問わない）の細孔内に予め原料基体である粉粒体を担持又は充填させることなどが該当する。
【００２１】
また、上記不活性雰囲気としては、例えば、アルゴン、窒素、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン及びラドン、又はこれらを任意に組合わせたガスなどを使用できる。
更に、加熱処理においては、これら不活性ガスとともに、微量の酸素が存在することを要する。これは、原料基体から形成されるウィスカーは、酸化物として成長するからである。但し、当該酸素は、反応炉内に不活性ガスを送入する前の大気に残存する程度（１〜１０００ｐｐｍ程度）で足りる。
更にまた、加熱処理時の焼成温度は、使用する反応炉や試料の大きさ、形状などにも依存する。例えば、反応炉の容積が３Ｌの場合には、不活性ガスを０．１〜５Ｌ／ｍｉｎで供給し、９００〜１１００℃で３０〜１０００分間焼成することができる。
【００２２】
次に、本発明の排気ガス浄化装置について詳細に説明する。
本発明の排気ガス浄化装置は、上述の浄化フィルターを２層以上用いて構成される。また、排気ガスの流れ方向に対して上流側に、ウィスカーの平均長さ及び太さが大きい浄化フィルターを配設し、下流側に該平均長さ及び太さが小さい浄化フィルターを配設する。
これより、上流側で大きな粒子が捕捉され、下流側で小さな粒子が捕捉されるため、排気ガスを高効率で浄化できる。また、浄化フィルターにおいて、原料基体に対するウィスカーサイズ比率が大きいほど、空隙率が高くなるので、捕捉された粒子の蓄積による圧力損失の低下を防止できる。更に、再生までの寿命が長くなる。
なお、本発明の浄化フィルター１層において、原料基体に含まれるウィスカー構成元素の含有量比を偏らせたことによって、部分的に大きさの異なるウィスカーを有する場合も本排気ガス浄化装置と同様の効果を奏することは言うまでもない。
【００２３】
ここで、本発明の排気ガス浄化装置の代表的な製造方法を以下に示す。
図８に示すように、第１例としては、細孔内にウィスカー構成元素を含む多孔質金属板（原料基体）を２枚用い、排気ガス流路の上流側には該ウィスカー構成元素の含有量の多いもの、下流側には該ウィスカー構成元素の含有量の少ないものを配設する。第２例としては、外側（先に排気ガスが接触する部位）にウィスカー構成元素の含有量が多い多孔質金属基板、内側に該含有量が少ない多孔質金属基板をそれぞれ筒型に加工してハウジングする。第３例としては、１枚の多孔質金属基板を筒型にして、その外側にウィスカー構成元素を多く含有させ、内側にウィスカー構成元素を少なく含有させる（粉末担持や金属形成時に組成を制御する）。
これら第１〜３例の基板を不活性ガス中でアニール処理し、その後にそれぞれを排気ガス流路に設置することで、排気ガス浄化装置が得られる。
【００２４】
また、図９に示すように、第４例としては、ウィスカー構成元素を含む多孔質金属基板を、交互に目封止したハニカム状に構成する。このとき、排気ガス流路方向に対して下流側を封止した（上流側に開口を有する）排気ガス流路内はウィスカー構成元素の含有量を多くし、上流側を封止した（下流側に開口を有する）排気ガス流路内は該含有量を少なくする。この基板を不活性ガス中でアニール処理し、その後に排気ガス流路に設置することで、排気ガス浄化装置が得られる。
【００２５】
更に、図１０に示すように、第５例としては、排気ガス流路内に設置する担体内にウィスカー形成粒子を充填する。このとき、排気ガス流れ方向に対して上流側に、大きいウィスカーを備える粒子を充填し、下流側に、小さいウィスカーを備える粒子を配設することができる（左図）。また、上流側及び下流側を交互に目封止したハニカム状担体を用意し、このうち、上流側に開口を有する排気ガス流路内には、大きいウィスカーを備える粒子を充填し、下流側に開口を有する排気ガス流路内には、小さいウィスカーを備える粒子を充填することができる（右図）。
【００２６】
また、本発明の排気ガス浄化装置では、上記浄化フィルターを集塵極とし、この近傍に導電材より成る放電電極を配設することが好適である。
このときは、両極間に直流電圧を印加すると、排気ガス粒子が放電電極で電荷を帯び、集塵極に引き寄せられるので、捕捉効率がより向上する。また、直流電圧は、浄化フィルターの大きさなどにより異なるが、例えば１ｋ〜１０ｋＶ程度に設定できる。
【００２７】
更に、本発明の排気ガス浄化装置では、上記ウィスカーの表面に酸化触媒を担持することが好適である。
酸化触媒を担持することで、効率良く再生処理できるので、排気ガス浄化装置を高寿命化できる。また、表面に細かい凹凸があるため、触媒が担持されやすく、担持量が少なくて済む。上記酸化触媒としては、例えば、パラジウム、ロジウム、白金、金、鉄、セリウム、バナジウム、ニッケル、コバルト、タングステンなどが挙げられる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明を実施例及び比較例により更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００２９】
（実施例１）
平均粒径１０μｍのＮｉ−Ｍｎ合金粉末をディスク型の多孔質金属の容器に充填し（上流側：８０％Ｍｎ、下流側：５０％Ｍｎ）、これをＡｒガスフロー中で１０００℃／ｈ昇温、１０００℃で２ｈ保持の加熱処理を行い、ウィスカーを備える浄化フィルターを得た。
具体的には、図１１に示すように、上流側に平均太さが１〜５μｍ、平均長さが５０μｍのウィスカー（空隙率は約９５％）を形成し、下流側に平均太さが１００〜１０００ｎｍ、平均長さが１０μｍのウィスカー（空隙率は約５０％）を形成した。
【００３０】
（比較例１）
実施例１と同一の外観形状（大きさ）の形状になるように、粒径１０μｍのカオリン、タルク、シリカ、アルミナ粉末を調整して得られる、質量比でＳｉＯ_２：５０％、Ａｌ_２Ｏ_３：３５％、ＭｇＯ：１５％を含むコージェライト原料粉末を造孔材とともにディスク型に成型し、１４００℃で焼成し空隙率５０％のセラミックスフィルターを得た。
【００３１】
＜評価測定＞
実施例１及び比較例１で得られたフィルターを排気ガス流路に設置し、ディーゼル排気ガスを１ｍ／ｓで導入した際の、排気側のガス粒径分布を測定した。この結果を図１１に示す。
【００３２】
図１１より、実施例で得たフィルターは、ウィスカーが形成されていることによる篩（ふるい）機能による粒子の捕捉と、粒子衝突による捕捉効果により、０．０１μｍの粒子まで高効率に捕捉できることがわかる。
一方、比較例１で得たフィルターは、粒子衝突による捕捉効果は少なく、また細孔径が大きいため、小さくても０．１μｍ程度までしか捕捉できないことがわかる。
【００３３】
以上、本発明を若干の好適実施例により詳細に説明したが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。
例えば、原料基体としてはインコネルなども使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】粒子状物質（ＤＥＰ）の粒径分布を示すグラフである。
【図２】衝突捕捉の一例を示す概略図である。
【図３】衝突捕捉により捕集できるＰＭ粒子の粒子径と捕集率との関係を示すグラフである。
【図４】ウィスカーの密生度合による空間占有率を示す概略図である。
【図５】多孔質体の一例を示す概略図である。
【図６】粉粒体のアニール処理により形成されたウィスカーの一例を示す概略図である。
【図７】ウィスカー構成元素の含有比率と得られるウィスカーの一例を示す写真である。
【図８】排気ガス浄化装置の一例を示す概略図である。
【図９】排気ガス浄化装置の他の例を示す概略図である。
【図１０】排気ガス浄化装置の更に他の例を示す概略図である。
【図１１】実施例１で形成したウィスカーを示す写真である。
【図１２】ＤＰＦ通過前のガス粒径分布と、フィルター通過後（実施例及び比較例）の粒径分布図である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、
上記原料基体が、マンガン、アルミニウム、クロム、インジウム、銀、ガリウム、錫、銅、スカンジウム、ゲルマニウム、チタン及びシリコンから成る群より選ばれた少なくとも１種の元素を含む合金又はこれら元素の少なくとも１種を含むセラミックスであることを特徴とする浄化フィルター。
【請求項２】
上記原料基体が多孔質体であり、該多孔質体の平均細孔径が上記ウィスカーの平均径より大きいことを特徴とする請求項１に記載の浄化フィルター。
【請求項３】
上記原料基体が粉粒体であり、それらを担体内に充填して成ることを特徴とする請求項１に記載の浄化フィルター。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つの項に記載の浄化フィルターを製造するに当たり、
原料基体に含まれる少なくとも１種の元素の含有率を調整し、該原料基体を不活性雰囲気中且つ微量酸素の存在下で加熱処理して、形成するウィスカーの長さ及び太さを制御することを特徴とする浄化フィルター製造方法。
【請求項５】
上記原料基体をフィルター構造に成形した後に、加熱処理することを特徴とする請求項４に記載の浄化フィルター製造方法。
【請求項６】
上記原料基体が粉粒体であり、この粉粒体を多孔質体に担持させた後に、加熱処理することを特徴とする請求項４又は５に記載の浄化フィルター製造方法。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１つの項に記載の浄化フィルターを２層以上用いて構成される排気ガス浄化装置であって、
排気ガス流れ方向に対して上流側に、上記原料基体上に形成されたウィスカーの平均長さ及び太さが大きい浄化フィルターを配設し、下流側に該平均長さ及び太さが小さい浄化フィルターを配設して成ることを特徴とする排気ガス浄化装置。
【請求項８】
上記浄化フィルターを集塵極とし、この近傍に導電材より成る放電電極を配設し、両極間に直流電圧を印加することにより排気ガス粒子が集塵極に吸引捕捉されることを特徴とする請求項７に記載の排気ガス浄化装置。
【請求項９】
上記ウィスカーの表面に酸化触媒を担持して成ることを特徴とする請求項７又は８に記載の排気ガス浄化装置。

【図１】