浮上式塗布装置
【課題】浮上ステージにおいて分割ステージブロックの境界（繋ぎ目）にできる段差の許容度を大きくして浮上面の高さ位置調整作業を簡便に短時間で行えるようにする。
【解決手段】浮上ステージ１０において、左端の搬入用ステージブロックＳＢAには、専ら噴出口１２を多数配設した第１のラフ浮上領域ＭINが搭載される。真ん中のステージブロックＳＢBには、搬送方向（Ｘ方向）の両端部に専ら噴出口１２を多数配設した突き上げ浮上領域ＭP，ＭQが局所的に搭載されるとともに、それらの間に噴出口１２と吸引口１４とを混在して多数配設した精密浮上領域ＭCTが搭載される。また、右端の搬出用ステージブロックＳＢCには、専ら噴出口１２を多数配設した第２のラフ浮上領域ＭOUTが搭載される。
【解決手段】浮上ステージ１０において、左端の搬入用ステージブロックＳＢAには、専ら噴出口１２を多数配設した第１のラフ浮上領域ＭINが搭載される。真ん中のステージブロックＳＢBには、搬送方向（Ｘ方向）の両端部に専ら噴出口１２を多数配設した突き上げ浮上領域ＭP，ＭQが局所的に搭載されるとともに、それらの間に噴出口１２と吸引口１４とを混在して多数配設した精密浮上領域ＭCTが搭載される。また、右端の搬出用ステージブロックＳＢCには、専ら噴出口１２を多数配設した第２のラフ浮上領域ＭOUTが搭載される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板をステージ上で浮上搬送しながら基板上に処理液を塗布する浮上方式の塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のレジストノズルを相対的に走査して被処理基板上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法が多用されている。
【０００３】
このようなスピンレス塗布法の一形式として、たとえば特許文献１に開示されるように、ＦＰＤ用の矩形の被処理基板（たとえばガラス基板）を長めの浮上ステージ上で空中に浮かして水平な一方向（ステージ長手方向）に搬送し、搬送途中の塗布処理位置でステージ上方に設置した長尺形のレジストノズルよりレジスト液を帯状に吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布するようにした浮上方式が知られている。
【０００４】
このような浮上方式のレジスト塗布装置に用いられている浮上ステージは、そのステージ上面から垂直上方に高圧の気体（通常はエア）を噴き出し、その高圧エアの圧力によって基板を水平姿勢で浮かすようにしている。そして、浮上ステージの左右両側に配置されている直進運動型の搬送部が、浮上ステージ上で浮いている基板を着脱可能に保持してステージ長手方向に基板を搬送するようになっている。
【０００５】
浮上ステージの上面（浮上面）は、搬送方向に沿って搬入領域、塗布領域、搬出領域の３つに区画されている。塗布領域は、ここで基板上にレジスト液が供給される領域であり、長尺形レジストノズルは塗布領域の中心部の上方に配置される。塗布領域における浮上高はレジストノズルの下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間の塗布ギャップ（たとえば２００μｍ）を規定する。この塗布ギャップはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域のステージ上面には、高圧のエアを噴き出す噴出口に混在させて負圧で空気を吸い込む吸引口も多数設けられている。そして、基板の塗布領域を通過する部分に対して、噴出口から高圧エアによる垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することにより、所定の浮上高（通常３０〜６０μｍ）を大きな浮上剛性で安定に保つようにしている。
【０００６】
このように、塗布領域は、噴出口と吸引口とを多数混在させて基板を大きな浮上剛性が得られる精密な小さい浮上高で浮かせる精密浮上領域であり、単位面積当たりのコストは相当高くつく。もっとも、搬送方向における塗布領域のサイズは、レジストノズルの直下付近に上記のような狭い塗布ギャップを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板のサイズよりも小さくてよく、たとえば１／３〜１／１０程度でよい。
【０００７】
これに対して、搬入領域は基板の搬入と浮上搬送の開始が行われる領域であり、搬出領域は浮上搬送の終了と基板の搬出とが行われる領域である。搬入領域および搬出領域の浮上高は、特に高い精度を必要とせず、浮上剛性は小さくても構わないため、通常２００〜２０００μｍのラフな範囲内に保たれればよい。他方で、搬入領域および搬出領域は、搬送方向において基板を上回るサイズを有している。このことから、搬入領域および搬出領域には、専ら噴出口が一面に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２４４１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のような浮上方式のレジスト塗布装置は、他のＦＰＤ製造装置と同様に、装置メーカの製作工場で組み立てられて、最終試験と装置性能の確認を受ける。その後、レジスト塗布装置は、ハードウェア上の構成要素（ユニット、モジュール、サブアッセンブリ等）に分解される。そして、分解された構成要素が通常複数台のトラックまたはコンテナに分かれて納入先（ＦＰＤ製造工場）へ運び込まれ、装置稼働場所で再びレジスト塗布装置が組み立てられる。
【００１０】
ここで問題になっているのは、納入先で浮上ステージの搬入領域、塗布領域および搬出領域の各浮上面を同じ高さに揃える調整に多大な労力と時間が費やされているということである。
【００１１】
すなわち、レジスト塗布装置に用いられる浮上ステージは、その全長が基板の数倍あり、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用では５ｍを優に超えるものもある。このため、近年は、浮上ステージを搬入領域、塗布領域、搬出領域別に分離可能な３つのステージブロックに分割するのが常態となっており、それらのステージブロックをそれぞれ独立した架台に取り付け、１組のステージブロックおよび架台を１つの構成要素（サブアッセンブリ）にして分解・輸送し、納入先の設置場所では３組の架台およびステージブロックを一列に並べて浮上ステージを再び組み立てるようにしている。その際、各サブアッセンブリにおいて架台とステージブロックとの間に設けられているアジャスタを手動操作して、各ステージブロックの高さ位置を揃えるようにしている。
【００１２】
ところが、搬入領域および搬出領域の浮上高が２００〜２０００μｍであるのに対して、塗布領域の浮上高は３０〜６０μｍと１桁または２桁小さい。このため、搬入領域および搬出領域をそれぞれ搭載する両端のステージブロックと塗布領域を搭載する中間のステージブロックとの間では、高さ位置の差異または段差を数１０μｍ以下に抑えなければならない。より正確には、後述するように、搬入領域と塗布領域との間では前者（搬入領域）の浮上面が後者（塗布領域）の浮上面よりも高くなる場合の段差が許容度は小さく、その段差が塗布領域の浮上高（３０〜６０μｍ）を超えると基板がその段差部分を擦って損傷する可能性がある。また、塗布領域と搬出領域との間では後者（塗布領域）の浮上面が前者（搬入領域）の浮上面よりも高くなる場合の段差が許容度は小さく、その段差が塗布領域の浮上高を超えると基板がその段差部分に当たって損傷する可能性がある。
【００１３】
上記のような理由から、従来の浮上式レジスト塗布装置においては、納入先での装置再組み立て作業の中でステージブロックの高さ位置調整だけで丸１日かかることも珍しくはなく、現場関係者に大きな負担・不便をかけていた。
【００１４】
さらに、ステージブロックの高さ調整を行って各ステージブロックの高さ位置を揃えても、経時変化や他のメンテナンス等に起因してステージブロックの繋ぎ目に許容値を超える不所望な高さの段差（高低差）が生じることがある。このため、非常に面倒なステージブロック浮上面の高さ位置調整を定期的または随時頻繁に行うほかなかった。
【００１５】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、浮上高に対応した複数のステージブロックに分解可能な浮上ステージにおいてステージブロックの境界（繋ぎ目）にできる段差の許容度を大きくして浮上面の高さ位置調整作業を簡便に行えるようにするとともに、浮上式塗布処理の安全性および信頼性を改善する浮上式塗布装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の観点における浮上式塗布装置は、繋がって配置される物理的に分離可能な第１および第２のステージブロックにラフ浮上領域および精密浮上領域をそれぞれ搭載し、前記精密浮上領域ではその大部分の領域で基板を塗布処理に適した精密な第１の浮上高で空中に浮かし、前記ラフ浮上領域では前記基板を前記第１の浮上高よりも大きくてラフな第２の浮上高で空中に浮かせる浮上ステージと、前記基板を着脱可能に保持して前記ラフ浮上領域および前記精密浮上領域の順に前記浮上ステージの上を搬送する基板搬送部と、前記精密浮上領域内の所定位置で前記第１の浮上高で浮いている前記基板の被処理面に向けて塗布用の処理液を吐出する長尺型のノズルを有する処理液供給部とを有し、前記第２のステージブロックの前記第１のステージブロックと接触または近接する一端部に、前記精密浮上領域と隣接して前記第１の浮上高よりも一段高い第３の浮上高で前記基板を浮かせる突き上げ浮上領域を設ける。
【００１７】
上記の構成においては、第１および第２のステージブロックを繋いだときに、ラフ浮上領域側の第１のステージブロックに対して精密浮上領域側の第２のステージブロックが低くなるような望ましくない段差が両者の境界（繋ぎ目）に生じた場合、第１のステージブロックのラフ浮上領域上のラフ浮上高の方が第２のステージブロックの塗布領域上の精密浮上高に屈するように引き下げられるが、塗布領域の上流側隣に位置する突き上げ浮上領域上の突き上げ浮上高が精密浮上高に勝ってそれよりも一段高いので、段差が突き上げ浮上高を超える大きさでなければ基板は第１のステージブロックの後端角部を擦らずにその上を通り抜ける。このように、第２のステージブロックの始端部に、精密浮上高よりも一段高い突き上げ浮上高が得られる突き上げ浮上領域を設ける構成により、第１および第２のステージブロックの間に生じ得る不所望な段差の許容量を従来よりも一段大きくすることができる。
【００１８】
本発明の第２の観点における浮上式塗布装置は、繋がって配置される物理的に分離可能な第１および第２のステージブロックに精密浮上領域およびラフ浮上領域をそれぞれ搭載し、前記精密浮上領域ではその大部分の領域で基板を塗布処理に適した精密な第１の浮上高で空中に浮かし、前記ラフ浮上領域では前記基板を前記第１の浮上高よりも大きくてラフな第２の浮上高で空中に浮かせる浮上ステージと、前記基板を着脱可能に保持して前記精密浮上領域および前記ラフ浮上領域の順に前記浮上ステージの上を搬送する基板搬送部と、前記精密浮上領域内の所定位置で前記第１の浮上高で浮いている前記基板の被処理面に向けて塗布用の処理液を吐出する長尺型のノズルを有する処理液供給部とを有し、前記第１のステージブロックの前記第２のステージブロックと接触または近接する一端部に、前記精密浮上領域と隣接して前記第１の浮上高よりも一段高い第３の浮上高で前記基板を浮かせる突き上げ浮上領域を設ける。
【００１９】
上記の構成においては、第１および第２のステージブロックを繋いだときに、ラフ浮上領域側の第２のステージブロックに対して精密浮上領域側の第１のステージブロックが低くなるような望ましくない段差が両者の境界（繋ぎ目）に生じた場合、第２のステージブロックのラフ浮上領域上のラフ浮上高の方が第１のステージブロックの塗布領域上の精密浮上高に屈するように引き下げられるが、塗布領域の下流側隣に位置する突き上げ浮上領域上の突き上げ浮上高が精密浮上高に勝ってそれよりも一段高いので、段差が突き上げ浮上高を超える大きさでなければ基板は第２のステージブロックの始端角部に衝突せずにその上を通り抜ける。このように、第１のステージブロックの終端部に、精密浮上高よりも一段高い突き上げ浮上高が得られる突き上げ浮上領域を設ける構成により、第１および第２のステージブロックの間に生じ得る不所望な段差の許容量を従来よりも一段大きくすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の浮上式塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上ステージの組み立てまたは再組み立てにおいて、繋ぎ合わされるステージブロックの間で浮上面の高さ位置を揃える高さ位置調整の作業を簡便に短時間で済ますことができる。また、経時変化や他のメンテナンス等でステージブロックの境界（繋ぎ目）に望ましくない段差が生じても、その許容量が大きいので、再調整の頻度または回数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の浮上ステージ回りの構成を示す側面図である。
【図２】上記浮上ステージにおける各領域の区割りと浮上面の構成を示す平面図である。
【図３】上記浮上ステージを架台と一緒にサブアッセンブリ単位で分解した状態を示す側面図である。
【図４】上記レジスト塗布装置の全体構成を示す斜視図である。
【図５】上記レジスト塗布装置において基板上にレジスト塗布膜が形成される様子を示す図である。
【図６】比較例の浮上ステージにおける各領域の区割りを示す上面図である。
【図７】比較例における搬入用ステージブロックと塗布用ステージブロックとの繋ぎ目付近の浮上高プロファイルを示す図である。
【図８】比較例において搬入用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが高い段差がある場合の浮上搬送を示す図である。
【図９】比較例において搬入用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが低い段差がある場合の浮上搬送（問題点）を示す図である。
【図１０】実施形態における搬入用ステージブロックと塗布用ステージブロックとの繋ぎ目付近の浮上高プロファイルを示す図である。
【図１１】実施形態において搬入用ステージブロックに対して塗布用ステージブロック低い段差がある場合の浮上搬送（問題の解消）を示す図である。
【図１２】比較例において搬出用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが高い段差がある場合の浮上搬送を示す図である。
【図１３】比較例において搬出用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが低い段差がある場合の浮上搬送（問題点）を示す図である。
【図１４】実施形態における塗布用ステージブロックと搬出用ステージブロックとの繋ぎ目付近の浮上高プロファイルを示す図である。
【図１５】実施形態において搬入用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが低い段差がある場合の浮上搬送（問題の解消）を示す図である。
【図１６】一変形例による浮上ステージ上の各領域の区割りと浮上面の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２３】
図１〜図３に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の浮上ステージ回りの構成を示す。図１は浮上ステージの側面図、図２は浮上ステージの上面図、図３は分離された各組のサブアッセンブリ（ステージブロック／架台）を示す側面図である。
【００２４】
このレジスト塗布装置は、たとえばＬＣＤ用の矩形のガラス基板Ｇを被処理基板とし、基板Ｇの数倍の長さを有する長方体形状の浮上ステージ１０を有している。この浮上ステージ１０は、搬送方向となるステージ長手方向（Ｘ方向）に沿って物理的に分離可能な３つのステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCに分割されている。浮上ステージ１０は、ステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCの各繋ぎ目（境界）が実質的に隙間の無い接触状態となるように組み立てられる。
【００２５】
図２に示すように、搬送方向において最も上流側に配置される左端のステージブロックＳＢAには、専ら噴出口１２を一定の密度または配置パターンで多数配設した搬入領域（第１のラフ浮上領域）ＭINが搭載されている。真ん中のステージブロックＳＢBには、搬送方向（Ｘ方向）の両端部に専ら噴出口１２を一定の密度または配置パターンで多数配設した基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQが局所的に搭載されるとともに、それら両端部の局所領域ＭP，ＭQの間に噴出口１２と吸引口１４とを一定の密度または配置パターンで混在して多数配設した塗布領域（精密浮上領域）ＭCTが搭載されている。また、最も下流側（最後尾）に配置される右端のステージブロックＳＢCには、専ら噴出口１２を一定の密度または配置パターンで多数配設した搬出領域（第２のラフ浮上領域）ＭOUTが搭載されている。
【００２６】
入口側の左端のステージブロックＳＢAは、独立して移動可能および輸送可能な架台ＦＬAの上に多数の支柱１８を介して取り付けられている。各支柱１８の下端部には、手動式のアジャスタ（高さ位置調整部）２０が設けられている。これらのアジャスタ２０を手で操作して、ステージブロックＳＢAの浮上面の高さ位置および水平度を調整できるようになっている。
【００２７】
中間のステージブロックＳＢBは、独立して移動可能および輸送可能な架台ＦＬBの上に多数の支柱２２を介してそれぞれ取り付けられている。各支柱２２の下端部には、手動式のアジャスタ２４がそれぞれ設けられている。これらのアジャスタ２４を手で操作して、ステージブロックＳＢBの浮上面の高さ位置および水平度をそれぞれ調整できるようになっている。
【００２８】
出口側のステージブロックＳＢCは、独立して移動可能および輸送可能な架台ＦＬCの上に多数の支柱２６を介して取り付けられており、各支柱２６の下端部には手動式のアジャスタ２８が設けられている。これらのアジャスタ２８を手で操作して、ステージブロックＳＢCの浮上面の高さ位置および水平度を調整できるようになっている。
【００２９】
搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTを搭載するステージブロックＳＢA，ＳＢCの裏面（下面）には、高圧エア導入口３０，３２がそれぞれ取り付けられている。これらの高圧エア導入口３０，３２は、高圧エア供給管３４を介して高圧エア供給部３６に接続される。各ステージブロックＳＢA，ＳＢCの内部には、高圧エア供給部３６より供給される高圧エアを搬入領域ＭINまたは搬出領域ＭOUT内の各噴出口１２に均一な圧力で分配するためのマニホールドおよびガス通路（図示せず）等が設けられている。
【００３０】
塗布領域ＭCTを搭載するステージブロックＳＢBの裏面（下面）には、高圧エア導入口３８とバキューム導入口４０が取り付けられている。高圧エア導入口３８は高圧エア供給管３４を介して高圧エア供給部３６に接続される。バキューム導入口４０は、バキューム管４２を介してバキューム装置４４に接続される。ステージブロックＳＢBの内部には、高圧エア供給部４８より供給される高圧エアを塗布領域ＭCT内の噴出口１２に均一な圧力で分配するためのマニホールドおよびガス通路（図示せず）等と、バキューム装置４４より供給される負圧吸引力を塗布領域ＭCT内の各吸引口１４に均一な圧力で分配するためのマニホールドおよびガス通路（図示せず）等が設けられている。
【００３１】
架台ＦＬA，ＦＬB，ＦＬCは、たとえばステンレス鋼製のフレームまたは本体４６，４８，５０と脚部５２，５４，５６とをそれぞれ有しており、ステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCをこの順序で繋ぎ合わせるようにして、床面５８に一列に並んで配置される。長尺型のレジストノズル６０は、ステージブロックＳＢBの中心部の真上に配置される。
【００３２】
このレジスト塗布装置を製作する装置メーカの工場では、浮上ステージ１０を図１に示すような状態に組み立てて、装置の最終試験および性能確認が行われる。この最終試験に先立ち、架台ＦＬA，ＦＬB，ＦＬC上でアジャスタ２０，２４，２８の手動操作によりステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCの高さ調整がそれぞれ行われる。この実施形態においては、後に詳しく述べるように、塗布用ステージブロックＳＢBの搬送方向（Ｘ方向）の両端部に基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQを搭載する構成により、ステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCの高さ位置調整を従来よりも簡便かつ短時間に済ませられるようになっている。
【００３３】
装置最終試験および性能確認が済むと、このレジスト塗布装置は、ハードウェア上の構成要素（ユニット、モジュール、サブアッセンブリ等）に分解される。その場合、浮上ステージ１０は、図３に示すように、ステージブロックＳＢAと架台ＦＬAとが第１組のサブアッセンブリＪA，ステージブロックＳＢBと架台ＦＬBとが第２組のサブアッセンブリＪB，ステージブロックＳＢCと架台ＦＬCとが第３組のサブアッセンブリＪCとなって分解される。
【００３４】
これら３つのサブアッセンブリＪA，ＪB，ＪCは通常複数台のトラックまたはコンテナに分かれて納入先（ＬＣＤ製造工場）まで輸送される。そして、納入先の装置稼働場所の床上にこれら３つのサブアッセンブリＪA，ＪB，ＪCが一列に並べられて、浮上ステージ１０が再び組み立てられる。
【００３５】
この浮上ステージ１０の再組み立て作業においても、上記と同じ理由により、ステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCの高さ調整を簡便かつ短時間で行うことができる。このことによって、本レジスト塗布装置を速やかにスタートアップさせることができる。
【００３６】
次に、図４および図５につき、この実施形態におけるレジスト塗布装置の全体構成と作用を説明する。
【００３７】
図４に示すように、浮上ステージ１０の左右両側には直進運動型の第１（左側）および第２（右側）の搬送部６４Ｌ，６４Ｒが配置されている。これらの搬送部６４Ｌ，６４Ｒは、各々単独で、あるいは両者協働して、ステージ１０上で浮いている基板Ｇを着脱可能に保持してステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。浮上ステージ１００上で基板Ｇは、その一対の辺が搬送方向（Ｘ方向）と平行で、他の一対の辺が搬送方向と直交するような水平姿勢をとって、浮上搬送される。
【００３８】
第１（左側）および第２（右側）の搬送部６４Ｌ，６４Ｒは、浮上ステージ１０の左右両側に平行に配置された第１および第２のガイドレール６６Ｌ，６６Ｒと、これらのガイドレール６６Ｌ，６６Ｒ上で搬送方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられた第１および第２のスライダ６８Ｌ，６８Ｒと、両ガイドレール１６６Ｌ，６６Ｒ上で両スライダ６８Ｌ，６８Ｌを同時または個別に直進移動させる第１および第２の搬送駆動部（図示せず）と、基板Ｇを着脱可能に保持するために両スライダ６８Ｌ，６８Ｒに搭載されている第１および第２の保持部７０Ｌ，７０Ｒとをそれぞれ有している。各搬送駆動部は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。
【００３９】
第１（左側）の保持部７０Ｌは、基板Ｇの左側二隅の裏面（下面）にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド７２Ｌと、各吸着パッド７２Ｌを搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部７４Ｌと、これら複数個のパッド支持部７４Ｌをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ７６Ｌとを有している。
【００４０】
第２（右側）の保持部７０Ｒは、基板Ｇの左側二隅の裏面（下面）にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド７２Ｒと、各吸着パッド７２Ｒを搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部７４Ｒと、これら複数個のパッド支持部７４Ｒをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ７６Ｒとを有している。
【００４１】
左右両側の各吸着パッド７２Ｌ，７２Ｒは、図示省略するが、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる直方体形状のパッド本体の上面に複数個の吸引口を設けている。それらの吸引口はパッド本体内のバキューム通路および外部のバキューム管を介してパッド吸着制御部の真空源（図示せず）にそれぞれ通じている。
【００４２】
浮上ステージ１０において、このレジスト塗布装置でレジスト塗布処理を受けるべき新規の被処理基板Ｇは、たとえば搬送方向上流側に設置されているソーターユニット（図示せず）から平流しで搬入領域ＭINに搬入される。
【００４３】
搬入領域ＭINは、基板Ｇの浮上搬送が開始される領域でもあり、この領域内には上述したように基板Ｇを比較的大きくてラフな浮上高Ｈβ（標準値：２００〜２０００μｍ）で浮かせるために高圧エアを噴き出す噴出口１２が一定の密度または配置パターンで多数設けられている。なお、搬入領域ＭINには、基板Ｇをステージ１０上で位置合わせするためのアライメント機構（図示せず）が設けられることもある。
【００４４】
浮上ステージ１０の長手方向中心部に設定された塗布領域ＭCTはレジスト液供給領域であり、基板Ｇはこの塗布領域ＭCTを通過する際に上方のレジストノズル６０からレジスト液Ｒの供給を受ける。上述したように、塗布領域ＭCT内には、基板Ｇを浮上剛性の大きな精密浮上高Ｈα（標準値：３０〜６０μｍ）で安定に浮かせるために、高圧エアを噴き出す噴出口１２と負圧で空気を吸い込む吸引口１４とを一定の密度または配置パターンで混在させて設けている。
【００４５】
塗布領域ＭCTの下流側に位置する浮上ステージ１０の他端の搬出領域ＭOUTは、基板Ｇの浮上搬送が終了する領域である。塗布領域ＭCTで塗布処理を受けた基板Ｇは、搬出領域ＭOUTからたとえば平流しで下流側隣りのソーターユニット（図示せず）を経由して減圧乾燥ユニット（図示せず）へ移送される。この搬出領域ＭOURには、基板Ｇを比較的大きくてラフな浮上高Ｈβ（標準値：２００〜２０００μｍ）で浮かせるための噴出口１２が一定の密度または配置パターンで多数設けられている。
【００４６】
レジストノズル６０は、その長手方向（Ｙ方向）で浮上ステージ１０上の基板Ｇを一端から他端までカバーできるスリット状の吐出口６０ａを有し、門形または逆さコ字形のフレーム（図示せず）に取り付けられ、たとえばボールネジ機構を有するノズル昇降部（図示せず）の駆動で昇降移動可能であり、レジスト液供給部（図示せず）からのレジスト液供給管６２に接続されている。
【００４７】
このレジスト塗布装置におけるレジスト塗布処理では、基板Ｇが浮上搬送によって浮上ステージ１０の上を搬入領域ＭIN、塗布領域ＭCTおよび搬入領域ＭINの順に浮上高を変えながら移動する。その際、図５に示すように、基板Ｇが塗布領域ＭCTを精密浮上高Ｈαで通過する間に上方のレジストノズル６０より帯状に供給されるレジスト液Ｒが基板Ｇ上で均一に塗布され、基板Ｇの前端から後端に向かってレジスト液Ｒの塗布膜ＲＭが一定の膜厚で形成される。
【００４８】
次に、この実施形態における特有の作用、つまりステージブロックＳＢBの搬送方向（Ｘ方向）の両端部に塗布領域ＭCTと隣接して基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQを搭載する構成に基づく作用を説明する。
【００４９】
先ず、従来技術に相当する比較例として、図６に示すように、塗布領域ＭCTだけを搭載し、基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQを搭載しない構成（ステージブロックＳＢB'とする）の作用とその問題点を説明する。
【００５０】
この場合、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入用ステージブロックＳＢAの下流側でも搬入領域ＭINがそのまま続くと仮定すると、図７の（ａ）に示すように、基板Ｇはラフ浮上高Ｈβの標準値を保ったままステージブロックＳＢAを後にする。一方、塗布用ステージブロックＳＢB'の上流側でも塗布領域ＭCTが延在していると仮定すると、図７の（ｂ）に示すように、基板Ｇは既に精密浮上高Ｈαの標準値を保った状態でステージブロックＳＢB'の上に進入してくる。
【００５１】
そこで、ステージブロックＳＢAとステージブロックＳＢB'とを繋ぐと、搬送方向（Ｘ方向）における基板Ｇの浮上高のプロファイルは図７の（ｃ）に示すようになる。すなわち、ステージブロックＳＢAの搬入領域ＭINでは、基板Ｇを噴出口１２からの高圧エアにより浮かすだけでよく、ラフ浮上高Ｈβはサイズ的には大きくても浮上剛性は非常に小さい。これに対して、ステージブロックＳＢB'の塗布領域（精密浮上領域）ＭCTでは、噴出口１２からの高圧エアによる垂直上向きの力と吸引口１４からの負圧吸引力による垂直下向きの力とを相対抗させ、そのバランスを制御して小さな精密浮上高Ｈαを安定に保つようにしており、浮上剛性が非常に大きい。このため、搬入用ステージブロックＳＢA上のラフ浮上高Ｈβは、その標準値の大きさに関係なく塗布用ステージブロックＳＢB'上の精密浮上高Ｈαに屈するようにして、両ステージブロックＳＢA，ＳＢB'の境界（繋ぎ目）よりも上流側の位置で精密浮上高Ｈαと同じ高さまで引き下げられる。こうして、両ステージブロックＳＢA，ＳＢB'の境界（繋ぎ目）付近の浮上高ＨPは精密浮上高Ｈαに左右され、通常はＨP＝Ｈαとなる。
【００５２】
ここで、両ステージブロックＳＢA，ＳＢB'の境界（繋ぎ目）に段差または高低差δＨがある場合を考える。この段差δＨには、搬入用ステージブロックＳＢAの浮上面に対して塗布用ステージブロックＳＢB'の浮上面が高くなる場合（ＳＢA＜ＳＢB'）と低くなる場合（ＳＢA＞ＳＢB'）の二通りがある。
【００５３】
ＳＢA＜ＳＢB'となる段差δＨが生じた場合は、上記のように搬入用ステージブロックＳＢA上のラフ浮上高Ｈβの方が塗布用ステージブロックＳＢB'上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられても、図８に示すように、基板Ｇは両ステージブロックＳＢA，ＳＢB'のいずれとも当たったり擦ったりすることはなく、段差δＨが極端に大きくなければ（たとえば１０００μｍ以上でなければ）両ブロックＳＢA，ＳＢB'を通じて浮上搬送に何の支障も生じない。
【００５４】
しかし、ＳＢA＞ＳＢB'となる段差δＨが生じた場合は、搬入用ステージブロックＳＢA上のラフ浮上高Ｈβが塗布用ステージブロックＳＢB'上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられることにより、段差δＨが精密浮上高Ｈα（３０〜６０μｍ）を超えるときは、図９に示すように、基板Ｇは搬入用ステージブロックＳＢAの後端の角部ＫPを擦る。そうなると、基板Ｇが損傷し、破損したり割れることもある。この場合、基板Ｇの前端は角部ＫPを擦らずにその上を通過するが、基板Ｇの塗布領域（精密浮上領域）ＭCTの中へ進むにしたがって、基板Ｇの前端部が精密浮上高Ｈαに向かってＧ(1)→Ｇ(2)→Ｇ(3)→Ｇ(4)と徐々に下がり、その過程で基板Ｇの裏面が搬入用ステージブロックＳＢAの後端角部ＫPに摺接する。
【００５５】
これに対して、この実施形態においては、塗布用ステージブロックＳＢBの始端部に基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭPが設けられる。この領域ＭPは、図１０に示すように、その下流側隣りに浮上剛性の非常に大きな塗布領域（精密浮上領域）ＭCTが在るにも拘わらず、精密浮上高Ｈα（３０〜６０μｍ）に抗してそれより一段高い（たとえば１２０μｍ程度の）第３の浮上高つまり突き上げ浮上高ＨPが得られるようにしている。そのために、この領域ＭPにおいては、専ら噴出口１２のみを配置するレイアウト（図２）が採られ、さらには相当強めの噴出圧力、つまり塗布領域ＭCT上の噴出圧力よりも高く、かつ搬入用ステージブロックＳＢA上の噴出圧力よりも高い噴出圧力が設定されている。
【００５６】
この実施形態において、搬入用ステージブロックＳＢAと塗布用ステージブロックＳＢBとを繋いだときに、両ステージブロックＳＢA，ＳＢBの境界（繋ぎ目）にＳＢA＞ＳＢBとなる段差δＨが生じたとする。この場合、搬入用ステージブロックＳＢA上のラフ浮上高Ｈβの方が塗布用ステージブロックＳＢBの塗布領域ＭCT上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられるが、図１１に示すように、塗布領域ＭCTより手前の基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP上の突き上げ浮上高ＨPが精密浮上高Ｈαに勝ってそれよりも一段高いので、段差δＨが突き上げ浮上高ＨPを超える大きさでなければ基板Ｇは搬入用ステージブロックＳＢAの後端角部ＫPを擦らずにその上を通り抜ける。
【００５７】
なお、両ステージブロックＳＢA，ＳＢBの境界（繋ぎ目）にＳＢA＜ＳＢBとなる段差δＨが生じた場合は、基本的には図８に似通ったプロファイルになり、基板Ｇは両ステージブロックＳＢA，ＳＢBのいずれとも当たったり擦ったりすることはなく、段差δＨが極端に大きくなければ（たとえば１０００μｍ以上でなければ）両ステージブロックＳＢA，ＳＢB上の浮上搬送には何の支障も生じない。
【００５８】
このように、この実施形態によれば、塗布用ステージブロックＳＢBの始端部に、精密浮上高Ｈαよりも一段（たとえば２倍程度）高い突き上げ浮上高ＨPが得られる基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭPを設ける構成により、搬入用ステージブロックＳＢAと塗布用ステージブロックＳＢBとの間に生じ得る段差δＨの許容量を従来よりも一段（たとえば約２倍）大きくすることができる。これによって、浮上ステージ１０の組み立てまたは再組み立てにおいて、搬入用ステージブロックＳＢAと塗布用ステージブロックＳＢBとの間で浮上面の高さ位置を揃える高さ位置調整の作業を簡便に短時間で済ますことができる。また、経時変化や他のメンテナンス等で両ステージブロックＳＢA，ＳＢBの間にＳＢA＞ＳＢBとなる望ましくない段差δＨが生じても、δＨの許容量が大きいので、再調整の頻度または回数を減らすことができる。
【００５９】
さらに、この実施形態では、塗布用ステージブロックＳＢBと搬出用ステージブロックＳＢCとの間でも従来技術の問題点を解消できる。すなわち、従来技術に相当する比較例においては、塗布用ステージブロックＳＢB'と搬出用ステージブロックＳＢCとの間で、搬出用ステージブロックＳＢC上の浮上剛性の小さいラフ浮上高Ｈβがその標準値の大きさに関係なく塗布用ステージブロックＳＢB'上の浮上剛性の大きい精密浮上高Ｈαに屈する形で、両ステージブロックＳＢB'， ＳＢCの境界（繋ぎ目）よりも下流側の位置で精密浮上高Ｈαと同じ高さまで引き下げられる。これによって、両ブロックＳＢB'， ＳＢCの境界（繋ぎ目）付近の浮上高ＨQは精密浮上高Ｈαに左右され、通常はＨQ＝Ｈαとなる。
【００６０】
両ステージブロックＳＢB'， ＳＢCを繋いだときに、ＳＢB'＞ ＳＢCとなる段差δＨが生じた場合は、搬出用ステージブロックＳＢC上のラフ浮上高Ｈβの方が塗布用ステージブロックＳＢB'上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられても、図１２に示すように、基板Ｇは両ステージブロックＳＢB'，ＳＢCのいずれとも当たったり擦ったりすることはなく、段差δＨが極端に大きくなければ（たとえば１０００μｍ以上でなければ）両ブロックＳＢB' ，ＳＢCを通じて浮上搬送に何の支障も生じない。
【００６１】
しかし、ＳＢB' ＜ＳＢCとなる段差δＨが生じた場合は、搬出用ステージブロックＳＢC上の浮上高が塗布用ステージブロックＳＢB'の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられることにより、段差δＨが精密浮上高Ｈα（３０〜６０μｍ）を超えるときは、図１３に示すように、基板Ｇは搬出用ステージブロックＳＢCの始端の角部ＫQに衝突する。そうなると、基板Ｇが損傷し、割れたりすることがある。この場合、基板Ｇの前端部分は角部ＫQの上方を通過した後にラフ浮上高Ｈβに向かってＧ(1)→Ｇ(2)→Ｇ(3)→Ｇ(4)と徐々に浮上高を上げていくが、その上がる前に基板Ｇの前端が搬出用ステージブロックＳＢCの始端角部ＫQに正面衝突する。
【００６２】
これに対して、この実施形態においては、塗布用ステージブロックＳＢBの終端部に基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQが設けられている。この領域ＭQは、図１４に示すように、その上流側隣りに浮上剛性の非常に大きな塗布領域（精密浮上領域）ＭCTが在るにも拘わらず、精密浮上高Ｈα（３０〜６０μｍ）に抗してそれより一段高い（たとえば１２０μｍ程度の）第３の浮上高つまり突き上げ浮上高ＨQが得られるようにしている。そのために、この領域ＭQにおいては、専ら噴出口１２のみを配置するレイアウト（図２）が採られ、さらには相当強めの噴出圧力、つまり塗布領域ＭCT上の噴出圧力よりも高く、かつ搬出用ステージブロックＳＢC上の噴出圧力よりも高い噴出圧力が設定されている。
【００６３】
この実施形態において、塗布用ステージブロックＳＢBと搬出用ステージブロックＳＢCとを繋いだときに、両ステージブロックＳＢB，ＳＢCの境界（繋ぎ目）にＳＢB＜ＳＢCとなる段差δＨが生じたとする。この場合、搬出用ステージブロックＳＢC上のラフ浮上高Ｈβが塗布用ステージブロックＳＢBの塗布領域ＭCT上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられるが、図１５に示すように、塗布領域ＭCTに下流側に隣接する基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQ上の突き上げ浮上高ＨQが精密浮上高Ｈαに勝ってそれよりも一段高いので、段差δＨが突き上げ浮上高ＨQを超える大きさでなければ基板Ｇは搬出用ステージブロックＳＢCの始端角部ＫQに衝突せずにその上を通り抜ける。
【００６４】
なお、両ステージブロックＳＢB，ＳＢCの境界（繋ぎ目）にＳＢB＞ＳＢCとなる段差δＨが生じた場合は、基本的には図１２に似通ったプロファイルになり、基板Ｇは両ステージブロックＳＢB，ＳＢCのいずれとも当たったり擦ったりすることはなく、段差δＨが極端に大きくなければ（たとえば１０００μｍ以上でなければ）両ステージブロックＳＢB，ＳＢC上の浮上搬送には何の支障も生じない。
【００６５】
このように、この実施形態によれば、塗布用ステージブロックＳＢBの終端部に、精密浮上高Ｈαよりも一段（たとえば２倍程度）高い突き上げ浮上高ＨQが得られる基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQを設ける構成により、塗布用ステージブロックＳＢBと搬出用ステージブロックＳＢCとの間に生じ得る段差δＨの許容量を従来よりも一段（たとえば約２倍）大きくすることができる。これによって、浮上ステージ１０の組み立てまたは再組み立てにおいて、塗布用ステージブロックＳＢBと搬出用ステージブロックＳＢCとの間で浮上面の高さ位置を揃える高さ位置調整の作業を簡便に短時間で済ますことができる。また、経時変化や他のメンテナンス等で両ステージブロックＳＢB，ＳＢCの間にＳＢB＜ＳＢCとなる望ましくない段差δＨが生じても、δＨの許容量が大きいので、再調整の頻度または回数を減らすことができる。
［他の実施形態または変形例］
【００６６】
以上、本発明の好適な一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形が可能である。
【００６７】
たとえば、基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQにおける浮上面の構成に関して、図２に示す構成例では各領域ＭP，ＭQに噴出口１２を１列配置しているが、噴出口１２を複数列配置してもよい。
【００６８】
あるいは、図１６に示すように、各領域ＭP，ＭQ内に噴出口１２と吸引口１４とを混在させて、噴出圧力と吸引圧力とのバランスを制御して所望の突き上げ浮上高ＨP，ＨQを実現することも可能である。この場合、各領域ＭP，ＭQにおける高圧ガスの消費量は増えることになるが、突き上げ浮上高ＨP，ＨQの浮上剛性ないし安定度を高めることができる。加えて、従来の塗布領域ＭCTに含まれていた噴出口１２および吸引口１４のハードウェアをそのまま基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQに使用することもできる。
【００６９】
また、上記実施形態では、浮上ステージ１０を搬入領域ＭIN、塗布領域ＭCT、搬出領域ＭOUT毎に物理的に分離可能な３つのステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCに分割した。しかし、浮上ステージ１０を物理的に分離可能な２つのステージブロックＳＢA，ＳＢDに分割し、前段のステージブロックＳＢAに搬入領域ＭINを搭載し、後段のステージブロックＳＢDに塗布領域ＭCTおよび搬出領域ＭOUTを一体的に搭載する構成も可能である。この場合は、塗布領域ＭCTの上流側隣りに基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭPを設けるだけでよく、下流側隣りの基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQが不要になる。
【００７０】
あるいは、浮上ステージ１０を物理的に分離可能な２つのステージブロックＳＢE，ＳＢCに分割して、前段のステージブロックＳＢEに搬入領域ＭINおよび塗布領域ＭCTを一体的に搭載し、後段のステージブロックＳＢCに搬出領域ＭOUTを搭載する構成も可能である。この場合は、塗布領域ＭCTの下流側隣りに基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQを設けるだけでよく、上流隣りの基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭPが不要になる。
【００７１】
上述した実施形態における第１の浮上高（精密浮上高）Ｈα、第２の浮上高（ラフ浮上高）Ｈβ、第３の浮上高（突き上げ浮上高）ＨP，ＨQの各値は一例であり、塗布処理の仕様等に応じて種種の値を採ることができる。
また、塗布品質に影響しない（たとえば塗布ムラを起こさない）限りで、搬入用ステージブロックＳＢAの後端角部ＫPおよび／または搬出用ステージブロックＳＢCの始端角部ＫQを面取り加工してもよい。
【００７２】
上記した実施形態はＬＣＤ製造用のレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を塗布する任意の塗布装置に適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１０ 浮上ステージ
１２ 噴出口
１４ 吸引口
６０ 長尺型レジストノズル
６４Ｌ，６４Ｒ 搬送部
ＳＢA 搬入用ステージブロック
ＳＢB 塗布用ステージブロック
ＳＢC 搬出用ステージブロック
ＭIN 搬入領域
ＭCT 塗布領域
ＭOUT 搬出領域
ＭP，ＭQ 基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板をステージ上で浮上搬送しながら基板上に処理液を塗布する浮上方式の塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のレジストノズルを相対的に走査して被処理基板上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法が多用されている。
【０００３】
このようなスピンレス塗布法の一形式として、たとえば特許文献１に開示されるように、ＦＰＤ用の矩形の被処理基板（たとえばガラス基板）を長めの浮上ステージ上で空中に浮かして水平な一方向（ステージ長手方向）に搬送し、搬送途中の塗布処理位置でステージ上方に設置した長尺形のレジストノズルよりレジスト液を帯状に吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布するようにした浮上方式が知られている。
【０００４】
このような浮上方式のレジスト塗布装置に用いられている浮上ステージは、そのステージ上面から垂直上方に高圧の気体（通常はエア）を噴き出し、その高圧エアの圧力によって基板を水平姿勢で浮かすようにしている。そして、浮上ステージの左右両側に配置されている直進運動型の搬送部が、浮上ステージ上で浮いている基板を着脱可能に保持してステージ長手方向に基板を搬送するようになっている。
【０００５】
浮上ステージの上面（浮上面）は、搬送方向に沿って搬入領域、塗布領域、搬出領域の３つに区画されている。塗布領域は、ここで基板上にレジスト液が供給される領域であり、長尺形レジストノズルは塗布領域の中心部の上方に配置される。塗布領域における浮上高はレジストノズルの下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間の塗布ギャップ（たとえば２００μｍ）を規定する。この塗布ギャップはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域のステージ上面には、高圧のエアを噴き出す噴出口に混在させて負圧で空気を吸い込む吸引口も多数設けられている。そして、基板の塗布領域を通過する部分に対して、噴出口から高圧エアによる垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することにより、所定の浮上高（通常３０〜６０μｍ）を大きな浮上剛性で安定に保つようにしている。
【０００６】
このように、塗布領域は、噴出口と吸引口とを多数混在させて基板を大きな浮上剛性が得られる精密な小さい浮上高で浮かせる精密浮上領域であり、単位面積当たりのコストは相当高くつく。もっとも、搬送方向における塗布領域のサイズは、レジストノズルの直下付近に上記のような狭い塗布ギャップを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板のサイズよりも小さくてよく、たとえば１／３〜１／１０程度でよい。
【０００７】
これに対して、搬入領域は基板の搬入と浮上搬送の開始が行われる領域であり、搬出領域は浮上搬送の終了と基板の搬出とが行われる領域である。搬入領域および搬出領域の浮上高は、特に高い精度を必要とせず、浮上剛性は小さくても構わないため、通常２００〜２０００μｍのラフな範囲内に保たれればよい。他方で、搬入領域および搬出領域は、搬送方向において基板を上回るサイズを有している。このことから、搬入領域および搬出領域には、専ら噴出口が一面に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２４４１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のような浮上方式のレジスト塗布装置は、他のＦＰＤ製造装置と同様に、装置メーカの製作工場で組み立てられて、最終試験と装置性能の確認を受ける。その後、レジスト塗布装置は、ハードウェア上の構成要素（ユニット、モジュール、サブアッセンブリ等）に分解される。そして、分解された構成要素が通常複数台のトラックまたはコンテナに分かれて納入先（ＦＰＤ製造工場）へ運び込まれ、装置稼働場所で再びレジスト塗布装置が組み立てられる。
【００１０】
ここで問題になっているのは、納入先で浮上ステージの搬入領域、塗布領域および搬出領域の各浮上面を同じ高さに揃える調整に多大な労力と時間が費やされているということである。
【００１１】
すなわち、レジスト塗布装置に用いられる浮上ステージは、その全長が基板の数倍あり、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用では５ｍを優に超えるものもある。このため、近年は、浮上ステージを搬入領域、塗布領域、搬出領域別に分離可能な３つのステージブロックに分割するのが常態となっており、それらのステージブロックをそれぞれ独立した架台に取り付け、１組のステージブロックおよび架台を１つの構成要素（サブアッセンブリ）にして分解・輸送し、納入先の設置場所では３組の架台およびステージブロックを一列に並べて浮上ステージを再び組み立てるようにしている。その際、各サブアッセンブリにおいて架台とステージブロックとの間に設けられているアジャスタを手動操作して、各ステージブロックの高さ位置を揃えるようにしている。
【００１２】
ところが、搬入領域および搬出領域の浮上高が２００〜２０００μｍであるのに対して、塗布領域の浮上高は３０〜６０μｍと１桁または２桁小さい。このため、搬入領域および搬出領域をそれぞれ搭載する両端のステージブロックと塗布領域を搭載する中間のステージブロックとの間では、高さ位置の差異または段差を数１０μｍ以下に抑えなければならない。より正確には、後述するように、搬入領域と塗布領域との間では前者（搬入領域）の浮上面が後者（塗布領域）の浮上面よりも高くなる場合の段差が許容度は小さく、その段差が塗布領域の浮上高（３０〜６０μｍ）を超えると基板がその段差部分を擦って損傷する可能性がある。また、塗布領域と搬出領域との間では後者（塗布領域）の浮上面が前者（搬入領域）の浮上面よりも高くなる場合の段差が許容度は小さく、その段差が塗布領域の浮上高を超えると基板がその段差部分に当たって損傷する可能性がある。
【００１３】
上記のような理由から、従来の浮上式レジスト塗布装置においては、納入先での装置再組み立て作業の中でステージブロックの高さ位置調整だけで丸１日かかることも珍しくはなく、現場関係者に大きな負担・不便をかけていた。
【００１４】
さらに、ステージブロックの高さ調整を行って各ステージブロックの高さ位置を揃えても、経時変化や他のメンテナンス等に起因してステージブロックの繋ぎ目に許容値を超える不所望な高さの段差（高低差）が生じることがある。このため、非常に面倒なステージブロック浮上面の高さ位置調整を定期的または随時頻繁に行うほかなかった。
【００１５】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、浮上高に対応した複数のステージブロックに分解可能な浮上ステージにおいてステージブロックの境界（繋ぎ目）にできる段差の許容度を大きくして浮上面の高さ位置調整作業を簡便に行えるようにするとともに、浮上式塗布処理の安全性および信頼性を改善する浮上式塗布装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の観点における浮上式塗布装置は、繋がって配置される物理的に分離可能な第１および第２のステージブロックにラフ浮上領域および精密浮上領域をそれぞれ搭載し、前記精密浮上領域ではその大部分の領域で基板を塗布処理に適した精密な第１の浮上高で空中に浮かし、前記ラフ浮上領域では前記基板を前記第１の浮上高よりも大きくてラフな第２の浮上高で空中に浮かせる浮上ステージと、前記基板を着脱可能に保持して前記ラフ浮上領域および前記精密浮上領域の順に前記浮上ステージの上を搬送する基板搬送部と、前記精密浮上領域内の所定位置で前記第１の浮上高で浮いている前記基板の被処理面に向けて塗布用の処理液を吐出する長尺型のノズルを有する処理液供給部とを有し、前記第２のステージブロックの前記第１のステージブロックと接触または近接する一端部に、前記精密浮上領域と隣接して前記第１の浮上高よりも一段高い第３の浮上高で前記基板を浮かせる突き上げ浮上領域を設ける。
【００１７】
上記の構成においては、第１および第２のステージブロックを繋いだときに、ラフ浮上領域側の第１のステージブロックに対して精密浮上領域側の第２のステージブロックが低くなるような望ましくない段差が両者の境界（繋ぎ目）に生じた場合、第１のステージブロックのラフ浮上領域上のラフ浮上高の方が第２のステージブロックの塗布領域上の精密浮上高に屈するように引き下げられるが、塗布領域の上流側隣に位置する突き上げ浮上領域上の突き上げ浮上高が精密浮上高に勝ってそれよりも一段高いので、段差が突き上げ浮上高を超える大きさでなければ基板は第１のステージブロックの後端角部を擦らずにその上を通り抜ける。このように、第２のステージブロックの始端部に、精密浮上高よりも一段高い突き上げ浮上高が得られる突き上げ浮上領域を設ける構成により、第１および第２のステージブロックの間に生じ得る不所望な段差の許容量を従来よりも一段大きくすることができる。
【００１８】
本発明の第２の観点における浮上式塗布装置は、繋がって配置される物理的に分離可能な第１および第２のステージブロックに精密浮上領域およびラフ浮上領域をそれぞれ搭載し、前記精密浮上領域ではその大部分の領域で基板を塗布処理に適した精密な第１の浮上高で空中に浮かし、前記ラフ浮上領域では前記基板を前記第１の浮上高よりも大きくてラフな第２の浮上高で空中に浮かせる浮上ステージと、前記基板を着脱可能に保持して前記精密浮上領域および前記ラフ浮上領域の順に前記浮上ステージの上を搬送する基板搬送部と、前記精密浮上領域内の所定位置で前記第１の浮上高で浮いている前記基板の被処理面に向けて塗布用の処理液を吐出する長尺型のノズルを有する処理液供給部とを有し、前記第１のステージブロックの前記第２のステージブロックと接触または近接する一端部に、前記精密浮上領域と隣接して前記第１の浮上高よりも一段高い第３の浮上高で前記基板を浮かせる突き上げ浮上領域を設ける。
【００１９】
上記の構成においては、第１および第２のステージブロックを繋いだときに、ラフ浮上領域側の第２のステージブロックに対して精密浮上領域側の第１のステージブロックが低くなるような望ましくない段差が両者の境界（繋ぎ目）に生じた場合、第２のステージブロックのラフ浮上領域上のラフ浮上高の方が第１のステージブロックの塗布領域上の精密浮上高に屈するように引き下げられるが、塗布領域の下流側隣に位置する突き上げ浮上領域上の突き上げ浮上高が精密浮上高に勝ってそれよりも一段高いので、段差が突き上げ浮上高を超える大きさでなければ基板は第２のステージブロックの始端角部に衝突せずにその上を通り抜ける。このように、第１のステージブロックの終端部に、精密浮上高よりも一段高い突き上げ浮上高が得られる突き上げ浮上領域を設ける構成により、第１および第２のステージブロックの間に生じ得る不所望な段差の許容量を従来よりも一段大きくすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の浮上式塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上ステージの組み立てまたは再組み立てにおいて、繋ぎ合わされるステージブロックの間で浮上面の高さ位置を揃える高さ位置調整の作業を簡便に短時間で済ますことができる。また、経時変化や他のメンテナンス等でステージブロックの境界（繋ぎ目）に望ましくない段差が生じても、その許容量が大きいので、再調整の頻度または回数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の浮上ステージ回りの構成を示す側面図である。
【図２】上記浮上ステージにおける各領域の区割りと浮上面の構成を示す平面図である。
【図３】上記浮上ステージを架台と一緒にサブアッセンブリ単位で分解した状態を示す側面図である。
【図４】上記レジスト塗布装置の全体構成を示す斜視図である。
【図５】上記レジスト塗布装置において基板上にレジスト塗布膜が形成される様子を示す図である。
【図６】比較例の浮上ステージにおける各領域の区割りを示す上面図である。
【図７】比較例における搬入用ステージブロックと塗布用ステージブロックとの繋ぎ目付近の浮上高プロファイルを示す図である。
【図８】比較例において搬入用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが高い段差がある場合の浮上搬送を示す図である。
【図９】比較例において搬入用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが低い段差がある場合の浮上搬送（問題点）を示す図である。
【図１０】実施形態における搬入用ステージブロックと塗布用ステージブロックとの繋ぎ目付近の浮上高プロファイルを示す図である。
【図１１】実施形態において搬入用ステージブロックに対して塗布用ステージブロック低い段差がある場合の浮上搬送（問題の解消）を示す図である。
【図１２】比較例において搬出用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが高い段差がある場合の浮上搬送を示す図である。
【図１３】比較例において搬出用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが低い段差がある場合の浮上搬送（問題点）を示す図である。
【図１４】実施形態における塗布用ステージブロックと搬出用ステージブロックとの繋ぎ目付近の浮上高プロファイルを示す図である。
【図１５】実施形態において搬入用ステージブロックに対して塗布用ステージブロックが低い段差がある場合の浮上搬送（問題の解消）を示す図である。
【図１６】一変形例による浮上ステージ上の各領域の区割りと浮上面の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２３】
図１〜図３に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の浮上ステージ回りの構成を示す。図１は浮上ステージの側面図、図２は浮上ステージの上面図、図３は分離された各組のサブアッセンブリ（ステージブロック／架台）を示す側面図である。
【００２４】
このレジスト塗布装置は、たとえばＬＣＤ用の矩形のガラス基板Ｇを被処理基板とし、基板Ｇの数倍の長さを有する長方体形状の浮上ステージ１０を有している。この浮上ステージ１０は、搬送方向となるステージ長手方向（Ｘ方向）に沿って物理的に分離可能な３つのステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCに分割されている。浮上ステージ１０は、ステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCの各繋ぎ目（境界）が実質的に隙間の無い接触状態となるように組み立てられる。
【００２５】
図２に示すように、搬送方向において最も上流側に配置される左端のステージブロックＳＢAには、専ら噴出口１２を一定の密度または配置パターンで多数配設した搬入領域（第１のラフ浮上領域）ＭINが搭載されている。真ん中のステージブロックＳＢBには、搬送方向（Ｘ方向）の両端部に専ら噴出口１２を一定の密度または配置パターンで多数配設した基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQが局所的に搭載されるとともに、それら両端部の局所領域ＭP，ＭQの間に噴出口１２と吸引口１４とを一定の密度または配置パターンで混在して多数配設した塗布領域（精密浮上領域）ＭCTが搭載されている。また、最も下流側（最後尾）に配置される右端のステージブロックＳＢCには、専ら噴出口１２を一定の密度または配置パターンで多数配設した搬出領域（第２のラフ浮上領域）ＭOUTが搭載されている。
【００２６】
入口側の左端のステージブロックＳＢAは、独立して移動可能および輸送可能な架台ＦＬAの上に多数の支柱１８を介して取り付けられている。各支柱１８の下端部には、手動式のアジャスタ（高さ位置調整部）２０が設けられている。これらのアジャスタ２０を手で操作して、ステージブロックＳＢAの浮上面の高さ位置および水平度を調整できるようになっている。
【００２７】
中間のステージブロックＳＢBは、独立して移動可能および輸送可能な架台ＦＬBの上に多数の支柱２２を介してそれぞれ取り付けられている。各支柱２２の下端部には、手動式のアジャスタ２４がそれぞれ設けられている。これらのアジャスタ２４を手で操作して、ステージブロックＳＢBの浮上面の高さ位置および水平度をそれぞれ調整できるようになっている。
【００２８】
出口側のステージブロックＳＢCは、独立して移動可能および輸送可能な架台ＦＬCの上に多数の支柱２６を介して取り付けられており、各支柱２６の下端部には手動式のアジャスタ２８が設けられている。これらのアジャスタ２８を手で操作して、ステージブロックＳＢCの浮上面の高さ位置および水平度を調整できるようになっている。
【００２９】
搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTを搭載するステージブロックＳＢA，ＳＢCの裏面（下面）には、高圧エア導入口３０，３２がそれぞれ取り付けられている。これらの高圧エア導入口３０，３２は、高圧エア供給管３４を介して高圧エア供給部３６に接続される。各ステージブロックＳＢA，ＳＢCの内部には、高圧エア供給部３６より供給される高圧エアを搬入領域ＭINまたは搬出領域ＭOUT内の各噴出口１２に均一な圧力で分配するためのマニホールドおよびガス通路（図示せず）等が設けられている。
【００３０】
塗布領域ＭCTを搭載するステージブロックＳＢBの裏面（下面）には、高圧エア導入口３８とバキューム導入口４０が取り付けられている。高圧エア導入口３８は高圧エア供給管３４を介して高圧エア供給部３６に接続される。バキューム導入口４０は、バキューム管４２を介してバキューム装置４４に接続される。ステージブロックＳＢBの内部には、高圧エア供給部４８より供給される高圧エアを塗布領域ＭCT内の噴出口１２に均一な圧力で分配するためのマニホールドおよびガス通路（図示せず）等と、バキューム装置４４より供給される負圧吸引力を塗布領域ＭCT内の各吸引口１４に均一な圧力で分配するためのマニホールドおよびガス通路（図示せず）等が設けられている。
【００３１】
架台ＦＬA，ＦＬB，ＦＬCは、たとえばステンレス鋼製のフレームまたは本体４６，４８，５０と脚部５２，５４，５６とをそれぞれ有しており、ステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCをこの順序で繋ぎ合わせるようにして、床面５８に一列に並んで配置される。長尺型のレジストノズル６０は、ステージブロックＳＢBの中心部の真上に配置される。
【００３２】
このレジスト塗布装置を製作する装置メーカの工場では、浮上ステージ１０を図１に示すような状態に組み立てて、装置の最終試験および性能確認が行われる。この最終試験に先立ち、架台ＦＬA，ＦＬB，ＦＬC上でアジャスタ２０，２４，２８の手動操作によりステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCの高さ調整がそれぞれ行われる。この実施形態においては、後に詳しく述べるように、塗布用ステージブロックＳＢBの搬送方向（Ｘ方向）の両端部に基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQを搭載する構成により、ステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCの高さ位置調整を従来よりも簡便かつ短時間に済ませられるようになっている。
【００３３】
装置最終試験および性能確認が済むと、このレジスト塗布装置は、ハードウェア上の構成要素（ユニット、モジュール、サブアッセンブリ等）に分解される。その場合、浮上ステージ１０は、図３に示すように、ステージブロックＳＢAと架台ＦＬAとが第１組のサブアッセンブリＪA，ステージブロックＳＢBと架台ＦＬBとが第２組のサブアッセンブリＪB，ステージブロックＳＢCと架台ＦＬCとが第３組のサブアッセンブリＪCとなって分解される。
【００３４】
これら３つのサブアッセンブリＪA，ＪB，ＪCは通常複数台のトラックまたはコンテナに分かれて納入先（ＬＣＤ製造工場）まで輸送される。そして、納入先の装置稼働場所の床上にこれら３つのサブアッセンブリＪA，ＪB，ＪCが一列に並べられて、浮上ステージ１０が再び組み立てられる。
【００３５】
この浮上ステージ１０の再組み立て作業においても、上記と同じ理由により、ステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCの高さ調整を簡便かつ短時間で行うことができる。このことによって、本レジスト塗布装置を速やかにスタートアップさせることができる。
【００３６】
次に、図４および図５につき、この実施形態におけるレジスト塗布装置の全体構成と作用を説明する。
【００３７】
図４に示すように、浮上ステージ１０の左右両側には直進運動型の第１（左側）および第２（右側）の搬送部６４Ｌ，６４Ｒが配置されている。これらの搬送部６４Ｌ，６４Ｒは、各々単独で、あるいは両者協働して、ステージ１０上で浮いている基板Ｇを着脱可能に保持してステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。浮上ステージ１００上で基板Ｇは、その一対の辺が搬送方向（Ｘ方向）と平行で、他の一対の辺が搬送方向と直交するような水平姿勢をとって、浮上搬送される。
【００３８】
第１（左側）および第２（右側）の搬送部６４Ｌ，６４Ｒは、浮上ステージ１０の左右両側に平行に配置された第１および第２のガイドレール６６Ｌ，６６Ｒと、これらのガイドレール６６Ｌ，６６Ｒ上で搬送方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられた第１および第２のスライダ６８Ｌ，６８Ｒと、両ガイドレール１６６Ｌ，６６Ｒ上で両スライダ６８Ｌ，６８Ｌを同時または個別に直進移動させる第１および第２の搬送駆動部（図示せず）と、基板Ｇを着脱可能に保持するために両スライダ６８Ｌ，６８Ｒに搭載されている第１および第２の保持部７０Ｌ，７０Ｒとをそれぞれ有している。各搬送駆動部は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。
【００３９】
第１（左側）の保持部７０Ｌは、基板Ｇの左側二隅の裏面（下面）にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド７２Ｌと、各吸着パッド７２Ｌを搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部７４Ｌと、これら複数個のパッド支持部７４Ｌをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ７６Ｌとを有している。
【００４０】
第２（右側）の保持部７０Ｒは、基板Ｇの左側二隅の裏面（下面）にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド７２Ｒと、各吸着パッド７２Ｒを搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部７４Ｒと、これら複数個のパッド支持部７４Ｒをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ７６Ｒとを有している。
【００４１】
左右両側の各吸着パッド７２Ｌ，７２Ｒは、図示省略するが、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる直方体形状のパッド本体の上面に複数個の吸引口を設けている。それらの吸引口はパッド本体内のバキューム通路および外部のバキューム管を介してパッド吸着制御部の真空源（図示せず）にそれぞれ通じている。
【００４２】
浮上ステージ１０において、このレジスト塗布装置でレジスト塗布処理を受けるべき新規の被処理基板Ｇは、たとえば搬送方向上流側に設置されているソーターユニット（図示せず）から平流しで搬入領域ＭINに搬入される。
【００４３】
搬入領域ＭINは、基板Ｇの浮上搬送が開始される領域でもあり、この領域内には上述したように基板Ｇを比較的大きくてラフな浮上高Ｈβ（標準値：２００〜２０００μｍ）で浮かせるために高圧エアを噴き出す噴出口１２が一定の密度または配置パターンで多数設けられている。なお、搬入領域ＭINには、基板Ｇをステージ１０上で位置合わせするためのアライメント機構（図示せず）が設けられることもある。
【００４４】
浮上ステージ１０の長手方向中心部に設定された塗布領域ＭCTはレジスト液供給領域であり、基板Ｇはこの塗布領域ＭCTを通過する際に上方のレジストノズル６０からレジスト液Ｒの供給を受ける。上述したように、塗布領域ＭCT内には、基板Ｇを浮上剛性の大きな精密浮上高Ｈα（標準値：３０〜６０μｍ）で安定に浮かせるために、高圧エアを噴き出す噴出口１２と負圧で空気を吸い込む吸引口１４とを一定の密度または配置パターンで混在させて設けている。
【００４５】
塗布領域ＭCTの下流側に位置する浮上ステージ１０の他端の搬出領域ＭOUTは、基板Ｇの浮上搬送が終了する領域である。塗布領域ＭCTで塗布処理を受けた基板Ｇは、搬出領域ＭOUTからたとえば平流しで下流側隣りのソーターユニット（図示せず）を経由して減圧乾燥ユニット（図示せず）へ移送される。この搬出領域ＭOURには、基板Ｇを比較的大きくてラフな浮上高Ｈβ（標準値：２００〜２０００μｍ）で浮かせるための噴出口１２が一定の密度または配置パターンで多数設けられている。
【００４６】
レジストノズル６０は、その長手方向（Ｙ方向）で浮上ステージ１０上の基板Ｇを一端から他端までカバーできるスリット状の吐出口６０ａを有し、門形または逆さコ字形のフレーム（図示せず）に取り付けられ、たとえばボールネジ機構を有するノズル昇降部（図示せず）の駆動で昇降移動可能であり、レジスト液供給部（図示せず）からのレジスト液供給管６２に接続されている。
【００４７】
このレジスト塗布装置におけるレジスト塗布処理では、基板Ｇが浮上搬送によって浮上ステージ１０の上を搬入領域ＭIN、塗布領域ＭCTおよび搬入領域ＭINの順に浮上高を変えながら移動する。その際、図５に示すように、基板Ｇが塗布領域ＭCTを精密浮上高Ｈαで通過する間に上方のレジストノズル６０より帯状に供給されるレジスト液Ｒが基板Ｇ上で均一に塗布され、基板Ｇの前端から後端に向かってレジスト液Ｒの塗布膜ＲＭが一定の膜厚で形成される。
【００４８】
次に、この実施形態における特有の作用、つまりステージブロックＳＢBの搬送方向（Ｘ方向）の両端部に塗布領域ＭCTと隣接して基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQを搭載する構成に基づく作用を説明する。
【００４９】
先ず、従来技術に相当する比較例として、図６に示すように、塗布領域ＭCTだけを搭載し、基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQを搭載しない構成（ステージブロックＳＢB'とする）の作用とその問題点を説明する。
【００５０】
この場合、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入用ステージブロックＳＢAの下流側でも搬入領域ＭINがそのまま続くと仮定すると、図７の（ａ）に示すように、基板Ｇはラフ浮上高Ｈβの標準値を保ったままステージブロックＳＢAを後にする。一方、塗布用ステージブロックＳＢB'の上流側でも塗布領域ＭCTが延在していると仮定すると、図７の（ｂ）に示すように、基板Ｇは既に精密浮上高Ｈαの標準値を保った状態でステージブロックＳＢB'の上に進入してくる。
【００５１】
そこで、ステージブロックＳＢAとステージブロックＳＢB'とを繋ぐと、搬送方向（Ｘ方向）における基板Ｇの浮上高のプロファイルは図７の（ｃ）に示すようになる。すなわち、ステージブロックＳＢAの搬入領域ＭINでは、基板Ｇを噴出口１２からの高圧エアにより浮かすだけでよく、ラフ浮上高Ｈβはサイズ的には大きくても浮上剛性は非常に小さい。これに対して、ステージブロックＳＢB'の塗布領域（精密浮上領域）ＭCTでは、噴出口１２からの高圧エアによる垂直上向きの力と吸引口１４からの負圧吸引力による垂直下向きの力とを相対抗させ、そのバランスを制御して小さな精密浮上高Ｈαを安定に保つようにしており、浮上剛性が非常に大きい。このため、搬入用ステージブロックＳＢA上のラフ浮上高Ｈβは、その標準値の大きさに関係なく塗布用ステージブロックＳＢB'上の精密浮上高Ｈαに屈するようにして、両ステージブロックＳＢA，ＳＢB'の境界（繋ぎ目）よりも上流側の位置で精密浮上高Ｈαと同じ高さまで引き下げられる。こうして、両ステージブロックＳＢA，ＳＢB'の境界（繋ぎ目）付近の浮上高ＨPは精密浮上高Ｈαに左右され、通常はＨP＝Ｈαとなる。
【００５２】
ここで、両ステージブロックＳＢA，ＳＢB'の境界（繋ぎ目）に段差または高低差δＨがある場合を考える。この段差δＨには、搬入用ステージブロックＳＢAの浮上面に対して塗布用ステージブロックＳＢB'の浮上面が高くなる場合（ＳＢA＜ＳＢB'）と低くなる場合（ＳＢA＞ＳＢB'）の二通りがある。
【００５３】
ＳＢA＜ＳＢB'となる段差δＨが生じた場合は、上記のように搬入用ステージブロックＳＢA上のラフ浮上高Ｈβの方が塗布用ステージブロックＳＢB'上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられても、図８に示すように、基板Ｇは両ステージブロックＳＢA，ＳＢB'のいずれとも当たったり擦ったりすることはなく、段差δＨが極端に大きくなければ（たとえば１０００μｍ以上でなければ）両ブロックＳＢA，ＳＢB'を通じて浮上搬送に何の支障も生じない。
【００５４】
しかし、ＳＢA＞ＳＢB'となる段差δＨが生じた場合は、搬入用ステージブロックＳＢA上のラフ浮上高Ｈβが塗布用ステージブロックＳＢB'上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられることにより、段差δＨが精密浮上高Ｈα（３０〜６０μｍ）を超えるときは、図９に示すように、基板Ｇは搬入用ステージブロックＳＢAの後端の角部ＫPを擦る。そうなると、基板Ｇが損傷し、破損したり割れることもある。この場合、基板Ｇの前端は角部ＫPを擦らずにその上を通過するが、基板Ｇの塗布領域（精密浮上領域）ＭCTの中へ進むにしたがって、基板Ｇの前端部が精密浮上高Ｈαに向かってＧ(1)→Ｇ(2)→Ｇ(3)→Ｇ(4)と徐々に下がり、その過程で基板Ｇの裏面が搬入用ステージブロックＳＢAの後端角部ＫPに摺接する。
【００５５】
これに対して、この実施形態においては、塗布用ステージブロックＳＢBの始端部に基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭPが設けられる。この領域ＭPは、図１０に示すように、その下流側隣りに浮上剛性の非常に大きな塗布領域（精密浮上領域）ＭCTが在るにも拘わらず、精密浮上高Ｈα（３０〜６０μｍ）に抗してそれより一段高い（たとえば１２０μｍ程度の）第３の浮上高つまり突き上げ浮上高ＨPが得られるようにしている。そのために、この領域ＭPにおいては、専ら噴出口１２のみを配置するレイアウト（図２）が採られ、さらには相当強めの噴出圧力、つまり塗布領域ＭCT上の噴出圧力よりも高く、かつ搬入用ステージブロックＳＢA上の噴出圧力よりも高い噴出圧力が設定されている。
【００５６】
この実施形態において、搬入用ステージブロックＳＢAと塗布用ステージブロックＳＢBとを繋いだときに、両ステージブロックＳＢA，ＳＢBの境界（繋ぎ目）にＳＢA＞ＳＢBとなる段差δＨが生じたとする。この場合、搬入用ステージブロックＳＢA上のラフ浮上高Ｈβの方が塗布用ステージブロックＳＢBの塗布領域ＭCT上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられるが、図１１に示すように、塗布領域ＭCTより手前の基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP上の突き上げ浮上高ＨPが精密浮上高Ｈαに勝ってそれよりも一段高いので、段差δＨが突き上げ浮上高ＨPを超える大きさでなければ基板Ｇは搬入用ステージブロックＳＢAの後端角部ＫPを擦らずにその上を通り抜ける。
【００５７】
なお、両ステージブロックＳＢA，ＳＢBの境界（繋ぎ目）にＳＢA＜ＳＢBとなる段差δＨが生じた場合は、基本的には図８に似通ったプロファイルになり、基板Ｇは両ステージブロックＳＢA，ＳＢBのいずれとも当たったり擦ったりすることはなく、段差δＨが極端に大きくなければ（たとえば１０００μｍ以上でなければ）両ステージブロックＳＢA，ＳＢB上の浮上搬送には何の支障も生じない。
【００５８】
このように、この実施形態によれば、塗布用ステージブロックＳＢBの始端部に、精密浮上高Ｈαよりも一段（たとえば２倍程度）高い突き上げ浮上高ＨPが得られる基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭPを設ける構成により、搬入用ステージブロックＳＢAと塗布用ステージブロックＳＢBとの間に生じ得る段差δＨの許容量を従来よりも一段（たとえば約２倍）大きくすることができる。これによって、浮上ステージ１０の組み立てまたは再組み立てにおいて、搬入用ステージブロックＳＢAと塗布用ステージブロックＳＢBとの間で浮上面の高さ位置を揃える高さ位置調整の作業を簡便に短時間で済ますことができる。また、経時変化や他のメンテナンス等で両ステージブロックＳＢA，ＳＢBの間にＳＢA＞ＳＢBとなる望ましくない段差δＨが生じても、δＨの許容量が大きいので、再調整の頻度または回数を減らすことができる。
【００５９】
さらに、この実施形態では、塗布用ステージブロックＳＢBと搬出用ステージブロックＳＢCとの間でも従来技術の問題点を解消できる。すなわち、従来技術に相当する比較例においては、塗布用ステージブロックＳＢB'と搬出用ステージブロックＳＢCとの間で、搬出用ステージブロックＳＢC上の浮上剛性の小さいラフ浮上高Ｈβがその標準値の大きさに関係なく塗布用ステージブロックＳＢB'上の浮上剛性の大きい精密浮上高Ｈαに屈する形で、両ステージブロックＳＢB'， ＳＢCの境界（繋ぎ目）よりも下流側の位置で精密浮上高Ｈαと同じ高さまで引き下げられる。これによって、両ブロックＳＢB'， ＳＢCの境界（繋ぎ目）付近の浮上高ＨQは精密浮上高Ｈαに左右され、通常はＨQ＝Ｈαとなる。
【００６０】
両ステージブロックＳＢB'， ＳＢCを繋いだときに、ＳＢB'＞ ＳＢCとなる段差δＨが生じた場合は、搬出用ステージブロックＳＢC上のラフ浮上高Ｈβの方が塗布用ステージブロックＳＢB'上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられても、図１２に示すように、基板Ｇは両ステージブロックＳＢB'，ＳＢCのいずれとも当たったり擦ったりすることはなく、段差δＨが極端に大きくなければ（たとえば１０００μｍ以上でなければ）両ブロックＳＢB' ，ＳＢCを通じて浮上搬送に何の支障も生じない。
【００６１】
しかし、ＳＢB' ＜ＳＢCとなる段差δＨが生じた場合は、搬出用ステージブロックＳＢC上の浮上高が塗布用ステージブロックＳＢB'の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられることにより、段差δＨが精密浮上高Ｈα（３０〜６０μｍ）を超えるときは、図１３に示すように、基板Ｇは搬出用ステージブロックＳＢCの始端の角部ＫQに衝突する。そうなると、基板Ｇが損傷し、割れたりすることがある。この場合、基板Ｇの前端部分は角部ＫQの上方を通過した後にラフ浮上高Ｈβに向かってＧ(1)→Ｇ(2)→Ｇ(3)→Ｇ(4)と徐々に浮上高を上げていくが、その上がる前に基板Ｇの前端が搬出用ステージブロックＳＢCの始端角部ＫQに正面衝突する。
【００６２】
これに対して、この実施形態においては、塗布用ステージブロックＳＢBの終端部に基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQが設けられている。この領域ＭQは、図１４に示すように、その上流側隣りに浮上剛性の非常に大きな塗布領域（精密浮上領域）ＭCTが在るにも拘わらず、精密浮上高Ｈα（３０〜６０μｍ）に抗してそれより一段高い（たとえば１２０μｍ程度の）第３の浮上高つまり突き上げ浮上高ＨQが得られるようにしている。そのために、この領域ＭQにおいては、専ら噴出口１２のみを配置するレイアウト（図２）が採られ、さらには相当強めの噴出圧力、つまり塗布領域ＭCT上の噴出圧力よりも高く、かつ搬出用ステージブロックＳＢC上の噴出圧力よりも高い噴出圧力が設定されている。
【００６３】
この実施形態において、塗布用ステージブロックＳＢBと搬出用ステージブロックＳＢCとを繋いだときに、両ステージブロックＳＢB，ＳＢCの境界（繋ぎ目）にＳＢB＜ＳＢCとなる段差δＨが生じたとする。この場合、搬出用ステージブロックＳＢC上のラフ浮上高Ｈβが塗布用ステージブロックＳＢBの塗布領域ＭCT上の精密浮上高Ｈαに屈するように引き下げられるが、図１５に示すように、塗布領域ＭCTに下流側に隣接する基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQ上の突き上げ浮上高ＨQが精密浮上高Ｈαに勝ってそれよりも一段高いので、段差δＨが突き上げ浮上高ＨQを超える大きさでなければ基板Ｇは搬出用ステージブロックＳＢCの始端角部ＫQに衝突せずにその上を通り抜ける。
【００６４】
なお、両ステージブロックＳＢB，ＳＢCの境界（繋ぎ目）にＳＢB＞ＳＢCとなる段差δＨが生じた場合は、基本的には図１２に似通ったプロファイルになり、基板Ｇは両ステージブロックＳＢB，ＳＢCのいずれとも当たったり擦ったりすることはなく、段差δＨが極端に大きくなければ（たとえば１０００μｍ以上でなければ）両ステージブロックＳＢB，ＳＢC上の浮上搬送には何の支障も生じない。
【００６５】
このように、この実施形態によれば、塗布用ステージブロックＳＢBの終端部に、精密浮上高Ｈαよりも一段（たとえば２倍程度）高い突き上げ浮上高ＨQが得られる基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQを設ける構成により、塗布用ステージブロックＳＢBと搬出用ステージブロックＳＢCとの間に生じ得る段差δＨの許容量を従来よりも一段（たとえば約２倍）大きくすることができる。これによって、浮上ステージ１０の組み立てまたは再組み立てにおいて、塗布用ステージブロックＳＢBと搬出用ステージブロックＳＢCとの間で浮上面の高さ位置を揃える高さ位置調整の作業を簡便に短時間で済ますことができる。また、経時変化や他のメンテナンス等で両ステージブロックＳＢB，ＳＢCの間にＳＢB＜ＳＢCとなる望ましくない段差δＨが生じても、δＨの許容量が大きいので、再調整の頻度または回数を減らすことができる。
［他の実施形態または変形例］
【００６６】
以上、本発明の好適な一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形が可能である。
【００６７】
たとえば、基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQにおける浮上面の構成に関して、図２に示す構成例では各領域ＭP，ＭQに噴出口１２を１列配置しているが、噴出口１２を複数列配置してもよい。
【００６８】
あるいは、図１６に示すように、各領域ＭP，ＭQ内に噴出口１２と吸引口１４とを混在させて、噴出圧力と吸引圧力とのバランスを制御して所望の突き上げ浮上高ＨP，ＨQを実現することも可能である。この場合、各領域ＭP，ＭQにおける高圧ガスの消費量は増えることになるが、突き上げ浮上高ＨP，ＨQの浮上剛性ないし安定度を高めることができる。加えて、従来の塗布領域ＭCTに含まれていた噴出口１２および吸引口１４のハードウェアをそのまま基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭP，ＭQに使用することもできる。
【００６９】
また、上記実施形態では、浮上ステージ１０を搬入領域ＭIN、塗布領域ＭCT、搬出領域ＭOUT毎に物理的に分離可能な３つのステージブロックＳＢA，ＳＢB，ＳＢCに分割した。しかし、浮上ステージ１０を物理的に分離可能な２つのステージブロックＳＢA，ＳＢDに分割し、前段のステージブロックＳＢAに搬入領域ＭINを搭載し、後段のステージブロックＳＢDに塗布領域ＭCTおよび搬出領域ＭOUTを一体的に搭載する構成も可能である。この場合は、塗布領域ＭCTの上流側隣りに基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭPを設けるだけでよく、下流側隣りの基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQが不要になる。
【００７０】
あるいは、浮上ステージ１０を物理的に分離可能な２つのステージブロックＳＢE，ＳＢCに分割して、前段のステージブロックＳＢEに搬入領域ＭINおよび塗布領域ＭCTを一体的に搭載し、後段のステージブロックＳＢCに搬出領域ＭOUTを搭載する構成も可能である。この場合は、塗布領域ＭCTの下流側隣りに基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭQを設けるだけでよく、上流隣りの基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）ＭPが不要になる。
【００７１】
上述した実施形態における第１の浮上高（精密浮上高）Ｈα、第２の浮上高（ラフ浮上高）Ｈβ、第３の浮上高（突き上げ浮上高）ＨP，ＨQの各値は一例であり、塗布処理の仕様等に応じて種種の値を採ることができる。
また、塗布品質に影響しない（たとえば塗布ムラを起こさない）限りで、搬入用ステージブロックＳＢAの後端角部ＫPおよび／または搬出用ステージブロックＳＢCの始端角部ＫQを面取り加工してもよい。
【００７２】
上記した実施形態はＬＣＤ製造用のレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を塗布する任意の塗布装置に適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１０ 浮上ステージ
１２ 噴出口
１４ 吸引口
６０ 長尺型レジストノズル
６４Ｌ，６４Ｒ 搬送部
ＳＢA 搬入用ステージブロック
ＳＢB 塗布用ステージブロック
ＳＢC 搬出用ステージブロック
ＭIN 搬入領域
ＭCT 塗布領域
ＭOUT 搬出領域
ＭP，ＭQ 基板衝突防止領域（突き上げ浮上領域）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繋がって配置される物理的に分離可能な第１および第２のステージブロックにラフ浮上領域および精密浮上領域をそれぞれ搭載し、前記精密浮上領域ではその大部分の領域で基板を塗布処理に適した精密な第１の浮上高で空中に浮かし、前記ラフ浮上領域では前記基板を前記第１の浮上高よりも大きくてラフな第２の浮上高で空中に浮かせる浮上ステージと、
前記基板を着脱可能に保持して前記ラフ浮上領域および前記精密浮上領域の順に前記浮上ステージの上を搬送する基板搬送部と、
前記精密浮上領域内の所定位置で前記第１の浮上高で浮いている前記基板の被処理面に向けて塗布用の処理液を吐出する長尺型のノズルを有する処理液供給部と
を有し、
前記第２のステージブロックの前記第１のステージブロックと接する端部近辺に、前記精密浮上領域と隣接して前記第１の浮上高よりも一段高い第３の浮上高で前記基板を浮かせる突き上げ浮上領域を設ける、浮上式塗布装置。
【請求項２】
前記突き上げ浮上領域では、専ら前記基板に垂直上向きの圧力を与えるための気体を噴出する噴出口を多数配置する、請求項１に記載の浮上式塗布装置。
【請求項３】
前記突き上げ浮上領域では、専ら前記基板に垂直上向きの圧力を与えるための気体を噴出する噴出口と前記基板に垂直下向きの圧力を与えるための気体を吸引する吸引口とを混在させて多数配置する、請求項１に記載の浮上式塗布装置。
【請求項４】
前記第１および第２のステージブロックを独立に運搬可能な第１および第２の架台にそれぞれ取り付ける、請求項１〜３のいずれか一項に記載の浮上式塗布装置。
【請求項５】
前記第１および第２の架台の少なくとも一方に、前記ステージブロックの浮上面の高さ位置を調整する高さ位置調整部を備える、請求項４に記載の浮上式塗布装置。
【請求項６】
繋がって配置される物理的に分離可能な第１および第２のステージブロックに精密浮上領域およびラフ浮上領域をそれぞれ搭載し、前記精密浮上領域ではその大部分の領域で基板を塗布処理に適した精密な第１の浮上高で空中に浮かし、前記ラフ浮上領域では前記基板を前記第１の浮上高よりも大きくてラフな第２の浮上高で空中に浮かせる浮上ステージと、
前記基板を着脱可能に保持して前記精密浮上領域および前記ラフ浮上領域の順に前記浮上ステージの上を搬送する基板搬送部と、
前記精密浮上領域内の所定位置で前記第１の浮上高で浮いている前記基板の被処理面に向けて塗布用の処理液を吐出する長尺型のノズルを有する処理液供給部と
を有し、
前記第１のステージブロックの前記第２のステージブロックと接する端部近辺に、前記精密浮上領域と隣接して前記第１の浮上高よりも一段高い第３の浮上高で前記基板を浮かせる突き上げ浮上領域を設ける、浮上式塗布装置。
【請求項７】
前記突き上げ浮上領域では、専ら前記基板に垂直上向きの圧力を与えるための気体を噴出する噴出口を多数配置する、請求項６に記載の浮上式塗布装置。
【請求項８】
前記突き上げ浮上領域では、専ら前記基板に垂直上向きの圧力を与えるための気体を噴出する噴出口と前記基板に垂直下向きの圧力を与えるための気体を吸引する吸引口とを混在させて多数配置する、請求項６に記載の浮上式塗布装置。
【請求項９】
前記第１および第２のステージブロックを独立に運搬可能な第１および第２の架台にそれぞれ取り付ける、請求項６〜８のいずれか一項に記載の浮上式塗布装置。
【請求項１０】
前記第１および第２の架台の少なくとも一方に、前記ステージブロックの浮上面の高さ位置を調整する高さ位置調整部を備える、請求項９に記載の浮上式塗布装置。
【請求項１】
繋がって配置される物理的に分離可能な第１および第２のステージブロックにラフ浮上領域および精密浮上領域をそれぞれ搭載し、前記精密浮上領域ではその大部分の領域で基板を塗布処理に適した精密な第１の浮上高で空中に浮かし、前記ラフ浮上領域では前記基板を前記第１の浮上高よりも大きくてラフな第２の浮上高で空中に浮かせる浮上ステージと、
前記基板を着脱可能に保持して前記ラフ浮上領域および前記精密浮上領域の順に前記浮上ステージの上を搬送する基板搬送部と、
前記精密浮上領域内の所定位置で前記第１の浮上高で浮いている前記基板の被処理面に向けて塗布用の処理液を吐出する長尺型のノズルを有する処理液供給部と
を有し、
前記第２のステージブロックの前記第１のステージブロックと接する端部近辺に、前記精密浮上領域と隣接して前記第１の浮上高よりも一段高い第３の浮上高で前記基板を浮かせる突き上げ浮上領域を設ける、浮上式塗布装置。
【請求項２】
前記突き上げ浮上領域では、専ら前記基板に垂直上向きの圧力を与えるための気体を噴出する噴出口を多数配置する、請求項１に記載の浮上式塗布装置。
【請求項３】
前記突き上げ浮上領域では、専ら前記基板に垂直上向きの圧力を与えるための気体を噴出する噴出口と前記基板に垂直下向きの圧力を与えるための気体を吸引する吸引口とを混在させて多数配置する、請求項１に記載の浮上式塗布装置。
【請求項４】
前記第１および第２のステージブロックを独立に運搬可能な第１および第２の架台にそれぞれ取り付ける、請求項１〜３のいずれか一項に記載の浮上式塗布装置。
【請求項５】
前記第１および第２の架台の少なくとも一方に、前記ステージブロックの浮上面の高さ位置を調整する高さ位置調整部を備える、請求項４に記載の浮上式塗布装置。
【請求項６】
繋がって配置される物理的に分離可能な第１および第２のステージブロックに精密浮上領域およびラフ浮上領域をそれぞれ搭載し、前記精密浮上領域ではその大部分の領域で基板を塗布処理に適した精密な第１の浮上高で空中に浮かし、前記ラフ浮上領域では前記基板を前記第１の浮上高よりも大きくてラフな第２の浮上高で空中に浮かせる浮上ステージと、
前記基板を着脱可能に保持して前記精密浮上領域および前記ラフ浮上領域の順に前記浮上ステージの上を搬送する基板搬送部と、
前記精密浮上領域内の所定位置で前記第１の浮上高で浮いている前記基板の被処理面に向けて塗布用の処理液を吐出する長尺型のノズルを有する処理液供給部と
を有し、
前記第１のステージブロックの前記第２のステージブロックと接する端部近辺に、前記精密浮上領域と隣接して前記第１の浮上高よりも一段高い第３の浮上高で前記基板を浮かせる突き上げ浮上領域を設ける、浮上式塗布装置。
【請求項７】
前記突き上げ浮上領域では、専ら前記基板に垂直上向きの圧力を与えるための気体を噴出する噴出口を多数配置する、請求項６に記載の浮上式塗布装置。
【請求項８】
前記突き上げ浮上領域では、専ら前記基板に垂直上向きの圧力を与えるための気体を噴出する噴出口と前記基板に垂直下向きの圧力を与えるための気体を吸引する吸引口とを混在させて多数配置する、請求項６に記載の浮上式塗布装置。
【請求項９】
前記第１および第２のステージブロックを独立に運搬可能な第１および第２の架台にそれぞれ取り付ける、請求項６〜８のいずれか一項に記載の浮上式塗布装置。
【請求項１０】
前記第１および第２の架台の少なくとも一方に、前記ステージブロックの浮上面の高さ位置を調整する高さ位置調整部を備える、請求項９に記載の浮上式塗布装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１２−１９５４０３（Ｐ２０１２−１９５４０３Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５７６２７（Ｐ２０１１−５７６２７）
【出願日】平成２３年３月１６日（２０１１．３．１６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１６日（２０１１．３．１６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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