液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置
【課題】表示品位に優れた液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上に設けられ複数の導電層２７ａ、２７ｂ、２７ｃが積層して形成された複数の配線と、それぞれスイッチング素子及び画素電極を含み複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板と、対向基板と、液晶層と、を備えている。各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、他の導電層に重なっているとともに他の導電層から外れて形成されている。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上に設けられ複数の導電層２７ａ、２７ｂ、２７ｃが積層して形成された複数の配線と、それぞれスイッチング素子及び画素電極を含み複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板と、対向基板と、液晶層と、を備えている。各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、他の導電層に重なっているとともに他の導電層から外れて形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置として、液晶表示パネル及びバックライトユニットを備えた液晶表示装置が知られている。液晶表示パネルは、アレイ基板と、対向基板と、液晶層とを備えている。アレイ基板は、ガラス基板上に形成された複数の走査線及び複数の信号線と、それぞれ走査線及び信号線の交差部近傍に設けられた複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と、複数のＴＦＴに接続された画素電極とを有している。
【０００３】
上記したような液晶表示装置において、配線部の断面の偏平率を上げる技術が開示されている。開口率を上げることにより、輝度レベルを向上することができる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１０９００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、液晶表示装置は、コントラスト向上等、表示品位の向上が求められている。このため、上記のように液晶表示装置を形成した場合、例えば、バックライトが信号線で拡散することにより、光漏れが生じてしまう。これにより、コントラスト比は低下してしまう。
【０００５】
また、１枚のマザーガラスから複数のアレイ基板を形成する多面取りの場合、面内で製造誤差が生じる傾向にある。この場合、コントラスト特性もアレイ基板毎に異なるため、コントラスト比の低下を招くアレイ基板も形成されてしまう。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、表示品位に優れた液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る液晶表示装置は、
基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれスイッチング素子及び画素電極を含み前記複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板間に挟持された液晶層と、を備え、
各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、前記他の導電層に重なっているとともに前記他の導電層から外れて形成されている。
【０００７】
また、本発明の他の態様に係る有機ＥＬ表示装置は、
基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれ有機ＥＬ素子を含み前記複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板を備え、
各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、前記他の導電層に重なっているとともに前記他の導電層から外れて形成されている。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、表示品位に優れた液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。
図１乃至図５に示すように、液晶表示装置は、液晶表示パネルＰ及びバックライトユニット７を備えている。液晶表示パネルＰは、アレイ基板１と、このアレイ基板に対向配置された対向基板２と、これら両基板間に挟持された液晶層３とを備えている。液晶表示装置は、アレイ基板１及び対向基板２が重なった表示領域を有している。アレイ基板１は、表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを有している。なお、画素ＰＸについては後述する。
【００１０】
アレイ基板１は、透明な絶縁基板として、例えばガラス基板１０を備えている。ガラス基板１０上にはアンダーコーティング層１２が成膜されている。
【００１１】
表示領域において、ガラス基板１０上には、第１方向ｄ１に沿って延出した複数の走査線１９及び第１方向に直交した第２方向ｄ２に沿って延出した複数の信号線２７が配置されている。隣合う２本の信号線２７及び隣合う２本の走査線１９で囲まれた各領域には画素ＰＸが形成されている。
【００１２】
次に、画素ＰＸを１つ取り出して説明する。
画素ＰＸは、画素電極３４及び画素電極に接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４を有している。
【００１３】
詳述すると、アンダーコーティング層１２上に、チャネル層１５が形成されている。チャネル層１５は、アンダーコーティング層１２上に形成された半導体膜をパターニングすることにより形成されている。この実施の形態において、チャネル層１５は、ポリシリコンで形成されている。
【００１４】
アンダーコーティング層１２及びチャネル層１５上に、ゲート絶縁膜１８が成膜されている。ゲート絶縁膜１８上に、複数の走査線１９と、これら走査線の一部を延出した複数のゲート電極２０とが形成されている。
【００１５】
走査線１９及びゲート電極２０は、アルミニウムやモリブデン−タングステン等の遮光性を有する低抵抗材料により同時に形成されている。この実施の形態において、走査線１９及びゲート電極２０は、モリブデン−タングステンで形成されている。各ゲート電極２０は、各チャネル層１５に重なって形成されている。
【００１６】
ゲート絶縁膜１８、走査線１９及びゲート電極２０上に、層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２を含むガラス基板１０上の下地層１１上には、複数のソース電極２６、複数の信号線２７及び複数のドレイン電極２８が形成されている。
【００１７】
ソース電極２６及び信号線２７は、一体に形成され、互いに電気的に接続されているソース電極２６は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２３を介してチャネル層１５のソース領域ＲＳに電気的に接続されている。ドレイン電極２８は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２４を介してチャネル層１５のドレイン領域ＲＤに電気的に接続されている。
層間絶縁膜２２、ソース電極２６、信号線２７及びドレイン電極２８上に、絶縁膜として、透明な樹脂により平坦化膜３１が成膜されている。
【００１８】
平坦化膜３１上には、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明な導電材料により複数の画素電極３４が形成されている。画素電極３４は、マトリクス状に配置されている。画素電極３４は、平坦化膜３１に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極２８に電気的に接続されている。画素電極３４は、隣合う２本の信号線２７及び隣合う２本の走査線１９に周縁を重ねて形成されている。
【００１９】
上記のように、ＴＦＴ１４及び画素電極３４等が形成されたガラス基板１０上に、図示しないが複数の柱状スペーサが形成されている。柱状スペーサが形成されたガラス基板１０上に、配向膜３７が形成されている。
各画素ＰＸは、ＴＦＴ１４及び画素電極３４を１つずつ有している。
【００２０】
次に、対向基板２について説明する。
対向基板２は、透明な絶縁基板として、例えばガラス基板４０を備えている。ガラス基板４０上には、カラーフィルタ５０が形成されている。
【００２１】
カラーフィルタ５０は、複数の赤色の着色層５０Ｒ、複数の緑色の着色層５０Ｇ及び複数の青色の着色層５０Ｂを有している。各着色層は、ストライプ状に形成され、信号線２７の延出した方向に平行である。各着色層の周縁は、信号線２７に重なっている。カラーフィルタ５０上には、ＩＴＯ等の透明な導電材料により対向電極４１が形成されている。カラーフィルタ５０及び対向電極４１上に、配向膜４３が形成されている。
【００２２】
アレイ基板１及び対向基板２は、複数の柱状スペーサにより、所定の隙間を保持して対向配置されている。アレイ基板１及び対向基板２は、表示領域外周の両基板間に配置されたシール材６０により接合されている。液晶層３は、アレイ基板１、対向基板２及びシール材６０で囲まれた領域に形成されている。シール材６０の一部には液晶注入口６１が形成され、この液晶注入口は封止材６２で封止されている。
【００２３】
バックライトユニット７は、導光板７ａと、この導光板の一側縁に対向配置された図示しない光源及び反射板とを有している。導光板７ａは、アレイ基板１に対向配置されている。バックライトユニット７は、液晶層３に向けて光を出射するものである。なお、アレイ基板１の外面側が表示画像の視認側となる場合、バックライトユニット７は対向基板２の外面側に位置していれば良い
次に、上記液晶表示装置の実施例１及び実施例２について説明する。
（実施例１）
図３、図５及び図６に示すように、実施例１において、信号線２７は、複数の導電層を積層して形成されている。ここでは、信号線２７は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層構造を有している。このため、最下層の導電層２７ａはＴｉで形成されている。導電層２７ｂはＡｌで形成されている。最上層の導電層２７ｃはＴｉで形成されている。なお、導電層２７ｃ上には、Ｔｉを含む導電膜２７ｄが設けられている。
【００２４】
最下層の導電層２７ａは、他の導電層２７ｂ、２７ｃよりサイズが大きく、導電層２７ｂ、２７ｃに重なっているとともに導電層２７ｂ、２７ｃから外れて形成されている。導電層２７ａは、導電層２７ｂ、２７ｃから、例えば、０．１μｍ外れて形成されている。
【００２５】
さらに、最上層の導電層２７ｃは、導電層２７ｂよりサイズが大きく、導電層２７ｂに重なっているとともに導電層２７ｂから外れて形成されている。導電層２７ｃは、導電層２７ｂから、例えば、０．１μｍ外れて形成されている。
【００２６】
（実施例２）
図３、図５及び図７に示すように、実施例２において、信号線２７は、複数の導電層を積層して形成されている。ここでは、信号線２７は、Ａｌ／Ｔｉの２層構造を有している。このため、最下層の導電層２７ｂはＡｌで形成されている。最上層の導電層２７ｃはＴｉで形成されている。なお、導電層２７ｃ上には、Ｔｉを含む導電膜２７ｄが設けられている。
【００２７】
最上層の導電層２７ｃは、導電層２７ｂよりサイズが大きく、導電層２７ｂに重なっているとともに導電層２７ｂから外れて形成されている。導電層２７ｃは、導電層２７ｂから、例えば、０．１μｍ外れて形成されている。
【００２８】
次に、上記実施例１及び実施例２のように、信号線２７を形成する最上層又は最下層の導電層を他の導電層より大きく形成したことによる効果を図８乃至図１１を用いて説明する。
図８に示すように、信号線２７を形成する最上層の導電層は、他の導電層より大きく形成されている。最上層の導電層は、他の導電層で反射したバックライトを遮ることができる。このため、信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができる。
【００２９】
また、図９に示すように、信号線２７は、逆テーパ状に形成されていても良い。この場合も、信号線２７を形成する最上層の導電層は、他の導電層より大きく形成されている。信号線２７の逆テーパ角を所定の角度に設定することにより、最上層の導電層は、他の導電層で反射したバックライトを遮ることができる。このため、信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができる。
【００３０】
図１０に示すように、信号線２７を形成する最下層の導電層は、他の導電層より大きく形成されている。最下層の導電層は、他の導電層に向かうバックライトを遮ることができる。このため、信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができる。
【００３１】
また、図１１に示すように、信号線２７は、テーパ状に形成されていても良い。この場合も、信号線２７を形成する最下層の導電層は、他の導電層より大きく形成されている。信号線２７のテーパ角を所定の角度に設定することにより、最上層の導電層は、他の導電層に向かうバックライトを遮ることができる。このため、信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができる。
【００３２】
次に、比較例として、信号線２７を形成する全ての導電層を同一パターンに形成した場合の不具合を図１２を用いて説明する。
【００３３】
図１２に示すように、信号線２７を形成する複数の導電層が同一パターンに形成された場合、信号線２７の側面で反射したバックライトは、表示画像の視認側に全て抜けることになる。このため、比較例の信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができない。
【００３４】
以上のように構成された液晶表示装置によれば、信号線２７は複数の導電層が積層して形成されている。信号線２７を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、他の導電層に重なっているとともに他の導電層から外れて形成されている。信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができるため、コントラスト比の向上を図ることができる。
【００３５】
信号線２７の最上層又は最下層の導電層は、他の導電層から、例えば、０．１μｍ外れて形成されている。このため、高開口率を維持した状態で、コントラスト比の向上を図ることができる。
上記したことから、表示品位に優れた液晶表示装置を得ることができる。
【００３６】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【００３７】
例えば、本発明は、信号線２７に限らず、複数の導電層が積層して形成された配線があれば適用可能である。この場合、上記配線を形成する最上層又は最下層の導電層が、他の導電層よりサイズが大きく、他の導電層に重なっているとともに他の導電層から外れて形成されていれば良い。
信号線２７（配線）の最上層又は最下層の導電層は、他の導電層から、例えば、０．１μｍ外れて形成されているが、これに限らず、例えば、０．１μｍ以内であっても、０．１μｍ以上外れて形成されていても良い。
【００３８】
信号線２７を形成する際は、一般に知られた製造方法を用いて形成すれば良い。例えば、成膜及びパターニングを繰り返して導電層を一層ずつ形成しても良く、また、複数の導電膜を成膜した後パターニングして導電層を形成しても良い。信号線を形成する複数の導電層は、Ｔｉ、Ａｌに限らず、他の導電材料により形成されても良い。
【００３９】
この発明は、液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。この場合、有機ＥＬ表示装置は、少なくとも、基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれ有機ＥＬ素子を含み複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板を備えている。そして、各配線を形成する最上層又は最下層の導電層が、他の導電層よりサイズが大きく、他の導電層に重なっているとともに他の導電層から外れて形成されていれば良い。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を示す斜視図。
【図２】図１に示したアレイ基板の一部を示す概略構成図。
【図３】図１及び図２に示したアレイ基板の一部を示す拡大平面図。
【図４】図３に示したアレイ基板の等価回路図。
【図５】上記液晶表示装置の一部を示す拡大断面図。
【図６】上記液晶表示装置の実施例１の信号線を示す概略断面図。
【図７】上記液晶表示装置の実施例２の信号線を示す概略断面図。
【図８】最上層の導電層が他の導電層より大きく形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【図９】図８に示した信号線の変形例を示す図であり、逆テーパ状に形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【図１０】最下層の導電層が他の導電層より大きく形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【図１１】図１０に示した信号線の変形例を示す図であり、テーパ状に形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【図１２】上記液晶表示装置の比較例の信号線を示す図であり、導電層が全て同一パターンに形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【符号の説明】
【００４１】
１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、７…バックライトユニット、１０…ガラス基板、１１…下地層、１４…ＴＦＴ、１９…走査線、２７…信号線、２７ａ，２７ｂ，２７ｃ…導電層、２７ｄ…導電膜、３４…画素電極、３７…配向膜、４０…ガラス基板、４１…対向電極、４３…配向膜、５０…カラーフィルタ、Ｐ…液晶表示パネル、ＰＸ…画素。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置として、液晶表示パネル及びバックライトユニットを備えた液晶表示装置が知られている。液晶表示パネルは、アレイ基板と、対向基板と、液晶層とを備えている。アレイ基板は、ガラス基板上に形成された複数の走査線及び複数の信号線と、それぞれ走査線及び信号線の交差部近傍に設けられた複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と、複数のＴＦＴに接続された画素電極とを有している。
【０００３】
上記したような液晶表示装置において、配線部の断面の偏平率を上げる技術が開示されている。開口率を上げることにより、輝度レベルを向上することができる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１０９００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、液晶表示装置は、コントラスト向上等、表示品位の向上が求められている。このため、上記のように液晶表示装置を形成した場合、例えば、バックライトが信号線で拡散することにより、光漏れが生じてしまう。これにより、コントラスト比は低下してしまう。
【０００５】
また、１枚のマザーガラスから複数のアレイ基板を形成する多面取りの場合、面内で製造誤差が生じる傾向にある。この場合、コントラスト特性もアレイ基板毎に異なるため、コントラスト比の低下を招くアレイ基板も形成されてしまう。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、表示品位に優れた液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る液晶表示装置は、
基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれスイッチング素子及び画素電極を含み前記複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板間に挟持された液晶層と、を備え、
各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、前記他の導電層に重なっているとともに前記他の導電層から外れて形成されている。
【０００７】
また、本発明の他の態様に係る有機ＥＬ表示装置は、
基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれ有機ＥＬ素子を含み前記複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板を備え、
各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、前記他の導電層に重なっているとともに前記他の導電層から外れて形成されている。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、表示品位に優れた液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。
図１乃至図５に示すように、液晶表示装置は、液晶表示パネルＰ及びバックライトユニット７を備えている。液晶表示パネルＰは、アレイ基板１と、このアレイ基板に対向配置された対向基板２と、これら両基板間に挟持された液晶層３とを備えている。液晶表示装置は、アレイ基板１及び対向基板２が重なった表示領域を有している。アレイ基板１は、表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを有している。なお、画素ＰＸについては後述する。
【００１０】
アレイ基板１は、透明な絶縁基板として、例えばガラス基板１０を備えている。ガラス基板１０上にはアンダーコーティング層１２が成膜されている。
【００１１】
表示領域において、ガラス基板１０上には、第１方向ｄ１に沿って延出した複数の走査線１９及び第１方向に直交した第２方向ｄ２に沿って延出した複数の信号線２７が配置されている。隣合う２本の信号線２７及び隣合う２本の走査線１９で囲まれた各領域には画素ＰＸが形成されている。
【００１２】
次に、画素ＰＸを１つ取り出して説明する。
画素ＰＸは、画素電極３４及び画素電極に接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４を有している。
【００１３】
詳述すると、アンダーコーティング層１２上に、チャネル層１５が形成されている。チャネル層１５は、アンダーコーティング層１２上に形成された半導体膜をパターニングすることにより形成されている。この実施の形態において、チャネル層１５は、ポリシリコンで形成されている。
【００１４】
アンダーコーティング層１２及びチャネル層１５上に、ゲート絶縁膜１８が成膜されている。ゲート絶縁膜１８上に、複数の走査線１９と、これら走査線の一部を延出した複数のゲート電極２０とが形成されている。
【００１５】
走査線１９及びゲート電極２０は、アルミニウムやモリブデン−タングステン等の遮光性を有する低抵抗材料により同時に形成されている。この実施の形態において、走査線１９及びゲート電極２０は、モリブデン−タングステンで形成されている。各ゲート電極２０は、各チャネル層１５に重なって形成されている。
【００１６】
ゲート絶縁膜１８、走査線１９及びゲート電極２０上に、層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２を含むガラス基板１０上の下地層１１上には、複数のソース電極２６、複数の信号線２７及び複数のドレイン電極２８が形成されている。
【００１７】
ソース電極２６及び信号線２７は、一体に形成され、互いに電気的に接続されているソース電極２６は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２３を介してチャネル層１５のソース領域ＲＳに電気的に接続されている。ドレイン電極２８は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２４を介してチャネル層１５のドレイン領域ＲＤに電気的に接続されている。
層間絶縁膜２２、ソース電極２６、信号線２７及びドレイン電極２８上に、絶縁膜として、透明な樹脂により平坦化膜３１が成膜されている。
【００１８】
平坦化膜３１上には、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明な導電材料により複数の画素電極３４が形成されている。画素電極３４は、マトリクス状に配置されている。画素電極３４は、平坦化膜３１に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極２８に電気的に接続されている。画素電極３４は、隣合う２本の信号線２７及び隣合う２本の走査線１９に周縁を重ねて形成されている。
【００１９】
上記のように、ＴＦＴ１４及び画素電極３４等が形成されたガラス基板１０上に、図示しないが複数の柱状スペーサが形成されている。柱状スペーサが形成されたガラス基板１０上に、配向膜３７が形成されている。
各画素ＰＸは、ＴＦＴ１４及び画素電極３４を１つずつ有している。
【００２０】
次に、対向基板２について説明する。
対向基板２は、透明な絶縁基板として、例えばガラス基板４０を備えている。ガラス基板４０上には、カラーフィルタ５０が形成されている。
【００２１】
カラーフィルタ５０は、複数の赤色の着色層５０Ｒ、複数の緑色の着色層５０Ｇ及び複数の青色の着色層５０Ｂを有している。各着色層は、ストライプ状に形成され、信号線２７の延出した方向に平行である。各着色層の周縁は、信号線２７に重なっている。カラーフィルタ５０上には、ＩＴＯ等の透明な導電材料により対向電極４１が形成されている。カラーフィルタ５０及び対向電極４１上に、配向膜４３が形成されている。
【００２２】
アレイ基板１及び対向基板２は、複数の柱状スペーサにより、所定の隙間を保持して対向配置されている。アレイ基板１及び対向基板２は、表示領域外周の両基板間に配置されたシール材６０により接合されている。液晶層３は、アレイ基板１、対向基板２及びシール材６０で囲まれた領域に形成されている。シール材６０の一部には液晶注入口６１が形成され、この液晶注入口は封止材６２で封止されている。
【００２３】
バックライトユニット７は、導光板７ａと、この導光板の一側縁に対向配置された図示しない光源及び反射板とを有している。導光板７ａは、アレイ基板１に対向配置されている。バックライトユニット７は、液晶層３に向けて光を出射するものである。なお、アレイ基板１の外面側が表示画像の視認側となる場合、バックライトユニット７は対向基板２の外面側に位置していれば良い
次に、上記液晶表示装置の実施例１及び実施例２について説明する。
（実施例１）
図３、図５及び図６に示すように、実施例１において、信号線２７は、複数の導電層を積層して形成されている。ここでは、信号線２７は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層構造を有している。このため、最下層の導電層２７ａはＴｉで形成されている。導電層２７ｂはＡｌで形成されている。最上層の導電層２７ｃはＴｉで形成されている。なお、導電層２７ｃ上には、Ｔｉを含む導電膜２７ｄが設けられている。
【００２４】
最下層の導電層２７ａは、他の導電層２７ｂ、２７ｃよりサイズが大きく、導電層２７ｂ、２７ｃに重なっているとともに導電層２７ｂ、２７ｃから外れて形成されている。導電層２７ａは、導電層２７ｂ、２７ｃから、例えば、０．１μｍ外れて形成されている。
【００２５】
さらに、最上層の導電層２７ｃは、導電層２７ｂよりサイズが大きく、導電層２７ｂに重なっているとともに導電層２７ｂから外れて形成されている。導電層２７ｃは、導電層２７ｂから、例えば、０．１μｍ外れて形成されている。
【００２６】
（実施例２）
図３、図５及び図７に示すように、実施例２において、信号線２７は、複数の導電層を積層して形成されている。ここでは、信号線２７は、Ａｌ／Ｔｉの２層構造を有している。このため、最下層の導電層２７ｂはＡｌで形成されている。最上層の導電層２７ｃはＴｉで形成されている。なお、導電層２７ｃ上には、Ｔｉを含む導電膜２７ｄが設けられている。
【００２７】
最上層の導電層２７ｃは、導電層２７ｂよりサイズが大きく、導電層２７ｂに重なっているとともに導電層２７ｂから外れて形成されている。導電層２７ｃは、導電層２７ｂから、例えば、０．１μｍ外れて形成されている。
【００２８】
次に、上記実施例１及び実施例２のように、信号線２７を形成する最上層又は最下層の導電層を他の導電層より大きく形成したことによる効果を図８乃至図１１を用いて説明する。
図８に示すように、信号線２７を形成する最上層の導電層は、他の導電層より大きく形成されている。最上層の導電層は、他の導電層で反射したバックライトを遮ることができる。このため、信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができる。
【００２９】
また、図９に示すように、信号線２７は、逆テーパ状に形成されていても良い。この場合も、信号線２７を形成する最上層の導電層は、他の導電層より大きく形成されている。信号線２７の逆テーパ角を所定の角度に設定することにより、最上層の導電層は、他の導電層で反射したバックライトを遮ることができる。このため、信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができる。
【００３０】
図１０に示すように、信号線２７を形成する最下層の導電層は、他の導電層より大きく形成されている。最下層の導電層は、他の導電層に向かうバックライトを遮ることができる。このため、信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができる。
【００３１】
また、図１１に示すように、信号線２７は、テーパ状に形成されていても良い。この場合も、信号線２７を形成する最下層の導電層は、他の導電層より大きく形成されている。信号線２７のテーパ角を所定の角度に設定することにより、最上層の導電層は、他の導電層に向かうバックライトを遮ることができる。このため、信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができる。
【００３２】
次に、比較例として、信号線２７を形成する全ての導電層を同一パターンに形成した場合の不具合を図１２を用いて説明する。
【００３３】
図１２に示すように、信号線２７を形成する複数の導電層が同一パターンに形成された場合、信号線２７の側面で反射したバックライトは、表示画像の視認側に全て抜けることになる。このため、比較例の信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができない。
【００３４】
以上のように構成された液晶表示装置によれば、信号線２７は複数の導電層が積層して形成されている。信号線２７を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、他の導電層に重なっているとともに他の導電層から外れて形成されている。信号線２７は、信号線２７自体で反射した光に起因した光漏れを低減させることができるため、コントラスト比の向上を図ることができる。
【００３５】
信号線２７の最上層又は最下層の導電層は、他の導電層から、例えば、０．１μｍ外れて形成されている。このため、高開口率を維持した状態で、コントラスト比の向上を図ることができる。
上記したことから、表示品位に優れた液晶表示装置を得ることができる。
【００３６】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【００３７】
例えば、本発明は、信号線２７に限らず、複数の導電層が積層して形成された配線があれば適用可能である。この場合、上記配線を形成する最上層又は最下層の導電層が、他の導電層よりサイズが大きく、他の導電層に重なっているとともに他の導電層から外れて形成されていれば良い。
信号線２７（配線）の最上層又は最下層の導電層は、他の導電層から、例えば、０．１μｍ外れて形成されているが、これに限らず、例えば、０．１μｍ以内であっても、０．１μｍ以上外れて形成されていても良い。
【００３８】
信号線２７を形成する際は、一般に知られた製造方法を用いて形成すれば良い。例えば、成膜及びパターニングを繰り返して導電層を一層ずつ形成しても良く、また、複数の導電膜を成膜した後パターニングして導電層を形成しても良い。信号線を形成する複数の導電層は、Ｔｉ、Ａｌに限らず、他の導電材料により形成されても良い。
【００３９】
この発明は、液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。この場合、有機ＥＬ表示装置は、少なくとも、基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれ有機ＥＬ素子を含み複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板を備えている。そして、各配線を形成する最上層又は最下層の導電層が、他の導電層よりサイズが大きく、他の導電層に重なっているとともに他の導電層から外れて形成されていれば良い。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を示す斜視図。
【図２】図１に示したアレイ基板の一部を示す概略構成図。
【図３】図１及び図２に示したアレイ基板の一部を示す拡大平面図。
【図４】図３に示したアレイ基板の等価回路図。
【図５】上記液晶表示装置の一部を示す拡大断面図。
【図６】上記液晶表示装置の実施例１の信号線を示す概略断面図。
【図７】上記液晶表示装置の実施例２の信号線を示す概略断面図。
【図８】最上層の導電層が他の導電層より大きく形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【図９】図８に示した信号線の変形例を示す図であり、逆テーパ状に形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【図１０】最下層の導電層が他の導電層より大きく形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【図１１】図１０に示した信号線の変形例を示す図であり、テーパ状に形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【図１２】上記液晶表示装置の比較例の信号線を示す図であり、導電層が全て同一パターンに形成された信号線及びバックライトの光路を示す図。
【符号の説明】
【００４１】
１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、７…バックライトユニット、１０…ガラス基板、１１…下地層、１４…ＴＦＴ、１９…走査線、２７…信号線、２７ａ，２７ｂ，２７ｃ…導電層、２７ｄ…導電膜、３４…画素電極、３７…配向膜、４０…ガラス基板、４１…対向電極、４３…配向膜、５０…カラーフィルタ、Ｐ…液晶表示パネル、ＰＸ…画素。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれスイッチング素子及び画素電極を含み前記複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板間に挟持された液晶層と、を備え、
各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、前記他の導電層に重なっているとともに前記他の導電層から外れて形成されている液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の配線は、複数の信号線である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記最上層又は最下層の導電層は、前記他の導電層から０．１μｍ外れて形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記アレイ基板の外面側又は対向基板の外面側に位置し、前記液晶層に光を出射するバックライトユニットをさらに備えた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれ有機ＥＬ素子を含み前記複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板を備え、
各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、前記他の導電層に重なっているとともに前記他の導電層から外れて形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記複数の配線は、複数の映像信号線である請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記最上層又は最下層の導電層は、前記他の導電層から０．１μｍ外れて形成されている請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれスイッチング素子及び画素電極を含み前記複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板間に挟持された液晶層と、を備え、
各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、前記他の導電層に重なっているとともに前記他の導電層から外れて形成されている液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の配線は、複数の信号線である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記最上層又は最下層の導電層は、前記他の導電層から０．１μｍ外れて形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記アレイ基板の外面側又は対向基板の外面側に位置し、前記液晶層に光を出射するバックライトユニットをさらに備えた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
基板上に設けられ複数の導電層が積層して形成された複数の配線と、それぞれ有機ＥＬ素子を含み前記複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板を備え、
各配線を形成する最上層又は最下層の導電層は、他の導電層よりサイズが大きく、前記他の導電層に重なっているとともに前記他の導電層から外れて形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記複数の配線は、複数の映像信号線である請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記最上層又は最下層の導電層は、前記他の導電層から０．１μｍ外れて形成されている請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−１２２３７９（Ｐ２０１０−１２２３７９Ａ）
【公開日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２９４６５６（Ｐ２００８−２９４６５６）
【出願日】平成２０年１１月１８日（２００８．１１．１８）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１１月１８日（２００８．１１．１８）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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