薄膜の加工方法、圧電振動子の周波数調整方法、及び電子デバイス
【課題】レーザーに対する加工閾値が低い薄膜をパッケージ内面に効率的に形成することが可能な生産性の高い薄膜の加工方法、圧電振動子の周波数調整方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】予め圧電振動子３の周波数を目標値よりも低周波側に設定した上で、圧電振動子３の表面にある周波数調整用の薄膜１１に蓋部材２の外面側からレーザー５を照射して飛散させ、圧電振動子３の質量を減少させることで、周波数を高周波側へと変化させる。この時、飛散した薄膜１１の粒子１１ａは、蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。先の周波数調整により周波数が目標値を上回ってしまった場合には、蓋部材２の表面に形成された薄膜１２に蓋部材２の外面側からレーザー５を照射して飛散させ、飛散した粒子１２ａを圧電振動子２の表面に再度付着させて圧電振動子３の質量を増加させることで、周波数を低周波側へと変化させる。
【解決手段】予め圧電振動子３の周波数を目標値よりも低周波側に設定した上で、圧電振動子３の表面にある周波数調整用の薄膜１１に蓋部材２の外面側からレーザー５を照射して飛散させ、圧電振動子３の質量を減少させることで、周波数を高周波側へと変化させる。この時、飛散した薄膜１１の粒子１１ａは、蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。先の周波数調整により周波数が目標値を上回ってしまった場合には、蓋部材２の表面に形成された薄膜１２に蓋部材２の外面側からレーザー５を照射して飛散させ、飛散した粒子１２ａを圧電振動子２の表面に再度付着させて圧電振動子３の質量を増加させることで、周波数を低周波側へと変化させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜の加工方法、圧電振動子の周波数調整方法、及び電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージの内部に圧電振動子を収納してなる所謂パッケージ型の圧電デバイスにおいて、予め電子部品パッケージの内面に薄膜を形成しておき、その薄膜に電子部品パッケージの外部からレーザーを照射して飛散させ、飛散した粒子を圧電振動子の表面に付着させることで圧電振動子の周波数を変化させる技術が知られている。このような技術としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。
【０００３】
図１３は、圧電デバイスを示す上面図及び断面図、図１４は、従来の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。尚、上面図では、最上部の部材を透かして見た状態としてある（本明細書においては以降同様とする）。ここに示す圧電デバイスは、上部が開放された箱型のベース基板１に平板状の蓋部材２が接合されることで形成された電子部品パッケージの内部に平板状の圧電振動子３が収納された所謂パッケージ型の圧電デバイスで、圧電振動子３と対向する蓋部材２の表面に金属等からなる薄膜４が形成されている。
【０００４】
この圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜４に焦点を合わせるように照射して薄膜４を飛散させ、飛散した薄膜４の粒子４ａを圧電振動子３の表面に付着させて圧電振動子３の質量を増加させることで周波数を減少させる。（例えば、特許文献１、２参照）
【０００５】
図１５は、圧電デバイスを示す上面図及び断面図、図１６は、従来の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、上部が開放された箱型のベース基板１に平板状の蓋部材２が接合されることで形成された電子部品パッケージの内部に平板状の圧電振動子３が収納された所謂パッケージ型の圧電デバイスで、圧電振動子３と対向するベース基板１の表面に金属等からなる薄膜６が形成されている。
【０００６】
この圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側からベース基板１の内面にある薄膜６に焦点を合わせるように照射して薄膜６を飛散させ、飛散した薄膜６の粒子６ａを圧電振動子３の表面に付着させて圧電振動子３の質量を増加させることで周波数を減少させる。（例えば、特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平２−１７９０１３号公報
【特許文献２】特開平５−２９８６３号公報
【特許文献３】特許第３８４３７７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の薄膜の加工方法では、薄膜がパッケージの表面に直接形成されているため、薄膜に焦点を結ぶようにレーザーを照射した際には、薄膜に密接するパッケージの表層がレーザーの高密度領域に晒されてダメージを受ける虞がある。この対策の一つとして、薄膜の材料、厚さ、粒子密度等を適宜調整することで、薄膜のレーザーに対する加工閾値を低下させて薄膜をレーザーにより加工され易くし、その分、レーザーの出力を下げてパッケージへのダメージを軽減することが考えられるが、そのためには、予め薄膜のみを特殊な材料や成膜条件で個別に形成しておかなければならず、生産性が低下するという問題がある。
【０００９】
本発明は、以上の問題点に鑑みて成されたものであり、レーザーに対する加工閾値が低い薄膜をパッケージ内面に効率的に形成することが可能な生産性の高い薄膜の加工方法、圧電振動子の周波数調整方法、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記電子部品パッケージ内部の所定領域に照射して当該所定領域に存在する部材の少なくとも一部を粒子として飛散させる工程と、飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内面に付着させて薄膜を形成する工程と、前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記薄膜に照射して前記薄膜を加工する工程と、を有する薄膜の加工方法とする。
【００１１】
電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記電子部品パッケージ内部の所定領域に照射して当該所定領域に存在する部材の少なくとも一部を粒子として飛散させる工程と、飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内面に付着させて薄膜を形成する工程と、前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記薄膜に照射して前記薄膜を粒子として飛散させる工程と、飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内部に収納された圧電振動子に付着させて当該圧電振動子の周波数を調整する工程と、を有する圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１２】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記圧電振動子の表面に形成された周波数調整用の薄膜である圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１３】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記圧電振動子の母材である圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１４】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記電子部品パッケージの内面に形成された薄膜である圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１５】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記電子部品パッケージの母材である圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１６】
前記薄膜が形成される前記電子部品パッケージの内面は、前記圧電振動子側に傾く傾斜面とされている圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１７】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージの内部に電子部品が収納された電子デバイスであって、前記電子部品パッケージ内部の所定領域に存在する部材の少なくとも一部が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより粒子として飛散され、飛散した当該粒子が前記電子部品パッケージの内面に付着して薄膜を形成し、当該薄膜が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより加工されている電子デバイスとする。
【００１８】
前記電子部品は、圧電振動子であり、前記電子部品パッケージの内面に形成された前記薄膜が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより粒子として飛散され、飛散した当該粒子が前記圧電振動子に付着することで前記圧電振動子の周波数が変化している電子デバイスとする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、レーザーに対する加工閾値が低い薄膜を電子部品パッケージの内面に効率的に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図２】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例１）
【図３】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図４】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例２）
【図５】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図６】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例３）
【図７】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図８】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例４）
【図９】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図１０】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例５）
【図１１】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図１２】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例６）
【図１３】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図１４】従来の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図
【図１５】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図１６】従来の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明について説明をする。
【実施例１】
【００２２】
図１は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図２は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、上部が開放された箱型のベース基板１に平板状の蓋部材２が接合されることで形成された電子部品パッケージの内部に平板状の圧電振動子３が収納された所謂パッケージ型の圧電デバイスである。
【００２３】
圧電振動子３は、ベース基板１の内底面上に導電性接着剤等を介して実装され、ベース基板１の内部に形成された貫通配線７やベース基板１の表面に敷設された配線パターン等を介して、ベース基板１の外底面に設けられた外部接続端子８に電気的に接続されている。
【００２４】
圧電振動子３の表面には、圧電振動子３を励振駆動させるための励振電極や圧電振動子３をベース基板１に実装するための実装用端子が設けられ、更に、蓋部材２と対向する領域の一部に金属等から成る周波数調整用の薄膜１１が設けられている。
【００２５】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも低周波側に設定した上で、図２中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から圧電振動子３の表面にある周波数調整用の薄膜１１に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１１を粒子１１ａとして飛散させる。
【００２６】
薄膜１１が飛散すると、圧電振動子３の質量が減少して周波数が高周波側へと変化し、それと同時に、飛散した薄膜１１の粒子１１ａが圧電振動子３と対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。この薄膜１２は、一般的に厚さや粒子密度が小さく、レーザーに対する加工閾値が低いものであるが、それらのパラメーターは、レーザー５の照射条件を適宜調整することで変更が可能である。
【００２７】
ここで、以上の周波数調整により周波数が目標値となればよいが、過剰な調整により周波数が目標値を上回ってしまった場合には、図２中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００２８】
この時、蓋部材２の内面にある薄膜１２は、レーザーに対する加工閾値が低いことから、使用するレーザー５は低出力のもので十分であり、レーザー５の出力を低下させた分、薄膜１２に密接する蓋部材２の表層が高強度のレーザーに晒されなくなるため、レーザー５による蓋部材２へのダメージを軽減することができる。
【００２９】
以上の周波数調整により周波数が再度目標値を下回ってしまった場合には、周波数の高周波側への調整（アップコンバージョン）と低周波側への調整（ダウンコンバージョン）を、周波数が目標値になるまで同様に繰り返す。
【００３０】
この実施例では、圧電振動子３の表面にある周波数調整用の薄膜１１を除去して圧電振動子３の周波数を調整する工程の中で、蓋部材２の表面に薄膜１２が同時に形成されるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成する工程を実質的に省略することができる。また、薄膜１２の材料源は、圧電振動子３の表面に予め設けられている周波数調整用の薄膜１１であるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成するために新たに材料を必要とすることはない。
【００３１】
尚、周波数調整用の薄膜１１は、圧電振動子３のベース基板１と対向する側の表面に形成されていてもよく、この場合、レーザー５により飛散された薄膜１１の粒子１１ａは、圧電振動子３と対向するベース基板１の表面（内底面）に付着して薄膜１２を形成し、周波数を低周波側へ調整する際には、その薄膜１２をレーザー５により飛散させて圧電振動子３の表面に再度付着させることとなる。
【実施例２】
【００３２】
図３は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図４は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例１で示した圧電デバイスと同様であり、圧電振動子３の表面には、周波数調整用の薄膜１１が形成されている。
【００３３】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも低周波側に設定した上で、図４中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から圧電振動子３の表面にある周波数調整用の薄膜１１に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１１を粒子１１ａとして飛散させる。
【００３４】
薄膜１１が飛散すると、圧電振動子３の質量が減少して周波数が高周波側へと変化し、それと同時に、飛散した薄膜１１の粒子１１ａが圧電振動子３と対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００３５】
ここで、以上の周波数調整により周波数が目標値を上回ってしまった場合には、図４中下図に示すように、ベース基板１を透過する波長帯域のレーザー５を、ベース基板１の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【実施例３】
【００３６】
図５は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図６は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例１で示した圧電デバイスの変形例であり、相違点として、圧電振動子３の表面には、周波数調整用の薄膜１１が形成されておらず、蓋部材２と対向する一部の領域において圧電振動子３の母材（圧電材料）が露出している。
【００３７】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも低周波側に設定した上で、図６中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から圧電振動子３の母材の表層に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により母材の一部を粒子３ａとして飛散させる。母材の一部が飛散すると、圧電振動子３の質量が減少して周波数が高周波側へと変化し、それと同時に、飛散した粒子３ａが圧電振動子３と対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００３８】
ここで、以上の周波数調整により周波数が目標値を上回ってしまった場合には、図６中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００３９】
この実施例では、圧電振動子３の母材を飛散させて圧電振動子３の周波数を調整する工程の中で蓋部材２の表面に薄膜１２が同時に形成されるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成する工程を実質的に省略することができる。また、薄膜１２の材料源は、圧電振動子３の母材自体であるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成するために新たに材料を必要とすることはない。
【００４０】
尚、レーザー５により飛散させる圧電振動子３の母材の一部は、ベース基板１と対向する側の母材の表層であってもよく、この場合、レーザー５により飛散された母材の粒子３ａは、圧電振動子３と対向するベース基板１の表面（内底面）に付着して薄膜１２を形成し、周波数を低周波側へ調整する際には、その薄膜１２をレーザー５により飛散させて圧電振動子３の表面に再度付着させることとなる。
【実施例４】
【００４１】
図７は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図８は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例１で示した圧電デバイスと同様の基本構成を備え、相違点として、圧電振動子３の表面には、周波数調整用の薄膜１１が形成されておらず、更に、圧電振動子３の先端側に位置するベース基板１の内面に段差部１ａが一体的に設けられ、その段差部の上面に金属等からなる薄膜１３が形成されている。
【００４２】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、図８中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側からベース基板１の段差部１ａ上にある薄膜１３に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１３を粒子１３ａとして飛散させる。飛散した粒子１３ａは、段差部１ａと対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００４３】
次に、図８中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００４４】
この実施例では、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成するために、予めベース基板１の表面に飛散用の薄膜１３を設けておかなければならないが、この薄膜１３は、ベース基板１に配線パターン等を形成する際に、それらと同一材料及び同一条件で同時に形成することが可能であり、また、特に支障が無いのであれば、ベース基板１上に予め存在する配線パターン等の一部をそのまま飛散用の薄膜１３として利用してもよく、生産性が低下することはない。
【００４５】
また、この実施例では、飛散用の薄膜１３を飛散させる際に、レーザー５をベース基板１の表層付近に集光させることになるため、レーザー５によりベース基板１にダメージが発生する虞があるが、薄膜１３を形成する箇所に段差部１ａを設けるなどしてベース基板１の強度を高めておけばよい。
【００４６】
また、段差部１ａは、飛散した薄膜１３の粒子１３ａが蓋部材２の表面に届く範囲内であれば、圧電振動子３周辺のどの領域に設けてもよく、その高さも、粒子１３ａの飛散範囲を考慮した上で適宜設定すればよい。
【実施例５】
【００４７】
図９は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図１０は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例４で示した圧電デバイスの変形例であり、相違点として、ベース基板１の内面に設けられた段差部１ａの上面が圧電振動子３側に傾く傾斜面とされ、その傾斜面上に飛散用の薄膜１３が形成されている。
【００４８】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、図１０中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側からベース基板１の段差部１ａ（傾斜面）上にある薄膜１３に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１３を粒子１３ａとして飛散させる。飛散した粒子１３ａは、段差部１ａの傾斜の影響を受けて、段差部１ａの真上より圧電振動子３寄りの蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００４９】
次に、図１０中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００５０】
この実施例では、飛散用の薄膜１３を形成する面を傾斜させることで、薄膜１３の粒子１３ａを飛散させる方向を制御することができるため、設計の自由度が増す。尚、傾斜面の傾斜方向や傾斜角度は、飛散した粒子１３ａを付着させたい領域に応じて適宜設定すればよい。
【実施例６】
【００５１】
図１１は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図１２は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例４で示した圧電デバイスの変形例であり、相違点として、ベース基板１の内面に設けられた段差部１ａ上には、飛散用の薄膜１３が形成されておらず、ベース基板１の母材がそのまま露出している。
【００５２】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、図１２中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側からベース基板１の段差部１ａの表層に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により段差部１ａの表層を粒子１ｂとして飛散させる。飛散した粒子１ｂは、段差部１ａと対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００５３】
次に、図１２中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００５４】
この実施例では、薄膜１２の材料源は、ベース基板１の母材自体であるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成するために新たに材料を必要とすることはない。
必要はない。
【００５５】
尚、段差部１ａの上面は、実施例５と同様に圧電振動子３側に傾く傾斜面とすることも可能である。
【００５６】
以上、いくつかの実施例を挙げて本発明について説明したが、それらの実施例は、適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００５７】
また、電子部品パッケージは、箱型のベース基板に平板状の蓋部材を接合したものに限らず、例えば、平板状のベース基板に箱型の蓋部材を接合したものであってもよい。
【００５８】
また、電子部品パッケージの内面に薄膜を形成するためにレーザーにより一次的に飛散させる部材は、本発明の趣旨を逸脱し内範囲で、電子部品パッケージの内部空間に存在するあらゆる部材が対象となる。
【００５９】
また、本発明は、圧電デバイスのみならず、電子部品パッケージの内面に形成された薄膜を外部からレーザーにより加工（除去、改質、溶融等）することが求められる、圧電振動子以外の電子部品を収納したその他の電子デバイスにも適用することが可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１ ベース基板
１ａ 段差部
１ｂ 粒子
２ 蓋部材
３ 圧電振動子
４ 薄膜
４ａ 粒子
５ レーザー
６ 薄膜
６ａ 粒子
７ 貫通配線
８ 外部接続端子
１１ 薄膜
１１ａ 粒子
１２ 薄膜
１２ａ 粒子
１３ 薄膜
１３ａ 粒子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜の加工方法、圧電振動子の周波数調整方法、及び電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージの内部に圧電振動子を収納してなる所謂パッケージ型の圧電デバイスにおいて、予め電子部品パッケージの内面に薄膜を形成しておき、その薄膜に電子部品パッケージの外部からレーザーを照射して飛散させ、飛散した粒子を圧電振動子の表面に付着させることで圧電振動子の周波数を変化させる技術が知られている。このような技術としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。
【０００３】
図１３は、圧電デバイスを示す上面図及び断面図、図１４は、従来の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。尚、上面図では、最上部の部材を透かして見た状態としてある（本明細書においては以降同様とする）。ここに示す圧電デバイスは、上部が開放された箱型のベース基板１に平板状の蓋部材２が接合されることで形成された電子部品パッケージの内部に平板状の圧電振動子３が収納された所謂パッケージ型の圧電デバイスで、圧電振動子３と対向する蓋部材２の表面に金属等からなる薄膜４が形成されている。
【０００４】
この圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜４に焦点を合わせるように照射して薄膜４を飛散させ、飛散した薄膜４の粒子４ａを圧電振動子３の表面に付着させて圧電振動子３の質量を増加させることで周波数を減少させる。（例えば、特許文献１、２参照）
【０００５】
図１５は、圧電デバイスを示す上面図及び断面図、図１６は、従来の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、上部が開放された箱型のベース基板１に平板状の蓋部材２が接合されることで形成された電子部品パッケージの内部に平板状の圧電振動子３が収納された所謂パッケージ型の圧電デバイスで、圧電振動子３と対向するベース基板１の表面に金属等からなる薄膜６が形成されている。
【０００６】
この圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側からベース基板１の内面にある薄膜６に焦点を合わせるように照射して薄膜６を飛散させ、飛散した薄膜６の粒子６ａを圧電振動子３の表面に付着させて圧電振動子３の質量を増加させることで周波数を減少させる。（例えば、特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平２−１７９０１３号公報
【特許文献２】特開平５−２９８６３号公報
【特許文献３】特許第３８４３７７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の薄膜の加工方法では、薄膜がパッケージの表面に直接形成されているため、薄膜に焦点を結ぶようにレーザーを照射した際には、薄膜に密接するパッケージの表層がレーザーの高密度領域に晒されてダメージを受ける虞がある。この対策の一つとして、薄膜の材料、厚さ、粒子密度等を適宜調整することで、薄膜のレーザーに対する加工閾値を低下させて薄膜をレーザーにより加工され易くし、その分、レーザーの出力を下げてパッケージへのダメージを軽減することが考えられるが、そのためには、予め薄膜のみを特殊な材料や成膜条件で個別に形成しておかなければならず、生産性が低下するという問題がある。
【０００９】
本発明は、以上の問題点に鑑みて成されたものであり、レーザーに対する加工閾値が低い薄膜をパッケージ内面に効率的に形成することが可能な生産性の高い薄膜の加工方法、圧電振動子の周波数調整方法、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記電子部品パッケージ内部の所定領域に照射して当該所定領域に存在する部材の少なくとも一部を粒子として飛散させる工程と、飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内面に付着させて薄膜を形成する工程と、前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記薄膜に照射して前記薄膜を加工する工程と、を有する薄膜の加工方法とする。
【００１１】
電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記電子部品パッケージ内部の所定領域に照射して当該所定領域に存在する部材の少なくとも一部を粒子として飛散させる工程と、飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内面に付着させて薄膜を形成する工程と、前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記薄膜に照射して前記薄膜を粒子として飛散させる工程と、飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内部に収納された圧電振動子に付着させて当該圧電振動子の周波数を調整する工程と、を有する圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１２】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記圧電振動子の表面に形成された周波数調整用の薄膜である圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１３】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記圧電振動子の母材である圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１４】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記電子部品パッケージの内面に形成された薄膜である圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１５】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記電子部品パッケージの母材である圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１６】
前記薄膜が形成される前記電子部品パッケージの内面は、前記圧電振動子側に傾く傾斜面とされている圧電振動子の周波数調整方法とする。
【００１７】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージの内部に電子部品が収納された電子デバイスであって、前記電子部品パッケージ内部の所定領域に存在する部材の少なくとも一部が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより粒子として飛散され、飛散した当該粒子が前記電子部品パッケージの内面に付着して薄膜を形成し、当該薄膜が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより加工されている電子デバイスとする。
【００１８】
前記電子部品は、圧電振動子であり、前記電子部品パッケージの内面に形成された前記薄膜が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより粒子として飛散され、飛散した当該粒子が前記圧電振動子に付着することで前記圧電振動子の周波数が変化している電子デバイスとする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、レーザーに対する加工閾値が低い薄膜を電子部品パッケージの内面に効率的に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図２】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例１）
【図３】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図４】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例２）
【図５】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図６】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例３）
【図７】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図８】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例４）
【図９】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図１０】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例５）
【図１１】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図１２】本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図（実施例６）
【図１３】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図１４】従来の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図
【図１５】圧電デバイスを示す上面図及び断面図
【図１６】従来の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明について説明をする。
【実施例１】
【００２２】
図１は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図２は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、上部が開放された箱型のベース基板１に平板状の蓋部材２が接合されることで形成された電子部品パッケージの内部に平板状の圧電振動子３が収納された所謂パッケージ型の圧電デバイスである。
【００２３】
圧電振動子３は、ベース基板１の内底面上に導電性接着剤等を介して実装され、ベース基板１の内部に形成された貫通配線７やベース基板１の表面に敷設された配線パターン等を介して、ベース基板１の外底面に設けられた外部接続端子８に電気的に接続されている。
【００２４】
圧電振動子３の表面には、圧電振動子３を励振駆動させるための励振電極や圧電振動子３をベース基板１に実装するための実装用端子が設けられ、更に、蓋部材２と対向する領域の一部に金属等から成る周波数調整用の薄膜１１が設けられている。
【００２５】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも低周波側に設定した上で、図２中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から圧電振動子３の表面にある周波数調整用の薄膜１１に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１１を粒子１１ａとして飛散させる。
【００２６】
薄膜１１が飛散すると、圧電振動子３の質量が減少して周波数が高周波側へと変化し、それと同時に、飛散した薄膜１１の粒子１１ａが圧電振動子３と対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。この薄膜１２は、一般的に厚さや粒子密度が小さく、レーザーに対する加工閾値が低いものであるが、それらのパラメーターは、レーザー５の照射条件を適宜調整することで変更が可能である。
【００２７】
ここで、以上の周波数調整により周波数が目標値となればよいが、過剰な調整により周波数が目標値を上回ってしまった場合には、図２中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００２８】
この時、蓋部材２の内面にある薄膜１２は、レーザーに対する加工閾値が低いことから、使用するレーザー５は低出力のもので十分であり、レーザー５の出力を低下させた分、薄膜１２に密接する蓋部材２の表層が高強度のレーザーに晒されなくなるため、レーザー５による蓋部材２へのダメージを軽減することができる。
【００２９】
以上の周波数調整により周波数が再度目標値を下回ってしまった場合には、周波数の高周波側への調整（アップコンバージョン）と低周波側への調整（ダウンコンバージョン）を、周波数が目標値になるまで同様に繰り返す。
【００３０】
この実施例では、圧電振動子３の表面にある周波数調整用の薄膜１１を除去して圧電振動子３の周波数を調整する工程の中で、蓋部材２の表面に薄膜１２が同時に形成されるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成する工程を実質的に省略することができる。また、薄膜１２の材料源は、圧電振動子３の表面に予め設けられている周波数調整用の薄膜１１であるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成するために新たに材料を必要とすることはない。
【００３１】
尚、周波数調整用の薄膜１１は、圧電振動子３のベース基板１と対向する側の表面に形成されていてもよく、この場合、レーザー５により飛散された薄膜１１の粒子１１ａは、圧電振動子３と対向するベース基板１の表面（内底面）に付着して薄膜１２を形成し、周波数を低周波側へ調整する際には、その薄膜１２をレーザー５により飛散させて圧電振動子３の表面に再度付着させることとなる。
【実施例２】
【００３２】
図３は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図４は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例１で示した圧電デバイスと同様であり、圧電振動子３の表面には、周波数調整用の薄膜１１が形成されている。
【００３３】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも低周波側に設定した上で、図４中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から圧電振動子３の表面にある周波数調整用の薄膜１１に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１１を粒子１１ａとして飛散させる。
【００３４】
薄膜１１が飛散すると、圧電振動子３の質量が減少して周波数が高周波側へと変化し、それと同時に、飛散した薄膜１１の粒子１１ａが圧電振動子３と対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００３５】
ここで、以上の周波数調整により周波数が目標値を上回ってしまった場合には、図４中下図に示すように、ベース基板１を透過する波長帯域のレーザー５を、ベース基板１の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【実施例３】
【００３６】
図５は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図６は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例１で示した圧電デバイスの変形例であり、相違点として、圧電振動子３の表面には、周波数調整用の薄膜１１が形成されておらず、蓋部材２と対向する一部の領域において圧電振動子３の母材（圧電材料）が露出している。
【００３７】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも低周波側に設定した上で、図６中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から圧電振動子３の母材の表層に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により母材の一部を粒子３ａとして飛散させる。母材の一部が飛散すると、圧電振動子３の質量が減少して周波数が高周波側へと変化し、それと同時に、飛散した粒子３ａが圧電振動子３と対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００３８】
ここで、以上の周波数調整により周波数が目標値を上回ってしまった場合には、図６中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００３９】
この実施例では、圧電振動子３の母材を飛散させて圧電振動子３の周波数を調整する工程の中で蓋部材２の表面に薄膜１２が同時に形成されるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成する工程を実質的に省略することができる。また、薄膜１２の材料源は、圧電振動子３の母材自体であるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成するために新たに材料を必要とすることはない。
【００４０】
尚、レーザー５により飛散させる圧電振動子３の母材の一部は、ベース基板１と対向する側の母材の表層であってもよく、この場合、レーザー５により飛散された母材の粒子３ａは、圧電振動子３と対向するベース基板１の表面（内底面）に付着して薄膜１２を形成し、周波数を低周波側へ調整する際には、その薄膜１２をレーザー５により飛散させて圧電振動子３の表面に再度付着させることとなる。
【実施例４】
【００４１】
図７は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図８は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例１で示した圧電デバイスと同様の基本構成を備え、相違点として、圧電振動子３の表面には、周波数調整用の薄膜１１が形成されておらず、更に、圧電振動子３の先端側に位置するベース基板１の内面に段差部１ａが一体的に設けられ、その段差部の上面に金属等からなる薄膜１３が形成されている。
【００４２】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、図８中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側からベース基板１の段差部１ａ上にある薄膜１３に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１３を粒子１３ａとして飛散させる。飛散した粒子１３ａは、段差部１ａと対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００４３】
次に、図８中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００４４】
この実施例では、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成するために、予めベース基板１の表面に飛散用の薄膜１３を設けておかなければならないが、この薄膜１３は、ベース基板１に配線パターン等を形成する際に、それらと同一材料及び同一条件で同時に形成することが可能であり、また、特に支障が無いのであれば、ベース基板１上に予め存在する配線パターン等の一部をそのまま飛散用の薄膜１３として利用してもよく、生産性が低下することはない。
【００４５】
また、この実施例では、飛散用の薄膜１３を飛散させる際に、レーザー５をベース基板１の表層付近に集光させることになるため、レーザー５によりベース基板１にダメージが発生する虞があるが、薄膜１３を形成する箇所に段差部１ａを設けるなどしてベース基板１の強度を高めておけばよい。
【００４６】
また、段差部１ａは、飛散した薄膜１３の粒子１３ａが蓋部材２の表面に届く範囲内であれば、圧電振動子３周辺のどの領域に設けてもよく、その高さも、粒子１３ａの飛散範囲を考慮した上で適宜設定すればよい。
【実施例５】
【００４７】
図９は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図１０は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例４で示した圧電デバイスの変形例であり、相違点として、ベース基板１の内面に設けられた段差部１ａの上面が圧電振動子３側に傾く傾斜面とされ、その傾斜面上に飛散用の薄膜１３が形成されている。
【００４８】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、図１０中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側からベース基板１の段差部１ａ（傾斜面）上にある薄膜１３に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１３を粒子１３ａとして飛散させる。飛散した粒子１３ａは、段差部１ａの傾斜の影響を受けて、段差部１ａの真上より圧電振動子３寄りの蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００４９】
次に、図１０中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００５０】
この実施例では、飛散用の薄膜１３を形成する面を傾斜させることで、薄膜１３の粒子１３ａを飛散させる方向を制御することができるため、設計の自由度が増す。尚、傾斜面の傾斜方向や傾斜角度は、飛散した粒子１３ａを付着させたい領域に応じて適宜設定すればよい。
【実施例６】
【００５１】
図１１は、圧電振動子を示す上面図及び断面図、図１２は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法を示す断面図である。ここに示す圧電デバイスは、実施例４で示した圧電デバイスの変形例であり、相違点として、ベース基板１の内面に設けられた段差部１ａ上には、飛散用の薄膜１３が形成されておらず、ベース基板１の母材がそのまま露出している。
【００５２】
以上の圧電デバイスにおいて、圧電振動子３の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子３の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、図１２中上図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側からベース基板１の段差部１ａの表層に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により段差部１ａの表層を粒子１ｂとして飛散させる。飛散した粒子１ｂは、段差部１ａと対向する蓋部材２の表面に付着して新たに薄膜１２を形成する。
【００５３】
次に、図１２中下図に示すように、蓋部材２を透過する波長帯域のレーザー５を、蓋部材２の外面側から蓋部材２の内面にある薄膜１２に焦点を結ぶように照射し、レーザーのアブレーション作用により薄膜１２を粒子１２ａとして飛散させる。飛散した粒子１２ａは、圧電振動子３の表面に付着し、圧電振動子３の質量が増加することで周波数が低周波側へと変化する。
【００５４】
この実施例では、薄膜１２の材料源は、ベース基板１の母材自体であるため、蓋部材２の表面に薄膜１２を形成するために新たに材料を必要とすることはない。
必要はない。
【００５５】
尚、段差部１ａの上面は、実施例５と同様に圧電振動子３側に傾く傾斜面とすることも可能である。
【００５６】
以上、いくつかの実施例を挙げて本発明について説明したが、それらの実施例は、適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００５７】
また、電子部品パッケージは、箱型のベース基板に平板状の蓋部材を接合したものに限らず、例えば、平板状のベース基板に箱型の蓋部材を接合したものであってもよい。
【００５８】
また、電子部品パッケージの内面に薄膜を形成するためにレーザーにより一次的に飛散させる部材は、本発明の趣旨を逸脱し内範囲で、電子部品パッケージの内部空間に存在するあらゆる部材が対象となる。
【００５９】
また、本発明は、圧電デバイスのみならず、電子部品パッケージの内面に形成された薄膜を外部からレーザーにより加工（除去、改質、溶融等）することが求められる、圧電振動子以外の電子部品を収納したその他の電子デバイスにも適用することが可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１ ベース基板
１ａ 段差部
１ｂ 粒子
２ 蓋部材
３ 圧電振動子
４ 薄膜
４ａ 粒子
５ レーザー
６ 薄膜
６ａ 粒子
７ 貫通配線
８ 外部接続端子
１１ 薄膜
１１ａ 粒子
１２ 薄膜
１２ａ 粒子
１３ 薄膜
１３ａ 粒子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記電子部品パッケージ内部の所定領域に照射して当該所定領域に存在する部材の少なくとも一部を粒子として飛散させる工程と、
飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内面に付着させて薄膜を形成する工程と、
前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記薄膜に照射して前記薄膜を加工する工程と、
を有することを特徴とする薄膜の加工方法。
【請求項２】
前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記電子部品パッケージ内部の所定領域に照射して当該所定領域に存在する部材の少なくとも一部を粒子として飛散させる工程と、
飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内面に付着させて薄膜を形成する工程と、
前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記薄膜に照射して前記薄膜を粒子として飛散させる工程と、
飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内部に収納された圧電振動子に付着させて当該圧電振動子の周波数を調整する工程と、
を有することを特徴とする圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項３】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記圧電振動子の表面に形成された周波数調整用の薄膜であることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項４】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記圧電振動子の母材であることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項５】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記電子部品パッケージの内面に形成された薄膜であることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項６】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記電子部品パッケージの母材であることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項７】
前記薄膜が形成される前記電子部品パッケージの内面は、前記圧電振動子側に傾く傾斜面とされていることを特徴とする請求項５又は６に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項８】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージの内部に電子部品が収納された電子デバイスであって、
前記電子部品パッケージ内部の所定領域に存在する部材の少なくとも一部が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより粒子として飛散され、飛散した当該粒子が前記電子部品パッケージの内面に付着して薄膜を形成し、当該薄膜が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより加工されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
前記電子部品は、圧電振動子であり、前記電子部品パッケージの内面に形成された前記薄膜が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより粒子として飛散され、飛散した当該粒子が前記圧電振動子に付着することで前記圧電振動子の周波数が変化していることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記電子部品パッケージ内部の所定領域に照射して当該所定領域に存在する部材の少なくとも一部を粒子として飛散させる工程と、
飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内面に付着させて薄膜を形成する工程と、
前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記薄膜に照射して前記薄膜を加工する工程と、
を有することを特徴とする薄膜の加工方法。
【請求項２】
前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記電子部品パッケージ内部の所定領域に照射して当該所定領域に存在する部材の少なくとも一部を粒子として飛散させる工程と、
飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内面に付着させて薄膜を形成する工程と、
前記電子部品パッケージに外部からレーザーを照射して透過させ、透過した当該レーザーを前記薄膜に照射して前記薄膜を粒子として飛散させる工程と、
飛散した当該粒子を前記電子部品パッケージの内部に収納された圧電振動子に付着させて当該圧電振動子の周波数を調整する工程と、
を有することを特徴とする圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項３】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記圧電振動子の表面に形成された周波数調整用の薄膜であることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項４】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記圧電振動子の母材であることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項５】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記電子部品パッケージの内面に形成された薄膜であることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項６】
前記所定領域に存在する前記部材は、前記電子部品パッケージの母材であることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項７】
前記薄膜が形成される前記電子部品パッケージの内面は、前記圧電振動子側に傾く傾斜面とされていることを特徴とする請求項５又は６に記載の圧電振動子の周波数調整方法。
【請求項８】
内部が密閉空間とされた電子部品パッケージの内部に電子部品が収納された電子デバイスであって、
前記電子部品パッケージ内部の所定領域に存在する部材の少なくとも一部が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより粒子として飛散され、飛散した当該粒子が前記電子部品パッケージの内面に付着して薄膜を形成し、当該薄膜が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより加工されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
前記電子部品は、圧電振動子であり、前記電子部品パッケージの内面に形成された前記薄膜が前記電子部品パッケージを透過したレーザーにより粒子として飛散され、飛散した当該粒子が前記圧電振動子に付着することで前記圧電振動子の周波数が変化していることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１２−２３１２３３（Ｐ２０１２−２３１２３３Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９７１６８（Ｐ２０１１−９７１６８）
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２３年度 独立行政法人科学技術振興機構 研究成果最適展開支援事業 本格研究開発 ハイリスク挑戦タイプ 委託研究 産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００１６６９４８）シチズンファインテックミヨタ株式会社 (438)
【出願人】（３０４０２１２８８）国立大学法人長岡技術科学大学 (458)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２３年度 独立行政法人科学技術振興機構 研究成果最適展開支援事業 本格研究開発 ハイリスク挑戦タイプ 委託研究 産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００１６６９４８）シチズンファインテックミヨタ株式会社 (438)
【出願人】（３０４０２１２８８）国立大学法人長岡技術科学大学 (458)
【Ｆターム（参考）】
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