被検査基板、被検査基板の製造方法並びに欠陥検査装置
【課題】隣接するパターンと比較して、一致しない場合を不良として検出する方法が知られている。この方法を用いることで、拡大倍率の若干の誤差等の偽信号を抑制できる。しかし、この技術を用いるためには、同じパターンが繰り返された繰り返しパターンが要求される。そのため、アドレス番号等個別パターンを有するものには適用できず、上記した技術を用いることができるパターンは限られたものになるという課題があった。
【解決手段】アドレス番号部１３（個別パターン）の情報を隣接するパターンと同形状の遮蔽層２０で覆うことで個別情報を遮蔽し、繰り返しパターン１４とアドレス番号部１３とを合成した新たな繰り返しパターン１４Ａとして扱った。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。そのため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥検出し得る被検査基板を提供可能とした。
【解決手段】アドレス番号部１３（個別パターン）の情報を隣接するパターンと同形状の遮蔽層２０で覆うことで個別情報を遮蔽し、繰り返しパターン１４とアドレス番号部１３とを合成した新たな繰り返しパターン１４Ａとして扱った。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。そのため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥検出し得る被検査基板を提供可能とした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検査基板、被検査基板の製造方法並びに欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと呼称する）基板や、液晶基板、メモリ基板等のパターンには、繰り返しパターンが用いられている領域があり、この繰り返しパターンの欠陥を検査する方法としては、特許文献１に記載されているように、隣接するパターンと比較して、一致しない場合を不良として検出する方法が知られている。この方法を用いることで、拡大倍率の若干の誤差や、位置ずれ、ピントのずれ等に起因する偽信号を抑制し、高い精度を持って欠陥検査を可能としている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２６４４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示す技術を用いるためには、同じパターンが繰り返された繰り返しパターンが要求される。そのため、たとえばリペアを行うためのアドレス番号や、寸法の一部を変えて電気的特性やエッチングの様子を調べるための、検査用パターン等を含む場合には適用することができず、上記した技術を用いることができるパターンは限られたものになるという課題がある。そのため、繰り返しパターンの検査範囲を拡張し得る被検査基板、当該被検査基板の製造方法、当該被検査基板の欠陥検査装置の提供が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。ここで、「上」とは「被検査基板が有する２つの面に挟まれた領域から、繰り返しパターンが形成された面に向かう、被検査基板の法線方向」と定義する。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる被検査基板は、繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンと、前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、前記遮蔽層は、光を照射して得られる反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽する遮光性を備えることを特徴とする。
【０００７】
これによれば、個別パターンを覆う、隣接する個別パターンと揃えられた形状を有する遮蔽層と、繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。そのため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥検出し得る被検査基板を提供することが可能となる。この場合、個別パターンについては検査がなされないが、個別パターンに要求されるパターン精度が低いため支障はない。なお、個別パターン情報は、被検査基板の裏側（遮蔽層が形成される面と反対側の面）から確認することで得ることが可能である。
【０００８】
［適用例２］本適用例にかかる被検査基板は、繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンと、前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、前記遮蔽層は、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えていることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、パターン認識を抑制し得る波長で被検査基板を観察した場合には、個別パターンの情報に代えて遮蔽層のパターンとして認識される。個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う互いに揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。そのため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥検出し得る被検査基板を提供することが可能となる。加えて、パターン認識を可能とせしめる波長で被検査基板を観察した場合には、個別パターンの認識が可能となるため、個別パターン情報を容易に得ることが可能となる。
【００１０】
［適用例３］本適用例にかかる被検査基板は、繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に位置する干渉層を含む個別パターンと、を備え、前記個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えることを特徴とする。
【００１１】
これによれば、個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層により構成されている。パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長を用い、閾値を適当に設定することで、個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う互いに揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能であるため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥を検出し得る被検査基板を提供することが可能となる。この場合、個別パターンについては検査がなされないが、個別パターンに要求されるパターン精度が低いため支障はない。加えて、パターン認識を可能とせしめる波長で被検査基板を観察した場合には、個別パターンの認識が可能となるため、個別パターン情報を容易に得ることが可能となる。
【００１２】
［適用例４］本適用例にかかる被検査基板の製造方法は、繰り返しパターンを製造する工程と、前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンを形成する工程と、前記個別パターンを覆う、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層を形成する工程と、を備え、前記遮蔽層は、入射光を照射し、当該入射光の反射に起因する反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽するものであり、前記個別パターンよりも上層に位置する遮光性を有する領域と同時に形成されることを特徴とする。
【００１３】
これによれば、遮光性を有する領域と同時に遮蔽層を形成するため、工程数を増やすことなく被検査基板を製造することが可能となる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかる欠陥検査装置は、繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に個別パターンと、前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、前記遮蔽層は、入射光を照射し、当該入射光の反射に起因する反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽する遮光性を有するものであり、前記個別パターンの情報をマスクすることで、前記個別パターンの情報を遮蔽し、前記遮蔽層のパターンとして扱うことで前記繰り返しパターンに繰り込み、新たな繰り返しパターンとして欠陥検査を行うことを特徴とする。
【００１５】
これによれば、個別パターンの情報は、遮蔽層により遮蔽される。そのため、個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う隣接する個別パターンと揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。
【００１６】
このように、新たな繰り返しパターンとして個別パターンを含む被検査基板のパターンを認識し得る構成を備えることで、高速、高精度で欠陥検出を可能とする欠陥検査装置を提供することが可能となる。この場合、個別パターンについては検査がなされないが、個別パターンに要求されるパターン精度が低いため支障はない。
【００１７】
［適用例６］上記適用例にかかる欠陥検査装置であって、前記欠陥検査の結果、欠陥が検出された場合には、前記被検査基板の裏面から個別パターン情報を検出することを特徴とする。
【００１８】
上記した適用例によれば、欠陥が発生した領域の個別パターン情報を検出することが可能となる。欠陥は通常きわめて少ない頻度で検出されることから、個別パターン情報検出にかかる時間が多少長くかかっても検査に要する時間を短縮することが可能となる。
【００１９】
［適用例７］本適用例にかかる欠陥検査装置は、繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に、前記繰り返しパターンに対応するように位置する個別パターンと、前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、前記遮蔽層は、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えており、パターン認識を抑制し得る波長条件で撮像することで、前記個別パターンの情報を遮蔽し、前記遮蔽層のパターンとして認識させた後、前記繰り返しパターンに繰り込み、新たな繰り返しパターンとして欠陥検査を行うことを特徴とする。
【００２０】
これによれば、パターン認識を抑制し得る波長で被検査基板を観察した場合には、個別パターンの情報に代えて遮蔽層のパターンとして認識される。個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う互いに揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。そのため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥を検出し得る欠陥検査装置を提供することが可能となる。
【００２１】
［適用例８］本適用例にかかる欠陥検査装置は、繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に位置する個別パターンと、を備え、前記個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えており、パターン認識を抑制し得る波長条件で撮像し、前記個別パターンの情報を遮蔽した領域を含めて新たな繰り返しパターンとして認識させて欠陥検査を行うことを特徴とする。
【００２２】
これによれば、個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層により構成されている。パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長を用い、閾値を適当に設定することで、個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う互いに揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能であるため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥を検出し得る欠陥検査装置を提供することが可能となる。この場合、個別パターンについては検査がなされないが、個別パターンに要求されるパターン精度が低いため支障はない。
【００２３】
［適用例９］上記適用例にかかる欠陥検査装置であって、前記欠陥検査の結果、欠陥が検出された場合には、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長の光を照射し、個別パターン情報を検出することを特徴とする。
【００２４】
上記した適用例によれば、パターン認識を可能とせしめる波長で被検査基板を観察した場合は、個別パターンの認識が可能となるため、個別パターン情報を容易に得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態：金属遮蔽層により個別パターンを埋めた被検査基板）
以下、本実施形態にかかる被検査基板について図面を用いて説明する。図１（ａ）は、個別パターンとしてのアドレス番号部を有するパターンを、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極層（たとえばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層構造）に形成し、ゲート電極層よりも上層の金属配線層を用いてマスクした被検査基板の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。本実施形態では、対角５インチ（１２．７ｃｍ）程度の有機ＥＬ装置への適用について例示するが、これは液晶装置等、被検査基板１にガラス等光学的に透明な基板を用いるものに対して適用可能である。なお、画面サイズは一例を示すものであり、たとえばテレビ等への応用であれば、対角１ｍを越す場合もある。ここで、被検査基板１は、無アルカリガラス等を用いた基板３０上に形成されている。典型的な例として被検査基板１の中央部には、画素１９が並べられた表示領域１１がある。そして表示領域１１を囲うように番号領域１２が配置されている。番号領域１２には、点線で囲われた領域で示される繰り返しパターン１４が配置されており、表示領域１１の画素１９に不良が発生した場合には、このアドレス番号部１３に示されたアドレス番号を読み取り、このアドレス番号と関連がある領域を救済すべくリペア処理を行う。アドレス番号部１３は、文字として認識できれば良いので、この部分を遮蔽して検査を行っても、実用上の問題は発生しない。
【００２６】
本実施形態においては、アドレス番号部１３は遮蔽層２０により覆われており、アドレス番号部１３は上から見て隠される形となり、欠陥検出を行う場合には、アドレス番号部１３は隣接する別のアドレス番号部と同じパターンとして認識される。なお、遮蔽層２０の厚みを薄くして、若干アドレス番号部１３が見える状態としても適用可能である。この場合には、アドレス番号部１３は薄く見えることとなるが、遮蔽層２０の存在によりコントラスト比は低下する。そのため、後述する欠陥検査装置を用いる場合に、パターン有無を判定する閾値を調整することで、遮蔽層２０の下に位置する領域を遮蔽層２０により隠した状態として欠陥検査装置に認識させることが可能となる。
【００２７】
そして、番号領域１２を囲うように、回路領域１５が備えられている。回路領域１５と表示領域１１とは、番号領域１２を介して接続されており、番号領域１２のアドレス番号部１３に対応させて回路領域１５と表示領域１１との接続部位を変えることでリペア処理が行えるよう構成されている。図１（ａ）の吹き出し部は、番号領域１２のパターンを拡大したものを記載している。番号領域１２には、たとえばソース線１６とゲート線１７とが位置しており、表示領域１１に位置する画素１９のパターンの端部を安定した状態に保つためのダミー画素１８が配置されている。ダミー画素１８を配置することで表示領域１１の端に位置する画素１９に発生する、フォトレジストパターンを形成すべく行われる露光工程やエッチング工程等でのパターン不連続性に起因する不良の発生が抑制できる。そして、ソース線１６とゲート線１７は協働して表示すべき画素１９を選択する機能を有している。
【００２８】
なお、図１（ａ）では、遮蔽層２０の下側に位置する番号領域１２が透けて見えているが、これは説明を行う都合上このように記載したものであり、実際には遮蔽層２０により遮蔽されている。なお、後述するように、遮蔽層２０を通して若干アドレス番号部１３が見える状態とした場合には、図１（ａ）で示したように認識される。
【００２９】
次に、図１（ｂ）を用いて被検査基板１の断面構造について説明する。アドレス番号部１３は、たとえばゲート電極層（たとえばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層構造）に用いられる金属配線を用いて形成される。アドレス番号部１３は、文字として認識できれば良い。そのため、繰り返しパターン１４と異なり、詳細な検査を行う必要がなく、この部分を除いて検査しても障害は生じない。
【００３０】
そして、アドレス番号部１３は、酸窒化珪素等を含む第１層間絶縁層３１により覆われる。
【００３１】
そして、第１層間絶縁層３１上には、ソース線１６が形成されており、図１（ａ）に示す回路領域１５と表示領域１１とを電気的に接続している。そしてソース線１６は、アクリル樹脂等を用いた平坦化層としても機能する第２層間絶縁層３２によって覆われる。
【００３２】
第２層間絶縁層３２上には、画素１９を電気的に駆動すると共に、アルミニウムにネオジムを添加した合金（以下ＡｌＮｄと呼称する）等の光を反射する材質を含む金属を用いた遮蔽層２０により覆われる。このようにアドレス番号部１３、遮蔽層２０を構成することで、アドレス番号部１３は、上側から見た場合には隣接する当該領域と同じ形状の遮蔽層２０によりマスクされる。そのため上側から見た場合、繰り返しパターン１４の一部として認識される。そして、下側（裏面側）から見た場合、アドレス番号部１３を認識することが可能となる。そして、第３層間絶縁層３３により遮蔽層２０は覆われる。第３層間絶縁層３３で覆うことで、外部からの水分の浸入は防止される。
【００３３】
上記した構成を用いることで、遮蔽層２０と繰り返しパターン１４のＯＲを取った形状を、ハッチングされた領域として示される新しい繰り返しパターン１４Ａとして扱うことが可能となる。繰り返しパターン１４Ａを採用することで、高速、高精度で欠陥検出が可能となる。よって、量産性に優れた被検査基板１を提供することが可能となる。
【００３４】
上記した例では、アドレス番号部１３を遮蔽層２０により覆うことで、新しい繰り返しパターン１４Ａとして認識させる場合について説明したが、これはアドレス番号部１３に限定されるものではなく、例えば一部のパターン長を変えて電気的特性やパターン形状の変化を調べるための測定用パターンや、別途分析を行うための検査パターンを遮蔽層２０の下側に配置しても良い。遮蔽層２０よりも下層に位置する構造体の情報は遮蔽層２０により隠されるため、任意のパターンを用いることが可能である。なお、測定用パターンや検査パターンに異常が生じた場合でも、製品としての被検査基板１の不良とは関連しないため、この部分を除いて検査しても障害は生じない。
【００３５】
ここで、これらのパターンは、アドレス番号部１３と遮蔽層２０との間の層に設けられることが好ましく、この場合にはアドレス番号を被検査基板１の裏面から読み出すことが可能となる。また、アドレス番号部１３よりも下層で測定用パターンや検査パターンを設ける場合には、アドレス番号部１３が被検査基板１の裏面から認識できるようアドレス番号部１３の領域を空けてパターン形成されていることが好ましい。
【００３６】
また、遮蔽層２０の厚みを薄くして、若干アドレス番号部１３が見える状態とした場合には、被検査基板１の表面（「上」側）から認識させることが可能となり、不透明基板上に対しての応用が可能となる。そのため、シリコン基板（不透明基板）を用いたメモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等のデバイスに対しても適用可能となる。
ここで、本実施形態では矩形の島状パターンにした遮蔽層２０を用いた場合について説明したが、これは、アドレス番号部１３を覆い、繰り返しパターン１４の少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層を用いても良い。
【００３７】
（第２の実施形態：干渉層により個別パターンを覆った被検査基板）
以下、本実施形態にかかる被検査基板について図面を用いて説明する。本実施形態は第１の実施形態と共通する部分があるため、その部分については説明を省略し、重複を避ける。図２（ａ）は、アドレス番号部を下層に形成し、上層の干渉層を用いてマスクした被検査基板の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。第１の実施形態との相違点は、遮蔽層２１として上層の金属配線層を用いた遮蔽層２０に代えて、光反射率に波長依存性がある干渉層を用いた点である。
【００３８】
干渉層を用いた遮蔽層２１は、第２層間絶縁層３２上に、ＡｌＮｄを用いた１０ｎｍ程度の層厚を有する第１干渉層２１Ａ、窒化珪素を用いた層厚５０ｎｍの第２干渉層２１Ｂ、ＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）を用いた層厚１２０ｎｍｍの第３干渉層２１Ｃとで構成される。遮蔽層２１は、６００ｎｍ程度の波長を有する光を反射し、５００ｎｍ程度の波長を有する光を透過させる。波長６００ｎｍ程度の光を用いた場合、第１の実施形態同様、遮蔽層２１と繰り返しパターン１４のＯＲを取った形状を新しい繰り返しパターン１４Ａとして扱うことが可能となる。繰り返しパターン１４Ａを採用することで、高速、高精度で欠陥検出が可能であり、量産性に優れた被検査基板１を提供することが可能となる。加えて、本実施形態では５００ｎｍ程度の波長を有する光を透過させてアドレス番号部１３を見ることが可能である。そのため、アドレス番号部１３を表面側（「上」側）から認識することが可能となり、不透明基板に対しての応用が可能となる。そのため、シリコン基板（不透明基板）を用いたメモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等のデバイスに対しても適用可能である。
【００３９】
上記した例では、アドレス番号部１３を遮蔽層２１により覆うことで、新しい繰り返しパターン１４Ａとして認識させる場合について説明したが、これはアドレス番号部１３に限定されるものではなく、例えば一部のパターン長を変えて電気的特性やパターン形状の変化を調べるための測定用パターンや、別途分析を行うための検査パターンを遮蔽層２１の下側に配置しても良い。遮蔽層２１よりも下層に位置する構造体の情報は遮蔽層２１により隠されるため、任意のパターンを用いることが可能である。ここで、本実施形態では矩形の島状パターンにした遮蔽層２１を用いた場合について説明したが、これは、アドレス番号部１３を覆い、繰り返しパターン１４の少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層を用いても良い。
【００４０】
（第３の実施形態：干渉層により個別パターンを形成した被検査基板）
以下、本実施形態にかかる被検査基板について図面を用いて説明する。本実施形態は第１の実施形態と共通する部分があるため、その部分については説明を省略し、重複を避ける。図３（ａ）は、干渉層を用いてアドレス番号部を構成した被検査基板の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。第１の実施形態との相違点は、遮蔽層２０（図１（ａ）参照）を用いずに、アドレス番号部１３を光反射率に波長依存性がある干渉層を用いて形成した点である。
【００４１】
干渉層を用いたアドレス番号部１３は、第２層間絶縁層３２上に、ＡｌＮｄを用いた１０ｎｍ程度の層厚を有する第１干渉層２１Ａ、窒化珪素を用いた層厚５０ｎｍの第２干渉層２１Ｂ、ＩＴＯを用いた層厚１２０ｎｍｍの第３干渉層２１Ｃとで構成される。アドレス番号部１３は、６００ｎｍ程度の波長を有する光を反射し、５００ｎｍ程度の波長を有する光を透過させる。波長５００ｎｍ程度の光を用いた場合、アドレス番号部１３の情報を除いたものを新しい繰り返しパターン１４Ａとして扱うことが可能となる。繰り返しパターン１４Ａを採用することで、高速、高精度で欠陥検出が可能であり、量産性に優れた被検査基板１を提供することが可能となる。加えて、本実施形態では波長６００ｎｍ程度の光を反射させて、アドレス番号部１３を見ることが可能である。そのため、アドレス番号部１３を表面側（「上」側）から認識することが可能となり、不透明基板上に対しての応用が可能となる。そのため、シリコン基板（不透明基板）を用いたメモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等のデバイスに対しても適用可能となる。
【００４２】
（第４の実施形態：被検査基板の製造方法）
以下、本実施形態にかかる被検査基板の製造方法について図面を用いて説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態にかかる製造工程を示す工程断面図、図５（ａ）、（ｂ）は、本実施形態にかかる製造工程を示す平面図である。
【００４３】
まず、工程１として、ガラスやプラスチックを用いてなる基板５０上に、ＴＦＴ５１（図４（ｂ）参照）を構成する半導体層やゲート絶縁層等を形成し、続けてゲート電極前駆体５２Ａを形成する。次に、工程２として、ゲート電極前駆体５２Ａ上にパターニングしたフォトレジスト層５３を形成する。ここまでの工程を終えた工程断面図を図４（ａ）に示す。また、平面図を図５（ａ）に示す。図５（ａ）に示すように、フォトレジスト層５３をマスクとしてエッチングすることで、ゲート電極５２と同時にアドレス番号部５４を形成することができる。そのため、アドレス番号部５４を別工程で形成する必要がなくなり、製造工程を短縮することが可能となる。
【００４４】
次に、工程３として、フォトレジスト層５３をマスクとしてゲート電極前駆体５２Ａをエッチングした後、フォトレジスト層５３を除去する。
【００４５】
次に、工程４として、第１層間絶縁層５５を形成し、コンタクトホールを開口した後ドレイン・ソース金属層５６を形成する。そして、ドレイン・ソース金属層５６をアクリル樹脂等を用いた平坦化層としても機能する第２層間絶縁層５７によって覆う。
【００４６】
次に、工程５として、ネオジムを添加したアルミニウム層をスパッタ法等により形成し、有機ＥＬ層６２（図４（ｃ）参照）から基板５０側に向けて発光した光を基板５０と反対側に反射させる反射層５８と、遮蔽層５９の部分を残してフォトリソグラフ・エッチング工程を行うことで光を反射させる反射層５８と、遮蔽層５９を同時に形成する。ここまでの工程を終えた工程断面図を図４（ｂ）に示す。また、平面図を図５（ｂ）に示す。なお、図５（ｂ）では説明のため、アドレス番号部５４が透過されるように記載しているが、本実施形態では、このアドレス番号部５４は遮蔽層５９により遮蔽され、視認できぬよう形成されている。ここで、遮蔽層５９に半透過性を与えることで、アドレス番号部５４のコントラストを低下させるようにしても良い。この場合には、図５（ｂ）のように視認できる状態となる。
【００４７】
次に、工程６として、コンタクトホールを開口し、窒化珪素層６０を堆積する。そして、次に、工程７として、ドレイン・ソース金属層５６がある領域の窒化珪素層６０をエッチング除去し、マグネシウム−銀合金を３０ｎｍ程度に積層して陽極６１を形成する。窒化珪素層６０は、陽極６１と反射層５８（遮蔽層５９）とを物理的に離し、両金属が直接接触した場合に発生する電蝕を防ぐ層として形成される。
【００４８】
次に、工程８として、第２層間絶縁層６５を形成し、コンタクトホールを空けて陽極６１の一部を露出させる。次に、有機ＥＬ層６２を形成し、共通陰極６３を形成した後、複層構造を有する第３層間絶縁層６４を形成し、被検査基板７０が形成される。ここまでの工程を終えた工程断面図を図４（ｃ）に示す。本実施形態を用いて被検査基板７０を形成することで、工程数を増やすことなくアドレス番号部５４と遮蔽層５９とを形成することが可能となる。
【００４９】
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子を形成する工程について説明したが、これは液晶素子を形成する工程に対しても対応可能である。
【００５０】
（変形例：第４の実施形態）
以下、第４の実施形態についての変形例について図面を用いて説明する。図６（ａ）、（ｂ）は第４の実施形態における変形例を説明するための断面図である。ここで、工程４までは、同じ工程を用いる。次に、工程５Ａとして、ネオジムを添加したアルミニウム層をスパッタ法等により形成し、フォトリソグラフ・エッチング工程を行うことで、反射層５８を形成する。次に、再びネオジムを添加したアルミニウム層を、厚さ１０ｎｍ程度にスパッタ法等を用いて形成し、フォトリソグラフ・エッチング工程を行うことで第１干渉層７１Ａを形成する。この工程を終えた工程断面図を図６（ａ）に示す。次に、工程６を行う。ただし、工程６で積層する窒化珪素層６０の厚さは５０ｎｍに制御する。工程６を行うことで、窒化珪素層６０の第１干渉層７１Ａ上には、第２干渉層７１Ｂが形成される。
【００５１】
次に、工程７Ａとして、７０ｎｍ程度の厚さを有するＩＴＯ層を形成し、第１干渉層７１Ａと重なる部分にＩＴＯ層が残るようにフォトリソグラフ・エッチング工程を行う。
【００５２】
次に、工程７Ｂとして、５０ｎｍ程度の厚さを有するＩＴＯ層を形成し、反射層５８上の領域と、第１干渉層７１Ａの部分のＩＴＯ層が残るようにフォトリソグラフ・エッチング工程を行う。工程７Ａ、工程７Ｂを行うことで、第３干渉層７１Ｃが形成される。次に、工程８を行うことで、被検査基板７０Ａが形成される。この工程を終えた工程断面図を図６（ｂ）に示す。
【００５３】
この場合、遮蔽層７１は、ＡｌＮｄを用いた１０ｎｍ程度の層厚を有する第１干渉層７１Ａ、窒化珪素を用いた層厚５０ｎｍの第２干渉層７１Ｂ、ＩＴＯを用いた層厚１２０ｎｍｍの第３干渉層７１Ｃとで構成される。
【００５４】
また、別の変形例について、図面を用いて説明する。図７（ａ）、（ｂ）は、第４の実施形態における別の変形例を説明するための断面図である。まず、工程１Ａを行う。工程１とは、アドレス番号部５４（図４（ｂ）参照）を形成しないことで異なっている。
【００５５】
次に、工程２〜４を行う。次に工程５Ｂとして、ネオジムを添加したアルミニウム層をスパッタ法等により形成し、フォトリソグラフ・エッチング工程を行う。工程５Ａと異なる点は、第１干渉層７１Ａがアドレス番号部５４の一部として機能する点である。この工程を終えた工程断面図を図７（ａ）に示す。次に工程６を行う。ただし、工程６で積層する窒化珪素層６０の厚さは５０ｎｍに制御する。
【００５６】
次に、工程７Ａとして、７０ｎｍ程度の厚さを有するＩＴＯ層を形成し、第１干渉層７１Ａと重なる部分にＩＴＯ層が残るようにフォトリソグラフ・エッチング工程を行う。
【００５７】
次に、工程７Ｂとして、５０ｎｍ程度の厚さを有するＩＴＯ層を形成し、反射層５８上の領域と、第１干渉層７１Ａの部分のＩＴＯ層が残るようにフォトリソグラフ・エッチング工程を行う。次に、工程８を行うことで、被検査基板７０Ｂが形成される。この工程を終えた工程断面図を図７（ｂ）に示す。
【００５８】
この場合、アドレス番号部５４は、ＡｌＮｄを用いた１０ｎｍ程度の層厚を有する第１干渉層７１Ａ、窒化珪素を用いた層厚５０ｎｍの第２干渉層７１Ｂ、ＩＴＯを用いた層厚１２０ｎｍｍの第３干渉層７１Ｃとで構成される。
【００５９】
（第５の実施形態：金属マスクにより個別パターンを埋めた被検査基板を調べる欠陥検査装置）
以下、本実施形態にかかる欠陥検査装置について図面を用いて説明する。図８は、本実施形態にかかる欠陥検査装置１００を示す模式図であり、図９は、欠陥検査装置１００を用いて欠陥検査を行うためのフローチャートである。欠陥検査装置１００は、被検査基板１を繰り返しパターン１４（図１（ａ）参照）のピッチに合わせて送るステージ１０１、被検査基板１の繰り返しパターン１４を撮像する撮像装置１０２、撮像装置１０２により撮影された情報を記憶する記憶装置１０３、記憶装置１０３に蓄えられたパターン情報と、繰り返しパターン１４（図１（ａ）参照）とを重ね合わせる演算を行い、繰り返しパターン１４の欠陥情報を出力するＣＰＵ１０４と、被検査基板１に光を照射する光源１０５と、被検査基板１を裏面から観察する裏面撮像装置１０６と、を有している。
【００６０】
まず、ステップ１（Ｓ１）として、繰り返しパターン１４を検出して、繰り返しパターン１４の起点に焦点を合わせる。これは、被検査基板１に配置された図示せぬアライメントマーク等を用いて自動測定し位置合わせを行い、焦点を合わせることで対応できるが、ＣＰＵ１０４が備える画面を参照して合わせても良い。
【００６１】
次に、ステップ２（Ｓ２）として、繰り返しパターン１４と、遮蔽層２０（図１（ａ）参照）とを合わせて繰り返しパターン１４Ａとして認識させ、記憶装置１０３に記憶させる。この際に、アドレス番号部１３の信号を遮蔽層２０の信号でマスクするようコントラストを調整する。この工程はＣＰＵ１０４が自動的に実行できるよう事前にコントラストの閾値を設定しておくことが好ましい。
【００６２】
次に、ステップ３（Ｓ３）として、ステージ１０１を繰り返しパターン１４Ａのピッチ分だけ送り、被検査基板１の位置をずらし、繰り返しパターン１４Ａと、次の繰り返しパターン１４Ａとの形状を比較する。この場合に、若干の位置ずれ、拡大倍率の変動等をＣＰＵ１０４により補正して比較することが好ましい。ここで、繰り返しパターン１４Ａとして、記憶装置１０３に記憶された最初のパターンを用い続けても良いが、順次更新する、あるいは積算していく等の処理をしても良い。
【００６３】
そして、ステップ４（Ｓ４）として、良否判定を行う。ここで、繰り返しパターン１４Ａに不良が見つかった場合には、ステップ５（Ｓ５）として、ステージ１０１側（被検査基板１の裏面側）から裏面撮像装置１０６によりアドレス番号を読み取り、アドレス番号を記憶装置１０３に記憶させる。そして、ステップ６（Ｓ６）として、繰り返しパターン１４Ａのパターン終了を検知したところで終了する。
【００６４】
（第６の実施形態：干渉層により個別パターンを形成した被検査基板を調べる欠陥検査装置）
以下、本実施形態にかかる欠陥検査装置について図面を用いて説明する。図１０は、本実施形態にかかる欠陥検査装置１００を示す模式図であり、図１１は、欠陥検査装置１００を用いて欠陥検査を行うためのフローチャートである。第５の実施形態との相違点は、裏面撮像装置１０６を含まないことと、光源１０５に代えて照射波長の変更が可能な光源１０５Ａを用いている点である。
【００６５】
まず、ステップ１（Ｓ１）として、光源１０５Ａの波長を、干渉層を用いた遮蔽層２０が反射する光の波長に合わせて照射し、繰り返しパターン１４に焦点を合わせる。これは、被検査基板１に配置された図示せぬアライメントマーク等を用いて自動測定し位置合わせを行い、焦点を合わせることで対応できるが、ＣＰＵ１０４が備える画面を参照して合わせても良い。
【００６６】
次に、ステップ２（Ｓ２）として、繰り返しパターン１４と、遮蔽層２０（図１（ａ）参照）とを合わせて繰り返しパターン１４Ａとして認識させ、記憶装置１０３に記憶させる。この際に、アドレス番号部１３の信号を遮蔽層２０の信号でマスクするようコントラストを調整する。この工程はＣＰＵ１０４が自動的に実行できるよう事前にコントラストの閾値を設定しておくことが好ましい。
【００６７】
次に、ステップ３（Ｓ３）として、ステージ１０１を繰り返しパターン１４Ａのピッチ分だけ送る。次に、ステップ４（Ｓ４）として、被検査基板１の位置をずらし、繰り返しパターン１４Ａと、次の繰り返しパターン１４Ａとの形状を比較する。この場合に、若干の位置ずれ、拡大倍率の変動等をＣＰＵ１０４により補正して比較することが好ましい。ここで、繰り返しパターン１４Ａとして、記憶装置１０３に記憶された最初のパターンを用い続けても良いが、順次更新する、あるいは積算していく等の処理をしても良い。
【００６８】
そして、良否判定を行う。ここで、繰り返しパターン１４Ａに不良が見つかった場合にはステップ５（Ｓ５）として、光源１０５Ａからの照射光波長を遮蔽層２０を透過する波長に切り替えてアドレス番号を読み取り、アドレス番号を記憶装置１０３に記憶させる。
【００６９】
そして、ステップ６（Ｓ６）として、繰り返しパターン１４Ａのパターンが終了したところで終了する。この場合、遮蔽層２０を透過する光を照射することでアドレス番号部１３を見ることが可能である。そのため、不透明基板上に形成されたパターンに対しても有効であり、メモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等、シリコン基板を用いたデバイスに対しても適用可能となる。
【００７０】
（第７の実施形態：干渉層により個別パターンを形成した被検査基板を調べる欠陥検査装置）
以下、本実施形態にかかる欠陥検査装置について図面を用いて説明する。欠陥検査装置１００は図１０と同じ構成を有しており、欠陥検査装置１００を用いて欠陥検査を行うためのフローチャートが異なっている。図１２は、欠陥検査装置１００を用いて欠陥検査を行うためのフローチャートである。まず、ステップ１（Ｓ１）として、光源１０５Ａの波長を、干渉層を用いたアドレス番号部１３が透過する光の波長に合わせて照射し、繰り返しパターン１４に焦点を合わせる。これは、被検査基板１に配置された図示せぬアライメントマーク等を用いて自動測定し位置合わせを行い、焦点を合わせることで対応できるが、ＣＰＵ１０４が備える画面を参照して合わせても良い。
【００７１】
次に、ステップ２（Ｓ２）として、繰り返しパターン１４と、干渉層を用いたアドレス番号部１３の領域（透明となり見えなくなっている）とを合わせて繰り返しパターン１４Ａとして認識させ、記憶装置１０３に記憶させる。この際に、アドレス番号部１３の信号を透明なものとして認識されるようコントラストを調整する。この工程はＣＰＵ１０４が自動的に実行できるよう事前にコントラストの閾値を設定しておくことが好ましい。
【００７２】
次に、ステップ３（Ｓ３）として、ステージ１０１を繰り返しパターン１４Ａのピッチ分だけ送り、被検査基板１の位置をずらし、繰り返しパターン１４Ａと、次の繰り返しパターン１４Ａとの形状を比較する。この場合に、若干の位置ずれ、拡大倍率の変動等をＣＰＵ１０４により補正して比較することが好ましい。ここで、繰り返しパターン１４Ａとして、記憶装置１０３に記憶された最初のパターンを用い続けても良いが、順次更新する、あるいは積算していく等の処理をしても良い。
【００７３】
そして、ステップ４（Ｓ４）として、良否判定を行う。ここで、繰り返しパターン１４Ａに不良が見つかった場合には、ステップ５（Ｓ５）として光源１０５Ａからの照射光波長を、干渉層を用いたアドレス番号部１３が反射する波長に切り替え、アドレス番号部１３を読み取り、アドレス番号を記憶装置１０３に記憶させる。
【００７４】
そして、ステップ６（Ｓ６）として、繰り返しパターン１４Ａのパターンが終了したところで終了する。この場合、アドレス番号部１３が反射する光を照射することで、アドレス番号部１３を見ることが可能である。そのため、不透明基板上に形成されたパターンに対しても有効であり、メモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等、シリコン基板を用いたデバイスに対しても適用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】（ａ）は、アドレス番号部を上層の金属配線層を用いてマスクした被検査基板の平面図、（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図。
【図２】（ａ）は、アドレス番号部を上層の干渉層を用いてマスクした被検査基板の平面図、（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図。
【図３】（ａ）は、干渉層を用いてアドレス番号部を構成した被検査基板の平面図、（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態にかかる製造工程を示す工程断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、第４の実施形態にかかる製造工程を示す平面図。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、第４の実施形態における変形例を説明するための断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第４の実施形態における別の変形例を説明するための断面図。
【図８】第５の実施形態にかかる欠陥検査装置を示す模式図。
【図９】欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行うためのフローチャート。
【図１０】第６の実施形態にかかる欠陥検査装置を示す模式図。
【図１１】欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行うためのフローチャート。
【図１２】欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行うためのフローチャート。
【符号の説明】
【００７６】
１…被検査基板、１１…表示領域、１２…番号領域、１３…アドレス番号部、１４…繰り返しパターン、１４Ａ…繰り返しパターン、１５…回路領域、１６…ソース線、１７…ゲート線、１８…ダミー画素、１９…画素、２０…遮蔽層、２１…遮蔽層、２１Ａ…第１干渉層、２１Ｂ…第２干渉層、２１Ｃ…第３干渉層、３０…基板、３１…第１層間絶縁層、３２…第２層間絶縁層、３３…第３層間絶縁層、５０…基板、５１…ＴＦＴ、５２…ゲート電極、５２Ａ…ゲート電極前駆体、５３…フォトレジスト層、５４…アドレス番号部、５５…第１層間絶縁層、５６…ドレイン・ソース金属層、５７…第２層間絶縁層、５８…反射層、５９…遮蔽層、６０…窒化珪素層、６１…陽極、６２…有機ＥＬ層、６３…共通陰極、６４…第３層間絶縁層、６５…第２層間絶縁層、７０…被検査基板、７０Ａ…被検査基板、７０Ｂ…被検査基板、７１…遮蔽層、７１Ａ…第１干渉層、７１Ｂ…第２干渉層、７１Ｃ…第３干渉層、１００…欠陥検査装置、１０１…ステージ、１０２…撮像装置、１０３…記憶装置、１０４…ＣＰＵ、１０５…光源、１０５Ａ…光源、１０６…裏面撮像装置。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検査基板、被検査基板の製造方法並びに欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと呼称する）基板や、液晶基板、メモリ基板等のパターンには、繰り返しパターンが用いられている領域があり、この繰り返しパターンの欠陥を検査する方法としては、特許文献１に記載されているように、隣接するパターンと比較して、一致しない場合を不良として検出する方法が知られている。この方法を用いることで、拡大倍率の若干の誤差や、位置ずれ、ピントのずれ等に起因する偽信号を抑制し、高い精度を持って欠陥検査を可能としている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２６４４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示す技術を用いるためには、同じパターンが繰り返された繰り返しパターンが要求される。そのため、たとえばリペアを行うためのアドレス番号や、寸法の一部を変えて電気的特性やエッチングの様子を調べるための、検査用パターン等を含む場合には適用することができず、上記した技術を用いることができるパターンは限られたものになるという課題がある。そのため、繰り返しパターンの検査範囲を拡張し得る被検査基板、当該被検査基板の製造方法、当該被検査基板の欠陥検査装置の提供が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。ここで、「上」とは「被検査基板が有する２つの面に挟まれた領域から、繰り返しパターンが形成された面に向かう、被検査基板の法線方向」と定義する。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる被検査基板は、繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンと、前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、前記遮蔽層は、光を照射して得られる反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽する遮光性を備えることを特徴とする。
【０００７】
これによれば、個別パターンを覆う、隣接する個別パターンと揃えられた形状を有する遮蔽層と、繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。そのため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥検出し得る被検査基板を提供することが可能となる。この場合、個別パターンについては検査がなされないが、個別パターンに要求されるパターン精度が低いため支障はない。なお、個別パターン情報は、被検査基板の裏側（遮蔽層が形成される面と反対側の面）から確認することで得ることが可能である。
【０００８】
［適用例２］本適用例にかかる被検査基板は、繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンと、前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、前記遮蔽層は、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えていることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、パターン認識を抑制し得る波長で被検査基板を観察した場合には、個別パターンの情報に代えて遮蔽層のパターンとして認識される。個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う互いに揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。そのため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥検出し得る被検査基板を提供することが可能となる。加えて、パターン認識を可能とせしめる波長で被検査基板を観察した場合には、個別パターンの認識が可能となるため、個別パターン情報を容易に得ることが可能となる。
【００１０】
［適用例３］本適用例にかかる被検査基板は、繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に位置する干渉層を含む個別パターンと、を備え、前記個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えることを特徴とする。
【００１１】
これによれば、個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層により構成されている。パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長を用い、閾値を適当に設定することで、個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う互いに揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能であるため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥を検出し得る被検査基板を提供することが可能となる。この場合、個別パターンについては検査がなされないが、個別パターンに要求されるパターン精度が低いため支障はない。加えて、パターン認識を可能とせしめる波長で被検査基板を観察した場合には、個別パターンの認識が可能となるため、個別パターン情報を容易に得ることが可能となる。
【００１２】
［適用例４］本適用例にかかる被検査基板の製造方法は、繰り返しパターンを製造する工程と、前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンを形成する工程と、前記個別パターンを覆う、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層を形成する工程と、を備え、前記遮蔽層は、入射光を照射し、当該入射光の反射に起因する反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽するものであり、前記個別パターンよりも上層に位置する遮光性を有する領域と同時に形成されることを特徴とする。
【００１３】
これによれば、遮光性を有する領域と同時に遮蔽層を形成するため、工程数を増やすことなく被検査基板を製造することが可能となる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかる欠陥検査装置は、繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に個別パターンと、前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、前記遮蔽層は、入射光を照射し、当該入射光の反射に起因する反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽する遮光性を有するものであり、前記個別パターンの情報をマスクすることで、前記個別パターンの情報を遮蔽し、前記遮蔽層のパターンとして扱うことで前記繰り返しパターンに繰り込み、新たな繰り返しパターンとして欠陥検査を行うことを特徴とする。
【００１５】
これによれば、個別パターンの情報は、遮蔽層により遮蔽される。そのため、個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う隣接する個別パターンと揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。
【００１６】
このように、新たな繰り返しパターンとして個別パターンを含む被検査基板のパターンを認識し得る構成を備えることで、高速、高精度で欠陥検出を可能とする欠陥検査装置を提供することが可能となる。この場合、個別パターンについては検査がなされないが、個別パターンに要求されるパターン精度が低いため支障はない。
【００１７】
［適用例６］上記適用例にかかる欠陥検査装置であって、前記欠陥検査の結果、欠陥が検出された場合には、前記被検査基板の裏面から個別パターン情報を検出することを特徴とする。
【００１８】
上記した適用例によれば、欠陥が発生した領域の個別パターン情報を検出することが可能となる。欠陥は通常きわめて少ない頻度で検出されることから、個別パターン情報検出にかかる時間が多少長くかかっても検査に要する時間を短縮することが可能となる。
【００１９】
［適用例７］本適用例にかかる欠陥検査装置は、繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に、前記繰り返しパターンに対応するように位置する個別パターンと、前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、前記遮蔽層は、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えており、パターン認識を抑制し得る波長条件で撮像することで、前記個別パターンの情報を遮蔽し、前記遮蔽層のパターンとして認識させた後、前記繰り返しパターンに繰り込み、新たな繰り返しパターンとして欠陥検査を行うことを特徴とする。
【００２０】
これによれば、パターン認識を抑制し得る波長で被検査基板を観察した場合には、個別パターンの情報に代えて遮蔽層のパターンとして認識される。個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う互いに揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能である。そのため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥を検出し得る欠陥検査装置を提供することが可能となる。
【００２１】
［適用例８］本適用例にかかる欠陥検査装置は、繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に位置する個別パターンと、を備え、前記個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えており、パターン認識を抑制し得る波長条件で撮像し、前記個別パターンの情報を遮蔽した領域を含めて新たな繰り返しパターンとして認識させて欠陥検査を行うことを特徴とする。
【００２２】
これによれば、個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層により構成されている。パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長を用い、閾値を適当に設定することで、個別パターンの情報に代えて、個別パターンを覆う互いに揃えられた形状を有する遮蔽層のパターンと繰り返しパターンとを合成して新たな繰り返しパターンとして扱うことが可能となる。繰り返しパターンは、高速、高精度で欠陥検出が可能であるため、個別パターンを内包するパターンに対しても高速、高精度に欠陥を検出し得る欠陥検査装置を提供することが可能となる。この場合、個別パターンについては検査がなされないが、個別パターンに要求されるパターン精度が低いため支障はない。
【００２３】
［適用例９］上記適用例にかかる欠陥検査装置であって、前記欠陥検査の結果、欠陥が検出された場合には、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長の光を照射し、個別パターン情報を検出することを特徴とする。
【００２４】
上記した適用例によれば、パターン認識を可能とせしめる波長で被検査基板を観察した場合は、個別パターンの認識が可能となるため、個別パターン情報を容易に得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態：金属遮蔽層により個別パターンを埋めた被検査基板）
以下、本実施形態にかかる被検査基板について図面を用いて説明する。図１（ａ）は、個別パターンとしてのアドレス番号部を有するパターンを、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極層（たとえばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層構造）に形成し、ゲート電極層よりも上層の金属配線層を用いてマスクした被検査基板の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。本実施形態では、対角５インチ（１２．７ｃｍ）程度の有機ＥＬ装置への適用について例示するが、これは液晶装置等、被検査基板１にガラス等光学的に透明な基板を用いるものに対して適用可能である。なお、画面サイズは一例を示すものであり、たとえばテレビ等への応用であれば、対角１ｍを越す場合もある。ここで、被検査基板１は、無アルカリガラス等を用いた基板３０上に形成されている。典型的な例として被検査基板１の中央部には、画素１９が並べられた表示領域１１がある。そして表示領域１１を囲うように番号領域１２が配置されている。番号領域１２には、点線で囲われた領域で示される繰り返しパターン１４が配置されており、表示領域１１の画素１９に不良が発生した場合には、このアドレス番号部１３に示されたアドレス番号を読み取り、このアドレス番号と関連がある領域を救済すべくリペア処理を行う。アドレス番号部１３は、文字として認識できれば良いので、この部分を遮蔽して検査を行っても、実用上の問題は発生しない。
【００２６】
本実施形態においては、アドレス番号部１３は遮蔽層２０により覆われており、アドレス番号部１３は上から見て隠される形となり、欠陥検出を行う場合には、アドレス番号部１３は隣接する別のアドレス番号部と同じパターンとして認識される。なお、遮蔽層２０の厚みを薄くして、若干アドレス番号部１３が見える状態としても適用可能である。この場合には、アドレス番号部１３は薄く見えることとなるが、遮蔽層２０の存在によりコントラスト比は低下する。そのため、後述する欠陥検査装置を用いる場合に、パターン有無を判定する閾値を調整することで、遮蔽層２０の下に位置する領域を遮蔽層２０により隠した状態として欠陥検査装置に認識させることが可能となる。
【００２７】
そして、番号領域１２を囲うように、回路領域１５が備えられている。回路領域１５と表示領域１１とは、番号領域１２を介して接続されており、番号領域１２のアドレス番号部１３に対応させて回路領域１５と表示領域１１との接続部位を変えることでリペア処理が行えるよう構成されている。図１（ａ）の吹き出し部は、番号領域１２のパターンを拡大したものを記載している。番号領域１２には、たとえばソース線１６とゲート線１７とが位置しており、表示領域１１に位置する画素１９のパターンの端部を安定した状態に保つためのダミー画素１８が配置されている。ダミー画素１８を配置することで表示領域１１の端に位置する画素１９に発生する、フォトレジストパターンを形成すべく行われる露光工程やエッチング工程等でのパターン不連続性に起因する不良の発生が抑制できる。そして、ソース線１６とゲート線１７は協働して表示すべき画素１９を選択する機能を有している。
【００２８】
なお、図１（ａ）では、遮蔽層２０の下側に位置する番号領域１２が透けて見えているが、これは説明を行う都合上このように記載したものであり、実際には遮蔽層２０により遮蔽されている。なお、後述するように、遮蔽層２０を通して若干アドレス番号部１３が見える状態とした場合には、図１（ａ）で示したように認識される。
【００２９】
次に、図１（ｂ）を用いて被検査基板１の断面構造について説明する。アドレス番号部１３は、たとえばゲート電極層（たとえばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層構造）に用いられる金属配線を用いて形成される。アドレス番号部１３は、文字として認識できれば良い。そのため、繰り返しパターン１４と異なり、詳細な検査を行う必要がなく、この部分を除いて検査しても障害は生じない。
【００３０】
そして、アドレス番号部１３は、酸窒化珪素等を含む第１層間絶縁層３１により覆われる。
【００３１】
そして、第１層間絶縁層３１上には、ソース線１６が形成されており、図１（ａ）に示す回路領域１５と表示領域１１とを電気的に接続している。そしてソース線１６は、アクリル樹脂等を用いた平坦化層としても機能する第２層間絶縁層３２によって覆われる。
【００３２】
第２層間絶縁層３２上には、画素１９を電気的に駆動すると共に、アルミニウムにネオジムを添加した合金（以下ＡｌＮｄと呼称する）等の光を反射する材質を含む金属を用いた遮蔽層２０により覆われる。このようにアドレス番号部１３、遮蔽層２０を構成することで、アドレス番号部１３は、上側から見た場合には隣接する当該領域と同じ形状の遮蔽層２０によりマスクされる。そのため上側から見た場合、繰り返しパターン１４の一部として認識される。そして、下側（裏面側）から見た場合、アドレス番号部１３を認識することが可能となる。そして、第３層間絶縁層３３により遮蔽層２０は覆われる。第３層間絶縁層３３で覆うことで、外部からの水分の浸入は防止される。
【００３３】
上記した構成を用いることで、遮蔽層２０と繰り返しパターン１４のＯＲを取った形状を、ハッチングされた領域として示される新しい繰り返しパターン１４Ａとして扱うことが可能となる。繰り返しパターン１４Ａを採用することで、高速、高精度で欠陥検出が可能となる。よって、量産性に優れた被検査基板１を提供することが可能となる。
【００３４】
上記した例では、アドレス番号部１３を遮蔽層２０により覆うことで、新しい繰り返しパターン１４Ａとして認識させる場合について説明したが、これはアドレス番号部１３に限定されるものではなく、例えば一部のパターン長を変えて電気的特性やパターン形状の変化を調べるための測定用パターンや、別途分析を行うための検査パターンを遮蔽層２０の下側に配置しても良い。遮蔽層２０よりも下層に位置する構造体の情報は遮蔽層２０により隠されるため、任意のパターンを用いることが可能である。なお、測定用パターンや検査パターンに異常が生じた場合でも、製品としての被検査基板１の不良とは関連しないため、この部分を除いて検査しても障害は生じない。
【００３５】
ここで、これらのパターンは、アドレス番号部１３と遮蔽層２０との間の層に設けられることが好ましく、この場合にはアドレス番号を被検査基板１の裏面から読み出すことが可能となる。また、アドレス番号部１３よりも下層で測定用パターンや検査パターンを設ける場合には、アドレス番号部１３が被検査基板１の裏面から認識できるようアドレス番号部１３の領域を空けてパターン形成されていることが好ましい。
【００３６】
また、遮蔽層２０の厚みを薄くして、若干アドレス番号部１３が見える状態とした場合には、被検査基板１の表面（「上」側）から認識させることが可能となり、不透明基板上に対しての応用が可能となる。そのため、シリコン基板（不透明基板）を用いたメモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等のデバイスに対しても適用可能となる。
ここで、本実施形態では矩形の島状パターンにした遮蔽層２０を用いた場合について説明したが、これは、アドレス番号部１３を覆い、繰り返しパターン１４の少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層を用いても良い。
【００３７】
（第２の実施形態：干渉層により個別パターンを覆った被検査基板）
以下、本実施形態にかかる被検査基板について図面を用いて説明する。本実施形態は第１の実施形態と共通する部分があるため、その部分については説明を省略し、重複を避ける。図２（ａ）は、アドレス番号部を下層に形成し、上層の干渉層を用いてマスクした被検査基板の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。第１の実施形態との相違点は、遮蔽層２１として上層の金属配線層を用いた遮蔽層２０に代えて、光反射率に波長依存性がある干渉層を用いた点である。
【００３８】
干渉層を用いた遮蔽層２１は、第２層間絶縁層３２上に、ＡｌＮｄを用いた１０ｎｍ程度の層厚を有する第１干渉層２１Ａ、窒化珪素を用いた層厚５０ｎｍの第２干渉層２１Ｂ、ＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）を用いた層厚１２０ｎｍｍの第３干渉層２１Ｃとで構成される。遮蔽層２１は、６００ｎｍ程度の波長を有する光を反射し、５００ｎｍ程度の波長を有する光を透過させる。波長６００ｎｍ程度の光を用いた場合、第１の実施形態同様、遮蔽層２１と繰り返しパターン１４のＯＲを取った形状を新しい繰り返しパターン１４Ａとして扱うことが可能となる。繰り返しパターン１４Ａを採用することで、高速、高精度で欠陥検出が可能であり、量産性に優れた被検査基板１を提供することが可能となる。加えて、本実施形態では５００ｎｍ程度の波長を有する光を透過させてアドレス番号部１３を見ることが可能である。そのため、アドレス番号部１３を表面側（「上」側）から認識することが可能となり、不透明基板に対しての応用が可能となる。そのため、シリコン基板（不透明基板）を用いたメモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等のデバイスに対しても適用可能である。
【００３９】
上記した例では、アドレス番号部１３を遮蔽層２１により覆うことで、新しい繰り返しパターン１４Ａとして認識させる場合について説明したが、これはアドレス番号部１３に限定されるものではなく、例えば一部のパターン長を変えて電気的特性やパターン形状の変化を調べるための測定用パターンや、別途分析を行うための検査パターンを遮蔽層２１の下側に配置しても良い。遮蔽層２１よりも下層に位置する構造体の情報は遮蔽層２１により隠されるため、任意のパターンを用いることが可能である。ここで、本実施形態では矩形の島状パターンにした遮蔽層２１を用いた場合について説明したが、これは、アドレス番号部１３を覆い、繰り返しパターン１４の少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層を用いても良い。
【００４０】
（第３の実施形態：干渉層により個別パターンを形成した被検査基板）
以下、本実施形態にかかる被検査基板について図面を用いて説明する。本実施形態は第１の実施形態と共通する部分があるため、その部分については説明を省略し、重複を避ける。図３（ａ）は、干渉層を用いてアドレス番号部を構成した被検査基板の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。第１の実施形態との相違点は、遮蔽層２０（図１（ａ）参照）を用いずに、アドレス番号部１３を光反射率に波長依存性がある干渉層を用いて形成した点である。
【００４１】
干渉層を用いたアドレス番号部１３は、第２層間絶縁層３２上に、ＡｌＮｄを用いた１０ｎｍ程度の層厚を有する第１干渉層２１Ａ、窒化珪素を用いた層厚５０ｎｍの第２干渉層２１Ｂ、ＩＴＯを用いた層厚１２０ｎｍｍの第３干渉層２１Ｃとで構成される。アドレス番号部１３は、６００ｎｍ程度の波長を有する光を反射し、５００ｎｍ程度の波長を有する光を透過させる。波長５００ｎｍ程度の光を用いた場合、アドレス番号部１３の情報を除いたものを新しい繰り返しパターン１４Ａとして扱うことが可能となる。繰り返しパターン１４Ａを採用することで、高速、高精度で欠陥検出が可能であり、量産性に優れた被検査基板１を提供することが可能となる。加えて、本実施形態では波長６００ｎｍ程度の光を反射させて、アドレス番号部１３を見ることが可能である。そのため、アドレス番号部１３を表面側（「上」側）から認識することが可能となり、不透明基板上に対しての応用が可能となる。そのため、シリコン基板（不透明基板）を用いたメモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等のデバイスに対しても適用可能となる。
【００４２】
（第４の実施形態：被検査基板の製造方法）
以下、本実施形態にかかる被検査基板の製造方法について図面を用いて説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態にかかる製造工程を示す工程断面図、図５（ａ）、（ｂ）は、本実施形態にかかる製造工程を示す平面図である。
【００４３】
まず、工程１として、ガラスやプラスチックを用いてなる基板５０上に、ＴＦＴ５１（図４（ｂ）参照）を構成する半導体層やゲート絶縁層等を形成し、続けてゲート電極前駆体５２Ａを形成する。次に、工程２として、ゲート電極前駆体５２Ａ上にパターニングしたフォトレジスト層５３を形成する。ここまでの工程を終えた工程断面図を図４（ａ）に示す。また、平面図を図５（ａ）に示す。図５（ａ）に示すように、フォトレジスト層５３をマスクとしてエッチングすることで、ゲート電極５２と同時にアドレス番号部５４を形成することができる。そのため、アドレス番号部５４を別工程で形成する必要がなくなり、製造工程を短縮することが可能となる。
【００４４】
次に、工程３として、フォトレジスト層５３をマスクとしてゲート電極前駆体５２Ａをエッチングした後、フォトレジスト層５３を除去する。
【００４５】
次に、工程４として、第１層間絶縁層５５を形成し、コンタクトホールを開口した後ドレイン・ソース金属層５６を形成する。そして、ドレイン・ソース金属層５６をアクリル樹脂等を用いた平坦化層としても機能する第２層間絶縁層５７によって覆う。
【００４６】
次に、工程５として、ネオジムを添加したアルミニウム層をスパッタ法等により形成し、有機ＥＬ層６２（図４（ｃ）参照）から基板５０側に向けて発光した光を基板５０と反対側に反射させる反射層５８と、遮蔽層５９の部分を残してフォトリソグラフ・エッチング工程を行うことで光を反射させる反射層５８と、遮蔽層５９を同時に形成する。ここまでの工程を終えた工程断面図を図４（ｂ）に示す。また、平面図を図５（ｂ）に示す。なお、図５（ｂ）では説明のため、アドレス番号部５４が透過されるように記載しているが、本実施形態では、このアドレス番号部５４は遮蔽層５９により遮蔽され、視認できぬよう形成されている。ここで、遮蔽層５９に半透過性を与えることで、アドレス番号部５４のコントラストを低下させるようにしても良い。この場合には、図５（ｂ）のように視認できる状態となる。
【００４７】
次に、工程６として、コンタクトホールを開口し、窒化珪素層６０を堆積する。そして、次に、工程７として、ドレイン・ソース金属層５６がある領域の窒化珪素層６０をエッチング除去し、マグネシウム−銀合金を３０ｎｍ程度に積層して陽極６１を形成する。窒化珪素層６０は、陽極６１と反射層５８（遮蔽層５９）とを物理的に離し、両金属が直接接触した場合に発生する電蝕を防ぐ層として形成される。
【００４８】
次に、工程８として、第２層間絶縁層６５を形成し、コンタクトホールを空けて陽極６１の一部を露出させる。次に、有機ＥＬ層６２を形成し、共通陰極６３を形成した後、複層構造を有する第３層間絶縁層６４を形成し、被検査基板７０が形成される。ここまでの工程を終えた工程断面図を図４（ｃ）に示す。本実施形態を用いて被検査基板７０を形成することで、工程数を増やすことなくアドレス番号部５４と遮蔽層５９とを形成することが可能となる。
【００４９】
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子を形成する工程について説明したが、これは液晶素子を形成する工程に対しても対応可能である。
【００５０】
（変形例：第４の実施形態）
以下、第４の実施形態についての変形例について図面を用いて説明する。図６（ａ）、（ｂ）は第４の実施形態における変形例を説明するための断面図である。ここで、工程４までは、同じ工程を用いる。次に、工程５Ａとして、ネオジムを添加したアルミニウム層をスパッタ法等により形成し、フォトリソグラフ・エッチング工程を行うことで、反射層５８を形成する。次に、再びネオジムを添加したアルミニウム層を、厚さ１０ｎｍ程度にスパッタ法等を用いて形成し、フォトリソグラフ・エッチング工程を行うことで第１干渉層７１Ａを形成する。この工程を終えた工程断面図を図６（ａ）に示す。次に、工程６を行う。ただし、工程６で積層する窒化珪素層６０の厚さは５０ｎｍに制御する。工程６を行うことで、窒化珪素層６０の第１干渉層７１Ａ上には、第２干渉層７１Ｂが形成される。
【００５１】
次に、工程７Ａとして、７０ｎｍ程度の厚さを有するＩＴＯ層を形成し、第１干渉層７１Ａと重なる部分にＩＴＯ層が残るようにフォトリソグラフ・エッチング工程を行う。
【００５２】
次に、工程７Ｂとして、５０ｎｍ程度の厚さを有するＩＴＯ層を形成し、反射層５８上の領域と、第１干渉層７１Ａの部分のＩＴＯ層が残るようにフォトリソグラフ・エッチング工程を行う。工程７Ａ、工程７Ｂを行うことで、第３干渉層７１Ｃが形成される。次に、工程８を行うことで、被検査基板７０Ａが形成される。この工程を終えた工程断面図を図６（ｂ）に示す。
【００５３】
この場合、遮蔽層７１は、ＡｌＮｄを用いた１０ｎｍ程度の層厚を有する第１干渉層７１Ａ、窒化珪素を用いた層厚５０ｎｍの第２干渉層７１Ｂ、ＩＴＯを用いた層厚１２０ｎｍｍの第３干渉層７１Ｃとで構成される。
【００５４】
また、別の変形例について、図面を用いて説明する。図７（ａ）、（ｂ）は、第４の実施形態における別の変形例を説明するための断面図である。まず、工程１Ａを行う。工程１とは、アドレス番号部５４（図４（ｂ）参照）を形成しないことで異なっている。
【００５５】
次に、工程２〜４を行う。次に工程５Ｂとして、ネオジムを添加したアルミニウム層をスパッタ法等により形成し、フォトリソグラフ・エッチング工程を行う。工程５Ａと異なる点は、第１干渉層７１Ａがアドレス番号部５４の一部として機能する点である。この工程を終えた工程断面図を図７（ａ）に示す。次に工程６を行う。ただし、工程６で積層する窒化珪素層６０の厚さは５０ｎｍに制御する。
【００５６】
次に、工程７Ａとして、７０ｎｍ程度の厚さを有するＩＴＯ層を形成し、第１干渉層７１Ａと重なる部分にＩＴＯ層が残るようにフォトリソグラフ・エッチング工程を行う。
【００５７】
次に、工程７Ｂとして、５０ｎｍ程度の厚さを有するＩＴＯ層を形成し、反射層５８上の領域と、第１干渉層７１Ａの部分のＩＴＯ層が残るようにフォトリソグラフ・エッチング工程を行う。次に、工程８を行うことで、被検査基板７０Ｂが形成される。この工程を終えた工程断面図を図７（ｂ）に示す。
【００５８】
この場合、アドレス番号部５４は、ＡｌＮｄを用いた１０ｎｍ程度の層厚を有する第１干渉層７１Ａ、窒化珪素を用いた層厚５０ｎｍの第２干渉層７１Ｂ、ＩＴＯを用いた層厚１２０ｎｍｍの第３干渉層７１Ｃとで構成される。
【００５９】
（第５の実施形態：金属マスクにより個別パターンを埋めた被検査基板を調べる欠陥検査装置）
以下、本実施形態にかかる欠陥検査装置について図面を用いて説明する。図８は、本実施形態にかかる欠陥検査装置１００を示す模式図であり、図９は、欠陥検査装置１００を用いて欠陥検査を行うためのフローチャートである。欠陥検査装置１００は、被検査基板１を繰り返しパターン１４（図１（ａ）参照）のピッチに合わせて送るステージ１０１、被検査基板１の繰り返しパターン１４を撮像する撮像装置１０２、撮像装置１０２により撮影された情報を記憶する記憶装置１０３、記憶装置１０３に蓄えられたパターン情報と、繰り返しパターン１４（図１（ａ）参照）とを重ね合わせる演算を行い、繰り返しパターン１４の欠陥情報を出力するＣＰＵ１０４と、被検査基板１に光を照射する光源１０５と、被検査基板１を裏面から観察する裏面撮像装置１０６と、を有している。
【００６０】
まず、ステップ１（Ｓ１）として、繰り返しパターン１４を検出して、繰り返しパターン１４の起点に焦点を合わせる。これは、被検査基板１に配置された図示せぬアライメントマーク等を用いて自動測定し位置合わせを行い、焦点を合わせることで対応できるが、ＣＰＵ１０４が備える画面を参照して合わせても良い。
【００６１】
次に、ステップ２（Ｓ２）として、繰り返しパターン１４と、遮蔽層２０（図１（ａ）参照）とを合わせて繰り返しパターン１４Ａとして認識させ、記憶装置１０３に記憶させる。この際に、アドレス番号部１３の信号を遮蔽層２０の信号でマスクするようコントラストを調整する。この工程はＣＰＵ１０４が自動的に実行できるよう事前にコントラストの閾値を設定しておくことが好ましい。
【００６２】
次に、ステップ３（Ｓ３）として、ステージ１０１を繰り返しパターン１４Ａのピッチ分だけ送り、被検査基板１の位置をずらし、繰り返しパターン１４Ａと、次の繰り返しパターン１４Ａとの形状を比較する。この場合に、若干の位置ずれ、拡大倍率の変動等をＣＰＵ１０４により補正して比較することが好ましい。ここで、繰り返しパターン１４Ａとして、記憶装置１０３に記憶された最初のパターンを用い続けても良いが、順次更新する、あるいは積算していく等の処理をしても良い。
【００６３】
そして、ステップ４（Ｓ４）として、良否判定を行う。ここで、繰り返しパターン１４Ａに不良が見つかった場合には、ステップ５（Ｓ５）として、ステージ１０１側（被検査基板１の裏面側）から裏面撮像装置１０６によりアドレス番号を読み取り、アドレス番号を記憶装置１０３に記憶させる。そして、ステップ６（Ｓ６）として、繰り返しパターン１４Ａのパターン終了を検知したところで終了する。
【００６４】
（第６の実施形態：干渉層により個別パターンを形成した被検査基板を調べる欠陥検査装置）
以下、本実施形態にかかる欠陥検査装置について図面を用いて説明する。図１０は、本実施形態にかかる欠陥検査装置１００を示す模式図であり、図１１は、欠陥検査装置１００を用いて欠陥検査を行うためのフローチャートである。第５の実施形態との相違点は、裏面撮像装置１０６を含まないことと、光源１０５に代えて照射波長の変更が可能な光源１０５Ａを用いている点である。
【００６５】
まず、ステップ１（Ｓ１）として、光源１０５Ａの波長を、干渉層を用いた遮蔽層２０が反射する光の波長に合わせて照射し、繰り返しパターン１４に焦点を合わせる。これは、被検査基板１に配置された図示せぬアライメントマーク等を用いて自動測定し位置合わせを行い、焦点を合わせることで対応できるが、ＣＰＵ１０４が備える画面を参照して合わせても良い。
【００６６】
次に、ステップ２（Ｓ２）として、繰り返しパターン１４と、遮蔽層２０（図１（ａ）参照）とを合わせて繰り返しパターン１４Ａとして認識させ、記憶装置１０３に記憶させる。この際に、アドレス番号部１３の信号を遮蔽層２０の信号でマスクするようコントラストを調整する。この工程はＣＰＵ１０４が自動的に実行できるよう事前にコントラストの閾値を設定しておくことが好ましい。
【００６７】
次に、ステップ３（Ｓ３）として、ステージ１０１を繰り返しパターン１４Ａのピッチ分だけ送る。次に、ステップ４（Ｓ４）として、被検査基板１の位置をずらし、繰り返しパターン１４Ａと、次の繰り返しパターン１４Ａとの形状を比較する。この場合に、若干の位置ずれ、拡大倍率の変動等をＣＰＵ１０４により補正して比較することが好ましい。ここで、繰り返しパターン１４Ａとして、記憶装置１０３に記憶された最初のパターンを用い続けても良いが、順次更新する、あるいは積算していく等の処理をしても良い。
【００６８】
そして、良否判定を行う。ここで、繰り返しパターン１４Ａに不良が見つかった場合にはステップ５（Ｓ５）として、光源１０５Ａからの照射光波長を遮蔽層２０を透過する波長に切り替えてアドレス番号を読み取り、アドレス番号を記憶装置１０３に記憶させる。
【００６９】
そして、ステップ６（Ｓ６）として、繰り返しパターン１４Ａのパターンが終了したところで終了する。この場合、遮蔽層２０を透過する光を照射することでアドレス番号部１３を見ることが可能である。そのため、不透明基板上に形成されたパターンに対しても有効であり、メモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等、シリコン基板を用いたデバイスに対しても適用可能となる。
【００７０】
（第７の実施形態：干渉層により個別パターンを形成した被検査基板を調べる欠陥検査装置）
以下、本実施形態にかかる欠陥検査装置について図面を用いて説明する。欠陥検査装置１００は図１０と同じ構成を有しており、欠陥検査装置１００を用いて欠陥検査を行うためのフローチャートが異なっている。図１２は、欠陥検査装置１００を用いて欠陥検査を行うためのフローチャートである。まず、ステップ１（Ｓ１）として、光源１０５Ａの波長を、干渉層を用いたアドレス番号部１３が透過する光の波長に合わせて照射し、繰り返しパターン１４に焦点を合わせる。これは、被検査基板１に配置された図示せぬアライメントマーク等を用いて自動測定し位置合わせを行い、焦点を合わせることで対応できるが、ＣＰＵ１０４が備える画面を参照して合わせても良い。
【００７１】
次に、ステップ２（Ｓ２）として、繰り返しパターン１４と、干渉層を用いたアドレス番号部１３の領域（透明となり見えなくなっている）とを合わせて繰り返しパターン１４Ａとして認識させ、記憶装置１０３に記憶させる。この際に、アドレス番号部１３の信号を透明なものとして認識されるようコントラストを調整する。この工程はＣＰＵ１０４が自動的に実行できるよう事前にコントラストの閾値を設定しておくことが好ましい。
【００７２】
次に、ステップ３（Ｓ３）として、ステージ１０１を繰り返しパターン１４Ａのピッチ分だけ送り、被検査基板１の位置をずらし、繰り返しパターン１４Ａと、次の繰り返しパターン１４Ａとの形状を比較する。この場合に、若干の位置ずれ、拡大倍率の変動等をＣＰＵ１０４により補正して比較することが好ましい。ここで、繰り返しパターン１４Ａとして、記憶装置１０３に記憶された最初のパターンを用い続けても良いが、順次更新する、あるいは積算していく等の処理をしても良い。
【００７３】
そして、ステップ４（Ｓ４）として、良否判定を行う。ここで、繰り返しパターン１４Ａに不良が見つかった場合には、ステップ５（Ｓ５）として光源１０５Ａからの照射光波長を、干渉層を用いたアドレス番号部１３が反射する波長に切り替え、アドレス番号部１３を読み取り、アドレス番号を記憶装置１０３に記憶させる。
【００７４】
そして、ステップ６（Ｓ６）として、繰り返しパターン１４Ａのパターンが終了したところで終了する。この場合、アドレス番号部１３が反射する光を照射することで、アドレス番号部１３を見ることが可能である。そのため、不透明基板上に形成されたパターンに対しても有効であり、メモリや、ゲートアレイ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等、シリコン基板を用いたデバイスに対しても適用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】（ａ）は、アドレス番号部を上層の金属配線層を用いてマスクした被検査基板の平面図、（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図。
【図２】（ａ）は、アドレス番号部を上層の干渉層を用いてマスクした被検査基板の平面図、（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図。
【図３】（ａ）は、干渉層を用いてアドレス番号部を構成した被検査基板の平面図、（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態にかかる製造工程を示す工程断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、第４の実施形態にかかる製造工程を示す平面図。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、第４の実施形態における変形例を説明するための断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第４の実施形態における別の変形例を説明するための断面図。
【図８】第５の実施形態にかかる欠陥検査装置を示す模式図。
【図９】欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行うためのフローチャート。
【図１０】第６の実施形態にかかる欠陥検査装置を示す模式図。
【図１１】欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行うためのフローチャート。
【図１２】欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行うためのフローチャート。
【符号の説明】
【００７６】
１…被検査基板、１１…表示領域、１２…番号領域、１３…アドレス番号部、１４…繰り返しパターン、１４Ａ…繰り返しパターン、１５…回路領域、１６…ソース線、１７…ゲート線、１８…ダミー画素、１９…画素、２０…遮蔽層、２１…遮蔽層、２１Ａ…第１干渉層、２１Ｂ…第２干渉層、２１Ｃ…第３干渉層、３０…基板、３１…第１層間絶縁層、３２…第２層間絶縁層、３３…第３層間絶縁層、５０…基板、５１…ＴＦＴ、５２…ゲート電極、５２Ａ…ゲート電極前駆体、５３…フォトレジスト層、５４…アドレス番号部、５５…第１層間絶縁層、５６…ドレイン・ソース金属層、５７…第２層間絶縁層、５８…反射層、５９…遮蔽層、６０…窒化珪素層、６１…陽極、６２…有機ＥＬ層、６３…共通陰極、６４…第３層間絶縁層、６５…第２層間絶縁層、７０…被検査基板、７０Ａ…被検査基板、７０Ｂ…被検査基板、７１…遮蔽層、７１Ａ…第１干渉層、７１Ｂ…第２干渉層、７１Ｃ…第３干渉層、１００…欠陥検査装置、１０１…ステージ、１０２…撮像装置、１０３…記憶装置、１０４…ＣＰＵ、１０５…光源、１０５Ａ…光源、１０６…裏面撮像装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンと、
前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、
前記遮蔽層は、光を照射して得られる反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽する遮光性を備えることを特徴とする被検査基板。
【請求項２】
繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンと、
前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、
前記遮蔽層は、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えていることを特徴とする被検査基板。
【請求項３】
繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に位置する干渉層を含む個別パターンと、を備え、
前記個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えることを特徴とする被検査基板。
【請求項４】
繰り返しパターンを製造する工程と、
前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンを形成する工程と、
前記個別パターンを覆う、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層を形成する工程と、を備え、
前記遮蔽層は、入射光を照射し、当該入射光の反射に起因する反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽するものであり、
前記個別パターンよりも上層に位置する遮光性を有する領域と同時に形成されることを特徴とする被検査基板の製造方法。
【請求項５】
繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、
前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、
前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に個別パターンと、
前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、
前記遮蔽層は、入射光を照射し、当該入射光の反射に起因する反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽する遮光性を有するものであり、
前記個別パターンの情報をマスクすることで、前記個別パターンの情報を遮蔽し、前記遮蔽層のパターンとして扱うことで前記繰り返しパターンに繰り込み、新たな繰り返しパターンとして欠陥検査を行うことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の欠陥検査装置であって、前記欠陥検査の結果、欠陥が検出された場合には、前記被検査基板の裏面から個別パターン情報を検出することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項７】
繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、
前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、
前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に、前記繰り返しパターンに対応するように位置する個別パターンと、
前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、
前記遮蔽層は、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えており、パターン認識を抑制し得る波長条件で撮像することで、前記個別パターンの情報を遮蔽し、前記遮蔽層のパターンとして認識させた後、前記繰り返しパターンに繰り込み、新たな繰り返しパターンとして欠陥検査を行うことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項８】
繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、
前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、
前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に位置する個別パターンと、を備え、
前記個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えており、
パターン認識を抑制し得る波長条件で撮像し、前記個別パターンの情報を遮蔽した領域を含めて新たな繰り返しパターンとして認識させて欠陥検査を行うことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の欠陥検査装置であって、前記欠陥検査の結果、欠陥が検出された場合には、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長の光を照射し、個別パターン情報を検出することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項１】
繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンと、
前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、
前記遮蔽層は、光を照射して得られる反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽する遮光性を備えることを特徴とする被検査基板。
【請求項２】
繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンと、
前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、
前記遮蔽層は、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えていることを特徴とする被検査基板。
【請求項３】
繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に位置する干渉層を含む個別パターンと、を備え、
前記個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とし得る光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えることを特徴とする被検査基板。
【請求項４】
繰り返しパターンを製造する工程と、
前記繰り返しパターンに隣り合う領域内に位置する個別パターンを形成する工程と、
前記個別パターンを覆う、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層を形成する工程と、を備え、
前記遮蔽層は、入射光を照射し、当該入射光の反射に起因する反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽するものであり、
前記個別パターンよりも上層に位置する遮光性を有する領域と同時に形成されることを特徴とする被検査基板の製造方法。
【請求項５】
繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、
前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、
前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に個別パターンと、
前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、
前記遮蔽層は、入射光を照射し、当該入射光の反射に起因する反射光を用いてパターン認識する際に、前記個別パターンの情報を遮蔽する遮光性を有するものであり、
前記個別パターンの情報をマスクすることで、前記個別パターンの情報を遮蔽し、前記遮蔽層のパターンとして扱うことで前記繰り返しパターンに繰り込み、新たな繰り返しパターンとして欠陥検査を行うことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の欠陥検査装置であって、前記欠陥検査の結果、欠陥が検出された場合には、前記被検査基板の裏面から個別パターン情報を検出することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項７】
繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、
前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、
前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に、前記繰り返しパターンに対応するように位置する個別パターンと、
前記個別パターンを覆い、形状が揃えられた島状形状、または前記個別パターンを覆い前記繰り返しパターンの少なくとも一部を残して覆う、一連なりの形状を有する遮蔽層と、を備え、
前記遮蔽層は、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えており、パターン認識を抑制し得る波長条件で撮像することで、前記個別パターンの情報を遮蔽し、前記遮蔽層のパターンとして認識させた後、前記繰り返しパターンに繰り込み、新たな繰り返しパターンとして欠陥検査を行うことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項８】
繰り返しパターンが規則的に配列された被検査基板を走査して前記繰り返しパターンを取り込む撮像装置と、
前記繰り返しパターンと、前記繰り返しパターンと隣り合う繰り返しパターンとを比較する比較手段を備える欠陥検査装置であって、
前記被検査基板は、前記繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと隣り合う領域内に位置する個別パターンと、を備え、
前記個別パターンは、パターン認識を抑制し得る光反射率を示す波長と、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長と、を含む波長依存性を有する干渉層を備えており、
パターン認識を抑制し得る波長条件で撮像し、前記個別パターンの情報を遮蔽した領域を含めて新たな繰り返しパターンとして認識させて欠陥検査を行うことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の欠陥検査装置であって、前記欠陥検査の結果、欠陥が検出された場合には、パターン認識を可能とせしめる光反射率を示す波長の光を照射し、個別パターン情報を検出することを特徴とする欠陥検査装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−１６００３８（Ｐ２０１０−１６００３８Ａ）
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２２３８（Ｐ２００９−２２３８）
【出願日】平成２１年１月８日（２００９．１．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月８日（２００９．１．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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